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WO2009031381A1 - Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé - Google Patents

Procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur et transistor en couches minces obtenu par le procédé Download PDF

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WO2009031381A1
WO2009031381A1 PCT/JP2008/064206 JP2008064206W WO2009031381A1 WO 2009031381 A1 WO2009031381 A1 WO 2009031381A1 JP 2008064206 W JP2008064206 W JP 2008064206W WO 2009031381 A1 WO2009031381 A1 WO 2009031381A1
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metal oxide
oxide semiconductor
thin film
semiconductor manufacturing
film transistor
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Ceased
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PCT/JP2008/064206
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English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Honda
Katsura Hirai
Hiroshi Kita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate

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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract

L'invention porte sur un nouveau procédé de fabrication d'un métal-oxyde-semi-conducteur par lequel une fluctuation de courant à l'état bloqué ou similaire est améliorée, la mobilité est améliorée, un élément TFT est stabilisé, et de plus, un rendement de production est amélioré et un métal-oxyde-semi-conducteur est rendu flexible par réalisation de sa formation par application continue, impression et similaire sur un substrat de résine. L'invention porte également sur un transistor en couche mince fabriqué par un tel procédé de fabrication. Le procédé de fabrication du métal-oxyde-semi-conducteur est caractérisé par la formation d'un film mince comprenant un précurseur d'un métal-oxyde-semi-conducteur, sur le substrat, puis, par l'irradiation du film mince avec une onde électromagnétique en présence d'oxygène pour fabriquer le métal-oxyde-semi-conducteur.
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