WO2012060091A1 - 立体構造物の表面への配線方法、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物、及び、表面に配線が設けられた立体構造物 - Google Patents

Abstract

レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更せずに一方向にレーザーを照射するだけで立体構造物に良好に回路パターンを形成する。絶縁基材（１１）の表面に絶縁樹脂（１３）により凸形状体（１３ａ）を形成し、凸形状体（１３ａ）の表面及び絶縁基材（１１）の表面に樹脂被膜（１４）を形成し、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂被膜（１４）の厚みを超える深さを有する回路パターン（１５）を形成し、回路パターン（１５）の表面及び樹脂被膜（１４）の表面にメッキ触媒（１６）を被着させ、樹脂被膜（１４）を除去し、メッキ触媒（１６）が残留する部位のみに無電解メッキ膜（１７）を形成する。凸形状体工程（Ｂ）では、絶縁基材（１１）の表面に対して傾斜する傾斜面（１３ｂ）を有する凸形状体（１３ａ）を形成する。回路パターン形成工程（Ｄ）では、絶縁基材（１１）の表面に垂直方向にレーザーを照射する。

Description

立体構造物の表面への配線方法、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物、及び、表面に配線が設けられた立体構造物

　本発明は、立体構造物の表面への配線方法、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物、及び、表面に配線が設けられた立体構造物に関する。

　近年、電気・電子分野における電気回路の高密度化に伴い、配線幅の細線化や配線間隔の狭化が進んでいる。しかし、配線間隔が狭くなるほど、隣接する配線間に短絡やマイグレーションが起こり易くなる。

　この問題に対処する技術として、特許文献１には、次のような電気回路の製造方法が記載されている。まず、絶縁基材表面に樹脂皮膜を形成する。次に、樹脂皮膜の外表面側から絶縁基材にレーザー加工により所望の形状及び深さを有する溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する。次に、絶縁基材の回路パターンの表面及び絶縁基材を被覆する樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる。次に、絶縁基材から樹脂皮膜を剥離する。次に、樹脂皮膜が剥離された絶縁基材に無電解メッキを施すことにより、回路パターンのみにメッキを形成する。この技術によれば、回路パターンの輪郭をレーザー加工により高精度に維持することができ、短絡やマイグレーションの発生が抑制される。

　また、特許文献２には、回路基板や半導体パッケージ等の立体構造物の表面に配線を形成する技術として、次のような技術が開示されている。まず、絶縁基材に実装された半導体チップを絶縁樹脂で被覆する。次に、絶縁樹脂の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する。次に、絶縁樹脂の外表面側及び絶縁基材の外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚み分以上の深さを有する配線溝を形成する。次に、配線溝の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させる。次に、樹脂皮膜を溶解又は膨潤させることにより除去する。次に、樹脂皮膜を除去した後にメッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成する。

特開２０１０－８０９４６号公報（段落００１５） 国際公開ＷＯ２０１０／０８７３３６号公報（段落０１００、段落０１２６～０１３１、図１２、図１５～１９）

　特許文献２に記載される立体構造物においては、絶縁基材に実装された半導体チップを絶縁樹脂で被覆した段階で、上面が絶縁基材の表面に平行かつ側面が絶縁基材の表面に垂直な凸形状体が絶縁樹脂により形成される。この凸形状体の上面又は絶縁基材の表面にレーザー加工によって配線溝を形成するときは、外表面側から凸形状体の上面又は絶縁基材の表面に垂直な方向にレーザーを照射するのが通例である。そうすることによって、凸形状体の上面又は絶縁基材の表面にレーザーが良好に当たり配線溝が良好に形成される。

　しかし、凸形状体の側面に配線溝を形成するときは、凸形状体の側面にレーザーが良好に当たるように、レーザー照射装置の配置位置や向きを変更するか又は立体構造物（ワーク）を載置しているステージの配置位置や向きを変更する必要がある。そのような作業は時間がかかり生産性の低下を招く。また、レーザー照射装置又はステージをそのような変更が可能なように改造する必要がある場合には生産コストの向上も招く。

　本発明は、凸形状体を有する立体構造物の表面に配線を形成する場合に、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、一方向にレーザーを照射するだけで、凸形状体に良好に回路パターンを形成することを目的とする。

　すなわち、本発明は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする。

　また、本発明の別の局面は、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、絶縁基材と、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体とを備え、前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする。

　また、本発明の別の局面は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする。

　また、本発明本発明の別の局面は、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、絶縁基材と、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体を含む絶縁樹脂層とを備え、前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする。

　さらに、本発明のその他の局面は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする。

　また、本発明の別の局面は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする。

また、本発明本発明の別の局面は、前記配線方法により得られたことを特徴とする表面に配線が設けられた立体構造物である。

　本発明によれば、凸形状体に傾斜面を設けたことにより、凸形状体を有する立体構造物の表面に配線を形成する場合に、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、一方向にレーザーを照射するだけで、凸形状体に良好に回路パターンを形成することができる。

　さらに、本発明によれば、凸形状体に傾斜面を設け、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させたことにより、凸形状体を有する立体構造物の表面に配線を形成する場合に、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、一方向にレーザーを照射するだけで、凸形状体に良好に回路パターンを形成することができる。

図１は、本発明の第１及び第３の実施形態に係る配線方法の工程を説明するための断面図である。 図２は、第１及び第３の実施形態に係る配線方法で得られた、表面に配線が設けられた立体構造物の１例を示す平面図である。 図３は、本発明の第２及び第４の実施形態に係る配線方法の工程を説明するための断面図である。 図４（Ａ）～図４（Ｄ）は、凸形状体の種々の構造を示すための断面図である。 図５は、凸形状体のさらに別の構造を示すための断面図である。 図６は、凸形状体のさらに別の構造を示すための断面図である。 図７は、凸形状体の各部の仕様を示すための断面図である。

　従来、半導体パッケージにおいて、樹脂封止時のワイヤースイープを回避するために、ワイヤーボンディングに代えて、半導体チップの接続端子と絶縁基材の接続端子とを結ぶ配線を半導体チップ及び絶縁基材の表面に這わせるように形成する発明が知られている。しかし、半導体チップの表面に配線を直接形成することが困難な場合があるため、半導体チップを絶縁樹脂で被覆し、この絶縁樹脂の成形体、つまり凸形状体の表面に配線を形成する発明が提案された（国際公開ＷＯ２０１０／０８７３３６号公報）。

　ところで、凸形状体の表面に配線を形成する場合、配線溝を含む回路パターンをレーザー加工で形成することにより、微細化された高密度の回路パターンを高精度に得ることができる。例えば、回路パターンを凸形状体の上面から側面さらには絶縁基材の表面に亘って連続して形成する場合、レーザーを凸形状体の上方から絶縁基材の表面に垂直な方向に照射して移動（絶縁基材の表面に平行な方向に移動）させると、レーザーは凸形状体の上面及び絶縁基材の表面に垂直に当たり、回路パターンが良好に形成される。しかし、凸形状体の側面にはレーザーが有効に当たらず、回路パターンが良好に形成されない。これは、従来、凸形状体の側面が絶縁基材の表面に対して垂直に立っているからである。回路パターンが良好に形成されないと、凸形状体の側面において配線の断線が発生する。

　本発明者等は、凸形状体の側面を絶縁基材の表面に対して垂直面とせず、上方から照射されたレーザーが有効に当たるように傾斜した傾斜面とすることにより、レーザー照射装置もしくはワークを載置したステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを絶縁基材の表面に対して垂直方向にのみ照射して移動させるだけで、凸形状体の側面にも回路パターンが良好に形成されることに着目し、本発明を完成した。

