[go: up one dir, main page]

WO2015132380A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung Download PDF

Info

Publication number
WO2015132380A1
WO2015132380A1 PCT/EP2015/054710 EP2015054710W WO2015132380A1 WO 2015132380 A1 WO2015132380 A1 WO 2015132380A1 EP 2015054710 W EP2015054710 W EP 2015054710W WO 2015132380 A1 WO2015132380 A1 WO 2015132380A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead frame
semiconductor chip
optoelectronic
housing body
optoelectronic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2015/054710
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
David Racz
Tobias Gebuhr
Michael Wittmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of WO2015132380A1 publication Critical patent/WO2015132380A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape

Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 11.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component having the features of claim 1.
  • Another object of the vorlie ⁇ constricting invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 11.
  • the dependent claims specify various developments.
  • An optoelectronic component has a first conductor ⁇ frame section with an upper side, a secondêtrah- section with an upper side and an optoelectronic semiconductor chip.
  • the leadframe sections and the optoelectronic semiconductor chip are jointly embedded in a housing body with an upper side.
  • this optoelectronic component can be produced on a ⁇ ways and with a small number of
  • this opto electro ⁇ African component has a high mechanical stability because of the optoelectronic semiconductor chip is directly embedded in the housing body of the optoelectronic component. It can have small construction ⁇ part dimensions, the optoelectronic component, in particular a low Bauhö ⁇ hey.
  • the housing body of said optoelectronic component does not extend over a top surface of the optoelectronic semiconductor chip addition, can be brought very close to the optoelectronic semiconductor chip in this optoelekt ⁇ tronic device advantageously a light guide, whereby a coupling of electromagnetic radiation is made possible in the light guide with low Einkopplungs proofen.
  • the optoelectronic semiconductor chip on an upper surface which is flush with the upper surface of the housing body from ⁇ .
  • this is a coupling-out of radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation of the optoelectronic component without much reflection and losses geometry made ⁇ light.
  • the flush termination between the upper side of the opto ⁇ electronic semiconductor chip and the top of the housing ⁇ body also advantageously allows to introduce a light guide very close to the optoelectronic semiconductor chip, which allows a simple coupling of emitted by the optoelectronic semiconductor chip electronic radiation in the light guide.
  • portions of the upper side of the first leadframe close Section and / or sections of the top of the second Lei ⁇ terrahmenabitess flush with the top of GeHousekör ⁇ pers from.
  • the embedded into the case body of the optoelectronic component lead frame portions thereby causing mechanical stabilization of the Ge ⁇ pliuse stressess of the optoelectronic component.
  • a cavity is formed ⁇ at the top of the housing body.
  • a top surface of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip is disposed on a base of the cavity.
  • ⁇ advantage adhesive enough can be a wall of the cavity as a reflector for by the optoelectronic semiconductor chip emitted elec- serve romagntician radiation.
  • the cavity can improve a decoupling of the electromagnetic radiation from the optoelectronic component and cause a bundling and direction of the electromagnetic radiation.
  • a covering layer is arranged on the upper side of the housing body.
  • the cover layer can cause protection of the exposed upper side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the cover layer may for example comprise a Si ⁇ Likon.
  • the covering layer is formed as a wavelength-converting layer.
  • the cover layer cause Konvertie ⁇ tion of a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation.
  • the covering layer can be provided to convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip into the light of a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light.
  • the cover layer formed as a wavelength-converting layer may for example comprise from ⁇ embedded Kon ⁇ verterp motherboard.
  • the first lead frame portion and the second conductor ⁇ frame portion subpages have to be flush with a bottom ⁇ side of the housing body.
  • the undersides of the leadframe sections of the optoelectronic component can form electrical contact surfaces which serve for electrical contacting of the optoelectronic component from the outside.
  • the flush finish of the undersides of the lead frame portions with the underside of the device covers se emotionss the optoelectronic component can play as suitable as SMT component for surface mounting with ⁇ .
  • an etched recess is formed at the top of the first lead frame portion.
  • the optoelectronic ⁇ specific semiconductor chip in the recess is arranged at the top of the first lead frame portion.
  • the optoelectronic semiconductor chip is thereby partially surrounded by raised portions of the first leadframe section, resulting in a high mechanical stability of the housing body of the optoelectronic component.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged on the first conductor frame section and on the second conductor frame section.
  • electrically conductive connections between the leadframe sections and electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip can exist directly in the contact regions between the optoelectronic semiconductor chip and the leadframe sections.
  • the optoelectronic semiconductor chip may be formed in this embodiment, for example, as a flip chip, in particular, for example, as a sapphire flip-chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip by a bonding wire ⁇ is connected to the second lead frame portion.
  • ⁇ geous enough can be made an electrically conductive connection between an electrode disposed on the top surface of the optoelectronic semiconductor chip electrical contact surface and the second lead frame portion by means of the bonding wire. This allows the optoelectronic semiconductor chip having on its underside, in this embodiment of the optoelectronic component, for example, a contact surface on its upper side and ei ⁇ ne contact surface.
  • the optoelectronic component has a third conductor frame section and a second optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic half ⁇ conductor chip and the second optoelectronic semiconductor chip can be controlled independently.
  • the optoelectronic component can thereby have a high power with small spatial dimensions.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a first leadframe section and a second leadframe section, for arranging an optoelectronic semiconductor chip on the first leadframe section, and for embedding the leadframe sections and the optoelectronic semiconductor chip in a housing body.
  • this method enables cost-effective production of an optoelectronic component.
  • the method advantageously has only a small number of individual process steps.
  • the obtainable by the process optoelectronic Bauele ⁇ ment may advantageously with low component dimensions, in particular with a low overall height can be formed. This allows a high packing density and thus a paralle ⁇ le production of a large number of optoelectronic devices simultaneously.
  • the method can advantageously be carried out inexpensively.
  • the process of embedding the lead frame portions and of the optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip into the housing body is made by a molding process, in particular by sheet-assisted transfer molding. Before ⁇ geous enough, it allows the method characterized to dispense ei ⁇ NEN process step for deburring (deflashing) or subsequent cleaning of the housing body. As a result, the method can advantageously be carried out simply and inexpensively.
  • an upper side of the optoelectronic semiconductor chip is covered with a foil during embedding. This advantageously ensures that the top of the optoelectronic
  • the method comprises a further step for connecting the optoelectronic semiconductor chip to the second lead frame portion by means of bonding wire ei ⁇ nes.
  • the second Lei ⁇ terrahmenabites obtainable by the process of the opto-electronic component ⁇ possible by an electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip of optoelekt ⁇ tronic device.
  • this comprises a further step for arranging a cover layer on an upper side of the housing body.
  • the cover layer can have a
  • a bonding wire arranged on the upper side of the housing body can also be embedded in the covering layer, as a result of which this bonding wire is also protected against damage by external mechanical influences.
  • the ab ⁇ cover layer can be formed additionally with embedded wavelength converting particles. In this Case can cause lung, the cover layer of the avai by the method ⁇ chen optoelectronic component advantageously has a conversion of a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation.
  • this comprises a further step for separating the optoelectronic component by dividing the housing body.
  • the method can thereby enable a parallel production of a large number of optoelectronic components in common operations.
  • the individual optoelectronic components are separated only after carrying out the common process steps. This advantageously reduces the production costs per individual opto ⁇ electronic component.
  • FIG. 1 shows leadframe sections of a first optoelectronic component
  • FIG. 2 shows the leadframe sections with an optoelectronic semiconductor chip arranged thereon
  • FIG. 3 shows a housing body in which the leadframe sections and the optoelectronic semiconductor chip have been embedded;
  • FIG. 4 shows the housing body with a bonding wire arranged above its upper side;
  • Fig. 5 the first optoelectronic component with the Gezzau ⁇ se emotions and, arranged on the housing body waste cap layer;
  • Fig. 6 lead frame portions of a second optoelectronic device ⁇ rule;
  • FIG. 8 shows a housing body in which the leadframe sections and the optoelectronic semiconductor chip are embedded
  • Fig. 10 lead frame portions and opto-electronic semi-conductor chips ⁇ a third optoelectronic component
  • FIG. 11 shows a housing body of a fourth optoelectronic component
  • FIG. 12 shows the housing body of the fourth optoelectronic component with a potting arranged in a cavity.
  • first leadframe section 110 and a second leadframe section 120 which are provided for producing a first optoelectronic component.
  • the first conductor frame portion 110 and the second Porterrahmenab ⁇ section 120 have an electrically conductive material respectively.
  • the first leadframe section 110 and the second leadframe section 120 preferably comprise a metal, for example copper.
  • the surfaces of the first leadframe portion 110 and / or the second leadframe portion 120 may additionally be partially or completely coated be, for example, with a coating that has silver.
  • the first conductor frame portion 110 and the second lead frame portion 120 may be formed as portions of a larger, sur fa ⁇ speaking lead frame, which is not completely shown in FIG. 1.
  • the first leadframe section 110 is in this case connected via connecting sections 116 to the remaining sections of the leadframe.
  • the second lead frame portion 120 is connected in this case via connec ⁇ tion sections 126 with the other sections of the lead frame.
  • the first leadframe section 110 and the second leadframe section 120 are also connected to one another via the further sections of the leadframe. However, in a later processing step, the first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 are separated at the connection portions 116, 126 from the remaining lead frame portions. Thereafter, the first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 are separated from each other and electrically isolated from each other.
  • the first conductor frame portion 110 and the second Porterrah ⁇ menabites 120 are substantially flat and laterally arranged side by side in a common plane.
  • the first leadframe section 110 has an upper side 111 and a lower side 112 opposite the upper side 111.
  • the second lead frame portion 120 has a Obersei ⁇ te 121 and the top surface 121 opposite Untersei- te 122.
  • a recess 113 is formed at the top 111 of the first leadframe portion 110.
  • the recess 113 may have been applied by etching, for example.
  • the top surface of the first conductor ⁇ frame portion 110 recessed top portions 115th Outside the recess 113 111, the top surface of the f th ⁇ lead frame portion 110 raised top portions 114, which are opposite the recessed top sections
  • the raised top portions 114 of the first lead frame portion 110 preferably at least partially surround the recessed top portions 115 on the top 111 of the first conductor frame portion 110 such that the raised top portions 114 form a frame about the recessed top portions 115.
  • the recess 113 forms an elongated channel at the top 111 of the first lead frame section 110, with the raised top sections 114 delimiting the recessed top sections 115 on both sides along the channel-shaped recess 113.
  • the top surface 121 of the second lead frame portion 120 includes top portions 124, which are arranged approximately in a common ⁇ ⁇ seed level with the raised top portions 114 at the top 111 of the first lead frame portion 110th
  • the first conductor frame portion 110 is in the illustrated case ⁇ play greater than the second lead frame portion 120.
  • first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 equal in size, or make the second lead frame portion 120 larger as the first lead frame section 110.
  • Fig. 2 shows a schematic perspective view of the first lead frame portion 110 and the second conductor ⁇ frame portion 120 in one of the representation of FIG. 1 temporally succeeding processing status. On the top
  • the optoelectronic semiconductor chip 130 may include, for example Be LED chip (LED chip). However, the optoelectronic semiconductor chip 130 can also be, for example, a photodiode or an IR transmitter or receiver.
  • the optoelectronic semiconductor chip 130 is configured to see electromagnetic radiation, for example visible light, to absorb emittie ⁇ ren or at least partially. In operation of the optoelectronic semiconductor chip 130 emitted by the opto-electronic ⁇ semiconductor chip 130 electromagnetic ⁇ specific radiation on the upper side 131 is emitted, or
  • the optoelectronic semiconductor chip 130 irradiated by the optoelectronic semiconductor chip 130 absorbed electromagnetic radiation through its top side 131, a ⁇ .
  • the upper side 131 thus forms a radiation passage area of the optoelectronic semiconductor chip 130.
  • the optoelectronic semiconductor chip 130 is thus in the
  • the bottom 132 of the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 130 may be connected to the frame section 110 for example via a glue joint, a solder joint or other chip bonding with the recessed upper side portions 115 in the recess 113 at the top 111 of the first conductor.
  • the top surface 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130 is preferably substantially in a common plane with the erha ⁇ surrounded upper side portions 114 of the top 111 of the first lead frame portion 110.
