JP2000123658A - 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】安価な塗布法で、繰り返し塗布することなく低
抵抗で膜強度が十分な透明導電膜を製造し得る方法、及
び安価な塗布法で製造され、低い抵抗値を有する透明導
電膜を提供すること。 【解決手段】（ａ）透明導電膜を構成する導電性金属酸
化物微粒子を含有する塗布液を透明支持体上に塗布する
工程、又は（ａ'）導電性金属酸化物微粒子を形成し得
る金属アルコキシド及び金属塩から選択される少なくと
も１種を含有する塗布液を透明基板上に塗布する工程、
及び（ｂ）前工程で形成された塗布被膜にマイクロ波を
照射する工程を含む透明導電膜の製造方法が提供され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜の製造
方法及び透明導電膜に関する。

【０００２】

【従來の技術】透明導電膜は、可視光透過性が良く、導
電性も良好なため、液晶表示素子、タッチパネル、セン
サー、太陽電池、無機ＥＬ、及び有機ＥＬ、電気化学発
光素子等の電極や太陽熱利用のための選択透過膜、電磁
波シールド等に用いられている。

【０００３】このような、透明導電膜の中でも、金属酸
化物系の透明導電膜（特に酸化スズ（ＳｎＯ₂）系や酸
化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）系の透明導電膜）は他の材料
系の透明導電膜に比べその比抵抗が低く、可視光の透過
率が高く安定性もよいため、一般的に用いられている。
更に、エッチングのしやすさ等の点から、スズをドープ
した酸化インジウム、いわゆるＩＴＯが広く用いられて
いる。

【０００４】ところで、これらの透明導電膜は、従来か
ら蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法
等によって、ガラス基板上に結晶性もしくは、非晶性の
金属酸化物を付着させることにより形成されている。し
かしながら、これらの真空成膜法では、装置コストや製
造コストが高くなるため、安価な塗布法による成膜が望
まれている。

【０００５】金属酸化物系の透明導電性微粒子をバイン
ダーや溶剤あるいは水に分散させたものを基板上に塗布
し乾燥させることにより透明導電膜を製造する方法は、
比較的低温で製造できるため、汎用の有機高分子フィル
ム上に塗布成膜できる方法である。特開平４−２６７６
８号、同８−１７６７９４号、同８−１８５７９７号、
同９−８６９６７号の各公報には、ＩＴＯ粉体を樹脂あ
るいは無機バインダーや有機溶剤に分散させたものを塗
布乾燥してＩＴＯ透明導電膜を形成させる方法が開示さ
れている。しかしながら、２００℃程度の低温成膜で
は、表面抵抗が数キロΩ／□であり、真空成膜法にくら
べ性能が劣ることが示されている。

【０００６】ところで、合成樹脂に直接マイクロ波を照
射しても短時聞ではほとんど変化がないのに対して、合
成樹脂にアルカリ金属水酸化物溶液を加えマイクロ波を
照射すると短時間で分解するという合成樹脂廃棄物の処
理技術が特開昭４８−１１３７２号公報に開示されお
り、また、特開平８−７２０７０号公報には、酸化銅を
ポリオレフィン等の樹脂中に分散した樹脂成形物をマイ
クロ波を照射することによって加熱する技術が開示され
ている。しかしながら、これら公報には本発明の方法を
開示ないし示唆する記載はない。

【０００７】一方、特開平６−２６９５９号公報には、
配向した金属水酸化物、金属水酸化物水和物、複合水酸
化物、又はその混合物の組成を有する膜を基板上に形成
し、脱水反応によって特定の方位に配向した酸化物膜を
合成する技術が開示されている。しかしながら、この方
法を、金属酸化物系の透明導電膜製造に適用すると単純
な加熱や光照射では、表面抵抗値の再現性が悪いという
問題点がある。同公報には脱水反応を、マイクロ波照射
によっておこすことも記載されているが、マイクロ波照
射をしたときの特別な効果については記載がない。した
がって、なお、安価に高い透明性と低い抵抗値を有する
透明導電膜を安定に得る技術が求められている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
な塗布法で、繰り返し塗布することなく低抵抗で膜強度
が十分な透明導電膜を製造し得る方法を提供することで
ある。本発明の他の目的は、安価な塗布法で製造され
た、低い抵抗値を有する透明導電膜を提供することであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
製造方法及び透明導電膜が提供されて、本発明の上記目
的が達成される。 （１）（ａ）透明導電膜を構成する導電性金属酸化物微
粒子を含有する塗布液を透明支持体上に塗布する工程、
及び（ｂ）該（ａ）工程で形成された塗布被膜にマイク
ロ波を照射する工程を含むことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。 （２）塗布液がバインダー樹脂を含有していることを特
徴とする上記（１）に記載の透明導電膜の製造方法。 （３）塗布液中のバインダーと導電性金属酸化物微粒子
の重量比（バインダー／導電性金属酸化物微粒子）が、
１／９９〜８０／２０であることを特徴とする上記
（２）に記載の透明導電膜の製造方法。 （４）導電性金属酸化物微粒子が、インジウム酸化物を
主体とする金属酸化物であることを特徴とする上記
（１）〜（３）のいずれかに記載の透明導電膜の製造方
法。 （５）（ａ'）導電性金属酸化物微粒子を形成し得る金
属アルコキシド及び金属塩から選択される少なくとも１
種を含有する塗布液を透明基板上に塗布する工程、及び
（ｂ）該（ａ'）工程で形成された塗布被膜にマイクロ
波を照射する工程を含むことを特徴とする透明導電膜の
製造方法。 （６）塗布液に、微粒子状金属酸化物の種結晶が添加さ
れていることを特徴とする上記（５）に記載の透明導電
膜の製造方法。 （７）（ａ'）工程で用いられる塗布液が、インジウム
アルコキシド、インジウム塩、スズアルコキシド及びス
ズ塩からなる群から選択される少なくとも１種を含有し
ていることを特徴とする上記（５）又は（６）に記載の
透明導電膜の製造方法。 （８）マイクロ波の照射を空気との接触を遮断した状態
で行うことを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれか
に記載の透明導電膜の製造方法。 （９）塗布液中に、アルカリ金属水酸化物及び／又は酸
化銅微粒子が添加されていることを特徴とする上記
（１）〜（８）のいずれかに記載の透明導電膜の製造方
法。 （１０）透明支持体が有機高分子フィルムであることを
特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載の透明
導電膜の製造方法。 （１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の製造
方法によつて製造された透明導電膜。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。本発明の方法にあっては、透明支持体上に、（ａ）
透明導電膜を構成する導電性金属酸化物微粒子を含有す
る塗布液を塗布する工程、あるいは（ａ'）導電性金属
酸化物微粒子を形成し得る金属アルコキシド及び金属塩
から選択される少なくとも１種を含有する塗布液を透明
基板上に塗布する工程（これら（ａ）工程及び（ａ'）
工程を総称して、「塗布工程」ともいう」）によって塗
布被膜を形成し、（ｂ）上記工程で形成された塗布被膜
にマイクロ波を照射する工程（以下、「照射工程」とも
いう）によって透明導電膜が製造される。上記（ａ）工
程を経て透明導電膜を製造する場合、導電性金属酸化物
微粒子が均一に密集した状態となり、透明導電膜が製造
される。一方、上記（ａ'）工程を経て透明導電膜を製
造する場合、導電性金属酸化物クラスターが密集した状
態となり、透明導電膜が製造される。

