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CN108076646B - 强磁性材料溅射靶 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够避免溅射时产生微粒的含有BN的强磁性材料溅射靶。该溅射靶含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，并且具有包括含有强磁性金属的金属相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法分析该组织得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。

Description

强磁性材料溅射靶
技术领域
本发明涉及一种适合磁记录介质中的磁性薄膜的形成的强磁性材料溅射靶。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录的领域，作为负责记录的磁性薄膜的材料，使用以强磁性金属的Co、Fe或Ni为基材的材料。例如，在采用平面内磁记录方式的硬盘的记录层中，使用以Co为主要成分的Co-Cr系、Co-Cr-Pt系的强磁性合金。另外，在近年实用化的采用垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，大多使用在以Co为主要成分的Co-Cr-Pt系的强磁性合金中分散氧化物、碳等非磁性粒子的复合材料。从高生产率出发，大多使用DC磁控溅射装置溅射成分为上述材料的溅射靶来制作磁性薄膜。
另一方面，硬盘的记录密度逐年急剧增大，现在，正在销售容量超过1Tbit/in2的硬盘。当记录密度达到1Tbit/in2时，记录位(bit)的尺寸低于10nm，在这种情况下，可预计热波动导致的超顺磁性化成为问题，而现在使用的磁记录介质的材料，例如在Co-Cr基合金中添加Pt来提高晶体磁各向异性的材料，预计尚存在不足。这是由于，以10nm以下的尺寸稳定地具有强磁性并振动的磁性粒子，需要具备更高的晶体磁各向异性。
根据上述的理由，作为超高密度记录介质用材料，具有L10结构的Fe-Pt磁性相引人注目。具有L10结构的Fe-Pt磁性相有高的晶体磁各向异性，同时耐腐蚀性、耐氧化性优良，因此可期待其是适合应用于磁记录介质的材料。而且，在使用Fe-Pt磁性相作为超高密度记录介质用材料的情况下，要求开发使有序的Fe-Pt磁性粒子在磁性隔离的状态下尽可能高密度地取向一致并分散的技术。
由于如上情况，提出了将用氧化物、氮化物、碳化物、碳等非磁性材料隔离具有L10结构的Fe-Pt磁性相的粒状结构磁性薄膜，用于采用热辅助磁记录方式的下一代硬盘的磁记录介质。该粒状结构磁性薄膜，成为磁性粒子彼此因非磁性物质介于它们之间而磁绝缘的结构。
作为非磁性材料已知六方晶系BN(硼和氮的化合物)，但是烧结性很差。因此，存在将烧结体加工成靶时出现破裂、碎屑等不良情况，成品率降低等问题。另外，当密度低时靶中产生大量的空隙，该空隙成为异常放电的原因，存在在溅射中产生微粒(附着在基板上的异物)，降低制品成品率的问题。
WO2014/065201号(专利文献1)中公开了由于作为非磁性材料的六方晶系BN具有二维的晶体结构，因此在烧结体中，该六方晶系BN的结晶取向随机时，会给导电造成影响，成为产生异常放电等，使溅射不稳定的原因。而且，该文献公开了，在含有BN的Fe-Pt系烧结体溅射靶中，通过改善六方晶系BN的取向性，能够避免溅射中的异常放电，具有能够降低产生的微粒的量的优良效果。
另外，WO2014/045744号(专利文献2)中公开了，通过使非磁性材料的六方晶系BN粒子与SiO2粒子一同分散在Fe-Pt系的母材金属中，能够制造高密度的溅射靶。另外，这样制作的溅射靶，能够使微粒的产生非常少，能够提高成膜时的成品率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：WO2014/065201号
专利文献2：WO2014/045744号
发明内容
发明要解决的技术问题
如此，针对作为在强磁性材料溅射靶中添加BN导致的副作用的微粒的问题提出了几种改善方法，但是对于含有BN的强磁性材料溅射靶而言，提供其他的用于减少微粒方法，在扩展本技术领域的未来的技术开发的可能性方面是有用的。
因此，本发明将提供能够避免溅射时产生微粒的含有BN的强磁性材料溅射靶作为一个技术问题。另外，本发明将提供这类含有BN的强磁性材料溅射靶的制造方法作为另一个技术问题。
解决技术问题的方法
发明人为了解决上述技术问题进行了深刻的研究，结果发现以往惯用的六方晶系BN(以下，也称作“h-BN”)价格便宜，并且具有容易用车床等加工的优点，但是从减少微粒的观点出发，使强磁性材料溅射靶中含有立方晶系BN(以下，也称作“c-BN”)是有效的。并非意图通过理论限定本发明，但是将分散在强磁性金属中的c-BN粒子与h-BN粒子进行比较，BN粒子内难以产生裂纹，BN粒子的一部分在溅射过程中脱粒的可能性变低，可认为微粒的产生量降低。本发明基于所述知识而完成，在下文中列举。
[1]
一种溅射靶，其特征在于，含有1～30at.％的B和1～30at.％的N，具有含有Fe-Pt系合金相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
[2]
如[1]所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
[3]
如[1]或[2]所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[4]
如[1]～[3]中任一项所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
[5]
一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：
准备含有从Fe粉、Pt粉以及Pt-Fe合金粉中选择的两种以上的金属粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1～30at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
[6]
如[5]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[7]
如[5]或[6]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
[8]
一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用[1]～[4]中任一项所述的溅射靶。
[9]
一种溅射靶，其特征在于，含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，具有含有Co-Pt系合金相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
[10]
如[9]所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
[11]
如[9]或[10]所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[12]
如[9]～[11]中任一项所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
[13]
一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：
