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TWI855115B - 積層玻璃之製造裝置及製造方法 - Google Patents

積層玻璃之製造裝置及製造方法 Download PDF

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TWI855115B
TWI855115B TW109124779A TW109124779A TWI855115B TW I855115 B TWI855115 B TW I855115B TW 109124779 A TW109124779 A TW 109124779A TW 109124779 A TW109124779 A TW 109124779A TW I855115 B TWI855115 B TW I855115B
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laminated glass
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西森才将
山下裕司
梨木智剛
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之搬送成膜裝置10具備：捲出輥21，其以捲出具有可撓性之玻璃基材1之方式構成；濺鍍裝置12，其以於玻璃基材1上設置透明導電層2而製作透明導電性玻璃3之方式構成；冷卻裝置13，其以冷卻透明導電性玻璃3之方式構成；及捲取輥41，其以捲取透明導電性玻璃3之方式構成。濺鍍裝置12具備加熱機30。透明導電性玻璃3於冷卻經加熱機30加熱後之透明導電性玻璃3時，具備：第1冷卻輥34，其以第1冷卻溫度T1接觸透明導電性玻璃3；及第2冷卻輥35，其以低於第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2接觸透明導電性玻璃3。

Description

積層玻璃之製造裝置及製造方法
本發明係關於一種積層玻璃之製造裝置及製造方法。
近年來，使用耐熱性優異之薄玻璃基材作為配備於液晶顯示器、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器等圖像顯示裝置之光學膜的撓性基材。具體而言，將於薄玻璃基材上形成有銦錫氧化物(ITO)等透明導電層之透明導電性玻璃用作觸控面板膜。
作為用以量產此種光學膜之裝置，提出有輥對輥濺鍍裝置，其朝薄玻璃基材之搬送方向下游側依序具備展開輥、相互對向配置之濺鍍機及加熱器、冷卻筒、及捲取輥(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載之輥對輥濺鍍裝置中，一面藉由濺鍍機對基材濺鍍透明導電膜等功能層，一面對其加熱，其後，藉由冷卻筒將其等冷卻。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-109073號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，要求表面電阻較低之透明導電層，因此，試行提高加熱器之加熱溫度之方案。
然而，專利文獻1所記載之輥對輥濺鍍裝置中，若以冷卻筒冷卻高溫之薄玻璃基材，則存在薄玻璃基材破損之不良情況。
本發明提供一種可抑制玻璃基材之破損之積層玻璃之製造裝置及製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種積層玻璃之製造裝置，其具備：捲出輥，其以捲出具有可撓性之玻璃基材之方式構成；成膜加熱單元，其配置於上述捲出輥之搬送方向下游側，且以於上述玻璃基材上設置功能層而製作積層玻璃之方式構成；冷卻單元，其配置於上述成膜加熱單元之搬送方向下游側，且以冷卻上述積層玻璃之方式構成；及捲取輥，其配置於上述冷卻單元之搬送方向下游側，且以捲取上述積層玻璃之方式構成；且上述成膜加熱單元具備加熱部，該加熱部以加熱上述積層玻璃之方式構成，上述冷卻單元於冷卻經上述加熱部加熱後之上述積層玻璃時，至少具備：第1冷卻輥，其以第1冷卻溫度T1接觸上述積層玻璃；及第2冷卻輥，其以低於上述第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2接觸上述積層玻璃。
該積層玻璃之製造裝置中，積層玻璃可依序接觸為第1冷卻溫度T1之第1冷卻輥、及為低於第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2之第2冷卻輥。因此，相較於由1個冷卻筒冷卻積層玻璃之專利文獻1之裝置，上述第1冷卻輥及第2冷卻輥依序冷卻積層玻璃，故可抑制積層玻璃之破損、尤其是脆弱之玻璃基材之破損。
本發明[2]包含如[1]之積層玻璃之製造裝置，其中經上述加熱部加熱後之上述積層玻璃之表面溫度T0、上述第1冷卻溫度T1、及上述第2冷卻溫度T2滿足下式(1)及(2)。
