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WO2024043344A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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Publication number
WO2024043344A1
WO2024043344A1 PCT/JP2023/030813 JP2023030813W WO2024043344A1 WO 2024043344 A1 WO2024043344 A1 WO 2024043344A1 JP 2023030813 W JP2023030813 W JP 2023030813W WO 2024043344 A1 WO2024043344 A1 WO 2024043344A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode finger
electrode
layer
wave device
elastic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2023/030813
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
翔 永友
克也 大門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202380056634.6A priority Critical patent/CN119605082A/zh
Publication of WO2024043344A1 publication Critical patent/WO2024043344A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • the elastic wave device is, for example, an elastic wave resonator, and is used, for example, in a ladder type filter.
  • a ladder filter In order to obtain good characteristics in a ladder filter, it is necessary to increase the capacitance ratio between the plurality of elastic wave resonators. In this case, it is necessary to increase the capacitance of some of the elastic wave resonators in the ladder filter.
  • This configuration is a configuration in which an electrode connected to a potential different from the input potential and the output potential, such as a reference potential, is arranged between an electrode connected to the input potential and an electrode connected to the output potential.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that can promote miniaturization of the filter device and widen the bandwidth of the pass band.
  • a piezoelectric film including a piezoelectric layer made of lithium niobate and having a first main surface and a second main surface facing each other; 1, has a first busbar portion, and a plurality of first electrode finger portions each having one end connected to the first busbar portion, and is connected to an input potential.
  • a first comb-shaped portion is provided on the first main surface of the piezoelectric layer, one end is connected to a second busbar portion and the second busbar portion, and the plurality of first A second comb-shaped part that has a plurality of second electrode finger parts inserted into each other and is connected to an output potential, and when viewed from above, the first electrode finger part and In the direction in which the second electrode fingers are lined up, a plurality of electrodes are provided on the first main surface of the piezoelectric layer so as to be lined up with the first electrode finger part and the second electrode finger part, respectively. It has a third electrode finger portion and a connecting portion connecting the adjacent third electrode finger portions, and is connected to a different potential from the first comb-shaped portion and the second comb-shaped portion.
  • the order in which the first electrode finger portion, the second electrode finger portion, and the third electrode finger portion are arranged is the first electrode finger portion.
  • the first electrode finger, the third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are in one period
  • Each of the electrode finger portion, the second electrode finger portion, and the third electrode finger portion has at least one layer, and the at least one layer is a layer made of a material containing Al as a main component.
  • three adjacent electrode finger parts in the order of the first electrode finger part, the third electrode finger part, and the second electrode finger part are defined as one set of electrode finger parts;
  • the above of all the above layers when the product of the density of the at least one layer divided by the density of Al and the thickness of the layer in each of the finger parts is the Al normalized thickness of the layer.
  • the sum of the Al normalized thicknesses is the electrode finger thickness de of each of the one set of electrode finger parts, and the width of each of the one set of electrode finger parts is the electrode finger part width me, and the width of each of the one set of electrode finger parts is The average distance between the centers of the first electrode finger part and the third electrode finger part and the center distance of the second electrode finger part and the third electrode finger part which are adjacent to each other in the electrode finger part.
  • a piezoelectric film including a piezoelectric layer made of lithium niobate and having a first main surface and a second main surface facing each other; It is provided on a first main surface, and has a first busbar portion and a plurality of first electrode finger portions each having one end connected to the first busbar portion, and is connected to an input potential.
  • a first comb-shaped portion provided on the first main surface of the piezoelectric layer, a second busbar portion, and one end connected to the second busbar portion; a second comb-shaped part that has a plurality of second electrode finger parts inserted into one electrode finger part and is connected to an output potential, and the first electrode finger part when viewed in plan. and a plurality of electrodes provided on the second main surface of the piezoelectric layer so as to be aligned with the first electrode finger portion and the second electrode finger portion in the direction in which the second electrode finger portions are lined up. and a connecting portion connecting the adjacent third electrode finger portions, and connected to a different potential from the first comb-shaped portion and the second comb-shaped portion.
  • the first electrode finger portion, the second electrode finger portion, and the third electrode finger portion are arranged in the same order as the first electrode finger portion.
  • the first electrode finger part, the third electrode finger part, the second electrode finger part, and the third electrode finger part constitute one cycle
  • the first The electrode finger portion, the second electrode finger portion, and the third electrode finger portion each have at least one layer, and the at least one layer is a layer made of a material containing Al as a main component.
  • three adjacent electrode finger parts in the order of the first electrode finger part, the third electrode finger part, and the second electrode finger part are defined as one set of electrode finger parts, and the one set of electrode finger parts
  • the Al normalized thickness of the layer is the product of the density of the at least one layer divided by the density of Al in each electrode finger portion and the thickness of the layer.
  • the sum of the Al normalized thicknesses is the electrode finger thickness de of each of the one set of electrode finger parts, and the width of each of the one set of electrode finger parts is the electrode finger part width me, and the one set of electrode finger parts is the electrode finger part width me.
  • the average distance between the centers of the first electrode finger portion and the third electrode finger portion and the center distance of the second electrode finger portion and the third electrode finger portion that are adjacent to each other in the electrode finger portion of is the average center-to-center distance pa, and the thickness of the piezoelectric film is d, in each of the pair of electrode fingers, 0.7 ⁇ de/d ⁇ 1.5 and me/pa ⁇ 0.15. be.
  • an elastic wave device in which the size of the filter device can be reduced and the bandwidth of the passband can be widened.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic front sectional view for explaining each parameter in the functional electrode.
  • FIG. 5 is a diagram showing the transmission characteristics of the elastic wave devices of the first embodiment of the present invention and the comparative example.
  • FIG. 6 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers for explaining the odd number mode.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers for explaining the even mode.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing that a pass band is formed in an acoustic coupling filter.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing the passage characteristics in the elastic wave devices of the first embodiment and the first modification of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing the relationship between mg/pa and the fractional band of the ⁇ 5 dB band.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing the passage characteristics in the elastic wave devices of the first embodiment and the second modification of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 20(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 20(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 20(a).
  • FIG. 22(a) is a schematic front sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric film of an acoustic wave device
  • FIG. 22(b) is a thickness slip that propagates through the piezoelectric film in the acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining a mode of bulk waves.
  • FIG. 23 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 24 is a diagram showing the resonance characteristics of an elastic wave device that uses bulk waves in thickness shear mode.
  • FIG. 25 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional band of a resonator, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes, and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 26 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 27 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which spurious signals appear.
  • FIG. 28 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 29 is a diagram showing the relationship between d/2p and metallization ratio MR.
  • FIG. 30 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 31 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 32 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG. In FIG. 2, each electrode is shown with hatching. In schematic plan views other than those shown in FIG. 2, electrodes may be hatched in the same manner.
  • the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 is configured to be able to utilize a thickness shear mode.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. The configuration of the elastic wave device 10 will be explained below.
  • the elastic wave device 10 includes a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11 as a functional section.
  • the piezoelectric substrate 12 is a substrate having piezoelectricity.
  • the piezoelectric substrate 12 includes a support member 13 and a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 is a layer made of piezoelectric material.
  • a piezoelectric film is a film having piezoelectricity, and does not necessarily refer to a film made of a piezoelectric material.
  • the piezoelectric film is a single layer piezoelectric layer 14, and is a film made of a piezoelectric material.
  • the piezoelectric film may be a laminated film including the piezoelectric layer 14.
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15. An insulating layer 15 is provided on the support substrate 16. A piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the support member 13 may be composed only of the support substrate 16. Note that the support member 13 does not necessarily have to be provided.
  • the piezoelectric layer 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b.
  • the first main surface 14a and the second main surface 14b are opposed to each other.
  • the second main surface 14b is located on the support member 13 side.
  • the piezoelectric layer 14 is made of lithium niobate.
  • the piezoelectric layer 14 is made of Z-cut LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 14 may be made of rotated Y-cut lithium niobate.
  • the term "a certain member is made of a certain material” includes the case where a trace amount of impurity is included to the extent that the electrical characteristics of the acoustic wave device are not significantly deteriorated.
  • a functional electrode 11 as a functional part is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the functional part in the present invention may be constituted by a laminate of a layer made of metal and a layer made of dielectric.
  • the functional electrode 11 as a functional part in this embodiment is constituted by a layer made of metal.
  • the functional electrode 11 includes a pair of comb-shaped electrodes and a third electrode 19.
  • the pair of comb-shaped electrodes is a first comb-shaped electrode 17 and a second comb-shaped electrode 18.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to an input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the third electrode 19 is connected to a reference potential in this embodiment.
  • the third electrode 19 does not necessarily need to be connected to the reference potential.
  • the third electrode 19 may be connected to a different potential from the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18. However, it is preferable that the third electrode 19 be connected to the reference potential.
  • the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb-shaped electrode 17 includes a first bus bar 22 and a plurality of first electrode fingers 25 . One end of each of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to the first bus bar 22 .
  • the second comb-shaped electrode 18 includes a second bus bar 23 and a plurality of second electrode fingers 26 . One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the second bus bar 23 .
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 face each other.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26 are inserted into each other.
  • the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are arranged alternately in a direction perpendicular to the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 extend.
  • the third electrode 19 has a third bus bar 24 as a connection electrode and a plurality of third electrode fingers 27.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to each other by a third bus bar 24.
  • a plurality of third electrode fingers 27 are provided so as to line up with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are lined up. . Therefore, the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are lined up in one direction.
  • the plurality of third electrode fingers 27 extend in parallel with the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26.
  • the direction in which the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 extend is referred to as the electrode finger extension direction, and the direction orthogonal to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger arrangement direction is parallel to the electrode finger orthogonal direction.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be collectively referred to simply as an electrode finger.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is, starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. This is the order in which one period is Therefore, the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is: first electrode finger 25, third electrode finger 27, second electrode finger 26, third electrode finger 27, first electrode finger 25, third electrode finger. The second electrode finger 27, the second electrode finger 26, and so on. If the input potential is IN, the output potential is OUT, and the reference potential is GND, and the order of the multiple electrode fingers is expressed as the order of connected potentials, then IN, GND, OUT, GND, IN, GND, OUT, etc. followed by.
  • the electrode fingers located at both ends in the direction orthogonal to the electrode fingers are all the third electrode fingers 27.
  • the electrode finger located at the end in the direction orthogonal to the electrode finger is any type of electrode finger among the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. It may be.
  • the third bus bar 24 serving as a connecting electrode for the third electrode 19 electrically connects the plurality of third electrode fingers 27 to each other.
  • the third bus bar 24 is located in a region between the first bus bar 22 and the tips of the plurality of second electrode fingers 26.
  • a plurality of first electrode fingers 25 are also located in this region.
  • the third bus bar 24 and the plurality of first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other by the insulating film 29.
  • the third bus bar 24 includes a plurality of first connection electrodes 24A and one second connection electrode 24B.
  • Each first connection electrode 24A connects the tips of two adjacent third electrode fingers 27 to each other.
  • the first connection electrode 24A and the two third electrode fingers 27 constitute a U-shaped electrode.
  • a second connection electrode 24B connects the plurality of first connection electrodes 24A.
  • An insulating film 29 is provided between the second connection electrode 24B and the plurality of first electrode fingers 25.
  • an insulating film 29 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to partially cover the plurality of first electrode fingers 25.
  • the insulating film 29 is provided in a region between the first bus bar 22 and the tips of the plurality of second electrode fingers 26.
  • the insulating film 29 has a band-like shape.
  • the insulating film 29 does not reach onto the first connection electrode 24A of the third electrode 19.
  • a second connection electrode 24B is provided over the insulating film 29 and over the plurality of first connection electrodes 24A.
  • the second connection electrode 24B has a bar portion 24a and a plurality of protrusions 24b. Each protrusion 24b extends from the bar portion 24a toward each first connection electrode 24A. Each protrusion 24b is connected to each first connection electrode 24A.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to each other by the first connection electrode 24A and the second connection electrode 24B.
  • the third bus bar 24 is located in a region between the first bus bar 22 and the tips of the plurality of second electrode fingers 26. Therefore, the tips of the plurality of second electrode fingers 26 each face the third bus bar 24 across a gap in the electrode finger extending direction. On the other hand, the tips of the plurality of first electrode fingers 25 each face the second bus bar 23 across a gap in the direction in which the electrode fingers extend.