准备含有从Co粉、Pt粉以及Pt-Co合金粉中选择的两种以上的金属粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1～40at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
[14]
如[13]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[15]
如[13]或[14]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
[16]
一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用[9]～[12]中任一项所述的溅射靶。
[17]
一种溅射靶，其特征在于，含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，具有含有金属相和非磁性材料相的组织，该金属相含有强磁性金属，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
[18]
如[17]所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
[19]
如[17]或[18]所述的溅射靶，其特征在于，含有强磁性金属的金属相含有Pt。
[20]
如[17]或[18]所述的溅射靶，其特征在于，合计含有50at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[21]
如[19]所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[22]
如[17]～[21]中任一项所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
[23]
一种溅射靶的制造方法，包括：
准备含有强磁性金属以及c-BN的混合粉，以使混合粉中含有1～40at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
[24]
如[23]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有从强磁性金属粉、Pt粉以及含有强磁性金属粉和Pt的合金粉中选择的两种以上的金属粉。
[25]
如[23]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有50at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[26]
如[23]或[24]所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
[27]
如[23]～[26]中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
[28]
一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用[17]～[22]中任一项所述的溅射靶。
发明的效果
通过使用本发明所涉及的含有BN的强磁性材料溅射靶进行溅射，能够避免溅射时微粒的产生。通过使用本发明所涉及的溅射靶，例如得到以下特别的效果：能够改善具有Fe-Pt磁性相、Co-Pt磁性相和/或Ni-Pt磁性相的粒状结构的磁性薄膜的制造成品率。
附图说明
图1是实施例1-1的断面组织的激光显微镜照片。
图2是比较例1-1的断面组织的激光显微镜照片。
图3是实施例2-1的断面组织的激光显微镜照片。
具体实施方式
(含有强磁性金属的金属相)
本发明所涉及的溅射靶在一实施方式中，具有在含有强磁性金属的金属相中分散有非磁性材料相的组织。该金属相不仅有单一组成，也可以存在组成不同的两种以上的金属相。该金属相还可以是合金相。因此，本发明所涉及的溅射靶在另一实施方式中，具有在含有强磁性金属以及Pt的合金相中分散有非磁性材料相的组织。含有强磁性金属以及Pt的合金是指，含有一种或两种以上的强磁性金属以及Pt的合金，也可以含有任意的其他合金元素。合金相不仅有单一组成，也可以存在组成不同的两种以上的合金相。强磁性金属，除了Fe、Co以及Ni以外，包括稀土类金属的Gd、Tb、Dy、Ho、Er以及Tm等。
含有强磁性金属的金属相在一方式中，能够具有如下元素构成的组成：从Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素合计为20at.％(原子数百分比)以下，剩余部分为一种或两种以上的强磁性金属以及不可避免的杂质。含有强磁性金属以及Pt的合金相在另一方式中，能够具有如下元素构成的组成：Pt为5～60at.％，剩余部分为一种或两种以上的强磁性金属以及不可避免的杂质。另外，含有强磁性金属以及Pt的合金相在又一方式中，能够具有如下元素构成的组成：Pt为5～60at.％，从Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素合计为20at.％以下，剩余部分为一种或两种以上的强磁性金属以及不可避免的杂质。另外，含有强磁性金属以及Pt的合金相在又一方式中，能够具有如下元素构成的组成：Pt为5～60at.％，从Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素合计为20at.％以下，剩余部分为从Fe、Co以及Ni构成的群组中选择的一种或两种以上的强磁性金属以及不可避免的杂质。另外，含有强磁性金属以及Pt的合金相在又一方式中，能够具有如下元素构成的组成：Pt为5～60at.％，从Ge、Au、Ag、B、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素合计为20at.％以下，剩余部分为Fe以及不可避免的杂质。另外，含有强磁性金属以及Pt的合金相在又一方式中，能够具有如下元素构成的组成：Pt为5～60at.％，从Ge、Au、Ag、B、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素合计为20at.％以下，剩余部分为Co以及不可避免的杂质。
在含有强磁性金属以及Pt的合金相能够在溅射靶的组织中形成磁性相的情况下，从容易获取有序合金相的形态的观点出发，含有强磁性金属以及Pt的合金相中的Pt的原子浓度优选为35at.％以上，更优选为40at.％以上，还更优选为45at.％以上。另外，基于同样的理由，在强磁性金属-Pt系合金相中Pt占据的原子浓度优选为55at.％以下，更优选为53at.％以下，还更优选为52at.％以下。
但是，在不需要有序合金相的情况下，能够更宽泛地设置Pt的含有量。此时，含有强磁性金属的金属相，不含有Pt也可以，例如能够含有0～60at.％，典型地能够含有5～60at％。
在Fe-Pt系合金相能够在溅射靶的组织中形成磁性相的情况下，从容易获取有序合金相的形态的观点出发，Fe-Pt系合金相中的Pt的原子浓度优选为35at.％以上，更优选为40at.％以上，还更优选为45at.％以上。另外，基于同样的理由，Fe-Pt系合金相中Pt占据的原子浓度优选为55at.％以下，更优选为53at.％以下，还更优选为52at.％以下。
在Co-Pt系合金相能够在溅射靶的组织中形成磁性相的情况下，从容易获取晶体磁各向异性高的六方最密堆积结构的形态的观点出发，合金相中的Pt的原子浓度优选为5at.％以上，更优选为7at.％以上，还更优选为10at.％以上。另外，基于同样的理由，Co-Pt系合金相中Pt占据的原子浓度优选为40at.％以下，更优选为30at.％以下，还更优选为25at.％以下。
