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WO2013190943A1 - 磁気記録膜用スパッタリングターゲット - Google Patents

磁気記録膜用スパッタリングターゲット Download PDF

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WO2013190943A1
WO2013190943A1 PCT/JP2013/064242 JP2013064242W WO2013190943A1 WO 2013190943 A1 WO2013190943 A1 WO 2013190943A1 JP 2013064242 W JP2013064242 W JP 2013064242W WO 2013190943 A1 WO2013190943 A1 WO 2013190943A1
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WO
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powder
sputtering
target
holding
sputtering target
Prior art date
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Application number
PCT/JP2013/064242
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English (en)
French (fr)
Inventor
真一 荻野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
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Publication date
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Priority to US14/372,236 priority patent/US9540724B2/en
Priority to SG11201404067PA priority patent/SG11201404067PA/en
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target used for manufacturing a heat-assisted magnetic recording medium, and more particularly to an Fe—Pt sputtering target in which C particles are dispersed.
  • materials based on Co, Fe, or Ni which are ferromagnetic metals, are used as materials for magnetic thin films in magnetic recording media.
  • a Co—Cr-based or Co—Cr—Pt-based ferromagnetic alloy containing Co as a main component has been used for a magnetic thin film of a hard disk employing an in-plane magnetic recording method.
  • hard magnetic thin films employing perpendicular magnetic recording that have been put into practical use in recent years often use a composite material composed of Co—Cr—Pt-based ferromagnetic alloy mainly composed of Co and non-magnetic inorganic particles. It has been.
  • the above-mentioned magnetic thin film is often produced by sputtering a sputtering target containing the above material as a component with a DC magnetron sputtering apparatus because of its high productivity.
  • FePt phase having an L1 0 structure is attracting attention as a material for an ultra-high density recording medium.
  • FePt phase having an L1 0 structure with a high magnetocrystalline anisotropy, corrosion resistance and excellent oxidation resistance is what is expected as a material suitable for the application as a magnetic recording medium.
  • a granular structure magnetic thin film of FePt magnetic particles are isolated by a non-magnetic material such oxides or carbon having an L1 0 structure, as for a magnetic recording medium of the next generation hard disk employing a thermally assisted magnetic recording method Proposed.
  • This granular structure magnetic thin film has a structure in which magnetic particles are magnetically insulated by interposition of a nonmagnetic substance.
  • Patent Document 1, Patent Document 2, Patent Document 3, Patent Document 4, and Patent Document 5 can be cited as examples of magnetic recording media having a magnetic thin film having a granular structure and related documents.
  • the granular structure magnetic thin film having a Fe-Pt phase with the L1 0 structure, a magnetic thin film containing 10-50% of C as a nonmagnetic material as a volume ratio, have attracted attention particularly because of their high magnetic properties . It is known that such a granular structure magnetic thin film is produced by simultaneously sputtering an Fe target, a Pt target, and a C target, or by simultaneously sputtering an Fe—Pt alloy target and a C target. However, in order to simultaneously sputter these sputtering targets, an expensive simultaneous sputtering apparatus is required.
  • the magnetic recording layer is composed of a magnetic phase such as Fe—Pt and a nonmagnetic phase separating the magnetic phase, and it is known that carbon is effective as one of the nonmagnetic phases.
  • carbon is a material that is difficult to sinter, and has a problem that an aggregate is easily formed between carbons. Accordingly, there is a problem that carbon lump is easily detached during sputtering, and many particles are generated on the film after sputtering. As described above, attempts have been made to improve the magnetic recording layer by introducing carbon, but the present situation has not yet solved the problem during sputtering of the target.
  • Patent Document 7 the intensity I G of the band G (graphite) having a peak at approximately 1550 ⁇ 1650 cm -1 for surface enhanced Raman spectrum, the band D having a peak at approximately 1350 ⁇ 1450 cm -1 of the (disorder)
  • a carbon film evaluation method having a step of evaluating the film quality of the carbon film based on the ratio I D / I G to the strength ID, and confirming that I D / I G is in the range of 0.1 to 0.5
  • a carbon film evaluation method and a magnetic recording medium manufacturing method are described.
  • Patent Documents 6 and 7 are merely evaluations of carbon films, and a considerable amount of carbon is included in the magnetic metal that is the main constituent material of a sputtering target for forming a magnetic recording film. If present, how the target will be affected, how it will behave during the manufacturing process of the target, and how it will be deposited when sputtered using such a target. It is not directly related to whether or not it will have a significant impact, and it cannot be said that these technologies have been fully elucidated.
  • Patent Document 8 and Patent Document 9 although the magnetic recording medium is evaluated by Raman spectrum of SiC or carbon-based thin film, carbon is the main constituent material of the sputtering target for forming the magnetic recording film. How it affects the target when it is present in a significant amount in a magnetic metal, how it behaves during the manufacturing process of the target, and using such a target It is not directly related to how the film formation is affected by sputtering, and it cannot be said that these techniques have been sufficiently elucidated.
  • An object of the present invention is to enable the production of a granular structure magnetic thin film without using an expensive simultaneous sputtering apparatus.
  • Carbon is a material that is difficult to sinter, and has the problem of easily forming aggregates between carbons. Carbon lumps are easily detached during sputtering, and the film after sputtering
  • the present inventors have conducted intensive research. As a result, the material of C, which is a nonmagnetic material, is improved, and C particles having a predetermined size are uniformly dispersed in the base metal. As a result, it is possible to prevent carbon from aggregating during pulverization and mixing, and it is possible to manufacture a high-density sputtering target that has very few particles. That is, it was found that the yield during film formation can be improved.
  • a sputtering target for a magnetic recording film containing C wherein the peak intensity ratio (I G / I D ) of G band and D band in Raman scattering spectroscopy is 5.0 or more.
  • Sputtering target for recording film 2)
  • the sputtering target for a magnetic recording film of the present invention makes it possible to produce a magnetic thin film having a granular structure without using an expensive simultaneous sputtering apparatus.
  • the sputtering target for a magnetic recording film in which C particles are dispersed, particularly Fe— It is possible to provide a Pt-based sputtering target.
  • Carbon is a material that is difficult to sinter, solves the problem of easy formation of aggregates between carbons, and carbon lumps are easily detached during sputtering. It has an excellent effect that the problem that many particles are generated on the subsequent film can be solved.
  • Patent Document 10 The inventors previously thought that by intentionally destroying the crystallinity of carbon, the sputtering characteristics of the carbon material can be improved and particles during sputtering can be reduced.
  • extremely fine carbon particles may agglomerate, and this agglomerate may cause generation of particles during sputtering. Therefore, the inventors selected in advance a carbon material that does not easily agglomerate, and the carbon material is uniformly dispersed in the base metal (matrix) so that the carbon is not crushed during mixing. As a result, it was found that the sinterability of carbon can be improved, and particles during sputtering can be reduced.
  • the sputtering target for magnetic recording film of the present invention is a sputtering target for magnetic recording film containing C, and the peak intensity ratio (I G / I D ) of G band and D band in Raman scattering spectroscopic measurement is 5 0 or more.
  • the present invention is particularly effective for a sputtering target for a magnetic recording film composed of a metal having a composition in which Pt is 5 mol% or more and 60 mol% or less and the balance is Fe and C. The content of these components is a condition for obtaining good magnetic properties.