　さらに、本発明者等は、凸形状体の側面を絶縁基材の表面に対して垂直面とせず、上方から照射されたレーザーが有効に当たるように傾斜した傾斜面とし、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることにより、レーザー照射装置もしくはワークを載置したステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを絶縁基材の表面に対して垂直方向にのみ照射して移動させるだけで、凸形状体の側面にも回路パターンが良好に形成されることにも着目し、本発明を完成した。

　すなわち、本発明では、半導体チップを絶縁樹脂で被覆した樹脂成形体、すなわち凸形状体を作成するから、この凸形状体の形状を所望の形状とすることができる。したがって、凸形状体の側面を絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面とすることが容易にできる。これに対し、半導体チップを絶縁樹脂で被覆していないと、半導体チップ自体の側面を傾斜面としなければならず、このことは容易なことではない。ここに本発明の特徴部分の１つがある。

　以下、本発明の実施形態を工程の説明と材料の説明とに分けて説明する。

　［工程の説明］
　＜第１及び第３の実施形態＞
　図１を参照し、本発明の第１及び第３の実施形態を説明する。図中、符号１０は立体構造物、符号１０Ａ、１０Ｂは中間構造物、符号１１は絶縁基材、符号１１ａは絶縁基材の接続端子、符号１２は半導体チップ、符号１２ａは半導体チップの接続端子、符号１３は絶縁樹脂、符号１３ａは凸形状体、符号１３ｂは凸形状体の傾斜面、符号１４は樹脂皮膜、符号１５は回路パターン、符号１６はメッキ触媒、符号１７はメッキ膜（配線）、符号１８は封止樹脂である。

　第１及び第３実施形態に係る配線方法においては、まず、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１１に電子部材が実装された構造物を準備する。電子部材は、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ１２（スタックチップ）である。半導体チップ１２としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＬＥＤチップ等である。絶縁基材１１の表面には接続端子１１ａが設けられ、半導体チップ１２の表面には接続端子１２ａが設けられている。これらの接続端子１１ａ，１２ａは構造物の表面に露出している。

　なお、図例は、接続端子１１ａ，１２ａが絶縁基材１１又は半導体チップ１２の表面に埋設されている（表面から突出していない）場合を示すが、接続端子１１ａ，１２ａが絶縁基材１１又は半導体チップ１２の表面に形成されて（表面から突出して）いてもよい。接続端子１１ａは、回路の一部分でもよい。

　本実施形態では、スタックチップの絶縁基材１１への実装方法は特に限定されない。例えば、接着層を挟んでスタックチップを絶縁基材１１に実装することができる。また、スタックチップにおける半導体チップ１２同士の積層方法も限定されない。例えば、接着層を挟んで半導体チップ１２同士を積層することができる。

　次に、図１（Ｂ）に示すように、電子部材を絶縁樹脂１３で被覆する。これにより、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により凸形状体１３ａが形成される。このとき、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａを形成する（凸形状体形成工程）。

　なお、凸形状体形成工程として、電子部材を予め絶縁樹脂１３で被覆したものを絶縁基材１１に実装してもよい。これによっても、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により凸形状体１３ａ（絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａ）が形成される。

　なお、図例は、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂが１つに連続するものであるが、階段状のスタックチップに追従して、鎖線で示すように、傾斜面が階段状に複数に分かれていてもよい。

　この段階で、中間構造物１０Ａが得られる。中間構造物１０Ａは、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物である。中間構造物１０Ａは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａとを備えている。そして、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。

　次に、図１（Ｃ）に示すように、凸形状体１３ａの表面及び凸形状体１３ａが形成されていない絶縁基材１１の表面に樹脂皮膜１４を形成する（樹脂皮膜形成工程）。

　この段階で、中間構造物１０Ｂが得られる。中間構造物１０Ｂもまた、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物である。中間構造物１０Ｂは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａと、凸形状体１３ａの表面及び絶縁基材１１の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜１４とを備えている。そして、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。

　次に、図１（Ｄ）に示すように、樹脂皮膜１４の外表面側からレーザー加工をすることにより、樹脂皮膜１４の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び孔を形成する。これにより、凸形状体１３ａの表面及び絶縁基材１１の表面に回路パターン１５が形成される。このとき、絶縁基材１１の表面に垂直な方向にレーザー（Ｌａｓｅｒ）を照射する。レーザーは、絶縁基材１１の表面に平行な方向に移動される（第１実施形態の回路パターン形成工程）。さらに、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにレーザーを照射するときは、絶縁基材１１の表面に平行な面（図例では絶縁基材１１の表面及び凸形状体１３ａの上面）にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させる（第３実施形態の回路パターン形成工程）。

　回路パターン１５の配線溝は、凸形状体１３ａの上面、凸形状体１３ａの傾斜面（側面）１３ｂ、絶縁基材１１の表面に連続して形成され、一端が絶縁基材１１の接続端子１１ａに到達している。回路パターン１５の連通孔は、配線溝から下方に延び、半導体チップ１２の接続端子１２ａに到達している。

　次に、図１（Ｅ）に示すように、回路パターン１５の表面及び樹脂皮膜１４の表面にメッキ触媒１６又はその前駆体を被着させる（メッキ触媒被着工程）。

　次に、図１（Ｆ）に示すように、樹脂皮膜１４を溶解又は膨潤させることにより除去する（樹脂皮膜除去工程）。

　次に、図１（Ｇ）に示すように、無電解メッキを行うことにより、メッキ触媒１６又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜（配線）１７を形成する（メッキ膜形成工程）。これにより、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０が得られる。立体構造物１０は、後に、凸形状体１３ａ及び配線１７が封止樹脂１８で封止され、半導体パッケージとされる。

　図２は、第１及び第３の実施形態に係る配線方法で得られた、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０の１例を示す平面図である。図中、符号１３ｄは凸形状体の上面である。図示したように、配線１７…１７は、絶縁基材１１の表面、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂ及び凸形状体１３ａの上面１３ｄに亘って連続して形成されている。配線１７…１７は、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも、絶縁基材１１の表面や凸形状体１３ａの上面１３ｄと同様、良好に形成されており、断線等は発生していない。

　＜第２及び第４の実施形態＞
　図３を参照し、本発明の第２及び第４の実施形態を説明する。図中、符号１０は立体構造物、符号１０Ａ、１０Ｂは中間構造物、符号１１は絶縁基材、符号１１ａは絶縁基材の接続端子、符号１２は半導体チップ、符号１２ａは半導体チップの接続端子、符号１３は絶縁樹脂、符号１３ａは凸形状体、符号１３ｂは凸形状体の傾斜面、符号１３ｃは絶縁樹脂層、符号１４は樹脂皮膜、符号１５は回路パターン、符号１６はメッキ触媒、符号１７はメッキ膜（配線）、符号１８は封止樹脂である。

　第２及び第４実施形態に係る配線方法においては、まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁基材１１に電子部材が実装された構造物を準備する。電子部材は、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ１２（スタックチップ）である。半導体チップ１２としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＬＥＤチップ等である。絶縁基材１１の表面には接続端子１１ａが設けられ、半導体チップ１２の表面には接続端子１２ａが設けられている。これらの接続端子１１ａ，１２ａは構造物の表面に露出している。

　なお、図例は、接続端子１１ａ，１２ａが絶縁基材１１又は半導体チップ１２の表面に埋設されている（表面から突出していない）場合を示すが、接続端子１１ａ，１２ａが絶縁基材１１又は半導体チップ１２の表面に形成されて（表面から突出して）いてもよい。接続端子１１ａは、回路の一部分でもよい。

　本実施形態では、スタックチップの絶縁基材１１への実装方法は特に限定されない。例えば、接着層を挟んでスタックチップを絶縁基材１１に実装することができる。また、スタックチップにおける半導体チップ１２同士の積層方法も限定されない。例えば、接着層を挟んで半導体チップ１２同士を積層することができる。

