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WO2017002372A1 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2017002372A1
WO2017002372A1 PCT/JP2016/003157 JP2016003157W WO2017002372A1 WO 2017002372 A1 WO2017002372 A1 WO 2017002372A1 JP 2016003157 W JP2016003157 W JP 2016003157W WO 2017002372 A1 WO2017002372 A1 WO 2017002372A1
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WO
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substrate
layer
display device
manufacturing
resin
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2016/003157
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English (en)
French (fr)
Inventor
有希 安田
哲憲 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US15/740,843 priority Critical patent/US10177347B2/en
Publication of WO2017002372A1 publication Critical patent/WO2017002372A1/ja
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • Patent Document 1 an element layer having an organic EL element is formed on a glass substrate, a flexible substrate is bonded to the element layer, the glass substrate is removed, and the surface exposed after the removal is exposed to another surface.
  • a method for manufacturing a flexible display device to which a flexible substrate is bonded is disclosed.
  • a method for manufacturing a display device includes forming a first resin substrate layer on a first support substrate, and then forming a thin film element layer on the first resin substrate layer and a thin film element layer on the first resin substrate layer.
  • substrate bonding process which produces a board
  • FIG. 16 is a tenth sectional view showing the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 17 is an eleventh cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 18 is a twelfth sectional view showing the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 19 is a second plan view showing the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and corresponds to the cross-sectional view of FIG.
  • FIG. 20 is a thirteenth sectional view showing the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the interlayer insulating film 13 so as to correspond to the plurality of subpixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of the corresponding TFT 12 a through a contact hole formed in the interlayer insulating film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the second support film layer 42a is made of, for example, a flexible synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyetherimide, polyarylate, polyimide having a thickness of about 20 ⁇ m.
  • a flexible synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyetherimide, polyarylate, polyimide having a thickness of about 20 ⁇ m.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 100a of the present embodiment includes an element original substrate manufacturing process, a counter original substrate manufacturing process, a substrate bonding process, a first peeling process, and a first film bonding process. , A second peeling step, a second film sticking step, a terminal group exposing step, and a mounting step.
  • a silicon oxide film, an aluminum oxide film, a silicon nitride film, a silicon carbonitride film, or the like is formed on the surface of the first resin substrate layer 10a by, for example, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method, a thermal CVD method, a sputtering method, or the like.
  • the first base coat layer 11a is formed as shown in FIG. 7 by forming the film to a thickness of about 50 nm to 1000 nm.
  • a sealing resin to be the terminal seal material 47a is arranged in a frame shape so as to surround the terminal group 12t (see FIG. 13).
  • the first support substrate 8a and the first separation layer 9a are peeled off.
  • the end portions of the first resin substrate layer 10a and the first base coat layer 11a outside the terminal portion sealing material 47a are stressed on the first resin substrate layer 10a and the first base coat layer 11a. Because of the difference, it drowns.
  • the substrate bonding body 150a is irradiated with the laser beam L from the transparent first support substrate 8a side, and in the second peeling step, the substrate bonding body 150a is transferred from the transparent second support substrate 8b side.
  • Laser light L is irradiated.
  • a terminal portion sealing material 47c is formed on the surface of the element original substrate 120 on the sealing film 19 side so as to surround the terminal group 12t by a dispenser method, a screen printing method, or the like.
  • the sealing resin is arranged in a frame shape. Note that the adhesive resin (dot portion in FIG. 25) serving as the adhesive layer 45a is arranged so as to spread over the entire display region D, since the element portion sealing material 46c (see FIG. 26) is omitted.
  • a frame-like shape is formed so as to surround the terminal group 12t between the element original substrate 120 and the counter original substrate 140.
  • a terminal seal material 47c is formed. Therefore, in the subsequent first peeling step, the end portions of the first resin substrate layer 10a and the first base coat layer 11a are peeled off by peeling the first support substrate 8a and the first separation layer 9a from the substrate bonding body 150c (150d). However, the position of the bend is outside the terminal portion seal material 47c and is separated from the terminal group 12t.
  • the first resin substrate layer 10a is cut along at least the edge of the terminal group 12t exposed on the surface of the substrate bonded body 150c (150d). The sharp edges of the first resin substrate layer 10a and the first base coat layer 11a are removed, and the appearance of the organic EL display device 100c can be improved.
  • the organic EL display devices 100a, 100b, and 100c are exemplified as the display device, but in the present embodiment, the liquid crystal display device 100d is exemplified as the display device.
  • the element substrate 20d includes a first resin substrate layer 10a, a first base coat layer 11a provided on the first resin substrate layer 10a, and a TFT array provided on the first base coat layer 11a.
  • An element layer 13b and an alignment film (not shown) provided to cover the TFT array element layer 13b are provided.
  • a terminal group 12t for inputting an electrical signal from the FPC 55 to the TFT array element layer 13b is provided on the first base coat layer 11a.
  • the alignment film on the element substrate 20d and the alignment film on the counter substrate 40d described later are made of, for example, a polyimide resin.
  • the liquid crystal layer 45b is provided as an intermediate layer between the element substrate 20d and the counter substrate 40d, and is made of, for example, a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.

