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WO2011081109A1 - Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 - Google Patents

Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 Download PDF

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WO2011081109A1
WO2011081109A1 PCT/JP2010/073452 JP2010073452W WO2011081109A1 WO 2011081109 A1 WO2011081109 A1 WO 2011081109A1 JP 2010073452 W JP2010073452 W JP 2010073452W WO 2011081109 A1 WO2011081109 A1 WO 2011081109A1
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WO
WIPO (PCT)
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polishing
cmp
acid
polishing liquid
mass
Prior art date
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Application number
PCT/JP2010/073452
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English (en)
French (fr)
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真之 花野
英一 佐藤
宗宏 太田
環司 茅根
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Priority to KR1020127019105A priority patent/KR101419156B1/ko
Priority to US13/519,809 priority patent/US8853082B2/en
Priority to JP2011547671A priority patent/JP5516604B2/ja
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    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
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    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H10P52/00—
    • H10P95/062—

Definitions

  • the present invention relates to a CMP polishing liquid and a polishing method using the same, and more particularly to a CMP polishing liquid suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer material and a polishing method using the same.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the CMP technique is a technique for forming a thin film on a substrate by chemical vapor deposition (CVD) or the like and then planarizing the surface.
  • CVD chemical vapor deposition
  • a planarization process by CMP is indispensable. If the surface of the substrate is uneven, there will be inconveniences such as inability to focus in the exposure process and the inability to sufficiently form a fine wiring structure.
  • Such a CMP technique is a process for forming an element isolation region by polishing a plasma oxide film (BPSG, HDP-SiO 2 , p-TEOS), a process for forming an interlayer insulating film, or an oxidation process in a device manufacturing process.
  • the present invention is also applied to a process of flattening a plug (for example, an Al / Cu plug) after a silicon-containing film is embedded in a metal wiring.
  • CMP is usually performed using an apparatus capable of supplying a polishing liquid onto a polishing pad. Then, the substrate surface is polished by pressing the substrate against the polishing pad while supplying the polishing liquid between the substrate surface and the polishing pad.
  • the polishing liquid is one of the elemental techniques, and various polishing liquids have been developed so far in order to obtain a high-performance polishing liquid (for example, see Patent Document 1). ).
  • the CMP technique as described above is applied, particularly in the CMP process of the interlayer insulating film (ILD film) in the interlayer insulating portion of the semiconductor, it is necessary to polish, for example, tens of thousands of silicon dioxide films. For this reason, in the ILD film CMP process, a silica-based polishing liquid having a high polishing rate is mainly used (see Patent Document 2). Unlike the CMP process for the element isolation region insulating film, the mirror polishing is generally not performed.
  • JP 2008-288537 A Japanese Patent Laid-Open No. 9-316431 JP 10-102038 A
  • An object of the present invention is to provide a polishing slurry for CMP that is less likely to occur and that can provide high flatness, and a polishing method using the same.
  • the present inventors have conducted extensive studies on the components of the CMP polishing liquid, and as a result, used a specific compound as an additive and used it in combination with a specific abrasive and water. As a result, it was found that a high polishing rate can be achieved while suppressing generation of polishing flaws, high flatness can be obtained, and agglomeration of abrasive grains can be reduced, leading to the present invention. .
  • the CMP polishing liquid of the present invention is a CMP polishing liquid containing abrasive grains, an additive, and water, the abrasive grains include cerium-based particles, and the additive has the following general formula: It comprises a 4-pyrone compound represented by (1) and at least one of a nonionic surfactant and a cationic surfactant.
  • X 11 , X 12 and X 13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent.
  • the present inventors prepared a large number of polishing liquids using various organic compounds as additives, and evaluated the polishing rate of the ILD film (silicon oxide film) with them, In order to examine the presence or absence of agglomeration of abrasive grains, the particle size of each polishing liquid was measured over time. As a result, when the 4-pyrone compound and at least one of a nonionic surfactant and a cationic surfactant are used as an additive, this is combined with cerium particles and water as abrasive grains. It has been confirmed that polishing scratches can be reduced as compared with the case of using a silica-based polishing liquid that achieves a sufficiently high polishing rate while achieving a sufficiently high polishing rate.
  • a polishing liquid containing only a 4-pyrone-based compound as an additive can exhibit a sufficient polishing rate as compared with the case where a silica-based polishing liquid is used. It has been confirmed that when the ILD film is formed between the wirings made of metal, the metal part is polished faster, and the so-called dishing is likely to occur. Even if a high polishing rate can be obtained and polishing scratches can be suppressed, such dishing is not preferable because the flatness of the polished surface is impaired.
  • the CMP polishing liquid of the present invention is excellent by using at least one of a nonionic surfactant and a cationic surfactant as an additive in addition to the 4-pyrone compound. It has also been found that a high polishing rate can be obtained, the occurrence of polishing flaws can be reduced, and the occurrence of dishing can be reduced to achieve high flatness.
  • the present inventors are estimating as follows. That is, first, since cerium-based particles have a lower hardness than silica particles and alumina particles, it is considered that polishing flaws occurring on the polished surface can be suppressed by using them as abrasive grains. Further, it is considered that the 4-pyrone compound having the specific structure can increase the interaction between the polishing liquid and the ILD film. Therefore, it is presumed that the polishing rate can be increased by using a 4-pyrone compound in combination with cerium particles having low hardness.
  • the nonionic surfactant or the cationic surfactant which is the other additive can protect the surface to be polished. Therefore, this protective effect can reduce the occurrence of polishing scratches and can prevent the concave portion from being polished while the convex portion of the surface to be polished is being polished, resulting in high flatness. It is thought that it will be obtained.
  • 4-pyrone compounds are additives that can increase the interaction between the polishing liquid and the ILD film, the effect of reducing the repulsive force such as the electrostatic repulsive force between the abrasive grains is not effective.
  • nonionic surfactant and cationic surfactant can repel abrasive grains by entering between abrasive grains, so include these additives Therefore, it is considered that the aggregation of abrasive grains can be suppressed.
  • the action is not limited to the above.
  • the CMP polishing liquid of the present invention is suitable for use in polishing the ILD film as described above because a high polishing rate is obtained and the generation of polishing flaws can be suppressed.
  • Examples of the 4-pyrone compounds contained in the CMP polishing liquid of the present invention include 3-hydroxy-2-methyl-4-pyrone, 5-hydroxy-2- (hydroxymethyl) -4-pyrone, and 2-ethyl-3. At least one compound selected from the group consisting of -hydroxy-4-pyrone is preferred. When the 4-pyrone compound is any of these compounds, a higher polishing rate can be obtained, and aggregation of abrasive grains can be further suppressed.
  • Nonionic surfactants include ether surfactants, ester surfactants, amino ether surfactants, ether ester surfactants, alkanolamide surfactants, polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, polydimethyl At least one surfactant selected from the group consisting of acrylamide is preferred.
  • ether surfactants include ether surfactants, ester surfactants, amino ether surfactants, ether ester surfactants, alkanolamide surfactants, polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, polydimethyl At least one surfactant selected from the group consisting of acrylamide is preferred.
  • polyoxyethylene sorbitan monolaurate is particularly preferable as the nonionic surfactant.
  • the CMP polishing liquid preferably further contains a saturated monocarboxylic acid as an additive.
  • a saturated monocarboxylic acid By further including a saturated monocarboxylic acid, the polishing rate for a flat surface can be improved without decreasing the polishing rate for a surface having a concavo-convex shape, or an index of variation in the polishing rate within the surface to be polished. There is an advantage that in-plane uniformity can be improved.
  • the saturated monocarboxylic acid preferably has 2 to 6 carbon atoms.
  • saturated monocarboxylic acids include acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, pivalic acid, hydroangelic acid, caproic acid, 2-methylpentanoic acid, 4-methylpentanoic acid, 2,3- Preference is given to at least one compound selected from the group consisting of dimethylbutanoic acid, 2-ethylbutanoic acid, 2,2-dimethylbutanoic acid and 3,3-dimethylbutanoic acid.
  • the CMP polishing liquid of the present invention preferably has a pH of less than 9, more preferably less than 8, and even more preferably less than 7.
  • the pH is lower than the preferable upper limit value, the aggregation of abrasive grains in the CMP polishing liquid tends to be more easily suppressed.
  • the pH of the polishing slurry for CMP is preferably 1.5 or more, more preferably 2.0 or more, and further preferably 2.5 or more.
  • CMP polishing liquid further contains a pH adjuster so that it may have pH of a suitable range.
  • the content of the additive 4-pyrone compound is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the CMP polishing liquid. Thereby, the improvement effect of the polishing rate can be obtained more efficiently.
  • the content of at least one of the other additive, a nonionic surfactant and a cationic surfactant, is 0.05 to 0.5 with respect to 100 parts by mass of the polishing slurry for CMP. It is preferable that it is a mass part. This makes it easier to obtain the effect of improving the flatness while maintaining a high polishing rate.
  • the content of the saturated monocarboxylic acid is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the CMP polishing liquid.
  • the content of the abrasive grains is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the CMP polishing liquid.
  • the average grain size of the abrasive grains is preferably 50 to 500 nm.
  • the abrasive grains are preferably cerium-based particles composed of cerium oxide, and more preferably cerium-based particles composed of polycrystalline cerium oxide having a crystal grain boundary. Since the abrasive grains in the CMP polishing liquid of the present invention satisfy one or more of these conditions, the polishing rate for the ILD film can be further improved and the generation of polishing flaws can be more effectively suppressed. become.
  • the present invention also provides a polishing method for polishing a substrate, the method comprising supplying the CMP polishing liquid of the present invention between the substrate and a polishing member and polishing the substrate with the polishing member.
  • a polishing method for polishing a substrate, the method comprising supplying the CMP polishing liquid of the present invention between the substrate and a polishing member and polishing the substrate with the polishing member.
  • this polishing method since the CMP polishing liquid of the present invention described above is used, it is possible to reduce the occurrence of polishing flaws while achieving a sufficiently high polishing rate for the substrate while suppressing aggregation of abrasive grains. it can. Therefore, this polishing method is suitable for polishing that requires high speed, high flatness, and low polishing scratches, such as polishing an ILD film, and is suitable for applications in which many ILD films are polished in a short time.
  • Such a polishing method of the present invention is particularly suitable for polishing a substrate having a silicon oxide film on its surface. That is, in the polishing method of the present invention, the substrate has a silicon oxide film on the surface, and a CMP polishing liquid is supplied between the silicon oxide film and the polishing member on the substrate, and the polishing member oxidizes the substrate. It is preferable to polish the silicon film.
  • the present invention in the CMP process of the ILD film, it is possible to obtain a sufficiently high polishing rate while reducing polishing flaws, and it is difficult to cause agglomeration of abrasive grains and high polishing flatness is obtained. It is possible to provide a liquid and a polishing method using the same.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a step of polishing a silicon oxide film formed so as to cover wiring.
  • the CMP polishing liquid according to this embodiment contains abrasive grains (polishing particles), an additive, and water, and has a specific chemical structure as an additive 4.
  • abrasive grains polishing particles
  • an additive abrasive grains
  • water abrasive water
  • -Containing a pyrone-based compound and at least one of a nonionic surfactant and a cationic surfactant is demonstrated.
  • the CMP polishing liquid contains at least a 4-pyrone compound and a nonionic surfactant or a cationic surfactant as additives, and may contain other additives in combination. Moreover, you may contain combining the nonionic surfactant and the cationic surfactant.
  • the 4-pyrone compound is a heterocyclic compound having a 6-membered ring ( ⁇ -pyrone ring) structure in which an oxy group and a carbonyl group are included and the carbonyl group is located at the 4-position with respect to the oxy group. .
  • a hydroxy group is bonded to a carbon atom adjacent to the carbosyl group in the ⁇ -pyrone ring, and a substituent other than a hydrogen atom is attached to the other carbon atom. May be substituted.
  • Such a 4-pyrone compound is a compound represented by the following formula (1).
  • X 11 , X 12 and X 13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent.
  • the monovalent substituent include aldehyde group, hydroxyl group, carboxyl group, sulfonic acid group, a phosphoric acid group, bromine, chlorine, iodine, fluorine, a nitro group, a hydrazine group, C 1 ⁇ 8 alkyl group (OH, COOH, Br , Cl, may be substituted by I, or NO 2), hydroxyalkyl group, C 6 ⁇ 12 aryl group, and C 1 ⁇ 8 alkenyl group, and the like. Among them, (optionally substituted by OH) C 1 ⁇ 8 alkyl groups are preferred.
  • X ⁇ 11> when it has a monovalent substituent as X ⁇ 11> , X ⁇ 12 > or X ⁇ 13 >, it is preferable that the substituent is couple
  • 4-pyrone compounds examples include 3-hydroxy-2-methyl-4-pyrone, 5-hydroxy-2- (hydroxymethyl) -4-pyrone, and 2-ethyl-3-hydroxy-4-pyrone. preferable.
  • the 4-pyrone compound one of the compounds described above may be used alone, or two or more may be used in combination. When two or more 4-pyrone compounds are included in combination, there is a tendency that an effect of improving the in-plane uniformity can be obtained in addition to improving the polishing rate of a flat substrate.
  • Suitable combinations in 4 pyrone compound represented by the above formula (1), and those having an alkyl group as either a X 11, X 12 and X 13, the X 11, X 12 and X 13 A combination with one having a hydroxyalkyl group is mentioned.
  • the 4-pyrone compound is preferably water-soluble.
  • a desired amount of additive can be dissolved well in the polishing liquid, and the effect of improving the polishing rate and suppressing the aggregation of abrasive grains can be further enhanced.
  • the 4-pyrone compound has a solubility in 100 g of water at normal temperature (25 ° C.) of preferably 0.001 g or more, more preferably 0.005 g or more, still more preferably 0.01 g or more. It is especially preferable that it is 0.05 g or more.
  • the upper limit of solubility is not particularly limited.