  • the third bus bar 24 may be located in a region between the second bus bar 23 and the tips of the plurality of first electrode fingers 25.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 25 each face the third bus bar 24 with a gap in between.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 26 each face the first bus bar 22 with a gap in between.
  • the elastic wave device 10 is an elastic wave resonator configured to utilize thickness-shear mode bulk waves. As shown in FIG. 2, the elastic wave device 10 has a plurality of excitation regions C. In the plurality of excitation regions C, bulk waves in thickness shear mode and elastic waves in other modes are excited. Note that in FIG. 2, only two excitation regions C among the plurality of excitation regions C are shown.
  • Some of the plurality of excitation regions C among all the excitation regions C are regions where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the first electrode finger 25 and the third electrode finger 27 that meet.
  • the remaining plurality of excitation regions C are regions where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the third electrode fingers 27. These excitation regions C are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the structure of the functional electrode 11 except for the third electrode 19 is the same as that of an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the crossing region E is the area where the adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 or the adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 are located. It can also be said that these areas overlap.
  • the intersection region E includes a plurality of excitation regions C. Note that the crossover region E and the excitation region C are regions of the piezoelectric layer 14 that are defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • the functional electrode 11 is a functional part in the present invention.
  • the functional part has a first comb-shaped part, a second comb-shaped part, and a third part.
  • the first comb-shaped portion is the first comb-shaped electrode 17 in this embodiment.
  • the second comb-shaped portion is a second comb-shaped electrode 18 .
  • the third part is the third electrode 19.
  • the first comb-shaped part has a first busbar part and a plurality of first electrode finger parts.
  • the second comb-shaped portion includes a second busbar portion and a plurality of second electrode finger portions.
  • the third portion includes a connection portion and a plurality of third electrode finger portions.
  • the first busbar 22 in this embodiment is a first busbar section.
  • the first electrode finger 25 is a first electrode finger portion.
  • the second busbar 23 is a second busbar section.
  • the second electrode finger 26 is a second electrode finger portion.
  • the third bus bar 24 as a connection electrode is a connection part.
  • the third electrode finger 27 is a third electrode finger portion.
  • the direction in which the first electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger extend is the electrode finger extension direction.
  • the direction perpendicular to the extending direction of the first electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger is a direction perpendicular to the electrode fingers.
  • Each electrode finger portion may be made of a single layer metal film, a laminated metal film, or a laminate of a metal layer and a dielectric layer. good.
  • each electrode finger as each electrode finger portion is made of a single layer metal film.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are made of Al.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be made of any material containing Al as a main component.
  • the main component refers to a component that accounts for more than 50% by weight in the member.
  • three adjacent electrode fingers in the order of first electrode finger 25, third electrode finger 27, and second electrode finger 26 are referred to as one set of electrode fingers.
  • the thickness of the first electrode finger 25 is d1
  • the thickness of the second electrode finger 26 is d2
  • the thickness of the third electrode finger 27 is dg.
  • the thickness of each of a set of electrode fingers is collectively referred to as electrode finger thickness de.
  • three adjacent electrode finger parts in the order of the first electrode finger part, the third electrode finger part, and the second electrode finger part are defined as one set of electrode finger parts.
  • the same reference numerals as the thickness of each electrode finger described above are used for the thickness of each electrode finger portion.
  • the thickness of the first electrode finger is d1
  • the thickness of the second electrode finger is d2
  • the thickness of the third electrode finger is dg.
  • the respective thicknesses of one set of electrode finger portions are collectively referred to as electrode finger portion thickness de.
  • k is an arbitrary natural number where n is the maximum value, that the electrode finger portion has one or more k-th layers, and that the closer the layer is to the piezoelectric layer 14, the smaller the value of k is.
  • n the maximum value
  • the electrode finger part is a single layer
  • the electrode finger part is a laminate, for example, a first layer, a second layer, a third layer, . . . an nth layer are laminated in this order from the piezoelectric layer 14 side.
  • the thickness of the layer of the electrode finger portion is tk
  • the actual thickness of the electrode finger portion is ⁇ tk (1 ⁇ k ⁇ n).
  • the electrode finger thickness de is the product of the value obtained by dividing the density of at least one layer by the density of Al in each of a set of electrode finger parts and the thickness of the layer, and is the Al standardization of the layer.
  • the thickness is the sum of the Al normalized thicknesses of all layers.
  • the width of the first electrode finger 25 is m1, the width of the second electrode finger 26 is m2, and the width of the third electrode finger 27 is mg.
  • the respective widths of one set of electrode fingers are collectively referred to as electrode finger width me.
  • the width of the electrode finger is the dimension of the electrode finger along the direction orthogonal to the electrode finger.
  • the same reference numerals as the width of each electrode finger described above are also used for the width of each electrode finger portion. That is, among a set of electrode finger parts, the width of the first electrode finger part is m1, the width of the second electrode finger part is m2, and the width of the third electrode finger part is mg.
  • the respective widths of one set of electrode finger portions are collectively referred to as electrode finger portion width me.
  • the distance between the centers of the first electrode finger 25 and the third electrode finger 27 adjacent to each other is p1, and the distance between the centers of the second electrode finger 26 and the third electrode finger 27 is p2.
  • the distance between the centers of the first and third electrode fingers adjacent to each other is p1
  • the distance between the centers of the second and third electrode fingers is p1.
  • the thickness of the piezoelectric film be d. Note that in this embodiment, the thickness d is the thickness of the piezoelectric layer 14.
  • the electrode finger thickness de may not be constant.
  • the electrode finger width me may not be constant.
  • the center-to-center distance p1 and the center-to-center distance p2 may not be the same.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) In plan view, the third electrode finger of the third electrode 19 is located between the first electrode finger 25 of the first comb-shaped electrode 17 and the second electrode finger 26 of the second comb-shaped electrode 18. 27 shall be provided. 2) A plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. 3) One of 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15, me/pa ⁇ 0.5, and de/d ⁇ 0.25 is satisfied for each of one set of electrode fingers. As a result, when the elastic wave device 10 is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened.
  • a plan view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG. 1 along the lamination direction of the support member 13 and the piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 side is the upper side.
  • planar view is synonymous with viewing from the direction facing the main surface.
  • the main surface opposing direction is a direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 14a.
  • the comparative example is the No. 1 in that none of 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15, me/pa ⁇ 0.5, and de/d ⁇ 0.25 are satisfied in one set of electrode fingers. This embodiment is different from the first embodiment. In the first embodiment according to the comparison, 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15 and me/pa ⁇ 0.5 are satisfied. In the first embodiment and the comparative example, the transmission characteristics were compared.
  • the design parameters of the elastic wave device 10 having the configuration of the first embodiment are as follows.
  • Piezoelectric layer Material...Z-cut LiNbO3 , thickness d...400 nm
  • FIG. 5 is a diagram showing the transmission characteristics of the elastic wave devices of the first embodiment and the comparative example. Note that FIG. 5 shows the results of FEM (Finite Element Method) simulation. Passage characteristics are indicated by S parameters.
  • FEM Finite Element Method
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. More specifically, as shown in FIG. 2, the acoustic wave device 10 has an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27, and an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27; It has an excitation region C located between the centers of the finger 26 and the third electrode finger 27. In these excitation regions C, elastic waves of a plurality of modes are excited.
  • FIG. 6 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers to explain the odd number mode.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers for explaining the even mode.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing that a pass band is formed in an acoustic coupling filter.
  • an odd mode shown in FIG. 6 and an even mode shown in FIG. 7 occur.
  • the odd mode is a mode in which the electrical conditions are in the same phase.
  • the even mode is a mode in which the electrical conditions are in opposite phases. Note that the arrows in FIGS. 6 and 7 indicate the direction of the electric field.
  • a pass band is formed by an even mode and an odd mode.
  • the even mode constitutes the lower end of the passband.
  • the odd mode constitutes the end of the passband on the high frequency side.
  • a filter waveform can be suitably obtained.
  • the elastic wave device 10 is used as an elastic wave resonator in a filter device, a filter waveform can be suitably obtained even when the filter device includes one or a small number of elastic wave resonators. Therefore, it is possible to further downsize the filter device.
  • the present inventors have studied conditions under which unnecessary waves can be suppressed and the bandwidth of the passband can be widened by changing de/d and me/pa.
  • each electrode finger as each electrode finger portion is made of Al.
  • each electrode finger may be made of a material containing Al as a main component.
  • the acoustic properties of Al-based materials are similar to those of Al. Therefore, by satisfying the parameter conditions of the present invention, the bandwidth of the passband can be widened.
  • each electrode finger portion in the present invention may be made of a laminate of a layer made of metal and a layer made of dielectric, for example.
  • the electrode finger width me is constant. Note that the electrode finger width me does not necessarily have to be constant.
  • m1 m2 ⁇ mg. In this case as well, one of 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15, me/pa ⁇ 0.5, and de/d ⁇ 0.25 must be satisfied for each set of electrode fingers. Bye.
  • the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened.
  • FIG. 10 is a diagram showing the passage characteristics in the elastic wave devices of the first embodiment and the first modification.
  • the ⁇ 5 dB bandwidth is wider when the width mg of the third electrode finger 27 is wider than when the electrode finger width me is constant.
  • the -5 dB band refers to a band in which the S parameter is -5 dB or more.
  • -5dB bandwidth is the bandwidth of -5dB band.
  • the ⁇ 5 dB band can be said to be a type of pass band. The reason why the ⁇ 5 dB bandwidth can be widened is as follows.
  • the A1-3 mode does not contribute to the configuration of the passband.
  • the width mg of the third electrode finger 27 is increased, the frequency at which the A1-3 mode occurs can be made closer to the frequency at which the main mode occurs. This allows the A1-3 mode to contribute to the configuration of the passband. Therefore, it is possible to widen the ⁇ 5 dB bandwidth as the passband bandwidth.
  • the fractional band of the ⁇ 5 dB band was calculated for each change in mg/pa as me/pa.
  • the fractional band here refers to the fractional band of an elastic wave device having a passband.
  • the fractional band is defined as (
  • FIG. 11 is a diagram showing the relationship between mg/pa and the fractional band of the ⁇ 5 dB band.
  • the width mg of the third electrode finger 27 is wider than the width m1 of the first electrode finger 25 and the width m2 of the second electrode finger 26.
  • the width mg of the third electrode finger 27 may be narrower than the width m1 of the first electrode finger 25 and the width m2 of the second electrode finger 26.
  • the electrode finger thickness de does not necessarily have to be constant.
  • d1 d2>dg.
  • one of 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15, me/pa ⁇ 0.5, and de/d ⁇ 0.25 must be satisfied for each set of electrode fingers.
  • the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened.
  • the passage characteristics of the second modification will be shown below.
  • Each parameter other than the electrode finger thickness de in the first embodiment was the same as the above-mentioned parameter in the second modification. Therefore, for each electrode finger in one set, 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15 and me/pa ⁇ 0.5.
  • FIG. 13 is a diagram showing the passage characteristics in the elastic wave devices of the first embodiment and the second modification.
  • FIG. 13 shows the results of FEM simulation.
  • the thickness dg of the third electrode finger 27 is thinner than the thickness d1 of the first electrode finger 25 and the thickness d2 of the second electrode finger 26.
  • the thickness dg of the third electrode finger 27 may be thicker than the thickness d1 of the first electrode finger 25 and the thickness d2 of the second electrode finger 26.
  • At least one of the electrode finger width me and the electrode finger thickness de is set between the third electrode finger 27 and at least one of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26 in one set of electrode fingers. They may be different from each other. Thereby, the bandwidth of the passband can be adjusted.
  • first modification example and the second modification example also have the same configuration as the configuration shown below.
  • the support member 13 consists of a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • the piezoelectric substrate 12 is a laminate of a support substrate 16, an insulating layer 15, and a piezoelectric layer 14. That is, the piezoelectric layer 14 and the support member 13 overlap when viewed from the direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other.
  • the material of the support substrate 16 for example, semiconductors such as silicon, ceramics such as aluminum oxide, etc. can be used.
  • semiconductors such as silicon, ceramics such as aluminum oxide, etc.
  • an appropriate dielectric material such as silicon oxide or tantalum oxide can be used.
  • a recess is provided in the insulating layer 15.
  • a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film is provided on the insulating layer 15 so as to close the recess. This forms a hollow section.
  • This hollow part is the hollow part 10a.
  • the support member 13 and the piezoelectric film are arranged such that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric film face each other with the cavity 10a in between.
  • the recess in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recess provided only in the support substrate 16 may be closed by the insulating layer 15.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 14, for example.
