[go: up one dir, main page]

WO2016088350A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016088350A1
WO2016088350A1 PCT/JP2015/005943 JP2015005943W WO2016088350A1 WO 2016088350 A1 WO2016088350 A1 WO 2016088350A1 JP 2015005943 W JP2015005943 W JP 2015005943W WO 2016088350 A1 WO2016088350 A1 WO 2016088350A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
substrate
display device
sealing
element substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/005943
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
亨 妹尾
剛 平瀬
岡本　哲也
通 園田
石田　守
大地 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of WO2016088350A1 publication Critical patent/WO2016088350A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display device.
  • Patent Document 1 one surface of a support substrate provided with an organic EL element is covered and sealed with a sealing substrate via an adhesive layer, and the organic EL element is surrounded on one surface of the support substrate.
  • an organic EL panel in which a first partition is formed and a second partition is formed so as to surround an organic EL element on a surface of a sealing substrate facing one surface of a support substrate.
  • the element substrate provided with the organic EL element and the sealing substrate are bonded together via a frame-shaped sealing material.
  • a panel structure in which a region surrounded by a sealing material between a substrate and a sealing substrate is filled with a filler having a getter function for adsorbing moisture or oxygen.
  • the amount of shrinkage when the resin material constituting the filler filled between the element substrate and the sealing substrate is cured is attributed to the surface shape formed on the element substrate. Since it varies considerably depending on the upper position, local peeling may occur between the element substrate and the filler.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to suppress local peeling between the element substrate and the filler made of curable resin.
  • an organic EL display device includes an element substrate provided with an organic EL element, and a sealing provided so as to face the element substrate provided with the organic EL element.
  • a sealing material provided in a frame shape so as to surround the organic EL element between the substrate and the element substrate and the sealing substrate, and a curing provided in a region surrounded by the sealing material between the element substrate and the sealing substrate.
  • the sealing substrate is provided with a structure that engages with the surface shape of the element substrate.
  • the structure that engages with the surface shape of the element substrate is provided on the sealing substrate, local peeling between the element substrate and the curable resin filler is suppressed. Can do.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display device taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an end portion of the organic EL display device taken along line III-III in FIG.
  • It is sectional drawing of the organic electroluminescent layer which comprises the organic electroluminescent display apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • It is a top view which shows the planar positional relationship of the edge cover which comprises the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the convex part of a structure.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the end portion of the organic EL display device 50a taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic EL layer 16a constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 5 is a plan view showing a planar positional relationship between the edge cover 15a constituting the organic EL display device 50a and the convex portion C of the structure 31a.
  • the organic EL display device 50a is provided in a frame shape between the element substrate 30a and the sealing substrate 40a provided so as to face each other, and between the element substrate 30a and the sealing substrate 40a. And a curable resin-made filling material 46a provided in a region surrounded by the sealing material 45a between the element substrate 30a and the sealing substrate 40a.
  • a display region for displaying an image is defined in a rectangular shape inside the sealing material 45a, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display region.
  • a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display are adjacent to each other. It is arranged.
  • the element substrate 30a covers the insulating substrate 10a, the base film 11 provided on the insulating substrate 10a, the organic EL element 20a provided on the base film 11, and the organic EL element 20a. And a sealing film 21a provided as described above.
  • the insulating substrate 10a is, for example, a transparent flexible substrate such as a plastic substrate.
  • the base film 11 is, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the organic EL element 20a includes a plurality of thin film transistors (TFTs) 12 provided for each sub-pixel, an interlayer insulating film 13, and a plurality of first electrodes provided in a matrix. 14, an edge cover 15 a, a plurality of organic EL layers 16 a provided in each subpixel, and a second electrode 17 a.
  • TFTs thin film transistors
  • the TFT 12 is provided on the base film 11 as shown in FIG.
  • the TFT 12 includes, for example, a gate electrode provided on the base film 11, a gate insulating film provided so as to cover the gate electrode, and a semiconductor layer provided on the gate insulating film so as to overlap the gate electrode. And a source electrode and a drain electrode provided on the semiconductor layer so as to face each other.
  • the bottom gate type TFT is exemplified, but the TFT 12 may be a top gate type TFT.
  • the interlayer insulating film 13 is provided so as to cover a portion other than a part of the drain electrode of each TFT 12.
  • the interlayer insulation film 13 is comprised by transparent organic resin materials, such as an acrylic resin, for example.
  • the first electrode 14 is provided on each interlayer pixel 13 on the interlayer insulating film 13. Further, as shown in FIG. 2, the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16a.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a high work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 16a.
  • the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
  • the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 15 a is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral edge portion of each first electrode 14.
  • the material constituting the edge cover 15a for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride such as trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ) (SiNx (x is a positive number)), silicon oxynite, etc.
