[go: up one dir, main page]

WO2011132616A1 - 高耐擦傷性インプリント材料 - Google Patents

高耐擦傷性インプリント材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2011132616A1
WO2011132616A1 PCT/JP2011/059420 JP2011059420W WO2011132616A1 WO 2011132616 A1 WO2011132616 A1 WO 2011132616A1 JP 2011059420 W JP2011059420 W JP 2011059420W WO 2011132616 A1 WO2011132616 A1 WO 2011132616A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
imprint material
film
pni
imprint
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/059420
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
淳平 小林
加藤　拓
圭介 首藤
正睦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to CN201180030040.5A priority Critical patent/CN102939640B/zh
Priority to KR1020127030057A priority patent/KR101852537B1/ko
Priority to JP2012511640A priority patent/JP6015937B2/ja
Publication of WO2011132616A1 publication Critical patent/WO2011132616A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H10P76/2041—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/106—Esters of polycondensation macromers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • C08F299/02—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
    • C08F299/022—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations
    • C08F299/024—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations the unsaturation being in acrylic or methacrylic groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

Definitions

  • the present invention relates to an imprint material and a film produced from the material and having a pattern transferred thereon. More specifically, the present invention relates to an imprint material having high scratch resistance even after the pattern is transferred, and a film produced from the material and having the pattern transferred thereon.
  • the molecular weights of A 1 and A 2 are M A1 and M A2 , respectively.
  • the alkylene oxide unit having 2 carbon atoms is represented by (—C 2 H 4 —O—), and is typically an ethylene oxide unit (hereinafter abbreviated as “EO” in this specification). it may be applied 44 as a molecular weight M O.
  • the alkylene oxide unit having 3 carbon atoms is represented by (—C 3 H 6 —O—) and is typically a propylene oxide unit, and 58 may be applied as the molecular weight M O thereof.
  • Example 3 DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-TMPT-3EO (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., molecular weight: 428) (hereinafter abbreviated as “A-TMPT-3EO” in this specification). Except that, an imprint material PNI-A3 was prepared in the same manner as in Example 1. In this example, A-TMPT-3EO corresponds to the component (A), and the number of alkylene oxide units per molecule is 3 EO.
  • Example 2 Example 1 except that DPEA-12 of Example 1 was changed to NK ester A-DPH (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) (hereinafter abbreviated as “A-DPH” in this specification).
  • An imprint material PNI-B2 was prepared.
  • A-DPH corresponds to the component (A ′).

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

【課題】高耐擦傷性インプリント材料を提供する。 【解決手段】 （Ａ）成分：炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、及び（Ｂ）成分：光重合開始剤を含み、前記重合性基はアクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも１種であるインプリント材料。前記（Ａ）成分のほかに、（Ａ´）成分として重合性基を少なくとも２つ有し且つ炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物を更に含有することができる。