  • the depth of the recess 113 at the top 111 of the first lead frame portion 110 is thus preferably on the thickness of the optoelectronic Half ⁇ conductor chips 130 between its top 131 and its Un ⁇ terseite 132 and an optionally added thickness of the connecting layer between the optoelectronic semiconductor chip 130 and the top 111 of the first lead frame portion 110 tuned.
  • the optoelectronic semiconductor chip 130 has an upper electrical contact surface 133 arranged on the upper side 131 and a lower electrical contact surface 134 arranged on the underside 132.
  • the lower electrical contact surface 134 is electrically conductively connected to the first leadframe section 110 via the chip bond connection between the lower side 132 of the optoelectronic semiconductor chip 130 and the upper side 111 of the first leadframe section 110. If the first lead frame portion 110 and the second Lei ⁇ terrahmenabites 120 are formed as portions of a larger, together ⁇ men technicalden lead frame, they will be disposed 110 of the lead frame before ⁇ Trains t terrahmenab mustarde in the recesses 113 of all first LEI during a joint working path optoelectronic semiconductor chip 130th
  • FIG. 3 shows a schematic perspective view of the first lead frame portion 110 of the secondnatiorah ⁇ menabitess 120 and the optoelectronic semiconductor chip 130 in one of the representation of FIG. 2 temporally succeeding processing status.
  • the first conductor frame portion 110, the second lead frame portion 120 and the optoelectronic ⁇ specific semiconductor chip 130 have been embedded together in a housing body 140th
  • the housing body 140 comprises an electrically insulating material.
  • the housing body 140 a synthetic ⁇ material on, for example, an epoxy resin or a Si ⁇ Likon.
  • the housing body 140 has an upper side 141 and an upper side 141 opposite the lower side 142. On the upper side 141 of the housing body 140, the upper side 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130 is exposed. In addition, the top ⁇ side sections 124 of the top 121 of the second Porterrah ⁇ menabitess 120 are free at the top 141 of the housing body 140. Preferably, on the upper side 141 of the housing body 140 are also the raised Obertouchabschnit- te 114 of the top 111 of the first leadframe portion 110 free.
  • the upper side 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130, the upper side sections 124 of the upper side 121 of the second leadframe section 120 and the raised upper side sections 114 of the upper side 111 of the first leadframe section 110 preferably terminate approximately flush with the upper side 141 of the housing body 140.
  • At the bottom 142 of the housing body 140 are at least parts of the bottom 112 of the first lead frame portion
  • the exposed portions of the bottom surfaces 112, 122 of the first lead frame portion 110 and the second lead frame portion 120 terminate approximately flush with the bottom surface 142 of the housing body 140.
  • the housing body 140 is preferably produced by a molding process.
  • the Ge ⁇ koruse stresses 140 by film-assisted molding is particularly preferably prepared.
  • the ers ⁇ te lead frame portion 110, the secondêtrahmenab ⁇ section 120 and the optoelectronic semiconductor chip 130 converts the material of the housing body 140th During the fo ⁇ lien-assisted transfer molding the top surface 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130 by a cover film (release tape) covers and thereby ge ⁇ protects from contamination and a coverage by the material of the housing body 140th
  • the raised top portions 114 of the ERS ⁇ th lead frame portion 110 and the upper side portions 124 of the second lead frame portion 120 may be ⁇ covers during the film assisted transfer molding through the cover film.
  • first lead frame portion 110 and the second Lei ⁇ terrahmenabites 120 are formed by portions of an associated ⁇ , larger lead frame, they are preferably a plurality of first lead frame portions 110, a plurality of second Lead frame sections 120 and and correspondingly many arranged on the first lead frame sections 110 optoelectronic semiconductor chips 130 simultaneously embedded in a common housing body composite. Bund in this Genzomati Republic- the housing body 140 extending Be ⁇ ten lake connected along its extending between the top 141 and bottom 142 143 with additional housing bodies 140 contiguous. Only in a later processing step, the housing body composite and the lead frame embedded therein along the side surfaces 143 of the housing body 140 are divided to separate the housing body 140.
  • FIG. 4 shows a schematic perspective view of the housing body 140 in a processing state which follows the representation of FIG. The arranged on the Obersei ⁇ te 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130 upper electrical contact area 133 of the optoelectronic semiconductor chip 130 by means of a bonding wire 135
  • the bonding wire 135 extending from the upper electrical contact surface 133 at the top 131 of the optoelectronic semiconductor chip 130 above the upper ⁇ page 141 of the housing body 140 for at the top 141 of the package body 140 exposed upper surface portion 124 of the top 121 of the second lead frame portion 120th
  • the first optoelectronic component 100 has been formed by further processing from the housing body 140 shown in FIG. 4.
  • the first opto-electronic device 100 may be playing, a light-emitting device (LED) device, a photodiode device or an IR transmitter or receiver at ⁇ .
  • LED light-emitting device
  • the cover layer 150 On the upper side 141 of the housing body 140, a cover layer 150 has been arranged.
  • the cover layer 150 has an upper side 151 and an upper side 151 opposite to each other. ing bottom 152 on.
  • the lower side 152 of the cover layer 150 is arranged on the upper side 141 of the housing body 140.
  • the covering layer 150 may be formed by, for example, a casting method, a compression molding, a lamination, or a spraying method.
  • the cover layer 150 covers the upper side 131 of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 130 and thereby protects the optoelectronic semiconductor chip 130 from damage due to external influences.
  • the bonding wire 135 is embedded in the cover layer from ⁇ 150 and thus also protected from damage by external influences.
  • the cover layer 150 may, for example, a silicone engineerwei ⁇ sen.
  • the material of the covering layer 150 in ⁇ We sentlichen is transparent to light emitted, or by the optoelectronic semiconductor chip 130 absorbed electromagnetic radiation.
  • the cover layer 150 may be formed as a wavelength-converting layer, which is provided to a Wel lenanz ⁇ ren to konvertie- an emitted by the optoelectronic semiconductor chip 130 electromagnetic radiation.
  • 150 to be purchased ⁇ det the covering layer, light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 130 to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light.
  • the cover layer 150 may include one bedded wavelength-converting particles, which are adapted to absorb electromagnetic radiation having a first wavelength and emit electromagnetic then ⁇ magnetic radiation at a second, typically RESIZE ⁇ ßeren, wavelength.
  • the cover layer 150 was preferably still before dividing the housing ⁇ body composite arranged in the individual housing body 140 on the upper sides 141 of the housing body 140 of the contiguous housing body composite. Only then were the plurality of first optoelectronic components 100 produced in parallel in this way separated by dividing the housing body composite, the leadframe embedded therein, and the covering layer arranged thereon.
  • the first optoelectronic component 100 may be beispielswei ⁇ se provided as an SMD for surface mounting.
  • the free ⁇ lying at the bottom 142 of the housing body 140 portions of the bottom 112 of the first Porterrah- menabitess 110 and the bottom 122 of the second conductor ⁇ frame portion 120 form electrical contact surfaces of the first opto-electronic device 100.
  • the electrical contact surfaces of the first opto-electronic device 100 can, for example, be electrically contacted by reflow soldering (reflow soldering).
  • a method for producing a second optoelectronic component is explained below with reference to FIGS. 6 to 9.
  • the second optoelectronic component and the method for its production have great similarities with the first optoelectronic component 100 and with the method explained with reference to FIGS. 1 to 5 for its production.
  • the above description of the first opto electronic component 100 and the method for its production and the following description of the second optoelectronic component and the method for its production therefore apply accordingly for the respective other optoelectronic component and method, unless differences and deviations are expressly mentioned.
  • FIG. 6 shows a schematic perspective view of a first leadframe section 210 and a second
  • Lead frame section 220 which are provided for producing a second optoelectronic component.
  • the first conductor frame portion 210 and the second Porterrahmenab ⁇ section 220 may be formed by portions of a contiguous, larger lead frame.
  • the first conductor frame portion 210 and the secondêtrah ⁇ menabites 220 comprise an electrically conductive material, preferably a metal, such as copper.
  • the surfaces of the first leadframe section 210 and of the second leadframe section 220 may also be wholly or partially provided with a coating.
  • the first leadframe section 210 has an upper side 211 and a lower side 212 opposite the upper side 211.
  • a recess 213 is formed on the upper side 211 of the first leadframe portion 210.
  • the recess 213 is formed as an elongated channel ⁇ .
  • the recessed top portions 215 of the first lead frame portion 210 are bounded on both sides of the channel-shaped recess 213 by the raised top portions 214. Via connecting sections 216, the first
  • Lead frame portion 210 may be connected to other portions of a larger ⁇ ßeren, contiguous lead frame.
  • the second leadframe section 220 has an upper side 221 and an underside 222 opposite the upper side 221.
  • a recess 223 is formed, whereby the upper surface 221 of the second lead frame portion 220 un ⁇ is tert rushes into recessed top portions 225 and against the recessed top portions 225 raised top portions 224th
  • the recess 223 has an elongate channel ⁇ form, which is oriented substantially parallel and coaxial with the channel-shaped recess 213 of the first lead frame portion 210.
  • the raised top portions 224 of the second lead frame portion 220 defining the recessed top portions 225 along both sides of the channel-shaped recess 223 of the second lead frame portion 220 via connecting portions 226, the secondêtrahmenab ⁇ section 220 may be connected to further sections of a larger, coherent lead frame.
  • the recess 213 of the first lead frame portion 210 and the recess 223 of the second lead frame portion 220 may be applied by etching, for example.
  • the first conductor frame portion 210 and the second Porterrah ⁇ menabites 220 are arranged side by side laterally in a common plane.
  • the raised upper ⁇ side sections 214, 224, the recessed Obertouchabschnit ⁇ te 215, 225 and the lower sides 212, 222 of the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 are each approximately in common planes.
  • the first conductor frame portion 210 is formed in the exemplary illustration of FIG. 6 slightly larger than the second lead frame portion 220. However, it is also possible to both lead frame portions 210, form 220 having about the same size, or the second lead frame portion 220 RESIZE ⁇ SSER as the first Forming ladder frame section 210.
  • the first lead frame portion 210 of FIG. 6 may be formed from less than the ⁇ for the preparation of the first opto- Niche device 100 provided firstêtrahmenab ⁇ section 110 of FIG. 1.
  • Fig. 7 shows a schematic perspective view of the first lead frame portion 210 and the second conductor ⁇ frame portion 220 in one of the representation of FIG. 6 temporally subsequent processing status.
  • an opto ⁇ electronic semiconductor chip 230 On the upper sides 211, 221 of the leadframe sections 210, 220, an opto ⁇ electronic semiconductor chip 230 has been arranged.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip) or a photodiode.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 is provided to emit electromagnetic radiation or to absorbie ⁇ ren.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 has an upper side
  • the upper side 231 forms a radiation passage flat of the optoelectronic semiconductor chip 230. Electromagnetic radiation emitted or absorbed by the optoelectronic semiconductor chip 230 passes through the upper side 231 of the optoelectronic semiconductor chip 230.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 is arranged in sections in the recess 213 of the first leadframe section 210 and the depression 223 of the second leadframe section 220.
  • the bottom 232 of the optoelectronic ⁇ rule semiconductor chip 230 is the recessed Oberfitabschnit ⁇ th 215, 225 of the tops 211, 221 of the Leiterrahmenab- sections 210, facing 220 and is connected via die bonding compounds having the recessed top portions 215, 225th
  • the upper side 231 of the optoelectronic semiconductor chip 230 preferably lies substantially in a common plane with the raised upper side sections 214, 224 of the upper sides 211, 221 of the leadframe sections 210, 220.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 has on its underside 232 a first lower electrical contact surface 233 and a second lower electrical contact surface 234.
  • the optoelectronic semiconductor chip 230 may be formed, for example, as a flip chip.
  • the first lower electrical Kon ⁇ clock area 233 is electrically connected via the chip bond between the underside 232 of the optoelectronic semiconductor chip 230 and the recessed upper surface portion 215 of the top 211 of the first lead frame portion 210 with the first lead frame portion 210th
  • the second lower electrical contact surface 234 of the optoelectronic semiconductor chip 230 is electrically conductively connected to the second leadframe section 220 via the die bond between the lower side 232 of the optoelectronic semiconductor chip 230 and the recessed upper side section 225 of the upper side 221 of the second leadframe section 220.
  • first lead frame portion 210 and the second Lei ⁇ terrahmenabites are formed 220 through portions of a contiguous, larger lead frame, so optoelectronic semiconductors chips 230 on each of the first and second Porterrahmenab be ⁇ cut 210 preferably in a common process step, arranged 220 of the lead frame.
