JP2524020B2 - 液中微粒子付着制御法 - Google Patents
液中微粒子付着制御法Info
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- JP2524020B2 JP2524020B2 JP3200252A JP20025291A JP2524020B2 JP 2524020 B2 JP2524020 B2 JP 2524020B2 JP 3200252 A JP3200252 A JP 3200252A JP 20025291 A JP20025291 A JP 20025291A JP 2524020 B2 JP2524020 B2 JP 2524020B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子材料、磁性材料、
光学材料、セラミックスなど多くの製造プロセスにおい
て、各種金属、合金、セラミックスを含む無機物または
有機物を含む化合物の微粒子の分散制御及び付着制御を
する方法に係る。
光学材料、セラミックスなど多くの製造プロセスにおい
て、各種金属、合金、セラミックスを含む無機物または
有機物を含む化合物の微粒子の分散制御及び付着制御を
する方法に係る。
【0002】特に、半導体装置の製造工程等において半
導体ウェハ等半導体基板の表面に微粒子が付着するのを
防止あるいは低減させる洗浄法に関する。
導体ウェハ等半導体基板の表面に微粒子が付着するのを
防止あるいは低減させる洗浄法に関する。
【0003】
【従来の技術】半導体ウェハ等の基板の表面に形成され
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパターンの線幅が微細化してきている。次期
16MDRAMにおいて最小加工寸法は0.5μmであ
り、その製造工程においてより微小な微粒子が製品の品
質や歩留まりの向上の障害になると考えられる。
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパターンの線幅が微細化してきている。次期
16MDRAMにおいて最小加工寸法は0.5μmであ
り、その製造工程においてより微小な微粒子が製品の品
質や歩留まりの向上の障害になると考えられる。
【0004】従来、基板表面を洗浄する手段として、ア
ールシーエーレビュー31(1970年)第187頁か
ら第206頁[RCA Review,31(197
0)P.187〜206]で述べられているように、ア
ンモニア水と過酸化水素水の混合物を80℃程度に加熱
し、これにウェハを浸漬する方法や、超純水中で、超音
波を加える方法がある。特に後者の超音波洗浄に関して
は通常の50kHzではなく、ジャーナルオブエレクト
ロニックマテリアルズ第8巻(1979年)第855頁
から第864頁[J.Elec.Materials,
8(1979)P855〜864]で述べられているよ
うに850kHzの周波数のものを用いたり、特開昭6
0−187380で述べられているように超音波放射表
面と液面の距離を変化させたり、特開昭61−1012
83で述べられているように基本周波数に周波数変調を
行ったり、様々な工夫を施し実用に供している。
ールシーエーレビュー31(1970年)第187頁か
ら第206頁[RCA Review,31(197
0)P.187〜206]で述べられているように、ア
ンモニア水と過酸化水素水の混合物を80℃程度に加熱
し、これにウェハを浸漬する方法や、超純水中で、超音
波を加える方法がある。特に後者の超音波洗浄に関して
は通常の50kHzではなく、ジャーナルオブエレクト
ロニックマテリアルズ第8巻(1979年)第855頁
から第864頁[J.Elec.Materials,
8(1979)P855〜864]で述べられているよ
うに850kHzの周波数のものを用いたり、特開昭6
0−187380で述べられているように超音波放射表
面と液面の距離を変化させたり、特開昭61−1012
83で述べられているように基本周波数に周波数変調を
行ったり、様々な工夫を施し実用に供している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記集積回路における
集積度の高密度化により次期16MDRAMにおける最
小加工寸法は0.5μmであり、それにつれて、洗浄の
対象となっている微粒子の大きさも微小化し、0.05
μmの微粒子をも除去する必要があると考えられてい
る。
集積度の高密度化により次期16MDRAMにおける最
小加工寸法は0.5μmであり、それにつれて、洗浄の
対象となっている微粒子の大きさも微小化し、0.05
μmの微粒子をも除去する必要があると考えられてい
る。
【0006】微粒子が微小化するにつれて大気中におけ
る存在数が増加し、現在(4MDRAM)対象となって
いる0.13μmの微粒子より0.05μmの微粒子は
数倍多く存在する。また、微粒子が微小化するにつれ
て、基板に付着しやすくなると考えられ、ますます微粒
子の洗浄技術の必要性が高まっているといえる。
る存在数が増加し、現在(4MDRAM)対象となって
いる0.13μmの微粒子より0.05μmの微粒子は
数倍多く存在する。また、微粒子が微小化するにつれ
て、基板に付着しやすくなると考えられ、ますます微粒
子の洗浄技術の必要性が高まっているといえる。
【0007】しかし、超音波等機械的な力で基板から微
粒子を除去する従来法では、微粒子が微小化するにつれ
て、その質量や表面積が小さくなるので、1個あたりに
かかる機械的な力は小さくなり除去しにくくなる。ま
た、基板へのダメージも、半導体の集積度の向上に伴っ
て問題になってきている。そのため従来法では、微小化
した微粒子の除去はむずかしいと考えられる。
粒子を除去する従来法では、微粒子が微小化するにつれ
て、その質量や表面積が小さくなるので、1個あたりに
かかる機械的な力は小さくなり除去しにくくなる。ま
た、基板へのダメージも、半導体の集積度の向上に伴っ
て問題になってきている。そのため従来法では、微小化
した微粒子の除去はむずかしいと考えられる。
【0008】本発明は、上記問題を解決するため発想を
転換し、基板への微粒子の付着を防止あるいは低減する
技術を提供するものである。
転換し、基板への微粒子の付着を防止あるいは低減する
技術を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、溶液中にある
微粒子のゼータ電位(表面電位)を制御できる物質を、
該溶液中に添加することにより、溶液中にある前記微粒
子の付着を防止あるいは低減する液中微粒子付着制御法
に関する。
微粒子のゼータ電位(表面電位)を制御できる物質を、
該溶液中に添加することにより、溶液中にある前記微粒
子の付着を防止あるいは低減する液中微粒子付着制御法
に関する。
【0010】図1に、本発明の基本概念図を示す。図1
(a)は、基板−微粒子間の距離とポテンシャルエネル
ギー(W)の関係を示したものであり、図1(b)は、
基板1と微粒子2との間の表面電荷3により形成される
電気二重層による静電気反発力、図1(c)は、基板1
と微粒子2との間のvan der Waals力によ
る引力を示す概念図である。図1(a)に示すように、
液中では基板1と微粒子2との間のポテンシャルエネル
ギーWは、van der Waals力による引力
(VA)と電気二重層による静電気反発力(VR)の2つ
のポテンシャルの和(W=VA+VR)であり、このポテ
ンシャルの山を超えることにより基板に微粒子が付着す
ると考えられる。そこで、本発明は、このポテンシャル
の山を高くして、基板への微粒子の付着を低減させるた
めに基板及び微粒子の表面電位(ゼータ電位)を大きく
し静電気反発力を高めることに着目してなされたもので
ある。
(a)は、基板−微粒子間の距離とポテンシャルエネル
ギー(W)の関係を示したものであり、図1(b)は、
基板1と微粒子2との間の表面電荷3により形成される
電気二重層による静電気反発力、図1(c)は、基板1
と微粒子2との間のvan der Waals力によ
る引力を示す概念図である。図1(a)に示すように、
液中では基板1と微粒子2との間のポテンシャルエネル
ギーWは、van der Waals力による引力
(VA)と電気二重層による静電気反発力(VR)の2つ
のポテンシャルの和(W=VA+VR)であり、このポテ
ンシャルの山を超えることにより基板に微粒子が付着す
ると考えられる。そこで、本発明は、このポテンシャル
の山を高くして、基板への微粒子の付着を低減させるた
めに基板及び微粒子の表面電位(ゼータ電位)を大きく
し静電気反発力を高めることに着目してなされたもので
ある。
【0011】図2に基板への微粒子の付着量と微粒子の
ゼータ電位の関係を示す。
ゼータ電位の関係を示す。
【0012】図2において、4はフッ化水素酸でエッチ
ング処理したシリコン(Si)粒子(容積比でHF:H
2O=1:99のフッ化水素酸に浸漬後フィルタで捕集
した微粒子。以降ベアSi粒子という。)5は処理しな