【００１１】本発明の（ａ）工程において、塗布液に含
有される透明導電膜を構成する導電性金属酸化物微粒子
（以下、「透明導電性微粒子」ともいう）としては、Ｌ
ｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓ
ｃ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｇａ，
Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，
Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕ等の
酸化物の微粒子を挙げることができる。これらは、１種
単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることがで
きる。これらのうち、好ましい透明導電性微粒子は、
Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，
Ｇａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｂａ，Ｌａ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ，Ｂｉ、及びＣｅの酸
化物の微粒子である。特に、Ｉｎを主体としてこれらの
金属を組み合わせた酸化物が好ましい。

【００１２】透明導電性微粒子の金属成分がＩｎとＳｎ
からなる金属酸化物の場合、金属の比率は、原子比で、
Ｉｎ／Ｓｎが９９／１〜８０／２０であることが好まし
く、より好ましくは９７／３〜８５／１５である。Ｓｎ
の量が減ると、キャリアー密度が低くなり、導電性が悪
化する等の点で不十分であり、一方、Ｓｎの量が増える
とキャリアーの散乱が起こるため、キャリアー移動度が
低下して導電性が悪化する等の点で不十分である。

【００１３】透明導電性微粒子の形状は、球状、針状、
フレーク状、いずれでもよい。また、透明導電性微粒子
の粒径は、球状粒子の場合、体積平均粒径で１５０ｎｍ
以下であることが好ましい。より好ましくは、１００ｎ
ｍ以下、さらに好ましくは、５０ｎｍ以下である。針
状、あるいはフレーク状粒子では、投影最大長が１５０
ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、１０
０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下である。

【００１４】透明導電性微粒子は、市販品を用いても、
合成したものを用いてもよい。ＩＴＯの透明導電膜を製
造する場合、透明導電性微粒子として、市販品である住
友金属鉱山製、三菱マテリアル製、白水化学製、富士化
学製のもの等を用いることができる。合成法について
は、ゾル−ゲル法、水熱合成、グリコサーマル法等の他
通常の焼結、あるいはガス流中での合成等が挙げられ
る。ゾル−ゲル法については、「ゾル−ゲル法の科学、
作花済夫、アグネ承風社、１９８８」や「ゾル−ゲル法
の現状と展望、山根正之監修、技術情報サービス懇談会
［ＡＴＩＳ］ゾル−ゲル法リポート刊行会、１９９２」
等に詳しく記述されている。また、微粒子とバインダー
と溶剤の分散物として利用できる市販品もある。

【００１５】本発明の塗布工程に用いられる塗布液に
は、バインダー樹脂が配合されていることが好ましい。
このバインダーとしては、有機高分子、無機高分子のい
ずれであってもよい。またバインダー樹脂の前駆体であ
る低分子量体を塗布液に配合して、塗布工程、照射工程
で、高分子化してもよい。有機高分子の例としては、ア
クリル樹脂、ビニルエステル樹脂、アクリル系熱硬化性
樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、スチレン−ブタジ
エンゴム等が挙げられるが、これらに制限されない。無
機高分子としては、シリコン系高分子、シリコンゴム等
が挙げられる。前駆体低分子量体としては、シリケート
加水分解物等が挙げられる。

【００１６】バインダーの配合量は、バインダーと透明
導電性微粒子の重量比（バインダー／透明導電性微粒
子）で、１／９９〜８０／２０である。より好ましく
は、３／９７〜７０／３０であり、さらに好ましくは、
５／９５〜６０／４０である。１／９９未満であるとバ
インダーの結着性が低下し、層のひび割れや粉落ち等が
発生する等により抵抗値が高くなり、一方、８０／２０
を超えると、透明導電性微粒子の相互の接触確率が低下
し、鎖状の導電経路が形成されにくくなるため抵抗値が
高くなる。各種の化合物をバインダーに添加した場合で
も、バインダーと添加物の合計の量が上記のバインダー
重量比であることが好ましい。

【００１７】また、透明導電性微粒子とバインダーから
なる透明導電膜の乾燥膜厚は、層の透明性を悪化させる
ことなく、抵抗値を低下させることができるため、０．
１μｍ〜２０μｍであることが好ましい。より好ましく
は０．３μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは、０．５μ
ｍ〜１５μｍである。

