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WO2006025373A1 - 界面活性剤 - Google Patents

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WO2006025373A1
WO2006025373A1 PCT/JP2005/015748 JP2005015748W WO2006025373A1 WO 2006025373 A1 WO2006025373 A1 WO 2006025373A1 JP 2005015748 W JP2005015748 W JP 2005015748W WO 2006025373 A1 WO2006025373 A1 WO 2006025373A1
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WO
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group
acid
salt
compound
sulfonic acid
Prior art date
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PCT/JP2005/015748
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kazumitsu Suzuki
Shunichiro Yamaguchi
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Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
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Publication date
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    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/46—Specific cleaning or washing processes applying energy, e.g. irradiation

Definitions

  • the present invention relates to a surfactant. More specifically, the present invention relates to a surfactant suitable as a cleaning agent used in a cleaning process during the manufacturing process of electronic materials and electronic parts.
  • Patent Documents 1 and 2 a method has been proposed in which a surfactant is added to lower the zeta potential on the particle surface to reduce particle adhesion.
  • the surfactant proposed in Patent Document 1 is a nonionic surfactant, the zeta potential on the particle surface cannot be sufficiently lowered, and the anti-reattachment property is not good. It is enough.
  • the surfactant proposed in Patent Document 2 is an anionic surfactant, and although the effect of preventing the reattachment of particles can be improved to some extent by reducing the zeta potential on the particle surface, it is not effective in terms of performance. It is enough.
  • alkali metal such as sodium ion is used as the counter ion of the ionic surfactant used, and the surface of the substrate causes latent scratches and dirt caused by residual alkali metal after cleaning. There were serious problems such as inferior device reliability due to the diffusion of alkali metals and severe foaming during use.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 5-138142
  • Patent Document 2 JP-A-6-41770 Disclosure of the invention
  • the object of the present invention is to substantially eliminate the use of alkali metal, and at the time of cleaning, is excellent in preventing reattachment of fine particles, and enables highly efficient advanced cleaning. It is to provide a surfactant.
  • the present invention relates to a surfactant characterized in that it also has a neutralizing salt (AB1) and Z or neutralizing salt (AB2) force; a detergent containing this surfactant; Cleaning agent used as a cleaning agent in the cleaning process during the process; using this cleaning agent, ultrasonic cleaning, shower cleaning, spray cleaning, brush cleaning, immersion cleaning, immersion rocking cleaning and single wafer cleaning
  • An electronic component manufacturing method including a step of cleaning with at least one selected from the group consisting of:
  • Neutralized salt (AB1) The heat of formation in the acid dissociation reaction (Q1) is 3 to 200 kcal Zmol. It has at least one acid group (XI) and one hydrophobic group (Y) with a carbon number of ⁇ 36.
  • W is -tro group, cyano group, trihalomethyl group, formyl group, acetyl group, alkyloxycarbon group, alkylsulfol group, ammonia group or halogen atom
  • Ar is an aryl group having 5 to 14 carbon atoms
  • a represents 0 or 1
  • b represents 1 or 2
  • c represents an integer of 1 to 8
  • alkyl The carbon number of the alkyl in the oxycarbonyl group and alkylsulfol group is 1 to 3.
  • Neutralized salt (AB2) a polymer (A2) having at least one acid group (X2) in the molecule, and a nitrogen-containing basic compound whose heat of formation (Q2) is 10 to 152 kcal / mol in the protonation reaction.
  • the acidic compound (A1) consists of an acid group (XI) with an acid heat change (Q1) in the acid dissociation reaction of 3 to 200 kcalZm O l and a hydrophobic group (Y) with 1 to 36 carbon atoms. Each of them has at least one, and the polymer (A2) has at least one acid group (X2) in the molecule.
  • the acid group (X2) is also preferably one having a heat generation change (Q1) in the acid dissociation reaction of 3 to 200 kcal Zm O 1.
  • the heat of formation (Ql) in the acid dissociation reaction of acid groups (Xl) and (X2) is the heat of formation of HX and the heat of formation of X- in the acid dissociation reaction of acid (HX) shown in the following formula (6) Means the difference. HX ⁇ H ++ X "(6)
  • the change in heat of formation in the acid dissociation reaction of the acid group (XI) is a value assuming that the hydrophobic group (Y) is a hydrogen atom.
  • the change in heat of formation in the acid dissociation reaction of the acid group (X2) is a value assuming that the polymer chain to which the acid group (X2) is bonded is a hydrogen atom.
  • R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms (methyl, ethyl, propyl, butyl, octyl, noel, decyl, dodecyl, etc.).
  • W is -tro group, cyano group, trihalomethyl group, formyl group, acetyl group, alkyloxycarbon group, alkylsulfol group, ammonia group or halogen atom
  • Ar is an aryl group having 5 to 14 carbon atoms
  • a represents 0 or 1
  • b represents 1 or 2
  • c represents an integer of 1 to 8
  • the alkyl carbon number in the alkyloxycarbonyl group and alkylsulfol group is 1 to 3.
  • Examples of the alkyl in the alkyloxycarbonyl group and the alkylsulfol group include methyl, ethyl and propyl.
  • the generated heat change (Q1) is expressed by the following formula (8).
  • the value of heat of formation was calculated using the semiempirical molecular orbital method (MOPAC PM3 method) described in J. Chem. Soc. Perkin Trans. 2, p. 923 (1995).
  • This generated heat value can be calculated as the generated heat (25 ° C) in a vacuum using, for example, “CAChe Worksystem 6.01” manufactured by Fujitsu Limited.
  • the value of this heat of formation is calculated by writing the molecular structure to be calculated on “Work Space”, optimizing the structure with the molecular force field method “MM2 geometry”, and then using the semi-empirical molecular orbital method “PM3 It is obtained by calculating with “geomety”.
  • the change in heat of formation (Ql) (kcal / moU 25 ° C) in the acid dissociation reaction of the acid group (XI) or (X2) is from the viewpoint of lowering the zeta potential that 3 to 200 is preferred. More preferably Is from 10 to 150, preferably from 15 to 100, then preferably from 20 to 80, particularly preferably from 22 to 75, most preferably from 25 to 70.
  • sulfonic acid groups sulfuric acid groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups and carboxyl groups are preferred from the viewpoints of preventing redeposition of particles and industrially easy production.
  • (C) is contained, from the viewpoint of preventing hydrolysis of the neutralized salt (AB2), a sulfonic acid group and a carboxyl group are more preferable, and a sulfonic acid group is particularly preferable.
  • acid group (XI) among the acid groups (X2) exemplified above, a sulfonic acid group, a sulfuric acid group, a phosphoric acid group, a phosphonic acid group, a carboxymethyloxy group, a carboxyethyloxy group (Di) carboxymethylamino group, (di) carboxyethylamino group, group represented by formula (1), group represented by formula (2), and the like.
  • the sulfonic acid group sulfuric acid group, phosphoric acid group, carboxymethyloxy group, and carboxymethyloxy group are preferred and contain an alkali component (C) described later, the neutralization salt (AB1) is hydrolyzed.
  • the neutralization salt (AB1) is hydrolyzed.
  • a sulfonic acid group a carboxymethyloxy group and a carboxyethyloxy group, and particularly preferred is a sulfonic acid group.
  • the hydrophobic group (Y) in the acidic compound (A1) includes an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic ring-containing hydrocarbon group, and the like.
  • Examples of the aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 36 carbon atoms and an alkenyl group having 2 to 36 carbon atoms (straight or branched, which may be shifted).
  • Alkyl groups include methyl, ethyl, n- or i-propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, noel, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl , Ecosil, heneicosyl, docosinore, tricosinole, tetracosyl, pentacosyl, hexacosyl, heptacosyl, octacosyl, nonacosyl, triacontyl, hentriacontyl, detriacontyl, tritriacontyl, tetratriacontyl, pentatriacontyl, hexatori
  • the alkyl group includes n- or i-probe, hexyl, heptul, otathel, decel, undecyl, dodecyl, tetradecyl, pentadecyl, hepar.
  • the alicyclic hydrocarbon group includes a cycloalkyl group having 3 to 36 carbon atoms, such as cyclopropylenole, cyclobutinole, cyclopentinole, cyclohexenole, cycloheptinole, cyclooctyl, cyclonol, Examples include cyclodecyl, cyclododecyl, cyclohexadecyl, cycloeicosyl, cyclohexacosyl, cyclononacosyl, cyclotetratriacontyl, cyclopentatriacontyl, cyclohexatriacontyl and the like.
  • the aromatic ring-containing hydrocarbon group includes an aromatic hydrocarbon having 7 to 36 carbon atoms and the like.
  • hydrophobic group (Y) an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic ring-containing hydrocarbon group are more preferable, and octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, Xadecyl, heptadecyl, octadecyl, octylphenol, norphele, dodecylphenyl, octylnaphthyl, nornaphthyl, dodecylnaphthyl, particularly preferably octyl, nonyl, dodecyl, hexadecyl, octadecyl, octylphele, dodecylfetal Octylnaphthyl.
  • the number of carbon atoms of the hydrophobic group (Y) is 1 to 36, more preferably 4 to 24, and particularly preferably 8 to 24.
  • some or all of the hydrogen atoms are other atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms, etc.) or functional groups (hydroxyl groups, amino groups, mercapto groups, perfluoroalkyl groups).
  • a carboxyl group, an organic group containing an ether bond, an amide bond, or an ester bond), or the functional group may contain one or more oxyalkylene groups! ,.
  • the acidic compound (A1) includes the following compounds.
  • Alkylsulfonic acid octylsulfonic acid, decylsulfonic acid, dodecylsulfonic acid, myristylsulfonic acid, cetylsulfonic acid, stearylsulfonic acid, etc.
  • benzenesulfonic acid octylsulfonic acid, decylsulfonic acid, dodecylsulfonic acid, myristylsulfonic acid, cetylsulfonic acid, stearylsulfonic acid, etc.
  • Alkylbenzene sulfonic acids (toluene sulfonic acid, xylene sulfonic acid, dodecyl benzene sulphonic acid, eicosino benzene sulphonic acid, etc.),
  • Alkylnaphthalenesulfonic acid methylnaphthalenesulfonic acid, dodecylnaphthalenesulfuric acid
  • Phonic acid eicosylnaphthalene sulfonic acid, etc.
  • Polyoxyalkylene alkyl ether sulfonic acid polyoxyethylene octyl ether sulfonic acid, polyoxyethylene lauryl ether sulfonic acid, etc.
  • Polyoxyalkylene alkyl aryl ether sulfonic acid polyoxyethylene octyl ether ether sulfonic acid, polyoxyethylene lauryl ether ether sulfonic acid, etc.
  • Sulfosuccinic acid ((di) octylsulfosuccinic acid, (di) laurylsulfosuccinic acid, (di) octylpolyoxyethylenesulfosuccinic acid, (di) laurylpolyoxyethylenesulfosuccinic acid, (di) amylsulfosuccinic acid, (di) 2 —Ethylhexylsulfosuccinic acid, etc.), a-olefin sulfonic acid (1-octane sulfonated product, 1 nonene sulfonated product, 1-decene sulfonated product, 1-dodecene sulfonated product, 1-tetradecene sulfonated product, 1 sulfonated product of pentadecene, 1 sulfonated product of 1-hexadecene
  • Alkyl diphenyl ether sulfonic acid such as methyl diphenyl ether (di) sulfonic acid, dodecyl diphenyl ether (di) sulfonic acid
  • Alkylylaminoethyl sulfonic acid octiloyl N-methylaminoethyl sulfonic acid, lauryl leulu N-methylaminoethyl sulfonic acid
  • Fatty acid ethyl ester sulfonic acid (octyl acid ethyl ester sulfonic acid, lauric acid ethyl ester sulfonic acid, etc.), etc.
  • Alkyl sulfates (octyl sulfate, decyl sulfate, dodecyl sulfate, myristyl sulfate, cetyl sulfate, stearyl sulfate, etc.)
  • Polyoxyalkylene alkyl ether sulfates (polyoxyethylene octyl ether sulfate, polyoxyethylene lauryl ether sulfate, etc.), polyoxyalkylene alkyl aryl ether sulfates (polyoxyethylene alkyl ether sulfate, poly Oxyethylene norwether ether sulfate, etc.), Acylamide alkyl sulfate (octyroylamidoethyl sulfate, laurylamide ethyl sulfate),
  • Acylamide polyoxyalkylene sulfate (octyloylamide polyoxyethylene sulfate, laurylylamide polyoxyethylene sulfate, etc.).
  • alkyl phosphate ester ((di) octyl phosphate ester, (di) decyl phosphate ester, (di) dodecyl phosphate ester, (di) myristyl phosphate ester, (di) cetyl phosphate ester, (di) stearyl Phosphate esters),
  • polyoxyalkylene alkyl ether phosphates such as (di) polyoxyethylene octyl ether phosphates, (di) polyoxyethylene lauryl ether phosphates
  • Polyoxyalkylene alkyl aryl ether phosphates (polyoxyethylene octyl phenyl ether phosphates, polyoxyethylene nonyl phenyl ether phosphates, etc.).
  • Anolequinolephosphonic acid eg, cutinorephosphonic acid, decinorephosphonic acid, dodecinorephosphonic acid, myristylphosphonic acid, cetylphosphonic acid, stearylphosphonic acid
  • Alkylbenzenephosphonic acids (toluenephosphonic acid, xylenephosphonic acid, dodecylbenzene phosphonic acid, eicosinolebenzenephosphonic acid, etc.),
  • Alkyl naphthalene phosphonic acid (such as methyl naphthalene phosphonic acid, dodecyl naphthalene phosphonic acid, eicosyl naphthalene phosphonic acid),
  • Polyoxyalkylene alkyl ether phosphonic acid (polyoxyethylene octyl ether phosphonic acid, polyoxyethylene lauryl ether phosphonic acid, etc.),
  • Polyoxyalkylene alkylaryl ether phosphonic acid (polyoxyethylene octyl ether ether phosphonic acid, polyoxyethylene lauryl ether ether phosphonic acid, etc.),
  • Alkyl diphenyl ether phosphonic acid such as methyl diphenyl ether (di) phosphonic acid, dodecyl diphenyl ether (di) phosphonic acid.
  • Carboxymethylated products of higher alcohols octyl carboxymethyl ether, lauryl carboxymethyl ether, etc.
  • Carboxymethylated polyoxyalkylene alkyl ether (Polyoxyethylene octyl ether carboxymethylated, Polyoxyethylene normal ether carboxymethylated, Polyoxyethylene decyl ether carboxymethylated, Polyoxyethylene dodecyl ether carboxymethyl , Carboxymethylated polyoxyethylene myristyl ether, carboxymethylated polyoxyethylene stearyl ether, carboxymethylated polyoxyethylene oleyl ether, etc.).
  • Carboxylicated products of higher alcohols octyl carboxyethyl ether, lauryl carboxyethyl ether, etc.
  • Carboxyethylated polyoxyalkylene alkyl ether (carboxylylated polyoxyethylene octyl ether, carboxyethylated polyoxyethylene norl ether, carboxyethylated polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene dodecyl Carboxyethylated ethers, carboxyethylated polyoxyethylene myristyl ether, carboxyethylated polyoxyethylene stearyl ether, carboxyethylated polyoxyethylene oleyl ether, etc.).
  • Alkylamino (di) acetic acid octylamino (di) acetic acid, laurylamino (di) acetic acid, etc.
  • alkylylamino (di) acetic acid laauroyl-N-methylaminoacetic acid, etc.
  • Alkylamino (di) propionic acid octylamino (di) propionic acid, laurylamino (di) propionic acid, etc.
  • alkylylamino (di) propionic acid laauroyl-N-methylamino (di) propionic acid, etc.
  • alkylsulfonic acid alkylbenzenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, sulfosuccinic acid, polyoxyalkylene alkyl ether sulfonic acid, polyoxyalkylene alkyl aryl ether sulfonic acid, ⁇ -olefin sulfonic acid, Alkylyl aminoethyl sulfonic acid, alkyl sulfate ester, polyoxyalkylene alkyl ether sulfate ester, polyoxyalkylene alkyl aryl ether sulfate ester, acylamide alkyl sulfate ester, (di) alkyl phosphate ester, (di) Polyoxyalkylene alkyl ether phosphate ester, polyoxyalkylene alkyl ether ether phosphate ester, alkylphosphonic acid, polyoxyalkylene alkyl ether carb
  • the acidic compound (A1) may be used alone or as a mixture of two or more.
  • the HLB value of the acidic compound (A1) is preferably 5 to 30 force, more preferably 7 to 17, more preferably. Or from 9 to 16, particularly preferably from 10 to 15, and most preferably from 10.5 to 14.5.
  • the HLB value is a value calculated by using the formula (18) according to the Oda method (written by Takehiko Fujimoto, New Surfactant Nitto (Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), pl97).
  • organic property and inorganic property in a formula are the sum total of the numerical value defined for every atom and functional group which comprise a molecule
  • the pKa of the acidic compound (A1) is preferably 8.0 or less, particularly preferably 5.5 or less, and most preferably from the viewpoint of lowering the zeta potential which is preferably 8.0 or less. Is less than 3.0. Further, it is preferably 0.5 or more.
  • pKa means the acid dissociation constant of the first step.
  • PKa can be obtained by a known method ⁇ eg, J. Am. Chem. Soc., 1673 (1967) ⁇ .
  • the polymer ( ⁇ 2) having at least one acid group ( ⁇ 2) includes a polymer having a sulfonic acid group ( ⁇ 2-1) and a polymer having a sulfate group ( ⁇ 2) from the viewpoint of preventing reattachment of particles.
  • polymers with phosphoric acid groups ( ⁇ 2-3), polymers with phosphonic acid groups ( ⁇ 2 4) and polymers with carboxyl groups ( ⁇ 2-5) are preferred, more preferably have sulfonic acid groups
  • a polymer having a sulfonic acid group ( ⁇ 2-1) a polymer (A2-1-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer (aX-1) having a sulfonic acid group, a polymer reaction Polymer obtained by introducing a sulfonic acid group by (A2-1-2), a polymer obtained by polycondensation reaction with formaldehyde using an aromatic compound (aY-1) having a sulfonic acid group in the molecule (A2—1-3) and the like.
  • the polymer (A2-2) having a sulfate group includes a polymer (A2-2-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer (aX-2) having a sulfate group, and a sulfuric acid by a polymer reaction. And a polymer (A2-2-2) obtained by introducing a group.
  • Polymers having phosphate groups include unsaturated monomers having phosphate groups (aX
  • Examples include a polymer (A2-3-1) obtained by radical polymerization using 3) and a polymer (A2-3-2) obtained by introducing a phosphate group by a polymer reaction.
  • a polymer (A2-4) having a phosphonic acid group a polymer (A2-4-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer (aX-4) having a phosphonic acid group, a polymer reaction Polymer obtained by introducing a phosphonic acid group by (A2-4-2), polymer obtained by polycondensation reaction with formaldehyde using an aromatic compound (aY-4) having a phosphonic acid group in the molecule (A2-4-3).
  • the polymer (A2-5) having a carboxyl group includes a polymer (A2-5-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer (aX-5) having a carboxyl group, and a carboxyl by a polymer reaction. Polymer obtained by introducing a group (A2-5-2), polymer obtained by polycondensation reaction of an aromatic compound (aY-5) with a strong lpoxyl group in the molecule and formaldehyde (A2-5-3) ) And the like.
  • the polymer (A2-1) having a sulfonic acid group is preferred, and (A2-1-1), (A2 —1-2—) and (A2-1-3), particularly preferably (A2-1-2) and (A2-1-3).
  • the polymer (A2) used in the present invention may be used alone, but may be used as a mixture of two or more.
  • Examples of the unsaturated monomer (aX-1) having a sulfonic acid group include aliphatic unsaturated sulfonic acids having 2 to 20 carbon atoms (such as vinyl sulfonic acid and (meth) aryl sulfonic acid), and those having 6 to 24 carbon atoms.
  • Aromatic unsaturated sulfonic acid (styrene sulfonic acid, ⁇ nonyl styrene sulfonic acid, etc.), sulfonic acid group-containing (meth) atarylate ⁇ 2-((meth) attaroyloxyethane sulfonic acid, 2- (meth) attaroiloio Xipropane sulfonic acid, 3 (meth) acryloyloxy propane sulfonic acid, 2- (meth) atta iro oxybutane sulfonic acid, 4— (meth) atta iro oxybutane sulfonic acid, 2 — (meth) atta iro iro Xy 2, 2-dimethylethane sulfonic acid, P- (meth) attaroyloxymethylbenzene sulfonic acid, etc. ⁇ , sulfonic acid group-containing (meth) acrylamide ⁇
  • aliphatic unsaturated sulfonic acids having 2 to 20 carbon atoms and (meth) acrylamide containing sulfonic acid groups are more preferable and vinylsulfonic acid is more preferable.
  • Styrene sulfonic acid and 2- (meth) atalyloylamino 2,2-dimethylethane sulfonic acid are more preferable.
  • Examples of the unsaturated monomer (aX-2) having a sulfate group include a sulfate ester of a hydroxyl group-containing monomer (aZ2) described later.
  • a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester (aZ2-1) sulfate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or 2-hydroxypropyl is more preferable. It is a sulfate ester of (meth) acrylate.
  • Examples of the unsaturated monomer (aX-3) having a phosphoric acid group include phosphoric acid esters of a hydroxyl group-containing monomer (aZ 2) described later.
  • a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester (aZ2-1) phosphate is preferred, more preferably 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or 2-hydroxypropyl. It is a phosphate ester of (meth) acrylate.
  • the unsaturated monomer (aX-4) having a phosphonic acid group (meth) attayloxyalkyl (carbon number 1 to 20) phosphate ⁇ (meth) attaroyloxymethyl phosphate, ( Etc.) and the like. (Meth) Atalyloxyxetyl phosphate, (Meth) Atylyloxylauryl phosphate, (Meth) Atylyloxyeicosyl phosphate, etc.
  • (meth) attaroyloxetyl phosphate is preferred.
  • the unsaturated monomer having a carboxyl group (aX-5) includes an unsaturated monocarboxylic acid ⁇ (meth) acrylic acid, butylbenzoic acid, allylic acetic acid, (iso) crotonic acid, cinnamic acid and acrylic acid 2-carboxyethyl etc. ⁇ , unsaturated dicarboxylic acids and their anhydrides ⁇ (anhydrous) maleic acid, fumaric acid, (anhydrous) itaconic acid, (anhydrous) citraconic acid, mesaconic acid etc. ⁇ , monosaturated dicarboxylic acid Alkyl (alkyl having 1 to 20 carbon atoms) ester Nomethinoremalate, monoethinoremalate, monolaurinoremalate, monoeicosinoremalate, monomethylfumarate, monoethylfumarate, monolaurylfumarate, monoeicosinorefumarate, monomethyl
  • unsaturated monostrength rubonic acids unsaturated dicarboxylic acids and their anhydrides are more preferred, (meth) acrylic acid, (anhydrous) Maleic acid, fumaric acid and (anhydrous) itaconic acid.
  • Polymers (A2-11-1) to (A2-5-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer have an unsaturated monomer (aX-1) having a sulfonic acid group and a sulfate group.
  • other radical polymerizable unsaturated monomers (aZ) can be copolymerized.
  • radical polymerizable unsaturated monomer (aZ) include the following.
  • R 6 is a hydrogen atom or a methyl group
  • AO is an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms
  • X is an integer of 1 to 20 (preferably 1).
  • (aZ2-l-l) includes 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2 hydroxypropyl methacrylate, 2 hydroxypropyl methacrylate, 3— Examples thereof include hydroxyalkyl (2 to 4 carbon atoms) (meth) acrylate, such as hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxyethoxyethyl (meth) acrylate.
  • (aZ2-l 2) (Meth) acrylate of polyhydric alcohol containing 3 to 8 hydroxyl groups; (meth) acrylate of polyhydric alcohol (E) described below [for example, glycerol mono- or di- ( Meta) acrylate, trimethylolpropane mono- or di- (meth) acrylate, sucrose (meth) acrylate, etc.],
  • (aZ2-2) Alkenol having 2 to 12 carbon atoms [Bul alcohol (formed by hydrolysis of butyl acetate unit), Alkenol having 3 to 12 carbon atoms ⁇ (Meth) aryl alcohol, (Iso) Propal alcohol, crotyl alcohol, 1-butene-3-ol, 1-butene-4-ol, 1-octaenol, 1-undecenol and 1-dodecenol ⁇ , etc.],
  • (aZ2-6) (Poly) oxyalkylene ether of monomers (aZ2-1) to (aZ2-5) [eg, at least one of the hydroxyl groups of (aZ2—l) to (aZ2-5) Pieces — O— (AO) —AO—
  • R 6 is the same as in the general formula (13), R 'and R "are independently selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. It is a group.
  • (aZ3-1-1) includes unsubstituted or alkyl-substituted acrylamides [acrylamide, metatalamide, N monoalkyl (1 to 4 carbon atoms) and N, N dialkyl (1 to 4 carbon atoms) — (meth) acrylamide ⁇ (Di) methyl, (di) ethyl, (di) i-propyl, (di) n-butyl or (di) i-butyl substituted (meth) acrylamide etc.
  • N-bulucarboxylic acid amide [N-bulucarboxylic acid amide ⁇ N-buluformamide, N-vinylacetamide, N-vinyl n- or i-propionamide, N-vinylhydroxyacetamide, etc. ⁇ , N-vinyllatata ⁇ N-vinylpyrrolidone, etc. ⁇ ].
  • (aZ4-1-1 -2) Amino group-containing acrylic monomer [amino group-containing (meth) atarylate [ ⁇ monoalkyl (1 to 4 carbon atoms) ⁇ aminoalkyl (2 to 6 carbon atoms) (meth) atrylate ⁇ Aminoethyl, aminopropyl, methylaminoethyl, ethylaminoethyl, butylaminoethyl, or (meth) acrylate of methylaminopropyl ⁇ , di-alkyl (1 to 4 carbon atoms) aminoalkyl (2 to 6 carbon atoms) (Meth) Atylates ⁇ Dimethylaminoethyl (Meth) Atylate, Jetylaminoethyl (Meth) Atylate, Dibutyl Aminoethyl (Meth) Atylate, etc. ⁇ , etc.], and amino acids corresponding to these (Meth) Atylates Group-containing (meth) acrylamide
  • Quaternizing agents include alkyl (1 to 8 carbon atoms) halides (such as methyl chloride), benzyl halide (such as benzyl chloride), dialkyl (1 to 2 carbon atoms) sulfate (dimethyl sulfate, jetyl sulfate, etc.) ), Dialkyl (1 to 2 carbon atoms) carbonate (such as dimethyl carbonate) and the like can be used.
  • AZ4-2 can be obtained by quaternizing (aZ4-144) with one or more alkylene (2 to 4 carbon atoms) oxides (ethylene oxide, propylene oxide, etc.). 4th grade ammonium salt is also included.
  • C2-C36 unsaturated aliphatic hydrocarbon [C2-C36 alkene ⁇ ethylene, propylene, isobutene, butene, pentene, heptene, diisobutylene, octene, dodecene, octadecene, etc. ⁇ , C4-12 alkadienes (butadiene, isoprene, 1,4 pentagen, 1,6 to butadiene, 1,7-octagen, etc.),
  • Halogen atom-containing unsaturated monomer [Bull or vinylidene halide (such as vinyl chloride, vinyl bromide, vinyl chloride vinylidene), alkenyl (carbon number 3 to 6) halide ⁇ Salt salt (meth) aryl etc. ⁇ , halogen-substituted styrene ⁇ eg (di) chlorostyrene ⁇ etc.].
  • alkyl alkenyl ether [alkyl (carbon number 1 to 10) alkenyl (carbon number 2 to: LO) ether ⁇ alkyl butyl ether (methyl butyl ether, n-propyl butyl ether, ethyl butyl ether, etc.)] and Alkyl (meth) aryl ethers (such as methylallyl ether and ethyl ether ether), alkyl (iso) propyl ethers (such as methyl propellyl ether, ethyl isopropell ether) ⁇ and the like.
  • alkulyl carboxylate [acid acid, propionate, butyrate, hexanoate, heptanoate, 2-ethylhexyl, n-octanoate, etc.]
  • the monomers (aX-1) to (aX-5) or the monomer (aZ) used as necessary may be used singly or as a mixture of two or more. In the case of a copolymer, a random copolymer, Even if it has a misaligned structure.
  • the molar ratio of (aX—l), (aX—2), (aX—3), (aX—4) or (aX—5) to (aZ) ⁇ (aX— 1 ), (AX-2), (aX-3), (aX-4) or (aX-5) Z (aZ) ⁇ is preferably 1 to 99Z99 to 1, more preferably 10 to 90Z90 to 10, Particularly preferred is 20 to 85 to 80 to 15, and most preferred to 30 to 80 to 70.
  • polystyrene sulfonic acid examples include polystyrene sulfonic acid, styrene-styrene sulfonic acid copolymer, poly ⁇ 2- (meth) attaylylamino-2,2-dimethylethane sulfone.