50℃≦T0－T1＜130℃      (1) 80℃≦T1－T2＜160℃      (2) 該積層玻璃之製造裝置中，經成膜加熱單元之加熱部加熱後之積層玻璃之表面溫度T0、第1冷卻溫度T1、及第2冷卻溫度T2滿足式(1)及(2)，故可有效地抑制冷卻單元中之積層玻璃之破損。
本發明[3]包含如[1]或[2]之積層玻璃之製造裝置，其中上述功能層為包含金屬氧化物之透明導電層，上述加熱部係以將上述積層玻璃加熱至200℃以上之方式構成。
該積層玻璃之製造裝置中，加熱部以將積層玻璃加熱至200℃以上之方式構成，故可更進一步降低透明導電層之表面電阻。另一方面，若將加熱部之設定溫度設定為上述高溫，則於冷卻單元中，積層玻璃易破損。然而，該積層玻璃之製造裝置中由於具備第1冷卻輥及第2冷卻輥，故可抑制積層玻璃(尤其是玻璃基材)之上述破損，並且可降低功能層之表面電阻。
本發明[4]包含一種積層玻璃之製造方法，其係使用如[1]至[3]中任一項之積層玻璃之製造裝置來製造積層玻璃的方法，且具備：將上述玻璃基材自上述捲出輥捲出之步驟；藉由上述成膜加熱單元於上述玻璃基材上設置上述功能層而加熱上述積層玻璃之步驟；使上述積層玻璃與上述第1冷卻輥接觸而冷卻之第1冷卻步驟；使上述積層玻璃與上述第2冷卻輥接觸而冷卻之第2冷卻步驟；及藉由上述捲取輥捲取上述積層玻璃之步驟。
該積層玻璃之製造方法中，於第1冷卻步驟中，第1冷卻溫度T1之第1冷卻輥接觸積層玻璃，於第2冷卻步驟中，第2冷卻溫度T2之第2冷卻輥接觸積層玻璃。因此，藉由依序實施上述第1冷卻步驟及第2冷卻步驟，可抑制積層玻璃之破損、尤其是脆弱之玻璃基材之破損。 [發明之效果]
本發明之積層玻璃之製造裝置及製造方法可抑制玻璃基材之破損。
1.搬送成膜裝置 參照圖1～圖3，說明本發明之製造裝置之一實施方式之搬送成膜裝置。
圖1所示之搬送成膜裝置10一面搬送玻璃基材1一面於其厚度方向一面51上設置透明導電層(功能層之一例)2(參照圖2C)，從而製造透明導電性玻璃(積層玻璃之一例)3。具體而言，搬送成膜裝置10自卷狀之搬送基材4(下述)剝離第1保護材5而單獨搬送玻璃基材1，繼之，於玻璃基材1上設置透明導電層2而製造透明導電性玻璃3，繼之，於透明導電性玻璃3上積層第2保護材6並捲繞成卷狀。
搬送成膜裝置10具備搬送裝置11、濺鍍裝置(成膜加熱單元之一例)12、及冷卻裝置(冷卻單元之一例)13。進而，搬送裝置11具備捲出部14、去靜電部15、及捲取部16。又，去靜電部15具備第1去靜電部17及第2去靜電部18。搬送成膜裝置10自搬送方向上游側(以下，省略為「上游側」)朝搬送方向下游側(以下，省略為「下游側」)依序具備捲出部14、第1去靜電部17、濺鍍裝置12、冷卻裝置13、第2去靜電部18、及捲取部16。以下，對其等進行詳細敍述。
捲出部14於搬送裝置11中配置於最上游側。捲出部14捲出長條之搬送基材4。捲出部14具備捲出輥21、第1驅動輥22、保護材捲取輥23、及捲出外殼24。
於捲出輥21上，置有卷狀之搬送基材4。即，於捲出輥21之表面(周面)，捲繞有搬送方向上為長條之搬送基材4。捲出輥21為圓柱構件，其具有沿搬送方向旋轉之旋轉軸，且於寬度方向上延伸。再者，本實施方式中，下述各種輥(捲出輥21、第1～第2驅動輥(22、40)、保護材捲取輥23、第1～第4導輥(26、28、31、38)、保護材導輥43、第1～第2冷卻輥(34、35)、捲取輥41、保護材捲出輥42、夾輥44)均為圓柱構件，即，具有沿搬送方向旋轉之旋轉軸，且於寬度方向(與搬送方向及厚度方向正交之方向)上延伸。
捲出輥21構成為，由外部動力等驅動而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。
第1驅動輥22配置於捲出輥21之下游側。第1驅動輥22構成為自外部被賦予用以搬送玻璃基材1之動力。藉此，第1驅動輥22基於上述外部動力而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。具體而言，於第1驅動輥22之旋轉軸之端部，設置有齒輪(未圖示)，於齒輪上，連接有用以使第1驅動輥22沿箭頭方向旋轉之馬達(未圖示)。第1驅動輥22藉由馬達之驅動力而旋轉。
藉此，第1驅動輥22將置於捲出輥21上之搬送基材4之玻璃基材1搬送至第1去靜電部17。
又，該第1驅動輥22不同於與夾輥44鄰接配置之第2驅動輥40(下述)，構成為於與玻璃基材1之厚度方向一面(接觸面)51(參照圖2B)接觸之狀態下，玻璃基材1之厚度方向另一面(非接觸面)52(參照圖2B)不與其他搬送構件(夾輥44等)接觸。
保護材捲取輥23配置於捲出輥21之附近。保護材捲取輥23使第1保護材5自搬送基材4剝離(離開)，並且捲取第1保護材5。保護材捲取輥23構成為，由外部動力等驅動而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。