  • Nonionic surfactants as additives include ether type surfactants, ester type surfactants, amino ether type surfactants, ether ester type surfactants, alkanolamide type surfactants, polyvinyl pyrrolidone. And water-soluble polymers such as polyacrylamide and polydimethylacrylamide. Among these, as the nonionic surfactant, an ester type surfactant is preferable.
  • examples of the ether type surfactant include polyoxypropylene polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene alkyl allyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene ether derivative, polyoxypropylene glyceryl ether.
  • Polyethylene glycol methoxy polyethylene glycol, oxyethylene adduct of acetylene-based diol, polypropylene glycol ethylene oxide adduct (pluronic nonionic surfactant), polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, Polyoxyethylene higher alcohol ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene Emissions nonylphenyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether and the like.
  • ester type surfactant examples include sorbitan fatty acid ester and glycerol borate fatty acid ester.
  • Specific examples of the ester type surfactant include polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, polyoxyethylene. Sorbitan monooleate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitol tetraoleate, polyethylene glycol monolaurate, polyethylene glycol monostearate, polyethylene glycol distearate, polyethylene glycol monooleate, 2-hydroxyethyl methacrylate, etc. Is mentioned.
  • Examples of the amino ether type surfactant include polyoxyethylene derivatives, and more specifically, polyethylene hardened castor oil and polyoxyethylene alkylamine.
  • Examples of the ether ester type surfactant include polyoxyethylene glycerol borate fatty acid ester and polyoxyethylene alkyl ester, and examples of the alkanolamide type surfactant include alkyl alkanolamide, fatty acid alkanolamide, and polyoxyethylene fatty acid alkanol. Examples include amides.
  • water-soluble polymers include acrylic polymers such as polyvinyl alcohol, poly (N- (2-hydroxyethyl) acrylamide), polyacryloylmorpholine, in addition to the aforementioned polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, and polydimethylacrylamide.
  • acrylic polymers such as polyvinyl alcohol, poly (N- (2-hydroxyethyl) acrylamide), polyacryloylmorpholine, in addition to the aforementioned polyvinylpyrrolidone, polyacrylamide, and polydimethylacrylamide.
  • examples include polyethylene glycol, polyoxypropylene, polyoxyethylene-polyoxypropylene condensate, and polyoxyethylene-polyoxypropylene block polymer of ethylenediamine.
  • nonionic surfactants one of the above-described compounds may be used alone, or two or more may be used in combination.
  • cationic surfactant examples include surfactants such as coconut amine acetate and stearylamine acetate, and polymer compounds such as polyethyleneimine, polyallylamine, polylysine, polydimethylacrylamide, chitosan and derivatives thereof. Can be mentioned.
  • polyoxyethylene sorbitan monolaurate is preferable as the nonionic surfactant.
  • a polished surface having particularly excellent flatness can be obtained, and aggregation of abrasive grains can be further suppressed.
  • the nonionic surfactant includes at least polyoxyethylene sorbitan monolaurate, and may include other compounds in combination.
  • the additive preferably further contains a saturated monocarboxylic acid.
  • a sufficient polishing rate can be obtained when the surface to be polished has unevenness, and the polishing rate can be improved even for a flat surface having no unevenness.
  • the convex portion is preferentially polished, and the surface to be polished becomes flat as the polishing progresses.
  • a polishing liquid that is excellent in the polishing rate for the surface to be polished is preferable in that a good polishing rate can be obtained throughout the entire polishing process.
  • the saturated monocarboxylic acid a compound having 2 to 6 carbon atoms is preferable.
  • acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, pivalic acid, hydroangelic acid, caproic acid, 2-methylpentanoic acid, 4-methylpentanoic acid, 2,3-dimethylbutanoic acid, 2 -Ethylbutanoic acid, 2,2-dimethylbutanoic acid, 3,3-dimethylbutanoic acid and the like are preferred.
  • acetic acid and propionic acid are particularly preferable, and propionic acid is more preferable.
  • the saturated monocarboxylic acid one of these compounds may be used alone, or two or more may be used in combination.
  • the CMP polishing liquid of this embodiment contains cerium-based particles made of a cerium-based compound as abrasive grains.
  • the polishing liquid using such cerium-based particles as abrasive grains has a feature that polishing scratches generated on the polishing surface can be relatively reduced.
  • silica particles have been widely used as abrasive grains because it is easy to achieve a high polishing rate for a silicon oxide film mainly constituting an ILD film.
  • the polishing liquid using silica particles generally has a problem that polishing scratches are likely to occur on the polishing surface. In a device having a fine pattern of a generation having a wiring width of 45 nm or later, even a fine scratch that has not been a problem in the past may affect the reliability of the device.
  • a polishing liquid using particles containing a cerium compound as abrasive grains generally has a tendency that the polishing rate of a silicon oxide film is slightly lower than that using silica particles.
  • a high polishing rate for the ILD film silicon oxide film
  • cerium-based compound constituting the cerium-based particles examples include cerium oxide, cerium hydroxide, ammonium cerium nitrate, cerium acetate, cerium sulfate hydrate, cerium bromate, cerium bromide, cerium chloride, cerium oxalate, and cerium nitrate. And cerium carbonate.
  • cerium oxide particles it is preferable to use cerium oxide particles as abrasive grains. By using cerium oxide particles, a high polishing rate can be achieved, and a polished surface with few scratches and excellent flatness can be obtained.
  • the cerium oxide used as the abrasive grains preferably contains polycrystalline cerium oxide having a crystal grain boundary.
  • the polycrystalline cerium oxide particles having such a structure have the property that active surfaces appear one after another while being fine during polishing, and can maintain a high polishing rate for the ILD film.
  • Examples of the method for producing cerium-based particles made of cerium oxide include firing or oxidation using hydrogen peroxide or the like. In the case of the method by firing, the firing temperature is preferably 350 to 900 ° C. When the produced cerium oxide particles are aggregated, it is preferable to pulverize them mechanically.
  • the pulverization method for example, dry pulverization using a jet mill or the like, or wet pulverization using a planetary bead mill or the like is preferable.
  • As the jet mill for example, those described in “Chemical Engineering Papers”, Vol. 6, No. 5, (1980), pp. 527-532 can be used.
  • the average particle size of the abrasive grains is preferably 50 nm or more, more preferably 70 nm or more, and still more preferably 80 nm or more.
  • the average particle size of the abrasive grains is 50 nm or more, the polishing rate for the ILD film can be increased as compared to the case of less than 50 nm.
  • the average particle size of the abrasive grains is preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less, still more preferably 280 nm or less, particularly preferably 250 nm or less, and even more preferably 200 nm or less.
  • polishing flaws can be suppressed as compared with the case where the average particle size exceeds 500 nm.
  • the average particle size of the abrasive grains means a median value of volume distribution obtained by measuring a slurry sample in which abrasive grains are dispersed with a dynamic light scattering particle size distribution meter, and is LB-500 (manufactured by Horiba, Ltd.). It is a value that can be measured using a product name.
  • the concentration of the abrasive grains is adjusted by dispersing the abrasive grains in water so that the abrasive grain content is 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the sample. Measure the value.
  • the degree of agglomeration of abrasive grains can also be evaluated by measuring the median diameter (cumulative median value) with LB-500.
  • the sample When measuring the grain size of the abrasive grains from the polishing liquid, prepare the sample by adjusting the concentration of the polishing liquid so that the abrasive grain content is 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the sample. By using this, it can be measured by the same method.
  • the water contained in the polishing liquid is not particularly limited, but deionized water, ion exchange water or ultrapure water is preferable. If necessary, polar solvents such as ethanol, acetic acid, and acetone may be used in combination with water.
  • the polishing liquid according to this embodiment may further contain components other than those described above in accordance with desired characteristics.
  • examples of such components include pH adjusters as described later, aminocarboxylic acids, and cyclic monocarboxylic acids.
  • the amount of these components added is desirably in a range that does not excessively reduce the above-described effects of the abrasive.
  • the polishing liquid containing a combination of the above-described components can be classified into (A) normal type, (B) concentrated type, and (C) two liquid type, and the preparation method and the usage are different depending on the type.
  • the normal type is a polishing liquid that can be used as it is without pretreatment such as dilution during polishing.
  • the concentrated type is a polishing liquid in which the contained components are concentrated in comparison with the (A) normal type in consideration of convenience of storage and transportation.
  • the two-liquid type is a polishing liquid that is used in a state where it is divided into a liquid A containing a certain component and a liquid B containing other components during storage and transportation, and these liquids are mixed before use. is there.
  • the normal type can be obtained by dissolving or dispersing the above-mentioned specific additives, abrasive grains, and other components to be added as necessary in water as a main dispersion medium.
  • abrasive grains for example, in order to prepare 1000 g of polishing liquid with a content of abrasive grains of 0.5 parts by mass and an additive content of 0.1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of polishing liquid, What is necessary is just to adjust a compounding quantity so that it may become 1g of agents.
  • the polishing liquid can be prepared using, for example, a stirrer, a homogenizer, an ultrasonic disperser, a wet ball mill, or the like.
  • the fine graining of the abrasive grains can be performed by a sedimentation classification method or a method using a high-pressure homogenizer.
  • the sedimentation classification method is a method having a step of forcibly sedimenting slurry containing abrasive grains with a centrifuge and a step of taking out only the supernatant liquid.
  • a method using a high-pressure homogenizer is a method in which abrasive grains in a dispersion medium collide with each other at a high pressure.
  • the content of the 4-pyrone compound that is one kind of additive in the polishing liquid is preferably 0.01 parts by mass or more, more preferably 0.02 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the polishing liquid, and 0.03 More preferred is part by mass or more.
  • the content of the additive is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or less, still more preferably 1 part by mass or less, and particularly preferably 0.5 parts by mass or less.
  • the amount of the additive is 5 parts by mass or less, compared to the case where the amount exceeds 5 parts by mass, aggregation of abrasive grains is easily suppressed, and a high polishing rate tends to be obtained.
  • the content of the nonionic surfactant that is the other additive in the polishing liquid is preferably 0.05 parts by mass or more, and 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polishing liquid for CMP. More preferred is 0.2 part by mass or more.
  • the amount of the nonionic surfactant is 0.05 parts by mass or more, good flatness is obtained compared to the case of less than 0.05 parts by mass, and aggregation of abrasive grains tends to be suppressed. It is in.
  • the content of the nonionic surfactant is preferably 0.5 parts by mass or less, and particularly preferably 0.2 parts by mass or less. When the amount of the nonionic surfactant is 0.5 parts by mass or less, a higher polishing rate tends to be obtained as compared with the case of exceeding 0.5 parts by mass.
  • the content of the saturated monocarboxylic acid which is an additive added to the polishing liquid as necessary, is preferably 0.01 parts by mass or more, more preferably 0.05 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polishing liquid. 0.1 part by mass or more is more preferable, and 0.2 part by mass or more is more preferable.
  • the amount of the saturated monocarboxylic acid is 0.01 parts by mass or more, a stable polishing rate and good in-plane uniformity tend to be achieved as compared with the case of less than 0.01 parts by mass.
  • the content of the saturated monocarboxylic acid is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or less, still more preferably 2 parts by mass or less, and particularly preferably 1 part by mass or less.
  • the amount of the saturated monocarboxylic acid is 5 parts by mass or less, it is easy to suppress agglomeration of abrasive grains as compared with the case of exceeding 5 parts by mass, and high polishing rate and good in-plane uniformity tend to be achieved. is there.
  • the content (particle concentration) of the abrasive grains contained in the polishing liquid is preferably 0.01 parts by mass or more, more preferably 0.1 parts by mass or more, and 0.15 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polishing liquid. More preferably, 0.2 parts by mass or more is more preferable, and 0.25 parts by mass or more is particularly preferable.
  • the amount of the abrasive grains is 0.01 parts by mass or more, a higher polishing rate tends to be achieved as compared with the case of less than 0.01 parts by mass.
  • the content of the abrasive grains is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 5.0 parts by mass or less, still more preferably 3.0 parts by mass or less, particularly preferably 2.0 parts by mass or less, and 1.0 part by mass. Part or less is even more preferable.
  • the amount of the additive is 10 parts by mass or less, compared to the case where the amount exceeds 10 parts by mass, the aggregation of the abrasive grains is easily suppressed, and a high polishing rate tends to be achieved.
  • the pH of the polishing liquid is preferably less than 9.0, more preferably less than 8.0, still more preferably less than 7.0, and particularly preferably 6.0 or less.
  • the pH of the polishing liquid is preferably 1.5 or more, more preferably 2.0 or more, and further preferably 2.5 or more.
  • the pH is 1.5 or more, the absolute value of the zeta potential of the ILD film can be increased as compared with the case where the pH is less than 1.5, and the interaction between the polishing liquid and the ILD film tends to be increased. It is in.
  • the following two effects can also be obtained by adjusting the pH of the polishing liquid within a suitable range of 1.5 to 9.0.
  • Proton and hydroxy anion act on the compound blended as an additive to change the chemical form of the additive compound, improving the wettability and affinity for the silicon oxide film, which is the ILD film on the polished surface. This gives a high polishing rate.
  • the abrasive grains are cerium-based particles made of cerium oxide, the contact efficiency between the abrasive grains and the ILD film is improved in the above pH range, and a high polishing rate is achieved. This is because cerium oxide has a positive sign of the zeta potential, whereas a silicon oxide film that is an ILD film has a negative sign of the zeta potential, and an electrostatic attractive force acts between them.
  • the polishing liquid may contain a pH adjusting agent in order to adjust the pH to the above range.
  • the pH adjuster is not particularly limited, and examples thereof include acids such as nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, boric acid and acetic acid, bases such as sodium hydroxide, aqueous ammonia, potassium hydroxide and calcium hydroxide. Can be mentioned.
  • the polishing liquid has a suitable pH from the beginning, from the viewpoint of improving productivity, the polishing liquid is prepared without using a pH adjuster, and this polishing liquid is applied to CMP as it is. It may be.