另外，Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn，有降低用于使含有强磁性金属以及Pt的合金相有序的热处理温度的效果，另外，还能有除此之外的效果，例如，增大晶体磁各向异性能、矫顽磁力的效果，因此可以积极地添加。从故意地发挥该效果的观点出发，含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中包含的这些第三元素的含有量，优选合计为1at.％以上，更优选合计为2.5at.％以上，还更优选合计为5at.％以上。另外，从溅射时充分地得到作为磁性薄膜的磁特性的观点出发，含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中包含的这些第三元素的含有量，优选合计为20at.％以下，更优选合计为15at.％以下，还更优选合计为10at.％以下。
但是，溅射靶，在不含有Pt的情况下主要用作磁性薄膜的基底层，因此不具有磁性的溅射靶在薄膜特性上更容易适应多种情况，也存在要求较多地添加第三元素从而使合金为非磁性的情况。因此，溅射靶，在不含有Pt的情况下，这些第三元素合计能够为60at.％以下，典型地能够为50at.％以下，更典型地能够为40at.％以下。
需要说明的是，这些第三元素，不仅有存在于含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中的情况，而且还能够作为单一相，与含有强磁性金属以及Pt的合金相分别地存在。使用EPMA等绘制元素分布图，能够判断第三元素是存在于含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中，还是作为单一相而存在。
在这些第三元素存在于含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中的情况以及作为单一相而存在的情况这两种情况下，溅射靶中的这些第三元素的合计含有量(但是，刨除B。如下文所述作为氮化物添加B，因此另行规定。)，基于与上文同样的理由，优选为0.5at.％以上，更优选为2at.％以上，还更优选为4at.％以上。另外，溅射靶中的这些第三元素的合计含有量，基于与上文同样的理由，在溅射靶含有Pt的情况下，优选为15at.％以下，更优选为12.5at.％以下，还更优选为10at.％以下。另外，在溅射靶不含有Pt的情况下，溅射靶中的这些第三元素的合计含有量，基于与上文同样的理由，能够为50at.％以下，典型的能够为40at.％以下，更典型地能够为30at.％。
由本发明所涉及的溅射靶制作的磁性薄膜，是通过非磁性粒子使磁性相彼此间的磁相互作用绝缘的结构，因此可期待良好的磁特性。含有强磁性金属的金属相，典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相的含有比例(体积比)，只要在能够维持磁记录介质所要求的特性的范围内即可，没有特别的限制，但是从有效地发挥使磁相互作用绝缘的作用的观点出发，溅射靶中优选为90vol.％以下，更优选为80vol.％以下，还更优选为75vol.％以下。另一方面，当含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相的含有比例变少，非磁性材料的比例增大时，靶的导电性降低，不仅难以进行DC溅射，还成为产生微粒的根源。因此，从确保生产率的观点出发，含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相的含有比例在溅射靶中优选为40vol.％以上，更优选为50vol.％以上，还更优选为60vol.％以上。
在本发明中，根据溅射靶的溅射面中的含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相的面积比，能够求出溅射靶中的含有强磁性金属的金属相，典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相的含有比例(体积比)。以下，说明含有强磁性金属的金属相的含有比例(体积比)的测量步骤。使用序号从P80到P2000的研磨砂纸依次研磨溅射靶的溅射面，最后使用粒径0.3μm的氧化铝研磨颗粒进行抛光研磨，从而得到研磨后的溅射面。溅射面是指与被溅射的面平行的所有的面。例如在一般的圆盘状靶中，与面内方向水平的面是溅射面。对于该研磨后的溅射面，使用EPMA(电子束显微分析仪)按照以下的条件绘制元素分布图，调查含有强磁性金属的金属相的面积比例的平均值。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，在不同的观测视野获取多张256×256像素数(1点的测量时间为1msec)的元素分布图图像。在元素分布图中，对于特定的元素，得到与X射线检测强度对应的单色显示或彩色显示的图像。这里，使用EPMA附带的解析功能，将X射线强度图转换成质量浓度图。使用测量各元素的标准样品而准备的将X射线检测强度与元素浓度建立关联的标准曲线(线性函数)，进行该转换。然后使用转换的质量浓度图，求出含有强磁性金属的金属相的面积比例的平均值。然后，视为平均面积比＝体积比，得到溅射靶中的含有强磁性金属的金属相的含有比例(体积比)。
需要说明的是，这里，在均匀地分散的相的平均面积比与体积比之间，利用了上述的关系式的成立(新家光雄编著：3D材料组织·特性解析的基础和应用附录A1项，内田老鹤圃，2014.6)。
(非磁性材料相)
本发明所涉及的溅射靶在一实施方式中，含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，使用X射线衍射法对该溅射靶的组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。这里，B以及N的原子数浓度是以构成溅射靶的所有成分为基础的原子浓度。B以及N，典型地作为一种非磁性材料的氮化硼(BN)，以分散在含有强磁性金属的金属相、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金相中的状态存在。X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰是指，在溅射靶的组织中存在c-BN。由于c-BN以分散在含有强磁性金属的金属相中的状态存在，因此裂纹难以裂到BN粒子内，BN粒子的一部分在溅射过程中脱粒的可能性降低，因此可认为微粒的产生量减少。
将溅射靶中的B的浓度的下限值设为1at.％的理由是，为了使作为含有B的化合物的BN发挥非磁性材料的作用，这是必须的最低量。B优选为5at.％以上，更优选为10at.％以上。另外，将溅射靶中的B的浓度的上限值设为40at.％的理由是，避免相对于非磁性材料相，含有强磁性金属的金属相的比例变小，而溅射膜的磁特性降低。B优选为30at.％以下，更优选为25at.％以下，还更优选为20at.％以下。
将溅射靶中的N的浓度的下限值设为1at.％的理由是，为了使作为含有N的化合物的BN发挥非磁性材料的作用，这是必要的最低量。N优选为5at.％以上，更优选为10at.％以上。另外，将溅射靶中的N的浓度的上限值设为30at.％的理由是，避免相对于非磁性材料相，含有强磁性金属的金属相的比例变小，而溅射膜的磁特性降低。B优选为25at.％以下，更优选为20at.％以下。
虽然作为BN不是完全不能使用h-BN，但是从减小微粒产生量的观点出发，优选尽可能使用c-BN。
在本发明中，使用X射线衍射法对溅射靶的组织进行分析的方法如下。
分析装置：X射线衍射装置(在实施例中使用株式会社理学公司(株式会社リガク)制造的(全自动水平型多用途X射线衍射装置SmartLab))
真空管：Cu(用CuKα进行测量)
管电压：40kV
管电流：30mA
光学系统：聚焦法型衍射光学系统
扫描模式：2θ/θ
扫描范围(2θ)：10°～90°
测量步长(2θ)：0.02°
扫描速度(2θ)：毎分钟0.5°
附件：标准附件
滤光器：CuKβ滤光器
计数器单色仪：无
计数器：D/teX Ultra
发散狭缝：2/3deg.