  • polymer ( ⁇ 2-2-1) examples include poly ⁇ 2-hydroxyethyl (meth) acrylate sulfate ⁇ , 2-hydroxyethyl acrylate, and 2-hydroxyethyl acrylate.
  • polymer ( ⁇ 2-3-1) examples include poly ⁇ 2-hydroxyethyl (meth) acrylate ester ⁇ , 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate.
  • examples include ester copolymers, 2-hydroxyethyl methacrylate, and 2-hydroxyethyl methacrylate phosphate copolymers.
  • polymer ( ⁇ 2-4-1-1) examples include poly ⁇ (meth) attayllooxychetyl phosphate ⁇ , 2-hydroxyethyl talylate / atalylooxychetyl phosphate copolymer , 2-hydroxyethyl methacrylate, methacryloyloxychetyl phosphate copolymer, and the like.
  • polymer ( ⁇ 2-5-1) examples include poly (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ⁇ acetic acid butyl copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate ⁇ ⁇ (meth) acrylic Examples include acid copolymers.
  • a known radical polymerization method can be used as a method for synthesizing the polymers (A2-11-1) to (A2-5-1) obtained by radical polymerization using an unsaturated monomer.
  • a monomer consisting of monomers (aX-1) to (aX-5) and other radical polymerizable unsaturated monomer (aZ) if necessary, radical initiator (persulfate, azobisamidinopropane salt, azobisisobutyl) -Tolyl, etc.) is polymerized at a temperature of 30 to 150 ° C. in a solvent such as water or an alcohol solvent using 0.1 to 30% by weight with respect to the monomer. If necessary, you can use a chain transfer agent such as mercaptan!
  • Examples of the polymer (A2-1-2) obtained by introducing a sulfonic acid group by a polymer reaction include a sulfone derivative of a polymer (A2-1-1-2-1) having an unsaturated bond.
  • Polymers with unsaturated bonds include butadiene, isoprene, hydroxyl group-containing aromatic monomers (aZ2-5), amino group-containing aromatic monomers (aZ4-1-3) Includes polymers obtained by radical polymerization using unsaturated aromatic hydrocarbons (aZ5-3). At this time, these butadiene, isoprene, monomers (aZ2-5), (aZ4-1-3) and (aZ5-3) may be used singly or as a mixture of two or more.
  • polystyrene examples include a sulfonated product of polystyrene and a sulfonated product of isoprene Z styrene copolymer.
  • the sulfonation rate is an index indicating how many sulfonic acid groups have been introduced per unit monomer unit in the polymer (A2-1-2).
  • a rate of 100% means that one sulfonic acid group has been introduced for all aromatic rings in the polystyrene.
  • the sulfone ratio can be determined by a known method. For example, the ratio of carbon atom to sulfur atom is measured by elemental analysis, or the amount of bound sulfuric acid (JIS K3362: 1998 : Supported ISO 2 271).
  • the polymer (A2-2-2) obtained by introducing a sulfate group by a polymer reaction includes a sulfate ester polymer of a polymer (A2-2-2-2-1) having a hydroxyl group.
  • polymer having a hydroxyl group (A2-2-2-2-1), a polymer obtained by radical polymerization using a hydroxyl group-containing monomer (aZ2), a dehydration condensate of (E2) aliphatic polyhydric alcohol described later, (E4 ) Polysaccharides and derivatives thereof, (E7) novolac rosin, and (E8) polyphenol alcohol.
  • the hydroxyl group-containing monomer (aZ2) may be used alone or as a mixture of two or more.
  • monomers other than (aZ2) among other radical polymerizable unsaturated monomers (aZ) may be copolymerized.
  • a copolymer a random copolymer or a block copolymer may have a misaligned structure.
  • polymer (A2-2-2) examples include a sulfated product of poly ⁇ 2-hydroxyethyl (meth) acrylate ⁇ , a sulfated ester of cellulose, methylcellulose, or ethylcellulose. Can be mentioned.
  • the ratio of sulfuric acid ester is the amount of hydroxyl group (number of moles) of the polymer (A2-2-2-1) having a hydroxyl group and the amount of sulfate group of the resulting polymer (A2-2-2). It can be expressed as a ratio to (number of moles).
  • the amount of hydroxyl group in the polymer having a hydroxyl group (A2-2-2-2-1) can be determined by the method described in the hydroxyl value measurement method of JIS K0070-1992, and the amount of sulfate group is the sulfonation rate. It is required in the same way.
  • the polymer (A2-3-2) obtained by introducing a phosphate group by a polymer reaction includes a phosphate ester of a polymer (A2-2-2-2-1) having a hydroxyl group. .
  • polymer (A2-3-2) examples include phosphoric acid ester of poly ⁇ 2-hydroxyethyl (meth) acrylate ⁇ , cellulose ester of cellulose, methylcellulose or ethyl cellulose. It is done.
  • the degree of phosphoric acid esterification (mol 0 /.) In the polymer (A2-3-2) is determined from the viewpoint of solubility in water, etc. From 30 to: LOO force S is preferable, more preferably 50 to 90.
  • the phosphorus ester ratio (mol%) is determined by the amount of hydroxyl groups (number of moles) of the polymer (A2-2-2-1) having a hydroxyl group and the phosphorus content of the resulting polymer (A2-3-2). It can be expressed as a ratio to the amount of acid groups (in moles).
  • the amount of phosphate groups in the resulting polymer (A2-3-2) can be calculated from the ratio of carbon atoms to phosphorus atoms by elemental analysis.
  • the resulting phosphate ester may be either a monoester or a diester.
  • the molar ratio (dZm) of monoester (m) to diester (d) is 5-50 50-95, more preferably 10-30 / 70-90. is there. This molar ratio can be determined using the 31 P-NMR integral ratio.
  • the polymer (A2-4-2) obtained by introducing a phosphonic acid group by a polymer reaction includes a phosphonic acid derivative of a polymer (A2-1-2-1) having an unsaturated bond.
  • polymer (A2-4-2) examples include polystyrene phosphonic compounds.
  • the phosphonation rate (mol%) in the polymer (A2-4-2) is preferably from 50 to L00 force S, and more preferably from 80 to 99, from the viewpoint of solubility in water.
  • the phosphonation rate is an index indicating how many phosphonic acid groups are introduced per monomer unit in the polymer (A2-4-2). For example, in the case of polystyrene phosphonic acid compounds, the phosphonation rate 100% means that one phosphonic acid group has been introduced for all aromatic rings in polystyrene.
  • the phosphonation rate can be determined by a known method, and a method of measuring the ratio of carbon atom to phosphorus atom by elemental analysis or the like can be applied.
  • the polymer (A2-5-2) obtained by introducing a carboxyl group by a polymer reaction includes a carboxymethyl compound of a polymer having a hydroxyl group (A2-2-2-1).
  • polymer (A2-5-2) examples include carboxymethylated products of poly ⁇ 2-hydroxyethyl (meth) acrylate ⁇ , carboxymethylcellulose, carboxymethylmethylcellulose, carboxymethylethylcellulose, etc. Is mentioned.
  • the carboxymethyl ester ratio (mol%) relative to the total hydroxyl group content in the polymer (A2-5-2) is From the viewpoint of solubility in water, etc., 10-: L00, more preferably 20-70.
  • the carboxymethylation rate (mol%) is a polymer having a hydroxyl group (A2-2-2 — It can be expressed by the ratio of the amount of hydroxyl group (number of moles) in 1) to the amount of carboxyl group (number of moles) in the resulting polymer (A2-5-2).
  • the amount of the carboxyl group is determined in accordance with JIS K0070-1992 acid value measurement method.
  • Polymer (A2-1-2) can be synthesized by hydroxyl group-containing aromatic monomer (aZ2-5), amino group-containing aromatic monomer (aZ4-1-3) or unsaturated aromatic hydrocarbon (aZ5 -3), and other radical polymerizable unsaturated monomer (aZ) if necessary, having an unsaturated bond by the same radical polymerization method as polymers (A2-1-1) to (A2-5-1) After obtaining the polymer (A2-1-12-1), a method obtained by a known sulfonation reaction can be applied.
  • sulfone reaction methods include reaction solvents (for example, 1,2-dichloroethane, methylenedichloride, chloroethyl chloride, carbon tetrachloride, 1,1-dichloroethane, 1,1,2,3-tetrachloroethane, chlorine).
  • Solvents that are inert to sulfonation such as oral form and ethylene dibromide
  • sulfonating agents eg sulfuric anhydride, chlorosulfonic acid, etc.
  • the sulfonated product can be obtained by distilling off.
  • the amount (molar ratio) of the sulfonating agent used at this time is the hydroxyl group-containing aromatic monomer (aZ2-5), the amino group-containing aromatic monomer (aZ4-1-3) and the unsaturated aromatic hydrocarbon (aZ5-3). Based on the number of moles, it is 0.5 to 3 force, more preferably 1 to 2.5.
  • the amount of the solvent used (% by weight) is usually 1 to 30, preferably 2 to 20, based on the starting material polymer, which depends on the molecular weight of the polymer.
  • an aqueous solution of the nitrogen-containing basic compound (B) or (B) or a water-soluble solvent (D) solution described later is added and neutralized, and then water or solvent (D) is filtered if necessary.
  • the surfactant of the present invention may be obtained directly by separation by distillation or the like to obtain a neutralized salt (AB2) (hereinafter referred to as polymer (A2-2-2), polymer (A2-3— 2), polymer (A 2-4- 2) and polymer (A2-5-2) are also used).
  • a polymer having a hydroxyl group (A2-2-2-) As a synthesis method of the polymer (A2-2-2), a polymer having a hydroxyl group (A2-2-2- A method of converting 1) to a sulfate ester by a known sulfuric acid ester reaction is applicable.
  • the sulfuric acid ester reaction include, for example, reaction solvents (for example, aliphatic hydrocarbons such as n-hexane and cyclohexane, aromatic hydrocarbons such as toluene, and reaction solvents exemplified in the sulfone reaction)
  • reaction solvents for example, aliphatic hydrocarbons such as n-hexane and cyclohexane, aromatic hydrocarbons such as toluene, and reaction solvents exemplified in the sulfone reaction
  • known methods using sulfate esterifying agents (VI) to (V4) can be used.
  • Examples include (VI) a method using chlorosulfonic acid, (V2) a method using sulfane, (V3) a method using sulfamic acid, (V4) a method using sulfuric acid, and the like.
  • (V2) sulfane is usually diluted to about 1-30% by volume with dry nitrogen.
  • the reaction temperature is usually 0 to 70 ° C, preferably 10 to 50 ° C.
  • it is usually 50 to 150 ° C, preferably 60 to 130 ° C.
  • the use amount (molar ratio) of these sulfate esterifying agents is preferably 1 to 3, more preferably based on the number of moles of hydroxyl group in the polymer (A2-2-2-2-1) having a hydroxyl group. 1. 5 to 2.5.
  • a polymer having a hydroxyl group (A2-2-2-2-1) is reacted with a known phosphate ester reaction as in the case of the polymer (A2-2-2-2).
  • a method for converting to phosphoric acid ester can be applied.
  • a publicly known method using a phosphoric acid esterifying agent such as phosphorus oxyhalide or pentaphosphoric acid phosphorous
  • a phosphoric acid esterifying agent such as phosphorus oxyhalide or pentaphosphoric acid phosphorous
  • This phosphate ester reaction can be carried out in a nitrogen atmosphere and without solvent.
  • Solvents such as acetonitrile, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), carbon tetrachloride, and chloroform are used. It may be used.
  • the reaction temperature varies depending on the phosphoric acid ester used, it is usually ⁇ 30 to 150 ° C., preferably 20 to 50 ° C.
  • the amount (molar ratio) of the phosphoric ester ester agent used is 0.8 to 1. when the phosphoric acid monoester is the main component based on the number of moles of hydroxyl groups in the polymer (A2-2-1). 5 is more preferable, 0.95-1.1, and when diesterole phosphate is obtained as a main component, 1.7 to 2.5 force S is preferable, and more preferably 1.8 to 2.2. is there.
  • the polymer (A2-1-2-2-1) having an unsaturated bond is known in the same manner as the polymer (A2-1-2).
  • the phosphonation method can be applied.
  • As the phosphonin reaction method a known method can be used. For example, (P1) anhydrous aluminum chloride
  • the amount of phosphonating agent used is the moles of hydroxyl group-containing aromatic monomer (aZ2-5), amino group-containing aromatic monomer (aZ4-1-2) and unsaturated aromatic hydrocarbon (aZ5-3). Based on the number, 0.5 to 3 is preferred, more preferably 1 to 2.5.
  • the polymer (A2-2-2-2-1) having a hydroxyl group can be synthesized by a known carboxymethylation reaction in the same manner as the polymer (A2-2-2-2). Methods such as carboxymethylation can be applied.
  • the reaction temperature is usually 30 to 100 ° C, preferably 40 to 70 ° C.
  • Aryl sulfonic acid toluene sulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid, monobutyl biphenyl sulfonic acid, etc.
  • polycyclic aromatic sulfonic acid naphthalene sulfonic acid, anthracene sulfonic acid, hydroxynaphthalene sulfonic acid, hydroxyanthracene sulfone
  • Alkyl having 1 to 24 carbon atoms
  • phenol sulfonic acid such as talesol sulfonic acid, norphenol sulfonic acid, eicosyl phenol sulfonic acid
  • aromatic amino sulfonic acid such as alpha phosphorus sulfonic acid
  • rig- Sulfonic acid align sulfonate, modified lignin sulfonic acid
  • sulfonic acid group-containing compounds having a triazine ring such as melamine sulfonic acid
  • alkyl (C1-24) aryl sulfonic acid, polycyclic aromatic sulfonic acid, and alkyl (C1-24) substituted polycyclic aromatic sulfonic acid are preferred from the viewpoint of preventing redeposition. More preferred are dodecylbenzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, and dimethylnaphthalenesulfonic acid.
  • alkyl (C1-24) arylphosphonic acid, polycyclic aromatic phosphonic acid, and alkyl (C1-24) substituted polycyclic aromatic phosphonic acid are preferred from the viewpoint of preventing redeposition. More preferred are dodecylbenzenephosphonic acid, naphthalenephosphonic acid, and dimethylnaphthalenephosphonic acid.
  • Aromatic compound having carboxyl group used for synthesizing polymer (A2-5-3)
  • Examples of (aY-5) include aryl carboxylic acid (benzoic acid, hydroxybenzoic acid, isophthalic acid, etc.), polycyclic aromatic carboxylic acid (naphthalene carboxylic acid, naphthalene dicarboxylic acid, 4,5-phenanthrene dicarboxylic acid, Anthracene carboxylic acid, oxynaphthoic acid, etc.).
  • benzoic acid and hydroxybenzoic acid are preferred from the viewpoint of polycondensation.
  • Polymers (A2-1-3), (A2-4-3), and (A2-5-3) have aromatic compounds having sulfonic acid groups (aY-1) and phosphonic acid groups.
  • aromatic compound (aY-4) and the aromatic compound having a carboxyl group (aY-5) other aromatic compounds (aO), urea, and the like can be used as a constituent if necessary.
  • aromatic compounds include benzene, alkylbenzene (alkyl group having 1 to 20 carbon atoms), naphthalene, alkylnaphthalene (alkyl group having 1 to 20 carbon atoms), phenol, cresol, hydroxynaphthalene, Phosphorus etc. are mentioned.
  • polymer (A2-1-3) examples include naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, dimethyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, octyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, Naphthalene sulfonic acid-methyl naphthalene formaldehyde condensate, naphthalene sulfonic acid-octyl naphthalene formaldehyde condensate, hydroxy naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, hydroxy naphthalene sulfonic acid-cresol sulfonic acid-formaldehyde condensate, anthracene sulfonic acid formaldehyde Examples include condensates,
  • polymer (A2-4 3) examples include naphthalene phosphonic acid formaldehyde condensate, methyl naphthalene phosphonic acid formaldehyde condensate, dimethyl naphthalene phosphonic acid formaldehyde condensate, anthracene phosphonic acid formaldehyde condensate, ar phosphorus phosphone.
  • examples include acid-phenol formaldehyde condensates.
  • polymer (A2-5-3) examples include a benzoic acid formaldehyde condensate and a benzoic acid phenol-formaldehyde condensate.
  • the compound (aY-1), (aY-4) or (aY-5) has a nitrogen-containing basic compound (B) in which a part or all of the sulfonic acid group, phosphonic acid group or carboxyl group is previously formed.
  • a neutralized salt (AB2) may be directly obtained by synthesizing the polymer (A2-1-3), (A2-4-3) or (A2-5-3) using the neutralized product.
  • (aO) ⁇ is 1 to 99 99 to 1 child, more preferably 10 to 90/90 to 10 and especially preferably 30 to 85/70 to 15
  • the most preferred range is 50-80 ⁇ 50-20.
  • the molar ratio of (aY-1), (aY-4) or (aY-5) to urea ( ⁇ aY-1), (aY-4) or (aY-5) Z Urea ⁇ is preferably from 1 to 9999-1, more preferably from 10 to 90Z90 to 10, particularly preferably from 30 to 85 to 70, and most preferably from 50 to 80,50 to 20.
  • (aY-l), (aY-4), (aY-5) or (aO) should be used as a mixture of two or more.
  • the pKa of the polymer (A2) is preferably 8.0 or less, more preferably 7.0 or less, particularly preferably 5.5 or less, and most preferably 3.0 or less, from the viewpoint that the zeta potential is preferably 8.0 or less.
  • the pKa can be determined by the method described above.
  • the weight average molecular weight (hereinafter abbreviated as Mw) of the polymer (A2) has an anti-redeposition property and a low-foam'14 view; isometric force, 300-800,000 force S, more preferably ⁇ . It is 600 to 400,000, particularly preferably 1,000 to 80,000, and most preferably 2,000 to 40,000.
  • the weight average molecular weight is a value measured at 40 ° C. using polyethylene oxide as a standard substance by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC).
  • GPC gel permeation chromatography
  • instrument body HLC-8120 manufactured by Tosoh Corporation
  • column TSKgel G500 0 PWXL, G3000 PW XL, manufactured by Tosoh Corporation
  • detector differential refractometer detector built in the apparatus body, eluent: 0.2M anhydrous Sodium sulfate, 10% acetonitrile solution, eluent flow rate: 0.8 mlZ min
  • injection volume 100 1, standard substance: Tosoh Corporation Made of TSK SE-30, SE-15, SE-8, SE-5.
  • a nitrogen-containing basic compound (B) having a change in heat of formation (Q2) in the proton addition reaction of 10 to 152 kcal Zmol is used.
  • the change in heat of formation (Q2) in the proton addition reaction means the heat of formation of B and the biomaturation of H + B in the proton addition reaction of the nitrogen-containing basic compound (B) represented by the following formula (5). Means the difference.
  • Q2 is represented by the following formula (7).
  • ⁇ H ° and ⁇ H ° are the values of H + B and B in vacuum, respectively.
  • the position where H + is added when calculating the heat of formation of H + B is on the nitrogen atom contained in the compound. If there are multiple nitrogen atoms, the heat of formation is calculated for each nitrogen atom, and the value when the difference between the heat of formation of B and the heat of formation of H + B is minimized is calculated as the change in heat generation (Q 2). To do.
  • the heat of formation (Q2) (kcal / moU 25 ° C) in the proton addition reaction of the compound (B) is 10 to 152, preferably 30 to 148 from the viewpoint of lowering the zeta potential, etc. More preferably, it is 40 to 145, more preferably 50 to 143, particularly preferably 90 to 140, and most preferably 100 to 138.
  • the nitrogen-containing basic compound ( ⁇ ) is not limited as long as it is within the range of the heat of formation (Q2) force SlO to 152 kcalZmol in the proton addition reaction.
  • at least one nitrogen-containing basic compound ( ⁇ ) is present in the molecule.
  • a compound having a guanidine skeleton (B-1), a compound having at least one amidine skeleton in the molecule (B-2), a compound having at least one N P-N skeleton in the molecule (B-3), This includes proton sponge derivatives (B-4).
  • the molecular volume (nm 3 ) of the compound (B) is preferably from the viewpoint of lowering the zeta potential that 0.025-0.7 is preferred, more preferably 0.050-0. Preferably it is 0.12-0.36.
  • the molecular volume refers to the volume of the space formed on the isoelectronic density surface of the molecule, which is the molecular force field method MM2 (Allinger, NL, J. Am. Chem. Soc., 99, 8127 (1977)) and Optimized structural force calculated using the semi-empirical molecular orbital method PM3 (Stewart, JJP, J. Am. Chem. Soc., 10, 221 (1989)) can also be obtained.
  • PM3 geomety which is a semi-empirical molecular orbital method on “Project Leader”. it can.
  • the maximum value is used when multiple molecular volume values are obtained as a result of the calculation.
  • R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 24 carbon atoms, or an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms.
  • Two R 7 and two R 8 may be the same or different, and may be bonded to each other (carbon-carbon bond, ether bond, etc.) to form a ring having 4 to 12 carbon atoms.
  • Moyo. m and n each independently represents an integer of 1 to 12.
  • the alkyl group having 1 to 24 carbon atoms or the alkenyl group having 2 to 24 carbon atoms is one having 1 to 24 carbon atoms among the alkyl groups or alkenyl groups exemplified for the hydrophobic group (Y). Is mentioned.
  • the alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms may be linear or branched, 1-probule, 2-probule, 1- or 2-dodecyl, 1- or 2-tridecyl- 1, 1 or 2 -tetradecyl, 1 1 or 2 -hexadecyl, 1 1 or 2 -stearyl, 1 1 or 2 -nonadecynyl, 1 1 or 2 -eicosinyl, 1 1 or 2 -tetracosyl- Le.
  • Examples of the aryl group having 6 to 30 carbon atoms include phenol, tolyl, xylyl, naphthyl and methyl naphthyl.
  • aryl group having 7 to 30 carbon atoms examples include benzyl, 2 phenol, 3 phenol propenole, 4 -phenol butylinole, 5 -phenol olepentinole, 6 -phenol hexenole, and 7 phenol heptyl. 8 phenyloctyl, 10 vinyldecyl, 12 vinyl dodecyl, naphthylmethyl, naphthylethyl and the like.
  • two R 7 or two R 8 are divalent organic groups (having 4 to 12 alkylene groups, etc.).
  • alkylene group having 4 to 12 carbon atoms include butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, decylene and dodecylene, and these alkylene groups may be bonded by an ether bond or the like.
  • Specific examples of the compound represented by the general formula (15) include 1, 8 diazabicyclo [5. 4. 0] undecene 7 (hereinafter abbreviated as DBU.
  • DBU is a registered trademark of Sanpro Corporation.
  • Examples of the compound (B-3) include phosphazene compounds represented by the following general formula (16).
  • R 9 and R 1G each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 24 carbon atoms, an aryl group having 6 to 24 carbon atoms, and Represents an aryl alkyl group having 7 to 24 carbon atoms.
  • the hydrogen atom in R 9 and R 1G may be further replaced by a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, or a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom).
  • a plurality of R 1G may be the same or different, and adjacent ones may be bonded to each other (carbon-carbon bond, ether bond, etc.) to form a ring having 4 to 12 carbon atoms.
  • . k represents an integer of 1 to 4.
  • the alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, the alkenyl group having 2 to 24 carbon atoms, the aryl group having 6 to 24 carbon atoms, and the aryl alkyl group having 7 to 24 carbon atoms are Examples thereof are the same as those for R 1 and R 8 described above.
  • R 1G When adjacent R 1G forms a ring, the two R 1Gs form a divalent organic group in the same manner as R 7 and R 8 described above.
  • Compound may be used alone or as a mixture of two or more.
  • the pKa of the compound (B) is more preferably 11.5 to 30 and particularly preferably 12 to 25 from the viewpoint of reducing the zeta potential by 11 to 40 forces.
  • the pKa of the compound (B) can be obtained by a known method ⁇ for example, Can. J. Chem. 65, 626 (1987) ⁇ .
  • the neutralized salt (AB1) of the acidic compound (A1) and the compound (B) and the neutralized salt (AB2) of the polymer (A2) and the compound (B) are acid groups.
  • (XI) or (X2) should be partially or completely neutralized with (B)! / ⁇ .
  • Alkylnaphthalene sulfonate (methyl naphthalene sulfonic acid guanidine salt, methyl naphthalene sulfonic acid DBU salt, methyl naphthalene sulfonic acid DBN salt, dodecylnaphthalene sulfonic acid guanidine salt, dodecylnaphthalene sulfonic acid DBU salt, dodecylnaphthalene sulphonic acid DBN Salt)
  • Polyoxyalkylene alkyl ether sulfonates (polyoxyethylene lauryl monotersulfonic acid guanidine salt, polyoxyethylene lauryl ether sulfonic acid DB U salt, polyoxyethylene lauryl ether sulfonic acid DBN salt, etc.),
  • Polyoxyalkylene alkylaryl ether sulfonate (polyoxyethylene octyl ether sulfonate guanidine salt, polyoxyethylene octyl ether sulfonate DBU salt, polyoxyethylene octyl ether sulfonate DBN Salt)
  • Alkyrylaminoethyl sulfonic acid (Lauriloyl-N-methylaminoethyl sulfonic acid guanidine salt, Lauri Roy roux N-methylaminoethyl sulfonic acid DBU salt, Lauriro leu roux N-methylaminoethyl sulfonic acid DBN salt, etc.).
  • neutralized salt (AB2) examples include the following compounds.
  • Polystyrene sulfonate (polystyrene sulfonate guanidine salt, polystyrene sulfonate DBU salt, polystyrene sulphonic acid DBN salt, etc.),
  • Naphthalenesulfonate formaldehyde condensate salt (formal naphthalenesulfonate) Dehydride condensate guanidine salt, naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBU salt, naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBN salt, naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate TBD salt, naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate MTBD salt, etc.
  • alkyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate (methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate guanidine salt, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBU salt, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBN salt, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate TBD salt, methyl naphthalene sulfonate formaldehyde condensate MTBD salt, octyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate guanidine salt, octyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DB U salt, octyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate
  • Naphthalenesulfonic acid-alkylnaphthalene formaldehyde condensate salt naphthalenesulfonic acid octylnaphthalene formaldehyde condensate guanidine salt, naphthalenesulfonic acid octylnaphthalene formaldehyde condensate DBU salt, naphthalenesulfonic acid-octylnaphthalene formaldehyde condensate DBN salt, naphthalene sulfonate octyl naphthalene formaldehyde condensate TBD salt, naphthalene sulfonate octyl naphthalene formaldehyde condensate MTBD salt),
  • Hydroxynaphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate salt hydroxy naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate guanidine salt, hydroxy naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBU salt, hydroxy naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate DBN salt, hydroxy naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate TBD salt, hydroxy naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate MTBD salt, etc.
  • Hydroxynaphthalenesulfonic acid monocresolsulfonic acid monoformaldehyde condensate salt hydroxynaphthalenesulfonic acid cresololsulfonic acid formaldehyde condensate guanidine salt, hydroxynaphthalenesulfonic acid monocresolsulfonic acid monoformaldehyde condensate DBU salt, hydroxy Naphthalenesulfonic acid-cresol sulfonic acid- Formaldehyde condensate DBN salt, hydroxy naphthalene sulfonic acid monocresol sulfonic acid-formaldehyde condensate TBD salt, hydroxy naphthalene sulfonic acid-talesol sulfonic acid-formaldehyde condensate MTBD salt, etc.
  • Melamine sulfonic acid formaldehyde condensate salt (melamine sulfonic acid formaldehyde condensate guanidine salt, melamine sulfonic acid formaldehyde condensate DBU salt, melamine sulfonic acid formaldehyde condensate DBN salt, melamine sulfonic acid formaldehyde condensate TBD salt, melamine sulfonic acid Formaldehyde condensate such as MTBD salt).
  • (AB1) and (AB2) may be used alone or as a mixture of two or more.
  • Neutralized salt (AB1) is the ratio of (Q1) to (Q2) ⁇ Q2Z from the viewpoint of reducing zeta potential, etc.
  • (Ql X n) ⁇ satisfies the formula (9), more preferably the formula (10), particularly preferably the formula (11), and most preferably the formula (12).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the neutralized salt (AB2) is from 1,000 to 1,000,000 force S preferred, more preferred from the viewpoint of anti-redeposition and low foaming properties. ⁇ to 2,000-500,000, especially preferred ⁇ is 5,000 to wind 000, most preferred ⁇ is 5,000 to 20,000.
  • the Mw of the neutral salt ( ⁇ 2) is a value obtained by GPC as in the case of the polymer (A2).
  • the surfactant of the present invention may contain at least one of the neutralized salts (AB1) and (AB2), but preferably contains the neutralized salt (AB2) from the viewpoint of foaming.
  • the neutralized salt (AB1) or (AB2) can be obtained by a neutralization reaction between the acidic compound (A1) or the polymer (A2) and the nitrogen-containing basic compound (B). it can.