  • the C content is preferably 10 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the amount of C if the content in the target composition is less than 10 mol%, good magnetic properties may not be obtained, and if it exceeds 70 mol%, C particles aggregate and many particles are generated. This is because there is a case.
  • it can be set as the sputtering target for magnetic recording films whose relative density is 90% or more. It is one of the requirements of the present invention that the relative density is 90% or more. When the relative density is high, there are few problems due to degassing from the sputtering target at the time of sputtering, and the adhesion between the alloy and the C particles is improved, so that the generation of particles can be effectively suppressed. More preferably, it is 95% or more.
  • the relative density is a value obtained by dividing the actually measured density of the target by the calculated density (also called the theoretical density).
  • the calculated density is a density when it is assumed that the constituent elements of the target are mixed without diffusing or reacting with each other, and is calculated by the following equation.
  • Calculated density Sigma ⁇ (atomic weight of constituent element x atomic ratio of constituent element) / ⁇ (atomic weight of constituent element x atomic ratio of constituent element / document value density of constituent element)
  • ⁇ means taking the sum of all the constituent elements of the target.
  • the sputtering target for a magnetic recording film can further contain 0.5 mol% or more and 20 mol% or less of one or more elements selected from B, Ru, Ag, Au, and Cu as additive elements. These additions are optional, but can be added depending on the material in order to improve the magnetic properties.
  • the sputtering target for magnetic recording films can use ceramic materials, such as an oxide and nitride, as an additive.
  • ceramic materials such as an oxide and nitride
  • 0.5 mol% or more and 20 mol% or less of at least one oxide selected from SiO 2 , Cr 2 O 3 , CoO, Ta 2 O 5 , B 2 O 3 , MgO, and Co 3 O 4 is contained. It is.
  • the use of these additives is optional, but can be added depending on the material in order to improve the magnetic properties.
  • the primary particle diameter of the carbon raw material increases, the planar structure of the graphite increases. Therefore, the primary particle diameter is considered to have a high correlation with the crystallinity. Therefore, the inventors evaluated the crystallinity of carbon by Raman scattering spectroscopy and compared it with the amount of particles generated during sputtering, and found that there is a high correlation between the two.
  • a generally known ratio of G band and D band of Raman scattering spectroscopy can be used as an index for evaluating the crystallinity (completeness of sp 2 hybrid orbitals) of the carbon material.
  • the G band is a vibration mode derived from the six-membered ring structure of graphite. A peak appears in the vicinity of 1570 cm ⁇ 1 , and the peak intensity increases as the crystal structure becomes more complete.
  • the D band is a vibration mode derived from the defect structure of graphite. A peak appears near 1350 cm ⁇ 1 , and the peak intensity increases as the defect increases. That is, the higher the crystallinity, the higher the I G / ID ratio. The greater the intensity of the G band, the more complete the crystal structure (higher crystallinity), and the smaller the intensity, the incomplete crystal structure (low crystalline).
  • Renishaw in Via Raman Microscope was used as the Raman scattering spectrometer.
  • the excitation light was Compass TM 315M Diode-Pumped Laser (manufactured by COHERENT), the excitation wavelength was 532 nm, the output of the excitation light source was 5 mW, and the diffraction grating was 1800 L / mm.
  • the measurement range of Raman shift was 1033 to 1842 cm ⁇ 1 .
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results. For convenience of curve fitting, a D ′ band near 1620 cm ⁇ 1 also appears, but the D ′ band is a vibration mode derived from the defect structure of graphite, and this is not directly related to the present invention. Just keep it on display.
  • the present invention uses a laser excitation wavelength of 532 nm.
  • the excitation light source other than this, an Ar laser, He—Ne A gas laser such as a laser or a Kr laser can be used. These lasers are appropriately selected according to the required excitation wavelength.
  • the intensity I G of the G band having a peak at 1520 ⁇ 1600 cm -1 of the Raman spectrum
  • the intensity I D of D band appears having a peak in 1320 ⁇ 1450 cm -1.
  • the present invention can be applied. From the above, the crystallinity of the carbon material can be evaluated by calculating the peak intensity ratio between the G band and the D band (referred to as the I G / ID ratio).
  • the present invention improves the sputtering characteristics by increasing the crystallinity and reduces the particles during sputtering, and the peak intensity ratio between the G band and the D band in Raman scattering spectroscopy measurement ( I G / I D ) is 5.0 or more.
  • the upper limit value of the peak intensity ratio (I G / I D ) between the G band and the D band is not particularly limited, but is often 20 or less in many cases. If the peak intensity ratio (I G / ID ) is 5.0 or more, the generation of particles can be effectively suppressed.
  • the peak intensity ratio of this invention measures the intensity ratio of arbitrary 10 places of a target, and makes it the average value.
  • the sputtering target of the present invention is produced by a powder sintering method.
  • each raw material powder for example, Fe powder, Pt powder, C powder as a typical example
  • the C raw material powder has an average particle size of 0.5 to 50 ⁇ m.
  • the type of C powder to be used is not particularly limited, and can be arbitrarily selected and used depending on the type of target, but exfoliated graphite has higher conductivity than graphite that has not been exfoliated and has abnormal discharge. This is preferable because Moreover, since it will become easy to aggregate when the particle diameter of C powder is too small, it is desirable to set it as 0.5 micrometer or more. On the other hand, if the particle size of the C powder is large, it may cause abnormal discharge during sputtering.
  • an alloy powder Fe—Pt powder, Fe—Cu powder, Pt—Cu powder, Fe—Pt—Cu powder
  • an alloy powder containing Pt is effective for reducing the amount of oxygen in the raw material powder, although it depends on its composition.
  • the above powder is weighed so as to have a desired composition, mixed and pulverized. What is important is to remove a mass of several hundred ⁇ m to several mm contained in the C raw material powder by crushing or sieving in order to uniformly disperse the carbon raw material in the matrix.
  • a stirring mixer, a stirring rolling mixer, a sieve of about 100 to 200 mesh, or the like can be used.
  • the sieve has not only the removal of coarse particles but also the function of crushing and mixing. Further, such crushing and sieving of the C raw material powder can be performed after mixing the carbon raw material and other raw materials.
  • a vertical mixer, a V-type mixer, or a mixer having performance equivalent to this can be used.
  • a carbon raw material and other raw material powders are mixed.
  • a mixing method a device for mixing by shearing force can be used.
  • a mortar, a stirring mixer (high speed), a stirring tumbling mixer (high speed), or the like can be used.
  • other devices can be used as long as shearing force is generated and the raw material is not pulverized.
  • a mixing apparatus that finely pulverizes the raw material with an impact force such as a ball mill or a medium stirring mill is not preferable because it promotes the fine pulverization of the carbon raw material and promotes the aggregation of the carbon raw materials. .
  • such an apparatus can be used as long as it is used for a very short time or other conditions that suppress the influence of fine grinding.
  • the mixed powder thus obtained is molded and sintered with a hot press.
  • a plasma discharge sintering method or a hot isostatic pressing method can also be used.
  • the holding temperature at the time of sintering depends on the composition of the sputtering target, but in most cases, it is in the temperature range of 1000 to 1500 ° C. 25 MPa to 35 MPa. Even under this sintering condition, it is necessary to suppress aggregation of C particles.
