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WO2010040752A1 - Impedanzanpass-schaltung zur anpassung von planarantennen - Google Patents

Impedanzanpass-schaltung zur anpassung von planarantennen Download PDF

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WO2010040752A1
WO2010040752A1 PCT/EP2009/062981 EP2009062981W WO2010040752A1 WO 2010040752 A1 WO2010040752 A1 WO 2010040752A1 EP 2009062981 W EP2009062981 W EP 2009062981W WO 2010040752 A1 WO2010040752 A1 WO 2010040752A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
circuit according
signal path
impedanzanpass
capacitive element
impedance matching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2009/062981
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Edgar Schmidhammer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to JP2011530471A priority Critical patent/JP5642686B2/ja
Priority to US13/120,260 priority patent/US8760239B2/en
Publication of WO2010040752A1 publication Critical patent/WO2010040752A1/de
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Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/0407Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/30Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
    • H01Q9/42Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole with folded element, the folded parts being spaced apart a small fraction of the operating wavelength

Definitions

  • Impedance matching circuit for adapting planar antennas
  • the invention relates to an impedance matching circuit for adjusting the impedance of planar antennas of the PILA type.
  • Planar antennas are antennas that are not matched to a defined impedance, but require a matching network for maximum power transfer.
  • An interconnection of a planar antenna with associated impedance matching circuit is known for example from the publication WO 2006/129239 Al.
  • Their impedance matching circuit comprises, in addition to a plurality of inductive elements, a multiplicity of MEMS switches as capacitive elements.
  • the capacitance of a MEMS switch may assume two discrete values, and the plurality of interconnected MEMS switches allow sufficient tuning range for impedance matching.
  • a problem with prior art planar impedance matching circuits is that either the tuning range is too low or the impedance matching circuit has a high complexity and a high number of interconnected elements. The latter leads to a relatively high susceptibility to defects.
  • the object of the present invention is therefore to provide an impedance matching circuit with reduced complexity and reduced number of circuit elements, which nevertheless allows a sufficient tuning range. This object is achieved by an impedance matching circuit according to claim 1. Advantageous embodiments emerge from the subclaims.
  • the invention includes a signal path with a node between a signal path input and a signal path output. Between the signal path input and node, a first inductive element is connected and between the node and signal path output, a first capacitive element is connected, the capacity of which is variably adjustable. A second capacitive element with adjustable capacitance is connected between the signal path input and ground. A second inductive element is connected between the node and ground, and a third inductive element is connected between the signal path output and ground.
  • Such a circuit whose signal path input can be interconnected, for example, with transmitting or receiving paths of a front-end circuit for mobile devices and whose signal path output is provided for interconnection with a planar antenna, provides a simple, i. less complex circuit to adapt the antenna impedance to the front-end circuit.
  • the third inductive element can act as an ESD (electrostatic discharge) protection element of the impedance matching circuit or the interconnected front-end circuit. Then, current pulses that act through the antenna and could damage the front-end circuit or any of its components are harmlessly dissipated to ground via the inductive element.
  • first, second and third inductive elements have quality factors greater than 15 and first and second capacitive elements have quality factors greater than 10.
  • Quality factor is a dimensionless measure of the ratio of amplitude and bandwidth of resonance curves and energy losses in the circuit.
  • the elements of the impedance matching circuit are advantageously dimensioned such that the inductances of the first, second and third inductive elements have values between 0.5 and 22 nH and the capacitances of the first and second capacitive elements can be set at intervals of between 0.5 and 12 pF lie. Such intervals can z.
  • cover the capacity ranges from 0.5 pF to 1.5 pF, from 0.9 pF to 3.2 pF, or from 2.6 pF to 8.5 pF.
  • the impedance matching circuit comprises a third capacitive element having a quality factor greater than 50 and a capacitance between 1 and 35 pF and a fourth inductive element having a quality factor greater than 15 and an inductance between 0.5 and 10 nH, which in series between the signal path input and ground are connected.