  • a neutralization reaction between the acidic compound (A1) or the polymer (A2) and the nitrogen-containing basic compound (B).
  • it can.
  • prepare an aqueous solution of (A1) and Z or (A2) in a reaction vessel capable of temperature control and stirring and add (B) (aqueous solution if necessary) at room temperature (about 25 ° C) while stirring. It can be obtained by mixing, or by mixing (A1) and Z or (A2) and (B) simultaneously or separately into a reaction vessel charged with water in advance and mixing them uniformly.
  • the concentration during the neutralization reaction can be appropriately selected according to the purpose.
  • the surfactant of the present invention has a high degree of dissociation of the acid groups (XI) and (X2), so it can effectively reduce the zeta potential of particles and substrates, and cannot be achieved with conventional cleaning agents. It is possible to prevent the reattachment of the particles.
  • the zeta potential on the surface of the particles that are to be removed differs depending on the conditions (temperature, pH, etc.) during cleaning, and thus needs to be adjusted as appropriate. From the viewpoint of preventing reattachment of particles, it is preferably ⁇ 80 mV or less, more preferably 1 ⁇ 90 mV or less, particularly preferably 1 lOOmV or less, and most preferably ⁇ 105 mV or less. Within this range, particle reattachment is less likely to occur, and more satisfactory performance can be obtained.
  • the product of the surfactant of the present invention can be used in any known shape such as powder or liquid (solution, emulsion, suspension).
  • the viewpoint power of handling at the time of use is preferably a liquid, and more preferably a solution.
  • water-soluble organic solvents (D) and Z or water can be used as the solvent for making these solutions.
  • the above water-soluble organic solvent (D) has a solubility in water (gZlOOgH 2 O) at 20 ° C.
  • sulfoxide ⁇ dimethyl sulfoxide, sulfolane, butyl sulfone, 3-methyl sulfolane, 2,4 dimethyl sulfolane, etc. ⁇
  • sulfone ⁇ dimethyl sulfone, jetyl sulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, etc. ⁇
  • Ratatam ⁇ N-methyl 2-pyrrolidone, N-ethyl 2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl 1 2 —Pyrrolidone, etc. ⁇
  • Lataton ⁇ -propiolatatone, ⁇ -Buchiguchi ratataton, y-Buchiguchi ratataton, y-valerolatatone,
  • Examples of water include tap water, industrial water, ground water, distilled water, ion exchange water, and ultrapure water. Of these, ion exchange water and ultrapure water are preferred.
  • the blending amount (% by weight) of (D) is preferably 10 to 90, more preferably based on the weight of the surfactant of the present invention. 20 to 70, particularly preferably 30 to 50.
  • the amount (% by weight) of water is preferably 10 to 90 based on the weight of the surfactant of the present invention, more preferably 30 to 80, and particularly preferably 40 to 70. It is.
  • the concentration of the salts (AB1) and (AB2) in the surfactant of the present invention is preferably about 10 to 50% by weight.
  • the surfactant of the present invention can exhibit a surface active function (surface tension lowering ability, emulsifying power, low foamability, solubilizing power, dispersing power, detergency, etc.). it can.
  • a surface active function surface tension lowering ability, emulsifying power, low foamability, solubilizing power, dispersing power, detergency, etc.
  • the cleaning agent of the present invention preferably contains an alkali component (C) in addition to the surfactant of the present invention, from the viewpoint of detergency against particles or oil stains.
  • Alkali component (C) includes (C1) organic alkali represented by general formula (17), (C2) metal hydroxide, (C3) carbonate, (C4) phosphate, (C5) cate salt , (C6) Ammonia, (C7) Al Cananolamine and mixtures of (CI) to (C7) are included.
  • R 2 , R 3 and R 4 are each a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms or a group represented by — (R 5 O) —H, R 5 is an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, p Is an integer between 1 and 6
  • hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms examples include an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a alkenyl group having 2 to 24 carbon atoms, an aryl group having 6 to 24 carbon atoms, and an aryl alkyl having 7 to 24 carbon atoms.
  • alkylene group having 2 to 4 carbon atoms examples include ethylene, propylene, butylene and the like. Among these, ethylene and propylene are preferable from the viewpoint of detergency.
  • p is preferably 1 to 3.
  • organic alkali (C1) represented by the general formula (17) include the following salts (1) to (5) composed of thione and hydroxide aon.
  • a cation having one oxyalkylene group [hydroxyethyltrimethylammonium, hydroxyethyltriethylammonium, hydroxypropyltrimethylammonium, hydroxypropyltriethylammonium, hydroxye Tildimethylethyl ammonium and hydroxyethyldimethyloctyl ammonium];
  • Examples of the metal hydroxide (C2) include alkali metal hydroxides (lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc.), alkaline earth metal hydroxides (calcium hydroxide, hydroxide ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Magnesium, barium hydroxide, etc.).
  • Examples of the carbonate (C3) include alkali metal salts (such as sodium carbonate and potassium carbonate) and alkaline earth metal salts (such as calcium carbonate, magnesium carbonate and barium carbonate).
  • Phosphate (C4) includes alkali metal salts (sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, sodium tripolyphosphate, potassium tripolyphosphate, etc.), alkaline earth metal salts (calcium pyrophosphate, magnesium pyrophosphate, Barium pyrophosphate, calcium tripolyphosphate, magnesium tripolyphosphate, barium tripolyphosphate, etc.).
  • Examples of the key salt (C5) include alkali metal salts (such as sodium silicate and potassium silicate), alkaline earth metal salts (such as calcium silicate, magnesium silicate, and barium silicate). .
  • Alkanolamine (C7) includes monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methyljetanolamine, N, N-dimethylethanolamine, and EO adducts of ethendyleneamine (addition) Mole number 1-7) etc. are mentioned.
  • the organic alkali (C 1) and metal oxide (C2) represented by the general formula (17) are preferably washed after being washed with alkali metals or alkaline earths. More preferably (C1), from the viewpoint of detergency and rinsing properties, (1) tetraalkylammonium cation, (2) alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, because there is no fear of remaining metal.
  • Ammonium cation consisting of three hydrocarbon groups and one hydrocarbon group with 7 to 24 carbon atoms, (3) Ammonium cation with two alkyl groups with 1 to 6 carbon atoms and two hydrocarbon groups with 7 to 24 carbon atoms -Ammonium cation and (4) an ammonium cation comprising 1 alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and 3 hydrocarbon groups having 7 to 24 carbon atoms, more preferably (1) and (2), particularly preferably (1)
  • the most preferable is tetramethyl ammonium cation or tetraethyl ammonium Suck a Hyde port oxide ⁇ anion salts and their combination thione.
  • the content (% by weight) of (C) is preferably 0.1 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention from the viewpoint of detergency. More preferably, it is 0.3 to 8, particularly preferably 0.5 to 5.
  • the product shape of the cleaning agent of the present invention can be any shape, similar to the product shape of the surfactant of the present invention.
  • handling power at the time of use Is particularly preferably in the form of a solution.
  • the cleaning agent of the present invention may contain the above-mentioned water-soluble organic solvent (D) and Z or water as necessary.
  • glycol and darlicol ether are preferred from the viewpoint of detergency, and ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol and propylene glycol are more preferred.
  • the blending amount (% by weight) of (D) is preferably 10 to 90, more preferably 30 to 80, based on the weight of the cleaning agent of the present invention. Particularly preferred is 40-70.
  • the blending amount of water is preferably 10 to 90 force S, more preferably 20 to 85, and particularly preferably 30 to 80, based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • neutralized salt (AB1) or (AB2) is an acidic compound (A1) and compound (B) or polymer (A2) in water. Dissociates with compound (B) and exists as an ion.
  • the concentration of the salt (AB1) and Z or (AB2) in the cleaning agent can be appropriately adjusted according to the purpose, but is preferably about 0.01 to 20% by weight.
  • the weight ratio of (D) and water contained in the cleaning agent ⁇ (0) 7 water ⁇ From 20 Z80 to 9 OZlO, more preferably 30 to 70 to 80, particularly preferably 40 to 70 to 30.
  • the cleaning agent of the present invention has a polyhydric alcohol having 3 to 2,000 valences (for example, from the viewpoint of preventing metal corrosion when cleaning electronic parts coated with metal (such as aluminum wiring)). Please add ⁇ ).
  • Polyhydric alcohols ( ⁇ ) include (E1) aliphatic polyhydric alcohols (glycerin, trimethylolethane, trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.), ( ⁇ 2) (E1) dehydration condensates (diglycerin, triglycerin, tetra ( ⁇ 3) Sugar [( ⁇ 3 —1) Monosaccharide ⁇ Pentose (arabinose, xylose, ribose, xylulose, ribulose, etc.), hexose (glucose, mannose, galactose, fructose, sonolevose, Tagatose, etc.), heptose (sedoheptulose, etc.) ⁇ , (E3-2) disaccharide ⁇ trejasose, saccharose, maltose, cellobiose, gentiobiose, ratatoose, etc. ⁇ , (E3
  • polyhydric alcohols (E), (El), (E2), (E3) and (E5) are preferred because of their high effect of preventing metal corrosion, and more preferred are glycerin and saccharose. And sorbitol.
  • the blending amount (% by weight) of (E) is preferably 1 to 20 based on the weight of the cleaning agent of the present invention, more preferably 2 to 10 Particularly preferred is 3-7.
  • the blending amount (% by weight) of (C) with respect to the total weight of (C) and water is preferably 0.1 to 50, more preferably 0.5 to 40, from the viewpoint of detergency. Particularly preferred is 1 to 35. Further, the blending amount (% by weight) of (E) with respect to the total weight of (C) and (E) is preferably 10 to 90, more preferably 20 to 80, particularly from the viewpoint of preventing metal corrosion. Preferably it is 30-75.
  • the cleaning agent of the present invention contains at least one surfactant of the present invention, and does not affect the effects of the present invention, and is well known in the range, and Z or the surfactant of the present invention. Use other surfactants in combination.
  • dispersing agents include the ammonium salt, alkylamine salt (dimethylamine, jetylamine, triethylamine, etc.) and alkylol amine salt (triethanolamine salt, etc.) of the above exemplified polymer (A2).
  • Polysaccharides such as hydroxyethyl cellulose, strength thio-senololose, hydroxymethinoresenellose, hydroxypropinoresenellose, guar gum, cationized guar gum, xanthan gum, alginate, cationized dampening, etc.), poval, condensed phosphate (Metaphosphoric acid, pyrophosphoric acid, etc.) and phosphoric acid esters ⁇ phytic acid, di (polyoxyethylene) alkyl ether phosphoric acid, tri (polyoxyethylene) alkyl ether phosphoric acid, etc. ⁇ and mixtures thereof.
  • the blending amount (% by weight) of these dispersants is preferably from 0.0001 to 10000 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • surfactant other than the surfactant of the present invention any of nonionic, anionic, cationic, amphoteric, and a mixture thereof may be used. Surfactant.
  • Nonionic surfactants include ether types such as alkyl ether type, alkyl aryl ether type and alkyl thio ether type; ester types such as alkyl ester type and sorbitan alkyl ester type; amines such as polyoxyalkylene alkylamine Condensation type with amides such as polyoxyalkylene alkylamides; Pull-neck or tetronic type with polyoxyethylene and polyoxypropylene random or block condensation; Polyethyleneimine surfactants .
  • cation surfactant examples include sulfonic acid surfactants, sulfate ester surfactants, phosphate ester surfactants, fatty acid surfactants, polycarboxylic acid type surfactants, and the like.
  • cationic surfactants examples include amine surfactants and quaternary ammonium salt type surfactants.
  • amphoteric surfactants examples include amino acid type; betaine type surfactants. When these surfactants are used, the blending amount (% by weight) of these surfactants is preferably 0.0001 to 10 force based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • antioxidants include phenolic antioxidants ⁇ 2, 6 di-t-butylphenol, 2-t-butyl-4-methoxyphenol, 2,4-dimethyl-6t-butylphenol, etc. ⁇ ; Antioxidants ⁇ Monoalkyl diphenylamines such as mono-octyl diphenylamine, mono-nordiphenylamine; Dialkyldiphenyls such as 4, 4 'dibutyldiphenylamine, 4, 4' dipentyldiphenylamine Polyamines such as tetrabutyldiphenylamine, tetrahexyldiphenylamine; a naphthylamine, ferro-a naphthylamine such as naphthylamine ⁇ ; sulfur compounds ⁇ phenothiazine, pentaerythritol-tetrakis- (3 —Laurylthiop oral pionate), bis (3,5-tert-butyl 4-hydride
  • antioxidants may be used alone or in combination of two or more.
  • their blending amount is preferably from 0.001 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • chelating agents include aminopolycarboxylates ⁇ ethylenediaminetetraacetate (EDTA), hydroxyethylethylenediamin triacetate (HEDTA), dihydroxyethyleneethyleneamine tetraacetate (DHEDDA), utriloic acid acetate (NTA), hydroxyethyliminodiacetic acid salt (HIDA), ⁇ -alanine diacetate, aspartate diacetate, methylglycine diacetate, iminodisuccinate, serine diacetate, hydroxyiminodisuccinate Acid salt, dihydroxyethyl daricine salt, aspartate, glutamate, etc. ⁇ ; Hydroxycarboxylate (hydroxyacetate, tartrate, kenate, dalconate, etc.); Cyclocarboxylate (pyromellite, Benzopolycarboxylate, cyclopentanetetracar Ether carboxylates (carboxymethyl tartronate, carboxymethyloxysucc
  • salts examples include alkali metal (lithium, sodium, potassium, etc.) salts, ammonium salts, alkanolamine (monoethanolamine, triethanolamine, etc.) salts, and the like.
  • these may be used alone or in combination of two or more.
  • their blending amount (% by weight) is preferably 0.0001 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • the antifungal agent include benzotriazole, tolyltriazole, benzotriazole having 2 to 10 carbon atoms, benzimidazole, imidazole having 2 to 20 carbon atoms, carbon number Nitrogen-containing organic antifungal agents such as thiazoles having 2 to 20 hydrocarbon groups, 2-mercaptobenzothiazole; alkyls or alkyls such as dodece-lucuccinic acid half ester, octadece-succinic anhydride, dodece-succinic acid amide -Lusuccinic acid; partial esters of polyhydric alcohols such as sorbitan monooleate, glycerin monooleate, pentaerythritol monooleate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount is preferably 0.01 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • the pH adjuster include mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid and nitric acid, alkanolamines such as monoethanolamine and triethanolamine, and water-soluble amines such as ammonia. Those substantially free of impurities are preferred. You can use one or a combination of two or more of these.
  • their blending amount is preferably from 0.001 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • an organic or inorganic acid having a buffering action and Z or a salt thereof can be used.
  • organic acids include acetic acid, formic acid, darconic acid, glycolic acid, tartaric acid, fumaric acid, levulinic acid, valeric acid, maleic acid, and mandelic acid.
  • inorganic acids include phosphoric acid and boric acid.
  • salts of these acids include alminol amine salts such as ammonium salt and triethanolamine salt. These may be used alone or in combination of two or more.
  • their blending amount (% by weight) is preferably 0.1 to 10 based on the weight of the cleaning agent of the present invention.
  • antifoaming agent examples include silicone antifoaming agents ⁇ antifoaming agents containing dimethyl silicone, fluorosilicone, polyether silicone, etc. ⁇ .
  • their blending amount is preferably 0.0001 to 1 based on the weight of the cleaning agent of the present invention! /.
  • Examples of the reducing agent include sulfites (for example, sodium sulfite and ammonium sulfite), thiosulfates (for example, sodium thiosulfate and ammonium thiosulfate), aldehydes (for example, formaldehyde).
  • sulfites for example, sodium sulfite and ammonium sulfite
  • thiosulfates for example, sodium thiosulfate and ammonium thiosulfate
  • aldehydes for example, formaldehyde
  • phosphorus reducing agents eg, tris-2-carboxetylphosphine
  • other organic reducing agents eg, formic acid, oxalic acid, succinic acid, lactic acid, malic acid, butyric acid
  • Pyruvic acid citrate, 1,4-naphthoquinone-2-sulfonic acid, ascorbic acid, isoscorbic acid, and the like
  • the surface tension (25 ° C) (dyn / cm) of the cleaning agent of the present invention is preferably 10 to 65, more preferably 12 to 50, and particularly preferably 15 to 40.
  • the surface tension can be measured according to JIS K3362: 1998 Annular Method: Corresponding ISO 304.
  • the total content of alkali metals in the cleaning agent of the present invention (lithium, sodium, potassium) or alkaline earth metals (magnesium, calcium, strontium, Roh helium) (wt 0/0), the washing ⁇ On the basis of the weight, it is preferably 0.0001 to 0.11 force, more preferably ⁇ 0.000 to 0001 to 0.01, particularly preferably 0.0001 to 0.001.
  • the washing agent of the present invention is most preferably one containing no alkali metal or alkaline earth metal, but the above range is preferred because it is easy to produce.
  • ICP mass spectrometry As a method for measuring alkali metal and alkaline earth metal, known methods such as atomic absorption, ICP, and ICP mass spectrometry can be used. From the viewpoint of analysis accuracy, ICP mass spectrometry is preferred.
  • the use of the cleaning agent of the present invention is not particularly limited. Particularly, cleaning of various electronic materials and electronic components, for example, semiconductor elements, silicon wafers, color filters, electronic device substrates (liquid crystal panels) , Plasma, organic EL, etc., flat panel display, optical (magnetic disk, CCD), optical lens, printed wiring board, optical communication cable, LED, etc. It can be particularly suitably used as an agent. Especially, it is preferable to use for manufacture of the board
  • the cleaning object (dirt) of the cleaning agent of the present invention includes organic substances such as oil, fingerprints, grease, organic particles, and inorganic substances such as inorganic particles (glass powder, abrasive grains, ceramic powder, metal powder, etc.). Can be mentioned.
  • Electronic materials and electronic parts using the cleaning agent of the present invention include ultrasonic cleaning, shower cleaning, spray cleaning, brush cleaning, immersion cleaning, immersion rocking cleaning, single wafer cleaning, and single wafer cleaning.
  • a cleaning method using a combination of these can be applied.
  • the cleaning effect can be further exerted by combining with an ultrasonic cleaning method.
  • the detergent of the present invention may be further diluted with water if necessary.
  • the water used at this time is a power that can use the same water as exemplified above, preferably ion-exchanged water. , Ultrapure water.
  • the cleaning agent of the present invention when used in a cleaning process for electronic materials or electronic parts, it is diluted with ion-exchanged water or ultrapure water so that the concentration of the surfactant of the present invention is 1 to 500 ppm. U, preferred to use.
  • the pH when the detergent of the present invention is diluted with a stock solution or water is used as the neutralization rate when neutralizing the acidic compound (A1) and Z or polymer (A2) with the compound (B).
  • a force of 1 to 12 is preferred, 2 to 11 is more preferred, and 4 to 8 is particularly preferred.
  • the surfactant of the present invention has an excellent zeta potential lowering ability even in the neutral region, it exhibits a particularly excellent effect even in applications such as electronic parts where there is a concern about metal corrosion and washing under neutral conditions. be able to.
  • the surfactant of the present invention can effectively lower the zeta potential on the particle surface, it effectively prevents the reattachment of particle particles to the substrate during the cleaning process, which was a conventional problem. be able to.
  • an alkali metal is not substantially contained, it is possible to improve the reliability and yield of a device in which the alkali metal does not remain on the substrate surface after cleaning.
  • a cation-exchange resin “Amber” is placed on a 3 cm diameter, 50 cm long chromatograph tube.
  • polystyrenesulfonic acid sodium salt “POLYTI PS-1900” (manufactured by Lion Corporation) was used, and 100 parts of 9% aqueous polystyrenesulfonic acid solution was obtained in the same manner as in Example 1. It was. In a reaction vessel equipped with a stirrer and capable of temperature adjustment, charge 100 parts of a 9% aqueous solution of polystyrene sulfonic acid, and then stir 7.4 parts of DBU for 10 minutes at 25 ° C to stir the polystyrene sulfonic acid DBU salt.
  • a reaction vessel with stirring was charged with 21 parts of naphthalenesulfonic acid and 10 parts of ultrapure water, and 8 parts of 37% formaldehyde was added dropwise at 80 ° C. over 3 hours. After completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 105 ° C and reacted for 25 hours, then cooled to room temperature (about 25 ° C) and DBU was gradually added while adjusting to 25 ° C in a water bath to adjust to pH 6.5. (Used about 15 copies of DBU). Ultrapure water was added to adjust the solid content to 40% to obtain 100 parts of a surfactant of the present invention consisting of an aqueous salt (S4) solution. The weight average molecular weight of (S4) was 5,000.
  • the surfactant of the present invention comprising an aqueous solution of a salt (S6) adjusted to a solid content of 40% in the same manner as in Example 5 except that DBN (manufactured by SanPro Corporation) is used instead of DBU. Obtained 100 parts. The weight average molecular weight of (S6) was 5000.
  • the surfactant of the present invention consisting of an aqueous solution of a salt (S7) adjusted to a solid content of 40% in the same manner as in Example 5 except that TBD (manufactured by Aldrich) was used instead of DBU. Got the department.
  • the weight average molecular weight of (S7) was 5000.
  • the surfactant of the present invention consisting of an aqueous solution of a salt (S8) adjusted to a solid content of 40% in the same manner as in Example 5 except that MTBD (manufactured by Aldrich) is used instead of DBU. Got.
  • the weight average molecular weight of (S8) was 5000.
  • the surfactant of the present invention consisting of an aqueous solution of a salt (S 10) having a solid content adjusted to 40% was added in the same manner as in Example 6 except that guanidine carbonate was used. Obtained.
  • the weight average molecular weight of (S10) was 40000.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a 9% aqueous solution of naphthalene sulfonic acid formalin condensate was obtained. After charging 100 parts of a 9% aqueous solution of naphthalene sulfonic acid formalin condensate into a reaction vessel that can be temperature controlled and attached to a stirring device, Aqueous ammonia (10%) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 6.
  • the concentrations of the salts (S1) to (S13) and (T1) to ( ⁇ 6) contained in the respective surfactants are shown in Table 1.
  • the cleaning solution of the present invention was prepared by diluting with ultrapure water (water having a specific resistance of 18 M ⁇ or more obtained by Organo Corporation rpURIC MX2J) so as to have the concentration shown in FIG. It is shown in Table 1. The same test was conducted for only ultrapure water (Comparative Example 8).
  • the zeta potential of the particles was measured with an electrophoretic light scattering photometer (ELS-800, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). The speed at which particles with surface charge move was measured by electrophoresis, and the zeta potential was calculated by the smoluchowski method from the moving speed.
  • O ⁇ m port styrene latex Duke Scientific Corporation, Inc., Catalog No. 420 2, 0. 5 weight 0/0, CV 1. 1%
  • 40 mL of the diluted dispersion of polystyrene latex and 10 mL of the cleaning agent shown in Table 1 were uniformly mixed to obtain a mixture (50 mL).
  • a 4-inch silicon wafer is immersed in a 1-liter beaker containing 1 liter of 0.5% HF aqueous solution at 25 ° C for 10 minutes to remove the natural acid film, and 1 liter of ultrapure water is contained in 1 liter. No bi Rinse at 25 ° C for 1 minute at a time.
  • the cleaned silicon wafer was immersed in these mixed solutions at 25 ° C. for 10 minutes. After that, after being immersed in a 1 liter beaker containing 1 liter of ultrapure water for 1 minute, taken out, air-dried, and attached to the silicon wafer surface using a laser surface inspection device (WM-2500, manufactured by Topcon Corporation). The number of particles was measured.
  • WM-2500 manufactured by Topcon Corporation
  • the detergents shown in Table 1 were measured at 25 ° C using the Ross & Miles method (Japanese Industrial Standards JIS K3362: 1998, 8.5 Bubble force and foam stability; corresponding ISO 696). Height (mm) was measured.
  • the surface tension (dynZcm) of the detergent shown in Table 1 was measured at 25 ° C by the ring method (Japanese Industrial Standard JIS K3362: 1998, 8.4.2 Ring method; corresponding ISO 304).
  • the contact angle of water indicating the removal of oil stains on the substrate surface after cleaning was measured by the following method.
  • the substrate taken out was dried with nitrogen blow to remove moisture adhering to the substrate surface (room temperature, about 30 seconds).
  • the contact angle to water after 1 second was measured for the dried substrate using a fully automatic contact angle meter (PD-W, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.).
  • the measurement was performed in the same manner as above except that the cleaning agent was changed to ultrapure water (Comparative Example 8).
  • the contact angle on the glass substrate surface before cleaning was 75 °.
  • the cleaning agent using the surfactant of the present invention can effectively reduce the zeta potential of particles, and as a result, the number of adhered particles per wafer is reduced. I was able to. This proved to be effective in preventing reattachment of particles to the silicon wafer during cleaning.
  • the surfactant of the present invention which is particularly neutral salt (AB2), is very excellent in low-foaming properties, and troubles caused by foaming that cause problems during washing. It was also amazing that there was an effect that there was no.
  • the cleaning agent of the present invention has the effect of quickly removing oily stains on the substrate surface because the water contact angle on the glass substrate surface decreased in a short time. I found it.
  • the cleaning agent of the present invention is excellent in the effect of preventing the re-adhesion of dirt that has been peeled off due to the strength of the object to be cleaned. It can be used effectively as a cleaning agent in the process of manufacturing electronic components such as flat panel displays, optical magnetic disks, CCDs), optical lenses, printed wiring boards, optical communication cables, and LEDs.

