TW201946778A

TW201946778A - 透明導電性玻璃

Info

Publication number: TW201946778A
Application number: TW108115687A
Authority: TW
Inventors: 西森才将; 梨木智剛
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2018-05-16
Filing date: 2019-05-07
Publication date: 2019-12-16
Also published as: KR20190131423A; CN110498613A; KR102822483B1; JP2019200910A

Abstract

本發明之透明導電性玻璃具備：玻璃基材，其厚度為150 μm以下且具有可撓性；及透明導電層，其配置於玻璃基材之厚度方向一側；且透明導電層之厚度方向其中一面之表面粗糙度Ra為10 nm以下。

Description

透明導電性玻璃

本發明係關於一種透明導電性玻璃，詳細而言係關於一種較佳地用於光學用途之透明導電性玻璃。

先前，將包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明導電層形成於可撓性之樹脂基材而成之透明導電性膜用於觸控面板等光學用途。

例如，於日本專利特開2017-62609號公報中揭示有一種具備樹脂膜基材、硬塗層及透明導電層之透明導電性膜。於日本專利特開2017-62609號公報中，硬塗層作為用以抑制透明導電層之耐擦傷性之層，設置於透明導電性膜。

就生產性之觀點而言，此種透明導電性膜係藉由卷對卷方式製造，具體而言，藉由在樹脂膜基材之上依序積層硬塗層及透明導電層而製造。

然，ITO藉由加熱而結晶化，從而表現出優異之導電性(低電阻)。而且，加熱溫度(例如200℃以上)越高，則越表現更加優異之導電性。

然而，用作樹脂膜基材之聚對苯二甲酸乙二酯膜一般而言會因200℃以上之高溫而產生發生變形或破損之異常。

因此，為了能進行高溫處理，而研究使用耐熱性優異之玻璃基材來代替透明樹脂膜。即，研究使用較薄且能夠捲繞成輥狀之玻璃基材(玻璃膜)，藉由卷對卷方式製造透明導電性玻璃膜。

此外，硬塗層亦由樹脂形成，與樹脂膜基材同樣地會因高溫而發生變形等，故而於實施高溫處理之情形時，無法將硬塗層設置於玻璃基材與透明導電層之間。即，成為於玻璃基材直接積層ITO等透明導電層，從而產生耐擦傷性較差之異常。

本發明提供一種可表現優異之導電性且耐擦傷性良好之透明導電性玻璃。

本發明[1]包含一種透明導電性玻璃，其具備：玻璃基材，其厚度為150 μm以下且具有可撓性；及透明導電層，其配置於上述玻璃基材之厚度方向一側；且上述透明導電層之厚度方向其中一面之表面粗糙度Ra為10 nm以下。

本發明[2]包含如技術方案1之透明導電性玻璃，其中上述透明導電層之比電阻為2.5×10^-4 Ω/cm以下。

本發明[3]包含如[1]或[2]之透明導電性玻璃，其被捲繞成輥狀。

本發明之透明導電性玻璃具備：玻璃基材，其厚度為150 μm以下且具有可撓性；及透明導電層，其配置於玻璃基材之厚度方向一側。因此，透明導電性玻璃能夠進行高溫處理，且可表現優異之導電性。又，透明導電層之厚度方向其中一面之表面粗糙度Ra為10 nm以下。因此，耐擦傷性優異。

1.透明導電性玻璃
參照圖1～圖3，說明作為本發明之透明導電性玻璃之一實施形態之透明導電性玻璃1。

於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向係與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。

如圖1所示，透明導電性玻璃1具有具備特定厚度之膜形狀(包含薄片形狀)，沿與厚度方向正交之特定方向(面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。