　また、本実施形態では、絶縁基材１１として、例えば、放熱用の金属板でもよい。その場合は、接続端子１１ａは、次に説明する絶縁樹脂１３に設けられる。

　次に、図３（Ｂ）に示すように、電子部材及び絶縁基材１１を絶縁樹脂１３で被覆する。これにより、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃが形成される。このとき、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃを形成する（絶縁樹脂層形成工程）。

　なお、絶縁樹脂層形成工程として、電子部材を予め絶縁樹脂１３で被覆したものを絶縁基材１１に実装してもよい。これによっても、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により凸形状体１３ａ（絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａ）が形成される。

　なお、図例は、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂが１つに連続するものであるが、階段状のスタックチップに追従して、鎖線で示すように、傾斜面が階段状に複数に分かれていてもよい。

　この段階で、中間構造物１０Ａが得られる。中間構造物１０Ａは、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物である。中間構造物１０Ａは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃとを備えている。そして、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。

　次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁樹脂層１３ｃの表面に樹脂皮膜１４を形成する（樹脂皮膜形成工程）。

　この段階で、中間構造物１０Ｂが得られる。中間構造物１０Ｂもまた、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物である。中間構造物１０Ｂは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃと、絶縁樹脂層１３ｃの表面に除去可能に形成された樹脂皮膜１４とを備えている。そして、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。

　次に、図３（Ｄ）に示すように、樹脂皮膜１４の外表面側からレーザー加工をすることにより、樹脂皮膜１４の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び孔を形成する。これにより、凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃの表面に回路パターン１５が形成される。このとき、絶縁基材１１の表面に垂直な方向にレーザー（Ｌａｓｅｒ）を照射する。レーザーは、絶縁基材１１の表面に平行な方向に移動される（第２実施形態の回路パターン形成工程）。さらに、上記に加え、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにレーザーを照射するときは、絶縁基材１１の表面に平行な面（図例では絶縁樹脂層１３ｃのうち絶縁基材１１の表面に平行な表面を有する部分及び凸形状体１３ａの上面）にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させる（第４実施形態の回路パターン形成工程）。

　回路パターン１５の配線溝は、凸形状体１３ａの上面、凸形状体１３ａの傾斜面（側面）１３ｂ、絶縁樹脂層１３ｃの表面に連続して形成されている。回路パターン１５の連通孔は、配線溝から下方に延び、絶縁基材１１の接続端子１１ａ及び半導体チップ１２の接続端子１２ａに到達している。

　次に、図３（Ｅ）に示すように、回路パターン１５の表面及び樹脂皮膜１４の表面にメッキ触媒１６又はその前駆体を被着させる（メッキ触媒被着工程）。

　次に、図３（Ｆ）に示すように、樹脂皮膜１４を溶解又は膨潤させることにより除去する（樹脂皮膜除去工程）。

　次に、図３（Ｇ）に示すように、無電解メッキを行うことにより、メッキ触媒１６又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜（配線）１７を形成する（メッキ膜形成工程）。これにより、表面に配線１７が設けられた立体構造物１０が得られる。立体構造物１０は、後に、凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃ及び配線１７が封止樹脂１８で封止され、半導体パッケージとされる。

　＜凸形状体のその他の構造＞
　図４、図５、図６を参照し、凸形状体１３ａのその他の構造を説明する。図４（Ａ）～図４（Ｄ）は、第１及び第３実施形態の（Ｂ）凸形状体形成工程が終了した段階に相当する図、あるいは図中鎖線（絶縁樹脂層１３ｃ）で示すように、第２及び第４実施形態の（Ｂ）絶縁樹脂層形成工程が終了した段階に相当する図である。図５、図６は、第１及び第３実施形態の（Ｇ）メッキ膜形成工程が終了した段階に相当する図である。図中、符号１９はチップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子、符号２０は多層回路基板（図６においてはスタックチップ）、符号２０ａは各回路基板（図６においては各チップ）の接続端子、符号２０ｂは接続端子と配線とを結ぶ連絡配線（図６においては再配線）である。

　図１（Ｂ）、図３（Ｂ）に示した凸形状体１３ａは、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ１２（スタックチップ）が絶縁基材１１に実装され、このスタックチップが絶縁樹脂１３で被覆されることによって形成されたものであった。各半導体チップ１２の側面は絶縁基材１１の表面に対して垂直であり、そのため、スタックチップは絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面を有していない。つまり、スタックチップ（電子部材）は傾斜面を有していないが、これを被覆する凸形状体１３ａは傾斜面１３ｂを有するように成形されたものである。

　これに対し、図４（Ａ）に示すように、各半導体チップ１２の側面が絶縁基材１１の表面に対して傾斜しており、そのため、スタックチップが絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面を有していてもよい。つまり、スタックチップ（電子部材）が傾斜面を有しており、これを被覆する凸形状体１３ａも追従して傾斜面１３ｂを有するように成形されたものである。

　なお、図例は、スタックチップが１つに連続する傾斜面を有し、これに追従して、凸形状体１３ａも１つに連続する傾斜面１３ｂを有する場合であるが、例えば、点線で示すように、階段状のスタックチップに追従して、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂが階段状に複数に分かれていてもよい。

　また、図４（Ｂ）に示すように、凸形状体１３ａは、単一の半導体チップ１２が絶縁基材１１に実装され、この単一の半導体チップ１２が絶縁樹脂１３で被覆されることによって形成されたものでもよい。図例は、半導体チップ１２（電子部材）の側面が絶縁基材１１の表面に対して傾斜しており、これを被覆する凸形状体１３ａも追従して傾斜面１３ｂを有するように成形されたものである。しかし、これに限らず、半導体チップ１２（電子部材）の側面が絶縁基材１１の表面に対して垂直であるが、これを被覆する凸形状体１３ａは傾斜面１３ｂを有するように成形されたものでもよい。なお、凸形状体１３ａは、ポストやバンプ等の突起物に絶縁樹脂１３を被覆したものでもよい。

　また、図４（Ｃ）に示すように、凸形状体１３ａは、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子１９が絶縁基材１１に実装され、この回路搭載素子１９が絶縁樹脂１３で被覆されることによって形成されたものでもよい。図例は、回路搭載素子１９（電子部材）の側面が絶縁基材１１の表面に対して垂直であるが、これを被覆する凸形状体１３ａは傾斜面１３ｂを有するように成形されたものである。しかし、これに限らず、回路搭載素子１９（電子部材）の側面が絶縁基材１１の表面に対して傾斜しており、これを被覆する凸形状体１３ａも追従して傾斜面１３ｂを有するように成形されたものでもよい。なお、凸形状体１３ａは、ポストやバンプ等の突起物に絶縁樹脂１３を被覆したものでもよい。

　また、図４（Ｄ）に示すように、凸形状体１３ａは、絶縁樹脂１３が凸形状に成形されたものでもよい。図例は、凸形状体１３ａが中実の場合であるが、状況に応じて、中空でも構わない。また、凸形状体１３ａは、立体構造物１０の表面に形成される配線１７と電気接続されない電子部材や、緩衝材等の電子部材以外の構成部材を被覆していてもよい。

　さらに、図５に示すように、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１に搭載された多層回路基板２０が絶縁樹脂１３で被覆されることによって形成されたものでもよい。多層回路基板２０を構成する各回路基板の接続端子２０ａが立体構造物１０の表面（より詳しくは凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂ）に形成された配線１７と連絡配線２０ｂを介して電気接続されている。配線１７はさらに絶縁基材１１の接続端子１１ａに到達している。配線１７は多層回路基板２０の層間接続のための外部配線として機能する。ここで、符号１１を絶縁基材に代えて多層回路基板２０の最下層の回路基板としてもよい。すなわち、立体構造物１０の全体を多層回路基板２０としてもよい。凸形状体１３ａの側面のうち配線１７が形成されない側面は傾斜面とされていない。