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Abstract

素子原基板に形成された薄膜素子層及び端子群（１２ｔ）と対向原基板（１４０）に形成された第２樹脂基板層とが対向するように、素子原基板と対向原基板（１４０）とを中間層を介して貼り合わせて、基板貼合体（１５０ａ）を作製する基板貼合工程において、素子原基板と対向原基板（１４０）との間に端子群（１２ｔ）を囲むように枠状の端子部シール材（４７ａ）を形成する。

Description

表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置の製造方法に関するものである。
　近年、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置や液晶表示装置等の表示装置では、従来より用いられてきたガラス基板の代わりに、樹脂基板を用いた表示パネルを備えたフレキシブルな表示装置が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ガラス基板上に有機ＥＬ素子を有する素子層を形成し、素子層上にフレキシブル基板を貼り合わせた後に、ガラス基板を除去し、その除去して露出した面に他のフレキシブル基板を貼り合わせるフレキシブルな表示装置を製造する方法が開示されている。
特開２００９－２０５９４１号公報
　ところで、フレキシブルな表示装置を製造する方法として、ガラス基板等の支持基板上に分離層を形成し、分離層上に樹脂基板層及び薄膜素子を順に形成した後に、支持基板側からレーザー光を照射することにより、分離層と樹脂基板層との界面での密着性を低下させて、樹脂基板層及び薄膜素子を支持基板から剥離させる製造方法が提案されている。
　ここで、上述した樹脂基板層を支持基板から剥離させる製造方法を用いて、枠状のシール材により貼り合わされた一対の樹脂基板層を備えたフレキシブルな表示装置を製造する場合、一方の樹脂基板層側の支持基板を除去すると、一方の樹脂基板層及びその上に形成された薄膜にかかる応力の差により、一方の樹脂基板層の端部が縒れ易くなる。そうなると、樹脂基板の端部に設けられた端子群における端子間隔が不揃いになるので、その端子群にＦＰＣ（flexible printed circuit）等を実装することが困難になり、実装不良が発生する。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、樹脂基板層に設けられた端子群に対する実装不良を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置の製造方法は、第１支持基板に第１樹脂基板層を形成した後に、該第１樹脂基板層に薄膜素子層及び該薄膜素子層に接続された端子群を形成して、素子基板となる素子原基板を作製する素子原基板作製工程と、第２支持基板に第２樹脂基板層を形成して、対向基板となる対向原基板を作製する対向原基板作製工程と、前記薄膜素子層及び前記端子群と前記第２樹脂基板層とが対向するように前記素子原基板と前記対向原基板とを中間層を介して貼り合わせて、基板貼合体を作製する基板貼合工程と、前記基板貼合体から前記第１支持基板を剥離させる第１剥離工程と、前記第１支持基板を剥離させた前記基板貼合体の前記第１樹脂基板層に第１支持フィルムを貼り付ける第１フィルム貼付工程と、前記第１支持フィルムを貼り付けた前記基板貼合体から前記第２支持基板を剥離させる第２剥離工程と、前記第２支持基板を剥離させた前記基板貼合体の前記第２樹脂基板層に第２支持フィルムを貼り付ける第２フィルム貼付工程と、前記第２支持フィルムを貼り付けた前記基板貼合体の前記第２樹脂基板層の一部を除去して、前記端子群を表面に露出させる端子群露出工程と、前記基板貼合体の表面に露出させた前記端子群に実装部品を実装する実装工程とを備える表示装置の製造方法であって、前記基板貼合工程では、前記素子原基板と前記対向原基板との間に前記端子群を囲むように枠状の端子部シール材を形成することを特徴とする。
　本発明によれば、素子原基板に形成された薄膜素子層及び端子群と対向原基板に形成された第２樹脂基板層とが対向するように、素子原基板と対向原基板とを中間層を介して貼り合わせる基板貼合工程において、素子原基板と対向原基板との間に端子群を囲むように枠状の端子部シール材を形成するので、樹脂基板層に設けられた端子群に対する実装不良を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域における内部構成を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第３の断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第４の断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第５の断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第６の断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第７の断面図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の平面図であり、図１２の断面図に対応するものである。 図１４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第８の断面図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第９の断面図である。 図１６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１０の断面図である。 図１７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１１の断面図である。 図１８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１２の断面図である。 図１９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の平面図であり、図１８の断面図に対応するものである。 図２０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１３の断面図である。 図２１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１４の断面図である。 図２２は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の平面図である。 図２４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の平面図である。 図２５は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２６は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の平面図である。 図２７は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の平面図である。 図２８は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の変形例を示す第１の平面図である。 図２９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の変形例を示す第２の平面図である。 図３０は、本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図２１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。ここで、図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置１００ａの概略構成を示す断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置１００ａの表示領域Ｄにおける内部構成を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置１００ａを構成する有機ＥＬ層１６の断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１００ａは、図１、図２及び図３に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０及び対向基板４０と、素子基板２０及び対向基板４０の間に設けられた接着材層４５ａ及び素子部シール材４６ａと、素子基板２０に実装部品として実装されたＦＰＣ５５とを備えている。さらに、有機ＥＬ表示装置１００ａは、図１、図２及び図３に示すように、素子基板２０に接着層２１ａを介して貼り付けられた第１支持フィルム層２２ａと、対向基板４０に接着層４１ａを介して貼り付けられた第２支持フィルム層４２ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置１００ａでは、図１に示すように、後述する有機ＥＬ素子層１８が平面視で矩形状に設けられることにより、画像表示を行う表示領域Ｄが矩形状に規定され、表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　素子基板２０は、図２及び図３に示すように、第１樹脂基板層１０ａと、第１樹脂基板層１０ａ上に間接的に設けられた有機ＥＬ素子層１８と、有機ＥＬ素子層１８を覆うように設けられた封止膜１９とを備えている。ここで、素子基板２０では、図３に示すように、第１樹脂基板層１０ａと有機ＥＬ素子層１８との間に、第１樹脂基板層１０ａ側から順に第１ベースコート層１１ａ、複数のＴＦＴ１２ａ及び層間絶縁膜１３が設けられている。なお、図１及び図２に示すように、表示領域Ｄの周囲の額縁領域において、第１ベースコート層１１ａ上には、ＦＰＣ５５からの電気信号を対応するＴＦＴ１２ａを介して有機ＥＬ素子層１８に入力するための端子群１２ｔが設けられている。