  • Hot isostatic pressing is performed on the sintered body taken out from the hot press.
  • Hot isostatic pressing is effective in improving the density of the sintered body.
  • the holding temperature during hot isostatic pressing depends on the composition of the sintered body, but in many cases is in the temperature range of 1000 to 1500 ° C. Further, the pressure is set to 100 Mpa or more.
  • the peak intensity ratio (I G / I D ) of G band and D band in the Raman scattering spectroscopic measurement in which C particles are uniformly dispersed in the alloy and high density C particles are dispersed is 5.0 or more. It is possible to produce a sputtering target for a magnetic recording film, which is characterized.
  • the sputtering target of the present invention produced as described above is useful as a sputtering target used for forming a granular structure magnetic thin film.
  • Example 1 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition was 30Fe-30Pt-40C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed C powder was sealed in a stirring mixer and crushed by rotating at 800 rpm for 5 minutes. Thereafter, the crushed C powder, Fe powder, and Pt powder were placed in a mortar and mixed for 2 hours. Next, the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • a structural photograph of the sintered body thus produced is shown in FIG. Thus, it can be seen that C particles having the same size as the particle diameter of the input raw material remain.
  • the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.1%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 2 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 7.05, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • the number of particles at this time was 64 as shown in Table 1. It was a piece. Compared to the comparative example, it was greatly reduced.
  • Example 2 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition was 30Fe-30Pt-40C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed C powder was sealed in a stirring mixer and crushed by rotating at 800 rpm for 5 minutes. Thereafter, the pulverized C powder, Fe powder, and Pt powder were put into a 5 L-type medium stirring mill and mixed by rotating at 300 rpm for 1 hour. Next, the mixed powder taken out from the stirring mill was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • a structural photograph of the sintered body thus produced is shown in FIG. Thus, it can be seen that C particles having the same size as the particle diameter of the input raw material remain. Further, the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.0%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 4 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 5.02, satisfying the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 3 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition would be 30Fe-30Pt-40C (mol%).
  • the C powder graphite having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m was used.
  • the weighed C powder was sealed in a stirring mixer and crushed by rotating at 800 rpm for 5 minutes. Thereafter, the pulverized C powder, Fe powder, and Pt powder were placed in a 5 L-type medium agitating mill and mixed by rotating at 300 rpm for 30 minutes. Next, the mixed powder taken out from the stirring mill was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • FIG. 5 shows a structure photograph of the sintered body thus produced.
  • C particles having the same size as the particle diameter of the input raw material remain.
  • the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.5%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 6 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 5.93, satisfying the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 4 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 20 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition would be 30Fe-30Pt-40C (mol%).
  • the C powder graphite having an average particle diameter of 20 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was passed through a 100 mesh sieve, and then put into a stirring mixer (high speed), and mixed by rotating at 1300 rpm for 5 minutes.
  • the mixed powder taken out from the stirring mixer was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • FIG. 7 shows a structure photograph of the sintered body thus produced.
  • C particles having the same size as the particle diameter of the input raw material remain.
  • the density of the sintered body was measured by Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.6%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 8 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 6.52, satisfying the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 5 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Ag powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 20 ⁇ m are prepared as raw material powders, and the composition is 35Fe-25Pt-35C-5Ag (mol%) ).
  • the C powder graphite having an average particle diameter of 20 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer and mixed. Then, after passing through a 200 mesh sieve, the raw material powder was mixed in a mortar for 2 hours. Next, the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 950 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressure was applied at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • FIG. 9 shows a structure photograph of the sintered body thus produced.
  • C particles having the same size as the particle diameter of the input raw material remain.
  • the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.0%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 10 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 5.84, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection device Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 6 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition was 25Fe-25Pt-50C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a V-type mixer and mixed. Thereafter, the mixture was crushed at 800 rpm for 5 minutes using a stirring mixer, and then mixed in a mortar for 2 hours. Next, the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.1%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.93, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 7 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition would be 45Fe-45Pt-10C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a V-type mixer and mixed. Thereafter, the mixture was crushed at 800 rpm for 5 minutes using a stirring mixer, and then mixed in a mortar for 2 hours. Next, the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1300 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.6%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.85, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 8 As raw material powder, Fe powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Ru powder having an average particle size of 3 ⁇ m, C powder having an average particle size of 20 ⁇ m, TiO 2 powder having an average particle size of 1 ⁇ m, and an average particle size of 0.5 ⁇ m. SiO 2 powder and Cr 2 O 3 powder having an average particle size of 0.5 ⁇ m were prepared and weighed so that the composition was 39Fe-40Pt-2Ru-10C-3TiO 2 -3SiO 2 -3Cr 2 O 3 (mol%) did. As the C powder, graphite having an average particle diameter of 20 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer and mixed. Thereafter, the mixture was crushed at 800 rpm for 5 minutes using a stirring mixer, and then mixed in a mortar for 2 hours. Next, the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 99.1%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.27, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection device Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 9 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition would be 30Fe-60Pt-10C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was passed through a 100 mesh sieve, and then placed in a mortar and mixed for 2 hours.
  • the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1300 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.9%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 7.02, satisfying the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • the number of particles at this time was 23 as shown in Table 1. It was a piece. Compared to the comparative example, it was greatly reduced.
  • Example 10 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m were prepared as raw material powders, and weighed so that the composition would be 55Fe-5Pt-40C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 6 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was passed through a 100 mesh sieve, and then placed in a mortar and mixed for 2 hours.
  • the mixed powder taken out from the mortar was filled into a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.7%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.94, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m, and Au powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m are prepared as raw material powder, and the composition is 30Fe-45Pt-20C-5Au (mol%). ).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer, mixed, and then crushed using a stirring mixer at 800 rpm for 5 minutes. Then, it mixed at 1300 rpm for 5 minutes using the stirring mixer (high speed). Next, the mixed powder taken out from the stirring mixer was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot pressing conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1350 ° C., and a holding time of 2 hours, and the pressure was increased from 30 MPa to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.8%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.69, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Example 12 Fe powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, C powder having an average particle diameter of 15 ⁇ m, and Cu powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m are prepared as raw material powders, and the composition is 35Fe-35Pt-20C-10Cu (mol%). ).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer, mixed, and then crushed using a stirring mixer at 800 rpm for 5 minutes. Then, it mixed at 1300 rpm for 5 minutes using the stirring mixer (high speed). Next, the mixed powder taken out from the stirring mixer was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot pressing conditions were a vacuum atmosphere, a temperature rising rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1350 ° C., and a holding time of 2 hours. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.2%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.92, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • the number of particles at this time was 42 as shown in Table 1. It was a piece. Compared to the comparative example, it was greatly reduced.
  • Fe powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 3 ⁇ m, C powder having an average particle size of 15 ⁇ m, and B powder having an average particle size of 10 ⁇ m are prepared as raw material powder, and the composition is 43Fe-45Pt-2B-10C (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer, mixed, and then crushed using a stirring mixer at 800 rpm for 5 minutes. Then, it mixed at 1300 rpm for 5 minutes using the stirring mixer (high speed). Next, the mixed powder taken out from the stirring mixer was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot pressing conditions were a vacuum atmosphere, a temperature rising rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1200 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of temperature rising to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 97.1%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.88, which satisfied the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • Fe powder with an average particle size of 3 ⁇ m, Pt powder with an average particle size of 3 ⁇ m, C powder with an average particle size of 15 ⁇ m, Ta 2 O 5 powder with an average particle size of 1 ⁇ m, B 2 O 3 powder with an average particle size of 1 ⁇ m, average A 3MgO powder having a particle diameter of 1 ⁇ m and a CoO powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m were prepared and weighed so that the composition was 40Fe-40Pt-10C-3Ta 2 O 5 -3B 2 O 3 -3MgO-1CoO (mol%).