いSi粒子、6はポリスチレン粒子である。粒子の種類
によってゼータ電位が異なっており、また同じSi粒子
でも表面状態によりゼータ電位の値が異なり、基板への
微粒子の付着量が異なっている。したがって、ゼータ電
位を制御することによって基板への微粒子の付着を防止
あるいは低減することができると考えられる。
ング処理したシリコン(Si)粒子(容積比でHF:H
2O=1:99のフッ化水素酸に浸漬後フィルタで捕集
した微粒子。以降ベアSi粒子という。)5は処理しな
いSi粒子、6はポリスチレン粒子である。粒子の種類
によってゼータ電位が異なっており、また同じSi粒子
でも表面状態によりゼータ電位の値が異なり、基板への
微粒子の付着量が異なっている。したがって、ゼータ電
位を制御することによって基板への微粒子の付着を防止
あるいは低減することができると考えられる。
【0013】また、基板と微粒子のゼータ電位は、一般
的には負であるが、まれにアルミナ基板とアルミナ粒子
の様に両者が正である場合もあり得る。ゼータ電位を制
御するとは、その絶対値を大きくすることを意味する。
的には負であるが、まれにアルミナ基板とアルミナ粒子
の様に両者が正である場合もあり得る。ゼータ電位を制
御するとは、その絶対値を大きくすることを意味する。
【0014】本発明は、液中に特定の物質を添加するこ
とにより微粒子あるいは基板のゼータ電位を制御できる
という知見に基づいてなされたものである。
とにより微粒子あるいは基板のゼータ電位を制御できる
という知見に基づいてなされたものである。
【0015】ここで、ゼータ電位と滑り面の関係につい
て簡単に述べる。
て簡単に述べる。
【0016】微粒子が溶液中を移動する際、微粒子の周
囲には液体分子が数層吸着して移動していくものと考え
られる。このときの数層の液体分子とその周りの液体の
境界面を「滑り面」といい、この面の電位が上記したよ
うに微粒子の付着に関係している。(滑り面について
は、例えば北原文雄著「分散・乳化系の化学」(工学図
書1979年)第102頁に記されている。)一方ゼー
タ電位は電気泳動法により測定されるため、まさにこの
滑り面の電位を測定していることになる。(ゼータ電位
測定の詳細は後記の実施例に示した。)本発明ではゼー
タ電位、すなわち滑り面の電位を制御できる物質とし
て、アルコール、グリコール、アミン、アミド、アミノ
アルコール、アルデヒド、有機酸、エステル、ケトン及
び非イオン界面活性剤等の物質を液中に添加することが
有効であることを見出した。これらの物質は、その分子
内の電荷分布が一様ではなく、ある部分はやや正に、あ
る部分はやや負になっており、全体としてゼロとなって
いる。すなわち、これらの物質は、双極子モーメントを
持っている。そして、これらの物質により微粒子等のゼ
ータ電位が変化するのは、この電荷分布の不均一性が原
因であると考えられる。例えば、種々のアルコールを用
いた場合ゼータ電位の値は異なっており、これは以下の
ように分子内の電荷分布の不均一性により半定量的に説
明できる。
囲には液体分子が数層吸着して移動していくものと考え
られる。このときの数層の液体分子とその周りの液体の
境界面を「滑り面」といい、この面の電位が上記したよ
うに微粒子の付着に関係している。(滑り面について
は、例えば北原文雄著「分散・乳化系の化学」(工学図
書1979年)第102頁に記されている。)一方ゼー
タ電位は電気泳動法により測定されるため、まさにこの
滑り面の電位を測定していることになる。(ゼータ電位
測定の詳細は後記の実施例に示した。)本発明ではゼー
タ電位、すなわち滑り面の電位を制御できる物質とし
て、アルコール、グリコール、アミン、アミド、アミノ
アルコール、アルデヒド、有機酸、エステル、ケトン及
び非イオン界面活性剤等の物質を液中に添加することが
有効であることを見出した。これらの物質は、その分子
内の電荷分布が一様ではなく、ある部分はやや正に、あ
る部分はやや負になっており、全体としてゼロとなって
いる。すなわち、これらの物質は、双極子モーメントを
持っている。そして、これらの物質により微粒子等のゼ
ータ電位が変化するのは、この電荷分布の不均一性が原
因であると考えられる。例えば、種々のアルコールを用
いた場合ゼータ電位の値は異なっており、これは以下の
ように分子内の電荷分布の不均一性により半定量的に説
明できる。
【0017】図3、図4は、微粒子表面に吸着したアル
コール分子について、量子力学に基づく理論計算により
求めたアルコールの分子内の電荷分布並びにゼータ電位
を示す。各アルコールの微粒子2への吸着状態は図3に
示す場合と図4に示す場合が考えられる。図3に示す場
合、滑り面の位置を微粒子2の表面より3〜4番目の原
子とすれば、その位置付近にある炭素原子の電荷の絶対
値が大きい程、ゼータ電位の絶対値は大きくなっている
ことが分かる。すなわち、アルコールが吸着した際、吸
着端より3〜4番目の原子付近に存在する局所的な電荷
の分布がゼータ電位の値に影響を与えると考えることが
できる。一方図4に示した場合、大きな負電荷を持つ酸
素原子の位置と滑り面との関係が各アルコールによって
異なっており、酸素原子が滑り面に近い程ゼータ電位の
絶対値は大きくなっていると考えることができる。した
がって、いずれの場合もゼータ電位の大きさはアルコー
ル分子内の電荷分布の不均一性によって決まるものと推
論される。
コール分子について、量子力学に基づく理論計算により
求めたアルコールの分子内の電荷分布並びにゼータ電位
を示す。各アルコールの微粒子2への吸着状態は図3に
示す場合と図4に示す場合が考えられる。図3に示す場
合、滑り面の位置を微粒子2の表面より3〜4番目の原
子とすれば、その位置付近にある炭素原子の電荷の絶対
値が大きい程、ゼータ電位の絶対値は大きくなっている
ことが分かる。すなわち、アルコールが吸着した際、吸
着端より3〜4番目の原子付近に存在する局所的な電荷
の分布がゼータ電位の値に影響を与えると考えることが
できる。一方図4に示した場合、大きな負電荷を持つ酸
素原子の位置と滑り面との関係が各アルコールによって
異なっており、酸素原子が滑り面に近い程ゼータ電位の
絶対値は大きくなっていると考えることができる。した
がって、いずれの場合もゼータ電位の大きさはアルコー
ル分子内の電荷分布の不均一性によって決まるものと推
論される。
【0018】ただし、ゼータ電位を制御できる物質は基
板あるいは微粒子に吸着することが不可欠であり、1分
子中に−OH、−CHO、−COOH及び−NH2等の
親水性の基と炭化水素基からなる疎水性の基を持つ物質
である点が共通点であり、このことより微粒子への吸着
が起こるものと考えられる。
板あるいは微粒子に吸着することが不可欠であり、1分
子中に−OH、−CHO、−COOH及び−NH2等の
親水性の基と炭化水素基からなる疎水性の基を持つ物質
である点が共通点であり、このことより微粒子への吸着
が起こるものと考えられる。
【0019】また、ゼータ電位を制御できる上記物質
は、いずれもイオン解離しにくい物質である。イオン解
離しやすい物質を液中に添加する場合には、液中のイオ
ン濃度が高くなり微粒子の付着が起こりやすくなる。す
なわちゼータ電位を大きくしても微粒子付着防止効果が
充分に現われない場合がある。したがって、イオン解離
しにくい物質を用いることは本発明を実現する上で非常
に好ましい。
は、いずれもイオン解離しにくい物質である。イオン解
離しやすい物質を液中に添加する場合には、液中のイオ
ン濃度が高くなり微粒子の付着が起こりやすくなる。す
なわちゼータ電位を大きくしても微粒子付着防止効果が
充分に現われない場合がある。したがって、イオン解離
しにくい物質を用いることは本発明を実現する上で非常
に好ましい。
【0020】したがって、イオン解離しにくく、1分子
中に親水性の基と疎水性の基を有する物質がゼータ電位
の制御に有効であることも理解できる。ただし、分子中
の電荷分布と滑り面との兼ね合いでゼータ電位制御効果
は異なってくる。すなわち、微粒子への疎水性の基の吸
着端から2〜6個目の原子のいずれか、あるいは複数個
の原子の電荷分布が負である物質が有効であることが容
易に理解できる。具体的にはそれらの原子が酸素原子、
ハロゲン原子及びチッ素原子等の電気陰性度の大きなも
のであるか、それらに結合する原子団が電子放出基ある
いは電気陰性度の大きな原子である場合である。またさ
らに複数種の物質を組合せることも有効である。
中に親水性の基と疎水性の基を有する物質がゼータ電位
の制御に有効であることも理解できる。ただし、分子中
の電荷分布と滑り面との兼ね合いでゼータ電位制御効果
は異なってくる。すなわち、微粒子への疎水性の基の吸
着端から2〜6個目の原子のいずれか、あるいは複数個
の原子の電荷分布が負である物質が有効であることが容
易に理解できる。具体的にはそれらの原子が酸素原子、
ハロゲン原子及びチッ素原子等の電気陰性度の大きなも
のであるか、それらに結合する原子団が電子放出基ある
いは電気陰性度の大きな原子である場合である。またさ
らに複数種の物質を組合せることも有効である。