  • Another variation of the impedance matching circuit is to connect between the signal path input and ground a fourth capacitive element having a quality factor greater than 50 and a capacitance between 4 and 18 pF.
  • the impedance matching circuit is used in a mobile communication device, wherein it is connected between a receiving or transmitting path and a planar antenna, in particular of the PILA type, in such a way that the signal path input is electrically connected to the transmitting and receiving paths and the Signal path output via an antenna lead, which has an impedance between 10 and 60 ohms, is electrically connected to the planar antenna.
  • the standing wave ratio in the transmission path is better (ie smaller) than 3 and the standing wave ratio in the reception path is better (ie smaller) than 4.
  • the invention is suitable for adapting the impedances of planar antennas in CDMA, W-CDMA, GSM, DVBH, W-LAN, WIFI or other common data transmission systems in frequency bands between 500 and 4500 MHz.
  • the tuning ratio of the first or second capacitive element in one variant is between 2.5: 1 and 3.5: 1, e.g. 3: 1, but in other advantageous variants between 3.5: 1 and 4.5: 1 or between 4.5: 1 and 5.5: 1 and in a particularly advantageous between 5.5: 1 and 6.5: 1.
  • the tuning ratio is defined as the quotient of the largest adjustable capacity and the smallest adjustable capacity.
  • At least one of the capacitive elements is preferably a varactor diode, whose dielectric layer comprises barium strontium titanate (BST) or whose dielectric layer comprises bismuth zinc niobate (BZN), or alternatively a capacitive element made in CMOS technology, a circuit MEMS capacitors or a semiconductor varactor diode.
  • BST barium strontium titanate
  • BZN bismuth zinc niobate
  • the fourth capacitive element an element whose quality factor is greater than that of the second capacitive element.
  • a fifth capacitive element is parallel to the first capacitive element interconnected between node and signal path output.
  • a directional coupler makes it possible to determine the fraction of the transmission energy that is actually coupled into the antenna from the transmission signal path. The impedance matching can thus be attributed to maximizing this fraction. The same applies to received signals from the antenna in the EmpfangssignaIpfad.
  • the impedance matching circuit comprises a duplexer connected to the signal path input as part of a front end module.
  • the inductive and capacitive elements of the matching circuit are preferably implemented as structured metallizations in a multilayer substrate, which may comprise layers of HTCC, LTCC, FR4 or laminate. This ensures that a corresponding component in addition to its low complexity still has a space-saving design.
  • an antenna feed line is connected between the signal path output and a connected planar antenna, which has an impedance between 10 and 60 ohms.
  • Figure 1 an impedance matching circuit of inductive and capacitive elements, which is connected between a signal path input and a signal path output.
  • Figure 2 The impedance matching circuit of Figure 1 with other circuit elements.
  • Figure 1 shows an impedance matching circuit for planar antennas with low complexity, which allows a sufficient tuning range.
  • a first inductance L1 is connected between the signal path input SPE and the node KP, and a first capacitive element C1 is interconnected between the node KP and the signal path output SPA which is variably adjustable in its capacitance.
  • a second capacitive element C2 is connected, whose capacity is also adjustable.
  • a second inductive element L2 is connected between the node KP and ground M, and a third inductive element L3 is connected between the signal path output SPA and ground M.
  • Figure 2 shows the impedance matching circuit of Figure 1, which shows features of further advantageous embodiments.
  • a directional coupler RK is connected in the signal path SP between the signal path input SPE and the node KP.
  • the directional coupler RK is connected to the signal path input SPE.
  • Between directional coupler RK and signal path input SPE at least parts of a front-end module FE are connected.
  • the front end module FE may comprise one or more duplexers, amplifiers, or other filtering or circuit elements.
  • the interconnection of signal path input, front-end module, directional coupler and node is shown only symbolically.
  • a fourth inductive element L4 and a third capacitive Element C3 are connected in series between the signal path SP and ground M.
  • a fourth capacitive element C4 is also connected between the signal path SP and ground.
  • a fifth capacitive element C5 is connected in parallel with the first capacitive element C1 between the node KP and the signal path output SPA.
  • a planar antenna PILA which in particular may be of the "Planar Inverted L-Antenna" type-PILA in short-is connected to the signal path output SPA via an antenna feed line AL.
  • a filter circuit according to the invention is not limited to one of the described embodiments. Combinations of these and variations, which z. B. include further inductive or capacitive elements, also represent embodiments of the invention.
  • PILA Planar Inverted L-Antenna
  • RK directional coupler

