WO2013047621A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

　コントラストが高く、材料選択の自由度の低下を防止し、製造プロセスが容易な表示装置、及び表示装置の製造方法を得る。有機ＥＬ表示装置（１）は、副画素（５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ）毎であって、マトリクス状に配されている第１電極（３１）と、第１電極（３１）の上方に開口部（１８）を有すると共に、第１電極（３１）のエッジの少なくとも一部を覆うエッジカバー（１７）と、開口部（１８）に配されている発光層（３３）と、発光層（３３）の上層に配されており、発光層（３３）を介して第１電極（３１）と対向配置されている第２電極（３５）とを備え、エッジカバー（１７）の下層に光吸収層（１６）が配されている。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法

　本発明は有機ＥＬ表示装置等の表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

　近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されている。特に、有機ＥＬ（Electro luminescence）表示装置は、低消費電力、高速応答性等の点から、優れたフラットパネルディスプレイとして高い注目を浴びている。

　有機ＥＬ表示装置の構成としては、大きく分けて、赤色、緑色、及び青色を発光するＥＬ層を用いてフルカラー表示する構成と、白色を発光するＥＬ層と赤色、緑色、及び青色の光を透過するカラーフィルタとを用いてフルカラー表示する構成とを挙げることができる。

　このような有機ＥＬ表示装置では、特に、高コントラスト化を実現するためのさまざまな構造が検討されている。

　特許文献１、２には、いわゆるマイクロキャビティー効果を用いる方法が開示されている。マイクロキャビティー効果は、マイクロキャビティー構造といわれる共振構造により実現される。

　特許文献１、２には、赤色光を発光するＥＬ層の上下に配された第１及び第２電極間の距離を赤色の波長が共振する光路長とし、緑色光を発光するＥＬ層の上下に配された第１及び第２電極間の距離を緑色の波長が共振する光路長とし、青色光を発光するＥＬ層の上下に配された第１及び第２電極間の距離を青色の波長が共振する光路長とするマイクロキャビティー構造が開示されている。

　これにより、上記の赤・緑・青それぞれのＥＬ層を挟む第１及び第２電極間では、赤色光の波長、緑色光の波長、及び青色光の波長がそれぞれ共振し、この結果、色純度が高い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。

　さらに、特許文献１に記載されているように、上記マイクロキャビティー構造とすることで、上記それぞれのＥＬ層に入射した外光のうち、当該それぞれのＥＬ層で共振されるピーク波長の光の反射を防止することができる。これにより、外光の反射を抑制することによるコンストラスト向上効果を得ることができる。

　また、特許文献３～５には、第１電極からの外光の反射を防止する構成が開示されている。

　図１３は、特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。図１３に記載のように、有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１の上方に、陰極として機能する画素電極１０２と、画素電極１０２の一部を露出させた開口部を設けて形成された絶縁性のバンク１０３と、画素電極１０２上であってバンク１０３の開口部に形成された発光層１０４と、バンク１０３及び発光層１０４上に形成された陽極として機能する対向電極１０５とが配されている。発光層１０４は、赤色・緑色・青色の何れかの色の光を発光する層である。

　有機ＥＬ表示装置１００では、画素電極１０２及びバンク１０３を黒色化することで、外光及び発光層１０４から出射した光の反射を防止している。これにより、色純度及びコントラスト向上効果を得ることができる。

　図１４は、特許文献４に記載の有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。図１４に示すように、有機ＥＬ表示装置２００は、基板２０１の上方に、陽極膜からなる第１電極２０２と、第１電極２０２の周縁を覆うと共に第１電極２０２の表面を露出させた開口部を有する絶縁膜２０３と、絶縁膜２０３上に形成された光吸収層２０４と、第１電極２０２上であって絶縁膜２０３の開口部に形成された有機ＥＬ層２０５と、光吸収層２０４と有機ＥＬ層２０５と露出している絶縁膜２０３の表面とを覆って形成されている第２電極２０６とを備えている。

　有機ＥＬ表示装置２００では、絶縁膜２０３上に光吸収層２０４を設けることによって、外光Ｈは光吸収層２０４によって吸収されるので、絶縁膜２０３の下方に配された配線やＴＦＴ等で外光Ｈが反射することを防止することができる。これにより、コントラスト向上効果を得ることができる。

日本国公開特許公報「特開２００７‐２８０６７７号公報（２００７年１０月２５日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００５‐１１６５１６号公報（２００５年４月２８日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００８‐７１５７８号公報（２００８年３月２７日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００３‐１７２７２号公報（２００３年１月１７日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００２‐３５２９６３号公報（２００２年１２月６日公開）」

　上述した、特許文献３では、画素電極１０２のエッジを覆うバンク１０３にカーボン材を含有させ黒色化することで、光吸収機能を持たせている。

　しかし、バンク１０３は、隣接する画素電極１０２間を導通させないように、光吸収性を持たせると共に、絶縁性を維持する必要がある。このため、上記絶縁層を構成する材料が非常に限定されることになり、材料選択の自由度が低い。

　また、通常、画素電極１０２のエッジを覆う絶縁層は、フォトリソグラフィにより、露光・現像することでパターン形成がなされる。しかし、バンク１０３のように光吸収性を持たせると露光され難くなる。このため、バンク１０３を精度良くパターン形成を行うために、十分な露光を行うには、バンク１０３の膜厚を薄くする必要が生じる。

　このため、特許文献３の技術では、バンク１０３を、画素電極１０２のエッジを十分に覆う程度の膜厚で、かつ、精度良くバンク１０３のパターン形成を行う製造プロセスを実現することは困難である。

　特許文献４では、絶縁膜２０３の直上に光吸収層２０４が配されているので、有機ＥＬ層２０５から発光された光のうち、隣接する有機ＥＬ層２０５の下層に配された第１電極２０２のエッジ部分での反射光が問題となる。

　図１４に示す３つの有機ＥＬ層２０５のうち、向って左側及び真ん中の有機ＥＬ層２０５をそれぞれ有機ＥＬ層２０５Ｂ、有機ＥＬ層２０５Ｇとする。また、第１電極２０２のうち、有機ＥＬ層２０５Ｇの下層の第１電極２０２を第１電極２０２Ｇとする。

　絶縁膜２０３は、通常、透明な樹脂材料からなる。このため、有機ＥＬ層２０５Ｂから発光された光は、有機ＥＬ層２０５Ｂの膜面に対して法線方向に出射すると共に、絶縁膜２０３を透過する。そして、絶縁膜２０３の透過光ｈは、隣接する有機ＥＬ層２０５Ｇの下層の第１電極２０２Ｇのうち、絶縁膜２０３で覆われている部分で反射し、有機ＥＬ層２０５Ｇから発光された光と混色することになる。

　このため、特許文献４の技術では、十分にコントラストを向上することができない。

　本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、コントラストが高く、材料選択の自由度の低下を防止し、製造プロセスが容易な表示装置、及び表示装置の製造方法を得ることである。

　上記の課題を解決するために、本発明の表示装置は、発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置であって、上記副画素毎であって、マトリクス状に配されている第１電極と、上記第１電極の上方に、開口部を有すると共に上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆う絶縁層と、上記開口部に配されている上記発光層と、上記発光層の上層に配されており、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置されている第２電極とを備え、上記絶縁層の下層に光吸収層が配されていることを特徴としている。

　上記構成によると、上記絶縁層は、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆うので、第１電極のエッジで、第１電極と第２電極とが短絡することを防止することができる。

　そして、上記発光層は上記絶縁層の開口部に配されており、上記第１電極と、上記第２電極とは上記発光層を介して対向配置されている。これにより、上記第１及び第２電極それぞれを駆動制御することで、上記発光層が発光する光量を制御することができる。その結果、画像の表示が可能となる。

　さらに、上記絶縁層の下層には、光吸収層が形成されている。これにより、上記絶縁層に入射した外光が、当該絶縁層の下層に配されている上記第１電極等により反射することを防止することができる。これにより、コントラストが高い表示装置を得ることができる。

　加えて、上記光吸収層は、上記絶縁層の下層に配されているので、発光層から発光された光が、上記絶縁層を透過し、当該発光層と隣接して配されている別の発光層の下層に配されている上記第１電極のエッジで反射することを防止することができる。このため、さらに、コントラスト向上効果を得ることができる。

　そして、上記光吸収層は、上記絶縁層とは別構成として設けられている。これにより、上記絶縁層を、感光しやすい材料から構成することができる。これにより、上記絶縁層を構成する材料選択の自由度の低下を防止することができる。

　さらに、上記光吸収層を設けず上記絶縁層に光吸収機能をもたせる場合と比べて、例えばフォトリソグラフィなど、一般的に用いられている製造方法で精度よくパターン形成することができると共に、上記第１電極のエッジを確実に覆うことができる程度の膜厚で上記絶縁層を形成することができるので、製造プロセスが容易である。