【0021】図5は、分子長の異なる2種類以上の非イ
オン界面活性剤等の分子が微粒子の表面に吸着した状態
の概念図である。図5におけるように、微粒子2の表面
に分子長の異なるCH3−R−R−R−R−OHとCH3
−R−R−R−OH(Rが、−(CH2)n−のときはア
ルコール、Rが−(CH2CH2O)m−、または−(C
H2)n−と−(CH2CH2O)m−の組合せであるとき
は非イオン界面活性剤である。n、mは5〜20程度の整
数。)が吸着した場合には、密集して吸着した短いほう
の分子の分子末端が、疑似的粒子表面となり、すなわち
微粒子の滑り面は、短いほうの分子の末端の外側にシフ
トする。そして、長いほうの分子の親水性の基(電気陰
性度の大きい酸素原子を含む。)がちょうど滑り面付近
に位置することになるので、ゼータ電位を制御できる有
効な方法となる。
オン界面活性剤等の分子が微粒子の表面に吸着した状態
の概念図である。図5におけるように、微粒子2の表面
に分子長の異なるCH3−R−R−R−R−OHとCH3
−R−R−R−OH(Rが、−(CH2)n−のときはア
ルコール、Rが−(CH2CH2O)m−、または−(C
H2)n−と−(CH2CH2O)m−の組合せであるとき
は非イオン界面活性剤である。n、mは5〜20程度の整
数。)が吸着した場合には、密集して吸着した短いほう
の分子の分子末端が、疑似的粒子表面となり、すなわち
微粒子の滑り面は、短いほうの分子の末端の外側にシフ
トする。そして、長いほうの分子の親水性の基(電気陰
性度の大きい酸素原子を含む。)がちょうど滑り面付近
に位置することになるので、ゼータ電位を制御できる有
効な方法となる。
【0022】図6(a)は、非イオン界面活性剤と比較
的分子鎖の短いアルコールを組合せて添加された場合
に、これらが微粒子2の表面に吸着した状態を示す概念
図である。また、図6(b)と図6(c)は、非イオン
界面活性剤等とアミノアルコールを組合せて添加された
場合に、これらが微粒子2の表面に吸着した状態を示す
概念図である。図6(a)〜図6(c)において、Rは
図4の場合と同じである。
的分子鎖の短いアルコールを組合せて添加された場合
に、これらが微粒子2の表面に吸着した状態を示す概念
図である。また、図6(b)と図6(c)は、非イオン
界面活性剤等とアミノアルコールを組合せて添加された
場合に、これらが微粒子2の表面に吸着した状態を示す
概念図である。図6(a)〜図6(c)において、Rは
図4の場合と同じである。
【0023】このように、非イオン界面活性剤とアルコ
ールまたはアミノアルコールを組合せて用いる場合に
は、非イオン界面活性剤等の疎水性の基の部分に低分子
量のアルコールやアミノアルコールが吸着するためゼー
タ電位変化が起こると考えられる。そして、微粒子の種
類によっては、吸着量が多くなるため、ゼータ電位の変
化もより大きくなる。したがって、微粒子の付着防止効
果も大きくなる。
ールまたはアミノアルコールを組合せて用いる場合に
は、非イオン界面活性剤等の疎水性の基の部分に低分子
量のアルコールやアミノアルコールが吸着するためゼー
タ電位変化が起こると考えられる。そして、微粒子の種
類によっては、吸着量が多くなるため、ゼータ電位の変
化もより大きくなる。したがって、微粒子の付着防止効
果も大きくなる。
【0024】非イオン界面活性剤等と組合せることによ
り付着防止効果が大きくなるものは、上記の他グリコー
ル、アミン、アミド、アルデヒド、有機酸、エステル及
びケトンなど1分子中に親水性の基と疎水性の基を持つ
物質である。
り付着防止効果が大きくなるものは、上記の他グリコー
ル、アミン、アミド、アルデヒド、有機酸、エステル及
びケトンなど1分子中に親水性の基と疎水性の基を持つ
物質である。
【0025】上記のような物質の添加濃度は、物質の種
類にもよるが、一般的に、溶液に対して10~7〜25v
ol%である。10~7vol%以上の添加で効果があ
り、25vol%より多くの添加は意味がない。
類にもよるが、一般的に、溶液に対して10~7〜25v
ol%である。10~7vol%以上の添加で効果があ
り、25vol%より多くの添加は意味がない。
【0026】最適添加濃度の範囲は、アルコールの場合
で0.1〜2.5vol%、アミノアルコールの場合で
10~7〜10~1vol%、有機酸の場合で10~3〜10
~1vol%、アルデヒドの場合で0.1〜1vol%、
ケトンの場合で0.1〜2vol%などである。
で0.1〜2.5vol%、アミノアルコールの場合で
10~7〜10~1vol%、有機酸の場合で10~3〜10
~1vol%、アルデヒドの場合で0.1〜1vol%、
ケトンの場合で0.1〜2vol%などである。
【0027】
【作用】本発明によれば、ゼータ電位を制御できる物質
を溶液に添加することにより、溶液中の微粒子のゼータ
電位の絶対値が大きくなり、液中の基板と微粒子との間
の静電気反発力が増大する。その結果、微粒子と基板間
のポテンシャルエネルギーが高くなり、基板への微粒子
の付着を防止あるいは低減することが可能となる。
を溶液に添加することにより、溶液中の微粒子のゼータ
電位の絶対値が大きくなり、液中の基板と微粒子との間
の静電気反発力が増大する。その結果、微粒子と基板間
のポテンシャルエネルギーが高くなり、基板への微粒子
の付着を防止あるいは低減することが可能となる。
【0028】また同時に、微粒子同士の分散の向上ある
いは凝集を低減することも可能となる。
いは凝集を低減することも可能となる。
【0029】
【実施例】先ず初めにゼータ電位測定法について述べ
る。
る。
【0030】ゼータ電位は通常電気泳動法により求める
ことができる。電気泳動とは、液中に電場をかけたとき
表面電荷を持つ微粒子が移動する現象をいい、その微粒
子の移動速度を測定することによって、移動速度と比例
関係にある微粒子のゼータ電位を求めることができる。
本発明では、この原理に基づいたPen Kem製LA
SER ZEE TM Model 501により、微
粒子のゼータ電位の測定を行なった。
ことができる。電気泳動とは、液中に電場をかけたとき
表面電荷を持つ微粒子が移動する現象をいい、その微粒
子の移動速度を測定することによって、移動速度と比例
関係にある微粒子のゼータ電位を求めることができる。
本発明では、この原理に基づいたPen Kem製LA
SER ZEE TM Model 501により、微
粒子のゼータ電位の測定を行なった。
【0031】本発明の効果を確認するために、ポリスチ
レン粒子、Si粒子、SiO2粒子、Si3N4粒子、T
iO2粒子、Cr粒子、Fe粒子、Cu粒子及びW粒子
を用いた。これらの粒子を用いたのは、単に粒子径の揃
ったものが容易に入手できるためであり、本発明の効果
はもちろんこれらの微粒子に限定されるものではない。
レン粒子、Si粒子、SiO2粒子、Si3N4粒子、T
iO2粒子、Cr粒子、Fe粒子、Cu粒子及びW粒子
を用いた。これらの粒子を用いたのは、単に粒子径の揃
ったものが容易に入手できるためであり、本発明の効果
はもちろんこれらの微粒子に限定されるものではない。
【0032】ポリスチレン粒子は、The Dow C
hemical Company製の粒子径1〜0.0
38μmのものを用いた。Si粒子、SiO2粒子、S
i3N4粒子、TiO2粒子、Cr粒子、Fe粒子、Cu
粒子及びW粒子は高純度化学製の粒子径1μmのものを
用いた。Si粒子については前処理しない場合と、容積
比が、HF:H2O=1:99のフッ化水素酸に1分間
エッチング処理した後実験に用いたベアSi粒子の場合
とがある。またP型Si粒子については、Pをドープし
た比抵抗9.00〜12.0Ωcmの5インチのP型S
iウエハ(100面)を粉砕して粒子径1μmし前処理
しない場合と、容積比が、HF:H2O=1:99のフ
ッ化水素酸に1分間エッチング処理した後実験に用いた
ベアP型Si粒子の場合とがある。さらにPを高ドープ
した比抵抗0.006Ωcmの5インチのP型Siウエ
ハ(111面)を粉砕して粒子径1μmした高ドープP
型Si粒子も用いた。N型Si粒子についても同様に、
Bをドープした比抵抗8.00〜12.0Ωcmの5イ
ンチのN型Siウエハ(100面)を粉砕して粒子径1
μmし前処理しない場合と、前処理したベアP型Si粒
子及びBを高ドープした比抵抗0.01〜0.018Ω
cmの5インチのN型Siウエハ(111面)を粉砕し
て粒子径1μmした高ドープN型Si粒子を用いた。
hemical Company製の粒子径1〜0.0
38μmのものを用いた。Si粒子、SiO2粒子、S
i3N4粒子、TiO2粒子、Cr粒子、Fe粒子、Cu
粒子及びW粒子は高純度化学製の粒子径1μmのものを
用いた。Si粒子については前処理しない場合と、容積
比が、HF:H2O=1:99のフッ化水素酸に1分間
エッチング処理した後実験に用いたベアSi粒子の場合
とがある。またP型Si粒子については、Pをドープし
た比抵抗9.00〜12.0Ωcmの5インチのP型S
iウエハ(100面)を粉砕して粒子径1μmし前処理
