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WO2018229991A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2018229991A1
WO2018229991A1 PCT/JP2017/022402 JP2017022402W WO2018229991A1 WO 2018229991 A1 WO2018229991 A1 WO 2018229991A1 JP 2017022402 W JP2017022402 W JP 2017022402W WO 2018229991 A1 WO2018229991 A1 WO 2018229991A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
organic
layer
wall
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2017/022402
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
博己 谷山
達 岡部
遼佑 郡司
信介 齋田
彬 井上
芳浩 仲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to PCT/JP2017/022402 priority Critical patent/WO2018229991A1/ja
Priority to US16/467,159 priority patent/US10734602B2/en
Publication of WO2018229991A1 publication Critical patent/WO2018229991A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
  • a self-luminous organic EL display device using an organic EL (electroluminescence) element has attracted attention as a display device that replaces a liquid crystal display device.
  • organic EL display device in order to suppress deterioration of the organic EL element due to mixing of moisture, oxygen, or the like, a sealing structure in which a sealing film that covers the organic EL element is configured by a laminated film of an inorganic layer and an organic layer. has been proposed.
  • Patent Document 1 As a material applicable to the organic layer of the sealing film, for example, in Patent Document 1, an organic EL display element that can be easily applied by an inkjet method and has excellent curability, transparency of a cured product, and barrier properties A sealant for use is disclosed.
  • the film formability of the organic layer formed by the ink jet method is easily affected by the state of the film formation surface, and therefore it is difficult to accurately form the peripheral edge (edge) of the organic layer.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to realize a narrow frame by accurately forming the peripheral end portion of the organic layer constituting the sealing film. .
  • a display device includes a base substrate, a plurality of switching elements provided on the base substrate, and a plurality of switching elements provided on the plurality of switching elements.
  • a planarizing film for planarizing a surface shape, a light emitting element provided on the planarizing film and including a partition, and a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer provided to cover the light emitting element A display device comprising a sealing film laminated in order, and a display region for displaying an image and a frame region around the display region, wherein the frame region is formed of a first organic material.
  • Second barrier wall that overlaps the edge of the peripheral edge Is provided, it said second Sekitomekabe is characterized in that it comprises the bottom portion which is formed of a material constituting a part of each switching element to the base substrate side.
  • the first dam wall and the second dam wall are provided in the frame region, and the second dam wall includes a bottom portion formed of a material constituting a part of the switching element. Therefore, the peripheral edge part of the organic layer which comprises a sealing film can be formed accurately, and a narrow frame can be implement
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region of the first modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region of the second modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a frame region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a frame region of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a frame region of an organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30a along II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the display region D of the organic EL display device 30a.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 16 constituting the organic EL display device 30a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region F of the organic EL display device 30a.
  • 6 and 7 are cross-sectional views showing a detailed configuration of the frame region F of the organic EL display devices 30aa and 30ab which are the first and second modified examples of the organic EL display device 30a.
  • the organic EL display device 30 a includes a base substrate 10, an organic EL element 18 provided on the base substrate 10 via a base coat film 11, a first barrier wall Wa, and a second A dam wall Wb and a sealing film 22a provided to cover the organic EL element 18, the first dam wall Wa, and the second dam wall Wb are provided.
  • a display area D for image display is defined in a rectangular shape, and a plurality of pixels are arranged in a matrix in the display area D.
  • each pixel for example, a sub-pixel for performing red gradation display, a sub-pixel for performing green gradation display, and a sub-pixel for performing blue gradation display are adjacent to each other. It is arranged. Further, in the organic EL display device 30a, as shown in FIGS. 1 and 2, a frame-shaped frame region F is defined around the display region D.
  • the frame region F includes a first blocking wall Wa and a second A dam wall Wb is provided.
  • the base substrate 10 has flexibility, and is, for example, a plastic substrate made of polyimide resin or a glass substrate.
  • the base coat film 11 is, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the organic EL element 18 is provided in the display region D, and as shown in FIG. 3, a plurality of TFTs 12, a planarizing film 13, and a plurality of first electrodes sequentially provided on the base coat layer 11. 14, a partition wall 15, a plurality of organic EL layers 16, and a second electrode 17.
  • the TFT 12 is a switching element provided for each sub-pixel of the display area D.
  • the TFT 12 includes, for example, a gate electrode provided on the base coat film 11, a gate insulating film provided so as to cover the gate electrode, and a semiconductor layer provided on the gate insulating film so as to overlap the gate electrode. And a source electrode and a drain electrode provided on the semiconductor layer so as to face each other.
  • the bottom gate type TFT 12 is illustrated, but the TFT 12 may be a top gate type TFT.
  • the flattening film 13 is provided so as to flatten the surface shape of each TFT 12 by covering a portion other than a part of the drain electrode of each TFT 12.
  • the planarizing film 13 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material (first organic material) such as an acrylic resin.
  • the planarizing film 13 is formed so that the end surface thereof is almost upright by raising the temperature for baking the organic resin material to a high temperature (about 250 ° C.).
  • the plurality of first electrodes 14 are provided as a plurality of pixel electrodes in a matrix on the planarizing film 13 so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the planarizing film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
  • the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the partition wall 15 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral edge portion of each first electrode 14.
  • the material constituting the partition wall 15 include silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) such as silicon oxide (SiO 2 ), trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ), and silicon oxynitride.
  • silicon nitride SiNx (x is a positive number)
  • silicon oxide SiO 2
  • Si 3 N 4 trisilicon tetranitride
  • silicon oxynitride silicon oxynitride
  • examples thereof include an inorganic insulating material such as (SiNO), or an organic resin material (second organic material) such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolac resin.
  • the plurality of organic EL layers 16 are arranged on each first electrode 14 and are provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the organic EL layer 16 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer provided in this order on the first electrode 14. 5 is provided.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 close to each other.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17, holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other, and improving the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 17 into the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 18 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
  • Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
  • the second electrode 17 covers each organic EL layer 16 and the partition wall 15 and is provided so as to be common to a plurality of subpixels.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably composed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • the second electrode 17 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. .
  • the second electrode 17 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the first dam wall Wa is provided so as to surround the display area D as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 5, the first dam wall Wa is in contact with a peripheral end portion R of an organic layer 20a (described later) of the sealing film 22a via a first inorganic layer 19a (described later) of the sealing film 22a.
  • the organic layer 20a is provided so as to overlap with the peripheral end R.
  • the first dam wall Wa, the second dam wall Wb, and the third dam wall Wc formed in a frame shape are illustrated, but the first dam wall Wa, The second dam wall Wb and the third dam wall Wc may be formed intermittently along the periphery of the display region D, for example.