　上記の課題を解決するために、本発明の表示装置の製造方法は、発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置の製造方法であって、上記副画素毎であって、マトリクス状に第１電極を形成する工程と、上記第１電極を形成したあと、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆って光吸収層を形成する工程と、上記光吸収層が下層となるように、上記光吸収層の上層に、上記第１電極の上方に開口部を有すると共に、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆うように絶縁層を形成する工程と、上記開口部に発光層を形成する工程と、上記発光層の上層であって、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置するように第２電極を形成する工程とを有することを特徴としている。

　上記構成により、コントラストが高く、材料選択の自由度の低下を防止し、製造プロセスが容易な表示装置を得ることができる。

　本発明の表示装置は、発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置であり、上記副画素毎であって、マトリクス状に配されている第１電極と、上記第１電極の上方に、開口部を有すると共に上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆う絶縁層と、上記開口部に配されている上記発光層と、上記発光層の上層に配されており、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置されている第２電極とを備え、上記絶縁層の下層に光吸収層が配されている。

　本発明の表示装置の製造方法は、発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置の製造方法であり、上記副画素毎であって、マトリクス状に第１電極を形成する工程と、上記第１電極を形成したあと、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆って光吸収層を形成する工程と、上記光吸収層が下層となるように、上記光吸収層の上層に、上記第１電極の上方に開口部を有すると共に、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆うように絶縁層を形成する工程と、上記開口部に発光層を形成する工程と、上記発光層の上層であって、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置するように第２電極を形成する工程とを有する。

　これにより、コントラストが高く、材料選択の自由度の低下を防止し、製造プロセスが容易な表示装置及び表示装置の製造方法を得るという効果を奏する。

図３のＡ－Ａ線で切断したときの断面図である。 第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ表示パネルの構成を表す断面図である。 第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示部を表す平面図である マイクロキャビティー構造による色純度向上効果を説明する図である。 マイクロキャビティー構造による外光反射防止効果を説明する図である。 第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。

　〔実施の形態１〕
　以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。

　（有機ＥＬ表示装置の概略）
　まず、図２を用いて、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成の概略について説明する。

　図２は第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ表示パネルの構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１は、画素がマトリクス状に配された有機ＥＬ表示パネル（画素部）２と、有機ＥＬ表示パネル２を駆動する駆動回路等が設けられた回路部（不図示）とを備えている。

　回路部には、例えば、フレキシブルフィルムケーブル等の配線や、ドライバ等の駆動回路等が設けられている。回路部は、電気配線端子を介して有機ＥＬ表示パネル２と接続されている。

　有機ＥＬ表示パネル２は、能動素子（駆動素子）として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられた支持基板（被成膜基板、ＴＦＴ基板）１０上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子３０、封止樹脂層４１、封止基板２０が、この順に設けられた構成を有している。

　すなわち、有機ＥＬ表示パネル２は、支持基板１０と、支持基板１０と対向配置された封止基板２０と、封止基板２０の支持基板１０との対向面に配されたＣＦ（カラーフィルタ）２１と、支持基板１０の封止基板２０との対向面に配された有機ＥＬ素子３０と、封止樹脂４１と、充填樹脂４２とを備えている。

　有機ＥＬ表示パネル２のうち、画像の表示領域に、有機ＥＬ素子３０と、ＣＦ２１とが形成されている。

　有機ＥＬ素子３０は、後述するように、支持基板１０にマトリクス状に配されている。またＣＦ２１は、後述するように、封止基板２０にマトリクス状に配されている。

　有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０が積層された支持基板１０を、枠状の封止領域に設けられた封止樹脂層４１を介して封止基板２０と貼り合わせることで、これら一対の基板（支持基板１０、及び封止基板２０）間に封入されている。

　有機ＥＬ表示パネル２は、このように有機ＥＬ素子３０が支持基板１０と封止基板２０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子３０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。

　支持基板１０、封止基板２０、及び封止樹脂層４１によって囲まれた空間は、乾燥剤等を含有した充填樹脂４２が充填されている。

　支持基板１０には電極（後述する）が設けられているため、支持基板１０は電極基板として機能する。また、支持基板１０における上記枠状の封止領域の外側には、電気配線端子（電気接続部、接続端子）等が設けられている。

　有機ＥＬ表示パネル２は、本実施の形態では、支持基板１０に配された有機ＥＬ素子３０から発光された光が、封止基板２０を透過して、封止基板２０の表面（支持基板１０との対向面と逆側の面）側に出射光として出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。

　なお、有機ＥＬ表示装置１は、これに限定されず、支持基板１０の裏面（封止基板２０との対向面と逆側面）側に有機ＥＬ素子３０から発光された光を出射光として出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルを用いてもよい。

　また、有機ＥＬ素子３０は、本実施の形態では、白色（Ｗ）光を発光するものとして説明する。有機ＥＬ表示パネル２は、有機ＥＬ素子３０から発光された白色光を、赤色・緑色・青色光を透過するＣＦからなるＣＦ２１を透過させることで、フルカラー表示を行うことができる。

　なお、ＣＦ２１は必ずしも必要ではなく、有機ＥＬ素子３０を、白色光ではなく、赤色光・緑色光・青色光を発光する有機ＥＬ素子から構成することで、ＣＦ２１の構成を省略することもできる。

　また、有機ＥＬ表示パネル２は、封止樹脂層４１に替えて、溶融ガラス等その他の材料をもちいてもよい。

　さらに、有機ＥＬ表示パネル２は、充填を行わずに、不活性ガスを封入した中空構造であってもよい。さらに、それに替えて、中空構造内に乾燥剤を塗布や貼付した構造であってもよい。

　ただし、封止基板２０側に有機ＥＬ素子３０を設け、封止基板２０側から光を射出する場合、乾燥剤によって遮光されないように調整する必要がある。有機ＥＬ素子の封止性能を向上させるために、有機ＥＬ素子３０の上に無機膜や有機・無機の混合積層膜などを積層することができる。

　さらに、無機膜や有機・無機の混合積層膜などだけで、有機ＥＬ素子３０の封止性能が十分であれば、封止樹脂４１や封止基板２０、充填樹脂４２を省くこともできる。

　また、ボトムエミッション型の場合、封止基板２０に設けるのではなく、支持基板１０にＣＦ２１を形成してもよい。支持基板１０にＣＦ２１を設ける場合、有機ＥＬ素子３０から射出した光のスペクトルをＣＦ２１によって調整することができる。

　（有機ＥＬ表示装置の表示部の平面の概略構成）
　次に、図３を用いて有機ＥＬ表示装置１の表示部の平面の概略構成について説明する。

　図３は有機ＥＬ表示装置１の表示部を表す平面図である。なお、図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル２のパネル面における互いに直交する横方向（水平方向）・縦方向（垂直方向）のうち、横方向をＸ方向とし、縦方向をＹ方向とする。

　有機ＥＬ表示装置１の画像の表示部には、互いに異なる色の光を出射する複数の副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂから構成される画素５０が、マトリクス状に形成されている。

　副画素５０Ｒは赤色光を出射し、副画素５０Ｇは緑色光を出射し、副画素５０Ｂは青色光を出射する。

　副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂの配列は、特に限定されるものではないが、例えば、Ｙ方向に同じ色の副画素が連続して配されたストライプ配列であるものとして説明する。なお、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂの配列はストライプに限定されず、例えばデルタ配列であってもよい。

　また、一画素５０を構成する副画素が出射する光の色はＲＧＢの３色に限定されず、黄色（Ｙ）光を加え４色の色の光を出射する副画素から一画素が構成されていてもよいし、または２色以下であってもよい。

　有機ＥＬ表示装置１の表示部には、複数の信号線が配されている。当該信号線の一例として、互いに平行に配されているソース線１２ａ及び電源線１２ｂと、ソース線１２ａ及び電源線１２ｂと直交するゲート線１２ｃとが配されている。

　ソース線１２ａは、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂにデータを書き込むための配線である。電源線１２ｂは有機ＥＬ素子３０に電力を供給するための配線である。ゲート線１２ｃは、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂを選択するための配線である。

　ソース線１２ａ及び電源線１２ｂはＹ方向に延伸し、ゲート線１２ｃはＸ方向に延伸して配されている。

　本実施の形態では、平面視したとき、隣接する電源線１２ｂ間及び隣接するゲート線１２ｃ間によって区画された領域が副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂのそれぞれである。