しない場合と、容積比が、HF:H2O=1:99のフ
ッ化水素酸に1分間エッチング処理した後実験に用いた
ベアP型Si粒子の場合とがある。さらにPを高ドープ
した比抵抗0.006Ωcmの5インチのP型Siウエ
ハ(111面)を粉砕して粒子径1μmした高ドープP
型Si粒子も用いた。N型Si粒子についても同様に、
Bをドープした比抵抗8.00〜12.0Ωcmの5イ
ンチのN型Siウエハ(100面)を粉砕して粒子径1
μmし前処理しない場合と、前処理したベアP型Si粒
子及びBを高ドープした比抵抗0.01〜0.018Ω
cmの5インチのN型Siウエハ(111面)を粉砕し
て粒子径1μmした高ドープN型Si粒子を用いた。
【0033】ゼータ電位の値は粒子の粒子径に依存しな
いと考えられ、上記粒子径での測定データは0.05μ
m程度の超微粒子においてもそのまま用いることができ
る。
いと考えられ、上記粒子径での測定データは0.05μ
m程度の超微粒子においてもそのまま用いることができ
る。
【0034】(実施例1)イオン解離しにくく、親水性
の基と疎水性の基を持つ物質のゼータ電位制御効果を表
1及び表2に示す。アルコール、アルデヒド、有機酸、
エステル及びケトン等広範囲な物質にゼータ電位制御効
果が認められた。このうち添加濃度とゼータ電位制御効
果の一例として、フッ化水素酸でエッチング処理したベ
アSi粒子にエタノールを添加した場合について述べ
る。
の基と疎水性の基を持つ物質のゼータ電位制御効果を表
1及び表2に示す。アルコール、アルデヒド、有機酸、
エステル及びケトン等広範囲な物質にゼータ電位制御効
果が認められた。このうち添加濃度とゼータ電位制御効
果の一例として、フッ化水素酸でエッチング処理したベ
アSi粒子にエタノールを添加した場合について述べ
る。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】図7にエタノールの添加濃度とベアSi粒
子のゼータ電位変化の関係を示す。エタノール添加前の
ベアSi粒子は−23.2mVであったが、0.5vo
l%のエタノールの添加によりSi粒子のゼータ電位を
−47.3mVまで制御することができた。(図7には
記載していないが25vol%(20wt%)程度の添
加まで効果があった。)ゼータ電位の値が極小となる添
加濃度は物質によって異なるが、エタノール以外の物質
についても図7と同様の結果が得られた。表1及び表2
に、各種物質についてゼータ電位の値が極小となるとき
の添加濃度とそのときのゼータ電位の値を示した。
子のゼータ電位変化の関係を示す。エタノール添加前の
ベアSi粒子は−23.2mVであったが、0.5vo
l%のエタノールの添加によりSi粒子のゼータ電位を
−47.3mVまで制御することができた。(図7には
記載していないが25vol%(20wt%)程度の添
加まで効果があった。)ゼータ電位の値が極小となる添
加濃度は物質によって異なるが、エタノール以外の物質
についても図7と同様の結果が得られた。表1及び表2
に、各種物質についてゼータ電位の値が極小となるとき
の添加濃度とそのときのゼータ電位の値を示した。
【0038】(実施例2)アミノアルコールに関して
は、より少ない添加濃度でより大きな効果が得られた。
各種アミノアルコールを添加したときのゼータ電位の変
化を表3に示す。
は、より少ない添加濃度でより大きな効果が得られた。
各種アミノアルコールを添加したときのゼータ電位の変
化を表3に示す。
【0039】
【表3】
【0040】また、2−アミノエタノールを添加した際
の添加濃度と1μmのポリスチレン粒子のゼータ電位の
関係を図8に、またモノイソプロパノールアミンを添加
した際の添加濃度とゼータ電位の関係を図9に示す。ア
ミノアルコールの場合には実施例1の物質のようにゼー
タ電位の値が極小となることは少なく、図8及び図9に
示すように添加すればする程ゼータ電位の絶対値は大き
くなった。
の添加濃度と1μmのポリスチレン粒子のゼータ電位の
関係を図8に、またモノイソプロパノールアミンを添加
した際の添加濃度とゼータ電位の関係を図9に示す。ア
ミノアルコールの場合には実施例1の物質のようにゼー
タ電位の値が極小となることは少なく、図8及び図9に
示すように添加すればする程ゼータ電位の絶対値は大き
くなった。
【0041】そして、アミノアルコールは10~7mol
/l(6×10~7vol%)以上の添加でゼータ電位制
御に充分な効果が見られた。
/l(6×10~7vol%)以上の添加でゼータ電位制
御に充分な効果が見られた。
【0042】(実施例3)表4にはハロゲン原子を含む
アルコール等を添加した際のゼータ電位の変化を示し
た。
アルコール等を添加した際のゼータ電位の変化を示し
た。
【0043】
【表4】
【0044】ヘキサフルオロ−2−プロパノールや1
H,1H−ペンタフルオロプロパノールについては、ゼ
ータ電位を大きく変化させる効果のあることが分かっ
た。いずれもハロゲン原子を含まない物質よりも効果が
大きいことが分かる。
H,1H−ペンタフルオロプロパノールについては、ゼ
ータ電位を大きく変化させる効果のあることが分かっ
た。いずれもハロゲン原子を含まない物質よりも効果が
大きいことが分かる。
【0045】また、ハロゲンを含む界面活性剤の例とし
てペンタデカフルオロカプリル酸について検討した。ゼ
ータ電位を変化させる効果のあることがわかった。
てペンタデカフルオロカプリル酸について検討した。ゼ
ータ電位を変化させる効果のあることがわかった。
【0046】(実施例4)表5にはチッ素原子を含む物
質を添加した際のゼータ電位の変化を示した。
質を添加した際のゼータ電位の変化を示した。
【0047】
【表5】
【0048】ホルムアミドやN−メチルホルムアミドに
ついては、ゼータ電位を大きく変化させる効果のあるこ
とが分かった。いずれもチッ素原子を含まない物質より
も効果が大きいことが分かる。
ついては、ゼータ電位を大きく変化させる効果のあるこ
とが分かった。いずれもチッ素原子を含まない物質より
も効果が大きいことが分かる。
【0049】(実施例5) (R:−(CH2)n−,nは5〜20程度の整数。)で
示される非イオン界面活性剤を合成し、ゼータ電位制御
効果について検討した。その結果を表6に示す。
示される非イオン界面活性剤を合成し、ゼータ電位制御
効果について検討した。その結果を表6に示す。
【0050】
【表6】
【0051】多くの粒子に対して効果のあることが分か
った。類似の構造を持つ界面活性剤についても同様の効
果が期待できる。
った。類似の構造を持つ界面活性剤についても同様の効
果が期待できる。
【0052】(実施例6)分子長の異なる2種類の非イ
オン界面活性剤I:CH3(CH2)10CH2O(CH2C
H2O)12H及びII:CH3(CH2)14CH2O(CH2
CH2O)14Hを合成し、これらについてゼータ電位制
御効果について検討した。その結果を表7に示す。
オン界面活性剤I:CH3(CH2)10CH2O(CH2C
H2O)12H及びII:CH3(CH2)14CH2O(CH2
CH2O)14Hを合成し、これらについてゼータ電位制
御効果について検討した。その結果を表7に示す。
【0053】
【表7】
【0054】多くの粒子に対して効果のあることが分か
った。類似の構造を持つ界面活性剤の組合せにも同様の
効果が期待できる。
った。類似の構造を持つ界面活性剤の組合せにも同様の
効果が期待できる。
【0055】(実施例7)非イオン界面活性剤CH
3(CH2)10CH2O(CH2CH2O)12Hとアルコー
ルを組合せて用いた例を表8、表9及び表10に示す。
3(CH2)10CH2O(CH2CH2O)12Hとアルコー
ルを組合せて用いた例を表8、表9及び表10に示す。
【0056】
【表8】
【0057】
【表9】
【0058】
【表10】
【0059】特に、アルコールだけでは効果の小さいF
e粒子、Si粒子及びSiO2粒子等にも大きな効果の
あることが分かった。またSi粒子同様にP型Si粒子
及びN型Si粒子等不純物をドープしたSi粒子にも大
きな効果があった。もちろんエタノール以外のアルコー
ルにも同様の効果が期待できる。
e粒子、Si粒子及びSiO2粒子等にも大きな効果の
あることが分かった。またSi粒子同様にP型Si粒子
及びN型Si粒子等不純物をドープしたSi粒子にも大
きな効果があった。もちろんエタノール以外のアルコー
ルにも同様の効果が期待できる。
【0060】(実施例8)非イオン界面活性剤CH
3(CH2)10CH2O(CH2CH2O)12Hとアミノア
ルコールを組合せた例を表11、表12及び表13に示
す。
3(CH2)10CH2O(CH2CH2O)12Hとアミノア
ルコールを組合せた例を表11、表12及び表13に示
す。
【0061】
【表11】
【0062】
【表12】
【0063】
【表13】
【0064】特に、アミノアルコールだけでは効果の小
さいFe粒子、Si粒子及びSiO2粒子等にも大きな
効果のあることが分かった。またSi粒子同様にP型S
i粒子及びN型Si粒子等不純物をドープしたSi粒子
にも大きな効果があった。