【００１８】また、用いるバインダーと塗布液に用いら
れる溶媒との組み合わせによって、透明導電性微粒子が
適宜表面処理されていることが好ましい。水溶性ポリマ
ーをバインダーとする場合は、表面親水化処理されてい
るものが、疎水性ポリマーをバインダーとする場合は、
表面疎水化処理されたものが好ましく、効果が大きい。
例えば透明導電性微粒子は、スズをドープした酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）の場合、シランカップリング剤により
表面親水化処理されるが、処理方法はこれに制限されな
い。

【００１９】（ａ）工程において、塗布液の溶媒は使用
する導電性微粒子及びバインダーの組み合わせによって
適宜選ばれる。具体的には、水及び有機溶媒が挙げられ
る。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のア
ルコール類、エチレングリコ一ル、トリメチレングリコ
ール等のグリコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロン等
のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ベンジル等
のエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノー
ル等のエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の酸アミド類、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ
る。これらの有機溶媒には水が含まれてもよい。

【００２０】また、後述する乾燥負荷を減らす溶媒とし
て、低沸点化合物を用いることができるが、その揮発性
のため取り扱いには注意を要する。低沸点化合物の例と
して、アセトンが挙げられる。一方、マイクロ波照射あ
るいは加熱によって分解する高沸点低分子量溶媒を使用
してもよい。このような例としてイソホロン、酢酸ベン
ジルが挙げられる。

【００２１】上記溶媒の使用量は、使用する透明導電性
微粒子とバインダーの組み合わせによって適宜選ばれる
が、一般的には、上記導電性微粒子とバインダーの重量
成分が１〜３０重量％にすることが好ましい。より好ま
しくは、２〜２５重量％であり、さらに好ましくは、３
〜２０重量％である。溶媒の量が不足すると、塗布性が
悪化する等の問題が生じ、溶媒の量が多すぎると、得ら
れる透明導電膜の膜厚が低下し、欠陥が生じやすくなる
等の問題が生じる。

【００２２】上記（ａ'）工程において、金属アルコキ
シドの例としては、金属メトキシド、金属エトキシド、
金属プロポキシド、金属イソプロポキシド、金属ブトキ
シド等が挙げられる。金属塩の例としては、ギ酸塩、酢
酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、金属ハロゲン化物等；これ
らの塩の水和物；これらの塩あるいは水和物と、α−又
はβ−ジケトン類、α−又はβ−ケト酸類、ケト酸類の
エステル類、α−又はβ−アミノアルコール類等とのキ
レート化合物；酸アミド類のようにキレートより弱い配
位を行う化合物との配位化合物；さらには、これら化合
物を中和、加水分解して得られる水酸化金属等が１００
重量％未満で含まれてもよい。

【００２３】（ａ'）工程で支持体上に形成された塗膜
は、後工程の（ｂ）工程でマイクロ波照射されることに
より、（ａ'）工程で用いられた塗布液中の金属アルコ
キシド、金属塩等が導電性クラスターに変換し、導電性
金属酸化物クラスターが密集した状態となり透明導電膜
が形成される。

【００２４】金属アルコキシド、金属塩を構成する金属
の具体例として、Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌ
ａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕ等がを挙げることができる。こ
れらは１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用い
ることができる。これらのうち、好ましい金属は、Ｂ，
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，
Ｓｂ，Ｂａ，Ｌａ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ，Ｂｉ及びＣｅであ
る。

【００２５】（ａ'）工程に用いられる好ましい塗布液
は、インジウムアルコキシド、インジウム塩、スズアル
コキシド、及びスズ塩から選択される少なくとも１種を
含有する塗布液である。上記インジウムアルコキシドの
例としては、インジウムメトキシド、インジウムエトキ
シド、インジウムプロポキシド、インジウムイソプロポ
キシド、インジウムブトキシド等が挙げられる。インジ
ウム塩の例としては、ギ酸インジウム、酢酸インジウ
ム、シュウ酸インジウム、硝酸インジウム、塩化インジ
ウム等；これら塩の水和物；これら塩あるいは水和物
と、α−又はβ−ジケトン類、α−又はβ−ケト酸類、
ケト酸類のエヌテル類、α−又はβ−アミノアルコール
等とのキレート化合物；酸アミド類のようにキレートよ
り弱い配位を行う化合物との配位化合物が挙げられ
る。；さらには、これら化合物を中和及び／又は加水分
解して得られる水酸化インジウム等が１００重量％未満
で含まれてもよい。スズアルコキシドの例としては、ス
ズメトキシド、スズエトキシド、スズプロポキシド、ス
ズイソプロポキシド、スズブトキシド等が挙げられる。
スズ塩の例としては、ギ酸スズ、酢酸スズ、シュウ酸ス
ズ、硝酸スズ、塩化スズ等；これらの水和物；これら塩
あるいは水和物と、α−又はβ−ジケトン類、α−又は
β−ケト酸類、前記ケト酸類のエステル類、α−又はβ
−アミノアルコール等とのキレート化合物；酸アミド類
のようにキレートより弱い配位を行う化合物との配位化
合物が挙げられる。；さらには、これら化合物を中和及
び／又は加水分解して得られる水酸化スズ等が１００重
量％未満で含まれてもよい。

【００２６】上記、インジウム化合物とスズ化合物が用
いられた場合の比率は、原子比で、インジウム／スズが
９９／１〜８０／２０であることが好ましく、さらに好
ましくは９７／３〜８５／１５である。スズの量が減る
と、キャリアー密度が低くなり、導電性が悪化する等の
点で不十分であり、一方、スズの量が増えるとキャリア
ーの散乱が起こるため、キャリアー移動度が低下して導
電性が悪化する等の点で不十分である。