具體而言，透明導電性玻璃1具備玻璃基材2、及配置於玻璃基材2之上側(厚度方向一側)之透明導電層3，較佳為由玻璃基材2及透明導電層3構成。

(玻璃基材)
玻璃基材2係透明導電性玻璃1之最下層，且係確保透明導電性玻璃1之機械強度、支持透明導電層3之支持材。

玻璃基材2具有膜形狀(包含薄片形狀)，由透明之玻璃形成。

作為玻璃，例如可列舉：無鹼玻璃、鈉玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽玻璃等。

玻璃基材具有可撓性。具體而言，玻璃基材2之極限彎曲應力例如為100 MPa以上，較佳為150 MPa以上。若玻璃基材2之極限彎曲應力為上述下限以上，則可撓性優異，即便捲繞成輥狀，亦能夠抑制玻璃基材2之破損。

極限彎曲強度係以下述順序進行測定。
(1)將厚度T(mm)之玻璃基材切斷成寬度50 mm×長度120 mm，從而獲得樣品。
(2)以將樣品之長度方向兩端部相互靠近之方式彎折樣品。
(3)測定樣品斷裂時之樣品之長度方向兩端部之距離D(mm)。
(4)藉由下述式，算出極限彎曲應力σ_M (Pa)。
σ_M ＝(E×T)/D
E表示玻璃基材之楊氏模數(Pa)。

玻璃基材2具有透明性。具體而言，玻璃基材2之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。

亦可對玻璃基材2之上表面進行公知之基底處理(底塗處理)。即，玻璃基材2亦可於其上表面具備底塗層。

玻璃基材2之厚度為150 μm以下，較佳為120 μm以下，更佳為100 μm以下。又，玻璃基材2之厚度例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上。若玻璃基材2之厚度為上述上限以下，則可撓性優異，能夠捲繞成輥狀。又，若玻璃基材2之厚度為上述下限以上，則機械強度優異，可抑制卷對卷搬送時之破損。

玻璃基材2之厚度例如可使用針盤量規(PEACOCK公司製造，「DG-205」)進行測定。

(透明導電層)
透明導電層3係視需要結晶化、用以於後續步驟中形成為所需之圖案而形成透明之圖案的導電層。

透明導電層3係透明導電性玻璃1之最上層，且具有膜形狀(包含薄片形狀)。透明導電層3以透明導電層3之下表面與玻璃基材2之上表面接觸之方式配置於玻璃基材2之上表面。

作為透明導電層3之材料，例如可列舉含有選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少一種金屬之金屬氧化物。亦可於金屬氧化物中視需要進而摻雜上述群所示之金屬原子。

作為透明導電層3，具體而言可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等含銦之氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等含銻之氧化物等，較佳地可列舉含銦之氧化物，更佳地可列舉ITO。

於透明導電層3包含ITO之情形時，氧化錫(SnO₂ )含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。若氧化錫之含量為上述下限以上，則可使透明導電層3之耐久性更加良好。又，若氧化錫之含量為上述上限以下，則可使透明導電層3之結晶轉化較為容易，且提高透明性或比電阻之穩定性。

本說明書中之「ITO」只要為至少包含銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含除其等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉除In、Sn以外之金屬元素，具體而言可列舉：Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。

透明導電層3之上表面(厚度方向其中一面)之表面粗糙度Ra為10 nm以下，較佳為5.0 nm以下，更佳為3.0 nm以下，進而較佳為1.0 nm以下，又，例如為0.001 nm以上。若透明導電層3之表面粗糙度Ra為上述上限以下，則於透明導電性玻璃1中，對於刮痕，可抑制透明導電層3產生傷，耐擦傷性優異。表面粗糙度Ra可使用原子力顯微鏡(Veeco公司製造，「Nanoscope4」)進行測定。

透明導電層3之薄片電阻例如為300 Ω/□以下，較佳為100 Ω/□以下，更佳為50 Ω/□以下，進而較佳為15 Ω/□以下，又，例如為1 Ω/□以上。薄片電阻可利用四端子法進行測定。