  • FIG. 8 shows a schematic perspective view of the first leadframe section 210, of the second leadframe section 220 and of the optoelectronic semiconductor chip 230 in a processing state which follows in chronological order in FIG. 7.
  • the first conductor frame portion 210, the second lead frame portion 220 and the optoelectronic ⁇ specific semiconductor chip 230 have been embedded together in a housing body 240th
  • the housing body 240 comprises an electrically insulating material, preferably a plastic material, for example an epoxy resin.
  • the housing body 240 has been formed by a molding method in which the first lead frame portion 210, the second lead frame portion 220, and the first lead frame portion 210 are formed optoelectronic semiconductor chip 230 have been transformed by the material of the housing body 240.
  • the housing body 240 may have been formed by foil assisted transfer molding.
  • the housing body 240 has an upper side 241 and an upper side 241 opposite the upper side 241.
  • the erha ⁇ surrounded top portions 214 of the first Porterrahmenab ⁇ section 210, the raised top portions 224 of the second lead frame portion 220 and the top 231 of the optoelectronic semiconductor chip 230 are not covered by the material of the housing body 240 but are exposed on the upper surface 241 of the housing body 240th
  • the upper surface 231 of the opto-electronic semi- close the semiconductor chip 230, the raised top portions 214 of the first lead frame portion 210 and the raised Obersei ⁇ tenabexcellente 224 of the second lead frame portion 220 is approximately flush with the upper surface 241 of the housing body 240 from.
  • the housing body was formed by film-assisted spray ⁇ press 240
  • the upper surface 231 of the optoelectronic semiconductor chip 230, the raised top portions 214 of the first lead frame portion 210 and the raised top portions 224 of the second lead frame portion 220 during manufacture of the housing ⁇ body 240 may be prepared by a cover sheet (release tape) have been covered.
  • At the bottom 242 of the housing body 240 are at least parts of the bottom 212 of the first leadframe portion
  • first lead frame portion 210 and the second Lei ⁇ terrahmenabites are formed 220 through portions of a contiguous, larger lead frame, the whole lead frame in a common Genzouse stresses- is preferably embedded collar which each comprise a housing body 240 for each ⁇ of the pair of first lead frame portion 210 and a second lead frame portion 220 of the lead frame.
  • housing bodies 240 are integrally connected to each other along their side surfaces 243 extending between the upper side 241 and the underside 242 in the housing body assembly and are only separated from one another later in a later process step along these side surfaces 243, wherein the leadframe sections 210, 220 of the leadframe also their connection sections 216, 226 are separated.
  • FIG. 9 shows a schematic perspective view of a second optoelectronic component 200.
  • the second optoelectronic component 200 may be, for example, a light-emitting diode component (LED component), a photodiode component or an IR transmitter or receiver.
  • the second opto-electronic device 200 is formed by further Bear ⁇ processing from the shown in Fig. 8 housing sink 240.
  • a covering layer 250 On the upper side 241 of the housing body 240, a covering layer 250 has been arranged.
  • the cover layer 250 has a top surface 251 and one of the top 251 waivelie ⁇ constricting bottom 252.
  • the bottom 252 of the cover ⁇ layer 250 is in contact with the upper surface 241 of the housing body 240th
  • the cover layer 250 may be applied by, for example, a casting method. If the housing body 240 formed as part of a multiple housing ⁇ body 240 comprising housing body composite wor ⁇ is, the capping layer has been 240 preferably before the cutting of the casing body composite on the top surfaces 241 of the related housing body 240 is applied.
  • the cover layer 250 covers the upper side 231 of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 230 and can serve a protection of the optoelectronic semiconductor chip 230 from damage by external influences.
  • the cover layer 250 is preferably substantially transpa rent ⁇ for electromagnetic radiation emitted or by the optoelectronic semiconductor chip 230 absorbed radiation.
  • the cover layer 250 may comprise, for example, a silicone.
  • the cover layer 250 may be formed as a wavelength-converting layer. Then, the covering ⁇ layer 250 may serve to convert a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 230 electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of a different wavelength.
  • the cover layer 250 may comprise embedded wavelength-converting particles, which are formed from ⁇ to absorb electromagnetic radiation of a first Wel ⁇ lenate and then emit electromagnetic radiation of a second, typically larger wavelength.
  • the cover layer 250 can be completely eliminated.
  • a method for producing a third optoelectronic component 300 will be explained below with reference to FIG.
  • the third optoelectronic component 300 and the method for its production have great similarities with the second optoelectronic component 200 and with the method explained with reference to FIGS. 6 to 9 for its production. Therefore, the above description of the second optoelectronic component 200 and the process are to be ⁇ ner production and the following description of drit ⁇ th optoelectronic component 300 and the method for its production accordingly for the other opto-electronic device 200, 300 and United go ⁇ , unless differences and deviations are expressly mentioned. 10 shows the third optoelectronic component 300 in an unfinished state of processing.
  • the third opto-electronic device 300 includes a first lead frame portion 310, the substantially-section as the first Porterrahmenab ⁇ 210 is formed of the second optoelectronic component 200th
  • the first conductor frame portion 310 has an upper surface 311 and the top 311 disciplinelie ⁇ constricting bottom 312.
  • On the upper side 311 of the first lead frame portion 310 is a recess 313 easilybil ⁇ det, whereby the upper surface 311 is recessed in raised Oberoresab ⁇ sections 314 and opposite raised Oberpatiabschnit ⁇ 314 th top portions 315 divided.
  • the first leadframe section 310 may be connected to further sections of a larger, continuous leadframe.
  • Is formed further includes the third opto-electronic device 300 ei ⁇ NEN second lead frame portion 320, the surfaces in the essential as the second lead frame portion 220 of the second optoelectronic component 200th
  • the two ⁇ te lead frame portion 320 has an upper surface 321 and the top 321 ei ⁇ ne opposite bottom 322nd
  • a recess 323 on the upper side 321 of the second lead frame section 320 divides the upper side 321 of the second lead frame section 320 into raised upper side sections 324 and recessed upper side sections 325.
  • the secondêtrahmenab ⁇ section 320 may be connected to other sections of a larger ladder frame.
  • a first optoelectronic semiconductor chip 340 is disposed on the recessed upper side portions 315, 325 of the first lead frame section 310 and the second Porterrahmenab ⁇ section 320.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 340 has a top surface 341 and one of the top 341 ge ⁇ genüberelle bottom 342.
  • the upper side 341 forms a radiation passage area of the optoelectronic half conductor chips 340. Electromagnetic radiation emitted or absorbed by the optoelectronic semiconductor chip 340 passes through the top surface 341 of the optoelectronic semiconductor chip 340.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 340 has a first electrical contact surface 343 and a second electrical contact surface 344 to be ⁇ ner bottom 342nd
  • the first optoelectronic semiconductor chip 340 may be formed, for example, as a flip chip.
  • the first electricalticianflä ⁇ surface 343 is electrically connected to the firstêtrahmenab ⁇ section 310.
  • the second electrical contact surface 344 of the first optoelectronic semiconductor chip 340 is electrically conductively connected to the second conductor frame section 320.
  • the third optoelectronic component 300 additionally has a third leadframe section 330.
  • the third Lei ⁇ terrahmenabites 330 is substantially like the first leadframe portion 310 and the second lead frame portion
  • the thirdnatide 320 has a top surface 331 and one of the upper ⁇ side 331 opposite bottom 332. Through an opening formed on the upper surface 331 recess 333, the upper ⁇ page 331 of the third lead frame portion 330 in raised top portions 334 and recessed top portions 335 is divided. By connecting portions 336 of the drit ⁇ te lead frame portion 330 may be connected to further sections of a larger lead frame.
  • the third opto-electronic device 300 further comprises a second optoelectronic semiconductor chip 350.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 350 may be formed as the ers ⁇ te optoelectronic semiconductor chip 340th
  • the second optoelectronic semiconductor chip 350 has an upper _,
  • a first electrical con ⁇ tact surface 353 and a second electrical contact surface 354 are formed on the underside 352 of the second optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 350.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 350 is arranged in sections from the recess 323 of the second leadframe section 320 and the depression 333 of the third leadframe section 330.
  • the first electrical contact ⁇ surface 353 of the second optoelectronic semiconductor chip 350 is electrically connected to the second lead frame portion 320th
  • the second electrical contact surface 354 of the second optoelectronic semiconductor chip 350 is electrically conductively connected to the third conductor frame section 330.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 340 and the second optoelectronic semiconductor chip 350 of the third opto-electro ⁇ African device 300 can be controlled in the operation of the third opto ⁇ electronic device 300 independently.
  • the second lead frame portion 320 forms a common terminal of the two opto-electronic semiconductor chips 340, 350, while the first Porterrahmenab ⁇ section 310 and the third lead frame section form 330 getrenn ⁇ te terminals of the first optoelectronic semiconductor chip 340 and the second optoelectronic semiconductor chips 350th
  • first optoelectronic semiconductor chip 340 and the second optoelectronic semiconductor chip 350 such as the optoelectronic semiconductor chip 130 of the first optoelectronic component 100, each having an upper electrical contact area and a lower electrical contact area.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 340 would be completely in the
  • the further method for producing the third optoelectronic component 300 is analogous to the method explained with reference to FIGS. 1 to 9 for producing the first optoelectronic component 100 and the second optoelectronic component 200.
  • a cover layer can be arranged on an upper side of the housing body.
  • the cover layer may be formed as a wavelength-converting layer.
  • a fourth optoelectronic component 400 and a method for its production are explained below with reference to FIGS. 11 and 12.
  • the fourth optoelectronic Bauele ⁇ element 400 and the process for its preparation have large similarities with the second opto-electronic device 200 and explained with reference to Figures 6 to 9.
  • a method for the production thereof The description of the second optoelectronic component 200 and the method for its production as well as the following description of the fourth optoelectronic component 400 and the method for its production therefore also apply correspondingly to the respective other optoelectronic component 200, 400 and method, if not differences and deviations are mentioned expressly ⁇ Lich.
  • the fourth optoelectronic device 400 includes a ⁇ ers th lead frame portion 410 and a second lead frame portion 420th
  • the first leadframe section 410 of the fourth optoelectronic component 400 is formed essentially like the first leadframe section 210 of the second optoelectronic component 200 and has an upper side 411 with raised upper side sections 414.
  • the second lead frame portion 420 of the fourth electro-opto ⁇ African device 400 is formed substantially like the second lead frame portion 220 of the second optoelectronic ⁇ construction elements 200 and has a top surface 421 having he ⁇ Exalted top portions 424.
  • the depressions formed on the upper sides 411, 421 of the leadframe sections 410, 420 of the fourth optoelectronic component 400 are not visible in FIGS. 11 and 12.
  • the fourth optoelectronic component 400 also has an optoelectronic semiconductor chip 430 with an upper side 431.
  • the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic component 400 is formed in the Wesentli ⁇ chen as the optoelectronic semiconductor chip 230 of the second optoelectronic component 200th
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chip 430 is arranged in the region of the depressions of the first lead frame portion 410 and the second lead frame portion 420 that electrical ⁇ specific contact areas of the optoelectronic semiconductor chip 430 are electrically conductively connected to the first lead frame portion 410 and the second lead frame portion 420th
  • the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic component 400 such as the optoelectronic semiconductor chip 130 of the first optoelectronic component 100.
  • the first conductor frame portion 410, the second lead frame ⁇ portion 420 and the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic component 400 are embedded in a housing body 440th
  • the housing body 440 of the fourth opto-electronic component 400 may, as prepared, the housing body 140 of the first opto-electronic component 100 through a molding process (molding process) ⁇ the, in particular by sheet-assisted transfer molding (foil assisted transfer molding).
  • the housing body 440 has a top surface 441, a top 441 of the opposite bottom side 442 and is perpendicular ⁇ right between the top 441 and bottom 442 extending side surfaces 443 on. At least parts of the lower sides of the first lead frame portion 410 and the second Porterrahmenab ⁇ section 420 are exposed at the bottom 442 of the GeHousekör- pers 440th
  • the housing body 440 of the fourth optoelectronic component 400 has a cavity 444 on its upper side 441.
  • the cavity extends as a depression on the upper side 441 into the housing body 440. Laterally, the cavity 444 will be adjacent ⁇ of a plane formed by the material of the housing body 440 wall 446th
  • the Obersei ⁇ te 431 of the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic component 400 is exposed.