捲出外殼24於其內部收容捲出輥21、第1驅動輥22及保護材捲取輥23。捲出外殼24係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。具體而言，於捲出外殼24上，連接有將其內部之空氣排出至外部之真空泵(未圖示)。再者，本說明書中，所謂真空狀態係指例如氣壓為0.1 Pa以下、較佳為1×10-3 Pa以下之狀態。
第1去靜電部17以與捲出部14鄰接之方式配置於捲出部14之下游側。第1去靜電部17對玻璃基材1去除靜電。第1去靜電部17具備第1去靜電機25、第1導輥26、及第1去靜電外殼27。
第1去靜電機25使玻璃基材1所帶之電減少。第1去靜電機25配置於第1驅動輥22之下游側且第1導輥26之上游側。作為第1去靜電機25，可列舉例如電暈放電式去靜電機、游離輻射式去靜電機等。
第1導輥26將自第1驅動輥22通過第1去靜電機25搬送之玻璃基材1引導(guide)至濺鍍裝置12之第2導輥28。第1導輥26配置於第1去靜電機25之下游側且第2導輥28之上游側。第1導輥26係隨著玻璃基材1之搬送而旋轉之自由輥。
第1去靜電外殼27於其內部收容第1去靜電機25及第1導輥26。第1去靜電外殼27係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。
濺鍍裝置12以與第1去靜電部17鄰接之方式配置於第1去靜電部17之下游側。濺鍍裝置12於成膜區域33對玻璃基材1實施濺鍍，而形成透明導電層2(參照圖2C)。
濺鍍裝置12具備第2導輥28、濺鍍靶29、加熱機30、第3導輥31、及濺鍍外殼32。
第2導輥28將自第1導輥26搬送之玻璃基材1引導(guide)至成膜區域33。第2導輥28配置於第1導輥26之下游側且濺鍍靶29之上游側。第2導輥28之構成與第1導輥26之構成相同。
濺鍍靶29為透明導電層2之原材料。濺鍍靶29於第2導輥28之下游側且第3導輥31之上游側與玻璃基材1隔開間隔地對向配置。濺鍍靶29面向玻璃基材1之厚度方向一面51。
作為濺鍍靶29之材料，可列舉例如包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Nb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。具體而言，可列舉例如銦錫複合氧化物(ITO)等含銦氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等含銻氧化物等，較佳可列舉含銦氧化物，更佳可列舉ITO。
加熱機30對玻璃基材1及自其獲得之透明導電性玻璃3進行加熱。於第2導輥28之下游側且第3導輥31之上游側，與玻璃基材1隔開間隔地配置。又，以玻璃基材1為基準，加熱機30對向配置於與濺鍍靶29相反側。加熱機30面向玻璃基材1之厚度方向另一面52。
加熱機30之加熱方式並未特別限定，可列舉例如熱輻射、對流、熱傳導等，較佳可列舉熱輻射。具體而言，作為加熱機30，可列舉紅外線加熱器、鹵素燈加熱器、高頻感應加熱器、熱風加熱器、電熱加熱器等。作為加熱機30，較佳可列舉紅外線加熱器、鹵素燈加熱器。
成膜區域33被劃分在第2導輥28與第3導輥31之搬送方向中途。於成膜區域33，配置有濺鍍靶29、及加熱機30。
第3導輥31將成膜後之玻璃基材1(具體而言為於厚度方向上具備玻璃基材1及透明導電層2之透明導電性玻璃3)(參照圖2C)引導(guide)至冷卻裝置13之第1冷卻輥34。第3導輥31配置於濺鍍靶29之下游側且第1冷卻輥34(下述)之上游側。第3導輥31之構成與第1導輥26之構成相同。
濺鍍外殼32收容第2導輥28、濺鍍靶29、加熱機30及第3導輥31。濺鍍外殼32構成包含成膜區域33之成膜室。濺鍍外殼32係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。再者，雖未圖示，但濺鍍裝置12具備用以實施濺鍍之其他元件(陽極、陰極、Ar氣體導入器件等)。作為濺鍍裝置12，具體而言，可列舉例如二極型濺鍍裝置、電子回旋共振型濺鍍裝置、磁控型濺鍍裝置、離子束型濺鍍裝置等。
冷卻裝置13以與濺鍍裝置12鄰接之方式配置於濺鍍裝置12之下游側。冷卻裝置13將經濺鍍裝置12加熱後之透明導電性玻璃3冷卻。冷卻裝置13具備第1冷卻輥34、第2冷卻輥35、及冷卻外殼36。
第1冷卻輥34於冷卻裝置13中配置於上游側。第2冷卻輥35配置於第1冷卻輥34之下游側。第1冷卻輥34及第2冷卻輥35分別構成為，由外部動力等驅動而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。
第1冷卻輥34例如於內部包含供冷卻水等冷媒流動之流路。第1冷卻輥34構成為，於冷卻透明導電性玻璃3時，以第1冷卻溫度T1接觸透明導電性玻璃3。具體而言，第1冷卻輥34之表面溫度成為第1冷卻溫度T1。第1冷卻溫度T1將於下文中詳細敍述。
第2冷卻輥35例如於內部包含供冷卻水等冷媒流動之流路。第2冷卻輥35構成為，於冷卻透明導電性玻璃3時，以第2冷卻溫度T2接觸透明導電性玻璃3。具體而言，第2冷卻輥35之表面溫度成為第2冷卻溫度T2。第2冷卻溫度T2與第1冷卻溫度T1一起於下文中詳細敍述，第2冷卻溫度T2低於第1冷卻溫度T1。