  • An inorganic film such as a ride (SiNO) or an organic film such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, or a novolac resin can be used.
  • the organic EL layer 16a is a laminate in which a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection layer 5 are laminated in this order.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 14 to the organic EL layer 16a by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16a closer to each other.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16a.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17a, holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17a, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17a and the organic EL layer 16a closer to each other, and improving the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 17a to the organic EL layer 16a.
  • the drive voltage of the organic EL element 20a can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
  • Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
  • the second electrode 17a is provided so as to cover each organic EL layer 16a and the edge cover 15a.
  • the second electrode 17a has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16a.
  • the second electrode 17a is more preferably composed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 16a.
  • examples of the material constituting the second electrode 17a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the second electrode 17a is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • the second electrode 17a may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like. .
  • the second electrode 17a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 21a is provided so as to cover the organic EL element 20a.
  • the sealing film 21a has a function of protecting the organic EL element 20a from moisture and oxygen.
  • a material constituting the sealing film 21a for example, silicon nitride (SiNx (Si 2 N 3 ) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • SiNx silicon oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • x is a positive number
  • inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the space between the lattices of the edge cover 15a is formed in a concave shape as shown in FIG.
  • the size of the concave space B is, for example, about 250 ⁇ m long ⁇ 50 ⁇ m wide ⁇ 1 ⁇ m deep.
  • the sealing substrate 40a includes an insulating substrate 10b and a structure 31a provided on the insulating substrate 10b.
  • the insulating substrate 10b is a transparent flexible substrate such as a plastic substrate.
  • the structure 31a is provided so as to engage with the surface shape of the element substrate 30a, that is, the surface unevenness A.
  • the structure 31a includes a plurality of convex portions C provided in a matrix. And each convex part C of the structure 31a is provided so that it may fit in each concave space B formed in the element substrate 30a while overlapping with the organic EL layer 16a, as shown in FIG.
  • silicon nitride SiNx (x is x3)
  • silicon oxide SiO 2
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • Si 3 N 4 trisilicon tetranitride
  • inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the structure 31a is preferably formed of a transparent material.
  • the size of the convex portion C is, for example, about 250 ⁇ m long ⁇ 50 ⁇ m wide ⁇ 1 ⁇ m high.
  • the sealing material 45a is provided so as to adhere the element substrate 30a and the sealing substrate 40a to each other at the periphery of the substrate.
  • a material for forming the sealing material 45a for example, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a phenol resin, or the like having ultraviolet curing properties and / or thermosetting properties may be used.
  • the filler 46a has a getter function for adsorbing moisture, oxygen, and the like.
  • a material which comprises the filler 46a the epoxy resin, silicon resin, etc. which have thermosetting property are mentioned, for example.
  • the filler 46a contains, for example, metal oxides such as calcium oxide (CaO), barium oxide (BaO), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), activated carbon, silica gel, zeolite, and the like.
  • the thickness of the filler 46a is preferably smaller than the height of each convex portion C of the structure 31a.
  • FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views at the center and the end of the device for explaining the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a modification of the organic EL display device 50a.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of this embodiment includes an element substrate manufacturing process, a sealing substrate manufacturing process, and a bonding process.
  • the insulating substrate 10a such as a plastic substrate
  • the base film 11 the organic EL element 20a (TFT 12, the interlayer insulating film 13, the first electrode 14, the edge cover 15a, the organic EL layer 16a
  • the element substrate 30a is manufactured by forming the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), the second electrode 17a) and the sealing film 21a.
  • ⁇ Sealing substrate manufacturing process> an organic film or an inorganic film is formed on the surface of the insulating substrate 10b such as a plastic substrate by using a mask by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a vapor deposition method, a sputtering method, a coating method, or the like.
  • the structure 31a is formed to produce the sealing substrate 40a.
  • a seal resin 45 is arranged in a frame shape on the surface of the element substrate 30 a manufactured in the element substrate manufacturing process, for example, by a dispenser method, and a filling resin is placed inside the seal resin 45. 46 is dropped and arranged.
  • the element substrate 30a on which the sealing resin 45 and the filling resin 46 are arranged, and the sealing substrate 40a manufactured in the sealing substrate manufacturing process as shown in FIG. 5 and FIG.
  • the respective concave spaces B and the respective convex portions C of the sealing substrate 40a are aligned so as to be fitted to each other, and are bonded together in a reduced pressure atmosphere of about 1 Pa to 30 Pa, for example. Thereafter, the reduced pressure atmosphere is released to pressurize the outer surfaces of the element substrate 30a and the sealing substrate 40a.
  • the panel to be irradiated is heated to cure the sealing resin 45 and the filling resin 46, thereby sealing the sealing material 45a. And the filler 46a is formed.
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the method of manufacturing the sealing substrate 40a by forming the structure 31a using the mask on the surface of the insulating substrate 10b is illustrated.