　ソース配線１２ａとゲート配線１２ｃとが交差する近傍にＴＦＴ１３が配されている。ソース配線１２ａはＴＦＴ１３のソース電極と接続されており、ゲート配線１２ｃはＴＦＴ１３のゲート電極に配されている。そして、ＴＦＴ１３と有機ＥＬ素子３０とは、ＴＦＴ１３が駆動することで電気的に接続されるように配されている。

　信号線１２ａ・１２ｂ・１２ｃは、表示部外で外部回路と接続されている。そして、外部回路から信号線１２ａ・１２ｂ・１２ｃに対して電気信号を入力することで、ＴＦＴ１３を介して、信号線１２ａ・１２ｃの交差部に配された有機ＥＬ素子３０を駆動（発光）することができる。

　なお、有機ＥＬ表示装置１がアクティブマトリクス型の場合は、ＴＦＴ１３は、各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂのそれぞれに少なくとも一つ以上配されている。一方、有機ＥＬ表示装置１をパッシブマトリクス型として構成する場合は、ＴＦＴ１３は形成されない。

　さらに、有機ＥＬ表示装置１は、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂのそれぞれに書き込まれた電圧を保持するキャパシタや、ＴＦＴ１３の特性バラツキを補償するための補償回路が形成されていてもよい。

　（有機ＥＬ表示装置の表示部の断面構成）
　次に、図１及び図３を用いて、主に有機ＥＬ表示装置１の表示部の断面構造について説明する。図１は図３のＡ－Ａ線で切断したときの断面図である。

　＜支持基板の構成＞
　支持基板１０は、絶縁基板１１と、ＴＦＴ１３と、信号線１２ａ・１２ｂ・１２ｃと、層間絶縁膜１４と、第１電極３１と、光吸収層１６と、エッジカバー１７とを備えている。

　絶縁基板１１は、ベース基板である絶縁性材料からなる。絶縁基板は、例えば、無アルカリガラスまたはプラスチックなどの透明な絶縁性材料から構成することができる。または、光を透過しない側の基板である支持基板１０の絶縁基板１１は、例えば、金属板等、不透明な材料から構成してもよい。

　ＴＦＴ１３は、それぞれ、絶縁基板１１上であって各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂに対応して配されている。なお、ＴＦＴ１３の構成は従来よく知られているため、説明は省略する。

　信号線１２ａ・１２ｂは絶縁基板１１上であってＴＦＴ１３と同層に配されている。信号線１２ｃは層間絶縁膜１４中であって層間絶縁膜１４を介して信号線１２ａ・１２ｂと離間して配されている。

　層間絶縁膜１４は、絶縁基板１１上であってＴＦＴ１３及び信号線１２ａ・１２ｂ・１２ｃを覆って形成されている。層間絶縁膜１４は、絶縁基板１１全領域に渡って積層されている。

　第１電極３１は層間絶縁膜１４上であって各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ毎にパターン形成して配されている。第１電極３１は有機ＥＬ素子３０を構成するものである。第１電極３１は、層間絶縁膜１４に設けられたコンタクトホールによりＴＦＴ１３と接続されている。このように、ＴＦＴ１３はコンタクトホールを介して有機ＥＬ素子３０と電気的に接続されている。第１電極３１は、本実施の形態では陽極であるものとする。なお、これに限定されず、第１電極３１が陰極であってもよい。

　光吸収層１６は、外光反射を防止すると共に、有機ＥＬ素子３０から発光された光が、当該有機ＥＬ素子３０と隣接する有機ＥＬ素子３０の下層に形成されている第１電極３１のエッジで反射されることを防止するための反射防止膜である。

　光吸収層１６は第１電極３１間であって層間絶縁膜１４上に配されていると共に第１電極３１のエッジ（周縁部）を覆って配されている。換言すると、光吸収層１６は、第１電極３１が露出する開口部を有して、第１電極３１のエッジ（周縁部）及び第１電極３１間の層間絶縁膜１４を覆って配されている。

　光吸収層１６は、絶縁性を持たせる場合は光吸収性の顔料を分散させた樹脂等から構成することができる。一方、光吸収層１６は、絶縁性を持たせない場合はクロム等の低反射性金属または、金属の酸化物などから構成することができる。上記金属の酸化物としては、一例として、ＡｇまたはＡｇ合金などの表面を酸化させて黒色化させた材料などを挙げることができる。

　エッジカバー１７は、第１電極３１のエッジで有機ＥＬ素子３０が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子３０における第１電極と第２電極３４とが短絡することを防止するための絶縁層である。

　エッジカバー１７は、光吸収層１６に積層して配されている。エッジカバー１７は第１電極３１間であって光吸収層１６上に配されていると共に光吸収層１６を介して第１電極３１のエッジ（周縁部）を覆って配されている。換言すると、エッジカバー１７は第１電極３１が露出する開口部を有して、光吸収層１６を介して、第１電極３１のエッジ（周縁部）及び第１電極３１間の層間絶縁膜１４を覆って配されている。

　本実施の形態では、平面視したとき、エッジカバー１７は、光吸収層１６と同じパターン形状を有している。

　第１電極３１は光吸収層１６及びエッジカバー１７の開口部で露出している。この露出部分が各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂの発光領域、すなわち有機ＥＬ素子３０の形成領域である。

　層間絶縁膜１４およびエッジカバー１７としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を挙げることができる。

　＜封止基板の構成＞
　封止基板２０は、絶縁基板２１と、ＣＦ２２を構成するＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂと、ＢＭ（ブラックマトリクス）２２ＢＭと、を備えている。

　絶縁基板２１は、ベース基板である絶縁性材料からなる。絶縁基板２１は、例えば、無アルカリガラスまたはプラスチックなどの透明な絶縁性材料から構成することができる。

　ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂは絶縁基板２１上（支持基板１０との対向面）に配されている。

　ＣＦ２２Ｒは赤色光を透過するＣＦであり、副画素５０Ｒに配されている。ＣＦ２２Ｇは緑色光を透過するＣＦであり副画素５０Ｇに配されている。ＣＦ２２Ｂは青色光を透過するＣＦであり副画素５０Ｂに配されている。

　ＢＭ２２ＢＭは、絶縁基板２１上（支持基板１０との対向面）であってＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ間に配されている。すなわち、ＢＭ２２ＢＭの開口部内にＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂのいずれかが配されている。

　ＢＭ２２ＢＭの幅は、光吸収層１６の幅より短くなるように形成されている。

　こここで、光吸収層１６の開口部内の側面から、当該側面と対応するＢＭ２２ＢＭの開口部内の側面までの距離を、支持基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる際の貼りあわせマージンＭとする。この貼り合わせマージンＭを確保することで、確実に、平面視したときの光吸収層１６の形成領域内に、ＢＭ２１ＢＭの形成領域が含まれるように、支持基板１０と封止基板２０とを貼り合せることができる。

　このため、平面視したとき、有機ＥＬ素子３０を覆うＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂのそれぞれの面積を、有機ＥＬ素子３０より大きくすることができる。換言すると、平面視したとき、ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂそれぞれの領域内に有機ＥＬ素子３０が配されるように構成することができる。

　この結果、有機ＥＬ素子３０から発光された光を効率よくＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂを透過して、有機ＥＬ表示装置１から出射することができるので、輝度及びコントラスト向上効果を得ることができる。

　＜有機ＥＬ素子の構成＞
　支持基板１０上には、エッジカバー１７及びエッジカバー１７の開口部によって露出している第１電極３１の表面を覆って正孔注入層及び正孔輸送層３２が積層されている。さらに、正孔注入層及び正孔輸送層３２上には、支持基板１０側から順に、発光層３３、電子輸送層及び電子注入層３４、及び第２電極３５が積層されている。

　なお、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。

　有機ＥＬ素子３０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子である。

　有機ＥＬ素子３０は、第１電極３１のうち、エッジカバー１７の開口部によって表面が露出している領域、及び正孔注入層及び正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層及び電子注入層３４、第２電極３５のうち、表面が露出している第１電極３１上に積層されている領域である。

　有機ＥＬ素子３０は、本実施の形態では白色（Ｗ）光を発光する素子である。

　この有機ＥＬ素子３０のうち、第１電極３１及び第２電極３５に挟まれている正孔注入層及び正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層及び電子注入層３４を有機ＥＬ層３６と称する。

　有機ＥＬ素子３０は、本実施の形態では、マイクロキャビティー構造（共振構造）となっている。このマイクロキャビティー構造を実現するため、実際には、副画素５０Ｒ・５０Ｇの第１電極３１と有機ＥＬ層３６との間には、第１電極３１と第２電極３５との距離を調整するための透明電極層が設けられている。なお、このマイクロキャビティー構造の説明は後述する。

　第１電極３１は、有機ＥＬ層３６に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。すなわち、本実施の形態では第１電極３１は陽極であるものとする。第１電極３１は、上述したようにコンタクトホールを介してＴＦＴ１３と接続されている。