  • the first dam wall Wa is constituted by a planarization layer 13 a formed in the same layer with the same material as the planarization film 13.
  • a first metal layer 12ba may be provided between the base substrate 10 (the upper base coat film 11) and the first dam wall Wa as shown in FIG.
  • the first metal layer 12ba is formed in the same layer with the same material as the capacitor line and the gate electrode of the TFT 12, for example, and as shown in FIG. 6, the peripheral end face is outside the peripheral end face of the planarizing layer 13a. It arrange
  • an inorganic insulating film that becomes the first inorganic layer 19a can be formed while suppressing the formation of voids.
  • the second dam wall Wb is provided so as to surround the first dam wall Wa as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 5, the second blocking wall Wb is in contact with the peripheral end portion R of the organic layer 20a via the first inorganic layer 19a and overlaps the edge of the peripheral end portion R of the organic layer 20a. It is provided as follows.
  • the second barrier wall Wb is formed of the same material as the source electrode of the TFT 12 in the same layer and the same material as the partition wall 15 provided on the bottom portion 12 a. And a top portion 15a formed in the same layer.
  • the angle formed between the surface of the base substrate 10 and the side surface of the top portion 15a is, for example, 70 degrees or more.
  • the bottom portion 12a formed in the same layer with the same material as the source electrode of the TFT 12 is illustrated, but the bottom portion 12a is the same as the gate electrode when a top gate type TFT is used, for example. You may form in the same layer with material.
  • a second metal layer 12bb may be provided between the base coat film 11 (the upper base coat film 11) and the top portion 15a of the second blocking wall Wb.
  • the second metal layer 12bb is formed in the same layer with the same material as the capacitor line and the gate electrode of the TFT 12, and as shown in FIG. 7, the outer peripheral end surface thereof corresponds to the peripheral end surface of the top portion 15a.
  • an inorganic insulating film that becomes the first inorganic layer 19a can be formed on the surface of the substrate on which the top portion 15a is formed in a convex shape while suppressing the formation of voids.
  • the sealing film 22a includes a first inorganic layer 19a provided so as to cover the organic EL element 18, an organic layer 20a provided on the first inorganic layer 19a, and an organic layer And a second inorganic layer 21a provided to cover the layer 20a.
  • the first inorganic layer 19a and the second inorganic layer 21a are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second inorganic layer 21a is preferably composed of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • the organic layer 20a is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the organic EL display device 30a described above has flexibility, and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the manufacturing method of the organic EL display device 30a of this embodiment includes an organic EL element forming step and a sealing film forming step.
  • the base coat film 11, the organic EL element 18 (TFT 12, the planarization film 13, the first electrode 14, the partition 15, the organic EL layer 16 (positive) are formed on the surface of the base substrate 10 made of polyimide resin using a known method.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), the second electrode 17), the first blocking wall Wa, and the second blocking wall Wb are formed.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about several tens of nm to several ⁇ m by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) so as to cover the organic EL element 18 formed in the organic EL element forming step.
  • the first inorganic layer 19a is formed by forming a film.
  • an organic resin material such as acrylate is ejected to the thickness of about several ⁇ m to several tens of ⁇ m by an inkjet method over the entire surface of the substrate on which the first inorganic layer 19a is formed, thereby forming the organic layer 20a.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed on the substrate on which the organic layer 20a is formed to a thickness of about several tens of nm to several ⁇ m by the plasma CVD method to form the second inorganic layer 21a.
  • the sealing film 22a which consists of the 1st inorganic layer 19a, the organic layer 20a, and the 2nd inorganic layer 21a is formed.
  • the organic EL display device 30a of this embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 30a of the present embodiment As described above, according to the organic EL display device 30a of the present embodiment, the following effects (1) to (3) can be obtained.
  • the second barrier wall Wb that overlaps the edge of the peripheral end R of the organic layer 20a of the sealing film 22a constitutes the partition wall 15 and the bottom portion 12a formed of the material constituting the source electrode of the TFT 12. And a top portion 15a made of a material.
  • the end surface of the top portion 15a formed at the same time as the partition wall 15 is formed so as to be inclined so that the lower end thereof is widened, but the bottom surface formed at the same time as the source electrode of the TFT 12 is formed. Since the end surface of the part 12a is formed substantially upright, the damming effect by the second damming wall Wb can be improved.
  • the substrate on which the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are formed it is possible to suppress the spread of the organic resin material that is discharged by the ink jet method and becomes the organic layer 20a to the periphery.
  • the peripheral end portion of the organic layer 20a of the sealing film 22a can be formed with high accuracy.
  • the distance between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb can be designed to be narrow, that is, the width of the frame region F can be designed to be narrow, so that the periphery of the organic layer 20a constituting the sealing film 22a can be designed.
  • a narrow frame can be realized by accurately forming the end portion.
  • the second inorganic layer 21a is formed of a silicon nitride film having a high barrier property
  • the second inorganic layer 21a is provided so as to cover the organic layer 20a.
  • the stopping performance can be improved.
  • FIG. 8 shows a second embodiment of the organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region F of the organic EL display device 30b of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 30a including the second dam wall Wb having the bottom portion 12a and the top portion 15a is exemplified.
  • the bottom portion 12a, the middle portion 13b, and the top portion are illustrated.
  • An organic EL display device 30b including a second blocking wall Wb having a portion 15b is illustrated.
  • the organic EL display device 30 b includes a base substrate 10, an organic EL element 18 (see FIG. 2 and the like) provided on the base substrate 10 with a base coat film 11 interposed therebetween, and a first dam wall Wa. And a second barrier wall Wb, and a sealing film 22b provided to cover the organic EL element 18, the first barrier wall Wa, and the second barrier wall Wb.
  • a frame-shaped frame region F is defined around a rectangular display region D that performs image display. In the region F, a first dam wall Wa and a second dam wall Wb are provided.
  • the first dam wall Wa is in contact with the peripheral end R of the organic layer 20a of the sealing film 22b via a first inorganic layer 19b (to be described later) of the sealing film 22b. It is provided so as to overlap the peripheral end R of 20a.
  • the second blocking wall Wb is in contact with the peripheral end R of the organic layer 20a of the sealing film 22b via the first inorganic layer 19b of the sealing film 22b. It is provided so as to overlap the edge of the peripheral end R.
  • the second blocking wall Wb includes a bottom portion 12 a formed in the same layer with the same material as the source electrode of the TFT 12, and a planarizing film 13 provided on the bottom portion 12 a.
  • the middle part 13b formed in the same layer by the same material, and the top part 15b provided in the same layer by the same material as the partition 15 provided on the middle part 13b are provided.
  • the sealing film 22b includes a first inorganic layer 19b provided to cover the organic EL element 18, an organic layer 20a provided on the first inorganic layer 19b, and an organic layer 20a. And a second inorganic layer 21b provided so as to cover it.
