WO2013047622A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

　外光を反射し難く、かつ開口率の大きい表示装置を提供する。平面視において、反射電極（２１）の端部に設けられるエッジカバー（２５）によって規定される発光部（３０）を、ＢＭ開口部（５３）の内側に設ける。また、反射電極（２１）の周囲を低反射処理し、外光が入射されても反射し難い低反射領域（２１２）とする。さらに、反射電極（２１）は、平面視において、ＢＭ開口部（５３）であって、発光部（３０）でない領域は、低反射領域（２１２）であることとする。これにより、外光の反射を防ぎ、かつ開口率の大きい表示装置を提供する。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法

　本発明は、入射外光の不要な反射を抑制し、光の利用効率を向上させた表示装置及びその製造方法に関する。

　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

　そのような状況下において、有機材料の電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッセンス、以下「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性、広視野角特性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

　有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、第２電極が、この順に積層された構造を有している。

　このような有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置をフルカラー化するための方式としては、例えば、（１）赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子を画素として基板上に配列する方式や、（２）白色発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせて各画素における発光色を選択する方式が知られている。

　近年、これらの方式において、マイクロキャビティ効果により発光の色度や発光効率を向上させる方法が提案されている。上記提案は、例えば、下記特許文献１、特許文献２に言及されている。

　マイクロキャビティ効果とは、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。

　マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極や陰極の反射率及び膜厚、有機層の層厚等を最適に設計することで得ることができる。

　有機ＥＬ素子に、このような共振構造、つまりマイクロキャビティ構造を導入する方法としては、例えば、発光色毎に各画素における有機ＥＬ素子の光路長を変える方法が知られている。

　発光色毎に各画素における有機ＥＬ素子の光路長を変える方法としては、反射電極と半透明電極との間に、発光層を含む有機ＥＬ層と透明電極層とを積層する方法が挙げられる。

　すなわち、例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、陽極を、反射電極層と透明電極層との積層構造とし、画素毎に、陽極の反射電極層上の透明電極層の膜厚を変える方法が挙げられる。

　トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、このように陽極を、反射電極層と透明電極層との積層構造とし、有機ＥＬ層を適宜積層した後、陰極に、半透明電極として、例えば薄膜にした半透明の銀等を用いることで、有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を導入することができる。

　このように有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を導入すると、発光層から発光され、陰極を通して射出された光のスペクトルは、有機ＥＬ素子がマイクロキャビティ構造を有していない場合よりも急峻になり、また、正面への射出強度が大きく増大する。

　さらに、特許文献１には、発光素子の放出光のピーク波長の光が外部から共振構造に照射されると、これをほとんど反射しないということが開示されている。

　すなわち、マイクロキャビティ構造を導入することにより、反射電極で反射した外光の外部への射出を抑制することができ、コントラスト比の低下を防止することができる。

日本国公開特許公報「特開２００７－２８０６７７号公報（２００７年１０月２５日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００５－１１６５１６号公報（２００５年４月２８日公開）」

　しかしながら、マイクロキャビティ構造により外光の反射を防止する従来構造の有機ＥＬ表示装置には、以下に説明するように、開口率の低下を招くという問題がある。

　図１５（ａ）は、反射電極２１と、該反射電極２１に対向して設けられている対向電極２３と、電極間に有機ＥＬ層２２とを備え、電極間の距離を、マイクロキャビティ構造を有するよう設計された従来の有機ＥＬ表示装置１００の概略図である。

　反射電極２１の周囲は絶縁部であるエッジカバー２５で覆われているため、有機ＥＬ層２２のうち反射電極２１を覆うエッジカバー２５の上部にある部分へは電界が形成されず、この部分は発光しない。

　したがって、上記エッジカバー２５を設けることにより、有機ＥＬ層２２から光を取り出すことのできる部分である発光部３０が規定される。

　ここで、上述したように、マイクロキャビティ構造を有することにより、反射電極２１により反射された外光の外部への射出は抑制される。

　しかしながら、エッジカバー２５が設けられている部分の電極間距離、すなわち光路長７２Ｂは、発光部３０における光路長７２Ａに比べて長い。マイクロキャビティ構造は、発光部３０における光路長７２Ａの設計に適用されるため、反射電極２１のうちエッジカバー２５が設けられている部分に入射した外光は、反射して外部に射出する。これにより、表示のコントラスト比は低下する。

　そのため、外光が反射電極２１のうちエッジカバー２５が設けられている部分に入射しないよう、また、この部分から光が出射しないように、封止基板５０上のカラーフィルタ５１（以下、ＣＦ）の間には、遮蔽部であるブラックマトリクス５２（以下、ＢＭ）が設けられている。

　しかしながら、ＢＭと、絶縁部により規定される発光部とには、貼り合わせの際に位置ずれが生じる可能性がある。そのため、ＢＭは、上記位置ずれに対するマージンを見込んで、貼り合わせマージン１０３を含めて設計される。その結果、ＢＭの開口部は発光部よりも小さくなっている。

　したがって、発光部３０はエッジカバー２５の端部により規定されるが、表示装置としての表示領域１０１（開口部）は、ＢＭ５２により規定されてしまう。言い換えると、貼り合わせマージン１０３の部分の発光は表示に寄与しない。これにより、表示装置の開口率の低下、光の利用効率の低下を招いている。

　なお、上記開口率の低下は、封止基板にカラーフィルタは設けられておらず、ＢＭのみが設けられている構成でも、同様に問題となる。

　（特許文献１）
　図１６に示す特許文献１の表示装置は、反射電極に絶縁部が設けられておらず、反射電極が設けられた領域により発光部を規定している。

　上記構成では、外部に放出される光束の指向性を高めることを目的として、反射電極の縁で反射された光が射出されないように、開口部をＢＭにより規定する。そのため、上記構成においても、表示装置としての開口率は低下している。