Landscapes

  • Details Of Aerials (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

Es wird eine einfache Schaltung zur Impedanzanpassung von Planarantennen des Typs PILA angegeben. Die Schaltung umfasst einen Signalpfad mit einem Knotenpunkt zwischen einem Signalpfadeingang und einem Signalpfadausgang. Zwischen Signalpfadeingang und Knotenpunkt ist ein erstes induktives Element verschaltet und zwischen Knotenpunkt und Signalpfadausgang ist ein erstes kapazitives Element verschaltet, dessen Kapazität variabel einstellbar ist. Ein zweites kapazitives Element mit einstellbarer Kapazität ist zwischen dem Signalpfadeingang und Masse verschaltet. Ein zweites induktives Element ist zwischen dem Knotenpunkt und Masse verschaltet und ein drittes induktives Element ist zwischen Signalpfadausgang und Masse verschaltet.

Description

Beschreibung
Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen
Die Erfindung betrifft eine Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung der Impedanz von Planarantennen des Typs PILA.
Planarantennen sind Antennen, die nicht an eine definierte Impedanz angepasst sind, sondern für eine maximale Leistungsübertragung ein Anpassnetzwerk benötigen.
Eine Verschaltung einer Planarantenne mit zugehöriger Impedanzanpass-Schaltung ist beispielsweise aus der Druckschrift WO 2006/129239 Al bekannt. Deren Impedanzanpass- Schaltung umfasst neben mehreren induktiven Elementen eine Vielzahl von MEMS-Schaltern als kapazitive Elemente. Die Kapazität eines MEMS-Schalters kann zwei diskrete Werte annehmen und die Vielzahl der verschalteten MEMS-Schalter ermöglicht einen ausreichenden Abstimmbereich zur Impedanzanpassung.
Ein Problem bekannter Impedanzanpass-Schaltungen für Planarantennen besteht darin, dass entweder der Abstimmbereich zu gering ist oder die Impedanzanpass- Schaltung eine hohe Komplexität und eine hohe Anzahl an verschalteten Elementen aufweist. Letzteres führt zu einer relativ hohen Defektanfälligkeit.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Impedanzanpass-Schaltung mit verringerter Komplexität und verminderter Anzahl an Schaltungselementen anzugeben, die trotzdem einen ausreichenden Abstimmbereich ermöglicht. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Impedanzanpass- Schaltung nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung umfasst einen Signalpfad mit einem Knotenpunkt zwischen einem Signalpfadeingang und einem Signalpfadausgang. Zwischen Signalpfadeingang und Knotenpunkt ist ein erstes induktives Element verschaltet und zwischen Knotenpunkt und Signalpfadausgang ist ein erstes kapazitives Element verschaltet, dessen Kapazität variabel einstellbar ist. Ein zweites kapazitives Element mit einstellbarer Kapazität ist zwischen dem Signalpfadeingang und Masse verschaltet. Ein zweites induktives Element ist zwischen dem Knotenpunkt und Masse verschaltet und ein drittes induktives Element ist zwischen Signalpfadausgang und Masse verschaltet.
Eine solche Verschaltung, deren Signalpfadeingang beispielsweise mit Sende- oder Empfangspfaden einer Frontend-Schaltung für Mobilfunkgeräte verschaltet sein kann und deren Signalpfadausgang zur Verschaltung mit einer Planarantenne vorgesehen ist, stellt eine einfache, d.h. wenig komplexe Schaltung dar, um die Antenne impedanzmäßig an die Frontend- Schaltung anzupassen. Das dritte induktive Element kann als ESD- (electrostatic discharge-) Schutzelement der Impedanz- anpass-Schaltung bzw. der verschalteten Frontend-Schaltung wirken. Dann werden Stromimpulse, die über die Antenne einwirken und die Frontendschaltung oder einzelne ihrer Komponenten schädigen könnten, über das induktive Element unschädlich an Masse abgeleitet.