  • Parts of the erha ⁇ surrounded top portions 414, 424 of the first lead frame portion 410 and the second lead frame portion 420 of the fourth optoelectronic device 400 are on the base 445 of the cavity 444 of the housing body free 440th
  • the wall 446 of the cavity 444 of the housing body 440 of the fourth optoelectronic device 400 can serve as a reflector for light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic device 400 electromag netic radiation ⁇ . This allows the cavity 444 of the fourth optoelectronic component 400 a Lichtauskopp ⁇ ment from the fourth optoelectronic device 400 improve. In addition, the cavity 444 can thus cause bundling and beam shaping of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 430 of the fourth optoelectronic component 400.
  • FIG. 12 shows a schematic perspective illustration of the fourth optoelectronic component 400 in a processing state which follows the representation of FIG. 11 over time.
  • a potting 450 has been arranged in the cavity 444 on the upper side 441 of the housing ⁇ body 440 of the fourth optoelectronic device 400.
  • the potting 450 may also be referred to as a cover layer.
  • the potting 450 may have the same material as the cover layer 150 of the first optoelectronic component 100.
  • the potting 450 may also be formed as a wavelength-converting layer.
  • the casting 450 may have been introduced, for example by dosing needle into the cavity 444 of the housing body 440 of the fourth optoelekt ⁇ tronic device 400th
  • a top surface 451 closes off the casting 450 is substantially flush with the upper surface 441 of the housing body 440 of the four ⁇ th optoelectronic component 400th

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt mit einer Oberseite, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt mit einer Oberseite und einen optoelektronisehen Halbleiterchip. Die Leiterrahmenabschnitte und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Gehäusekörper mit einer Oberseite eingebettet.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 11.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2014 103 034.6, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird. Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente bekannt, die ein Gehäuse mit einem Gehäusekörper und in den Gehäusekörper eingebetteten Leiterrahmenabschnitten aufweisen. Bei der Herstellung solcher optoelektronischer Bauelemente wird nach der Herstellung des Gehäusekörpers mit den eingebetteten Leiterrahmenabschnitten ein optoelektronischer Halbleiterchip in einer hierzu vorgesehenen Aussparung des Gehäusekörpers angeordnet und anschließend in ein Vergussma¬ terial eingebettet. Die Produktion solcher optoelektronischer Bauelemente erfordert eine hohe Zahl einzelner Prozessschrit- te .
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma- len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei- terbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement weist einen ersten Leiter¬ rahmenabschnitt mit einer Oberseite, einen zweiten Leiterrah- menabschnitt mit einer Oberseite und einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Dabei sind die Leiterrahmenabschnitte und der optoelektronische Halbleiterchip gemeinsam in einen Gehäusekörper mit einer Oberseite eingebettet. Vorteilhafterweise lässt sich dieses optoelektronische Bauelement auf ein¬ fache Weise und mit einer geringen Anzahl von Prozessschrit¬ ten herstellen. Vorteilhafterweise weist dieses optoelektro¬ nische Bauelement eine hohe mechanische Stabilität auf, da der optoelektronische Halbleiterchip unmittelbar in den Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements eingebettet ist. Dabei kann das optoelektronische Bauelement kleine Bau¬ teilabmessungen aufweisen, insbesondere eine niedrige Bauhö¬ he. Da sich der Gehäusekörper dieses optoelektronischen Bauelements nicht über eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips hinaus erstreckt, kann bei diesem optoelekt¬ ronischen Bauelement vorteilhafterweise ein Lichtleiter sehr nahe an den optoelektronischen Halbleiterchip gebracht werden, wodurch eine Einkopplung elektromagnetischer Strahlung in den Lichtleiter mit geringen Einkopplungsverlusten ermöglicht wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip eine Oberseite auf, die bündig mit der Oberseite des Gehäusekörpers ab¬ schließt. Vorteilhafterweise wird dadurch eine Auskopplung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierter elektromagnetischer Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement ohne große Reflexions- und Geometrieverluste ermög¬ licht. Der bündige Abschluss zwischen der Oberseite des opto¬ elektronischen Halbleiterchips und der Oberseite des Gehäuse¬ körpers ermöglicht es außerdem vorteilhafterweise, einen Lichtleiter sehr nahe an den optoelektronischen Halbleiterchip heranzuführen, was eine einfache Einkopplung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierter elektronischer Strahlung in den Lichtleiter ermöglicht.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen Abschnitte der Oberseite des ersten Leiterrahmenab- Schnitts und/oder Abschnitte der Oberseite des zweiten Lei¬ terrahmenabschnitts bündig mit der Oberseite des Gehäusekör¬ pers ab. Vorteilhafterweise bewirken die in den Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements eingebetteten Leiterrahmenabschnitte dadurch eine mechanische Stabilisierung des Ge¬ häusekörpers des optoelektronischen Bauelements.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des Gehäusekörpers eine Kavität ausge¬ bildet. Dabei ist eine Oberseite des optoelektronischen Halb¬ leiterchips an einem Grund der Kavität angeordnet. Vorteil¬ hafterweise kann eine Wandung der Kavität als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elekt- romagntische Strahlung dienen. Dadurch kann die Kavität eine Auskopplung der elektromagntischen Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement verbessern und eine Bündelung und Richtung der elektromagntischen Strahlung bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des Gehäusekörpers eine Abdeckschicht angeordnet. Die Abdeckschicht kann dabei einen Schutz der freiliegenden Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bewirken. Die Abdeckschicht kann beispielsweise ein Si¬ likon aufweisen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Abdeckschicht als wellenlängenkonvertierende Schicht ausgebildet. Dadurch kann die Abdeckschicht eine Konvertie¬ rung einer Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken. Beispielsweise kann die Abdeckschicht dazu vorgesehen sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Die als wellenlängenkonvertierende Schicht aus¬ gebildete Abdeckschicht kann beispielsweise eingebettete Kon¬ verterpartikel aufweisen. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiter¬ rahmenabschnitt Unterseiten auf, die bündig mit einer Unter¬ seite des Gehäusekörpers abschließen. Dadurch können die Un- terseiten der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements elektrische Kontaktflächen bilden, die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements von außen dienen. Durch den bündigen Abschluss der Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte mit der Unterseite des Gehäu- sekörpers kann sich das optoelektronische Bauelement bei¬ spielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen .
An der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts ist eine geätzte Vertiefung ausgebildet. Dabei ist der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip in der Vertiefung angeordnet. Vorteilhafterweise wird der optoelektronische Halbleiterchip dadurch teilweise von erhabenen Abschnitten des ersten Leiterrahmenabschnitts umgeben, wodurch sich eine hohe mechanische Stabi- lität des Gehäusekörpers des optoelektronischen Bauelements ergibt .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip auf dem ersten Lei- terrahmenabschnitt und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt angeordnet. Dabei können elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Leiterrahmenabschnitten und elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips unmittelbar in den Kontaktbereichen zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und den Leiterrahmenabschnitten bestehen.
Dadurch entfällt vorteilhafterweise die Notwendigkeit weite¬ rer elektrischer Verbindungen zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und den Leiterrahmenabschnitten, beispielsweise über Bonddrähte. Der optoelektronische Halbleiterchip kann in dieser Ausführungsform beispielsweise als Flipchip ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als Saphir-Flipchip. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip mittels eines Bond¬ drahts mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Vor¬ teilhafterweise kann mittels des Bonddrahts eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einer an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt hergestellt sein. Dadurch kann der optoelektronische Halbleiterchip in dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements beispielsweise eine Kontaktfläche an seiner Oberseite und ei¬ ne Kontaktfläche an seiner Unterseite aufweisen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das optoelektronische Bauelement einen dritten Leiter- rahmenabschnitt und einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip auf. Dabei können der optoelektronische Halb¬ leiterchip und der zweite optoelektronische Halbleiterchip unabhängig voneinander ansteuerbar sein. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch eine hohe Leis- tung bei geringen räumlichen Abmessungen aufweisen.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines ersten Leiterrahmenabschnitts und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt, und zum Einbetten der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips in einen Gehäusekörper. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine kostengünstige Herstellung eines optoelektro- nischen Bauelements. Dabei weist das Verfahren vorteilhafterweise nur eine geringe Zahl einzelner Prozessschritte auf. Das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauele¬ ment kann vorteilhafterweise mit geringen Bauteilabmessungen, insbesondere mit geringer Bauhöhe, ausgebildet werden. Dies ermöglicht eine hohe Packungsdichte und dadurch eine paralle¬ le Herstellung einer großen Zahl optoelektronischer Bauelemente gleichzeitig. Auch hierdurch lässt sich das Verfahren vorteilhafterweise kostengünstig durchführen. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Einbetten der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halb¬ leiterchips in den Gehäusekörper durch einen Formprozess, insbesondere durch folienunterstütztes Spritzpressen. Vor¬ teilhafterweise ermöglicht es das Verfahren dadurch, auf ei¬ nen Prozessschritt zum Entgraten (Deflashing) oder Nachreinigen des Gehäusekörpers zu verzichten. Dadurch lässt sich das Verfahren vorteilhafterweise einfach und kostengünstig durch- führen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips während des Einbettens mit einer Folie abgedeckt. Dadurch wird vorteilhafterweise sichergestellt, dass die Oberseite des optoelektronischen
Halbleiterchips unbedeckt durch das Material des Gehäusekör¬ pers bleibt.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt mittels ei¬ nes Bonddrahts. Vorteilhafterweise ermöglicht der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt des durch das Verfahren erhältlichen opto¬ elektronischen Bauelements dadurch eine elektrische Kontak- tierung des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelekt¬ ronischen Bauelements.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen einer Abdeckschicht an einer Oberseite des Gehäusekörpers. Die Abdeckschicht kann einen
Schutz der an der Oberseite des Gehäusekörpers freiliegenden Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bewirken. Zusätzlich kann auch ein an der Oberseite des Gehäusekörpers angeordneter Bonddraht in die Abdeckschicht eingebettet wer- den, wodurch auch dieser Bonddraht vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen geschützt wird. Die Ab¬ deckschicht kann zusätzlich auch mit eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Partikeln ausgebildet werden. In diesem Fall kann die Abdeckschicht des durch das Verfahren erhältli¬ chen optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise eine Konvertierung einer Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strah- lung bewirken.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Vereinzeln des optoelektronischen Bauelements durch Zerteilen des Gehäusekörpers. Vorteilhafter- weise kann das Verfahren dadurch eine parallele Herstellung einer großen Zahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen ermöglichen. Dabei werden die einzelnen optoelektronischen Bauelemente erst nach der Durchführung der gemeinsamen Prozessschritte vereinzelt. Hierdurch sinken vor- teilhafterweise die Herstellungskosten pro einzelnem opto¬ elektronischen Bauelement.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Fig. 1 Leiterrahmenabschnitte eines ersten optoelektronischen Bauelements ;
Fig. 2 die Leiterrahmenabschnitte mit darauf angeordnetem optoelektronischen Halbleiterchip;
Fig. 3 einen Gehäusekörper, in den die Leiterrahmenabschnitte und der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet wurden; Fig. 4 den Gehäusekörper mit über seiner Oberseite angeordnetem Bonddraht; Fig. 5 das erste optoelektronische Bauelement mit dem Gehäu¬ sekörper und einer über dem Gehäusekörper angeordneten Ab- deckschicht ; Fig. 6 Leiterrahmenabschnitte eines zweiten optoelektroni¬ schen Bauelements;
Fig. 7 die Leiterrahmenabschnitte mit darauf angeordnetem optoelektronischen Halbleiterchip;
Fig. 8 einen Gehäusekörper, in den die Leiterrahmenabschnitte und der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet sind;
Fig. 9 das zweite optoelektronische Bauelement mit dem Gehäu- sekörper und einer über der Oberseite des Gehäusekörpers an¬ geordneten Abdeckschicht ;
Fig. 10 Leiterrahmenabschnitte und optoelektronische Halb¬ leiterchips eines dritten optoelektronischen Bauelements;
Fig. 11 einen Gehäusekörper eines vierten optoelektronischen Bauelements; und
Fig. 12 den Gehäusekörper des vierten optoelektronischen Bau- elements mit einem in einer Kavität angeordneten Verguss.