　図５において、連絡配線２０ｂは凸形状体１３ａの内部で水平に延びている。これは例えば次のようにして作成することができる。予め、多層回路基板２０の各接続端子２０ａに連絡配線２０ｂの一端を接続する。凸形状体１３ａを作成するときに、連絡配線２０ｂを水平に伸ばし、連絡配線２０ｂの他端を凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに臨ませる。回路パターン形成工程では、接続するべき回路基板から伸びる連絡配線２０ｂの他端を順次通過するように配線溝を形成する。

　さらに、図６に示すように、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１に搭載されたスタックチップ２０が絶縁樹脂１３で被覆されることによって形成されたものでもよい。スタックチップ２０を構成する各チップの接続端子２０ａが立体構造物１０の表面（より詳しくは凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂ）に形成された配線１７と再配線２０ｂを介して電気接続されている。配線１７はさらに絶縁基材１１の接続端子１１ａに到達している。配線１７はスタックチップ２０のチップ間接続のための外部配線（貫通シリコンビア（ＴＳＶ）に代わり得るもの）として機能する。

　本実施形態においては、凸形状体１３ａは絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有するので、凸形状体１３ａの全体形状は典型的には角錐台形状等であるが、円錐台形状でも構わない。あるいは、状況に応じて、絶縁基材１１の表面に対して平行な上面１３ｄを持たない角錐形状や円錐形状等でもよい。さらには、半球形状等とすることもできる。

　凸形状体１３ａは、立体構造物１０に１つだけ存在してもよく、２つ以上存在してもよい。２つ以上存在する場合、各凸形状体１３ａは、前述したような構造のうち、相互に同じ構造であってもよく、異なる構造（混載）であってもよい。

　＜凸形状体の各部の仕様＞
　図７を参照し、凸形状体１３ａの各部の仕様を説明する。図７は、第１実施形態の（Ｄ）回路パターン形成工程に相当する図である。図中、符号Ｘはレーザー照射装置、符号Ｙはレーザーの焦点位置、符号Ｚは凸形状体の上面と傾斜面とが交差する角部、符号Ｌはレーザー（レーザービーム）、符号ｍは焦点オフセット（基準面からレーザーの焦点位置までの距離）、符号θは絶縁基材の表面に対する凸形状体の傾斜面の傾斜角度である。なお、基準面とは、樹脂皮膜１４の表面、又は、樹脂皮膜１４の下層の絶縁樹脂１３の表面もしくは絶縁基材１１の表面である。

　本実施形態においては、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θは、絶縁基材１１の表面の角度を０°としたときに、絶縁基材１１の表面に対して１０°～８３°である。好ましくは、上限値は８０°以下である。より好ましくは、上限値は７５°以下である。さらに好ましくは、上限値は６０°以下である。特に好ましくは、上限値は４５°以下である。

　本実施形態においては、凸形状体１３ａの複数の面が交差する角部（図例では上面１３ｄと傾斜面１３ｂが交差する角部）Ｚは、図示したように面取り、あるいは、曲面化（Ｒ化）されている。凸形状体１３ａの全体形状が角錐台形状や角錐形状等の場合、隣接する側面同士が交差する角部（角錐形状の頂点を含む）Ｚも面取り又は曲面化する。つまり、凸形状体１３ａの全ての角部Ｚを鈍角化しておくのである。もっとも、状況に応じて（例えば角部の角度等に応じて）、角部を全て面取り又は曲面化する必要はない。例えば、もともと鈍角な角部は面取り又は曲面化する必要はない。

　本実施形態においては、立体構造物１０及び凸形状体１３ａの大きさは、立体構造物１０の用途等に応じて様々に変わり得る。例えば、立体構造物１０の長さあるいは幅（符号ａ）は、１ｍｍから数１０ｃｍ程度、凸形状体１３ａの基部の長さあるいは幅（符号ｂ）は、１０μｍから数１０ｃｍ程度、凸形状体１３ａの高さ（符号ｃ）は、１０μｍから数ｍｍ程度である。

　本実施形態においては、レーザー照射装置Ｘは、特に限定されない。例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー等が好ましく用いられ得る。形成する回路パターン１５の配線溝の幅は、例えば、２０μｍ程度であり、状況に応じて、さらに微細化された高密度の回路パターンを形成することも可能である。

　本実施形態においては、レーザー照射の各種パラメータは、凸形状体１３ａを構成する絶縁樹脂１３の種類や絶縁基材１１を構成する材料の種類、及び、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θ等に応じて様々に変わり得る。例えば、レーザーＬの周波数は、１０～１００Ｈｚ程度、好ましくは４０～７０Ｈｚ程度、より好ましくは５０～７０Ｈｚ程度、さらに好ましくは６０～７０Ｈｚ程度である。レーザーＬの移動速度（絶縁基材１１の表面に平行な方向への移動速度：加工速度）は、１００～２００ｍｍ／秒程度、好ましくは１２０～１５０ｍｍ／秒程度、より好ましくは１２０～１４０ｍｍ／秒程度、さらに好ましくは１２０～１３０ｍｍ／秒程度である。レーザーＬの出力は、０．１～１．０Ｗ程度、好ましくは０．３～０．５Ｗ程度、より好ましくは０．３５～０．５Ｗ程度、さらに好ましくは０．４～０．５Ｗ程度である。ただし、レーザー加工機が変われば周波数や速度や出力の設定が変化することはいうまでもない。

　特に、第３及び第４実施形態においては、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにレーザーＬを照射するときは、絶縁基材１１の表面に平行な面（図例では絶縁基材１１の表面及び凸形状体１３ａの上面１３ｄ）にレーザーＬを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーを増大させる。このエネルギーの増大は、レーザーＬの周波数を高くすること、レーザーＬの移動速度（加工速度）を遅くすること、レーザーＬの出力を上げることのうち、いずれか１つ又は２つ以上を組み合わせて行なうことにより実現することができる。

　さらに、第３及び第４実施形態においては、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θが大きいほど、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーをより増大させる。

　また、本実施形態においては、レーザーの焦点位置Ｙを、凸形状体１３の基部の近傍の位置と上面１３ｄの近傍の位置との間に設定する。あるいは、レーザーの焦点位置Ｙを、凸形状体１３の基部の位置と上面１３ｄの位置との間に設定してもよい。つまり、略、凸形状体１３の高さ（ｃ）の間、図例では傾斜面１３ｂの長さの間に設定する。その場合、レーザーの焦点位置Ｙを、凸形状体１３の基部より下の位置に設定してもよく、凸形状体１３の上面１３ｄより上の位置に設定してもよい。本実施形態においては、前述した基準面からレーザーＬの焦点位置Ｙまでの距離を焦点オフセットｍという。焦点オフセットｍは、凸形状体１３の高さｃ等に応じて様々に変わり得る。焦点オフセットｍは、例えば、数μｍ～数ｍｍ程度であり、代表的数値の１つとしては、例えば０．３５ｍｍ等である。

　＜本実施形態の作用効果＞
　図１に示す第１実施形態では、（Ｂ）凸形状体形成工程、（Ｃ）樹脂皮膜形成工程、（Ｄ）回路パターン形成工程、（Ｅ）メッキ触媒被着工程、（Ｆ）樹脂皮膜除去工程、及び、（Ｇ）メッキ膜形成工程を備える立体構造物１０の表面への配線方法において、（Ｂ）凸形状体形成工程で、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａを形成し、（Ｄ）回路パターン形成工程で、絶縁基材１１の表面に垂直方向にレーザーＬを照射するようにした。これにより、樹脂皮膜１４の外表面側から照射されたレーザーＬが凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに有効に当たるようになる。そのため、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁基材１１だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５が良好に形成される（図２参照）。