冷卻外殼36於其內部收容第1冷卻輥34及第2冷卻輥35。冷卻外殼36係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。
第2去靜電部18以與冷卻裝置13鄰接之方式配置於冷卻裝置13之下游側。第2去靜電部18對透明導電性玻璃3去除靜電。第2去靜電部18具備第2去靜電機37、第4導輥38、及第2去靜電外殼39。
第2去靜電機37使玻璃基材1所帶之電減少。第2去靜電機37配置於第2冷卻輥35之下游側且第4導輥38之上游側。第2去靜電機37之構成與第1去靜電機25之構成相同。
第4導輥38將自第2冷卻輥35通過第2去靜電機37搬送之透明導電性玻璃3引導(guide)至捲取部16之第2驅動輥40。第4導輥38配置於第2去靜電機37之下游側且第2驅動輥40之上游側。第4導輥38之構成與第1導輥26之構成相同。
第2去靜電外殼39於其內部收容第2去靜電機37及第4導輥38。第2去靜電外殼39係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。
捲取部16於搬送裝置11中配置於最下游側，且以與第2去靜電機37鄰接之方式配置於第2去靜電機37之下游側。捲取部16將透明導電性玻璃3與第2保護材6(參照圖2D)一起捲取。捲取部16具備第2驅動輥40、捲取輥41、保護材捲出輥42、保護材導輥43、夾輥44、及捲取外殼45。
第2驅動輥40配置於第4導輥38之下游側且捲取輥41之上游側。第2驅動輥40構成為自外部被賦予用以搬送包含玻璃基材1之透明導電性玻璃3之動力。藉此，第2驅動輥40基於上述外部動力而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。藉此，第2驅動輥40將透明導電性玻璃3搬送至捲取輥41。
第2驅動輥40構成為，於與透明導電性玻璃3之厚度方向一面53接觸之狀態下，第2保護材6之厚度方向另一面54與夾輥44接觸。亦即，第2驅動輥40及夾輥44構成夾持機構。
捲取輥41捲取自第2驅動輥40與夾輥44之間搬送之透明導電性玻璃3及第2保護材6之積層體7(下述)。捲取輥41構成為，由外部動力等驅動而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。
保護材捲出輥42配置於捲取輥41之附近。於保護材捲出輥42上，置有卷狀之第2保護材6。即，於保護材捲出輥42之表面，捲繞有搬送方向上為長條之第2保護材6。保護材捲出輥42構成為，由外部動力等驅動而沿圖1所示之箭頭方向旋轉。保護材捲出輥42將第2保護材6捲出至保護材導輥43。
保護材導輥43將自保護材捲出輥42捲出之第2保護材6引導至夾輥44。保護材導輥43配置於保護材捲出輥42與夾輥44之搬送方向中途。
夾輥44與第2驅動輥40一起使第2保護材6積層於透明導電性玻璃3。夾輥44與第2驅動輥40對向配置。夾輥44構成為，其表面能夠與第2驅動輥40之表面將透明導電性玻璃3及第2保護材6夾住並且進行層壓。
捲取外殼45於其內部收容第2驅動輥40、捲取輥41、保護材捲出輥42、保護材導輥43及夾輥44。捲取外殼45係以將其內部調節成真空狀態之方式構成。
2.透明導電性玻璃之製造方法 對使用搬送成膜裝置10製造透明導電性玻璃3之方法進行說明。透明導電性玻璃3之製造方法具備：準備步驟，其係準備搬送基材4；剝離步驟，其係自玻璃基材1將第1保護材5剝離；成膜步驟，其係將透明導電層2於真空下設置於玻璃基材1；冷卻步驟，其係冷卻透明導電性玻璃3；及捲取步驟，其係將透明導電性玻璃3捲取至捲取輥41上。以下，詳細敍述各步驟。
首先，於捲出輥21上準備搬送基材4(準備步驟)。具體而言，準備搬送基材4，且置於捲出輥21上。
搬送基材4係帶保護材之玻璃基材，具體而言，朝厚度方向另一側依序具備玻璃基材1與第1保護材5(參照圖2A)。搬送基材4於搬送方向上為長條，且捲繞成卷狀。此種卷狀之搬送基材4可使用公知或市售者。
玻璃基材1具有膜狀(包含片狀)，由透明之玻璃形成。作為玻璃，可列舉例如無鹼玻璃、鈉玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃等。
玻璃基材1具有可撓性。
另一方面，玻璃基材1之機械強度通常較低(脆弱)，下述測定之彎曲試驗中之斷裂時之兩端部間距離L例如為15 mm以下、或20 mm以下。
如圖6所示，具體而言，將玻璃基材1切斷加工成長度120 mm，且將其長度方向兩端部卡於隔開間隔對向配置之2個治具81各者之卡住部82。繼而，使2個治具81相互緩慢靠近，獲得玻璃基材1斷裂時2個卡住部82間之長度L作為斷裂時之兩端部間距離L。
玻璃基材1之厚度例如為250 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下，又，例如為10 μm以上，較佳為40 μm以上。
