[go: up one dir, main page]

TWI861505B - 用於波形產生的設備及方法 - Google Patents

用於波形產生的設備及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI861505B
TWI861505B TW111120198A TW111120198A TWI861505B TW I861505 B TWI861505 B TW I861505B TW 111120198 A TW111120198 A TW 111120198A TW 111120198 A TW111120198 A TW 111120198A TW I861505 B TWI861505 B TW I861505B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
switch
terminal
coupled
voltage source
voltage
Prior art date
Application number
TW111120198A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202316478A (zh
Inventor
法布萊斯 庫巴因斯
德米特里 格里辛
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202316478A publication Critical patent/TW202316478A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI861505B publication Critical patent/TWI861505B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32128—Radio frequency generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H02M7/49—Combination of the output voltage waveforms of a plurality of converters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本文提供的實施例大體包括設備，例如，電漿處理系統，及用於處理腔室中的基板的電漿處理的方法。一些實施例涉及波形產生器。波形產生器大體包括第一電壓級，具有：第一電壓源；第一開關；以及第二開關，其中第一電壓源的第一端子耦合到第一開關的第一端子，並且其中第一電壓源的第二端子耦合到第二開關的第一端子。波形產生器亦包括耦合到第一開關及第二開關的第二端子之間的共用節點的電流級，電流級具有電流源及耦合到電流源的第三開關。

Description

用於波形產生的設備及方法
本揭示的實施例大體係關於一種在半導體裝置製造中使用的系統。更具體地，本揭示的實施例係關於用於處理基板的電漿處理系統。
可靠地產生高深寬比特徵係用於下一代半導體裝置的關鍵技術挑戰之一。一種形成高深寬比特徵的方法使用電漿輔助的蝕刻製程來穿過在基板表面上形成的圖案化遮罩層中形成的開口轟擊在基板表面上形成的材料。
隨著技術節點朝向2nm發展，具有較大深寬比的較小特徵的製造需要用於電漿處理的原子精確度。對於電漿離子起主要作用的蝕刻製程，離子能量控制總是挑戰半導體設備工業。在常見的電漿輔助的蝕刻製程中，基板在處理腔室中設置的靜電夾盤(electrostatic chuck；ESC)上定位，電漿在基板上方形成，並且離子跨過在電漿與基板表面之間形成的電漿鞘(亦即，耗盡電子的區域)從電漿朝向基板加速。傳統上，使用正弦RF波形來激發電漿並且形成電漿鞘的RF基板偏壓方法不能期望地形成此等較小裝置特徵大小。最近，已經發現，將高電壓DC脈衝遞送到處理腔室內的一或多個電極可以用於期望地控制在基板表面上方形成的電漿鞘。
然而，產生具有快速上升時間及/或快速下降時間的高電壓脈衝係具有挑戰性的。例如，為了實現高電壓脈衝（例如，＞5 kV）的快速上升時間及/或快速下降時間（例如，＜2.5 μs），脈衝上升及/或下降的斜率必須非常陡峭（例如，＞10 V/s）。特別地在驅動具有低電容的負載的電路中，非常難以產生此種陡峭的上升時間及/或下降時間。此種脈衝可能特別難以以緊湊方式使用標準電氣部件；及/或具有可變脈衝寬度、電壓、及重複率的脈衝；及/或在具有諸如例如形成電漿的電容負載的應用內產生。
由此，在本領域中需要能夠在基板上完成期望的電漿輔助製程的脈衝電壓源及偏壓方法。
本文提供的實施例大體包括設備，例如，電漿處理系統，及用於處理腔室中的基板的電漿處理的方法。
一些實施例涉及一種波形產生器。波形產生器大體包括第一電壓級，具有：第一電壓源；第一開關；以及第二開關，其中第一電壓源的第一端子耦合到第一開關的第一端子，並且其中第一電壓源的第二端子耦合到第二開關的第一端子。波形產生器亦包括耦合到第一開關及第二開關的第二端子之間的共用節點的電流級，電流級具有電流源及耦合到電流源的第三開關。
一些實施例涉及一種用於波形產生的方法。方法大體包括在第一操作模式期間藉由控制多個開關將第一電壓源整合在波形產生器的輸出電流路徑中，以及在第二操作模式期間藉由控制多個開關將電流源整合在輸出電流路徑中。多個開關包括：第一開關；第二開關，其中第一電壓源的第一端子耦合到第一開關的第一端子，並且其中第一電壓源的第二端子耦合到第二開關的第一端子；以及第三開關，與電流源並聯耦合，第三開關耦合到第一開關及第二開關的第二端子之間的共用節點。
一些實施例涉及一種用於波形產生的設備。設備大體包括記憶體、及耦合到記憶體的一或多個處理器。記憶體及一或多個處理器可經配置為：在第一操作模式期間藉由控制多個開關將第一電壓源整合在波形產生器的輸出電流路徑中，以及在第二操作模式期間藉由控制多個開關將電流源整合在輸出電流路徑中。多個開關包括：第一開關；第二開關，其中第一電壓源的第一端子耦合到第一開關的第一端子，並且其中第一電壓源的第二端子耦合到第二開關的第一端子；以及第三開關，與電流源並聯耦合，第三開關耦合到第一開關及第二開關的第二端子之間的共用節點。
本揭示的某些態樣大體涉及用於產生電漿處理系統的電壓波形的技術。在基板的電漿處理期間，向電漿處理腔室內設置的電極提供的電壓波形將通常經配置為包括鞘塌陷級及離子電流級。鞘塌陷級可藉由產生正電壓（例如，100伏特）來實施，該正電壓將用於塌陷在處理腔室中定位的基板支撐件上設置的基板表面上方產生的鞘。在離子電流級期間，在處理腔室內的離子可藉由產生負電壓（例如，-1600伏特）來開始流動。在一些實施例中，如本文更詳細描述，在波形的離子電流級期間的電壓可具有斜坡以實施電流補償。電壓波形可藉由在波形產生器的輸出電流路徑中選擇性地整合各個電壓源（例如，電容元件）來產生。 電漿處理系統實例
第1圖係經配置為執行本文闡述的一或多個電漿處理方法的處理系統10的示意性橫截面圖。在一些實施例中，處理系統10經配置為用於電漿輔助的蝕刻製程，諸如反應性離子蝕刻(reactive ion etch; RIE)電漿處理。然而，應當注意，本文描述的實施例亦可與處理系統一起使用，該等處理系統經配置為在其他電漿輔助製程中使用，諸如電漿增強的沉積製程，例如，電漿增強的化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD)製程、電漿增強的物理氣相沉積(plasma-enhanced physical vapor deposition; PEPVD)製程、電漿增強的原子層沉積(plasma-enhanced atomic layer deposition; PEALD)製程、電漿加工處理或基於電漿的離子佈植處理，例如，電漿摻雜(plasma doping; PLAD)處理。
如圖所示，處理系統10經配置為形成電容耦合電漿(capacitively coupled plasma; CCP)，其中處理腔室100包括在處理體積129中設置的上部電極（例如，腔室蓋123），該上部電極面向亦在處理體積129中設置的下部電極（例如，基板支撐組件136）。在常見的電容耦合電漿(capacitively coupled plasma; CCP)處理系統中，射頻(RF)源（例如，RF產生器118）電氣耦合到上部或下部電極之一，並且遞送經配置為點燃並且維持電漿（例如，電漿101）的RF信號。在此配置中，電漿電容耦合到上部及下部電極的每一者並且在其間的處理區域中設置。通常，上部或下部電極的相對電極耦合到接地或第二RF電源。基板支撐組件136的一或多個部件（諸如支撐基底107）電氣耦合到包括RF產生器118的電漿產生器組件163，並且腔室蓋123電氣耦合到接地。如圖所示，處理系統10包括處理腔室100、支撐組件136、及系統控制器126。
處理腔室100通常包括腔室主體113，該腔室主體包括共同定義處理體積129的腔室蓋123、一或多個側壁122、及腔室基底124。一或多個側壁122及腔室基底124大體包括材料，該等材料的大小及形狀經調節以形成用於處理腔室100的元件的結構支撐件，並且經配置為在處理期間在處理腔室100的處理體積129中維持的真空環境內產生電漿101時承受向其施加的壓力及添加的能量。在一個實例中，一或多個側壁122及腔室基底124由金屬形成，諸如鋁、鋁合金、或不鏽鋼合金。
穿過腔室蓋123設置的氣體入口128用於將一或多種處理氣體從與之流體連通的處理氣體源119遞送到處理體積129。將基板103穿過一或多個側壁122的一者中的開口（未圖示）裝載到處理體積129中並且從處理體積129移除，該開口在基板103的電漿處理期間用狹縫閥（未圖示）密封。
系統控制器126（在本文中亦稱為處理腔室控制器）包括中央處理單元(central processing unit; CPU) 133、記憶體134、及支援電路135。系統控制器126用於控制用於處理基板103的處理序列，包括本文描述的基板偏壓方法。CPU 133係經配置為用於控制處理腔室及與其有關的子處理器的工業設置中的通用電腦處理器。本文描述的記憶體134（大體為非揮發性記憶體）可包括隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟或硬碟驅動、或其他適宜形式的數位儲存器（本端或遠端）。支援電路135習知地耦合到CPU 133並且包含快取記憶體、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器、及類似者、及其組合。軟體指令（程式）及資料可以在記憶體124內編碼及儲存用於指示CPU 133內的處理器。可由系統控制器126中的CPU 133讀取的軟體程式（或電腦指令）決定處理系統10中的部件可執行哪些任務。
通常，可由系統控制器126中的CPU 133讀取的程式包括代碼，當藉由處理器（CPU 133）執行時，該代碼執行與本文描述的電漿處理方案有關的任務。程式可包括指令，該等指令用於控制處理系統10內的各種硬體及電氣部件以執行用於實施本文描述的方法的各種製程任務及各種製程序列。在一個實施例中，程式包括用於執行下文關於第7圖描述的一或多個操作的指令。
處理系統可包括電漿產生器組件163、用於在偏壓電極104處建立第一PV波形的第一脈衝電壓(pulsed voltage; PV)源組件196、及用於在邊緣控制電極115處建立第二PV波形的第二PV源組件197。第一PV波形或第二PV波形可使用如本文關於第4圖、第5A圖及第5B圖更詳細描述的波形產生器來產生。在一些實施例中，電漿產生器組件163將RF信號遞送到支撐基底107（例如，電力電極或陰極），該支撐基底可用於在基板支撐組件136與腔室蓋123之間設置的處理區域中產生（維持及/或點燃）電漿101。在一些實施例中，RF產生器118經配置為遞送具有大於1 MHz或更大、或約2 MHz或更大、諸如約13.56 MHz或更大的頻率的RF信號。
如上文論述，在一些實施例中，基於從系統控制器126提供的控制信號，包括RF產生器118及RF產生器組件160的電漿產生器組件163大體經配置為將在期望的實質上固定的正弦波形頻率下的期望量的連續波(continuous wave; CW)或脈衝RF電力遞送到基板支撐組件136的支撐基底107。在處理期間，電漿產生器組件163經配置為將RF電力（例如，RF信號）遞送到靠近基板支撐件105並且在基板支撐組件136內設置的支撐基底107。遞送到支撐基底107的RF電力經配置為點燃並且維持在處理體積129內設置的處理氣體的處理電漿101。
在一些實施例中，支撐基底107係經由RF匹配電路162及第一濾波器組件161（其等均在RF產生器組件160內設置）電氣耦合到RF產生器118的RF電極。第一濾波器組件161包括一或多個電氣元件，該等電氣元件經配置為實質上防止藉由PV波形產生器150的輸出產生的電流穿過RF電力遞送線167流動並且損壞RF產生器118。第一濾波器組件161用作對由PV波形產生器150內的PV脈衝產生器P1產生的PV信號的高阻抗（例如，高Z），並且因此抑制電流到RF匹配電路162及RF產生器118的流動。
在一些實施例中，RF產生器組件160及RF產生器118用於使用在處理體積129中設置的處理氣體及藉由RF產生器118遞送到支撐基底107的RF電力（RF信號）產生的場來點燃及維持處理電漿101。處理體積129經由真空出口120流體耦合到一或多個專屬真空泵，該等真空泵將處理體積129維持在亞大氣壓條件下並且從其抽出處理及/或其他氣體。在一些實施例中，在處理體積129中設置的基板支撐組件136在支撐軸件138上設置，該支撐軸件接地並且穿過腔室基底124延伸。然而，在一些實施例中，RF產生器組件160經配置為將RF電力遞送到相對於基板基底107在基板支撐件105中設置的偏壓電極104。
基板支撐組件136（如上文簡要論述）大體包括基板支撐件105（例如，ESC基板支撐件）及支撐基底107。在一些實施例中，如下文進一步論述，基板支撐組件136可以額外包括絕緣體板111及接地板112。支撐基底107藉由絕緣器板111與腔室基底124電氣隔離，並且接地板112插入絕緣器板111與腔室基底124之間。基板支撐件105熱耦合到支撐基底107並且在該支撐基底上設置。在一些實施例中，支撐基底107經配置為在基板處理期間調節基板支撐件105及在基板支撐件105上設置的基板103的溫度。
通常，基板支撐件105由介電材料形成，諸如塊狀燒結的陶瓷材料，諸如抗腐蝕金屬氧化物或金屬氮化物材料，例如，氧化鋁(Al 2O 3)、氮化鋁(AlN)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、氧化釔(Y 2O 3)、其混合物、或其組合。在本文的實施例中，基板支撐件105進一步包括嵌入其介電材料中的偏壓電極104。在一些實施例中，用於在偏壓電極104上方的處理區域中維持電漿101的RF電力的一或多個特性藉由量測偏壓電極104處建立的RF波形來決定及/或監測。
在一種配置中，偏壓電極104係夾持極，該夾持極用於將基板103固定（亦即，夾持）到基板支撐件105的基板支撐表面105A，並且使用本文描述的脈衝電壓偏壓方案的一或多個相對於處理電漿101偏壓基板103。通常，偏壓電極104由一或多個導電部分形成，諸如一或多個金屬網、箔、板、或其組合。
在一些實施例中，偏壓電極104電氣耦合到夾持網路116，該夾持網路使用電導體向偏壓電極提供夾持電壓，諸如在約-5000 V與約5000 V之間的靜態DC電壓，該電導體諸如同軸電力遞送線106（例如，同軸電纜）。如將在下文進一步論述，夾持網路116包括偏壓補償電路元件116A、DC電源供應器155、及偏壓補償模組阻擋電容器，在本文中亦稱為阻擋電容器C 5。阻擋電容器C 5在脈衝電壓(PV)波形產生器150的輸出與偏壓電極104之間設置。
基板支撐組件136可進一步包括在邊緣環114之下定位並且圍繞偏壓電極104及/或設置在距偏壓電極104的中心一定距離處的邊緣控制電極115。大體上，對於經配置為處理圓形基板的處理腔室100，邊緣控制電極115的形狀係環形，由導電材料製成並且經配置為圍繞偏壓電極104的至少一部分。在一些實施例中，諸如第1圖所示，邊緣控制電極115在基板支撐件105的區域內定位。在一些實施例中，如第1圖中示出，邊緣控制電極115包括與基板支撐件105的基板支撐表面105A相距與偏壓電極104類似的距離（亦即，Z方向）來設置的導電網、箔、或板。在一些其他實施例中，邊緣控制電極115包括在石英管道110的區域上或內定位的導電網、箔、及/或板，該區域圍繞偏壓電極104及/或基板支撐件105的至少一部分。或者，在一些其他實施例（未圖示）中，邊緣控制電極115在邊緣環114內定位或耦合到該邊緣環，該邊緣環在基板支撐件105上並且鄰近基板支撐件105設置。在此配置中，邊緣環114由半導體或介電材料（例如，AlN等）形成。
邊緣控制電極115可以藉由使用與用於偏壓偏壓電極104的PV波形產生器150不同的PV波形產生器來偏壓。在一些實施例中，藉由將部分電力分離到邊緣控制電極115，邊緣控制電極115可以藉由使用亦用於偏壓偏壓電極104的PV波形產生器150來偏壓。在一種配置中，第一PV源組件196的第一PV波形產生器150經配置為偏壓偏壓電極104，並且第二PV源組件197的第二PV波形產生器150經配置為偏壓邊緣控制電極115。
電力遞送線157將第一PV源組件196的PV波形產生器150的輸出電氣連接到可選濾波器組件151及偏壓電極104。儘管下文的論述主要論述用於將PV波形產生器150耦合到偏壓電極104的第一PV源組件196的電力遞送線157，將PV波形產生器150耦合到邊緣控制電極115的第二PV源組件197的電力遞送線158將包括相同或類似的部件。在電力遞送線157的各個部分內的電導體可包括：(a)同軸電纜的一個或組合（諸如與剛性同軸電纜串聯連接的撓性同軸電纜），(b)絕緣的高電壓耐電暈安裝線，(c)裸接線，(d)金屬桿，(e)電氣連接器，或(f)在(a)-(e)中的電氣元件的任何組合。可選濾波器組件151包括一或多個電氣元件，該等電氣元件經配置為實質上防止藉由RF產生器118的輸出產生的電流穿過電力遞送線157流動並且損壞PV波形產生器150。可選濾波器組件151用作對由RF產生器118產生的RF信號的高阻抗（例如，高Z），並且因此抑制電流到PV波形產生器150的流動。
第二PV源組件197包括夾持網路116，使得施加到邊緣控制電極115的偏壓可以類似地經配置為藉由在第一PV源組件196內耦合的夾持網路116施加到偏壓電極104的偏壓。將類似地配置的PV波形及夾持電壓施加到偏壓電極104及邊緣控制電極115可以幫助在處理期間改進跨基板表面的電漿均勻性並且因此改進電漿處理製程結果。
在一些實施例中，處理腔室100進一步包括石英管道110、或套環，該石英管道或套環至少部分外接基板支撐組件136的多個部分以防止基板支撐件105及/或支撐基底107與腐蝕性處理氣體或電漿、清潔氣體或電漿、或其副產物接觸。通常，石英管道110、絕緣器板111、及接地板112由襯墊108外接。在一些實施例中，電漿隔板109在陰極襯墊108與側壁122之間定位以防止電漿在襯墊108與一或多個側壁122之間的電漿隔板109之下的體積中形成。 處理腔室的示例代表電路
第2圖示出了與處理腔室相關聯的雜散電容及逃逸電容。雜散電容204(C stray)表示在處理腔室的電極與接地之間的電容、及基板支撐電容202，亦在本文中稱為靜電夾盤電容(C esc)，該基板支撐電容表示在偏壓電極104與基板支撐表面105A之間的電容。如圖所示，C esc在輸出節點（標記為U out）與藉由電阻元件206表示的負載之間耦合。為了使負載上的電壓脈衝（例如，在節點U load處）具有方形形狀，針對跨C esc的電壓及跨C stray的電壓（例如，U out處的電壓）實施斜率，如本文更詳細描述。跨C stray的電流（例如，補償電流(I comp)）可等於跨C esc的負載電流(I load)乘以C stray的電容與C esc的電容的比率。輸出電流(I out)可等於I load及I comp的總和，其可藉由等式表示： 處理腔室的示例電壓波形
第3A圖圖示了可在處理腔室內設置的電極（諸如第1圖所示的電極104）處建立的電壓波形。波形包括兩個級：離子電流級及鞘塌陷級。在離子電流級開始時，晶圓電壓的下降在基板之上產生高電壓鞘，從而將正離子加速到基板103。正離子在基板表面上沉積正電荷並且趨於逐漸正向地增加基板電壓。若供應方形波，則朝向基板的離子電流產生基板電壓的正斜率（例如，第2圖所示的U load處）。為了使負載上的電壓脈衝（例如，U load處）具有方形形狀，如第3C圖所示，在離子電流級期間針對U out處的電壓實施斜率，如第3A圖所示，用於跨靜電夾盤電容元件C esc形成電壓，如第3B圖所示。在離子電流級期間在電極104及靜電夾盤電容器C esc處實施斜率大體被稱為電流補償，該電流補償用於形成在此級期間在U load處看到的恆定電壓。在離子電流階段開始與結束之間的電壓差決定離子能量分佈函數(ion energy distribution function; IEDF)寬度。電壓差越大，離子能量的分佈越寬，並且因此IEDF寬度越寬。為了實現單能離子及較窄IEDF寬度，執行電流補償操作以使離子電流階段中的基板電壓波形變平。在一些實施例中，電壓波形可以在約50 kHz與1000 kHz之間的頻率(1/T p)下遞送。在一些實施例中，在電極處建立的電壓波形具有接通時間，該接通時間定義為離子電流時間段（例如，離子電流級的長度）與波形週期T p（例如，鞘塌陷級的長度+離子電流級的長度）的比率，大於50%、或大於70%，諸如在80%與95%之間。在一些實施例中，具有波形循環的電壓波形具有週期T p（例如，約2.5 μs），串聯地在波形短脈衝內重複，該波形短脈衝具有在約100微秒(μs)與約10毫秒(ms)之間的短脈衝週期。PV波形的短脈衝可以具有在約5%與100%之間的短脈衝工作循環，諸如在約50%與約95%之間，其中工作循環係短脈衝週期除以短脈衝週期加上分離短脈衝週期的非短脈衝週期（亦即，不產生PV波形）的比率。如圖所示，鞘塌陷級可具有T SH的持續時間，其可係約200 ns。
第4圖示出了根據本揭示的某些實施例的脈衝器400（在本文中亦稱為波形產生器）。如圖所示，脈衝器400可包括脈衝電容元件402、404、406、及408（標記為C1、C3、C4、及C6），以及電晶體410、412、414、416、418、420、422（標記為電晶體Q1、Q2、Q3、Q4、Q6、Q10、及Q12）。電晶體410、412、414、416、418、420、422（在本文中亦稱為開關）可係具有並聯二極體（例如，主體二極體）的電力電晶體（例如，金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor  field-effect  transistor; MOSFET)）。電晶體410、412、414、416、418、420、422可用於為如本文更詳細描述的脈衝器選擇電流流動路徑（亦稱為輸出電流路徑）。電容元件402、404、406、及408可用作可使用充電電路（諸如第6圖中示出的電路）充電的電壓儲存元件。第4圖、第5A圖及第6圖中示出的電容元件實際上用作電壓源。儘管示例脈衝器400示出電容元件以促進理解，但可使用任何適宜的電壓源。
電阻元件424（標記為R1）表示耦合到負載426的脈衝器的內部串聯電阻元件。負載426（其可係在電漿處理腔室中形成的電漿）可藉由電容元件428（標記為C2）及電阻元件430（標記為R2）表示。如圖所示，電容元件402及電晶體410、412形成第一電壓級440，並且電容元件404及電晶體414、416用於第二電壓級442。脈衝器400亦包括具有電容元件406、電晶體418、及感應元件450的電流級444，以及具有電容元件408及電晶體420、422的第三電壓級446。儘管脈衝器400用三個電壓級實施，但本揭示的態樣可利用一個、兩個、或多於三個電壓級實施。在脈衝器400的一些實施例中，一或多個電壓級可複製一或多次，諸如包括第一電壓級440、兩個或多個第二電壓級442、電流級444、及第三電壓級446的配置，其中兩個或多個第二電壓級442在第一電壓級440與電流級444之間串聯連接。