  • the first inorganic layer 19b and the second inorganic layer 21b are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second inorganic layer 21b is preferably made of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • the organic EL display device 30b described above has flexibility, and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the organic EL display device 30b of the present embodiment changes, for example, the pattern shape when forming the planarization film 13 and the partition 15 in the method of manufacturing the organic EL display device 30a described in the first embodiment. Can be manufactured.
  • the effects (1) and (2) described above and the following effect (3) can be obtained.
  • the second dam wall Wb overlapping the edge of the peripheral end portion R of the organic layer 20a of the sealing film 22b includes a bottom portion 12a formed of a material constituting the source electrode of the TFT 12, A middle portion 13 b formed in the same layer with the same material as the planarizing film 13 and a top portion 15 b formed with a material constituting the partition wall 15 are provided.
  • the end surface of the top portion 15b formed at the same time as the partition wall 15 is formed so as to be inclined so that the lower end thereof is widened, but the bottom surface formed at the same time as the source electrode of the TFT 12 is formed.
  • the damming effect by the second damming wall Wb can be improved. Thereby, on the substrate on which the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are formed, it is possible to suppress the spread of the organic resin material that is discharged by the ink jet method and becomes the organic layer 20a to the periphery.
  • the peripheral end portion of the organic layer 20a of the sealing film 22b can be formed with high accuracy.
  • the distance between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb can be designed to be narrow, that is, the width of the frame region F can be designed to be narrow, so that the periphery of the organic layer 20a constituting the sealing film 22b can be designed.
  • a narrow frame can be realized by accurately forming the end portion.
  • the second inorganic layer 21b is formed of a silicon nitride film having a high barrier property
  • the second inorganic layer 21b is provided so as to cover the organic layer 20a.
  • the sealing performance by the stop film 22b can be improved.
  • the second blocking wall Wb is formed higher than the second blocking wall Wb of the first embodiment by the thickness of the middle portion 13b, the blocking effect by the second blocking wall Wb. Can be further improved.
  • FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30c of the present embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region F of the organic EL display device 30c.
  • the organic EL display devices 30a and 30b including the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are exemplified.
  • the first dam wall is provided.
  • An organic EL display device 30c including Wa, a second dam wall Wb, and a third dam wall Wc is illustrated.
  • the organic EL display device 30 c includes a base substrate 10, an organic EL element 18 (see FIG. 2 and the like) provided on the base substrate 10 with a base coat film 11 interposed therebetween, a first weir Stop wall Wa, second dam wall Wb, and third dam wall Wc, and sealing film 22c provided to cover organic EL element 18, first dam wall Wa, and second dam wall Wb I have.
  • a frame-shaped frame region F is defined around a rectangular display region D that performs image display. In the region F, a first dam wall Wa, a second dam wall Wb, and a third dam wall Wc are provided.
  • the first barrier wall Wa is in contact with the peripheral end portion R of the organic layer 20a of the sealing film 22c via a first inorganic layer 19c described later of the sealing film 22c, and the organic layer It is provided so as to overlap the peripheral end R of 20a.
  • the second blocking wall Wb is in contact with the peripheral end R of the organic layer 20a of the sealing film 22c via the first inorganic layer 19c of the sealing film 22c, and It is provided so as to overlap the edge of the peripheral end R.
  • the second blocking wall Wb is formed of the same material as the source electrode of the TFT 12 in the same layer and the same material as the partition wall 15 provided on the bottom portion 12a. And a top portion 15a formed in the same layer.
  • the third dam wall Wc is provided so as to surround the second dam wall Wb as shown in FIG.
  • the third blocking wall Wc includes a bottom portion 12 b formed in the same layer with the same material as the source electrode of the TFT 12, and a planarizing film 13 provided on the bottom portion 12 b.
  • a middle portion 13c formed in the same layer with the same material, and a top portion 15c provided on the middle portion 13c and formed in the same layer with the same material as the partition wall 15 are provided.
  • the sealing film 22c includes a first inorganic layer 19c provided so as to cover the organic EL element 18, an organic layer 20a provided on the first inorganic layer 19c, and an organic layer 20a. And a second inorganic layer 21c provided to cover.
  • the first inorganic layer 19c and the second inorganic layer 21c are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second inorganic layer 21c is preferably made of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • the organic EL display device 30c described above has flexibility, and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the organic EL display device 30c of the present embodiment changes, for example, the pattern shape when forming the planarization film 13 and the partition 15 in the method of manufacturing the organic EL display device 30a described in the first embodiment. Can be manufactured.
  • the effects (1) and (2) described above and the following effect (4) can be obtained.
  • the second blocking wall Wb that overlaps the edge of the peripheral end portion R of the organic layer 20a of the sealing film 22c includes a bottom portion 12a formed of a material constituting the source electrode of the TFT 12, And a top portion 15a formed of a material constituting the partition wall 15.
  • the end surface of the top portion 15a formed at the same time as the partition wall 15 is formed so as to be inclined so that the lower end thereof is widened, but the bottom surface formed at the same time as the source electrode of the TFT 12 is formed. Since the end surface of the part 12a is formed substantially upright, the damming effect by the second damming wall Wb can be improved.
  • the substrate on which the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are formed it is possible to suppress the spread of the organic resin material that is discharged by the ink jet method and becomes the organic layer 20a to the periphery.
  • the peripheral end portion of the organic layer 20a of the sealing film 22c can be formed with high accuracy.
  • the distance between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb can be designed to be narrow, that is, the width of the frame region F can be designed to be narrow, so that the periphery of the organic layer 20a constituting the sealing film 22c can be designed.
  • a narrow frame can be realized by accurately forming the end portion.
  • the second inorganic layer 21c is provided so as to cover the organic layer 20a when the second inorganic layer 21c is formed of a silicon nitride film having a high barrier property, sealing is performed.
  • the sealing performance by the stop film 22c can be improved.
  • the configuration in which the third dam wall Wc is added to the organic EL display device 30a of the first embodiment is exemplified.
  • the organic EL display device 30b of the second embodiment has a third configuration.
  • the structure which adds the dam wall Wc may be sufficient.
  • FIG. 11 shows a fourth embodiment of the organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the frame region F of the organic EL display device 30d of the present embodiment.
  • the organic EL display devices 30a to 30c in which the end surface of the bottom portion 12a of the second blocking wall Wb is upright are exemplified.
  • the second blocking wall Wb The organic EL display device 30d in which the end of the bottom portion 12c is formed in a bowl shape is illustrated.