透明導電層3之比電阻例如為5.0×10^-4 Ω・cm以下，較佳為2.5×10^-4 Ω・cm以下，更佳為2.0×10^-4 Ω・cm以下，進而較佳為1.5×10^-4 Ω・cm以下。比電阻可利用四端子法進行測定。

透明導電層3之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，更佳為100 nm以上，又，例如為300 nm以下，較佳為160 nm以下。若透明導電層3之厚度為上述下限以上，則可進一步降低透明導電層3之薄片電阻值，從而導電性優異。又，若透明導電層3之厚度為上述上限以下，則可謀求透明導電性玻璃1之薄膜化。透明導電層3之厚度可使用掃描式螢光X射線分析裝置進行測定。

透明導電層3可為非晶質或結晶質中之任一者，但就導電性(低電阻)之觀點而言，較佳為可列舉結晶質。

關於透明導電層為非結晶質抑或結晶質，可藉由以下方法進行判斷，即，例如於透明導電層為ITO層之情形時，於20℃之鹽酸(濃度為5質量%)中浸漬15分鐘後，進行水洗、乾燥，並測定15 mm左右之間之端子間電阻。本說明書中，當在鹽酸(20℃、濃度：5質量%)中進行浸漬、水洗、乾燥後，於15 mm間之端子間電阻超過10 kΩ之情形時，ITO層設為非晶質，於15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以下之情形時，ITO層設為結晶質。

2.透明導電性玻璃之製造方法
繼而，對製造透明導電性玻璃1之方法進行說明。透明導電性玻璃1例如可使用圖2所示之製造裝置10，藉由卷對卷方式進行製造。

製造裝置10具備送出輥11、積層部12、加熱部13及捲取輥14。

送出輥11係具有用以將玻璃基材2送出至積層部12之旋轉軸的圓柱構件。送出輥11配置於玻璃基材2之搬送方向最上游。送出輥11連接有用以使送出輥11旋轉之馬達(未圖示)。

積層部12將透明導電層3積層於自送出輥11搬送之玻璃基材2。積層部12例如為濺鍍裝置。積層部12具備與玻璃基材2隔開間隔地對向配置於玻璃基材2之上側之靶(蒸發源)15。

靶15由構成透明導電層3之上述無機物材料形成，較佳地可列舉ITO。於靶15包含ITO之情形時，就ITO層之耐久性、結晶化等觀點而言，ITO之氧化錫濃度例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。

加熱部13對玻璃基材2及積層於其上之透明導電層3進行加熱。

加熱部13配置於積層部12內部。具體而言，加熱部13係與玻璃基材2隔開間隔地對向配置於玻璃基材2之下側。即，加熱部13相對於玻璃基材2，對向配置於與靶15相反之側。

作為加熱部13，具體而言可列舉：紅外線加熱器、烘箱等。

捲取輥14係具有用以將自積層部12搬送來之透明導電性玻璃1捲取之旋轉軸的圓柱構件。捲取輥14配置於玻璃基材2之搬送方向最下游。捲取輥14連接有用以使捲取輥14旋轉之馬達(未圖示)。

首先，準備公知或市售之被捲繞成輥狀之長條玻璃基材2，設置於送出輥11。

再者，就玻璃基材2與透明導電層3之密接性之觀點而言，可視需要對玻璃基材2之下表面或上表面實施例如濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理。又，可藉由溶劑洗淨、超音波洗淨等對玻璃基材2進行除塵、淨化。

其後，藉由馬達使送出輥11及捲取輥14旋轉驅動，而將玻璃基材2自送出輥11送出，使其通過積層部12，並藉由捲取輥14捲取。

玻璃基材2之搬送速度例如為0.2 m/分鐘以上，較佳為1 m/分鐘以上，又，例如為10 m/分鐘以下，較佳為5 m/分鐘以下。

繼而，於積層部12中，使透明導電層3積層於玻璃基材2之上表面。具體而言，藉由濺鍍法於搬送至積層部12之玻璃基材2之上表面形成透明導電層3。

濺鍍法係於真空下實施。具體而言，就抑制濺鍍速率之降低、放電穩定性等觀點而言，濺鍍時之氣壓例如為1 Pa以下，較佳為0.7 Pa以下。

作為濺鍍氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，可視需要併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上5流量%以下。