さいFe粒子、Si粒子及びSiO2粒子等にも大きな
効果のあることが分かった。またSi粒子同様にP型S
i粒子及びN型Si粒子等不純物をドープしたSi粒子
にも大きな効果があった。
【0065】(実施例9)本発明による微粒子の付着防
止効果を以下の手順により確認した。図10に示すよう
に、0.038μmのポリスチレン粒子を液槽9の超純
水中に分散し(微粒子濃度は5×1011個/m3に調
整)、4インチSiウエハ8を一定時間浸漬した。次い
で、これを液槽9中より引き上げてスピンナー乾燥し、
電子顕微鏡(SEM)により付着ポリスチレン粒子数を
測定した。浸漬時間と付着数の関係を図11の10とし
て示す。浸漬時間とともに付着数は増加することが分か
った。次に、2−アミノエタノールを6×10~5vol
%加えた後、同様にして付着実験を行ない、得られた結
果を同じく図11の11として示す。ほとんど付着は見
られなかった。
止効果を以下の手順により確認した。図10に示すよう
に、0.038μmのポリスチレン粒子を液槽9の超純
水中に分散し(微粒子濃度は5×1011個/m3に調
整)、4インチSiウエハ8を一定時間浸漬した。次い
で、これを液槽9中より引き上げてスピンナー乾燥し、
電子顕微鏡(SEM)により付着ポリスチレン粒子数を
測定した。浸漬時間と付着数の関係を図11の10とし
て示す。浸漬時間とともに付着数は増加することが分か
った。次に、2−アミノエタノールを6×10~5vol
%加えた後、同様にして付着実験を行ない、得られた結
果を同じく図11の11として示す。ほとんど付着は見
られなかった。
【0066】また、2−アミノエタノールの代りにエタ
ノールを添加した場合は、付着量が3分の1程度に減少
した(図12の12) (実施例10)次に0.038μmポリスチレン粒子を
用いた同様の付着実験を、塩酸を加え溶液の水素イオン
濃度を調整して行なった。pH=3での浸漬時間と付着
数の関係は超純水中での結果と同じで11図と同様であ
った。すなわち浸漬時間とともに付着数は増加し、2−
アミノエタノールを6×10~5vol%加えることによ
りほとんど付着は見られなかった。
ノールを添加した場合は、付着量が3分の1程度に減少
した(図12の12) (実施例10)次に0.038μmポリスチレン粒子を
用いた同様の付着実験を、塩酸を加え溶液の水素イオン
濃度を調整して行なった。pH=3での浸漬時間と付着
数の関係は超純水中での結果と同じで11図と同様であ
った。すなわち浸漬時間とともに付着数は増加し、2−
アミノエタノールを6×10~5vol%加えることによ
りほとんど付着は見られなかった。
【0067】(実施例11)次に0.2μmポリスチレ
ン粒子を用いて同様の付着実験を行なった。ただし、付
着粒子数の測定には光学顕微鏡を用いた。0.2μm粒
子は超純水中ではほとんど付着が見られないので、塩酸
を加え溶液の水素イオン濃度を調整して実験を行なっ
た。図13の13として示すようにpH3程度より酸性
が大きくなると、0.2μm粒子は付着するようにな
る。(微粒子濃度は4×1012個/m3とし、ウエハを
10分間浸漬した。)2−アミノエタノールを6×10
~5vol%加えたところ、図13の14として示すよう
に付着の起こる水素イオン濃度は変化した。すなわち、
2−アミノエタノールの添加によりあるpHで起きてい
た付着を防止できることを示している。
ン粒子を用いて同様の付着実験を行なった。ただし、付
着粒子数の測定には光学顕微鏡を用いた。0.2μm粒
子は超純水中ではほとんど付着が見られないので、塩酸
を加え溶液の水素イオン濃度を調整して実験を行なっ
た。図13の13として示すようにpH3程度より酸性
が大きくなると、0.2μm粒子は付着するようにな
る。(微粒子濃度は4×1012個/m3とし、ウエハを
10分間浸漬した。)2−アミノエタノールを6×10
~5vol%加えたところ、図13の14として示すよう
に付着の起こる水素イオン濃度は変化した。すなわち、
2−アミノエタノールの添加によりあるpHで起きてい
た付着を防止できることを示している。
【0068】(実施例12)次に1μmポリスチレン粒
子を用いて同様の付着実験を行なった。ただし、付着粒
子数の測定には光学顕微鏡を用いた。1μm粒子は超純
水中ではほとんど付着が見られないので、塩酸を加え溶
液の水素イオン濃度を調整して実験を行なった。図14
の15として示すようにpH2.2程度より酸性が大き
くなると、1μm粒子は付着するようになる。(微粒子
濃度は5×1013個/m3とし、ウエハを10分間浸漬
した。)2−アミノエタノールを6×10~5vol%加
えたところ、図14の16として示すように付着の起こ
る水素イオン濃度は変化した。すなわち、2−アミノエ
タノールの添加によりあるpHで起きていた付着を防止
できること、すなわち、より酸性の高い領域まで付着を
防止できることを示している。
子を用いて同様の付着実験を行なった。ただし、付着粒
子数の測定には光学顕微鏡を用いた。1μm粒子は超純
水中ではほとんど付着が見られないので、塩酸を加え溶
液の水素イオン濃度を調整して実験を行なった。図14
の15として示すようにpH2.2程度より酸性が大き
くなると、1μm粒子は付着するようになる。(微粒子
濃度は5×1013個/m3とし、ウエハを10分間浸漬
した。)2−アミノエタノールを6×10~5vol%加
えたところ、図14の16として示すように付着の起こ
る水素イオン濃度は変化した。すなわち、2−アミノエ
タノールの添加によりあるpHで起きていた付着を防止
できること、すなわち、より酸性の高い領域まで付着を
防止できることを示している。
【0069】なお、アルカリ側でも対称的に効果があ
り、2−アミノエタノールの添加により、付着が生じる
領域をよりアルカリ性の高いところまでずらすことがで
きる。
り、2−アミノエタノールの添加により、付着が生じる
領域をよりアルカリ性の高いところまでずらすことがで
きる。
【0070】(実施例13)次に容積比でHF:H2O
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのベ
アSi粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。
(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整した。)図1
5の17に示すように浸漬時間と共に付着数は増加する
ことが分かった。次に、実施例7で用いた非イオン界面
活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノール6×1
0~5vol%を加えた後、同様にして付着実験を行なっ
た。そして、得られた結果を同じく図15の18に示
す。ほとんど付着は見られなくなった。
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのベ
アSi粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。
(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整した。)図1
5の17に示すように浸漬時間と共に付着数は増加する
ことが分かった。次に、実施例7で用いた非イオン界面
活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノール6×1
0~5vol%を加えた後、同様にして付着実験を行なっ
た。そして、得られた結果を同じく図15の18に示
す。ほとんど付着は見られなくなった。
【0071】(実施例14)次に超純水中に粒子径1μ
mのSi粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。
(Si粒子はフッ化水素酸でエッチング処理せず、微粒
子濃度は5×1013個/m3に調整した。ウエハは10
分間浸漬した。)図16の19として示すようにpH
2.2程度より酸性が大きくなると、1μm粒子は付着
するようになる。実施例7で用いた非イオン界面活性剤
10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×10~5
vol%加えたところ、図16の20として示すように
付着の起こる水素イオン濃度はより酸性側に変化した。
すなわち、2−アミノエタノールの添加によりあるpH
で起きていた付着を防止できることが分かった。
mのSi粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。
(Si粒子はフッ化水素酸でエッチング処理せず、微粒
子濃度は5×1013個/m3に調整した。ウエハは10
分間浸漬した。)図16の19として示すようにpH
2.2程度より酸性が大きくなると、1μm粒子は付着
するようになる。実施例7で用いた非イオン界面活性剤
10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×10~5