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Abstract

実質的にアルカリ金属を使用せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、極めて効率的な高度洗浄を可能にする界面活性剤を提供する。 本発明は、中和塩（ＡＢ１）及び／又は中和塩（ＡＢ２）からなることを特徴とする界面活性剤を用いる。 中和塩（ＡＢ１）：酸解離反応における生成熱変化が３～２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである酸からなる酸基（Ｘ１）と炭素数が１～３６の疎水基（Ｙ１）とをそれぞれ少なくとも１つ有する酸性化合物（Ａ１）と、プロトン付加反応における生成熱変化が１０～１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ１）であって、（Ｘ１）がスルホン酸基等からなる群より選ばれる少なくとも１種である中和塩 中和塩（ＡＢ２）：分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ２）を少なくとも１つ有するポリマー（Ａ２）と、プロトン付加反応における生成熱変化が１０～１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ２）

Description

明 細 書
界面活性剤
技術分野
[0001] 本発明は、界面活性剤に関するものである。さらに詳しくは、電子材料'電子部品な どの製造工程中、洗浄工程において使用される洗浄剤用として好適な界面活性剤 に関する。
背景技術
[0002] 近年、超 LSIなどに代表される微細加工技術の進歩につれて、基板上に残存する微 量の不純物（金属イオンや、金属などの無機物およびレジスト榭脂などの有機物のパ 一ティクル）がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極 めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体力 より微粒子化 することでさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となつ ている。
このため従来から、このパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添 カロしてパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が 提案されている (特許文献 1、 2)。
[0003] しカゝし上記特許文献 1で提案されている界面活性剤は、非イオン界面活性剤である ため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が 不十分である。また上記特許文献 2で提案されている界面活性剤は、ァニオン性界 面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクル の再付着防止効果はある程度改善できるものの性能的に不十分である。また、使用 しているァ-オン性界面活性剤の対イオンにはナトリウムイオンなどのアルカリ金属が 使用されており、洗浄後の残存アルカリ金属が引き起こす基板表面の潜傷やャケ、 基板内部へのアルカリ金属の拡散によるデバイスの信頼性低下を招くこと、使用時に 泡立ちが激しく使用できないなどといった深刻な問題があった。
特許文献 1：特開平 5 - 138142号公報
特許文献 2：特開平 6— 41770号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 従って、本発明の目的とするところは、実質的にアルカリ金属を使用せず、洗浄時に ぉ 、て微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、極めて効率的な高度洗浄 を可能にする界面活性剤を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明者らは上記の界面活性剤を得るべく鋭意検討した結果、酸基を有する酸性 化合物及び Z又は酸基を有するポリマーと、これと塩を形成する特定の対イオンから なる界面活性剤を用いることにより上記問題点を解決できることを見い出し、本発明 に到達した。
[0006] すなわち本発明は、中和塩 (AB1)及び Z又は中和塩 (AB2)力もなることを特徴と する界面活性剤;この界面活性剤を含む洗浄剤;電子材料'電子部品の製造工程中 、洗浄工程における洗浄剤として使用される洗浄剤;この洗浄剤を用いて、超音波洗 浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉 式洗浄カゝらなる群より選ばれる少なくとも 1種によって洗浄する工程を含む電子部品 の製造方法である。
中和塩 (AB1)：酸解離反応における生成熱変化（Q1)が 3〜200kcalZmolである 酸の酸基 (XI)と炭素数力^〜 36の疎水基 (Y)とをそれぞれ少なくとも 1つ有する酸 性化合物 (A1)と、プロトン付加反応における生成熱変化 (Q2)が 10〜152kcalZm olである窒素含有塩基性ィ匕合物（B)との中和塩であって、（XI)がスルホン酸基、硫 酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルォキシ基、カルボキシェチルォキシ 基、（ジ)カルボキシメチルァミノ基、（ジ)カルボキシェチルァミノ基、式（1)で表される 基及び式（2)で表される基力 なる群より選ばれる少なくとも 1種である中和塩
C (H) (W) -COOH (1)
a b
-Ar(W) COOH (2)
Wは-トロ基、シァノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、ァセチル基、アルキルォキシ カルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基、アンモ-ォ基又はハロゲン原子、 Arは炭素 数 5〜14のァリール基、 aは 0又は 1、 bは 1又は 2、 cは 1〜8の整数を表し、アルキル ォキシカルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基におけるアルキルの炭素数は 1〜3であ る。
中和塩 (AB2)：分子内に少なくとも 1つの酸基 (X2)を有するポリマー (A2)と、プロト ン付加反応における生成熱変化（Q2)が 10〜152kcal/molである窒素含有塩基 性化合物（B)との中和塩
以下に本発明を詳細に説明する。
まず、中和塩 (AB1)及び (AB2)を構成する、酸性ィ匕合物 (A1)、ポリマー (A2)に ついて説明する。
酸性ィ匕合物 (A1)は、酸解離反応における生成熱変化 (Q1)が 3〜200kcalZmOl である酸の酸基 (XI)と炭素数が 1〜36の疎水基 (Y)とをそれぞれ少なくとも 1つ有 するものであり、ポリマー (A2)は、分子内に少なくとも 1つの酸基 (X2)を有するもの である。酸基 (X2)も、酸解離反応における生成熱変化 (Q1)が 3〜200kcalZmOl であるものが好ましい。
酸基 (Xl)、 （X2)の酸解離反応における生成熱変化 (Ql)とは、下記式 (6)に示す 酸 (HX)の酸解離反応における HXの生成熱と X—との生成熱との差を意味する。 HX→H+ +X" (6)
なお、酸基 (XI)の酸解離反応における生成熱変化は、疎水基 (Y)を水素原子と仮 定した値である。
また、酸基 (X2)の酸解離反応における生成熱変化は、酸基 (X2)が結合しているポ リマー鎖を水素原子と仮定した値である。
例えば、スルホン酸基（ SO H)の場合、 H-SO Hとして計算した値;硫酸基（-0
3 3
SO H)の場合、 H— OSO Hとして計算した値；リン酸基（一OPO H又は OP (0
3 3 3 2
) (OH) O ）の場合、 H— OPO Hとして計算した値；ホスホン酸基（一 PO H )の
3 2 3 2 場合、 H— PO Hとして計算した値；カルボキシル基（一 COOH)の場合、 H— COO
3 2
Hとして計算した値；カルボキシメチルォキシ基（一 OCH COOH)の場合、 H— OC
2
H COOHとして計算した値；カルボキシェチルォキシ基（一 OCH CH COOH)の
2 2 2
場合、 H— OCH CH COOHとして計算した値；（ジ）カルボキシメチルァミノ基（—N
2 2
RCH COOH又は一 N (CH COOH) )の場合、 H— NHCH COOHとして計算し た値；（ジ）カルボキシェチルァミノ基（— NRCH CH COOH又は— N (CH CH C
2 2 2 2
OOH) )の場合、 H— NHCH CH COOHとして計算した値；式（1)で表される基の
2 2 2
場合、式 (3)で表される化合物として計算した値;式 (2)で表される基の場合、式 (4) で表される化合物として計算した値である。なお、 Rは水素原子または炭素数 1〜24 のアルキル基（メチル、ェチル、プロピル、ブチル、ォクチル、ノエル、デシル、ドデシ ルなど)を表す。
[0008] H-C (H) (W) -COOH (3)
a b
H-Ar(W) -COOH (4)
Wは-トロ基、シァノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、ァセチル基、アルキルォキシ カルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基、アンモ-ォ基又はハロゲン原子、 Arは炭素 数 5〜14のァリール基、 aは 0又は 1、 bは 1又は 2、 cは 1〜8の整数を表し、アルキル ォキシカルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基におけるアルキルの炭素数は 1〜3であ る。アルキルォキシカルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基におけるアルキルとしては 、メチル、ェチル、プロピルが挙げられる。
[0009] すなわち、生成熱変化 (Q1)は下記式 (8)で表される。
Q1 = A H° —Δ Η° (8)
f HX f X-
[式中、 Δ H° 、 Δ Η° は、それぞれ順に、 ΗΧ、 X—についての真空中における生 f HX f X- 成熟を表す。 ]
[0010] ここで、生成熱（Δ H°)の値は、 J. Chem. Soc. Perkin Trans. 2, p. 923 (1995 )に記載の半経験的分子軌道法 (MOPAC PM3法)を用いて計算することができる この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「CAChe Worksystem6. 01」を 用いて真空中における生成熱（25°C)として計算できる。すなわち、この生成熱の値 は、計算したい分子構造を「Work Space」上で書き、分子力場法である「MM2 g eometry」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「PM3 geomety」で 計算することにより得られる。
[0011] また、酸基 (XI)または (X2)の酸解離反応における生成熱変化 (Ql) (kcal/moU 25°C)は、 3〜200が好ましぐゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましく は 10〜150、次に好ましくは 15〜100、次に好ましくは 20〜80、特に好ましくは 22 〜75、最も好ましくは 25〜70である。
[0012] 酸基 (X2)としては、スルホン酸基（ SO H) (Ql = 32kcalZmol)、硫酸基（― OS
3
0 H) (Ql =46kcalZmol)、リン酸基（― OPO Hまたは— OP (O) (OH) O ) (Q
3 3 2
1 = 19kcalZmol)、ホスホン酸基（ PO H ) (Ql =4. 5kcalZmol)、カルボキシ
3 2
ル基（一 COOH) (Ql = 21kcalZmol)、などが挙げられる。
なお、カルボキシル基としては、カルボキシル基（ COOH)の他に、カルボキシメチ ルォキシ基（― OCH COOH) (Ql = 19kcalZmol)、カルボキシェチルォキシ基（
2
-OCH CH COOH) (Ql = 20kcal/mol) , (ジ）カルボキシメチルァミノ基（—NR
2 2
CH COOH又は— N (CH COOH) ) (Ql = 26kcal/mol) , (ジ）カルボキシェチ
2 2 2
ルァミノ基（― NRCH CH COOH又は— N (CH CH COOH) ) (Ql = 20kcal/
2 2 2 2 2
mol)、式（1)で表される基 {例えば 1 フルオローカルボキシメチル基（Ql = 26kcal Zmol)、 1—クロ口一カルボキシメチル基（Ql = 26kcal/mol)、 1, 1，一ジクロロカ ルボキシメチル基（Ql = 32kcal/mol)、 1―シァノ—カルボキシメチル基（Q1 = 32 kcal/mol)等 }、式（ 2)で表される基 {例えば 3 フルォロ 4 カルボキシフエ-ル 基（Q 1 = 25kcal/mol)、 3 -フルォロ― 4―カルボキシフエ-ル基（Q 1 = 27kcal /mol)、 3 -シァノ― 4―カルボキシフエ-ル基（Q 1 = 30kcal/mol)等 }などが含 まれる。
これらの酸基のうち、パーティクルの再付着防止性および工業的に生産しやすい観 点等から、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基及びカルボキシル基が好 ましぐ後述するアルカリ成分 (C)を含有する場合、中和塩 (AB2)の加水分解の防 止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基及びカルボキシル基、特に好ましくは スルホン酸基である。
[0013] 酸基 (XI)としては、上記で例示した酸基 (X2)の内、スルホン酸基、硫酸基、リン酸 基、ホスホン酸基、カルボキシメチルォキシ基、カルボキシェチルォキシ基、（ジ）カル ボキシメチルァミノ基、（ジ)カルボキシェチルァミノ基、式（1)で表される基、式（2)で 表される基などが挙げられる。
これらの酸基のうち、パーティクルの再付着防止性および工業的に生産しやすい観 点等から、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、カルボキシメチルォキシ基及びカルボ キシェチルォキシ基が好ましぐ後述するアルカリ成分 (C)を含有する場合、中和塩 (AB1)の加水分解の防止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基、カルボキシ メチルォキシ基及びカルボキシェチルォキシ基、特に好ましくはスルホン酸基である
[0014] 酸性化合物 (A1)中の疎水基 (Y)としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基 、芳香環含有炭化水素基等が含まれる。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数 1〜36のアルキル基、炭素数 2〜36のァルケ- ル基等が含まれる（直鎖状又は分岐状の 、ずれでもよ 、)。
アルキル基としては、メチル、ェチル、 n—又は i プロピル、ブチル、ペンチル、へキ シル、ヘプチル、ォクチル、ノエル、デシル、ゥンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラ デシル、ペンタデシル、へキサデシル、ヘプタデシル、ォクタデシル、ノナデシル、ェ ィコシル、ヘンエイコシル、ドコシノレ、トリコシノレ、テトラコシル、ペンタコシル、へキサコ シル、ヘプタコシル、ォクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、ヘントリアコンチル、ド トリアコンチル、トリトリアコンチル、テトラトリアコンチル、ペンタトリアコンチル、へキサト リアコンチルなどが挙げられる。
ァルケ-ル基としては、 n—又は i—プロべ-ル、へキセ -ル、ヘプテュル、オタテ- ル、デセ -ル、ゥンデセ -ル、ドデセ -ル、テトラデセ-ル、ペンタデセ -ル、へキサ デセ -ル、ヘプタデセ -ル、ォクタデセ -ル、ノナデセ -ル、 2—ェチルデセ -ル、ェ ィコセ二ノレ、ヘンエイコセニノレ、ドコセ二ノレ、トリコセニノレ、テトラコセニノレ、ペンタコセ -ル、へキサコセ -ル、ヘプタコセ -ル、ォクタコセ -ル、ノナコセ-ルなどが挙げら れる。
[0015] 脂環式炭化水素基としては、炭素数 3〜36のシクロアルキル基等が含まれ、シクロプ ロピノレ、シクロブチノレ、シクロペンチノレ、シクロへキシノレ、シクロへプチノレ、シクロオタ チル、シクロノ-ル、シクロデシル、シクロドデシル、シクロへキサデシル、シクロエイコ シル、シクロへキサコシル、シクロノナコシル、シクロテトラトリアコンチル、シクロペンタ トリアコンチル、シクロへキサトリアコンチル等が挙げられる。
[0016] 芳香環含有炭化水素基としては、炭素数 7〜36の芳香族炭化水素等が含まれ、メチ ルフエニル、ェチルフエニル、 n—又は i—プロピルフエニル、ブチルフエニル、ペンチ ノレフエ二ノレ、へキシノレフエ二ノレ、へプチノレフエ二ノレ、オタチノレフェニノレ、ノニノレフエ二 ル、デシルフエ-ル、ゥンデシルフェ -ル、ドデシルフェ -ル、エイコシルフェ -ル、ジ メチルフエニル、メチルナフチル、ェチルナフチル、 n—又は i プロピルナフチル、 ブチルナフチル、ペンチルナフチル、へキシルナフチル、ヘプチルナフチル、ォクチ ルナフチル、ノ-ルナフチル、デシルナフチル、ゥンデシルナフチル、ドデシルナフ チル、エイコシルナフチルなどが挙げられる。
[0017] 疎水基 (Y)のうち、脂肪族炭化水素基および芳香環含有炭化水素基が好ましぐさ らに好ましくは、ォクチル、ノニル、デシル、ゥンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラ デシル、ペンタデシル、へキサデシル、ヘプタデシル、ォクタデシル、ォクチルフエ- ル、ノ-ルフエ-ル、ドデシルフェ -ル、ォクチルナフチル、ノ-ルナフチル、ドデシル ナフチル、特に好ましくはォクチル、ノニル、ドデシル、へキサデシル、ォクタデシル、 ォクチルフエ-ル、ドデシルフェ -ル、ォクチルナフチルである。
[0018] 疎水基 (Y)の炭素数は、 1〜36であり、さらに好ましくは 4〜24、特に好ましくは 8〜2 4である。これらの疎水基は、水素原子の一部又は全部が他の原子 (フッ素原子、塩 素原子、臭素原子、ヨウ素原子など)または官能基 (水酸基、アミノ基、メルカプト基、 パーフルォロアルキル基、カルボキシル基や、エーテル結合、アミド結合、又はエス テル結合を含む有機基など)で置換されていてもよぐまたこの官能基には 1個以上 のォキシアルキレン基を含んでもよ！、。
[0019] 酸性ィ匕合物 (A1)としては、以下の化合物等が含まれる。
スルホン酸基を有する化合物 (A1— 1)
アルキルスルホン酸（ォクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、 ミリスチルスルホン酸、セチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸など）、ベンゼンスル ホン酸、
アルキルベンゼンスルホン酸（トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ドデシルべ ンゼンスノレホン酸、エイコシノレベンゼンスノレホン酸など）、
ナフタレンスルホン酸、
アルキルナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスル ホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンォクチルエー テルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸など）
ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオタ チルフエ-ルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフエ-ルエーテルスル ホン酸など）、
スルホコハク酸（（ジ）ォクチルスルホコハク酸、 （ジ）ラウリルスルホコハク酸、 （ジ）オタ チルポリオキシエチレンスルホコハク酸、 （ジ）ラウリルポリオキシエチレンスルホコハク 酸、 （ジ）アミルスルホコハク酸、 （ジ） 2—ェチルへキシルスルホコハク酸など）、 aーォレフインスルホン酸（1—オタテンのスルホン化物、 1 ノネンのスルホン化物、 1ーデセンのスルホン化物、 1ードデセンのスルホン化物、 1ーテトラデセンのスルホ ンィ匕物、 1 ペンタデセンのスルホン化物、 1一へキサデセンのスルホン化物、 1ーォ クタデセンのスルホン化物など）、
アルキルジフエ-ルエーテルスルホン酸（メチルジフエ-ルエーテル（ジ）スルホン酸 、ドデシルジフエ-ルエーテル（ジ）スルホン酸など）、
アルキロィルアミノエチルスルホン酸（ォクチロイルー N メチルアミノエチルスルホン 酸、ラウリロイルー N—メチルアミノエチルスルホン酸）、
脂肪酸ェチルエステルスルホン酸（ォクチル酸ェチルエステルスルホン酸、ラウリン 酸ェチルエステルスルホン酸など）等。
硫酸基を有する化合物 (A1— 2)
アルキル硫酸エステル (ォクチル硫酸エステル、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸 エステル、ミリスチル硫酸エステル、セチル硫酸エステル、ステアリル硫酸エステルな ど)、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンォクチルェ 一テル硫酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルなど）、 ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンォ クチルフエ-ルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンノ-ルフエ-ルエーテル 硫酸エステルなど）、 ァシルアミドアルキル硫酸エステル (ォクチロイルアミドエチル硫酸エステル、ラウリロ ィルアミドエチル硫酸エステルなど）、
ァシルアミドポリオキシアルキレン硫酸エステル (ォクチロイルアミドポリオキシェチレ ン硫酸エステル、ラウリロイルアミドポリオキシエチレン硫酸エステルなど)等。
[0021] リン酸基を有する化合物 (A1— 3)
(ジ）アルキルリン酸エステル（（ジ）ォクチルリン酸エステル、 （ジ）デシルリン酸エステ ル、 （ジ）ドデシルリン酸エステル、 （ジ）ミリスチルリン酸エステル、 （ジ）セチルリン酸ェ ステル、 （ジ)ステアリルリン酸エステルなど）、
(ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル（（ジ）ポリオキシエチレン ォクチルエーテルリン酸エステル、 （ジ）ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸ェ ステノレなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルリン酸エステル（ポリオキシエチレン ォクチルフエニルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフエニルエーテ ルリン酸エステルなど）等。
[0022] ホスホン酸基を有する化合物（A1— 4)
ァノレキノレホスホン酸（才クチノレホスホン酸、デシノレホスホン酸、ドデシノレホスホン酸、ミ リスチルホスホン酸、セチルホスホン酸、ステアリルホスホン酸など）、
アルキルベンゼンホスホン酸（トルエンホスホン酸、キシレンホスホン酸、ドデシルペン ゼンホスホン酸、エイコシノレベンゼンホスホン酸など）、
アルキルナフタレンホスホン酸（メチルナフタレンホスホン酸、ドデシルナフタレンホス ホン酸、エイコシルナフタレンホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンォクチルエー テルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンオタ チルフエ-ルエーテルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフエ-ルエーテルホス ホン酸など）、
アルキルジフエ-ルエーテルホスホン酸（メチルジフエ-ルエーテル（ジ）ホスホン酸、 ドデシルジフエ-ルエーテル（ジ）ホスホン酸など）等。 [0023] カルボキシメチルォキシ基を有する化合物（A1— 5)
高級アルコールのカルボキシメチル化物（ォクチルカルボキシメチルエーテル、ラウリ ルカルボキシメチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物（ポリオキシエチレン ォクチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンノ-ルエーテルの力 ルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシメチル化物、 ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンミ リスチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエーテルの カルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンォレイルエーテルのカルボキシメチル化 物など)等。
[0024] カルボキシェチルォキシ基を有する化合物（A1— 6)
高級アルコールのカルボキシェチル化物（ォクチルカルボキシェチルエーテル、ラウ リルカルボキシェチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシェチル化物（ポリオキシェチレ ンォクチルエーテルのカルボキシェチル化物、ポリオキシエチレンノ-ルエーテルの カルボキシェチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシェチルイ匕 物、ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシェチル化物、ポリオキシェチ レンミリスチルエーテルのカルボキシェチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエー テルのカルボキシェチル化物、ポリオキシエチレンォレイルエーテルのカルボキシェ チル化物など)等。
[0025] (ジ)カルボキシメチルァミノ基を有する化合物 (A1— 7)
アルキルアミノ（ジ)酢酸 (ォクチルァミノ（ジ)酢酸、ラウリルァミノ（ジ)酢酸など）、アル キロィルァミノ（ジ)酢酸 (ラウロイル— N—メチルァミノ酢酸など）等。
[0026] (ジ）カルボキシェチルァミノ基を有する化合物（A1— 8)
アルキルアミノ（ジ）プロピオン酸 (ォクチルァミノ（ジ）プロピオン酸、ラウリルァミノ（ジ） プロピオン酸など）、アルキロィルァミノ（ジ）プロピオン酸（ラウロイル— N—メチルアミ ノ (ジ)プロピオン酸など)等。
[0027] 式（1)で表される基を有する化合物 (A1— 9) 2—フルォロオクタン酸、 2—クロ口オクタン酸、 2, 2—ジクロロオクタン酸、 2—フルォ 口ラウリン酸、 2—クロ口ラウリン酸、 2, 2—ジクロロラウリン酸、 2—シァノオクタン酸、 2 シァノラウリン酸など
[0028] 式（2)で表される基を有する化合物 (A1— 10)
4ーォクチルー 2 フルォロ安息香酸、 4ードデシルー 2 フルォロ安息香酸、 4ーォ クチルー 2 シァノ安息香酸、 4ードデシルー 2 シァノ安息香酸、 2—ォクチルー 4 フルォロ安息香酸など
[0029] これらのうち、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレ ンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、 ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルスルホン酸、 α—ォレフインスルホン 酸、アルキロィルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキ レンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテ ル硫酸エステル、ァシルアミドアルキル硫酸エステル、 （ジ）アルキルリン酸エステル、 (ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンァ ルキルァリールエーテルリン酸エステル、アルキルホスホン酸、ポリオキシアルキレン アルキルエーテルのカルボキシメチル化物が好ましく、さらに好ましくはアルキルスル ホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク 酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキ ルァリールエーテルスルホン酸、 α—ォレフインスルホン酸、アルキロィルアミノエチ ルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸 エステル、ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテル硫酸エステル、ァシルアミ ドアルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチ ルイ匕物、特に好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキ ルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルス ルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルスルホン酸、 α—ォレフィ ンスルホン酸、アルキロィルアミノエチルスルホン酸である。
酸性ィ匕合物 (A1)は、単独で用いてもよぐ 2種以上の混合物として用いてもよい。
[0030] 酸性化合物（A1)の HLB値は、 5〜30力好ましく、さらに好ましくは 7〜17、より好ま しくは 9〜16、特に好ましくは 10〜15、最も好ましくは 10. 5-14. 5である。
なお、本発明において、 HLB値は、小田法により、式（18)を用いて算出される値で ある (藤本武彦著、新 ·界面活性剤人門（三洋化成工業株式会社)、 pl97)。
[0031] 111^= 10 （無機性7有機性） （18)
なお、式中の有機性、無機性とは、分子を構成する原子及び官能基ごとに定められ た数値の合計値であり、上記文献中に記載された値を用いることができる。
[0032] 酸性ィ匕合物 (A1)の pKaは、 8. 0以下が好ましぐゼータ電位を下げるという観点等 から、さらに好ましくは 7. 0以下、特に好ましくは 5. 5以下、最も好ましくは 3. 0以下 である。また、好ましくは 0. 5以上である。ここで pKaとは一段階目の酸解離定数を意 味する。なお、 pKaは、公知の方法 {例えば、 J. Am. Chem. Soc. , 1673 (1967) }等により得られる。
[0033] 酸基 (Χ2)を少なくとも 1つ有するポリマー (Α2)としては、パーティクルの再付着防止 性の観点等から、スルホン酸基を有するポリマー (Α2— 1)、硫酸基を有するポリマー (Α2— 2)、リン酸基を有するポリマー (Α2— 3)、ホスホン酸基を有するポリマー (Α2 4)及びカルボキシル基を有するポリマー (Α2— 5)が好ましぐさらに好ましくはス ルホン酸基を有するポリマー（Α2— 1)及びカルボキシル基を有するポリマー（Α2— 5)、特に好ましくはスルホン酸基を有するポリマー (Α2— 1)である。
[0034] スルホン酸基を有するポリマー（Α2— 1)としては、スルホン酸基を有する不飽和モノ マー（aX— 1)を用いてラジカル重合により得られるポリマー（A2— 1— 1)、ポリマー 反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 1— 2)、分子内にスルホ ン酸基を有する芳香族化合物（aY— 1)を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応に よって得られるポリマー (A2— 1— 3)などが挙げられる。
[0035] 硫酸基を有するポリマー (A2— 2)としては、硫酸基を有する不飽和モノマー（aX— 2 )を用いてラジカル重合により得られるポリマー (A2— 2— 1)、ポリマー反応により硫 酸基を導入して得られるポリマー (A2— 2— 2)などが挙げられる。
[0036] リン酸基を有するポリマー (A2— 3)としては、リン酸基を有する不飽和モノマー（aX
3)を用いてラジカル重合により得られるポリマー (A2— 3— 1)、ポリマー反応により リン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 3— 2)などが挙げられる。 [0037] ホスホン酸基を有するポリマー（A2— 4)としては、ホスホン酸基を有する不飽和モノ マー（aX—4)を用いてラジカル重合により得られるポリマー（A2—4— 1)、ポリマー 反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 4— 2)、分子内にホスホ ン酸基を有する芳香族化合物（aY— 4)を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応に よって得られるポリマー (A2— 4— 3)などが挙げられる。
[0038] カルボキシル基を有するポリマー（A2— 5)としては、カルボキシル基を有する不飽和 モノマー（aX— 5)を用いてラジカル重合により得られるポリマー（A2— 5— 1)、ポリマ 一反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー (A2— 5— 2)、分子内に力 ルポキシル基を有する芳香族化合物（aY— 5)とホルムアルデヒドとの重縮合反応に よって得られるポリマー (A2— 5— 3)などが挙げられる。
