LASERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein Laserbauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements gemäß Patentansprüchen 15 und 18.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 114 292.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Aus dem Stand der Technik sind unterschiedliche Gehäusebau¬ formen für Laserbauelemente bekannt. Viele bekannte Gehäuse- bauformen eignen sich allerdings nicht für eine Oberflächenmontage. Außerdem weisen viele bekannte Gehäusebauformen lange Leiterstrecken auf, was einen Betrieb mit kurzen Pulsbrei¬ ten erschweren kann. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Laserbauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein Laserbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Ei¬ ne weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements anzuge- ben. Diese Aufgabe wird durch Verfahren mit den Merkmalen der Ansprüche 15 und 18 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein Laserbauelement umfasst ein Gehäuse, das einen Bodenab- schnitt mit einer Oberseite und einer Unterseite aufweist. An der Unterseite des Bodenabschnitts sind mehrere elektrische Lötkontaktflächen ausgebildet, die eine Oberflächenmontage des Laserbauelements ermöglichen. An der Oberseite des Boden¬ abschnitts sind mehrere elektrische Chipkontaktflächen ausge- bildet und elektrisch leitend mit den Lötkontaktflächen verbunden. Das Gehäuse weist eine an die Oberseite des Bodenab¬ schnitts angrenzende Kavität auf. Ein Laserchip ist in der
Kavität angeordnet und elektrisch leitend mit zumindest eini¬ gen der Chipkontaktflächen verbunden.
Dieses Laserbauelement eignet sich vorteilhafterweise für ei- ne Oberflächenmontage, wodurch sich das Laserbauelement vor¬ teilhafterweise durch automatisierte Prozesse montieren lässt .
Die Oberflächenmontierbarkeit des Laserbauelements ermöglicht eine wirksame Ableitung von im Betrieb des Laserbauelements in dem Laserbauelement anfallender Abwärme. Diese ermöglicht es wiederum, das Laserbauelement mit hoher Leistung zu be¬ treiben, ohne dass es zu einer Überhitzung des Laserbauele¬ ments kommt. Beispielsweise kann das Laserbauelement in einem Kurzpulsbetrieb mit hohem Pulsverhältnis und/oder großem Tastverhältnis betrieben werden.
Dadurch, dass die Lötkontaktflächen und die Chipkontaktflä¬ chen dieses Laserbauelements an einander gegenüberliegenden Seiten des Bodenabschnitts des Gehäuses dieses Laserbauele¬ ments angeordnet sind, ergeben sich bei diesem Laserbauele¬ ment kurze Leiterstrecken zwischen den Lötkontaktflächen und den Chipkontaktflächen, wodurch diese niedrige Induktivitäten aufweisen. Dies kann es beispielsweise ermöglichen, das La- serbauelement in einem Kurzpulsbetrieb mit sehr kurzen Puls¬ breiten zu betreiben. Beispielsweise kann sich das Laserbau¬ element für einen Betrieb mit Pulsbreiten von weniger als 5 ns eignen. In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist das Ge¬ häuse ein Kunststoffmaterial auf. Dabei umfasst der Bodenab¬ schnitt einen in das Kunststoffmaterial eingebetteten Leiter¬ rahmen. Die Lötkontaktflächen und die Chipkontaktflächen sind durch Oberflächen von Abschnitten des Leiterrahmens gebildet. Vorteilhafterweise lässt sich das Gehäuse des Laserbauele¬ ments dadurch einfach und kostengünstig herstellen. Insbesondere lassen sich eine Vielzahl von Gehäusen gleichzeitig in gemeinsamen Arbeitsschritten herstellen. Außerdem kann das
Gehäuse vorteilhafterweise kompakte äußere Abmessungen auf¬ weisen .