Fig. 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 120, die zur Herstellung eines ersten optoelektronischen Bauelements vorgesehen sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenab¬ schnitt 120 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf. Bevorzugt weisen der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 ein Metall auf, bei- spielsweise Kupfer. Die Oberflächen des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und/oder des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 können zusätzlich teilweise oder vollständig beschichtet sein, beispielsweise mit einer Beschichtung, die Silber aufweist.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah- menabschnitt 120 können als Abschnitte eines größeren, flä¬ chigen Leiterrahmens ausgebildet sein, der in Fig. 1 nicht vollständig dargestellt ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 ist in diesem Fall über Verbindungsabschnitte 116 mit den übrigen Abschnitten des Leiterrahmens verbunden. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 ist in diesem Fall über Verbin¬ dungsabschnitte 126 mit den weiteren Abschnitten des Leiterrahmens verbunden. Über die weiteren Abschnitte des Leiterrahmens sind auch der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 miteinander verbunden. In einem späteren Bearbeitungsschritt werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 allerdings an den Verbindungsabschnitten 116, 126 von den übrigen Leiterrahmenabschnitten getrennt. Danach sind auch der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmen- abschnitt 120 voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah¬ menabschnitt 120 sind im Wesentlichen flach ausgebildet und lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 weist eine Oberseite 111 und eine der Oberseite 111 gegenüberliegende Unterseite 112 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 weist eine Obersei¬ te 121 und eine der Oberseite 121 gegenüberliegende Untersei- te 122 auf.
An der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 ist eine Vertiefung 113 ausgebildet. Die Vertiefung 113 kann beispielsweise durch Ätzen angelegt worden sein. Im Bereich der Vertiefung 113 weist die Oberseite 111 des ersten Leiter¬ rahmenabschnitts 110 vertiefte Oberseitenabschnitte 115 auf. Außerhalb der Vertiefung 113 weist die Oberseite 111 des ers¬ ten Leiterrahmenabschnitts 110 erhabene Oberseitenabschnitte 114 auf, die gegenüber den vertieften Oberseitenabschnitten
115 erhaben sind. Die erhabenen Oberseitenabschnitte 114 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 umgrenzen die vertieften Oberseitenabschnitte 115 an der Oberseite 111 des ersten Lei- terrahmenabschnitts 110 bevorzugt zumindest teilweise, sodass die erhabenen Oberseitenabschnitte 114 einen Rahmen um die vertieften Oberseitenabschnitte 115 bilden. Im in Fig. 1 dargestellten Beispiel bildet die Vertiefung 113 einen länglichen Kanal an der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenab- Schnitts 110, wobei die erhabenen Oberseitenabschnitte 114 die vertieften Oberseitenabschnitte 115 beidseitig entlang der kanalförmigen Vertiefung 113 begrenzen.
Die Oberseite 121 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 weist Oberseitenabschnitte 124 auf, die etwa in einer gemein¬ samen Ebene mit den erhabenen Oberseitenabschnitten 114 an der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 ange¬ ordnet sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 ist im dargestellten Bei¬ spiel größer als der zweite Leiterrahmenabschnitt 120. Somit weisen die Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und die Unterseite 112 des ersten Leiterrahmenabschnitts
110 jeweils eine größere Fläche auf als die Oberseite 121 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 und die Unterseite 122 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120. Es ist allerdings auch möglich, den ersten Leiterrahmenabschnitt 110 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 mit gleichen Größen auszubilden, oder den zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 größer auszuführen als den ersten Leiterrahmenabschnitt 110.
Fig. 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und des zweiten Leiter¬ rahmenabschnitts 120 in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf der Oberseite
111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 ist ein optoelekt¬ ronischer Halbleiterchip 130 angeordnet worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 130 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 130 kann aber beispielsweise auch eine Fotodiode oder ein IR-Sender oder -Empfänger sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 130 ist dazu ausgebildet, elektromagneti- sehe Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittie¬ ren oder zumindest teilweise zu absorbieren. Im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 130 wird durch den opto¬ elektronischen Halbleiterchip 130 emittierte elektromagneti¬ sche Strahlung an dessen Oberseite 131 abgestrahlt, bzw.
durch den optoelektronischen Halbleiterchip 130 absorbierte elektromagnetische Strahlung durch dessen Oberseite 131 ein¬ gestrahlt. Die Oberseite 131 bildet damit eine Strahlungs- durchtrittsflache des optoelektronischen Halbleiterchips 130. Der optoelektronische Halbleiterchip 130 ist derart in der
Vertiefung 113 an der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 angeordnet, dass die Unterseite 132 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 130 den vertieften Oberseitenabschnitten 115 der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenab- Schnitts 110 zugewandt ist. Die Unterseite 132 des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 130 kann beispielsweise über eine Klebeverbindung, eine Lötverbindung oder eine andere Chipbondverbindung mit den vertieften Oberseitenabschnitten 115 in der Vertiefung 113 an der Oberseite 111 des ersten Leiter- rahmenabschnitts 110 verbunden sein.
Die Oberseite 131 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 liegt bevorzugt etwa in einer gemeinsamen Ebene mit den erha¬ benen Oberseitenabschnitten 114 der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110. Die Tiefe der Vertiefung 113 an der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 ist somit bevorzugt auf die Dicke des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 130 zwischen seiner Oberseite 131 und seiner Un¬ terseite 132 sowie eine gegebenenfalls hinzukommende Dicke der Verbindungsschicht zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 130 und der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 abgestimmt. Der optoelektronische Halbleiterchip 130 weist eine an der Oberseite 131 angeordnete obere elektrische Kontaktfläche 133 und eine an der Unterseite 132 angeordnete untere elektrische Kontaktfläche 134 auf. Die untere elektrische Kontaktfläche 134 ist über die Chipbondverbindung zwischen der Unterseite 132 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 und der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbunden. Falls der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt 120 als Abschnitte eines größeren, zusam¬ menhängenden Leiterrahmens ausgebildet sind, so werden bevor¬ zugt während eines gemeinsamen Arbeitsgangs optoelektronische Halbleiterchips 130 in den Vertiefungen 113 aller ersten Lei- terrahmenabschnitte 110 des Leiterrahmens angeordnet.
Fig. 3 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 110, des zweiten Leiterrah¬ menabschnitts 120 und des optoelektronischen Halbleiterchips 130 in einem der Darstellung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110, der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 und der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip 130 sind gemeinsam in einen Gehäusekörper 140 eingebettet worden.
Der Gehäusekörper 140 weist ein elektrisch isolierendes Material auf. Bevorzugt weist der Gehäusekörper 140 ein Kunst¬ stoffmaterial auf, beispielsweise ein Epoxidharz oder ein Si¬ likon .
Der Gehäusekörper 140 weist eine Oberseite 141 und eine der Oberseite 141 gegenüberliegende Unterseite 142 auf. An der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 liegt die Oberseite 131 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 frei. Außerdem liegen an der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 die Ober¬ seitenabschnitte 124 der Oberseite 121 des zweiten Leiterrah¬ menabschnitts 120 frei. Bevorzugt liegen an der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 auch die erhabenen Oberseitenabschnit- te 114 der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 frei. Bevorzugt schließen die Oberseite 131 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 130, die Oberseitenabschnitte 124 der Oberseite 121 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 und die erhabenen Oberseitenabschnitte 114 der Oberseite 111 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 etwa bündig mit der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 ab.
An der Unterseite 142 des Gehäusekörpers 140 liegen zumindest Teile der Unterseite 112 des ersten Leiterrahmenabschnitts
110 und der Unterseite 122 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 frei. Bevorzugt schließen die freiliegenden Abschnitte der Unterseiten 112, 122 des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 etwa bündig mit der Unterseite 142 des Gehäusekörpers 140 ab.
Der Gehäusekörper 140 wird bevorzugt durch einen Formprozess (Moldprozess ) hergestellt. Besonders bevorzugt wird der Ge¬ häusekörper 140 durch folienunterstütztes Spritzpressen (foil assisted transfer molding) hergestellt. Dabei werden der ers¬ te Leiterrahmenabschnitt 110, der zweite Leiterrahmenab¬ schnitt 120 und der optoelektronische Halbleiterchip 130 mit dem Material des Gehäusekörpers 140 umformt. Während des fo¬ lienunterstützten Spritzpressens ist die Oberseite 131 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 durch eine Abdeckfolie (Releasetape) bedeckt und dadurch vor einer Verschmutzung und einer Bedeckung durch das Material des Gehäusekörpers 140 ge¬ schützt. Auch die erhabenen Oberseitenabschnitte 114 des ers¬ ten Leiterrahmenabschnitts 110 und die Oberseitenabschnitte 124 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 können während des folienunterstützten Spritzpressens durch die Abdeckfolie be¬ deckt sein. Nach der Ausbildung des Gehäusekörpers 140 wird die Abdeckfolie entfernt. Falls der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt 120 durch Abschnitte eines zusammenhängen¬ den, größeren Leiterrahmens gebildet werden, so werden bevorzugt mehrere erste Leiterrahmenabschnitte 110, mehrere zweite Leiterrahmenabschnitte 120 und und entsprechend viele auf den ersten Leiterrahmenabschnitten 110 angeordnete optoelektronische Halbleiterchips 130 gleichzeitig in einen gemeinsamen Gehäusekörperverbund eingebettet. In diesem Gehäusekörperver- bund ist der Gehäusekörper 140 entlang seiner sich zwischen der Oberseite 141 und der Unterseite 142 erstreckenden Sei¬ tenflächen 143 mit weiteren Gehäusekörpern 140 zusammenhängend verbunden. Erst in einem späteren Bearbeitungsschritt werden der Gehäusekörperverbund und der darin eingebettete Leiterrahmen entlang der Seitenflächen 143 der Gehäusekörper 140 zerteilt, um die Gehäusekörper 140 zu vereinzeln.
Fig. 4 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Gehäusekörpers 140 in einem der Darstellung der Fig. 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die an der Obersei¬ te 131 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 angeordnete obere elektrische Kontaktfläche 133 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 ist mittels eines Bonddrahts 135
elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 verbunden worden. Der Bonddraht 135 erstreckt sich von der oberen elektrischen Kontaktfläche 133 an der Oberseite 131 des optoelektronischen Halbleiterchips 130 oberhalb der Ober¬ seite 141 des Gehäusekörpers 140 zum an der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 freiliegenden Oberseitenabschnitt 124 der Oberseite 121 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120.
Fig. 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten optoelektronischen Bauelements 100. Das erste optoelektronische Bauelement 100 ist durch weitere Bearbei- tung aus dem in Fig. 4 gezeigten Gehäusekörper 140 gebildet worden. Das erste optoelektronische Bauelement 100 kann bei¬ spielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) , ein Fotodioden-Bauelement oder ein IR-Sender oder -Empfänger sein .
Auf der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 ist eine Abdeck- schicht 150 angeordnet worden. Die Abdeckschicht 150 weist eine Oberseite 151 und eine der Oberseite 151 gegenüberlie- gende Unterseite 152 auf. Die Unterseite 152 der Abdeck- schicht 150 ist an der Oberseite 141 des Gehäusekörpers 140 angeordnet. Die Abdeckschicht 150 kann beispielsweise durch ein Gießverfahren (Castverfahren) , durch Formpressen (Com- pression Molding) , durch Laminieren oder durch ein Sprühverfahren ausgebildet worden sein.
Die Abdeckschicht 150 bedeckt die Oberseite 131 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 130 und schützt den optoelekt- ronischen Halbleiterchip 130 dadurch vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Der Bonddraht 135 ist in die Ab¬ deckschicht 150 eingebettet und dadurch ebenfalls vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. Die Abdeckschicht 150 kann beispielsweise ein Silikon aufwei¬ sen. Bevorzugt ist das Material der Abdeckschicht 150 im We¬ sentlichen transparent für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 130 emittierte oder absorbierte elektromagnetische Strahlung .
Die Abdeckschicht 150 kann als wellenlängenkonvertierende Schicht ausgebildet sein, die dazu vorgesehen ist, eine Wel¬ lenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 130 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertie- ren. Beispielsweise kann die Abdeckschicht 150 dazu ausgebil¬ det sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip 130 emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Hierzu kann die Abdeckschicht 150 ein- gebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, die dazu ausgebildet sind, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu absorbieren und anschließend elektro¬ magnetische Strahlung mit einer zweiten, typischerweise grö¬ ßeren, Wellenlänge zu emittieren.