如圖所示，取決於所實施的波形，電容元件402、404、406、及408的每一者可充電到特定電壓。例如，電容元件402、404、406的每一者充電到800伏特，並且電容元件408充電到100伏特。在一些實施方式中，電容元件402、404、406、408可充電到較大或較低電壓以為適用於不同實施方式的波形實施不同電壓位準。在一些實施例中，電壓級440、442、446及電流級444的每一者可具有在故障的情況下便於容易替代的模組設計。關於第5圖更詳細描述用於產生第3A圖所示的波形的脈衝器400的操作。
第5A圖示出了根據本揭示的某些實施例的脈衝器400的各個操作模式。與各個操作模式502、504、506及第5A圖中示出的電路元件相關聯的電壓的量值意欲提供可在產生脈衝波形期間建立的電壓的實例並且不意欲限制為本文提供的揭示內容的範疇。第5B圖係圖示電晶體410、412、414、416、418、420、422（例如，電晶體Q1、Q2、Q3、Q4、Q6、Q10、及Q12）的每一者的狀態的時序圖。在鞘塌陷級期間，舉例而言，在U out處的電壓可設定為100伏特。為了從鞘塌陷級轉變為離子電流級，電晶體Q1、Q3、Q5、及Q7可接通並且電晶體Q2、Q4、Q6可斷開以實施從100伏特到-1600伏特的電壓降，如藉由操作模式502所示。如圖所示，接通電晶體Q1、Q3、Q5、及Q7及斷開電晶體Q2、Q4、Q6有效地將電容元件402、404整合在脈衝器的輸出電流路徑中。在操作模式502中，I out從接地穿過電容元件C2、C1、電晶體Q1、電容元件C3、及電晶體Q3、Q5、及Q7流動。電容元件C1及C3將U out處的電壓設定為-1600伏特（例如，來自電容元件C1的-800伏特及來自電容元件C3的-800伏特）。儘管兩個電壓級用於在離子電流級期間實施-1600伏特，每個電壓級提供-800伏特，但可使用單個電壓級。例如，單個電壓級的電容元件可充電到1600伏特以在離子電流級期間在U out處提供-1600伏特。如圖所示，在操作模式502期間，I out跨電晶體Q5的並聯二極體流動（例如，主體二極體），並且跨電晶體Q7流動回到接地。在接通電晶體Q5的情況下，電流560在穿過電容元件C4、感應元件L1、並且從電晶體Q5的汲極到源極的迴路中流動。
一旦U out處的電壓達到-1600伏特，可實施操作模式504。在操作模式504期間，使用電容元件C4及感應元件L1實施的電流源可整合在脈衝器400的輸出電流路徑中。如圖所示，電晶體Q5可斷開，並且I out將開始跨電容元件C4及感應元件L1流動（例如，不是在操作模式502期間穿過電晶體Q5的並聯二極體）。電容元件C4及感應元件L1實施電流源，從而有效地逐步減小U out處的電壓以在離子電流級期間實施斜率用於離子電流補償，如關於第3A圖所描述。例如，在離子電流級期間，U out處的電壓可從-1600伏特減小到-2400伏特。
一旦U out處的電壓達到-2400電壓，則可實施操作模式506。在操作模式506期間，電容元件C6可整合在脈衝器400的輸出電流路徑中。如圖所示，在操作模式506期間，電晶體Q1、Q3、及Q7可斷開並且電晶體Q2、Q4、Q5、Q6可接通。因此，I out穿過電容元件C6、電晶體Q6、Q5、Q4、Q2、及電容元件C2流動。如所描述，電容元件C6可充電到100伏特。由此，在鞘塌陷級期間，操作模式506在U out處實施100伏特，如關於第3A圖所描述。換言之，與操作模式502、504相比（例如，在離子電流級期間），在操作模式506期間（例如，在鞘塌陷級期間）I out在相對方向上流動，使得在鞘塌陷級期間實施正電壓（例如，100伏特）並且在離子電流級期間實施負電壓（例如，在-1600伏特至-2400伏特之間）。
第6圖示出了根據本揭示的某些態樣的用於充電電容元件612的充電電路600。電容元件612可對應於電容元件402、404、406、及408的任一者。換言之，如本文描述，可針對電容元件402、404、406、及408的每一者實施充電電路（例如，類似於充電電路600）以將電容元件充電到其相應電壓。充電電路600可包括用於將直流(direct current; DC)電壓轉化為交流(alternating current; AC)電壓的反相器602。AC電壓可提供到變壓器604的一次繞組606。變壓器可在二次繞組608處產生AC電壓，該AC電壓具有與一次繞組606處的AC電壓相比較高的電壓。例如，為了充電電容元件402，二次繞組608處的AC電壓可具有800伏特的峰值電壓。二次繞組608處的AC電壓可提供到整流器610以產生用於充電電容元件612的DC信號。
第7圖係示出根據本揭示的某些實施例的波形產生的方法700的製程流程圖。方法700可藉由波形產生系統執行，該波形產生系統包括波形產生器，諸如脈衝器400及/或控制電路諸如系統控制器126。
於活動702，波形產生系統在第一操作模式（例如，操作模式502）期間藉由控制多個開關將第一電壓源（例如，電容元件402）整合在波形產生器（例如，脈衝器400）的輸出電流路徑中。於活動704，波形產生系統在第二操作模式（例如，操作模式504）期間藉由控制多個開關將電流源（例如，感應元件450及電容元件406）整合在輸出電流路徑中。
在一些實施例中，多個開關包括第一開關（例如，電晶體410或電晶體414）及第二開關（例如，電晶體412或電晶體416）。第一電壓源（例如，電容元件402或電容元件404）的第一端子耦合到第一開關的第一端子，並且第一電壓源的第二端子耦合到第二開關的第一端子。在一些實施例中，多個開關亦包括與電流源並聯耦合的第三開關（例如，電晶體418）。第三開關可耦合到第一開關及第二開關的第二端子之間的共用節點。在一些實施例中，將第一電壓源整合在輸出電流路徑中可包括關閉第一開關、打開第二開關、及關閉第三開關。將電流源整合在輸出電流路徑中可包括關閉第一開關、打開第二開關、及打開第三開關。
在一些實施例中，波形產生系統在第一操作模式（例如，操作模式502）期間藉由控制多個開關將第二電壓源（例如，電容元件404）整合在輸出電流路徑中。多個開關可進一步包括第四開關（例如，電晶體414）及第五開關（例如，電晶體416）。第二電壓源的第一端子可耦合到第四開關的第一端子，第二電壓源的第二端子可耦合到第五開關的第一端子，並且在第四開關及第五開關的第二端子之間的共用節點可耦合到第二開關（例如，電晶體412）或第三開關（例如，電晶體418）。在一些實施例中，將第二電壓源整合在輸出電流路徑中可包括關閉第四開關並且打開第五開關。
在一些實施例中，波形產生系統亦可在第三操作模式（例如，操作模式506）期間藉由控制多個開關將第三電壓源（例如，電容元件408）整合在輸出電流路徑中。多個開關可包括第六開關（例如，電晶體420）及第七開關（例如，電晶體422）。第三電壓源的第一端子可耦合到第六開關的第一端子，第三電壓源的第二端子可耦合到第七開關的第一端子，並且在第六開關及第七開關的第二端子之間的共用節點可耦合到第三開關（例如，電晶體418）。在一些實施例中，將第三電壓源整合在輸出電流路徑中可包括關閉第六開關並且打開第七開關。在第一操作模式及第二操作模式期間第六開關可打開並且第七開關可關閉。在一些實施例中，與第一電壓源或第二電壓源相關聯的電壓（例如，600伏特）大於與第三電壓源相關聯的電壓（例如，100伏特）。
術語「耦合」本文用於代表在兩個物件之間的直接或間接耦合。例如，若物件A實體觸碰物件B並且物件B觸碰物件C，則物件A及C仍可被認為彼此耦合-甚至若物件A及C不直接實體觸碰彼此。例如，即使第一物件從未與第二物件直接實體接觸，第一物件可耦合到第二物件。
儘管上述內容涉及本揭示的實施例，本揭示的其他及進一步實施例可在不脫離其基本範疇的情況下設計，並且其範疇由以下申請專利範圍決定。
10:處理系統 100:處理腔室 101:電漿 103:基板 104:偏壓電極 105:基板支撐件 105A:基板支撐表面 106:同軸電力遞送線 107:支撐基底 108:襯墊 109:電漿隔板 110:石英管道 111:絕緣器板 112:接地板 113:腔室主體 114:邊緣環 115:邊緣控制電極 116:夾持網路 116A:偏壓補償電路元件 118:RF產生器 119:處理氣體源 120:真空出口 122:側壁 123:腔室蓋 124:腔室基底 126:系統控制器 128:氣體入口 129:處理體積 133:中央處理單元(CPU) 134:記憶體 135:支援電路 136:支撐組件 138:支撐軸件 150:脈衝電壓(PV)波形產生器 151:濾波器組件 155:DC電源供應器 157:電力遞送線 158:電力遞送線 160:RF產生器組件 161:第一濾波器組件 162:RF匹配電路 163:電漿產生器組件 167:RF電力遞送線 196:第一脈衝電壓(PV)源組件 197:第二PV源組件 202:基板支撐電容 204:雜散電容 206:電阻元件 400:脈衝器 402:脈衝電容元件 404:脈衝電容元件 406:脈衝電容元件 408:脈衝電容元件 410:電晶體 412:電晶體 414:電晶體 416:電晶體 418:電晶體 420:電晶體 422:電晶體 424:電阻元件 426:負載 428:電容元件 430:電阻元件 440:第一電壓級 442:第二電壓級 444:電流級 446:第三電壓級 502:操作模式 504:操作模式 506:操作模式 600:充電電路 602:反相器 604:變壓器 606:一次繞組 608:二次繞組 610:整流器 612:充電電容元件 700:方法 702:活動 704:活動 C 5:阻擋電容器 C1:電容元件 C2:電容元件 C3:電容元件 C4:電容元件 C6:電容元件 L1:感應元件 Q1:電晶體 Q2:電晶體 Q3:電晶體 Q4:電晶體 Q5:電晶體 Q6:電晶體 Q7:電晶體 Q10:電晶體 Q12:電晶體 R1:電阻元件 R2:電阻元件 T P:週期 T SH:持續時間 Uout:輸出節點
為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，可參考實施例進行對上文簡要概述的本揭示的更特定描述，一些實施例在附圖中示出。然而，將注意，附圖僅示出示例性實施例，並且由此不被認為限制其範疇，且可允許其他等同有效的實施例。
第1圖係根據一或多個實施例的經配置為實踐本文闡述的方法的處理系統的示意性橫截面圖。
第2圖示出了與處理腔室相關聯的雜散電容及基板支撐電容。
第3A圖、第3B圖及第3C圖圖示了用於電漿處理的示例電壓波形。
第4圖示出了根據本揭示的某些實施例的脈衝器。
第5A圖示出了根據本揭示的某些實施例的脈衝器的各個操作模式。
第5B圖係圖示根據本揭示的某些實施例的在各個操作模式期間的脈衝器的開關的狀態的時序圖。
第6圖示出了根據本揭示的某些態樣的用於充電電容元件的充電電路。
第7圖係示出根據本揭示的某些實施例的波形產生的方法的製程流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
400:脈衝器
402:脈衝電容元件
404:脈衝電容元件
406:脈衝電容元件
408:脈衝電容元件
410:電晶體
412:電晶體
414:電晶體
416:電晶體
418:電晶體
420:電晶體
422:電晶體
424:電阻元件
426:負載
428:電容元件
430:電阻元件
440:第一電壓級
442:第二電壓級
444:電流級
446:第三電壓級
C1:電容元件
C2:電容元件
C3:電容元件
C4:電容元件
C6:電容元件
Q1:電晶體
Q2:電晶體
Q3:電晶體
Q4:電晶體
Q6:電晶體
Q10:電晶體
Q12:電晶體
R1:電阻元件
R2:電阻元件
Uout:輸出節點

Claims (24)

  1. 一種波形產生器，包含：一第一電壓級，具有：一第一電壓源；一第一開關；以及一第二開關，其中該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子，並且該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子，其中該第二開關的該第一端子耦合到該波形產生器的一輸出節點，並且其中該波形產生器的該輸出節點耦合到一負載；一第二電壓級，具有：一第二電壓源；一第三開關；以及一第四開關，其中該第二電壓源的一第一端子耦合到該第三開關的一第一端子，其中該第二電壓源的一第二端子耦合到該第四開關的一第一端子，並且其中該第四開關的該第一端子耦合到在該第一開關和該第二開關的第二端子之間的一第一節點；以及一電流級，耦合到在該第三開關及該第四開關的第二端子之間的一第二節點，該電流級具有：一電流源，其中該電流源包含一電容元件，及與該電容元件串聯耦合的一感應元件；以及一第五開關，耦合到該電流源。
  2. 如請求項1所述的波形產生器，其中該第一電壓源包含一電容元件。
  3. 如請求項1所述的波形產生器，其中該第一開關、該第二開關、該第三開關、該第四開關、及該第五開關中的每一者包含一電晶體。
  4. 如請求項1所述的波形產生器，其中該電流源與該第五開關並聯耦合。
  5. 如請求項1所述的波形產生器，進一步包含一第三電壓級，具有：一第三電壓源；一第六開關；以及一第七開關，其中該第三電壓源的一第一端子耦合到該第六開關的一第一端子，其中該第三電壓源的一第二端子耦合到該第七開關的一第一端子，並且其中在該第六開關及該第七開關的第二端子之間的一第三節點耦合到該電流級。
  6. 如請求項5所述的波形產生器，其中：該第一電壓源包含一第一電容元件；該第二電壓源包含一第二電容元件；該第三電壓源包含一第三電容元件；以及該波形產生器進一步包含經配置為充電該第一電容元件、該第二電容元件、及該第三電容元件的一或多個充電電路。
  7. 如請求項6所述的波形產生器，其中該一或 多個充電電路經配置為將該第三電容元件充電到與該等第一及第二電容元件相比較低的一電壓。
  8. 如請求項1所述的波形產生器，其中該負載包含在一處理腔室內的一電漿。
  9. 如請求項1所述的波形產生器，進一步包含在該第三開關的一第一端子與一第二端子之間耦合的一二極體。
  10. 如請求項9所述的波形產生器，其中該二極體包含該第三開關的一主體二極體。
  11. 如請求項1所述的波形產生器，其中該第一開關、該第二開關、該第三開關、及該第四開關經配置以將該第二電壓源與該第一電壓源串聯耦合。
  12. 一種用於波形產生的方法，包含以下步驟：在一第一操作模式期間藉由控制多個開關將一第一電壓源及一第二電壓源整合在一波形產生器的一輸出電流路徑中；以及在一第二操作模式期間藉由控制該等多個開關將一電流源整合在該輸出電流路徑中，其中該等多個開關包含：一第一開關；一第二開關，其中該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子，並且其中該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子，其中該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第 一端子，其中該第二開關的該第一端子耦合到該波形產生器的一輸出節點，並且其中該波形產生器的該輸出節點耦合到一負載；一第三開關；一第四開關，其中該第二電壓源的一第一端子耦合到該第三開關的一第一端子，該第二電壓源的一第二端子耦合到該第四開關的一第一端子，並且該第四開關的該第一端子耦合到在該第一開關和該第二開關的第二端子之間的一第一節點；以及一第五開關，與該電流源並聯耦合，該第五開關耦合到該第三開關和該第四開關的第二端子之間的一第二節點。
  13. 如請求項12所述的方法，其中將該第一電壓源整合在該輸出電流路徑中之步驟包含以下步驟：關閉該第一開關、打開該第五開關、及關閉該第三開關。
  14. 如請求項12所述的方法，其中將該電流源整合在該輸出電流路徑中之步驟包含以下步驟：關閉該第一開關、打開該第二開關、及打開該第五開關。
  15. 如請求項12所述的方法，其中將該第二電壓源整合在該輸出電流路徑中之步驟包含以下步驟：關閉該第三開關，並且打開該第四開關。
  16. 如請求項12所述的方法，進一步包含以下步驟：在一第三操作模式期間藉由控制該等多個開關將一第三電壓源整合在該輸出電流路徑中，該等多個開關 進一步包含：一第六開關；以及一第七開關，其中該第三電壓源的一第一端子耦合到該第六開關的一第一端子，該第三電壓源的一第二端子耦合到該第七開關的一第一端子，並且在該第六開關及該第七開關的第二端子之間的一第三節點耦合到該第三開關。
  17. 如請求項16所述的方法，其中：將該第三電壓源整合在該輸出電流路徑中之步驟包含以下步驟：關閉該第六開關，並且打開該第七開關。
  18. 如請求項17所述的方法，其中在該第一操作模式或該第二操作模式期間該第六開關打開並且該第七開關關閉。
  19. 如請求項16所述的方法，其中與該第一電壓源或該第二電壓源相關聯的一電壓大於與該第三電壓源相關聯的一電壓。
  20. 如請求項12所述的方法，其中與該第一電壓源包含一電容元件。
  21. 一種用於波形產生的設備，包含：一記憶體；以及一或多個處理器，耦合到該記憶體，該記憶體及該一或多個處理器經配置為： 在一第一操作模式期間藉由控制多個開關將一第一電壓源及一第二電壓源整合在一波形產生器的一輸出電流路徑中；以及在一第二操作模式期間藉由控制該等多個開關將一電流源整合在該輸出電流路徑中，其中該等多個開關包含：一第一開關；一第二開關，其中該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子，其中該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子，其中該第二開關的該第一端子耦合到該波形產生器的一的一輸出節點，並且其中該波形產生器的該輸出節點耦合到一負載；一第三開關；一第四開關，其中該第二電壓源的一第一端子耦合到該第三開關的一第一端子，該第二電壓源的一第二端子耦合到該第四開關的一第一端子，並且該第四開關的該第一端子耦合到在該第一開關和該第二開關的第二端子之間的一第一節點；以及一第五開關，與該電流源並聯耦合，該第五開關耦合到該第三開關及該第四開關的第二端子之間的一第二節點。
  22. 如請求項21所述的設備，其中該記憶體及該一或多個處理器經配置為藉由關閉該第 一開關、打開該第二開關、及關閉該第五開關將該第一電壓源整合在該輸出電流路徑中。
  23. 如請求項21所述的設備，其中該記憶體及該一或多個處理器經配置為藉由關閉該第一開關、打開該第二開關、及打開該第五開關將該電流源整合在該輸出電流路徑中。
  24. 一種波形產生器，包含：一第一電壓級，具有：一第一電壓源；一第一開關；以及一第二開關，其中該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子，並且該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子，其中該第二開關的該第一端子耦合到該波形產生器的一輸出節點，並且其中該波形產生器的該輸出節點耦合到一負載；一電流級，耦合到在該第一開關及該第二開關的第二端子之間的一第一節點，該電流級具有：一電流源；及一第三開關，耦合到該電流源；以及一第二電壓級，具有：一第二電壓源；一第四開關；以及一第五開關，其中該第二電壓源的一第一端子耦合到該第四開關的一第一端子，其中該第二電壓源的一第二 端子耦合到該第五開關的一第一端子，並且其中在該第四開關及該第五開關的第二端子之間的一第二節點耦合到該電流級。
TW111120198A 2021-06-23 2022-05-31 用於波形產生的設備及方法 TWI861505B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/356,446 US11569066B2 (en) 2021-06-23 2021-06-23 Pulsed voltage source for plasma processing applications
US17/356,446 2021-06-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202316478A TW202316478A (zh) 2023-04-16
TWI861505B true TWI861505B (zh) 2024-11-11

Family

ID=84541250

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113138063A TW202507802A (zh) 2021-06-23 2022-05-31 波形產生器
TW111120198A TWI861505B (zh) 2021-06-23 2022-05-31 用於波形產生的設備及方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113138063A TW202507802A (zh) 2021-06-23 2022-05-31 波形產生器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US11569066B2 (zh)
JP (2) JP7516657B2 (zh)
KR (1) KR20230025486A (zh)
CN (2) CN121237627A (zh)
TW (2) TW202507802A (zh)
WO (1) WO2022271383A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114222958B (zh) 2019-07-12 2024-03-19 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 具有单个受控开关的偏置电源
KR102837448B1 (ko) * 2019-08-05 2025-07-25 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
CN110740558B (zh) * 2019-10-18 2021-05-07 南昌大学 一种测量等离子体电子非广延参数的方法
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
KR20240042091A (ko) * 2021-08-12 2024-04-01 램 리써치 코포레이션 웨이퍼 바이어싱을 위한 펄스의 왜곡
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
EP4235737A1 (en) * 2022-02-28 2023-08-30 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. High power generator and method of supplying high power pulses
EP4235734A1 (en) * 2022-02-28 2023-08-30 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. High power generator and method of supplying high power pulses
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12237149B2 (en) * 2022-11-10 2025-02-25 Applied Materials, Inc. Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing
US20240242945A1 (en) * 2023-01-12 2024-07-18 Advanced Energy Industries, Inc. Additional stray capacitor as another tuning knob for 1-supply ev source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10516388B1 (en) * 2018-07-31 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage generator, voltage waveform generator, semiconductor device manufacturing apparatus, voltage waveform generation method, and semiconductor device manufacturing method