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist der Leiter- rahmen planar ausgebildet. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch besonders kurze Leiterstrecken zwischen den Lötkontaktflächen und den Chipkontaktflächen des Gehäuses dieses Laserbauelements . In einer Ausführungsform des Laserbauelements wird die Kavi- tät durch einen oberhalb des Bodenabschnitts angeordneten Wandabschnitt des Gehäuses begrenzt. Dabei weist der Wandab¬ schnitt eine Aussparung auf, die einen Durchtritt eines durch den Laserchip emittierten Laserstrahls ermöglicht. Vorteil- hafterweise kann die durch den Wandabschnitt umgrenzte Kavi- tät dieses Laserbauelements einen Schutz des Laserchips die¬ ses Laserbauelements vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen bewirken. Die in dem Wandabschnitt des Gehäuses an¬ geordnete Aussparung ermöglicht vorteilhafterweise eine ver- lustarme Auskopplung des durch den Laserchip emittierten Laserstrahls aus dem Gehäuse dieses Laserbauelements.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist in der Ka- vität ein Vergussmaterial angeordnet, in das der Laserchip zumindest teilweise eingebettet ist. Das Vergussmaterial kann einem Schutz des Laserchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen. Das Vergussmaterial kann beispiels¬ weise ein Silikon und/oder einen Kunststoff aufweisen. In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist das Ver¬ gussmaterial auch in der Aussparung angeordnet. Dadurch wird vorteilhafterweise eine einfache Auskopplung des durch den Laserchip emittierten Laserstrahls aus dem Gehäuse des Laserbauelements ermöglicht. Falls das Gehäuse des Laserbauele- ments gleichzeitig mit einer Mehrzahl weiterer Gehäuse in ge¬ meinsamen Arbeitsgängen hergestellt wird, so kann das Vergussmaterial während des Anordnens des Vergussmaterials in der Kavität durch die Aussparung von der Kavität eines Gehäu-
ses in eine Kavität eines benachbarten Gehäuses gelangen, wodurch das Anordnen des Vergussmaterials in der Kavität vor¬ teilhafterweise erleichtert wird. In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der Bo¬ denabschnitt ein planares Substrat auf. Dabei weist das Sub¬ strat mehrere Durchkontakte auf, die elektrisch leitende Ver¬ bindungen zwischen den Chipkontaktflächen und den Lötkontaktflächen herstellen. Vorteilhafterweise kann dieses Substrat kostengünstig erhältlich sein und dadurch eine kostengünstige Herstellung des Gehäuses des Laserbauelements ermöglichen. Die durch die Durchkontakte gebildeten elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Lötkontaktflächen und den Chipkontaktflächen dieses Laserbauelements können vorteilhafterweise sehr kurz ausgebildet sein und dadurch niedrige Induktivitä¬ ten aufweisen, was einen Betrieb des Laserbauelements mit kurzen Pulsbreiten ermöglichen kann.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist das Sub- strat als gedruckte Leiterplatte oder als Keramiksubstrat ausgebildet. Vorteilhafterweise kann das Substrat dadurch kostengünstig erhältlich sein und eine wirksame Ableitung von im Betrieb des Laserbauelements in dem Laserchip anfallender Abwärme ermöglichen.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist das Ge¬ häuse einen Deckel auf. Dabei ist der Deckel auf dem Substrat angeordnet. Die Kavität ist zwischen dem Substrat und dem De¬ ckel ausgebildet. Dadurch bietet der Deckel dem Laserchip dieses Laserbauelements vorteilhafterweise Schutz vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Der Deckel kann beispielsweise einen Kunststoff oder ein Glas aufweisen.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist der Deckel mittels einer Klebeverbindung oder einer Lotverbindung mit dem Substrat verbunden. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Befestigung des Deckels an
dem Substrat und dadurch eine einfache und kostengünstige Herstellung des Laserbauelements.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements weist der De- ekel ein Material auf, das für durch den Laserchip emittierte Laserstrahlung transparent ist. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine verlustarme Auskopplung von durch den Laserchip des Laserbauelements emittierter Laserstrahlung aus dem Gehäuse des Laserbauelements.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist der Laserchip als kantenemittierender Laserchip ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine Abstrahlung eines Laser¬ strahls in eine zum Bodenabschnitt des Gehäuses des Laserbau- elements parallele Richtung.
In einer Ausführungsform des Laserbauelements ist in der Ka- vität eine Treiberschaltung zur Ansteuerung des Laserchips angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies einen Betrieb des Laserbauelements ohne zusätzliche externe Treiberschal¬ tung .
Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements umfasst Schritte zum Ausbilden eines Gehäuses aus einem Kunststoffma- terial, wobei ein Leiterrahmen in einem Bodenbereich des Gehäuses in das Kunststoffmaterial eingebettet wird, wobei an einer Unterseite des Bodenabschnitts nicht durch das Kunst¬ stoffmaterial bedeckte Abschnitte des Leiterrahmens mehrere elektrische Lötkontaktflächen bilden, die eine Oberflächen- montage des Laserbauelements ermöglichen, wobei an einer
Oberseite des Bodenabschnitts nicht durch das Kunststoffmate¬ rial bedeckte Abschnitte des Leiterrahmens mehrere elektri¬ sche Chipkontaktflächen bilden, die elektrisch leitend mit den Lötkontaktflächen verbunden sind, wobei das Gehäuse mit einer an die Oberseite des Bodenabschnitts angrenzenden Kavi- tät ausgebildet wird, und zum Anordnen eines Laserchips in der Kavität, wobei der Laserchip elektrisch leitend mit zu¬ mindest einigen der Chipkontaktflächen verbunden wird.
Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache und kostengünstige Herstellung eines Laserbauelements, das sich für eine Oberflächenmontage eignet. Dadurch, dass die Lötkontaktflächen und die Chipkontaktflächen bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen Laserbauelements durch Abschnitte des Leiterrahmens gebildet werden, sind zwischen den Lötkontaktflächen und den Chipkontaktflächen ausgebildete Leiterstrecken sehr kurz und weisen dadurch niedrige Indukti- vitäten auf. Dadurch kann sich das durch dieses Verfahren erhältliche Laserbauelement vorteilhafterweise für einen Kurz¬ pulsbetrieb mit niedrigen Pulsbreiten eignen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Gehäuse in einem Gehäuseverbund einstückig mit einer Mehrzahl weiterer Gehäuse zusammenhängend ausgebildet. Dabei umfasst das Ver¬ fahren einen weiteren Schritt zum Vereinzeln des Gehäuses durch Zerteilen des Gehäuseverbunds. Die parallele Herstel¬ lung einer Mehrzahl von Gehäusen in einem Gehäuseverbund in gemeinsamen Arbeitsgängen kann dabei vorteilhafterweise die Herstellungskosten pro Gehäuse und die zur Herstellung eines Gehäuses erforderliche Zeit reduzieren.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Zerteilen des Gehäuseverbunds unter Verwendung eines Diamantschleif- blatts. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch Außenseiten des Gehäuses mit hoher Oberflächenqualität, was eine qualita¬ tiv hochwertige Auskopplung eines durch den Laserchip emittierten Laserstrahls aus dem Gehäuse des durch dieses Verfah- ren erhältlichen Laserbauelements ermöglicht.
Ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines planaren Substrats, das an einer Unterseite mehrere elektrische Lötkontaktflächen aufweist, die eine Oberflächenmontage des Laserbauelements ermöglichen, und das an einer Oberseite mehrere elektrische Chipkontaktflächen aufweist, wobei das Substrat mehrere
Durchkontakte aufweist, die elektrisch leitende Verbindungen
zwischen den Chipkontaktflächen und den Lötkontaktflächen herstellen, zum Anordnen eines Laserchips auf der Oberseite des Substrats, wobei der Laserchip elektrisch leitend mit zu¬ mindest einigen der Chipkontaktflächen verbunden wird, und zum Anordnen eines Deckels auf der Oberseite des Substrats, wobei eine Kavität zwischen dem Substrat und dem Deckel aus¬ gebildet wird, wobei der Laserchip in der Kavität einge¬ schlossen wird. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dieses Verfahren eine ein¬ fache und kostengünstige Herstellung eines Laserbauelements, das sich für eine Oberflächenmontage eignet. Dadurch, dass bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen Laserbauelement die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Lötkon- taktflächen und den Chipkontaktflächen durch die Durchkontakte des Substrats gebildet werden, können die Leiterstrecken zwischen den Lötkontaktflächen und den Chipkontaktflächen sehr kurz ausgebildet sein und dadurch niedrige Induktivitä¬ ten aufweisen. Dies kann einen Kurzpulsbetrieb des durch das Verfahren erhältlichen Laserbauelements mit kurzen Pulsbrei¬ ten ermöglichen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Deckel in einem Deckelverbund einstückig mit einer Mehrzahl weiterer Deckel zusammenhängend ausgebildet. Dabei umfasst das Verfah¬ ren einen weiteren Schritt zum Vereinzeln des Deckels durch Zerteilen des Deckelverbunds. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl von Deckeln in gemeinsamen Arbeitsgängen. Dadurch können die Herstellungskosten pro Deckel und die zur Herstellung eines Deckels erforderliche Zeit vorteilhafterweise reduziert werden .
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Zerteilen des Deckelverbunds unter Verwendung eines Diamantschleif- blatts. Dadurch können die durch Zerteilen des Deckelverbunds erhältlichen Deckel Außenseiten mit hoher Oberflächenqualität aufweisen. Dies ermöglicht bei dem durch das Verfahren er-
hältlichen Laserbauelement eine qualitativ hochwertige Aus¬ kopplung eines durch den Laserchip emittierten Laserstrahls aus dem Gehäuse des Laserbauelements. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Fig. 1 eine Aufsicht auf ein erstes Laserbauelement; Fig. 2 eine geschnittene Seitenansicht des ersten Laserbau¬ elements;
Fig. 3 eine Aufsicht auf ein zweites Laserbauelement; Fig. 4 eine geschnittene Seitenansicht des zweiten Laserbau¬ elements;
Fig. 5 eine Aufsicht auf ein drittes Laserbauelement; und Fig. 6 eine perspektivische Ansicht des dritten Laserbauele¬ ments .
Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf ein erstes Laserbauelement 10. Fig. 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Laserbauelements 10. Dabei ist das erste Laserbauelement 10 an einer in Fig. 1 eingezeichneten Schnittebene geschnitten.
Das erste Laserbauelement 10 weist ein Gehäuse 500 auf. Das Gehäuse 500 umfasst einen Bodenabschnitt 510 mit einer Ober¬ seite 511 und einer der Oberseite 511 gegenüberliegenden Unterseite 512. Über der Oberseite 511 des Bodenabschnitts 510
weist das Gehäuse 500 eine an die Oberseite 511 des Bodenab¬ schnitts 510 angrenzende Kavität 540 auf.
Das Gehäuse 500 des ersten Laserbauelements 10 wird durch ei- nen Formkörper 100 gebildet. Der Formkörper 100 kann auch als Moldkörper bezeichnet werden. Der Formkörper 100 ist durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildet worden, beispielsweise durch Spritzpressen (transfer molding) oder durch Spritzgießen (injection molding). Der Formkörper 100 weist ein elektrisch isolierendes Kunststoffmaterial auf, bei¬ spielsweise ein Epoxid.
Im Bodenabschnitt 510 des Gehäuses 500 ist ein Leiterrahmen 110 in den Formkörper 100 eingebettet. Der Leiterrahmen 110 wurde bereits während des Ausbildens des Formkörpers 100 durch das Material des Formkörpers 100 umformt. Der Leiter¬ rahmen 110 weist ein elektrisch leitendes Material auf, bei¬ spielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer. Der Leiterrahmen 110 ist planar ausgebildet und weist mehrere elektrisch gegeneinander isolierte Abschnitte auf, die in ei¬ ner gemeinsamen Ebene angeordnet sind. Der Leiterrahmen 110 kann beispielsweise aus einem flachen Blech hergestellt sein. Der Bodenabschnitt 510 des Gehäuses 500 ist, ebenso wie der im Bodenabschnitt 510 des Gehäuses 500 in den Formkörper 100 eingebettete Leiterrahmen 110, planar, flach und eben ausgebildet .
Sowohl an der Oberseite 511 als auch an der Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 liegen Oberflächen von Abschnitten des Leiterrahmens 110 frei und sind nicht durch das Material des Formkörpers 100 bedeckt. Die an der Oberseite 511 des Bo¬ denabschnitts 510 freiliegenden Abschnitte des Leiterrahmens 110 bilden mehrere Chipkontaktflächen 530, beispielsweise zwei Chipkontaktflächen 530. Die an der Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 freiliegenden Abschnitte des Leiterrah¬ mens 110 bilden mehrere Lötkontaktflächen 520, beispielsweise zwei Lötkontaktflächen 520.
Über die Abschnitte des Leiterrahmens 110 ist jede Lötkon¬ taktfläche 520 mit je einer Chipkontaktfläche 530 elektrisch leitend verbunden. Die durch die Abschnitte des Leiterrahmens 110 gebildeten Leiterstrecken sind dabei sehr kurz und erstrecken sich im Wesentlichen senkrecht durch den Bodenabschnitt 510 des Gehäuses 500. Dadurch weisen die durch die Abschnitte des Leiterrahmens 110 gebildeten Leiterstrecken zwischen den Lötkontaktflächen 520 und den Chipkontaktflächen 530 niedrige Induktivitäten auf.
Die an der flachen Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 des Gehäuses 500 angeordneten Lötkontaktflächen 520 ermöglichen eine Oberflächenmontage (SMT-Montage) des ersten Laserbauele- ments 10. Das erste Laserbauelement 10 bildet damit ein SMD- Bauelement. Das erste Laserbauelement 10 kann sich beispiels¬ weise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) eignen. Das Gehäuse 500 des ersten Laserbauelements 10 weist einen durch den Formkörper 100 gebildeten Wandabschnitt 120 auf, der die Oberseite 511 des Bodenabschnitts 510 ringförmig um¬ grenzt und dadurch die über der Oberseite 511 des Bodenab¬ schnitts 510 ausgebildete Kavität 540 begrenzt.
In der Kavität 540 des Gehäuses 500 des ersten Laserbauele¬ ments 10 ist ein Laserchip 550 an der Oberseite 511 des Bo¬ denabschnitts 510 angeordnet. Der Laserchip 550 kann bei¬ spielsweise ein kantenemittierender Halbleiter-Laserchip sein. Der Laserchip 550 weist eine Oberseite 551 und eine der Oberseite 551 gegenüberliegende Unterseite 552 auf. An der Oberseite 551 und an der Unterseite 552 des Laserchips 550 sind je eine elektrische Kontaktfläche des Laserchips 550 ausgebildet .
