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WO2010003784A3 - Cellule solaire au silicium à surface de type p passivée et son procédé de fabrication - Google Patents

Cellule solaire au silicium à surface de type p passivée et son procédé de fabrication Download PDF

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WO2010003784A3
WO2010003784A3 PCT/EP2009/057483 EP2009057483W WO2010003784A3 WO 2010003784 A3 WO2010003784 A3 WO 2010003784A3 EP 2009057483 W EP2009057483 W EP 2009057483W WO 2010003784 A3 WO2010003784 A3 WO 2010003784A3
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WO
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aluminium
passivated
producing
solar cell
silicon
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PCT/EP2009/057483
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WO2010003784A2 (fr
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Jan Schmidt
Robert Bock
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Institut fuer Solarenergieforschung GmbH
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Institut fuer Solarenergieforschung GmbH
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Abstract

L'invention concerne une cellule solaire au silicium (1) et son procédé de fabrication. Selon le procédé, une couche contenant de l'aluminium est appliquée sur une surface d'un substrat de silicium (2), de préférence par sérigraphie, puis cuite, de sorte qu'une zone de silicium (13) dopée à l'aluminium se forme. L'excédent d'aluminium ainsi que l'eutectique aluminium-silicium sont ensuite décapés puis la zone de silicium (13) dopée à l'aluminium est rétrogravée. La surface de la zone de silicium (13) dopée à l'aluminium est ensuite passivée au moyen d'une couche de diélectrique, de préférence constituée d'azoture de silicium hydrogéné. Des cellules solaires à haut rendement peuvent ainsi être fabriquées par des techniques de fabrication connues.
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