【００２７】（ａ'）工程の塗布液の溶媒としては、
水、有機溶媒が用いられる。有機溶媒としては、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコ
ール、ブタノール等のアルコール類；エチレングリコー
ル、トリメチレングリコール等のグリコール類；アセト
ン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルア
セトン、イソホロン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸ベンジル等のエステル類；メトキシエタノー
ル、エトキシエタノール等のエーテルアルコール類；ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド等の酸アミド類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素類等が挙げられる。またこれらの有機溶媒に水が含
まれてもよい。溶媒の種類及び組成は、使用する金属ア
ルコキシド、金属塩の種類に従って適宜選択される。例
えば使用する金属塩が塩化物であり、その他の添加物が
水溶性である場合、水又は、水と有機溶媒の混合物を使
用し、必要に応じて金属塩を一部加水分解して金属水酸
化物としておいてもよい。しかしながら、全部加水分解
することはない。また、金属アルコキシドを使用し、そ
の他の添加物が有機溶剤に可溶性の場合には、溶媒とし
ては有機溶剤あるいは有機溶剤と水の混合物を使用し、
必要に応じて金属アルコキシドを一部加水分解して金属
水酸化物としておいてもよい。しかしながら、全部加水
分解することはない。

【００２８】また、以後にのべる乾燥負荷を減らす溶媒
として低沸点化合物を用いることができるが、その揮発
性のため取り扱いには注意を要する。このような例とし
て、アセトンが挙げられる。一方、マイクロ波照射によ
って分解する高沸点低分子量溶媒を使用してもよい。こ
のような例としてイソホロン、酢酸ベンジルが挙げられ
る。

【００２９】上記溶媒の使用量は、使用する金属アルコ
キシド及び／又は金属塩、及び他の添加物の種類によっ
て変化するが、一般的には、金属アルコキシド及び／又
は金属塩及び他の添加物の合計量が塗布液の１〜３０重
量％を占めるようにすることが好ましい。より好ましく
は２〜２５重量％であり、さらに好ましくは３〜２０重
量％である。溶媒の量が不足すると、塗布性が悪化する
等、溶媒の量が多すぎると、得られる透明導電膜の膜厚
が低下し、欠陥が生じやすくなる等の問題が生じる。

【００３０】（ａ'）工程に用いられる金属アルコキシ
ド及び／又は金属塩を含有する塗布液には他の添加物が
含まれてもよい。他の添加物の例としては、得られる塗
布物のバインダーとして機能する樹脂が挙げられる。こ
のような樹脂として、例えばポリメチルビニルケトン、
ポリビニルフェニルケトン、ポリスルホン、ｐ−ジアゾ
ジフェニルアミン・パラホルムアルデヒド重縮合物等の
ジアゾニウム塩類、１，２−ナフトキノン−２−ジアジ
ド−５−スルホン酸イソブチルエステル等のキノンジア
ジド類、ポリメチルメタクリレート、ポリフェニルメチ
ルシラン、ポリメチルイソプロペニルケトン等が挙げら
れる。上記樹脂は、金属アルコキシドと金属塩の合計１
００重量部あたり、０〜１０００重量部の割合で使用す
ることが望ましい。上記樹脂の使用量が多すぎると、得
られる金属酸化物系の透明導電膜の膜質が悪化し、望ま
しい抵抗値が得られない。

【００３１】また、他の添加物としては、金属アルコキ
シド、金属塩の加水分解を促進する酸触媒、塩基触媒が
挙げられる。酸触媒の例としては、塩酸、硝酸、ホウ
酸、ホウフッ化水素酸等の鉱酸；酢酸、トリフルオロ酢
酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有
機酸等が挙げられる。また、塩基触媒の例としては、ト
リエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、１，８−ジア
ザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、アンモニ
ア、ホスフィン等が挙げられる。

【００３２】（ａ'）工程において、金属アルコキシ
ド、金属塩を含有する塗布液に、金属酸化物の微粒子状
種結晶が添加されていることが好ましい。金属酸化物微
粒子種結晶の添加割合は、好ましくは金属アルコキシド
及び／又は金属塩からゾルが生成した場合のゾル重量の
１０重量％〜９０重量％であり、特に好ましくは、１０
重量％〜８０重量％である。本発明の方法では、（ｂ）
工程でのマイクロ波照射により金属酸化物が結晶化する
場合があるが、種結晶が添加されていることにより、金
属酸化物の結晶化がさらに促進する。金属酸化物微粒子
種結晶を添加することにより結晶化の促進に実効がある
のは、ホモエピタキシャル成長に関与しているためと推
定される。

【００３３】種結晶の粒径は、透過率の観点から、球換
算で０．００５μｍ〜１０μｍが好ましく、より好まし
くは、０．０１μｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは
０．０１〜０．１μｍである。

【００３４】加える種結晶は、金属アルコキシド、金属
塩を構成する金属の酸化物そのものでなくても、結晶形
が同じであるもの、あるいは格子定数が近い値をとるも
の等、ヘテロエピタキシャル成長に都合の良いものを使
用することができる。例えばＩＴＯ薄膜を作成する場
合、酸化インジウムを種結晶として用いることができ
る。

【００３５】上述の種結晶は、市販品を用いても、合成
したものを用いてもよい。ＩＴＯの透明導電膜を製造す
る場合、三菱マテリアル製、住友金属鉱山製等のものを
用いることができる。種結晶の合成法としては、ゾル−
ゲル法、水熱合成の他通常の焼結等が挙げられる。ゾル
−ゲル法については、「ゾル−ゲル法の科学、作花済
夫、アグネ承風社、１９８８」、「ゾルーゲル法による
薄膜コーティング技術、技術情報協会編、１９９４」や
「ゾル−ゲル法の現状と展望、山根正之監修、技術情報
サービス懇談会［ＡＴＩＳ］ゾル−ゲル法リポート刊行
会、１９９２」等に詳しく記述されている。