濺鍍法所使用之電源例如可為DC(Direct Current，直流)電源、AC(Alternating Current，交流)電源、MF(Medium Frequency，中頻)電源及RF(Radio Frequency，射頻)電源中之任一者，又，亦可為其等之組合。

濺鍍時之放電電壓係根據玻璃基材2之搬送速度、濺鍍時之氣壓或電源等而適當決定，例如為200 V以上，較佳為250 V以上，又，例如為500 V以下，較佳為400 V以下。

又，為了形成所需厚度之透明導電層3，亦可實施複數次濺鍍法。

於形成透明導電層3時，使加熱部13作動而對玻璃基材2、及形成於其上表面之透明導電層3進行加熱。藉此，可於透明導電層3向玻璃基材2積層之同時，使透明導電層3結晶化。

加熱溫度只要為透明導電層3結晶化之溫度即可，例如為150℃以上，較佳為200℃以上，更佳為300℃以上，又，例如為500℃以下，較佳為400℃以下。

透明導電層3之加熱時間例如為6秒以上，較佳為12秒以上，又，例如為5分鐘以下，較佳為3分鐘以下。

藉此，可獲得具備玻璃基材2及透明導電層3之透明導電性玻璃1。更具體而言，可獲得具備玻璃基材2、及配置於其上表面之經結晶化之透明導電層3的透明導電性玻璃1。又，透明導電性玻璃1如圖3所示，可以捲繞成輥狀之輥體4之形式獲得。

再者，可藉由適當變更濺鍍時之條件(放電電壓、氣體流量等)、玻璃基材2之搬送速度、加熱溫度、加熱時間等而將透明導電層3之厚度及其表面粗糙度Ra適當變更為所需之範圍。

其後，視需要藉由公知之蝕刻將透明導電層3圖案化。蝕刻亦可於將透明導電性玻璃1捲取成輥體4之前實施。
或者，亦可於藉由卷對卷方式將透明導電性玻璃1自輥體4送出後實施蝕刻，並再次捲繞成輥狀。

透明導電層3之圖案係根據應用透明導電性玻璃1之用途而適當決定，例如可列舉：條紋狀等電極圖案或配線圖案。

蝕刻係例如以與圖案對應之方式，將被覆部(遮蔽帶等)配置於透明導電層3之上，使用蝕刻液對自被覆部露出之透明導電層3進行蝕刻。作為蝕刻液，例如可列舉：鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、草酸、磷酸及其等之混酸等酸。其後，將被覆部自透明導電層3之上表面例如藉由剝離等去除。

亦可視需要將保護膜等積層於透明導電性玻璃1之下表面後，與保護膜一起捲繞成輥狀。

所獲得之透明導電性玻璃1之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下。

於透明導電性玻璃1之上表面(透明導電層3側之表面)，刮痕硬度(鉛筆法)例如為5 H以上，較佳為7 H以上。刮痕硬度(鉛筆法)可依據JIS K 5600-5-4進行測定。

於透明導電性玻璃1之上表面，耐鋼絲絨試驗中之負載例如為2.5 kg以上，較佳為3 kg以上。耐鋼絲絨試驗可藉由將＃0000之鋼絲絨對透明導電層3之上表面往復摩擦10次而進行測定，具體而言，利用實施例進行詳細描述。

輥體4之內徑例如為90 mm以上，較佳為160 mm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為200 mm以下。