  • the cavity 10a may be a through hole provided in the support member 13.
  • the cavity 10a is the acoustic reflection part in the present invention.
  • the acoustic reflection portion can effectively confine the energy of the elastic wave to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflecting portion may be provided at a position in the support member 13 that overlaps at least a portion of the functional electrode 11 in plan view. More specifically, in plan view, the first electrode finger 25 as the first electrode finger part, the second electrode finger 26 as the second electrode finger part, and the third electrode finger part as the third electrode finger part. It is sufficient that at least a portion of each of the three electrode fingers 27 overlaps with the acoustic reflection section. In plan view, it is preferable that the plurality of excitation regions C overlap with the acoustic reflection section.
  • the acoustic reflection portion may be an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later.
  • an acoustic reflective film may be provided on the surface of the support member.
  • d/p is 0.5 or less, and it is more preferable that d/p is 0.24 or less. Thereby, bulk waves in thickness shear mode are suitably excited.
  • the elastic wave device of the present invention does not necessarily have to be configured to be able to utilize thickness-shear mode bulk waves.
  • the elastic wave device of the present invention may be configured to be able to excite plate waves.
  • the excitation region is the intersection region E shown in FIG.
  • the piezoelectric layer 14 is made of Z-cut LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 14 may be made of rotated Y-cut lithium niobate.
  • the fractional band of the acoustic wave device 10 depends on the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate used in the piezoelectric layer 14.
  • FIG. 14 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched region R in FIG. 14 is the region where a fractional band of at least 2% or more can be obtained.
  • the range of region R is approximated, it becomes the range expressed by the following equations (1), (2), and (3). Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within a range of 0° ⁇ 10°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 14.
  • the Euler angle is in the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3).
  • the value of the fractional band can be made sufficiently large.
  • the elastic wave device 10 can be suitably used as a filter device.
  • the third electrode 19 includes a third bus bar 24 as a connection electrode and a plurality of third electrode fingers 27.
  • the third electrode 19 is a comb-shaped electrode.
  • the third electrode 19 does not have to be a comb-shaped electrode.
  • the third electrode 39 has a meandering shape.
  • the insulating film 29 is not provided on the piezoelectric layer 14.
  • the connection electrode 34 includes only a portion corresponding to the plurality of first connection electrodes 24A in the first embodiment.
  • the connection electrode 34 of this modification is not the third bus bar.
  • the third electrode 39 includes a plurality of connection electrodes 34 located on the first bus bar 22 side and a plurality of connection electrodes 34 located on the second bus bar 23 side. .
  • the tips of two adjacent third electrode fingers 27 on the first bus bar 22 side or the tips on the second bus bar 23 side are connected by a connecting electrode 34.
  • the third electrode fingers 27 other than both ends in the electrode finger orthogonal direction have both the tip portion on the first bus bar 22 side and the tip portion on the second bus bar 23 side.
  • One connection electrode 34 is connected to each.
  • the third electrode finger 27 is connected to third electrode fingers 27 on both sides by each connection electrode 34 .
  • the third electrode 39 has a meandering shape.
  • the third electrode finger 27 is arranged between the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26 in plan view.
  • the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened.
  • the plurality of third electrode fingers 27 may be provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the conditions of each parameter are different from the case where the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a.
  • An example of this is illustrated by the second embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the second embodiment.
  • this embodiment differs from the first embodiment in that the third electrode 19 is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • This embodiment differs from the first embodiment also in the relationships among the electrode finger width me, the electrode finger thickness de, the thickness d of the piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film, and the average center-to-center distance pa.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the arrangement of the third electrode 19 in plan view is the same as in the first embodiment. Therefore, when viewed in plan, the plurality of third electrodes are aligned with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are lined up. Each finger 27 is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is as follows: starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 25. This is the order in which the electrode fingers 27 constitute one period.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) In plan view, the third electrode finger of the third electrode 19 is located between the first electrode finger 25 of the first comb-shaped electrode 17 and the second electrode finger 26 of the second comb-shaped electrode 18. 27 shall be provided. 2) A plurality of third electrode fingers 27 are provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14. 3) In each of one set of electrode fingers, 0.7 ⁇ de/d ⁇ 1.5 and me/pa ⁇ 0.15. As a result, when the elastic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened. This is shown below.
  • the present inventors have studied conditions under which unnecessary waves can be suppressed and the bandwidth of the passband can be widened by changing de/d and me/pa.
  • the electrode finger width me may not be constant.
  • the electrode finger thickness de may not be constant. At least one of the electrode finger width me and the electrode finger thickness de is set between the third electrode finger 27 and at least one of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26 in one set of electrode fingers. They may be different from each other. Thereby, the bandwidth of the passband can be adjusted.
  • FIG. 18 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the third embodiment. In FIG. 18, portions including electrodes are shown with hatching.
  • the acoustic wave device 40 of this embodiment differs from the first embodiment in that the portions corresponding to the pair of comb-shaped electrodes and the third electrode are laminates. Other than the above points, this embodiment has the same configuration as the first embodiment.
  • the elastic wave device 40 has a functional section 41.
  • the functional part 41 has a first comb-shaped part, a second comb-shaped part, and a third part.
  • the first comb-shaped portion, the second comb-shaped portion, and the third portion are each provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb-shaped portion includes a first busbar portion and a plurality of first electrode finger portions 45 .
  • the second comb-shaped portion includes a second busbar portion and a plurality of second electrode finger portions 46 .
  • the third portion includes a connecting portion and a plurality of third electrode finger portions 47 .
  • the first comb-shaped part is connected to the input potential.
  • the second comb is connected to the output potential.
  • the third part is connected to a reference potential in this embodiment. Note that the third portion may be connected to a different potential from the first comb-shaped portion and the second comb-shaped portion.
  • the shape of the functional part 41 in a plan view is the same as the shape of the functional electrode 11 in the first embodiment shown in FIG. 2 in a plan view.
  • one end of each of the plurality of first electrode finger parts 45 is connected to the first bus bar part.
  • One end of each of the plurality of second electrode finger parts is connected to the second busbar part.
  • Adjacent third electrode finger parts 47 are connected to each other by a connecting part.
  • the first busbar section and the second busbar section are opposed to each other.
  • the plurality of first electrode finger parts 45 and the plurality of second electrode finger parts 46 are inserted into each other.
  • the order in which the plurality of electrode finger sections are arranged is as follows: when starting from the first electrode finger section 45, the first electrode finger section 45, the third electrode finger section 47, the second electrode finger section 46, and the third electrode finger section 45 are arranged. This is the order in which the third electrode finger portion 47 constitutes one period.
  • the first electrode finger portion 45 is a laminate including a first layer 45a and a second layer 45b. Specifically, the second layer 45b is provided on the first layer 45a. Similarly, the second electrode finger portion 46 is a laminate of a first layer 46a and a second layer 46b. The third electrode finger portion 47 is a laminate of a first layer 47a and a second layer 47b.
  • each electrode finger part is formed of the first layer and the kth layer of the two layers. It has two layers.
  • the density of the layer in the electrode finger section is ⁇ k
  • the density of Al is ⁇ Al
  • the normalized Al thickness of the layer in the electrode finger section is t k - Al
  • t k - Al ( ⁇ k / ⁇ Al ) ⁇ t k
  • de ⁇ [( ⁇ k / ⁇ Al ) ⁇ t k ] (1 ⁇ k ⁇ 2).
  • the first layer of each electrode finger portion is made of Al.
  • the first layer of each electrode finger portion may be made of a material containing Al as a main component, for example.
  • the second layer of each electrode finger portion is made of silicon oxide in this embodiment.
  • the acoustic properties of silicon oxide are similar to those of Al. Therefore, by satisfying the same parameter conditions as in the first embodiment, the bandwidth of the passband can be widened.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) In plan view, the third electrode finger section 47 is provided between the first electrode finger section 45 and the second electrode finger section 46. 2) A plurality of third electrode finger parts 47 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. 3) One of 0.65 ⁇ de/d ⁇ 1.15, me/pa ⁇ 0.5, and de/d ⁇ 0.25 is satisfied in each of one set of electrode finger portions. As a result, similarly to the first embodiment, when the elastic wave device is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the pass band width can be widened.
  • the material of the second layer of each electrode finger portion is not limited to silicon oxide.
  • a metal or alloy different from the first layer, or a dielectric material may be used as the material of the second layer of each electrode finger part.
  • Table 3 shows examples of materials for the second layer.
  • Table 3 the density [g/cm 3 ], longitudinal sound velocity [m/s], transverse sound velocity [m/s], and longitudinal acoustic impedance [ ⁇ 10 6 kg/(m 2 ⁇ s)] of each material are shown. and transverse wave acoustic impedance [ ⁇ 10 6 kg/(m 2 ⁇ s)]. Note that Table 3 also shows the above-mentioned parameters of Al.
  • each electrode finger portion is not limited to one or two layers. In the present invention, each electrode finger portion only needs to have at least one layer. It is sufficient that at least one layer in each electrode finger portion includes a layer made of a material containing Al as a main component. The materials shown in Table 3 can also be used for layers other than the second layer, for example, when each electrode finger portion has three or more layers.
  • the plurality of third electrode finger parts 47 may be provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14. In this case, it is sufficient that 0.7 ⁇ de/d ⁇ 1.5 and me/pa ⁇ 0.15 in each of one set of electrode finger portions. As a result, similarly to the second embodiment, when the elastic wave device is used as a filter device, the filter device can be miniaturized and the pass band width can be widened.
  • the functional electrode is an IDT electrode.
  • the IDT electrode does not have a third electrode.
  • the "electrode" in the IDT electrode described below corresponds to an electrode finger.
  • the support member in the following examples corresponds to the support substrate in the present invention.
  • the reference potential may be referred to as ground potential.
  • FIG. 20(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 20(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 20(a).
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to a second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • Electrode 3 and electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect with the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 20(a) and 20(b). That is, in FIGS. 20(a) and 20(b), the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 20(a) and 20(b).
  • Electrode 3 and electrode 4 are adjacent does not mean that electrode 3 and electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them. refers to Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°). (within range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have through holes 7a and 8a as shown in FIG. 21. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, other than silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon oxynitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). It is desirable that the Si constituting the support member 8 has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 are made of a suitable metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 Since the elastic wave device 1 has the above-mentioned configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to downsize the device, the Q value is unlikely to decrease. This is because even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced, the propagation loss is small. Furthermore, the number of electrode fingers can be reduced because the bulk waves in the thickness shear mode are used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the thickness-shear mode bulk wave will be explained with reference to FIGS. 22(a) and 22(b).
  • FIG. 22(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating through a piezoelectric film of an acoustic wave device as described in Japanese Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2.
  • 2b that is, the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 23 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As described above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is composed of the electrodes 3 and 4. There is no need for a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 24 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 21. Note that the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrode pairs made up of the electrodes 3 and 4 were all equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, as described above. Preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG. 25.
  • FIG. 25 is a diagram showing the relationship between this d/p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • FIG. 26 is a plan view of an elastic wave device that uses bulk waves in thickness-shear mode.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 26 is the crossover width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent to the excitation region C which is a region where any of the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in the opposing direction.
  • the metallization ratio MR of the matching electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 27 and 28.
  • FIG. 27 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device 1.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 20(b).
  • the excitation region C is a region where electrode 3 overlaps electrode 4 when electrode 3 and electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. 3, and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 28 shows the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured according to the configuration of the elastic wave device 1, and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 28 shows the results when a Z-cut piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used, the same tendency is obtained when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristic shown in FIG. 27, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 29 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 29 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 30 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • a plurality of hatched regions R are regions where a fractional band of 2% or more can be obtained. Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 5°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 30.
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer is within the range of 0° ⁇ 5°, and ⁇ and ⁇ are If it is within any of the ranges R, the ratio band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 31 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 82 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 82 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 82b, 82d with relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness shear mode can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the acoustic wave device 1.
  • the elastic wave device 81 by setting the above-mentioned d/p to 0.5 or less, resonance characteristics based on a bulk wave in the thickness shear mode can be obtained.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and high acoustic impedance layers 82b, 82d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 82b, 82d is disposed farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layer 82a, 82c, 82e.
  • the low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and the high acoustic impedance layers 82b, 82d can be made of any appropriate material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • examples of the material for the low acoustic impedance layers 82a, 82c, and 82e include silicon oxide and silicon oxynitride.