WO2020095550A1 (ja) * 2018-11-05 2020-05-14 ソニー株式会社 駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法
TW202044321A (zh) * 2019-01-22 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 用於控制脈衝電壓波形的反饋迴路

Family Cites Families (596)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4070589A (en) 1976-10-29 1978-01-24 The Singer Company High speed-high voltage switching with low power consumption
US4340462A (en) 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
US4504895A (en) 1982-11-03 1985-03-12 General Electric Company Regulated dc-dc converter using a resonating transformer
US4464223A (en) 1983-10-03 1984-08-07 Tegal Corp. Plasma reactor apparatus and method
US4585516A (en) 1985-03-04 1986-04-29 Tegal Corporation Variable duty cycle, multiple frequency, plasma reactor
US4683529A (en) 1986-11-12 1987-07-28 Zytec Corporation Switching power supply with automatic power factor correction
KR970003885B1 (ko) 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치
US5242561A (en) 1989-12-15 1993-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing method and plasma processing apparatus
US4992919A (en) 1989-12-29 1991-02-12 Lee Chu Quon Parallel resonant converter with zero voltage switching
US5099697A (en) 1990-04-02 1992-03-31 Agar Corporation Ltd. Two and three-phase flow measurement
US5140510A (en) 1991-03-04 1992-08-18 Motorola, Inc. Constant frequency power converter
US5418707A (en) 1992-04-13 1995-05-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High voltage dc-dc converter with dynamic voltage regulation and decoupling during load-generated arcs
US5286297A (en) 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
KR100324792B1 (ko) 1993-03-31 2002-06-20 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치
US5662770A (en) 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
JP2748213B2 (ja) 1993-05-24 1998-05-06 日本レーザ電子株式会社 プラズマ製膜装置
US5449410A (en) 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
KR100302167B1 (ko) 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
US5451846A (en) 1993-12-14 1995-09-19 Aeg Automation Systems Corporation Low current compensation control for thyristor armature power supply
US5565036A (en) 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
TW299559B (zh) 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5651865A (en) 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets
US5554959A (en) 1994-10-25 1996-09-10 Vac-Com, Inc. Linear power amplifier with a pulse density modulated switching power supply
US5716534A (en) 1994-12-05 1998-02-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma etching method
US6133557A (en) 1995-01-31 2000-10-17 Kyocera Corporation Wafer holding member
JP3778299B2 (ja) 1995-02-07 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
JP3292270B2 (ja) 1995-02-27 2002-06-17 富士通株式会社 静電吸着装置
US5597438A (en) 1995-09-14 1997-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Etch chamber having three independently controlled electrodes
US6253704B1 (en) 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
JPH09129612A (ja) 1995-10-26 1997-05-16 Tokyo Electron Ltd エッチングガス及びエッチング方法
US6902683B1 (en) 1996-03-01 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
IT1289479B1 (it) 1996-01-26 1998-10-15 Schlafhorst & Co W Disposizione circuitale di trasformazione di tensione per la alimentazione energetica di un utilizzatore elettrico di elevata
US6252354B1 (en) 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5770023A (en) 1996-02-12 1998-06-23 Eni A Division Of Astec America, Inc. Etch process employing asymmetric bipolar pulsed DC
TW335517B (en) 1996-03-01 1998-07-01 Hitachi Ltd Apparatus and method for processing plasma
US6055150A (en) 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
JP3220383B2 (ja) 1996-07-23 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
JP3122618B2 (ja) 1996-08-23 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3220394B2 (ja) 1996-09-27 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6214162B1 (en) 1996-09-27 2001-04-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5882424A (en) 1997-01-21 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using a low or mixed frequency excitation field
US5830330A (en) 1997-05-22 1998-11-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for low pressure sputtering
JP3599564B2 (ja) 1998-06-25 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 イオン流形成方法及び装置
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5933314A (en) 1997-06-27 1999-08-03 Lam Research Corp. Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks
JPH1125894A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Shinku Device:Kk プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法
US6187685B1 (en) 1997-08-01 2001-02-13 Surface Technology Systems Limited Method and apparatus for etching a substrate
US6351683B1 (en) 1997-09-17 2002-02-26 Tokyo Electron Limited System and method for monitoring and controlling gas plasma processes
KR20010024503A (ko) 1997-10-15 2001-03-26 히가시 데쓰로 입자의 흐름을 발생하기 위하여 플라즈마 밀도그레디언트를 활용하는 장치 및 방법
US6098568A (en) 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
US6043607A (en) 1997-12-16 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for exciting a plasma in a semiconductor wafer processing system using a complex RF waveform
US6198616B1 (en) 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
US6126778A (en) 1998-07-22 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Beat frequency modulation for plasma generation
US6355992B1 (en) 1998-08-11 2002-03-12 Utron Inc. High voltage pulse generator
KR100443471B1 (ko) 1998-09-18 2004-08-11 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 방법
US7218503B2 (en) 1998-09-30 2007-05-15 Lam Research Corporation Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process
US6125025A (en) 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US7583492B2 (en) 1998-09-30 2009-09-01 Lam Research Corporation Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process
US6117279A (en) 1998-11-12 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
US6849154B2 (en) 1998-11-27 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
JP2000173982A (ja) 1998-12-01 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3357313B2 (ja) 1999-03-11 2002-12-16 住友特殊金属株式会社 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド用基板、および薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法
JP2000269196A (ja) 1999-03-19 2000-09-29 Toshiba Corp プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6099697A (en) 1999-04-13 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system
US6451389B1 (en) 1999-04-17 2002-09-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method for deposition of diamond like carbon
US6273958B2 (en) 1999-06-09 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate support for plasma processing
US6367413B1 (en) 1999-06-15 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate
WO2001005020A1 (en) 1999-07-13 2001-01-18 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
EP1282909A1 (en) 1999-08-02 2003-02-12 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced electron emissive surfaces for a thin film deposition system using ion sources
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
DE19937859C2 (de) 1999-08-13 2003-06-18 Huettinger Elektronik Gmbh Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen
JP4819267B2 (ja) 1999-08-17 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 パルスプラズマ処理方法および装置
US6818103B1 (en) 1999-10-15 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems
JP4021601B2 (ja) 1999-10-29 2007-12-12 株式会社東芝 スパッタ装置および成膜方法
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
AU2001224729A1 (en) 2000-01-10 2001-07-24 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
US20030079983A1 (en) 2000-02-25 2003-05-01 Maolin Long Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources
TW507256B (en) 2000-03-13 2002-10-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus
AU2001245938A1 (en) 2000-03-28 2001-10-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode
JP4454781B2 (ja) 2000-04-18 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3851057B2 (ja) 2000-04-21 2006-11-29 シャープ株式会社 画像形成装置
EP1435655A3 (en) 2000-05-10 2004-07-14 Ibiden Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP4559595B2 (ja) 2000-07-17 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置
JP4590031B2 (ja) 2000-07-26 2010-12-01 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置機構
US6483731B1 (en) 2000-07-31 2002-11-19 Vanner, Inc. Alexander topology resonance energy conversion and inversion circuit utilizing a series capacitance multi-voltage resonance section
US7183177B2 (en) 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US6485572B1 (en) 2000-08-28 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Use of pulsed grounding source in a plasma reactor
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
JP4612947B2 (ja) 2000-09-29 2011-01-12 日立プラズマディスプレイ株式会社 容量性負荷駆動回路およびそれを用いたプラズマディスプレイ装置
KR100378187B1 (ko) 2000-11-09 2003-03-29 삼성전자주식회사 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법
JP3897582B2 (ja) 2000-12-12 2007-03-28 キヤノン株式会社 真空処理方法、真空処理装置、半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2002052628A1 (en) 2000-12-26 2002-07-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processor
JP2002198355A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2002054835A2 (en) 2001-01-08 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency
JPWO2002059954A1 (ja) 2001-01-25 2004-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6777037B2 (en) 2001-02-21 2004-08-17 Hitachi, Ltd. Plasma processing method and apparatus
JP2002299322A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6741446B2 (en) 2001-03-30 2004-05-25 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor and method of operating same
JP2002313899A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板保持構造体および基板処理装置
US7146260B2 (en) 2001-04-24 2006-12-05 Medius, Inc. Method and apparatus for dynamic configuration of multiprocessor system
DK1253216T3 (da) 2001-04-27 2004-03-22 Europ Economic Community Fremgangsmåde og apparat til sekventiel plasmabehandling
JP4819244B2 (ja) 2001-05-15 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2002097855A1 (en) 2001-05-29 2002-12-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