　第１樹脂基板層１０ａは、例えば、厚さ５μｍ～５０μｍ程度のポリイミド樹脂等の耐熱性（５００℃程度）を有する透明な樹脂材料により構成されている。ここで、第１樹脂基板層１０ａの厚さが５μｍ未満である場合には、基板として必要な機械強度を確保することが困難になる。また、第１樹脂基板層１０ａの厚さが５０μｍを超える場合には、後述する第１剥離工程において、第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを安定して剥離させることが困難になる。
　第１ベースコート層１１ａは、図２及び図３に示すように、第１樹脂基板層１０ａ上に設けられている。ここで、第１ベースコート層１１ａは、例えば、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
　ＴＦＴ１２ａは、図３に示すように、第１ベースコート層１１ａ上に各サブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２ａは、例えば、第１ベースコート層１１ａ上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なるように設けられた半導体層と、半導体層上に互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴ１２ａを例示したが、ＴＦＴ１２ａは、トップゲート型のＴＦＴであってもよい。また、ＴＦＴ１２ａの半導体層を構成する材料としては、例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体等が挙げられる。
　層間絶縁膜１３は、図３に示すように、各ＴＦＴ１２ａのドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、層間絶縁膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子層１８は、図３に示すように、層間絶縁膜１３上に順に設けられた複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６及び第２電極１７を備えている。
　複数の第１電極１４は、図３に示すように、複数のサブ画素に対応するように、層間絶縁膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図３に示すように、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、対応するＴＦＴ１２ａのドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図３に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子層１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図３に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１９は、有機ＥＬ素子層１８を覆って、有機ＥＬ素子層１８を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１９を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料が挙げられる。そして、封止膜１９は、例えば、上記無機材料からなる無機膜の単層膜若しくは積層膜、又は上記無機材料からなる無機膜と下記有機材料からなる有機膜との積層膜である。なお、封止膜１９を構成する有機材料としては、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等が挙げられる。
　対向基板４０は、図２及び図３に示すように、第２樹脂基板層３０ａと、第２樹脂基板層３０ａ上に設けられた第２ベースコート層３１ａと、第２ベースコート層３１ａ上に設けられたカラーフィルター層３２とを備えている。
　第２樹脂基板層３０ａは、例えば、厚さ５μｍ～５０μｍ程度のポリイミド樹脂等の耐熱性（５００℃程度）を有する透明な樹脂材料により構成されている。ここで、第２樹脂基板層３０ａの厚さが５μｍ未満である場合には、基板として必要な機械強度を確保することが困難になる。また、第２樹脂基板層３０ａの厚さが５０μｍを超える場合には、後述する第２剥離工程において、第２支持基板８ｂ及び第２分離層９ｂを安定して剥離させることが困難になる。
　第２ベースコート層３１ａは、例えば、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
　カラーフィルター層３２は、複数のサブ画素の間を遮光するように格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、ブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられ、赤色層、緑色層又は青色層がマトリクス状に配列された複数の着色層（不図示）とを備えている。
　接着材層４５ａは、素子基板２０及び対向基板４０の間に中間層として設けられ、例えば、熱硬化性を有するエポキシ系等の接着剤により構成されている。ここで、接着材層４５ａは、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような金属酸化物、活性炭、シリカゲル、ゼオライト等を含有して、ゲッター機能を有していてもよい。
　素子部シール材４６ａは、図２及び後述する図１３を示すように、接着材層４５ａを囲むように枠状に設けられている。ここで、素子部シール材４６ａを形成する材料としては、例えば、熱硬化性を有するエポキシ系樹脂等が挙げられる。また、素子部シール材４６ａは、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような金属酸化物、活性炭、シリカゲル、ゼオライト等を含有して、ゲッター機能を有していてもよい。また、素子部シール材４６ａには、素子基板２０と対向基板４０との間隔を保持するためのスペーサが含有されている。
　ＦＰＣ５５は、図１及び図２に示すように、ＡＣＦ（anisotropic conductive film）５６を介して素子基板２０上の端子群１２ｔに圧着されている。
　接着層２１ａ及び４１ａは、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系等の熱硬化型又は紫外線硬化型の接着剤により構成されている。
　第１支持フィルム層２２ａは、例えば、厚さ２０μｍ～１００μｍ程度のポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリイミド等の可撓性を有する合成樹脂フィルムにより構成されている。ここで、第１支持フィルム層２２ａの厚さが２０μｍ未満である場合には、第１樹脂基板層１０ａを補強することが困難になる。また、第１支持フィルム層２２ａの厚さが１００μｍを超える場合には、表示装置の屈曲性が低下してしまう。
　第２支持フィルム層４２ａは、例えば、厚さ２０μｍ程度のポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリイミド等の可撓性を有する合成樹脂フィルムにより構成されている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１００ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２ａを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うことができる。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法について、図５～図２１を用いて説明する。ここで、図５は、有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法を示すフローチャートである。また、図６～図１２、図１４～図１８、図２０、図２１は、有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法を示す第１～第１４の断面図である。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法を示す第１の平面図であり、図１２の断面図に対応するものである。また、図１９は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の平面図であり、図１８の断面図に対応するものである。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法は、図５に示すように、素子原基板作製工程、対向原基板作製工程、基板貼合工程、第１剥離工程、第１フィルム貼付工程、第２剥離工程、第２フィルム貼付工程、端子群露出工程及び実装工程を備える。
　＜素子原基板作製工程＞
　まず、ガラス基板等の第１支持基板８ａの表面に、例えば、スパッタリング法等により、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜を厚さ１００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、第１分離層９ａを形成する（図６参照）。なお、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜の濡れ性を向上させるために、金属膜を成膜する前に、第１支持基板８ａの表面に対し、減圧プラズマ処理、常圧プラズマ処理、ＵＶ処理等の乾式の表面処理、又はシランカップリング剤等の表面処理剤を塗布する乾式の表面処理を行ってもよい。
　続いて、第１分離層９ａの表面に、例えば、スピンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法等により、ポリイミド前駆体を塗布した後に、その塗布膜を３５０℃～５００℃程度で焼成することにより、図６に示すように、厚さ５μｍ～５０μｍ程度の第１樹脂基板層１０ａを形成する。