  • examples of the material for the high acoustic impedance layers 82b and 82d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • FIG. 32 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that utilizes Lamb waves.
  • the elastic wave device 91 has a support substrate 92.
  • the support substrate 92 is provided with an open recess on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 93 is laminated on the support substrate 92 .
  • An IDT electrode 94 is provided on the piezoelectric layer 93 above the cavity 9 .
  • Reflectors 95 and 96 are provided on both sides of the IDT electrode 94 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 94 includes first and second bus bars 94a and 94b, a plurality of first electrode fingers 94c, and a plurality of second electrode fingers 94d.
  • the plurality of first electrode fingers 94c are connected to the first bus bar 94a.
  • the plurality of second electrode fingers 94d are connected to the second bus bar 94b.
  • the plurality of first electrode fingers 94c and the plurality of second electrode fingers 94d are inserted into each other.
  • the elastic wave device 91 by applying an alternating current electric field to the IDT electrode 94 on the cavity 9, a Lamb wave as a plate wave is excited. Since the reflectors 95 and 96 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave described above can be obtained.
  • the elastic wave device of the present invention may utilize plate waves.
  • an IDT electrode 94, a reflector 95, and a reflector 96 are provided on the main surface corresponding to the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 shown in FIG. 1 and the like.
  • a pair of comb-shaped electrodes are provided on the first main surface 14a, and a plurality of third electrodes are provided on the first main surface 14a or the second main surface 14b. It has a configuration in which fingers are provided, or a configuration equivalent to this.
  • the reflector 95 and the reflector 96 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 in the first to third embodiments and each modification. It is sufficient if it is provided.
  • the reflector 95 and the reflector 96 may sandwich a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of third electrode fingers, or a portion corresponding to these, in a direction perpendicular to the electrode fingers when viewed in plan. .
  • an acoustic multilayer film 82 shown in FIG. 31 as an acoustic reflection film is provided between the support member and the piezoelectric layer as the piezoelectric film. It may be. Specifically, the support member and the piezoelectric film may be arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric film face each other with the acoustic multilayer film 82 in between. In this case, in the acoustic multilayer film 82, low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers may be alternately laminated.
  • the acoustic multilayer film 82 may be an acoustic reflection section in an elastic wave device.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and 0.24 It is more preferable that it is below. Thereby, even better resonance characteristics can be obtained.
  • MR ⁇ 1.75 (d/p )+0.075 is preferably satisfied. More specifically, when MR is the metallization ratio of the first electrode finger and the third electrode finger, and the second electrode finger and the third electrode finger with respect to the excitation region, MR ⁇ 1.75. It is preferable to satisfy (d/p)+0.075. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.
  • the metallization ratio MR is defined in the same manner as above in each first layer of each electrode finger portion.
  • the metallization ratio of the first layer in the first electrode finger part and the third electrode finger part and the first layer in the second electrode finger part and the third electrode finger part is MR, , MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.

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Abstract

フィルタ装置の小型化、通過帯域の帯域幅を広くすることができる弾性波装置を提供する。 本発明に係る弾性波デバイス10は、ニオブ酸リチウムからなる圧電層14と、圧電層14の第1の主面14aに設けられ、互いに間挿し合っている複数の第1、第2の電極指25、26を有し、それぞれ入力、出力電位に接続される第1、第2の櫛形電極17、18と、平面視したときに、前記第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、異なる電位に接続される第3の電極19とを備え、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序で並び、1組の電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25、あるいは0.7≦de/d≦1.5かつme/pa≦0.15を満たす。

Description

弾性波装置
 本発明は、弾性波装置に関する。
 従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献1に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第10491192号明細書
 弾性波装置とは、例えば弾性波共振子であり、例えばラダー型フィルタに用いられる。ラダー型フィルタにおいて良好な特性を得るためには、複数の弾性波共振子間において、静電容量比を大きくする必要がある。この場合、ラダー型フィルタにおける一部の弾性波共振子の静電容量を大きくする必要がある。
 弾性波共振子の静電容量を大きくするためには、例えば、弾性波共振子を大型にすることを要する。よって、当該弾性波共振子をラダー型フィルタに用いる場合には、ラダー型フィルタが大型になりがちである。特に、静電容量の小さい厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有するラダー型フィルタは大型化してしまう。
 本発明者らは、弾性波装置の構成を以下の構成とすることにより、弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合に、大型化せずして好適なフィルタ波形を得られることを見出した。当該構成とは、入力電位に接続される電極、及び出力電位に接続される電極の間に、基準電位などの、入力電位及び出力電位と異なる電位に接続される電極を配置する構成である。
 しかしながら、本発明者らは、単に上記構成を採用しても、不要波を十分に抑制することができず、通過帯域の帯域幅を十分に広くできないおそれがあることも見出した。
 本発明の目的は、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる、弾性波装置を提供することにある。
 本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、ニオブ酸リチウムからなり、互いに対向し合う第1の主面及び第2の主面を有する圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第1のバスバー部と、前記第1のバスバー部に一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指部とを有し、入力電位に接続される第1の櫛形部と、前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第2のバスバー部と、前記第2のバスバー部に一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指部と間挿し合っている複数の第2の電極指部とを有し、出力電位に接続される第2の櫛形部と、平面視したときに、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部が並ぶ方向において、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第1の主面に設けられている複数の第3の電極指部と、隣り合う前記第3の電極指部同士を接続している接続部とを有し、前記第1の櫛形部及び前記第2の櫛形部とは異なる電位に接続される、第3の部分とが備えられており、前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が並んでいる順序が、前記第1の電極指部から開始した場合において、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部を1周期とする順序であり、前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部がそれぞれ、少なくとも1層の層を有し、前記少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含み、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部及び前記第2の電極指部の順序において隣接する3本の電極指部を1組の電極指部とし、前記1組の電極指部のそれぞれにおける、前記少なくとも1層の層の密度をAlの密度により割った値と、該層の厚みとの積を該層のAl規格化厚みとしたときの、全ての前記層の前記Al規格化厚みを合計したものが、前記1組の電極指部のそれぞれの電極指部厚みdeであり、前記1組の電極指部のそれぞれの幅を電極指部幅me、前記1組の電極指部において隣接する前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離と、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離との平均を平均中心間距離pa、前記圧電膜の厚みをdとしたときに、前記1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされている。
 本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、ニオブ酸リチウムからなり、互いに対向し合う第1の主面及び第2の主面を有する圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第1のバスバー部と、前記第1のバスバー部に一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指部とを有し、入力電位に接続される第1の櫛形部と、前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第2のバスバー部と、前記第2のバスバー部に一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指部と間挿し合っている複数の第2の電極指部とを有し、出力電位に接続される第2の櫛形部と、平面視したときに、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部が並ぶ方向において、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第2の主面に設けられている複数の第3の電極指部と、隣り合う前記第3の電極指部同士を接続している接続部とを有し、前記第1の櫛形部及び前記第2の櫛形部とは異なる電位に接続される、第3の部分とが備えられており、前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が並んでいる順序が、前記第1の電極指部から開始した場合において、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部を1周期とする順序であり、前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部がそれぞれ、少なくとも1層の層を有し、前記少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含み、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部及び前記第2の電極指部の順序において隣接する3本の電極指部を1組の電極指部とし、前記1組の電極指部のそれぞれにおける、前記少なくとも1層の層の密度をAlの密度により割った値と、該層の厚みとの積を該層のAl規格化厚みとしたときの、全ての前記層の前記Al規格化厚みを合計したものが、前記1組の電極指部のそれぞれの電極指部厚みdeであり、前記1組の電極指部のそれぞれの幅を電極指部幅me、前記1組の電極指部において隣接する前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離と、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離との平均を平均中心間距離pa、前記圧電膜の厚みをdとしたときに、前記1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.7≦de/d≦1.5かつme/pa≦0.15である。
 本発明によれば、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる、弾性波装置を提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図3は、本発明の第1の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図4は、機能電極における各パラメータを説明するための模式的正面断面図である。 図5は、本発明の第1の実施形態及び比較例の弾性波装置における通過特性を示す図である。 図6は、奇数モードを説明するための、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図7は、偶数モードを説明するための、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図8は、音響結合型フィルタにおいて通過帯域が形成されることを模式的に示す図である。 図9は、本発明の第1の実施形態の第1の変形例における、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図10は、本発明の第1の実施形態及び第1の変形例の弾性波装置における通過特性を示す図である。 図11は、mg/paと、-5dB帯域の比帯域との関係を示す図である。 図12は、本発明の第1の実施形態の第2の変形例における、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図13は、本発明の第1の実施形態及び第2の変形例の弾性波装置における通過特性を示す図である。 図14は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図15は、本発明の第1の実施形態の第3の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図16は、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図17は、本発明の第2の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図18は、本発明の第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図19は、本発明の第3の実施形態における第1~第3の電極指部付近を示す模式的正面断面図である。 図20(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図20(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図21は、図20(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。 図22(a)は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図22(b)は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図23は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図24は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図25は、隣り合う電極の中心間距離をp、圧電層の厚みをdとした場合のd/pと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図26は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図27は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図28は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図29は、d/2pと、メタライゼーション比MRとの関係を示す図である。 図30は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図31は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。 図32は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図2は、第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。なお、図1は、図2中のI-I線に沿う模式的断面図である。図2においては、各電極を、ハッチングを付して示す。図2以外の模式的平面図においても同様に、電極にハッチングを付すことがある。