  • the other structural body 31aa may be formed so as to overlap the sealing resin 45 (sealing material 45a).
  • the sealing material 45a not only the sealing material 45a but also the other structural body 31aa that is harder than the sealing material 45a is disposed at the peripheral end portion of the organic EL display device 50a, so that the peripheral end portion of the organic EL display device 50a is reinforced. can do.
  • the surface irregularities A are formed on the element substrate 30a according to the shape of the organic EL element 20a.
  • the element substrate 30a provided with the organic EL element 20a a plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix as a part of the organic EL element 20a, and the peripheral end portion of each first electrode 14 is provided.
  • the edge cover 15a is provided in a lattice shape so as to cover the surface. Therefore, in the element substrate 30a, the space between the lattices of the edge cover 15a is formed in a concave shape to form a concave space B constituting the surface irregularities A.
  • the sealing substrate 40a is provided with a structure 31a that engages with the surface shape of the element substrate 30a.
  • the structure 31a includes a plurality of convex portions C provided in a matrix. And each convex part C of the structure 31a is provided so that it may fit in each concave space B formed in the element substrate 30a. Accordingly, the filling material 46a made of curable resin is easily filled to a uniform thickness in a region surrounded by the sealing material 45a between the element substrate 30a and the sealing substrate 40a. The amount of shrinkage when the filling resin 46 is cured tends to be constant in the region surrounded by the sealing material 45a.
  • the filler 46a provided in the region surrounded by the seal 45a between the element substrate 30a and the sealing substrate 40a is suppressed from being locally greatly shrunk when cured, the element substrate 30a Local peeling between the filler 46a made of curable resin can be suppressed.
  • the filling material made of a curable resin is not filled with a uniform thickness, the amount of shrinkage is relatively large at a relatively thick filling portion, so that the shrinkage is relatively large. In some places, local peeling between the element substrate and the curable resin filler tends to occur.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment since the sealing film 21a is provided so as to cover the organic EL element 20a in the element substrate 30a, the organic EL element 20a is further made of moisture and oxygen. Can be protected.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50b of this embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the inner wall of the edge cover 15a is upright is illustrated.
  • the organic EL display device 50b in which the inner wall of the edge cover 15b is inclined is illustrated.
  • the organic EL display device 50b includes an element substrate 30b and a sealing substrate 40b provided so as to face each other, and a seal provided in a frame shape between the element substrate 30b and the sealing substrate 40b. And a curable resin filling material 46b provided in a region surrounded by the sealing material 45a between the element substrate 30b and the sealing substrate 40b.
  • a display area for displaying an image is defined in a rectangular shape inside the sealing material 45a, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area.
  • the element substrate 30b covers the insulating substrate 10a, the base film 11 provided on the insulating substrate 10a, the organic EL element 20b provided on the base film 11, and the organic EL element 20b. And a sealing film 21b provided as described above.
  • the organic EL element 20b includes a plurality of TFTs 12, an interlayer insulating film 13, a plurality of first electrodes 14, an edge cover 15b, a plurality of organic EL layers 16b, and a second electrode 17b. It has.
  • the edge cover 15 b is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral edge portion of each first electrode 14.
  • the material constituting the edge cover 15b for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride such as trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ) (SiNx (x is a positive number)), silicon oxynite, etc. Ride (SiNO) etc. are mentioned.
  • the inner wall of the edge cover 15b is inclined at, for example, about 60 ° to 70 ° with respect to the substrate surface so that the lower portion protrudes.
  • the organic EL layer 16b is substantially the same as the organic EL layer 16a described in the first embodiment except for the shape of the peripheral edge that contacts the inclined inner wall of the edge cover 15b.
  • the second electrode 17b is provided so as to cover each organic EL layer 16b and the edge cover 15b.
  • the second electrode 17b is substantially the same as the second electrode 17a described in the first embodiment except for the shape of the cross section engaged with the shape of the organic EL layer 16b and the edge cover 15b. Is the same.
  • the sealing film 21b is provided so as to cover the organic EL element 20b.
  • the sealing film 21b is substantially the same as the sealing film 21a described in the first embodiment except for the shape of the cross section that engages with the shape of the second electrode 17b.
  • the space between the lattices of the edge cover 15b is formed in a concave shape to form a concave space B constituting the surface irregularities A.
  • the concave space B is formed such that the side wall (the inner wall of the edge cover 15 b) is inclined so as to become gradually narrower toward the bottom.
  • the sealing substrate 40b includes an insulating substrate 10b and a structure 31b provided on the insulating substrate 10b.
  • the structure 31b is provided so as to engage with the surface shape of the element substrate 30b, that is, the surface unevenness A.
  • the structure 31b includes a plurality of convex portions C provided in a matrix. And each convex part C of the structure 31b is provided with the side wall inclined so that it may become thin toward the top part so that it may fit in each concave space B formed in the element substrate 30b.