[0039] ポリマー (A2)の内で、パーティクル再付着防止性の観点等から、スルホン酸基を有 するポリマー (A2— 1)が好ましぐさらに好ましくは (A2— 1— 1)、（A2— 1— 2)及び 、（A2— 1— 3)、特に好ましくは (A2— 1— 2)及び、（A2— 1— 3)である。
本発明に用いるポリマー (A2)は、単独で用いても良いが、 2種以上の混合物として 用いることちでさる。
[0040] スルホン酸基を有する不飽和モノマー（aX— 1)としては、炭素数 2〜20の脂肪族不 飽和スルホン酸（ビニルスルホン酸、（メタ）ァリルスルホン酸など）、炭素数 6〜24の 芳香族不飽和スルホン酸 (スチレンスルホン酸、 ρ ノニルスチレンスルホン酸など）、 スルホン酸基含有 (メタ）アタリレート { 2—（メタ）アタリロイルォキシエタンスルホン酸、 2- (メタ）アタリロイルォキシプロパンスルホン酸、 3 （メタ）アタリロイルォキシプロパ ンスルホン酸、 2- (メタ）アタリロイルォキシブタンスルホン酸、 4— (メタ）アタリロイル ォキシブタンスルホン酸、 2—（メタ）アタリロイルォキシ 2, 2—ジメチルェタンスルホ ン酸、 P— (メタ）アタリロイルォキシメチルベンゼンスルホン酸など }、スルホン酸基含 有 (メタ)アクリルアミド {2— (メタ)アタリロイルアミノエタンスルホン酸、 2— (メタ)アタリ ロイルァミノプロパンスルホン酸、 3 （メタ）アタリロイルァミノプロパンスルホン酸、 2 - (メタ）アタリロイルァミノブタンスルホン酸、 4— (メタ）アタリロイルァミノブタンスルホ ン酸、 2— (メタ）アタリロイルァミノ— 2, 2—ジメチルエタンスルホン酸、 p— (メタ）ァク リロイルァミノメチルベンゼンスルホン酸など }、アルキル（炭素数 1〜20) (メタ）ァリル スルホコハク酸エステル {メチル (メタ）ァリルスルホコハク酸エステル、ラウリル (メタ）ァ リルスルホコハク酸エステル、エイコシル（メタ）ァリルスルホコハク酸エステルなど }な どが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、炭素数 2〜20 の脂肪族不飽和スルホン酸及びスルホン酸基含有 (メタ）アクリルアミドが好ましぐさ らに好ましくはビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸及び 2— (メタ）アタリロイルアミ ノー 2, 2—ジメチルエタンスルホン酸である。
[0041] 硫酸基を有する不飽和モノマー（aX— 2)としては、後述の水酸基含有モノマー（aZ2 )の硫酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有 (メタ）アクリル酸エステル (aZ2— 1) の硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくは 2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレートま たは 2—ヒドロキシプロピル (メタ）アタリレートの硫酸エステルである。
[0042] リン酸基を有する不飽和モノマー（aX— 3)としては、後述の水酸基含有モノマー（aZ 2)のリン酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有 (メタ）アクリル酸エステル (aZ2— 1) のリン酸エステルが好ましぐさらに好ましくは 2—ヒドロキシェチル (メタ)アタリレート または 2—ヒドロキシプロピル (メタ）アタリレートのリン酸エステルである。
[0043] ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（aX— 4)としては、（メタ）アタリロイルォキシァ ルキル（炭素数 1〜20)ホスフ ート{ (メタ）アタリロイルォキシメチルホスフェート、（メ タ）アタリロイルォキシェチルホスフェート、（メタ）アタリロイルォキシラウリルホスフエ一 ト、（メタ）アタリロイルォキシエイコシルホスフェートなど }などが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、（メタ）アタリロイルォキシェチルホスフェートが好 ましい。
[0044] カルボキシル基を有する不飽和モノマー（aX— 5)としては、不飽和モノカルボン酸 { ( メタ）アクリル酸、ビュル安息香酸、ァリル酢酸、（イソ）クロトン酸、シンナミック酸およ びアクリル酸 2—カルボキシェチルなど }、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水 物 { (無水）マレイン酸、フマル酸、（無水）ィタコン酸、（無水）シトラコン酸、メサコン酸 など }、不飽和ジカルボン酸のモノアルキル（アルキルの炭素数 1〜20)エステル {モ ノメチノレマレート、モノェチノレマレート、モノラウリノレマレート、モノエイコシノレマレート、 モノメチルフマレート、モノェチルフマレート、モノラウリルフマレート、モノエイコシノレ フマレート、モノメチルイタコネート、モノェチルイタコネート、モノラウリノレイタコネート およびモノエイコシルイタコネートなど }などが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、不飽和モノ力 ルボン酸、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水物が好ましぐさらに好ましくは（ メタ）アクリル酸、（無水）マレイン酸、フマル酸及び（無水）ィタコン酸である。
[0045] 不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（A2— 1 1)〜（A2— 5- 1)には、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（aX— 1)、硫酸基を有する不飽 和モノマー（aX— 2)、リン酸基を有する不飽和モノマー（aX— 3)、ホスホン酸基を有 する不飽和モノマー（aX— 4)、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（aX— 5)以 外に、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)を共重合させることができる。
[0046] その他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)としては、以下のもの等が挙げられる。
(aZl) ;炭素数 1〜36の直鎖または分岐アルキル (メタ)アタリレート
[メチル (メタ）アタリレート、ェチル (メタ）アタリレート、プロピル (メタ）アタリレート、ブチ ル (メタ）アタリレート、ペンチル (メタ）アタリレート、へキシル (メタ）アタリレート、ォクチ ル (メタ）アタリレート、デシル (メタ）アタリレート、ドデシル (メタ）アタリレート、 2—メチ ルゥンデシル (メタ)アタリレート、テトラデシル (メタ）アタリレート、ォクタデシル (メタ)ァ タリレート、 n—エイコシルメタタリレート、テトラコシル (メタ）アタリレート、 2—メチル一 ノナデシルメタタリレート、 2—ノ-ルーテトラコシルメタタリレートなど]。
[0047] (aZ2) ;水酸基含有モノマー
(aZ2- l)；水酸基含有 (メタ)アクリル酸エステル
(aZ2— 1— 1) ;—般式（13)で示される (メタ)アタリレート；
CH =C (R6)— COO—（AO) — H (13)
2
[0048] 式中、 R6は水素原子またはメチル基、 AOは炭素数 2〜4のォキシアルキレン基であ り、 Xは 1〜20 (好ましくは 1)の整数である。
(aZ2—l— l)としては、 2—ヒドロキシェチルメタタリレート、 2—ヒドロキシェチルァク リレート、 2 ヒドロキシプロピルメタタリレート、 2 ヒドロキシプロピルアタリレート、 3— ヒドロキシプロピル (メタ）アタリレート、 2—ヒドロキシエトキシェチル (メタ）アタリレート などのヒドロキシアルキル (炭素数 2〜4) (メタ）アタリレートなどが挙げられる。
(aZ2- l 2) 3〜8個の水酸基を含有する多価アルコールの（メタ）アタリレート；後 述の多価アルコール (E)の（メタ）アタリレート [例えば、グリセリンモノ—又はジ—（メタ )アタリレート、トリメチロールプロパンモノ—又はジ—（メタ)アタリレート、蔗糖 (メタ)ァ タリレートなど]、
[0049] (aZ2- 2)炭素数 2〜 12のァルケノール [ビュルアルコール（酢酸ビュル単位の加水 分解により形成される）、炭素数 3〜12のァルケノール { (メタ）ァリルアルコール、（ィ ソ）プロぺ-ルアルコール、クロチルアルコール、 1—ブテン一 3—オール、 1—ブテン 4 オール、 1—オタテノール、 1ーゥンデセノールおよび 1 ドデセノールなど }な ど]、
[0050] (aZ2— 3)炭素数 4〜12のアルケンジオール [2 ブテン 1, 4ージオールなど]、 [0051] (aZ2- 4)炭素数 3〜 12のァルケ-ル基を有する水酸基含有アルケ-ルエーテル [ ヒドロキシアルキル（炭素数 1〜6)アルケニル（炭素数 3〜12)エーテル {例えば 2 ヒ ドロキシェチルプロべ-ルエーテルなど }、多価アルコール（E)のァルケ-ル（炭素 数 3〜12)エーテル {例えば、トリメチロールプロパンモノーおよびジー（メタ）ァリルェ 一テル、蔗糖 (メタ)ァリルエーテルなど }など]、
[0052] (aZ2— 5)水酸基含有芳香族モノマー [o—、 m または p ヒドロキシスチレンなど]
[0053] (aZ2— 6)モノマー（aZ2— 1)〜（aZ2— 5)の（ポリ）ォキシアルキレンエーテル [例え ば、（aZ2— l)〜（aZ2— 5)の水酸基のうちの少なくとも 1個が— O— (AO) —AO—
y
Hで置換されたモノマー {但し、 AOは一般式（13)と同じ。 yは 0または 1〜20の整数 。 }など]。
[0054] (aZ3)；アミド基含有モノマー
(aZ3 - 1)；下記一般式（14)で示される (メタ）アクリルアミド
CH =C (R6)— CO— N (R，）一 R" (14)
2
[0055] 式中、 R6は一般式（13)と同じ、 R'および R"はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1 〜4のアルキル基および炭素数 1〜4のヒドロキシアルキル基力 選ばれる基である。 (aZ3— 1)としては、非置換又はアルキル置換のアクリルアミド [アクリルアミド、メタタリ ルアミド、 N モノーアルキル（炭素数 1〜4)および N, N ジーアルキル（炭素数 1 〜4)— (メタ）アクリルアミド{ (ジ)メチル、（ジ）ェチル、（ジ) i—プロピル、（ジ) n—ブ チル又は (ジ) i-プチルでァミノ基の水素原子が置換された (メタ）アクリルアミドなど } など]、ヒドロキシアルキル置換アクリルアミド [N モノ—ヒドロキシアルキル (炭素数 1 〜4)又は N, N ジーヒドロキシアルキル (炭素数 1〜4)でァミノ基の水素原子が置 換された（メタ）アクリルアミド {N ヒドロキシメチル、 N, N ジヒドロキシメチル、 N, N ージ 2 ヒドロキシェチル、 N, N ジー4ーヒドロキシブチルでァミノ基の水素原子 が置換された (メタ)アクリルアミドなど }など]などが挙げられる。
[0056] (aZ3— 2)； N ビュルカルボン酸アミド [N -ビュルカルボン酸アミド {N ビュルホ ルムアミド、 N ビニルァセトアミド、 N ビニル n—又は i—プロピオンアミド並びに N ービニルヒドロキシァセトアミドなど }、 N ビニルラタタム {N ビニルピロリドンなど } など]。
[0057] (aZ4)； (aZ3)以外の窒素原子含有不飽和モノマー
(aZ4- l)；少なくとも 1個の 1級、 2級又は 3級のアミノ基を含むアミノ基含有モノマー
(aZ4- l― 1)アミノ基含有脂肪族モノマー、
(aZ4- l - 1 - 1)一般式 D— NHD1で示されるモノーおよびジーァルケ-ルァミン（ 但し、式中 D1は水素原子または Dを表し、 Dは炭素数 2〜10、好ましくは炭素数 3〜 6のァルケ-ル基を表す） [例えば (ジ）（メタ)ァリルアミン、（イソ)クロチルァミンなど]
(aZ4 - 1 - 1 - 2)アミノ基含有アクリルモノマー〔ァミノ基含有 (メタ)アタリレート [ {モ ノーアルキル (炭素数 1〜4) }ァミノアルキル (炭素数 2〜6) (メタ)アタリレート{ァミノ ェチル、ァミノプロピル、メチルアミノエチル、ェチルアミノエチル、ブチルアミノエチル 又はメチルァミノプロピルの (メタ）アタリレートなど }、ジ—アルキル (炭素数 1〜4)アミ ノアルキル (炭素数 2〜6) (メタ）アタリレート {ジメチルアミノエチル (メタ）アタリレート、 ジェチルアミノエチル (メタ）アタリレート、ジブチルアミノエチル (メタ）アタリレートなど } など]、およびこれらの (メタ)アタリレートに対応するァミノ基含有 (メタ)アクリルアミド など〕、
(aZ4- l - 2)アミノ基含有複素環式モノマー〔ァミノ基含有複素環式アクリルモノマ 一 [モルホリノ—アルキル (炭素数 2〜4) (メタ）アタリレート {モルホリノェチル (メタ）ァ タリレートなど }など]、ビニル置換複素環式ァミン [ビニルビリジン {4 又は 2 ビニル ピリジンなど }など]、 N ビニノレピロ一ノレ、 N ビ-ノレピロリジンなど〕、
(aZ4- l - 3)アミノ基含有芳香族モノマー [アミノスチレン {ァミノスチレン、（ジ)メチ ルァミノスチレンなど }など]、
(aZ4— 1 4) (aZ4— 1 1 )〜（aZ4— 1 3)の塩 [塩酸塩、硫酸塩、リン酸塩、硝 酸塩又は炭素数 1〜8のカルボン酸塩]、
[0058] (aZ4 2)第 4級アンモ-ゥム塩基含有モノマー [ (aZ4— 1 1 )〜（aZ4— 1 3)の 4級化によって得られる第 4級アンモ-ゥム塩など]
4級化剤としては、アルキル (炭素数 1〜8)ハロゲンィ匕物 (メチルクロライドなど）、ベン ジルハライド（塩化べンジルなど）、ジアルキル（炭素数 1〜2)サルフェート（ジメチル サルフェート、ジェチルサルフェートなど）、ジアルキル（炭素数 1〜2)カーボネート（ ジメチルカーボネートなど）などが使用できる。
また、（aZ4— 2)には、 1種または 2種以上のアルキレン (炭素数 2〜4)オキサイド (ェ チレンオキサイド、プロピレンオキサイド等)で (aZ4— 1 4)を 4級化することにより得 られる第 4級アンモ-ゥム塩も含まれる。
[0059] (aZ4 - 3)二トリル (シァノ基)または-トロ基を含有するモノマー [ (メタ)アタリ口-トリ ル、ニトロスチレンなど]。
[0060] (aZ5)；炭素数 2〜36の不飽和炭化水素、
(&25— 1) ;炭素数2〜36の不飽和脂肪族炭化水素[炭素数2〜36のァルケン{ェ チレン、プロピレン、イソブテン、ブテン、ペンテン、ヘプテン、ジイソブチレン、ォクテ ン、ドデセン、ォクタデセンなど }、炭素数 4〜 12のアルカジエン{ブタジエン、イソプ レン、 1, 4 ペンタジェン、 1, 6 へブタジエン、 1, 7—ォクタジェンなど }など]、
[0061] (aZ5— 2)；炭素数 5〜24の不飽和脂環式炭化水素 [シクロアルケン（シクロへキセン など）、ジシクロアルカジエン（シクロペンタジェン、ジシクロペンタジェンなど）、環式 テルペン（ビネン、リモネンなど）、ビュル（ジ）シクロアルケン（ビュルシクロへキセンな ど）、ェチリデン（ジ）シクロアルケン（ェチリデンビシクロヘプテン、ェチリデンノルボル ネンなど）、芳香環含有シクロアルケン (インデンなど)など]、
[0062] (aZ5- 3)；不飽和芳香族炭化水素 [スチレンおよびその誘導体 {炭素数 1〜20の炭 化水素（アルキル、ァリル等）で置換されたスチレン（α—メチルスチレン、ビュルトル ェン、 2, 4 ジメチルスチレン、 4ーェチルスチレン、 4 イソプロピノレスチレン、 4 ブチルスチレン、 4—フエニルスチレン、 4—シクロへキシルスチレン、 4—ペンジノレス チレン、 4 クロチルベンゼンなど）など }、多環芳香族モノビュルモノマー（4ービ- ルビフエ-ル、 3 ビニノレビフエ-ノレ、 2 ビニノレビフエ-ノレ、 1—または 2 ビ-ルナ フタレン、 1—または 2—ビュルアントラセンなど）など]。
[0063] (aZ6)；エポキシ基含有不飽和モノマー [エポキシ基含有アクリルモノマー {グリシジ ル (メタ）アタリレートなど }およびエポキシ基含有ァルケ-ル (炭素数 2〜10、好ましく は炭素数 3〜6)エーテル {グリシジル (メタ)ァリルエーテルなど }など]。
[0064] (aZ7)；ハロゲン原子含有不飽和モノマー [ビュルまたはビ-リデンハロゲン化物（塩 化ビニル、臭化ビニル、塩ィ匕ビ二リデンなど）、アルケニル (炭素数 3〜6)ハロゲン化 物 {塩ィ匕 (メタ)ァリルなど }、ハロゲン置換スチレン { (ジ)クロロスチレンなど }など]。
[0065] (aZ8)；アルキルアルケニルエーテル [アルキル（炭素数 1〜10)アルケニル（炭素数 2〜： LO)エーテル {アルキルビュルエーテル（メチルビ-ルエーテル、 n—プロピルビ -ルエーテル、ェチルビ-ルエーテルなど）並びにアルキル（メタ）ァリルエーテル（メ チルァリルエーテル、ェチルァリルエーテルなど）、アルキル（イソ）プロべ-ルエーテ ルなど（メチルプロぺ-ルエーテル、ェチルイソプロぺ-ルエーテルなど） }など]。
[0066] (aZ9)；ァルケ-ルカルボキシレート [酸酸ビュル、プロピオン酸ビュル、酪酸ビュル 、へキサン酸ビュル、ヘプタン酸ビュル、 2—ェチルへキサン酸ビュル、 n オクタン 酸ビュルなど]。
[0067] (aZIO)；不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル [不飽和ジカルボン酸（マレイン酸 、フマル酸、ィタコン酸およびシトラコン酸など）のジアルキルエステル、ジシクロアル キルエステル又はジァラルキルエステル {アルキル基の炭素数 1〜40、好ましくは 1 〜20；ジメチル、ジェチル又はジォクチルのマレート、フマレート又はイタコネートなど }など]。 [0068] モノマー（aX— 1)〜（aX— 5)、または必要により用いるモノマー（aZ)は、それぞれ、 単独で用いてもよいし、 2種以上の混合物として用いてもよい。共重合体の場合は、 ランダム共重合体、
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、ずれの構造であってもよ 、。
モノマー（aZ)を用いる場合、（aX—l)、 （aX—2)、 （aX—3)、 （aX—4)又は（aX—5 )と（aZ)とのモル比 { (aX— 1)、 （aX— 2)、 （aX— 3)、 (aX— 4)又は（aX— 5)Z(aZ ) }は、 1〜99Z99〜1が好ましぐさらに好ましくは 10〜90Z90〜10、特に好ましく は 20〜85Ζ80〜15、最も好ましくは 30〜80Ζ70〜20である。
[0069] ポリマー（Α2— 1— 1)の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、スチレン Ζスチレ ンスルホン酸共重合体、ポリ {2— (メタ）アタリロイルァミノ— 2, 2—ジメチルエタンス ルホン酸 }、 2— (メタ）アタリロイルァミノ— 2, 2—ジメチルエタンスルホン酸 Ζスチレ ン共重合体、 2— (メタ）アタリロイルァミノ— 2, 2—ジメチルエタンスルホン酸 Ζアタリ ルアミド共重合体、 2—（メタ）アタリロイルァミノー 2, 2—ジメチルエタンスルホン酸 Ζ スチレン Ζアクリルアミド共重合体などが挙げられる。
[0070] ポリマー（Α2— 2—1)の具体例としては、ポリ {2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレート 硫酸エステル }、 2—ヒドロキシェチルアタリレート Ζ2—ヒドロキシェチルアタリレート 硫酸エステル共重合体、 2—ヒドロキシェチルメタタリレート Ζ2—ヒドロキシェチルメタ タリレート硫酸エステル共重合体などが挙げられる。
[0071] ポリマー（Α2— 3— 1)の具体例としては、ポリ {2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレート リン酸エステル }、 2—ヒドロキシェチルアタリレート Ζ2—ヒドロキシェチルアタリレート リン酸エステル共重合体、 2—ヒドロキシェチルメタタリレート Ζ2—ヒドロキシェチルメ タクリレートリン酸エステル共重合体などが挙げられる。
[0072] ポリマー（Α2—4— 1)の具体例としては、ポリ { (メタ）アタリロイルォキシェチルホスフ エート}、 2—ヒドロキシェチルアタリレート/アタリロイルォキシェチルホスフェート共 重合体、 2—ヒドロキシェチルメタタリレート Ζメタクリロイルォキシェチルホスフェート 共重合体などが挙げられる。
[0073] ポリマー (Α2— 5— 1)の具体例としては、ポリ（メタ）アクリル酸、 （メタ)アクリル酸 Ζ酢 酸ビュル共重合体、 2—ヒドロキシェチルメタタリレート Ζ (メタ)アクリル酸共重合体な どが挙げられる。 [0074] 不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（A2— 1 1)〜（A2— 5— 1)の合成方法としては、公知のラジカル重合法が利用できる。例えば、モノマー（ aX- 1)〜（aX— 5)と必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)から なるモノマーと、ラジカル開始剤（過硫酸塩、ァゾビスアミジノプロパン塩、ァゾビスィ ソブチル-トリルなど）を、モノマーに対して 0. 1〜30重量％用い、水またはアルコー ル系溶剤などの溶媒中で 30〜150°Cの温度にて重合する。必要であれば、メルカプ タンなどの連鎖移動剤を用いてもよ!、。
[0075] ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 1— 2)としては、 不飽和結合を有するポリマー (A2— 1—2— 1)のスルホンィ匕物等が含まれる。
不飽和結合を有するポリマー (A2— 1— 2—1)としては、ブタジエン、イソプレン、水 酸基含有芳香族モノマー (aZ2 - 5)、アミノ基含有芳香族モノマー (aZ4— 1— 3)ま たは不飽和芳香族炭化水素（aZ5— 3)を用いて、ラジカル重合法により得られるポリ マー等が含まれる。この時、これらのブタジエン、イソプレン、モノマー（aZ2— 5)、 (a Z4- 1 - 3)及び (aZ5 - 3)は単独で用いても、 2種以上の混合物として用いてもょ ヽ 。また、これらのモノマーに加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)の うち、ブタジエン、イソプレン、（aZ2— 5)、（&24—1 3)及び（&25— 3)以外のモノ マーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロック共重合体 のいずれであってもよい。
ポリマー（A2— 1— 2)の具体例としては、ポリスチレンのスルホン化物、イソプレン Z スチレン共重合体のスルホンィ匕物などが挙げられる。
[0076] ポリマー（A2— 1— 2)の構成モノマー単位当たりのスルホン化率（モル0 /0)は、水へ の溶解性の観点等から、 50〜： LOO力好ましく、さらに好ましくは 80〜99である。なお 、スルホン化率は、ポリマー（A2— 1— 2)中の構成モノマー単位当たり、いくつのス ルホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのスルホンィ匕物 の場合、スルホン化率が 100%とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して 1つ のスルホン酸基が導入されたことを意味する。スルホンィ匕率は、公知の方法によって 求めることができ、例えば元素分析により炭素原子と硫黄原子との比率を測定する方 法や、結合硫酸量 (JIS K3362 : 1998のァ-オン界面活性剤の定量：対応 ISO 2 271)を測定する方法により求められる。
[0077] ポリマー反応により硫酸基を導入して得られるポリマー (A2— 2— 2)としては、水酸 基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)の硫酸エステルイ匕物等が含まれる。
水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)としては、水酸基含有モノマー（aZ2)を用 いてラジカル重合法により得られるポリマー、後述する (E2)脂肪族多価アルコール の脱水縮合物、（E4)多糖類およびその誘導体、（E7)ノボラック榭脂及び (E8)ポリ フエノールカ 選ばれる高分子多価アルコール等が含まれる。
[0078] 水酸基含有モノマー（aZ2)は単独で用いても、 2種以上の混合物として用いてもょ ヽ 。また、（aZ2)に加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)のうち、（aZ2 )以外のモノマーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロッ ク共重合体の 、ずれの構造であってもよ 、。
[0079] ポリマー（A2— 2— 2)の具体例としては、ポリ {2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレート }の硫酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはェチルセルロースの硫 酸エステルイ匕物などが挙げられる。
[0080] 硫酸エステルイ匕率 (モル0 /0)は、水への溶解性の観点等から、 50〜： LOO力 S好ましく、 さらに好ましくは 80〜99である。
なお、硫酸エステルイ匕率 (モル％)は、水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2—1)の 水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（A2— 2— 2)の硫酸基の量（モル数）との 比で表すことができる。
水酸基を有するポリマー（A2— 2— 2— 1)の水酸基の量は、 JIS K0070— 1992の 水酸基価測定法記載の方法により求めることができ、また、硫酸基の量は、スルホン 化率の場合と同様に求められる。
[0081] ポリマー反応によりリン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 3— 2)としては、水酸 基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)のリン酸エステル化物等が含まれる。
ポリマー (A2— 3— 2)の具体例としては、ポリ {2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレート }のリン酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはェチルセルロースのリ ン酸エステルイ匕物などが挙げられる。
[0082] ポリマー（A2— 3— 2)中のリン酸エステル化率（モル0 /。）は、水への溶解性の観点等 から、 30〜： LOO力 S好ましく、さらに好ましくは 50〜90である。
なお、リンエステルイ匕率 (モル％)は、水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2—1)の水 酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（A2— 3— 2)のリン酸基の量（モル数）との比 で表すことができる。
得られるポリマー (A2— 3— 2)のリン酸基の量は、元素分析による炭素原子とリン原 子との比率により算出できる。なお、得られるリン酸エステルは、モノエステルまたはジ エステルのいずれでもよい。モノエステル及びジエステルが含まれる場合、モノエス テル（m)とジエステル（d)とのモル比（dZm)は、 5〜50 50〜95力 子ましく、さらに 好ましくは 10〜30/70〜90である。このモル比は、 31P— NMRの積分比を用いて 決定できる。
[0083] ポリマー反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー (A2— 4— 2)としては、 不飽和結合を有するポリマー (A2— 1—2— 1)のホスホンィ匕物等が含まれる。
ポリマー (A2—4— 2)具体例としては、ポリスチレンのホスホンィ匕物などが挙げられる
[0084] ポリマー（A2—4— 2)中のホスホン化率（モル％)は、水への溶解性の観点等から、 50〜： L00力 S好ましく、さらに好ましくは 80〜99である。
なお、ホスホン化率は、ポリマー（A2—4— 2)中の構成モノマー単位当たり、いくつ のホスホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのホスホンィ匕 物の場合、ホスホン化率が 100%とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して 1 つのホスホン酸基が導入されたことを意味する。ホスホン化率は、公知の方法によつ て求めることができ、元素分析により炭素原子とリン原子との比率を測定する方法等 が適用できる。
[0085] ポリマー反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー (A2— 5— 2)としては 、水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)のカルボキシメチルイ匕物等が含まれる。
[0086] ポリマー（A2— 5— 2)の具体例としては、ポリ {2—ヒドロキシェチル (メタ）アタリレート }のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセ ルロース、カルボキシメチルェチルセルロースなどが挙げられる。
[0087] ポリマー (A2— 5— 2)中の全水酸基含量に対するカルボキシメチルイ匕率 (モル％)は 、水への溶解性の観点等から、 10〜： L00力 子ましく、さらに好ましくは 20〜70である なお、カルボキシメチル化率 (モル％)は、水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1) の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（A2— 5— 2)のカルボキシル基の量（モ ル数）との比で表すことができる。
カルボキシル基の量は、 JIS K0070— 1992酸価の測定法に準拠して求められる。
[0088] ポリマー (A2— 1— 2)の合成方法としては、水酸基含有芳香族モノマー（aZ2— 5)、 アミノ基含有芳香族モノマー (aZ4 - 1 - 3)または不飽和芳香族炭化水素 (aZ5 - 3) 、及び必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（aZ)を用いて、ポリマー（ A2- 1— 1)〜 (A2— 5— 1)と同様なラジカル重合法により不飽和結合を有するポリ マー (A2— 1 2— 1)を得た後、公知のスルホン化反応により得る方法等が適用で きる。
スルホンィ匕反応法としては、例えば、反応溶剤（例えば、 1, 2—ジクロロェタン、メチ レンジクロリド、塩ィ匕ェチル、四塩化炭素、 1, 1ージクロルェタン、 1, 1, 2, 3—テトラ クロルェタン、クロ口ホルム、エチレンジブロミドなどのスルホン化に不活性な溶剤）、 スルホン化剤（例えば、無水硫酸、クロルスルホン酸など）を仕込んだ後、 0〜50°Cで 反応させ、必要により溶剤をろ過、留去させることによりスルホン化物を得ることができ る。この時のスルホン化剤の使用量 (モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（aZ2 - 5)、アミノ基含有芳香族モノマー (aZ4 - 1 - 3)及び不飽和芳香族炭化水素 (aZ5 3)のモル数に基づいて、 0. 5〜3力 子ましく、さらに好ましくは 1〜2. 5である。溶 剤の使用量 (重量％)は、該ポリマーの分子量にもよる力 原料ポリマーに対して通 常 1〜30、好ましくは、 2〜20である。
反応後のポリマー溶液に、窒素含有塩基性化合物（B)または (B)の水溶液若しくは 後述の水溶性溶剤（D)溶液を加え、中和した後に、必要により水又は溶剤（D)を濾 過、留去などによって分離して中和塩 (AB2)を得ることにより、直接本発明の界面活 性剤を得てもよい（以下、ポリマー (A2— 2— 2)、ポリマー (A2— 3— 2)、ポリマー (A 2-4- 2) ,ポリマー (A2— 5— 2)を用いる場合も同様である）。
[0089] ポリマー（A2— 2— 2)の合成方法としては、水酸基を有するポリマー（A2— 2— 2— 1)を公知の硫酸エステルイ匕反応により硫酸エステルイ匕させる方法等が適用できる。 硫酸エステルイ匕反応としては、例えば、反応溶剤（例えば、 n—へキサン、シクロへキ サン等の脂肪族炭化水素、トルエン等の芳香族炭化水素、前記スルホンィ匕反応で例 示した反応溶剤等)及び硫酸エステル化剤 (VI)〜 (V4)を用いた公知の方法が利 用できる。例えば (VI)クロロスルホン酸を用いる方法、（V2)サルファンを用いる方 法、（V3)スルフアミン酸を用いる方法、（V4)硫酸を用いる方法等が挙げられる。な お、（V2)のサルファンについては、通常、乾燥窒素等で 1〜30容量％程度に希釈 して用いる。反応温度は、 (VI) , (V2)の場合、通常 0〜70°C、好ましくは 10〜50 °Cである。 （V3)、 （V4)の場合、通常 50〜150°C、好ましくは 60〜130°Cである。こ れらの硫酸エステル化剤の使用量 (モル比）は、水酸基を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)中の水酸基のモル数に基づいて、 1〜3が好ましぐさらに好ましくは 1. 5〜2 . 5である。
[0090] ポリマー（A2— 3— 2)の合成方法としては、ポリマー（A2— 2— 2)と同様に、水酸基 を有するポリマー (A2— 2— 2— 1)を公知のリン酸エステルイ匕反応によりリン酸エステ ル化させる方法等が適用できる。