  • the C powder exfoliated graphite having an average particle diameter of 15 ⁇ m was used.
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer, mixed, and then crushed using a stirring mixer at 800 rpm for 5 minutes. Then, it mixed for 2 hours using the mortar. Next, the mixed powder taken out from the stirring mixer was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the density of the sintered body thus produced was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 98.2%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • the I G / ID ratio was 6.29, and the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more was satisfied.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer and mixed. Then, after passing through a 200 mesh sieve, it was mixed for 20 hours at 300 rpm using a 5 L medium stirring mill. Next, the mixed powder taken out from the stirring mill was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • FIG. 11 shows a structure photograph of the sintered body thus produced.
  • the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.7%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 12 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 2.05, and the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more was not satisfied.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • the weighed raw material powder was sealed in a vertical mixer and mixed. Then, after passing through a 100 mesh sieve, mixing was performed at 300 rpm for 48 hours using a 5 L medium stirring mill. Next, the mixed powder taken out from the stirring mill was filled in a carbon mold and hot-pressed.
  • the hot press conditions were a vacuum atmosphere, a heating rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1400 ° C., and a holding time of 2 hours, and pressurization was performed at 30 MPa from the start of heating to the end of holding. After completion of the holding, it was naturally cooled in the chamber.
  • hot isostatic pressing was performed on the sintered body taken out from the hot press mold.
  • the conditions for hot isostatic pressing were a temperature increase rate of 300 ° C./hour, a holding temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and gradually increasing the Ar gas pressure from the start of the temperature increase to 1100 ° While being held at C, it was pressurized at 150 MPa. After completion of the holding, it was naturally cooled in the furnace.
  • the structure of the sintered body thus produced is shown in FIG. Thus, it can be seen that there are C particles in which the input raw material is finely pulverized.
  • the density of the sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density was calculated to be 96.8%.
  • this sintered body was cut into a shape having a diameter of 180.0 mm and a thickness of 5.0 mm with a lathe to obtain a target.
  • Raman scattering spectroscopic measurement conditions were an excitation wavelength of 532 nm, an output of 5 mW, and a diffraction grating of 1800 L / mm.
  • the Lorentz function was used for curve fitting of measurement results.
  • FIG. 14 shows the results of Raman scattering spectroscopy measurement and curve fitting of Fe—Pt—C.
  • the I G / ID ratio was 1.70, and the condition that the I G / ID ratio of the present invention was 5.0 or more was not satisfied.
  • this target was attached to a magnetron sputtering apparatus (C-3010 sputtering system manufactured by Canon Anelva), and sputtering was performed.
  • the sputtering conditions were an input power of 1 kW and an Ar gas pressure of 1.7 Pa.
  • a film was formed on a 4-inch diameter silicon substrate for 20 seconds.
  • a surface foreign matter inspection apparatus Surfscan 6420, manufactured by KLA-Tencor
  • the sputtering target for a magnetic recording film of the present invention makes it possible to produce a granular structure magnetic thin film without using an expensive simultaneous sputtering apparatus.
  • a sputtering target can be provided, and carbon is a material that is difficult to sinter, which solves the problem of easy formation of aggregates between carbons, and carbon lumps are easily detached during sputtering. It has an excellent effect that the problem that a large number of particles are generated on the film can be solved. Therefore, it is useful as a sputtering target for forming a magnetic thin film having a granular structure.

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Abstract

Ｃを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、ラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にするものであり、Ｃ粒子が分散した磁気記録膜用スパッタリングターゲット、特にＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することであり、炭素は焼結しにくい材料である上に、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を有し、スパッタリング中に炭素の塊が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するという問題があるが、これらを解決することができる高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

Description

磁気記録膜用スパッタリングターゲット
　本発明は、熱アシスト磁気記録メディアの製造に使用するスパッタリングターゲット、特にＣ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットに関する。
　ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、磁気記録媒体中の磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜にはＣｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系やＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
　また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。
　一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、現状の６００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の面密度から将来は１ Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に達すると考えられている。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に記録密度が達すると記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばＣｏ－Ｃｒ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。
　上記のような理由から、Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。Ｌ１０構造を持つＦｅＰｔ相は高い結晶磁気異方性とともに、耐食性、耐酸化性に優れているため、磁気記録媒体としての応用に適した材料と期待されているものである。
　そしてＦｅＰｔ相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅＰｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
　このようなことから、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ磁性粒子を酸化物や炭素といった非磁性材料で孤立させたグラニュラー構造磁性薄膜が、熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用として提案されている。
　このグラニュラー構造磁性薄膜は、磁性粒子同士が非磁性物質の介在により磁気的に絶縁される構造となっている。
　グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５を挙げることができる。
　上記Ｌ１０構造を持つＦｅ－Ｐｔ相を有するグラニュラー構造磁性薄膜としては、非磁性物質としてＣを体積比率として１０～５０％含有する磁性薄膜が、特にその磁気特性の高さから注目されている。このようなグラニュラー構造磁性薄膜は、Ｆｅターゲット、Ｐｔターゲット、Ｃターゲットを同時にスパッタリングするか、あるいは、Ｆｅ－Ｐｔ合金ターゲット、Ｃターゲットを同時にスパッタリングすることで作製されることが知られている。しかしながら、これらのスパッタリングターゲットを同時スパッタするためには、高価な同時スパッタ装置が必要となる。
　また、一般に、スパッタ装置で合金に非磁性材料の含まれるスパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタ時に非磁性材料の不用意な脱離やスパッタリングターゲットに内包される空孔を起点として異常放電が生じパーティクル（基板上に付着したゴミ）が発生するという問題がある。この問題を解決するには、非磁性材料と母材合金との密着性を高め、スパッタリングターゲットを高密度化させる必要がある。一般に、合金に非磁性材料が含まれるスパッタリングターゲットの素材は粉末焼結法により作製される。ところが、Ｆｅ－ＰｔにＣが大量に含まれる場合、Ｃが難焼結材料であるため高密度な焼結体を得ることが困難であった。
　上記の通り、垂直磁気記録の記録層において、これまではＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ合金が磁性相として広く用いられてきた。しかし、記録密度を高密度化すればするほどＣｏ合金の１ビットの大きさを小さくしなければならず、同時に熱揺らぎによる超常磁性化が問題となる。そこで、結晶磁気異方性の高いＦｅ－Ｐｔが注目されている。