Die elektrischen Kontaktflächen des Laserchips 550 sind elektrisch leitend mit jeweils einer Chipkontaktfläche 530 verbunden. Im in Figuren 1 und 2 gezeigten Beispiel ist der
Laserchip 550 derart auf einer der Chipkontaktflächen 530 angeordnet, dass die Unterseite 552 des Laserchips 550 der Chipkontaktfläche 530 zugewandt und die an der Unterseite 552 des Laserchips 550 ausgebildete elektrische Kontaktfläche des Laserchips 550 elektrisch leitend mit der Chipkontaktfläche 530 verbunden ist. Hierzu kann der Laserchip 550 beispiels¬ weise mittels eines Lots oder eines elektrisch leitenden Kle¬ bers an der Chipkontaktfläche 530 befestigt sein. Die an der Oberseite 551 des Laserchips 550 ausgebildete elektrische Kontaktfläche des Laserchips 550 ist im in Figuren 1 und 2 gezeigten Beispiel mittels eines Bonddrahts 570 mit einer weiteren Chipkontaktfläche 530 des Gehäuses 500 des ersten Laserbauelements 10 verbunden. Es ist allerdings möglich, die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den elektrischen Kontaktflächen des Laserchips 550 und den Chipkontaktflächen 530 auf andere Weise herzustellen.
Der Laserchip 550 ist dazu ausgebildet, einen Laserstrahl 560 in eine Richtung zu emittieren, die im Wesentlichen parallel zu der Unterseite 552 des Laserchips 550 orientiert ist. Da¬ mit ist die Emissionsrichtung des Laserchips 550 auch paral¬ lel zur Oberseite 511 des Bodenabschnitts 510 des Gehäuses 500 orientiert. Der Wandabschnitt 120 des das Gehäuse 500 des ersten Laser¬ bauelements 10 bildenden Formkörpers 100 weist eine Ausspa¬ rung 121 auf. Im Bereich der Aussparung 121 ist der ringförmig die Oberseite 511 des Bodenabschnitts 510 umgrenzende Wandabschnitt 120 unterbrochen. Die Aussparung 121 ist dazu vorgesehen, einen Durchtritt des durch den Laserchip 550 des ersten Laserbauelements 10 emittierten Laserstrahls 560 zu ermöglichen. Der durch den Laserchip 550 emittierte Laserstrahl 560 kann durch die Aussparung 121 aus der Kavität 540 des Gehäuses 500 des ersten Laserbauelements 10 austreten. Die Aussparung 121 kann bereits während des Ausbildens des
Formkörpers 100 angelegt worden sein. Es ist allerdings eben¬ falls möglich, die Aussparung 121 erst nach dem Ausbilden des
Formkörpers 100 anzulegen, beispielsweise durch einen Säge- prozess oder einen Schleifprozess .
In der Kavität 540 des Gehäuses 500 des ersten Laserbauele- ments 10 ist ein Vergussmaterial 130 angeordnet. Der Laser¬ chip 550 und der den Laserchip 550 mit einer der Chipkontaktflächen 530 verbindende Bonddraht 570 sind zumindest teilwei¬ se in das Vergussmaterial 130 eingebettet und dadurch vor ei¬ ner Beschädigung durch äußere Einwirkungen, beispielsweise vor einer Beschädigung durch Feuchtigkeit, geschützt. Das
Vergussmaterial 130 kann beispielsweise ein Silikon aufwei¬ sen. Es ist zweckmäßig, dass das Vergussmaterial 130 für durch den Laserchip 550 emittierte Laserstrahlung eine hohe Transparenz aufweist. Das Vergussmaterial 130 kann sich auch in die Aussparung 121 des Wandabschnitts 120 erstrecken. Es ist möglich, auf das Anordnen des Vergussmaterials 130 in der Kavität 540 zu verzichten.
Das Gehäuse 500 des ersten Laserbauelements 10 kann gemeinsam mit einer Mehrzahl weiterer Gehäuse 500 in gemeinsamen Arbeitsschritten hergestellt werden. Hierzu wird ein ausgedehnter Leiterrahmenverbund in einen ausgedehnten Formkörperverbund eingebettet, der eine Mehrzahl von Formkörpern 100 um- fasst, die einstückig zusammenhängend miteinander verbunden und lateral nebeneinander, beispielsweise in einer zweidimensionalen Rechteckgitteranordnung, angeordnet sind. Dabei grenzen die Wandabschnitte 120 eines Formkörpers 100 an die Wandabschnitte 120 benachbarter Formkörper 100 an. Anschließend werden in den Kavitäten 540 aller Formkörper 100 Laserchips 550 angeordnet und elektrisch leitend mit den Chipkontaktflächen 530 verbunden. Das Einfüllen des Vergussmaterials 130 erfolgt ebenfalls für alle Formkörper 100 des Formkörperverbunds gemeinsam. Dabei kann das Vergussmaterial 130 durch die Aussparungen 121 zwischen den Kavitäten 540 der einzelnen Formkörper 100 fließen.
