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WO2008120469A1 - 炭化珪素半導体素子の製造方法 - Google Patents

炭化珪素半導体素子の製造方法 Download PDF

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Abstract

　第１および第２の主面を有する炭化珪素基板１の前記第１の主面上に形成された炭化珪素層２の少なくとも一部に不純物イオン３を注入し、不純物ドープ領域を形成する工程（Ａ）と、前記炭化珪素層２の少なくとも上面２ａ、および、前記炭化珪素基板１の少なくとも第２の主面１２ａに耐熱性を有するキャップ層６を形成する工程（Ｂ）と、前記炭化珪素層２を所定の温度で加熱し、活性化アニール処理を行う工程（Ｃ）とを包含する炭化珪素半導体素子の製造方法。
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