　また、一般に磁気記録層はＦｅ－Ｐｔなどの磁性相とそれを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の一つとして炭素が有効であることが知られている。
　しかし、炭素は焼結しにくい材料である上に、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を有している。従って、スパッタリング中に炭素の塊が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するという問題がある。
　このように、炭素を導入することによる磁気記録層の改善が試みられているが、ターゲットのスパッタリング時の問題を解決するには至っていないのが現状である。
　一方、カーボン膜を形成する場合の提案がなされている。例えば、特許文献６には、
一つの波形（Ａ）のピーク位置が１５４５ｃｍ－１以下、他の波形（Ｂ）のピーク位置が１３２０～１３６０ｃｍ－１であり、これらの波形の半値幅における面積比（Ｂ／Ａ）が０．３～０．７となる非晶質水素化カーボン層からなる磁気ディスク及びその製造方法が記載されている。
　また、特許文献７には、表面増強ラマンスペクトルのほぼ１５５０～１６５０ｃｍ－１にピークを有するバンドＧ（graphite）の強度ＩＧと、ほぼ１３５０～１４５０ｃｍ－１にピークを有するバンドＤ（disorder）の強度ＩＤとの比ＩＤ／ＩＧに基づきカーボン膜の膜質を評価する工程とを有するカーボン膜評価方法と、ＩＤ／ＩＧが０．１～０．５の範囲にあることを確認する工程からなるカーボン膜評価方法及び磁気記録媒体の製造方法が記載されている。
　しかしながら、これらの特許文献６と特許文献７は、あくまでカーボン膜の評価であって、カーボンが磁気記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットの主要構成材料である磁性金属の中に、かなりの量で存在する場合に、ターゲットにどのような影響を与えるのか、またターゲットの製造工程中において、どのような挙動を示すのか、さらにはこのようなターゲットを用いてスパッタリングした場合に、成膜にどのような影響を与えるのかということに、直接関係するものではなく、これらが十分に解明されている技術とは言えない。
　また、特許文献８と特許文献９では、磁気記録媒体において、ＳｉＣあるいは炭素系薄膜のラマンスペクトルによる評価がなされているが、カーボンが磁気記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットの主要構成材料である磁性金属の中に、かなりの量で存在する場合に、ターゲットにどのような影響を与えるのか、またターゲットの製造工程中において、どのような挙動を示すのか、さらにはこのようなターゲットを用いてスパッタリングした場合に、成膜にどのような影響を与えるのかということに、直接関係するものではなく、これらが十分に解明されている技術とは言えない。
特開２０００－３０６２２８号公報 特開２０００－３１１３２９号公報 特開２００８－５９７３３号公報 特開２００８－１６９４６４号公報 特開２００４－１５２４７１号公報 特開平０６－２６７０６３号公報 特開２００３－０２８８０２号公報 特開２０００－２６８３５７号公報 特開２００６－１２７６２１号公報 国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１２／０５７４８２号
　本発明の課題は、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にするものであり、Ｃ粒子が分散した磁気記録膜用スパッタリングターゲット、特に、Ｆｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することであり、炭素は焼結しにくい材料である上に、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を有し、スパッタリング中に炭素の塊が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するという問題があるが、これらを解決することができる高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
　上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、非磁性材料であるＣの材質の改良を図り、所定の大きさのＣ粒子を母材金属に均一に分散させることによって、粉砕、混合中に炭素が凝集してしまうことを防止でき、高密度なスパッタリングターゲットであって、パーティクル発生の非常に少ないターゲットを製造することが可能になる。すなわち、成膜時の歩留まりを向上できることを見出した。
　このような知見に基づき、本発明は、以下の発明を提供するものである。
　１）Ｃを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、ラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
　２）Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属とＣからなる上記１）記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
　３）Ｃの含有割合が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
　４）相対密度が９０％以上であることを特徴とする上記１）～３）のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
　５）添加元素として、Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）～４）のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット、
　６）添加剤として、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した１種以上の酸化物を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする上記１）～５）のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
　本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にするものであり、Ｃ粒子が分散した磁気記録膜用スパッタリングターゲット、特に、Ｆｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することができ、炭素は焼結しにくい材料であり、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を解決し、さらにスパッタリング中に炭素の塊が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するという問題を解決することができるという優れた効果を有する。
実施例１の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 実施例１のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 実施例２の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 実施例２のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 実施例３の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 実施例３のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 実施例４の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 実施例４のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 実施例５の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 実施例５のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 比較例１の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 比較例１のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。 比較例２の焼結体をレーザー顕微鏡で観察したときの組織画像である。 比較例２のラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を示す図である。
　先に発明者らは、炭素の結晶性を意図的に崩すことによって、炭素材料のスパッタリング特性を改善し、スパッタリング時のパーティクルを低減できると考えた（特許文献１０）。しかし、極めて微細にした炭素粒子は凝集することがあり、この凝集体がスパッタリング時のパーティクル発生原因となることがあった。
　そこで、発明者らは、炭素の原料として凝集しにくい大きさのものをあらかじめ選択し、混合中に炭素が粉砕されないように、かつ、炭素原料を母材金属（マトリックス）中に一様に分散させることによって、炭素の焼結性を向上させることができ、スパッタリング時のパーティクルを低減できることを見出した。
　以上から、本願発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、Ｃを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであり、ラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上とするものである。
　この場合、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属とＣからなる磁気記録膜用スパッタリングターゲットに、特に有効である。これらの成分の含有量は、良好な磁気特性を得るための条件である。
　また、Ｃの含有割合は１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とするのが良い。Ｃ量については、ターゲット組成中における含有量が、１０ｍｏｌ％未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、また７０ｍｏｌ％を超えると、Ｃ粒子が凝集し、パーティクルの発生が多くなる場合があるからである。
　また、相対密度が９０％以上の磁気記録膜用スパッタリングターゲットとすることができる。相対密度が９０％以上であることは、本発明の要件の一つである。相対密度が高いと、スパッタ時にスパッタリングターゲットからの脱ガスによる問題が少なく、また、合金とＣ粒子の密着性が向上するため、パーティクル発生を効果的に抑制できるからである。より好ましくは９５％以上とする。
　本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成元素が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
　式：計算密度＝シグマΣ（構成元素の原子量×構成元素の原子数比）／Σ（構成元素の原子量×構成元素の原子数比／構成元素の文献値密度）
　ここで、Σは、ターゲットの構成元素の全てについて、和をとることを意味する。
　磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、さらに添加元素として、Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下を含有させることができる。これらの添加は任意であるが、磁気特性の向上のために、材料に応じて添加することができる。
　また、磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、添加剤として、酸化物や窒化物等のセラミック材料を用いることができる。好ましくは、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した１種以上の酸化物を０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有させることである。これらの添加剤の使用は任意であるが、磁気特性の向上のために、材料に応じて添加することができる。
　炭素原料は一次粒子径が大きくなるほど、グラファイトの平面構造が大きくなることから、一次粒子径の大きさは結晶性と高い相関関係があると考えられる。そこで、発明者らは、炭素の結晶性をラマン散乱分光法によって評価して、スパッタリング時のパーティクルの発生量と比較したところ、両者の間には高い相関関係があることが分かった。
　炭素材料の結晶性（ｓｐ２混成軌道の完全性）を評価するための指標として、一般的に知られているラマン散乱分光測定のＧバンドとＤバンドの比を用いることができる。
　Ｇバンドは、グラファイトの六員環構造に由来する振動モードであり、１５７０ｃｍ－１付近にピークが現れ、結晶構造が完全に近いほどピーク強度は大きくなる。
　また、Ｄバンドは、グラファイトの欠陥構造に由来する振動モードであり、１３５０ｃｍ－１付近にピークが現れ、欠陥が大きいほどピーク強度は大きくなる。
　すなわち、結晶性が高い炭素材料ほどＩＧ／ＩＤ比が高くなる。Ｇバンドの強度が大きいほど結晶構造が完全（結晶性が高い）、小さいほど結晶構造が不完全（結晶性が低い）である。
　ラマン散乱分光計としては、Ｒｅｎｉｓｈａｗ　ｉｎＶｉａ　Ｒａｍａｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（Ｒｅｎｉｓｈａｗ社製）を用いた。励起光は、ＣｏｍｐａｓｓＴＭ　３１５Ｍ　Ｄｉｏｄｅ－Ｐｕｍｐｅｄ　Ｌａｓｅｒ（ＣＯＨＥＲＥＮＴ社製）を光源とし、励起波長は５３２ｎｍ、励起光源の出力は５ｍＷとし、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。ラマンシフトの測定範囲は、１０３３～１８４２ｃｍ－１とした。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。なお、カーブフィッティングをする都合上、１６２０ｃｍ－１付近のＤ´バンドも現れるが、Ｄ´バンドはグラファイトの欠陥構造に由来する振動モードであり、これは本願発明には、直接関係しないので、図において表示するに留める。
　なお、ラマン散乱分光測定でＧバンドとＤバンドの振動モードを測定する場合、本願発明では、レーザーの励起波長５３２ｎｍを使用しているが、励起光源としては、この他にＡｒレーザー、Ｈｅ－Ｎｅレーザー、Ｋｒレーザー等の気体レーザーを用いることができる。これらのレーザーは、要求される励起波長に合わせて適宜選択する。
　この場合は、ラマンスペクトルの１５２０～１６００ｃｍ－１にピークを有するＧバンドの強度ＩＧ と、１３２０～１４５０ｃｍ－１にピークを有するＤバンドの強度ＩＤが現れる。これらの場合においても、本願発明を適用できるものである。