发散纵狭缝：10.0mm
散射狭缝：10.0mm
受光狭缝：10.0mm
衰减器：OPEN
h-BN的衍射峰表示最强的角度(2θ)：26.7°(002)
c-BN的衍射峰表示最强的角度(2θ)：43.3°(111)
测量样品尺寸：约20mm×15mm(测量面)
将溅射靶的溅射面作为XRD的测量面，实施分析。另外，使用序号从P80到P2000的研磨砂纸依次研磨测量面，最后使用粒径0.3μm的氧化铝研磨颗粒进行抛光研磨。在实施例中使用株式会社理学公司制造的综合粉末X射线解析软件PDXL(版本1.6.0.0)，对得到的XRD图谱实施解析。这里，对得到的测量数据，实施自动图谱处理的峰值搜索，算出峰位置和积分强度。
在峰值搜索中，对测量数据依次实施除去背景，除去Kα2，平滑化后，通过二阶微分法检测出峰值。在二阶微分法的处理中，将峰的强度相对于误差不够大的这种峰废弃而未予检出。另外，峰形状用分峰拟Voigt函数表示，能够算出峰位置、半值宽度，积分强度等。
在以下示出峰值搜索中的各处理的方法和条件。
除去背景：
使用多项式拟合的方法(峰宽度阈值1.00，强度阈值10.00)
除去Kα2：
Rachinger法(强度比0.5)
平滑化：
B样条的平滑化方法(平滑化参数10.00，点数3，x阈值1.5)
根据峰值搜索的结果，调查在上述的h-BN以及c-BN的衍射峰表现出最强的角度的±0.5°的范围内有无峰。当各范围内存在衍射峰顶时，判断为有来自各BN晶体的衍射峰。
这里，在存在h-BN和c-BN两者的衍射峰的情况下，由各自的积分强度求出其比例(c-BN的积分强度)/(h-BN的积分强度)，该值为2.0以上是本发明的优选方式，为2.5以上是本发明更优选的方式，为3.0以上是本发明还更优选的方式。虽然没有必要特意设置上限，但是在单独使用c-BN的情况下由于h-BN的积分强度为0，因此该积分强度比被定义为∞(无穷大)。
本发明所涉及的溅射靶在一实施方式中，除了BN以外，能够含有从碳、碳化物、氧化物以及氮化物构成的群组中选择的至少一种或两种以上作为非磁性材料。非磁性材料在溅射靶中，可作为能够与含有强磁性金属的金属相区分开的非磁性材料相而分散地存在。作为碳化物的示例，可列举从B、Ca、Nb、Si、Ta、Ti、W以及Zr构成的群组中选择的元素的一种或两种以上的碳化物。作为氧化物的示例，可列举从Si、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn以及Zr构成的群组中选择的元素的一种或两种以上的氧化物。在氧化物中，SiO2对溅射靶的高密度化的促进效果较大，因此优选添加SiO2。作为氮化物的示例，可列举从Al、Ca、Nb、Si、Ta、Ti以及Zr构成的群组中选择的元素的一种或两种以上的氮化物。可以根据需要的磁性薄膜的磁特性，适当地添加这些非磁性材料。
(制法)
本发明所涉及的溅射靶，能够使用粉末烧结法，例如，按照以下的方法制作。首先，作为金属粉，准备强磁性金属粉(例：Fe粉、Co粉、Ni粉、强磁性金属的合金粉)、Pt粉、含有强磁性金属以及Pt的合金粉、任意的第三元素的粉末等。可以以强磁性金属和/或Pt的合金粉末的形态提供第三元素的粉末。可以将熔融铸造的锭粉碎来制作这些金属粉，也可以作为雾化粉来制作这些金属粉。
另外，作为非磁性材料的粉末，准备c-BN粉、碳粉、碳化物粉、c-BN粉以外的氮化物粉、氧化物粉等。此时，从减少微粒的观点出发，优选混配的BN粉的50质量％以上为c-BN粉，更优选70质量％以上为c-BN粉，还更优选90质量％以上为c-BN粉，进一步优选100质量％为c-BN粉。关于非磁性材料中的碳粉，虽然有石墨、纳米管之类的具有晶体结构的碳粉，和以炭黑为代表的非晶的碳粉，但是能够使用任何碳粉。另外，在使用上述SiO2粉的情况下，优选使用石英或非晶。在使用方石英作为SiO2粉的情况下，在250℃下发生α-β相变，引起体积变化，其结果是，在SiO2自身中产生了成为异常放电的原因的微裂纹，因此不优选。
接着，称量原料粉(金属粉以及非磁性材料粉)以成为所需的组成，使用球磨等公知的手法进行粉碎兼混合。此时，优选在粉碎容器内密封充入惰性气体以尽可能地避免原料粉的氧化。作为惰性气体，可列举Ar气、N2气。此时，为了实现均匀的组织，优选粉碎到原料混合粉的中值直径(D50)为20μm以下，更优选粉碎到为10μm以下，还更优选粉碎到为5μm以下。另外，基于防止粉末氧化的理由，粉碎后的混合粉的中值直径(D50)优选为0.3μm以上，更优选为0.5μm以上，还更优选为1.0μm以上。
在本发明中，原料混合粉的中值直径是指，根据激光衍射·散射法求出的粒度分布中的以体积值为基准的累计为50％(D50)的粒径。在实施例中，使用HORIBA公司制造的型号LA-920的粒度分布测量装置，使粉末分散在乙醇的溶剂中进行测量。折射率使用金属钴的值。
使用热压法在真空气氛或惰性气体气氛下，对如此得到的原料混合粉进行成形·烧结。另外，除所述热压法以外，也能够使用等离子体放电烧结法等各种加压烧结方法。特别地，热等静压烧结法(HIP)在提高烧结体的密度上有效，从提高烧结体的密度的观点出发，优选依次实施热压法和热等静压烧结法。
烧结时的保温温度关系着含有强磁性金属的金属、典型地含有强磁性金属以及Pt的合金的组成，为了不让c-BN分解、变质，烧结时的保温温度优选为1300℃以下，更优选为1150℃以下，还更优选为1050℃以下。另外，为了避免烧结体的密度降低，烧结时的保温温度优选为650℃以上，更优选为700℃以上，还更优选为750℃以上。
为了促进烧结，烧结时的按压力优选为20MPa以上，更优选为25MPa以上，还更优选为30MPa以上。另外，考虑模具的强度，烧结时的按压力优选为70MPa以下，更优选为50MPa以下，还更优选为40MPa以下。
为了提高烧结体的密度，烧结时间优选为0.3小时以上，更优选为0.5小时以上，还更优选为1.0小时以上。另外，为了防止晶粒的粗大化，烧结时间优选为3.0小时以下，更优选为2.0小时以下，还更优选为1.5小时以下。
通过使用车床等将得到的烧结体加工成形为所需的形状，能够制作本发明所涉及的溅射靶。靶形状没有特别的限制，例如可列举平板状(包含圆盘状、矩形板状)以及圆筒状。本发明所涉及的溅射靶，作为粒状结构磁性薄膜的成膜中使用的溅射靶特别有用。
【实施例】
以下与比较例一起示出了本发明的实施例，但是提供这些实施例是为了更好地理解本发明及其优点，不意在限定本发明。
＜＜1.含有强磁性金属以及Pt的合金相为Fe-Pt系合金相的情况＞＞
＜溅射靶的制作＞
作为原料粉末，购入表1中记载的Fe粉、Pt粉、SiO2粉、BN粉、石墨粉(C粉)、Ge粉、Au粉、Ag粉、B粉，Co粉，按照试验编号进行称量以得到表1中记载的组成(mol.％)。此时的原料粉末中的B以及N的原子浓度(at.％)一起在表1中示出。作为BN粉，按照试验编号如表1所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用电化株式会社制造的SGP品级，c-BN粉使用tomeidiamond株式会社(トーメイダイヤ株式会社)制造的ISBN-M品级(公称粒径20～30μm)。
接着，将称量的粉末与粉碎介质的氧化锆球一起投入容量5L的介质搅拌碾磨机中，使其转动(转数300rpm)进行2小时的混合·粉碎。使用激光衍射式粒度分布测量装置(制造商名称：HORIBA公司制造，型号：LA-920)求出粉碎后的原料混合粉的体积基准的粒度分布，算出中值直径。结果在表1中示出。
然后，从介质搅拌碾磨机中取出原料混合粉填充到碳制成的模具中进行热加压。热加压的条件是：真空气氛，升温速度300℃/小时，保温温度1000℃，保温时间2小时，从升温开始时到保温结束为止以30MPa进行加压。保温结束后在炉内直接自然冷却。
接着，对从热加压的模具中取出的烧结体实施热等静压烧结(HIP)。热等静压烧结的条件是：升温温度300℃/小时，保温温度950℃，保温时间2小时，从升温开始时逐渐增高Ar气的气压，在950℃保温中以150MPa进行加压。温度保温结束后在炉内直接自然冷却。