　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、入射外光の不要な反射を抑制し、光の利用効率を向上させた表示装置を提供することにある。

　また、ＢＭ開口部を従来の表示装置よりも大きく設計することが可能な表示装置を提供することにある。

　また、上記のような表示装置を製造するために、反射電極の周囲の少なくとも一部を低反射処理する方法を提供することにある。

　上記の課題を解決するために、本発明の表示装置は、
　画素毎に設けられている反射電極と、上記反射電極に対向して設けられている対向電極と、上記反射電極と上記対向電極とに挟持されている調光層とを備える表示装置であって、上記反射電極の周囲の少なくとも一部に、低反射領域が設けられていることを特徴とする。

　上記の構成により、反射電極の周囲の少なくとも一部は、反射し難い構造となる。

　これにより、外光が、上記表示装置に設けられた上記低反射領域に入射した場合に、反射して該表示装置の外部に射出することを抑制し、表示のコントラスト比の低下を抑制することができる。

　また、上記の課題を解決するために、本発明の表示装置の製造方法は、
　画素毎に設けられている反射電極と、上記反射電極に対向して設けられている対向電極と、上記反射電極と上記対向電極とに挟持されている調光層とを備える表示装置の製造方法であって、上記反射電極の少なくとも一部を低反射処理することで、上記反射電極の周囲の少なくとも一部に低反射領域を設けることを特徴とする。

　上記の構成により、周囲の少なくとも一部を、反射し難い構造とする反射電極を備える表示装置を製造することができる。

　これにより、外光が上記低反射領域に入射した場合に、反射して外部に射出することを抑制し、表示のコントラスト比の低下を抑制する表示装置を製造することができる。

　本発明によれば、反射電極は低反射領域を備え、外光が反射電極に反射して外部に射出することを抑制し、表示のコントラスト比の低下を抑制することができるという効果を奏する。

　また、反射光の射出を抑制するために、過剰に光遮蔽手段を設ける必要がない。それにより、光の利用効率を高めることができるという効果を奏する。

　また、本発明によれば、簡易な方法で反射電極の周囲の少なくとも一部を低反射処理することができるという効果を奏する。

本発明の有機ＥＬ表示パネルの断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の要部の構成を示す平面図である。 図２のＡ－Ａ線断面図である。 有色発光層を備える有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の画像表示方法を示す模式図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置に入射した外光の挙動を示す模式図である。 （ａ）は本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置の断面図、（ｂ）は平面図である。 （ａ）は本発明の実施例１の他の有機ＥＬ表示装置の断面図、（ｂ）は平面図である。 （ａ）は本発明の実施例２の有機ＥＬ表示装置の断面図、（ｂ）は平面図である。 （ａ）は本発明の実施例２の他の有機ＥＬ表示装置の断面図、（ｂ）は平面図である。 （ａ）は本発明の実施例３の有機ＥＬ表示装置の断面図、（ｂ）は平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。 本発明の製造方法例１の反射電極の作製方法の一例を工程順に示す平面図と断面図である。 本発明の製造方法例２の反射電極の作製方法の一例を工程順に示す平面図と断面図である。 （ａ）は従来の表示装置の断面図であり、（ｂ）は平面図である。 従来の表示装置の断面図である。

　本発明の一実施の形態について、図１から図１４に基づいて説明すれば以下の通りである。

　なお、以下の説明では、表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。

　＜有機ＥＬ表示装置＞
　有機ＥＬ表示素子の概略構成を、図１に基づいて説明する。

　図１は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００に設けられている有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図である。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００には、その表示部として、有機ＥＬ表示パネル１（表示パネル）が備えられている。

　有機ＥＬ表示パネル１は、支持基板１０（被成膜基板、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板）上に、有機ＥＬ素子２０及び封止樹脂層４１、充填樹脂層４２、カラーフィルタ（以下、ＣＦ）５１、封止基板５０が、この順に設けられた構成を有している。

　上記支持基板１０には、後に説明する電極が設けられており、支持基板１０は電極基板として機能する。一方、上記封止基板５０は、上記有機ＥＬ素子２０を介して、上記支持基板１０に対向して設けられおり、対向基板として機能する。

　有機ＥＬ素子２０は、図示しないＴＦＴに接続されている。このＴＦＴは、上記有機ＥＬ素子２０のスイッチング素子として機能するものである。

　有機ＥＬ素子２０上には、乾燥剤を含有した接着性を有する充填樹脂層４２が形成されている。充填樹脂層４２を構成する充填樹脂は、支持基板１０、封止基板５０、及び封止樹脂層４１で囲まれた空間に充填されている。

　有機ＥＬ表示パネル１は、このように有機ＥＬ素子２０が支持基板１０と封止基板５０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。

　図１に示すように、封止基板５０が有する面のうち、支持基板１０に対向する面には、ＣＦ５１が設けられている。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置は封止基板５０側から光を射出するトップエミッション型である。

　なお、上記ＣＦ５１は必須ではない。例えば、有機ＥＬ素子２０自身が赤色・緑色・青色等を発色するように構成し、ＣＦを省略することも可能である。

　また、有機ＥＬ素子２０の封止性能をより向上させるために、有機ＥＬ素子２０の上に、図示しない無機膜や有機・無機の混合積層膜等が積層されていてもよい。

　さらに、無機膜や有機・無機の混合積層膜等だけで有機ＥＬ素子２０の封止性能が十分であれば、封止樹脂層４１や封止基板５０、充填樹脂層４２を省くこともできる。

　支持基板１０、封止基板５０、及び封止樹脂層４１で囲まれた空間に封止樹脂を充填する代わりに、上記空間に不活性ガスを封入した中空構造としてもよい。また、それに加えて、中空構造内に乾燥剤を塗布あるいは貼付した構造を有していてもよい。ただし、封止基板５０側から光を射出する場合、乾燥剤によって遮光されないようにする必要がある。