  • the structure 31b is substantially the same as the structure 31a described in the first embodiment except for the shape of the cross section that engages with the concave space B of the element substrate 30b.
  • the filler 46b has a getter function for adsorbing moisture, oxygen and the like.
  • the filler 46b is substantially the same as the filler 46a described in the first embodiment, except for the shape of the cross section that engages with the concave space B of the element substrate 30b and the structure 31b of the sealing substrate 40b. is there.
  • the organic EL display device 50b having the above-described configuration can be manufactured using the manufacturing method described in the first embodiment, by simply changing the shape of the edge cover 15b and the structure 31b in the thickness direction.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects (1) and (2) described above.
  • each concave space B is formed such that the side wall is inclined so as to become gradually narrower toward the bottom, and each convex C is gradually toward the top.
  • the side walls are formed so as to be thinner. Therefore, when the element substrate 30b and the sealing substrate 40b are bonded together, the filling resin constituting the filler 46b is placed along the inclined side walls of the concave space B and the convex portion C between the element substrate 30b and the sealing substrate 40b. Can be spread easily. As a result, the filling material 46b made of curable resin is more easily filled with a uniform thickness in the region surrounded by the sealing material 45a between the element substrate 30b and the sealing substrate 40b. Local peeling between the curable resin filler 46b can be further suppressed.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50c of this embodiment.
  • the organic EL display devices 50a and 50b formed in a flat plate shape are illustrated, but in the present embodiment, the organic EL display device 50c formed in a curved surface shape is illustrated.
  • the organic EL display device 50c includes an element substrate 30c and a sealing substrate 40c provided so as to face each other, and a seal provided in a frame shape between the element substrate 30c and the sealing substrate 40c.
  • a material 45a, and a curable resin filling material 46c provided in a region surrounded by the sealing material 45a between the element substrate 30c and the sealing substrate 40c.
  • a display area for displaying an image is defined in a rectangular shape inside the sealing material 45a, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area.
  • the element substrate 30c is the element substrate 30a of the first embodiment or the element substrate 30b of the second embodiment.
  • the sealing substrate 40c is the sealing substrate 40a of the first embodiment or the sealing substrate 40b of the second embodiment provided with a structure that engages with the surface shape of the element substrate 30c.
  • the filler 46c is the filler 46a of the first embodiment or the filler 46b of the second embodiment that engages with the surface shape of the element substrate 30c.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects (1) to (3) described above.
  • the organic EL display device 50c of this embodiment since local peeling between the element substrate 30c and the curable resin filler 46c can be suppressed, the organic EL display device 50c is deformed into a curved surface. Even if it is held in a state, display performance can be maintained.
  • an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
  • a three-layer structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
  • the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
  • the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the manufacturing method of the organic electroluminescence display which arrange
  • position may be sufficient.
  • the organic EL display device including the element substrate using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode is illustrated.