　以上から、ＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ比と呼ぶことにする）を計算することで、炭素材料の結晶性を評価できる。
　上記から明らかなように、本願発明においては、結晶性を上げることによってスパッタリング特性を改善し、スパッタリング時のパーティクルを低減するものであり、ラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上とするものである。
　これによって、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を解決し、さらにスパッタリング中に炭素が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するのを抑制することができる。
　ＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）の上限値は、特に制限はないが、多くの場合２０以下となる。ピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上であれば、パーティクルの発生を効果的に抑制できる。なお、本発明のピーク強度比は、ターゲットの任意１０箇所の強度比を測定し、その平均値としている。
　本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法によって作製する。作製にあたり、各原料粉末（例えば、代表的な例として、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末）を用意する。
　Ｆｅ粉末やＰｔ粉末は、平均粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下のものを用いることが望ましい。これらの原料粉末の粒径が小さ過ぎると、酸化が促進されてスパッタリングターゲット中の酸素濃度が上昇するなどの問題があるため、０．５μｍ以上とすることが望ましい。一方、これらの原料粉末の粒径が大きいと、Ｃ粒子を合金中に微細分散することが難しくなるため１０μｍ以下のものを用いることがさらに望ましい。
　本発明において重要なことは、Ｃ原料粉末は平均粒子径０．５～５０μｍのものを使用することである。使用するＣ粉末の種類に特に制限はなく、ターゲットの種類により任意に選択し、使用することができるが、薄片化黒鉛は、薄片化処理をしていない黒鉛よりも導電性が高く、異常放電を生じにくいため好ましい。
　また、Ｃ粉末の粒子径が小さ過ぎると、凝集しやすくなるため０．５μｍ以上とすることが望ましい。一方、Ｃ粉末の粒子径が大きいと、スパッタリング時の異常放電の原因となるため、５０μｍ以下とすることが望ましい。
　さらに原料粉末として、合金粉末（Ｆｅ－Ｐｔ粉、Ｆｅ－Ｃｕ粉、Ｐｔ－Ｃｕ粉、Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃｕ粉）を用いてもよい。特にＰｔを含む合金粉末はその組成にもよるが、原料粉末中の酸素量を少なくするために有効である。合金粉末を用いる場合も、平均粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下のものを用いることが望ましい。
　そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、混合、粉砕する。
　重要なことは、炭素原料をマトリックス中に一様に分散させるために、Ｃ原料粉末に含まれている数百μｍ～数ｍｍの大きさの塊を解砕あるいはふるいで取り除くことである。方法としては、攪拌混合機、攪拌転動混合機、１００～２００メッシュ程度のふるい等を使用することができる。なお、ふるいは、粗大粒の除去だけではなく、解砕や混合の機能も兼ね備えるものである。
　また、このようなＣ原料粉末の解砕やふるい分けは、炭素原料とその他の原料を混合した後に行うこともできる。混合装置としては、縦型ミキサー、Ｖ型混合機もしくはこれに準ずる性能を有する混合機を使用することができる。
　このようにしてＣ原料粉末に含まれる大きな塊を排除した後に、炭素原料とその他の原料粉を混合する。混合方法としては、せん断力によって混合する装置を使用することができる。例えば、乳鉢、攪拌混合機（高速）、攪拌転動混合機（高速）等を使用することができる。また、せん断力が発生し、かつ原料が微粉砕しない装置であれば、その他の装置を使用することもできる。
　一方で、ボールミルや媒体攪拌ミル等のように衝撃力で原料を微粉砕してしまうような混合装置は、炭素原料の微粉砕を促進し、炭素原料同士の凝集を助長してしまうため好ましくない。但し、ごく短時間の使用その他の微粉砕の影響を抑える条件であれば、このような装置を使用することも可能である。
　こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度は、スパッタリングターゲットの組成にもよるが、多くの場合、１０００～１５００°Ｃの温度範囲とする。２５ＭＰａ～３５ＭＰａとする。この焼結条件においても、Ｃ粒子の凝集を抑えることが必要である。
　次に、ホットプレスから取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施す。熱間等方加圧加工は焼結体の密度向上に有効である。熱間等方加圧加工時の保持温度は焼結体の組成にもよるが、多くの場合、１０００～１５００°Ｃの温度範囲である。また加圧力は１００Ｍｐａ以上に設定する。
　このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる。
　以上により、合金中にＣ粒子が均一に分散し、かつ高密度なＣ粒子が分散したラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲットを作製することができる。このようにして製造した本発明のスパッタリングターゲットは、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜に使用するスパッタリングターゲットとして有用である。
　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量したＣ粉末を攪拌混合機に封入し、８００ｒｐｍ、５分間回転させて解砕した。その後、この解砕したＣ粉末と、Ｆｅ粉末と、Ｐｔ粉末とを乳鉢に入れて２時間混合した。次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図１に示す。このように、投入原料の粒子径と同程度の大きさのＣ粒子が残留している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．１％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図２に示す。ＩＧ／ＩＤ比は７．０５となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は６４個であった。比較例に比べて大きく減少した。
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（実施例２）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量したＣ粉末を攪拌混合機に封入し、８００ｒｐｍ、５分間回転させて解砕した。その後、解砕したＣ粉末と、Ｆｅ粉末と、Ｐｔ粉末とを５Ｌ型媒体攪拌ミルに入れて、３００ｒｐｍ、１時間回転させて混合した。次に、攪拌ミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図３に示す。このように、投入原料の粒子径と同程度の大きさのＣ粒子が残留している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．０％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図４に示す。ＩＧ／ＩＤ比は５．０２となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は１５３個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例３）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径０．５μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径０．５μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量したＣ粉末を攪拌混合機に封入し、８００ｒｐｍ、５分間回転させて解砕した。その後、解砕したＣ粉末と、Ｆｅ粉末と、Ｐｔ粉末とを５Ｌ型媒体攪拌ミルに入れて、３００ｒｐｍ、３０分間回転させて混合した。次に、攪拌ミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図５に示す。このように、投入原料の粒子径と同程度の大きさのＣ粒子が残留している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．５％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図６に示す。ＩＧ／ＩＤ比は５．９３となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は１１６個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例４）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径２０μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径２０μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量した原料粉末を、１００メッシュふるいを通し、その後、これを攪拌混合機（高速）に入れて、１３００ｒｐｍ、５分間回転させて混合した。次に、攪拌混合機から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図７に示す。このように、投入原料の粒子径と同程度の大きさのＣ粒子が残留している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．６％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図８に示す。ＩＧ／ＩＤ比は６．５２となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は１２１個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例５）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＡｇ粉末、平均粒子径２０μｍのＣ粉末を用意し、組成が３５Ｆｅ－２５Ｐｔ－３５Ｃ－５Ａｇ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径２０μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入し、混合した。その後、２００メッシュふるいを通してから、原料粉末を乳鉢で２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度９５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度９５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、９５０°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図９に示す。このように、投入原料の粒子径と同程度の大きさのＣ粒子が残留している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．０％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図１０に示す。ＩＧ／ＩＤ比は５．８４となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は２８個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例６）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が２５Ｆｅ－２５Ｐｔ－５０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末をＶ型混合機に封入して混合した。その後、攪拌混合機を用いて、８００ｒｐｍ、５分間解砕した後、これを乳鉢で２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．１％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．９３となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は１０２個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例７）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が４５Ｆｅ－４５Ｐｔ－１０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末をＶ型混合機に封入して混合した。その後、攪拌混合機を用いて、８００ｒｐｍ、５分間解砕した後、これを乳鉢で２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．６％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．８５となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は２４個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例８）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＲｕ粉末、平均粒子径２０μｍのＣ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径０．５μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意し、組成が３９Ｆｅ－４０Ｐｔ－２Ｒｕ－１０Ｃ－３ＴｉＯ２－３ＳｉＯ２－３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径２０μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入して混合した。その後、攪拌混合機を用いて、８００ｒｐｍ、５分間解砕した後、これを乳鉢で２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９９．１％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．２７となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は１３個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例９）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－６０Ｐｔ－１０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を、１００メッシュふるいを通し、その後、これを乳鉢に入れて、２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．９％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は７．０２となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は２３個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例１０）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末を用意し、組成が５５Ｆｅ－５Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径６μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を、１００メッシュふるいを通し、その後、これを乳鉢に入れて、２時間混合した。