然后，使用车床，将各个烧结体切削加工成直径180.0mm、厚度5.0mm的形状，得到圆盘状的溅射靶。对于用车床切削通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的靶得到的切粉，使用ICP-AES装置(日立高科技公司制造(旧SII制造)，装置名：SPS3100HV)进行组成分析，确认任何靶的组成都实质上与称量组成相同。这里，为了提高测量精度，使用内标法划出标准曲线来实施金属组成分析。
【表1】
＜组织分析＞
对通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶的溅射面进行研磨。然后，使用株式会社理学公司制造的型号SmartLab的X射线衍射装置(XRD)，按照前文所述的条件分析研磨后的溅射面的组织。结果在表2中示出。另外，使用激光显微镜对该溅射面的组织进行观测的结果在图1(实施例1-1)以及图2(比较例1-1)中示出。对于该溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图，在实施例1-1以及比较例1-1的任一者中，确认为白色以及黑色的微小斑点图案的相是SiO2以粒子状分散在Fe-Pt系合金相中的相，Fe-Pt系合金相中分散的大的黑色的相是BN粒子。同样地，对于实施例1-2～1-10、比较例1-2～1-8也绘制元素分布图发现，可确认为比较例1-2、实施例1-2以及实施例1-3具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相的组织，比较例1-3以及实施例1-4具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及C相的组织，比较例1-4以及实施例1-5具有Fe-Pt-Ge系合金相中分散有BN相的组织，比较例1-5以及实施例1-6具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及Au相的组织，比较例1-6以及实施例1-7具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及Ag相的组织，比较例1-7以及实施例1-8具有Fe-Pt-B系合金相中分散有BN相的组织，比较例1-8、实施例1-9以及实施例1-10具有Fe-Pt-Co系合金相中分散有BN相的组织。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，256×256像素数(1点的测量时间为1msec)。
另外，测量通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶中的Fe-Pt系合金相的含有比例(体积比)。使用序号从P80到P2000的研磨砂纸依次研磨溅射靶的溅射面，最后使用粒径0.3μm的氧化铝研磨颗粒进行抛光研磨，从而得到研磨后的溅射面。对于该研磨后的溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图，调查Fe-Pt系合金相的面积比例的平均值。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，在不同的观测视野获得10张256×256像素数(1点的测量时间为1msec)的元素分布图图像。在元素分布图中，对于特定的元素得到与X射线检测强度对应的单色显示或彩色显示的图像。这里，使用EPMA附带的基本软件的表面分析软件(版本1.42)的解析功能，将X射线强度图转换成质量浓度图。使用测量各元素的标准样品而准备的将X射线检测强度与元素浓度建立关联的标准曲线(线性函数)，进行该转换。然后使用转换的质量浓度图，针对各视野求出Fe-Pt系合金相的面积比例，求出10个视野的平均值。然后，视为平均面积比＝体积比，得到溅射靶中的Fe-Pt系合金相的含有比例(体积比)。结果在表2中示出。
＜成膜试验＞
将通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶安装在磁控溅射装置(佳能ANELVA制造的C-3010溅射系统)上，实施溅射。溅射条件是，输入功率1kW，Ar气压1.7Pa，在硅基板上进行20秒钟的成膜。使用微粒计数器(KLA-Tencor公司制造，装置名：Surfscan6420)测量基板上附着的微粒(粒径0.25～3μm)的个数。从溅射开始到溅射2kWhr后的微粒测量结果在表2中示出。需要说明的是，使用SEM观测成膜后的溅射靶的溅射面发现，可确认为虽然在实施例1-1中几乎没有发现有结瘤产生，但是比较例1-1中有结瘤存在。
【表2】
＜＜2.含有强磁性金属以及Pt的合金相为Co-Pt系合金相的情况＞＞
＜溅射靶的制作＞
作为原料粉末，购入表3中记载的Co粉、Cr粉、Pt粉、SiO2粉、TiO2粉、B2O3粉、BN粉、石墨粉(C粉)、Ru粉、B粉，按照试验编号进行称量以得到表3中记载的组成(mol.％)。此时的原料粉末中的B以及N的原子浓度(at.％)一起在表3中示出。作为BN粉，按照试验编号如表3所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用电化株式会社制造的SGP品级，c-BN粉使用tomeidiamond株式会社制造的ISBN-M品级(公称粒径2～6μm)。
接着，将称量的粉末与粉碎介质的氧化锆球一起投入容量5L的介质搅拌碾磨机中，使其转动(转数300rpm)进行2小时的混合·粉碎。使用激光衍射式粒度分布测量装置(制造商名称：HORIBA公司制造，型号：LA-920)求出粉碎后的原料混合粉的体积基准的粒度分布，算出中值直径。结果在表3中示出。
然后，从介质搅拌碾磨机中取出原料混合粉填充到碳制成的模具中进行热加压。热加压的条件是，真空气氛，升温速度300℃/小时，保温温度1000℃，保温时间2小时，从升温开始时到保温结束为止以30MPa进行加压。保温结束后在炉内直接自然冷却。
接着，对从热加压的模具中取出的烧结体实施热等静压烧结(HIP)。热等静压烧结的条件是，升温温度300℃/小时，保温温度950℃，保温时间2小时，从升温开始时逐渐增高Ar气的气压，在950℃保温中以150MPa进行加压。温度保温结束后在炉内直接自然冷却。
然后，使用车床，将各个烧结体切削加工成直径180.0mm、厚度5.0mm的形状，得到圆盘状的溅射靶。对于用车床切削通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的靶得到的切粉，使用ICP-AES装置(日立高科技公司制造(旧SII制造)，装置名：SPS3100HV)进行组成分析，确认任何靶的组成都实质上与称量组成相同。这里，为了提高测量精度，使用内标法划出标准曲线来实施金属组成分析。
【表3】
＜组织分析＞