此種玻璃基材1可使用市售品，例如可使用G-leaf系列(日本電氣硝子公司製造)等
第1保護材5防止於捲出卷狀之玻璃基材1時因玻璃基材1彼此接觸而導致破損。第1保護材5具有膜形狀，配置於玻璃基材1之厚度方向另一面52。
作為第1保護材5，可列舉例如帶黏著劑之膜、間隔紙等。
帶黏著劑之膜於厚度方向上具備高分子膜與黏著劑層。
作為高分子膜，可列舉例如聚酯系膜(聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等)、聚碳酸酯系膜、烯烴系膜(聚乙烯膜、聚丙烯膜、環烯烴膜等)、丙烯酸系膜、聚醚碸系膜、聚芳酯系膜、三聚氰胺系膜、聚醯胺系膜、聚醯亞胺系膜、纖維素系膜、及聚苯乙烯系膜。
黏著劑層為感壓接著劑層，可列舉例如丙烯酸系黏著劑層、橡膠系黏著劑層、矽酮系黏著劑層、聚酯系黏著劑層、聚胺基甲酸酯系黏著劑層、聚醯胺系黏著劑層、環氧系黏著劑層、乙烯基烷基醚系黏著劑層、氟系黏著劑層等。
作為間隔紙，可列舉例如道林紙、日本紙、牛皮紙、玻璃紙、合成紙、面漆紙等。
第1保護材5之厚度例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。
繼之，使搬送成膜裝置10作動。具體而言，使所有外殼(捲出外殼24、第1去靜電外殼27、濺鍍外殼32、冷卻外殼36、第2去靜電外殼39、捲取外殼45)為真空，並且使所有驅動輥(捲出輥21、第1～第2驅動輥(22、40)、保護材捲取輥23、第1～第2冷卻輥(34、35)、捲取輥41、保護材捲出輥42)旋轉驅動。又，亦使去靜電部15(第1去靜電機25及第2去靜電機37)、冷卻裝置13、濺鍍裝置12等作動。藉此，將搬送基材4搬送至下游側，並且依序實施剝離步驟、成膜步驟、冷卻步驟、及捲取步驟。
具體而言，於捲出部14中，搬送基材4被自捲出輥21捲出。此時，第1保護材5自玻璃基材1剝離(剝離步驟)。第1保護材5捲取至保護材捲取輥23上。另一方面，玻璃基材1單獨由第1驅動輥22搬送至第1去靜電部17(參照圖2B)。於玻璃基材1之厚度方向一面51與第1驅動輥22接觸之狀態下，玻璃基材1之厚度方向另一面52(非接觸面52)不與其他構件接觸。玻璃基材1即便與第1驅動輥22接觸而帶電，亦可藉由第1去靜電部17之第1去靜電機25作動而去除靜電。
繼而，玻璃基材1由第1導輥26引導至濺鍍裝置12。
繼而，於濺鍍裝置12中，玻璃基材1由第2導輥28引導至成膜區域33。於成膜區域33，對玻璃基材1實施濺鍍。作為濺鍍，具體而言，可列舉二極濺鍍法、電子回旋共振濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。濺鍍時之氣壓(即，成膜區域33之氣壓)為真空，較佳為未達1.0 Pa，更佳為0.5 Pa以下。
藉此，於成膜區域33中，在玻璃基材1之厚度方向一面51成膜透明導電層2，而製造出朝厚度方向一側依序具備玻璃基材1及透明導電層2之透明導電性玻璃3(參照圖2C)(成膜步驟)。
又，與濺鍍同時，透明導電性玻璃3由加熱機30加熱。藉此，例如於透明導電層2之材料為金屬氧化物(較佳為ITO)之情形時，可與透明導電層2之成膜同時地使透明導電層2結晶化，其結果，可降低透明導電層2之表面電阻。
作為加熱溫度，加熱機30之溫度例如為300℃以上，較佳為400℃以上，更佳為450℃以上，又，例如為800℃以下。
又，透明導電性玻璃3之表面溫度T0例如為175℃以上，較佳為200℃以上，更佳為250℃以上，又，例如為500℃以下，較佳為400℃以下。再者，使透明導電性玻璃3之表面溫度T0為加熱機30之溫度乘以0.6所得之值，又，亦可實際測量。
若透明導電性玻璃3之表面溫度T0為上述下限以上，則可有效地降低透明導電層2之表面電阻。
加熱後之透明導電層2(具體而言為已結晶化之透明導電層2)之表面電阻例如為100 Ω/□以下，較佳為50 Ω/□以下，更佳為40 Ω/□以下，進而較佳為30 Ω/□以下，特佳為25 Ω/□以下，最佳為20 Ω/□以下，又，超過0 Ω/□。表面電阻係藉由四端子法而測定。
其後，透明導電性玻璃3由第3導輥31引導至冷卻裝置13。
於冷卻裝置13中，透明導電性玻璃3依序接觸第1冷卻輥34及第2冷卻輥35而被冷卻(冷卻步驟)。
冷卻步驟依序具備第1冷卻步驟、及第2冷卻步驟。第1冷卻步驟中，第1冷卻輥34接觸透明導電性玻璃3，繼而，第2冷卻步驟中，第2冷卻輥35接觸透明導電性玻璃3。
具體而言，透明導電性玻璃3依序接觸上述成為第1冷卻溫度T1之第1冷卻輥34、及成為低於第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2之第2冷卻輥35，被階段性地冷卻。
第1冷卻溫度T1例如未達400℃，較佳為350℃以下，更佳為未達300℃，進而較佳為250℃以下，又，例如為100℃以上，較佳為125℃以上，更佳為175℃以上。