Falls die Leiterrahmenabschnitte 110, 120 als Abschnitte ei¬ nes zusammenhängenden, großen Leiterrahmens bereitgestellt worden sind und dieser in einen zusammenhängenden, großen Ge- häusekörperverbund eingebettet worden ist, so wurde die Ab- deckschicht 150 bevorzugt noch vor dem Zerteilen des Gehäuse¬ körperverbunds in die einzelnen Gehäusekörper 140 auf den Oberseiten 141 der Gehäusekörper 140 des zusammenhängenden Gehäusekörperverbunds angeordnet. Erst anschließend wurden die solchermaßen parallel hergestellten mehreren ersten optoelektronischen Bauelemente 100 durch Zerteilen des Gehäusekörperverbunds, des darin eingebetteten Leiterrahmens und der darauf angeordneten Abdeckschicht vereinzelt.
Das erste optoelektronische Bauelement 100 kann beispielswei¬ se als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein. Die an der Unterseite 142 des Gehäusekörpers 140 frei¬ liegenden Abschnitte der Unterseite 112 des ersten Leiterrah- menabschnitts 110 und der Unterseite 122 des zweiten Leiter¬ rahmenabschnitts 120 bilden elektrische Kontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 100. Die elektrischen Kontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 100 können beispielsweise durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow- Löten) elektrisch kontaktiert werden.
Es ist möglich, bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 100 auf die Abdeckschicht 150 zu verzichten. In diesem Fall kann ein Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 130 und des Bonddrahts 135 nicht erforderlich sein oder durch andere Maßnahmen sichergestellt werden. Auch eine Konvertierung einer Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 130 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 emittierten elektromagnetischen Strahlung kann, falls ge- wünscht, durch andere Maßnahmen erzielt werden.
Anhand der Figuren 6 bis 9 wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung eines zweiten optoelektronischen Bauelements erläutert. Das zweite optoelektronische Bauelement und das Ver- fahren zu seiner Herstellung weisen große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 100 und dem anhand der Figuren 1 bis 5 erläuterten Verfahren zu dessen Herstellung auf. Die vorstehende Beschreibung des ersten opto- elektronischen Bauelements 100 und des Verfahrens zu seiner Herstellung sowie die nachfolgende Beschreibung des zweiten optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zu seiner Herstellung gelten daher entsprechend auch für das jeweils andere optoelektronische Bauelement und Verfahren, soweit nicht Unterschiede und Abweichungen ausdrücklich genannt sind .
Fig. 6 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und eines zweiten
Leiterrahmenabschnitts 220, die zur Herstellung eines zweiten optoelektronischen Bauelements vorgesehen sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenab¬ schnitt 220 können durch Abschnitte eines zusammenhängenden, größeren Leiterrahmens gebildet sein.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrah¬ menabschnitt 220 weisen ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall, beispielsweise Kupfer. Die Ober- flächen des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 können auch ganz oder teilweise mit einer Beschichtung versehen sein.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 weist eine Oberseite 211 und eine der Oberseite 211 gegenüberliegende Unterseite 212 auf. An der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 ist eine Vertiefung 213 ausgebildet. Dadurch wird die Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 in ver¬ tiefte Oberseitenabschnitte 215 und gegenüber den vertieften Oberseitenabschnitten 215 erhabene Oberseitenabschnitte 214 unterteilt. Die Vertiefung 213 ist als länglicher Kanal aus¬ gebildet. Die vertieften Oberseitenabschnitte 215 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 werden beidseitig der kanalförmi- gen Vertiefung 213 durch die erhabenen Oberseitenabschnitte 214 umgrenzt. Über Verbindungsabschnitte 216 kann der erste
Leiterrahmenabschnitt 210 mit weiteren Abschnitten eines grö¬ ßeren, zusammenhängenden Leiterrahmens verbunden sein. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 weist eine Oberseite 221 und eine der Oberseite 221 gegenüberliegende Unterseite 222 auf. An der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 ist eine Vertiefung 223 ausgebildet, wodurch die Obersei- te 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 in vertiefte Oberseitenabschnitte 225 und gegenüber den vertieften Oberseitenabschnitten 225 erhabene Oberseitenabschnitte 224 un¬ terteilt wird. Die Vertiefung 223 weist eine längliche Kanal¬ form auf, die im Wesentlichen parallel und koaxial zur kanal- förmigen Vertiefung 213 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 orientiert ist. Die erhabenen Oberseitenabschnitte 224 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 begrenzen die vertieften Oberseitenabschnitte 225 beidseitig entlang der kanalförmigen Vertiefung 223 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220. Über Verbindungsabschnitte 226 kann der zweite Leiterrahmenab¬ schnitt 220 mit weiteren Abschnitten eines größeren, zusammenhängenden Leiterrahmens verbunden sein.
Die Vertiefung 213 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die Vertiefung 223 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 können beispielsweise durch Ätzen angelegt worden sein.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrah¬ menabschnitt 220 sind lateral nebeneinander in einer gemein- samen Ebene angeordnet. Bevorzugt liegen die erhabenen Ober¬ seitenabschnitte 214, 224, die vertieften Oberseitenabschnit¬ te 215, 225 und die Unterseiten 212, 222 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 jeweils etwa in gemeinsamen Ebenen.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 ist in der beispielhaften Darstellung der Fig. 6 etwas größer ausgebildet als der zweite Leiterrahmenabschnitt 220. Es ist allerdings auch möglich, beide Leiterrahmenabschnitte 210, 220 mit etwa gleicher Größe auszubilden, oder den zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 grö¬ ßer als den ersten Leiterrahmenabschnitt 210 auszubilden. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 der Fig. 6 kann kleiner aus¬ gebildet sein als der zur Herstellung des ersten optoelektro- nischen Bauelements 100 vorgesehene erste Leiterrahmenab¬ schnitt 110 der Fig. 1.
Fig. 7 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiter¬ rahmenabschnitts 220 in einem der Darstellung der Fig. 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf den Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 ist ein opto¬ elektronischer Halbleiterchip 230 angeordnet worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 230 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) oder eine Fotodiode sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 230 ist dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu absorbie¬ ren .
Der optoelektronische Halbleiterchip 230 weist eine Oberseite
231 und eine der Oberseite 231 gegenüberliegende Unterseite
232 auf. Die Oberseite 231 bildet eine Strahlungsdurchtritts- flache des optoelektronischen Halbleiterchips 230. Durch den optoelektronischen Halbleiterchip 230 emittierte oder absorbierte elektromagnetische Strahlung tritt durch die Oberseite 231 des optoelektronischen Halbleiterchips 230 durch.
Der optoelektronische Halbleiterchip 230 ist abschnittsweise in der Vertiefung 213 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und der Vertiefung 223 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 232 des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips 230 den vertieften Oberseitenabschnit¬ ten 215, 225 der Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenab- schnitte 210, 220 zugewandt und über Chipbondverbindungen mit den vertieften Oberseitenabschnitten 215, 225 verbunden. Die Oberseite 231 des optoelektronischen Halbleiterchips 230 liegt bevorzugt im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene mit den erhabenen Oberseitenabschnitten 214, 224 der Obersei- ten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220.
Der optoelektronische Halbleiterchip 230 weist an seiner Unterseite 232 eine erste untere elektrische Kontaktfläche 233 und eine zweite untere elektrische Kontaktfläche 234 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 230 kann beispielsweise als Flipchip ausgebildet sein. Die erste untere elektrische Kon¬ taktfläche 233 ist über die Chipbondverbindung zwischen der Unterseite 232 des optoelektronischen Halbleiterchips 230 und dem vertieften Oberseitenabschnitt 215 der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitt 210 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 verbunden. Die zweite untere elektrische Kontaktfläche 234 des optoelektronischen Halb- leiterchips 230 ist über die Chipbondverbindung zwischen der Unterseite 232 des optoelektronischen Halbleiterchips 230 und dem vertieften Oberseitenabschnitt 225 der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 verbunden.
Falls der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt 220 durch Teile eines zusammenhängenden, größeren Leiterrahmens gebildet sind, so werden bevorzugt in einem gemeinsamen Prozessschritt optoelektronische Halb- leiterchips 230 auf allen ersten und zweiten Leiterrahmenab¬ schnitten 210, 220 des Leiterrahmens angeordnet.
Fig. 8 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210, des zweiten Leiterrah- menabschnitts 220 und des optoelektronischen Halbleiterchips 230 in einem der Darstellung der Fig. 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210, der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 und der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip 230 sind gemeinsam in einen Gehäusekörper 240 eingebettet worden.
Der Gehäusekörper 240 weist ein elektrisch isolierendes Material auf, bevorzugt ein Kunststoffmaterial , beispielsweise ein Epoxidharz.
Der Gehäusekörper 240 ist durch ein Formverfahren (Moldver- fahren) ausgebildet worden, bei dem der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 210, der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 und der optoelektronische Halbleiterchip 230 durch das Material des Gehäusekörpers 240 umformt worden sind. Beispielsweise kann der Gehäusekörper 240 durch folienunterstützes Spritzpressen (foil assisted transfer molding) ausgebildet worden sein.
Der Gehäusekörper 240 weist eine Oberseite 241 und eine der Oberseite 241 gegenüberliegende Unterseite 242 auf. Die erha¬ benen Oberseitenabschnitte 214 des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts 210, die erhabenen Oberseitenabschnitte 224 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 und die Oberseite 231 des optoelektronischen Halbleiterchips 230 sind nicht durch das Material des Gehäusekörpers 240 bedeckt, sondern liegen an der Oberseite 241 des Gehäusekörpers 240 frei. Bevorzugt schließen die Oberseite 231 des optoelektronischen Halb- leiterchips 230, die erhabenen Oberseitenabschnitte 214 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die erhabenen Obersei¬ tenabschnitte 224 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 etwa bündig mit der Oberseite 241 des Gehäusekörpers 240 ab. Falls der Gehäusekörper 240 durch folienunterstütztes Spritz¬ pressen ausgebildet wurde, so können die Oberseite 231 des optoelektronischen Halbleiterchips 230, die erhabenen Oberseitenabschnitte 214 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die erhabenen Oberseitenabschnitte 224 des zweiten Lei- terrahmenabschnitts 220 während der Herstellung des Gehäuse¬ körpers 240 durch eine Abdeckfolie (Releasetape) abgedeckt gewesen sein.
An der Unterseite 242 des Gehäusekörpers 240 liegen zumindest Teile der Unterseite 212 des ersten Leiterrahmenabschnitts
210 und der Unterseite 222 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 frei und sind nicht durch das Material des Gehäusekörpers 240 bedeckt. Bevorzugt schließen die freiliegenden Teile der Unterseite 212 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und der Unterseite 222 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 etwa bündig mit der Unterseite 242 des Gehäusekörpers 240 ab. Falls der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Lei¬ terrahmenabschnitt 220 durch Teile eines zusammenhängenden, größeren Leiterrahmens gebildet sind, so wird bevorzugt der gesamte Leiterrahmen in einen gemeinsamen Gehäusekörperver- bund eingebettet, der jeweils einen Gehäusekörper 240 für je¬ des Paar eines ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 des Leiterrahmens umfasst. Diese Gehäusekörper 240 sind entlang ihrer sich zwischen der Oberseite 241 und der Unterseite 242 erstreckenden Seitenflä- chen 243 in dem Gehäusekörperverbund einstückig miteinander verbunden und werden erst in einem späteren Prozessschritt entlang dieser Seitenflächen 243 voneinander getrennt, wobei auch die Leiterrahmenabschnitte 210, 220 des Leiterrahmens an ihren Verbindungsabschnitten 216, 226 getrennt werden.
Fig. 9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines zweiten optoelektronischen Bauelements 200. Das zweite optoelektronische Bauelement 200 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) , ein Fotodioden- Bauelement oder ein IR-Sender oder -Empfänger sein. Das zweite optoelektronische Bauelement 200 ist durch weitere Bear¬ beitung aus dem in Fig. 8 dargestellten Gehäusekörper 240 gebildet worden. Auf der Oberseite 241 des Gehäusekörpers 240 ist eine Abdeck- schicht 250 angeordnet worden. Die Abdeckschicht 250 weist eine Oberseite 251 und eine der Oberseite 251 gegenüberlie¬ gende Unterseite 252 auf. Die Unterseite 252 der Abdeck¬ schicht 250 steht mit der Oberseite 241 des Gehäusekörpers 240 in Kontakt. Die Abdeckschicht 250 kann beispielsweise durch ein Gießverfahren (Castverfahren) angelegt worden sein. Falls der Gehäusekörper 240 als Teil eines mehrere Gehäuse¬ körper 240 umfassenden Gehäusekörperverbunds ausgebildet wor¬ den ist, so ist die Abdeckschicht 240 bevorzugt noch vor dem Zerteilen des Gehäusekörperverbunds auf den Oberseiten 241 der zusammenhängenden Gehäusekörper 240 angelegt worden. Die Abdeckschicht 250 bedeckt die Oberseite 231 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 230 und kann einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 230 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen.