  • the concentrated type is diluted with water so that the contained components have a desired content immediately before use. After dilution, liquid properties (for example, pH, grain size of abrasive grains) and polishing characteristics (for example, ILD film polishing rate, etc.) comparable to those of the normal type (A) described above are obtained for an arbitrary time. Stirring may be performed.
  • concentration type (B) the volume is reduced in accordance with the degree of concentration, so the cost for storage and transportation can be reduced.
  • the concentration factor is preferably 1.5 times or more, more preferably 2 times or more, still more preferably 3 times or more, and particularly preferably 5 times or more.
  • concentration ratio is 1.5 times or more, there is a tendency that merits relating to storage and transportation are easily obtained as compared with the case of less than 1.5 times.
  • the concentration factor is preferably 40 times or less, more preferably 20 times or less, and particularly preferably 15 times or less.
  • concentration ratio is 40 times or less, the aggregation of abrasive grains tends to be suppressed as compared with the case where the concentration ratio exceeds 40 times.
  • (B) When using a concentrated polishing liquid, the pH changes before and after dilution with water. Therefore, in order to prepare (A) a polishing liquid having the same pH as that of the normal type from (B) the concentrated type, the pH of the concentrated type polishing liquid is set to a low value in advance in consideration of the pH increase due to mixing with water. Just keep it. For example, when water in which carbon dioxide is dissolved (pH: about 5.6) is used and (B) concentrated type polishing liquid of pH 4.0 is diluted 10 times, the diluted polishing liquid has a pH of 4. It rises to about 3.
  • the pH of the concentrated type is preferably 1.5 to 7.0 from the viewpoint of obtaining a polishing liquid having a suitable pH after dilution with water.
  • the upper limit of the pH is more preferably 2.0 and even more preferably 2.5.
  • the lower limit of the pH is preferably 7.0, more preferably 6.7, still more preferably 6.0, and particularly preferably 5.5.
  • the two-liquid type has an advantage that the aggregation of abrasive grains can be avoided by appropriately separating the liquid A and the liquid B, compared with the (B) concentrated type.
  • the components to be contained in the liquid A and the liquid B are arbitrary.
  • a slurry containing abrasive grains and a nonionic surfactant may be referred to as liquid A
  • a solution including a 4-pyrone compound and other components blended as necessary may be referred to as liquid B. it can.
  • any acid or alkali may be added to the liquid A to adjust the pH.
  • the two-liquid type polishing liquid is useful in the case of combining components whose mixing characteristics tend to decrease in a relatively short time due to aggregation of abrasive grains when mixed.
  • at least one of the liquid A and the liquid B may be a concentrated type.
  • the liquid A, the liquid B, and water may be mixed when using the polishing liquid.
  • the concentration ratio and pH of the liquid A or the liquid B are arbitrary, and it is sufficient that the final mixture can be comparable to the (A) normal type polishing liquid in terms of liquid characteristics and polishing characteristics.
  • the polishing method according to the present embodiment uses the polishing liquid (CMP polishing liquid) of the above-described embodiment, and planarizes a substrate having a silicon oxide film on the surface by a CMP technique.
  • the polishing liquid of the above-described embodiment is supplied between a silicon oxide film on a substrate having a silicon oxide film on the surface and a predetermined polishing member (polishing member), and in that state, the polishing member A step of polishing the silicon oxide film.
  • the polishing method of this embodiment is suitable for polishing a substrate having a silicon oxide film on the surface in the following device manufacturing process.
  • Devices include, for example, individual semiconductors such as diodes, transistors, compound semiconductors, thermistors, varistors, thyristors, DRAMs (Dynamic Random Access Memory), SRAMs (Static Random Access Memory), EPROMs (Erasable Programmable) ⁇ Read-only memory (ROM), mask ROM (mask read-only memory), EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory), storage elements such as flash memory, microprocessor, DSP, ASIC, etc.
  • individual semiconductors such as diodes, transistors, compound semiconductors, thermistors, varistors, thyristors, DRAMs (Dynamic Random Access Memory), SRAMs (Static Random Access Memory), EPROMs (Erasable Programmable) ⁇ Read-only memory (ROM), mask ROM (mask read-only memory), EEPROM
  • Theoretical circuit elements integrated circuit elements such as compound semiconductors represented by MMIC (monolithic microwave integrated circuit), hybrid integrated circuits (hybrid IC), light emitting diodes Such a photoelectric conversion element such as a charge coupled device and the like.
  • MMIC monolithic microwave integrated circuit
  • hybrid IC hybrid integrated circuits
  • light emitting diodes Such a photoelectric conversion element such as a charge coupled device and the like.
  • polishing liquid of the present embodiment described above a high polishing rate can be obtained while suppressing polishing flaws, but this high polishing rate tends to be obtained without greatly depending on the uneven shape of the surface to be polished. Therefore, the polishing method using the polishing liquid can be applied to a surface to be polished, which has been difficult to achieve a high polishing rate by the conventional method using the CMP polishing liquid.
  • the polishing method according to the present embodiment is suitable for planarizing a surface to be polished having a step (unevenness) on the surface.
  • An example of a substrate having such a surface to be polished is a logic semiconductor device.
  • this polishing method is suitable for polishing a surface including a portion in which a concave portion or a convex portion has a T shape or a lattice shape when viewed from above.
  • a silicon oxide film provided on the surface of a semiconductor device having a memory cell (for example, DRAM, flash memory) can be polished at a high speed.
  • the substrate to which the polishing method can be applied is not limited to a silicon oxide film only formed on the entire substrate surface, but further includes a silicon nitride film, a polycrystalline silicon film, etc. in addition to the silicon oxide film on the substrate surface. It may be a thing.
  • the polishing method mainly includes an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, glass, and silicon nitride, polysilicon, Al, Cu, Ti, TiN, W, Ta, TaN, etc. on a wiring board having a predetermined wiring.
  • the present invention can also be applied to a substrate on which a containing film is formed.
  • examples of a method for forming a silicon oxide film to be polished with a polishing liquid on the substrate surface include a low pressure CVD method and a plasma CVD method.
  • Formation of the silicon oxide film by the low pressure CVD method uses monosilane (SiH 4 ) as the Si source and oxygen (O 2 ) as the oxygen source.
  • SiH 4 monosilane
  • O 2 oxygen
  • a silicon oxide film is formed by causing this SiH 4 —O 2 oxidation reaction to occur at a low temperature of 400 ° C. or lower. In some cases, heat treatment is performed at a temperature of 1000 ° C. or lower after CVD.
  • the plasma CVD method has an advantage that a chemical reaction that requires a high temperature under normal thermal equilibrium can be generated at a low temperature.
  • There are two methods for generating plasma a capacitive coupling type and an inductive coupling type.
  • the reaction gas include SiH 4 -N 2 O gas using SiH 4 as an Si source and N 2 O as an oxygen source, and TEOS-O 2 gas (TEOS) using tetraethoxysilane (TEOS) as an Si source.
  • TEOS-O 2 gas TEOS-O 2 gas
  • TEOS tetraethoxysilane
  • -Plasma CVD method The substrate temperature is preferably 250 to 400 ° C. and the reaction pressure is preferably 67 to 400 Pa.
  • the silicon oxide film may be doped with phosphorus (P).
  • P phosphorus
  • the silicon oxide film to be polished may be doped with an element such as phosphorus or boron.
  • the silicon nitride film can also be formed by a low pressure CVD method, a plasma CVD method, or the like, similar to the silicon oxide film.
  • a low pressure CVD method dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) is used as the Si source, and ammonia (NH 3 ) is used as the nitrogen source.
  • SiH 2 Cl 2 —NH 3 -based oxidation reaction By causing this SiH 2 Cl 2 —NH 3 -based oxidation reaction to occur at a high temperature of 900 ° C., a silicon nitride film is formed.
  • SiH 4 —NH 3 gas using SiH 4 as a Si source and NH 3 as a nitrogen source can be used as a reaction gas.
  • the substrate temperature is preferably 300 ° C. to 400 ° C.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a process of polishing a silicon oxide film formed so as to cover wirings, and shows a process of forming an interlayer insulating film between semiconductor wirings.
  • a substrate 100 before polishing has a wiring 40 formed on a lower substrate (not shown) having a predetermined lower wiring (not shown) via an interlayer insulating film 10. It has a structure in which a silicon oxide film 20 is formed so as to cover the wiring 40 and serve as an upper ILD film. Since the silicon oxide film 20 is formed on the interlayer insulating film 10 on which the wiring 40 is formed, the portion on the wiring 40 is higher than the other portions. D has occurred.
  • the wiring 40 is connected to a lower wiring or the like by a contact plug 30 formed so as to penetrate the interlayer insulating film 10. Further, as the interlayer insulating film 10, a material made of a known material as the interlayer insulating film can be applied without limitation, and may be made of silicon oxide.
  • the protrusion on the wiring 40 is preferentially polished by CMP in order to form an interlayer insulating structure by eliminating the level difference D in the silicon oxide film 20 and flattening. Remove.
  • the substrate 100 is disposed on the polishing pad so that the upper surface of the silicon oxide film 20 and the polishing pad come into contact with each other, and this polishing is performed while supplying a polishing liquid between the silicon oxide film 20 and the polishing pad.
  • the surface of the silicon oxide film 20 is polished with a pad. More specifically, the surface to be polished (surface to be polished) of the silicon oxide film 20 is pressed against a polishing pad included in the polishing surface plate, and a polishing liquid is provided between the surface to be polished and the polishing pad.
  • the silicon oxide film 20 is polished by relatively moving the two while supplying.
  • the polishing pad is exemplified as the polishing member.
  • the polishing member is not particularly limited as long as it has a polishing function.
  • a polishing apparatus used for such polishing for example, an apparatus including a holder for holding the substrate 100, a polishing surface plate to which the polishing pad is attached, and a means for supplying a polishing liquid onto the polishing pad is suitable.
  • a polishing apparatus model number: EPO-111, EPO-222, F ⁇ REX200, F ⁇ REX300 manufactured by Ebara Manufacturing Co., Ltd.
  • a polishing apparatus manufactured by AMAT (trade name: Mirra 3400, Reflexion polishing machine), and the like can be given.
  • AMAT trade name: Mirra 3400, Reflexion polishing machine
  • limiting in particular as a polishing pad For example, a general nonwoven fabric, a polyurethane foam, a porous fluororesin, etc. can be used.
  • the polishing pad is subjected to groove processing so that the polishing liquid is accumulated.
  • the polishing conditions are not particularly limited, but it is preferable that the rotation speed of the polishing platen be 200 min ⁇ 1 or less from the viewpoint of preventing the substrate 100 from jumping out. Further, the pressure (processing load) applied to the substrate 100 is preferably 100 kPa or less from the viewpoint of suppressing scratches on the polished surface.
  • the protruding portion on the wiring 40 in the silicon oxide film 20 is preferentially removed, and the step D is gradually eliminated.
  • the step D is gradually eliminated.
  • the step D is gradually eliminated.
  • the silicon oxide film 20 (ILD film) having a flat surface is formed.
  • the polished substrate 100 is sufficiently washed in running water, and further, water droplets adhering to the substrate 100 are removed by using a spin dryer or the like and then dried.
  • the CMP polishing liquid of the present embodiment described above since the CMP polishing liquid of the present embodiment described above is used, a high polishing rate can be obtained, the generation of polishing flaws can be greatly reduced, and surface irregularities can be eliminated to eliminate the substrate 100. A smooth surface can be obtained over the entire surface. Further, by using this CMP polishing liquid, a high polishing rate is maintained even when the surface to be polished is gradually flattened by polishing the uneven surface. Furthermore, even if the polishing is performed until the wiring 40 is exposed, the occurrence of dishing or the like can be extremely reduced.
  • the formation of the interlayer insulating film 10, the formation of the wiring 40, the formation of the silicon oxide film 20, and the polishing process by CMP are repeated a predetermined number of times to obtain a desired number of layers.
  • the multilayered substrate 100 can be manufactured.
  • various substrates 100 that can be used as various electronic components can be obtained.
  • electronic components include semiconductor devices, optical glass such as photomasks, lenses, and prisms, inorganic conductive films such as ITO, optical integrated circuits composed of glass and crystalline materials, optical switching elements, optical waveguides, and optical fibers.
  • an optical single crystal such as a scintillator, a solid laser single crystal, a sapphire substrate for a blue laser LED, a semiconductor single crystal such as SiC, GaP, and GaAs, a glass substrate for a magnetic disk, and a magnetic head.
  • grain which is an abrasive grain used in the following examples was manufactured. That is, first, 40 kg of cerium carbonate hydrate was divided into 10 containers made of alumina, and each was fired in air at 830 ° C. for 2 hours to obtain a total of 20 kg of yellowish white powder. This powder was subjected to phase identification by X-ray diffraction, and it was confirmed that the powder contained polycrystalline cerium oxide. When the particle diameter of the powder obtained by firing was observed by SEM, it was in the range of 20 to 100 ⁇ m. Next, 20 kg of the cerium oxide powder thus obtained was dry-ground using a jet mill. The cerium oxide powder after pulverization had a specific surface area of 9.4 m 2 / g. The specific surface area was measured by the BET method.
  • the cerium oxide mixed solution in each beaker was centrifuged for 20 minutes under the condition that the centrifugal force applied to the outer periphery was 500G. After centrifugation, the supernatant fraction of the beaker was collected to obtain slurry (A).
  • the obtained slurry (A) contained about 10.0% by mass of cerium oxide particles based on the total mass.
  • the slurry (A) thus obtained is diluted with pure water so that the content of abrasive grains (cerium particles) is 0.5% by mass based on the total mass, and this is used for particle size measurement.
  • a sample was used.
  • the average particle size of the abrasive grains was measured using a dynamic light scattering particle size distribution analyzer (trade name: LB-500, manufactured by Horiba, Ltd.). As a result, the average particle size was 150 nm.
  • polishing liquid 1 (Preparation of polishing liquid 1; Sample Nos. 1 to 19) Sample No.