第2冷卻溫度T2例如未達100℃，較佳為95℃以下，更佳為未達90℃，進而較佳為85℃以下。又，第2冷卻溫度T2例如為-25℃以上，較佳為0℃以上，更佳為25℃以上，進而較佳為50℃以上，特佳為75℃以上。
又，第1冷卻溫度T1及第2冷卻溫度T2與加熱後之透明導電性玻璃3之溫度(表面溫度)T0一起例如滿足下式(1)～(2)，較佳為滿足下式(3)～(4)，更佳為滿足下式(5)～(6)。
30℃≦T0－T1＜250℃      (1) 50℃≦T1－T2＜200℃      (2) 50℃≦T0－T1＜130℃      (3) 80℃≦T1－T2＜160℃      (4) 60℃≦T0－T1＜120℃      (5) 110℃≦T1－T2＜130℃     (6) 又，上述溫度T0～T2例如滿足與溫度差之比相關之下式(7)，較佳為滿足下式(8)，更佳為滿足下式(9)。
0.25≦(T0－T1)/(T1－T2)＜4      (7) 0.5≦(T0－T1)/(T1－T2)＜1.75      (8) 0.6≦(T0－T1)/(T1－T2)＜1.25      (9) 若溫度T0～T2滿足上式，則可有效地抑制冷卻裝置13中之透明導電性玻璃3之破損(尤其是龜裂)。
如圖3所示，第1冷卻步驟中，透明導電層2直接接觸第1冷卻輥34。又，玻璃基材1隔著透明導電層2與第1冷卻輥34鄰接，故與透明導電層2相同程度地被冷卻。
第2冷卻步驟中，玻璃基材1直接接觸第2冷卻輥35。又，透明導電層2隔著玻璃基材1與第2冷卻輥35鄰接，故與玻璃基材1相同程度地被冷卻。
就擴大透明導電性玻璃3與第1冷卻輥34及第2冷卻輥35之接觸面積(進而提高冷卻效率)之觀點而言，以將連結第1冷卻輥34之旋轉軸與第2冷卻輥35之旋轉軸之線段橫切之方式搬送透明導電性玻璃3。
如圖1所示，其後，透明導電性玻璃3被自冷卻裝置13搬送至第2去靜電部18。
如圖3所示，透明導電性玻璃3之厚度方向另一面52(玻璃基材1之厚度方向另一面52)中，即便因與第2冷卻輥35之摩擦而產生帶電，亦可藉由第2去靜電部18之第2去靜電機37作動而去除靜電。另一方面，於透明導電性玻璃3之厚度方向一面53(透明導電層2之厚度方向一面53)，由於透明導電層2為導電性，故即便與第1冷卻輥34摩擦，通常亦不會帶電。
其後，透明導電性玻璃3由第4導輥38引導至捲取部16。
於捲取部16中，第2保護材6被自保護材捲出輥42捲出，由保護材導輥43引導，而搬送至夾輥44。
另一方面，透明導電性玻璃3與第2保護材6一起通過第2驅動輥40與夾輥44之間，將第2保護材6層壓至透明導電性玻璃3之厚度方向另一面52。
於積層體7之透明導電性玻璃3之厚度方向一面53接觸第2驅動輥40之狀態下，積層體7中之第2保護材6之厚度方向另一面54(接觸面54)接觸夾輥44(被加壓)。
其後，透明導電性玻璃3與第2保護材6一起被捲取至捲取輥41上(捲取步驟)。具體而言，將具備透明導電性玻璃3、及配置於其厚度方向另一面52(與透明導電層2相反側之表面52)之第2保護材6的積層體7(參照圖2D)捲繞成卷狀。積層體7朝厚度方向一側依序具備第2保護材6、玻璃基材1及透明導電層2。
3.透明導電性玻璃之用途 透明導電性玻璃3例如用於圖像顯示裝置等光學裝置。將透明導電性玻璃3配備於圖像顯示裝置(具體而言為具有LCD(liquid crystal display，液晶顯示器)模組、有機EL模組等圖像顯示元件之圖像顯示裝置)之情形時，透明導電性玻璃3例如用作觸控面板用基材、抗反射基材等，較佳為用作觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其適宜用於靜電電容方式之觸控面板。
4.一實施方式之作用效果 而且，該搬送成膜裝置10中，透明導電性玻璃3可依序接觸為第1冷卻溫度T1之第1冷卻輥34、及為低於第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2之第2冷卻輥35。因此，相較於1個冷卻筒決定用透明導電性玻璃3之專利文獻1之裝置，藉由上述第1冷卻輥34與第2冷卻輥35之接觸，可抑制透明導電性玻璃3之破損、尤其是脆弱之玻璃基材1之破損。
又，若經濺鍍裝置12之加熱機30加熱後之透明導電性玻璃3之表面溫度T0、第1冷卻溫度T1、及第2冷卻溫度T2滿足下式(3)及(4)，則可有效地抑制冷卻裝置13中之透明導電性玻璃3之破損。
50℃≦T0－T1＜130℃      (3) 80℃≦T1－T2＜160℃      (4) 若加熱機30以將透明導電性玻璃3加熱至200℃以上之方式構成，則可更進一步降低透明導電層2之表面電阻。另一方面，若將加熱機30之設定溫度設定為上述高溫，則於冷卻裝置13中，透明導電性玻璃3易破損。然而，由於該搬送成膜裝置10中具備上述第1冷卻輥34及第2冷卻輥35，故可抑制透明導電性玻璃3(尤其是玻璃基材1)之上述破損，並且可降低透明導電層2之表面電阻。
又，該透明導電性玻璃3之製造方法中，於第1冷卻步驟中，第1冷卻溫度T1之第1冷卻輥34接觸透明導電性玻璃3，於第2冷卻步驟中，第2冷卻溫度T2之第2冷卻輥35接觸透明導電性玻璃3。因此，藉由依序實施上述第1冷卻步驟及第2冷卻步驟，可抑制透明導電性玻璃3之破損、尤其是脆弱之玻璃基材1之破損。