　さらに、第１樹脂基板層１０ａの表面に、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜等を厚さ５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度に成膜して、図７に示すように、第１ベースコート層１１ａを形成する。
　その後、第１ベースコート層１１ａの表面に、周知の方法を用いて、図８に示すように、ＴＦＴ１２ａ（図３参照）、端子群１２ｔ及び層間絶縁膜１３を形成する。
　さらに、層間絶縁膜１３の表面に、周知の方法を用いて、第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極１７を形成することにより、図９に示すように、有機ＥＬ素子層１８を形成する。
　最後に、有機ＥＬ素子層１８を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜等を厚さ３μｍ～５μｍ程度に成膜して、図１０に示すように、封止膜１９を形成する。
　以上のようにして、素子原基板１２０を作製することができる。
　＜対向原基板作製工程＞
　まず、ガラス基板等の第２支持基板８ｂの表面に、例えば、スパッタリング法等により、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜を厚さ１００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、第２分離層９ｂを形成する（図１１参照）。
　続いて、第２分離層９ｂの表面に、例えば、スピンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法等により、ポリイミド前駆体を塗布した後に、その塗布膜を３５０℃～５００℃程度で焼成することにより、厚さ５μｍ～５０μｍ程度の第２樹脂基板層３０ａを形成する（図１１参照）。
　さらに、第２樹脂基板層３０ａの表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、炭窒化シリコン膜等を厚さ５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度に成膜して、第２ベースコート層３１ａを形成する（図１１参照）。
　最後に、第２ベースコート層３１ａの表面に、周知の方法を用いて、ブラックマトリクス及び着色層（赤色層、緑色層、青色層）を形成することにより、図１１に示すように、カラーフィルター層３２を形成する。
　以上のようにして、対向原基板１４０を作製することができる。
　＜基板貼合工程＞
　まず、上記素子原基板作製工程で作製した素子原基板１２０の封止膜１９側の表面に、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法等により、表示領域Ｄを囲むように素子部シール材４６ａとなるシール樹脂を枠状に配置すると共に、端子群１２ｔを囲むように端子部シール材４７ａとなるシール樹脂を枠状に配置する（図１３参照）。
　続いて、素子部シール材４６ａとなるシール樹脂の内側に、例えば、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等により、接着材層４５ａとなる接着樹脂（図１３中ドット部）を配置する。ここで、シール樹脂及び接着樹脂の粘度は、１００Ｐａ・ｓ～１０００Ｐａ・ｓ程度が望ましい。また、熱硬化型のシール樹脂及び接着樹脂の硬化温度は、発光層３の熱耐性を考慮すると、１００℃以下（好ましくは８０℃以下）であるのが望ましい。なお、本実施形態では、熱硬化型の接着樹脂からなる接着材層４５ａを例示したが、接着材層４５ａは、非硬化型の封止樹脂からなる封止樹脂層（４５ａ）であってもよい。
　さらに、シール樹脂及び接着樹脂が配置された素子原基板１２０と、上記対向原基板作製工程で作製した対向原基板１４０とを有機ＥＬ素子層１８及び端子群１２ｔと第２樹脂基板層３０ａとが対向するように、減圧雰囲気で貼り合わせた後に、その減圧雰囲気を開放することにより、素子原基板１２０及び対向原基板１４０の外側の表面を加圧する（図１２参照）。
　最後に、素子原基板１２０及び対向原基板１４０に挟まれたシール樹脂及び接着樹脂に対して、加熱処理を行うことにより、シール樹脂及び充填樹脂を硬化させて、図１２及び図１３に示すように、素子部シール材４６ａ、端子部シール材４７ａ及び接着材層４５ａを形成する。
　以上のようにして、基板貼合体１５０ａを作製することができる。
　＜第１剥離工程＞
　まず、上記基板貼合工程した基板貼合体１５０ａにおける素子原基板１２０及び対向原基板１４０の第１分離層９ａ及び第２分離層９ｂの端面が表面露出するように、素子原基板１２０及び対向原基板１４０の各基板周端部を枠状の分断ラインＢ（図１３及び図１４参照）に沿ってＣＯ２レーザー等を用いて分断する。
　続いて、基板周端部を分断した被処理体（基板貼合体１５０ａ）に対し、図１４に示すように、第１支持基板８ａ側から、例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）等からのレーザー光Ｌを照射する。
　さらに、図１５に示すように、レーザー光Ｌを照射した被処理体（基板貼合体１５０ａ）から第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを引き剥がすことにより、第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを剥離させる。このとき、端子部シール材４７ａの外側の第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部は、図１５に示すように、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａにかかる応力の差により、縒れてしまう。
　＜第１フィルム貼付工程＞
　上記第１剥離工程で第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを剥離させた表面に、図１６に示すように、例えば、熱硬化型又は紫外線硬化型の接着層２１が一方の表面に設けられた厚さ２０μｍ～１００μｍ程度の合成樹脂フィルムからなる第１支持フィルム２２を接着層２１を介して貼り付けた後に、接着層２１を硬化させる。ここで、接着層２１は、全面の領域を硬化させるだけでなく、表示装置の屈曲性を向上させるために、実装部品を実装する領域だけを硬化させてよい。
　＜第２剥離工程＞
　まず、上記第１フィルム貼付工程で第１支持フィルム２２を貼り付けた被処理体（基板貼合体１５０ａ）に対し、第２支持基板８ｂ側から、例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）等からのレーザー光Ｌ（図１６参照）を照射する。
　さらに、図１７に示すように、レーザー光Ｌを照射した被処理体（基板貼合体１５０ａ）から第２支持基板８ｂ及び第２分離層９ｂを引き剥がすことにより、第２支持基板８ｂ及び第２分離層９ｂを剥離させる。このとき、端子部シール材４７ａの外側の対向原基板１４０の基板周端部の一部は、図１７に示すように、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａにかかる応力の差により、縒れてしまう。
　＜第２フィルム貼付工程＞
　上記第２剥離工程で第２支持基板８ｂ及び第２分離層９ｂを剥離させた表面に、図１８に示すように、例えば、熱硬化型又は紫外線硬化型の接着層４１が一方の表面に設けられた厚さ２０μｍ～１００μｍ程度の合成樹脂フィルムからなる第２支持フィルム４２を接着層４１を介して貼り付けた後に、接着層４１を硬化させる。なお、第２樹脂基板層３０ａ側には、実装部品を実装しないので、接着層４１は、光学的に無色透明な非硬化型の両面テープや接着剤により構成されていてもよい。
　＜端子群露出工程＞
　まず、上記第２フィルム貼付工程で第２支持フィルム４２を貼り付けた被処理体（基板貼合体１５０ａ）における第１支持フィルム２２、接着剤２１、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの積層体、並びに第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄ（図１９参照）に沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、図２０に示すように、素子基板２０を作製する。
　さらに、分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿って分断した第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢｅ（図１９参照）に沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、図２１に示すように、対向基板４０を作製して、素子基板２０上の端子群１２ｔを表面に露出させる。
　＜実装工程＞
　上記端子群露出工程で露出させた素子基板２０上の端子群１２ｔにＡＣＦ５６を介してＦＰＣ５５を実装する。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法によれば、以下の（１）～（８）の効果を得ることができる。
　（１）素子原基板１２０と対向原基板１４０とを貼り合わせる基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に端子群１２ｔを囲むように枠状の端子部シール材４７ａを形成する。そのため、後の第１剥離工程において、基板貼合体１５０ａから第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを剥離させることにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部がそれぞれにかかる応力の差によって縒れてしまっても、その縒れの位置は、端子部シール材４７ａの外側になり、端子群１２ｔから離れている。これにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部の縒れによる端子群１２ｔにおける端子間隔の不揃いが抑制されるので、後の実装工程において、端子群１２ｔにＦＰＣ５５が確実に実装され、第１樹脂基板層１０ａに設けられた端子群１２ｔに対する実装不良を抑制することができる。
