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WO2009090098A3 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer solarzelle - Google Patents

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WO2009090098A3
WO2009090098A3 PCT/EP2009/000279 EP2009000279W WO2009090098A3 WO 2009090098 A3 WO2009090098 A3 WO 2009090098A3 EP 2009000279 W EP2009000279 W EP 2009000279W WO 2009090098 A3 WO2009090098 A3 WO 2009090098A3
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WO
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conductor material
silicon substrate
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solar cell
laser beam
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PCT/EP2009/000279
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Christian Buchner
Thomas Sauter
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Schmid Technology GmbH
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Schmid Technology GmbH
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Publication date
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Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Aufbringen von elektrisch leitfähigem Leitermaterial (21, 25) auf eine Seite (14, 15) eines Silizium-Substrats (13) ist ein Leitermaterialträger (18) mit Abstand zu dem Silizium-Substrat (13) angeordnet. Der Leitermaterialträger (18) ist lichtdurchlässig und trägt auf einer dem Silizium-Substrat (13) zugewandten Seite (20) pastöses Leitermaterial (21). Ein fokussierter Laserstrahl (23) wird auf die von dem Silizium-Substrat (13) abgewandte Seite (19) des Leitermaterialträgers (18) eingekoppelt zum Ablösen des Leitermaterials (21, 25) in spezieller Form entsprechend der vom Laserstrahl (23) angestrahlten Punkte oder Linien. Dabei wird das abgelöste Leitermaterial (21, 25) auf die ihm gegenüberliegende Oberfläche (14, 15) des Silizium-Substrats (13) übertragen. Dort bildet es eine gewünschte Struktur, die durch Einbrennen verfestigt wird.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009020774B4 (de) * 2009-05-05 2011-01-05 Universität Stuttgart Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates
DE102009053776A1 (de) * 2009-11-19 2011-06-01 Systaic Cells Gmbh Emitterbildung mit einem Laser
DE102009059042A1 (de) 2009-12-10 2011-06-16 Schmid Technology Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Drucksubstanz von einem Drucksubstanzträger auf ein Substrat
GB201009847D0 (en) * 2010-06-11 2010-07-21 Dzp Technologies Ltd Deposition method, apparatus, printed object and uses
DE102011075025A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Schmid Technology Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Drucksubstanz
DE102011103481B4 (de) * 2011-06-03 2017-08-17 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Selektives Abtragen dünner Schichten mittels gepulster Laserstrahlung zur Dünnschichtstrukturierung
DE102011077450A1 (de) * 2011-06-14 2012-12-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer kristallinen Solarzelle
DE102011077462A1 (de) * 2011-06-14 2012-12-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren, Anordnung und Prozesshilfsmittel zur Herstellung einer kristallinen Solarzelle
DE102011085714A1 (de) * 2011-11-03 2013-05-08 Boraident Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer lasergestützten elektrisch leitfähigen Kontaktierung einer Objektoberfläche
EP2731126A1 (de) 2012-11-09 2014-05-14 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zum Binden von Chipfarbstoffen
WO2016011140A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-21 Natcore Technology, Inc. Laser-transferred ibc solar cells
DE102017110040B4 (de) * 2017-05-10 2020-08-27 LPKF SolarQuipment GmbH Druckvorrichtung und Druckverfahren zur Übertragung einer Drucksubstanz von einem endlos umlaufenden Drucksubstanzträger auf ein Substrat
WO2020152352A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-30 Mycronic AB Laser induced forward transfer with high throughput and recycling of donor material on a transparent drum
CN111276566B (zh) * 2020-01-21 2022-06-07 中国海洋大学 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN116072794A (zh) * 2021-11-02 2023-05-05 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板修补方法及系统
EP4617066A1 (de) * 2024-03-15 2025-09-17 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Vorrichtung und verfahren zum aufbringen eines druckmaterials auf ein substrat

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0331022A2 (de) * 1988-03-01 1989-09-06 Texas Instruments Incorporated Strahlungsinduzierte Mustererzeugung
US5725706A (en) * 1996-03-12 1998-03-10 The Whitaker Corporation Laser transfer deposition
US5935462A (en) * 1994-10-24 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Repair of metal lines by electrostatically assisted laser ablative deposition
US6159832A (en) * 1998-03-18 2000-12-12 Mayer; Frederick J. Precision laser metallization

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0331022A2 (de) * 1988-03-01 1989-09-06 Texas Instruments Incorporated Strahlungsinduzierte Mustererzeugung
US5935462A (en) * 1994-10-24 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Repair of metal lines by electrostatically assisted laser ablative deposition
US5725706A (en) * 1996-03-12 1998-03-10 The Whitaker Corporation Laser transfer deposition
US6159832A (en) * 1998-03-18 2000-12-12 Mayer; Frederick J. Precision laser metallization

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