  • the polishing liquids 1 to 10 were prepared using various 4-pyrone compounds as additives.
  • the polishing liquids 11 to 19 were prepared using a compound that was not a 4-pyrone compound as an additive.
  • the types of additives and other components in each polishing liquid were as shown in Tables 1 and 2 below.
  • the 19 kinds of concentrated polishing liquids (C) thus prepared were each diluted 10-fold with water, and then 2.5% ammonia water (NH 4 OH) or 1N dilute nitric acid (HNO 3 ). Was added as a pH adjuster so that the pH (polishing liquid pH) described in Tables 1 and 2 was obtained. As a result, sample no. 1 to 19 polishing liquids were obtained. Since the addition amount of the pH adjusting agent is very small, the concentration of other components is not affected. Even after the addition of the pH adjusting agent, the abrasive concentration in the obtained polishing liquid is 0.00 on the basis of the total mass. The additive concentration is also the concentration shown in Tables 1 and 2.
  • the silicon oxide film on the DRAM wafer was polished using each of the polishing liquids 1 to 19. Polishing was performed using a polishing apparatus (product name: Mirra 3400, manufactured by Applied Materials). First, the DRAM wafer was set in a holder having a suction pad for mounting a substrate in a polishing apparatus. On the other hand, a polishing pad made of porous urethane resin (k-groove groove, manufactured by Rohm and Haas, model number: IC-1400) was attached as a polishing member to a polishing surface plate having a diameter of 500 mm.
  • a polishing apparatus product name: Mirra 3400, manufactured by Applied Materials
  • the holder was placed on the polishing pad so that the silicon oxide film side of the DRAM wafer faced downward.
  • the inner tube pressure, the retainer ring pressure, and the membrane pressure were set to 28 kPa, 38 kPa, and 28 kPa, respectively.
  • PVA brush polyvinyl alcohol brush
  • the concentrated polishing liquid (C) corresponding to each sample is diluted 10 times 5 minutes before starting the measurement, and the average particle diameter of the resulting polishing liquid is measured. I did it. Since the average particle diameter when a solution containing no additive is used is 150 nm, considering the measurement error by the apparatus, it can be considered that the aggregation of the particles occurs when it exceeds 200 nm.
  • polishing liquid 2 (Preparation of polishing liquid 2; Sample No. 20-29) No.
  • the polishing liquids 20 to 22 and 26 contain only a 4-pyrone compound (hereinafter referred to as “first additive”) as an additive.
  • the polishing liquids 23 to 25 and 27 to 29 contain a saturated monocarboxylic acid (hereinafter referred to as “second additive”) as an additive in addition to the 4-pyrone compound as an additive. .
  • the polishing liquids 20 to 29 are the same as “Preparation of polishing liquid 1” except that the types of additives and the concentrations of additives and abrasive grains in each polishing liquid are as shown in Table 3 below. It produced similarly.
  • a of the first additive (4-pyrone compound) is 3-hydroxy-2-methyl-4-pyrone, and B is 5-hydroxy-2- (hydroxymethyl) -4.
  • -It is a pyrone. When the concentrations of both of these components are described, it means that two types of 4-pyrone compounds are included in combination.
  • polishing rate of Silicon Oxide Film was measured by the same method as in Reference Experimental Example 1 to obtain the “pattern polishing rate”.
  • the polishing rate of the silicon oxide film was measured by the same method as in Reference Experimental Example 1 to obtain the “patternless polishing rate”. That is, first, instead of a DRAM wafer, a ⁇ 200 mm blanket wafer (manufactured by Advantech) having a silicon oxide film having an initial film thickness of about 1000 nm was used. In addition, the measurement was performed at a central point of the wafer and points at a distance of 5 mm in the diameter direction from the central point, and was performed at a total of 41 points (note that the measurement point next to the measurement point 95 mm from the center is 97 mm from the center) Place).
  • the polishing liquids 23 to 24 and 27 to 29 are no.
  • the polishing rate without pattern was particularly improved.
  • the convex portion is preferentially polished, and the surface to be polished becomes flat as the polishing proceeds. Therefore, the polishing rate tends to approach the polishing rate of the blanket wafer. Therefore, a polishing liquid that is excellent not only in the pattern polishing rate but also in the non-pattern polishing rate is preferable in that a good polishing rate can be obtained throughout the entire polishing process. From the above results, it was found that the addition of a saturated monocarboxylic acid having 2 to 6 carbon atoms as the second additive is particularly effective for obtaining such an effect.
  • the polishing liquid No. 30 contains only a 4-pyrone compound (first additive).
  • the polishing liquid No. 31 contains a saturated monocarboxylic acid (second additive) in addition to the 4-pyrone compound.
  • the polishing liquid No. 32 contains a nonionic surfactant (hereinafter referred to as “third additive”) in addition to the 4-pyrone-based compound.
  • the polishing liquids 33 to 47 contain all the first to third additives in combination.
  • No. Forty-eight polishing liquid is a fumed silica slurry SS25 (Cabot Corporation) diluted 1: 1 with deionized water.
  • the polishing liquids 30 to 48 are the same as “Preparation of polishing liquid 1” except that the types of additives and the concentrations of additives and abrasive grains in each polishing liquid are as shown in Table 4 below. It produced similarly.
  • a of the first additive (4-pyrone compound) is 3-hydroxy-2-methyl-4-pyrone, and B is 5-hydroxy-2- (hydroxymethyl) -4.
  • -Pyrone and the second additive is propionic acid (3 carbon atoms).
  • polishing rate of Silicon Oxide Film was measured by the same method as in Reference Experimental Example 1 to obtain the “pattern polishing rate”.
  • the polishing rate of the silicon oxide film was measured using a ⁇ 200 mm ILD wafer (manufactured by Hitachi, Ltd.) instead of the DRAM wafer, and the “pattern polishing rate” was similarly obtained.
  • This ILD wafer has a silicon oxide film having fine irregularities on the surface, and has a silicon oxide film having a height of the convex portion of about 4000 nm with respect to the concave portion.
  • the wiring covered with the silicon oxide film is formed of parallel lines.
  • the measurement point of the film thickness was the wiring portion of 500/500 nm of the chip at the center of the wafer. Table 4 shows the pattern polishing rate obtained using this ILD wafer.
  • a 4-pyrone compound (first additive) is combined with at least one of a nonionic surfactant and a cationic surfactant (third additive).
  • first additive a 4-pyrone compound
  • second additive a cationic surfactant
  • Including No. According to the polishing liquids of 32 to 45, in addition to obtaining a sufficient polishing rate, it was confirmed that high flatness was obtained and the generation of polishing flaws was reduced. No. 1 containing an anionic surfactant or an anionic polymer in combination. In the polishing liquids 46 and 47, these additives were found to aggregate cerium oxide. No. using conventional silica-based particles as abrasive grains. It was found that the polishing liquid No. 48 is extremely susceptible to polishing flaws, although a high polishing rate can be obtained.

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Abstract