輥體4之寬度例如為300 mm以上，較佳為500 mm以上，又，例如為1600 mm以下，較佳為1200 mm以下。

透明導電性玻璃1例如用於圖像顯示裝置等光學裝置。於圖像顯示裝置(具體而言為具有LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)模組、有機EL(Electroluminescence，電致發光)模組等圖像顯示元件之圖像顯示裝置)具備透明導電性玻璃1之情形時，透明導電性玻璃1例如用作觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉：光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，特別較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。

又，透明導電性玻璃1係例如圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等之一零件，亦即，並非圖像顯示裝置。即，透明導電性玻璃1係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且係不包含LCD模組等圖像顯示元件而包含玻璃基材2及透明導電層3、以單獨零件流通且能夠於產業上利用之器件。

而且，該透明導電性玻璃1具備玻璃基材2、及配置於玻璃基材2之上表面之透明導電層3。因此，透明導電性玻璃1可一面抑制因高溫所導致之基材之變形或破損，一面於高溫(例如200℃以上)下使透明導電層3結晶化。因此，可表現優異之導電性。

又，於透明導電性玻璃1中，在玻璃基材2之上表面配置透明導電層3，且透明導電層3之上表面之表面粗糙度Ra為10 nm以下。因此，耐擦傷性優異。

進而，由於玻璃基材2之厚度為150 μm以下，且具有可撓性，故而玻璃基材2及透明導電性玻璃1能夠捲繞成輥狀。因此，可藉由卷對卷方式進行製造，且生產性優異。

3.變化例
以下，對圖1～圖3所示之一實施形態之變化例進行說明。再者，關於該等變化例，亦發揮與上述一實施形態同樣之作用效果。

(1)於使用圖2所示之製造裝置之製造方法中，積層透明導電層3之同時使透明導電層3結晶化，例如雖未圖示，但亦可於積層後實施退火步驟，從而使透明導電層3結晶化。即，可分別實施透明導電層3之積層步驟、及透明導電層3之結晶化步驟。

退火步驟可於大氣下實施，又，亦可於真空下實施。

作為退火時之加熱溫度，例如為140℃以上，較佳為180℃以上，又，例如為400℃以下，較佳為300℃以下。

加熱時間例如為30分鐘以上，較佳為60分鐘以上，又，例如為240分鐘以下，較佳為180分鐘以下。

(2)於使用圖2所示之製造裝置之製造方法中，藉由濺鍍法將透明導電層3積層於玻璃基材2，但例如亦可藉由除濺鍍法以外之乾式方法將透明導電層3積層於玻璃基材2。

作為此種乾式方法，可列舉：例如真空蒸鍍法、離子鍍覆法等物理蒸鍍法、例如化學蒸鍍法等。
實施例

以下表示實施例及比較例，進一步具體地說明本發明。再者，本發明不限定於任何實施例及比較例。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替換為上述「實施方式」中所記載之相當於與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等之記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。

實施例1
使用圖2所示之製造裝置，藉由卷對卷方式將透明導電層3積層於玻璃基材2，從而製造出輥狀之透明導電性玻璃1。

具體而言，準備被捲繞成輥狀之長條透明玻璃基材2(厚度100 μm，日本電氣硝子公司製造，「G-Leaf」)。

繼而，將玻璃基材2設置於送出輥11，以搬送速度2.7 m/分鐘送出，使其通過濺鍍裝置(積層部)12後捲繞於捲取輥14。

於濺鍍裝置12內，藉由DC濺鍍法，於玻璃基材2之上表面形成厚度為30 nm之ITO層(透明導電層)3。濺鍍係於導入有氬氣98%及氧氣2%之氣壓0.4 Pa之真空氛圍下實施。放電電壓設為292 V。靶15係使用90質量%之氧化銦及10質量%之氧化錫之燒結體。又，於濺鍍裝置12內，使紅外線加熱器(加熱部)13作動，於350℃下將玻璃基材2及ITO層3加熱20秒，從而使ITO層結晶化。