　かつ、第３実施形態では、（Ｄ）回路パターン形成工程で、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにレーザーＬを照射するときは、絶縁基材１１の表面に平行な面にレーザーＬを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーを増大させるようにした。そのため、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁基材１１だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５が良好に形成される（図２参照）。

　すなわち、絶縁基材１１の表面に垂直方向にレーザーＬを照射した場合、絶縁基材１１の表面に平行な面にはレーザーＬが垂直に当たるが、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにはレーザーＬが垂直に当たらず斜めに当たる。その結果、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂでは、レーザーＬの反射が増え、エネルギー分布の高い部分が減る。そのため、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂでは、形成された回路パターン１５の溝や孔が小さくなる（溝や孔の幅や深さが細く又は浅くなる）傾向がある。

　回路パターン１５の溝や孔が小さくなると、回路パターン１５におけるメッキ触媒１６の被着量が減り、メッキ触媒１６を核として成長する無電解メッキ膜（配線）１７が形成され難くなる。その結果、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにおいて配線１７の断線が起こり易くなる。あるいは、回路パターン１５の溝や孔が小さくなると、溝や孔の容量が減るため、成長した無電解メッキ膜（配線）１７が溝や孔から溢れてオーバーメッキされ易くなる。その結果、短絡やマイグレーションが起こり易くなる。

　このような不具合に対し、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにおいては、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーを増大させるようにしたので、レーザーＬの反射によって失われるエネルギーが補填される。その結果、傾斜面１３ｂに形成された回路パターン１５の溝や孔が小さくなる傾向が抑制され、断線や短絡あるいはマイグレーションの問題が抑制される。

　第１及び第３実施形態の中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａとを備えている。そして、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。したがって、これらの中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁基材１１だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５を良好に形成することができる。そのため、これらの中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、表面に配線が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物として好適なものである。

　第１及び第３実施形態の中間構造物１０Ｂは、さらに、凸形状体１３ａの表面及び絶縁基材１１の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜１４を備えている。したがって、この樹脂皮膜１４越しに凸形状体１３ａの表面及び絶縁基材１１の表面に回路パターン１５を形成し、メッキ触媒１６を被着した後、樹脂皮膜１４を除去することにより、回路パターン１５の部分のみにメッキ触媒が残留し、無電解メッキ膜（配線）１７を形成することができる。そのため、この中間構造物１０Ｂは、表面に配線が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物としてさらに好適なものである。

　図３に示す第２及び第４実施形態では、（Ｂ）絶縁樹脂層形成工程、（Ｃ）樹脂皮膜形成工程、（Ｄ）回路パターン形成工程、（Ｅ）メッキ触媒被着工程、（Ｆ）樹脂皮膜除去工程、及び、（Ｇ）メッキ膜形成工程を備える立体構造物１０の表面への配線方法において、（Ｂ）絶縁樹脂層形成工程で、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有する凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃを形成し、（Ｄ）回路パターン形成工程で、絶縁基材１１の表面に垂直方向にレーザーＬを照射するようにした。これにより、樹脂皮膜１４の外表面側から照射されたレーザーＬが凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに有効に当たるようになる。そのため、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁樹脂層１３ｃのうち、絶縁基材１１の表面に平行な表面を有する部分だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５が良好に形成される。

　さらに、第４実施形態では、（Ｄ）回路パターン形成工程で、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにレーザーＬを照射するときは、絶縁基材１１の表面に平行な面にレーザーＬを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーを増大させるようにした。そのため、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁樹脂層１３ｃのうち、絶縁基材１１の表面に平行な表面を有する部分だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５が良好に形成される。すなわち、傾斜面１３ｂでのレーザーＬの反射によって失われるエネルギーが補填され、傾斜面１３ｂに形成された回路パターン１５の溝や孔が小さくなる傾向が抑制され、断線や短絡あるいはマイグレーションの問題が抑制される。

　第２実施形態の中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃとを備えている。また、第４実施形態の中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の表面に絶縁樹脂１３により形成された凸形状体１３ａを含む絶縁樹脂層１３ｃとを備えている。

　そして、いずれにおいても、凸形状体１３ａは、絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面１３ｂを有している。したがって、これらの中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、絶縁樹脂層１３ｃのうち、絶縁基材１１の表面に平行な表面を有する部分だけでなく、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも回路パターン１５を良好に形成することができる。そのため、これらの中間構造物１０Ａ、１０Ｂは、表面に配線が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物として好適なものである。

　第２及び第４実施形態の中間構造物１０Ｂは、さらに、絶縁樹脂層１３ｃの表面に除去可能に形成された樹脂皮膜１４を備えている。したがって、この樹脂皮膜１４越しに絶縁樹脂層１３ｃの表面に回路パターン１５を形成し、メッキ触媒１６を被着した後、樹脂皮膜１４を除去することにより、回路パターン１５の部分のみにメッキ触媒が残留し、無電解メッキ膜（配線）１７を形成することができる。そのため、この中間構造物１０Ｂは、表面に配線が設けられた立体構造物１０を得るための中間構造物としてさらに好適なものである。

　第２及び第４実施形態では、電子部材（スタックチップ）だけではなく、電子部材が実装されない絶縁基材１１の部分の上にも絶縁樹脂層１３ｃを形成する。そして、絶縁樹脂層１３ｃの表面に回路パターン１５を形成し、配線１７を形成する。そのため、配線１７が絶縁基材１１の接続端子１１ａに接触することを防ぐことができ、配線１７の引き回しの自由度が拡大する。

　本実施形態では、凸形状体１３ａは、絶縁樹脂１３が凸形状に成形されたもの（図４（Ｄ））、絶縁基材１１に実装された電子部材（電子部材は絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面を有する）を絶縁樹脂１３で被覆することによって形成されたもの（図４（Ａ）、図４（Ｂ））、絶縁基材１１に実装された電子部材（電子部材は絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面を有していない）を絶縁樹脂１３で被覆することによって形成されたもの（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ｃ））のうち少なくともいずれか１つである。これにより、立体構造物１０が例えば半導体パッケージや回路基板等のいずれであるかに応じて、凸形状体１３ａの構造がこれらの中から選択可能となる。

　電子部材が絶縁基材１１の表面に対して傾斜する傾斜面を有する場合と有さない場合とを比較すると、前者の場合のほうが、電子部材を被覆する凸形状体１３ａに傾斜面１３ｂを形成することが形状の追従により容易にできる（カバーリング性が向上する）。

　本実施形態では、電子部材は、単一の半導体チップ（図４（Ｂ））、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ））、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子（図４（Ｃ））のうち少なくともいずれか１つである。これにより、立体構造物１０が例えば半導体パッケージや回路基板等のいずれであるかに応じて、電子部材がこれらの中から選択可能となる。

　図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）に示したようなスタックチップにおいて、本実施形態のような立体構造物１０の表面配線を採用することにより、ワイヤーボンディングに比較して、電気接続の省スペース化、配線の自由度の増大、信頼性の向上、上層のチップの大型化、さらなる多段化等が図られる。

　本実施形態では、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θは、絶縁基材１１の表面の角度を０°としたときに、絶縁基材１１の表面に対して１０°～８３°である。凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θをこのような範囲内の値とすることにより、凸形状体１３ａの基部の長さや幅（ｂ）を過剰に大きくすることなく、かつ、レーザー照射装置Ｘやステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して垂直方向にのみ照射しつつ、レーザーＬを絶縁基材１１の表面に対して平行に移動させるだけで、前記傾斜面１３ｂに十分満足に回路パターン１５を形成することが可能となる。

　なお、第３及び第４実施形態では、レーザーＬの周波数を高くすることにより、レーザーＬの移動速度（加工速度）を遅くすることにより、及び／又は、レーザーＬの出力を上げることにより、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーを増大させるようにしたので、このようなエネルギーの増大が簡単かつ確実に実現する。