SE525231C2 (sv) 2001-06-14 2005-01-11 Chemfilt R & D Ab Förfarande och anordning för att alstra plasma
DE10136259A1 (de) 2001-07-25 2003-02-20 Oce Printing Systems Gmbh Verfahren und Einrichtung zum Steuern eines Druckprozesses bei hoher Farbdichte
US20030029859A1 (en) 2001-08-08 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Lamphead for a rapid thermal processing chamber
DE10151703B4 (de) 2001-10-19 2004-12-09 OCé PRINTING SYSTEMS GMBH Vorrichtung und Verfahren zum Erfassen der Beschaffenheit einer Tonerteilchenschicht in einem Drucker oder Kopierer
TWI282658B (en) 2001-10-23 2007-06-11 Delta Electronics Inc A parallel connection system of DC/AC voltage converter
CN100355033C (zh) 2001-10-31 2007-12-12 东京电子株式会社 蚀刻高长径比零件的方法
JP4129855B2 (ja) 2001-12-13 2008-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE10161743B4 (de) 2001-12-15 2004-08-05 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Hochfrequenzanregungsanordnung
US6768621B2 (en) 2002-01-18 2004-07-27 Solectria Corporation Contactor feedback and precharge/discharge circuit
JP4024053B2 (ja) 2002-02-08 2007-12-19 キヤノンアネルバ株式会社 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置
US6760213B2 (en) 2002-03-04 2004-07-06 Hitachi High-Technologies Corporation Electrostatic chuck and method of treating substrate using electrostatic chuck
DE10211609B4 (de) 2002-03-12 2009-01-08 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren und Leistungsverstärker zur Erzeugung von sinusförmigen Hochfrequenzsignalen zum Betreiben einer Last
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US6830650B2 (en) 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US6808607B2 (en) 2002-09-25 2004-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. High peak power plasma pulsed supply with arc handling
US7147759B2 (en) 2002-09-30 2006-12-12 Zond, Inc. High-power pulsed magnetron sputtering
US20040066601A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrode configuration for retaining cooling gas on electrostatic wafer clamp
US6896775B2 (en) 2002-10-29 2005-05-24 Zond, Inc. High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing
DE10250229B4 (de) 2002-10-29 2004-08-05 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungsregelung für Hochfrequenzverstärker
JP4323232B2 (ja) 2002-12-04 2009-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 静電吸着方法、静電吸着装置及び貼り合せ装置
US7206189B2 (en) 2002-12-20 2007-04-17 Advanced Energy Technology Inc. Composite electrode and current collectors and processes for making the same
US6830595B2 (en) 2002-12-20 2004-12-14 Advanced Energy Technology Inc. Method of making composite electrode and current collectors
DE10306347A1 (de) 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
DE10312549B3 (de) 2003-03-21 2004-08-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Gasentladungsprozess-Spannungsversorgungseinheit
US7126808B2 (en) 2003-04-01 2006-10-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer platen equipped with electrostatic clamp, wafer backside gas cooling, and high voltage operation capability for plasma doping
JP4354243B2 (ja) 2003-04-21 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 被処理体の昇降機構及び処理装置
JP4031732B2 (ja) 2003-05-26 2008-01-09 京セラ株式会社 静電チャック
US7625460B2 (en) 2003-08-01 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Multifrequency plasma reactor
DE10336881B4 (de) 2003-08-11 2008-05-15 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Hochfrequenzanregungsanordnung mit einer Begrenzungsschaltung
US6902646B2 (en) 2003-08-14 2005-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments
JP4418193B2 (ja) 2003-08-22 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置
DE10341717A1 (de) 2003-09-10 2005-05-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Anordnung für n Verbraucher elektrischer Energie, von denen m Verbraucher gleichzeitig mit Energie versorgt werden
US7115185B1 (en) 2003-09-16 2006-10-03 Advanced Energy Industries, Inc. Pulsed excitation of inductively coupled plasma sources
US9771648B2 (en) 2004-08-13 2017-09-26 Zond, Inc. Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures
US7633319B2 (en) 2003-11-28 2009-12-15 Advantest Corporation Digital QP detecting apparatus, spectrum analyzer having the same, and digital QP detecting method
US7645341B2 (en) 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7379309B2 (en) 2004-01-14 2008-05-27 Vanner, Inc. High-frequency DC-DC converter control
US7663319B2 (en) 2004-02-22 2010-02-16 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
US7095179B2 (en) 2004-02-22 2006-08-22 Zond, Inc. Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
US9123508B2 (en) 2004-02-22 2015-09-01 Zond, Llc Apparatus and method for sputtering hard coatings
US7700474B2 (en) 2006-04-07 2010-04-20 Tokyo Electron Limited Barrier deposition using ionized physical vapor deposition (iPVD)
US6972524B1 (en) 2004-03-24 2005-12-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control
DE102004024805B4 (de) 2004-05-17 2015-11-12 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren und Regelanordnung zur Regelung der Ausgangsleistung einer HF-Verstärkeranordnung
JP4401867B2 (ja) 2004-05-20 2010-01-20 株式会社沖データ 画像形成装置
US7988816B2 (en) 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
KR101248691B1 (ko) 2004-06-21 2013-04-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US7740704B2 (en) 2004-06-25 2010-06-22 Tokyo Electron Limited High rate atomic layer deposition apparatus and method of using
JP2006011174A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Ricoh Co Ltd 記録体異常発生予測装置、定着装置および画像形成装置
US20060040499A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Steve Walther In situ surface contaminant removal for ion implanting
DE102004044797B4 (de) 2004-09-16 2008-02-07 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Anregungsanordnung für Induktionsöfen
EP1803142A1 (en) 2004-09-24 2007-07-04 Zond, Inc. Apparatus for generating high-current electrical discharges
US7601246B2 (en) 2004-09-29 2009-10-13 Lam Research Corporation Methods of sputtering a protective coating on a semiconductor substrate
US7244311B2 (en) 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
SE0402644D0 (sv) 2004-11-02 2004-11-02 Biocell Ab Method and apparatus for producing electric discharges
US7821767B2 (en) 2004-11-04 2010-10-26 Ulvac, Inc. Electrostatic chuck device
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
KR101089096B1 (ko) 2004-12-28 2011-12-06 엘지디스플레이 주식회사 노광장치용 척
US20060171848A1 (en) 2005-01-31 2006-08-03 Advanced Energy Industries, Inc. Diagnostic plasma sensors for endpoint and end-of-life detection
KR100649508B1 (ko) 2005-02-02 2006-11-27 권오영 하이브리드 전원시스템
EP1691481B1 (de) 2005-02-12 2014-04-02 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Amplitudenmodulator
DE502005000175D1 (de) 2005-03-10 2006-12-21 Huettinger Elektronik Gmbh Vakuumplasmagenerator
US7535688B2 (en) 2005-03-25 2009-05-19 Tokyo Electron Limited Method for electrically discharging substrate, substrate processing apparatus and program
DE502005011028D1 (de) 2005-03-30 2011-04-14 Huettinger Elektronik Gmbh Vakuumplasmagenerator
US7586099B2 (en) 2005-03-30 2009-09-08 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Vacuum plasma generator
US7305311B2 (en) 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
JP3910210B2 (ja) 2005-05-13 2007-04-25 松下電器産業株式会社 誘電体バリア放電ランプ点灯装置
US7340357B2 (en) * 2005-05-27 2008-03-04 National Instruments Corporation Arbitrary waveform generator with configurable digital signal processing unit
US20060278521A1 (en) 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
EP1949415A2 (en) 2005-09-30 2008-07-30 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
AR057882A1 (es) 2005-11-09 2007-12-26 Novartis Ag Compuestos de accion doble de bloqueadores del receptor de angiotensina e inhibidores de endopeptidasa neutra
US20070114981A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Square D Company Switching power supply system with pre-regulator for circuit or personnel protection devices
JP4418424B2 (ja) 2005-11-21 2010-02-17 日本リライアンス株式会社 交流電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法
JP4827081B2 (ja) 2005-12-28 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
EP1982400A4 (en) 2006-01-23 2014-08-13 Audera Internat Sales Inc POWER SUPPLY FOR LIMITED POWER SOURCES AND AUDIOVER AMPLIFIERS WITH A POWER SUPPLY
US7872292B2 (en) 2006-02-21 2011-01-18 United Microelectronics Corp. Capacitance dielectric layer and capacitor
EP1837893A1 (de) 2006-03-25 2007-09-26 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Messeeinrichtung eines HF-Plasmasystems
JP4597894B2 (ja) 2006-03-31 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US7588667B2 (en) 2006-04-07 2009-09-15 Tokyo Electron Limited Depositing rhuthenium films using ionized physical vapor deposition (IPVD)
GB2437080B (en) 2006-04-11 2011-10-12 Hauzer Techno Coating Bv A vacuum treatment apparatus, a bias power supply and a method of operating a vacuum treatment apparatus
US7692936B2 (en) 2006-05-05 2010-04-06 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Medium frequency power generator
EP1852959A1 (de) 2006-05-05 2007-11-07 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Stromversorgung für einen Mittelfrequenz-Plasmagenerator
JP4887913B2 (ja) 2006-06-02 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US7777152B2 (en) 2006-06-13 2010-08-17 Applied Materials, Inc. High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck
US8083961B2 (en) 2006-07-31 2011-12-27 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling the uniformity of a ballistic electron beam by RF modulation
JP2008041993A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
KR100757347B1 (ko) 2006-08-30 2007-09-10 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
EP1912266A1 (en) 2006-10-10 2008-04-16 STMicroelectronics S.r.l. Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber
JP5171010B2 (ja) 2006-10-27 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 電源装置およびそれを用いたマイクロ波発生装置およびコンピュータプログラム
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
DE102006052060B4 (de) 2006-11-04 2009-11-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren und Anordnung zur Anregung einer Gaslaseranordnung
DE102006052061B4 (de) 2006-11-04 2009-04-23 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren
US20080106842A1 (en) 2006-11-06 2008-05-08 Tokyo Electron Limited Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4864661B2 (ja) 2006-11-22 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置
ATE448562T1 (de) 2006-11-23 2009-11-15 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren zum erkennen einer bogenentladung in einem plasmaprozess und bogenentladungserkennungsvorrichtung
US7795817B2 (en) 2006-11-24 2010-09-14 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Controlled plasma power supply
KR101312292B1 (ko) 2006-12-11 2013-09-27 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치의 기판 파손 방지장치 및 그 방법
WO2008071734A2 (en) 2006-12-12 2008-06-19 Oc Oerlikon Balzers Ag Arc suppression and pulsing in high power impulse magnetron sputtering (hipims)
US8422193B2 (en) 2006-12-19 2013-04-16 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
JP5252613B2 (ja) 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 イオン注入装置およびイオン注入方法
US20080160212A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Bon-Woong Koo Method and apparatuses for providing electrical contact for plasma processing applications
US7718538B2 (en) 2007-02-21 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed sample bias for etching semiconductor substrates
US8217299B2 (en) 2007-02-22 2012-07-10 Advanced Energy Industries, Inc. Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch
DE102007009070A1 (de) 2007-02-23 2008-08-28 OCé PRINTING SYSTEMS GMBH Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen eines elektrischen Potentials sowie von elektrischen Ladungen ein einem Drucker oder Kopierer
ATE493749T1 (de) 2007-03-08 2011-01-15 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren und vorrichtung zum unterdrücken von bogenentladungen beim betreiben eines plasmaprozesses
EP1968188B1 (de) 2007-03-09 2012-08-08 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Klasse-D Verstärkeranordnung
US8055203B2 (en) 2007-03-14 2011-11-08 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
JP4903610B2 (ja) 2007-03-27 2012-03-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100855002B1 (ko) 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템
JP5018244B2 (ja) 2007-05-30 2012-09-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
US7758764B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US20090004836A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization
JP5606312B2 (ja) 2007-07-23 2014-10-15 トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト プラズマ給電装置
KR20090024866A (ko) 2007-09-05 2009-03-10 주식회사 코미코 기판 지지유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치
JP4607930B2 (ja) 2007-09-14 2011-01-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8140292B2 (en) 2007-09-18 2012-03-20 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and system for controlling a voltage waveform
JP5301812B2 (ja) 2007-11-14 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9039871B2 (en) 2007-11-16 2015-05-26 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current
US8133359B2 (en) 2007-11-16 2012-03-13 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current
KR20100095560A (ko) 2007-11-26 2010-08-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 미소 구조체 검사 장치 및 미소 구조체 검사 방법
CN101952945B (zh) 2007-11-29 2013-08-14 朗姆研究公司 控制微负载的脉冲式偏置等离子体工艺
JP5224837B2 (ja) 2008-02-01 2013-07-03 株式会社東芝 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN102084468B (zh) 2008-02-08 2014-10-29 朗姆研究公司 包括横向波纹管和非接触颗粒密封的可调节间隙电容耦合rf等离子反应器
DE102008012089B4 (de) 2008-02-29 2015-06-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Ansteuern einer Vollbrücke, und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
JP5490024B2 (ja) 2008-03-06 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 有孔性低誘電率誘電膜の硬化方法
US7977256B2 (en) 2008-03-06 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Method for removing a pore-generating material from an uncured low-k dielectric film
US7858533B2 (en) 2008-03-06 2010-12-28 Tokyo Electron Limited Method for curing a porous low dielectric constant dielectric film
US20090236214A1 (en) 2008-03-20 2009-09-24 Karthik Janakiraman Tunable ground planes in plasma chambers
US8391025B2 (en) 2008-05-02 2013-03-05 Advanced Energy Industries, Inc. Preemptive protection for a power convertor
US7791912B2 (en) 2008-05-02 2010-09-07 Advanced Energy Industries, Inc. Protection method, system and apparatus for a power converter
US8018164B2 (en) 2008-05-29 2011-09-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with high speed plasma load impedance tuning by modulation of different unmatched frequency sources
JP5429772B2 (ja) 2008-06-30 2014-02-26 株式会社アルバック 電源装置
US8460567B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tokyo Electron Limited Method and system for etching a MEM device
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US20100018648A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
US8895942B2 (en) 2008-09-16 2014-11-25 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment module using scanning IR radiation source
JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2013-09-18 株式会社東芝 基板処理装置および基板処理方法
JP5270310B2 (ja) 2008-11-13 2013-08-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及び基板処理装置
US8313664B2 (en) 2008-11-21 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber
JP5295748B2 (ja) 2008-12-18 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 構成部品の洗浄方法及び記憶媒体
US9887069B2 (en) 2008-12-19 2018-02-06 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US7825719B2 (en) 2008-12-29 2010-11-02 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for wideband phase-adjustable common excitation
US8137345B2 (en) 2009-01-05 2012-03-20 Peak Surgical, Inc. Electrosurgical devices for tonsillectomy and adenoidectomy
WO2010082561A1 (ja) 2009-01-13 2010-07-22 リバーベル株式会社 プラズマ生成装置及び方法
JP5221403B2 (ja) 2009-01-26 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
US9254168B2 (en) 2009-02-02 2016-02-09 Medtronic Advanced Energy Llc Electro-thermotherapy of tissue using penetrating microelectrode array
US8383001B2 (en) 2009-02-20 2013-02-26 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium
DE102009001355B4 (de) 2009-03-05 2015-01-22 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Impedanzanpassungsschaltung und Verfahren zur Impedanzanpassung
US8313612B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8382999B2 (en) 2009-03-26 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5395491B2 (ja) 2009-03-31 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN101872733B (zh) 2009-04-24 2012-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
JP5227245B2 (ja) 2009-04-28 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
JP5357639B2 (ja) 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8716984B2 (en) 2009-06-29 2014-05-06 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying the sensitivity of an electrical generator to a nonlinear load
JP5496568B2 (ja) 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
PL2416629T3 (pl) 2009-08-07 2021-11-02 Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd. Sposób sterowania impulsowego mocą o wysokiej częstotliwości oraz urządzenie w postaci zasilacza impulsowego o wysokiej częstotliwości
US8404598B2 (en) 2009-08-07 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching
US8419959B2 (en) 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
JP5960384B2 (ja) 2009-10-26 2016-08-02 新光電気工業株式会社 静電チャック用基板及び静電チャック
US9313872B2 (en) 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8741097B2 (en) 2009-10-27 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
US8270141B2 (en) 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
US8284580B2 (en) 2009-12-10 2012-10-09 Emerson Electric Co. Power supply discontinuous input voltage extender
KR101286242B1 (ko) 2009-12-14 2013-07-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
DE102009054987A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG, 79111 Verfahren zur Erzeugung von Wechselstromleistung
US8658541B2 (en) 2010-01-15 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Method of controlling trench microloading using plasma pulsing
US20110177694A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Tokyo Electron Limited Switchable Neutral Beam Source
US9373521B2 (en) 2010-02-24 2016-06-21 Tokyo Electron Limited Etching processing method
JP5632626B2 (ja) 2010-03-04 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 自動整合装置及びプラズマ処理装置
US9592090B2 (en) 2010-03-11 2017-03-14 Medtronic Advanced Energy Llc Bipolar electrosurgical cutter with position insensitive return electrode contact
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
JP5660804B2 (ja) 2010-04-30 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置
US8361906B2 (en) 2010-05-20 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Ultra high selectivity ashable hard mask film
US9139910B2 (en) 2010-06-11 2015-09-22 Tokyo Electron Limited Method for chemical vapor deposition control
US8852347B2 (en) 2010-06-11 2014-10-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for chemical vapor deposition control
EP2580368B1 (en) 2010-06-11 2015-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for chemical vapor deposition control
JP5558224B2 (ja) 2010-06-23 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US20120000421A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Varian Semicondutor Equipment Associates, Inc. Control apparatus for plasma immersion ion implantation of a dielectric substrate
DE102010031568B4 (de) 2010-07-20 2014-12-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs
US9728429B2 (en) 2010-07-27 2017-08-08 Lam Research Corporation Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers
US20130059448A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
US8828883B2 (en) 2010-08-24 2014-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for energetic neutral flux generation for processing a substrate
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
CA3109036C (en) 2010-08-31 2023-08-01 Theraclone Sciences, Inc. Human immunodeficiency virus (hiv)-neutralizing antibodies
JP5820661B2 (ja) 2010-09-14 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波照射装置
US20120088371A1 (en) 2010-10-07 2012-04-12 Applied Materials, Inc. Methods for etching substrates using pulsed dc voltage
DE102010048810A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse
DE102010048809A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Leistungsversorgungssystem für eine Plasmaanwendung und/oder eine Induktionserwärmungsanwendung