Description

高耐擦傷性インプリント材料
　本発明は、インプリント材料、及び当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関する。より詳しくは、パターンが転写された後も高い耐擦傷性を有するインプリント材料、並びに当該材料から作製され、パターンが転写された膜に関するものである。
　１９９５年、現プリンストン大学のチョウ教授らがナノインプリントリソグラフィという新たな技術を提唱した（特許文献１）。ナノインプリントリソグラフィは、任意のパターンを有する、モールドを樹脂膜が形成された基材と接触させ、当該樹脂膜を加圧すると共に、熱または光を外部刺激として用い、目的のパターンを硬化された当該樹脂膜に形成する技術であり、このナノインプリントリソグラフィは、従来の半導体デバイス製造における光リソグラフィ等に比べて簡便・安価にナノスケールの加工が可能であるという利点を有する。
　したがって、ナノインプリントリソグラフィは、光リソグラフィ技術に代わり、半導体デバイス、オプトデバイス、ディスプレイ、記憶媒体、バイオチップ等の製造への適用が期待されている技術であることから、ナノインプリントリソグラフィに用いる光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物について様々な報告がなされている（特許文献２、特許文献３）。
　しかし、これまでにナノインプリントリソグラフィに用いる材料（以下、本明細書では「インプリント材料」と表現する。）として種々の材料が開示されているものの、凹凸パターン等の構造物を作製した後に擦傷性試験を行い、その結果高い耐擦傷性を保持していることを示した材料の報告はなされているとはいえない。一方で、固体撮像装置、太陽電池、ＬＥＤデバイス、ディスプレイなどの製品では、その内部または表面に作製した構造物に対して耐擦傷性を求められることがある。
米国特許第５７７２９０５号明細書 特開２００８－１０５４１４号公報 特開２００８－２０２０２２号公報
　本発明は、上記の事情に基づいてなされたものであり、その解決しようとする課題は、パターンが転写された後も高い耐擦傷性を有するインプリント材料を提供することであり、当該材料から作製され、パターンが転写された膜を提供することである。具体的には、パターンを転写した後の膜に対してスチールウール擦傷試験を行ったときに傷の本数が１０本以下のインプリント材料を提供することを目的とする。
　また、本明細書では、形成されるパターンサイズがナノメートルオーダーに限らず、例えば、マイクロメートルオーダーである場合を含む光ナノインプリント技術を光インプリントと称する。
　膜の耐擦傷性を向上させるために、その膜の硬度を高めること、またはその膜の表面の滑り性を高めることが考えられる。本発明者らは、凹凸構造等のパターンを有する膜では、その膜の硬度を高めるよりも、その膜の表面の滑り性を高める方が、傷が形成されにくいことを見出した結果、炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を有する化合物、及び光重合開始剤を使用することにより本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、
（Ａ）成分：炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｂ）成分：光重合開始剤
を含むインプリント材料に関する。
　本発明のインプリント材料では、分子内に炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物を使用しているため、当該インプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、そのパターン上でスチールウール擦傷試験を行っても傷の発生が１０本以下であり、傷が５０本以上発生していた従来の膜よりもはるかに少ない。
　本発明のインプリント材料は、光硬化が可能であり、且つモールドの離型時にパターンの一部の剥がれが生じないため、所望のパターンが正確に形成された膜が得られる。したがって、良好な光インプリントのパターン形成が可能である。
　また、本発明のインプリント材料は、任意の基材上に製膜することができ、インプリント後に形成される、パターンが転写された膜は、固体撮像装置、太陽電池、ＬＥＤデバイス、ディスプレイなどの、耐擦傷性が求められる部材を使用する製品（電子デバイス）へ好適に用いることができる。
　さらに、本発明のインプリント材料は、上記（Ａ）成分の化合物の種類及び含有割合を変更することで、硬化速度、動的粘度、膜厚をコントロールすることができる。したがって、本発明のインプリント材料は、製造するデバイス種と露光プロセス及び焼成プロセスの種類に対応した材料の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、光学部材の製造に好適に用いることができる。
　本発明は、炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物を使用することで、パターン転写後の膜へ耐擦傷性を付与した点に特徴があり、すなわち（Ａ）炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物及び（Ｂ）光重合開始剤を含むインプリント材料である。さらに、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、（Ａ´）成分として、重合性基を少なくとも２つ有し且つ炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物、（Ｃ）成分として界面活性剤及び（Ｄ）成分として溶剤からなる群から選ばれる１以上の成分をも含有することのできるインプリント材料である。
　以下、各成分について詳細に説明する。
＜（Ａ）成分＞
　（Ａ）成分である、炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物とは、１分子内に例えばエチレンオキサイドユニットまたはプロピレンオキサイドユニットを１つ以上有し且つ重合性基を分子末端に２つ以上有する化合物を表す。また、上記重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機基のことを指す。ここで、アクリロイルオキシ基はアクリロキシ基と、メタアクリロイルオキシ基はメタアクリロキシ基と表現されることがある。
　上記（Ａ）成分である化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ポリグリセリンモノエチレンオキサイドポリアクリレート、ポリグリセリンポリエチレングリコールポリアクリレート等が挙げられる。
　上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＮＫエステルＡ－２００、同Ａ－４００、同Ａ－６００、同Ａ－１０００、同１Ｇ、同２Ｇ、同３Ｇ、同４Ｇ、同９Ｇ、同１４Ｇ、同２３Ｇ、同ＡＢＥ－３００、同Ａ－ＢＰＥ－４、同Ａ－ＢＰＥ－６、同Ａ－ＢＰＥ－１０、同Ａ－ＢＰＥ－２０、同Ａ－ＢＰＥ－３０、同ＢＰＥ－８０Ｎ、同ＢＰＥ－１００Ｎ、同ＢＰＥ－２００、同ＢＰＥ－５００、同ＢＰＥ－９００、同ＢＰＥ－１３００Ｎ、同Ａ－ＧＬＹ－３Ｅ、同Ａ－ＧＬＹ－９Ｅ、同Ａ－ＧＬＹ－２０Ｅ、同Ａ－ＴＭＰＴ－３ＥＯ、同Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯ、同ＡＴＭ－４Ｅ、同ＡＴＭ－３５Ｅ（以上、新中村化学工業株式会社製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ－１２、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＴＨＥ－３３０、同ＲＰ－１０４０（以上、日本化薬株式会社製）、Ｍ－２１０、Ｍ－３５０（以上、東亞合成株式会社製）、等を挙げることができる。
　上記（Ａ）成分である化合物は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。
＜（Ａ´）成分＞
　（Ａ´）成分として、重合性基を少なくとも２つ有し且つ炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート等を挙げることができる。
　上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ、同ＮＰＧＤＡ、同ＰＥＴ３０（以上、日本化薬株式会社製）、ＮＫエステルＡ－ＤＰＨ、同Ａ－ＴＭＰＴ、同Ａ－ＤＣＰ、同Ａ－ＨＤ－Ｎ、同ＴＭＰＴ、同ＤＣＰ、同ＮＰＧ、同ＨＤ－Ｎ（以上、新中村化学工業株式会社製）等を挙げることができる。
　本発明に含まれる（Ａ）成分は、パターン転写後の膜に対して耐擦傷性を付与することができる。炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットの含有量については、分子量計算において１分子あたりの炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニット濃度が７％以上８０％以下、好ましくは２０％以上８０％以下、より好ましくは２２％以上７８％以下である。炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニット濃度が７％より小さいと、そのような（Ａ）成分を含むインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、耐擦傷性に劣る場合がある。ここでアルキレンオキサイドユニット濃度とは、（Ａ）成分の分子量に対するその（Ａ）成分のアルキレンオキサイドユニットの分子量の割合を表す。本発明に含まれる（Ａ）成分が２種以上の化合物からなる場合、及び本発明が（Ａ）成分に加えて（Ａ´）成分を含む場合は、後述する式（１）または式（２）を適用した、炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニット濃度が７％以上８０％以下、好ましくは２０％以上８０％以下、より好ましくは２２％以上７８％以下である。また、本発明が（Ａ）成分に加えて（Ａ´）成分を含む場合、（Ａ）成分と（Ａ´）成分の合計１００質量部に対する（Ａ）成分の割合は、１０質量部以上１００質量部未満であることが好ましい。（Ａ）成分の割合が１０質量部より小さいと、当該（Ａ）成分及び（Ａ´）成分を含むインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜は、耐擦傷性に劣る場合がある。