　＜表示領域＞
　次に、有機ＥＬ表示装置１００における表示領域について、図２に基づいて説明する。

　図２は、有機ＥＬ表示装置１００の要部の構成を示す平面図である。

　有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ素子が形成された複数の画素７０を備えている。

　画素７０は、赤色を表示する画素７０Ｒ、緑色を表示する画素７０Ｇ、及び青色を表示する画素７０Ｂで構成されている。画素７０には、さらに、黄色等、上記赤緑青とは異なる色を表示する画素を加えることもできる。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００では、上記各画素７０は、表示領域１０１と非表示領域１０２とを有する。

　表示領域１０１は、平面視において、調光層である有機ＥＬ層２２から光を射出することで画像の表示に寄与する領域である。一方、非表示領域１０２は、表示領域１０１に比べ光の射出が少なく、表示に寄与しない領域である。

　より具体的には、表示領域１０１は、平面視において、発光部３０内の領域をいう。ここで上記発光部３０とは、反射電極２１が設けられ、かつ、エッジカバー２５の設けられていない領域を指す。これについては、図３に基づいて後に説明する。

　また、有機ＥＬ表示装置１００には、上記各画素に対応して、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に、複数の信号線１１（配線）が設けられている。そして、上記各配線は、上記ＴＦＴに接続されている。

　＜封止基板５０＞
　次に図３に基づいて、有機ＥＬ表示パネル１の断面構成等について説明する。

　図３は、有機ＥＬ表示パネル１を図２に示すＡ－Ａ線で切断したときの有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図である。

　図３に示すように、封止基板５０は、有機ＥＬ素子２０及び充填樹脂層４２を封止するように設けられている。

　封止基板５０を形成する材料としては、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。

　図３に示すように、封止基板５０の表面には、ＣＦ５１及び遮蔽部としてのブラックマトリクス（以下、ＢＭ）５２等が設けられている。

　ＣＦ５１は、後述する有機ＥＬ層２２から射出された光のうち特定の波長を透過させる着色層である。

　ＢＭ５２は、各ＣＦ５１の間に設けられ、外部からＣＦ５１間への光の侵入、及び、ＣＦ５１間からの光漏れを防止する。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００の封止基板５０には、各画素７０に対応して、詳しくは、赤色を表示する画素７０Ｒに対応して赤（Ｒ）を透過させるＣＦ５１Ｒ、緑色を表示する画素７０Ｇに対応して緑（Ｇ）を透過させるＣＦ５１Ｇ、又は青色を表示する画素７０Ｂに対応して青（Ｂ）を透過させるＣＦ５１Ｂが設けられている。

　そのため、各画素７０の有機ＥＬ素子が白色に発光する場合でも、カラー表示が可能となる。

　なお、後述するように、発光素子の構成によっては、ＣＦ５１を用いない構成も可能である。すなわち、各画素７０の有機ＥＬ素子が、それ自身で赤・緑・青等の所望の色に発色する場合は、ＣＦ５１を省くことができる。

　また、所望の色に発色する発光素子と、ＣＦとを組み合わせることも可能である。この構成では、色純度の高い表示を行うことが容易になる。

　＜支持基板１０＞
　支持基板１０は、上記封止基板５０との間に、調光層である有機ＥＬ素子２０等を挟持するように、封止基板５０に対向して設けられている。

　支持基板１０を形成する材料としては、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。

　なお、封止基板５０側から光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００に用いられる支持基板１０としては、不透明の金属板等を用いることもできる。

　図２及び図３に示すように、支持基板１０の上には、各画素７０に対応して、信号線１１及びＴＦＴ１２が設けられている。

　さらに、支持基板１０の上には層間膜１３（平坦化膜）が、信号線１１及びＴＦＴ１２を覆うように、支持基板１０の全領域に渡って積層されている。

　信号線１１は、例えば、画素を選択する複数の線（ゲート線）、データを書き込む複数の線（ソース線）、有機ＥＬ素子２０に電力を供給する複数の線（電源線）等から構成されている。

　信号線は、表示領域１０１の外で図示しない外部回路と接続されている。上記外部回路から信号線１１に対して電気信号を入力することで、信号線交差部に配された有機ＥＬ素子を駆動（発光）させることができる。言い換えると、上記信号線１１及びＴＦＴ１２を介して、各画素７０の反射電極２１に制御信号が送られ、有機ＥＬ素子が発光する。

　アクティブマトリクス型の表示装置の場合には、各画素７０には少なくとも１つのＴＦＴ１２が配置されている。

　また、各画素７０には、書き込まれた電圧を保持するキャパシタや、ＴＦＴ１２の特性のばらつきを補償するための補償回路が形成されていてもよい。

　層間膜１３としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂を用いることができる。

　層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０に設けられる反射電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール２６が設けられている。

　＜有機ＥＬ素子２０＞
　有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子である。

　図３に示すように、上記層間膜１３の上に、反射電極２１、有機ＥＬ層２２、対向電極２３が、この順に積層された構造を有している。

　さらに、反射電極２１の周囲は、絶縁部であるエッジカバー２５で覆われている。

　好ましくは、隣接する２つの反射電極２１の周囲が、エッジカバー２５で覆われている。

　有機ＥＬ層２２及び対向電極２３は、反射電極２１又はエッジカバー２５の上部に設けられている。

　反射電極２１は、支持基板１０に設けられたコンタクトホール２６を介してＴＦＴ１２と接続されている。

　反射電極２１として、金属材料を用いることができる。より具体的には、例えば、Ａｇ又はＡｇ合金や、Ａｌ又はＡｌ合金などを用いることができる。

　また、対向電極２３としては、半透明電極を用いることが望ましい。半透明電極としては、例えば、金属の半透明電極単体、金属の半透明電極層と透明電極層との積層体を用いることができる。