　次に、乳鉢から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．７％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．９４となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は９７個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例１１）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末、平均粒径５μｍのＡｕ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－４５Ｐｔ－２０Ｃ－５Ａｕ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入し、混合した後、攪拌混合機を用いて８００ｒｐｍ、５分間解砕した。その後、攪拌混合機（高速）を用いて１３００ｒｐｍ、５分間混合した。
　次に、攪拌混合機から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．８％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．６９となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は５６個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例１２）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末、平均粒径５μｍのＣｕ粉末を用意し、組成が３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２０Ｃ－１０Ｃｕ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入し、混合した後、攪拌混合機を用いて８００ｒｐｍ、５分間解砕した。その後、攪拌混合機（高速）を用いて１３００ｒｐｍ、５分間混合した。
　次に、攪拌混合機から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１３５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．２％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．９２となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は４２個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例１３）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末を用意し、組成が４３Ｆｅ－４５Ｐｔ－２Ｂ－１０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入し、混合した後、攪拌混合機を用いて８００ｒｐｍ、５分間解砕した。その後、攪拌混合機（高速）を用いて１３００ｒｐｍ、５分間混合した。
　次に、攪拌混合機から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９７．１％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．８８となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は７２個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（実施例１４）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径１５μｍのＣ粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径１μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍの３ＭｇＯ粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意し、組成が４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－１０Ｃ－３Ｔａ２Ｏ５－３Ｂ２Ｏ３－３ＭｇＯ－１ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径１５μｍの薄片化黒鉛を使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入し、混合した後、攪拌混合機を用いて８００ｒｐｍ、５分間解砕した。その後、乳鉢を用いて２時間混合した。
　次に、攪拌混合機から取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９８．２％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。その結果、ＩＧ／ＩＤ比は６．２９となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていた。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は２４個であった。比較例に比べて大きく減少した。
（比較例１）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径２０μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径２０μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入して混合した。その後、２００メッシュふるいを通してから、５Ｌ媒体攪拌ミルを用いて３００ｒｐｍ、２０時間混合した。
　次に、攪拌ミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織写真を図１１に示す。このように、投入原料が細かく粉砕されたＣ粒子が存在している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．７％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図１２に示す。ＩＧ／ＩＤ比は２．０５となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていなかった。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は３５０００個と非常に多かった。
（比較例２）
　原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒子径２０μｍのＣ粉末を用意し、組成が３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように秤量した。Ｃ粉末には平均粒子径２０μｍのグラファイトを使用した。
　次に、秤量した原料粉末を縦型ミキサーに封入して混合した。その後、１００メッシュふるいを通してから、５Ｌ媒体攪拌ミルを用いて３００ｒｐｍ、４８時間混合した。
　次に、攪拌ミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
　次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、１１００°Ｃで保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の組織を図１３に示す。このように、投入原料が細かく粉砕されたＣ粒子が存在している様子が分かる。また、焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ９６．８％であった。
　次に、この焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。このターゲットについて、ラマン散乱分光測定の測定条件は、励起波長５３２ｎｍ、出力５ｍＷ、回折格子は１８００Ｌ／ｍｍを使用した。
　また、測定結果のカーブフィッティングにはローレンツ関数を使用した。Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃのラマン散乱分光測定結果とカーブフィッティング結果を図１４に示す。ＩＧ／ＩＤ比は１．７０となり、本願発明のＩＧ／ＩＤ比が５．０以上という条件を満たしていなかった。
　次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。
　スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒径０．２５～３μｍのパーティクルの個数を表面異物検査装置（Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製）で測定した結果、表１に示すように、このときのパーティクル個数は９００００個と非常に多かった。
　本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にするものであり、Ｃ粒子が分散した磁気記録膜用スパッタリングターゲット、特にＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することができ、炭素は焼結しにくい材料であり、炭素同士で凝集体を形成し易いという問題を解決し、さらにスパッタリング中に炭素の塊が容易に脱離し、スパッタリング後の膜上にパーティクルが多数発生するという問題を解決することができるという優れた効果を有する。したがってグラニュラー構造の磁性薄膜の成膜用スパッタリングターゲットとして有用である。

Claims (6)

  1. 　Ｃを含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、ラマン散乱分光測定におけるＧバンドとＤバンドのピーク強度比（ＩＧ／ＩＤ）が５．０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
  2. 　Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅである組成の金属とＣからなる請求項１記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
  3. 　Ｃの含有割合が１０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
  4. 　相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
  5. 　添加元素として、Ｂ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
  6. 　添加剤として、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５、Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した１種以上の酸化物を、０．５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014132746A1 (ja) * 2013-03-01 2014-09-04 田中貴金属工業株式会社 ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2015141571A1 (ja) * 2014-03-18 2015-09-24 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
CN107075665A (zh) * 2014-09-26 2017-08-18 捷客斯金属株式会社 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法
JP2018511699A (ja) * 2015-03-19 2018-04-26 プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー ドープされた炭素層を製造するためのコーティング源
WO2019220675A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JPWO2023079857A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103210115B (zh) 2010-07-29 2016-01-20 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
CN103081009B (zh) 2010-08-31 2016-05-18 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt型强磁性材料溅射靶
CN103270554B (zh) 2010-12-20 2016-09-28 吉坤日矿日石金属株式会社 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶
MY154754A (en) * 2011-03-30 2015-07-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film
JP6285043B2 (ja) 2014-09-22 2018-03-07 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
EP3156123B1 (en) 2014-12-05 2019-01-23 Nisshinbo Holdings Inc. Carbon catalyst, electrode, and battery