vol%加えたところ、図16の20として示すように
付着の起こる水素イオン濃度はより酸性側に変化した。
すなわち、2−アミノエタノールの添加によりあるpH
で起きていた付着を防止できることが分かった。
【0072】(実施例15)次に超純粋中に粒子径1μ
mのSiO2粒子を分散させ、同様の付着実験を行なっ
た。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し、ウエ
ハを10分間浸漬した。)図17の21として示すよう
にpH2.2程度より酸性が大きくなると、1μm粒子
は付着するようになる。実施例7で用いた非イオン界面
活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×
10~5vol%加えたところ、図17の22として示す
ように付着の起こる水素イオン濃度はより酸性側に変化
した。すなわち、2−アミノエタノールの添加によりあ
るpHで起きていた付着を防止できることが分かった。
mのSiO2粒子を分散させ、同様の付着実験を行なっ
た。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し、ウエ
ハを10分間浸漬した。)図17の21として示すよう
にpH2.2程度より酸性が大きくなると、1μm粒子
は付着するようになる。実施例7で用いた非イオン界面
活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×
10~5vol%加えたところ、図17の22として示す
ように付着の起こる水素イオン濃度はより酸性側に変化
した。すなわち、2−アミノエタノールの添加によりあ
るpHで起きていた付着を防止できることが分かった。
【0073】(実施例16)次に、超純水中に粒子径1
μmのFe粒子を分散させ、同様の付着実験を行なっ
た。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し、ウエ
ハを10分間浸漬した。)図18の23として示すよう
にpH3程度より酸性が大きくなると、1μm粒子は付
着するようになる。実施例7で用いた非イオン界面活性
剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×10
~5vol%加えたところ、図18の24として示すよう
に付着の起こる水素イオン濃度は変化した。すなわち、
2−アミノエタノールの添加によりあるpHで起きてい
た付着を防止できることが分かった。
μmのFe粒子を分散させ、同様の付着実験を行なっ
た。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し、ウエ
ハを10分間浸漬した。)図18の23として示すよう
にpH3程度より酸性が大きくなると、1μm粒子は付
着するようになる。実施例7で用いた非イオン界面活性
剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを6×10
~5vol%加えたところ、図18の24として示すよう
に付着の起こる水素イオン濃度は変化した。すなわち、
2−アミノエタノールの添加によりあるpHで起きてい
た付着を防止できることが分かった。
【0074】(実施例17)次に2−アミノエタノール
の添加濃度と付着防止効果の関係について検討した。1
μmのポリスチレン粒子を分散させ、同様の付着実験を
行なった。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し
た。)図19の25として示すようにpH2.2程度よ
り酸性が大きくなると、1μm粒子は付着するようにな
る。2−アミノエタノールを6×10~5vol%加えた
ところ、図19の26として示すように付着の起こる水
素イオン濃度は変化した。2−アミノエタノールの添加
濃度を6×10~3vol%とすると、図19の27とし
て示すように付着の起こる水素イオン濃度はさらに小さ
くなり、付着防止効果がより大きくなることが明らかに
なった。すなわち、2−アミノエタノールの添加濃度が
多くなることにより微粒子のゼータ電位の絶対値が大き
くなり、それだけ付着防止効果が大きくなったと考えら
れる。したがって他の粒子に対しても添加濃度を多くす
ることにより同様に効果が期待できる。
の添加濃度と付着防止効果の関係について検討した。1
μmのポリスチレン粒子を分散させ、同様の付着実験を
行なった。(微粒子濃度は5×1013個/m3に調整し
た。)図19の25として示すようにpH2.2程度よ
り酸性が大きくなると、1μm粒子は付着するようにな
る。2−アミノエタノールを6×10~5vol%加えた
ところ、図19の26として示すように付着の起こる水
素イオン濃度は変化した。2−アミノエタノールの添加
濃度を6×10~3vol%とすると、図19の27とし
て示すように付着の起こる水素イオン濃度はさらに小さ
くなり、付着防止効果がより大きくなることが明らかに
なった。すなわち、2−アミノエタノールの添加濃度が
多くなることにより微粒子のゼータ電位の絶対値が大き
くなり、それだけ付着防止効果が大きくなったと考えら
れる。したがって他の粒子に対しても添加濃度を多くす
ることにより同様に効果が期待できる。
【0075】(実施例18)次に容積比でHF:H2O
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整。)図20に示すよう
に浸漬時間と共に付着数は増加することが分かった。次
に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7mol
/lとm−アミノフェノールを1vol%を加えた後、
同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じく図
20の29に示す。ほとんど付着は見られなかった。
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整。)図20に示すよう
に浸漬時間と共に付着数は増加することが分かった。次
に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7mol
/lとm−アミノフェノールを1vol%を加えた後、
同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じく図
20の29に示す。ほとんど付着は見られなかった。
【0076】(実施例19)次に容積比でHF:H2O
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整した。)図21に示す
ように浸漬時間と共に付着数は増加することが分かっ
た。次に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7
mol/lとホルムアミド0.5vol%を加えた後、
同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じく図
21の31に示す。ほとんど付着は見られなかった。
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整した。)図21に示す
ように浸漬時間と共に付着数は増加することが分かっ
た。次に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7
mol/lとホルムアミド0.5vol%を加えた後、
同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じく図
21の31に示す。ほとんど付着は見られなかった。
【0077】(実施例20)次に容積比でHF:H2O
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整した。)図22に示す
ように浸漬時間と共に付着数は増加することが分かっ
た。次に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7
mol/lとベンジルアミン10~5mol/lを加えた
後、同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じ
く図22の33に示す。ほとんど付着は見られなかっ
た。
=1:99のフッ化水素酸を調整して粒子径1μmのS
i粒子を分散させ、同様の付着実験を行なった。(粒子
濃度は5×1013個/m3に調整した。)図22に示す
ように浸漬時間と共に付着数は増加することが分かっ
た。次に、実施例7で用いた非イオン界面活性剤10~7
mol/lとベンジルアミン10~5mol/lを加えた
後、同様にして付着実験を行ない、得られた結果を同じ
く図22の33に示す。ほとんど付着は見られなかっ
た。
【0078】以上の付着実験により、本発明で述べたゼ
ータ電位の制御が微粒子の付着防止や低減に有効である
ことが実証された。