　例えば、（Ａ）成分である化合物Ａをｘ質量％（ｘは０＜ｘ≦１００を満たす正数）及び（Ａ´）成分である化合物Ｂを（１００－ｘ）質量％含む場合の、アルキレンオキサイドユニット濃度（％）は、下記式（１）で表される。ただし、化合物Ａのアルキレンオキサイドユニット１個当たりの分子量をＭO、化合物Ａの１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数ｎA、化合物Ａ及びＢの分子量をそれぞれＭA，ＭBとする。ｘ＝１００の場合は、（Ａ´）成分を含まないことを意味する。
　１００（ＭO×ｎA×ｘ）／｛（ＭA×ｘ）＋〔ＭB×（１００－ｘ）〕｝・・・（１）
　一方、（Ａ）成分が化合物Ａ1及びＡ2から成り、当該化合物Ａ1をｘ質量％（ｘは０＜ｘ≦１００を満たす正数）及び化合物Ａ2を（１００－ｘ）質量％含む場合の、アルキレンオキサイドユニット濃度（％）は、下記式（２）で表される。ただし、化合物Ａ1及びＡ2のアルキレンオキサイドユニット１個当たりの分子量をそれぞれＭO1，ＭO2、化合物Ａ1及びＡ2の１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数をそれぞれｎA1，ｎA2、化合物Ａ1及びＡ2の分子量をそれぞれＭA1，ＭA2とする。ｘ＝１００の場合は、（Ａ）成分が化合物Ａ1から成り化合物Ａ2を含まないことを意味する。
　１００｛（ＭO1×ｎA1×ｘ）＋〔ＭO2×ｎA2×（１００－ｘ）｝／｛（ＭA1×ｘ）＋〔ＭA2×（１００－ｘ）〕｝・・・（２）
　なお、炭素原子数２のアルキレンオキサイドユニットは（－Ｃ2Ｈ4－Ｏ－）で表され、代表的にはエチレンオキサイドユニット（以下、本明細書では「ＥＯ」と略称する。）であり、その分子量ＭOとして４４を適用すればよい。炭素原子数３のアルキレンオキサイドユニットは（－Ｃ3Ｈ6－Ｏ－）で表され、代表的にはプロピレンオキサイドユニットであり、その分子量ＭOとして５８を適用すればよい。
＜（Ｂ）成分＞
　（Ｂ）成分である光重合開始剤としては、例えば、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ－ｉｓｏ－ブタレート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルジオキシ）ヘキサン、１，４－ビス［α－（ｔｅｒｔ－ブチルジオキシ）－ｉｓｏ－プロポキシ］ベンゼン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルジオキシ）ヘキセンヒドロペルオキシド、α－（ｉｓｏ－プロピルフェニル）－ｉｓｏ－プロピルヒドロペルオキシド、２，５－ジメチルヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキシド、１，１－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルジオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、ブチル－４，４－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルジオキシ）バレレート、シクロヘキサノンペルオキシド、２，２’，５，５’－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’－テトラ（ｔｅｒｔ－アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’－テトラ（ｔｅｒｔ－ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシカルボニル）－４，４’－ジカルボキシベンゾフェノン、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシベンゾエート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物、９，１０－アントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α－メチルベンゾイン、α－フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－ヒドロキシ－シクロヘキシル－フェニル－ケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－［４－｛４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）ベンジル｝－フェニル］－２－メチル－プロパン－１－オン、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチル－ベンジル）－１－（４－モリフォリン－４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）等の光ラジカル発生剤が挙げられるが、光硬化時に使用する光源に吸収をもつものであれば、特に限定されない。
　上記化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）６５１、同１８４、同５００、同２９５９、同１２７、同７５４、同９０７、同３６９、同３７９、同３７９ＥＧ、同８１９、同８１９ＤＷ、同１８００、同１８７０、同７８４、同ＯＸＥ０１、同ＯＸＥ０２、同２５０、ＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３、同ＭＢＦ、同ＴＰＯ、同４２６５（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）、ＫＡＹＡＣＵＲＥ－ＤＥＴＸ、同ＭＢＰ、同ＤＭＢＩ、同ＥＰＡ、同ＯＡ（以上、日本化薬株式会社製）、ＶＩＣＵＲＥ－１０、同５５（以上、ＳＴＡＵＦＦＥＲ　Ｃｏ．ＬＴＤ製）、ＥＳＡＣＵＲＥ　ＫＩＰ１５０、同ＴＺＴ、同１００１、同ＫＴＯ４６、同ＫＢ１、同ＫＬ２００、同ＫＳ３００、同ＥＢ３、トリアジン－ＰＭＳ、トリアジンＡ、トリアジンＢ（以上、日本シイベルヘグナー株式会社製）、アデカオプトマ－Ｎ－１７１７、同Ｎ－１４１４、同Ｎ－１６０６（株式会社ＡＤＥＫＡ（旧旭電化工業株式会社）製）等が挙げられる。
　上記光重合開始剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。
　本発明のインプリント材料における（Ｂ）成分の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、０．５ｐｈｒ乃至３０ｐｈｒであることが好ましく、１ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒであることがより好ましい。この割合が０．１ｐｈｒ以下の場合には、十分な硬化性が得られず、パターニング特性の悪化及び耐擦傷性の低下が起こるからである。ここで、ｐｈｒとは、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総質量１００ｇに対する、光重合開始剤の質量を表す。
＜（Ｃ）成分＞
　本発明のインプリント材料は（Ｃ）成分として界面活性剤を含有しても良い。（Ｃ）成分である界面活性剤を含む場合は、得られる塗膜の製膜性を調整する役割を果たす。
　界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェ二ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ（登録商標）ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（三菱マテリアル電子化成株式会社）、メガファック（登録商標）Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ－０８、同Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社製）、アサヒガード（登録商標）ＡＧ７１０、サーフロン（登録商標）Ｓ－３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子株式会社製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業株式会社製）、ＢＹＫ（登録商標）－３０２、同－３０７、同－３２２、同－３２３、同－３３０、同－３３３、同－３７０、同－３７５、同－３７８、同－ＵＶ３５００、同－ＵＶ３５７０（ビックケミー・ジャパン株式会社製）等を挙げることができる。
　上記界面活性剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。界面活性剤が使用される場合、その割合は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至２０ｐｈｒ、より好ましくは０．０１ｐｈｒ乃至１０ｐｈｒである。
＜（Ｄ）成分＞
　本発明のインプリント材料は（Ｄ）成分として溶剤を含有しても良い。（Ｄ）成分である溶剤を含む場合は、（Ａ）成分である化合物の粘度調節の役割を果たす。本発明の場合、溶剤の使用は任意であるが、通常は溶剤を必要としない。
　上記溶剤としては、例えば、トルエン、ｐ－キシレン、ｏ－キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ－ルジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１－オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、γ－ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ－ブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、アリルアルコール、ｎ－プロパノール、２－メチル－２－ブタノール、イソブタノール、ｎ－ブタノール、２－メチル－１－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－１－ペンタノール、２－エチルヘキサノール、１－オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１－メトキシ－２－ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフリフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、１，４－ジオキサン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリジン等が挙げられ、上記（Ａ）成分の粘度を調節することができるものであれば、特に限定されるものではない。