Die Abdeckschicht 250 ist bevorzugt im Wesentlichen transpa¬ rent für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 230 emittierte oder absorbierte elektromagnetische Strahlung. Die Abdeckschicht 250 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen.
Zusätzlich kann die Abdeckschicht 250 als wellenlängenkonvertierende Schicht ausgebildet sein. Dann kann die Abdeck¬ schicht 250 dazu dienen, eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip 230 emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Hierzu kann die Abdeckschicht 250 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, die dazu aus¬ gebildet sind, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wel¬ lenlänge zu absorbieren und anschließend elektromagnetische Strahlung einer zweiten, typischerweise größeren Wellenlänge zu emittieren.
Die Abdeckschicht 250 kann vollständig entfallen. Anhand der Fig. 10 wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung eines dritten optoelektronischen Bauelements 300 erläutert. Das dritte optoelektronische Bauelement 300 und das Verfahren zu seiner Herstellung weisen große Übereinstimmungen mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement 200 und dem anhand der Figuren 6 bis 9 erläuterten Verfahren zu dessen Herstellung auf. Die vorstehende Beschreibung des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 und des Verfahrens zu sei¬ ner Herstellung sowie die nachfolgende Beschreibung des drit¬ ten optoelektronischen Bauelements 300 und des Verfahrens zu seiner Herstellung gelten daher entsprechend auch für das jeweils andere optoelektronische Bauelement 200, 300 und Ver¬ fahren, soweit nicht Unterschiede und Abweichungen ausdrücklich genannt sind. Fig. 10 zeigt das dritte optoelektronische Bauelement 300 in einem unfertigen Bearbeitungsstand. Das dritte optoelektronische Bauelement 300 weist einen ersten Leiterrahmenabschnitt 310 auf, der im Wesentlichen wie der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 210 des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 ausgebildet ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 weist eine Oberseite 311 und eine der Oberseite 311 gegenüberlie¬ gende Unterseite 312 auf. An der Oberseite 311 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 ist eine Vertiefung 313 ausgebil¬ det, wodurch die Oberseite 311 in erhabene Oberseitenab¬ schnitte 314 und gegenüber den erhabenen Oberseitenabschnit¬ ten 314 vertiefte Oberseitenabschnitte 315 unterteilt ist. Über Verbindungsabschnitte 316 kann der erste Leiterrahmenab- schnitt 310 mit weiteren Abschnitten eines größeren, zusammenhängenden Leiterrahmens verbunden sein.
Ferner weist das dritte optoelektronische Bauelement 300 ei¬ nen zweiten Leiterrahmenabschnitt 320 auf, der im Wesentli- chen wie der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 ausgebildet ist. Der zwei¬ te Leiterrahmenabschnitt 320 weist eine Oberseite 321 und ei¬ ne der Oberseite 321 gegenüberliegende Unterseite 322 auf. Durch eine Vertiefung 323 an der Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 wird die Oberseite 321 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 in erhabene Oberseitenabschnitte 324 und vertiefte Oberseitenabschnitte 325 unterteilt. Über Verbindungsabschnitte 326 kann der zweite Leiterrahmenab¬ schnitt 320 mit weiteren Abschnitten eines größeren Leiter- rahmens verbunden sein.
Auf den vertieften Oberseitenabschnitten 315, 325 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und des zweiten Leiterrahmenab¬ schnitts 320 ist ein erster optoelektronischer Halbleiterchip 340 angeordnet. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 340 weist eine Oberseite 341 und eine der Oberseite 341 ge¬ genüberliegende Unterseite 342 auf. Die Oberseite 341 bildet eine Strahlungsdurchtrittsflache des optoelektronischen Halb- leiterchips 340. Durch den optoelektronischen Halbleiterchip 340 emittierte oder absorbierte elektromagnetische Strahlung tritt durch die Oberseite 341 des optoelektronischen Halbleiterchips 340 durch.
Der erste optoelektronische Halbleiterchip 340 weist an sei¬ ner Unterseite 342 eine erste elektrische Kontaktfläche 343 und eine zweite elektrische Kontaktfläche 344 auf. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 340 kann beispielsweise als Flipchip ausgebildet sein. Die erste elektrische Kontaktflä¬ che 343 ist elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenab¬ schnitt 310 verbunden. Die zweite elektrische Kontaktfläche 344 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 340 ist elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 320 verbunden.
Das dritte optoelektronische Bauelement 300 weist zusätzlich einen dritten Leiterrahmenabschnitt 330 auf. Der dritte Lei¬ terrahmenabschnitt 330 ist im Wesentlichen wie der erste Lei- terrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt
320 ausgebildet und mit diesen in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Dabei ist der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 zwi¬ schen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 und dem dritten Leiterrahmenabschnitt 330 angeordnet. Der dritte Leiterrah- menabschnitt 330 weist eine Oberseite 331 und eine der Ober¬ seite 331 gegenüberliegende Unterseite 332 auf. Durch eine an der Oberseite 331 ausgebildete Vertiefung 333 wird die Ober¬ seite 331 des dritten Leiterrahmenabschnitts 330 in erhabene Oberseitenabschnitte 334 und vertiefte Oberseitenabschnitte 335 unterteilt. Über Verbindungsabschnitte 336 kann der drit¬ te Leiterrahmenabschnitt 330 mit weiteren Abschnitten eines größeren Leiterrahmens verbunden sein.
Das dritte optoelektronische Bauelement 300 umfasst ferner einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 350. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 350 kann wie der ers¬ te optoelektronische Halbleiterchip 340 ausgebildet sein. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 350 weist eine Ober- _ ,
2 b
seite 351 und eine der Oberseite 351 gegenüberliegende Unter¬ seite 352 auf. An der Unterseite 352 des zweiten optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 350 sind eine erste elektrische Kon¬ taktfläche 353 und eine zweite elektrische Kontaktfläche 354 ausgebildet.
Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 350 ist ab¬ schnittsweise in der Vertiefung 323 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 und der Vertiefung 333 des dritten Leiterrahmenabschnitts 330 angeordnet. Die erste elektrische Kontakt¬ fläche 353 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 350 ist elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 320 verbunden. Die zweite elektrische Kontaktfläche 354 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 350 ist elektrisch leitend mit dem dritten Leiterrahmenabschnitt 330 verbunden.
Der erste optoelektronische Halbleiterchip 340 und der zweite optoelektronische Halbleiterchip 350 des dritten optoelektro¬ nischen Bauelements 300 können im Betrieb des dritten opto¬ elektronischen Bauelements 300 unabhängig voneinander angesteuert werden. Dabei bildet der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 einen gemeinsamen Anschluss der beiden optoelektronischen Halbleiterchips 340, 350, während der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 310 und der dritte Leiterrahmenabschnitt 330 getrenn¬ te Anschlüsse des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 340 und des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 350 bilden .
Es ist auch möglich, den ersten optoelektronischen Halb- leiterchip 340 und den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 350 wie den optoelektronischen Halbleiterchip 130 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 mit jeweils einer oberen elektrischen Kontaktfläche und einer unteren elektrischen Kontaktfläche auszubilden. In diesem Fall wäre der ers- te optoelektronische Halbleiterchip 340 vollständig in der
Vertiefung 313 des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeord¬ net, während der zweite optoelektronische Halbleiterchip 350 vollständig in der Vertiefung 333 des dritten Leiterrahmenab- Schnitts 330 angeordnet wäre. Über Bonddrähte würden die obe¬ ren elektrischen Kontaktflächen beider optoelektronischen Halbleiterchips 340, 350 mit dem zweiten Leiterrahmenab¬ schnitt 320 verbunden, der in diesem Fall ohne die Vertiefung 323 ausgebildet sein könnte.
Das weitere Verfahren zur Herstellung des dritten optoelektronischen Bauelements 300 verläuft analog zu den anhand der Figuren 1 bis 9 erläuterten Verfahren zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 100 und des zweiten optoelektronischen Bauelements 200. Dabei werden die Leiterrahmenabschnitte 310, 320, 330 und die optoelektronischen Halbleiterchips 340, 350 in einem Formverfahren (Moldverfah- ren) durch Material eines Gehäusekörpers umformt, wobei die Oberseiten 341, 351 der optoelektronischen Halbleiterchips
340, 350 und bevorzugt auch die erhabenen Oberseitenabschnit¬ te 314, 324, 334 der Leiterrahmenabschnitte 310, 320, 330 nicht durch das Material des Gehäusekörpers bedeckt werden. Anschließend kann an einer Oberseite des Gehäusekörpers eine Abdeckschicht angeordnet werden. Die Abdeckschicht kann dabei als wellenlängenkonvertierende Schicht ausgebildet sein.
Anhand der Figuren 11 und 12 werden nachfolgend ein viertes optoelektronisches Bauelement 400 und ein Verfahren zu dessen Herstellung erläutert. Das vierte optoelektronische Bauele¬ ment 400 und das Verfahren zu seiner Herstellung weisen große Übereinstimmungen mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement 200 und dem anhand der Figuren 6 bis 9 erläuterten Verfahren zu dessen Herstellung auf. Die Beschreibung des zwei- ten optoelektronischen Bauelements 200 und des Verfahrens zu seiner Herstellung sowie die nachfolgende Beschreibung des vierten optoelektronischen Bauelements 400 und des Verfahrens zu seiner Herstellung gelten daher entsprechend auch für das jeweils andere optoelektronische Bauelement 200, 400 und Ver- fahren, soweit nicht Unterschiede und Abweichungen ausdrück¬ lich genannt sind. Das vierte optoelektronische Bauelement 400 weist einen ers¬ ten Leiterrahmenabschnitt 410 und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 420 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 410 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 ist im Wesentli- chen wie der erste Leiterrahmenabschnitt 210 des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 ausgebildet und weist eine Oberseite 411 mit erhabenen Oberseitenabschnitten 414 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 420 des vierten optoelektro¬ nischen Bauelements 400 ist im Wesentlichen wie der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 des zweiten optoelektronischen Bau¬ elements 200 ausgebildet und weist eine Oberseite 421 mit er¬ habenen Oberseitenabschnitten 424 auf. Die an den Oberseiten 411, 421 der Leiterrahmenabschnitte 410, 420 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 ausgebildeten Vertiefungen sind in Figuren 11 und 12 nicht sichtbar.
Das vierte optoelektronische Bauelement 400 weist außerdem einen optoelektronischen Halbleiterchip 430 mit einer Oberseite 431 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 ist im Wesentli¬ chen wie der optoelektronische Halbleiterchip 230 des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 ausgebildet. Der opto¬ elektronische Halbleiterchip 430 ist derart im Bereich der Vertiefungen des ersten Leiterrahmenabschnitts 410 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 420 angeordnet, dass elektri¬ sche Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 430 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 410 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 420 verbunden sind. Es wäre auch möglich, den optoelektronischen Halbleiterchip 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 wie den optoelektronischen Halbleiterchip 130 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 auszubilden. In diesem Fall würde die elektrische Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 430 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 420 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 über einen Bonddraht gebildet werden. _ _
Der erste Leiterrahmenabschnitt 410, der zweite Leiterrahmen¬ abschnitt 420 und der optoelektronische Halbleiterchip 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 sind in einen Gehäusekörper 440 eingebettet. Der Gehäusekörper 440 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 kann, wie der Gehäusekörper 140 des ersten optoelektronischen Bauelements 100, durch einen Formprozess (Moldprozess ) hergestellt wer¬ den, insbesondere durch folienunterstütztes Spritzpressen (foil assisted transfer molding) .
Der Gehäusekörper 440 weist eine Oberseite 441, eine der Oberseite 441 gegenüberliegende Unterseite 442 und sich senk¬ recht zwischen Oberseite 441 und Unterseite 442 erstreckende Seitenflächen 443 auf. An der Unterseite 442 des Gehäusekör- pers 440 liegen zumindest Teile der Unterseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts 410 und des zweiten Leiterrahmenab¬ schnitts 420 frei.