 図1に示す弾性波装置10は、厚み滑りモードを利用可能に構成されている。弾性波装置10は音響結合型フィルタである。以下において、弾性波装置10の構成を説明する。
 弾性波装置10は、圧電性基板12と、機能部としての機能電極11とを有する。圧電性基板12は圧電性を有する基板である。具体的には、圧電性基板12は、支持部材13と、圧電膜としての圧電層14とを有する。圧電層14は圧電体からなる層である。一方で、本明細書において圧電膜とは、圧電性を有する膜であって、必ずしも圧電体からなる膜を指すものではない。もっとも、本実施形態では、圧電膜は単層の圧電層14であり、圧電体からなる膜である。なお、本発明においては、圧電膜は、圧電層14を含む積層膜であってもよい。本実施形態では、支持部材13は、支持基板16と、絶縁層15とを含む。支持基板16上に絶縁層15が設けられている。絶縁層15上に圧電層14が設けられている。もっとも、支持部材13は支持基板16のみにより構成されていてもよい。なお、支持部材13は必ずしも設けられていなくともよい。
 圧電層14は第1の主面14a及び第2の主面14bを有する。第1の主面14a及び第2の主面14bは互いに対向している。第1の主面14a及び第2の主面14bのうち、第2の主面14bが支持部材13側に位置している。本実施形態では、圧電層14はニオブ酸リチウムからなる。具体的には圧電層14は、ZカットのLiNbOからなる。もっとも、圧電層14は、回転Yカットのニオブ酸リチウムからなっていてもよい。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大幅に劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
 圧電層14の第1の主面14aに、機能部としての機能電極11が設けられている。本発明における機能部は、金属からなる層と、誘電体からなる層との積層体により構成されていてもよい。もっとも、本実施形態における機能部としての機能電極11は、金属からなる層によって構成されている。より詳細には、図2に示すように、機能電極11は、1対の櫛形電極と、第3の電極19とを有する。1対の櫛形電極は、具体的には、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18である。第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。第3の電極19は、本実施形態においては、基準電位に接続される。なお、第3の電極19は、必ずしも基準電位に接続されなくともよい。第3の電極19は、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18とは異なる電位に接続されればよい。もっとも、第3の電極19が基準電位に接続されることが好ましい。
 第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。第1の櫛形電極17は、第1のバスバー22と、複数の第1の電極指25とを有する。複数の第1の電極指25の一端はそれぞれ、第1のバスバー22に接続されている。第2の櫛形電極18は、第2のバスバー23と、複数の第2の電極指26とを有する。複数の第2の電極指26の一端はそれぞれ、第2のバスバー23に接続されている。
 第1のバスバー22及び第2のバスバー23は互いに対向している。複数の第1の電極指25と複数の第2の電極指26とは互いに間挿し合っている。第1の電極指25及び第2の電極指26が延びる方向と直交する方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26は交互に並んでいる。
 第3の電極19は、接続電極としての第3のバスバー24と、複数の第3の電極指27とを有する。複数の第3の電極指27は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。複数の第3の電極指27同士は、第3のバスバー24により電気的に接続されている。
 第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、複数の第3の電極指27がそれぞれ設けられている。よって、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27は、一方向において並んでいる。複数の第3の電極指27は、複数の第1の電極指25及び複数の第2の電極指26と平行に延びている。
 以下においては、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が並んでいる方向を電極指配列方向としたときに、電極指配列方向は、電極指直交方向と平行である。本明細書では、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27をまとめて、単に電極指と記載することがある。
 図3は、第1の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。
 複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。よって、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26、第3の電極指27、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26…というように続く。入力電位をIN、出力電位をOUT、基準電位をGNDにより表わし、複数の電極指の順序を接続される電位の順序として表わすと、IN、GND、OUT、GND、IN、GND、OUT…というように続く。
 本実施形態では、複数の電極指が設けられている領域において、電極指直交方向における両端部に位置している電極指は、いずれも第3の電極指27である。なお、該領域において、電極指直交方向における端部に位置している電極指は、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27のうちいずれの種類の電極指であってもよい。
 図2に示すように、第3の電極19の接続電極としての第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27同士を電気的に接続している。具体的には、第3のバスバー24は、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に位置している。この領域には、複数の第1の電極指25も位置している。もっとも、絶縁膜29によって、第3のバスバー24及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。
 より具体的には、第3のバスバー24は、複数の第1の接続電極24Aと、1つの第2の接続電極24Bとを含む。各第1の接続電極24Aは、隣り合う2本の第3の電極指27の先端同士を接続している。第1の接続電極24A及び2本の第3の電極指27により、U字状の電極が構成されている。複数の第1の接続電極24A同士を、第2の接続電極24Bが接続している。この第2の接続電極24B及び複数の第1の電極指25の間に、絶縁膜29が設けられている。
 より詳細には、圧電層14の第1の主面14aに、複数の第1の電極指25の一部を覆うように、絶縁膜29が設けられている。絶縁膜29は、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に設けられている。絶縁膜29は帯状の形状を有する。
 絶縁膜29は、第3の電極19の第1の接続電極24A上には至っていない。そして、絶縁膜29上及び複数の第1の接続電極24A上にわたり、第2の接続電極24Bが設けられている。具体的には、第2の接続電極24Bは、バー部24aと、複数の突出部24bとを有する。バー部24aから、各突出部24bが、各第1の接続電極24Aに向かって延びている。各突出部24bは、各第1の接続電極24Aに接続されている。これにより、複数の第3の電極指27同士が、第1の接続電極24A及び第2の接続電極24Bによって、電気的に接続されている。
 本実施形態では、第3のバスバー24は、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に位置している。そのため、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて、第2のバスバー23と対向している。
 なお、第3のバスバー24は、第2のバスバー23と、複数の第1の電極指25の先端との間の領域に位置していてもよい。この場合、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第1のバスバー22と対向している。
 弾性波装置10は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。図2に示すように、弾性波装置10は、複数の励振領域Cを有する。複数の励振領域Cにおいて、厚み滑りモードのバルク波や、他のモードの弾性波が励振される。なお、図2においては、複数の励振領域Cのうち2つの励振領域Cのみを示している。
 全ての励振領域Cのうち一部の複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間の領域である。残りの複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間の領域である。これらの励振領域Cが、電極指直交方向において並んでいる。
 機能電極11において、第3の電極19を除いた構成は、IDT(Interdigital Transducer)電極の構成と同様である。電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第2の電極指26が重なり合っている領域が交叉領域Eである。もっとも、交叉領域Eは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27、または隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合っている領域であるともいえる。交叉領域Eは複数の励振領域Cを含む。なお、交叉領域E及び励振領域Cは、機能電極11の構成に基づいて定義される、圧電層14の領域である。
 ところで、機能電極11は、本発明における機能部である。機能部は、第1の櫛形部及び第2の櫛形部と、第3の部分とを有する。第1の櫛形部は、本実施形態における第1の櫛形電極17である。第2の櫛形部は第2の櫛形電極18である。第3の部分は第3の電極19である。
 第1の櫛形部は、第1のバスバー部と、複数の第1の電極指部とを有する。第2の櫛形部は、第2のバスバー部と、複数の第2の電極指部とを有する。第3の部分は、接続部と、複数の第3の電極指部とを有する。本実施形態における第1のバスバー22は第1のバスバー部である。第1の電極指25は第1の電極指部である。第2のバスバー23は第2のバスバー部である。第2の電極指26は第2の電極指部である。接続電極としての第3のバスバー24は、接続部である。第3の電極指27は第3の電極指部である。第1の電極指部、第2の電極指部及び第3の電極指部が延びる方向は、電極指延伸方向である。そして、第1の電極指部、第2の電極指部及び第3の電極指部が延びる方向と直交する方向は、電極指直交方向である。
 以下においては、第1の電極指部、第2の電極指部及び第3の電極指部をまとめて、単に電極指部と記載することがある。各電極指部は、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、金属からなる層と、誘電体からなる層との積層体からなっていてもよい。
 本実施形態では、各電極指部としての各電極指は、単層の金属膜からなる。具体的には、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27はAlからなる。第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の材料は、Alを主成分とする材料であればよい。そして、本発明においては、各電極指部における少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含んでいればよい。本明細書において主成分とは、当該部材において占める割合が50重量%を超える成分をいう。
 以下においては、第1の電極指25、第3の電極指27及び第2の電極指26の順序において隣接する3本の電極指を1組の電極指とする。図4に示すように、1組の電極指のうち、第1の電極指25の厚みをd1、第2の電極指26の厚みをd2、第3の電極指27の厚みをdgとする。1組の電極指のそれぞれの厚みを総称して、電極指厚みdeとする。なお、第1の電極指部、第3の電極指部及び第2の電極指部の順序において隣接する3本の電極指部を1組の電極指部とする。各電極指部の厚みとしても、上記の各電極指の厚みと同様の符号を用いる。すなわち、1組の電極指部のうち、第1の電極指部の厚みをd1、第2の電極指部の厚みをd2、第3の電極指部の厚みをdgとする。1組の電極指部のそれぞれの厚みを総称して、電極指部厚みdeとする。
 ここで、電極指部厚みdeの詳細を説明する。nを最大値とする任意の自然数をkとし、電極指部が1層以上の第kの層を有し、圧電層14側に位置する層ほどkの値が小さいものとする。例えば、電極指部が単層である場合には、n=1であり、電極指部は第1の層のみを有する。他方、電極指部が積層体である場合には、例えば、第1の層、第2の層、第3の層…第nの層が、圧電層14側からこの順序において積層されている。電極指部の層の厚みをtとしたときに、電極指部の実際の厚みは、Σt(1≦k≦n)となる。
 一方で、電極指部厚みdeは、Alの密度により規格化された厚みである、Al規格化厚みであるとする。具体的には、電極指部の層の密度をρ、Alの密度をρAl、電極指部の層のAl規格化厚みをtk-Alとしたときに、tk-Al=(ρ/ρAl)×tである。そして、電極指部厚みdeは、de=Σ[(ρ/ρAl)×t](1≦k≦n)である。すなわち、電極指部厚みdeは、1組の電極指部のそれぞれにおける、少なくとも1層の層の密度をAlの密度により割った値と、該層の厚みとの積を該層のAl規格化厚みとしたときの、全ての層のAl規格化厚みを合計したものある。
 もっとも、本実施形態では、各電極指は単層の金属膜からなり、かつAlからなる。よって、本実施形態における各電極指の密度はρAlであり、電極指部厚みdeとしての電極指厚みdeは、de=tである。なお、各電極指が、Alを主成分とする合金からなる場合には、該合金の密度をρとすると、de=(ρ/ρAl)×tである。
 さらに、以下において、1組の電極指のうち、第1の電極指25の幅をm1、第2の電極指26の幅をm2、第3の電極指27の幅をmgとする。1組の電極指のそれぞれの幅を総称して、電極指幅meとする。電極指の幅とは、電極指の電極指直交方向に沿う寸法である。なお、各電極指部の幅としても、上記の各電極指の幅と同様の符号を用いる。すなわち、1組の電極指部のうち、第1の電極指部の幅をm1、第2の電極指部の幅をm2、第3の電極指部の幅をmgとする。1組の電極指部のそれぞれの幅を総称して、電極指部幅meとする。
 1組の電極指において隣接する第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離をp1、第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離をp2とする。同様に、1組の電極指部において隣接する第1の電極指部及び第3の電極指部の中心間距離をp1、第2の電極指部及び第3の電極指部の中心間距離をp2とする。中心間距離p1及び中心間距離p2の平均を平均中心間距離paとする。すなわち、pa=(p1+p2)/2である。圧電膜の厚みをdとする。なお、本実施形態では、厚みdは圧電層14の厚みである。
 弾性波装置10の1組の電極指においては、電極指厚みdeは一定であり、電極指幅meは一定であり、中心間距離p1及び中心間距離p2は同じである。すなわち、d1=d2=dgであり、m1=m2=mgであり、p1=p2である。もっとも、電極指厚みdeは一定ではなくともよい。電極指幅meは一定ではなくともよい。中心間距離p1及び中心間距離p2は同じではなくともよい。
 本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。1)平面視において、第1の櫛形電極17の第1の電極指25と、第2の櫛形電極18の第2の電極指26との間に、第3の電極19の第3の電極指27が設けられていること。2)複数の第3の電極指27が、圧電層14の第1の主面14aに設けられていること。3)1組の電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされていること。それによって、弾性波装置10がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 なお、本明細書において平面視とは、図1における上方に相当する方向から、支持部材13及び圧電膜の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図1においては、例えば、支持基板16側及び圧電層14側のうち、圧電層14側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第1の主面14aの法線方向である。
 以下において、第1の実施形態の上記効果の詳細を、第1の実施形態及び比較例を比較することにより説明する。比較例は、1組の電極指において、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のいずれも満たされていない点で、第1の実施形態と異なる。当該比較に係る第1の実施形態では、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5が満たされている。第1の実施形態及び比較例において、通過特性を比較した。第1の実施形態の構成を有する弾性波装置10の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…ZカットのLiNbO、厚みd…400nm
 第1~第3の電極指:材料…Al、電極指幅me…m1=m2=mg=420nm、電極指厚みde…d1=d2=dg=400nm
 第3の電極指が位置している主面:圧電層の第1の主面
 平均中心間距離pa:pa=p1=p2=1400nm
 第1の実施形態においては、de/d=1であり、me/pa=0.3である。他方、比較例の設計パラメータは、電極指厚みdeが600nmである点以外においては、第1の実施形態の上記設計パラメータと同じである。比較例においては、me/pa=0.3であるが、de/d=1.5である。
 図5は、第1の実施形態及び比較例の弾性波装置における通過特性を示す図である。なお、図5は、FEM(Finite Element Method)シミュレーションによる結果を示す。通過特性はSパラメータにより示す。
 図5に示すように、比較例においては、多数の不要波が生じおり、通過帯域は狭い。これに対して、第1の実施形態においては、不要波が抑制されており、通過帯域を広くすることができている。なお、図5中の両矢印Wは、第1の実施形態における通過帯域を示している。第1の実施形態においては、1個の弾性波装置10においても、フィルタ波形を好適に得ることができる。
 弾性波装置10は音響結合型フィルタである。より詳細には、図2に示すように、弾性波装置10は、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cと、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cとを有する。これらの励振領域Cにおいて、複数のモードの弾性波が励振される。