Vorteilhafterweise weisen erstes, zweites und drittes induktives Element Gütefaktoren größer 15 sowie erstes und zweites kapazitives Element Gütefaktoren größer 10 auf. Der Gütefaktor ist dabei ein dimensionsloses Maß für das Verhältnis aus Amplitude und Bandbreite von Resonanzkurven bzw. für Energieverluste in der Schaltung. Außerdem sind die Elemente der Impedanzanpass-Schaltung vorteilhafterweise so dimensioniert, dass die Induktivitäten des ersten, zweiten und dritten induktiven Elements Werte zwischen 0.5 und 22 nH aufweisen und die Kapazitäten des ersten und zweiten kapazitiven Elements in Intervallen einstellbar ist, die zwischen 0.5 und 12 pF liegen. Solche Intervalle können z. B. die Kapazitätsbereiche von 0.5 pF bis 1.5 pF, von 0.9 pF bis 3.2 pF oder von 2.6 pF bis 8.5 pF abdecken.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Impedanzanpass-Schaltung ein drittes kapazitives Element mit einem Gütefaktor größer 50 und einer Kapazität zwischen 1 und 35 pF und ein viertes induktives Element mit einem Gütefaktor größer 15 und einer Induktivität zwischen 0.5 und 10 nH, welche zueinander in Serie zwischen dem Signalpfadeingang und Masse verschaltet sind. Eine weitere Variation der Impedanzanpass-Schaltung besteht darin, zwischen dem Signalpfadeingang und Masse ein viertes kapazitives Element mit einem Gütefaktor größer 50 und einer Kapazität zwischen 4 und 18 pF zu verschalten.
Verwendung findet die Impedanzanpass-Schaltung vorteilhafterweise in einem mobilen Kommunikationsgerät, wobei sie zwischen einem Empfangs- bzw. einem Sendepfad und einer Planarantenne, insbesondere des Typs PILA, so verschaltet ist, dass der Signalpfadeingang mit dem Sende- und dem Empfangspfad elektrisch leitend verbunden und der Signalpfadausgang über eine Antennenzuleitung, die eine Impedanz zwischen 10 und 60 Ohm aufweist, mit der Planarantenne elektrisch leitend verbunden ist. Entsprechend einer vorteilhaften Ausgestaltung der Impedanz- anpass-Schaltung ist das Stehwellenverhältnis im Sendepfad besser (d.h. kleiner) als 3 und das Stehwellenverhältnis im Empfangspfad besser (d.h. kleiner) als 4.
Die Erfindung ist geeignet, die Impedanzen von Planarantennen in CDMA, W-CDMA, GSM, DVBH, W-LAN, WIFI oder anderen gängigen Datenübertragungssystemen in Frequenzbändern zwischen 500 und 4500 MHz anzupassen.
Der Abstimmverhältnis des ersten oder des zweiten kapazitiven Elements liegt in einer Variante zwischen 2.5:1 und 3.5:1, also z.B. 3:1, in anderen vorteilhaften Varianten jedoch zwischen 3.5:1 und 4.5:1 oder zwischen 4.5:1 und 5.5:1 und in einer besonders vorteilhaften zwischen 5.5:1 und 6.5:1. Dabei ist das Abstimmverhältnis jeweils definiert als der Quotient aus größter einstellbarer Kapazität und kleinster einstellbarer Kapazität.
Mindestens eines der kapazitiven Elemente ist vorzugsweise eine Varaktordiode, deren dielektrische Schicht Bariumstron- tiumtitanat (BST) umfasst oder deren dielektrische Schicht Wismuth-Zink-Niobat (BZN) umfasst, oder alternativ ein in CMOS-Technik gefertigtes kapazitives Element, eine Verschal- tung aus MEMS-Kondensatoren oder eine Halbleitervaraktordiode .
Es ist bevorzugt, als viertes kapazitives Element ein Element zu wählen, dessen Gütefaktor größer als der des zweiten kapazitiven Elements ist.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist ein fünftes kapazitives Element parallel zum ersten kapazitiven Element zwischen Knotenpunkt und Signalpfadausgang verschaltet. Außerdem ist es bevorzugt, im Signalpfad einen Richtkoppler mit dem Signalpfadeingang zu verschalten. Ein Richtkoppler ermöglicht es, den Bruchteil der Sendeenergie zu bestimmen, der tatsächlich aus dem Sendesignalpfad in die Antenne eingekoppelt wird. Die Impedanzanpassung kann somit darauf zurückgeführt werden, diesen Bruchteil zu maximieren. Analoges gilt für Empfangssignale von der Antenne in den EmpfangssignaIpfad.