　しかし、（Ａ）成分である化合物及び（Ｂ）成分である光重合開始剤との相溶性の観点から、好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリドン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル等である。
　上記溶剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。
　本発明のインプリント材料は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、エポキシ化合物、光酸発生剤、光増感剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、密着補助剤及び離型性向上剤から選ばれる少なくとも１種の添加剤を更に含有することができる。
　上記エポキシ化合物は、エポキシ基またはオキシラン環を少なくとも１つ有する化合物であり、例えば、エポリード（登録商標）ＧＴ－４０１、同ＰＢ３６００、セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、同２０００、同３０００、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ、サイクロマー（登録商標）Ｍ１００（以上、ダイセル化学工業株式会社製）、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）８４０、同８４０－Ｓ、同Ｎ－６６０、同Ｎ－６７３－８０Ｍ（以上、ＤＩＣ株式会社製）等が挙げられる。
　上記光酸発生剤としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＰＡＧ１０３、同ＰＡＧ１０８、同ＰＡＧ１２１、同ＰＡＧ２０３、同ＣＧＩ７２５（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社製）、ＷＰＡＧ－１４５、ＷＰＡＧ－１７０、ＷＰＡＧ－１９９、ＷＰＡＧ－２８１、ＷＰＡＧ－３３６、ＷＰＡＧ－３６７（以上、和光純薬工業株式会社製）、ＴＦＥ－トリアジン、ＴＭＥ－トリアジン、ＭＰ－トリアジン、ジメトキシトリアジン、ＴＳ－９１、ＴＳ－０１（株式会社三和ケミカル製）等が挙げられる。
　上記光増感剤としては、例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３－置換クマリン系、３，４－置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等が挙げられる。
　上記光増感剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。当該光増感剤を用いることによって、ＵＶ領域の波長を調整することもできる。
　上記紫外線吸収剤としては、例えば、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）ＰＳ、同９９－２、同１０９、同３２８、同３８４－２、同４００、同４０５、同４６０、同４７７、同４７９、同９００、同９２８、同１１３０、同１１１ＦＤＬ、同１２３、同１４４、同１５２、同２９２、同５１００、同４００－ＤＷ、同４７７－ＤＷ、同９９－ＤＷ、同１２３－ＤＷ、同５０５０、同５０６０、同５１５１（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社）等が挙げられる。
　上記紫外線吸収剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。当該紫外線吸収剤を用いることによって、光硬化時に膜の最表面の硬化速度を制御することができ、離型性を向上できる場合がある。
　上記酸化防止剤としては、例えば、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、同１０３５、同１０７６、同１１３５、同１５２０Ｌ（以上、ＢＡＳＦジャパン株式会社）等が挙げられる。
　上記酸化防止剤は、単独または２種以上の組み合わせで使用することができる。当該酸化防止剤を用いることで、酸化によって膜が黄色に変色することを防止することができる。
　上記密着補助剤としては、例えば、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。当該密着補助剤を用いることによって、基材との密着性が向上する。当該密着補助剤の含有量は、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分の総質量に対して、好ましくは５ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒ、より好ましくは１０ｐｈｒ乃至５０ｐｈｒである。
　上記離型性向上剤としては、シリコーンユニット含有化合物またはフッ素含有化合物が挙げられる。シリコーンユニット含有化合物としては、Ｘ－２２－１６４、Ｘ－２２－１６４ＡＳ、Ｘ－２２－１６４Ａ、Ｘ－２２－１６４Ｂ、Ｘ－２２－１６４Ｃ、Ｘ－２２－１６４Ｅ、Ｘ－２２－１６３、Ｘ－２２－１６９ＡＳ、Ｘ－２２－１７４ＤＸ、Ｘ－２２－２４２６、Ｘ－２２－９００２、Ｘ－２２－２４７５、Ｘ－２２－４９５２、ＫＦ－６４３、Ｘ－２２－３４３、Ｘ－２２－２０４６（以上、信越化学工業株式会社製）等が挙げられる。フッ素含有化合物としては、Ｒ－５４１０、Ｒ－１４２０、Ｍ－５４１０、Ｍ－１４２０、Ｅ－５４４４、Ｅ－７４３２、Ａ－１４３０、Ａ－１６３０（以上ダイキン工業株式会社製）等が挙げられる。
　本発明のインプリント材料の調製方法は、特に限定されないが、（Ａ）成分、（Ａ´）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分が均一に混合した状態であれば良い。また、（Ａ）成分乃至（Ｄ）成分を混合する際の順序は、均一な溶液が得られるなら問題なく、特に限定されない。当該調製方法としては、例えば、（Ａ）成分に（Ｂ）成分を所定の割合で混合する方法等が挙げられる。また、これに更に（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分を混合し、均一な溶液とする方法等も挙げられる。さらに、この調製方法の適当な段階において、必要に応じて、その他の添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
　また、（Ｄ）成分である溶剤を用いる場合には、光照射前の膜及び光照射後の膜の少なくとも一方に対し、溶剤を蒸発させる目的で、焼成しても良い。焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で焼成することができるものであればよい。焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では、特に限定されないが、例えば、４０℃乃至２００℃で行うことができる。
　本発明のインプリント材料は、基材に塗布し光硬化することで所望の膜を得ることができる。塗布方法としては、公知または周知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等を挙げることができる。
　本発明のインプリント材料を塗布するための基材としては、例えば、シリコン、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が製膜されたガラス（ＩＴＯ基板）、シリコンナイトライド（ＳｉＮが製膜されたガラス（ＳｉＮ基板）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が製膜されたガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、アクリル、プラスチック、ガラス、石英、セラミックス等からなる基材を挙げることができる。また、可撓性を有するフレキシブル基材を用いることも可能である。
　本発明のインプリント材料を硬化させる光源としては、特に限定されないが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、Ｆ2エキシマーレーザー、電子線（ＥＢ）、極端紫外線（ＥＵＶ）等を挙げることができる。また、波長は、一般的には、４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線、またはＧＨＩ混合線を用いることができる。さらに、露光量は、好ましくは、３０乃至２０００ｍＪ／ｃｍ2、より好ましくは３０乃至１０００ｍＪ／ｃｍ2である。
　光インプリントを行う装置は、目的のパターンが得られれば、特に限定されないが、例えば、東芝機械株式会社のＳＴ５０、Ｏｂｄｕｃａｔ社製のＳｉｎｄｒｅ（登録商標）６０、明昌機構株式会社製のＮＭ－０８０１ＨＢ等の市販されている装置を用いることができる。
　本発明で用いる光インプリント用に使用するモールド材としては、例えば、石英、シリコン、ニッケル、アルミナ、カルボニルシラン、グラッシーカーボン等を挙げることができるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。また、モールドは、離型性を高めるために、その表面にフッ素系化合物等の薄膜を形成する離型処理を行っても良い。離型処理に用いる離型剤としては、例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツール（登録商標）ＨＤ等が挙げられるが、目的のパターンが得られるなら、特に限定されない。
　光インプリントのパターンは、目的の電子デバイスに適合したパターンを選択すればよく、パターンサイズもこれに準ずる。パターンサイズは、例えば、ナノメートルオーダー及びマイクロメートルオーダーである。
　以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、これら実施例に限定されるものでない。
［膜形成用塗布液の調製］
＜実施例１＞
　ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＥＡ－１２（日本化薬株式会社製、分子量：１０８０）（以下、本明細書では「ＤＰＥＡ－１２」と略称する。）５ｇにＤＡＲＯＣＵＲ（登録商標）１１７３（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）（以下、本明細書では「ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３」と略称する。）を１ｇ（ＤＰＥＡ－１２の総質量に対して２０ｐｈｒ）加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１を調製した。本実施例において、ＤＰＥＡ－１２は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯ（エチレンオキサイドユニット）が１２個である。ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３は（Ｂ）成分に該当する。
＜実施例２＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡＴＭ－４Ｅ（新中村化学工業株式会社製、分子量：５２９）（以下、本明細書では「ＡＴＭ－４Ｅ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ２を調製した。本実施例において、ＡＴＭ－４Ｅは（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが４個である。
＜実施例３＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＴＭＰＴ－３ＥＯ（新中村化学工業株式会社製、分子量：４２８）（以下、本明細書では「Ａ－ＴＭＰＴ－３ＥＯ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ３調製した。本実施例において、Ａ－ＴＭＰＴ－３ＥＯは（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが３個である。
＜実施例４＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＴＭＰＴ－９ＥＯ（新中村化学工業株式会社製、分子量：６９２）（以下、本明細書では「Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ４を調製した。本実施例において、Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯは（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが９個である。
＜実施例５＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＢＰＥ－２０（新中村化学工業株式会社製、分子量：１２１６）（以下、本明細書では「Ａ－ＢＰＥ－２０」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ５を調製した。本実施例において、Ａ－ＢＰＥ－２０は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが１７個である。
＜実施例６＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＢＰＥ－１０（新中村化学工業株式会社製、分子量：７７６）（以下、本明細書では「Ａ－ＢＰＥ－１０」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ６を調製した。本実施例において、Ａ－ＢＰＥ－１０は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが１０個である。
＜実施例７＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＢＰＥ－４（新中村化学工業株式会社製、分子量：５１２）（以下、本明細書では「Ａ－ＢＰＥ－４」と略称する）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ７を調製した。本実施例において、Ａ－ＢＰＥ－４は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが４個である。
＜実施例８＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－４００（新中村化学工業株式会社製、分子量：５０８）（以下、本明細書では「Ａ－４００」と略称する）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ８を調製した。本実施例において、Ａ－４００は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが９個である。
＜実施例９＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－２００（新中村化学工業株式会社製、分子量：３０８）（以下、本明細書では「Ａ－２００」と略称する）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ９を調製した。本実施例において、Ａ－２００は（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが４個である。
＜実施例１０＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステル１Ｇ（新中村化学工業株式会社製、分子量：１９８）（以下、本明細書では「１Ｇ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ａ１０を調製した。本実施例において、１Ｇは（Ａ）成分に該当し、その１分子当たりのアルキレンオキサイドユニットの数は、ＥＯが１個である。
＜実施例１１＞
　ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製、分子量：５５２）（以下、本明細書では「ＤＰＨＡ」と略称する。）４．５ｇにＡ－４００を０．５ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、１０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１１を調製した。本実施例及び後述する実施例１２乃至１７において、Ａ－４００は（Ａ）成分に該当し、ＤＰＨＡは炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有さない（Ａ´）成分に該当し、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３は（Ｂ）成分に該当する。
＜実施例１２＞
　ＤＰＨＡ４ｇにＡ－４００を１ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、２０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１２を調製した。
＜実施例１３＞
　ＤＰＨＡ３．５ｇにＡ－４００を１．５ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、３０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１３を調製した。
＜実施例１４＞
　ＤＰＨＡ２．５ｇにＡ－４００を２．５ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、５０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１４を調製した。
＜実施例１５＞
　ＤＰＨＡ１．５ｇにＡ－４００を３．５ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、７０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１５を調製した。
＜実施例１６＞
　ＤＰＨＡ１ｇにＡ－４００を４ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、８０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１６を調製した。
＜実施例１７＞
　ＤＰＨＡ０．５ｇにＡ－４００を４．５ｇ（ＤＰＨＡとＡ－４００の合計１００質量部の内、９０質量部）、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を１ｇ（ＤＰＨＡ及びＡ－４００の総質量に対して２０ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１７を調製した。
＜実施例１８＞
　Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯ２．５ｇにエポリード（登録商標）ＧＴ－４０１（ダイセル化学工業（株）製、分子量：６７５）（以下、本明細書では「ＧＴ－４０１」と略称する。）を２．５ｇ、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３を０．５ｇ（Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯに対して２０ｐｈｒ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ１０３を０．１ｇ（ＧＴ－４０１に対して４ｐｈｒ）を加え、インプリント材料ＰＮＩ－Ａ１８を調製した。本実施例において、Ａ－ＴＭＰＴ－９ＥＯは（Ａ）成分に該当し、ＧＴ－４０１は必要に応じて含有することができるエポキシ化合物に該当し、ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３は（Ｂ）成分に該当し、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ１０３は必要に応じて含有することができる光酸発生剤に該当する。