 図6は、奇数モードを説明するための、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。図7は、偶数モードを説明するための、第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。図8は、音響結合型フィルタにおいて通過帯域が形成されることを模式的に示す図である。
 音響結合型フィルタにおいては、図6に示す奇数モード、及び図7に示す偶数モードが生じる。奇数モードとは、電気的条件が同位相のモードである。偶数モードとは、電気的条件が逆位相となるモードである。なお、図6中及び図7中の矢印は電界の方向を示す。
 図8に示すように、音響結合型フィルタにおいて、偶数モード及び奇数モードにより通過帯域が形成される。偶数モードは、通過帯域の低域側の端部を構成する。奇数モードは、通過帯域の高域側の端部を構成する。
 このように、1個の弾性波装置10においても、フィルタ波形を好適に得ることができる。弾性波共振子として弾性波装置10をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が1個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。よって、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 本発明者らは、de/d及びme/paを変化させて、不要波を抑制することができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる条件を検討した。当該検討においては、de/d及びme/pa以外の設計パラメータは、図5の比較に係る第1の実施形態の設計パラメータと同様とした。なお、m1=m2=mg、d1=d2=dg、p1=p2とした。当該検討の結果を表1に示す。
 表1においては、通過帯域を好適に得ることができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる条件を○としている。不要波を抑制できず、通過帯域の帯域幅が狭くなる条件を×としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に示すように、de/d≦0.25である場合には、me/paの値によらず、通過帯域を好適に得ることができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる。一方で、0.65≦de/d≦1.15である場合には、me/pa≦0.5である場合に、通過帯域を好適に得ることができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 第1の実施形態においては、各電極指部としての各電極指はAlからなる。もっとも、本発明では、各電極指はAlを主成分とする材料からなっていてもよい。Alを主成分とする材料の音響特性は、Alの音響特性と類似している。よって、本発明のパラメータの条件を満たすことにより、通過帯域の帯域幅を広くすることができる。なお、本発明における各電極指部は、例えば、金属からなる層と、誘電体からなる層との積層体からなっていてもよい。
 第1の実施形態では、電極指幅meは一定である。なお、電極指幅meは必ずしも一定ではなくともよい。例えば、図9に示す第1の実施形態の第1の変形例においては、m1=m2<mgである。この場合においても、1組の電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされていればよい。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 1組の電極指のうち、特に第3の電極指27の幅mgを調整することによって、励振されるモードを制御することができる。これを以下において示す。具体的には、第1の変形例の通過特性を示す。併せて、m1=m2=mgである、第1の実施形態における通過帯域も示す。
 図10は、第1の実施形態及び第1の変形例の弾性波装置における通過特性を示す図である。図10では、m1=m2=mg=420nmとした場合のFEMシミュレーションの結果、及びm1=m2=420nm、mg=700nmとした場合のFEMシミュレーションの結果を示す。
 図10に示すように、電極指幅meが一定である場合よりも、第3の電極指27の幅mgを広くした場合において、-5dB帯域幅が広くなっている。-5dB帯域とは、Sパラメータが-5dB以上である帯域をいう。-5dB帯域幅は、-5dB帯域の帯域幅である。-5dB帯域は通過帯域の一種であるといえる。-5dB帯域幅を広くすることができる理由は、以下の通りである。
 電極指幅meが一定である場合には、A1-3モードが通過帯域の構成に寄与していない。これに対して、第3の電極指27の幅mgを広くした場合には、A1-3モードが生じる周波数を、メインモードが生じる周波数に近づけることができる。それによって、A1-3モードを、通過帯域の構成に寄与させることができる。従って、通過帯域の帯域幅としての、-5dB帯域幅を広くすることができる。
 me/paとしてのmg/paを異ならせる毎に、-5dB帯域の比帯域を算出した。ここでいう比帯域とは、通過帯域を有する弾性波装置の比帯域を指す。当該比帯域は、通過帯域の高域側の端部の周波数をfh、通過帯域の低域側の端部の周波数をfl、通過帯域の中心周波数をfcとしたときに、(|fh-fl|/fc)×100[%]により表わされる。
 図11は、mg/paと、-5dB帯域の比帯域との関係を示す図である。
 図11に示すように、mg/paが0.5以上である場合において、-5dB帯域の比帯域の値が大きいことがわかる。このことから、mg/pa≧0.5であることが好ましい。それによって、-5dB帯域幅を効果的に広くすることができる。なお、mg/pa>0.5とする場合には、de/d≦0.25とすればよい。
 第1の変形例においては、第3の電極指27の幅mgは、第1の電極指25の幅m1及び第2の電極指26の幅m2よりも広い。もっとも、第3の電極指27の幅mgは、第1の電極指25の幅m1及び第2の電極指26の幅m2よりも狭くてもよい。
 ところで、電極指厚みdeは必ずしも一定ではなくともよい。例えば、図12に示す第1の実施形態の第2の変形例においては、d1=d2>dgである。この場合においても、1組の電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされていればよい。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 以下において、第2の変形例の通過特性を示す。電極指厚みdeはそれぞれ、d1=d2=400nm、dg=50nmとした。電極指厚みde以外の各パラメータは、me=m1=m2=mg=420nm、pa=p1=p2=1400nm、d=400nmとした。
 なお、この条件では、第1の電極指25において、de/dとしてのd1/dは1であり、かつme/paは0.3である。よって、第1の電極指25においては、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5である。第2の電極指26においても同様である。第3の電極指27においては、de/dとしてのdg/dは0.125である。よって、第3の電極指27においては、de/d≦0.25である。
 併せて、d1=d2=dgである、第1の実施形態の通過特性も示す。電極指厚みdeは、de=d1=d2=d=400nmとした。第1の実施形態における電極指厚みde以外の各パラメータは、当該第2の変形例における上記パラメータと同じとした。よって、1組の各電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5である。
 図13は、第1の実施形態及び第2の変形例の弾性波装置における通過特性を示す図である。図13においては、FEMシミュレーションの結果を示す。
 図13に示すように、第3の電極指27の厚みdgを薄くすることによって、通過帯域における低域側の帯域幅が広くなっていることがわかる。
 第2の変形例においては、第3の電極指27の厚みdgは、第1の電極指25の厚みd1及び第2の電極指26の厚みd2よりも薄い。もっとも、第3の電極指27の厚みdgは、第1の電極指25の厚みd1及び第2の電極指26の厚みd2よりも厚くてもよい。
 1組の電極指における第3の電極指27と、第1の電極指25及び第2の電極指26のうち少なくとも一方との間において、電極指幅me及び電極指厚みdeのうち少なくとも一方を互いに異ならせてもよい。これにより、通過帯域の帯域幅を調整することができる。
 以下において、第1の実施形態の構成をより詳細に説明する。なお、第1の変形例及び第2の変形例も、以下に示す構成と同様の構成を有する。
 図1に示すように、支持部材13は、支持基板16と絶縁層15とからなる。圧電性基板12は、支持基板16と、絶縁層15と、圧電層14との積層体である。すなわち、圧電層14及び支持部材13は、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向している方向から見たときに、重なっている。
 支持基板16の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層15の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。
 絶縁層15には凹部が設けられている。絶縁層15上に、凹部を塞ぐように、圧電膜としての圧電層14が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部10aである。第1の実施形態では、支持部材13の一部及び圧電膜の一部が、空洞部10aを挟み互いに対向するように、支持部材13と圧電膜とが配置されている。もっとも、支持部材13における凹部は、絶縁層15及び支持基板16にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板16のみに設けられた凹部が、絶縁層15により塞がれていてもよい。凹部は、例えば、圧電層14に設けられていても構わない。なお、空洞部10aは、支持部材13に設けられた貫通孔であってもよい。
 空洞部10aは、本発明における音響反射部である。音響反射部により、弾性波のエネルギーを圧電層14側に効果的に閉じ込めることができる。音響反射部は、平面視において、支持部材13における、機能電極11の少なくとも一部と重なる位置に設けられていればよい。より具体的には、平面視において、第1の電極指部としての第1の電極指25、第2の電極指部としての第2の電極指26、及び第3の電極指部としての第3の電極指27のそれぞれの少なくとも一部が、音響反射部と重なっていればよい。平面視において、複数の励振領域Cが、音響反射部と重なっていることが好ましい。
 なお、音響反射部は、後述する、音響多層膜などの音響反射膜であってもよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射膜が設けられていてもよい。
 第1の実施形態では、隣り合う複数対の第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1と、隣り合う複数対の第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p2とは、いずれも同じである。もっとも、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1と、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p2とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1、並びに隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p2のうち、最も長い距離をpとする。なお、第1の実施形態のように、p1=p2である場合には、中心間距離p1及び中心間距離p2の双方が距離pである。
 d/pが0.5以下であることが好ましく、d/pが0.24以下であることがより好ましい。これにより、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。
 なお、本発明の弾性波装置は、必ずしも厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されていなくともよい。例えば、本発明の弾性波装置は、板波を励振可能に構成されていてもよい。この場合、励振領域は図2に示す交叉領域Eである。
 上記のように、第1の実施形態においては、圧電層14はZカットのLiNbOからなる。もっとも、圧電層14は回転Yカットのニオブ酸リチウムからなっていてもよい。この場合、弾性波装置10の比帯域は、圧電層14に用いられているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)に依存する。
 d/pを限りなく0に近づけた場合における、弾性波装置10の比帯域と、圧電層14のオイラー角(φ,θ,ψ)との関係を導出した。なお、オイラー角におけるφは0°とした。
 図14は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。
 図14のハッチングを付して示した領域Rが、少なくとも2%以上の比帯域が得られる領域である。領域Rの範囲を近似すると、下記の式(1)、式(2)及び式(3)で表される範囲となる。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±10°以内の範囲である場合には、θ及びψと、比帯域との関係は、図14に示す関係と同様である。
 (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
 (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
 (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
 上記式(1)、式(2)または式(3)のオイラー角の範囲であることが好ましい。それによって、比帯域の値を十分に大きくすることができる。これにより、弾性波装置10をフィルタ装置に好適に用いることができる。
 図2に示すように、第1の実施形態においては、第3の電極19は、接続電極としての第3のバスバー24と、複数の第3の電極指27とを有する。該第3の電極19は櫛形電極である。もっとも、第3の電極19は櫛形電極ではなくともよい。例えば、図15に示す第1の実施形態の第3の変形例においては、第3の電極39はミアンダ状の形状を有する。本変形例では、圧電層14上に絶縁膜29は設けられていない。そして、接続電極34は、第1の実施形態における複数の第1の接続電極24Aに相当する部分のみを含む。本変形例の接続電極34は、第3のバスバーではない。
 より具体的には、第3の電極39は、第1のバスバー22側に位置している複数の接続電極34と、第2のバスバー23側に位置している複数の接続電極34とを有する。隣接する2本の第3の電極指27の、第1のバスバー22側の先端部同士、または第2のバスバー23側の先端部同士が、接続電極34により接続されている。例えば、複数の第3の電極指27のうち、電極指直交方向における両端以外の第3の電極指27は、第1のバスバー22側の先端部及び第2のバスバー23側の先端部の双方に、1つずつの接続電極34が接続されている。該第3の電極指27は、各接続電極34により、両隣の第3の電極指27と接続されている。この構造が繰り返されることにより、第3の電極39の形状が、ミアンダ状の形状とされている。
 本変形例においても、第1の実施形態と同様に、平面視において、第1の電極指25及び第2の電極指26の間に第3の電極指27が配置されている。1組の電極指のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされている。それによって、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 ところで、複数の第3の電極指27は、圧電層14の第2の主面14bに設けられていてもよい。もっとも、この場合には、複数の第3の電極指27が第1の主面14aに設けられている場合とは、各パラメータの条件が異なる。この例を第2の実施形態により示す。
 図16は、第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図17は、第2の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。
 図16及び図17に示すように、本実施形態は、第3の電極19が圧電層14の第2の主面14bに設けられている点において、第1の実施形態と異なる。本実施形態は、電極指幅me、電極指厚みde、圧電膜としての圧電層14の厚みd、並びに平均中心間距離paの関係においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 本実施形態においても、第3の電極19の平面視における配置は、第1の実施形態と同様である。よって、平面視したときに、第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、複数の第3の電極指27がそれぞれ圧電層14の第2の主面14bに設けられている。平面視において、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。
 本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。1)平面視において、第1の櫛形電極17の第1の電極指25と、第2の櫛形電極18の第2の電極指26との間に、第3の電極19の第3の電極指27が設けられていること。2)複数の第3の電極指27が、圧電層14の第2の主面14bに設けられていること。3)1組の電極指のそれぞれにおいて、0.7≦de/d≦1.5かつme/pa≦0.15であること。それによって、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。これを以下において示す。
 本発明者らは、de/d及びme/paを変化させて、不要波を抑制することができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる条件を検討した。当該検討においては、de/d及びme/pa以外の設計パラメータは、図5の比較に係る第1の実施形態の設計パラメータと同様とした。なお、m1=m2=mg、d1=d2=dg、p1=p2とした。当該検討の結果を表2に示す。
 表2においては、通過帯域を好適に得ることができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる条件を○としている。不要波を抑制できず、通過帯域の帯域幅が狭くなる条件を×としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2に示すように、0.7≦de/d≦1.5である場合において、me/pa≦0.15である場合に、通過帯域を好適に得ることができ、通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 なお、複数の第3の電極指27が圧電層14の第2の主面14bに設けられている場合においても、電極指幅meは一定ではなくともよい。電極指厚みdeは一定ではなくともよい。1組の電極指における第3の電極指27と、第1の電極指25及び第2の電極指26のうち少なくとも一方との間において、電極指幅me及び電極指厚みdeのうち少なくとも一方を互いに異ならせてもよい。これにより、通過帯域の帯域幅を調整することができる。
 図18は、第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図19は、第3の実施形態における第1~第3の電極指部付近を示す模式的正面断面図である。図18においては、電極を含む部分を、ハッチングを付して示す。
 図18に示すように、本実施形態の弾性波装置40は、1対の櫛形電極及び第3の電極に相当する部分が積層体である点において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態は第1の実施形態と同様の構成を有する。
 弾性波装置40は機能部41を有する。機能部41は、第1の櫛形部及び第2の櫛形部と、第3の部分とを有する。第1の櫛形部及び第2の櫛形部と、第3の部分はそれぞれ、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。そして、第1の櫛形部は、第1のバスバー部と、複数の第1の電極指部45とを有する。第2の櫛形部は、第2のバスバー部と、複数の第2の電極指部46とを有する。第3の部分は、接続部と、複数の第3の電極指部47とを有する。
 第1の櫛形部は入力電位に接続される。第2の櫛形部は出力電位に接続される。第3の部分は、本実施形態では、基準電位に接続される。なお、第3の部分は、第1の櫛形部及び前記第2の櫛形部とは異なる電位に接続されればよい。
 機能部41の平面視における形状は、図2に示す、第1の実施形態における機能電極11の平面視における形状と同じである。具体的には、複数の第1の電極指部45の一端はそれぞれ、第1のバスバー部に接続されている。複数の第2の電極指部の一端はそれぞれ、第2のバスバー部に接続されている。隣り合う第3の電極指部47同士は、接続部により接続されている。第1のバスバー部及び第2のバスバー部は互いに対向している。複数の第1の電極指部45と複数の第2の電極指部46とは互いに間挿し合っている。