　第１電極３１は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂに対応してパターン形成されている。

　なお、第１電極３１は、スパッタ法以外にも、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いて積層することができる。

　第１電極３１としては、反射率が高い金属材料を用いることができる。第１電極３１を構成する材料として、例えば、ＡｇまたはＡｇ合金や、Ａｌ又はＡｌ合金などを挙げることができる。

　このように第１電極３１を反射率が高い材料から構成することで、発光層３３で発光した光を効率よく、ＣＦ２２を透過させ、有機ＥＬ表示装置１の外部に出射させることができる。

　なお、有機ＥＬ層３６の上述した積層順は、第１電極３１を陽極とし、第２電極３５を陰極としたものである。第１電極３１を陰極とし、第２電極を陽極とする場合には、有機ＥＬ層３６の積層順は反転する。

　正孔注入層及び正孔輸送層３２は、正孔注入層としての機能と、正孔輸送層としての機能を備えた一つの層として説明するが、それぞれ別の層として構成してもよい。同様に、電子輸送層及び電子注入層３４は、電子輸送層としての機能と、電子注入層としての機能とを備えた一つの層として説明するが、それぞれ別の層として構成してもよい。

　正孔注入層は、第１電極３１から有機ＥＬ層３６への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層３３への正孔輸送効率を高める機能を有する層である。

　正孔注入層及び正孔輸送層３２は、第１電極３１およびエッジカバー１７を覆うように、支持基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。

　正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層及び正孔輸送層３２の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。

　正孔注入層及び正孔輸送層３２上には、発光層３３が各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂの発光領域（すなわちエッジカバー１７の開口部）に各々形成されている。

　発光層３３は、第１電極３１側から注入された正孔と第２電極３５側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。

　発光層３３は、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール等が挙げられる。

　電子輸送層は、発光層３３への電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層は、第２電極３５から有機ＥＬ層３６への電子注入効率を高める機能を有する層である。

　電子輸送層及び電子注入層３４は発光層３３と、正孔注入層及び正孔輸送層３２とを覆うように、これら発光層３３と正孔注入層及び正孔輸送層３２との上に、支持基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　なお、電子輸送層及び電子注入層３４は、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよい。

　電子輸送層、電子注入層、あるいは電子輸送層及び電子注入層３４の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

　第２電極３５は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層３６に電子を注入する機能を有する層である。すなわち、本実施の形態では第２電極３５は陰極であるものとする。

　第２電極３５は、電子輸送層及び電子注入層３４を覆うように、電子輸送層及び電子注入層３４上に、支持基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　第２電極３５は、発光層３３から発光された光を透過するため、透明又は半透明の金属材料から構成されている必要がある。

　第２電極３５を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、あるいはそれらの積層膜を挙げることができる。

　第２電極３５の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を挙げることができる。

　なお、発光層３３以外の有機層は有機ＥＬ層３６として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子の特性に応じて適宜形成すればよい。

　また、有機ＥＬ層３６には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層３３と電子輸送層との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。

　さらに、有機ＥＬ層３６の積層構成を以下のように適宜変更してもよい。

　有機ＥＬ層３６の変形例としては、例えば、第１電極３１側から、正孔注入層、正孔輸送層、第１発光層、電子輸送層、キャリア発生層、正孔輸送層、第２発光層、電子輸送層、および電子注入層などの積層構成が挙げられる。

　この場合、第１発光層および第２発光層から出射された光の混合が有機ＥＬ素子３０より得られる。またその光をＣＦ２２によって調整することで所望のスペクトルを有する光を外部に取り出すことができる。

　ここで、キャリア発生層とは、第１発光層側に電子を、第２発光層側に正孔を供給するための層である。すなわち、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を１ユニットと考えれば、第１発光層側のユニットと、第２発光層側のユニットとがキャリア発生層を介して接続されていることになる。

　なお、第３発光層を有するユニットを同様に積層してもよいし、４つ以上のユニットを積層することもできる。

　さらには、上記で述べたように、キャリアブロックキング層の追加や、正孔注入層と正孔輸送層の一体化なども適宜行うことができる。

　Ｗ発光の発光層とＣＦ２２とを組み合わせた素子（Ｗ＋ＣＦと称する）においては、ＣＦ２２あるいはその他の方法で各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂの発光色を変更するため、発光層を各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂごとに塗り分ける必要はなく、正孔輸送層等と同じように、支持基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成すればよい。

　上記構成において、第１電極（陽極）３１と、第２電極（陰極）３５、および発光層以外の層は、適宜挿入すればよい。

　（マイクロキャビティー構造）
　次に、図４、図５を用いて有機ＥＬ素子３０のマイクロキャビティー構造について説明する。有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子３０がマイクロキャビティー構造となっているので、出射光のＲＧＢの色純度を向上させることができると共に、外光反射を防止することができる。

　まず、図４を用いて出射光の色純度向上効果について説明する。図４は、マイクロキャビティー構造による色純度向上効果を説明する図である。

　有機ＥＬ素子３０のうち、副画素５０Ｒに配されている有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｒとし、副画素５０Ｇに配されている有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｇとし、副画素５０Ｂに配されている有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｂとする。

　そして、有機ＥＬ素子３０Ｒの第１電極３１と第２電極３５との間の距離を光路長ＤＲとし、有機ＥＬ素子３０Ｇの第１電極３１と第２電極３５との間の距離を光路長ＤＧとし、有機ＥＬ素子３０Ｂの第１電極３１と第２電極３５との間の距離を光路長ＤＢとする。

　有機ＥＬ素子３０Ｒでは、光路長ＤＡの長さを調整するために、第１電極３１と有機ＥＬ層３６との間に、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料からなる透明電極層３７Ｒが形成されている。

　これにより、有機ＥＬ素子３０Ｒでは、光路長ＤＲが、赤色光のピーク波長が共振する長さとなっている。

　有機ＥＬ素子３０Ｇでは、光路長ＤＧの長さを調整するために、第１電極３１と有機ＥＬ層３６との間に、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料からなる透明電極層３７Ｇが形成されている。

　これにより、有機ＥＬ素子３０Ｇでは、光路長ＤＧが、緑色光のピーク波長が共振する長さとなっている。

　有機ＥＬ素子３０Ｂでは、有機ＥＬ層３６の膜厚を調整することで、光路長ＤＢが、青色のピーク波長が共振する長さとなっている。

　光路長ＤＲ・ＤＧ・ＤＢの長さは、長い方から短い方にかけて、光路長ＤＲ・ＤＧ・ＤＢの順である。

　光路長ＤＢは、光路長ＤＲや、光路長ＤＧより短くて済むため、第１電極３１と有機ＥＬ層３６との間に、透明電極層を設けなくとも有機ＥＬ層３６の膜厚調整で、青色光のピーク波長が共振する長さに調整が可能である。

　このように、有機ＥＬ素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂはそれぞれ、マイクロキャビティー構造（共振構造）となっている。

　すなわち、有機ＥＬ素子３０Ｒの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｒが外部に出射する赤色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＲとなっている。

　また、有機ＥＬ素子３０Ｇの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｇが外部に出射する緑色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＧとなっている。

　また、有機ＥＬ素子３０Ｂの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｂが外部に出射する青色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＢとなっている。

　このため、有機ＥＬ素子３０Ｒでは、有機ＥＬ層３６で発光されたＷ（白色）光のうち、赤色の波長が第１電極３１及び第２電極３５間で共振されてから、第２電極３５及びカラーフィルタ２２Ｒを透過し、副画素５０Ｒから外部への出射光としてのＲ光が出射される。

　この結果、副画素５０Ｒから色純度の高いＲ光が出射される。

　また、有機ＥＬ素子３０Ｇでは、有機ＥＬ層３６で発光されたＷ（白色）光のうち、緑色の波長が第１電極３１及び第２電極３５間で共振されてから、第２電極３５及びカラーフィルタ２２Ｇを透過し、副画素５０Ｇから外部への出射光としてのＧ光が出射される。

　この結果、副画素５０Ｇから色純度の高いＧ光が出射される。

　また、有機ＥＬ素子３０Ｂでは、有機ＥＬ層３６で発光されたＷ（白色）光のうち、青色の波長が第１電極３１及び第２電極３５間で共振されてから、第２電極３５及びカラーフィルタ２２Ｂを透過し、副画素５０Ｂから外部への出射光としてのＢ光が出射される。

　この結果、副画素５０Ｂから色純度の高いＲ光が出射される。

　次に、図５を用いて、外光反射防止効果について説明する。図５は、マイクロキャビティー構造による外光反射防止効果を説明する図である。

　ＢＭ２１ＢＭの開口部に設けられたＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂは、各有機ＥＬ素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂから発光された光を透過することができると共に、外光Ｌを各有機ＥＬ素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ内へ入射してしまう。