【００３６】上記（ａ）工程あるいは（ａ'）工程にお
いて用いられる塗布液に、アルカリ金属水酸化物を添加
することが好ましい。また、塗布液中で水との反応によ
ってアルカリ金属水酸酸化物を生成するような化合物の
組み合わせを添加してもよい。しかし、その他の化合物
ではたとえアルカリ性を示すものであっても効果がな
い。好適なアルカリ金属水酸酸化物の例として、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化
ルビジウム及び水酸化セシウム等を挙げることができ
る。少なくとも１種以上のアルカリ金属水酸化物を含有
するの溶液を加えて、後述する（ｂ）工程でマイクロ波
を照射すると透明導電膜成膜効率が向上するという良好
な結果が得られる。また、アルカリ金属水酸酸化物の添
加量は、塗布液中の固形分量に対して、例えば水酸化ナ
トリウムの場合には０．０２〜２０重量％が好適であ
る。ただし、生成する透明導電膜を構成する成分の重量
に対してアルカリ金属水酸化物の量が過剰であると抵抗
の著しい劣化を示す。例えば水酸化ナトリウムの場合に
は、透明導電膜を構成する成分の重量に対して０．０２
〜０．１重量％が好適である。

【００３７】また、（ａ）工程あるいは（ａ'）工程の
塗布液に、酸化銅を添加することがマイクロ波照射の効
果を促進するという点で好ましい。酸化銅としては二価
の酸化銅が好ましく用いられる。二価の酸化銅として
は、市販のものがそのまま使用可能であり、天然の酸化
銅鉱を微粉砕したもの、あるいは水酸化銅（II）、硝酸
銅（II）、炭酸銅（II）等を７００℃前後で加熱分解し
て合成したものを微粉砕したもの等が用いられる。この
ような酸化銅の粒径としては１μｍ以下、好ましくは
０．０１〜１００ｎｍ程度のものが好ましく利用され
る。

【００３８】本発明において、塗布液中に前記の酸化銅
を分散する方法としては、特に制限はなく、よく分散で
きる方法であればどのような方法でもよい。たとえば、
バインダーの溶液に酸化銅粒子を混合し、ボールミル、
ホモジナイザー等公知の混合方法でよく混合することで
分散することも可能であり、特に熱硬化性の樹脂を分散
媒体として用いる場合には好ましい。また、熱可塑性の
樹脂ではポリマーと酸化銅粒子をヘンシェルミキサー等
で混合した後、押出機、ブラベンダー等で加熱溶融混合
することもできる。さらに、バインダーを用いずに、溶
媒のみで分散することもできる。

【００３９】酸化銅の添加量は、（ａ）工程では、塗布
液に配合する導電性微粒子と酸化銅の重量比（導電性微
粒子／酸化銅）として、（ａ'）工程では、照射工程で
生成する導電性微粒子と酸化銅の重量比（導電性微粒子
／酸化銅）として、１００／０．１〜１００／５０程
度、好ましくは１００／０．１〜１００／２０程度であ
る。

【００４０】本発明の方法において、塗布工程の塗布方
法は、スピン−コート法、ディップコート法、スプレー
コート法、ロールコート法、スクリーン印刷法等の公知
の方法がいずれも使用することができる。大量生産を安
価に行うためには、ロールコートが好ましい。特に、バ
ーを用いる方法、ギーサーを用いる方法は好ましい方法
である。また、パターニングを塗布時にできるという点
で、スクリーン印刷法やオフセット印刷法も好ましい。
塗布液の塗布量は、得られる透明導電膜の用途によって
異なるが、一般的には、溶媒以外の有効成分塗量とし
て、０．１〜２０ｍｌ／ｍ² である。より好ましくは、
０．３〜１５ｍｌ／ｍ² であり、さらに好ましくは０．
５〜１５ｍｌ／ｍ ² である。

【００４１】本発明では、塗布工程で形成された塗布被
膜にマイクロ波が照射される（工程（ｂ））。ここで、
マイクロ波は、周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ、好
ましくは６００ＭＨｚ〜２００ＧＨｚの電磁波である。
マイクロ波の照射によって驚くべき均質な処理が可能と
なる。

【００４２】（ｂ）工程のマイクロ波照射源は、上記周
波数領城の電磁波を発生する限りにおいてどんなものを
用いてもよい。導波管あるいはキャビティを備え、マグ
ネトロン発振部を有する通常の装置が使用できる。ま
た、家庭用電子レンジとして市販されているものも、２
４５０ＭＨｚの照射源として利用できる。マイクロ波の
エネルギーとしては、８ｋＷ以下が好ましい。マイクロ
波照射の時間は、２秒以上１０時間以内であることが好
ましく、２０秒以上１０時間以内であることがより好ま
しく、３分以上１０時間以内であることがさらに好まし
い。

【００４３】（ｂ）工程で、電磁波シールドマスクを併
用することによって透明導電膜のパターンが形成でき
る。

【００４４】マイクロ波照射工程の雰囲気は、通常使用
されるものである限り、特に制限されないが、空気を遮
断して照射工程を行うことは好ましい。酸素欠陥の増大
によるキャリアー密度が増大した結果、あるいは粒界へ
の酸素分子の吸着が抑制された結果と推定される低抵抗
化が生じる。空気を遮断する方法としては、室素ガス等
不活性ガス雰囲気下で行う、真空中で行う、あるいは、
ガラス、ポリマーフィルム、紙、セラミック板、金属板
等による覆いを利用する等の方法を用いることができ
る。また、マイクロ波照射時の温度は、室温以上２００
℃未満であることが好ましい。より好ましくは３０℃〜
１５０℃、更に好ましくは３０℃〜１００℃で行われ
る。