ータ電位の制御が微粒子の付着防止や低減に有効である
ことが実証された。
【0079】(実施例21)本発明を実施するための洗
浄システムの一例を図23に示す。図23において、超
純水製造部34で製造された超純水と、ゼータ電位制御
物質貯蔵部35から混合量調節器36を介して供給され
るゼータ電位制御物質が、洗浄槽37に送られて混合さ
れ、Siウエハ搬送系38から洗浄槽37に運ばれるS
iウエハの洗浄に用いられる。
浄システムの一例を図23に示す。図23において、超
純水製造部34で製造された超純水と、ゼータ電位制御
物質貯蔵部35から混合量調節器36を介して供給され
るゼータ電位制御物質が、洗浄槽37に送られて混合さ
れ、Siウエハ搬送系38から洗浄槽37に運ばれるS
iウエハの洗浄に用いられる。
【0080】
【発明の効果】本発明によれば、液中における微粒子の
付着を防止及び低減することができるため、半導体装
置、薄膜デバイス、ディスク等のエレクトロニクス部品
の歩留まり高めることができ、低コストで上記製品を製
造することができる。
付着を防止及び低減することができるため、半導体装
置、薄膜デバイス、ディスク等のエレクトロニクス部品
の歩留まり高めることができ、低コストで上記製品を製
造することができる。
【0081】また同時に、微粒子同士の分散の向上ある
いは凝集を低減することも可能となる。
いは凝集を低減することも可能となる。
【図1】図1は、本発明に係る基板−微粒子間の距離と
ポテンシャルエネルギーの関係を示す図である。
ポテンシャルエネルギーの関係を示す図である。
【図2】図2は、微粒子のゼータ電位と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図3】図3は、微粒子表面に吸着したアルコール分子
の電荷分布と滑り面の電位を示す図である。
の電荷分布と滑り面の電位を示す図である。
【図4】図4は、微粒子表面に吸着したアルコール分子
の電荷分布と滑り面の電位を示す図である。
の電荷分布と滑り面の電位を示す図である。
【図5】図5は、微粒子表面に吸着した非イオン界面活
性剤分子またはアルコール分子を示す図。
性剤分子またはアルコール分子を示す図。
【図6】図6(a),図6(b)及び図6(c)は、非
イオン界面活性剤とアルコールを組合せて添加した場合
の吸着状態を示す図である。
イオン界面活性剤とアルコールを組合せて添加した場合
の吸着状態を示す図である。
【図7】図7は、エタノールの添加濃度とベアSi粒子
のゼータ電位の関係を示す図である。
のゼータ電位の関係を示す図である。
【図8】図8は、2−アミノエタノールの添加濃度とポ
リスチレン粒子のゼータ電位の関係を示す図である。
リスチレン粒子のゼータ電位の関係を示す図である。
【図9】図9は、モノイソプロパノールアミンの添加濃
度と微粒子のゼータ電位の関係を示す図である。
度と微粒子のゼータ電位の関係を示す図である。
【図10】図10は、4インチSiウエハを微粒子含有
超純水溶液に浸漬して取り出す行程図である。
超純水溶液に浸漬して取り出す行程図である。
【図11】図11は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図12】図12は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図13】図13は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図14】図14は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図15】図15は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図16】図16は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図17】図17は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図18】図18は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図19】図19は、水素イオン濃度と微粒子付着数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図20】図20は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図21】図21は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図22】図22は、ウエハの浸漬時間と微粒子付着数
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図23】図23は、本発明に係る洗浄システムの一例
を示す図である。
を示す図である。
1…基板、2…微粒子、3…表面電荷、4…ベアSi粒
子、5…Si粒子、6…ポリスチレン粒子、7…滑り
面、8…4インチSiウエハ、9…液槽、10…無添加
の場合、11…2−アミノエタノールを6×10~5vo
l%添加した場合、12…エタノールを1vol%添加
した場合、13…塩酸を添加した場合、14…2−アミ
ノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、15
…塩酸を添加した場合、16…2−アミノエタノールを
6×10~5vol%添加した場合、17…無添加の場
合、18…非イオン界面活性剤10~6mol/lと2−
アミノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、
19…無添加の場合、20…非イオン界面活性剤10~6
mol/lと2−アミノエタノールを6×10~5vol
%添加した場合、21…無添加の場合、22…非イオン
界面活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを
6×10~5vol%添加した場合、23…無添加の場
合、24…非イオン界面活性剤10~6mol/lと2−
アミノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、
25…無添加の場合、26…2−アミノエタノールを6
×10~5vol%添加した場合、27…2−アミノエタ
ノールを6×10~3vol%添加した場合、28…無添
加の場合、29…非イオン界面活性剤10~7mol/l
とm−アミノフェノールを1vol%添加した場合、3
0…無添加の場合、31…非イオン界面活性剤10~7m
ol/lとホルムアミドを0.5vol%添加した場
合、32…無添加の場合、33…非イオン界面活性剤1
0~7mol/lとベンジルアミンを10~5mol/l添
加した場合、34…超純水製造部、35…ゼータ電位制
御物質貯蔵部、36…混合量調節器、37…洗浄槽、3
8…Siウエハ搬送系。
子、5…Si粒子、6…ポリスチレン粒子、7…滑り
面、8…4インチSiウエハ、9…液槽、10…無添加
の場合、11…2−アミノエタノールを6×10~5vo
l%添加した場合、12…エタノールを1vol%添加
した場合、13…塩酸を添加した場合、14…2−アミ
ノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、15
…塩酸を添加した場合、16…2−アミノエタノールを
6×10~5vol%添加した場合、17…無添加の場
合、18…非イオン界面活性剤10~6mol/lと2−
アミノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、
19…無添加の場合、20…非イオン界面活性剤10~6
mol/lと2−アミノエタノールを6×10~5vol
%添加した場合、21…無添加の場合、22…非イオン
界面活性剤10~6mol/lと2−アミノエタノールを
6×10~5vol%添加した場合、23…無添加の場
合、24…非イオン界面活性剤10~6mol/lと2−
アミノエタノールを6×10~5vol%添加した場合、
25…無添加の場合、26…2−アミノエタノールを6
×10~5vol%添加した場合、27…2−アミノエタ
ノールを6×10~3vol%添加した場合、28…無添
加の場合、29…非イオン界面活性剤10~7mol/l
とm−アミノフェノールを1vol%添加した場合、3
0…無添加の場合、31…非イオン界面活性剤10~7m
ol/lとホルムアミドを0.5vol%添加した場
合、32…無添加の場合、33…非イオン界面活性剤1
0~7mol/lとベンジルアミンを10~5mol/l添
加した場合、34…超純水製造部、35…ゼータ電位制
御物質貯蔵部、36…混合量調節器、37…洗浄槽、3
8…Siウエハ搬送系。