＜比較例１＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＤＰＨＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ１を調製した。本比較例において、ＤＰＨＡは（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例２＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＤＰＨ（新中村化学工業株式会社製）（以下、本明細書では「Ａ－ＤＰＨ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ２を調製した。本比較例において、Ａ－ＤＰＨは（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例３＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＮＫエステルＡ－ＴＭＰＴ（新中村化学工業株式会社製）（以下、本明細書では「Ａ－ＴＭＰＴ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ３を調製した。本比較例において、Ａ－ＴＭＰＴは（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例４＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＰＥＴ－３０（日本化薬株式会社製）（以下、本明細書では「ＰＥＴ－３０」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ４を調製した。本比較例において、ＰＥＴ－３０は（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例５＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をペンタエリスリトールトリアクリレート（アルドリッチ社製）（以下、本明細書では「ＰＴＡ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ５を調製した。本比較例において、ＰＴＡは（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例６＞
　実施例１のＤＰＥＡ－１２をＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＮＰＧＤＡ（日本化薬株式会社製）（以下、本明細書では「ＮＰＧＤＡ」と略称する。）に変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ６を調製した。本比較例及び後述する比較例７乃至１３において、ＮＰＧＤＡは（Ａ´）成分に該当する。
＜比較例７＞
　実施例１１のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ７を調製した。
＜比較例８＞
　実施例１２のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ８を調製した。
＜比較例９＞
　実施例１３のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ９を調製した。
＜比較例１０＞
　実施例１４のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ１０を調製した。
＜比較例１１＞
　実施例１５のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ１１を調製した。
＜比較例１２＞
　実施例１６のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ１２を調製した。
＜比較例１３＞
　実施例１７のＡ－４００をＮＰＧＤＡに変更した以外は、実施例１と同様にインプリント材料ＰＮＩ－Ｂ１３を調製した。
［光インプリント］
　インプリント装置は、ＮＭ－０８０１ＨＢ（明昌機構株式会社製）を使用した。実施例１乃至実施例１８並びに比較例１乃至比較例１３で調製したインプリント材料から作製した各光インプリント用膜をパターニング試験した。用いたモールドはシリコン製であり、パターンは１００ｎｍのラインアンドスペースパターン（以下、本明細書では「Ｌ／Ｓ」と略称する。）及び直径１００ｎｍのドットパターン（以下、本明細書では「Ｄｏｔ」と略称する。）の２種類を使用した。モールドは事前にオプツール（登録商標）ＨＤ（ダイキン工業株式会社製）に浸漬し、温度が９０℃、湿度が９０ＲＨ％の高温高湿装置を用いて１時間処理し、純水でリンス後、エアーで乾燥させたものを使用した。
［スチールウール擦傷試験］
　試験機は大栄精機（有）製を使用し、♯００００のスチールウールを使用した。荷重は８２ｇとし、そのスチールウールを１０往復させた。
擦傷後の傷本数について以下のように示した結果を表１に示す。
　　０～５本：Ａ
　６～１０本：Ｂ
１１～２０本：Ｃ
２１～３０本：Ｄ
３１～４０本：Ｅ
　４１本以上：Ｆ
　実施例１で得たＰＮＩ－Ａ１をガラス基板上にスピンコートし、シリコン製モールドを接着させた状態で、光インプリント装置に設置した。光インプリントは、常時２３℃の条件で、ａ）１０秒間かけて１０００Ｎまで加圧、ｂ）高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光、ｃ）１０秒間かけて除圧、ｄ）モールドと基板を分離して離型、というシーケンスで行い、Ｌ／Ｓ及びＤｏｔが転写された膜をそれぞれ得た。そしてそれぞれの膜について、スチールウール擦傷試験を行った。このとき、Ｌ／Ｓについてはラインと垂直方向に擦傷試験を行った。そして試験後の傷本数を観察した。
　実施例２で得たＰＮＩ－Ａ２を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例３で得たＰＮＩ－Ａ３を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例４で得たＰＮＩ－Ａ４を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例５で得たＰＮＩ－Ａ５を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例６で得たＰＮＩ－Ａ６を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例７で得たＰＮＩ－Ａ７を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例８で得たＰＮＩ－Ａ８を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例９で得たＰＮＩ－Ａ９を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１０で得たＰＮＩ－Ａ１０を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１１で得たＰＮＩ－Ａ１１を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１２で得たＰＮＩ－Ａ１２を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１３で得たＰＮＩ－Ａ１３を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１４で得たＰＮＩ－Ａ１４を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１５で得たＰＮＩ－Ａ１５を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１６で得たＰＮＩ－Ａ１６を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１７で得たＰＮＩ－Ａ１７を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　実施例１８で得たＰＮＩ－Ａ１８を使用した以外は上記と同様の方法で、光インプリントを行った。そしてＬ／Ｓ及びＤｏｔが転写された膜についてそれぞれ１００℃で２分間の焼成を行った後にスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例１で得たＰＮＩ－Ｂ１を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例２で得たＰＮＩ－Ｂ２を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例３で得たＰＮＩ－Ｂ３を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例４で得たＰＮＩ－Ｂ４を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例５で得たＰＮＩ－Ｂ５を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例６で得たＰＮＩ－Ｂ６を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例７で得たＰＮＩ－Ｂ７を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例８で得たＰＮＩ－Ｂ８を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例９で得たＰＮＩ－Ｂ９を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例１０で得たＰＮＩ－Ｂ１０を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例１１で得たＰＮＩ－Ｂ１１を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例１２で得たＰＮＩ－Ｂ１２を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
　比較例１３で得たＰＮＩ－Ｂ１３を使用した以外は上記実施例１で得たインプリント材料を用いた方法と同様の方法で、光インプリント及びスチールウール擦傷試験を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１の結果から、実施例１乃至実施例１８はいずれもスチールウール擦傷試験後に発生する傷の本数は１０本以下であり、耐擦傷性が確認された。一方、比較例１乃至比較例１３はいずれも傷が多数発生し、十分な耐擦傷性は見られなかった。以上の結果から、本発明のインプリント材料を基材に塗布して得られる膜は、インプリント後も耐擦傷性を有するものとなる。
　本発明のインプリント材料から得られる膜は、固体撮像装置（ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）、太陽電池、ＬＥＤデバイス、ディスプレイ（液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等）などの、耐擦傷性が求められる部材を使用する製品（電子デバイス）へ好適に用いることができる。