Weiterhin sehr von Vorteil ist es, wenn die Impedanzanpass- Schaltung einen mit dem Signalpfadeingang verschalteten Duplexer als Teil eines Frontendmoduls umfasst.
Die induktiven und kapazitiven Elemente der Anpassschaltung sind vorzugsweise als strukturierte Metallisierungen in einem mehrschichtigen Substrat, das Schichten aus HTCC, LTCC, FR4 oder Laminat umfassen kann, ausgeführt. Dadurch wird erreicht, dass ein entsprechendes Bauelement zusätzlich zu seiner geringen Komplexität noch eine Platz sparende Bauweise aufweist .
In einer weiteren Ausgestaltung ist eine Antennenzuleitung zwischen dem Signalpfadausgang und einer angeschlossenen Planarantenne verschaltet, die eine Impedanz zwischen 10 und 60 Ohm aufweist.
Im Folgenden wird die Impedanzanpass-Schaltung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Es zeigen: Figur 1: eine Impedanzanpass-Schaltung aus induktiven und kapazitiven Elementen, die zwischen einem Signalpfadeingang und einem Signalpfadausgang verschaltet ist.
Figur 2: Die Impedanzanpass-Schaltung aus Figur 1 mit weiteren Schaltungselementen.
Figur 1 zeigt eine Impedanzanpass-Schaltung für Planar- antennen mit geringer Komplexität, die einen ausreichenden Abstimmbereich ermöglicht. Im Signalpfad SP ist zwischen dem Signalpfadeingang SPE und dem Knotenpunkt KP eine erste Induktivität Ll verschaltet und ist zwischen Knotenpunkt KP und Signalpfadausgang SPA ein erstes kapazitives Element Cl verschaltet, welches in seiner Kapazität variabel einstellbar ist. Zwischen Signalpfadeingang SPE und Masse M ist ein zweites kapazitives Element C2 verschaltet, dessen Kapazität ebenfalls einstellbar ist. Zusätzlich ist zwischen dem Knotenpunkt KP und Masse M ein zweites induktives Element L2 und zwischen Signalpfadausgang SPA und Masse M ein drittes induktives Element L3 verschaltet.
Figur 2 zeigt die Impedanzanpass-Schaltung aus Figur 1, die Merkmale weiterer vorteilhafter Ausgestaltungen aufzeigt. Ein Richtkoppler RK ist im Signalpfad SP zwischen Signalpfadeingang SPE und Knotenpunkt KP verschaltet. Dabei ist der Richtkoppler RK mit dem Signalpfadeingang SPE verschaltet. Zwischen Richtkoppler RK und Signalpfadeingang SPE sind zumindest Teile eines Frontendmodul FE verschaltet. Das Frontendmodul FE kann einen oder mehrere Duplexer, Verstärker oder andere Filter- oder Schaltungselemente umfassen. Die Verschaltung aus Signalpfadeingang, Frontendmodul, Richtkoppler und Knotenpunkt ist nur symbolisch dargestellt. Ein viertes induktives Element L4 und ein drittes kapazitives Element C3 sind in Serie zwischen dem Signalpfad SP und Masse M verschaltet. Ein viertes kapazitives Element C4 ist ebenfalls zwischen dem Signalpfad SP und Masse verschaltet. Ein fünftes kapazitives Element C5 ist parallel zum ersten kapazitiven Element Cl zwischen dem Knotenpunkt KP und dem Signalpfadausgang SPA verschaltet. Eine Planarantenne PILA, welche insbesondere vom Typ „Planar Inverted L-Antenna" - kurz: PILA - sein kann, ist über eine Antennenzuleitung AL mit dem Signalpfadausgang SPA verschaltet.
Eine erfindungsgemäße Filterschaltung ist nicht auf eine der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Kombinationen derer und Variationen, welche z. B. noch weitere induktive oder kapazitive Elemente umfassen, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.
Bezugs zeichenliste :
AL Antennenzuleitung Cl erstes kapazitives Element C2 zweites kapazitives Element C3 drittes kapazitives Element C4 viertes kapazitives Element C5 fünftes kapazitives Element
FE Frontendmodul
KP Knotenpunkt Ll erstes induktives Element L2 zweites induktives Element L3 drittes induktives Element L4 viertes induktives Element
M: Masse
PILA: Planar Inverted L-Antenna
RK: Richtkoppler
SP: Signalpfad
SPA: Signalpfadausgang
SPE: Signalpfadeingang