US9123762B2 (en) 2010-10-22 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate support with symmetrical feed structure
US8757603B2 (en) 2010-10-22 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Low force substrate lift
EP2463890A1 (en) 2010-12-08 2012-06-13 Applied Materials, Inc. Generating plasmas in pulsed power systems
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8809199B2 (en) 2011-02-12 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Method of etching features in silicon nitride films
WO2012122064A1 (en) 2011-03-04 2012-09-13 Tokyo Electron Limited Method of etching silicon nitride films
US8884525B2 (en) 2011-03-22 2014-11-11 Advanced Energy Industries, Inc. Remote plasma source generating a disc-shaped plasma
US9263241B2 (en) 2011-05-10 2016-02-16 Advanced Energy Industries, Inc. Current threshold response mode for arc management
US8979842B2 (en) 2011-06-10 2015-03-17 Medtronic Advanced Energy Llc Wire electrode devices for tonsillectomy and adenoidectomy
EP2541584B1 (en) 2011-06-27 2018-08-08 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Generating a highly ionized plasma in a plasma chamber
US8735291B2 (en) 2011-08-25 2014-05-27 Tokyo Electron Limited Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power
US8399366B1 (en) 2011-08-25 2013-03-19 Tokyo Electron Limited Method of depositing highly conformal amorphous carbon films over raised features
TWI719473B (zh) 2011-10-05 2021-02-21 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
US9399812B2 (en) 2011-10-11 2016-07-26 Applied Materials, Inc. Methods of preventing plasma induced damage during substrate processing
US9666414B2 (en) 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
JP5977509B2 (ja) 2011-12-09 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP5867701B2 (ja) 2011-12-15 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5808012B2 (ja) 2011-12-27 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8963377B2 (en) 2012-01-09 2015-02-24 Eagle Harbor Technologies Inc. Efficient IGBT switching
WO2013114882A1 (ja) 2012-02-01 2013-08-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
KR102034556B1 (ko) 2012-02-09 2019-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법
WO2013125523A1 (ja) 2012-02-20 2013-08-29 東京エレクトロン株式会社 電源システム、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
US9368329B2 (en) 2012-02-22 2016-06-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system
CN202550984U (zh) * 2012-03-16 2012-11-21 江苏天瑞仪器股份有限公司 脉冲发生器、高压脉冲电路及激光解析离子源的装置
US9228878B2 (en) 2012-03-19 2016-01-05 Advanced Energy Industries, Inc. Dual beam non-contact displacement sensor
US9644221B2 (en) 2012-03-30 2017-05-09 Toray Industries, Inc. Method of producing chemical by continuous fermentation and continuous fermentation apparatus
US9293928B2 (en) 2013-04-23 2016-03-22 Kevin Alexander System and method for a dynamically configurable power distribution control and management system
JP6359236B2 (ja) 2012-05-07 2018-07-18 トーカロ株式会社 静電チャック
US9404176B2 (en) 2012-06-05 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path
JP5921964B2 (ja) 2012-06-11 2016-05-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプローブ装置
JP5534365B2 (ja) 2012-06-18 2014-06-25 株式会社京三製作所 高周波電力供給装置、及び反射波電力制御方法
US9530618B2 (en) 2012-07-06 2016-12-27 Infineon Technologies Ag Plasma system, chuck and method of making a semiconductor device
US9865893B2 (en) 2012-07-27 2018-01-09 Lockheed Martin Advanced Energy Storage, Llc Electrochemical energy storage systems and methods featuring optimal membrane systems
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
EP2885248B1 (en) 2012-08-15 2018-08-22 Lockheed Martin Energy, LLC High solubility iron hexacyanides
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
WO2014035897A1 (en) 2012-08-28 2014-03-06 Advanced Energy Industries, Inc. A method of controlling the switched mode ion energy distribution system
KR102025540B1 (ko) 2012-08-28 2019-09-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널
JP6027374B2 (ja) 2012-09-12 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフィルタユニット
US20140077611A1 (en) 2012-09-14 2014-03-20 Henry Todd Young Capacitor bank, laminated bus, and power supply apparatus
JP6207880B2 (ja) 2012-09-26 2017-10-04 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8916056B2 (en) 2012-10-11 2014-12-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Biasing system for a plasma processing apparatus
US20140109886A1 (en) 2012-10-22 2014-04-24 Transient Plasma Systems, Inc. Pulsed power systems and methods
US9226380B2 (en) 2012-11-01 2015-12-29 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable non-dissipative voltage boosting snubber network
US9129776B2 (en) 2012-11-01 2015-09-08 Advanced Energy Industries, Inc. Differing boost voltages applied to two or more anodeless electrodes for plasma processing
KR102149718B1 (ko) 2012-11-01 2020-08-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US9287098B2 (en) 2012-11-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Charge removal from electrodes in unipolar sputtering system
JP2014112644A (ja) 2012-11-06 2014-06-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US8941969B2 (en) 2012-12-21 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Single-body electrostatic chuck
JP6099995B2 (ja) 2013-01-24 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 試験装置
DE102013202428A1 (de) 2013-02-14 2014-08-14 Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. Leistungsversorgungsanordnung zur Versorgung industrieller Prozesse mit Leistung
EP2770083B1 (en) 2013-02-20 2015-11-18 University of West Bohemia in Pilsen High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films
US9536713B2 (en) 2013-02-27 2017-01-03 Advanced Energy Industries, Inc. Reliable plasma ignition and reignition
WO2014132099A1 (en) 2013-02-28 2014-09-04 Hitachi, Ltd Management system and method of dynamic storage service level monitoring
KR102064914B1 (ko) 2013-03-06 2020-01-10 삼성전자주식회사 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법
TW201448108A (zh) 2013-03-12 2014-12-16 應用材料股份有限公司 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤
JP2016511551A (ja) 2013-03-13 2016-04-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 銅のｕｖ支援反応性イオンエッチング
US20140273487A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Pulsed dc plasma etching process and apparatus
US20140263181A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Jaeyoung Park Method and apparatus for generating highly repetitive pulsed plasmas
US9209032B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Tokyo Electron Limited Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity
US20140263182A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Dc pulse etcher
US8889534B1 (en) 2013-05-29 2014-11-18 Tokyo Electron Limited Solid state source introduction of dopants and additives for a plasma doping process
EP3005220B1 (en) 2013-06-04 2019-09-04 Eagle Harbor Technologies Inc. Analog integrator system and method
US9460894B2 (en) 2013-06-28 2016-10-04 Lam Research Corporation Controlling ion energy within a plasma chamber
KR101910777B1 (ko) 2013-07-05 2018-10-22 후지쯔 가부시끼가이샤 정보 취득 방법, 파라미터 최적화 방법, 및 그 장치 및 시스템
JP6375375B2 (ja) 2013-07-17 2018-08-15 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． パルス二重マグネトロンスパッタリング（ｄｍｓ）プロセスにおけるターゲットの均衡消費のためのシステムおよび方法
KR20180110213A (ko) 2013-08-06 2018-10-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부
JP2015037091A (ja) 2013-08-12 2015-02-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9655221B2 (en) 2013-08-19 2017-05-16 Eagle Harbor Technologies, Inc. High frequency, repetitive, compact toroid-generation for radiation production
US9053908B2 (en) 2013-09-19 2015-06-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching
DE102013110883B3 (de) 2013-10-01 2015-01-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess
US9721802B2 (en) 2013-10-03 2017-08-01 Applied Materials, Inc. LED based optical source coupled with plasma source
JP6162016B2 (ja) 2013-10-09 2017-07-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9711316B2 (en) 2013-10-10 2017-07-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of cleaning an extraction electrode assembly using pulsed biasing
US20150111394A1 (en) 2013-10-23 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for forming uniform film on semiconductor substrate
JP6100672B2 (ja) 2013-10-25 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置
JP6374647B2 (ja) 2013-11-05 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6312405B2 (ja) 2013-11-05 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN109166782B (zh) 2013-11-06 2020-08-07 应用材料公司 通过dc偏压调制的颗粒产生抑制器
US9318304B2 (en) 2013-11-11 2016-04-19 Applied Materials, Inc. Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing
US10978955B2 (en) 2014-02-28 2021-04-13 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10020800B2 (en) 2013-11-14 2018-07-10 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser with variable pulse width and pulse repetition frequency
US9960763B2 (en) 2013-11-14 2018-05-01 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser
US10892140B2 (en) 2018-07-27 2021-01-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US11539352B2 (en) 2013-11-14 2022-12-27 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
DE102013226537B4 (de) 2013-12-18 2022-12-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem mit mehreren Verstärkerpfaden sowie Verfahren zur Anregung eines Plasmas
US9853579B2 (en) 2013-12-18 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Rotatable heated electrostatic chuck
DE102013226511B4 (de) 2013-12-18 2016-12-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem und Verfahren zur Erzeugung einer Leistung
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
CN104752134B (zh) 2013-12-29 2017-02-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室及等离子体加工设备
WO2015105651A1 (en) 2014-01-08 2015-07-16 Applied Materials, Inc. Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films
US10790816B2 (en) 2014-01-27 2020-09-29 Eagle Harbor Technologies, Inc. Solid-state replacement for tube-based modulators
WO2015131199A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Eagle Harbor Technologies, Inc. Galvanically isolated output variable pulse generator disclosure
US10483089B2 (en) 2014-02-28 2019-11-19 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage resistive output stage circuit
TWI590329B (zh) 2014-03-02 2017-07-01 東京威力科創股份有限公司 藉由微波電漿處理以提升半導體裝置中之高介電常數膜成核速率及電移動度的方法