【００４５】塗布液が塗布される透明支持体としては、
有機高分子、ガラス繊維強化プラスチックス、ガラス等
からなる、平板、立体物、フィルム等を挙げることがで
きる。中でも有機高分子のフィルムが好ましく、例えば
セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、
ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、シンジオタクチ
ックポリスチレン、ポリエチレン被覆紙、ポリエーテル
スルホン、ポリアリレート、ポリイミド、エポキシ樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリフッ化ビ
ニリデン、テフロン等を用いることができる。これらを
単独あるいは張り合わせて用いることができるが、特に
ポリエステルフィルム、ポリエーテルスルホン、ポリア
リレートに耐熱処理、帯電防止処理を施したものが好ま
しい。また、これらの支持体には温度や湿度の変化によ
って寸法が変化する、いわゆる寸度安定性を向上する目
的で、ポリ塩化ビニリデン系ポリマーを含む防水層を設
けてもよい。また、ガスバリアー性向上の目的で、有機
及び／又は無機化合物の薄膜を設けてもよい。有機薄膜
の例としてはポリビニルアルコール、ポリ（エチレン−
ｃｏ−ビニルアルコール）等があげられ、無機化合物の
例としては、シリカ、アルミナ、タルク、バーミキュラ
イト、カオリナイト、雲母、合成雲母等が挙げられる。
また、その他諸機能のため基板中に各種有機及び／又は
無機添加物が加えられていてもよい。

【００４６】支持体の厚みとしては、２５〜２５０μｍ
のものが用いられ、特に５０〜２００μｍのものが好ま
しい。合成高分子フィルムは着色されているものであっ
てもよい。着色されたフィルムは、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル
樹脂に青色染料を混練して成形されたフィルムに、耐
熱、延伸処理等を施したものを使用することが好まし
い。

【００４７】本発明における透明導電性膜を発光素子の
部材として用いるような場合には、透過光により画像が
見にくくなることを防止する観点から、色度座標（ＪＩ
ＳＺ ８７０１）上の、Ａ（ｘ＝０．２８０５，ｙ＝
０．３００５）、Ｂ（ｘ＝０．２８２０，ｙ＝０．２９
７０）、Ｃ（ｘ＝０．２８８５，ｙ＝０．３０１５）、
及びＤ（ｘ＝０．２８７０，ｙ＝０．３０４０）の４点
で形成される四角形の領域内にある、青く着色された合
成高分子フィルムを使用することが好ましい。

【００４８】本発明の透明導電膜においては、支持体と
して導電層が剥離することを防止するために、支持体上
に下塗り層を設けてもよい。下塗り層の素材としては、
アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ス
チレン−ブタジエンゴム、ポリエステル等を用いること
ができる。下塗り層の厚さは、０．０５〜０．５μｍで
あることが好ましい。

【００４９】下塗り層は、その上に層が塗布された時
に、含まれる溶媒により、膨潤して上層の性能を悪化さ
せることがあるので、硬膜剤を用いて硬化させることが
望ましい。硬膜剤としては、例えばグルタルアルデヒ
ド、アジポアルデヒド、２，３−ジヒドロキシ−１，４
−ジオキサン等のジアルデヒド類及びほう酸等の特開平
２−１４１２７９号公報に記載のものを挙げることがで
きる。これらの硬膜剤の添加量は、下塗り層の重量に対
して、０．２０重量％から３．０重量％となる範囲で、
塗布方法や望む硬化度に合わせて適切な添加量を選ぶこ
とができる。

【００５０】本発明の透明導電性膜には、透明導電層を
スティッキング等から保護するために、保護層を設けて
もよい。この保護膜を形成する際には、通常の保護膜形
成用塗布液、例えばアルコキシシラン加水分解物を含む
シリカ系被膜形成用塗布液が用いられる。これらのゾル
−ゲル法については、「ゾル−ゲル法の科学、作花済
夫、アグネ承風杜、１９８８」、「ゾル−ゲル法による
薄膜コーティング技術、技術情報協会編、１９９４」や
「ゾル−ゲル法の現状と展望、山根正之監修、技術情報
サービス懇談会［ＡＴＩＳ］ゾル−ゲル法リポート刊行
会、１９９２」等に詳しく記述されている。

【００５１】本発明の透明導電性膜には、カールバラン
スを補正するために、透明導電層と反対側の支持体表面
に、保護層と類似したバック層を設けることもできる。
また、バック層に光反射防止能を付与させることもでき
る。

【００５２】本発明の（ａ）工程及び（ａ'）工程で
は、塗布液中に透明導電性微粒子とバインダー以外の添
加物として、染料、有機顔料、及び／又はカーボンブラ
ック等の無機顔料を本発明の目的の達成を損なわない範
囲の量加えてもよい。このような着色材料を含むことに
より着色された透明導電膜を得ることもできる。

【００５３】本発明の透明導電性膜は、例えば電磁波シ
ールド、液晶パネル、タッチパネル、太陽電池、さらに
は有機あるいは無機ＥＬ、電気化学発光素子の材料とし
て用いることができる。

【００５４】

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づき、具体的に
説明するが、本発明はこれによって限定されるものでは
ない。また、特に断らない限り、以下に記載する部及び
％は、それぞれ重量部及び重量％を表す。

【００５５】〔シート抵抗〕表面抵抗は、三菱化学
（株）製ＬＯＲＥＳＴＡ−ＦＰを用いて四探針法によっ
て測定し、形状補正した。また、表面抵抗値を面内の任
意の５個所で測定し、平均値とのバラツキがすべて±３
％以内であるものを面内バラツキ許容（○）、±３％を
超えるものがあるものを面内バラツキ不可（×）とし
た。また、繰り返して試料を５回作成し、平均値とのバ
ラツキが±３％以内であるものを再現性許容（○）、±
３％を超えるものがあるものを再現性不可（×）とし
た。 〔光透過率〕空気をリファレンスとして、波長５５０ｎ
ｍの透過率を、自記分光光度計ＵＶ２４００−ＰＣ（島
津製）を用いて測定した。