　本発明は、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程において、研磨傷を少なくしつつ充分に高い研磨速度を得ることが可能であり、しかも砥粒の凝集が生じにくく、高い平坦性が得られるＣＭＰ用研磨液、及びこれを用いた研磨方法を提供することを目的とする。本発明のＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、添加剤と、水とを含有するＣＭＰ用研磨液であって、砥粒は、セリウム系粒子を含み、添加剤は、一般式（１）で表される４－ピロン系化合物、並びに非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を含む。［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］

Description

ＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
本発明は、ＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法に関し、特に、半導体ウエハ材料のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）に適したＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法に関する。
半導体製造の分野では、超ＬＳＩデバイスの高性能化に伴い、従来技術の延長線上の微細化技術では高集積化及び高速化を両立することが限界になってきている。そこで、半導体素子の微細化を進めつつ、垂直方向にも高集積化する技術、すなわち配線を多層化する技術が開発されている。
配線が多層化されたデバイスを製造するプロセスにおいて最も重要な技術の一つに、ＣＭＰ技術がある。ＣＭＰ技術は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）などによって基板上に薄膜を形成した後、その表面を平坦化する技術である。例えば、リソグラフィの焦点深度を確保するためには、ＣＭＰによる平坦化の処理が不可欠である。基板表面に凹凸があると、露光工程における焦点合わせが不可能となったり、微細な配線構造を充分に形成できなくなったりするなどの不都合が生じる。
このようなＣＭＰ技術は、デバイスの製造過程において、プラズマ酸化膜（ＢＰＳＧ、ＨＤＰ－ＳｉＯ２、ｐ－ＴＥＯＳ）の研磨によって素子分離領域を形成する工程、層間絶縁膜を形成する工程、あるいは、酸化ケイ素を含む膜を金属配線に埋め込んだ後にプラグ（例えば、Ａｌ・Ｃｕプラグ）を平坦化する工程などにも適用される。
ＣＭＰは、通常、研磨パッド上に研磨液を供給することができる装置を用いて行われる。そして、基板表面と研磨パッドとの間に研磨液を供給しながら、基板を研磨パッドに押し付けることで、基板表面を研磨する。このように、ＣＭＰ技術においては、研磨液が要素技術の一つであり、高性能の研磨液を得るため、これまでにも種々の研磨液の開発がなされている（例えば、特許文献１参照）。
上述したようなＣＭＰ技術が適用される工程のうち、特に半導体の層間絶縁部分の層間絶縁膜（ＩＬＤ膜）のＣＭＰ工程では、例えば数万Åの二酸化ケイ素膜を研磨することが必要となる。そのため、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程では、高い研磨速度を有するシリカ系の研磨液が主に用いられているが(特許文献２参照)、その場合、研磨傷の制御が難しい傾向にあるため研磨傷が発生し易く、また素子分離領域用絶縁膜のＣＭＰ工程とは異なり、一般に仕上げ鏡面研磨も行われない。
しかしながら、近年の配線の微細化に伴って、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程でもできるだけ研磨傷を少なくすることが望まれている。しかし、従来のシリカ系の研磨液は、上記のように研磨傷の制御が難しい。一方、セリウム系の研磨液は、シリカ系の研磨液と比べて研磨傷が少ないことが知られている(特許文献３参照)ものの、その反面、例えばＩＬＤ膜のＣＭＰ工程で求められるような、高い研磨速度を達成することが難しい傾向にあった。
特開２００８－２８８５３７号公報 特開平９－３１６４３１号公報 特開平１０－１０２０３８号公報
上記のように、近年、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程では、高い研磨速度が求められるとともに、配線の微細化等に対応するために、研磨傷の発生を少なくできることが求められている。しかしながら、これまで、これらの両方の特性を充分に発現できるＣＭＰ用研磨液は得られていなかった。また、従来、研磨速度が高いＣＭＰ用研磨液は、それに含まれている砥粒の凝集が生じ易い傾向にあったが、砥粒の凝集は、研磨速度の変化や研磨傷の増加などの重大な問題の原因となるため、研磨速度が高くても砥粒の凝集はできるだけ少ないことが望ましい。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程において、研磨傷を少なくしつつ充分に高い研磨速度を得ることが可能であり、しかも砥粒の凝集が生じにくく、高い平坦性が得られるＣＭＰ用研磨液、及びこれを用いた研磨方法を提供することを目的とする。
本発明者らは上記目的を達成するため、ＣＭＰ用研磨液の配合成分について鋭意検討を重ねた結果、添加剤として特定の化合物を組み合わせて用い、これを特定の砥粒及び水と組み合わせて使用することによって、研磨傷の発生を抑制しながら高い研磨速度を達成でき、高い平坦性が得られるとともに、砥粒の凝集をも低減できるようになることを見出し、本発明を想到するに至った。
すなわち、本発明のＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、添加剤と、水と、を含有するＣＭＰ用研磨液であって、砥粒は、セリウム系粒子を含み、添加剤は、下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物、並びに、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 ［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］
ＣＭＰ用研磨液の検討において、本発明者らは、種々の有機化合物を添加剤として用いた研磨液を多数調製して、それらによるＩＬＤ膜（酸化ケイ素膜）の研磨速度の評価を行うとともに、砥粒の凝集の有無を調べるため、各研磨液について経時的な粒径の測定を行った。その結果、４－ピロン系化合物、並びに、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を添加剤として用い、これを砥粒であるセリウム系粒子及び水と組み合わせると、充分に高い研磨速度を達成しつつ、従来高い研磨速度が得られたシリカ系の研磨液を用いた場合よりも研磨傷を少なくできることが確認された。
なお、本発明者らの検討によると、添加剤として４－ピロン系化合物のみを含む研磨液は、シリカ系の研磨液を用いた場合と比べても充分な研磨速度を発揮できるものの、例えば、金属からなる配線間にＩＬＤ膜が形成されている場合等に、金属部分の方が速く研磨され、皿のように窪んでしまう現象、いわゆるディッシングが発生し易いことが確認された。高い研磨速度が得られ、研磨傷を抑制できても、このようなディッシングが生じると研磨面の平坦性が損なわれることになるため、好ましくない。
これに対し、本発明のＣＭＰ用研磨液は、４－ピロン系化合物に加え、添加剤として更に非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を用いることによって、優れた研磨速度が得られ、研磨傷の発生を低減できるとともに、ディッシングの発生も少なくして高い平坦性が得られるようになることも見出した。
なお、本発明のＣＭＰ用研磨液によって上述したような効果が奏される要因は必ずしも明らかではないが、本発明者らは次のように推測している。すなわち、まず、セリウム系粒子は、シリカ粒子やアルミナ粒子に比べて硬度が低いため、これを砥粒として用いることで、研磨面に生じる研磨傷を抑制できると考えられる。また、上記特定構造を有する４－ピロン系化合物は、研磨液とＩＬＤ膜との相互作用を大きくすることができると考えられる。そのため、４－ピロン系化合物を組み合わせることによって、硬度が低いセリウム系粒子を用いながらも、研磨速度を高くできると推測される。
さらに、もう一方の添加剤である非イオン性の界面活性剤やカチオン性の界面活性剤は、研磨される面を保護することができると考えられる。そのため、この保護効果によって、研磨傷の発生を低減できるほか、被研磨面の凸部分が研磨されている間は凹部分が研磨されるのを防止することができ、結果的に高い平坦性が得られるようになると考えられる。そして、４－ピロン系化合物は、研磨液とＩＬＤ膜との相互作用を大きくし得る添加剤であるにもかかわらず、砥粒同士の静電的反発力等の反発力を弱めるような効果は有しておらず、また、非イオン性の界面活性剤やカチオン性の界面活性剤は、砥粒の間に入ることで砥粒同士を反発させることができるため、これらの添加剤を含むことによって、砥粒の凝集を抑制することも可能となると考えられる。ただし、作用は上記に限定されない。
このように、本発明のＣＭＰ用研磨液は、高い研磨速度が得られ、しかも研磨傷の発生を抑制できることから、上述したようなＩＬＤ膜の研磨に用いるのに好適である。
本発明のＣＭＰ用研磨液に含まれる４－ピロン系化合物としては、３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ピロン、５－ヒドロキシ－２－（ヒドロキシメチル）－４－ピロン、２－エチル－３－ヒドロキシ－４－ピロンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましい。４－ピロン系化合物がこれらの化合物であると、より高い研磨速度が得られ、また砥粒の凝集を一層抑制することが可能となる。
非イオン性界面活性剤としては、エーテル型界面活性剤、エステル型界面活性剤、アミノエーテル型界面活性剤、エーテルエステル型界面活性剤、アルカノールアミド型界面活性剤、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の界面活性剤が好ましい。これらの非イオン系界面活性剤を含むことで、より高い平坦性が得られ易くなり、また砥粒の凝集を更に抑制することができる。このような観点からは、非イオン性の界面活性剤としては、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウラートが特に好ましい。
また、ＣＭＰ用研磨液は、添加剤として、飽和モノカルボン酸を更に含むことが好ましい。飽和モノカルボン酸を更に含むことにより、凹凸形状を有する面に対する研磨速度を低下させることなく、平坦な面に対する研磨速度を向上させたり、また研磨される面内の研磨速度のばらつきの指標である面内均一性を向上させたりできるという利点が得られる。
この飽和モノカルボン酸は、炭素数が２～６であるものであると好ましい。これにより、平坦な半導体基板への研磨速度の向上及び面内均一性の向上効果が更に良好に得られる。
飽和モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヒドロアンゲリカ酸、カプロン酸、２－メチルペンタン酸、４－メチルペンタン酸、２，３－ジメチルブタン酸、２－エチルブタン酸、２，２－ジメチルブタン酸及び３，３－ジメチルブタン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましい。
また、本発明のＣＭＰ用研磨液は、ｐＨが９未満であると好ましく、８未満であるとより好ましく、７未満であると更に好ましい。このような好適な上限値未満のｐＨを有するほど、ＣＭＰ用研磨液における砥粒の凝集を抑制し易くなる傾向にある。一方、ＣＭＰ用研磨液のｐＨは、１．５以上であると好ましく、２．０以上であるとより好ましく、２．５以上であると更に好ましい。このような好適な下限値以上のｐＨを有することで、ＣＭＰ用研磨液とＩＬＤ膜との相互作用を大きくして高い研磨速度が得られ易くなる傾向にある。そして、ＣＭＰ用研磨液は、好適な範囲のｐＨを有することができるように、ｐＨ調整剤を更に含有するものであるとより好ましい。
本発明のＣＭＰ用研磨液において、添加剤である４－ピロン系化合物の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～５質量部であると好ましい。これにより、研磨速度の向上効果がさらに効率的に得られる。
また、もう一方の添加剤である非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方の含有量は、ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０５～０．５質量部であると好ましい。これにより、高い研磨速度を維持しながら平坦性を向上させる効果が一層得られ易くなる。
さらに、添加剤として飽和モノカルボン酸を含む場合、この飽和モノカルボン酸の含有量は、ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～５質量部であると好ましい。これによって、平坦な面への研磨速度の向上効果及び面内均一性の向上効果がさらに効率的に得られる。
砥粒の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～１０質量部であると好ましい。また、この砥粒の平均粒径は、５０～５００ｎｍであると好ましい。さらに、砥粒は、酸化セリウムから構成されるセリウム系粒子であることが好ましく、結晶粒界を有する多結晶酸化セリウムから構成されるセリウム系粒子であるとより好ましい。本発明のＣＭＰ用研磨液における砥粒が、これらの条件の一つ以上を満たしていることで、ＩＬＤ膜に対する研磨速度がより一層向上するとともに、さらに効果的に研磨傷の発生を抑制できるようになる。
また、本発明は、基板を研磨する研磨方法であって、上記本発明のＣＭＰ用研磨液を基板と研磨部材との間に供給して、この研磨部材により基板を研磨する工程を含む研磨方法を提供する。この研磨方法によれば、上述した本発明のＣＭＰ用研磨液を用いるため、砥粒の凝集を抑制しつつ、基板に対する充分に高い研磨速度を達成しながら、研磨傷の発生を低減することができる。したがって、この研磨方法は、ＩＬＤ膜の研磨のように、高速、高平坦性且つ低研磨傷が求められる研磨に適しており、短時間で多くのＩＬＤ膜を研磨する用途に適している。かかる本発明の研磨方法は、特に酸化ケイ素膜を表面に有する基板の研磨に適している。すなわち、本発明の研磨方法において、基板は、表面に酸化ケイ素膜を有するものであり、ＣＭＰ研磨液をこの基板における酸化ケイ素膜と研磨部材との間に供給して、研磨部材により基板における酸化ケイ素膜を研磨することが好適である。
本発明によれば、ＩＬＤ膜のＣＭＰ工程において、研磨傷を少なくしつつ充分に高い研磨速度を得ることが可能であり、しかも砥粒の凝集が生じにくく、高い平坦性が得られるＣＭＰ用研磨液、及びこれを用いた研磨方法を提供することが可能となる。
配線を覆うように形成された酸化ケイ素膜を研磨する工程を示す摸式断面図である。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施の形態について説明する。
＜ＣＭＰ用研磨液＞
　本実施形態に係るＣＭＰ用研磨液（以下、「研磨液」と略す）は、砥粒（研磨粒子）と、添加剤と、水とを含有し、添加剤として、特定の化学構造を有する４－ピロン系化合物、並びに、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を含むものである。以下、研磨液の調製に使用する各成分について説明する。
（添加剤）
　ＣＭＰ用研磨液は、添加剤として、４－ピロン系化合物と、非イオン性の界面活性剤又はカチオン性の界面活性剤とを少なくとも含み、その他の添加剤を組み合わせて含有してもよい。また、非イオン性界面活性剤とカチオン性の界面活性剤とを組み合わせて含有していてもよい。
４－ピロン系化合物は、オキシ基及びカルボニル基が含まれるとともに、オキシ基に対してカルボニル基が４位に位置している６員環（γ－ピロン環）構造を有する複素環式化合物である。本実施形態の４－ピロン系化合物は、このγ－ピロン環におけるカルボシル基に隣接している炭素原子にヒドロキシ基が結合しており、それ以外の炭素原子には、水素原子以外の置換基が置換していてもよい。
このような４－ピロン系化合物は、下記式（１）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。１価の置換基としては、アルデヒド基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素、ニトロ基、ヒドラジン基、Ｃ１～８アルキル基（ＯＨ、ＣＯＯＨ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉ、又はＮＯ２で置換されていてもよい）、ヒドロキシアルキル基、Ｃ６～１２アリール基、及びＣ１～８アルケニル基等が挙げられる。なかでも、Ｃ１～８アルキル基（ＯＨで置換されていてもよい）が好適である。また、Ｘ１１、Ｘ１２又はＸ１３として１価の置換基を有する場合、置換基は、オキシ基に隣接する炭素原子に結合していることが好ましい。すなわち、Ｘ１１又はＸ１２が置換基であることが好ましい。さらに、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３のうち、少なくとも２つは水素原子であることが好ましい。