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
KR102099525B1 (ko) 2014-03-24 2020-04-09 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 고효율 제너레이터 소스 임피던스의 제어를 위한 시스템 및 방법
KR102222902B1 (ko) 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2017143085A (ja) 2014-06-23 2017-08-17 東京エレクトロン株式会社 グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法
US9544987B2 (en) 2014-06-30 2017-01-10 Advanced Energy Industries, Inc. Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing
WO2016002547A1 (ja) 2014-07-02 2016-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10121641B2 (en) 2014-07-21 2018-11-06 Lam Research Corporation Large dynamic range RF voltage sensor and method for voltage mode RF bias application of plasma processing systems
KR102302723B1 (ko) 2014-07-23 2021-09-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 튜닝가능한 온도 제어되는 기판 지지 어셈블리
KR20160022458A (ko) 2014-08-19 2016-03-02 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이의 동작 방법
JP6435135B2 (ja) 2014-08-26 2018-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6315809B2 (ja) 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10115567B2 (en) 2014-09-17 2018-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP6400425B2 (ja) 2014-10-15 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
JP6373160B2 (ja) 2014-10-15 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102014115139A1 (de) 2014-10-17 2016-04-21 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren und Vorrichtung zur Überspannungsbegrenzung einer Wechselspannungserzeugungsanordnung
US10102321B2 (en) 2014-10-24 2018-10-16 Lam Research Corporation System, method and apparatus for refining radio frequency transmission system models
US9666447B2 (en) 2014-10-28 2017-05-30 Tokyo Electron Limited Method for selectivity enhancement during dry plasma etching
JP6320282B2 (ja) 2014-12-05 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
EP3035365A1 (en) 2014-12-19 2016-06-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply
WO2016104098A1 (ja) 2014-12-25 2016-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
US9673059B2 (en) 2015-02-02 2017-06-06 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes
EP3054472A1 (en) 2015-02-03 2016-08-10 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Arc treatment device and method therefor
DE102015202317A1 (de) 2015-02-10 2016-08-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem für einen Plasmaprozess mit redundanter Leistungsversorgung
US9576816B2 (en) 2015-02-13 2017-02-21 Tokyo Electron Limited Method for roughness improvement and selectivity enhancement during arc layer etch using hydrogen
US9530667B2 (en) 2015-02-13 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Method for roughness improvement and selectivity enhancement during arc layer etch using carbon
US9607843B2 (en) 2015-02-13 2017-03-28 Tokyo Electron Limited Method for roughness improvement and selectivity enhancement during arc layer etch via adjustment of carbon-fluorine content
KR102436638B1 (ko) 2015-02-13 2022-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Arc 층 에칭 동안의 거칠기 개선 및 선택비 향상을 위한 방법
JP6396822B2 (ja) 2015-02-16 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
JP6449674B2 (ja) 2015-02-23 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6424120B2 (ja) 2015-03-23 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 電源システム、プラズマ処理装置及び電源制御方法
US9799494B2 (en) 2015-04-03 2017-10-24 Tokyo Electron Limited Energetic negative ion impact ionization plasma
US9786503B2 (en) 2015-04-08 2017-10-10 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks
JP6449091B2 (ja) 2015-04-20 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 スリップリング、支持機構及びプラズマ処理装置
JP6498022B2 (ja) 2015-04-22 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法
US9812305B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US9865471B2 (en) 2015-04-30 2018-01-09 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
US11542927B2 (en) 2015-05-04 2023-01-03 Eagle Harbor Technologies, Inc. Low pressure dielectric barrier discharge plasma thruster
JP2016225439A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び基板剥離検知方法
TW201717247A (zh) 2015-06-02 2017-05-16 蘭姆研究公司 電漿處理系統之大動態範圍射頻電壓感測器及電壓模式射頻偏壓施加方法
US10063062B2 (en) 2015-06-18 2018-08-28 Tokyo Electron Limited Method of detecting plasma discharge in a plasma processing system
US10249498B2 (en) 2015-06-19 2019-04-02 Tokyo Electron Limited Method for using heated substrates for process chemistry control
US9922806B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
US10163610B2 (en) 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US10373811B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Systems and methods for single magnetron sputtering
US9761459B2 (en) 2015-08-05 2017-09-12 Lam Research Corporation Systems and methods for reverse pulsing
US9620376B2 (en) 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
SG10201607880PA (en) 2015-09-25 2017-04-27 Tokyo Electron Ltd METHOD FOR FORMING TiON FILM
US9978606B2 (en) 2015-10-02 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Methods for atomic level resolution and plasma processing control
US9741539B2 (en) 2015-10-05 2017-08-22 Applied Materials, Inc. RF power delivery regulation for processing substrates
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US9881820B2 (en) 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
US10124492B2 (en) 2015-10-22 2018-11-13 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
WO2017095890A1 (en) 2015-11-30 2017-06-08 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage transformer
JP6604833B2 (ja) 2015-12-03 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
JP2019504481A (ja) 2015-12-07 2019-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 静電チャックを使用した基板の固定と開放のための方法及び装置
US9997374B2 (en) 2015-12-18 2018-06-12 Tokyo Electron Limited Etching method
JP6385915B2 (ja) 2015-12-22 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9601319B1 (en) 2016-01-07 2017-03-21 Lam Research Corporation Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US9577516B1 (en) 2016-02-18 2017-02-21 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for controlled overshoot in a RF generator
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
JP6392266B2 (ja) 2016-03-22 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10672596B2 (en) 2016-03-28 2020-06-02 Tokyo Electron Limited Ionized physical vapor deposition (IPVD) apparatus and method for an inductively coupled plasma sweeping source
WO2017172536A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 Tokyo Electron Limited Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy
JP6741461B2 (ja) 2016-04-19 2020-08-19 日本特殊陶業株式会社 加熱部材及び複合加熱部材
US10269566B2 (en) 2016-04-29 2019-04-23 Lam Research Corporation Etching substrates using ale and selective deposition
KR20170127724A (ko) 2016-05-12 2017-11-22 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10229816B2 (en) * 2016-05-24 2019-03-12 Mks Instruments, Inc. Solid-state impedance matching systems including a hybrid tuning network with a switchable coarse tuning network and a varactor fine tuning network
US10304668B2 (en) 2016-05-24 2019-05-28 Tokyo Electron Limited Localized process control using a plasma system
US10340123B2 (en) 2016-05-26 2019-07-02 Tokyo Electron Limited Multi-frequency power modulation for etching high aspect ratio features
JP6689674B2 (ja) 2016-05-30 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US12456611B2 (en) 2016-06-13 2025-10-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for controlling a voltage waveform at a substrate during plasma processing
US11004660B2 (en) 2018-11-30 2021-05-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Variable output impedance RF generator
WO2017223118A1 (en) 2016-06-21 2017-12-28 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage pre-pulsing
US11430635B2 (en) 2018-07-27 2022-08-30 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US10903047B2 (en) 2018-07-27 2021-01-26 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
KR102476353B1 (ko) * 2016-07-26 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 설비의 설정 파형 발생기, 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 제어 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
CN106407252B (zh) 2016-08-23 2019-03-15 平安科技（深圳）有限公司 旅游路线规划方法及服务器
US10438797B2 (en) 2016-09-06 2019-10-08 Tokyo Electron Limited Method of quasi atomic layer etching
TWI680496B (zh) 2016-09-13 2019-12-21 美商應用材料股份有限公司 高壓縮/拉伸的翹曲晶圓上的厚鎢硬遮罩膜沉積
JP2018046179A (ja) 2016-09-15 2018-03-22 株式会社東芝 静電チャック及び半導体製造装置
US10320373B2 (en) 2016-10-11 2019-06-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. RF production using nonlinear semiconductor junction capacitance
US9872373B1 (en) 2016-10-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Smart multi-level RF pulsing methods
JP2018078515A (ja) 2016-11-11 2018-05-17 東京エレクトロン株式会社 フィルタ装置及びプラズマ処理装置
US10312048B2 (en) 2016-12-12 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Creating ion energy distribution functions (IEDF)
WO2018126223A1 (en) 2016-12-30 2018-07-05 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage inductive adder
US20180190501A1 (en) 2017-01-05 2018-07-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10242845B2 (en) 2017-01-17 2019-03-26 Lam Research Corporation Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber
WO2018144452A1 (en) 2017-02-02 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Applying equalized plasma coupling design for mura free susceptor
US10373804B2 (en) 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
CN115378264A (zh) 2017-02-07 2022-11-22 鹰港科技有限公司 变压器谐振转换器
US10923379B2 (en) 2017-02-15 2021-02-16 Lam Research Corporation Methods for controlling clamping of insulator-type substrate on electrostatic-type substrate support structure
SG11201908533PA (en) 2017-03-17 2019-10-30 Tokyo Electron Ltd Surface modification control for etch metric enhancement
CN117200759A (zh) 2017-03-31 2023-12-08 鹰港科技有限公司 高压电阻性输出级电路
US10879044B2 (en) 2017-04-07 2020-12-29 Lam Research Corporation Auxiliary circuit in RF matching network for frequency tuning assisted dual-level pulsing
JP7029340B2 (ja) 2017-04-25 2022-03-03 東京エレクトロン株式会社 フィルタ装置及びプラズマ処理装置
EP3396699A1 (en) 2017-04-27 2018-10-31 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Power converter unit, plasma processing equipment and method of controlling several plasma processes