  • the present invention is not limited to the TFT connected to the first electrode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device including an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the present invention is useful for flexible organic EL display devices because local peeling between the element substrate and the filler made of curable resin is suppressed.
  • a surface unevenness B concave space C convex portion 14 first electrodes 15a, 15b edge covers 20a, 20b organic EL elements 21a, 21b sealing films 30a-30c element substrates 31a, 31b structures 31aa other structures 40a-40c sealing Substrate 45a Sealing material 46a to 46c Filling material 50a to 50c Organic EL display device

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　有機ＥＬ素子２０ａが設けられた素子基板３０ａと、素子基板３０ａの有機ＥＬ素子２０ａが設けられた側に対向するように設けられた封止基板４０ａと、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間に有機ＥＬ素子２０ａを囲むように枠状に設けられたシール材と、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間のシール材に囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材４６ａとを備え、封止基板４０ａには、素子基板３０ａの表面形状に係合する構造体３１ａが設けられている。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。
　例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を設けた支持基板の一方の面に接着層を介して封止基板により被覆し封止してなり、支持基板の一方の面に有機ＥＬ素子を囲むように第１隔壁が形成され、支持基板の一方の面と対向する封止基板の面に有機ＥＬ素子を囲むように第２隔壁が形成された有機ＥＬパネルが開示されている。
特開２００８－１０２３３号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子を水分や酸素等からの保護するために、有機ＥＬ素子を設けた素子基板と封止基板とが枠状のシール材を介して貼り合わせられ、素子基板及び封止基板の間のシール材に囲まれた領域に水分や酸素等を吸着させるゲッター機能を有する充填材が充填されたパネル構造が提案されている。このパネル構造では、素子基板及び封止基板の間に充填された充填材を構成する樹脂材料を硬化させた際の収縮量が、素子基板上に形成された表面形状に起因して、素子基板上の位置によってかなり異なるので、素子基板と充填材との間に局所的な剥離が発生するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、素子基板と硬化型樹脂製の充填材との間の局所的な剥離を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が設けられた素子基板と、素子基板の有機ＥＬ素子が設けられた側に対向するように設けられた封止基板と、素子基板及び封止基板の間に有機ＥＬ素子を囲むように枠状に設けられたシール材と、素子基板及び封止基板の間のシール材に囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材とを備え、封止基板には、素子基板の表面形状に係合する構造体が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、素子基板の表面形状に係合する構造体が封止基板に設けられているので、素子基板と硬化型樹脂製の充填材との間の局所的な剥離を抑制することができる。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の端部の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するエッジカバーと構造体の凸部との平面的な位置関係を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための他の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を説明するための断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図８は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの端部の断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層１６ａの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するエッジカバー１５ａと構造体３１ａの凸部Ｃとの平面的な位置関係を示す平面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１～図３に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板３０ａ及び封止基板４０ａと、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間に枠状に設けられたシール材４５ａと、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間のシール材４５ａに囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材４６ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、シール材４５ａの内側に画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　素子基板３０ａは、図２に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上に設けられた下地膜１１と、下地膜１１上に設けられた有機ＥＬ素子２０ａと、有機ＥＬ素子２０ａを覆うように設けられた封止膜２１ａとを備えている。
　絶縁基板１０ａは、例えば、プラスチック基板等の透明な可撓性基板である。
　下地膜１１は、例えば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁膜である。
　有機ＥＬ素子２０ａは、図２に示すように、各サブ画素毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（thin film transistor）１２と、層間絶縁膜１３と、マトリクス状に設けられた複数の第１電極１４と、エッジカバー１５ａと、各サブ画素にそれぞれ設けられた複数の有機ＥＬ層１６ａと、第２電極１７ａとを備えている。
　ＴＦＴ１２は、図２に示すように、下地膜１１上に設けられている。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、下地膜１１上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なるように設けられた半導体層と、半導体層上に互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴを例示したが、ＴＦＴ１２は、トップゲート型のＴＦＴであってもよい。
　層間絶縁膜１３は、図２に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、層間絶縁膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の透明な有機樹脂材料により構成されている。