フロントページの続き (72)発明者 岡 齊 横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社 日立製作所 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平3−74845(JP,A) 特開 平5−337351(JP,A) 特開 平6−41770(JP,A) 特開 平6−84866(JP,A) 特開 平6−132267(JP,A) EXTENDED ABSTRACT S OF THE 21ST CONFE RENCE ON SOLID STA TE DEVICES AND MAT ERIALS,TOKYO(1989) P.409−412 PROCEEDINGS,8TH W ORKSHOP ULTRA CLEA N TECHNOLOGY,TOKYO (1990)P.35−55 電子情報通信学会技術研究報告、87 〔397〕(1988)P.45−48 化学工学会関西支部主催セミナー(協 賛 粉体工学会粉体工業技術協会サブミ クロン分科会)、(大阪)(1989−9− 29)新居田、P.14−25
Claims (14)
- 【請求項1】溶液中にある微粒子のゼータ電位(表面電
位)を制御できる物質を、該溶液中に10-7〜25vo
l%の範囲の添加濃度で添加することにより、溶液中に
ある被吸着体である前記微粒子の付着を防止あるいは低
減することを特徴とする液中微粒子付着制御法。 - 【請求項2】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、分子内に電荷分布のある物質(双極子モー
メントを持つ物質)である請求項1記載の液中微粒子付
着制御法。 - 【請求項3】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、1分子中に親水性の基と疎水性の基を持つ
物質である請求項1記載の液中微粒子付着制御法。 - 【請求項4】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、分子端末から2〜6個目の原子のいずれ
か、あるいは複数個の原子の電荷分布が負である分子か
らなる物質である請求項1記載の液中微粒子付着制御
法。 - 【請求項5】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、イオン解離しにくい物質である請求項1記
載の液中微粒子付着制御法。 - 【請求項6】1分子中に親水性の基と疎水性の基を持つ
物質が、該疎水性の基の水素原子の一部あるいは全てを
ハロゲン原子で置き換えた物質である請求項3記載の液
中微粒子付着制御法。 - 【請求項7】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、1分子中にアミノ基と水酸基を有する物質
である請求項1記載の液中微粒子付着制御法。 - 【請求項8】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、1分子中にアミド基を有する物質である請
求項1記載の液中微粒子付着制御法。 - 【請求項9】溶液中にある微粒子のゼータ電位を制御で
きる物質が、1分子中にベンゼン環とアミノ基を有する
物質である請求項1記載の液中微粒子付着制御法。 - 【請求項10】1分子中に親水性の基と疎水性の基を持
つ物質が、該疎水性の基の水素原子の一部あるいは全て
をチッ素原子で置き換えた物質である請求項3記載の液
中微粒子付着制御法。 - 【請求項11】分子長の異なる2種類以上の物質を添加
することにより行なう請求項2記載の液中微粒子付着制
御法。 - 【請求項12】1種類以上の非イオン界面活性剤と1種
類以上の1分子中に親水性の基と疎水性の基を持つ物質
を添加することにより行なう請求項1記載の液中微粒子
付着制御法。 - 【請求項13】溶液が、フッ化水素酸、塩酸と過酸化水
素水の混合液を含む酸性溶液またはアンモニア水と過酸
化水素水の混合液を含むアルカリ性溶液または超純水を
含む中性溶液である請求項1記載の液中微粒子付着制御
法。 - 【請求項14】被吸着体が各種金属、合金、セラミック
スを含む無機物または有機物を含む化合物である請求項
1記載の液中微粒子付着制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200252A JP2524020B2 (ja) | 1990-08-20 | 1991-08-09 | 液中微粒子付着制御法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21971090 | 1990-08-20 | ||
| JP2-219710 | 1990-08-20 | ||
| JP3200252A JP2524020B2 (ja) | 1990-08-20 | 1991-08-09 | 液中微粒子付着制御法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05138142A JPH05138142A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2524020B2 true JP2524020B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=26512050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200252A Expired - Fee Related JP2524020B2 (ja) | 1990-08-20 | 1991-08-09 | 液中微粒子付着制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2524020B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07216392A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-08-15 | Daikin Ind Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
| US6029679A (en) * | 1995-09-07 | 2000-02-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor cleaning and production methods using a film repulsing fine particle contaminants |
| KR19990036143A (ko) | 1996-07-08 | 1999-05-25 | 모리시타 요이찌 | 반도체장치의세정방법 |
| TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| CN101010421B (zh) | 2004-08-31 | 2011-08-03 | 三洋化成工业株式会社 | 表面活性剂 |
| KR100795622B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-17 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| MY158742A (en) | 2008-12-19 | 2016-11-15 | Sanyo Chemical Ind Ltd | Cleaning agent for electronic materials |
| JP6541492B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
| WO2020021680A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200252A patent/JP2524020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| EXTENDEDABSTRACTSOFTHE21STCONFERENCEONSOLIDSTATEDEVICESANDMATERIALS,TOKYO(1989)P.409−412 |
| PROCEEDINGS,8THWORKSHOPULTRACLEANTECHNOLOGY,TOKYO(1990)P.35−55 |
| 化学工学会関西支部主催セミナー(協賛粉体工学会粉体工業技術協会サブミクロン分科会)、(大阪)(1989−9−29)新居田、P.14−25 |
| 電子情報通信学会技術研究報告、87〔397〕(1988)P.45−48 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05138142A (ja) | 1993-06-01 |
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Legal Events
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