JP6553755B2 (ja) 2016-02-19 2019-07-31 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
WO2017154741A1 (ja) * 2016-03-07 2017-09-14 田中貴金属工業株式会社 ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533182A (ja) * 2002-07-23 2005-11-04 ヘラエウス インコーポレーテッド ホウ素／炭素／窒素／酸素／ケイ素でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006127621A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
JP2012102387A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2012073879A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット
WO2012073882A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット
WO2012132939A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 田中貴金属工業株式会社 ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2012133166A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
JP2013037730A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Fuji Electric Co Ltd 垂直磁気記録媒体およびその製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06267063A (ja) 1993-03-11 1994-09-22 Hitachi Ltd 磁気ディスクおよびその製造方法
JP2000268357A (ja) 1999-03-12 2000-09-29 Hitachi Ltd 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置
JP3141109B2 (ja) 1999-04-19 2001-03-05 東北大学長 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法
JP3328692B2 (ja) 1999-04-26 2002-09-30 東北大学長 磁気記録媒体の製造方法
JP2003028802A (ja) 2001-07-12 2003-01-29 Sony Corp カーボン膜評価方法および磁気記録媒体の製造方法
US20070189916A1 (en) 2002-07-23 2007-08-16 Heraeus Incorporated Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials
KR100470151B1 (ko) 2002-10-29 2005-02-05 한국과학기술원 ＦｅＰｔＣ 박막을 이용한 고밀도 자기기록매체 및 그제조방법
WO2005083148A1 (ja) 2004-03-01 2005-09-09 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法
US7927434B2 (en) 2004-03-26 2011-04-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Co-Cr-Pt-B alloy sputtering target
CN101198716B (zh) 2005-06-15 2010-12-22 日矿金属株式会社 溅射靶用氧化铬粉末及溅射靶
CN100555418C (zh) * 2006-01-24 2009-10-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 垂直磁记录介质、及其制造方法
US20080057350A1 (en) 2006-09-01 2008-03-06 Heraeus, Inc. Magnetic media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds
WO2009119812A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 日鉱金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
MY150458A (en) 2008-04-03 2014-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target with low generation of particles
US9034154B2 (en) 2009-03-03 2015-05-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target and process for producing same
US9103023B2 (en) 2009-03-27 2015-08-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target
CN102482764B (zh) 2009-08-06 2014-06-18 吉坤日矿日石金属株式会社 无机物粒子分散型溅射靶
CN102652184B (zh) 2009-12-11 2014-08-06 吉坤日矿日石金属株式会社 磁性材料溅射靶
WO2011077933A1 (ja) 2009-12-25 2011-06-30 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法
SG175953A1 (en) 2010-01-21 2011-12-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic-material sputtering target
CN102482765B (zh) 2010-07-20 2014-03-26 吉坤日矿日石金属株式会社 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
WO2012011294A1 (ja) 2010-07-20 2012-01-26 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
CN103210115B (zh) * 2010-07-29 2016-01-20 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
CN103081009B (zh) * 2010-08-31 2016-05-18 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt型强磁性材料溅射靶
MY160775A (en) 2010-09-03 2017-03-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
JP5426030B2 (ja) 2010-12-09 2014-02-26 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
US20130175167A1 (en) 2010-12-15 2013-07-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same
CN103261470B (zh) 2010-12-17 2015-02-18 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶
JP5394575B2 (ja) 2010-12-17 2014-01-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
SG189257A1 (en) 2010-12-17 2013-05-31 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film and method for producing same
CN103270554B (zh) * 2010-12-20 2016-09-28 吉坤日矿日石金属株式会社 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶
CN103180481B (zh) 2010-12-22 2015-04-08 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶
JP5563102B2 (ja) 2010-12-22 2014-07-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体スパッタリングターゲット
JP5041262B2 (ja) * 2011-01-31 2012-10-03 三菱マテリアル株式会社 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
SG193277A1 (en) 2011-08-23 2013-10-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic sputtering target with minimized particle generation
US20140083847A1 (en) * 2011-09-26 2014-03-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe-Pt-C Based Sputtering Target
US20140231250A1 (en) * 2011-12-22 2014-08-21 Jx Nippon Mining & Metals Corporation C particle dispersed fe-pt-based sputtering target
MY166492A (en) * 2012-07-20 2018-06-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533182A (ja) * 2002-07-23 2005-11-04 ヘラエウス インコーポレーテッド ホウ素／炭素／窒素／酸素／ケイ素でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006127621A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
JP2012102387A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2012073879A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット
WO2012073882A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット
WO2012132939A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 田中貴金属工業株式会社 ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2012133166A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
JP2013037730A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Fuji Electric Co Ltd 垂直磁気記録媒体およびその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014132746A1 (ja) * 2013-03-01 2014-09-04 田中貴金属工業株式会社 ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
US10186404B2 (en) 2013-03-01 2019-01-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. FePt—C-based sputtering target and method for manufacturing same
TWI507549B (zh) * 2013-03-01 2015-11-11 田中貴金屬工業股份有限公司 FePt-C sputtering target and its manufacturing method
JP6030271B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-24 Ｊｘ金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
WO2015141571A1 (ja) * 2014-03-18 2015-09-24 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
CN107075665A (zh) * 2014-09-26 2017-08-18 捷客斯金属株式会社 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法
JP2018511699A (ja) * 2015-03-19 2018-04-26 プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー ドープされた炭素層を製造するためのコーティング源
WO2019220675A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JPWO2019220675A1 (ja) * 2018-05-14 2021-07-15 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP7242652B2 (ja) 2018-05-14 2023-03-20 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JPWO2023079857A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11
WO2023079857A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11 Ｊｘ金属株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、成膜方法、及びスパッタリングターゲット部材の製造方法
JP7657960B2 (ja) 2021-11-05 2025-04-07 Ｊｘ金属株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、成膜方法、及びスパッタリングターゲット部材の製造方法

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