Claims (13)

  1. 　（Ａ）成分：炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有し且つ重合性基を少なくとも２つ有する化合物、及び
    　（Ｂ）成分：光重合開始剤を含み、
    　前記重合性基はアクリロイルオキシ基、アクリロイル基、メタアクリロイルオキシ基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも１種であるインプリント材料。
  2. 　前記（Ａ）成分の分子量に対する前記（Ａ）成分中のアルキレンオキサイドユニットの分子量の割合が７％以上８０％以下である請求項１に記載のインプリント材料。
  3. 　前記（Ａ）成分のほかに、（Ａ´）成分として重合性基を少なくとも２つ有し且つ炭素原子数２または３のアルキレンオキサイドユニットを有さない化合物を更に含有する、請求項１に記載のインプリント材料。
  4. 　前記（Ａ´）成分と（Ａ）成分の合計１００質量部に対する前記（Ａ）成分の割合は１０質量部以上１００質量部未満である、請求項３に記載のインプリント材料。
  5. 　（Ｃ）成分として界面活性剤を更に含有する、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のインプリント材料。
  6. 　（Ｄ）成分として溶剤を更に含有する、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のインプリント材料。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のインプリント材料から作製され、パターンが転写された膜。
  8. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた光学部材。
  9. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた固体撮像装置。
  10. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたＬＥＤデバイス。
  11. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた太陽電池。
  12. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えたディスプレイ。
  13. 　請求項７に記載のパターンが転写された膜を基材上に備えた電子デバイス。
PCT/JP2011/059420 2010-04-19 2011-04-15 高耐擦傷性インプリント材料 Ceased WO2011132616A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201180030040.5A CN102939640B (zh) 2010-04-19 2011-04-15 高耐擦伤性压印材料
KR1020127030057A KR101852537B1 (ko) 2010-04-19 2011-04-15 고내찰상성 임프린트 재료
JP2012511640A JP6015937B2 (ja) 2010-04-19 2011-04-15 高耐擦傷性インプリント材料