【００５６】実施例１ １０モル％の錫をドープした酸化インジウム微粒子（粒
径４０ｎｍ）９０ｇをアクリル樹脂１０ｇとケトン系溶
媒２００ｇで分散した分散液をポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム（１００μｍ）上にワイアーバ
ーで塗布し、電子レンジ（東芝製東芝電子レンジＥＲＴ
−５４０Ｆ）を用いて３分間マイクロ波を照射して透明
導電膜を得た。表面抵抗値は３５０Ω／□、面内バラツ
キは許容、再現性は許容であった。光透過率を測定した
ところ８０％以上であった。

【００５７】実施例２ アクリル樹脂を使用せず、また溶媒を２種の有機溶剤の
混合物としたこと以外は、実施例１と同様の操作をし
た。

【００５８】実施例３ ＩＴＯ微粒子分散物（住友金属鉱山製、Ｘ−１０１）を
ＰＥＴフィルム（１００μｍ）上にワイアーバーで塗布
し、マイクロ波照射を６０秒行った。表面抵抗値、表面
抵抗面内バラツキ、表面抵抗再現性、光透過率の測定を
行った。

【００５９】実施例４ マイクロ波照射時に、薄膜をポリエチレンフィルム（１
００μｍ）で覆ったこと以外は、実施例１と同様の操作
をした。

【００６０】実施例５ マイクロ波照射時に、薄膜をポリエチレンフィルム（１
００μｍ）で覆ったこと以外は、実施例２と同様の操作
をした。

【００６１】実施例６ マイクロ波照射時に、薄膜をポリエチレンフィルム（１
００μｍ）で覆ったこと以外は、実施例３と同様の操作
をした。

【００６２】実施例７ マイクロ波照射時に、薄膜を紙で覆つたこと以外は、実
施例１と同様の操作をした。

【００６３】実施例８ マイクロ波照射時に、薄膜を紙で覆ったこと以外は、実
施例２と同様の操作をした。

【００６４】実施例９ マイクロ波照射時に、薄膜を紙で覆ったこと以外は、実
施例８と同様の操作をした。

【００６５】実施例１０ 塗布液中に、水酸化ナトリウム１８ｍｇを加えたこと以
外は、実施例１と同様の操作をした。

【００６６】実施例１１ 塗布液中に、水酸化ナトリウム１８ｍｇを加えたこと以
外は、実施例２と同様の操作をした。

【００６７】実施例１２ 塗布液中に、水酸化ナトリウム２０ｍｇを加えたこと以
外は、実施例３と同様の操作をした。

【００６８】実施例１３ マイクロ波照射を窒素雰囲気下で行ったこと以外は、実
施例１と同様の操作をした。

【００６９】実施例１４ マイクロ波照射を窒素雰囲気下で行ったこと以外は、実
施例２と同様の操作をした。

【００７０】実施例１５ マイクロ波照射を窒素雰囲気下で行つたこと以外は、実
施例３と同様の操作をした。

【００７１】実施例１６ 塗布液中に、酸化銅９０ｍｇを加えたこと以外は、実施
例１と同様の操作をした。

【００７２】実施例１７ 塗布液中に、酸化銅９０ｍｇを加えたこと以外は、実施
例２と同様の操作をした。

【００７３】実施例１８ １０モル％の錫をドープした酸化インジウム微粒子（粒
径４０ｎｍ）９０ｇをポリエステル樹脂１０ｇとトルエ
ン２００ｇで分散した分散液をＰＥＴフィルム（１００
μｍ）上にワイアーバーで塗布し、マイクロ波照射を３
分行った。実施例１と同様の測定をした。

【００７４】実施例１９ 塗布基板をガラス板（１．１ｍｍ）とした以外は実施例
１と同様の操作をした。

【００７５】実施例２０ １０モル％の錫をドープした酸化インジウム微粒子（粒
径４０ｎｍ）を１５モル％の亜鉛をドープした酸化イン
ジウム微粒子（粒径４０ｎｍ）に変えたこと以外は実施
例１と同様の操作を行った。

【００７６】実施例２１ １０モル％の錫をドープした酸化インジウム微粒子（針
状、投影最大長４０ｎｍ）６０ｇをアクリル樹脂４０ｇ
とケトン系溶媒２００ｇで分散した分散液を、ＰＥＴフ
ィルム（１００μｍ）上にワイアーバーで塗布し、以
下、実施例１と同様な操作をした。

【００７７】実施例２２ インジウムイソプロポキシド（Ｉｎ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃ ）と
スズイソプロポキシド（Ｓｎ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄ ）を、イン
ジウムとスズの原子比で、Ｉｎ／Ｓｎ＝０．９３／０．
０７となるように混合し、イソプロピルアルコールに加
え、酢酸を添加してＰＥＴ（１００μｍ厚）にワイアー
バーにより塗布し、マイクロ波照射を３分間行った。

【００７８】実施例２３ 塗布液に、ＩＴＯ微粒子を、インジウム及びスズのイソ
プロポキシドからゾルが生成した場合のゾル重量の１０
重量％加えたこと、及びマイクロ波時間を２秒としたこ
と以外は、実施例２２と同様な操作を行った。

【００７９】実施例２４ マイクロ波照射時に、薄膜をポリエチレンフィルム（１
００μｍ）で覆ったこと以外は、実施例２２と同様の操
作をした。

【００８０】実施例２５ マイクロ波照射時に、薄膜をポリエチレンフィルム（１
００μｍ）で覆ったこと以外は、実施例２３と同様の操
作をした。

【００８１】実施例２６ マイクロ波照射時に、薄膜を紙で覆ったこと以外は、実
施例２２と同様の操作をした。

【００８２】実施例２７ マイクロ波照射時に、薄膜を紙で覆ったこと以外は、実
施例２３と同様の操作をした。

【００８３】実施例２８ 塗布液中に、水酸化ナトリウム１８ｍｇを加えたこと以
外は、実施例２２と同様の操作をした。

【００８４】実施例２９ 塗布液中に、水酸化ナトリウム１８ｍｇを加えたこと以
外は、実施例２３と同様の操作をした。

【００８５】実施例３０ マイクロ波照射を窒素雰囲気下で行ったこと以外は、実
施例２２と同様の操作をした。

【００８６】実施例３１ マイクロ波照射を窒素雰囲気下で行ったこと以外は、実
施例２３と同様の操作をした。

【００８７】実施例３２ 塗布液中に、酸化銅９０ｍｇを加えたこと以外は、実施
例２２と同様の操作をした。

【００８８】実施例３３ 塗布液中に、酸化銅９０ｍｇを加えたこと以外は、実施
例２３と同様の操作をした。

【００８９】実施例３４ 酢酸を添加した後、加水分解を５０％進行させた直後に
塗布したこと以外は、実施例２２と同様の操作をした。
加水分解の進行は赤外分光法によって確認した。