リン酸エステルイ匕反応としては、リン酸エステル化剤 (ォキシハロゲン化リン、五酸ィ匕 二リンなど）を用いた公知の方法が利用できる。このリン酸エステルイ匕反応は、窒素 雰囲気下、無溶媒でも行える力 ァセトニトリル、 1, 4—ジォキサン、テトラヒドロフラン 、ジメチルホルムアミド（DMF)、ジメチルスルホキシド（DMSO)、四塩化炭素、クロ口 ホルムなどの溶媒を用いてもよい。反応温度は、用いるリン酸エステル化剤によって 異なるが、通常— 30〜150°Cであり、好ましくは 20〜50°Cである。リン酸エステルイ匕 剤の使用量（モル比）は、ポリマー（A2— 2— 1)中の水酸基のモル数に基づいて、リ ン酸モノエステルを主成分として得る場合、 0. 8〜1. 5が好ましぐさらに好ましくは 0 . 95-1. 1であり、リン酸ジエステノレを主成分として得る場合、 1. 7〜2. 5力 S好ましく 、さらに好ましくは 1. 8〜2. 2である。
[0091] ポリマー（A2— 4— 2)の合成方法としては、ポリマー（A2— 1— 2)と同様に、不飽和 結合を有するポリマー（A2— 1—2— 1)を公知のホスホン化反応によりホスホン化す る方法等が適用できる。 ホスホンィ匕反応法としては、公知の方法が利用できる。例えば、（P1)無水塩化アルミ
-ゥム存在下、クロロメチルエーテル等と反応させ、芳香環にハロメチル基を導入後 、これに三塩化リンと無水塩ィ匕アルミニウムを加え、更に加水分解反応によりホスホン 酸基を導入する方法、（P2)三塩化リンと無水塩ィ匕アルミニウムを加えて反応させ、芳 香環にホスフィン酸基を導入後、硝酸によりホスフィン酸基を酸ィ匕してホスホン酸基と する方法が挙げられる。反応温度は、通常 10°C〜150°Cであり、好ましくは 40〜： LO 0°Cである。ホスホン化剤の使用量 (モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（aZ2— 5)、アミノ基含有芳香族モノマー (aZ4 - 1 - 2)及び不飽和芳香族炭化水素 (aZ5 - 3)のモル数に基づいて、 0. 5〜3が好ましぐさらに好ましくは 1〜2. 5である。
[0092] ポリマー（A2— 5— 2)の合成方法としては、ポリマー（A2— 2— 2)と同様に、水酸基 を有するポリマー（A2— 2— 2— 1)を公知のカルボキシメチル化反応によりカルボキ シメチルイ匕する方法等が適用できる。
カルボキシメチルイ匕反応法としては、例えば、窒素雰囲気下でモノクロル酢酸ナトリウ ム等のモノハロゲンィ匕低級カルボン酸塩と苛性アルカリ（水酸ィ匕カリウムなど）および 必要により溶媒 (トルエンなど)の存在下、脱塩反応する方法等が挙げられる。反応 温度は通常 30〜100°C、好ましくは 40〜70°Cである。
[0093] ポリマー (A2— 1 3)を合成する際に用いるスルホン酸基を有する芳香族化合物（a Y— 1)としては、ァリールスルホン酸（ベンゼンスルホン酸など）、アルキル（炭素数 1 〜24)ァリールスルホン酸（トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、モノブ チルビフエニルスルホン酸など）、多環芳香族スルホン酸（ナフタレンスルホン酸、ァ ントラセンスルホン酸、ヒドロキシナフタレンスルホン酸、ヒドロキシアントラセンスルホ ン酸など）、アルキル (炭素数 1〜24)置換多環芳香族スルホン酸 {アルキル (炭素数 1〜24)ナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスル ホン酸、イソプロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、ォクチル ナフタレンスルホン酸、ラウリルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン 酸など）、メチルアントラセンスルホン酸、ラウリルアントラセンスルホン酸、エイコシル アントラセンスルホン酸など }、フエノールスルホン酸（フエノールスルホン酸、モノブチ ルフエ-ルフエノールモノスルホン酸、ジブチルフエ-ルフエノールジスルホン酸など )、アルキル（炭素数 1〜24)フエノールスルホン酸（タレゾールスルホン酸、ノ -ルフ エノールスルホン酸、エイコシルフエノールスルホン酸など）、芳香族アミノスルホン酸 (ァ-リンスルホン酸など）、リグ-ンスルホン酸（リグ-ンスルホン酸塩、変性リグニン スルホン酸）、トリアジン環を有するスルホン酸基含有化合物 (メラミンスルホン酸など) などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル (炭素数 1〜24)ァリールスルホ ン酸、多環芳香族スルホン酸、アルキル (炭素数 1〜24)置換多環芳香族スルホン酸 が好ましぐさらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジ メチルナフタレンスルホン酸である。
[0094] ポリマー (A2— 4 3)を合成する際に用いるホスホン酸基を有する芳香族化合物（a Y— 4)としては、ァリールホスホン酸（ベンゼンホスホン酸など）、アルキル (炭素数 1 〜24)ァリールホスホン酸（トルエンホスホン酸、ドデシルベンゼンホスホン酸、モノブ チルビフエ-ルホスホン酸など）、多環芳香族ホスホン酸（ナフタレンホスホン酸、アン トラセンホスホン酸、ヒドロキシナフタレンホスホン酸、ヒドロキシアントラセンホスホン酸 など）、アルキル (炭素数 1〜24)置換多環芳香族ホスホン酸 {アルキル (炭素数 1〜2 4)ナフタレンホスホン酸（メチノレナフタレンホスホン酸、ジメチノレナフタレンホスホン酸 、イソプロピルナフタレンホスホン酸、ブチルナフタレンホスホン酸、ラウリルナフタレン ホスホン酸、エイコシノレナフタレンホスホン酸など）、メチノレアントラセンホスホン酸、ラ ゥリルアントラセンホスホン酸、エイコシルアントラセンホスホン酸など }、フエノールホ スホン酸（フエノールホスホン酸、モノブチルフエ-ルフエノールモノホスホン酸、ジブ チルフエ-ルフエノールジホスホン酸など）、アルキル（炭素数 1〜24)フエノールホス ホン酸（タレゾールホスホン酸、ノ-ルフエノールホスホン酸、エイコシルフエノールホ スホン酸など）、芳香族ァミノホスホン酸 (ァニリンホスホン酸など)などが挙げられる。 これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル (炭素数 1〜24)ァリールホスホ ン酸、多環芳香族ホスホン酸、アルキル (炭素数 1〜24)置換多環芳香族ホスホン酸 が好ましぐさらに好ましくはドデシルベンゼンホスホン酸、ナフタレンホスホン酸、ジメ チルナフタレンホスホン酸である。
[0095] ポリマー (A2— 5— 3)を合成する際に用いるカルボキシル基を有する芳香族化合物 (aY— 5)としては、ァリールカルボン酸 (安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、イソフタル 酸など）、多環芳香族カルボン酸 (ナフタリンカルボン酸、ナフタリンジカルボン酸、 4 , 5—フエナントレンジカルボン酸、アントラセンカルボン酸、ォキシナフトェ酸など）な どが挙げられる。
これらの内で重縮合性の観点から、安息香酸及びヒドロキシ安息香酸が好ま 、。
[0096] ポリマー（A2— 1— 3)、 (A2-4- 3) , (A2— 5— 3)には、スルホン酸基を有する芳 香族化合物（aY— 1)、ホスホン酸基を有する芳香族化合物（aY— 4)、カルボキシル 基を有する芳香族化合物 (aY— 5)以外に、必要によりその他の芳香族化合物 (aO) や尿素等を構成成分とすることができる。
その他の芳香族化合物（aO)としては、ベンゼン、アルキルベンゼン（アルキル基の 炭素数 1〜20)、ナフタレン、アルキルナフタレン（アルキル基の炭素数 1〜20)、フエ ノール、クレゾール、ヒドロキシナフタレン、ァ-リンなどが挙げられる。
[0097] ポリマー（A2— 1— 3)の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合 物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホ ン酸ホルムアルデヒド縮合物、ォクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 、ナフタレンスルホン酸ーメチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンス ルホン酸ーォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスル ホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸一クレゾ一ルスルホ ン酸ーホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メ ラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ァ-リンスルホン酸—フエノールーホルム アルデヒド縮合物などが挙げられる。
[0098] ポリマー（A2— 4 3)の具体例としては、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合 物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン 酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ァ-リン ホスホン酸—フ ノール ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
[0099] ポリマー (A2— 5— 3)の具体例としては、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香 酸 フエノールーホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
[0100] ポリマー（A2— 1— 3)、（A2— 4 3)及び (A2— 5— 3)の合成方法としては、公知 の方法が利用できる。例えば、上記スルホン酸基を有する芳香族化合物（aY— 1)、 ホスホン酸基を有する芳香族化合物（aY— 4)またはカルボキシル基を有する芳香族 化合物（aY— 5)と、必要によりその他の化合物（aO)や尿素、触媒として用いる酸（ 硫酸など)またはアルカリ（水酸化ナトリウムなど）を反応容器に仕込み、 70〜90°Cの 攪拌下で所定量のホルマリン水溶液 (例えば 37重量％水溶液)を 1〜4時間かけて 滴下し、滴下後、還流下で 3〜30時間攪拌して冷却する方法が挙げられる。
また化合物（aY— 1)、 （aY— 4)または（aY— 5)は、予め一部または全部のスルホン 酸基、ホスホン酸基またはカルボキシル基を窒素含有塩基性ィ匕合物（B)で中和した ものを用いて、ポリマー (A2— 1— 3)、 （A2— 4— 3)又は (A2— 5— 3)を合成すると 同時に直接中和塩 (AB2)を得てもよい。
その他の化合物（aO)を用いる場合、（aY— 1)、 （aY— 4)又は（aY— 5)と（aO)との モル比 { (aY—l)、 （&¥—4)又は（&丫ー5)7(&0) }は、 1〜99 99〜1カ 子ましく、 さら【こ好ましく ίま 10〜90/90〜10、特【こ好ましく ίま 30〜85/70〜15、最ち好まし くは 50〜80Ζ50〜20である。
[0101] 尿素を用いる場合、（aY— 1)、 （aY— 4)又は（aY— 5)と尿素とのモル比 { (aY— 1) 、（aY— 4)又は（aY— 5)Z尿素 }は、 1〜99 99〜1が好ましぐさらに好ましくは 1 0〜90Z90〜10、特に好ましくは 30〜85Ζ70〜15、最も好ましくは 50〜80,50 〜 20である。
[0102] また、（aY—l)、（aY—4)、（aY— 5)または（aO)は 2種以上の混合物として用いて ちょい。
ポリマー (A2)の pKaは、 8. 0以下が好ましぐゼータ電位を下げるという観点等から 、さらに好ましくは 7. 0以下、特に好ましくは 5. 5以下、最も好ましくは 3. 0以下であ る。 pKaは、前記の方法により求めることができる。
[0103] ポリマー (A2)の重量平均分子量 (以下、 Mwと略記。 )は、再付着防止性および低 泡' 14の観^;等力ら、 300〜800, 000力 S好ましく、さらに好ましく ίま 600〜400, 000 、特に好ましくは 1, 000〜80, 000、最も好ましくは 2, 000〜40, 000である。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー（以下、 GPCと略記 。）によって、ポリエチレンォキシドを標準物質として 40°Cで測定される値である。たと えば、装置本体:東ソー (株)製 HLC— 8120、カラム:東ソー (株)製 TSKgel G500 0 PWXL、G3000 PW XL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離 液： 0. 2M無水硫酸ナトリウム、 10%ァセトニトリル緩衝液、溶離液流量： 0. 8mlZ分 、カラム温度: 40°C、試料： 1. 0重量％の溶離液溶液、注入量： 100 1、標準物質： 東ソー（株）製 TSK SE— 30、 SE— 15、 SE— 8、 SE— 5。
[0104] 次に、中和塩 (AB1)及び (AB2)の窒素含有塩基性ィ匕合物（B)について説明する。
本発明では、窒素含有塩基性ィ匕合物 (B)として、プロトン付加反応における生成熱 変化（Q2)が 10〜152kcalZmolであるものを用いる。
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化 (Q2)とは、下記式（5)に示 す窒素含有塩基性化合物（B)のプロトン付加反応における Bの生成熱と H+Bの生 成熟との差を意味する。
B + H+→H+B (5)
[0105] すなわち、 Q2は下記式（7)で表される。
Q2= Δ H° — Δ H° (7)
f H+B f B
[式中、 Δ H° 、 Δ H°は、それぞれ順に、 H+B、 Bについての真空中における生
f H+B f B
成熟を表す。 ]
[0106] 生成熱（Δ H°)の値は、上述したように、半経験的分子軌道法 (MOPAC PM3法）
f
を用いて計算することができる。
なお、 H+Bの生成熱を計算する際の H+を付加させる位置は、化合物 ）に含まれ る窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成 熱を計算し、 Bの生成熱と H+Bの生成熱の差が最小になる時の値を生成熱変化 (Q 2)とする。
[0107] 化合物（B)のプロトン付加反応における生成熱変化（Q2) (kcal/moU 25°C)は、 1 0〜 152であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは 30〜148、より好ま しく ίま 40〜145、更に好ましく ίま 50〜143、特に好ましく ίま 90〜140、最も好ましく は 100〜138ある。
[0108] 窒素含有塩基性化合物 (Β)は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化 (Q2) 力 SlO〜152kcalZmolの範囲にあれば制限なぐ例えば、分子内に少なくとも 1つの グァニジン骨格を有する化合物（B— 1)、分子内に少なくとも 1つのアミジン骨格を有 する化合物（B— 2)、分子内に少なくとも 1つの N = P— N骨格を有する化合物（B— 3)、プロトンスポンジ誘導体 (B— 4)などが含まれる。
[0109] 化合物（B)の分子体積 (nm3)は、 0. 025-0. 7が好ましぐゼータ電位を下げると いう観点等力ら、さらに好ましくは 0. 050-0. 5、特に好ましくは 0. 12-0. 36であ る。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法 である MM2 (Allinger, N. L. , J. Am. Chem. Soc. , 99, 8127 (1977) )及び 半経験的分子軌道法である PM3 (Stewart, J. J. P. , J. Am. Chem. Soc. , 10, 221 (1989) )を用いて計算した最適化構造力も得ることができる。たとえば、前記の 富士通株式会社製「CAChe Worksystem6. 01」を用いて、同様に構造最適化し た後、「Project Leader」上で半経験的分子軌道法である「PM3 geomety」により 、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合に ついては、最大値を用いる。
[0110] 化合物（B—1)の具体例としては、グァ-ジン {グァ-ジン（Q2= 147kcalZmol、分 子体積 =0. 062nm3)、メチルダァ-ジン（Q2= 144kcal/mol、分子体積 =0. 08 4nm3)、テトラメチルダァ-ジン（Q2= 145kcal/mol、分子体積 =0. 147nm3)、 ェチルダァ-ジン（Q2= 142kcal/mol、分子体積 =0. 104nm3)、フエ-ルグァ- ジン（Q2= 141kcalZmol、分子体積 =0. 139nm3)など }、単環式グァ-ジン [2— ァミノ一イミダゾール { 2 -ァミノ 1H イミダゾール（Q2 = 146kcal/mol、分子体 積 =0. 080nm3)、 2 ジメチルァミノ— 1H—イミダゾール（Q2= 138kcal/mol、 分子体積 =0. 113nm3)、 2 ァミノ一 4, 5 ジヒドロ一 1H—イミダゾール（Q2= 14 7kcal/mol、分子体積 =0. 113nm3)、 2 ジメチルァミノ一 4, 5 ジヒドロ一 1H— イミダゾール（Q2= 143kcal/mol、分子体積 =0. 133nm3)など）、 2 アミノ一テ トラヒドロピリミジン {2 ァミノ一 1, 4, 5, 6—テトラヒドロ一ピリミジン（Q2= 145kcal /mol、分子体積 =0. 113nm3)、 2 ジメチルァミノ一 1, 4, 5, 6—テトラヒドローピ リミジン（Q2= 140kcal/mol、分子体積 =0. 152nm3)など）、 2 ァミノ一ジヒドロ ピリミジン {2 ァミノ一 1, 6 (4)—ジヒドロピリミジン（Q2= 147kcal/mol、分子体積 =0. 113nm )、 2 ジメチルァミノ一 1, 6 (4) ジヒドロピリミジン（Q2= 143kcal/ mol、分子体積 =0. 142nm3)など }、多環式グァ-ジン { 1, 3, 4, 6, 7, 8 へキサ ヒドロ一 2H—ピリミド [1, 2— a]ピリミジン（以下 TBDと略記）（Q2= 147kcalZmol、 分子体積 =0. 159nm3)や 1, 3, 4, 6, 7, 8 へキサヒドロ一 1—メチル 2H ピリ ミド [1, 2— a]ピリミジン（以下 MTBDと略記）（Q2= 139kcalZmol、分子体積 =0. 180nm3)など }などが挙げられる。
[0111] 化合物（B— 2)の具体例 しては、イミダゾール { 1H—イミダゾール（Q2= 147kcal /mol、分子体積 =0. 067nm3)、 2—メチル 1H—イミダゾール（Q2= 144kcal /mol、分子体積 =0. 113nm3)、 2 ェチル 1H—イミダゾール（Q2 = 143kcal /mol、分子体積 =0. 113nm3)、4, 5 ジヒドロ 1H—イミダゾール（Q2= 147k cal/mol、分子体積 =0. 113nm3)、 2—メチルー 4, 5 ジヒドロ一 1H—イミダゾー ル（Q2= 147kcal/mol、分子体積 =0. 113nm3)、 2 ェチル 4, 5 ジヒドロ— 1H—イミダゾール（Q2= 145kcal/mol、分子体積 =0. 119nm3)など）、テトラヒド 口ピリミジン { 1, 4, 5, 6—テトラヒドロピリミジン（Q2= 151kcal/mol、分子体積 =0 . 113nm3)、 2—メチルー 1, 4, 5, 6—テトラヒドロピリミジン（Q2= 148kcal/mol、 分子体積 =0. 119nm3)など }、ジヒドロピリミジン { 1, 6 (4) ジヒドロピリミジン (Q2 = 147kcal/mol、分子体積 =0. 088nm3)、 2—メチル 1, 6 (4)—ジヒドロピリミ ジン（Q2= 143kcalZmol、分子体積 =0. 113nm3)など }、下記一般式（15)で表 される 2環式アミジンなどが挙げられる。
[0112] [化 1]
Figure imgf000033_0001
[0113] {式中、 R7及び R8は、互いに独立して水素原子、炭素数 1〜24のアルキル基、炭素 数 2〜24のァルケ-ル基、炭素数 2〜30のアルキ-ル基、炭素数 6〜30のァリール 基、炭素数 7〜30のァリールアルキル基を表し、アルキル基、ァルケ-ル基、アルキ -ル基、ァリール基及びァリールアルキル基中の水素原子の一部又は全部が水酸 基、アミノ基、（ジ)アルキル (炭素数 1〜24)アミノ基、（ジ)ヒドロキシアルキル (炭素 数 2〜4)アミノ基、メルカプト基またはハロゲン原子 (フッ素原子、塩素原子、臭素原 子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また 2つの R7及び 2つの R8は、 同一であってもよいし異なっていてもよぐ互いに結合 (炭素—炭素結合、エーテル 結合等）して炭素数 4〜 12の環を形成してもよ 、。 mおよび nは互 、に独立して 1〜 1 2の整数を表す。 }
[0114] 炭素数 1〜24のアルキル基又は炭素数 2〜24のァルケ-ル基としては、疎水基 (Y) で例示したアルキル基又はァルケ-ル基の内、炭素数 1〜24のものが挙げられる。 炭素数 2〜30のアルキニル基としては、直鎖状及び分岐状のいずれでもよぐェチ -ル、 1 プロビュル、 2—プロビュル、 1一又は 2—ドデシ-ル、 1一又は 2—トリデシ -ル、 1一又は 2—テトラデシ-ル、 1一又は 2—へキサデシ-ル、 1一又は 2—ステア リニル、 1一又は 2—ノナデシニル、 1一又は 2—エイコシニル、 1一又は 2—テトラコシ -ルが挙げられる。
[0115] 炭素数 6〜30のァリール基としては、フエ-ル、トリル、キシリル、ナフチル及びメチル ナフチルなどが挙げられる。
炭素数 7〜30のァリールアルキル基としては、ベンジル、 2 フエ-ルェチル、 3 フ ェ-ノレプロピノレ、 4—フエ-ノレブチノレ、 5—フエ-ノレペンチノレ、 6—フエ-ノレへキシノレ、 7 フエ-ルヘプチル、 8 フエ-ルォクチル、 10 フエ-ルデシル、 12 フエ-ル ドデシル、ナフチルメチル、ナフチルェチルなどが挙げられる。
[0116] 2つの R7又は 2つの R8が互いに結合して炭素数 4〜 12の環を形成する場合、 2つの R7又は 2つの R8は、 2価の有機基 (炭素数 4〜 12のアルキレン基等）を形成する。 炭素数 4〜 12のアルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、へキシレン、ヘプチレ ン、オタチレン、デシレン、ドデシレンなどが挙げられ、これらのアルキレン基はエーテ ル結合等で結合されて 、てもよ 、。 [0117] 一般式（15)で表される化合物の具体例としては、 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]ゥ ンデセンー7 (以下 DBUと略記。なお、 DBUはサンァプロ社の登録商標である。 ) (Q 2= 137kcalZmol、分子体積 =0. 185nm3)、 1, 5 ジァザビシクロ [4. 3. 0]ノネ ン一 5 (以下 DBNと略記）（Q2= 141kcal/mol、分子体積 =0. 146nm3)、 1, 8— ジァザビシクロ [5. 3. 0]デセン一 7 (Q2= 142kcal/mol、分子体積 =0. 166nm3 )、 1, 4 ジァザビ クロ [3. 3. 0]オタテン一 4 (Q2= 146kcal/mol、分子体積 = 0. 126nm3)、 1, 5 ジァザビシクロ [4. 4. 0]デセン一 5 (Q2= 143kcalZmol、分 子体積 =0. 166nm3)、 6 ジメチルァミノ一 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]ゥンデ セン一 7 (Q2= 133kcal/mol、分子体積 =0. 238nm3)、 6 ジブチルァミノ一 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]ゥンデセン一 7 (Q2= 137kcalZmol、分子体積 =0. 355nm3)、 6— (2—ヒドロキシェチル） 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]— 7 ゥン デセン（Q2= 139kcal/mol、分子体積 =0. 229nm3)、 6— (2 ヒドロキシプロピ ル）— 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]— 7 ゥンデセン（Q2= 138kcalZmol、分子 体積 =0. 250nm3)、 7— (2 ヒドロキシェチル） 1, 5 ジァザビシクロ [4. 3. 0] — 5 ノネン（Q2= 142kcal/mol、分子体積 =0. 192nm3)、 7— (2 ヒドロキシ プロピル）一 1, 5 ジァザビシクロ [4. 3. 0]— 5 ノネン（Q2= 142kcalZmol、分 子体積 =0. 211nm3)、 6 ジ（2 ヒドロキシェチル）ァミノ一 1, 8 ジァザビシクロ [ 5. 4. 0]— 7 ゥンデセン（Q2= 137kcalZmol、分子体積 =0. 287nm3)などが 挙げられる。
[0118] 化合物（B— 3)としては、下記一般式（16)で表されるホスファゼンィ匕合物等が挙げら れる。
[0119] [化 2]
Figure imgf000035_0001
[0120] [式中 R9、 R1Gは、互いに独立して、水素原子、炭素数 1〜24のアルキル基、炭素数 2〜24のァルケ-ル基、炭素数 6〜24のァリール基および炭素数 7〜24のァリール アルキル基を表す。また、 R9、 R1G中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基ま たはハロゲン原子 (フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置 換されていてもよい。また、複数の R1Gは同一であってもよいし異なっていてもよぐ隣 接する は互いに結合 (炭素-炭素結合、エーテル結合等)して炭素数 4〜 12の 環を形成してもよい。 kは 1〜4の整数を表す。 ]
[0121] 一般式（16)中の炭素数 1〜24のアルキル基、炭素数 2〜24のアルケニル基、炭素 数 6〜24のァリール基および炭素数 7〜24のァリールアルキル基としては、前記の R 1、 R8と同様のものが挙げられる。
隣接する R1Gが環を形成する場合、 2つの R1Gは前記の R7、 R8と同様に 2価の有機基 を形成する。
[0122] 一般式（16)で示される化合物の具体例としては、 H[N = P (dma) ]N (CH ) (Q2
2 3 2
= 122kcalZmol、分子体積 = 0. 217nm3)、 Me[N = P (dma) ]N (CH ) (Q2 =
2 3 2
128kcalZmol、分子体積 =0. 237nm3)、 Et[N = P (dma) ]N (CH ) (Q2 = 12
2 3 2
5kcalZmol、分子体積 =0. 260nm3)、 t— Bu[N=P (dma) ]N (CH ) (Q2= l
2 3 2
07kcalZmol、分子体積 =0. 298nm3)、 Ph[N = P (dma) ]N (CH ) (Q2= 129
2 3 2
kcal/moU分子体積 =0. 294nm3)、 CH CH = CH[N = P (dma) ]N (CH ) (
3 2 3 2
Q2= 123kcal/mol、分子体積 =0. 270nm3)、 4— Me— C H [N = P (dma) ]
6 4 2
N (CH ) (Q2= 126kcalZmol、分子体積 =0. 311nm3)、 H[N = P (pyrr) ] (py
3 2 2 rr) (Q2 = 121kcal/mol、分子体積 = 0. 293nm3)、 Me[N = P (pyrr) ] (pyrr) (
2
Q2= 125kcal/mol、分子体積 =0. 314nm3)、 Et[N = P (pyrr) ] (pyrr) (Q2 =
2
123kcalZmol、分子体積 =0. 339nm3)、 t— Bu[N=P (pyrr) ] (pyrr) (Q2= l
2
22kcalZmol、分子体積 =0. 373nm3)、 Ph[N = P (pyrr) ] (pyrr) (Q2= 123kc
2
al/mol、分子体積 =0. 370nm3)、 4— Me— C H [N = P (pyrr) ] (pyrr) (Q2 =
6 4 2
122kcal/moU分子体積 =0. 390nm3)などが挙げられる。なお、 Meはメチル、 E tはェチル、 Phはフエ-ル、 t— Buは t—ブチル、（dma)はジメチルアミ入（pyrr)は 1 ピロリジニリルを表す。 [0123] プロトンスポンジ誘導体（B— 4)としては、 1, 8 ビス（ジメチルァミノ）ナフタレン（Q2 = 138kcalZmol、分子体積 =0. 249nm3)、 1—ジメチルァミノ一 8—メチルァミノ —キノリジン（Q2= 126kcal/mol、分子体積 =0. 221nm3)、 1—ジメチルァミノ一 7—メチル 8—メチルァミノ一キノリジン（Q2= 132kcal/mol、分子体積 =0. 240 nm3)、 1 -ジメチルァミノ 7 メチル - 8—メチルァミノ一イソキノリン（Q2 = 128kc al/mol、分子体積 =0. 242nm3)、 7—メチル 1, 8 メチルアミノー 2, 7 ナフ チリジン（Q2= 118kcal/mol、分子体積 =0. 211nm3)、 2, 7 ジメチル— 1, 8 —メチルァミノ一 2, 7 ナフチリジン（Q2= 120kcal/mol、分子体積 =0. 230nm 3)などが挙げられる。
[0124] 化合物（B)としては、ゼータ電位の観点等から、（B— 1)の内、グァ-ジン、メチルダ ァニジン、ェチノレグァニジン、 TBD、 MTBD、（B— 2)の内、 DBU、 DBN、（B— 3) の内、 H[N = P (dma) ]N (CH ) 、Me[N = P (dma) ]N (CH ) 、Et[N = P (dm
2 3 2 2 3 2
a) ]N (CH ) 、 t Bu[N = P (dma) ]N (CH ) 、Et[N = P (dma) ] N (CH ) 、
2 3 2 2 3 2 2 2 3 2
Ph[N = P (dma) ]N (CH ) 、H[N = P (pyrr) ] (pyrr)、 Me [N=P (pyrr) ] (pyr
2 3 2 2 2 r)、 （B— 4)の内、 1, 8 ビス（ジメチルァミノ）ナフタレン、 1—ジメチルァミノ一 8—メ チルァミノ -キノリジン、 1 -ジメチルァミノ 7 メチル - 8 メチルァミノ一イソキノリ ン、 7—メチル 1, 8—メチルァミノ一 2, 7 ナフチリジンが好ましぐさらに好ましく はグァニジン、メチノレグァニジン、ェチノレグァニジン、 TBD、 MTBD、 DBUならびに DBN、特に好ましくは TBD、 MTBD、 DBUならびに DBNである。
化合物 ）は、単独で用いてもよぐ 2種以上の混合物として用いてもよい。
[0125] また化合物（B)の pKaは、 11〜40力 子ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から 、さらに好ましくは 11. 5〜30、特に好ましくは 12〜25である。
なお、化合物（B)の pKaは、公知の方法 {例えば、 Can. J. Chem. 65, 626 (1987 ) }等により得られる。
[0126] 本発明において、酸性ィ匕合物 (A1)と化合物（B)との中和塩 (AB1)、ポリマー (A2) と化合物（B)との中和塩 (AB2)は、酸基 (XI)又は (X2)の一部若しくは全部が（B) で中和されて ヽればよ!/ヽ。
[0127] 中和塩 (AB1)の具体例としては、以下の化合物等が含まれる。 アルキルベンゼンスルホン酸塩（トルエンスルホン酸グァ-ジン塩、トルエンスルホン 酸 DBU塩、トルエンスルホン酸 DBN塩、キシレンスルホン酸グァ-ジン塩、キシレン スルホン酸 DBU塩、キシレンスルホン酸 DBN塩、ドデシルベンゼンスルホン酸グァ 二ジン塩、ドデシルベンゼンスルホン酸 DBU塩、ドデシルベンゼンスルホン酸 DBN 塩、ドデシノレベンゼンスノレホン酸 Et[N = P (dma) ] N (CH ) 塩など）、ナフタレン
2 2 3 2
スルホン酸塩（ナフタレンスルホン酸グァ-ジン塩、ナフタレンスルホン酸 DBU塩、ナ フタレンスルホン酸 DBN塩など）、
アルキルナフタレンスルホン酸塩（メチルナフタレンスルホン酸グァ-ジン塩、メチル ナフタレンスルホン酸 DBU塩、メチルナフタレンスルホン酸 DBN塩、ドデシルナフタ レンスルホン酸グァ-ジン塩、ドデシルナフタレンスルホン酸 DBU塩、ドデシルナフ タレンスノレホン酸 DBN塩など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸塩（ポリオキシエチレンラウリルェ 一テルスルホン酸グァ-ジン塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸 DB U塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸 DBN塩など）、
ポリオキシアルキレンアルキルァリールエーテルスルホン酸塩（ポリオキシエチレンォ クチルフエ-ルエーテルスルホン酸グァ-ジン塩、ポリオキシエチレンォクチルフエ- ルエーテルスルホン酸 DBU塩、ポリオキシエチレンォクチルフエ-ルエーテルスルホ ン酸 DBN塩など）、
スルホコハク酸塩 ( (ジ） 2 -ェチルへキシルスルホコハク酸グァ-ジン塩、 （ジ） 2—ェ チルへキシルスルホコハク酸 DBU塩、（ジ） 2—ェチルへキシルスルホコハク酸 DBN 塩など）、