4.變化例 以下各變化例中，對與上述一實施方式相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細說明。又，除特別記載以外，各變化例可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可將一實施方式及其變化例適當組合。
雖未圖示，但搬送成膜裝置10可具備3個以上冷卻溫度互不相同之冷卻輥。例如，冷卻裝置13具備第1冷卻輥34、第2冷卻輥35、及未圖示之第3冷卻輥。未圖示之第3冷卻輥配置於第2冷卻輥35之下游側。未圖示之第3冷卻輥能夠實施第3冷卻步驟。第3冷卻步驟中，未圖示之第3冷卻輥成為低於第2冷卻溫度T2之第3冷卻溫度T3。
例如，雖未圖示，但第1冷卻輥34亦可為複數。複數個第1冷卻輥34之第1冷卻溫度T1相同。
例如，雖未圖示，但第2冷卻輥35亦可為複數。複數個第2冷卻輥35之第2冷卻溫度T2相同。
如圖4所示，第1冷卻步驟中，透明導電性玻璃3之玻璃基材1之厚度方向另一面52直接接觸第1冷卻輥34。另一方面，第2冷卻步驟中，透明導電性玻璃3之透明導電層2之厚度方向一面53直接接觸第2冷卻輥35。
又，如圖5所示，亦可以透明導電性玻璃3、與連結第1冷卻輥34之旋轉軸及第2冷卻輥35之旋轉軸之線段平行之方式搬送透明導電性玻璃3。
第1冷卻輥34及/或第2冷卻輥35亦可為不被輸入來自外部之驅動力而是隨著透明導電性玻璃3之搬送而旋轉之自由輥。
圖1所示之實施方式中，例示出濺鍍裝置12作為成膜裝置，但例如雖未圖示，亦可列舉真空蒸鍍裝置、化學蒸鍍裝置等真空成膜裝置等。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，更具體地說明本發明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，以下記載中使用之調配比例(比例)、物性值、參數等具體數值可取代為上述「實施方式」中記載之與其等對應之調配比例(比例)、物性值、參數等相關記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1 準備一實施方式中所說明之搬送成膜裝置10。將第1冷卻輥34之第1冷卻溫度T1設定為200℃。將第2冷卻輥35之第2冷卻溫度T2設定為80℃。
繼而，將具備厚度50 μm之G-leaf(日本電氣硝子公司製造)、及配置於其厚度方向另一面52之第1保護材5的搬送基材4作為玻璃基材1置於捲出輥21(準備步驟)。
繼而，依序實施剝離步驟、成膜步驟、第1冷卻步驟、第2冷卻步驟、及捲取步驟。
成膜步驟中，將材料為ITO、厚度為130 nm之透明導電層2形成於玻璃基材1之厚度方向一面51。再者，成膜步驟中，藉由500℃之加熱機30將透明導電性玻璃3加熱至300℃，使表面電阻為10 Ω/□以下。
實施例2～實施例3 按照表1變更第1冷卻輥34之第1冷卻溫度T1、及第2冷卻輥35之第2冷卻溫度T2，除此之外，以與實施例1相同之方式進行處理。
實施例4 按照表1將加熱機30之溫度變更為350℃，除此之外，以與實施例1相同之方式進行處理。再者，透明導電性玻璃3之表面溫度T0為210℃。
比較例1～比較例2 按照表1，於冷卻裝置13中不具備第2冷卻輥35而具備第1冷卻輥34，進而，將第1冷卻輥34之第1冷卻溫度T1按照表1進行變更，除此之外，以與實施例1相同之方式進行處理。
[評估] 評估以下事項。將其等之結果示於表1。
＜玻璃基材之破損等＞ 按照以下基準評估各實施例及各比較例之玻璃基材1之破損等。 ×：冷卻裝置13中玻璃基材1破損。 ○：冷卻裝置13中可見玻璃基材1之微小龜裂，但整體未破損。 ◎：冷卻裝置13中玻璃基材1既無龜裂亦無破損。
＜透明導電層之導電性＞ 利用四端子法測定各實施例及各比較例之透明導電層2之表面電阻，且按照下述基準評估透明導電層2之導電性。 ○：透明導電層2之表面電阻為10 Ω/□以下。 △：透明導電層2之表面電阻超過10 Ω/□，且為100 Ω/□以下。 ×：透明導電層2之表面電阻超過100 Ω/□。
[表1]
表1
實施例、比較例 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 比較例2
加熱機之溫度(℃) 500 500 500 350 500 500
透明導電性玻璃之表面溫度T0(℃) 300 300 300 210 300 300
第1冷卻溫度T1(℃) 200 150 150 200 80 40
第2冷卻溫度T2(℃) 80 80 40 80 -* 1 -* 1
溫度差 T0-T1(℃) 100 150 150 10 220 260
T1-T2(℃) 120 70 110 120 - -
T0-T2(℃) 220 220 260 130 - -
差之比 (T0-T1)/(T1-T2) 0.8 2.1 1.4 0.1 - -