  • the organic EL display device 30 d includes a base substrate 10, an organic EL element 18 (see FIG. 2 and the like) provided on the base substrate 10 via the base coat film 11, and a first barrier wall Wa. And a second barrier wall Wb, and a sealing film 22d provided so as to cover the organic EL element 18, the first barrier wall Wa, and the second barrier wall Wb.
  • a frame-shaped frame region F is defined around a rectangular display region D that performs image display.
  • a first dam wall Wa and a second dam wall Wb are provided in the region F.
  • the first barrier wall Wa is in contact with the peripheral end portion R of the organic layer 20d of the sealing film 22d via a first inorganic layer 19d described later of the sealing film 22d, and the organic layer It is provided so as to overlap the peripheral end R of 20d.
  • the second blocking wall Wb is in contact with the peripheral end R of the organic layer 20d of the sealing film 22d via the first inorganic layer 19d of the sealing film 22d, so that the organic layer 20d It is provided so as to overlap the edge of the peripheral end R.
  • the second barrier wall Wb is formed of the same material as the source electrode of the TFT 12 in the same layer and the same material as the partition wall 15 provided on the bottom portion 12c. And a top portion 15d formed in the same layer.
  • the bottom portion 12c includes a third conductive layer Ma provided on the base coat film 11 via an interlayer insulating film (not shown), and a first conductive provided on the third conductive layer Ma.
  • a layer Mb and a second conductive layer Mc provided on the first conductive layer Mb, the peripheral end surface of the first conductive layer Mb being inward of the peripheral end surfaces of the third conductive layer Ma and the second conductive layer Mc. Has been placed.
  • a configuration in which all of the peripheral end faces of the first conductive layer Mb are disposed inside the peripheral end faces of the third conductive layer Ma and the second conductive layer Mc is illustrated, but the first conductive layer Mb At least a part of the peripheral end surface of the second conductive layer Ma may be disposed inside the peripheral end surfaces of the third conductive layer Ma and the second conductive layer Mc.
  • the bottom portion 12c having the three-layer stacked structure in which the third conductive layer Ma, the first conductive layer Mb, and the second conductive layer Mc are sequentially stacked is illustrated.
  • a two-layer structure in which the conductive layer Mb and the second conductive layer Mc are sequentially stacked, and the peripheral end surface of the first conductive layer Mb is disposed inside the peripheral end surface of the second conductive layer Mc may be employed.
  • the third conductive layer Ma is made of, for example, a metal conductive film (thickness: about 100 nm) such as titanium.
  • the first conductive layer Mb is made of, for example, a metal conductive film (thickness: about 500 nm) such as aluminum.
  • the second conductive layer Mc is made of, for example, a metal conductive film (thickness of about 100 nm) such as titanium.
  • the bottom portion 12c composed of the third conductive layer Ma, the first conductive layer Mb, and the second conductive layer Mc is once formed with its end face substantially upright by dry etching when forming the TFT 12, A portion corresponding to the first conductive layer Mb is removed by wet etching when the first electrode 14 is formed, thereby forming a bowl shape.
  • the sealing film 22d includes a first inorganic layer 19d provided so as to cover the organic EL element 18, an organic layer 20d provided on the first inorganic layer 19d, and an organic layer 20d. And a second inorganic layer 21d provided so as to cover it.
  • the first inorganic layer 19d and the second inorganic layer 21d are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second inorganic layer 21d is preferably composed of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • the organic layer 20d is made of an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the organic EL display device 30d described above has flexibility, and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the organic EL display device 30d of this embodiment can be manufactured by changing the material constituting the source electrode of the TFT 12 in the method of manufacturing the organic EL display device 30a described in the first embodiment.
  • the effects (1) and (2) described above and the following effect (5) can be obtained.
  • the second dam wall Wb that overlaps the edge of the peripheral end R of the organic layer 20d of the sealing film 22d includes a bottom portion 12c formed of a material constituting the source electrode of the TFT 12, And a top portion 15 d formed of a material constituting the partition wall 15.
  • the end surface of the top portion 15d formed simultaneously with the partition wall 15 is formed so as to be inclined so that the lower end thereof is widened, but the bottom surface formed simultaneously with the source electrode of the TFT 12 is formed. Since the end surface of the part 12c is formed substantially upright, the damming effect by the second damming wall Wb can be improved.
  • the substrate on which the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb are formed it is possible to suppress the spreading of the organic resin material that is discharged by the ink jet method and becomes the organic layer 20d to the periphery.
  • the peripheral end portion of the organic layer 20d of the sealing film 22d can be formed with high accuracy.
  • the distance between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb can be designed to be narrow, that is, the width of the frame area F can be designed to be narrow, so that the periphery of the organic layer 20d constituting the sealing film 22d can be designed.
  • a narrow frame can be realized by accurately forming the end portion.
  • the second inorganic layer 21d is formed of a silicon nitride film having a high barrier property
  • the second inorganic layer 21d is provided so as to cover the organic layer 20d.
  • the sealing performance by the stop film 22d can be improved.
  • the configuration in which the end portion of the bottom portion 12a of the second blocking wall Wb of the organic EL display device 30a of the first embodiment is formed in a bowl shape is illustrated.
  • the bottom part 12b may have a bowl-shaped end.
  • the organic EL display devices 30a to 30d are exemplified.
  • the present invention is also applied to an organic EL display device in which combinations of constituent elements of the exemplified organic EL display devices 30a to 30d are freely changed. be able to.
  • an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
  • a three-layer structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
  • the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
  • the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device including the element substrate using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode is illustrated.
  • the present invention is not limited to the TFT connected to the first electrode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device including an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device is described as an example of the display device.
  • the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.