　この外光Ｌの各有機ＥＬ素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂからの反射光が、有機ＥＬ素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂから発光された光と混ざって、各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂから出射されると、色純度低下を招き、コントラスト低下及び視認性低下の原因となる。

　外光Ｌを白色光とすると、副画素５０Ｒでは、外光ＬはＣＦ２２Ｒを透過しＲ光として有機ＥＬ素子３０Ｒに入射する。しかし、上述したように、有機ＥＬ素子３０Ｒの第１電極３１と第２電極３５との距離は、赤色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＲとなっている。

　このため、有機ＥＬ素子３０Ｒに入射した外光Ｌは、第１電極３１で反射したとしても、第１電極３１と第２電極３５との間に閉じ込められ、有機ＥＬ素子３０Ｒの外部へは出射しない。

　同様に、副画素５０Ｇでは、外光ＬはＣＦ２２Ｇを透過しＧ光として有機ＥＬ素子３０Ｇに入射する。しかし、上述したように、有機ＥＬ素子３０Ｇの第１電極３１と第２電極３５との距離は、緑色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＧとなっている。

　このため、有機ＥＬ素子３０Ｇに入射した外光Ｌは、第１電極３１で反射したとしても、第１電極３１と第２電極３５との間に閉じ込められ、有機ＥＬ素子３０Ｇの外部へは出射しない。

　同様に、副画素５０Ｂでは、外光ＬはＣＦ２２Ｂを透過しＢ光として有機ＥＬ素子３０Ｂに入射する。しかし、上述したように、有機ＥＬ素子３０Ｂの第１電極３１と第２電極３５との距離は、青色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＢとなっている。

　このため、有機ＥＬ素子３０Ｂに入射した外光Ｌは、第１電極３１で反射したとしても、第１電極３１と第２電極３５との間に閉じ込められ、有機ＥＬ素子３０Ｂの外部へは出射しない。

　このように、有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子３０Ｒの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｒが外部に出射する赤色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＲとなっており、有機ＥＬ素子３０Ｇの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｇが外部に出射する緑色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＧとなっており、有機ＥＬ素子３０Ｂの第１電極３１と第２電極３５との距離は、副画素５０Ｂが外部に出射する青色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＢとなっている。

　これにより、有機ＥＬ表示装置１は、色純度の高い出射光を得ると共に、第１電極３１及び第２電極３５間に入射した外光Ｌの反射を抑えることができるので、コントラストが高く、視認性が高い表示装置を得ることができる。

　また、特に、第１電極３１は、有機ＥＬ層３６から発光された光を効率よく、外部に出射するために、反射率が高い材料から構成されている。このため、有機ＥＬ素子がマイクロキャビティー構造による反射光防止効果を有していない構成の場合、例えば、外光Ｌの第１電極からの反射光が各副画素から出射されることを防止するために、絶縁基板のＣＦが配されている面とは逆側面に偏光板を配する必要がある。

　反射光と透過光とでは偏光方向が異なるため、この偏光方向の相違を利用して、偏光板により反射光の出射を抑えるためである。

　一方、有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、有機ＥＬ素子３０はマイクロキャビティー構造を有するので、外光Ｌの反射防止のための偏光板が不要である。

　なお、有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子３０をマイクロキャビティー構造を有しない構成としてもよい。しかし、上述した効果が得られるので、有機ＥＬ素子３０をマイクロキャビティー構造とすることが好ましい。

　（有機ＥＬ表示装置１の主な利点）
　次に、上述した有機ＥＬ表示装置１の各構成による主な利点を挙げる。

　有機ＥＬ表示装置１は、発光層３３を有する複数の副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂによって構成される画素５０がマトリクス状に配されている。

　そして、有機ＥＬ表示装置１は、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ毎であって、マトリクス状に配されている第１電極３１と、第１電極３１の上方に、開口部１８を有すると共に第１電極３１のエッジ（周縁部）を覆うエッジカバー１７と、開口部１８に配されている発光層３３と、発光層３３の上層に配されており、発光層３３を介して第１電極３１と対向配置されている第２電極３５とを備えている。

　さらに、有機ＥＬ表示装置１は、エッジカバー１７の下層に光吸収層１６が配されている。

　有機ＥＬ表示装置１の上記構成によると、エッジカバー１７は、第１電極３１のエッジを覆うので、例えば、第１電極３１のエッジ近傍で有機ＥＬ層３６の膜厚が薄くなるなどにより、第１電極３１と第２電極３５が短絡してしまうことを防止することができる。

　なお、エッジカバー１７は、第１電極３１のエッジの全てを覆っていなくとも、少なくとも一部を覆う構成であってもよい。これにより、エッジカバー１７が第１電極３１を覆っている部分については第１電極３１と第２電極３５との短絡を防止することができる。

　そして、有機ＥＬ表示装置１では、発光層３３はエッジカバー１７の開口部１８に配されており、第１電極３１と、第２電極３５とは発光層３３を介して対向配置されている。これにより、第１電極３１及び第２電極３５それぞれを駆動制御することで、発光層３３が発光する光量を制御することができる。その結果、画像の表示が可能となる。

　さらに、有機ＥＬ表示装置１では、エッジカバー１７の下層には、光吸収層１６が形成されている。これにより、エッジカバー１７に入射した外光Ｌが、エッジカバー１７が覆うエッジカバー１７の下層に配されている第１電極３１等により反射することを防止することができる。これにより、コントラストが高い有機ＥＬ表示装置１を得ることができる。

　加えて、有機ＥＬ表示装置１では、光吸収層１６は、エッジカバー１７の下層に配されているので、エッジカバー１７が透明な樹脂材料から構成されていたとしても、例えば有機ＥＬ層３０Ｒの発光層３３から発光された光が、エッジカバー１７を透過し、隣接する有機ＥＬ層３０Ｇの下層に配されている第１電極３１のエッジで反射することを防止することができる。このため、有機ＥＬ表示装置１によると、さらに、コントラスト向上効果を得ることができる。

　そして、有機ＥＬ表示装置１では、光吸収層１６は、エッジカバー１７とは別構成として設けられている。これにより、エッジカバー１７を、露光工程で感光しやすい材料から構成することができる。これにより、エッジカバー１７を構成する材料選択の自由度の低下を防止することができる。

　この光吸収層１６に、ガス遮蔽性の機能を持たせることで、有機ＥＬ表示装置１の信頼性を向上させることも可能である。

　さらに、有機ＥＬ表示装置１によると、図１３に示した従来技術のように、光吸収層１６を設けずエッジカバー１７に光吸収機能をもたせる場合と比べて、例えばフォトリソグラフィなど、一般的に用いられている製造方法で精度よくパターン形成することができると共に、第１電極３１のエッジを確実に覆うことができる程度の膜厚でエッジカバー１７を形成することができるので、製造プロセスが容易である。

　加えて、有機ＥＬ表示装置１によると、光吸収層１６が、エッジカバー１７の下層に配されているので、エッジカバー１７のパターンをそのまま用いて光吸収層１６をパターニングすることができる。これにより、セルフアライメント効果により、エッジカバー１７と光吸収層１６とのパターンエッジ（パターン形状）を完全に一致させることができる。この結果、発光に寄与しない部分を光吸収層１６により完全に覆うことができる。

　さらに、エッジカバー１７のテーパー形状は、滑らかな順テーパー形状となっている。これにより第１電極３１のエッジをカバーしつつ、第２電極３５の断線を防止することができる。

　ここで、上述した特許文献４、５のように絶縁膜上に光吸収層を配した場合、当該絶縁膜上の光吸収層のエッジは絶縁膜のエッジより後退した構成となる。すなわち絶縁膜の底面の幅より、光吸収層の幅の方が短くなる。このため第１電極の周囲または隣接する第１電極との間に光吸収層でおおうことができない領域が一定量形成されることになる。この結果、コントラスト向上効果が減少する。

　一方、有機ＥＬ表示装置１によると、光吸収層１６は、順テーパー形状を有するエッジカバー１７の下層に配されているので、エッジカバー１７の底面の幅と、光吸収層１６の幅とを同等にすることができる。この結果、第１電極３１の周囲または隣接の第１電極３１との間に光吸収層１６で覆うことができない領域を減少させることができ、コントラスト向上効果が高い。

　このように、有機ＥＬ表示装置１では、光吸収層１６がエッジカバー１７の下層に配されているので、平面視したとき、エッジカバー１７と、光吸収層１６との形状が一致するように、エッジカバー１７と、光吸収層１６とを、フォトリソグラフィにより、同じマスクを用いて、パターン形成することができる。これにより、マスクの枚数の増加を防止することができる。