　さらに、第３及び第４実施形態では、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θが大きいほど、単位時間当たりのレーザーＬのエネルギーをより増大させるようにしたので、傾斜面１３ｂでのレーザーＬの反射によって失われるエネルギーの補填が、傾斜角度θが大きくても、常に、簡単かつ確実に行なわれる。

　本実施形態では、凸形状体１３ａの複数の面が交差する角部Ｚは、必要に応じて、面取り又は曲面化されている。つまり鈍角化されている。これにより、（Ｃ）樹脂皮膜形成工程において、例えば、樹脂溶液を塗布することや、薄く軟らかい樹脂フィルムを積層することにより、凸形状体１３ａの上に樹脂皮膜１４を形成することが支障なく行なえる。すなわち、凸形状体１３ａの角部Ｚが鋭角であると、樹脂溶液を塗布したときに、被覆ムラが生じて、樹脂皮膜１４を角部Ｚの表面に良好に形成することが困難な可能性がある。また、薄く軟らかい樹脂フィルムを積層したときに、フィルムが破れて、樹脂皮膜１４を角部Ｚの表面に良好に形成することが困難な可能性がある。その結果、（Ｅ）メッキ触媒被着工程及び（Ｇ）メッキ膜形成工程において、角部Ｚに不要なメッキ触媒１６が被着され、またメッキ膜が形成されて、電気回路の形成不良（回路の短絡等）の原因となる可能性がある。そこで、凸形状体１３ａの角部Ｚを面取りや曲面化によって予め鈍角化しておくことにより、角部Ｚにおける樹脂溶液の良好な塗布や樹脂フィルムの良好な積層を図るようにしたものである。

　本実施形態では、立体構造物１０は、表面に配線１７が設けられた立体構造物であり、図１や図３に示した配線方法により得られたものであるから、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂにも良好に回路パターン１５が形成され、配線１７が断線なく良好に形成された（第３及び第４実施形態では、加えて、さらに短絡やマイグレーションの問題が抑制された）立体構造物である（図２参照）。

　本実施形態では、（Ｄ）回路パターン形成工程において、樹脂皮膜１４の厚みを超える深さを有する溝及び孔を形成する。したがって、回路パターン１５は、立体構造物１０の表面に掘り込まれ、配線１７は、その一部又は全部が立体構造物１０の表面に埋め込まれる。その結果、立体構造物１０に対する配線１７の接着強度が向上し、配線１７の脱落やズレが抑制される。

　本実施形態では、（Ｄ）回路パターン形成工程において、レーザーの焦点位置Ｙを、凸形状体１３ａの基部の近傍の位置と上面１３ｄの近傍の位置との間に設定する。つまり、略、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの長さの間に設定する。一般に、レーザー加工では、レーザーＬの焦点位置Ｙを一定に保つことが好ましい。しかし、本実施形態では、加工対象物が、１００ｎｍ～４００ｎｍの波長領域のレーザー光に対して高い吸収率を有している樹脂（絶縁樹脂１３）であることや、レーザーＬの焦点深度が十分あるため、レーザーＬの焦点位置Ｙが多少ずれてもレーザー加工が十分行なえる。そこで、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの全長に亘って回路パターン１５が良好に形成されるように、レーザーの焦点位置Ｙを、略、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの長さの間に設定したものである。レーザーの焦点位置Ｙは、凸形状体１３ａの基部より下の位置に設定してもよく、凸形状体１３ａの上面１３ｄより上の位置に設定してもよい。

　［材料の説明］
　（絶縁基材）
　絶縁基材１１としては、従来から半導体チップの実装に用いられているような各種有機基材や無機基材が特に限定なく用いられ得る。有機基材の具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等からなる基材が挙げられる。

　エポキシ樹脂としては、例えば回路基板の製造に用いられ得る各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性したエポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　これらの樹脂で絶縁基材１１を構成する場合、樹脂を硬化させるために、硬化剤を用いることが一般的である。硬化剤としては特に限定されないが、具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。

　フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、リン変性したフェノール樹脂、リン変性したシアネート樹脂等も挙げられる。これらの硬化剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　絶縁基材１１の表面には、（Ｄ）回路パターン形成工程において、レーザー加工により回路パターン１５が形成されることから、絶縁基材１１の材料としては、１００ｎｍ～４００ｎｍの波長領域でのレーザー光の吸収率（ＵＶ吸収率）に優れる樹脂等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ポリイミド樹脂等が挙げられる。

　絶縁基材１１にフィラーを含有させてもよい。フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラーを含有させることで、レーザー加工された部分にフィラーが露出し、フィラーの凹凸による絶縁基材１１とメッキ膜１７との密着性を向上することができる。

　無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）_２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＯＨ）_２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、雲母等が挙げられる。これらの無機微粒子を単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。

　フィラーの平均粒径は特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ～１０μｍが好ましく、０．０５μｍ～５μｍがより好ましい。

　無機微粒子は、絶縁基材１１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、絶縁基材１１は、無機微粒子の絶縁基材１１中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤としては、特に限定されない。具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　また、絶縁基材１１は、無機微粒子の絶縁基材１１中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。分散剤としては特に限定されない。具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。これらの分散剤は単独で用いてもよく又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　フィラーとして用い得る有機微粒子の具体例としては、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。

　絶縁基材１１の形態としては特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、三次元形状の成形体等が挙げられる。絶縁基材１１の厚みも特に限定されない。例えば、シート、フィルム、プリプレグ等の場合、１０～５００μｍが好ましく、１０～２００μｍがより好ましく、２０～２００μｍがさらに好ましく、２０～１００μｍがさらに好ましい。

　絶縁基材１１は、例えば、金型及び枠型等を用いて絶縁基材となる材料を入れて、加圧し、硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよいし、シート、フィルム、プリプレグを打ち抜き、くりぬいたものを硬化させること、もしくは、加熱加圧により硬化させることにより、三次元形状の成形体等に形成してもよい。

　（絶縁樹脂）
　絶縁樹脂１３としては、一般には、合成樹脂等の絶縁性の有機材料が好ましく使用可能であるが、絶縁基材１１を構成する材料と同様の材料でもよいし、蒸着法によって重合成膜された絶縁性の材料でもよく、有機材料に無機材料が混合または複層からなる、絶縁性の材料でもよい。あるいは、状況に応じて、絶縁樹脂に代えて、シリカ（ＳｉＯ_２）等をはじめとするセラミックス等の絶縁性の無機材料等でもよい。

　（樹脂皮膜）
　樹脂皮膜１４を形成するための材料としては、（Ｆ）樹脂皮膜除去工程において溶解除去または膨潤除去し得るような樹脂材料であれば特に限定なく用いられる。具体的には、例えば、フォトレジストの分野で用いられているレジスト樹脂や、所定の液体に対する膨潤度が高く、膨潤により剥離可能な樹脂が用いられる。

　レジスト樹脂の具体例としては、例えば、光硬化性エポキシ樹脂、エッチングレジスト、ポリエステル系樹脂、ロジン系樹脂が挙げられる。

　また、膨潤性樹脂としては、所定の液体に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような膨潤性樹脂であることが好ましい。このような樹脂の具体例としては、例えば、架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度になるように調整された、スチレン－ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。

　（メッキ触媒）
　メッキ触媒１６は、無電解メッキ膜１７を形成したい部分のみに無電解メッキ膜１７を形成するために予め付与される触媒である。メッキ触媒１６としては、無電解メッキ用の触媒として従来用いられるものであれば、特に限定なく用いられ得る。また、メッキ触媒１６に代えて、メッキ触媒の前駆体を被着させ、樹脂皮膜１４の除去後にメッキ触媒を生成させてもよい。メッキ触媒１６の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。