 複数の電極指部が並んでいる順序は、第1の電極指部45から開始した場合において、第1の電極指部45、第3の電極指部47、第2の電極指部46及び第3の電極指部47を1周期とする順序である。
 図19に示すように、第1の電極指部45は、第1の層45aと、第2の層45bとを含む積層体である。具体的には、第1の層45a上に、第2の層45bが設けられている。同様に、第2の電極指部46は、第1の層46a及び第2の層46bの積層体である。第3の電極指部47は、第1の層47a及び第2の層47bの積層体である。
 すなわち、本実施形態では、nを最大値とする任意の自然数をkとしたときに、n=2であり、各電極指部は2層の第kの層としての、第1の層及び第2の層を有する。各電極指部の各層の厚みはt(k=1,2)である。
 上述したように、電極指部の層の密度をρ、Alの密度をρAl、電極指部の層のAl規格化厚みをtk-Alとしたときに、tk-Al=(ρ/ρAl)×tであり、電極指部厚みdeは、de=Σ[(ρ/ρAl)×t](1≦k≦n)である。本実施形態では、具体的には、de=Σ[(ρ/ρAl)×t](1≦k≦2)である。
 各電極指部の第1の層はAlからなる。もっとも、各電極指部の第1の層は、例えば、Alを主成分とする材料からなっていてもよい。各電極指部の第2の層は、本実施形態では、酸化ケイ素からなる。酸化ケイ素の音響特性は、Alの音響特性と類似している。よって、第1の実施形態と同様のパラメータの条件を満たすことにより、通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。1)平面視において、第1の電極指部45と、第2の電極指部46との間に、第3の電極指部47が設けられていること。2)複数の第3の電極指部47が、圧電層14の第1の主面14aに設けられていること。3)1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされていること。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 各電極指部の第2の層の材料は、酸化ケイ素に限定されない。例えば、各電極指部の第2の層の材料として、第1の層と異なる金属もしくは合金、または誘電体が用いられていてもよい。以下において、表3により、第2の層の材料の例を示す。表3においては、各材料の密度[g/cm]、縦波音速[m/s]、横波音速[m/s]、縦波音響インピーダンス[×10 kg/(m・s)]及び横波音響インピーダンス[×10 kg/(m・s)]も示す。なお、表3には、Alの上記各パラメータも併せて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 各電極指部の層数は1層または2層には限定されない。本発明においては、各電極指部がそれぞれ、少なくとも1層の層を有していればよい。各電極指部における少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含んでいればよい。表3において示した材料は、例えば、各電極指部が3層以上の層を有する場合などにおいて、第2の層以外の層にも用いることができる。
 複数の第3の電極指部47は、圧電層14の第2の主面14bに設けられていてもよい。この場合、1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.7≦de/d≦1.5かつme/pa≦0.15であればよい。これにより、第2の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ通過帯域の帯域幅を広くすることができる。
 以下において、機能電極がIDT電極である例を用いて、厚み滑りモードの詳細を説明する。なお、IDT電極は第3の電極を有しない。後述するIDT電極における「電極」は、電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。以下においては、基準電位をグラウンド電位と記載することもある。
 図20(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図20(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図21は、図20(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。
 弾性波装置1は、LiNbOからなる圧電層2を有する。圧電層2は、LiTaOからなるものであってもよい。LiNbOやLiTaOのカット角は、Zカットであるが、回転YカットやXカットであってもよい。圧電層2の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、40nm以上、1000nm以下であることが好ましく、50nm以上、1000nm以下であることがより好ましい。圧電層2は、対向し合う第1,第2の主面2a,2bを有する。第1の主面2a上に、電極3及び電極4が設けられている。ここで電極3が「第1電極」の一例であり、電極4が「第2電極」の一例である。図20(a)及び図20(b)では、複数の電極3が、第1のバスバー5に接続されている。複数の電極4は、第2のバスバー6に接続されている。複数の電極3及び複数の電極4は、互いに間挿し合っている。電極3及び電極4は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極3と、隣りの電極4とが対向している。電極3,4の長さ方向、及び、電極3,4の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層2の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極3と、隣りの電極4とは、圧電層2の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極3,4の長さ方向が図20(a)及び図20(b)に示す電極3,4の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図20(a)及び図20(b)において、第1のバスバー5及び第2のバスバー6が延びている方向に電極3,4を延ばしてもよい。その場合、第1のバスバー5及び第2のバスバー6は、図20(a)及び図20(b)において電極3,4が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極3と、他方電位に接続される電極4とが隣り合う1対の構造が、上記電極3,4の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極3と電極4とが隣り合うとは、電極3と電極4とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極3と電極4とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極3と電極4とが隣り合う場合、電極3と電極4との間には、他の電極3,4を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、1.5対や2.5対などであってもよい。電極3,4間の中心間距離すなわちピッチは、1μm以上、10μm以下の範囲が好ましい。また、電極3,4の幅、すなわち電極3,4の対向方向の寸法は、50nm以上、1000nm以下の範囲であることが好ましく、150nm以上、1000nm以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極3,4間の中心間距離とは、電極3の長さ方向と直交する方向における電極3の寸法(幅寸法)の中心と、電極4の長さ方向と直交する方向における電極4の寸法(幅寸法)の中心とを結んだ距離となる。
 また、弾性波装置1では、Zカットの圧電層を用いているため、電極3,4の長さ方向と直交する方向は、圧電層2の分極方向に直交する方向となる。圧電層2として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交(電極3,4の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば90°±10°の範囲内)でもよい。
 圧電層2の第2の主面2b側には、絶縁層7を介して支持部材8が積層されている。絶縁層7及び支持部材8は、枠状の形状を有し、図21に示すように、貫通孔7a,8aを有する。それによって、空洞部9が形成されている。空洞部9は、圧電層2の励振領域Cの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材8は、少なくとも1対の電極3,4が設けられている部分と重ならない位置において、第2の主面2bに絶縁層7を介して積層されている。なお、絶縁層7は設けられずともよい。従って、支持部材8は、圧電層2の第2の主面2bに直接または間接に積層され得る。
 絶縁層7は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材8は、Siからなる。Siの圧電層2側の面における面方位は(100)や(110)であってもよく、(111)であってもよい。支持部材8を構成するSiは、抵抗率4kΩcm以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材8についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
 支持部材8の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
 上記複数の電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Al、AlCu合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置1では、電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Ti膜上にAl膜を積層した構造を有する。なお、Ti膜以外の密着層を用いてもよい。
 駆動に際しては、複数の電極3と、複数の電極4との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第1のバスバー5と第2のバスバー6との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層2において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置1では、圧電層2の厚みをd、複数対の電極3,4のうちいずれかの隣り合う電極3,4の中心間距離をpとした場合、d/pは0.5以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、d/pは0.24以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 弾性波装置1では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極3,4の対数を小さくしたとしても、Q値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図22(a)及び図22(b)を参照して説明する。
 図22(a)は、日本公開特許公報 特開2012-257019号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜201中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜201では、第1の主面201aと、第2の主面201bとが対向しており、第1の主面201aと第2の主面201bとを結ぶ厚み方向がZ方向である。X方向は、IDT電極の電極指が並んでいる方向である。図22(a)に示すように、ラム波では、波が図示のように、X方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜201が全体として振動するものの、波はX方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Q値が低下する。
 これに対して、図22(b)に示すように、弾性波装置1では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層2の第1の主面2aと第2の主面2bとを結ぶ方向、すなわちZ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のX方向成分がZ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このZ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極3,4からなる電極対の対数を減らしたとしても、Q値の低下が生じ難い。
 なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図23に示すように、圧電層2の励振領域Cに含まれる第1領域451と、励振領域Cに含まれる第2領域452とで逆になる。図23では、電極3と電極4との間に、電極4が電極3よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第1領域451は、励振領域Cのうち、圧電層2の厚み方向に直交し圧電層2を2分する仮想平面VP1と、第1の主面2aとの間の領域である。第2領域452は、励振領域Cのうち、仮想平面VP1と、第2の主面2bとの間の領域である。
 上記のように、弾性波装置1では、電極3と電極4とからなる少なくとも1対の電極が配置されているが、X方向に波を伝搬させるものではないため、この電極3,4からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも1対の電極が設けられてさえおればよい。
 例えば、上記電極3がホット電位に接続される電極であり、電極4がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極3がグラウンド電位に、電極4がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置1では、少なくとも1対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
 図24は、図21に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置1の設計パラメータは以下の通りである。
 圧電層2:オイラー角(0°,0°,90°)のLiNbO、厚み=400nm。
 電極3と電極4の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極3と電極4とが重なっている領域、すなわち励振領域Cの長さ=40μm、電極3,4からなる電極の対数=21対、電極間中心距離=3μm、電極3,4の幅=500nm、d/p=0.133。
 絶縁層7:1μmの厚みの酸化ケイ素膜。
 支持部材8:Si。
 なお、励振領域Cの長さとは、励振領域Cの電極3,4の長さ方向に沿う寸法である。
 弾性波装置1では、電極3,4からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極3と電極4とを等ピッチで配置した。
 図24から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が12.5%である良好な共振特性が得られている。
 ところで、上記圧電層2の厚みをd、電極3と電極4との電極の中心間距離をpとした場合、前述したように、弾性波装置1では、d/pは0.5以下、より好ましくは0.24以下である。これを、図25を参照して説明する。
 図24に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しd/pを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図25は、このd/pと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
 図25から明らかなように、d/p>0.5では、d/pを調整しても、比帯域は5%未満である。これに対して、d/p≦0.5の場合には、その範囲内でd/pを変化させれば、比帯域を5%以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、d/pが0.24以下の場合には、比帯域を7%以上と高めることができる。加えて、d/pをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、d/pを0.5以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
 図26は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置80では、圧電層2の第1の主面2a上において、電極3と電極4とを有する1対の電極が設けられている。なお、図26中のKが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は1対であってもよい。この場合においても、上記d/pが0.5以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
 弾性波装置1では、好ましくは、複数の電極3,4において、いずれかの隣り合う電極3,4が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Cに対する、上記隣り合う電極3,4のメタライゼーション比MRが、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図27及び図28を参照して説明する。図27は、上記弾性波装置1の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Bで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、d/p=0.08として、かつLiNbOのオイラー角(0°,0°,90°)とした。また、上記メタライゼーション比MR=0.35とした。
 メタライゼーション比MRを、図20(b)を参照して説明する。図20(b)の電極構造において、1対の電極3,4に着目した場合、この1対の電極3,4のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Cとなる。この励振領域Cとは、電極3と電極4とを、電極3,4の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極3における電極4と重なり合っている領域、電極4における電極3と重なり合っている領域、及び、電極3と電極4との間の領域における電極3と電極4とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Cの面積に対する、励振領域C内の電極3,4の面積が、メタライゼーション比MRとなる。すなわち、メタライゼーション比MRは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Cの面積に対する比である。
 なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をMRとすればよい。
 図28は弾性波装置1の構成に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図28は、ZカットのLiNbOからなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
 図28中の楕円Jで囲まれている領域では、スプリアスが1.0と大きくなっている。図28から明らかなように、比帯域が0.17を超えると、すなわち17%を超えると、スプリアスレベルが1以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図27に示す共振特性のように、矢印Bで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は17%以下であることが好ましい。この場合には、圧電層2の膜厚や電極3,4の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
 図29は、d/2pと、メタライゼーション比MRと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、d/2pと、MRが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図29の破線Dの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が17%以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、MR=3.5(d/2p)+0.075で表される。すなわち、MR=1.75(d/p)+0.075である。従って、好ましくは、MR≦1.75(d/p)+0.075である。その場合には、比帯域を17%以下としやすい。より好ましくは、図29中の一点鎖線D1で示すMR=3.5(d/2p)+0.05の右側の領域である。すなわち、MR≦1.75(d/p)+0.05であれば、比帯域を確実に17%以下にすることができる。