　第１電極１４は、図２に示すように、層間絶縁膜１３上に各サブ画素に設けられている。また、第１電極１４は、図２に示すように、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６ａにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６ａへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５ａは、図２及び図５に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５ａを構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　有機ＥＬ層１６ａは、図４に示すように、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５が順に積層された積層体である。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６ａとのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６ａへの正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６ａへの正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７ａによる電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７ａから正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７ａと有機ＥＬ層１６ａとのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７ａから有機ＥＬ層１６ａへ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２０ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７ａは、図２に示すように、各有機ＥＬ層１６ａ及びエッジカバー１５ａを覆うように設けられている。また、第２電極１７ａは、有機ＥＬ層１６ａに電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７ａは、有機ＥＬ層１６ａへの電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７ａは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７ａは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２１ａは、図２に示すように、有機ＥＬ素子２０ａを覆うように設けられている。そして、封止膜２１ａは、有機ＥＬ素子２０ａを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜２１ａを構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　上記構成の素子基板３０ａでは、図２に示すように、エッジカバー１５ａの格子間が凹状に形成され、表面凹凸Ａを構成する凹状空間Ｂとなっている。なお、凹状空間Ｂの大きさは、例えば、縦２５０μｍ×横５０μｍ×深さ１μｍ程度である。
　封止基板４０ａは、図２に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に設けられた構造体３１ａとを備えている。
　絶縁基板１０ｂは、例えば、プラスチック基板等の透明な可撓性基板である。
　構造体３１ａは、素子基板３０ａの表面形状、すなわち、表面凹凸Ａに係合するように設けられている。ここで、構造体３１ａは、マトリクス状に設けられた複数の凸部Ｃを備えている。そして、構造体３１ａの各凸部Ｃは、図２に示すように、有機ＥＬ層１６ａに重なると共に、素子基板３０ａに形成された各凹状空間Ｂに嵌合するように設けられている。また、構造体３１ａを構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。また、構造体３１ａは、透明な材料により形成されていることが好ましい。なお、凸部Ｃの大きさは、例えば、縦２５０μｍ×横５０μｍ×高さ１μｍ程度である。
　シール材４５ａは、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａを基板周縁部で互いに接着するように設けられている。ここで、シール材４５ａを形成する材料としては、例えば、紫外線硬化性及び／又は熱硬化性を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
　充填材４６ａは、水分や酸素等を吸着させるゲッター機能を有している。ここで、充填材４６ａを構成する材料としては、例えば、熱硬化性を有するエポキシ樹脂やシリコン樹脂等が挙げられる。また、充填材４６ａには、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような金属酸化物、活性炭、シリカゲル、ゼオライト等が含有されている。ここで、充填材４６ａの厚さは、構造体３１ａの各凸部Ｃの高さよりも小さくなっていることが好ましい。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、図６及び図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を説明するための装置中央部及び装置端部における断面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例を説明するための断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、素子基板作製工程、封止基板作製工程及び貼り合わせ工程を備える。
　＜素子基板作製工程＞
　例えば、プラスチック基板等の絶縁基板１０ａの表面に、周知の方法を用いて、下地膜１１、有機ＥＬ素子２０ａ（ＴＦＴ１２、層間絶縁膜１３、第１電極１４、エッジカバー１５ａ、有機ＥＬ層１６ａ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極１７ａ）及び封止膜２１ａを形成することにより、素子基板３０ａを作製する。
　＜封止基板作製工程＞
　例えば、プラスチック基板等の絶縁基板１０ｂの表面に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、蒸着法、スパッタリング法、塗布法等により、有機膜又は無機膜
をマスクを用いて成膜することにより、構造体３１ａを形成して、封止基板４０ａを作製する。
　＜貼り合わせ工程＞
　まず、上記素子基板作製工程で作製された素子基板３０ａの表面に、図６に示すように、例えば、ディスペンサ方式により、シール樹脂４５を枠状に配置すると共に、シール樹脂４５の内側に充填樹脂４６を滴下して配置する。
　続いて、シール樹脂４５及び充填樹脂４６が配置された素子基板３０ａと、上記封止基板作製工程で作製された封止基板４０ａとを、図５及び図６に示すように、素子基板３０ａの各凹状空間Ｂと封止基板４０ａの各凸部Ｃとが互いに嵌合するように位置合わせして、例えば、１Ｐａ～３０Ｐａ程度の減圧雰囲気で貼り合わせる。その後、その減圧雰囲気を開放することにより、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの外側の表面を加圧する。
　さらに、例えば、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａに挟まれたシール樹脂４５に紫外線を照射した後に、被照射パネルを加熱することにより、シール樹脂４５及び充填樹脂４６を硬化させて、シール材４５ａ及び充填材４６ａを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。なお、上述した実施形態では、絶縁基板１０ｂの表面にマスクを用いて構造体３１ａを形成することにより、封止基板４０ａを作製する方法を例示したものの、図８に示すように、絶縁基板１０ｂに構造体３１ａを形成する際に、他の構造体３１ａａをシール樹脂４５（シール材４５ａ）に重なるように形成してもよい。この構成によれば、有機ＥＬ表示装置５０ａの周端部にシール材４５ａだけでなくシール材４５ａよりも硬い他の構造体３１ａａも配置されるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの周端部を補強することができる。
　以上に説明した本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、以下の効果を得ることができる。
　（１）本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、素子基板３０ａには、有機ＥＬ素子２０ａの形状による表面凹凸Ａが形成されている。ここで、有機ＥＬ素子２０ａが設けられた素子基板３０ａでは、有機ＥＬ素子２０ａの一部として、複数の第1電極１４がマトリクス状に設けられていると共に、各第1電極１４の周端部を覆うようにエッジカバー１５ａが格子状に設けられている。そのため、素子基板３０ａでは、エッジカバー１５ａの格子間が凹状に形成され、表面凹凸Ａを構成する凹状空間Ｂとなっている。一方、封止基板４０ａには、素子基板３０ａの表面形状に係合する構造体３１ａが設けられている。ここで、構造体３１ａは、マトリクス状に設けられた複数の凸部Ｃを備えている。そして、構造体３１ａの各凸部Ｃは、素子基板３０ａに形成された各凹状空間Ｂに嵌合するように設けられている。これにより、硬化型樹脂製の充填材４６ａは、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間のシール材４５ａに囲まれた領域において、均一な厚さに充填され易くなるので、充填材４６ａを構成する充填樹脂４６を硬化させた際の収縮量がシール材４５ａに囲まれた領域内で一定になり易い。その結果、素子基板３０ａ及び封止基板４０ａの間のシール４５ａに囲まれた領域に設けられた充填材４６ａは、硬化させた際の局所的に大きな収縮が抑制されるので、素子基板３０ａと硬化型樹脂製の充填材４６ａとの間の局所的な剥離を抑制することができる。なお、硬化型樹脂製の充填材が均一な厚さで充填されていない場合には、相対的に厚く充填された箇所で収縮量が相対的に大きくなるので、その相対的に大きく収縮された箇所において、素子基板と硬化型樹脂製の充填材との間の局所的な剥離が発生し易い。