  • D display area F frame area Ma third conductive layer Mb second conductive layer Mc first conductive layer R peripheral edge Wa first dam wall Wb second dam wall Wc third dam wall 10 base substrate 12 TFT (switching element) 12a, 12c Bottom portion 12ba First metal layer 12bb Second metal layer 13 Planarizing films 13b, 13c Middle portion 14 First electrode (pixel electrode) 15 Partition 15a to 15d Top 18 Organic EL element (light emitting element) 19a to 19d First inorganic layers 20a and 20d Organic layers 21a to 21d Second inorganic layers 22a to 22d Sealing films 30a to 30d Organic EL display device

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Abstract

額縁領域（Ｆ）には、第１有機材料により形成されて表示領域（Ｄ）を囲むと共に有機層（２０ａ）の周端部（Ｒ）に重なる第１堰止壁（Ｗａ）と、第１堰止壁（Ｗａ）の周囲に第２有機材料により形成されたトップ部（１５ａ）を備えて有機層（２０ａ）の周端部（Ｒ）の縁に重なる第２堰止壁（Ｗｂ）とが設けられ、第２堰止壁（Ｗｂ）は、各スイッチング素子の一部を構成する材料により形成されたボトム部（１２ａ）をベース基板（１０）側に備えている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機層及び有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　上記封止膜の有機層に適用可能な材料として、例えば、特許文献１には、インクジェット法により容易に塗布することができ、硬化性、硬化物の透明性及びバリア性に優れる有機ＥＬ表示素子用封止剤が開示されている。
特開２０１４－２２５３８０号公報
　ところで、インクジェット法により形成される有機層の成膜性は、被成膜表面の状態の影響を受け易いので、その有機層の周端部（エッジ）を精度よく形成することが困難である。そうなると、有機層をある程度大きめに形成して、その有機層の下層の無機層を完全に覆う必要があるので、有機ＥＬ表示装置の狭額縁化が困難になってしまう。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、封止膜を構成する有機層の周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子上に設けられ、該複数のスイッチング素子による表面形状を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられ、隔壁を含む発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられ、第１無機層、有機層及び第２無機層が順に積層された封止膜とを備え、画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に額縁領域とが規定された表示装置であって、前記額縁領域には、第１有機材料により形成されて前記表示領域を囲むと共に前記有機層の周端部に重なる第１堰止壁と、該第１堰止壁の周囲に第２有機材料により形成されたトップ部を備えて前記有機層の周端部の縁に重なる第２堰止壁とが設けられ、前記第２堰止壁は、前記各スイッチング素子の一部を構成する材料により形成されたボトム部を前記ベース基板側に備えていることを特徴とする。
　本発明によれば、額縁領域に第１堰止壁及び第２堰止壁が設けられ、その第２堰止壁がスイッチング素子の一部を構成する材料により形成されたボトム部を備えているので、封止膜を構成する有機層の周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１中のII－IIに沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の詳細構成を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１変形例の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２変形例の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の詳細構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図７は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１中のII－IIに沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの概略構成を示す断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの詳細構成を示す断面図である。また、図６及び図７は、有機ＥＬ表示装置３０ａの第１及び第２変形例である有機ＥＬ表示装置３０ａａ及び３０ａｂの額縁領域Ｆの詳細構成を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１～図３に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂと、有機ＥＬ素子１８、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂを覆うように設けられた封止膜２２ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、図１に示すように、画像表示を行う表示領域Ｄが矩形状に規定され、表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。また、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、図１及び図２に示すように、表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域Ｆが規定され、額縁領域Ｆには、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが設けられている。
　ベース基板１０は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド樹脂製等のプラスチック基板やガラス基板である。
　ベースコート膜１１は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜である。
　有機ＥＬ素子１８は、図２に示すように、表示領域Ｄに設けられ、図３に示すように、ベースコート層１１上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２、平坦化膜１３、複数の第１電極１４、隔壁１５、複数の有機ＥＬ層１６及び第２電極１７を備えている。
　ＴＦＴ１２は、表示領域Ｄの各サブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート膜１１上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なるように設けられた半導体層と、半導体層上に互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、トップゲート型のＴＦＴであってもよい。
　平坦化膜１３は、図３に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うことにより、各ＴＦＴ１２による表面形状を平坦化するように設けられている。ここで、平坦化膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の無色透明な有機樹脂材料（第１有機材料）により構成されている。なお、平坦化膜１３は、有機樹脂材料をベーキングする温度を高温（２５０℃程度）にすることにより、その端面がほぼ直立するように形成される。
　複数の第１電極１４は、図３に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に複数の画素電極として設けられている。ここで、第１電極１４は、図３に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　隔壁１５は、図３に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、隔壁１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機絶縁材料、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機樹脂材料（第２有機材料）が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図３に示すように、各有機ＥＬ層１６及び隔壁１５を覆って、複数のサブ画素に共通するように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　第１堰止壁Ｗａは、図１に示すように、表示領域Ｄを囲むように設けられている。また、第１堰止壁Ｗａは、図５に示すように、封止膜２２ａの後述する有機層２０ａの周端部Ｒに封止膜２２ａの後述する第１無機層１９ａを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒに重なるように設けられている。なお、本実施形態及び後述する実施形態では、枠状に形成された第１堰止壁Ｗａ、第２堰止壁Ｗｂ及び第３堰止壁Ｗｃを例示したが、第１堰止壁Ｗａ、第２堰止壁Ｗｂ及び第３堰止壁Ｗｃは、例えば、表示領域Ｄの周囲に沿って、断続的に形成されていてもよい。ここで、第１堰止壁Ｗａは、図５に示すように、平坦化膜１３と同一材料により同一層に形成された平坦化層１３ａにより構成されている。なお、ベース基板１０（上のベースコート膜１１）と第１堰止壁Ｗａとの間には、図６に示すように、第１金属層１２ｂａが設けられていてもよい。ここで、第１金属層１２ｂａは、例えば、容量線やＴＦＴ１２のゲート電極と同一材料により同一層に形成され、図６に示すように、その周端面が平坦化層１３ａの周端面よりも外側に配置されて、第１堰止壁Ｗａ（平坦化層１３ａ）から突き出るように設けられている。これにより、平坦化層１３ａが凸状に形成された基板表面において、空隙の形成を抑制して第１無機層１９ａとなる無機絶縁膜を成膜することができる。