　（２）基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に接着材層４５ａを囲むように枠状の素子部シール材４６ａを形成するので、接着材層４５ａの過度の拡がりを抑制することができる。
　（３）基板貼合工程において、素子部シール材４６ａを囲むように端子部シール材４７ａを形成するので、素子原基板１２０と対向原基板１４０とを貼り合わせるための接着材層４５ａを構成する接着樹脂の量を抑制して、コスト低減を図ることができる。
　（４）第１剥離工程において、透明な第１支持基板８ａ側から基板貼合体１５０ａにレーザー光Ｌを照射し、第２剥離工程において、透明な第２支持基板８ｂ側から基板貼合体１５０ａにレーザー光Ｌを照射する。これにより、基板貼合体１５０ａから第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂがほとんど浮いた状態になるので、基板貼合体１５０ａから第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂを容易に剥離させることができる。
　（５）素子原基板作製工程において、第１支持基板８ａと第１樹脂基板層１０ａとの間に第１分離層９ａを形成し、対向原基板作製工程において、第２支持基板８ｂと第２樹脂基板層３０ａとの間に第２分離層９ｂを形成する。これにより、第１分離層９ａ及び第２分離層９ｂが熱光交換膜として機能することにより、レーザー光Ｌが第１樹脂基板層１０ａ及び第２樹脂基板層３０ａに直接的に照射されなくなり、レーザー光Ｌによる第１樹脂基板層１０ａ及び第２樹脂基板層３０ａのダメージを抑制することができる。
　（６）素子原基板作製工程において、第１樹脂基板層１０ａと有機ＥＬ素子層１８及び端子群１２ｔとの間に第１ベースコート層１１ａを形成し、対向原基板作製工程において、第２樹脂基板層３０ａ上に第２ベースコート層３１ａを形成する。これにより、第１ベースコート層１１ａ及び第２ベースコート層３１ａが保護膜として機能することにより、ドライエッチング、ウエットエッチング、レジストの剥離、ベーキング等の処理における第１樹脂基板層１０ａ及び第２樹脂基板層３０ａのダメージを抑制することができる。
　（７）端子群露出工程において、少なくとも基板貼合体１５０ａの表面に露出させた端子群１２ｔの端縁に沿って、第１樹脂基板層１０ａを切断するので、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの縒れた端部が除去され、有機ＥＬ表示装置１００ａの見映えを良好にすることができる。
　（８）素子原基板作製工程で薄膜素子層として有機ＥＬ素子層１８を形成し、基板貼合工程で接着材層４５ａを形成するので、自発光型の表示装置を実現することができる。
　《第２の実施形態》
　図２２～図２４は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図２２は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００ｂの概略構成を示す平面図である。また、図２３及び図２４は、有機ＥＬ表示装置１００ｂの製造方法を示す第１及び第２の平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図２１と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、素子部シール材４６ａ及び端子部シール材４７ａを別々に形成する有機ＥＬ表示装置１００ａの製造方法を例示したが、本実施形態では、素子部シール材４６ｂの一辺と端子部シール材４７ｂの一辺とを一体に形成する有機ＥＬ表示装置１００ｂの製造方法を例示する。
　有機ＥＬ表示装置１００ｂは、図２２に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０及び対向基板４０と、素子基板２０及び対向基板４０の間に設けられた接着材層４５ａ及び素子部シール材４６ｂと、素子基板２０に実装されたＦＰＣ５５とを備えている。さらに、有機ＥＬ表示装置１００ｂは、素子基板２０に接着層２１ａを介して貼り付けられた第１支持フィルム層２２ａと、対向基板４０に接着層４１ａを介して貼り付けられた第２支持フィルム層４２ａとを備えている。なお、素子基板２０上には、図２２に示すように、端子部シール材４７ｂの一部が残っている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１００ｂは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２ａを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うことができる。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ｂは、上記第１の実施形態で説明した製造方法における製造工程の一部を変更することにより、製造することができる。
　具体的には、基板貼合工程において、図２３に示すように、素子原基板１２０の封止膜１９側の表面に、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法等により、表示領域Ｄを囲むように素子部シール材４６ｂとなるシール樹脂を枠状に配置すると共に、端子群１２ｔを囲むように端子部シール材４７ｂとなるシール樹脂をＵ字状に配置する。
　さらに、端子群露出工程において、図２４に示すように、第２支持フィルム４２を貼り付けた被処理体（基板貼合体１５０ｂ）における第１支持フィルム２２、接着剤２１、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの積層体、並びに第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、素子基板２０を作製する。その後、図２４に示すように、分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿って分断した第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢｅに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、対向基板４０を作製して、素子基板２０上の端子群１２ｔを表面に露出させる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ｂの製造方法によれば、上述の（１）、（２）、（４）～（８）の他に、以下の（９）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、素子原基板１２０と対向原基板１４０とを貼り合わせる基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に端子群１２ｔを囲むように枠状の端子部シール材４７ｂを形成する。そのため、後の第１剥離工程において、基板貼合体１５０ｂから第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを剥離させることにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部がそれぞれにかかる応力の差によって縒れてしまっても、その縒れの位置は、端子部シール材４７ｂの外側になり、端子群１２ｔから離れている。これにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部の縒れによる端子群１２ｔにおける端子間隔の不揃いが抑制されるので、後の実装工程において、端子群１２ｔにＦＰＣ５５が確実に実装され、第１樹脂基板層１０ａに設けられた端子群１２ｔに対する実装不良を抑制することができる。
　（２）について詳述すると、基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に接着材層４５ａを囲むように枠状の素子部シール材４６ｂを形成するので、接着材層４５ａの過度の拡がりを抑制することができる。
　（４）について詳述すると、第１剥離工程において、透明な第１支持基板８ａ側から基板貼合体１５０ｂにレーザー光Ｌを照射し、第２剥離工程において、透明な第２支持基板８ｂ側から基板貼合体１５０ｂにレーザー光Ｌを照射する。これにより、基板貼合体１５０ｂから第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂがほとんど浮いた状態になるので、基板貼合体１５０ｂから第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂを容易に剥離させることができる。
　（７）について詳述すると、端子群露出工程において、少なくとも基板貼合体１５０ｂの表面に露出させた端子群１２ｔの端縁に沿って、第１樹脂基板層１０ａを切断するので、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの縒れた端部が除去され、有機ＥＬ表示装置１００ｂの見映えを良好にすることができる。
　（９）基板貼合工程において、素子部シール材４６ｂの一辺と端子部シール材４７ｂの一辺とを一体に形成するので、素子部シール材４６ｂ及び端子部シール材４７ｂを構成するシール樹脂を描画する量を抑制して、コスト低減を図ることができる。
　《第３の実施形態》