　なお、この光吸収層１６とエッジカバー１７のパターン形状は、必ずしも一致しなくてもよい。

　有機ＥＬ表示装置１では、光吸収層１６は、絶縁性を有している。これにより、隣接する第１電極３１のそれぞれのエッジを覆う光吸収層１６を、その隣接する第１電極３１間で分離する必要がない。

　このため、光吸収層１６は、隣接する第１電極３１間に跨って形成されている。これにより、隣接する第１電極３１間で、光吸収層１６を分離するための工程数の増加を防止している。

　また、有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂに配されている第１電極３１と、第２電極３５との距離は、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂのそれぞれが出射する色の光のピーク波長が共振する光路長ＤＲ・ＤＧ・ＤＢとなっている。

　このため、有機ＥＬ表示装置１では、色純度の高い出射光を得ると共に、第１電極３１及び第２電極３５間に入射した外光の反射を抑えることができるので、コントラストが高い有機ＥＬ表示装置１を得ることができる。

　また、有機ＥＬ表示装置１は、副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂは、支持基板１０には、それぞれ、白色光を発光する発光層３３を備え、封止基板２０には、それぞれ、ＣＦ２２Ｒ、ＣＦ２２Ｇ、ＣＦ２２Ｂが配されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、白色を発光する有機ＥＬ素子３０と、ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂによってカラー画像の表示を行う。

　なお、有機ＥＬ表示装置１として、ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂを省略し、各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ毎に、Ｒ光を発光する発光層、Ｇ光を発光する発光層、Ｂ光を発光する発光層をそれぞれ配することでカラー画像の表示が可能な有機ＥＬ表示装置を構成してもよい。

　また、封止基板２０には、ＣＦ２２Ｒ・ＣＦ２２Ｇ間、ＣＦ２２Ｇ・ＣＦ２２Ｂ間、ＣＦ２２Ｂ・ＣＦ２２Ｒ間のそれぞれにＢＭ２２ＢＭが配されている。このため、隣接する発光層３３から発光された光が混色することを防止することができる。

　（有機ＥＬ表示装置１の製造方法）
　次に、図６の（ａ）～（ｆ）を用いて、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。

　図６は有機ＥＬ表示装置１の製造方法を説明する図である。

　図６の（ａ）に示すように、一般的な工程を用いて絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１３、信号線１２ａ・１２ｂ等をパターン形成し、絶縁基板１１上であってＴＦＴ１３及び信号線１２ａ・１２ｂを覆って層間絶縁膜１４を成膜する。そして層間絶縁膜１４にコンタクトホールを形成する。

　そして、次に工程では、層間絶縁膜１４上であって、各副画素５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ毎に、マトリクス状に第１電極３１を、例えばスパッタ法などによりパターン形成する。

　図６の（ｂ）に示すように、第１電極３１を形成した次の工程では、光吸収層１６となる積層膜１６ａを、塗布などにより、層間絶縁膜１４上及び第１電極３１を覆って、基板全面に渡って均一な膜厚で成膜する。

　次に、図６の（ｃ）に示すように、積層膜１６ａ上に、フォトリソグラフィにより、エッジカバー１７をパターン形成する。エッジカバー１７は、第１電極３１の上方に開口部１８を有すると共に、第１電極３１のエッジを覆い、隣接する第１電極３１にエッジ間に跨って配されるように形成される。

　次に、図６の（ｄ）に示すように、積層膜１６ａを、たとえば、フォトリソグラフィなどにより、エッジカバー１７の開口部１８と同じ形状の開口部をパターン形成することで、光吸収層１６を形成する。ここでは、光吸収層１６は、エッジカバー１７をパターン形成したマスクと同じマスクを用いて形成する。これにより、平面視で、光吸収層１６を、エッジカバー１７と同じ形状として形成することができる。

　また、先に、エッジカバー１７をパターン形成したあとで、エッジカバー１７の下層に形成されている積層膜１６ａを、例えば露光・現像することで光吸収層１６を形成している。このため、光吸収層１６は、エッジカバー１７のパターンをそのまま用いてパターニングすることができ、セルフアライメント効果により、エッジカバー１７と光吸収層１６とのパターンエッジを完全に一致させることができる。このため、発光に寄与しない部分を光吸収層１６により完全に覆う事ができる。

　そして、これにより支持基板１０が完成する。

　次に、図６の（ｅ）に示すように、第１電極３１及びエッジカバー１７上に、順に、正孔注入層及び正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層及び電子注入層３４、及び第２電極を成膜、またはパターン形成していく。これにより、第１電極３１上であってエッジカバー１７の開口部１８内に、第１電極３１と第２電極３５とによって挟まれた有機ＥＬ層３６が形成されると共に、有機ＥＬ層３６と、当該有機ＥＬ層３６を挟む第１電極３１及び第２電極３５とからなる有機ＥＬ素子３０が形成される。

　次に、図６の（ｆ）に示すように、絶縁基板２１に開口部を有してパターン形成されたＢＭ２２ＢＭ、及びＢＭ２２ＢＭの開口部に、ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂが形成された封止基板２０を、支持基板１０と貼り合せる。そして、貼り合わせた封止基板２０と支持基板１０とを、封止樹脂４１で封止すると共に、封止基板２０と支持基板１０との間に充填樹脂４２を充填する。

　これにより、有機ＥＬ表示パネル２が完成する。そして有機ＥＬ表示パネル２を、回路部等と接続することで有機ＥＬ表示装置１が完成する。

　封止基板２０では、ＢＭ２２ＢＭの幅は、光吸収層１６の幅より短くなるように形成されているので、有機ＥＬ表示装置１は、貼り合せる際のマージンＭを有している。このため、平面視で、ＢＭ２２ＢＭが光吸収層１６と重畳するように確実に、封止基板２０と、支持基板１０とを貼り合せることができる。

　さらに、換言すると、有機ＥＬ素子３０の面積より、各ＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂの面積の方が大きい。このため、有機ＥＬ素子３０から発光された光を出射する開口部が大きく、効率よく、有機ＥＬ素子３０から発光された光を出射させることができる。

　（有機ＥＬ表示装置１の変形例の製造方法）
　また、有機ＥＬ表示装置１は、白色光を発光する有機ＥＬ素子３０に替えて、Ｒ・Ｇ・Ｂ光を発光する有機ＥＬ素子３０をそなえてもよい。この場合、ＣＦＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂを省略することができる。

　このような有機ＥＬ表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子ごとに所定パターンで形成する必要がある。

　発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、真空蒸着法が用いられることが多い。

　真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク（シャドウマスクとも称される）が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。

　真空蒸着法における基板上へ有機層形成方法を下記に示す。

　まず、蒸着源にて蒸着材料を加熱、昇華させる。昇華した蒸着粒子は、所望の位置に開口部を有するシャドウマスクを介して基板に到達する。

　シャドウマスクは基板に密着されている。これによって、基板の所望の位置に蒸着膜が形成される。例えば、正孔注入層や正孔輸送層の場合、表示部全面に製膜を行うため、表示部全面および製膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクをシャドウマスクとして用いて、製膜を行う。

　また、発光層の塗り分け方式においては、赤色を表示する画素の発光層（発光層（Ｒ））の製膜を行う場合、当該箇所のみが開口したファインマスクをシャドウマスクとして用いて、製膜を行う。電子輸送層や電子注入層、第２電極については正孔注入層と同様である。

　一方、Ｗ＋ＣＦ方式においては、前述した通り、全ての層について、表示部全面および製膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクをシャドウマスクとして用いて、製膜を行う。

　以上のようにして作製されたＴＦＴ基板の上に正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、第二電極を順に真空蒸着法により形成していく。蒸着が完了した基板に対して、有機ＥＬ素子が大気中の水分や酸素にて劣化しないよう、有機ＥＬ素子の領域（表示部）の封止を行う。以上のような工程により、有機ＥＬ表示装置が作製される。有機ＥＬパネル外部に形成された駆動回路から、基板上の回路部を介して個々の画素にある有機ＥＬ素子に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。

　〔実施の形態２〕
　次に、図７、図８を用いて、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図７は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３の構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置３は、有機ＥＬ表示装置１が備えていた有機ＥＬ表示パネル２に替えて、有機ＥＬ表示パネル４を備えている。有機ＥＬ表示パネル４は、支持基板１０に替えて支持基板６０を備えている。

　支持基板６０は、隣接する第１電極３１間でエッジカバー６７及び光吸収層６６が分離している点で、支持基板１０と相違する。

　光吸収層６６は、エッジカバー６７の下層に形成されており、第１電極３１のエッジを覆い、第１電極３１上にエッジカバー６７と同様の開口部１８を有する。そして、光吸収層６６は、隣接する第１電極３１間で分離している。すなわち、光吸収層６６は、隣接する第１電極３１間に溝が設けられている。