　第２堰止壁Ｗｂは、図１に示すように、第１堰止壁Ｗａを囲むように設けられている。また、第２堰止壁Ｗｂは、図５に示すように、有機層２０ａの周端部Ｒに第１無機層１９ａを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なるように設けられている。ここで、第２堰止壁Ｗｂは、図５に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ａと、ボトム部１２ａ上に設けられて隔壁１５と同一材料により同一層に形成されたトップ部１５ａとを備えている。なお、ベース基板１０の表面とトップ部１５ａの側面とのなす角度は、例えば、７０度以上である。また、本実施形態では、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ａを例示したが、ボトム部１２ａは、例えば、トップゲート型のＴＦＴを用いた場合、ゲート電極と同一材料により同一層に形成されていてもよい。また、ベースコート膜１１（上のベースコート膜１１）と第２堰止壁Ｗｂのトップ部１５ａとの間には、図７に示すように、第２金属層１２ｂｂが設けられていてもよい。ここで、第２金属層１２ｂｂは、例えば、容量線やＴＦＴ１２のゲート電極と同一材料により同一層に形成され、図７に示すように、その外側の周端面がトップ部１５ａの対応する周端面よりも外側に配置されて、トップ部１５ａから突き出るように設けられている。これにより、トップ部１５ａが凸状に形成された基板表面において、空隙の形成を抑制して第１無機層１９ａとなる無機絶縁膜を成膜することができる。
　封止膜２２ａは、図３及び図５に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９ａと、第１無機層１９ａ上に設けられた有機層２０ａと、有機層２０ａを覆うように設けられた第２無機層２１ａとを備えている。
　第１無機層１９ａ及び第２無機層２１ａは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ａについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。
　有機層２０ａは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法は、有機ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
　＜有機ＥＬ素子形成工程＞
　例えば、ポリイミド樹脂製のベース基板１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、有機ＥＬ素子１８（ＴＦＴ１２、平坦化膜１３、第１電極１４、隔壁１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極１７）、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂを形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子１８を覆うように、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により厚さ数１０ｎｍ～数μｍ程度に成膜して、第１無機層１９ａ形成する。
　続いて、第１無機層１９ａが形成された基板の表面全体に、例えば、アクリレート等の有機樹脂材料をインクジェット法により厚さ数μｍ～数１０μｍ程度に吐出して、有機層２０ａを形成する。
　さらに、有機層２０ａが形成された基板に対して、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ数１０ｎｍ～数μｍ程度に成膜して、第２無機層２１ａを形成することにより、第１無機層１９ａ、有機層２０ａ及び第２無機層２１ａからなる封止膜２２ａを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、以下の（１）～（３）の効果を得ることができる。
　（１）封止膜２２ａの有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なる第２堰止壁Ｗｂは、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料により形成されたボトム部１２ａと、隔壁１５を構成する材料により形成されたトップ部１５ａとを備えている。ここで、第２堰止壁Ｗｂにおいて、隔壁１５と同時に形成されるトップ部１５ａの端面は、その下端が広がるように傾斜して形成されているものの、ＴＦＴ１２のソース電極と同時に形成されるボトム部１２ａの端面は、ほぼ直立して形成されるので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果を向上させることができる。これにより、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが形成された基板上において、インクジェット法により吐出されて有機層２０ａとなる有機樹脂材料の周囲への拡がりを抑制することができるので、封止膜２２ａの有機層２０ａの周端部を精度よく形成することができる。その結果、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂとの間隔を狭く、すなわち、額縁領域Ｆの幅を狭く設計することができるので、封止膜２２ａを構成する有機層２０ａの周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することができる。
　（２）第２無機層２１ａがバリア性の高い窒化シリコン膜により構成されている場合には、第２無機層２１ａが有機層２０ａを覆うように設けられているので、封止膜２２ａによる封止性能を向上させることができる。
　《第２の実施形態》
　図８は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆの詳細構成を示す断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、ボトム部１２ａ及びトップ部１５ａを有する第２堰止壁Ｗｂを備えた有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、ボトム部１２ａ、ミドル部１３ｂ及びトップ部１５ｂを有する第２堰止壁Ｗｂを備えた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、図８に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８（図２等参照）、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂと、有機ＥＬ素子１８、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂを覆うように設けられた封止膜２２ｂとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、画像表示を行う矩形状の表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域Ｆが規定され、額縁領域Ｆには、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが設けられている。
　第１堰止壁Ｗａは、図８に示すように、封止膜２２ｂの有機層２０ａの周端部Ｒに封止膜２２ｂの後述する第１無機層１９ｂを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒに重なるように設けられている。
　第２堰止壁Ｗｂは、図８に示すように、封止膜２２ｂの有機層２０ａの周端部Ｒに封止膜２２ｂの第１無機層１９ｂを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なるように設けられている。ここで、第２堰止壁Ｗｂは、図８に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ａと、ボトム部１２ａ上に設けられて平坦化膜１３と同一材料により同一層に形成されたミドル部１３ｂと、ミドル部１３ｂ上に設けられて隔壁１５と同一材料により同一層に形成されたトップ部１５ｂとを備えている。
　封止膜２２ｂは、図８に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９ｂと、第１無機層１９ｂ上に設けられた有機層２０ａと、有機層２０ａを覆うように設けられた第２無機層２１ｂとを備えている。
　第１無機層１９ｂ及び第２無機層２１ｂは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ｂについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、例えば、平坦化膜１３及び隔壁１５を形成する際のパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、上述した（１）及び（２）の効果、並びに以下の（３）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、封止膜２２ｂの有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なる第２堰止壁Ｗｂは、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料により形成されたボトム部１２ａと、平坦化膜１３と同一材料により同一層に形成されたミドル部１３ｂと、隔壁１５を構成する材料により形成されたトップ部１５ｂとを備えている。ここで、第２堰止壁Ｗｂにおいて、隔壁１５と同時に形成されるトップ部１５ｂの端面は、その下端が広がるように傾斜して形成されているものの、ＴＦＴ１２のソース電極と同時に形成されるボトム部１２ａの端面、及び平坦化膜１３と同時に形成されるミドル部１３ｂの端面は、ほぼ直立して形成されるので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果を向上させることができる。これにより、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが形成された基板上において、インクジェット法により吐出されて有機層２０ａとなる有機樹脂材料の周囲への拡がりを抑制することができるので、封止膜２２ｂの有機層２０ａの周端部を精度よく形成することができる。その結果、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂとの間隔を狭く、すなわち、額縁領域Ｆの幅を狭く設計することができるので、封止膜２２ｂを構成する有機層２０ａの周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することができる。