アルキロィルアミノエチルスルホン酸（ラウリロイル -N-メチルアミノエチルスルホン 酸グァ-ジン塩、ラウリロイルー N—メチルアミノエチルスルホン酸 DBU塩、ラウリロイ ルー N—メチルアミノエチルスルホン酸 DBN塩など）など。
中和塩 (AB2)の具体例としては、以下の化合物等が含まれる。
ポリスチレンスルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸グァ-ジン塩、ポリスチレンスルホ ン酸 DBU塩、ポリスチレンスノレホン酸 DBN塩など）、
ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸ホルムアル デヒド縮合物グァ-ジン塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBU塩、 ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、ナフタレンスルホン酸ホルム アルデヒド縮合物 TBD塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩 など)、
アルキルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（メチルナフタレンスルホ ン酸ホルムアルデヒド縮合物グァ-ジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアル デヒド縮合物 DBU塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、 メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 TBD塩、メチルナフタレンスルホ ン酸ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩、ォクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデ ヒド縮合物グァ-ジン塩、ォクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DB U塩、ォクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、ォクチルナフ タレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 TBD塩、ォクチルナフタレンスルホン酸ホ ルムアルデヒド縮合物 MTBD塩など）、
ナフタレンスルホン酸—アルキルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレ ンスルホン酸 ォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物グァ-ジン塩、ナフタレ ンスルホン酸ーォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物 DBU塩、ナフタレンス ルホン酸ーォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、ナフタレンスルホ ン酸 ォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物 TBD塩、ナフタレンスルホン酸 ーォクチルナフタレン ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩など）、
ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ヒドロキシナフタレンス ルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グァ-ジン塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホル ムアルデヒド縮合物 DBU塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 TBD塩、ヒドロキシ ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩など）、
ヒドロキシナフタレンスルホン酸一クレゾ一ルスルホン酸一ホルムアルデヒド縮合物の 塩（ヒドロキシナフタレンスルホン酸 クレゾ一ルスルホン酸 ホルムアルデヒド縮合 物グァ-ジン塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸一クレゾ一ルスルホン酸一ホルムァ ルデヒド縮合物 DBU塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸—クレゾ一ルスルホン酸— ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸一クレゾ一ルスルホ ン酸—ホルムアルデヒド縮合物 TBD塩、ヒドロキシナフタレンスルホン酸—タレゾール スルホン酸 -ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩など）、
メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩 (メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド 縮合物グァ-ジン塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBU塩、メラミンス ルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 DBN塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合 物 TBD塩、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物 MTBD塩など）など。
(AB1)、 （AB2)は、単独または 2種以上の混合物であってもよい。
[0128] 中和塩 (AB1)は、ゼータ電位を低下させる観点等から、（Q1)と（Q2)との比 {Q2Z
(Ql X n) }が式（9)を満たすことが好ましぐさらに好ましくは式（10)、特に好ましくは 式（ 11 )、最も好ましくは式（ 12)を満たすことが好ま 、。
0. 01≤{Q2/ (Ql X n) }≤3. 0 (9)
0. l≤{Q2/ (Ql X n) }≤2. 5 (10)
0. 2≤{Q2/ (Ql X n) }≤2. 3 (11)
0. 5≤{Q2/ (Ql X n) }≤2. 2 (12)
[0129] 中和塩 (AB2)の重量平均分子量 (Mw)は、再付着防止性および低泡性の観点等 力ら、 1, 000〜1, 000, 000力 S好まし <、さらに好まし <ίま 2, 000〜500, 000、特に 好まし <は 5, 000〜風 000、最も好まし <は 5, 000〜20, 000である。なお、中 和塩 (ΑΒ2)の Mwは、ポリマー（A2)と同様に GPCにより得られる値である。
[0130] 本発明の界面活性剤は、中和塩 (AB1)及び (AB2)の少なくとも 1つ含有すればよ いが、泡立ちの観点等から、中和塩 (AB2)を含むものが好ましい。
[0131] 中和塩 (AB1)または (AB2)は、酸性ィ匕合物 (A1)又はポリマー (A2)と窒素含有塩 基性ィ匕合物 (B)との中和反応により得ることができる。例えば、温調、撹拌が可能な 反応容器に (A1)及び Z又は (A2)の水溶液を仕込み、撹拌しながら室温 (約 25°C) で (B) (必要により水溶液)を投入して均一混合するか、または予め水を仕込んだ反 応容器に、撹拌しながら (A1)及び Z又は (A2)並びに (B)を同時または別々に投 入して均一混合することにより得ることができる。中和反応時の濃度は、目的により適 宜選択することができる。 [0132] 本発明の界面活性剤は、酸基 (XI)及び (X2)の解離度が大きいため、パーティクル および基板のゼータ電位を効果的に下げることができ、従来の洗浄剤で達成不可能 であったパーティクルの再付着を防止することができる。
[0133] また本発明の界面活性剤を用いて洗浄する際、除去対象物であるパーティクル表面 のゼータ電位は、洗浄時の条件 (温度、 pHなど）によっても異なるため適宜調整する 必要があるが、パーティクルの再付着防止の観点から、—80mV以下であることが好 ましぐさらに好ましくは一 90mV以下、特に好ましくは一 lOOmV以下、最も好ましく は— 105mV以下である。この範囲であると、パーティクルの再付着がさらに起こりに くくなり、さらに十分な性能が得られる。
[0134] 本発明の界面活性剤の製品形状は、粉末状、液状 (溶液状、ェマルジヨン状、懸濁 液状)など公知の任意の形状で使用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリン グの観点力 液状が好ましく、さらに好ましくは溶液状である。
これら溶液にするための溶剤については、水溶性有機溶剤 (D)および Zまたは水が 使用できる。
[0135] 上記水溶性有機溶剤 (D)とは、 20°Cにおける水に対する溶解度 (gZlOOgH O)が
2
3以上、好ましくは 10以上の有機溶剤である。例えば、スルホキシド {ジメチルスルホ キシド、スルホラン、ブチルスルホン、 3—メチルスルホラン、 2, 4 ジメチルスルホラ ンなど }；スルホン {ジメチルスルホン、ジェチルスルホン、ビス（2—ヒドロキシェチル） スルホンなど }；アミド {N, N ジメチルホルムアミド、 N—メチルホルムアミド、 N, N— ジメチルァセトアミド、 N, N ジメチルプロピオンアミドなど } ;ラタタム {N—メチル 2 —ピロリドン、 N ェチル 2—ピロリドン、 N ヒドロキシメチル一 2—ピロリドンなど }； ラタトン { β—プロピオラタトン、 β—ブチ口ラタトン、 y—ブチ口ラタトン、 y—バレロラ タトン、 δ—バレロラタトンなど }；アルコール {メタノール、エタノール、イソプロパノ一 ルなど }；グリコールおよびダリコールエーテル {エチレングリコール、エチレングリコー ルモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー ノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエー テノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブチノレエ 一テル、プロピレングリコール、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテル、ジプロピレ ングリコーノレモノメチノレエーテル、 1, 3—ブチレングリコール、ジエチレングリコーノレ ジメチノレエーテル、ジエチレングリコールジェチノレエーテル、トリエチレングリコーノレ ジメチルエーテル、トリエチレングリコールジェチルエーテルなど }；ォキサゾリジノン（ N—メチルー 2—ォキサゾリジノン、 3, 5—ジメチルー 2—ォキサゾリジノンなど）；ニト リル（ァセトニトリル、プロピオ二トリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリル二トリ ル、ベンゾ-トリルなど）；カーボネート（エチレンカーボネート、プロピオンカーボネー トなど）；ケトン（アセトン、ジェチルケトン、ァセトフエノン、メチルェチルケトン、シクロ へキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなど）；環状エーテル (テトラヒドロ フラン、テトラヒドロピランなど）などが挙げられる。また (D)は単独で使用しても、 2種 以上併用して使用してもょ ヽ。
[0136] 水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙 げられる。これらのうち、イオン交換水、超純水が好ましい。
[0137] これら水溶性有機溶剤 (D)を使用する場合、（D)の配合量 (重量％)は、本発明の 界面活性剤の重量に基づいて、 10〜90が好ましぐさらに好ましくは 20〜70、特に 好ましくは 30〜50である。また水を使用する場合、水の配合量 (重量％)は、本発明 の界面活性剤の重量に基づいて、 10〜90が好ましぐさらに好ましくは 30〜80、特 に好ましくは 40〜70である。
溶液状で使用する場合、本発明の界面活性剤中における塩 (AB1)及び (AB2)の 濃度は、 10〜50重量％程度が好ましい。
[0138] 本発明の界面活性剤は、再付着防止機能以外にも界面活性機能 (表面張力低下能 、乳化力、低泡性、可溶化力、分散力、洗浄力など)を発揮することができる。例えば 、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、 帯電防止剤、潤滑剤、防鲭剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、殺菌剤、凝集剤な どの用途に適しており、特に洗浄剤として好適である。
[0139] 本発明の洗浄剤は、パーティクルまたは油汚れに対する洗浄性の観点等から、本発 明の界面活性剤に加えて、アルカリ成分 (C)を含むことが好ましい。
アルカリ成分 (C)としては、（C1)一般式（17)で表される有機アルカリ、（C2)金属水 酸化物、（C3)炭酸塩、（C4)リン酸塩、（C5)ケィ酸塩、（C6)アンモニア、 （C7)アル カノールァミンおよび (CI)〜（C7)の混合物が含まれる。
[0140] [化 3]
Figure imgf000043_0001
[0141] [式中、
Figure imgf000043_0002
R2、 R3および R4は、それぞれ炭素数 1〜24の炭化水素基または—（R5 O) —Hで表される基であり、 R5は炭素数 2〜4のアルキレン基、 pは 1〜6の整数を
P
表す。 ]
炭素数 1〜24の炭化水素基としては、炭素数 1〜24のアルキル基、炭素数 2〜24の ァルケ-ル基、炭素数 6〜24のァリール基および炭素数 7〜24のァリールアルキル 基が挙げられ、上記式（15)で例示したものと同様である。
炭素数 2〜4のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレンなどが含ま れる。これらの中で洗浄性の観点から、エチレン及びプロピレンが好ましい。 pは 1〜 3が好ましい。
[0142] 一般式（17)で示される有機アルカリ（C1)の具体例としては、以下の（1)〜（5)の力 チオンとハイドロキサイドア-オンとからなる塩等が例示できる。
(1)テトラアルキルアンモ-ゥムカチオン（アルキルの炭素数 1〜6)
テトラメチルアンモ-ゥム、テトラエチルアンモ-ゥム、テトラ (n—または i—)プロピル アンモ-ゥム、テトラ（n—、 i—または t—)ブチルアンモ-ゥム、テトラペンチルアンモ ユウム、テトラへキシルアンモ-ゥム、トリメチルェチルアンモ -ゥムおよびテトラエチ ノレアンモニゥムなど
[0143] (2)炭素数 1〜6のアルキル基 3個と炭素数 7〜24の炭化水素基 1個とからなるアン モニゥムカチオン
トリメチルへプチルアンモ-ゥム、トリメチルォクチルアンモ-ゥム、トリメチルデシルァ ンモ-ゥム、トリメチルドデシルアンモ-ゥム、トリメチルステアリルアンモ-ゥム、トリメ チルベンジルアンモ-ゥム、トリェチルへキシルアンモ-ゥム、トリェチルォクチルアン モ-ゥム、トリェチルステアリルアンモ-ゥム、トリェチルベンジルアンモ-ゥム、トリブ チルへプチルアンモ-ゥム、トリブチルォクチルアンモ -ゥムおよびトリへキシルステ ァリノレアンモニゥムなど
[0144] (3)炭素数 1〜6のアルキル基 2個と炭素数 7〜24の炭化水素基 2個とからなるアン モニゥムカチオン
ジメチルジォクチルアンモ-ゥム、ジェチルジォクチルアンモ -ゥムおよびジメチルジ ベンジルアンモ -ゥムなど
[0145] (4)炭素数 1〜6のアルキル基 1個と炭素数 7〜24の炭化水素基 3個とからなるアン モニゥムカチオン
メチルトリオクチルアンモ-ゥム、ェチルトリオクチルアンモ -ゥムおよびメチルォクチ ルジベンジルアンモ -ゥムなど
[0146] (5)ォキシアルキレン基を有するアンモ-ゥムカチオン
(i)ォキシアルキレン基を 1個有するカチオン [ヒドロキシェチルトリメチルアンモ -ゥム 、ヒドロキシェチルトリェチルアンモ-ゥム、ヒドロキシプロピルトリメチルアンモ-ゥム、 ヒドロキシプロピルトリェチルアンモニゥム、ヒドロキシェチルジメチルェチルアンモニ ゥムおよびヒドロキシェチルジメチルォクチルアンモ -ゥムなど] ;
(ii)ォキシアルキレン基を 2個有するカチオン [ジヒドロキシェチルジメチルアンモ-ゥ ム、ジヒドロキシェチルジェチノレアンモニゥム、ジヒドロキシプロピノレジメチノレアンモニ ゥム、ジヒドロキシプロピルジェチルアンモ-ゥム、ジヒドロキシェチルメチルェチルァ ンモ-ゥム、ジヒドロキシェチルメチルォクチルアンモ -ゥムおよびビス（2—ヒドロキシ エトキシェチル）ォクチルアンモ -ゥムなど]；
(iii)ォキシアルキレン基を 3個有するカチオン [トリヒドロキシェチルメチルアンモ-ゥ ム、トリヒドロキシェチルェチルアンモ-ゥム、トリヒドロキシェチルブチルアンモ -ゥム 、トリヒドロキシプロピルメチルアンモ-ゥム、トリヒドロキシプロピルェチルアンモ -ゥム およびトリヒドロキシェチルォクチルアンモ -ゥムなど]。
[0147] 金属水酸化物（C2)としては、アルカリ金属水酸化物（水酸化リチウム、水酸化ナトリ ゥム、水酸化カリウムなど）、アルカリ土類金属水酸化物（水酸化カルシウム、水酸ィ匕 マグネシウム、水酸化バリウムなど)などが挙げられる。 [0148] 炭酸塩 (C3)としては、アルカリ金属塩 (炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど）、アルカリ 土類金属塩 (炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなど)などが挙げられ る。
[0149] リン酸塩 (C4)としては、アルカリ金属塩 (ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリ ポリリン酸ナトリウム、トリポリリン酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩 (ピロリン酸カル シゥム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリ ン酸マグネシウム、トリポリリン酸バリウムなど)などが挙げられる。
[0150] ケィ酸塩 (C5)としては、アルカリ金属塩 (ケィ酸ナトリウム、ケィ酸カリウムなど）、アル カリ土類金属塩 (ケィ酸カルシウム、ケィ酸マグネシウム、ケィ酸バリウムなど)などが 挙げられる。
[0151] アルカノールァミン（C7)としては、モノエタノールァミン、ジエタノールァミン、トリエタ ノールァミン、 N—メチルジェタノールァミン、 N, N—ジメチルエタノールァミン、ェチ レンジァミンの EO付加物（付加モル数 1〜7)などが挙げられる。
[0152] アルカリ成分 (C)のうち、洗浄性の観点から、一般式（17)で示される有機アルカリ（C 1)および金属酸化物（C2)が好ましぐ洗浄後にアルカリ金属又はアルカリ土類金属 が残存する恐れがないことから、さらに好ましくは（C1)、洗浄性とリンス性の観点等 から、好ましくは（1)テトラアルキルアンモ-ゥムカチオン、（2)炭素数 1〜6のアルキ ル基 3個と炭素数 7〜24の炭化水素基 1個とからなるアンモ-ゥムカチオン、 (3)炭 素数 1〜6のアルキル基 2個と炭素数 7〜24の炭化水素基 2個と力 なるアンモ-ゥ ムカチオン及び (4)炭素数 1〜6のアルキル基 1個と炭素数 7〜24の炭化水素基 3個 とからなるアンモ-ゥムカチオン、より好ましくは（1)および（2)、特に好ましくは（1)、 最も好ましいのはテトラメチルアンモ-ゥムカチオン又はテトラエチルアンモ-ゥムカ チオンのハイド口オキサイドァニオン塩およびこれらの併用である。
[0153] アルカリ成分 (C)を使用する場合、洗浄性の観点等から、（C)の含有量 (重量％)は 、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、 0. 1〜10が好ましぐさらに好ましくは 0. 3〜 8、特に好ましくは 0. 5〜5である。
また本発明の洗浄剤の製品形状は、本発明の界面活性剤の製品形状と同様に、任 意の形状が適用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点等力 液状 が好ましぐ特に好ましくは溶液状である。
また、溶液状にする場合、本発明の洗浄剤は必要により上述の水溶性有機溶剤 (D) および Zまたは水を含有してもよ 、。
[0154] 水溶性有機溶剤（D)の内で、洗浄性の観点等から、グリコールおよびダリコールエー テルが好ましぐさらに好ましくはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチル エーテル、ジエチレングリコール及びプロピレングリコールである。
これら水溶性有機溶剤 (D)を使用する場合、（D)の配合量 (重量％)は、本発明の 洗浄剤の重量に基づいて、 10〜90が好ましぐさらに好ましくは 30〜80、特に好ま しくは 40〜70である。
[0155] 水を使用する場合、水の配合量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、 10〜90力 S 好ましぐさらに好ましくは 20〜85、特に好ましくは 30〜80である。
なお、本発明の洗浄剤に水が含有する場合、中和塩 (AB1)又は (AB2)の大部分 が水中で酸性ィ匕合物 (A1)と化合物（B)、又はポリマー (A2)と化合物（B)とに解離 し、イオンとして存在する。
[0156] 洗浄剤中における塩 (AB1)及び Z又は (AB2)の濃度は、その目的に応じて適宜 調製できるが、 0. 01〜20重量％程度が好ましい。
[0157] 水溶性有機溶剤 (D)および水を使用する場合、洗浄剤中に含まれる (D)と水の重量 比 { (0) 7水}は、パーティクルや油汚れに対する洗浄性の観点等から、 20Z80〜9 OZlO力 子ましく、さらに好ましくは 30Ζ70〜80Ζ20、特に好ましくは 40 60〜70 Ζ30である。
[0158] さらに本発明の洗浄剤には、特に金属 (アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄 する際に金属腐食を防止する観点等から、 3〜2, 000価の多価アルコール (Ε)を添 カロしてちょい。
多価アルコール (Ε)としては、（E1)脂肪族多価アルコール (グリセリン、トリメチロー ルェタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど）、 (Ε2) (E1)の脱水縮合 物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリンなど）；（Ε3)糖 [ (Ε3 —1)単糖 {ペントース（ァラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロース など）、へキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソノレボース、 タガトースなど）、ヘプトース（セドヘプッロースなど）など }、（E3— 2)二糖類 {トレハ口 ース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラタトースなど }、 ( E3— 3)三糖類 (ラフィノース、マルトトリオースなど)など]； (E4)上記単糖類力もなる 多糖類およびその誘導体 {例えば、セルロース化合物 (メチルセルロース、ェチルセ ノレロース、ヒドロキシェチノレセノレロース、ェチノレヒドロキシェチノレセノレロース、ヒドロキ シプロピルセルロースおよびそれらのケン化物など）、ゼラチン、デンプン、デキストリ ン、キチン、キトサンなど }； (E5)糖アルコール（ァラビトール、アド-トール、キシリトー ル、ソルビトール、マン-トール、ズルシトールなど）；（E6)トリスフエノール（トリスフエ ノール P Aなど）；（E7)ノボラック榭脂（Mw: l, 000〜100, 000) (フエノールノボラッ ク、クレゾ一ルノボラックなど）；（E8)ポリフエノール；（E9)その他の水酸基を有するポ ジマー（Mw: l, 000〜1, 000, 000) [ポジビ-ノレアノレ n—ノレ、ァクジノレポジ: 一ノレ {ポ モノマーの共重合物など }など]、並びにこれらのアルキレンォキシド (炭素数 2〜4) 付加物（付加モル数 1〜7モル)などが挙げられる。また多価アルコール (E)は単独 で使用しても、 2種以上併用して使用してもよい。
[0159] これらの多価アルコール (E)の内、金属腐食を防止する効果の高い点から、（El)、 ( E2)、（E3)及び (E5)が好ましぐさらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソル ビトールである。
[0160] 多価アルコール (E)を使用する場合、 (E)の配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の 重量に基づいて、 1〜20が好ましぐさらに好ましくは 2〜10、特に好ましくは 3〜7で ある。
[0161] また多価アルコール (E)は、アルカリ成分 (C)および水を含有した本発明の洗浄剤 に添加した場合に、特に優れた金属腐食防止効果を発揮することができる。この場 合、（C)と水の合計重量に対する (C)の配合量 (重量％)は、洗浄性の観点等から、 0. 1〜50が好ましぐさらに好ましくは 0. 5〜40、特に好ましくは 1〜35である。また 、 (C)と (E)の合計重量に対する (E)の配合量 (重量％)は、金属腐食を防止する観 点等から、 10〜90が好ましぐさらに好ましくは 20〜80、特に好ましくは 30〜75で ある。 [0162] 本発明の洗浄剤には、本発明の界面活性剤を少なくとも 1種を含み、本発明の効果 に影響を及ぼさな 、範囲で公知の分散剤、及び Z又は本発明の界面活性剤以外の 界面活性剤を併用してもょ 、。
[0163] 公知の分散剤の具体例としては、上記例示したポリマー (A2)のアンモ-ゥム塩、ァ ルキルアミン塩（ジメチルァミン、ジェチルァミン、トリェチルァミンなど）およびアル力 ノールアミン塩（トリエタノールアミン塩など）；多糖類（ヒドロキシェチルセルロース、力 チオンィ匕セノレロース、ヒドロキシメチノレセノレロース、ヒドロキシプロピノレセノレロース、グ ァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプ ンなど）、ポバール、縮合リン酸 (メタリン酸、ピロリン酸など)やリン酸エステル {フイチ ン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アル キルエーテルリン酸など }及びこれらの混合物などが挙げられる。
これらの分散剤を使用する場合、これらの分散剤の配合量 (重量％)は、本発明の洗 浄剤の重量に基づいて、 0. 0001〜10力 子ましい。
[0164] 本発明の界面活性剤以外の界面活性剤としては、ノニオン性、ァニオン性、カチオン 性、両性及びこれらの混合物のいずれを用いてもよいが、好ましくはノ-オン性、了二 オン性界面活性剤である。
ノ-オン性界面活性剤としてはアルキルエーテル型、アルキルァリルエーテル型、ァ ルキルチオエーテル型などのエーテル型；アルキルエステル型、ソルビタンアルキル エステル型などのエステル型；ポリオキシアルキレンアルキルァミンなどのァミンとの 縮合型；ポリオキシアルキレンアルキルアマイドなどのアミドとの縮合型；ポリオキシェ チレンとポリオキシプロピレンをランダムまたはブロック縮合させたプル口ニックまたは テトロニック型;ポリエチレンイミン系などの界面活性剤が挙げられる。
ァ-オン界面活性剤としては、スルホン酸系界面活性剤、硫酸エステル系界面活性 剤、リン酸エステル系界面活性剤、脂肪酸系界面活性剤、ポリカルボン酸型の界面 活性剤などが挙げられる。
カチオン界面活性剤としてはァミン系界面活性剤、 4級アンモ-ゥム塩型の界面活性 剤が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アミノ酸型;ベタイン型などの界面活性剤が挙げられる。 これら界面活性剤を使用する場合、これらの界面活性剤の配合量 (重量％)は、本発 明の洗浄剤の重量に基づいて、 0. 0001〜10力好ましい。
[0165] 本発明における洗浄剤には、本発明の効果を妨げない範囲でその他の添加剤 (酸 化防止剤、キレート剤、防鲭剤、 PH調整剤、緩衝剤、消泡剤、還元剤など)の 1種以 上を配合してもよい。
[0166] 酸化防止剤の具体例としては、フエノール系酸化防止剤 { 2, 6 ジー t ブチルフエ ノール、 2—t—ブチルー 4ーメトキシフエノール、 2, 4 ジメチルー 6 t—ブチルフエ ノールなど }；ァミン系酸化防止剤 {モノオタチルジフエ-ルァミン、モノノ-ルジフエ- ルァミンなどのモノアルキルジフエニルァミン； 4, 4' ジブチルジフエニルァミン、 4, 4 ' 一ジペンチルジフエニルァミンなどのジアルキルジフエニルァミン；テトラブチルジ フエニルァミン、テトラへキシルジフエニルァミンなどのポリアルキルジフエニルァミン； a ナフチルァミン、フエ-ルー a ナフチルァミンなどのナフチルァミンなど }；硫 黄系化合物 {フエノチアジン、ペンタエリスリトール—テトラキス—（3—ラウリルチオプ 口ピオネート）、ビス（3, 5— tert—ブチル 4—ヒドロキシベンジル）スルフイドなど）； リン系酸化防止剤 {ビス（ 2, 4 ジー t ブチルフエ-ル）ペンタエリスリトールジホスフ アイト、フエ-ルジイソデシルホスフイト、ジフエ-ルジイソォクチルホスファイト、トリフエ -ルホスファイトなど }；などが挙げられる。
これらは 1種または 2種以上を組み合わせて使用してもよい。これら酸化防止剤を使 用する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、 0. 0 01〜10が好ましい。
[0167] キレート剤の具体例としては、アミノポリカルボン酸塩 {エチレンジアミンテトラ酢酸塩（ EDTA)、ヒドロキシェチルエチレンジァミン三酢酸塩（HEDTA)、ジヒドロキシェチ ルエチレンジァミン四酢酸塩（DHEDDA)、ユトリロ酸酢酸塩（NTA)、ヒドロキシェ チルイミノ二酢酸塩 (HIDA)、 βーァラニンジ酢酸塩、ァスパラギン酸ジ酢酸塩、メチ ルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸 塩、ジヒドロキシェチルダリシン塩、ァスパラギン酸塩、グルタミン酸塩など }；ヒドロキ シカルボン酸塩（ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クェン酸塩、ダルコン酸塩など）；シク ロカルボン酸塩（ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカル ボン酸塩など）；エーテルカルボン酸塩（カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシ メチルォキシサクシネート、ォキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジ サクシネートなど）；その他カルボン酸塩 (マレイン酸誘導体、シユウ酸塩など）；有機 カルボン酸 (塩)ポリマー {アクリル酸重合体および共重合体 (アクリル酸ーァリルアル コール共重合体、アクリル酸 マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体、多 糖類 (前述） アクリル酸共重合体など）；多価カルボン酸重合体および共重合体 (マ レイン酸、ィタコン酸、フマル酸、テトラメチレン一 1, 2—ジカルボン酸、コハク酸、ァ スパラギン酸、グルタミン酸などのモノマーの重合体および共重合体）、ダリオキシル 酸重合体、多糖類（デンプン、セルロース、アミロース、ぺクチン、カルボキシメチルセ ルロースなど）；ホスホン酸塩 {メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩 、ェチリデンジホスホン酸塩、ェチルアミノビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミ ンビスメチレンホスホン酸塩など }；などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど)塩、アン モ -ゥム塩、アルカノールァミン（モノエタノールァミン、トリエタノールァミンなど）塩な どが挙げられる。
これらは 1種または 2種以上を組み合わせて使用してもよい。これらキレート剤を使用 する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて 0. 000 1〜 10が好ましい。
防鲭剤の具体例としては、ベンゾトリァゾール、トリルトリァゾール、炭素数 2〜 10の炭 化水素基を有するベンゾトリァゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数 2〜20炭化水素 基を有するイミダゾール、炭素数 2〜20炭化水素基を有するチアゾール、 2—メルカ ブトべンゾチアゾールなどの含窒素有機防鲭剤；ドデセ -ルコハク酸ハーフエステル 、ォクタデセ -ルコハク酸無水物、ドデセ -ルコハク酸アミドなどのアルキルまたはァ ルケ-ルコハク酸；ソルビタンモノォレエート、グリセリンモノォレエート、ペンタエリスリ トールモノォレエートなどの多価アルコール部分エステル等を挙げられる。これらは 1 種または 2種以上を組み合わせて用いてもょ 、。
これら防鲭剤を使用する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量 に基づいて 0. 01〜10が好ましい。 [0169] pH調整剤の具体例としては、塩酸、硫酸、硝酸などの鉱酸ならびにモノエタノール ァミン、トリエタノールァミンなどのアルカノールァミン、アンモニアなどの水溶性ァミン が挙げられ、金属イオンなどの不純物を実質的に含まないものが好ましい。これらの 1種または 2種以上を組み合わせて用いてもょ 、。
これら pH調整剤を使用する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の 重量に基づいて、 0. 001〜10が好ましい。