　図２５～図２９は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図２５は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００ｃの概略構成を示す平面図である。また、図２６及び図２７は、有機ＥＬ表示装置１００ｃの製造方法を示す第１及び第２の平面図である。また、図２８及び図２９は、有機ＥＬ表示装置１００ｃの製造方法の変形例を示す第１及び第２の平面図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、素子部シール材４６ａ及び４６ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置１００ａ及び１００ｂを例示したが、本実施形態では、素子部シール材が除去又は省略された有機ＥＬ表示装置１００ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置１００ｃは、図２５に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０ｃ及び対向基板４０ｃと、素子基板２０ｃ及び対向基板４０ｃの間に設けられた接着材層４５ａ及び端子部シール材４７ｃの一部と、素子基板２０ｃに実装されたＦＰＣ５５とを備えている。さらに、有機ＥＬ表示装置１００ｃは、素子基板２０ｃに接着層２１ａを介して貼り付けられた第１支持フィルム層２２ａと、対向基板４０ｃに接着層４１ａを介して貼り付けられた第２支持フィルム層４２ｃとを備えている。
　素子基板２０ｃは、後述する基板貼合体１５０ｃ又は１５０ｄの第１支持フィルム２２、接着剤２１、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの積層体での分断位置の違いにより上記第１の実施形態で説明した素子基板２０よりも外形寸法が小さいだけで、その他の構成は素子基板２０と実質的に同じである。
　対向基板４０ｃは、後述する基板貼合体１５０ｃ又は１５０ｄの第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体での分断位置の違いにより上記第１の実施形態で説明した対向基板４０と外形寸法が小さいだけで、その他の構成は対向基板４０と実質的に同じである。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１００ｃは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２ａを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うことができる。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ｃは、上記第１の実施形態で説明した製造方法における製造工程の一部を変更することにより、製造することができる。
　具体的には、基板貼合工程において、図２６に示すように、素子原基板１２０の封止膜１９側の表面に、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法等により、基板周端に沿って素子部シール材４６ｃとなるシール樹脂を枠状に配置すると共に、端子群１２ｔを囲むように端子部シール材４７ｃとなるシール樹脂を枠状に配置する。
　さらに、端子群露出工程において、図２７に示すように、第２支持フィルム４２を貼り付けた被処理体（基板貼合体１５０ｃ）における第１支持フィルム２２、接着剤２１、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの積層体、並びに第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、素子基板２０ｃを作製する。その後、図２７に示すように、分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿って分断した第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢｅに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、対向基板４０ｃを作製して、素子基板２０ｃ上の端子群１２ｔを表面に露出させる。
　或いは、基板貼合工程において、図２８に示すように、素子原基板１２０の封止膜１９側の表面に、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法等により、端子群１２ｔを囲むように端子部シール材４７ｃとなるシール樹脂を枠状に配置する。なお、接着材層４５ａとなる接着樹脂（図２５中ドット部）は、素子部シール材４６ｃ（図２６参照）が省略されているので、表示領域Ｄ全体に拡がるように配置する。
　さらに、端子群露出工程において、図２９に示すように、第２支持フィルム４２を貼り付けた被処理体（基板貼合体１５０ｄ）における第１支持フィルム２２、接着剤２１、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの積層体、並びに第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、素子基板２０ｃを作製する。その後、図２９に示すように、分断ラインＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｄに沿って分断した第２支持フィルム４２、接着剤４１、第２樹脂基板層３０ａ及び第２ベースコート層３１ａの積層体を分断ラインＢｅに沿ってＣＯ２レーザー、カッター刃等を用いて分断することにより、対向基板４０ｃを作製して、素子基板２０ｃ上の端子群１２ｔを表面に露出させる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００ｃの製造方法によれば、上述の（１）、（２）、（４）～（８）の他に、以下の（１０）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、素子原基板１２０と対向原基板１４０とを貼り合わせる基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に端子群１２ｔを囲むように枠状の端子部シール材４７ｃを形成する。そのため、後の第１剥離工程において、基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）から第１支持基板８ａ及び第１分離層９ａを剥離させることにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部がそれぞれにかかる応力の差によって縒れてしまっても、その縒れの位置は、端子部シール材４７ｃの外側になり、端子群１２ｔから離れている。これにより、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの端部の縒れによる端子群１２ｔにおける端子間隔の不揃いが抑制されるので、後の実装工程において、端子群１２ｔにＦＰＣ５５が確実に実装され、第１樹脂基板層１０ａに設けられた端子群１２ｔに対する実装不良を抑制することができる。
　（２）について詳述すると、基板貼合工程において、素子原基板１２０と対向原基板１４０との間に接着材層４５ａを囲むように枠状の素子部シール材４６ｃを形成する場合には、素子部シール材４６ｃにより、接着材層４５ａの過度の拡がりを抑制することができる。
　（４）について詳述すると、第１剥離工程において、透明な第１支持基板８ａ側から基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）にレーザー光Ｌを照射し、第２剥離工程において、透明な第２支持基板８ｂ側から基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）にレーザー光Ｌを照射する。これにより、基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）から第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂがほとんど浮いた状態になるので、基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）から第１支持基板８ａ及び第２支持基板８ｂを容易に剥離させることができる。
　（７）について詳述すると、端子群露出工程において、少なくとも基板貼合体１５０ｃ（１５０ｄ）の表面に露出させた端子群１２ｔの端縁に沿って、第１樹脂基板層１０ａを切断するので、第１樹脂基板層１０ａ及び第１ベースコート層１１ａの縒れた端部が除去され、有機ＥＬ表示装置１００ｃの見映えを良好にすることができる。
　（１０）基板貼合工程において、端子部シール材４７ｃを囲むように素子部シール材４６ｃを形成しても、端子群露出工程で素子部シール材４６ｃが除去され、又は表示領域Ｄの囲む素子部シール材の形成が省略されているので、表示領域Ｄの周囲の額縁領域の幅を狭くすることができ、有機ＥＬ表示装置１００ｃをより小型化することができる。
　《第４の実施形態》
　図３０は、本発明に係る表示装置の第４の実施形態を示している。ここで、図３０は、本実施形態に係る液晶表示装置１００ｄの概略構成を示す断面図である。
　上記第１、第２及び第３の実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１００ａ、１００ｂ及び１００ｃを例示したが、本実施形態では、表示装置として液晶表示装置１００ｄを例示する。
　液晶表示装置１００ｄは、図３０に示すように、互いに対向するように設けられた素子基板２０ｄ及び対向基板４０ｄと、素子基板２０ｄ及び対向基板４０ｄの間に設けられた液晶層４５ｂ及び素子部シール材４６ａと、素子基板２０ｄに実装部品として実装されたＦＰＣ５５とを備えている。さらに、液晶表示装置１００ｄは、図３０に示すように、素子基板２０ｄに接着層２１ａを介して貼り付けられた第１支持フィルム層２２ａと、対向基板４０ｄに接着層４１ａを介して貼り付けられた第２支持フィルム層４２ａとを備えている。ここで、液晶表示装置１００ｄでは、後述するＴＦＴアレイ素子層１３ｂが平面視で矩形状に設けられることにより、画像表示を行う表示領域Ｄが矩形状に規定されている。