　なお、反射電極２１は、上記有機ＥＬ層２２に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。また、対向電極２３は、上記有機ＥＬ層２２に電子を注入（供給）する機能を有する層である。

　平面視において、反射電極２１が設けられ、かつ、エッジカバー２５の設けられていない領域を発光部３０として規定する。発光部３０は、発光層２４から光を取り出すことのできる領域である。すなわち、エッジカバー２５は、発光部３０の領域を規定する。

　エッジカバー２５は絶縁材料で形成されており、反射電極２１の端部で有機ＥＬ層２２が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における反射電極２１と対向電極２３とが短絡することを防止する。

　エッジカバー２５の材料としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂を用いることができる。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００の反射電極２１は、反射領域２１１と低反射領域２１２とを備えており、低反射領域２１２は、反射電極２１の周囲の少なくとも一部に設けられている。

　ここで、低反射領域２１２とは、反射領域２１１に比べ、光の反射率が低い領域である。低反射領域２１２としては、例えば、反射領域２１１に比べ黒色に近い色の材料を用いることができる。

　また、低反射領域２１２は、反射電極２１を低反射処理して設けることができる。具体的には、反射電極２１が金属である場合に、反射電極２１を、ＵＶ照射処理や酸素プラズマ処理等で酸化することにより低反射処理したものを用いることができる。より具体的には、反射電極２１が銀又は銀合金で構成される場合には、低反射領域２１２を酸化銀で構成することができる。

　＜有機ＥＬ層２２＞
　有機ＥＬ層２２には、調光層として機能する発光層２４と、図示しない正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層が設けられている。

　図３に示す有機ＥＬ表示装置１００は、発光層２４として、白色に発光する発光素子を備えており、複数の画素７０に連続して、すなわち、画素部全体に設けられている。

　なお、図４に示すように、発光層２４に、それ自身で所望の色に発光する発光素子を用いることができる。例えば赤色に発光する発光素子で形成された発光層２４Ｒ、緑色に発光する発光素子で形成された発光層２４Ｇ、及び青色に発光する発光素子で形成された発光層２４Ｂを用いることができる。この場合、先にも述べたように、ＣＦを設けることなく、カラー表示を行うことが可能となる。

　また、上記のように、発光層２４を赤・緑・青色等に発光するように構成した場合であっても、それにＣＦを併用することも可能である。

　以上の各構成により、各画素７０において、所望の色を発光する画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂを形成することができる。

　＜有機ＥＬ層２２の詳細＞
　以下では、有機ＥＬ層２２の構成について、さらに詳細に説明する。

　有機ＥＬ層２２は、反射電極２１と対向電極２３との間に、反射電極２１側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順に形成された構成を有している。

　なお、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。

　また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。

　なお、上記積層順は、反射電極２１を陽極とし、対向電極２３を陰極としたものである。反射電極２１を陰極とし、対向電極２３を陽極とする場合には、有機ＥＬ層２２の積層順は反転する。

　正孔注入層は、反射電極２１から有機ＥＬ層２２への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層及び正孔輸送層は、反射電極２１及びエッジカバー２５を覆うように一様に形成されている。

　正孔輸送層上には、発光層２４が各画素の発光領域に対して各々形成されている。

　発光層２４は、反射電極２１側から注入された正孔と対向電極２３側から注入された電子とを再結合させて光を射出する機能を有する層である。発光層２４は、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。

　電子輸送層は、発光層２４への電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層は、対向電極２３から有機ＥＬ層２２への電子注入効率を高める機能を有する層である。

　電子輸送層は、発光層２４及び正孔輸送層上を覆うように、これら発光層２４及び正孔輸送層上に一様に形成されている。

　また、電子注入層は、電子輸送層を覆うように、電子輸送層上に一様に形成されている。

　なお、電子輸送層と電子注入層とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、又は互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示パネル１は、電子輸送層及び電子注入層に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

　反射電極２１は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層２２に電子を注入する機能を有する層である。反射電極２１は、電子注入層を覆うように、電子注入層上に一様に形成されている。

　なお、発光層２４以外の有機層は有機ＥＬ層２２として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子の特性に応じて適宜形成すればよい。

　また、有機ＥＬ層２２には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２４と電子輸送層との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。

　上記構成において、反射電極２１（陽極）、対向電極２３（陰極）、及び発光層２４以外の層は、適宜挿入すればよい。

　積層構成の例として、発光色が白（Ｗ）の発光層２４とＣＦ５１とを用いる場合の上記有機ＥＬ層２２の積層構成の一例は下記の通りである。すなわち、反射電極２１側から、正孔注入層、正孔輸送層、第一発光層、電子輸送層、キャリア発生層、正孔輸送層、第二発光層、電子輸送層、及び電子注入層などの積層構成が挙げられる。

　この場合、第一発光層及び第二発光層から射出された光の混合が有機ＥＬ素子２０より得られる。上記のように発光層を２層とすることで、発光効率や発光光量の向上を図ることができる。またその光をＣＦ５１によって調整することで所望のスペクトルを有する光を外部に取り出すことができる。

　ここで、キャリア発生層とは、第一発光層側に電子を、第二発光層側に正孔を供給するための層である。すなわち、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を１ユニットと考えれば、第一発光層側のユニットと、第二発光層側のユニットがキャリア発生層を介して接続されていることになる。

　なお、第三発光層を有するユニットを同様に積層してもよいし、４つ以上のユニットを積層することもできる。さらには、上記で述べたように、キャリアブロックキング層の追加や、正孔注入層と正孔輸送層の一体化なども適宜行うことができる。

　Ｗ発光の発光層２４とＣＦ５１を組み合わせた素子においては、ＣＦ５１あるいはその他の方法で各画素７０の発光色を変更するため、発光層２４を画素７０毎に塗り分ける必要はなく、正孔輸送層等と同じように、平面視において有機ＥＬ層２２内に一様に形成すればよい。