　（２）について詳述すると、第２無機層２１ｂがバリア性の高い窒化シリコン膜により構成されている場合には、第２無機層２１ｂが有機層２０ａを覆うように設けられているので、封止膜２２ｂによる封止性能を向上させることができる。
　（３）第２堰止壁Ｗｂは、ミドル部１３ｂの膜厚分だけ上記第１の実施形態の第２堰止壁Ｗｂよりも高く形成されるので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果をいっそう向上させることができる。
　《第３の実施形態》
　図９及び図１０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの概略構成を示す平面図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置３０ｃの額縁領域Ｆの詳細構成を示す断面図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂとを備えた有機ＥＬ表示装置３０ａ及び３０ｂを例示したが、本実施形態では、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂと第３堰止壁Ｗｃとを備えた有機ＥＬ表示装置３０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｃは、図９及び図１０に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８（図２等参照）、第１堰止壁Ｗａ、第２堰止壁Ｗｂ及び第３堰止壁Ｗｃと、有機ＥＬ素子１８、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂを覆うように設けられた封止膜２２ｃとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、画像表示を行う矩形状の表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域Ｆが規定され、額縁領域Ｆには、第１堰止壁Ｗａ、第２堰止壁Ｗｂ及び第３堰止壁Ｗｃが設けられている。
　第１堰止壁Ｗａは、図１０に示すように、封止膜２２ｃの有機層２０ａの周端部Ｒに封止膜２２ｃの後述する第１無機層１９ｃを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒに重なるように設けられている。
　第２堰止壁Ｗｂは、図１０に示すように、封止膜２２ｃの有機層２０ａの周端部Ｒに封止膜２２ｃの第１無機層１９ｃを介して接触して、有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なるように設けられている。ここで、第２堰止壁Ｗｂは、図１０に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ａと、ボトム部１２ａ上に設けられて隔壁１５と同一材料により同一層に形成されたトップ部１５ａとを備えている。
　第３堰止壁Ｗｃは、図１０に示すように、第２堰止壁Ｗｂを囲むように設けられている。ここで、第３堰止壁Ｗｃは、図１０に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ｂと、ボトム部１２ｂ上に設けられて平坦化膜１３と同一材料により同一層に形成されたミドル部１３ｃと、ミドル部１３ｃ上に設けられて隔壁１５と同一材料により同一層に形成されたトップ部１５ｃとを備えている。
　封止膜２２ｃは、図１０に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９ｃと、第１無機層１９ｃ上に設けられた有機層２０ａと、有機層２０ａを覆うように設けられた第２無機層２１ｃとを備えている。
　第１無機層１９ｃ及び第２無機層２１ｃは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ｃについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｃは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、例えば、平坦化膜１３及び隔壁１５を形成する際のパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、上述した（１）及び（２）の効果、並びに以下の（４）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、封止膜２２ｃの有機層２０ａの周端部Ｒの縁に重なる第２堰止壁Ｗｂは、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料により形成されたボトム部１２ａと、隔壁１５を構成する材料により形成されたトップ部１５ａとを備えている。ここで、第２堰止壁Ｗｂにおいて、隔壁１５と同時に形成されるトップ部１５ａの端面は、その下端が広がるように傾斜して形成されているものの、ＴＦＴ１２のソース電極と同時に形成されるボトム部１２ａの端面は、ほぼ直立して形成されるので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果を向上させることができる。これにより、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが形成された基板上において、インクジェット法により吐出されて有機層２０ａとなる有機樹脂材料の周囲への拡がりを抑制することができるので、封止膜２２ｃの有機層２０ａの周端部を精度よく形成することができる。その結果、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂとの間隔を狭く、すなわち、額縁領域Ｆの幅を狭く設計することができるので、封止膜２２ｃを構成する有機層２０ａの周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することができる。
　（２）について詳述すると、第２無機層２１ｃがバリア性の高い窒化シリコン膜により構成されている場合には、第２無機層２１ｃが有機層２０ａを覆うように設けられているので、封止膜２２ｃによる封止性能を向上させることができる。
　（４）額縁領域Ｆにおいて、第２堰止壁Ｗｂの周囲には、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料により形成されたボトム部１２ｂと、平坦化膜１３を構成する材料により形成されたミドル部１３ｃと、隔壁１５を構成する材料により形成されたトップ部１５ｃとを備えた第３堰止壁Ｗｃが設けられている。そのため、仮に、封止膜２２ｃの有機層２０ａとなる有機樹脂材料が第２堰止壁Ｗｂを超えても、その有機樹脂材料の周囲への拡がりを抑制することができる。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａに第３堰止壁Ｗｃを付加する構成を例示したが、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂに第３堰止壁Ｗｃを付加する構成であってもよい。
　《第４の実施形態》
　図１１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第４の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄの額縁領域Ｆの詳細構成を示す断面図である。
　上記第１～第３の実施形態では、第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ａの端面が直立した有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｃを例示したが、本実施形態では、第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ｃの端部が庇状に形成された有機ＥＬ表示装置３０ｄを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｄは、図１１に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８（図２等参照）、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂと、有機ＥＬ素子１８、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂを覆うように設けられた封止膜２２ｄとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ｄでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、画像表示を行う矩形状の表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域Ｆが規定され、額縁領域Ｆには、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが設けられている。
　第１堰止壁Ｗａは、図１１に示すように、封止膜２２ｄの有機層２０ｄの周端部Ｒに封止膜２２ｄの後述する第１無機層１９ｄを介して接触して、有機層２０ｄの周端部Ｒに重なるように設けられている。
　第２堰止壁Ｗｂは、図１１に示すように、封止膜２２ｄの有機層２０ｄの周端部Ｒに封止膜２２ｄの第１無機層１９ｄを介して接触して、有機層２０ｄの周端部Ｒの縁に重なるように設けられている。ここで、第２堰止壁Ｗｂは、図１１に示すように、ＴＦＴ１２のソース電極と同一材料により同一層に形成されたボトム部１２ｃと、ボトム部１２ｃ上に設けられて隔壁１５と同一材料により同一層に形成されたトップ部１５ｄとを備えている。
　ボトム部１２ｃは、図１１に示すように、ベースコート膜１１上に層間絶縁膜（不図示）を介して設けられた第３導電層Ｍａと、第３導電層Ｍａ上に設けられた第１導電層Ｍｂと、第１導電層Ｍｂ上に設けられた第２導電層Ｍｃとを備え、第１導電層Ｍｂの周端面が第３導電層Ｍａ及び第２導電層Ｍｃの周端面よりも内側に配置されている。なお、本実施形態では、第１導電層Ｍｂの周端面の全部が第３導電層Ｍａ及び第２導電層Ｍｃの周端面よりも内側に配置された構成を例示したが、第１導電層Ｍｂの周端面の少なくとも一部が第３導電層Ｍａ及び第２導電層Ｍｃの周端面よりも内側に配置されていてもよい。また、本実施形態では、第３導電層Ｍａ、第１導電層Ｍｂ及び第２導電層Ｍｃが順に積層された３層積層構造を有するボトム部１２ｃを例示したが、ボトム部１２ｃは、第１導電層Ｍｂ及び第２導電層Ｍｃが順に積層されて第１導電層Ｍｂの周端面が第２導電層Ｍｃの周端面よりも内側に配置された２層構造であってもよい。