　メッキ触媒１６を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１～３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ－Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法が挙げられる。より具体的には次のような方法が挙げられる。はじめに、（Ｄ）回路パターン形成工程で形成された回路パターン１５の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）等で湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム－硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１～２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して塩化第一錫を吸着させた後、塩化第一錫と塩化パラジウムとを含むｐＨ１～３の酸性Ｐｄ－Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ_２＋ＰｄＣｌ_２→ＳｎＣｌ_４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これによりメッキ触媒１６である金属パラジウム（Ｐｄ）が析出する。

　なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ－Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のメッキプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム＆ハース電子材料社からシステム化されて販売されている。

　（無電解メッキ）
　（Ｇ）メッキ膜形成工程で行なう無電解メッキの方法としては、メッキ触媒１６が被着されたメッキ対象物を、無電解メッキ液の槽に浸漬して、メッキ触媒１６が被着された部分のみに無電解メッキ膜１７を析出させるような方法が用いられ得る。

　無電解メッキに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキ膜が導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。

　メッキ膜１７の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１～２０μｍが好ましく、１～５μｍ程度がより好ましい。

　以上、説明したように、本発明は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする。

　また、本発明は、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、絶縁基材と、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体とを備え、前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする。

　前記中間構造物においては、凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜をさらに備えていてもよい。

　また、本発明は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする。

　また、本発明は、表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、絶縁基材と、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体を含む絶縁樹脂層とを備え、前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする。

　前記中間構造物においては、絶縁樹脂層の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜をさらに備えていてもよい。

　前記中間構造物においては、凸形状体は、絶縁樹脂が凸形状に成形されたもの、及び／又は、絶縁基材に実装された、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する又は有していない電子部材を絶縁樹脂で被覆することによって形成されたものであることが好ましい。

　前記中間構造物においては、電子部材は、単一の半導体チップ、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ、及び／又は、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子であることが好ましい。

　前記中間構造物においては、凸形状体の傾斜面の傾斜角度は、絶縁基材の表面の角度を０°としたときに、絶縁基材の表面に対して１０°～８３°であることが好ましい。

　前記中間構造物においては、凸形状体の複数の面が交差する角部は、面取り又は曲面化されていることが好ましい。

　さらに、本発明のその他の局面は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする。

　また、本発明は、立体構造物の表面への配線方法であって、絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする。

　前記配線方法においては、凸形状体は、絶縁樹脂が凸形状に成形されたもの、及び／又は、絶縁基材に実装された、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する又は有していない電子部材を絶縁樹脂で被覆することによって形成されたものであることが好ましい。

　前記配線方法においては、電子部材は、単一の半導体チップ、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ、及び／又は、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子であることが好ましい。

　前記配線方法においては、レーザーの周波数を高くすることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることができる。

　前記配線方法においては、レーザーの移動速度を遅くすることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることができる。

　前記配線方法においては、レーザーの出力を上げることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることができる。

　前記配線方法においては、凸形状体の傾斜面の傾斜角度が大きいほど、単位時間当たりのレーザーのエネルギーをより増大させることが好ましい。

　前記配線方法においては、回路パターン形成工程では、レーザーの焦点位置を、凸形状体の基部の近傍の位置と上面の近傍の位置との間に設定することが好ましい。

　また、本発明は、前記配線方法により得られたことを特徴とする表面に配線が設けられた立体構造物である。

　本発明によれば、凸形状体に傾斜面を設けたことにより、凸形状体を有する立体構造物の表面に配線を形成する場合に、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、一方向にレーザーを照射するだけで、凸形状体に良好に回路パターンを形成することができる。

　さらに、本発明によれば、凸形状体に傾斜面を設け、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させたことにより、凸形状体を有する立体構造物の表面に配線を形成する場合に、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、一方向にレーザーを照射するだけで、凸形状体に良好に回路パターンを形成することができる。

　以下、本発明を実施例を通してさらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。

（実施例１）
　図７において、（ａ）が１ｍｍ、（ｂ）が１８０μｍ、（ｃ）が６０μｍ、傾斜面１３ｂの傾斜角度θが４５°（試験番号１）、７５°（試験番号２）、８０°（試験番号３）、８３°（試験番号４）、８５°（試験番号５）である中間構造物１０Ａの供試体をそれぞれ作成した（樹脂皮膜は形成していない）。そして、各供試体について、ＵＶ－ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）を用い、表１に示すレーザー照射条件で、絶縁基材１１の表面から凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂさらには凸形状体１３ａの上面１３ｄに亘って連続する、幅２０μｍの溝を等間隔に１０本形成した。レーザーは、凸形状体１３ａの上方から絶縁基材１１の表面に垂直な方向に照射しつつ、絶縁基材１１の表面に平行な方向に移動させた。そして、傾斜面１３ｂに形成された溝をマイクロスコープを用いて観察し、次の基準で評価した。結果を表１に併せて示す。なお実施例記載のレーザー加工には、ＵＶ－ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。

　（評価基準）
　×：完全に断線している箇所が一箇所以上ある。
　△：断線は起きていないが、傾斜面１３ｂの溝の幅が１５μｍ未満。
　○：断線が起きておらず、傾斜面１３ｂの溝の幅が１５μｍ以上、１８μｍ未満。
　◎：断線が起きておらず、傾斜面１３ｂの溝の幅が１８μｍ以上、２０μｍ以下。

　表１の結果から明らかなように、凸形状体１３ａの側面を絶縁基材１１の表面に対し、垂直ではなく、傾斜させたことにより、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを一方向に照射するだけで、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに良好に溝を形成することができた（試験番号１～４）。特に、傾斜角度θが８０°以下のものは、優れた結果であった（試験番号１～３）。さらに、傾斜角度θが７５°以下のものは、より優れた結果であった（試験番号１、２）。

（実施例２）
　さらに、図７において、（ａ）が１ｍｍ、（ｂ）が１８０μｍ、（ｃ）が６０μｍ、傾斜面１３ｂの傾斜角度θが４５°である中間構造物１０Ａの供試体を多数作成した（樹脂皮膜は形成していない）。そして、各供試体について、ＵＶ－ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）を用い、表２～表４に示すレーザー照射条件で、絶縁基材１１の表面から凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂさらには凸形状体１３ａの上面１３ｄに亘って連続する、幅２０μｍの溝を等間隔に１０本形成した。レーザーは、凸形状体１３ａの上方から絶縁基材１１の表面に垂直な方向に照射しつつ、絶縁基材１１の表面に平行な方向に移動させた。そして、傾斜面１３ｂに形成された溝をマイクロスコープを用いて観察し、次の基準で評価した。結果を表２～表４に併せて示す。

　（評価基準）
　×：完全に断線している箇所が一箇所以上ある。
　△：断線は起きていないが、傾斜面１３ｂの溝の幅が１５μｍ未満。
　○：断線が起きておらず、傾斜面１３ｂの溝の幅が１５μｍ以上、１８μｍ未満。
　◎：断線が起きておらず、傾斜面１３ｂの溝の幅が１８μｍ以上、２０μｍ以下。

　表２の結果から明らかなように、レーザーの周波数を高くするほど、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを一方向に照射するだけで、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに良好に溝を形成することができた（試験番号７～１０）。特に、周波数が５０Ｈｚ以上のものは、優れた結果であった（試験番号８～１０）。さらに、周波数が６０Ｈｚ以上のものは、より優れた結果であった（試験番号９、１０）。

　表３の結果から明らかなように、レーザーの加工速度を遅くするほど、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを一方向に照射するだけで、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに良好に溝を形成することができた（試験番号１１～１４）。特に、加工速度が１４０ｍｍ／秒以下のものは、優れた結果であった（試験番号１１～１３）。さらに、加工速度が１３０ｍｍ／秒以下のものは、より優れた結果であった（試験番号１１、１２）。