Erst zum Abschluss dieser gemeinsamen Bearbeitungsschritte wird der so gebildete Gehäuseverbund zerteilt, um die durch die einzelnen Formkörper 100 gebildeten einzelnen Gehäuse 500 zu vereinzeln. Das Zerteilen des Formkörperverbunds kann bei- spielsweise durch Sägen oder ein anderes Trennverfahren erfolgen. Dabei werden an den Trennebenen Außenseiten 101 der Wandabschnitte 120 der Formkörper 100 gebildet.
Falls sich das Vergussmaterial 130 bei den einzelnen Formkör- pern 100 jeweils bis in die Aussparung 121 des Wandabschnitts 120 erstreckt, so wird während des Vereinzeins der Formkörper 100 auch im Bereich des Vergussmaterials 130 in der Ausspa¬ rung 121 eine Trennfläche gebildet. Diese Trennfläche bildet eine Austrittsfläche des durch den Laserchip 550 emittierten Laserstrahls 560. Es ist daher zweckmäßig, diese Trennfläche möglichst glatt auszubilden. Dies kann durch eine Optimierung des zum Zerteilen des Gehäuseverbunds genutzten Trennverfahrens erreicht werden, beispielsweise durch eine Verwendung eines Diamantschleifblatts .
Fig. 3 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein zweites La¬ serbauelement 20. Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des zweiten Laserbauelements 20. Dabei ist das zweite Laserbauelement 20 in der Darstellung der Fig. 4 an einer in Fig. 3 eingezeichneten Schnittebene geschnitten.
Das zweite Laserbauelement 20 weist Übereinstimmungen mit dem ersten Laserbauelement 10 der Figuren 1 und 2 auf. Komponenten des zweiten Laserbauelements 20, die bei dem ersten La- serbauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Figuren 3 und 4 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 und 2.
Das zweite Laserbauelement 20 weist ein Gehäuse 500 auf. Das Gehäuse 500 umfasst einen durch ein planares Substrat 200 ge¬ bildeten Bodenabschnitt 510 und einen Deckel 220.
Der durch das planare Substrat 200 gebildete Bodenabschnitt 510 weist eine Oberseite 511 und eine der Oberseite 511 ge¬ genüberliegende Unterseite 512 auf. Das Substrat 200 kann beispielsweise als gedruckte Leiterplatte (PCB) oder als Ke- ramiksubstrat ausgebildet sein.
An der Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 sind mehrere elektrische Lötkontaktflächen 520 ausgebildet, beispielsweise zwei Lötkontaktflächen 520. An der Oberseite 511 des Bodenab- Schnitts 510 sind mehrere elektrische Chipkontaktflächen 530 ausgebildet, beispielsweise zwei elektrische Chipkontaktflä¬ chen 530. Das Substrat 200 weist elektrisch leitende Durch¬ kontakte 210 auf, die sich durch das Substrat 200 erstrecken und elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Lötkontakt- flächen 520 und den Chipkontaktflächen 530 herstellen. Dabei ist jede Lötkontaktfläche 520 mit jeweils einer Chipkontakt¬ fläche 530 verbunden. Die durch die Durchkontakte 210 gebil¬ deten Leiterstrecken zwischen den Lötkontaktflächen 520 und den Chipkontaktflächen 530 sind sehr kurz und weisen dadurch niedrige Induktivitäten auf.
Die an der flachen Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 des Gehäuses 500 des zweiten Laserbauelements 20 angeordneten Lötkontaktflächen 520 ermöglichen eine Oberflächenmontage (SMT-Montage) des zweiten Laserbauelements 20. Das zweite La¬ serbauelement 20 bildet damit ein SMD-Bauelement . Das zweite Laserbauelement 20 kann sich beispielsweise für eine Oberflä¬ chenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) eignen .
Der Deckel 220 ist an der Oberseite 511 des durch das Sub¬ strat 200 gebildeten Bodenabschnitts 510 des Gehäuses 500 des zweiten Laserbauelements 20 angeordnet. Der Deckel 220 kann beispielsweise mittels einer Klebeverbindung oder einer Lot- Verbindung mit dem Substrat 200 verbunden sein.