Claims

Patentansprüche
1. Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen, umfassend
- einen Signalpfad (SP) mit einem Knotenpunkt (KP) zwischen einem Signalpfadeingang (SPE) und einem Signalpfadausgang (SPA) ,
- ein erstes, zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Knotenpunkt (KP) verschaltetes induktives Element (Ll), und ein erstes, zwischen Knotenpunkt (KP) und Signalpfadausgang (SPA) verschaltetes kapazitives Element (Cl) mit variabler Kapazität,
- ein zweites, zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Masse (M) verschaltetes kapazitives Element (C2) mit variabler Kapazität,
- ein zweites, zwischen Knotenpunkt (KP) und Masse (M) verschaltetes induktives Element (L2), und
- ein drittes zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Masse (M) verschaltetes induktives Element (L3) .
2. Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 1,
- deren erstes (Ll), zweites (L2) und drittes (L3) induktives Element Gütefaktoren größer als 15 aufweisen, und
- deren erstes (Cl) und zweites (C2) kapazitives Element mit variabler Kapazität Gütefaktoren größer 10 aufweisen .
3. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
- deren erstes induktives Element (Ll) eine Induktivität zwischen 0.5 und 22 nH, deren zweites induktives Element (L2) eine Induktivität zwischen 0.5 und 22 nH und deren drittes induktives Element eine Induktivität zwischen 0.5 und 22 nH aufweist und
- bei der die Kapazität des ersten kapazitiven Elements (Cl) und zweiten kapazitiven Elements (C2) in Intervallen einstellbar ist, die zwischen 0.5 und 12 pF liegen.
4. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
3, die ein drittes kapazitives Element (C3) mit einem Gütefaktor > 50 und einer Kapazität zwischen 1 und 35 pF sowie ein viertes induktives Element (L4) mit einem Gütefaktor > 15 und einer Induktivität zwischen 0.5 und 10 nH umfasst, welche beide in Serie zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Masse (M) verschaltet sind.
5. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
4, die ein viertes kapazitives Element (C4) mit einem Gütefaktor > 50 und einer Kapazität zwischen 4 und 18 pF umfasst, das zwischen Signalpfadeingang (SPE) und Masse
(M) verschaltet ist.
6. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche der 1 bis 5 zur Verwendung in einem mobilen Kommunikationsgerät mit einem Sendepfad, einem Empfangspfad und einer Planarantenne des Typs PILA,
- wobei der Signalpfadeingang mit dem Sendepfad und dem Empfangspfad verschaltet ist und
- wobei der Signalpfadausgang über eine
Antennenzuleitung mit einer Impedanz zwischen 10 Ohm und 60 Ohm mit der Planarantenne verschaltet ist.
7. Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 6, die den Sendepfad in einem Sendefrequenzband und den Empfangspfad in einem Empfangsfrequenzband an die Planarantenne mit einem Stehwellenverhältnis im Sendepfad, das kleiner ist als 3, anpasst.
8. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, die den Sendepfad in einem Sendefrequenzband und den Empfangspfad in einem Empfangsfrequenzband an die Planarantenne mit einem Stehwellenverhältnis im Empfangspfad, das kleiner ist als 4, anpasst.
9. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Verwendung in CDMA, W-CDMA oder GSM Frequenzbändern zwischen 500 und 4500 MHz.
10. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Verwendung in DVB-H, W-LAN oder WIFI Frequenzbändern zwischen 500 und 4500 MHz.
11. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
10, bei der das Abstimmverhältnis eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (Cl, C4) zwischen 2.5:1 und 3.5:1 liegt.
12. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
11, bei der das Abstimmverhältnis eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (Cl, C4) 3:1 beträgt.
13. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der das Abstimmverhältnis eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (Cl, C4) zwischen 3.5:1 und 4.5:1 liegt.
14. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der das Abstimmverhältnis eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (Cl, C4) zwischen 4.5:1 und 5.5:1 liegt.
15. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der das Abstimmverhältnis eines der kapazitiven Elemente variabler Kapazität (Cl, C4) zwischen 5.5:1 und 6.5:1 liegt .
16. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
15, die ein kapazitives Element variabler Kapazität umfasst, ausgewählt aus: eine Varaktordiode mit einer Barium-Strontium-Titanat umfassenden dielektrischen Schicht, eine Varaktordiode mit einer Wismuth-Zink- Niobat umfassenden dielektrischen Schicht, ein in CMOS- Technik gefertigtes kapazitives Element, eine Verschal- tung aus MEMS-Kondensatoren und eine Halbleitervaraktordiode .
17. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
16, deren Gütefaktor des vierten kapazitiven Elements (C4) größer ist als der des zweiten kapazitiven Elements (C2) mit variabler Kapazität.
18. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
17, die ein fünftes kapazitives Element (C5) umfasst, das seriell zwischen Knoten (KN) und Signalpfadausgang
(SPA) aber parallel zum ersten kapazitiven Element (Cl) verschaltet ist.
19. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
18, die einen mit dem Signalpfadeingang (SPE) verschalteten Richtkoppler (RK) umfasst.
20. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
19, die einen mit dem Signalpfadeingang (SPE) verschal- tetes Frontendmodul (FE) umfasst.
21. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
20, die einen mit dem Signalpfad (SP) verschalteten Duplexer umfasst.
22. Impedanzanpass-Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis
21, deren induktive Elemente als Metallisierungen in einem mehrschichtigen Substrat, ausgewählt aus HTCC, LTCC, FR4 und Laminat, ausgeführt sind.
23. Impedanzanpass-Schaltung nach Anspruch 6, die eine zwischen Signalpfadausgang (SPA) und Planarantenne verschaltete Antennenzuleitung mit einer Impedanz zwischen 10 und 60 Ohm umfasst.
PCT/EP2009/062981 2008-10-08 2009-10-06 Impedanzanpass-schaltung zur anpassung von planarantennen Ceased WO2010040752A1 (de)

Priority Applications (2)

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JP2011530471A JP5642686B2 (ja) 2008-10-08 2009-10-06 平面アンテナ用のインピーダンス整合回路及びモバイル通信装置
US13/120,260 US8760239B2 (en) 2008-10-08 2009-10-06 Impedance matching circuit for matching planar antennas

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008050743.1A DE102008050743B4 (de) 2008-10-08 2008-10-08 Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen
DE102008050743.1 2008-10-08

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