　表４の結果から明らかなように、レーザーの出力を上げるほど、レーザー照射装置やステージの配置位置や向きを変更することなく、レーザーを一方向に照射するだけで、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに良好に溝を形成することができた（試験番号１７～２０）。特に、出力が０．３５Ｗ以上のものは、優れた結果であった（試験番号１８～２０）。さらに、出力が０．４Ｗ以上のものは、より優れた結果であった（試験番号１９、２０）。

　また、図７において、（ａ）が１ｍｍ、（ｂ）が１８０μｍ、（ｃ）が６０μｍ、傾斜面１３ｂの傾斜角度θが７０°である中間構造物１０Ａの供試体を複数作成した（樹脂皮膜は形成していない）。そして、各供試体について、試験番号６～２０と同様、ＵＶ－ＹＡＧレーザーを用い、表４に示すレーザー照射条件で、絶縁基材１１の表面から凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂさらには凸形状体１３ａの上面１３ｄに亘って連続する、幅２０μｍの溝を等間隔に１０本形成した。レーザーは、凸形状体１３ａの上方から絶縁基材１１の表面に垂直な方向に照射しつつ、絶縁基材１１の表面に平行な方向に移動させた。そして、傾斜面１３ｂに形成された溝をマイクロスコープを用いて観察し、前記基準で評価した。結果を表５に併せて示す。

　表３の結果と表５の結果とを比較して明らかなように、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂの傾斜角度θが大きいほど、単位時間当たりのレーザーのエネルギーをより増大させることによって（レーザーの加工速度をより遅くすることによって）、傾斜角度θが４５°から７０°に大きくなっても、常に、凸形状体１３ａの傾斜面１３ｂに良好に溝を形成することができた（試験番号２１～２４）。

　この出願は、２０１０年１１月５日に出願された日本国特許出願特願２０１０－２４８９２５及び特願２０１０－２４８９３６を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。

　本発明を表現するために、前述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切かつ十分に説明したが、当業者であれば前述の実施形態を変更及び／又は改良することは容易になし得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態又は改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態又は当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。

　本発明は、電気・電子分野における電気回路の形成に関する技術分野において、広範な産業上の利用可能性を有する。

　１０　　　　　　立体構造物
　１０Ａ、１０Ｂ　中間構造物
　１１　　　　　　絶縁基材
　１１ａ、１２ａ、２０ａ　接続端子
　１２　　　　　　半導体チップ
　１３　　　　　　絶縁樹脂
　１３ａ　　　　　凸形状体
　１３ｂ　　　　　凸形状体の傾斜面
　１３ｃ　　　　　絶縁樹脂層
　１３ｄ　　　　　凸形状体の上面
　１４　　　　　　樹脂皮膜
　１５　　　　　　回路パターン
　１６　　　　　　メッキ触媒
　１７　　　　　　メッキ膜（配線）
　１８　　　　　　封止樹脂
　１９　　　　　　回路搭載素子
　２０　　　　　　多層回路基板
　２０ｂ　　　　　連絡配線

Claims (21)

1. 　立体構造物の表面への配線方法であって、
   　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、
   　凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、
   　外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
   　回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、
   　樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、
   　メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、
   　前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、
   　前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする立体構造物の表面への配線方法。
2. 　表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、
   　絶縁基材と、
   　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体とを備え、
   　前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする中間構造物。
3. 　凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の中間構造物。
4. 　立体構造物の表面への配線方法であって、
   　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、
   　絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、
   　外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
   　回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、
   　樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、
   　メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、
   　前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、
   　前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射することを特徴とする立体構造物の表面への配線方法。
5. 　表面に配線が設けられた立体構造物を得るための中間構造物であって、
   　絶縁基材と、
   　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により形成された凸形状体を含む絶縁樹脂層とを備え、
   　前記凸形状体は、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有していることを特徴とする中間構造物。
6. 　絶縁樹脂層の表面に除去可能に形成された樹脂皮膜をさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載の中間構造物。
7. 　凸形状体は、絶縁樹脂が凸形状に成形されたもの、及び／又は、絶縁基材に実装された、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する又は有していない電子部材を絶縁樹脂で被覆することによって形成されたものであることを特徴とする請求項２、３、５又は６のいずれか１項に記載の中間構造物。
8. 　電子部材は、単一の半導体チップ、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ、及び／又は、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子であることを特徴とする請求項７に記載の中間構造物。
9. 　凸形状体の傾斜面の傾斜角度は、絶縁基材の表面の角度を０°としたときに、絶縁基材の表面に対して１０°～８３°であることを特徴とする請求項２、３、５、６、７又は８のいずれか１項に記載の中間構造物。
10. 　凸形状体の複数の面が交差する角部は、面取り又は曲面化されていることを特徴とする請求項２、３、５、６、７、８又は９のいずれか１項に記載の中間構造物。
11. 　請求項１又は４に記載の配線方法により得られたことを特徴とする表面に配線が設けられた立体構造物。
12. 　立体構造物の表面への配線方法であって、
    　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を形成する凸形状体形成工程、
    　凸形状体の表面及び絶縁基材の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、
    　外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
    　回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、
    　樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、
    　メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、
    　前記凸形状体形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を形成し、
    　前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする立体構造物の表面への配線方法。
13. 　立体構造物の表面への配線方法であって、
    　絶縁基材の表面に絶縁樹脂により凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程、
    　絶縁樹脂層の表面に樹脂皮膜を形成する樹脂皮膜形成工程、
    　外表面側からレーザー加工をすることにより樹脂皮膜の厚みを超える深さを有する所望の形状及び深さの溝及び／又は孔を形成して回路パターンを形成する回路パターン形成工程、
    　回路パターンの表面及び樹脂皮膜の表面にメッキ触媒又はその前駆体を被着させるメッキ触媒被着工程、
    　樹脂皮膜を除去する樹脂皮膜除去工程、及び、
    　メッキ触媒又はその前駆体から形成されるメッキ触媒が残留する部位のみに無電解メッキ膜を形成するメッキ膜形成工程を備え、
    　前記絶縁樹脂層形成工程では、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する凸形状体を含む絶縁樹脂層を形成し、
    　前記回路パターン形成工程では、絶縁基材の表面に垂直方向にレーザーを照射し、かつ、凸形状体の傾斜面にレーザーを照射するときは、絶縁基材の表面に平行な面にレーザーを照射するときに比べて、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする立体構造物の表面への配線方法。
14. 　凸形状体は、絶縁樹脂が凸形状に成形されたもの、及び／又は、絶縁基材に実装された、絶縁基材の表面に対して傾斜する傾斜面を有する又は有していない電子部材を絶縁樹脂で被覆することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の配線方法。
15. 　電子部材は、単一の半導体チップ、多段に積み重ねられた複数の半導体チップ、及び／又は、チップインダクタやコンデンサ等の回路搭載素子であることを特徴とする請求項１４に記載の配線方法。
16. 　レーザーの周波数を高くすることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする請求項１２～１５のいずれか１項に記載の配線方法。
17. 　レーザーの移動速度を遅くすることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする請求項１２～１６のいずれか１項に記載の配線方法。
18. 　レーザーの出力を上げることにより、単位時間当たりのレーザーのエネルギーを増大させることを特徴とする請求項１２～１７のいずれか１項に記載の配線方法。
19. 　凸形状体の傾斜面の傾斜角度が大きいほど、単位時間当たりのレーザーのエネルギーをより増大させることを特徴とする請求項１２～１８のいずれか１項に記載の配線方法。
20. 　回路パターン形成工程では、レーザーの焦点位置を、凸形状体の基部の近傍の位置と上面の近傍の位置との間に設定することを特徴とする請求項１２～１９のいずれか１項に記載の配線方法。
21. 　請求項１２～２０のいずれか１項に記載の配線方法により得られたことを特徴とする表面に配線が設けられた立体構造物。
     
     
     

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