　反射電極２１は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチングにより、個々の画素７０に対応してパターン形成されている。

　対向電極２３としては、様々な導電性材料を用いることができるが、支持基板１０とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機ＥＬ素子２０の場合には、対向電極２３は、透明又は半透明であることが好ましい。

　上記対向電極２３に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料、あるいはそれらの積層膜を用いることができる。

　また、上記及び対向電極２３の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

　有機ＥＬ層２２の材料としては、既知の材料を用いることができる。なお、発光層２４には、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料又はドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。

　正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、及びこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又はポリマー等が挙げられる。

　発光層２４の材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、及びこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール等が挙げられる。

　電子輸送層、電子注入層、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

　＜マイクロキャビティ＞
　図５は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の画像表示方法について説明する模式図である。

　本実施の形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ構造を有していることが好ましい。

　マイクロキャビティとは、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。

　マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極や陰極の反射率及び膜厚、有機ＥＬ層２２の膜厚等を最適に設計することで得ることができる。

　マイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ素子２０において、反射電極２１と対向電極２３との間に設けられた有機ＥＬ層２２における発光層から発光された光は、反射電極２１と対向電極２３との間で反射を繰り返す。

　このとき、図５に示すように、発光色毎に、各画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂにおける有機ＥＬ素子２０の光路長７２Ｒ・７２Ｇ・７２Ｂを変えることで、上記発光層２４から発光した光が反射電極２１と対向電極２３との間で往復し、特定波長の光の強度が増幅される。

　本実施の形態では、反射電極２１上に透明電極層１２１を設け、この透明電極層１２１の膜厚を変更することで、各画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂにおける有機ＥＬ素子２０の光路長７２Ｒ・７２Ｇ・７２Ｂを変更している。

　このように、各画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂにおける透明電極層１２１の膜厚を変更することで、マイクロキャビティ効果を変化させ、発光色を調整することができる。

　図６は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００に入射した外光の挙動について説明する模式図である。

　以下に、マイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ素子２０に入射した外光の挙動を説明する。

　マイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ素子２０では、電極間の光路長を、その共振波長が、ＣＦ５１を透過する波長と合致するように設計する。これにより、入射した外光に含まれる上記波長成分の光を電極間に閉じ込め、外部に射出させない。一方、上記波長成分以外の光はＣＦ５１によりカットされる。

　具体的には、例えば、ＣＦ５１Ｇは外光のうち、緑色の波長の光を透過し、他の波長の光を吸収する。したがって、有機ＥＬ素子２０には、外光のうち緑色の光が到達する。

　しかしながら、有機ＥＬ素子２０の有するマイクロキャビティ構造は、緑色の光を顕著に透過し、ほとんど反射しない。このため、有機ＥＬ素子２０からＣＦ５１Ｇには外光に起因する緑色の光がほとんど進行しない。

　以上より、有機ＥＬ表示装置１００に外光が入射しても、いずれの波長の光も、反射電極２１により反射されて外部に射出されることは抑制される。

　以下、反射電極２１の低反射領域２１２、ＢＭ５２、及び発光部３０の位置関係について、具体例を挙げて詳細に説明する。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００では、反射電極２１の周囲に低反射領域が設けられている。そのため、対向基板としての支持基板１０に設けられているＢＭ５２のＢＭ開口部５３を広くすることが容易になる。

　以下、具体例に基づいて説明する。

　＜実施例１＞
　図７は、本実施の有機ＥＬ表示装置１００の概略図である。

　なお、説明のため、既に説明した各部の構成については、部材番号を省略する。また、説明のため、ＢＭ開口部５３、及び発光部３０を補助線で記す。

　図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示装置１００において、発光部３０は、ＢＭ開口部５３の内側にある。すなわち、表示領域１０１は発光部３０で規定されるため、表示領域１０１は発光部３０と同一である。

　これにより、発光部３０で取り出された光は効率的に表示に寄与することができる。

　すなわち、従来の表示装置の平面図である図１５（ｂ）に示すように、従来は、発光部３０よりも内側にＢＭ開口部５３が位置していた。そのため、発光部３０から発光した光が、すべて射出することが困難となり、光の利用効率が低下していた。

　これに対し、本実施例では、反射電極２１の周囲に、低反射領域２１２が設けられている。

　そのため、支持基板１０と封止基板５０との貼り合わせマージン等を考慮して、ＢＭ開口部５３を小さく設計する必要が少なくなる。その結果、ＢＭ開口部５３を、発光部３０よりも大きくすることができる。

　そのため、上記のように、本実施例では、光の利用効率が向上する。

　また、ＢＭ開口部５３であって発光部３０でない領域に入射した外光は、反射電極２１の低反射領域２１２に入射するため、反射を抑制される。

　さらに、発光部３０に入射した外光は反射領域２１１に入射し反射され、有機ＥＬ素子２０のマイクロキャビティ効果により、外部への射出を抑制される。

　これにより、外光が有機ＥＬ表示装置１００に入射し、内部で反射して外部に射出されることが抑制される。

　そのため、特に外光強度が高い場合であっても、コントラスト比の高い表示を行うことができる。

　＜変形例＞
　また、本実施例の変形例として、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す構成が考えられる。

　上記の構成では、先に説明した実施例２の構成と比べて、低反射領域２１２が、エッジカバー２５の設けられていない部分に及んで形成されていている点が相違する。すなわち、平面視において、上記エッジカバー２５の端部近傍部に相当する領域に、低反射領域２１２が設けられている。

　そのため、先に説明した上記端部近傍部からの反射光が低減される。その結果、高いコントラスト比を得ることが容易になる。

　＜実施例２＞
　図９は、本実施の有機ＥＬ表示装置１００の概略図である。

　なお、説明のため、既に説明した各部の構成については、部材番号を省略する。また、説明のため、ＢＭ開口部５３、及び発光部３０を補助線で記す。

　図９（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図であり、図９（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す平面図である。