对通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶的溅射面进行研磨。然后，使用株式会社理学公司制造的型号SmartLab的X射线衍射装置(XRD)，按照前文所述的条件分析研磨后的溅射面的组织。结果在表4中示出。另外，使用激光显微镜对该溅射面的组织观测的结果在图3(实施例2-1)中示出。对于比较例2-1以及实施例2-1的溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图发现，确认为在比较例2-1以及实施例2-1的任一者中，Co-Pt系合金相中分散的大的黑色的相是BN粒子。同样地，对于实施例2-2～2-11、比较例2-2～2-11也绘制元素分布图发现，确认为：比较例2-2以及实施例2-2具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有BN相的组织，比较例2-3以及实施例2-3具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有SiO2相以及BN相的组织，比较例2-4以及实施例2-4具有Co-Pt系合金相中分散有SiO2相、TiO2相以及BN相的组织，比较例2-5以及实施例2-5具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有B2O3相、TiO2相以及BN相的组织，比较例2-6以及实施例2-6具有Co-Cr-Pt-Ru系合金相中分散有SiO2相以及BN相的组织，比较例2-7以及实施例2-7具有Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有BN相的组织，比较例2-8以及实施例2-8具有Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有SiO2相以及BN相的组织，比较例2-9以及实施例2-9具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有BN相以及C相的组织，比较例2-10以及实施例2-10具有Co-Pt系合金相中分散有BN相的组织，比较例2-11以及实施例2-11具有Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有B2O3相以及BN相的组织。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，256×256像素数(1点的测量时间为1msec)。
另外，测量通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶中的Co-Pt系合金相的含有比例(体积比)。使用序号从P80到P2000的研磨砂纸依次研磨溅射靶的溅射面，最后使用粒径0.3μm的氧化铝研磨颗粒进行抛光研磨，从而得到研磨后的溅射面。对于该研磨后的溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图，调查Co-Pt系合金相的面积比例的平均值。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，在不同的观测视野获得10张256×256像素数(1点的测量时间为1msec)的元素分布图图像。在元素分布图中，对于特定的元素得到与X射线检测强度对应的单色显示或彩色显示的图像。这里，使用EPMA附带的基本软件的表面分析软件(版本1.42)的解析功能，将X射线强度图转换成质量浓度图。使用测量各元素的标准样品而准备的将X射线检测强度与元素浓度建立关联的标准曲线(线性函数)，进行该转换。然后使用转换的质量浓度图，针对各视野求出Co-Pt系合金相的面积比例，求出10个视野的平均值。然后，视为平均面积比＝体积比，得到溅射靶中的Co-Pt系合金相的含有比例(体积比)。结果在表4中示出。
＜成膜试验＞
将通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶安装在磁控溅射装置(佳能ANELVA制造的C-3010溅射系统)上，实施溅射。溅射条件是，输入功率1kW，Ar气压1.7Pa，在硅基板上进行20秒钟的成膜。使用微粒计数器(KLA-Tencor公司制造，装置名：Surfscan6420)测量基板上附着的微粒(粒径0.25～3μm)的个数。从溅射开始到溅射2kWhr后的微粒测量结果在表4中示出。需要说明的是，使用SEM观测成膜后的溅射靶的溅射面发现，可确认为虽然在实施例2-1中几乎没有发现有结瘤产生，但是比较例2-1中有结瘤存在。
【表4】
＜＜3.含有强磁性金属的相中不含Pt的情况＞＞
＜溅射靶的制作＞
作为原料粉末，购入表5中记载的Co粉、Fe粉、Ni粉、B粉、Cr粉、TiO2粉、BN粉、Ru粉，按照试验编号进行称量以得到表5中记载的组成(mol.％)。此时的原料粉末中的B以及N的原子浓度(at.％)一起在表5中示出。作为BN粉，按照试验编号如表5所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用电化株式会社制造的SGP品级，c-BN粉使用tomeidiamond株式会社制造的ISBN-M品级(公称粒径2～6μm)。
接着，将称量的粉末与粉碎介质的氧化锆球一起投入容量5L的介质搅拌碾磨机中，使其转动(转数300rpm)进行2小时的混合·粉碎。使用激光衍射式粒度分布测量装置(制造商：HORIBA公司制造，型号：LA-920)求出粉碎后的原料混合粉的体积基准的粒度分布，算出中值直径。结果在表5中示出。
然后，从介质搅拌碾磨机中取出原料混合粉填充到碳制成的模具中进行热加压。热加压的条件是，真空气氛，升温速度300℃/小时，保温温度1000℃，保温时间2小时，从升温开始时到保温结束为止以30MPa进行加压。保温结束后在炉内直接自然冷却。
接着，对从热加压的模具中取出的烧结体实施热等静压烧结(HIP)。热等静压烧结的条件是，升温温度300℃/小时，保温温度950℃，保温时间2小时，从升温开始时逐渐增高Ar气的气压，在950℃保温中以150MPa进行加压。温度保温结束后在炉内直接自然冷却。
然后，使用车床，将各个烧结体切削加工成直径180.0mm、厚度5.0mm的形状，得到圆盘状的溅射靶。对于用车床切削通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的靶得到的切粉，使用ICP-AES装置(日立高科技公司制造(旧SII制造)，装置名：SPS3100HV)进行组成分析，确认任何靶的组成都实质上与称量组成相同。这里，为了提高测量精度，使用内标法划出标准曲线来实施金属组成分析。
【表5】
＜组织分析＞
对通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶的溅射面进行研磨。然后，使用株式会社理学公司制造的型号SmartLab的X射线衍射装置(XRD)，按照前文所述的条件分析研磨后的溅射面的组织。结果在表6中示出。对于比较例3-1以及实施例3-1的溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图发现，确认为在比较例3-1以及实施例3-1的任一者中，Co-Cr-Ru系合金相中分散的大的黑色的相是BN粒子。同样地，对于实施例3-2～3-5、比较例3-2～3-5也绘制元素分布图发现，确认为：比较例3-2以及实施例3-2具有Co-Ru系合金相中分散有TiO2相以及BN相的组织，比较例3-3以及实施例3-3具有Co-Fe系合金相中分散有BN相的组织，比较例3-4以及实施例3-4具有Ni-Cr系合金相中分散有BN相的组织，比较例3-5以及实施例3-5具有Ni-Cr系合金相中分散有BN相的组织。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，256×256像素数(1点的测量时间为1msec)。
另外，测量通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶中的含有强磁性金属的合金相的含有比例(体积比)。使用序号从P80到P2000的研磨砂纸依次研磨溅射靶的溅射面，最后使用粒径0.3μm的氧化铝研磨颗粒进行抛光研磨，从而得到研磨后的溅射面。对于该研磨后的溅射面，使用EPMA(日本电子公司制造，装置名：JXA-8500F)按照以下的条件绘制元素分布图，调查含有强磁性金属的合金相的面积比例的平均值。EPMA的观测条件是，加速电压15kV，照射电流1～2×10-7A，观测倍率2500倍，在不同的观测视野获得10张256×256像素数(1点的测量时间为1msec)的元素分布图图像。在元素分布图中，对于特定的元素得到与X射线检测强度对应的单色显示或彩色显示的图像。这里，使用EPMA附带的基本软件的表面分析软件(版本1.42)的解析功能，将X射线强度图转换成质量浓度图。使用测量各元素的标准样品而准备的将X射线检测强度与元素浓度建立关联的标准曲线(线性函数)，进行该转换。然后使用转换的质量浓度图，针对各视野求出含有强磁性金属的合金相的面积比例，求出10个视野的平均值。然后，视为平均面积比＝体积比，得到溅射靶中的含有强磁性金属的合金相的含有比例(体积比)。结果在表6中示出。