　（２）本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、素子基板３０ａにおいて、有機ＥＬ素子２０ａを覆うように封止膜２１ａが設けられているので、有機ＥＬ素子２０ａを水分や酸素からいっそう保護することができる。
　《第２の実施形態》
　図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、エッジカバー１５ａの内壁が直立した有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、エッジカバー１５ｂの内壁が傾斜した有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂと、素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂの間に枠状に設けられたシール材４５ａと、素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂの間のシール材４５ａに囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材４６ｂとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、シール材４５ａの内側に画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。
　素子基板３０ｂは、図９に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上に設けられた下地膜１１と、下地膜１１上に設けられた有機ＥＬ素子２０ｂと、有機ＥＬ素子２０ｂを覆うように設けられた封止膜２１ｂとを備えている。
　有機ＥＬ素子２０ｂは、図９に示すように、複数のＴＦＴ１２と、層間絶縁膜１３と、複数の第１電極１４と、エッジカバー１５ｂと、複数の有機ＥＬ層１６ｂと、第２電極１７ｂとを備えている。
　エッジカバー１５ｂは、図９に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５ｂを構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等が挙げられる。また、エッジカバー１５ｂの内壁は、図９に示すように、その下部が突出するように、例えば、基板表面に対して６０°～７０°程度傾斜している。
　有機ＥＬ層１６ｂは、図９に示すように、エッジカバー１５ｂの傾斜した内壁に接触する周縁部の形状以外、上記実施形態１で説明した有機ＥＬ層１６ａと実質的に同じである。
　第２電極１７ｂは、図９に示すように、各有機ＥＬ層１６ｂ及びエッジカバー１５ｂを覆うように設けられている。ここで、第２電極１７ｂは、図９に示すように、有機ＥＬ層１６ｂ及びエッジカバー１５ｂの形状に係合する横断面の形状以外、上記実施形態１で説明した第２電極１７ａと実質的に同じである。
　封止膜２１ｂは、図９に示すように、有機ＥＬ素子２０ｂを覆うように設けられている。ここで、封止膜２１ｂは、第２電極１７ｂの形状に係合する横断面の形状以外、上記実施形態１で説明した封止膜２１ａと実質的に同じである。
　上記構成の素子基板３０ｂでは、図９に示すように、エッジカバー１５ｂの格子間が凹状に形成され、表面凹凸Ａを構成する凹状空間Ｂとなっている。ここで、凹状空間Ｂは、図９に示すように、底部に向かって次第に狭くなるように側壁（エッジカバー１５ｂの内壁）が傾斜して形成されている。
　封止基板４０ｂは、図９に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に設けられた構造体３１ｂとを備えている。
　構造体３１ｂは、素子基板３０ｂの表面形状、すなわち、表面凹凸Ａに係合するように設けられている。ここで、構造体３１ｂは、マトリクス状に設けられた複数の凸部Ｃを備えている。そして、構造体３１ｂの各凸部Ｃは、素子基板３０ｂに形成された各凹状空間Ｂに嵌合するように、頂部に向かって次第に細くなるように側壁が傾斜して設けられている。また、構造体３１ｂは、素子基板３０ｂの凹状空間Ｂに係合する横断面の形状以外、上記実施形態１で説明した構造体３１ａと実質的に同じである。
　充填材４６ｂは、水分や酸素等を吸着させるゲッター機能を有している。ここで、充填材４６ｂは、素子基板３０ｂの凹状空間Ｂ及び封止基板４０ｂの構造体３１ｂに係合する横断面の形状以外、上記実施形態１で説明した充填材４６ａと実質的に同じである。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、エッジカバー１５ｂ及び構造体３１ｂの厚さ方向の形状を変更するだけで、上記実施形態１で説明した製造方法を用いて、製造することができる。
　以上に説明した本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、上述の（１）及び（２）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（３）本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、各凹状空間Ｂは、底部に向かって次第に狭くなるように側壁が傾斜して形成され、各凸部Ｃは、頂部に向かって次第に細くなるように側壁が傾斜して形成されている。そのため、素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂを貼り合わせる際には、充填材４６ｂを構成する充填樹脂を素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂの間で凹状空間Ｂ及び凸部Ｃの傾斜した側壁に沿って容易に広げることができる。これにより、硬化型樹脂製の充填材４６ｂは、素子基板３０ｂ及び封止基板４０ｂの間のシール材４５ａに囲まれた領域において、均一な厚さにいっそう充填され易くなるので、素子基板３０ｂと硬化型樹脂製の充填材４６ｂとの間の局所的な剥離をいっそう抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの断面図である。
　上記実施形態１及び２では、平板状に形成された有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂをそれぞれ例示したが、本実施形態では、曲面状に形成された有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１０に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板３０ｃ及び封止基板４０ｃと、素子基板３０ｃ及び封止基板４０ｃの間に枠状に設けられたシール材４５ａと、素子基板３０ｃ及び封止基板４０ｃの間のシール材４５ａに囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材４６ｃとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、シール材４５ａの内側に画像表示を行う表示領域が矩形状に規定され、その表示領域には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。
　素子基板３０ｃは、上記実施形態１の素子基板３０ａ、又は上記実施形態２の素子基板３０ｂである。
　封止基板４０ｃは、素子基板３０ｃの表面形状に係合する構造体が設けられた上記実施形態１の封止基板４０ａ、又は上記実施形態２の封止基板４０ｂである。
　充填材４６ｃは、素子基板３０ｃの表面形状に係合する上記実施形態１の充填材４６ａ、又は上記実施形態２の充填材４６ｂである。
　以上に説明した本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、上述の（１）～（３）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（４）本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、素子基板３０ｃと硬化型樹脂製の充填材４６ｃとの間の局所的な剥離を抑制することができるので、曲面状に変形させた状態で保持されていても、表示性能を維持することができる。
　なお、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、素子基板にシール樹脂及び充填樹脂を配置する有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示したが、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、封止基板にシール樹脂及び充填樹脂を配置する製造方法であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、素子基板と硬化型樹脂製の充填材との間の局所的な剥離が抑制されるので、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置について有用である。