 図30は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。図30において示す、ハッチングを付して示した複数の領域Rがそれぞれ、2%以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内である場合には、θ及びψと比帯域との関係は、図30に示す関係と同様である。圧電層がタンタル酸リチウム(LiTaO)からなる場合においても、オイラー角(0°±5°の範囲内,θ,ψ)におけるθ及びψと、BWとの関係は、図30に示す関係と同様である。
 従って、圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内であり、θ及びφが、図30に示す複数の領域Rのいずれかの範囲内であれば、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
 図31は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
 弾性波装置81では、圧電層2の第2の主面2bに音響多層膜82が積層されている。音響多層膜82は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層82a,82c,82eと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層82b,82dとの積層構造を有する。音響多層膜82を用いた場合、弾性波装置1における空洞部9を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層2内に閉じ込めることができる。弾性波装置81においても、上記d/pを0.5以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜82においては、その低音響インピーダンス層82a,82c,82e及び高音響インピーダンス層82b,82dの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層82a,82c,82eよりも、少なくとも1層の高音響インピーダンス層82b,82dが圧電層2から遠い側に配置されておりさえすればよい。
 上記低音響インピーダンス層82a,82c,82e及び高音響インピーダンス層82b,82dは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層82a,82c,82eの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層82b,82dの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
 図32は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 弾性波装置91は、支持基板92を有する。支持基板92には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板92上に圧電層93が積層されている。それによって、空洞部9が構成されている。この空洞部9の上方において圧電層93上に、IDT電極94が設けられている。IDT電極94の弾性波伝搬方向両側に、反射器95,96が設けられている。図32において、空洞部9の外周縁を破線で示す。ここでは、IDT電極94は、第1,第2のバスバー94a,94bと、複数本の第1の電極指94c及び複数本の第2の電極指94dとを有する。複数本の第1の電極指94cは、第1のバスバー94aに接続されている。複数本の第2の電極指94dは、第2のバスバー94bに接続されている。複数本の第1の電極指94cと、複数本の第2の電極指94dとは間挿し合っている。
 弾性波装置91では、上記空洞部9上のIDT電極94に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器95,96が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
 このように、本発明の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。なお、図32に示す例では、図1などに示す圧電層14の第1の主面14aに相当する主面に、IDT電極94、反射器95及び反射器96が設けられている。一方で、本発明の弾性波装置においては、第1の主面14aに1対の櫛形電極が設けられており、第1の主面14aまたは第2の主面14bに複数の第3の電極指が設けられた構成、あるいはこれに相当する構成とされている。本発明の弾性波装置が板波を利用するものである場合、第1~第3の実施形態及び各変形例における圧電層14の第1の主面14aに、上記反射器95及び反射器96が設けられていればよい。この場合、平面視したときに、1対の櫛形電極及び複数の第3の電極指、またはこれらに相当する部分を、電極指直交方向において、反射器95及び反射器96が挟んでいればよい。
 第1~第3の実施形態及び各変形例の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電膜としての圧電層の間に、音響反射膜としての、図31に示す音響多層膜82が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電膜の少なくとも一部が、音響多層膜82を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電膜とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜82において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜82が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。
 厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第3の実施形態及び各変形例における弾性波装置においては、上記のように、d/pが0.5以下であることが好ましく、0.24以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第1の実施形態、第2の実施形態及び各変形例における弾性波装置の励振領域においては、上記のように、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。より具体的には、励振領域に対する、第1の電極指及び第3の電極指、並びに第2の電極指及び第3の電極指のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
 なお、厚み滑りモードのバルク波を利用する第3の実施形態においては、各電極指部の各第1の層において、上記と同様にメタライゼーション比MRが定義される。そして、第1の電極指部及び第3の電極指部における第1の層、並びに第2の電極指部及び第3の電極指部における第1の層のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
1…弾性波装置
2…圧電層
2a,2b…第1,第2の主面
3,4…電極
5,6…第1,第2のバスバー
7…絶縁層
7a…貫通孔
8…支持部材
8a…貫通孔
9…空洞部
10…弾性波装置
10a…空洞部
11…機能電極
12…圧電性基板
13…支持部材
14…圧電層
14a,14b…第1,第2の主面
15…絶縁層
16…支持基板
17,18…第1,第2の櫛形電極
19…第3の電極
22~24…第1~第3のバスバー
24A,24B…第1,第2の接続電極
24a…バー部
24b…突出部
25~27…第1~第3の電極指
29…絶縁膜
34…接続電極
39…第3の電極
40…弾性波装置
41…機能部
45~47…第1~第3の電極指部
45a~47a…第1の層
45b~47b…第2の層
80,81…弾性波装置
82…音響多層膜
82a,82c,82e…低音響インピーダンス層
82b,82d…高音響インピーダンス層
91…弾性波装置
92…支持基板
93…圧電層
94…IDT電極
94a,94b…第1,第2のバスバー
94c,94d…第1,第2の電極指
95,96…反射器
201…圧電膜
201a,201b…第1,第2の主面
451,452…第1,第2領域
C…励振領域
E…交叉領域
R…領域
VP1…仮想平面

Claims (11)

  1.  ニオブ酸リチウムからなり、互いに対向し合う第1の主面及び第2の主面を有する圧電層を含む圧電膜と、
     前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第1のバスバー部と、前記第1のバスバー部に一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指部と、を有し、入力電位に接続される第1の櫛形部と、
     前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第2のバスバー部と、前記第2のバスバー部に一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指部と間挿し合っている複数の第2の電極指部と、を有し、出力電位に接続される第2の櫛形部と、
     平面視したときに、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部が並ぶ方向において、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第1の主面に設けられている複数の第3の電極指部と、隣り合う前記第3の電極指部同士を接続している接続部と、を有し、前記第1の櫛形部及び前記第2の櫛形部とは異なる電位に接続される、第3の部分と、
    を備え、
     前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が並んでいる順序が、前記第1の電極指部から開始した場合において、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部を1周期とする順序であり、
     前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部がそれぞれ、少なくとも1層の層を有し、前記少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含み、
     前記第1の電極指部、前記第3の電極指部及び前記第2の電極指部の順序において隣接する3本の電極指部を1組の電極指部とし、前記1組の電極指部のそれぞれにおける、前記少なくとも1層の層の密度をAlの密度により割った値と、該層の厚みとの積を該層のAl規格化厚みとしたときの、全ての前記層の前記Al規格化厚みを合計したものが、前記1組の電極指部のそれぞれの電極指部厚みdeであり、
     前記1組の電極指部のそれぞれの幅を電極指部幅me、前記1組の電極指部において隣接する前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離と、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離との平均を平均中心間距離pa、前記圧電膜の厚みをdとしたときに、前記1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.65≦de/d≦1.15かつme/pa≦0.5、及びde/d≦0.25のうち一方が満たされている、弾性波装置。
  2.  ニオブ酸リチウムからなり、互いに対向し合う第1の主面及び第2の主面を有する圧電層を含む圧電膜と、
     前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第1のバスバー部と、前記第1のバスバー部に一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指部と、を有し、入力電位に接続される第1の櫛形部と、
     前記圧電層の前記第1の主面に設けられており、第2のバスバー部と、前記第2のバスバー部に一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指部と間挿し合っている複数の第2の電極指部と、を有し、出力電位に接続される第2の櫛形部と、
     平面視したときに、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部が並ぶ方向において、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部と並ぶように、それぞれ前記圧電層の前記第2の主面に設けられている複数の第3の電極指部と、隣り合う前記第3の電極指部同士を接続している接続部と、を有し、前記第1の櫛形部及び前記第2の櫛形部とは異なる電位に接続される、第3の部分と、
    を備え、
     前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が並んでいる順序が、前記第1の電極指部から開始した場合において、前記第1の電極指部、前記第3の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部を1周期とする順序であり、
     前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部がそれぞれ、少なくとも1層の層を有し、前記少なくとも1層の層が、Alを主成分とする材料からなる層を含み、
     前記第1の電極指部、前記第3の電極指部及び前記第2の電極指部の順序において隣接する3本の電極指部を1組の電極指部とし、前記1組の電極指部のそれぞれにおける、前記少なくとも1層の層の密度をAlの密度により割った値と、該層の厚みとの積を該層のAl規格化厚みとしたときの、全ての前記層の前記Al規格化厚みを合計したものが、前記1組の電極指部のそれぞれの電極指部厚みdeであり、
     前記1組の電極指部のそれぞれの幅を電極指部幅me、前記1組の電極指部において隣接する前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離と、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離との平均を平均中心間距離pa、前記圧電膜の厚みをdとしたときに、前記1組の電極指部のそれぞれにおいて、0.7≦de/d≦1.5かつme/pa≦0.15である、弾性波装置。
  3.  前記1組の電極指部における前記第3の電極指部の前記電極指部幅をmgとしたときに、mg/pa≧0.5である、請求項1に記載の弾性波装置。
  4.  前記1組の電極指部における、前記第3の電極指部と、前記第1の電極指部及び前記第2の電極指部のうち少なくとも一方との間において、前記電極指部幅及び前記電極指部厚みのうち少なくとも一方が互いに異なる、請求項1~3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  5.  厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  6.  前記圧電膜に積層されている支持部材をさらに備え、
     前記支持部材及び前記圧電膜の積層方向に沿って見た平面視において、前記複数の第1の電極指部、前記複数の第2の電極指部及び前記複数の第3の電極指部と重なる位置に音響反射部が形成されており、
     隣り合う前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離、並びに、隣り合う前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間距離のうち、最も長い距離をpとした場合、d/pが0.5以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  7.  d/pが0.24以下である、請求項6に記載の弾性波装置。
  8.  前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電膜の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項6または7に記載の弾性波装置。
  9.  前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電膜の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項6または7に記載の弾性波装置。
  10.  前記第1の電極指部、前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間の領域、並びに、隣り合う前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部の中心間の領域が励振領域であり、
     前記励振領域に対する、前記第1の電極指部及び前記第3の電極指部、並びに前記第2の電極指部及び前記第3の電極指部のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たす、請求項6~9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  11.  前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)が、以下の式(1)、式(2)または式(3)の範囲にある、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
     (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
     (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
     (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774582A (ja) * 1992-09-09 1995-03-17 Hitachi Ltd 弾性表面波装置およびそれに接続された回路およびその測定方法および通信装置
JPH0888533A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Kazuhiko Yamanouchi 一方向性電極を用いたsawマッチドフィルタ
US10833650B1 (en) * 2019-06-11 2020-11-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Reconfigurable MEMS devices, methods of forming reconfigurable MEMS devices, and methods for reconfiguring frequencies of a MEMS device
WO2021062421A1 (en) * 2019-09-23 2021-04-01 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
WO2022163865A1 (ja) * 2021-02-01 2022-08-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774582A (ja) * 1992-09-09 1995-03-17 Hitachi Ltd 弾性表面波装置およびそれに接続された回路およびその測定方法および通信装置
JPH0888533A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Kazuhiko Yamanouchi 一方向性電極を用いたsawマッチドフィルタ
US10833650B1 (en) * 2019-06-11 2020-11-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Reconfigurable MEMS devices, methods of forming reconfigurable MEMS devices, and methods for reconfiguring frequencies of a MEMS device
WO2021062421A1 (en) * 2019-09-23 2021-04-01 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
WO2022163865A1 (ja) * 2021-02-01 2022-08-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

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