　図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示装置１００は、ＢＭ開口部５３と発光部３０とが同じ幅を有している。すなわち、互いに位置ずれがない場合、平面視において、表示領域１０１はＢＭ開口部５３及び発光部３０と同一の領域である。

　これにより、発光部３０から発光した光は、ＢＭ５２に遮られることなく、効率的に表示に寄与することができる。

　また、本実施例の有機ＥＬ表示パネル１では、平面視において、エッジカバー２５の端部が、ＢＭ５２で覆われやすくなっている。

　ここで、上記エッジカバー２５の端部近傍部では、積層されている各層の厚さが不均一になったり、所望の厚さと相違する場合がある。そして、各層の厚さが上記のようになると、マイクロキャビティ効果が得られにくくなる。そのため、入射した外光が、反射して射出することで、コントラスト比の低下をもたらす場合がある。

　ここで、本実施例では、ＢＭ開口部５３が、光の効率を低下させにくい幅、すなわち発光部３０の幅まで狭められている。

　そのため、上記エッジカバー２５の端部近傍部での反射光の射出を抑制し、高いコントラスト比を得ながら、光の利用効率の高い表示を行うことが容易になる。

　＜変形例＞
　また、本実施例の変形例として、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す構成が考えられる。

　上記の構成では、先に説明した実施例２の構成と比べて、低反射領域２１２が、エッジカバー２５の設けられていない部分に及んで形成されていている点が相違する。すなわち、平面視において、上記エッジカバー２５の端部近傍部に相当する領域に、低反射領域２１２が設けられている。

　そのため、先に説明した上記端部近傍部からの反射光が低減される。その結果、高いコントラスト比を得ることが容易になる。

　＜実施例３＞
　図１１は、本実施の有機ＥＬ表示装置１００の概略図である。

　図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示装置１００は、平面視において、反射電極２１が各画素７０の表示領域１０１とそれに連続する非表示領域１０２とに及んで形成されている。そして、平面視において非表示領域１０２にある反射電極２１は、低反射領域２１２となっている。

　このような構成により、ＢＭ開口部５３をより広くしたり、又は、ＢＭ５２を省くことが容易になる。

　〔製造方法〕
　本実施の形態の上記表示装置の製造方法について、図１２から１４に基づいて説明すれば以下の通りである。

　ただし、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施の形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

　まず、図１２を参照して、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの概要について説明する。

　図１２は、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。

　なお、Ｓ１、Ｓ４～Ｓ７の工程は、既知の方法で行うことができるため、説明を簡略化する。

　ステップＳ１において、既知の方法で、支持基板１０の上に、ＴＦＴ１２、信号線１１、層間膜１３、及びコンタクトホール２６を形成する。

　支持基板１０としては、無アルカリガラス基板等のガラス基板あるいはプラスチック基板を用いることができる。

　ステップＳ２において、画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ毎に反射電極２１を作製する。反射電極２１の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。

　その他の詳細事項については以下の各実施例において説明する。

　ステップＳ３において、層間膜１３上に、反射電極２１の端部（パターン端部）を被覆すると共に、画素７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ毎に発光部３０が形成されるようにエッジカバー２５を作製する。

　エッジカバー２５には、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。

　ステップＳ４で、上記反射電極２１及び上記エッジカバー２５を被覆するように、有機ＥＬ層２２を作製する。

　発光層２４として、白色に発光する発光素子を用いる場合には、画素部全体に発光層２４を形成する。

　ここで、有機ＥＬ層２２に設けられる発光層２４として、有色に発光する発光素子を用いる場合には、各画素７０の有機ＥＬ素子２０に所定パターンで発光層２４を形成する。

　上記所定パターンで発光層２４を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法を用いることができる。

　なお、発光層２４には、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料又はドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。

　ステップＳ５で、既知の方法で、有機ＥＬ層２２の全面に対向電極２３を形成する。

　ステップＳ６で、有機ＥＬ素子２０が形成された支持基板１０と封止基板５０とを、封止樹脂層４１にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行う。

　有機ＥＬ素子２０の他の封入方法としては、例えば、有機ＥＬ素子２０の上面に、水分や酸素の透過しにくい緻密な封止膜を、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学蒸着）法等で形成し、フリットガラス（粉末ガラス）を、枠状に形成して有機ＥＬ素子２０の封止することもできる。

　また乾燥剤を含有した接着性の充填樹脂を有機ＥＬ素子２０上に形成することで、支持基板１０と封止基板５０との貼り合わせ並びに有機ＥＬ素子２０の封入を行ってもよい。

　ステップＳ７において、支持基板１０の図示しない端子部領域の電気配線端子に、図示しない回路部の接続端子を接続する。このようにして、有機ＥＬ表示装置１００が製造される。

　以上の既知の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程に加え、本発明の反射電極作製工程は、反射電極２１の少なくとも一部を低反射処理し、反射電極２１の周囲の一部に低反射領域２１２を設ける工程を備えている。

　低反射処理とは、例えば、反射電極２１の周囲に低反射材料を設ける、又は反射電極２１の周囲を黒色化する処理等を採用することができる。

　以下に、上記ステップＳ２の、低反射処理を備える反射電極作製工程について実施例を挙げて説明する。

　＜製造方法例１＞
　実施例１の反射電極２１を低反射処理する工程について、図１３を用いて説明すれば以下の通りである。

　図１３（Ａ）～（Ｆ）は、平面視において、有機ＥＬ表示装置１００における反射電極２１の作製方法の一例を工程順に示す平面図である。図１３（ａ）は、図１３（Ａ）をＡ－Ａ線で切断したときの断面図であり、図１３（ｂ）以下も同様である。