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-096300 2010-04-19
JP2010096300 2010-04-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011132616A1 true WO2011132616A1 (ja) 2011-10-27

Family

ID=44834136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/059420 Ceased WO2011132616A1 (ja) 2010-04-19 2011-04-15 高耐擦傷性インプリント材料

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6015937B2 (ja)
KR (1) KR101852537B1 (ja)
CN (1) CN102939640B (ja)
TW (1) TWI565721B (ja)
WO (1) WO2011132616A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072238A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Nissan Chem Ind Ltd インプリント材料
WO2016136181A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Patterning method, method for producing processed substrate, method for producing optical component, method for producing circuit board, and method for producing electronic component
JP2016199617A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 日本合成化学工業株式会社 光硬化性組成物
JP2017043103A (ja) * 2016-11-08 2017-03-02 リンテック株式会社 光学用フィルム、並びにディスプレイ装置
WO2017169838A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Dic株式会社 光学物品用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、硬化物及び光学シート
TWI610946B (zh) * 2013-04-18 2018-01-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. 壓印材料
CN109642000A (zh) * 2016-10-12 2019-04-16 日产化学株式会社 耐光性硬涂层材料

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201901065TA (en) * 2016-08-10 2019-03-28 Nissan Chemical Corp Imprint material

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10182745A (ja) * 1996-09-17 1998-07-07 Nof Corp 含フッ素単量体組成物及び減反射フィルム
JPH1180293A (ja) * 1997-09-16 1999-03-26 Nippon Kayaku Co Ltd 光学材料用樹脂組成物及びその硬化物
WO2007029542A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ナノインプリント用の膜形成組成物およびパターン形成方法
JP2008238416A (ja) * 2007-03-24 2008-10-09 Daicel Chem Ind Ltd ナノインプリント用樹脂組成物
WO2009101758A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Daicel Chemical Industries, Ltd. ナノインプリント用硬化性樹脂組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007084783A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Nippon Shokubai Co Ltd 硬化性組成物及び硬化物
JP4770354B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-14 日立化成工業株式会社 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4929722B2 (ja) * 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法
JP4952045B2 (ja) * 2006-04-28 2012-06-13 Ｊｓｒ株式会社 エネルギー線硬化型インクジェット印刷用インク
JP5117002B2 (ja) * 2006-07-10 2013-01-09 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5109370B2 (ja) * 2006-12-28 2012-12-26 大日本印刷株式会社 ハードコート層用硬化性樹脂組成物、及びハードコートフィルム
JP2008202022A (ja) * 2007-01-23 2008-09-04 Fujifilm Corp 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2009260274A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Mitsubishi Rayon Co Ltd 太陽電池用透明部材および太陽電池
JP5269467B2 (ja) * 2008-04-18 2013-08-21 三菱レイヨン株式会社 照明装置用保護板、およびこれを具備した照明装置
JP5202146B2 (ja) * 2008-07-14 2013-06-05 日本化薬株式会社 （メタ）アクリレート化合物及びそれを含有する活性エネルギー線硬化型樹脂組成物並びにその硬化物
JP2010218605A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Toshiba Corp パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料、及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法
US8968857B2 (en) * 2009-08-25 2015-03-03 Nissan Chemical Industries, Ltd. High hardness imprint material
TWI433882B (zh) * 2010-04-05 2014-04-11 Mitsubishi Rayon Co 活性能量線硬化性樹脂組成物與使用該組成物之奈米凹凸構造體及其製造方法、以及具備奈米凹凸構造體的撥水性物品
JP5017446B2 (ja) * 2010-12-08 2012-09-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10182745A (ja) * 1996-09-17 1998-07-07 Nof Corp 含フッ素単量体組成物及び減反射フィルム
JPH1180293A (ja) * 1997-09-16 1999-03-26 Nippon Kayaku Co Ltd 光学材料用樹脂組成物及びその硬化物
WO2007029542A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ナノインプリント用の膜形成組成物およびパターン形成方法
JP2008238416A (ja) * 2007-03-24 2008-10-09 Daicel Chem Ind Ltd ナノインプリント用樹脂組成物
WO2009101758A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Daicel Chemical Industries, Ltd. ナノインプリント用硬化性樹脂組成物

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072238A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Nissan Chem Ind Ltd インプリント材料
TWI610946B (zh) * 2013-04-18 2018-01-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. 壓印材料
WO2016136181A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Patterning method, method for producing processed substrate, method for producing optical component, method for producing circuit board, and method for producing electronic component
JP2016162862A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 キヤノン株式会社 パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
US10395943B2 (en) 2015-02-27 2019-08-27 Canon Kabushiki Kaisha Patterning method, method for producing processed substrate, method for producing optical component, method for producing circuit board, and method for producing electronic component
JP2016199617A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 日本合成化学工業株式会社 光硬化性組成物
WO2017169838A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Dic株式会社 光学物品用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、硬化物及び光学シート
JPWO2017169838A1 (ja) * 2016-03-30 2018-06-28 Dic株式会社 光学物品用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、硬化物及び光学シート
CN109642000A (zh) * 2016-10-12 2019-04-16 日产化学株式会社 耐光性硬涂层材料
JP2017043103A (ja) * 2016-11-08 2017-03-02 リンテック株式会社 光学用フィルム、並びにディスプレイ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6319596B2 (ja) 2018-05-09
TWI565721B (zh) 2017-01-11
TW201302819A (zh) 2013-01-16
JPWO2011132616A1 (ja) 2013-07-18
CN102939640B (zh) 2016-05-11
JP6015937B2 (ja) 2016-10-26
KR20130054960A (ko) 2013-05-27
KR101852537B1 (ko) 2018-04-27
CN102939640A (zh) 2013-02-20
JP2016195268A (ja) 2016-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6319596B2 (ja) 高耐擦傷性インプリント材料
JP5348433B2 (ja) 低誘電率インプリント材料
JP5263560B2 (ja) 高硬度インプリント材料
KR102226670B1 (ko) 실세스퀴옥산 화합물 및 변성 실리콘 화합물을 포함하는 임프린트 재료
KR20160002707A (ko) 임프린트 재료
JP5884988B2 (ja) ウレタン化合物を含む高耐擦傷性インプリント材料
JP5794420B2 (ja) シリコーン骨格を有する化合物を含む光インプリント材料
JP2013095833A (ja) 高屈折率インプリント材料
JP6338061B2 (ja) 低離型力性を有するインプリント材料
KR102411425B1 (ko) 임프린트재료
JP6061073B2 (ja) インプリント材料
WO2018030351A1 (ja) インプリント材料

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180030040.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11771951

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012511640

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127030057

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11771951

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1