[go: up one dir, main page]

WO2010003784A3 - Siliziumsolarzelle mit passivierter p-typ-oberfläche und verfahren zur herstelllung derselben - Google Patents

Siliziumsolarzelle mit passivierter p-typ-oberfläche und verfahren zur herstelllung derselben Download PDF

Info

Publication number
WO2010003784A3
WO2010003784A3 PCT/EP2009/057483 EP2009057483W WO2010003784A3 WO 2010003784 A3 WO2010003784 A3 WO 2010003784A3 EP 2009057483 W EP2009057483 W EP 2009057483W WO 2010003784 A3 WO2010003784 A3 WO 2010003784A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
aluminium
passivated
producing
solar cell
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2009/057483
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010003784A2 (de
WO2010003784A4 (de
Inventor
Jan Schmidt
Robert Bock
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institut fuer Solarenergieforschung GmbH
Original Assignee
Institut fuer Solarenergieforschung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institut fuer Solarenergieforschung GmbH filed Critical Institut fuer Solarenergieforschung GmbH
Publication of WO2010003784A2 publication Critical patent/WO2010003784A2/de
Publication of WO2010003784A3 publication Critical patent/WO2010003784A3/de
Publication of WO2010003784A4 publication Critical patent/WO2010003784A4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/129—Passivating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Es wird eine Silizium-Solarzelle (1) und ein Verfahren zu deren Herstellung vorgeschlagen. Dabei wird eine Aluminium-haltige Schicht auf eine Oberfläche eines Siliziumsubstrates (2) aufgebracht, vorzugsweise mittels Siebdruck, und anschließend eingefeuert, so dass sich ein Aluminium-dotierter Siliziumbereich (13) bildet. Überschüssiges Aluminium sowie das Aluminium-Silizium-Eutektikum wird anschließend weggeätzt und außerdem der Aluminium-dotierte Siliziumbereich (13) zurückgeätzt. Anschließend wird die Oberfläche des Aluminium-dotierten Siliziumbereichs (13) mit einer Dielektrikumschicht, vorzugsweise aus Wasserstoff-haltigem Siliziumnitrid, passiviert. Auf diese Weise können Solarzellen hohen Wirkungsgrades unter Nutzung bekannter Fertigungstechnologien gefertigt werden.
PCT/EP2009/057483 2008-06-16 2009-06-16 Siliziumsolarzelle mit passivierter p-typ-oberfläche und verfahren zur herstelllung derselben Ceased WO2010003784A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008028578.1 2008-06-16
DE102008028578A DE102008028578A1 (de) 2008-06-16 2008-06-16 Siliziumsolarzelle mit passivierter p-Typ-Oberfläche und Verfahren zur Herstellung derselben

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2010003784A2 WO2010003784A2 (de) 2010-01-14
WO2010003784A3 true WO2010003784A3 (de) 2010-07-08
WO2010003784A4 WO2010003784A4 (de) 2010-08-26

Family

ID=41507476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2009/057483 Ceased WO2010003784A2 (de) 2008-06-16 2009-06-16 Siliziumsolarzelle mit passivierter p-typ-oberfläche und verfahren zur herstelllung derselben

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102008028578A1 (de)
WO (1) WO2010003784A2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120084104A (ko) * 2011-01-19 2012-07-27 엘지전자 주식회사 태양전지
DE102011010306A1 (de) * 2011-02-03 2012-08-09 Rena Gmbh Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Siliziumsolarzelle unter Vermeidung unerwünschter Metallabscheidungen
CN103660533B (zh) * 2012-09-07 2015-12-02 洛阳鼎晶电子科技有限公司 一种用于制作超薄硅单晶片的金属浆丝网印刷装置
EP3982421A1 (de) 2020-10-09 2022-04-13 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Verfahren zur lokalen modifikation der ätzbeständigkeit in einer siliziumschicht, anwendung dieses verfahrens bei der herstellung von passivierenden kontaktsolarzellen und so hergestellte solarzelle

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008039067A2 (en) * 2006-09-25 2008-04-03 Ecn Energieonderzoek Centrum Nederland Method of manufacturing crystalline silicon solar cells with improved surface passivation

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4217428A1 (de) * 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008039067A2 (en) * 2006-09-25 2008-04-03 Ecn Energieonderzoek Centrum Nederland Method of manufacturing crystalline silicon solar cells with improved surface passivation

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ABERLE A ET AL: "Surface passivation of high efficiency silicon solar cells", 19900521; 19900521 - 19900525, 21 May 1990 (1990-05-21), pages 233 - 238, XP010003183 *
BOCK ROBERT ET AL: "Effective passivation of highly aluminum-doped p-type silicon surfaces using amorphous silicon", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US LNKD- DOI:10.1063/1.2784193, vol. 91, no. 11, 13 September 2007 (2007-09-13), pages 112112 - 112112, XP012099149, ISSN: 0003-6951 *
HOEX B ET AL: "Excellent passivation of highly doped p-type Si surfaces by the negative-charge-dielectric Al2O3", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US LNKD- DOI:10.1063/1.2784168, vol. 91, no. 11, 11 September 2007 (2007-09-11), pages 112107 - 112107, XP012099144, ISSN: 0003-6951 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010003784A2 (de) 2010-01-14
WO2010003784A4 (de) 2010-08-26
DE102008028578A1 (de) 2010-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009041657A1 (ja) 太陽電池用基板および太陽電池
WO2010019532A3 (en) Compositions and processes for forming photovoltaic devices
WO2010022849A8 (de) Randentschichtung von dünnschicht-solar-modulen mittels ätzen
WO2010071363A3 (ko) 태양전지용 전극, 그 제조방법 및 태양전지
WO2012136387A3 (de) Metallpartikelhaltiges und ätzendes druckbares medium insbesondere zur kontaktbildung mit silizium beim herstellen einer solarzelle
WO2006053032A8 (en) Thermal process for creation of an in-situ junction layer in cigs
WO2008028625A3 (de) Verfahren zur simultanen dotierung und oxidation von halbleitersubstraten und dessen verwendung
EP4343861A3 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle
ATE550787T1 (de) Verfahren zur herstellung einer monokristallinen solarzelle
WO2010141814A3 (en) Passivation process for solar cell fabrication
WO2009153192A3 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden für solarzellen
WO2011046388A3 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
WO2010087712A3 (en) Back contacting and interconnection of two solar cells
WO2009090098A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer solarzelle
WO2010015310A3 (de) Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle
WO2013023169A8 (en) Aluminium paste with no or poor fire -through capability and use thereof for back electrodes of passivated emitter and rear contact silicon solar cells
WO2010003784A3 (de) Siliziumsolarzelle mit passivierter p-typ-oberfläche und verfahren zur herstelllung derselben
WO2011131388A3 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle sowie nach diesem verfahren hergestellte solarzelle
WO2011061694A3 (en) Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
MY147005A (en) Method for bonding a semiconductor substrate to a metal subtrate
WO2011091959A3 (de) Verfahren zur lokalen hochdotierung und kontaktierung einer halbleiterstruktur, welche eine solarzelle oder eine vorstufe einer solarzelle ist
WO2011157420A3 (de) Verfahren zur herstellung einer metallischen kontaktstruktur einer photovoltaischen solarzelle
WO2009066719A1 (ja) ペースト組成物と太陽電池素子
WO2009030409A3 (de) Verfahren zum herstellen einer solarzelle
WO2012083944A3 (de) Verfahren zur herstellung von siliziumsolarzellen mit vorderseitiger textur und glatter rückseitenoberfläche

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09779799

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09779799

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2