Zwischen dem Deckel 200 und der Oberseite 511 des durch das Substrat 200 gebildeten Bodenabschnitts 510 ist eine Kavität
540 eingeschlossen, die an die Oberseite 511 des Bodenab¬ schnitts 510 angrenzt.
In der Kavität 540 des zweiten Laserbauelements 20 ist ein Laserchip 550 angeordnet. Der Laserchip 550 ist bereits vor dem Anordnen des Deckels 220 an der Oberseite 511 des Boden¬ abschnitts 510 angeordnet worden. Der Laserchip 550 kann bei¬ spielsweise als kantenemittierender Laserchip ausgebildet sein. Der Laserchip 550 weist eine Oberseite 551 und eine der Oberseite 551 gegenüberliegende Unterseite 552 auf.
An der Oberseite 551 und an der Unterseite 552 weist der La¬ serchip 550 im in Figuren 3 und 4 dargestellten Beispiel jeweils eine elektrische Kontaktfläche auf. Diese elektrischen Kontaktflächen sind elektrisch leitend mit Chipkontaktflächen 530 des Gehäuses 500 des zweiten Laserbauelements 20 verbun¬ den. Hierzu ist der Laserchip 550 im dargestellten Beispiel derart auf einer Chipkontaktfläche 530 angeordnet und befes¬ tigt, dass die Unterseite 552 des Laserchips 550 der Chipkon- taktfläche 530 zugewandt und die an der Unterseite 552 des Laserchips 550 ausgebildete elektrische Kontaktfläche
elektrisch leitend mit der Chipkontaktfläche 530 verbunden ist. Der Laserchip 550 kann dabei beispielsweise mittels ei¬ nes Lots oder eines elektrisch leitenden Klebers an der Chip- kontaktfläche 530 befestigt sein. Die an der Oberseite 551 des Laserchips 550 ausgebildete elektrische Kontaktfläche des Laserchips 550 ist im in Figuren 3 und 4 gezeigten Beispiel mittels eines Bonddrahts 570 mit einer weiteren Chipkontakt¬ fläche 530 verbunden.
Der Laserchip 550 ist dazu ausgebildet, einen Laserstrahl 560 in eine zur Oberseite 551 des Laserchips 550 und damit auch zur Oberseite 511 des Bodenabschnitts 510 im Wesentlichen senkrechte Richtung abzustrahlen. Der durch den Laserchip 550 emittierte Laserstrahl 560 kann den Deckel 220 durchdringen und dadurch aus der Kavität 540 des Gehäuses 500 des zweiten Laserbauelements 20 austreten. Hierzu weist der Deckel 220 ein Material auf, das für durch den Laserchip 540 emittierte
Laserstrahlung transparent ist. Der Deckel 220 kann bei¬ spielsweise ein Kunststoffmaterial oder ein Glas aufweisen.
Der Deckel 220 des zweiten Laserbauelements 20 kann gemeinsam mit einer Mehrzahl weiterer Deckel in gemeinsamen Bearbeitungsschritten hergestellt werden. Hierzu wird ein Deckelverbund ausgebildet, der eine Mehrzahl von einstückig zusammenhängenden Deckeln 220 umfasst. Die Deckel 220 werden anschließend durch Zerteilen des Deckelverbunds an Trennebenen vereinzelt. Dabei werden an den Trennebenen Außenseiten 221 der Deckel 220 gebildet.
Das Zerteilen des Deckelverbunds kann beispielsweise durch einen Sägeprozess oder einen anderen Trennprozess erfolgen. Es ist zweckmäßig, dass die beim Zerteilen des Deckelverbunds gebildeten Außenseiten 221 der Deckel 220 bei jedem Deckel 220 zumindest in dem Bereich, in dem bei dem aus dem Deckel 220 hergestellten zweiten Laserbauelement 20 der Laserstrahl 560 durchdringt, eine hohe Oberflächenqualität mit nur gerin- gen Trennspuren aufweisen. Dies kann durch eine Optimierung des zur Zerteilung des Deckelverbunds verwendeten Trennverfahrens erreicht werden, beispielsweise durch Verwendung ei¬ nes Diamantschleifblatts . Fig. 5 zeigt in schematisierter Darstellung eine Aufsicht auf ein drittes Laserbauelement 30. Fig. 6 zeigt eine schemati¬ sche perspektivische Darstellung des dritten Laserbauelements 30. Das dritte Laserbauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem anhand der Figuren 1 und 2 beschriebenen ersten Laserbauelement 10 auf. Komponenten des dritten Laserbauele¬ ments 30, die bei dem ersten Laserbauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Figuren 5 und 6 mit densel- ben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 und 2 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Im Folgen¬ den werden lediglich die Unterschiede zwischen dem dritten
Laserbauelement 30 und dem ersten Laserbauelement 10 erläu¬ tert .