Ａ　　　　表面凹凸
Ｂ　　　　凹状空間
Ｃ　　　　凸部
１４　　　第１電極
１５ａ，１５ｂ　　エッジカバー
２０ａ，２０ｂ　　有機ＥＬ素子
２１ａ，２１ｂ　　封止膜
３０ａ～３０ｃ　　素子基板
３１ａ，３１ｂ　　構造体
３１ａａ　　　　　他の構造体
４０ａ～４０ｃ　　封止基板
４５ａ　　シール材
４６ａ～４６ｃ　　充填材
５０ａ～５０ｃ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (7)

  1. 　有機ＥＬ素子が設けられた素子基板と、
    　前記素子基板の前記有機ＥＬ素子が設けられた側に対向するように設けられた封止基板と、
    　前記素子基板及び封止基板の間に前記有機ＥＬ素子を囲むように枠状に設けられたシール材と、
    　前記素子基板及び封止基板の間の前記シール材に囲まれた領域に設けられた硬化型樹脂製の充填材とを備え、
    　前記封止基板には、前記素子基板の表面形状に係合する構造体が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記素子基板には、前記有機ＥＬ素子の形状による表面凹凸が形成され、
    　前記構造体は、前記表面凹凸に嵌合するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　前記素子基板には、前記有機ＥＬ素子の一部として、複数の電極がマトリクス状に設けられていると共に、該各電極の周縁部を覆うようにエッジカバーが格子状に設けられ、
    　前記構造体は、前記エッジカバーの格子間の凹状空間に嵌合するように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記構造体は、複数の前記凹状空間にそれぞれ嵌合するように、マトリクス状に設けられた複数の凸部を備えていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記各凹状空間は、底部に向かって次第に狭くなるように側壁が傾斜して形成され、
    　前記各凸部は、頂部に向かって次第に細くなるように側壁が傾斜して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記素子基板では、前記有機ＥＬ素子を覆うように封止膜が設けられていることを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　前記封止基板には、前記シール材に重なるように他の構造体が設けられていることを特徴とする請求項１～６の何れか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
PCT/JP2015/005943 2014-12-05 2015-11-30 有機ｅｌ表示装置 Ceased WO2016088350A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-246888 2014-12-05
JP2014246888 2014-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016088350A1 true WO2016088350A1 (ja) 2016-06-09

Family

ID=56091313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/005943 Ceased WO2016088350A1 (ja) 2014-12-05 2015-11-30 有機ｅｌ表示装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2016088350A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006012742A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法ならびに封止空間充填部材およびその製造方法
JP2010287421A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2011181304A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2011210430A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Canon Inc 気密容器の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006012742A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法ならびに封止空間充填部材およびその製造方法
JP2010287421A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2011181304A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2011210430A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Canon Inc 気密容器の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9735393B2 (en) Organic electroluminescent display device
US10236459B2 (en) Display device and method for producing same
US10181580B2 (en) Organic EL display device
KR20120077470A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20200020880A1 (en) Display device
US10355244B2 (en) Organic EL display device
WO2018229991A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2017002372A1 (ja) 表示装置の製造方法
WO2016143316A1 (ja) 薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置
US10468467B2 (en) Organic electroluminescence display device
KR20140109181A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2016132721A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
WO2018061056A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20190036077A1 (en) Method for producing organic el display device, and organic el display device
WO2019163134A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2017033440A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
WO2016147645A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
WO2016166958A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US10673017B2 (en) Organic EL display device
WO2018179288A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019138579A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2016088350A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US11508921B2 (en) Display device and method for manufacturing same where a resin layer containing air bubbles
WO2019142261A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2017159502A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15864695

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15864695

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1