　素子基板２０ｄは、図３０に示すように、第１樹脂基板層１０ａと、第１樹脂基板層１０ａ上に設けられた第１ベースコート層１１ａと、第１ベースコート層１１ａ上に設けられたＴＦＴアレイ素子層１３ｂと、ＴＦＴアレイ素子層１３ｂを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。なお、図３０に示すように、表示領域Ｄの周囲の額縁領域において、第１ベースコート層１１ａ上には、ＦＰＣ５５からの電気信号をＴＦＴアレイ素子層１３ｂに入力するための端子群１２ｔが設けられている。ここで、素子基板２０ｄ上の配向膜、及び後述する対向基板４０ｄ上の配向膜は、例えば、ポリイミド樹脂により構成されている。
　ＴＦＴアレイ素子層１３ｂは、例えば、第１ベースコート層１１ａ上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２ａ、層間絶縁膜１３及び複数の画素電極を備えている。ここで、複数の画素電極は、各サブ画素に対応するように、層間絶縁膜１３上にマトリクス状に設けられている。また、各画素電極は、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２ａのドレイン電極に接続されている。また、各画素電極は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により構成されている。
　対向基板４０ｄは、図３０に示すように、第２樹脂基板層３０ａと、第２樹脂基板層３０ａ上に設けられた第２ベースコート層３１ａと、第２ベースコート層３１ａ上に設けられたカラーフィルター層３２と、カラーフィルター層３２上に設けられた共通電極（不図示）と、その共通電極を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、共通電極は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜により構成されている。
　液晶層４５ｂは、素子基板２０ｄ及び対向基板４０ｄの間に中間層として設けられ、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料等により構成されている。
　上記構成の液晶表示装置１００ｄは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２ａを介して素子基板２０ｄ上の各画素電極と対向基板４０ｄ上の共通電極との間に配置する液晶層４５ｂに所定の電圧を印加して液晶層４５ｂの配向状態を変えることにより、例えば、バックライトからの光の透過率を調整して、画像表示を行うことができる。
　本実施形態の液晶表示装置１００ｄは、上記第１の実施形態で説明した製造方法における製造工程の一部を変更することにより、製造することができる。
　具体的には、素子原基板作製工程において、第１ベースコート層１１ａの表面に、周知の方法により、ＴＦＴ１２ａ、層間絶縁膜１３、画素電極及び配向膜を形成する。また、対向原基板作製工程において、第２ベースコート層３１ａの表面に、周知の方法により、カラーフィルター層３２、共通電極及び配向膜を形成する。
　さらに、基板貼合工程において、まず、上記素子原基板作製工程で作製した素子原基板上の配向膜の表面に、ディスペンサ方式、スクリーン印刷法等により、表示領域Ｄを囲むように素子部シール材４６ａとなるシール樹脂を枠状に配置すると共に、端子群１２ｔを囲むように端子部シール材４７ａとなるシール樹脂を枠状に配置する。続いて、素子原基板上の配向膜の表面において、素子部シール材４６ａとなるシール樹脂の内側に、例えば、ディスペンサ方式により、液晶材料を配置する。そして、シール樹脂及び液晶材料が配置された素子原基板と、上記対向原基板作製工程で作製した対向原基板とをそれぞれの配向膜が対向するように、減圧雰囲気で貼り合わせた後に、その減圧雰囲気を開放することにより、素子原基板及び対向原基板の外側の表面を加圧する。最後に、素子原基板及び対向原基板に挟まれたシール樹脂に対して、加熱処理を行うことにより、シール樹脂を硬化させて、素子部シール材４６ａ、端子部シール材４７ａ及び液晶層４５ｂを形成する。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置１００ｄによれば、上述の（１）、（４）～（７）の効果の他に、以下の（１１）の効果を得ることができる。
　（１１）素子原基板作製工程で薄膜素子層としてＴＦＴアレイ素子層１３ｂを形成し、基板貼合工程で液晶層４５ｂを形成するので、受光型の表示装置を実現することができる。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、素子部シール材４６ａ及び端子部シール材４７ａを別々に形成する液晶表示装置１００ｄの製造方法を例示したが、上記第２の実施形態と同様に、素子部シール材の一辺と端子部シール材の一辺とを一体に形成する製造方法に適用してもよい。
　《その他の実施形態》
　上記第１～第３の実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置等にも適用することができる。
　また、上記第１～第３の各実施形態では、対向基板にカラーフィルター層を設け、素子基板で白色光を発光させる有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、対向基板のカラーフィルター層を省略して、素子基板の発光層をＲＧＢ塗り分け方式で形成した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、レーザー光の照射により樹脂基板層を支持基板から剥離させる表示装置の製造方法を例示したが、本発明は、支持基板及び樹脂基板層の間に酸化膜を設け、酸化膜を加熱処理により結晶化して、樹脂基板層を支持基板から剥離させる表示装置の製造方法にも適用することができる。
　また、上記第１～第３の実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記第１～第３の実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
８ａ　　　第１支持基板
８ｂ　　　第２支持基板
９ａ　　　第１分離層
９ｂ　　　第２分離層
１０ａ　　第１樹脂基板層
１１ａ　　第１ベースコート層
１８　　　有機ＥＬ素子層（薄膜素子層）
２０，２０ｃ　　　素子基板
２２　　　第１支持フィルム
３０ａ　　第２樹脂基板層
３１ａ　　第２ベースコート層
４０，４０ｃ　　　対向基板
４２　　　第２支持フィルム
４５ａ　　　接着材層、封止樹脂層（中間層）
４５ｂ　　　液晶層（中間層）
４６ａ，４６ｂ　　素子部シール材
４７ａ～４７ｃ　　端子部シール材
５５　　　　ＦＰＣ（実装部品）
１００ａ～１００ｃ　　有機ＥＬ表示装置
１００ｄ　　液晶表示装置
１２０　　　素子原基板
１４０　　　対向原基板
１５０ａ～１５０ｄ　　基板貼合体

Claims (11)

  1. 　第１支持基板に第１樹脂基板層を形成した後に、該第１樹脂基板層に薄膜素子層及び該薄膜素子層に接続された端子群を形成して、素子基板となる素子原基板を作製する素子原基板作製工程と、
    　第２支持基板に第２樹脂基板層を形成して、対向基板となる対向原基板を作製する対向原基板作製工程と、
    　前記薄膜素子層及び前記端子群と前記第２樹脂基板層とが対向するように前記素子原基板と前記対向原基板とを中間層を介して貼り合わせて、基板貼合体を作製する基板貼合工程と、
    　前記基板貼合体から前記第１支持基板を剥離させる第１剥離工程と、
    　前記第１支持基板を剥離させた前記基板貼合体の前記第１樹脂基板層に第１支持フィルムを貼り付ける第１フィルム貼付工程と、
    　前記第１支持フィルムを貼り付けた前記基板貼合体から前記第２支持基板を剥離させる第２剥離工程と、
    　前記第２支持基板を剥離させた前記基板貼合体の前記第２樹脂基板層に第２支持フィルムを貼り付ける第２フィルム貼付工程と、
    　前記第２支持フィルムを貼り付けた前記基板貼合体の前記第２樹脂基板層の一部を除去して、前記端子群を表面に露出させる端子群露出工程と、
    　前記基板貼合体の表面に露出させた前記端子群に実装部品を実装する実装工程とを備える表示装置の製造方法であって、
    　前記基板貼合工程では、前記素子原基板と前記対向原基板との間に前記端子群を囲むように枠状の端子部シール材を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 　前記基板貼合工程では、前記素子原基板と前記対向原基板との間に前記中間層を囲むように枠状の素子部シール材を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　前記基板貼合工程では、前記素子部シール材を囲むように前記端子部シール材を形成することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　前記基板貼合工程では、前記素子部シール材の一辺と前記端子部シール材の一辺とを一体に形成することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　前記基板貼合工程では、前記端子部シール材を囲むように前記素子部シール材を形成することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  6. 　前記第１剥離工程では、透明な前記第１支持基板側から前記基板貼合体にレーザー光を照射し、
    　前記第２剥離工程では、透明な前記第２支持基板側から前記基板貼合体にレーザー光を照射することを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
  7. 　前記素子原基板作製工程では、前記第１支持基板と前記第１樹脂基板層との間に第１分離層を形成し、