　このように、隣接する第１電極３１のそれぞれを覆う光吸収層６６間は接続されていないので、光吸収層６６は絶縁性を有する材料から構成されていなくともよい。これにより、光吸収層６６の材料選択の自由度を向上させることができる。

　また、光吸収層６６の上層に形成されたエッジカバー６７も同様である。すなわち、エッジカバー６７は、第１電極３１のエッジを覆い、第１電極３１上に開口部１８を有すると共に、隣接する第１電極３１間で分離している。すなわち、エッジカバー６７は、隣接する第１電極３１間に溝が設けられている。

　このように、平面視で、エッジカバー６７と光吸収層６６とを同じ形状となるように形成することで、エッジカバー６７のパターンをそのまま用いて光吸収層６６をパターニングすることができる。このため、マスク枚数を増加させることなく、光吸収層６６を隣接する第１電極３１間で分離して形成することができる。

　次に、図８を用いて有機ＥＬ表示装置３の製造方法について説明する。図８は有機ＥＬ表示装置３の製造方法を説明する図である。

　図８の（ａ）（ｂ）は図６の（ａ）（ｂ）と同じである。

　図８の（ｂ）に示すように、積層膜１６ａを積層したあと、図８の（ｃ）に示すように、積層膜１６ａ上に、フォトリソグラフィにより、エッジカバー６７をパターン形成する。エッジカバー６７は、第１電極３１の上方に開口部１８を有すると共に、第１電極３１のエッジを覆って形成される。さらに、エッジカバー６７は、隣接する第１電極３１間で分離されるように、隣接する第１電極３１間に溝が形成されて積層膜１６ａ上に形成される。これにより、第１電極３１のエッジ（周縁部）に沿って、当該エッジ（周縁部）を覆うエッジカバー６７が、第１電極３１のそれぞれに対して形成される。

　次に、図８の（ｄ）に示すように、光吸収層６６となる積層膜１６ａを積層したあと、積層膜１６ａに、例えば、フォトリソグラフィなどにより、エッジカバー６７の開口部１８と同じ形状の開口部及び、隣接するエッジカバー６７間の溝をパターン形成することで、隣接する第１電極３１間で分離された光吸収層６６を形成する。

　ここでは、光吸収層６６は、エッジカバー６７をパターン形成したマスクと同じマスクを用いて形成する。これにより、平面視で、光吸収層６６を、エッジカバー６７と同じ形状として形成することができる。

　これにより、マスク枚数を増加させることなく、光吸収層６６を隣接する第１電極３１間で分離して形成することができる。

　そして、これにより支持基板６０が完成する。

　次に、図８の（ｅ）（ｆ）に示すように、図６の（ｅ）（ｆ）と同様の工程を経ることで、支持基板６０と封止基板２０とを有する有機ＥＬ表示パネル４が完成する。そして、有機ＥＬ表示パネル４を回路部等と接続することで有機ＥＬ表示装置３が完成する。

　有機ＥＬ表示装置３では、封止基板２０のＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ間にＢＭ２２ＢＭが配されている。そして、このＢＭ２２ＢＭは、隣接する光吸収層６６間の溝、及び隣接するエッジカバー６７間の溝と重畳して配されている。このため、平面視で、隣接する光吸収層６６間の溝、及び隣接するエッジカバー６７間の溝は、ＢＭ２２ＢＭの下方に位置し、隠されている。

　このため、隣接する光吸収層６６間及び隣接するエッジカバー６７間の溝の外光の反射を防止することができる。これにより、コントラスト向上効果を得ることができる。

　〔実施形態３〕
　次に、図９、図１０を用いて、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１、２にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５の構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置５は、有機ＥＬ表示装置１が備えていた有機ＥＬ表示パネル２に替えて、有機ＥＬ表示パネル６を備えている。有機ＥＬ表示パネル６は、支持基板１０に替えて支持基板７０を備えている。

　支持基板７０は、光吸収層７６が隣接する第１電極３１間で分離している点で、支持基板１０と相違する。

　光吸収層７６は、エッジカバー１７の下層に形成されており、第１電極３１のエッジを覆っており、隣接する第１電極３１間で分離している。すなわち、光吸収層７６は、隣接する第１電極３１間に溝が設けられている。

　このように、隣接する第１電極３１のそれぞれを覆う光吸収層７６間は接続されていないので、光吸収層７６は絶縁性を有する材料から構成されていなくともよい。これにより、光吸収層７６の材料選択の自由度を向上させることができる。

　光吸収層７６上に形成されているエッジカバー１７は、実施の形態１と同様に、隣接する第１電極３１それぞれのエッジを覆うと共に、隣接する第１電極３１間に跨って形成されている。すなわち、隣接する光吸収層７６間に設けられた溝はエッジカバー１７によって覆われている。

　このように、エッジカバー１７と、光吸収層７６とを異なる形成としてもよい。

　次に、図１０を用いて有機ＥＬ表示装置５の製造方法について説明する。図１０は有機ＥＬ表示装置５の製造方法を説明する図である。

　図１０の（ａ）（ｂ）は図６の（ａ）（ｂ）と同じである。

　図１０の（ｂ）に示すように、光吸収層７６となる積層膜１６ａを積層したあと、図１０の（ｃ）に示すように、積層膜１６ａ上に、フォトリソグラフィにより、レジスト７９をパターン形成する。レジスト７９は、開口部１８が形成される領域が開口していると共に、第１電極３１のエッジを覆って形成される。さらに、レジスト７９は、隣接する第１電極３１間で分離されるように、隣接する第１電極３１間に溝が形成されて積層膜１６ａ上に形成される。

　次に図１０の（ｄ）に示すように、エッチングを施すことで、レジスト７９の下層の積層膜１６ａだけが残る。これにより、開口部１８となる領域より面積が小さい開口部を有すると共に、第１電極３１のエッジを覆って、光吸収層７６が形成される。さらに、光吸収層７６には、隣接する第１電極３１間で分離されるように、隣接する第１電極３１間に溝が形成される。

　このように、第１電極３１のエッジ（周縁部）に沿って、当該エッジ（周縁部）を覆う光吸収層７６が、第１電極３１のそれぞれに対して形成される。

　次に、図１０の（ｅ）に示すように、光吸収層７６上のレジスト７９を剥離し、レジスト７９を剥離した光吸収層７６上に、フォトリソグラフィなどにより、エッジカバー１７を形成するこれにより、支持基板７０が完成する。

　次に、図１０の（ｆ）（ｇ）に示すように、図６の（ｅ）（ｆ）と同様の工程を経ることで、支持基板７０と封止基板２０とを有する有機ＥＬ表示パネル６が完成する。そして、有機ＥＬ表示パネル６を回路部等と接続することで有機ＥＬ表示装置５が完成する。

　有機ＥＬ表示装置５では、封止基板２０のＣＦ２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ間にＢＭ２２ＢＭが配されている。そして、このＢＭ２２ＢＭは、隣接する光吸収層７６間の溝と重畳して配されている。このため、平面視で、隣接する光吸収層７６間の溝は、ＢＭ２２ＢＭの下方に位置し、隠されている。

　このため、隣接する光吸収層７６間の溝の外光の反射を防止することができる。これにより、コントラスト向上効果を得ることができる。

　〔実施の形態４〕
　次に、図１１、図１２を用いて、本発明の第４の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１～３にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図１１は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７の構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置７は、有機ＥＬ表示装置１が備えていた有機ＥＬ表示パネル２に替えて、有機ＥＬ表示パネル８を備えている。有機ＥＬ表示パネル８は、支持基板１０に替えて支持基板８０を備えている。

　支持基板８０は、光吸収層１６に替えて光吸収層８６を備えていると共に、光吸収層８６を、エッジカバー８７が覆っている点で、支持基板１０と相違する。

　光吸収層８６は、下層から順に積層された第１光吸収層８６ｂと第２光吸収層８６ｃとからなる２層構造である。

　第１光吸収層８６ｂは下層に配されており、絶縁性を有し、光吸収性を有する材料からなる。なお、第１光吸収層８６ｂは無機膜であってもよいし有機膜であってもよい。

　第２光吸収層８６ｃは、第１光吸収層８６ｂに積層されている。第２光吸収層８６ｃは無機膜であってもよいし有機膜であってもよい。さらに、第２光吸収層８６ｃは透明性であってもよいし遮光性であってもよい。