Bei dem dritten Laserbauelement 30 ist zusätzlich zu dem La- serchip 550 eine Treiberschaltung 300 zur Ansteuerung des Laserchips 550 in der Kavität 540 angeordnet. Die Treiberschal¬ tung 300 umfasst in dem in Figuren 5 und 6 gezeigten Beispiel einen Kondensator 310 und einen integrierten Schaltkreis 320. Der Kondensator 310 kann als elektrischer Energiespeicher dienen. Der integrierte Schaltkreis 320 kann zum Schalten des Laserchips 550 dienen und kann dazu ausgebildet sein, mittels eines TTL-Signals gepulst zu werden. Anstelle des integrier¬ ten Schaltkreises 320 könnte die Treiberschaltung 300 auch einen Transistor zum Schalten des Laserchips 550 aufweisen.
Das Gehäuse 500 weist bei dem dritten Laserbauelement 30 mehr als zwei Chipkontaktflächen 530 auf und kann auch mehr als zwei Lötkontaktflächen 520 aufweisen. Die Chipkontaktflächen 530 dienen zur Aufnahme und Kontaktierung des Laserchips 550 sowie der Komponenten der Treiberschaltung 300. Der Laserchip 550 und die Komponenten der Treiberschaltung 300 sind über Bonddrähte 570 elektrisch leitend miteinander und mit den Chipkontaktflächen 530 verbunden. Es ist möglich, auch das anhand der Figuren 3 und 4 beschrie¬ bene zweite Laserbauelement 20 mit einer integrierten Trei¬ berschaltung 300 auszustatten. In diesem Fall kann das Gehäuse 500 des zweiten Laserbauelements 20 mehr als zwei Chipkon¬ taktflächen 530 und mehr als zwei Lötkontaktflächen 520 auf- weisen.
Bei dem ersten Laserbauelement 10, dem zweiten Laserbauele¬ ment 20 und dem dritten Laserbauelement 30 sind die die Löt¬ kontaktflächen 520 mit den Chipkontaktflächen 530 verbinden- den Leiterstrecken jeweils sehr kurz und weisen niedrige Induktivitäten auf. Dadurch eignen sich das erste Laserbauelement 10, das zweite Laserbauelement 20 und das dritte Laser¬ bauelement 30 jeweils für einen Kurzpulsbetrieb mit sehr kur-
zen Pulsbreiten. Beispielsweise können sich das erste Laserbauelement 10, das zweite Laserbauelement 20 und das dritte Laserbauelement 30 für einen Betrieb mit Pulsbreiten von we¬ niger als 5 ns eignen.
Das erste Laserbauelement 10, das zweite Laserbauelement 20 und das dritte Laserbauelement 30 eignen sich jeweils für ei¬ ne Oberflächenmontage nach einem SMT-Verfahren, beispielswei¬ se für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) . Dadurch eignen sich das erste Laserbauelement 10, das zweite Laserbauelement 20 und das dritte Laserbauele¬ ment 30 für automatische Bestückungsprozesse.
Die Oberflächenmontierbarkeit des ersten Laserbauelements 10, des zweiten Laserbauelements 20 und des dritten Laserbauele¬ ments 30 ermöglicht eine gute thermische Ankopplung der La¬ serbauelemente 10, 20, 30 und dadurch eine wirksame Abfuhr von im Betrieb der Laserbauelemente 10, 20, 30 in den Laser¬ bauelementen 10, 20, 30 anfallender Abwärme. Die Abwärme kann jeweils über die Unterseite 512 des Bodenabschnitts 510 des
Gehäuses 500 des Laserbauelements 10, 20, 30 in einen das La¬ serbauelement 10, 20, 30 tragenden Träger abfließen. Die dadurch ermöglichte gute thermische Ankopplung der Laserbau¬ elemente 10, 20, 30 ermöglicht einen Betrieb der Laserbauele- mente 10, 20, 30 mit hohem Auslastungsgrad und langen Ein¬ schaltdauern .
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
10 erstes Laserbauelement
20 zweites Laserbauelement
30 drittes Laserbauelement
500 Gehäuse 510 Bodenabschnitt
511 Oberseite
512 Unterseite
520 Lötkontaktfläche
530 Chipkontaktfläche
540 Kavität
550 Laserchip
551 Oberseite
552 Unterseite
560 Laserstrahl
570 Bonddraht 100 Formkörper
101 Außenseite
110 Leiterrahmen 120 Wandabschnitt
121 Aussparung
130 Vergussmaterial 200 Substrat
210 Durchkontakt
220 Deckel
221 Außenseite
300 Treiberschaltung
310 Kondensator
320 integrierter Schaltkreis