このような４－ピロン系化合物としては、３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ピロン、５－ヒドロキシ－２－（ヒドロキシメチル）－４－ピロン又は２－エチル－３－ヒドロキシ－４－ピロンが好ましい。ただし、４－ピロン系化合物としては、上述したような化合物のうちの１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。４－ピロン系化合物を２種以上組み合わせて含むと、平坦な基板の研磨速度を向上させるほか、面内均一性を向上させる効果も得ることができる傾向にある。好適な組み合わせとしては、上記式（１）で表される４－ピロン系化合物において、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３のいずれかとしてアルキル基を有するものと、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３のいずれかとしてヒドロキシアルキル基を有するものとの組み合わせが挙げられる。
４－ピロン系化合物は、水溶性であることが好ましい。水への溶解度が高い化合物を使用することで、所望の量の添加剤を良好に研磨液中に溶解させることができ、研磨速度の向上、及び砥粒の凝集の抑制の効果をより一層高水準に達成し得る。４－ピロン系化合物は、常温（２５℃）の水１００ｇに対する溶解度が０．００１ｇ以上であることが好ましく、０．００５ｇ以上であることがより好ましく、０．０１ｇ以上であることが更に好ましく、０．０５ｇ以上であることが特に好ましい。なお、溶解度の上限は特に制限はない。
また、添加剤である非イオン性界面活性剤としては、エーテル型界面活性剤、エステル型界面活性剤、アミノエーテル型界面活性剤、エーテルエステル型界面活性剤、アルカノールアミド型界面活性剤、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド等の水溶性高分子などが挙げられる。中でも、非イオン性界面活性剤としては、エステル型界面活性剤が好ましい。
より具体的には、エーテル型界面活性剤としては、ポリオキシプロピレンポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル誘導体、ポリオキシプロピレングリセリルエーテル、ポリエチレングリコール、メトキシポリエチレングリコール、アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、ポリプロピレングリコールエチレンオキシド付加物（プルロニック型非イオン界面活性剤）、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル等が挙げられる。
エステル型界面活性剤としては、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセロールボレイト脂肪酸エステル等が挙げられる。エステル型界面活性剤としては、具体的には、例えば、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
アミノエーテル型界面活性剤としては、ポリオキシエチレン誘導体が挙げられ、より具体的には、ポリエチレン硬化ヒマシ油及びポリオキシエチレンアルキルアミン等が挙げられる。エーテルエステル型界面活性剤としては、ポリオキシエチレングリセロールボレイト脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエステル等が挙げられ、アルカノールアミド型界面活性剤としては、アルキルアルカノールアミド、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
水溶性高分子としては、前述のポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミドに加えて、例えば、ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アクリルアミド）、ポリアクロイルモルホリン等のアクリル系ポリマー、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン－ポリオキシプロピレン縮合物、エチレンジアミンのポリオキシエチレン－ポリオキシプロピレンブロックポリマー等が挙げられる。
これらの非イオン性界面活性剤としては、上述した化合物のうちの１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、カチオン性界面活性剤としては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等の界面活性剤、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリリシン、ポリジメチルアクリルアミド、キトサン及びこれらの誘導体等の高分子化合物などが挙げられる。
非イオン性界面活性剤としては、なかでも、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレートが好ましい。非イオン性界面活性剤としてこのような化合物を含むことで、特に優れた平坦性を有する研磨面を得ることができ、また、砥粒の凝集を一層抑制することが可能となる。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレートを少なくとも含み、その他の化合物を組み合わせて含んでもよい。
また、添加剤としては、上述した４－ピロン系化合物及び非イオン性の界面活性剤に加えて、飽和モノカルボン酸を更に含むことが好ましい。これにより、研磨する面が凹凸を有する場合の研磨速度が充分に得られるとともに、凹凸を有しない平坦な面に対しても研磨速度を向上させることができる。一般に、凹凸を有する面の研磨では、凸部が優先的に研磨され、研磨が進行するに従って被研磨面が平坦になることから、凹凸のある被研磨面に対する研磨速度だけでなく、凹凸のない被研磨面に対する研磨速度にも優れる研磨液は、全研磨工程を通じて良好な研磨速度が得られる点で好適である。
飽和モノカルボン酸としては、炭素数２～６である化合物が好適である。例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヒドロアンゲリカ酸、カプロン酸、２－メチルペンタン酸、４－メチルペンタン酸、２，３－ジメチルブタン酸、２－エチルブタン酸、２，２－ジメチルブタン酸、３，３－ジメチルブタン酸等が好ましい。なかでも、酢酸、プロピオン酸が特に好ましく、更にプロピオン酸が好ましい。なお、飽和モノカルボン酸としては、これらの化合物のうちの１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（砥粒）
　本実施形態のＣＭＰ用研磨液は、砥粒として、セリウム系化合物からなるセリウム系粒子を含む。
このようなセリウム系粒子を砥粒として用いた研磨液は、研磨面に生じる研磨傷を比較的少なくできるという特長を有する。従来、ＩＬＤ膜を主に構成する酸化ケイ素膜に対する高い研磨速度を達成しやすい点から、砥粒としてはシリカ粒子が広く用いられていた。しかしながら、シリカ粒子を用いた研磨液は、一般に研磨面に研磨傷が生じやすいという問題があった。そして、配線幅が４５ｎｍの世代以降の微細パターンを有するデバイスにおいては、従来問題にならなかったような微細な傷であっても、デバイスの信頼性に影響を与えるおそれがある。
一方、セリウム系化合物を含む粒子を砥粒として使用した研磨液は、通常、シリカ粒子を使用したものと比較して、酸化ケイ素膜の研磨速度がやや低い傾向にある。これに対し、本実施形態においては、上述した特定の添加剤を組み合わせて添加したことにより、セリウム系粒子を砥粒として用いるにもかかわらず、ＩＬＤ膜（酸化ケイ素膜）に対する高い研磨速度が得られる傾向にある。
セリウム系粒子を構成するセリウム系化合物としては、例えば、酸化セリウム、水酸化セリウム、硝酸アンモニウムセリウム、酢酸セリウム、硫酸セリウム水和物、臭素酸セリウム、臭化セリウム、塩化セリウム、シュウ酸セリウム、硝酸セリウム及び炭酸セリウム等が挙げられる。これらの中でも酸化セリウム粒子を砥粒として用いることが好ましい。酸化セリウム粒子を使用することで、高い研磨速度を達成できるとともに、傷が少なく平坦性に優れた研磨面が得られる。
砥粒として使用する酸化セリウムは、結晶粒界を持つ多結晶酸化セリウムを含むことが好ましい。かかる構成の多結晶酸化セリウム粒子は、研磨中に細かくなると同時に活性面が次々と現れる性質を有し、ＩＬＤ膜に対する高い研磨速度を高く維持することができる。
酸化セリウムからなるセリウム系粒子の製造方法としては、例えば、焼成又は過酸化水素等による酸化法等が挙げられる。焼成による方法の場合、焼成時の温度は、３５０～９００℃が好ましい。製造された酸化セリウム粒子が凝集している場合、これを機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法としては、例えば、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは、例えば、「化学工学論文集」、第６巻第５号、（１９８０）、５２７～５３２頁に説明されているものを使用することができる。
砥粒の平均粒径は、５０ｎｍ以上が好ましく、７０ｎｍ以上がより好ましく、８０ｎｍ以上が更に好ましい。砥粒の平均粒径が５０ｎｍ以上であると、５０ｎｍ未満の場合と比較して、ＩＬＤ膜に対する研磨速度を高くできる。他方、砥粒の平均粒径は、５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、２８０ｎｍ以下が更に好ましく、２５０ｎｍ以下が特に好ましく、２００ｎｍ以下がより一層好ましい。平均粒径が５００ｎｍ以下であると、５００ｎｍを超える場合と比較して、研磨傷を抑制することができる。
ここで、砥粒の平均粒径とは、砥粒が分散したスラリのサンプルを、動的光散乱式粒度分布計で測定した体積分布の中央値を意味し、堀場製作所製のＬＢ－５００（商品名）等を用いて測定することができる値である。例えば、砥粒の含有量がサンプル１００質量部に対して０．５質量部になるように砥粒を水に分散させて濃度を調整し、これをＬＢ－５００にセットして体積分布の中央値の測定を行う。なお、ＬＢ－５００によってメジアン径（累積中央値）を測定することで、砥粒の凝集の程度を評価することもできる。また、研磨液から砥粒の粒径を測定する場合は、砥粒の含有量がサンプル１００質量部に対して０．５質量部になるように研磨液の濃度を調整してサンプルを作成し、これを用いて同様の方法により測定することができる。
（水）
　研磨液に含まれる水は、特に制限されるものではないが、脱イオン水、イオン交換水又は超純水が好ましい。なお、更に必要に応じて、エタノール、酢酸、アセトン等の極性溶媒等を、水と併用してもよい。
（その他の成分）
　本実施形態に係る研磨液は、所望とする特性に合わせて上述した成分以外の成分を更に含有していてもよい。このような成分としては、後述するようなｐＨ調整剤や、アミノカルボン酸、環状モノカルボン酸等が挙げられる。これらの成分の添加量は、研磨剤による上記の効果を過度に低下させない範囲とすることが望ましい。
＜研磨液の調製法及び使用法＞
　上述した各成分を組み合わせて含有する研磨液は、（Ａ）通常タイプ、（Ｂ）濃縮タイプ及び（Ｃ）２液タイプに分類でき、タイプによってそれぞれ調製法及び使用法が相違する。（Ａ）通常タイプは、研磨時に希釈等の前処理をせずにそのまま使用できる研磨液である。（Ｂ）濃縮タイプは、保管や輸送の利便性を考慮し、（Ａ）通常タイプと比較して含有成分を濃縮した研磨液である。（Ｃ）２液タイプは、保管時や輸送時には一定の成分を含む液Ａと他の成分を含む液Ｂとに分けた状態としておき、使用に際してこれらの液を混合して使用する研磨液である。
（Ａ）通常タイプは、上記の特定の添加剤、砥粒及び必要に応じて添加するその他の成分を、主な分散媒である水に溶解又は分散させることによって得ることができる。例えば、研磨液１００質量部に対する砥粒の含有量０．５質量部、添加剤の含有量０．１質量部の研磨液１０００ｇを調製するには、研磨液全量に対して砥粒５ｇ、添加剤１ｇとなるように配合量を調整すればよい。
研磨液の調製は、例えば、攪拌機、ホモジナイザ、超音波分散機、湿式ボールミル等を使用して行うことができる。なお、砥粒の平均粒径が所望の範囲となるように、研磨液の調製過程において砥粒を微粒子化する処理を行ってもよい。砥粒の微粒子化処理は、沈降分級法や高圧ホモジナイザを用いた方法によって実施することができる。沈降分級法は、砥粒を含むスラリを遠心分離機で強制的に沈降させる工程と、上澄み液のみ取り出す工程とを有する方法である。一方、高圧ホモジナイザを用いた方法は、分散媒中の砥粒同士を高圧で衝突させる方法である。
研磨液における添加剤の１種である４－ピロン系化合物の含有量は、研磨液１００質量部に対して０．０１質量部以上が好ましく、０．０２質量部以上がより好ましく、０．０３質量部以上が更に好ましい。添加剤の量が０．０１質量部以上であると、０．０１質量部未満の場合と比較して安定した研磨速度が得られ易い傾向にある。他方、添加剤の含有量は、５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましく、１質量部以下が更に好ましく、０．５質量部以下が特に好ましい。添加剤の量が５質量部以下であると、５質量部を超える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすく、高い研磨速度が得られる傾向にある。
また、研磨液におけるもう一方の添加剤である非イオン性の界面活性剤の含有量は、ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０５質量部以上が好ましく、０．１質量部以上がより好ましく、０．２質量部以上が更に好ましい。非イオン性の界面活性剤の量が０．０５質量部以上であると、０．０５質量部未満の場合と比較して良好な平坦性が得られ、また砥粒の凝集が抑制される傾向にある。他方、非イオン性の界面活性剤の含有量は、０．５質量部以下が好ましく、０．２質量部以下が特に好ましい。非イオン性の界面活性剤の量が０．５質量部以下であると、０．５質量部を超える場合と比較して高い研磨速度が得られる傾向にある。
また、研磨液に必要に応じて添加する添加剤である飽和モノカルボン酸の含有量は、研磨液１００質量部に対して０．０１質量部以上が好ましく、０．０５質量部以上がより好ましく、０．１質量部以上が更に好ましく、０．２質量部以上が一層好ましい。飽和モノカルボン酸の量が０．０１質量部以上であると、０．０１質量部未満の場合と比較して安定した研磨速度及び良好な面内均一性を達成しやすい傾向にある。他方、飽和モノカルボン酸の含有量は、５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましく、２質量部以下が更に好ましく、１質量部以下が特に好ましい。飽和モノカルボン酸の量が５質量部以下であると、５質量部を超える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすく、高い研磨速度及び良好な面内均一性が達成される傾向にある。
研磨液に含まれる砥粒の含有量（粒子濃度）は、研磨液１００質量部に対して０．０１質量部以上が好ましく、０．１質量部以上がより好ましく、０．１５質量部以上が更に好ましく、０．２質量部以上が一層好ましく、０．２５質量部以上が特に好ましい。砥粒の量が０．０１質量部以上であると、０．０１質量部未満の場合と比較して高い研磨速度が達成される傾向にある。他方、砥粒の含有量は、１０質量部以下が好ましく、５．０質量部以下がより好ましく、３．０質量部以下が更に好ましく、２．０質量部以下が特に好ましく、１．０質量部以下がより一層好ましい。添加剤の量が１０質量部以下であると、１０質量部を越える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすく、高い研磨速度が達成される傾向にある。
研磨液のｐＨは、９．０未満が好ましく、８．０未満がより好ましく、７．０未満が更に好ましく、６．０以下が特に好ましい。ｐＨが９．０未満であると、９．０以上である場合と比較して砥粒の凝集などを抑制しやすくなり、上述した添加剤を添加したことによる効果が得られ易い傾向にある。他方、研磨液のｐＨは、１．５以上が好ましく、２．０以上がより好ましく、２．５以上が更に好ましい。ｐＨが１．５以上であると、１．５未満の場合と比較してＩＬＤ膜のゼータ電位の絶対値を大きな値とすることができ、研磨液とＩＬＤ膜との相互作用を大きくできる傾向にある。
また、このように研磨液のｐＨを１．５～９．０の好適な範囲内に調整することにより、上記に加えて、次の２つの効果も得られると考えられる。
（１）添加剤として配合した化合物にプロトンやヒドロキシアニオンが作用して、添加剤の化合物の化学形態が変化し、被研磨面のＩＬＤ膜である酸化ケイ素膜に対する濡れ性や親和性が向上し、これによって高い研磨速度が得られる。