　また、第２光吸収層８６ｃが光吸収性を有する場合は、第１光吸収層８６ｂは透明な材料から構成されていてもよい。

　そして、第１光吸収層８６ｂは第１電極３１のエッジを覆うと共に、隣接する第１電極３１間に跨って配されている。

　これにより、隣接する第１電極３１間を、多層構造である光吸収層８６のうちの最下層の第１光吸収層８６ｂにより絶縁することができる。

　なお、光吸収層８６は、２層構造に限定されず、３層以上の多層構造であってもよく、最下層が絶縁性を有していればよい。さらに、多層構造のうち、何れかの層が光吸収性を有していればよい。

　エッジカバー８７は、隣接する第１電極３１間のエッジを覆い、隣接する第１電極３１間に跨って形成されていると共に、第１電極３１上にエッジカバー１７の開口部１８より面積が小さい開口部８８を有する。すなわち、エッジカバー８７は、下層に配されている光吸収層８６を覆っている。

　このように、絶縁性のエッジカバー８７が光吸収層８６を覆っている。このため、第１電極３１と第２電極３５とが短絡することを防止することができる。

　次に、図１２を用いて有機ＥＬ表示装置５の製造方法について説明する。図１２は有機ＥＬ表示装置５の製造方法を説明する図である。

　図１２の（ａ）（ｂ）は図６の（ａ）（ｂ）と同じである。

　図１２の（ｂ）に示すように、光吸収層８６となる積層膜８６ａを積層したあと、図１２の（ｃ）に示すように、積層膜８６ａ上に、フォトリソグラフィにより、レジスト８９をパターン形成する。レジスト８９は、開口部１８が形成される領域が開口していると共に、第１電極３１のエッジを覆い、隣接する第１電極３１間に跨って形成される。

　次に図１２の（ｄ）に示すように、エッチングを施すことで、レジスト８９の下層の積層膜８６ａだけが残る。これにより、第１電極３１上に開口部１８と同面積の開口部を有すると共に、第１電極３１のエッジを覆い、隣接する第１電極３１間に跨っている光吸収層８６が形成される。

　次に、図１２の（ｅ）に示すように、光吸収層８６上のレジスト７９を剥離し、レジスト７９を剥離した光吸収層８６を覆って、フォトリソグラフィなどにより、エッジカバー８７を形成する。これにより、支持基板８０が完成する。

　次に、図１２の（ｆ）（ｇ）に示すように、図６の（ｅ）（ｆ）と同様の工程を経ることで、支持基板８０と封止基板２０とを有する有機ＥＬ表示パネル８が完成する。そして、有機ＥＬ表示パネル８を回路部等と接続することで有機ＥＬ表示装置７が完成する。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　また、上記副画素に配されている上記第１電極と、上記第２電極との距離は、当該副画素が出射する色の光のピーク波長が共振する光路長となっていることが好ましい。

　上記構成によると、色純度の高い出射光を得ると共に、上記第１及び第２電極間に入射した外光の反射を抑えることができるので、コントラストが高い表示装置を得ることができる。

　また、上記第１電極と、上記光吸収層と、上記絶縁層と、上記発光層と、上記第２電極とが配されている支持基板と、当該支持基板と対向配置されており、上記発光層と対向する領域であって、副画素毎に異なる色の光を出射するカラーフィルタが配されている対向基板と、を備えていることが好ましい。

　また、上記対向基板には、上記カラーフィルタ間に、ブラックマトリクスが配されていることが好ましい。

　上記構成によると、隣接する上記発光層から発光された光が混色することを防止することができる。

　さらに、上記光吸収層を隣接する第１電極間で分離して構成する場合、当該分離してい箇所を上記ブラックマトリクスで覆うことができ、当該分離している箇所での外光の反射を防止することができる。

　また、上記光吸収層は、絶縁性を有することが好ましい。上記構成によると、隣接する第１電極のそれぞれのエッジを覆う上記光吸収層を、当該隣接する第１電極間で分離する必要がない。このため、上記光吸収層を、隣接する第１電極間で分離するための工程が必要ではなく、製造プロセスの増加を防止することができる。

　また、上記光吸収層は、隣接する上記第１電極間に跨って形成されていることが好ましい。上記構成によると、隣接する上記第１電極間で、上記光吸収層が分離されていないので、当該分離するための工程数の増加を防止することができる。

　また、平面視したとき、上記絶縁層と、上記光吸収層との形状が一致することが好ましい。上記構成によると、上記絶縁層と、上記光吸収層とを、フォトリソグラフィにより、同じマスクを用いて、パターン形成することができる。これにより、マスクの枚数の増加を防止することができる。

　また、上記光吸収層は、隣接する第１電極間で分離されていることが好ましい。上記構成によると、上記光吸収層が絶縁性を有していなくともよい。これにより、上記光吸収層の材料選択の自由度を向上させることができる。

　また、上記絶縁層は、隣接する上記第１電極間で分離されていてもよい。上記構成によると、例えば、上記光吸収層を上記絶縁層と同じ形状で作製する場合、マスク枚数を増加させることなく上記第絶縁層を形成することができる。

　また、上記光吸収層は、多層構造を有しており、上記多層構造のうち、最下層は絶縁性を有することが好ましい。上記構成によると、隣接する第１電極間を、上記多層構造のうちの絶縁性を有する上記最下層により絶縁することができる。

　また、上記絶縁層は、上記光吸収層を覆っていることが好ましい。上記構成によると、上記第１電極と第２電極とが短絡することを防止することができる。

　また、上記光吸収層を形成する工程と、上記絶縁層を形成する工程とでは、同一マスクを用いて、上記光吸収層と、上記絶縁層とが形成されることが好ましい。上記構成によると、マスクの枚数の増加を防止することができる。

　また、上記光吸収層となる積層膜を積層したあと、隣接する上記第１電極間で、上記積層膜を分離することで光吸収層を形成する工程を有することが好ましい。上記構成によると、上記光吸収層が絶縁性を有していなくともよい。これにより、上記光吸収層の材料選択の自由度を向上させることができる。

　本発明は、発光層を有する有機ＥＬ表示装置等の表示装置に利用することができる。

１　有機ＥＬ表示装置
２　有機ＥＬ表示パネル
１０　支持基板
１１　絶縁基板
１６・８６　光吸収層
１７　エッジカバー
２２Ｒ・２２Ｇ・２２Ｂ　ＣＦ
３０　有機ＥＬ素子
３１　第１電極
３５　第２電極
５０　画素
５０Ｒ・５０Ｇ・５０Ｂ　副画素

Claims (14)

1. 　発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置であって、
   　上記副画素毎であって、マトリクス状に配されている第１電極と、
   　上記第１電極の上方に開口部を有すると共に、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆う絶縁層と、
   　上記開口部に配されている上記発光層と、
   　上記発光層の上層に配されており、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置されている第２電極とを備え、
   　上記絶縁層の下層に光吸収層が配されていることを特徴とする表示装置。
2. 　上記副画素に配されている上記第１電極と、上記第２電極との距離は、当該副画素が出射する色の光のピーク波長が共振する光路長となっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 　上記第１電極と、上記光吸収層と、上記絶縁層と、上記発光層と、上記第２電極とが配されている支持基板と、
   　当該支持基板と対向配置されており、上記発光層と対向する領域であって、副画素毎に異なる色の光を出射するカラーフィルタが配されている対向基板と、
   を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 　上記対向基板には、上記カラーフィルタ間に、ブラックマトリクスが配されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 　上記光吸収層は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 　上記光吸収層は、隣接する上記第１電極間に跨って形成されていることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 　平面視したとき、上記絶縁層と、上記光吸収層との形状が一致することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 　上記光吸収層は、隣接する第１電極間で分離されていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
9. 　上記絶縁層は、隣接する上記第１電極間で分離されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 　上記光吸収層は、多層構造を有しており、
    　上記多層構造のうち、最下層は絶縁性を有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
11. 　上記絶縁層は、上記光吸収層を覆っていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の表示装置。
12. 　発光層を有する複数の副画素によって構成される一画素がマトリクス状に配されている表示装置の製造方法であって、
    　上記副画素毎であって、マトリクス状に第１電極を形成する工程と、
    　上記第１電極を形成したあと、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆って光吸収層を形成する工程と、
    　上記光吸収層が下層となるように、上記光吸収層の上層に、上記第１電極の上方に開口部を有すると共に、上記第１電極のエッジの少なくとも一部を覆うように絶縁層を形成する工程と、
    　上記開口部に発光層を形成する工程と、
    　上記発光層の上層であって、当該発光層を介して上記第１電極と対向配置するように第２電極を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
13. 　上記光吸収層を形成する工程と、上記絶縁層を形成する工程とでは、同一マスクを用いて、上記光吸収層と、上記絶縁層とが形成されることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
14. 　上記光吸収層となる積層膜を積層したあと、隣接する上記第１電極間で、上記積層膜を分離することで光吸収層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

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