＜成膜试验＞
将通过上述的制造步骤得到的各试验例所涉及的溅射靶安装在磁控溅射装置(佳能ANELVA制造的C-3010溅射系统)上，实施溅射。溅射条件是，输入功率1kW，Ar气压1.7Pa，在硅基板上进行20秒钟的成膜。使用微粒计数器(KLA-Tencor公司制造，装置名：Surfscan6420)测量基板上附着的微粒(粒径0.25～3μm)的个数。从溅射开始到溅射2kWhr后的微粒测量结果在表6中示出。需要说明的是，使用SEM观测成膜后的溅射靶的溅射面发现，可确认为虽然在实施例3-1中几乎没有发现有结瘤产生，但是比较例3-1中有结瘤存在。
【表6】

Claims (28)

1.一种溅射靶，其特征在于，含有1～30at.％的B和1～30at.％的N，具有含有Fe-Pt系合金相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
4.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
5.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：
准备含有从Fe粉、Pt粉以及Pt-Fe合金粉中选择的两种以上的金属粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1～30at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
6.如权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
7.如权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
8.一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求1～4中任一项所述的溅射靶。
9.一种溅射靶，其特征在于，含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，具有含有Co-Pt系合金相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
10.如权利要求9所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
11.如权利要求9或10所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
12.如权利要求9或10所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
13.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：
准备含有从Co粉、Pt粉以及Pt-Co合金粉中选择的两种以上的金属粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1～40at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
14.如权利要求13所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的，从Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
15.如权利要求13或14所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
16.一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求9～12中任一项所述的溅射靶。
17.一种溅射靶，其特征在于，含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，具有含有金属相和非磁性材料相的组织，该金属相含有强磁性金属，通过X射线衍射法对该组织进行分析得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。
18.如权利要求17所述的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法对所述组织进行分析得到的X射线衍射图谱中，来自立方晶氮化硼的衍射峰积分强度与来自六方晶氮化硼的衍射峰积分强度之比为2.0以上。
19.如权利要求17或18所述的溅射靶，其特征在于，含有强磁性金属的金属相含有Pt。
20.如权利要求17或18所述的溅射靶，其特征在于，合计含有50at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
21.如权利要求19所述的溅射靶，其特征在于，合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
22.如权利要求17、18或21所述的溅射靶，其特征在于，含有SiO2。
23.一种溅射靶的制造方法，包括：
准备含有强磁性金属以及c-BN的混合粉，以使混合粉中含有1～40at.％的B和1～30at.％的N的步骤，
以1300℃以下的温度烧结该混合粉的步骤。
24.如权利要求23所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有从强磁性金属粉、Pt粉以及含有强磁性金属和Pt的合金粉中选择的两种以上的金属粉。
25.如权利要求23所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有50at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
26.如权利要求23或24所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉合计含有15at.％以下的从Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn构成的群组中选择的一种或两种以上的第三元素。
27.如权利要求23～25中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述混合粉含有SiO2。
28.一种溅射膜的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求17～22中任一项所述的溅射靶。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7057692B2 (ja) * 2018-03-20 2022-04-20 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲット用Ｆｅ－Ｐｔ－酸化物－ＢＮ系焼結体
CN111971412B (zh) * 2018-03-27 2022-08-16 Ｊｘ金属株式会社 溅射靶及其制造方法、以及磁记录介质的制造方法
MY199316A (en) 2018-03-30 2023-10-24 Asahi Chemical Ind Catalyst, method for producing catalyst, and method for producing acrylonitrile
JP7130447B2 (ja) * 2018-06-07 2022-09-05 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