Im Unterschied zu dem Gehäusekörper 240 des zweiten optoelektronischen Bauelements 200 weist der Gehäusekörper 440 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 an seiner Oberseite 441 eine Kavität 444 auf. Die Kavität erstreckt sich als Vertiefung an der Oberseite 441 in den Gehäusekörper 440 hinein. Seitlich wird die Kavität 444 von einer durch das Material des Gehäusekörpers 440 gebildeten Wandung 446 be¬ grenzt. An einem Grund 445 der Kavität 444 liegt die Obersei¬ te 431 des optoelektronischen Halbleiterchips 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 frei. Auch Teile der erha¬ benen Oberseitenabschnitte 414, 424 des ersten Leiterrahmenabschnitts 410 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 420 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 liegen am Grund 445 der Kavität 444 des Gehäusekörpers 440 frei.
Die Wandung 446 der Kavität 444 des Gehäusekörpers 440 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 kann als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 emittierte elektromag¬ netische Strahlung dienen. Dadurch kann die Kavität 444 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 eine Lichtauskopp¬ lung aus dem vierten optoelektronischen Bauelement 400 verbessern. Außerdem kann die Kavität 444 so eine Bündelung und Strahlformung der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 430 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken.
Fig. 12 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des vierten optoelektronischen Bauelements 400 in einem der Darstellung der Fig. 11 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In der Kavität 444 an der Oberseite 441 des Gehäuse¬ körpers 440 des vierten optoelektronischen Bauelements 400 ist ein Verguss 450 angeordnet worden. Der Verguss 450 kann auch als Abdeckschicht bezeichnet werden. Der Verguss 450 kann dasselbe Material aufweisen wie die Abdeckschicht 150 des ersten optoelektronischen Bauelements 100. Insbesondere kann der Verguss 450 auch als wellenlängenkonvertierende Schicht ausgebildet sein.
Der Verguss 450 kann beispielsweise durch Nadeldosieren in die Kavität 444 des Gehäusekörpers 440 des vierten optoelekt¬ ronischen Bauelements 400 eingebracht worden sein. Bevorzugt schließt eine Oberseite 451 des Vergusses 450 im Wesentlichen bündig mit der Oberseite 441 des Gehäusekörpers 440 des vier¬ ten optoelektronischen Bauelements 400 ab.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste
100 erstes optoelektronisches Bauelement
110 erster Leiterrahmenabschnitt
111 Oberseite
112 Unterseite
113 Vertiefung
114 erhabener Oberseitenabschnitt
115 vertiefter Oberseitenabschnitt
116 Verbindungsabschnitt
120 zweiter Leiterrahmenabschnitt
121 Oberseite
122 Unterseite
124 Oberseitenabschnitt
126 Verbindungsabschnitt
130 optoelektronischer Halbleiterchip
131 Oberseite
132 Unterseite
133 obere elektrische Kontaktfläche
134 untere elektrische Kontaktfläche
135 Bonddraht
140 Gehäusekörper
141 Oberseite
142 Unterseite
143 Seitenfläche
150 Abdeckschicht
151 Oberseite
152 Unterseite
200 zweites optoelektronisches Bauelement
210 erster Leiterrahmenabschnitt
211 Oberseite Unterseite
Vertiefung
erhabener Oberseitenabschnitt
vertiefter Oberseitenabschnitt
Verbindungsabschnitt zweiter Leiterrahmenabschnitt
Oberseite
Unterseite
Vertiefung
erhabener Oberseitenabschnitt
vertiefter Oberseitenabschnitt
Verbindungsabschnitt optoelektronischer Halbleiterchip
Oberseite
Unterseite
erste untere elektrische Kontaktfläche zweite untere elektrische Kontaktfläche Gehäusekörper
Oberseite
Unterseite
Seitenfläche Abdeckschicht
Oberseite
Unterseite drittes optoelektronisches Bauelement erster Leiterrahmenabschnitt
Oberseite
Unterseite
Vertiefung
erhabener Oberseitenabschnitt
vertiefter Oberseitenabschnitt
Verbindungsabschnitt 320 zweiter Leiterrahmenabschnitt
321 Oberseite
322 Unterseite
323 Vertiefung
324 erhabener Oberseitenabschnitt
325 vertiefter Oberseitenabschnitt
326 Verbindungsabschnitt
330 dritter Leiterrahmenabschnitt
331 Oberseite
332 Unterseite
333 Vertiefung
334 erhabener Oberseitenabschnitt
335 vertiefter Oberseitenabschnitt
336 Verbindungsabschnitt
340 erster optoelektronischer Halbleiterchip
341 Oberseite
342 Unterseite
343 erste elektrische Kontaktfläche
344 zweite elektrische Kontaktfläche
350 zweiter optoelektronischer Halbleiterchip
351 Oberseite
352 Unterseite
353 erste elektrische Kontaktfläche
354 zweite elektrische Kontaktfläche
400 viertes optoelektronisches Bauelement
410 erster Leiterrahmenabschnitt
411 Oberseite
414 erhabener Oberseitenabschnitt
420 zweiter Leiterrahmenabschnitt
421 Oberseite
424 erhabener Oberseitenabschnitt optoelektronischer Halbleiterchip Oberseite Gehäusekörper
Oberseite
Unterseite
Seitenfläche
Kavität
Grund
Wandung Verguss
Oberseite

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 400)
mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (110, 210, 310, 410) mit einer Oberseite (111, 211, 311, 411), mit einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (120, 220, 320, 420) mit einer Oberseite (121, 221, 321, 421) und mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (130, 230, 340, 430), wobei an der Oberseite (111, 211, 311, 411) des ersten Leiterrahmenabschnitts (110, 210, 310, 410) eine geätzte
Vertiefung (113, 213, 313) ausgebildet ist,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (130, 230, 340, 430) in der Vertiefung (113, 213, 313) angeordnet ist,
wobei die Leiterrahmenabschnitte (110, 210, 310, 410,
120, 220, 320, 420) und der optoelektronische Halbleiter¬ chip (130, 230, 340, 430) gemeinsam in einen Gehäusekörper (140, 240, 440) mit einer Oberseite (141, 241, 441) eingebettet sind.
2. Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300) gemäß An¬ spruch 1,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (130, 230, 340) eine Oberseite (131, 231, 311) aufweist, die bündig mit der Oberseite (141, 241) des Gehäusekörpers (140,
240) abschließt.
3. Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei Abschnitte (114, 214, 314) der Oberseite (111, 211,
311) des ersten Leiterrahmenabschnitts (110, 210, 310) und/oder Abschnitte (124, 224, 324) der Oberseite (121, 221, 321) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (120, 220, 320) bündig mit der Oberseite (141, 241) des Gehäusekör- pers (140, 240) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (400) gemäß Anspruch 1, wobei an der Oberseite (441) des Gehäusekörpers (440) ei- ne Kavität (444) ausgebildet ist,
wobei eine Oberseite (431) des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (430) an einem Grund (445) der Kavität (444) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 400) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei an der Oberseite (141, 241, 441) des Gehäusekörpers (140, 240, 440) eine Abdeckschicht (150, 250, 450) ange¬ ordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 400) gemäß Anspruch 4,
wobei die Abdeckschicht (150, 250, 450) als wellenlängen¬ konvertierende Schicht ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100, 200, 300, 400) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (110, 210, 310, 410) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (120, 220, 320, 420) Unterseiten (112, 122, 212, 222, 312, 322) aufweisen, die bündig mit einer Unterseite (142, 242, 442) des Gehäusekörpers (140, 240, 440) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (200, 300, 400) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (230, 340, 430) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (210, 310, 410) und auf dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (220, 320, 420) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 7,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (130) mittels eines Bonddrahts (135) mit dem zweiten Leiterrahmenab¬ schnitt (120) verbunden ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (300) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei das optoelektronische Bauelement (300) einen drit¬ ten Leiterrahmenabschnitt (330) und einen zweiten opto- elektronischen Halbleiterchip (350) aufweist.
11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 200, 300, 400)
mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines ersten Leiterrahmenabschnitts (110, 210, 310, 410) und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts (120, 220, 320, 420);
- Ausbilden einer Vertiefung (113, 213, 313) an der Oberseite (111, 211, 311, 411) des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts (110, 210, 310, 410) durch Ätzen;
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (130, 230, 340, 430) in der Vertiefung (113, 213, 313) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110, 210, 310, 410);
- Einbetten der Leiterrahmenabschnitte (110, 210, 310, 410, 120, 220, 320, 420) und des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (130, 230, 340, 430) in einen Gehäusekörper (140, 240, 440) .
12. Verfahren gemäß Anspruch 11,
wobei das Einbetten der Leiterrahmenabschnitte (110, 210,
310, 410, 120, 220, 320, 420) und des optoelektronischen Halbleiterchips (130, 230, 340, 430) in den Gehäusekörper (140, 240, 440) durch einen Formprozess erfolgt, insbe¬ sondere durch folienunterstütztes Spitzpressen.
13. Verfahren gemäß Anspruch 12,
wobei eine Oberseite (131, 231, 341, 431) des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips (130, 230, 340, 430) während des Einbettens mit einer Folie abgedeckt wird.
14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt aufweist: - Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips (130) mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (120) mittels eines Bonddrahts (135).
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt aufweist:
- Anordnen einer Abdeckschicht (150, 250) an einer Oberseite (141, 241, 441) des Gehäusekörpers (140, 240, 440) .
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt aufweist:
- Vereinzeln des optoelektronischen Bauelements (100, 200, 300, 400) durch Zerteilen des Gehäusekörpers (140, 240, 440) .
PCT/EP2015/054710 2014-03-07 2015-03-06 Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung Ceased WO2015132380A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014103034.6 2014-03-07
DE102014103034.6A DE102014103034A1 (de) 2014-03-07 2014-03-07 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015132380A1 true WO2015132380A1 (de) 2015-09-11

Family

ID=52629580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/054710 Ceased WO2015132380A1 (de) 2014-03-07 2015-03-06 Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102014103034A1 (de)
WO (1) WO2015132380A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014116133B4 (de) 2014-11-05 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung
DE102015122641A1 (de) * 2015-12-22 2017-06-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
KR102641336B1 (ko) 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
EP3451396B1 (de) * 2017-09-05 2024-07-17 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Halbleiterbauelementgehäuse
DE102019220215A1 (de) * 2019-12-19 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19901918A1 (de) * 1998-01-28 1999-07-29 Rohm Co Ltd Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
JP2002335020A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20050151149A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Chia Chee W. Light emission device
WO2009072757A2 (en) * 2007-12-03 2009-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package
EP2477242A2 (de) * 2011-01-17 2012-07-18 Samsung LED Co., Ltd. Verpackung für lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP2479810A2 (de) * 2011-01-20 2012-07-25 Samsung LED Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtungsverpackung und Herstellungsverfahren dafür
US20130256721A1 (en) * 2012-04-01 2013-10-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. LED Light with Electrostatic Protection and Backlight Module Using the LED Light

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009032606A1 (de) * 2009-07-10 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Flachlichtquelle
DE102009036621B4 (de) * 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010023815A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements
DE102012212968A1 (de) * 2012-07-24 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19901918A1 (de) * 1998-01-28 1999-07-29 Rohm Co Ltd Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
JP2002335020A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20050151149A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Chia Chee W. Light emission device
WO2009072757A2 (en) * 2007-12-03 2009-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package
EP2477242A2 (de) * 2011-01-17 2012-07-18 Samsung LED Co., Ltd. Verpackung für lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP2479810A2 (de) * 2011-01-20 2012-07-25 Samsung LED Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtungsverpackung und Herstellungsverfahren dafür
US20130256721A1 (en) * 2012-04-01 2013-10-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. LED Light with Electrostatic Protection and Backlight Module Using the LED Light

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014103034A1 (de) 2015-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112014001665B4 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP2583318B1 (de) Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
EP2396832B1 (de) Verkapselte optoeleketronische halbleiteranordnung mit lötstoppschicht und entsprechendes verfahren
WO2017032772A1 (de) Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2014060355A2 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102012113003A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2016202917A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2014016165A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
WO2015124609A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2017046257A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2015132380A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102015109953A1 (de) Herstellung elektronischer Bauelemente
WO2016102474A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP3360167A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einem leiterrahmen mit einer versteifungsstruktur
WO2016074914A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
WO2014170211A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102017114668A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Anordnung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauteil
WO2015173032A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
WO2015173031A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
WO2014049059A2 (de) Bauteilanordnung und verfahren zum herstellen von elektrischen bauteilen
WO2015055670A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2014048834A1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen von gehäusen und verfahren zum herstellen elektronischer baugruppen
WO2016110545A1 (de) Leiterrahmen und verfahren zum herstellen eines chipgehäuses
DE102004047061B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102014116080A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15708211

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15708211

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1