（２）砥粒が酸化セリウムからなるセリウム系粒子である場合、上記ｐＨ範囲において砥粒とＩＬＤ膜との接触効率が向上し、高い研磨速度が達成される。これは、酸化セリウムはゼータ電位の符号が正であるのに対し、ＩＬＤ膜である酸化ケイ素膜はゼータ電位の符号が負であり、両者の間に静電的引力が働くためである。
研磨液のｐＨは、添加剤として使用する化合物の種類によって変化し得るため、ｐＨを上記の範囲に調整するために、研磨液にはｐＨ調整剤を含有させてもよい。ｐＨ調整剤としては、特に制限はないが、例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸、酢酸等の酸、水酸化ナトリウム、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の塩基等が挙げられる。なお、研磨液が好適なｐＨをはじめから有している場合は、生産性を向上させる観点から、ｐＨ調整剤を使用することなく研磨液を調製し、この研磨液をそのままＣＭＰに適用するようにしてもよい。
（Ｂ）濃縮タイプは、使用直前に含有成分が所望の含有量となるように水で希釈される。希釈後には、上述した（Ａ）の通常タイプと同程度の液状特性（例えばｐＨや砥粒の粒径等）及び研磨特性（例えばＩＬＤ膜の研磨速度等）が得られるまで、任意の時間にわたって攪拌を行ってもよい。このような（Ｂ）濃縮タイプでは、濃縮の度合いに応じて容積が小さくなるため、保管及び輸送にかかるコストを減らすことができる。
濃縮倍率は、１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましく、３倍以上が更に好ましく、５倍以上が特に好ましい。濃縮倍率が１．５倍以上であると、１．５倍未満の場合と比較して保管及び輸送に関するメリットが得られやすい傾向にある。他方、濃縮倍率は、４０倍以下が好ましく、２０倍以下がより好ましく、１５倍以下が特に好ましい。濃縮倍率が４０倍以下であると、４０倍を超える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすい傾向にある。
（Ｂ）濃縮タイプの研磨液を使用する際には、水による希釈の前後でｐＨが変化する。そこで、（Ａ）通常タイプと同じｐＨの研磨液を（Ｂ）濃縮タイプから調製するには、水との混合によるｐＨ上昇を考慮に入れ、濃縮タイプの研磨液のｐＨを予め低めに設定しておけばよい。例えば、二酸化炭素が溶解した水（ｐＨ：約５．６）を使用し、ｐＨ４．０の（Ｂ）濃縮タイプの研磨液を１０倍に希釈した場合、希釈後の研磨液はｐＨが４．３程度にまで上昇する。
（Ｂ）濃縮タイプのｐＨは、水による希釈後に適したｐＨの研磨液を得る観点から、１．５～７．０が好ましい。ｐＨの上限は２．０がより好ましく、２．５が更に好ましい。また、砥粒の凝集を抑制する観点から、ｐＨの下限は、７．０が好ましく、６．７がより好ましく、６．０が更に好ましく、５．５が特に好ましい。
（Ｃ）２液タイプは、液Ａと液Ｂとを適切に分けることで、（Ｂ）濃縮タイプと比較して砥粒の凝集等を回避できるという利点がある。液Ａ及び液Ｂにそれぞれ含有させる成分は任意である。例えば、砥粒と非イオン性の界面活性剤とを含むスラリを液Ａとし、他方、４－ピロン系化合物と必要に応じて配合される他の成分とを含む溶液を液Ｂとすることができる。この場合、液Ａにおける砥粒の分散性を高めるため、任意の酸又はアルカリを液Ａに配合し、ｐＨ調整を行ってもよい。
（Ｃ）２液タイプの研磨液は、混合すると砥粒の凝集等によって研磨特性が比較的短時間で低下し易い傾向にある成分を組み合わせる場合に有用である。なお、保管及び輸送にかかるコスト削減の観点から、液Ａ及び液Ｂを少なくとも一方を濃縮タイプとしてもよい。この場合、研磨液を使用する際に、液Ａと液Ｂと水とを混合すればよい。液Ａ又は液Ｂの濃縮倍率、ｐＨは任意であり、最終的な混合物が液状特性及び研磨特性の点で（Ａ）通常タイプの研磨液と同程度となるようにできればよい。
＜研磨方法＞
　本実施形態に係る研磨方法は、上述した実施形態の研磨液（ＣＭＰ用研磨液）を使用し、表面に酸化ケイ素膜を有する基板をＣＭＰ技術によって平坦化するものである。具体的には、表面に酸化ケイ素膜を有する基板における酸化ケイ素膜と所定の研磨用の部材（研磨部材）との間に、上述した実施形態の研磨液を供給し、その状態で研磨部材によって酸化ケイ素膜を研磨する工程を含む。
本実施形態の研磨方法は、以下のようなデバイスの製造過程において表面に酸化ケイ素膜を有する基板を研磨するのに適している。デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フラッシュメモリ等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子等が挙げられる。
上述した本実施形態の研磨液によれば、研磨傷を抑制しながら高い研磨速度が得られるが、この高い研磨速度は、被研磨面の凹凸形状に大きく依存することなく得られる傾向にある。そのため、当該研磨液を用いた研磨方法は、従来のＣＭＰ用研磨液を用いた方法では高い研磨速度を達成することが困難であった被研磨面に対しても適用できる。
特に、本実施形態に係る研磨方法は、表面に段差（凹凸）を有する被研磨面の平坦化に適している。このような被研磨面を有する基板としては、例えば、ロジック用の半導体デバイスが挙げられる。また、この研磨方法は、上から見たときに凹部又は凸部がＴ字形状又は格子形状になっている部分を含む表面を研磨するのに適している。例えば、メモリセルを有する半導体デバイス（例えば、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ）の表面に設けられた酸化ケイ素膜も高い速度で研磨できる。これらは、従来のＣＭＰ用研磨液を用いた方法では高い研磨速度を達成することが困難であったものであり、これらの研磨を高速で行うことができることは、本発明のＣＭＰ用研磨液が、被研磨面の凹凸形状に大きく依存することなく、高い研磨速度を達成できることを示している。
なお、当該研磨方法を適用できる基板は、基板表面全体に酸化ケイ素膜のみが形成されたものに限らず、基板表面に酸化ケイ素膜の他に窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜等を更に有したものであってもよい。また、当該研磨方法は、所定の配線を有する配線板上に、酸化ケイ素膜、ガラス、窒化ケイ素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜が形成された基板に対しても適用できる。
ここで、基板表面に、研磨液によって研磨される酸化ケイ素膜を形成する方法としては、低圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。低圧ＣＶＤ法による酸化ケイ素膜の形成は、Ｓｉ源としてモノシラン（ＳｉＨ４）、酸素源として酸素（Ｏ２）を用いる。このＳｉＨ４－Ｏ２系酸化反応を４００℃以下の低温で生じさせることによって酸化ケイ素膜が形成される。場合によって、ＣＶＤ後に１０００℃又はそれ以下の温度での熱処理が実施される。
プラズマＣＶＤ法は、通常の熱平衡下では高温が必要となる化学反応を、低温で生じさせることができる利点を有する。プラズマの発生法には、容量結合型と誘導結合型の２つの方法が挙げられる。反応ガスとしては、Ｓｉ源としてＳｉＨ４、酸素源としてＮ２Ｏを用いたＳｉＨ４－Ｎ２Ｏ系ガスや、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をＳｉ源に用いたＴＥＯＳ－Ｏ２系ガス（ＴＥＯＳ－プラズマＣＶＤ法）が挙げられる。基板温度は２５０～４００℃及び反応圧力は６７～４００Ｐａの範囲が好ましい。
高温リフローによる表面平坦化を図るためには、酸化ケイ素膜にリン（Ｐ）をドープしてもよい。その場合、ＳｉＨ４－Ｏ２－ＰＨ３系反応ガスを用いることが好ましい。このように、研磨対象の酸化ケイ素膜は、リン、ホウ素等の元素がドープされたものであってもよい。
酸化ケイ素膜とともに窒素ケイ素膜を形成する場合、窒化ケイ素膜も、酸化ケイ素膜と同様、低圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により形成することができる。低圧ＣＶＤ法では、Ｓｉ源としてジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、窒素源としてアンモニア（ＮＨ３）を用いる。このＳｉＨ２Ｃｌ２－ＮＨ３系酸化反応を９００℃の高温で生じさせることによって、窒化ケイ素膜が形成される。プラズマＣＶＤ法では、Ｓｉ源としてＳｉＨ４、窒素源としてＮＨ３を用いたＳｉＨ４－ＮＨ３系ガスが、反応ガスとして適用できる。この場合、基板温度は３００℃～４００℃が好ましい。
以下、本実施形態に係る研磨方法を含むプロセスの一例として、ＣＭＰによって層間絶縁（ＩＬＤ）構造を形成するプロセスについて説明する。図１は、配線を覆うように形成された酸化ケイ素膜を研磨する工程を示す摸式断面図であり、半導体の配線間に層間絶縁膜を形成する過程を示している。
まず、図１（ａ）に示すように、研磨前の基板１００は、所定の下部配線（図示せず）を有する下部基板（図示せず）上に、層間絶縁膜１０を介して配線４０が形成され、この配線４０を覆うように、上部のＩＬＤ膜となる酸化ケイ素皮膜２０が形成された構造を有している。酸化ケイ素皮膜２０は、配線４０が形成された層間絶縁膜１０上に形成されているため、配線４０上の部分がそれ以外の部分よりも高くなっており、これによって酸化ケイ素皮膜２０には段差Ｄが生じている。なお、配線４０は、層間絶縁膜１０を貫くように形成されたコンタクトプラグ３０によって下部配線等と接続されている。また、層間絶縁膜１０としては、層間絶縁膜として公知の材料からなるものを制限なく適用でき、酸化ケイ素からなるものであってもよい。
本実施形態の研磨方法では、酸化ケイ素膜２０における段差Ｄを解消して平坦化することで、層間絶縁構造を形成するために、配線４０上の突出部をＣＭＰによって優先的に研磨し、これを除去する。
この研磨方法では、酸化ケイ素膜２０の上面と研磨パッドとが当接するように研磨パッド上に基板１００を配置し、酸化ケイ素膜２０と研磨パッドとの間に研磨液を供給しながら、この研磨パッドによって酸化ケイ素膜２０の表面を研磨する。より具体的には、研磨定盤が有している研磨パッドに、酸化ケイ素膜２０の研磨されるべき面（被研磨面）を押し当て、この被研磨面と研磨パッドとの間に研磨液を供給しながら、両者を相対的に動かすことによって酸化ケイ素膜２０を研磨する。なお、ここでは、研磨部材として研磨パッドを例示したが、研磨部材としては、研磨の機能を有するものであれば特に制限なく適用できる。
このような研磨に用いる研磨装置としては、例えば、基板１００を保持するホルダーと、研磨パッドが貼り付けられる研磨定盤と、研磨パッド上に研磨液を供給する手段とを備える装置が好適である。例えば、荏原製作所株式会社製の研磨装置（型番：ＥＰＯ－１１１、ＥＰＯ－２２２、Ｆ☆ＲＥＸ２００、Ｆ☆ＲＥＸ３００）、ＡＭＡＴ製の研磨装置（商品名：Ｍｉｒｒａ　３４００、Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ研磨機）等が挙げられる。研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等を使用することができる。また、研磨パッドは、研磨液が溜まるような溝加工が施されたものであると好ましい。
研磨条件としては、特に制限はないが、基板１００が飛び出さないようにする見地から、研磨定盤の回転速度を２００ｍｉｎ－１以下とすることが好ましい。また、基板１００にかける圧力（加工荷重）は、研磨面の傷を抑制するという見地から、１００ｋＰａ以下が好ましい。研磨している間は、ポンプ等によって研磨パッドに研磨液を連続的に供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われるようにすることが好ましい。
このような研磨によって、酸化ケイ素皮膜２０における配線４０上の突出部が優先的に除去されて徐々に段差Ｄが解消され、最終的に、図１（ｂ）に示すように、酸化ケイ素皮膜２０の表面における配線４０の部分の高さとそれ以外の部分の高さとがほぼ同じとなり、平坦な表面を有する酸化ケイ素皮膜２０（ＩＬＤ膜）が形成される。研磨終了後には、流水中で研磨後の基板１００を充分に洗浄し、更にスピンドライヤ等を用いて基板１００上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
本実施形態の研磨方法では、上述した本実施形態のＣＭＰ用研磨液を用いることから、高い研磨速度が得られるとともに、研磨傷の発生を大幅に少なくでき、表面の凹凸を解消して基板１００全面にわたって平滑な面を得ることができる。また、このＣＭＰ用研磨液を用いることにより、凹凸面の研磨によって徐々に被研磨面が平坦な面となっていっても、高い研磨速度が維持される。さらに、配線４０が露出するまで研磨を行ったとしても、ディッシング等の発生を極めて少なくすることができる。
なお、本発明では、上述したような層間絶縁膜１０の形成、配線４０の形成、酸化ケイ素膜２０の形成及びＣＭＰによる研磨の各工程を所定の回数繰り返し行うことによって、所望の層数を有するように多層化された基板１００を製造することもできる。
このようにして、種々の電子部品として使用することが可能な各種の基板１００を得ることができる。電子部品の具体例としては、半導体素子、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等が挙げられる。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（砥粒の作製）
　以下の実施例で用いる砥粒であるセリウム系粒子からなる粉末を製造した。すなわち、まず、炭酸セリウム水和物４０ｋｇをアルミナ製容器１０個に分けて入れ、それぞれ８３０℃で２時間、空気中で焼成して黄白色の粉末を計２０ｋｇ得た。この粉末についてＸ線回折法で相同定を行い、当該粉末が多結晶体の酸化セリウムを含むことを確認した。焼成によって得られた粉末の粒子径をＳＥＭで観察したところ、２０～１００μｍの範囲であった。次いで、このようにして得られた酸化セリウム粉末２０ｋｇに対し、ジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕後の酸化セリウム粉末は比表面積が９．４ｍ２／ｇであった。この比表面積の測定はＢＥＴ法によって行った。
（砥粒を含むスラリの調製）
　容器内に、上記で得られた酸化セリウム粉末１５．０ｋｇ及び脱イオン水８４．７ｋｇを入れて混合し、さらに１Ｎの酢酸を０．３ｋｇ添加して１０分間撹拌し、酸化セリウム混合液を得た。得られた酸化セリウム混合液を、別の容器に３０分かけて送液した。その間、送液する配管内で、酸化セリウム混合液に対し、超音波周波数４００ｋＨｚにて超音波を印加した。
超音波照射を印加されながら送液された酸化セリウム混合液を、１０００ｍＬビーカー４個に各８００ｇ±８ｇずつ入れた。各ビーカー内の酸化セリウム混合液に対し、外周にかかる遠心力が５００Ｇとなるような条件で、２０分間遠心分離を行った。遠心分離後、ビーカーの上澄み画分を採取し、スラリ（Ａ）を得た。得られたスラリ（Ａ）には、全質量基準で約１０．０質量％の酸化セリウム粒子が含まれていた。
このようにして得られたスラリ（Ａ）を、全質量基準で砥粒（セリウム粒子）の含有量が０．５質量％となるように純水で希釈して、これを粒径測定用のサンプルとした。このサンプルについて、動的光散乱式粒度分布計（株式会社堀場製作所社製、商品名：ＬＢ－５００）を用いて砥粒の平均粒径を測定した結果、平均粒径は１５０ｎｍであった。
［参考実験例１］
　まず、研磨液（ＣＭＰ用研磨液）に含まれる４－ピロン系化合物の効果を確認するために、以下の各種の研磨液のサンプルＮｏ．１～１９を作製し、それらの特性を評価した。
（研磨液の作製１；サンプルＮｏ．１～１９）
　サンプルＮｏ．１～１０の研磨液は、各種の４－ピロン系化合物を添加剤として使用して調製されたものであり、サンプルＮｏ．１１～１９の研磨液は、４－ピロン系化合物ではない化合物を添加剤として使用して調製されたものである。各研磨液における添加剤やその他の成分の種類は、下記表１、２に示す通りとした。
研磨液の製造においては、まず、所定量の脱イオン水に、表１及び２に示す各種の添加剤を、最終的に表１及び２に示す研磨液における添加剤濃度が得られるように溶解させて、添加剤溶液（Ｂ）を得た。次に、この添加剤溶液（Ｂ）を、上述のスラリ（Ａ）と同量混合し、１０分間にわたって攪拌した。これにより、各種の濃縮状態の研磨液（Ｃ）を得た。この濃縮状態の研磨液（Ｃ）には、全質量基準で５質量％の砥粒（酸化セリウム粒子）と、表１及び２に記載した濃度の１０倍の添加剤が含まれる。
そして、このように調製した１９種類の濃縮状態の研磨液（Ｃ）を、それぞれ水で１０倍に希釈し、次いで、２．５％アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）又は１Ｎ希硝酸（ＨＮＯ３）をｐＨ調整剤として添加することで、表１及び表２に記載したｐＨ（研磨液ｐＨ）が得られるように調整した。これにより、サンプルＮｏ．１～１９の研磨液を得た。なお、ｐＨ調整剤の添加量は微量であるので他の成分の濃度には影響せず、このｐＨ調整剤の添加後でも、得られた研磨液における砥粒濃度は、全質量基準で０．５質量％であり、また添加剤濃度も表１及び２に示した濃度である。