EP3396698A1 (en) 2017-04-27 2018-10-31 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Power converter unit, plasma processing equipment and method of controlling several plasma processes
EP3396700A1 (en) 2017-04-27 2018-10-31 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Power converter unit, plasma processing equipment and method of controlling several plasma processes
US10666198B2 (en) 2017-05-09 2020-05-26 Eagle Harbor Technologies, Inc Efficient high power microwave generation using recirculating pulses
US10460916B2 (en) 2017-05-15 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Real time monitoring with closed loop chucking force control
JP7261179B2 (ja) 2017-05-30 2023-04-19 タイタン・アドバンスト・エナジー・ソリューションズ・インコーポレイテッド バッテリの寿命評価および容量の回復
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
JP6826955B2 (ja) 2017-06-14 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6832800B2 (ja) 2017-06-21 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10510515B2 (en) 2017-06-22 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Processing tool with electrically switched electrode assembly
JP6865128B2 (ja) 2017-07-19 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI788390B (zh) 2017-08-10 2023-01-01 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理的分佈式電極陣列
US11114321B2 (en) 2017-08-17 2021-09-07 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for real-time sensing of properties in industrial manufacturing equipment
JP7045152B2 (ja) 2017-08-18 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR102601455B1 (ko) 2017-08-25 2023-11-13 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 나노초 펄스를 이용한 임의의 파형 발생
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10904996B2 (en) 2017-09-20 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrically floating power supply
US10811296B2 (en) 2017-09-20 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with dual embedded electrodes
US10763150B2 (en) 2017-09-20 2020-09-01 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage
US10714372B2 (en) 2017-09-20 2020-07-14 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to portions of a substrate
KR102361417B1 (ko) 2017-09-26 2022-02-09 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 플라즈마 점화를 위한 시스템 및 방법
US10784091B2 (en) 2017-09-29 2020-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Process and related device for removing by-product on semiconductor processing chamber sidewalls
JP6518024B1 (ja) 2017-10-30 2019-05-22 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製法
CN111226309B (zh) 2017-11-06 2023-09-19 日本碍子株式会社 静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环
US10991554B2 (en) 2017-11-16 2021-04-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing system with synchronized signal modulation
EP3711080B1 (en) 2017-11-17 2023-06-21 AES Global Holdings, Pte. Ltd. Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias
TWI792598B (zh) 2017-11-17 2023-02-11 新加坡商Aes 全球公司 用於在空間域和時間域上控制基板上的電漿處理之系統和方法，及相關的電腦可讀取媒體
JP2021503702A (ja) 2017-11-17 2021-02-12 エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド プラズマ処理システムにおける変調供給源の改良された印加
JP7033441B2 (ja) 2017-12-01 2022-03-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10811267B2 (en) 2017-12-21 2020-10-20 Micron Technology, Inc. Methods of processing semiconductor device structures and related systems
WO2019143474A1 (en) 2018-01-18 2019-07-25 Applied Materials, Inc. Etching apparatus and methods
WO2019143992A1 (en) 2018-01-22 2019-07-25 Transient Plasma Systems, Inc. Inductively coupled pulsed rf voltage multiplier
US10269540B1 (en) 2018-01-25 2019-04-23 Advanced Energy Industries, Inc. Impedance matching system and method of operating the same
US11848177B2 (en) 2018-02-23 2023-12-19 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates
US11137372B2 (en) 2018-03-08 2021-10-05 Eagle Harbor Technologies, Inc. Eddy current nondestructive evaluation device with rotating permanent magnets and pickup coils
US11456160B2 (en) 2018-03-26 2022-09-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
DE102018204587B4 (de) 2018-03-26 2019-10-24 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Zündung eines Plasmas in einer Plasmakammer und Zündschaltung
JP7055054B2 (ja) 2018-04-11 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
JP7061922B2 (ja) 2018-04-27 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6910320B2 (ja) 2018-05-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置
SG11202010037QA (en) 2018-05-03 2020-11-27 Applied Materials Inc Rf grounding configuration for pedestals
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP7061511B2 (ja) 2018-05-10 2022-04-28 東京エレクトロン株式会社 フィルタ装置及びプラズマ処理装置
JP7126381B2 (ja) 2018-05-21 2022-08-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2019216140A (ja) 2018-06-11 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜装置におけるクリーニング方法
JP6846384B2 (ja) 2018-06-12 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の高周波電源を制御する方法
US10515781B1 (en) 2018-06-13 2019-12-24 Lam Research Corporation Direct drive RF circuit for substrate processing systems
KR102812564B1 (ko) 2018-06-18 2025-05-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 제작 장비의 특성에 대한 간섭이 완화된 실시간 감지
US10916409B2 (en) 2018-06-18 2021-02-09 Lam Research Corporation Active control of radial etch uniformity
JP7175239B2 (ja) 2018-06-22 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体
JP6846387B2 (ja) 2018-06-22 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6842443B2 (ja) 2018-06-22 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマを生成する方法
JP7038614B2 (ja) 2018-06-27 2022-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US11011351B2 (en) 2018-07-13 2021-05-18 Lam Research Corporation Monoenergetic ion generation for controlled etch
WO2020017328A1 (ja) 2018-07-17 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP7175114B2 (ja) 2018-07-19 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電極部材
US11302518B2 (en) 2018-07-27 2022-04-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit
JP7079686B2 (ja) 2018-07-27 2022-06-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US10607814B2 (en) 2018-08-10 2020-03-31 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage switch with isolated power
US11222767B2 (en) 2018-07-27 2022-01-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US11532457B2 (en) 2018-07-27 2022-12-20 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
JP7186032B2 (ja) 2018-07-27 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
WO2020026802A1 (ja) 2018-07-30 2020-02-06 東京エレクトロン株式会社 制御方法及びプラズマ処理装置
JP7306886B2 (ja) 2018-07-30 2023-07-11 東京エレクトロン株式会社 制御方法及びプラズマ処理装置
EP4568091A3 (en) 2018-08-10 2025-09-17 Eagle Harbor Technologies, Inc. Plasma sheath control for rf plasma reactors
US12230475B2 (en) 2018-08-14 2025-02-18 Tokyo Electron Limited Systems and methods of control for plasma processing
US11688586B2 (en) 2018-08-30 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
US11257685B2 (en) 2018-09-05 2022-02-22 Tokyo Electron Limited Apparatus and process for electron beam mediated plasma etch and deposition processes
US10672589B2 (en) 2018-10-10 2020-06-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and control method
KR20210090674A (ko) 2018-11-14 2021-07-20 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 세트포인트 추적에서 최소 지연을 위한 인터리빙된 스위치 모드 전력 스테이지들의 가산 합성
US11476145B2 (en) * 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
JP2020095793A (ja) 2018-12-10 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US10720305B2 (en) 2018-12-21 2020-07-21 Advanced Energy Industries, Inc. Plasma delivery system for modulated plasma systems
TWI783203B (zh) 2019-01-08 2022-11-11 美商鷹港科技股份有限公司 奈秒脈波產生器電路
CN113228830B (zh) 2019-01-09 2024-10-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理方法
KR102744694B1 (ko) 2019-01-10 2024-12-19 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN116844934A (zh) 2019-02-05 2023-10-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
NL2022999B1 (en) * 2019-04-24 2020-11-02 Prodrive Tech Bv Voltage waveform generator for plasma processing apparatuses
US20200373114A1 (en) 2019-05-24 2020-11-26 Eagle Harbor Technologies, Inc. Klystron Driver
US11398369B2 (en) * 2019-06-25 2022-07-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for actively tuning a plasma power source
US20210029815A1 (en) 2019-07-02 2021-01-28 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser rf isolation
CN114222958B (zh) 2019-07-12 2024-03-19 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 具有单个受控开关的偏置电源
US11108384B2 (en) 2019-09-25 2021-08-31 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nonlinear transmission line high voltage pulse sharpening with energy recovery
TWI778449B (zh) 2019-11-15 2022-09-21 美商鷹港科技股份有限公司 高電壓脈衝電路
KR102591378B1 (ko) 2019-12-24 2023-10-19 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 플라즈마 시스템을 위한 나노초 펄서 rf 절연
US11742184B2 (en) 2020-02-28 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6810316B1 (ja) 2020-04-23 2021-01-06 京都電機器株式会社 プラズマ加工装置用直流パルス電源装置
KR102781504B1 (ko) * 2020-06-25 2025-03-17 삼성전자주식회사 전압 파형 생성기, 웨이퍼 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치
JP7613980B2 (ja) * 2021-03-30 2025-01-15 株式会社ダイヘン パルス電源装置
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10516388B1 (en) * 2018-07-31 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage generator, voltage waveform generator, semiconductor device manufacturing apparatus, voltage waveform generation method, and semiconductor device manufacturing method
WO2020095550A1 (ja) * 2018-11-05 2020-05-14 ソニー株式会社 駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法
TW202044321A (zh) * 2019-01-22 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 用於控制脈衝電壓波形的反饋迴路

Also Published As

Publication number Publication date
US20240087848A1 (en) 2024-03-14
JP2023542780A (ja) 2023-10-12
US20220415615A1 (en) 2022-12-29
US11569066B2 (en) 2023-01-31
CN121237627A (zh) 2025-12-30
JP7516657B2 (ja) 2024-07-16
TW202507802A (zh) 2025-02-16
WO2022271383A1 (en) 2022-12-29
US11887813B2 (en) 2024-01-30
JP2024163993A (ja) 2024-11-26
TW202316478A (zh) 2023-04-16
US12125673B2 (en) 2024-10-22
US20230029754A1 (en) 2023-02-02
KR20230025486A (ko) 2023-02-21
CN116097393B (zh) 2025-10-28
CN116097393A (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI861505B (zh) 用於波形產生的設備及方法
TWI846014B (zh) 電壓脈衝的時域多工
TWI895631B (zh) 用於對電漿中的離子能量分佈進行數位控制的方法和裝置
CN115868003B (zh) 用于基板处理的脉冲电压增压
TWI859533B (zh) 具有離子能量控制的電漿激發
JP2025539845A (ja) マルチレベル出力機能を介したプラズマｉｅｄｆ修正機能を備えたソリッドステートスイッチベースの高速パルサ