　第１に、支持基板上にＡｇ等の反射電極材料１１０をスパッタリング法等により成膜する。

　第２に、図１３（ａ）に示すように、上記反射電極材料１１０の上に、各色の画素毎に、フォトリソグラフィにより第一のレジストパターン１２０を形成する。

　第３に、図１３（ｂ）に示すように、上記第一のレジストパターン１２０をマスクとして反射電極材料１１０をエッチング処理する。エッチング液には、リン酸、硝酸、酢酸等の混合液を用いることができる。

　第４に、図１３（ｃ）に示すように、上記第一のレジストパターン１２０を、レジスト剥離液により剥離洗浄する。これにより、反射電極材料１１０を、各色の画素毎に分離するようにパターニングすることで反射電極２１を形成する。

　第５に、上記パターニングされた反射電極２１の周囲のうち、少なくとも一部を露出させるように、フォトリソグラフィにより第二のレジストパターン１３０を形成する。図１３（ｄ）に示す例では、反射電極２１の周囲をすべて露出させるように、平面視において反射電極２１よりも一回り小さいレジストパターンを形成している。

　第６に、反射電極２１の露出部分に低反射処理を施す。ここで、上記低反射処理として、ＵＶ照射、酸素プラズマ処理をすることができる。

　これにより、図１３（ｅ）に示すように、反射電極２１の露出部は光の反射率が低減し、低反射領域２１２となる。

　第７に、上記第二のレジストパターン１３０を、レジスト剥離液により剥離洗浄する。

　上記の工程により、図１３（ｆ）に示すように、その周囲が低反射処理された反射電極２１を作製することができる。

　＜製造方法例２＞
　実施例２の反射電極２１を低反射処理する工程について、図１４を用いて説明すれば以下の通りである。

　なお、図１４（Ａ）～（Ｅ）は、平面視において、有機ＥＬ表示装置１００における反射電極２１の作製方法の一例を工程順に示す平面図である。図１４（ａ）は、図１４（Ａ）をＡ－Ａ線で切断したときの断面図であり、図１４（ｂ）以下も同様である。

　第１に、支持基板上にＡｇ等の反射電極材料１１０をスパッタリング法等により成膜する。

　第２に、図１４（ａ）に示すように、上記反射電極材料１１０の上に、各色の画素毎に、フォトリソグラフィによりハーフトーンレジストパターン１４０を形成する。

　ここで、ハーフトーンレジストパターン１４０とは、底面を基準として、周囲の少なくとも一部の高さが、中央部の高さよりも低いレジストパターンをいう。

　第３に、図１４（ｂ）に示すように、上記ハーフトーンレジストパターン１４０をマスクとして反射電極材料１１０をエッチング処理する。エッチング液には、リン酸、硝酸、酢酸等の混合液を用いることができる。

　第４に、図１４（ｃ）に示すように、上記ハーフトーンレジストパターン１４０の一部をドライエッチング装置によるアッシング処理により除去する。ここでいうハーフトーンレジストパターン１４０の一部とは、ハーフトーンレジストパターン１４０をアッシングすることにより、平面視において反射電極２１の周囲の少なくとも一部が露出する程度をいう。

　第５に、反射電極２１の露出部分に低反射処理を施す。ここで、上記低反射処理として、ＵＶ照射、酸素プラズマ処理をすることができる。

　これにより、図１４（ｄ）に示すように、反射電極２１の露出部は光の反射率が低減し、低反射領域２１２となる。

　第６に、残存する上記ハーフトーンレジストパターン１４０を、レジスト剥離液により剥離洗浄する。

　上記の工程により、図１４（ｅ）に示すように、周囲の少なくとも一部が低反射処理された反射電極２１を作製することができる。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　また、本発明の有機ＥＬ表示装置１００は、支持基板１０側から光を射出するボトムエミッション型であってもよい。有機ＥＬ表示装置１００をボトムエミッション型とした場合には、封止基板５０としては、不透明の金属板等を用いることもできる。

　また、上記説明では、有機ＥＬ表示装置を例にしたが、本発明の表示装置はこれに限定されない。例えば、他の自発光素子や、液晶表示装置等のライトバルブとして機能する表示装置に適用することも可能である。

　また、本発明の表示装置は、
　上記反射電極は、平面視において、各画素の表示領域とそれに連続する非表示領域とに及んで形成されており、上記低反射領域は、上記非表示領域に含まれていることを特徴とする。

　上記の構成により、上記表示装置の非表示領域に入射した外光の反射を低減することができる。これにより、不要な反射光の射出が抑制できるので、コントラスト比の低下が抑制できる。

　また、平面視において、反射電極のうち表示領域に含まれる部分は、光を反射させることができる。これにより、光の効率的な利用が可能になる。

　また、反射電極と対向電極との間で光を多重反射させることができるので、マイクロキャビティ効果を得ることが容易になる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記非表示領域が上記低反射領域であることを特徴とする。

　上記の構成により、非表示領域の全域が低反射領域となるので、不要な反射光の射出をより確実に抑制することができる。

　また、表示領域と非表示領域とに対応して、反射領域と低反射領域を形成することができ、効率的にマイクロキャビティ効果を発揮して、外光の反射を抑制することができる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記反射電極は、金属で形成されており、上記低反射領域は、該金属が低反射処理された領域であることを特徴とする。

　上記の構成により、反射電極は、その金属光沢により光を反射することができる。

　また、上記金属を低反射処理することで低反射領域を形成することができ、製造工程を簡略化することができる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記反射電極は、金属で形成されており、上記低反射領域は、該金属の酸化物で形成されていることを特徴とする。

　上記の構成により、反射電極の周囲の少なくとも一部を酸化することにより低反射領域を形成することができ、製造工程を簡略化することができる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記反射電極は、銀又は銀合金で形成されていることを特徴とする。