（特性評価）
　サンプルＮｏ．１～１９の研磨液を用い、以下のようにして酸化ケイ素膜の研磨を行い、研磨速度を測定するとともに、各研磨液に含まれる砥粒の凝集のしやすさを評価した。
（１）酸化ケイ素膜の研磨速度の測定
　まず、表面に酸化ケイ素膜を有するφ２００ｍｍのＤＲＡＭパターンテストウエハ（ＤＲＡＭウェハ、Ｐｒａｅｓａｇｕｓ製、型番：ＰＣＷ－ＳＴＩ－８１１）を準備した。このＤＲＡＭウエハは、微細な凹凸のある酸化ケイ素膜を有するものであり、凸部が凹部に対して約５００ｎｍ高い初期段差をもち、酸化ケイ素の初期膜厚は約６００ｎｍである。酸化ケイ素膜に覆われた配線は、格子形状と平行なラインで形成されている。
そして、サンプルＮｏ．１～１９の各研磨液を用いて、上記ＤＲＡＭウエハにおける酸化ケイ素膜を研磨した。研磨は、研磨装置（アプライドマテリアル製、商品名：Ｍｉｒｒａ３４００）を用いて行った。まず、研磨装置における基板取り付け用の吸着パッドを有するホルダーに、上記ＤＲＡＭウエハをセットした。一方、直径５００ｍｍの研磨定盤に、研磨部材として、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッド（ｋ－ｇｒｏｏｖｅ溝、Ｒｏｈｍ　ａｎｄ　Ｈａａｓ社製、型番：ＩＣ－１４００）を貼り付けた。
それから、ＤＲＡＭウエハの酸化ケイ素膜側が下に向くようにして上記ホルダーを研磨パッド上に載せた。この際、インナーチューブ圧力、リテーナリング圧力及びメンブレン圧力は、２８ｋＰａ、３８ｋＰａ及び２８ｋＰａにそれぞれ設定した。
そして、研磨液を、研磨定盤に貼り付けられた研磨パッド上に２００ｍＬ／ｍｉｎの流量で滴下しながら、研磨定盤及びＤＲＡＭウエハを、それぞれ９３ｍｉｎ－１及び８７ｍｉｎ－１で回転させることにより、酸化ケイ素膜を６０秒間研磨した。その後、ＰＶＡブラシ（ポリビニルアルコールブラシ）を使用して研磨後のウエハを純水で良く洗浄した後、乾燥させた。
上記の研磨工程においては、光干渉式膜厚装置（大日本スクリーン製造株式会社製、商品名：ＲＥ－３０００）を用いて、研磨前後の酸化ケイ素膜の膜厚の変化を測定し、研磨に要した時間と膜厚変化量とから研磨速度を算出した。膜厚の測定点は、上記ＤＲＡＭウエハの座標のうち、（ｘ［ｍｍ］，ｙ［ｍｍ］）＝（７．０，－３．６）、（３１．０，－３．６）、（５５．０、－３．６）、（７９．０、－３．６）付近にある７０ｕｍ四方の「Ａ」と付記された凸部とし、研磨速度は、これらの４点の膜厚変化量の平均を用いて求めた。得られた結果を、研磨速度（パターン研磨速度）として表１及び２に示す。
（２）凝集のしやすさの評価
　サンプルＮｏ．１～１９の研磨液中の砥粒の粒径測定を、調製後１時間経った後の研磨液と、２５℃で保管し調整後１０日経った後の研磨液との２種類について行った。粒径測定は、動的光散乱式粒度分布計（株式会社堀場製作所社製、商品名：ＬＢ－５００）を用いて行った。
なお、測定では、各サンプルに対応する上記の濃縮状態の研磨液（Ｃ）を、測定を開始する５分前に１０倍に希釈し、これにより得られた研磨液の平均粒径を測定するようにした。添加剤を含まない溶液を用いた時の平均粒径は１５０ｎｍであることから、装置による測定誤差を考えると、２００ｎｍを超えた場合、粒子の凝集が生じたとみなすことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
表１及び表２に示すように、４－ピロン系化合物を添加剤として含むサンプルＮｏ．１～１０の研磨液は、サンプルＮｏ．１１～１９の研磨液と比較して、高い速度で酸化ケイ素膜を研磨でき、さらに調製１０日後の研磨液でも砥粒の凝集がないことが確認された。
［参考実験例２］
　研磨液（ＣＭＰ用研磨液）に追加の添加剤として含まれる飽和モノカルボン酸の効果を確認するために、以下の各種の研磨液のサンプルＮｏ．２０～２９を作製し、それらの特性を評価した。
（研磨液の作製２；サンプルＮｏ．２０－２９）
　Ｎｏ．２０～２２及び２６の研磨液は、添加剤として４－ピロン系化合物（以下、「第１添加剤」という。）のみを含むものであり、Ｎｏ．２３～２５及び２７～２９の研磨液は、添加剤として４－ピロン系化合物に加えて、追加添加剤として飽和モノカルボン酸（以下、「第２添加剤」という。）を含有するものである。
Ｎｏ．２０～２９の研磨液は、各研磨液における添加剤の種類や添加剤及び砥粒の濃度が、下記表３に示す通りとなるようにしたこと以外は、上記「研磨液の作製１」と同様にして作製した。なお、表３中、第１添加剤（４－ピロン系化合物）のＡは、３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ピロンであり、Ｂは、５－ヒドロキシ－２－（ヒドロキシメチル）－４－ピロンである。これらの両方の成分の濃度が記載されている場合は、４－ピロン系化合物として２種類を組み合わせて含むことを意味している。
（特性評価）
　サンプルＮｏ．２０～２９の研磨液を用い、以下のようにして、酸化ケイ素の研磨を行いその研磨速度を測定するとともに、研磨面の面内均一性を評価した。得られた結果を表３に示す。
（１）酸化ケイ素膜の研磨速度の測定
　まず、上記参考実験例１と同様の方法により、酸化ケイ素膜の研磨速度の測定を行い、「パターン研磨速度」を求めた。
また、以下の点以外は、上記参考実験例１と同様の方法にて、酸化ケイ素膜の研磨速度の測定を行い「パターンなし研磨速度」を求めた。すなわち、まず、ＤＲＡＭウエハに代えて、初期膜厚を約１０００ｎｍ有する酸化ケイ素膜を有するφ２００ｍｍブランケットウエハ（アドバンテック社製）を使用した。また、測定は、ウエハの中心点とこの中心点から直径方向に５ｍｍ間隔の各点とし、合計４１点で行った（なお、中心から９５ｍｍの測定点の次の測定点は、中心から９７ｍｍの場所とした）。
（２）面内均一性の評価
　上記のパターンなし研磨速度の測定で得られた４１点の膜厚変化量の標準偏差を、膜厚変化量の平均値で除した値に１００を乗じた値を求め、これを面内均一性とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
まず、表３に示すように、第２添加剤である飽和モノカルボン酸を含むＮｏ．２３～２５の研磨液及びＮｏ．２７～２９の研磨液を、第２添加剤を含まないＮｏ．２２の研磨液及びＮｏ．２６の研磨液とそれぞれ対比すると、充分な研磨速度が得られ、特に高いパターンなし研磨速度が得られる傾向にあるのに加え、一層優れた面内均一性が得られることが確認された。このことから、第２添加剤である飽和モノカルボン酸は、特に、パターンなし研磨速度及び面内均一性の向上に有効であることが判明した。
また、Ｎｏ．２３～２４及び２７～２９の研磨液は、Ｎｏ．２５の研磨液（第２添加剤として炭素数１のギ酸を含む研磨液）に比べて、パターンなし研磨速度が特に向上していた。一般に、凹凸を有するウエハの研磨では、凸部が優先的に研磨され、研磨が進行するに従って被研磨面が平坦になるため、その研磨速度はブランケットウエハの研磨速度に近づく傾向にある。そのため、パターン研磨速度だけでなく、パターンなし研磨速度にも優れる研磨液は、全研磨工程を通じて良好な研磨速度が得られる点で好適である。そして、上記の結果から、第２添加剤として、炭素数２～６の飽和モノカルボン酸を添加することが、このような効果を得るために特に有効であることが判明した。
さらに、Ｎｏ．２０～２２及びＮｏ．２６の研磨液を対比すると、いずれも４－ピロン系化合物を含むことで充分なパターン研磨速度が得られていたが、特に４－ピロン系化合物を２種類組み合わせて含むＮｏ．２２及び２６の研磨液は、パターン研磨速度に加えて、パターンなし研磨速度及び面内均一性の点でも高い効果が得られていた。
［実験例１］
　添加剤として４－ピロン系化合物と、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方との両方を含む本発明の研磨液の効果を確認するため、以下の各種の研磨液のサンプルＮｏ．３０～４８を作製し、それらの特性を評価した。
（研磨液の作製３；サンプルＮｏ．３０－４８）
　Ｎｏ．３０の研磨液は、４－ピロン系化合物（第１添加剤）のみを含有したものであり、Ｎｏ．３１の研磨液は、４－ピロン系化合物に加え、飽和モノカルボン酸（第２添加剤）を含有したものであり、Ｎｏ．３２の研磨液は、４－ピロン系化合物に加えて非イオン性の界面活性剤（以下、「第３添加剤」という。）を含有したものであり、Ｎｏ．３３～４７の研磨液は第１～第３添加剤を全て組み合わせて含有したものである。また、Ｎｏ．４８の研磨液は、ヒュームドシリカスラリＳＳ２５（キャボット社製）を脱イオン水と１：１で希釈したものである。
Ｎｏ．３０～４８の研磨液は、各研磨液における添加剤の種類や添加剤及び砥粒の濃度が、下記表４に示す通りとなるようにしたこと以外は、上記「研磨液の作製１」と同様にして作製した。なお、表４中、第１添加剤（４－ピロン系化合物）のＡは、３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ピロンであり、Ｂは、５－ヒドロキシ－２－（ヒドロキシメチル）－４－ピロンであり、第２添加剤（飽和モノカルボン酸）はプロピオン酸（炭素数３）である。
（特性評価）
　サンプルＮｏ．３０－４８の研磨液を用い、以下のようにして、酸化ケイ素の研磨を行いその研磨速度を測定するとともに、研磨後の研磨面の段差及び研磨傷を測定した。得られた結果を表４に示す。
（１）酸化ケイ素膜の研磨速度の測定
　まず、上記参考実験例１と同様の方法により、酸化ケイ素膜の研磨速度の測定を行い、「パターン研磨速度」を求めた。
また、ＤＲＡＭウエハに代えて、φ２００ｍｍＩＬＤウエハ（日立製作所社製）を用いて酸化ケイ素膜の研磨速度の測定を行い、同様に「パターン研磨速度」を求めた。このＩＬＤウエハは、表面に微細な凹凸のある酸化ケイ素膜を有するものであり、凸部の高さが凹部に対して約４０００ｎｍである酸化ケイ素膜を有している。酸化ケイ素膜に覆われた配線は、平行なラインで形成されている。さらに、膜厚の測定点は、ウエハの中心のチップの凸凹５００・５００ｎｍの配線部とした。表４には、このＩＬＤウエハを用いて得られたパターン研磨速度を示した。
（２）平坦性の測定
　研磨後の研磨面の平坦性を測定するため、段差測定装置（ｋｌａ－ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて、研磨後の凸凹部の段差を測定した。
（３）研磨傷の測定
　研磨後の研磨面の研磨傷を測定するため、ＳＥＭ（アプライドマテリアル製）を用いて、ウエハ１枚当りに生じていた研磨傷の数を測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
表４に示すように、添加剤として、４－ピロン系化合物（第１添加剤）と、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤の少なくとも一方（第３添加剤）とを組み合わせて含むＮｏ．３２～４５の研磨液によれば、充分な研磨速度が得られることに加えて、高い平坦性が得られるとともに、研磨傷の発生が低減されることが確認された。また、アニオン性界面活性剤やアニオン性高分子を組み合わせて含むＮｏ．４６及び４７の研磨液では、これらの添加剤が酸化セリウムを凝集させることがわかった。砥粒として従来のシリカ系粒子を用いたＮｏ．４８の研磨液は、高い研磨速度が得られるものの、研磨傷が極めて発生し易いことが判明した。
１０…層間絶縁膜、２０…酸化ケイ素膜、３０…コンタクトプラグ、４０…配線、１００…基板。

Claims (22)

  1. 　砥粒と、添加剤と、水と、を含有するＣＭＰ用研磨液であって、
    　前記砥粒は、セリウム系粒子を含み、
    　前記添加剤は、下記式（１）で表される４－ピロン系化合物、並びに、非イオン性の界面活性剤及びカチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方を含む、ＣＭＰ用研磨液。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］
  2. 　前記４－ピロン系化合物が、３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ピロン、５－ヒドロキシ－２－（ヒドロキシメチル）－４－ピロン、２－エチル－３－ヒドロキシ－４－ピロンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である、請求項１記載のＣＭＰ用研磨液。
  3. 　前記非イオン性の界面活性剤が、エーテル型界面活性剤、エステル型界面活性剤、アミノエーテル型界面活性剤、エーテルエステル型界面活性剤、アルカノールアミド型界面活性剤、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の界面活性剤である、請求項１又は２記載のＣＭＰ用研磨液。
  4. 　前記添加剤として、飽和モノカルボン酸を更に含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  5. 　前記飽和モノカルボン酸の炭素数が２～６である、請求項４記載のＣＭＰ用研磨液。
  6. 　前記飽和モノカルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヒドロアンゲリカ酸、カプロン酸、２－メチルペンタン酸、４－メチルペンタン酸、２，３－ジメチルブタン酸、２－エチルブタン酸、２，２－ジメチルブタン酸及び３，３－ジメチルブタン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物である、請求項４又は５記載のＣＭＰ用研磨液。
  7. 　ｐＨが９未満である、請求項１～６のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  8. 　ｐＨが８未満である、請求項１～７のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  9. 　ｐＨが７未満である、請求項１～８のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  10. 　ｐＨが１．５以上である、請求項１～９のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  11. 　ｐＨが２．０以上である、請求項１～１０のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  12. 　ｐＨが２．５以上である、請求項１～１１いずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  13. 　ｐＨ調整剤を更に含有する、請求項１～１２のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  14. 　前記４－ピロン系化合物の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～５質量部である、請求項１～１３のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  15. 　前記非イオン性界面活性剤及び前記カチオン性の界面活性剤のうちの少なくとも一方の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０５～０．５質量部である、請求項１～１４のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  16. 　前記飽和モノカルボン酸の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～５質量部である、請求項４～１５のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  17. 　前記砥粒の含有量は、当該ＣＭＰ用研磨液１００質量部に対して０．０１～１０質量部である、請求項１～１６のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  18. 　前記砥粒の平均粒径は、５０～５００ｎｍである、請求項１～１７のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  19. 　前記砥粒は、酸化セリウムから構成される前記セリウム系粒子を含む、請求項１～１８記載のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  20. 　前記砥粒は、結晶粒界を有する多結晶酸化セリウムから構成される前記セリウム粒子を含む、請求項１～１９のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液。
  21. 　基板を研磨する研磨方法であって、
    　請求項１～２０のいずれか一項に記載のＣＭＰ用研磨液を、前記基板と研磨部材との間に供給して、該研磨部材により前記基板を研磨する工程を含む、研磨方法。
  22. 　前記基板は、表面に酸化ケイ素膜を有するものであり、前記ＣＭＰ研磨液を、前記基板における前記酸化ケイ素膜と前記研磨部材との間に供給して、前記研磨部材により前記基板における前記酸化ケイ素膜を研磨する、請求項２１記載の研磨方法。
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