　第３導電層Ｍａは、例えば、チタン等の金属導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）により構成されている。また、第１導電層Ｍｂは、例えば、アルミニウム等の金属導電膜（厚さ５００ｎｍ程度）により構成されている。また、第２導電層Ｍｃは、例えば、チタン等の金属導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）により構成されている。ここで、第３導電層Ｍａ、第１導電層Ｍｂ及び第２導電層Ｍｃからなるボトム部１２ｃは、ＴＦＴ１２を形成する際のドライエッチングにより、その端面がほぼ直立して一旦形成されるものの、第１電極１４を形成する際のウエットエッチングにより第１導電層Ｍｂに対応する部分が除去されることにより、庇状に形成される。
　封止膜２２ｄは、図１１に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９ｄと、第１無機層１９ｄ上に設けられた有機層２０ｄと、有機層２０ｄを覆うように設けられた第２無機層２１ｄとを備えている。
　第１無機層１９ｄ及び第２無機層２１ｄは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ｄについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。
　有機層２０ｄは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｄは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃによれば、上述した（１）及び（２）の効果、並びに以下の（５）の効果を得ることができる。
　　（１）について詳述すると、封止膜２２ｄの有機層２０ｄの周端部Ｒの縁に重なる第２堰止壁Ｗｂは、ＴＦＴ１２のソース電極を構成する材料により形成されたボトム部１２ｃと、隔壁１５を構成する材料により形成されたトップ部１５ｄとを備えている。ここで、第２堰止壁Ｗｂにおいて、隔壁１５と同時に形成されるトップ部１５ｄの端面は、その下端が広がるように傾斜して形成されているものの、ＴＦＴ１２のソース電極と同時に形成されるボトム部１２ｃの端面は、ほぼ直立して形成されるので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果を向上させることができる。これにより、第１堰止壁Ｗａ及び第２堰止壁Ｗｂが形成された基板上において、インクジェット法により吐出されて有機層２０ｄとなる有機樹脂材料の周囲への拡がりを抑制することができるので、封止膜２２ｄの有機層２０ｄの周端部を精度よく形成することができる。その結果、第１堰止壁Ｗａと第２堰止壁Ｗｂとの間隔を狭く、すなわち、額縁領域Ｆの幅を狭く設計することができるので、封止膜２２ｄを構成する有機層２０ｄの周端部を精度よく形成して、狭額縁化を実現することができる。
　（２）について詳述すると、第２無機層２１ｄがバリア性の高い窒化シリコン膜により構成されている場合には、第２無機層２１ｄが有機層２０ｄを覆うように設けられているので、封止膜２２ｄによる封止性能を向上させることができる。
　（５）第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ｃでは、第１導電層Ｍｂの周端面の少なくとも一部が第３導電層Ｍａ及び第２導電層Ｍｃの周端面よりも内側に配置されて、その端部が庇状に形成されているので、第２堰止壁Ｗｂによる堰き止め効果をいっそう向上させることができる。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ａの端部を庇状に形成した構成を例示したが、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ａ、並びに上記第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの第２堰止壁Ｗｂのボトム部１２ａ及び第３堰止壁Ｗｃのボトム部１２ｂの端部を庇状に形成した構成であってもよい。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｄを例示したが、本発明は、例示した各有機ＥＬ表示装置３０ａ～３０ｄの構成要素の組み合わせも自在に変更した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｍａ　　　第３導電層
Ｍｂ　　　第２導電層
Ｍｃ　　　第１導電層
Ｒ　　　　周端部
Ｗａ　　　第１堰止壁
Ｗｂ　　　第２堰止壁
Ｗｃ　　　第３堰止壁
１０　　　ベース基板
１２　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
１２ａ，１２ｃ　　ボトム部
１２ｂａ　　　　　第１金属層
１２ｂｂ　　　　　第２金属層
１３　　　平坦化膜
１３ｂ，１３ｃ　　ミドル部
１４　　　第１電極（画素電極）
１５　　　隔壁
１５ａ～１５ｄ　　トップ部
１８　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
１９ａ～１９ｄ　　第１無機層
２０ａ，２０ｄ　　有機層
２１ａ～２１ｄ　　第２無機層
２２ａ～２２ｄ　　封止膜
３０ａ～３０ｄ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (19)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板上に設けられた複数のスイッチング素子と、
    　前記複数のスイッチング素子上に設けられ、該複数のスイッチング素子による表面形状を平坦化する平坦化膜と、
    　前記平坦化膜上に設けられ、隔壁を含む発光素子と、
    　前記発光素子を覆うように設けられ、第１無機層、有機層及び第２無機層が順に積層された封止膜とを備え、画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に額縁領域とが規定された表示装置であって、
    　前記額縁領域には、第１有機材料により形成されて前記表示領域を囲むと共に前記有機層の周端部に重なる第１堰止壁と、該第１堰止壁の周囲に第２有機材料により形成されたトップ部を備えて前記有機層の周端部の縁に重なる第２堰止壁とが設けられ、
    　前記第２堰止壁は、前記各スイッチング素子の一部を構成する材料により形成されたボトム部を前記ベース基板側に備えていることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記第２堰止壁は、前記第１有機材料により形成されたミドル部を前記トップ部と前記ボトム部との間に備えていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記額縁領域において、前記第２堰止壁の周囲には、前記各スイッチング素子の一部を構成する材料により形成されたボトム部と、前記第１有機材料により形成されたミドル部と、前記第２有機材料により形成されたトップ部とを備えた第３堰止壁が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
  4. 　前記第１有機材料は、前記平坦化膜を構成する材料であることを特徴とする請求項１～３の何れか１つに記載の表示装置。
  5. 　前記第２有機材料は、前記隔壁を構成する材料であることを特徴とする請求項１～４の何れか１つに記載の表示装置。
  6. 　前記スイッチング素子の一部は、ソース電極であることを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載の表示装置。
  7. 　前記スイッチング素子の一部は、ゲート電極であることを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載の表示装置。
  8. 　前記ベース基板の表面と前記トップ部の側面とのなす角度は、７０度以上であることを特徴とする請求項１～７の何れか１つに記載の表示装置。
  9. 　前記ボトム部は、前記表示領域側で前記封止膜に接触していることを特徴とする請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置。
  10. 　前記ボトム部の前記表示領域と反対側には、前記トップ部が接触していることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  11. 　前記ボトム部は、第１導電層及び第２導電層を順に積層して設けられ、
    　前記第１導電層の周端面の少なくとも一部は、前記第２導電層の周端面よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１つに記載の表示装置。
  12. 　前記ボトム部は、前記第１導電層の前記ベース基板側に設けられた第３導電層を備え、
    　前記第１導電層の周端面の少なくとも一部は、前記第３導電層の周端面よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記第１導電層は、アルミニウム膜により構成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の表示装置。
  14. 　前記第２無機層は、上記有機層を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１～１３の何れか１つに記載の表示装置。
  15. 　前記ベース基板と前記第１堰止壁との間には、該第１堰止壁から突き出るように第１金属層が設けられていることを特徴とする請求項１～１４の何れか１つに記載の表示装置。
  16. 　前記ベース基板と前記第２堰止壁との間には、前記トップ部から突き出るように第２金属層が設けられていることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
  17. 　前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１～１６の何れか１つに記載の表示装置。
  18. 　前記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする請求項１～１７の何れか１つに記載の表示装置。
  19. 　請求項１１～１３の何れか１つに記載の表示装置の製造方法であって、
    　前記発光素子は、前記各スイッチング素子に接続された画素電極を備えており、
    　前記画素電極を形成する際に前記第１導電層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
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