　上記の構成により、反射電極は効率的に光を反射することができるので、光の利用効率が向上する。また、マイクロキャビティ効果を高めることも可能となる。

　また、特に銀又は銀合金を用いた場合には、酸化処理等により低反射領域を設けることが容易になる。

　また、本発明の表示装置は、
　隣接する２つの上記反射電極間には、絶縁部が設けられており、上記絶縁部は、平面視において、上記各反射電極の端部を覆っており、反射電極の覆われた上記端部が、上記非表示領域であることを特徴とする。

　上記の構成により、調光層から光を取り出すことのできる発光部を絶縁部により規定することができる。そして、上記絶縁部に覆われた反射電極を非表示領域とすることができる。

　したがって、反射電極において、必要な反射を確実に得ると共に、不要な反射を確実に抑制することが可能となる。

　また、調光層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、調光層における反射電極と対向電極とが短絡することを防止することができる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記対向電極における、上記調光層に面する面とは異なる面側には、上記画素に対応した遮蔽部が設けられており、平面視において、対応する画素の表示領域は、上記遮蔽部の開口部内に位置していることを特徴とする。

　上記の構成により、画素と画素の間からの光漏れを遮蔽部により防ぐことができるので、コントラストの向上を図ることができる。

　また、表示領域が遮蔽部の開口部内に位置するため、表示領域からの光を、遮蔽部で遮られることなく、射出することができる。そのため、光の利用効率を向上させることができる。

　また、例えば、平面視において、画素と画素との間に表示装置を駆動する回路部が設けられている場合には、上記回路部への光の入射を遮断することができる。これにより、回路部に光が入射することにより起こる表示装置の劣化等の問題を回避することができる。

　また、本発明の表示装置は、
　上記調光層が、有機ＥＬ層であることを特徴とする。

　上記の構成により、電極間に電圧をかけることにより、各電極から有機ＥＬ層へ電子と正孔が注入される。上記電子と正孔は、該有機ＥＬ層に設けられた発光層で結合すると共に光を発する。

　調光層として有機ＥＬ層を用いることで、例えば液晶表示装置と比べ応答速度が速く、視野角の広い表示装置とすることができる。

　上記の課題を解決するために、本発明の表示装置の製造方法は、
　上記反射電極は金属で形成されており、上記低反射処理が、ＵＶ照射処理、及び、酸素プラズマ処理のうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする。

　上記の構成により、金属を簡易な方法で低反射処理することができる。

　また、上記金属が例えば銀である場合は、上記の少なくともいずれか１つの処理により簡便に銀を黒色化させることができる。

　反射電極の周囲の少なくとも一部を黒色化することにより、該一部を低反射領域とすることができる。

　これにより、入射した外光を反射してコントラスト比を低下させることを抑制した表示装置を製造することができる。

　本発明は、電極と調光部とを備える表示装置及び表示装置の製造方法に利用することができる。

　１　有機ＥＬ表示パネル
　１０　支持基板
　１１　信号線
　１２　ＴＦＴ
　１３　層間膜
　２０　有機ＥＬ素子
　２１　反射電極
　２２　有機ＥＬ層
　２３　対向電極
　２４　発光層
　２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ　発光層
　２５　エッジカバー
　２６　コンタクトホール
　３０　発光部
　４１　封止樹脂層
　４２　充填樹脂層
　５０　封止基板
　５１　カラーフィルタ
　５２　ブラックマトリクス
　５３　ＢＭ開口部
　７０　画素
　７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ　画素
　７２Ａ・７２Ｂ　光路長
　７２Ｒ・７２Ｇ・７２Ｂ　光路長
　１００　有機ＥＬ表示装置
　１０１　表示領域
　１０２　非表示領域
　１０３　貼り合わせマージン
　１１０　反射電極材料
　１２０　第一のレジストパターン
　１２１　透明電極層
　１３０　第二のレジストパターン
　１４０　ハーフトーンレジストパターン
　２１１　反射領域
　２１２　低反射領域

Claims (11)

1. 　画素毎に設けられている反射電極と、上記反射電極に対向して設けられている対向電極と、上記反射電極と上記対向電極とに挟持されている調光層とを備える表示装置であって、
   　上記反射電極の周囲の少なくとも一部に、低反射領域が設けられていることを特徴とする表示装置。
2. 　上記反射電極は、平面視において、各画素の表示領域とそれに連続する非表示領域とに及んで形成されており、
   　上記低反射領域は、上記非表示領域に含まれていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 　上記非表示領域が上記低反射領域であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 　上記反射電極は、金属で形成されており、
   　上記低反射領域は、該金属が低反射処理された領域であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 　上記反射電極は、金属で形成されており、
   　上記低反射領域は、該金属の酸化物で形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 　上記反射電極は、銀又は銀合金で形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の表示装置。
7. 　隣接する２つの上記反射電極間には、絶縁部が設けられており、
   　上記絶縁部は、平面視において、上記各反射電極の端部を覆っており、
   　反射電極の覆われた上記端部が、上記非表示領域であることを特徴とする請求項２又は３に記載の表示装置。
8. 　上記対向電極における、上記調光層に面する面とは異なる面側には、上記画素に対応した遮蔽部が設けられており、
   　平面視において、対応する画素の表示領域は、上記遮蔽部の開口部内に位置していることを特徴とする請求項２又は３に記載の表示装置。
9. 　上記調光層が、有機ＥＬ層であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 　画素毎に設けられている反射電極と、上記反射電極に対向して設けられている対向電極と、上記反射電極と上記対向電極とに挟持されている調光層とを備える表示装置の製造方法であって、
    　上記反射電極の少なくとも一部を低反射処理することで、上記反射電極の周囲の少なくとも一部に低反射領域を設けることを特徴とする表示装置の製造方法。
11. 　上記反射電極は金属で形成されており、
    　上記低反射処理が、ＵＶ照射処理、及び、酸素プラズマ処理のうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。

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