[0170] 緩衝剤の具体例としては、緩衝作用を有する有機酸または無機酸および Zまたはそ れらの塩を用いることができる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、ダルコン酸、グリコール 酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸、マンデル酸などを挙げるこ とができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸などを挙げることができる。また、これ らの酸の塩としては、アンモ-ゥム塩ゃトリエタノールアミン塩などのアル力ノールアミ ン塩などが挙げられる。これらは 1種または 2種以上を組み合わせて用いてもよい。 これら緩衝剤を使用する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量 に基づいて 0. 1〜10が好ましい。
[0171] 消泡剤の具体例としては、シリコーン消泡剤 {ジメチルシリコーン、フルォロシリコーン 、ポリエーテルシリコーンなどを構成成分とする消泡剤など }などが挙げられる。 これら消泡剤を使用する場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量 に基づ ヽて 0. 0001〜1力好まし!/、。
[0172] 還元剤としては、亜硫酸塩 (例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸アンモ-ゥムなど）、チ ォ硫酸塩 (例えば、チォ硫酸ナトリウム、チォ硫酸アンモ-ゥムなど）、アルデヒド (例 えば、ホルムアルデヒド、ァセトアルデヒドなど）、リン系還元剤（例えば、トリス- 2-カル ボキシェチルホスフィンなど）、その他の有機系還元剤（例えば、ギ酸、シユウ酸、コハ ク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クェン酸、 1, 4—ナフトキノン一 2—スルホ ン酸、ァスコルビン酸、イソァスコルビン酸など）およびそれらの誘導体などがあげら れる。
これらは 1種または 2種以上を組み合わせて使用してもよい。これら還元剤を使用す る場合、これらの配合量 (重量％)は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて 0. 1〜10 が好ましい。 [0173] 本発明の洗浄剤の表面張力（25°C) (dyn/cm)は、 10〜65が好ましぐさらに好ま しくは 12〜50、特に好ましくは 15〜40である。
表面張力は、 JIS K3362 : 1998の輪環法:対応 ISO 304に従って測定できる。
[0174] 本発明の洗浄剤中のアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム)またはアルカリ土類 金属（マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、ノ リウム）の合計含有量 (重量0 /0)は 、洗净剤の重量に基づ ヽて、 0. 0000001-0. 1力好まし <、さらに好まし <ίま 0. 00 0001〜0. 01、特に好ましくは 0. 00001〜0. 001である。本発明の洗净剤としては 、アルカリ金属、アルカリ土類金属を全く含まないものが最も好ましいが、製造しやす いという点等から、上記の範囲が好ましい。
アルカリ金属およびアルカリ土類金属の測定方法としては、公知の方法、例えば原 子吸光法、 ICP法、 ICP質量分析法が利用できるが、分析精度の観点から、好ましく は ICP質量分析法である。
[0175] また、本発明の洗浄剤の用途は特に限定はないが、特に各種の電子材料'電子部 品などの洗浄、例えば半導体素子、シリコンウエノ、、カラーフィルター、電子デバイス 用基板 (液晶パネル、プラズマ、有機 ELなどのフラットパネルディスプレイ、光'磁気 ディスク、 CCD)、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、 LEDなどの電 子材料'電子部品を製造する工程中、洗浄工程において洗浄剤として特に好適に使 用することができる。なかでも、液晶パネル用基板または半導体素子の製造に使用 することが好ましい。
また、本発明の洗浄剤の洗浄対象物 (汚れ)は、油分、指紋、榭脂、有機パーテイク ルなどの有機物、無機パーティクル (ガラス粉、砥粒、セラミック粉、金属粉など)など の無機物が挙げられる。
[0176] 本発明の洗浄剤を用いた電子材料 ·電子部品の洗浄方法としては、超音波洗浄、シ ャヮー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄、枚葉式洗浄およ びこれらの組み合わせによる洗浄方法が適用できる。特に、超音波洗浄法と組み合 わせることによって、さらに洗浄効果を発揮することができる。
[0177] 本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で希釈して使用してもよい。その際に使用す る水としては、上記例示した水と同様のものが利用できる力 好ましくはイオン交換水 、超純水である。
特に本発明の洗浄剤を電子材料'電子部品などの洗浄工程に使用する場合、本発 明の界面活性剤の濃度が l〜500ppmになるようにイオン交換水または超純水で希 釈して使用することが好ま U、。
なお、本発明の洗浄剤を水で希釈して使用する場合、中和塩 (AB1)又は (AB2)の 大部分が水中でそれぞれ酸性化合物 (A1)と化合物（B)、又はポリマー (A2)と化合 物（B)とに解離し、イオンとして存在する。
[0178] 本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際の pHは、酸性化合物 (A1) 及び Z又はポリマー (A2)を化合物（B)で中和する際の中和率や、使用する添加剤 の種類や量によっても異なる力 1〜12が好ましぐさらに好ましくは 2〜11、特に好 ましくは 4〜8である。本発明の界面活性剤は、中性領域でも優れたゼータ電位低下 能を有するため、特に電子部品など金属腐食が懸念され中性下で洗浄する用途に おいても、特に優れた効果を発揮することができる。
発明の効果
[0179] 本発明の界面活性剤は、パーティクル表面のゼータ電位を効果的に下げることがで きるため、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子の基板への再 付着を効果的に防ぐことができる。また、実質的にアルカリ金属を含まないため、洗浄 後に基板表面にアルカリ金属が残存することが無ぐデバイスの信頼性や歩留まりを 向上することができると 、う効果を有する。
発明を実施するための最良の形態
[0180] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるも のではない。特に限定がない限り以下において％は重量％、部は重量部を示す。な お、生成熱変化（Q1)および（Q2)は、富士通株式会社製 CAChe Worksystem6 . 01を用いて計算した。すなわち、分子力場法である「MM2 geometry」で構造最 適化した後、半経験的分子軌道法である PM3 geometyにより、 Δ Η° 、 Δ H° f H+B f B
、 Δ H° 、 Δ H° を計算し、上述した計算式に従って（Ql)および（Q2)を求めた。
f HX f X-
[0181] [実施例 1〜2]
垂直に立てた直径 3cm、長さ 50cmのクロマトグラフ管に、陽イオン交換榭脂「アンバ 一ライト IR— 120B」（オルガノ株式会社製）を充填したカラムに、 25°Cで、ナフタレン スルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩「デモール NL」（花王株式会社製)を固形分 含量が 10%となるように調整した水溶液 150部をカラムの上力も少量ずつゆつくり添 カロした。イオン交換榭脂を通過させた流出液を、再度カラムの上力も通した。この操 作を、 ICP (島津製作所株式会社製 ICPS— 8000)を用いた流出液のナトリウム含量 が lppm未満になるまで、繰り返し行い、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の 9 %水溶液 100部を得た。
次に温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、得られたナフタレンスルホン酸ホルマ リン縮合物の 9%水溶液 100部を仕込み、 25°Cに温調、撹拌しながら DBU (サンァ プロ株式会社製；同社の登録商標) 6. 2部をゆっくり加え、そのまま 10分間攪拌して ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物 DBU塩（S1)の 14%水溶液からなる本発明 の界面活性剤 106部を得た（25°Cにおける pH = 6. 5)。なお、（S1)の重量平均分 子量は、 5000であった。
[0182] [実施例 3]
実施例 1と同様にしてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の 9%水溶液を得て、 温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の 9%水溶液 100部を仕込んだ後、炭酸グァ-ジン (和光純薬株式会社製） 3. 7部を 加え 50°Cで 10分間過熱攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物グァ-ジン 塩 (S2)の 11%水溶液力もなる本発明の界面活性剤 103部を得た（25°Cにおける p H = 6. 4)。なお、（S2)の重量平均分子量は、 5000であった。
[0183] [実施例 4]
ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩の代わりにポリスチレンスルホン 酸ナトリウム塩「ポリティ一 PS— 1900」（ライオン株式会社製)を用い、実施例 1と同様 にしてポリスチレンスルホン酸の 9%水溶液 100部を得た。温調可能で攪拌装置付 属の反応容器に、ポリスチレンスルホン酸の 9%水溶液 100部を仕込んだ後、 DBU 7. 4部をカ卩ぇ 10分間 25°Cで攪拌してポリスチレンスルホン酸 DBU塩（S3)の 15% 水溶液力もなる本発明の界面活性剤 107部を得た（25°Cにおける pH = 6. 5)。なお 、（S3)の重量平均分子量は、 14000であった。 [0184] [実施例 5]
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸 21部、超純水を 10部仕込み、 37%ホル ムアルデヒド 8部を 80°Cで 3時間かけて滴下した。滴下終了後、 105°Cに昇温して 25 時間反応した後、室温 (約 25°C)まで冷却して水浴中、 25°Cに調整しながら DBUを 徐々に加え、 pH6. 5に調製した（DBU約 15部使用）。超純水を加えて固形分を 40 %に調整し、塩 (S4)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 100部を得た。なお、（ S4)の重量平均分子量は、 5, 000であった。
[0185] [実施例 6]
温調、還流が可能な攪拌付き反応容器に 1, 2—ジクロロェタン 100部を仕込み、攪 拌下、窒素置換した後に 90°Cまで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレ ン 120部と予め 2, 2，一ァゾビスイソブチ口-トリル 1. 7部をエチレンジクロライド 20部 に溶力した開始剤溶液を、それぞれ別々に 6時間かけて反応容器内に滴下し、滴下 終了後さらに 1時間重合を行った。重合後、窒素シール下で 20°Cに冷却した後、温 度を 20°Cにコントロールしながら無水硫酸 105部を 10時間かけて滴下し、滴下終了 後さらに 3時間スルホンィ匕反応させた。スルホンィ匕後、超純水を 500部を加え、攪拌 下、水浴中で 20°Cに調整しながら DBU167部を徐々に加えた。濾過後、エバポレ 一ターを用いて 40°C、 1. 33kPaで溶剤を完全に留去し、さらに超純水をカ卩えて固 形分を 40%に調整することで塩 (S5)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 900部 を得た。なお、（S5)の重量平均分子量 40, 000、スルホンィ匕率 97%、本界面活性 剤の pHは 6. 5であった。
[0186] [実施例 7]
DBUの代わりに、 DBN (サンァプロ株式会社製)を用いる以外は、実施例 5と同様に して、固形分を 40%に調整した塩 (S6)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 100 部を得た。なお、（S6)の重量平均分子量は、 5000であった。
[0187] [実施例 8]
DBUの代わりに、 TBD (Aldrich社製)を用いる以外は、実施例 5と同様にして、固 形分を 40%に調整した塩 (S7)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 100部を得 た。なお、（S7)の重量平均分子量は、 5000であった。 [0188] [実施例 9]
DBUの代わりに、 MTBD (Aldrich社製）を用いる以外は、実施例 5と同様にして、 固形分を 40%に調整した塩 (S8)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 100部を 得た。なお、（S8)の重量平均分子量は、 5000であった。
[0189] [実施例 10]
DBUの代わりに、 DBNを用いる以外は、実施例 6と同様にして、固形分を 40%に調 整した塩 (S9)の水溶液力もなる本発明の界面活性剤 100部を得た。なお、（S9)の 重量平均分子量は、 40000であった。
[0190] [実施例 11]
DBUの代わりに、炭酸グァ-ジンを用いる以外は、実施例 6と同様にして、固形分を 40%に調整した塩 (S 10)の水溶液カゝらなる本発明の界面活性剤 100部を得た。な お、（S10)の重量平均分子量は、 40000であった。
[0191] [実施例 12〜13]
温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ドデシルベンゼンスルホン酸 (東京化成株 式会社製、 HLB : 7. 4)の 10%水溶液 100部を仕込み、 25°Cに温調、撹拌しながら DBU4. 7部をゆっくり力！]え、そのまま 10分間攪拌してドデシルベンゼンスルホン酸 D BU塩 (S11)の 14%水溶液力もなる本発明の界面活性剤 105部を得た（25°Cにお ける pH=6. 5)。
[0192] [実施例 14]
攪拌装置付属の反応容器に、ドデシルベンゼンスルホン酸の 1. 6%水溶液 100部を 仕込み、 50°Cに 5分間加熱攪拌しながら溶解させた。次に炭酸グァ-ジン 0. 44部 を 50°Cで加熱攪拌しながら少量ずつゆつくり添加した。二酸ィ匕炭素の発生が無くな るまで約 15分加熱攪拌を続け、ドデシルベンゼンスルホン酸グァ-ジン塩（S 12)の 1. 9%水溶液力もなる本発明の界面活性剤 100部を得た（25°Cにおける pH = 6. 5
) o
[0193] [実施例 15]
DBUのかわりに Et[N = P (dma) ] N (CH ) (Fluka社製）の 10%水溶液 112部を
2 2 3 2
用いる以外は実施例 12と同様にしてドデシルベンゼンスルホン酸ホスファゼン塩（S 13)の 10%水溶液力もなる本発明の界面活性剤 212部を得た（25°Cにおける pH = 6. 8)。
[0194] [比較例 1〜2]
実施例 1と同様にしてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の 9%水溶液を得て、 温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の 9%水溶液 100部を仕込んだ後、アンモニア水（10%) (和光純薬株式会社製) 6. 9 部をカ卩ぇ 50°Cで 10分間過熱攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物アンモ -ゥム塩 (T1)の 9%水溶液力もなる比較用の界面活性剤 102部を得た（25°Cにお ける pH= 5. 2)。
[0195] [比較例 3]
実施例 4と同様にしてポリスチレンスルホン酸の 9%水溶液 100部を得た後、温調可 能で攪拌装置付属の反応容器に、ポリスチレンスルホン酸の 9%水溶液 100部を仕 込み、アンモニア水（10%) (和光純薬株式会社製) 8. 2部をカ卩ぇ 10分間 25°Cで攪 拌してポリスチレンスルホン酸アンモ-ゥム塩 (T2)の 9%水溶液からなる比較用の界 面活性剤 108部を得た（25°Cにおける pH=4. 1)。
[0196] [比較例 4]
ドデシルベンゼンスルホン酸の 10%水溶液 100部の代わりにォレイン酸 (東京化成 株式会社製)の 8. 7%水溶液 100部を用いる以外は実施例 12と同様にして、ォレイ ン酸 DBU塩 (T3)の 13%水溶液力もなる比較用の界面活性剤 105部を得た（25°C における pH= 10. 4)。
[0197] [比較例 5]
ドデシルベンゼンスルホン酸の 10%水溶液 100部の代わりにミリスチン酸 (東京化成 株式会社製)の 7. 0%水溶液 100部を用いる以外は実施例 12と同様にして、ミリス チン酸 DBU塩 (T4)の 11 %水溶液力もなる比較用の界面活性剤 105部を得た（25 °Cにおける pH= 10. 2)。
[0198] [比較例 6]
ドデシルベンゼンスルホン酸の 10%水溶液 100部の代わりにミリスチン酸の 7. 0% 水溶液 100部を用い、 DBU4. 7部の代わりに DBN3. 8を用いる以外は実施例 12と 同様にして、ミリスチン酸 DBN塩 (T5)の 10%水溶液力もなる比較用の界面活性剤 104部を得た（25°Cにおける ρΗ= 10. 0)。
[0199] [比較例 7]
DBU4. 7部の代わりに 10%アンモニア水 5. 2部を用いる以外は実施例 12と同様に して、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモ-ゥム (Τ6)の 10%水溶液からなる比較用 の界面活性剤 105部を得た（25°Cにおける ρΗ=4. 2)。
[0200] 実施例で得た界面活性剤及び比較例で得た界面活性剤を用いて、それぞれに含ま れる塩 (S 1)〜（S13)及び (T1)〜 (Τ6)の濃度を表 1に示した濃度になるように超純 水（オルガノ株式会社製 rpURIC MX2Jで得られる比抵抗値が 18M Ω以上の水） で希釈して、本発明の洗浄液を調製し、以下の評価をし、表 1に示した。また、超純 水のみにつ 、ても同様の試験を行った (比較例 8)。
[0201] <ゼータ電位 >
電気泳動光散乱光度計 (大塚電子株式会社製、 ELS -800)によりパーティクルの ゼータ電位の測定を行った。電気泳動法で表面電荷をもつパーティクルが移動する 速度を測定し、移動速度から smoluchowskiの方法によってゼータ電位を算出した 超純水が 999mL入った 1リットル容のポリエチレン製容器に体積平均粒径 2. O ^ m のポスチレンラテックス（Duke Scientific Corporation社製、 Catalog No. 420 2、 0. 5重量0 /0、 CV 1. 1%)を lmL添加'攪拌し、ポリスチレンラテックスを 1, 000 倍に希釈した分散液を得た。 lOOmLのビーカー中で、このポリスチレンラテックスの 希釈分散液 40mLと表 1に示した洗浄剤 10mLとを均一混合して、混合液 (50mL) を得た。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして混合液 (50mL)を得た (比 較例 8)。
これらの混合液を用いて 25°Cにおけるゼータ電位を計測した。
[0202] <微粒子付着数 >
4インチシリコンウェハを 0. 5%HF水溶液 1リットルが入った 1リットル容のビーカーに 25°C、 10分間浸漬して自然酸ィ匕膜を除去し、超純水 1リットルが入った 1リットルのビ 一力一に 25°C、 1分間浸漬しリンスした。
次に 1リツトルのビーカ一中で前記のポリスチレンラテックス lmLに表 1に示した洗浄 剤 999mLを配合して混合液 ( 1 , OOOmL)を得た。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして混合液（1, OOOmL)を得 た (比較例 8)。
これらの混合液に、上記洗浄したシリコンウェハを 25°Cで 10分間浸漬した。その後、 超純水 1リットルが入った 1リットルのビーカーに 1分間浸漬、取り出し、自然乾燥した 後、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、 WM— 2500)を使ってシリコンゥ ェハ表面に付着したパーティクル数を測定した。
[0203] <泡立ち >
表 1に示す洗浄剤を、 25°Cで Ross&Miles法（日本工業規格 JIS K3362 : 1998、 8. 5 気泡力と泡の安定度;対応 ISO 696)により起泡直後、および 5分後の泡の 高さ（mm)を測定した。
また洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した (比較例 8)。
[0204] <表面張力 >
表 1に示す洗浄剤を、 25°Cで輪環法（日本工業規格 JIS K3362 : 1998、 8. 4. 2 輪環法；対応 ISO 304)により表面張力（dynZcm)を測定した。
また洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した (比較例 8)。
[0205] [表 1]
実 施 例 比 較 例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 1 12 13 14 15 1 2 3 4 5 6 7 8
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S1 1 S12 S13 T1 T2 T3 T4 T5 T6 ―
Q 1 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32 21 21 21 32 一
(kcal/mol)
Q2 137 147 137 137 137 141 147 139 141 147 137 147 109 1 56 156 137 137 141 1 56 一
(kcal/mol)
塩の濃度（ppm) 50 200 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 200 50 50 50 200 50 50 50 50 50 一 ゼータ電位 -85 - 105 -90 -80 -90 -95 - 95 -95· -100 - 100 -90 - 95 -100 -95 -105 -48 -55 -39 -40 -43 -41 - 50 39
(mV)
微粒子付着数 47 25 41 53 38 32 35 29 26 29 45 40 31 45 21 228 1 90 292 380 352 365 271 > 10000
(個/枚）
泡の高さ—）
直後 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 150 240 80 120 2 2 2 180 140 160 310 1 5分後 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 95 1 30 50 75 1 1 1 100 75 90 200 0 表面 ¾長力 65 60 62 65 65 64 62 65 65 62 61 45 35 42 40 65 60 68 38 42 40 42 72
(dyne/cm)
[0206] [実施例 16〜20]、 [比較例 9〜14]
表 2に記載の各成分 (記載の配合量：重量％)を、 1Lのビーカー中で室温 (約 20°C) で均一撹拌 ·混合して実施例 16〜20および比較例 9〜 14の洗浄剤を作製した。 表 2中の略号は下記の通りである。
C：テトラメチルアンモ -ゥムハイド口オキサイド
D- 1 :ジエチレングリコールモノメチルエーテル
D- 2 :プロピレングリコール
E— 1 :グリセリン
E— 2 :ソルビトール
[0207] 実施例 16〜20および比較例 9〜14で得られた洗浄剤の 10倍量の超純水で予め希 釈してゼータ電位、微粒子付着数、泡立ちを評価した。また、表面張力については、 希釈前の洗浄剤を用いて評価を行った。評価結果を表 2に示す。
なお、洗浄後の基板表面の油汚れの除去性を示す水の接触角を次の方法で測定し た。
[0208] <接触角測定 >
洗浄剤 100mlをガラス製ビーカー（200ml)〖ことり、これを 50°Cの恒温槽に 10分間 漬けて温調した後、この洗浄剤中に洗浄前の液晶パネル用無アルカリガラス基板 (コ 一-ング社製「Corningl737」、大きさ 3cm X 3cm、厚さ 0. 7mm)を基板全面を完 全に浸力るまで浸漬し、 10分間静置した。 10分後、ガラス基板を取り出し、軽く振つ て表面に付着した洗浄液を液切りした後、超純水 500ml (1, 000mlビーカー）中で 、室温 (約 20°C)下で 10秒間振り洗いを行ってリンスした。リンス後、取り出した基板 を窒素ブローにより基板表面に付着した水分を除去し乾燥した (室温、約 30秒間)。 乾燥した基板を全自動接触角計 (協和界面科学 (株)社製、 PD— W)を用いて、 1秒 後の水に対する接触角を測定した。
また、洗浄剤を超純水に変更した以外、上記と同様にして測定した (比較例 8)。 なお、洗浄前のガラス基板表面の接触角は、 75° であった。
[0209] [表 2] 実 5 例 比 較 例
16 17 18 1 9 20 8 9 10 1 1 12 13 14 種類 S1 S3 S1 S3 S1 1 ― T1 T2 T4 T6 - - 配合量 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 ― 0.2 0.2 0.2 0.2 - - アル ί)リ成分 (C) 1 5 5 5 5 ― 1 5 5 5 5 5 水溶性 (D - 1 ) ― 20 ― 1 5 10 ― ― 20 15 10 ― 20 有機溶剤 (D m— 2) ― 30 1 5 20 ― ― ― 15 20 ― ― 多価アルコ-ル (E- M1 ) 5 ― ― ― ― ― ―
- ― ― 2 2
超純水 98.8 74.8 59.8 62.8 62.8 100 98.8 74.8 64.8 64.8 95 75 ゼ_タ電位 ον) -110 -95 - 90 -90 -1 15 39 -70 -70 - 62 - 58 -65 -60 微粒子付着数 (個ノ枚） 18 12 14 10 1 2 > 10000 168 1 39 1 82 175 5800 7200 泡の高さ（mm)
直後 1 5 7 5 50 1 1 5 45 60 1 5 5分後 0 0 0 0 35 0 0 0 30 50 0 0 表 張力 (dyne/cm) 60 35 52 40 29 72 62 45 32 30 65 47 洗浄後の接触角 Γ ) 25 15 20 1 5 1 5 73 60 35 35 40 65 45
[0210] 表 1および表 2の結果から、本発明の界面活性剤を用いた洗浄剤はパーティクルの ゼータ電位を効果的に低下させることができ、その結果、ウェハ当たりの付着粒子数 を減少させることができた。このことから、洗浄時におけるシリコンウェハへのパーティ クルの再付着防止に効果があることがわ力つた。また表 1中の実施例 1〜： L 1の結果 から、特に中和塩 (AB2)力 なる本発明の界面活性剤は低泡性に非常に優れ、洗 浄時に問題となる起泡によるトラブルがないといった効果も奏することがわ力つた。さ らに表 2の結果から、本発明の洗浄剤は、短時間でガラス基板表面の水の接触角が 下がったことから、基板表面につ!、た油性の汚れを速やかに除去する効果があること がわかった。
産業上の利用可能性
[0211] 本発明の洗浄剤は、被洗浄物力 剥がれた汚れの再付着防止効果に優れているた め、半導体素子、シリコンウェハ、カラーフィルター、電子デバイス用基板 (液晶パネ ル、プラズマ、有機 ELなどのフラットパネルディスプレイ、光'磁気ディスク、 CCD) , 光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、 LEDなどの電子部品を製造する 工程の洗浄剤として有効に使用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 中和塩 (AB1)及び Z又は中和塩 (AB2)力 なることを特徴とする界面活性剤。
中和塩 (AB1)：酸解離反応における生成熱変化（Q1)が 3〜200kcalZmolである 酸の酸基 (XI)と炭素数力^〜 36の疎水基 (Y)とをそれぞれ少なくとも 1つ有する酸 性化合物 (A1)と、プロトン付加反応における生成熱変化 (Q2)が 10〜152kcalZm olである窒素含有塩基性ィ匕合物（B)との中和塩であって、（XI)がスルホン酸基、硫 酸基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボキシメチルォキシ基、カルボキシェチルォキシ 基、（ジ)カルボキシメチルァミノ基、（ジ)カルボキシェチルァミノ基、式（1)で表される 基及び式（2)で表される基力 なる群より選ばれる少なくとも 1種である中和塩
C (H) (W) -COOH (1)
a b
-Ar(W) COOH (2)
Wは-トロ基、シァノ基、トリハロメチル基、ホルミル基、ァセチル基、アルキルォキシ カルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基、アンモ-ォ基又はハロゲン原子、 Arは炭素 数 5〜14のァリール基、 aは 0又は 1、 bは 1又は 2、 cは 1〜8の整数を表し、アルキル ォキシカルボ-ル基、アルキルスルホ-ル基におけるアルキルの炭素数は 1〜3であ る。
中和塩 (AB2)：分子内に少なくとも 1つの酸基 (X2)を有するポリマー (A2)と、プロト ン付加反応における生成熱変化（Q2)が 10〜152kcal/molである窒素含有塩基 性化合物（B)との中和塩
[2] 中和塩 (AB1)が式（9)を満たしてなる請求項 1に記載の界面活性剤。
0. 01≤{Q2/ (Ql X n) }≤3. 0 (9)
{nは（B)の窒素原子の個数）
[3] 酸基 (X2)の酸解離反応における生成熱変化 (Q1)が 3〜200kcalZmOlである請 求項 1または 2記載の界面活性剤。
[4] 中和塩 (AB2)の重量平均分子量が 1, 000〜1, 000, 000であることを特徴とする 請求項 1〜3のいずれか 1項記載の界面活性剤。
[5] 酸性化合物（A1)の HLB値が 5〜30である請求項 1〜4のいずれ力 1項記載の界面 活性剤。
[6] 化合物 (B)が、分子内に少なくとも 1つのグァニジン骨格を有する化合物 (B— 1)、分 子内に少なくとも 1つのアミジン骨格を有する化合物（B— 2)、および分子内に少なく とも 1つの N = P— N骨格有する化合物（B 3)力 なる群より選ばれる少なくとも 1種 である請求項 1〜5のいずれか 1項記載の界面活性剤。
[7] 化合物（B)が、プロトンスポンジ誘導体 (B— 4)である請求項 1〜5のいずれ力 1項記 載の界面活性剤。
[8] 化合物（B—1)がグァ-ジン、 1, 3, 4, 6, 7, 8 へキサヒドロ 2H ピリミド [1, 2
— a]ピリミジン及び 1, 3, 4, 6, 7, 8 へキサヒドロ 1—メチル—2H ピリミド [1, 2
— a]ピリミジン力もなる群より選ばれる少なくとも 1種である請求項 6記載の界面活性 剤。
[9] 化合物（B— 2)が 1, 8 ジァザビシクロ [5. 4. 0]ゥンデセン 7および Zまたは 1, 5 ージァザビシクロ [4. 3. 0]ノネンー 5である請求項 6記載の界面活性剤。
[10] 化合物（B— 3)がホスファゼンィ匕合物である請求項 6記載の界面活性剤。
[11] 化合物（B)の分子体積 (nm3)が 0. 025-0. 7である請求項 1〜10のいずれ力 1項 記載の界面活性剤。
[12] 酸基 (X2)力 スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル 基力 なる群より選ばれる少なくとも 1種である請求項 1〜11のいずれ力 1項記載の 界面活性剤。
[13] 請求項 1〜12のいずれか 1項記載の界面活性剤を含む洗浄剤。
[14] さらに、アルカリ成分 (C)を含んでなる請求項 13に記載の洗浄剤。
[15] アルカリ成分 (C)が一般式（17)で示される有機アルカリ（C1)である請求項 14記載 の洗浄剤。
[化 1]
· ΟΗ" ( 1 7 )
Figure imgf000064_0001
〔式中、 R\ R2、 R3および R4は、それぞれ炭素数 1〜24の炭化水素基または—（R5 O) —Hで表される基であり、 R5は炭素数 2〜4のアルキレン基、 pは 1〜6の整数を
P
表す。〕
[16] さら〖こ、水溶性有機溶剤 (D)および水力ゝらなる群より選ばれる少なくとも 1種を含有し てなる請求項 13〜 15のいずれか 1項記載の洗浄剤。
[17] さらに、 3〜2, 000価の多価アルコール（E)を含有してなる請求項 13〜16のいずれ 力 1項記載の洗浄剤。
[18] 電子材料'電子部品の製造工程中、洗浄工程における洗浄剤として使用される請求 項 13〜 17の 、ずれか 1項記載の洗浄剤。
[19] 請求項 13〜18のいずれか 1項記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄
、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる 群より選ばれる少なくとも 1種によって洗浄する工程を含む電子材料 ·電子部品の製 造方法。
[20] 電子材料 ·電子部品が液晶パネル用基板または半導体素子である請求項 19記載の 製造方法。
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