TWI702294B (zh) * 2018-07-31 2020-08-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 磁氣記錄媒體用濺鍍靶
CN111032906B (zh) 2018-08-09 2022-10-25 Ｊｘ金属株式会社 溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质
JP7385370B2 (ja) * 2019-05-07 2023-11-22 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ系スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体
JP7104001B2 (ja) * 2019-06-28 2022-07-20 田中貴金属工業株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP7267425B2 (ja) * 2019-07-12 2023-05-01 田中貴金属工業株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI752655B (zh) * 2020-09-25 2022-01-11 光洋應用材料科技股份有限公司 鐵鉑基靶材及其製法
JP7736490B2 (ja) * 2021-09-08 2025-09-09 田中貴金属工業株式会社 硬質窒化物含有スパッタリングターゲット
US20250182963A1 (en) * 2022-03-11 2025-06-05 Georgetown University Boron-Based and High-Entropy Magnetic Materials

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080210555A1 (en) * 2007-03-01 2008-09-04 Heraeus Inc. High density ceramic and cermet sputtering targets by microwave sintering
CN104246882A (zh) * 2012-08-31 2014-12-24 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe基磁性材料烧结体
CN104411862A (zh) * 2012-10-25 2015-03-11 吉坤日矿日石金属株式会社 非磁性物质分散型Fe-Pt基溅射靶
CN104662606A (zh) * 2012-09-21 2015-05-27 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt基磁性材料烧结体
CN104781446A (zh) * 2012-10-23 2015-07-15 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt基烧结体溅射靶及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4333902A (en) * 1977-01-24 1982-06-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process of producing a sintered compact
EP0429993B1 (en) * 1989-11-17 1995-08-02 Nissin Electric Company, Limited Method of forming thin film containing boron nitride, magnetic head and method of preparing said magnetic head
JPH07111221A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Toshiba Corp 磁性スパッタターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜、および薄膜磁気ヘッド
US5398639A (en) * 1993-11-12 1995-03-21 General Motors Corporation Solid state conversion of hexagonal to cubic-like boron nitride
KR20030051700A (ko) * 2000-10-06 2003-06-25 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 내마멸성 및 내마모성 재료
US6797137B2 (en) 2001-04-11 2004-09-28 Heraeus, Inc. Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
JP4175829B2 (ja) 2002-04-22 2008-11-05 株式会社東芝 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
JP5969120B2 (ja) * 2013-05-13 2016-08-17 Ｊｘ金属株式会社 磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット
WO2016047236A1 (ja) 2014-09-22 2016-03-31 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
SG11201701838XA (en) 2014-09-26 2017-04-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film formation and production method therefor
JP6113817B2 (ja) 2015-11-30 2017-04-12 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体。

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080210555A1 (en) * 2007-03-01 2008-09-04 Heraeus Inc. High density ceramic and cermet sputtering targets by microwave sintering
CN104246882A (zh) * 2012-08-31 2014-12-24 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe基磁性材料烧结体
CN104662606A (zh) * 2012-09-21 2015-05-27 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt基磁性材料烧结体
CN104781446A (zh) * 2012-10-23 2015-07-15 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt基烧结体溅射靶及其制造方法
CN104411862A (zh) * 2012-10-25 2015-03-11 吉坤日矿日石金属株式会社 非磁性物质分散型Fe-Pt基溅射靶

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