【００９０】実施例３５ 酢酸を添加した後、加水分解を５０％進行させた直後に
塗布したこと以外は、実施例２３と同様の操作をした。
加水分解の進行を赤外分光法によって確認した。

【００９１】実施例３６ 水酸化ナトリウムを水酸化カルシウムに変えたこと以外
は、実施例１と同様の操作をした。

【００９２】実施例３７ 酸化銅を酸化チタンに変えたこと以外は、実施例１と同
様の操作をした。

【００９３】比較例１ マイクロ波照射の代わりに、温風加熱（８０℃）を３０
分間行うこと以外は実施例１と同様の操作をした。

【００９４】比較例２ マイクロ波照射の代わりに、温風加熱（８０℃）を３０
分間行うこと以外は実施例２と同様の操作をした。

【００９５】比較例３ マイクロ波照射の代わりに、温風加熱（８０℃）を３０
分間行うこと以外は実施例３と同様の操作をした。

【００９６】比較例４ マイクロ波照射の代わりに、温風加熱（８０℃）を３０
分間行うこと以外は実施例２２と同様の操作をした。

【００９７】比較例５ マイクロ波照射の代わりに、温風加熱（８０℃）を３０
分間行うこと以外は実施例２３と同様の操作をした。

【００９８】比較例６ マイクロ波照射の代わりに、高圧水銀灯（アイグラフィ
ックス社）で光照射を３分間行ったこと以外は、実施例
１と同様にの操作をした。

【００９９】比較例７ 酢酸を添加した後、加水分解を１００％進行させた後に
塗布したこと以外は、実施例２２と同様の操作をした。
加水分解の進行は赤外分光法によって確認した。

【０１００】比較例８ 酢酸を添加した後、加水分解を１００％進行させた後に
塗布したこと以外は、実施例２３と同様の操作をした。
加水分解の進行は赤外分光法によって確認した。

【０１０１】これら実施例、比較例の評価結果（表面抵
抗、表面抵抗面内バラツキ、表面抵抗再現性、光透過率
の評価結果）を表１に示した。これら実施例の試料の膜
強度は十分であった。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】表１に示される結果から、本発明の実施例
によって製造された透明導電膜は、表面抵抗値が低く、
光透過性が良く、表面抵抗値面内バラツキ、くり返し表
面抵抗再現性に優れ、良好な性能を示すことが明らかで
ある。一方、マイクロ波照射の代わりに温風加熱を行っ
た比較例１〜５の場合は、表面抵抗値が高く、光透過
性、表面抵抗値面内バラツキ、及びくり返し表面抵抗再
現性に劣る。また、マイクロ波照射の代わりに、高圧水
銀灯で光照射を行った比較例６の場合は、表面抵抗値が
低く、光透過性がよいが、表面抵抗値面内バラツキ、及
びくり返し表面抵抗再現性に劣る。また、加水分解が１
００％進行した比較例７及び８の場合、上記特性のすべ
てにおいて劣る。

【０１０４】

【発明の効果】本発明の透明導電膜の製造方法によれ
ば、安価な塗布法で、繰り返し塗布することなく低抵抗
で、膜強度が十分な透明導電膜を再現性良く製造でき
る。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）透明導電膜を構成する導電性金属
   酸化物微粒子を含有する塗布液を透明支持体上に塗布す
   る工程、及び（ｂ）該（ａ）工程で形成された塗布被膜
   にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする透
   明導電膜の製造方法。
2. 【請求項２】 塗布液がバインダー樹脂を含有している
   ことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造方
   法。
3. 【請求項３】 塗布液中のバインダーと導電性金属酸化
   物微粒子の重量比（バインダー／導電性金属酸化物微粒
   子）が、１／９９〜８０／２０であることを特徴とする
   請求項２に記載の透明導電膜の製造方法。
4. 【請求項４】 導電性金属酸化微粒子が、インジウム酸
   化物を主体とする金属酸化物であることを特徴とする請
   求項１〜３のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。
5. 【請求項５】 （ａ'）導電性金属酸化物微粒子を形成
   し得る金属アルコキシド及び金属塩から選択される少な
   くとも１種を含有する塗布液を透明基板上に塗布する工
   程、及び（ｂ）該（ａ'）工程で形成された塗布被膜に
   マイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする透明
   導電膜の製造方法。
6. 【請求項６】 塗布液に、微粒子状金属酸化物の種結晶
   が添加されていることを特徴とする請求項５に記載の透
   明導電膜の製造方法。
7. 【請求項７】 （ａ'）工程で用いられる塗布液が、イ
   ンジウムアルコキシド、インジウム塩、スズアルコキシ
   ド及びスズ塩からなる群から選択される少なくとも１種
   を含有していることを特徴とする請求項５又は６に記載
   の透明導電膜の製造方法。
8. 【請求項８】 マイクロ波の照射を空気との接触を遮断
   した状態で行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれ
   かに記載の透明導電膜の製造方法。
9. 【請求項９】 塗布液中に、アルカリ金属水酸化物及び
   ／又は酸化銅微粒子が添加されていることを特徴とする
   請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電膜の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 透明支持体が有機高分子フィルムであ
    ることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の透
    明導電膜の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の製
    造方法によつて製造された透明導電膜。