評估 玻璃破裂 ◎ 〇 〇 〇 × ×
表面電阻 〇 〇 〇 △ 〇 〇
*1：無第2冷卻輥
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施方式而提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。
1:玻璃基材 2:透明導電層 3:透明導電性玻璃 4:搬送基材 5:第1保護材 6:第2保護材 7:積層體 10:搬送成膜裝置 11:搬送裝置 12:濺鍍裝置 13:冷卻裝置 14:捲出部 15:去靜電部 16:捲取部 17:第1去靜電部 18:第2去靜電部 21:捲出輥 22:第1驅動輥 23:保護材捲取輥 24:捲出外殼 25:第1去靜電機 26:第1導輥 27:第1去靜電外殼 28:第2導輥 29:濺鍍靶 30:加熱機 31:第3導輥 32:濺鍍外殼 33:成膜區域 34:第1冷卻輥 35:第2冷卻輥 36:冷卻外殼 37:第2去靜電機 38:第4導輥 39:第2去靜電外殼 40:第2驅動輥 41:捲取輥 42:保護材捲出輥 43:保護材導輥 44:夾輥 45:捲取外殼 51:玻璃基材之厚度方向一面 52:玻璃基材之厚度方向另一面 53:透明導電性玻璃之厚度方向一面 54:第2保護材之厚度方向另一面 81:治具 82:卡住部 T0:積層玻璃之表面溫度 T1:第1冷卻溫度 T2:第2冷卻溫度
圖1表示本發明之製造裝置之一實施方式之搬送成膜裝置。 圖2A～圖2D係由圖1之搬送成膜裝置搬送之搬送物之剖視圖，圖2A表示自捲出輥捲出之第1保護材及玻璃基材，圖2B表示搬送至第1驅動輥之玻璃基材，圖2C表示搬送至冷卻裝置之玻璃基材及透明導電層，圖2D表示被捲取輥捲取之第2保護材、透明導電層及玻璃基材。 圖3係圖1所示之搬送成膜裝置中之第1冷卻輥及第2冷卻輥、以及搬送至其等之透明導電性玻璃之放大圖。 圖4係圖3所示之第1冷卻輥、第2冷卻輥、及透明導電性玻璃之變化例(第1冷卻輥接觸玻璃基材之態樣)之放大圖。 圖5係圖3所示之第1冷卻輥、第2冷卻輥、及透明導電性玻璃之變化例(與連結第1冷卻輥之旋轉軸與第2冷卻輥之旋轉軸的線段平行地搬送透明導電性玻璃之態樣)之放大圖。 圖6表示玻璃基材之彎曲試驗中使用之2個治具。
1:玻璃基材
3:透明導電性玻璃
4:搬送基材
5:第1保護材
6:第2保護材
7:積層體
10:搬送成膜裝置
11:搬送裝置
12:濺鍍裝置
13:冷卻裝置
14:捲出部
15:去靜電部
16:捲取部
17:第1去靜電部
18:第2去靜電部
21:捲出輥
22:第1驅動輥
23:保護材捲取輥
24:捲出外殼
25:第1去靜電機
26:第1導輥
27:第1去靜電外殼
28:第2導輥
29:濺鍍靶
30:加熱機
31:第3導輥
32:濺鍍外殼
33:成膜區域
34:第1冷卻輥
35:第2冷卻輥
36:冷卻外殼
37:第2去靜電機
38:第4導輥
39:第2去靜電外殼
40:第2驅動輥
41:捲取輥
42:保護材捲出輥
43:保護材導輥
44:夾輥
45:捲取外殼

Claims (4)

  1. 一種積層玻璃之製造裝置，其特徵在於，具備：捲出輥，其以捲出具有可撓性之玻璃基材之方式構成；成膜加熱單元，其配置於上述捲出輥之搬送方向下游側，且以於上述玻璃基材上設置功能層而製作積層玻璃之方式構成；冷卻單元，其配置於上述成膜加熱單元之搬送方向下游側，且以冷卻上述積層玻璃之方式構成；及捲取輥，其配置於上述冷卻單元之搬送方向下游側，且以捲取上述積層玻璃之方式構成；且上述成膜加熱單元具備加熱部，該加熱部以加熱上述積層玻璃之方式構成，上述冷卻單元於冷卻經上述加熱部加熱後之上述積層玻璃時，至少具備：第1冷卻輥，其以第1冷卻溫度T1接觸上述積層玻璃；及第2冷卻輥，其以低於上述第1冷卻溫度T1之第2冷卻溫度T2接觸上述積層玻璃，且經上述加熱部加熱後之上述積層玻璃之表面溫度T0為200℃以上，上述第1冷卻溫度T1為125℃以上。
  2. 如請求項1之積層玻璃之製造裝置，其中經上述加熱部加熱後之上述積層玻璃之表面溫度T0、上述第1冷卻溫度T1、及上述第2冷卻溫度T2滿足下式(1)及(2)： 50℃≦T0-T1<130℃ (1) 80℃≦T1-T2<160℃ (2)。
  3. 如請求項1或2之積層玻璃之製造裝置，其中上述功能層為包含金屬氧化物之透明導電層，上述加熱部係以將上述積層玻璃加熱至200℃以上之方式構成。
  4. 一種積層玻璃之製造方法，其特徵在於：其係使用如請求項1至3中任一項之積層玻璃之製造裝置來製造積層玻璃的方法，且具備：將上述玻璃基材自上述捲出輥捲出之步驟；藉由上述成膜加熱單元於上述玻璃基材上設置上述功能層而加熱上述積層玻璃之步驟；使上述積層玻璃與上述第1冷卻輥接觸而冷卻之第1冷卻步驟；使上述積層玻璃與上述第2冷卻輥接觸而冷卻之第2冷卻步驟；及藉由上述捲取輥捲取上述積層玻璃之步驟。
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