    　前記対向原基板作製工程では、前記第２支持基板と前記第２樹脂基板層との間に第２分離層を形成することを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記素子原基板作製工程では、前記第１樹脂基板層と前記薄膜素子層及び前記端子群との間に第１ベースコート層を形成し、
    　前記対向原基板作製工程では、前記第２樹脂基板層上に第２ベースコート層を形成することを特徴とする請求項６又は７に記載の表示装置の製造方法。
  9. 　前記端子群露出工程では、少なくとも前記基板貼合体の表面に露出させた前記端子群の端縁に沿って、前記第１樹脂基板層を切断することを特徴とする請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
  10. 　前記薄膜素子層は、有機ＥＬ素子層であり、
    　前記中間層は、接着材層又は封止樹脂層であることを特徴とする請求項１～９の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
  11. 　前記薄膜素子層は、ＴＦＴアレイ素子層であり、
    　前記中間層は、液晶層であることを特徴とする請求項１～９の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018138812A1 (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネルの製造装置
WO2018179265A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
CN109300400A (zh) * 2018-10-31 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
JP6463876B1 (ja) * 2017-09-27 2019-02-06 シャープ株式会社 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法
WO2019043761A1 (ja) * 2017-08-28 2019-03-07 シャープ株式会社 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法
WO2019097849A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111383536A (zh) * 2020-03-30 2020-07-07 昆山国显光电有限公司 一种柔性显示面板及其制作方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601771A (zh) * 2016-12-09 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板及其制作方法
CN110164874B (zh) * 2019-06-04 2021-06-22 上海天马微电子有限公司 柔性显示模组、显示装置及柔性显示模组的制作方法
KR102833605B1 (ko) * 2019-11-18 2025-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102905454B1 (ko) * 2020-05-26 2025-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2024152362A (ja) * 2023-04-14 2024-10-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 カラーフィルター及び液晶表示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2011053582A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Seiko Epson Corp 表示パネルの製造方法
JP2011128481A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
WO2012042822A1 (ja) * 2010-10-01 2012-04-05 シャープ株式会社 フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
JP2013062027A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
WO2015008642A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 シャープ株式会社 フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472356B1 (ko) * 1998-05-25 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP4004672B2 (ja) * 1998-12-28 2007-11-07 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びその製造方法
JP3871983B2 (ja) * 2002-08-08 2007-01-24 鹿児島日本電気株式会社 液晶表示パネルの製造方法
JP4109707B1 (ja) * 2007-05-30 2008-07-02 新藤電子工業株式会社 半導体装置およびその製造方法、ならびにディスプレイ装置およびその製造方法
JP5071152B2 (ja) 2008-02-28 2012-11-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および照明装置の製造方法
JP2010243556A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法
WO2013141292A1 (ja) * 2012-03-21 2013-09-26 京セラ株式会社 入力装置、表示装置、電子機器、および携帯端末

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2011053582A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Seiko Epson Corp 表示パネルの製造方法
JP2011128481A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
WO2012042822A1 (ja) * 2010-10-01 2012-04-05 シャープ株式会社 フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
JP2013062027A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
WO2015008642A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 シャープ株式会社 フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018138812A1 (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネルの製造装置
CN110192432A (zh) * 2017-01-25 2019-08-30 夏普株式会社 Oled面板的制造方法和oled面板的制造装置
US11367844B2 (en) 2017-01-25 2022-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha OLED panel production method and OLED panel production apparatus
WO2018179265A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
WO2019043761A1 (ja) * 2017-08-28 2019-03-07 シャープ株式会社 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法
JP6463876B1 (ja) * 2017-09-27 2019-02-06 シャープ株式会社 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法
US11211579B2 (en) 2017-09-27 2021-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate sealing structure body, and, display device and production method therefor
US11437600B2 (en) 2017-09-27 2022-09-06 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate sealing structure body, and, display device and production method therefor
WO2019097849A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109300400A (zh) * 2018-10-31 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111383536A (zh) * 2020-03-30 2020-07-07 昆山国显光电有限公司 一种柔性显示面板及其制作方法

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