藉此，製造出具備玻璃基材2及ITO層3且被捲繞成輥狀之透明導電性玻璃1。

實施例2～4
適當變更搬送速度及放電電壓，且將ITO層之厚度及表面粗糙度變更為表1所記載之厚度及表面粗糙度，除此以外，以與實施例1相同之方式製造透明導電性玻璃。

實施例5～6
適當變更搬送速度、放電電壓及加熱溫度，且將ITO層之厚度及表面粗糙度變更為表1所記載之厚度及表面粗糙度，除此以外，以與實施例1相同之方式製造透明導電性玻璃。

實施例7～8
將透明玻璃基材2之厚度變更為50 μm。又，將濺鍍裝置內之加熱溫度變更為150℃，將非晶質之ITO層積層於玻璃基材後，於200℃下且於大氣下實施180分鐘之退火，從而使ITO層結晶化，且將透明導電層之厚度及表面粗糙度變更為表1所記載之厚度及表面粗糙度。除上述以外，以與實施例1相同之方式製造透明導電性玻璃。

比較例1～3
適當變更搬送速度及放電電壓，且將ITO層之厚度及表面粗糙度變更為表1所記載之厚度及表面粗糙度，除此以外，以與實施例1相同之方式製造透明導電性玻璃。

比較例4
準備環烯烴系聚合物(厚度28 μm，日本瑞翁公司製造，「ZEONOR」)作為透明基材，且將加熱部之加熱溫度設為60℃，將退火溫度設為150℃，除此以外，以與實施例7相同之方式製造透明導電性樹脂膜。

(評估)
按照下述，評估各實施例及各比較例之透明導電性玻璃(其中，比較例4係使用透明導電性樹脂膜)之物性。將其等之結果示於表1。

(玻璃基材之極限彎曲強度)
以下述順序測定各實施例及各比較例所使用之玻璃基材(厚度T：100 μm、50μm)之極限彎曲強度。
(1)將玻璃基材切斷成寬度50 mm×長度120 mm，設為樣品20。
(2)如圖4所示，將樣品20之長度方向兩端部21固定於治具22，使樣品20之長度方向兩端部21相互逐漸靠近。
(3)測定樣品20斷裂時之樣品之長度方向兩端部21之距離D。
(4)藉由式「σ_M ＝(E×T)/D」算出極限彎曲應力σ_M 。再者，E表示玻璃基材之楊氏模數，為73000 MPa。

其結果為，於厚度為100 μm之情形時，玻璃基材之極限彎曲應力為170 MPa，於厚度為50 μm之情形時，玻璃基材之極限彎曲應力為350 MPa。

(表面粗糙度)
於各實施例及各比較例之透明導電性玻璃中，使用原子力顯微鏡(Veeco公司製造，「Nanoscope4」)測定ITO層之上表面之表面粗糙度Ra。

(ITO層之厚度)
使用掃描式螢光X射線分析裝置(Rigaku公司製造，「ZSX PrimusII」)測定各實施例及各比較例之透明導電性玻璃之ITO層之厚度。

(薄片電阻、比電阻)
依據JIS K7194，利用四端子法測定各實施例及各比較例之透明導電性玻璃之ITO層之薄片電阻。繼而，根據薄片電阻及ITO層之厚度算出比電阻。

(利用鉛筆法所得之刮痕硬度)
依據JIS K 5600-5-4，測定對各實施例及各比較例之透明導電性玻璃之透明導電層之刮痕硬度。

(耐鋼絲絨試驗)
使用＃0000之鋼絲絨(SW)以10 g/cm² 負載對各實施例及各比較例之透明導電性玻璃之ITO層往復摩擦10次，確認表面是否產生傷。繼而，以使負載變大之方式進行變更，與上述同樣地確認傷之產生。反覆進行該作業直至可確認傷之產生為止，將產生傷之時間點之負載示於表1。

[表1]
表1

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其等僅為例示，不應限定性地解釋。該技術領域之業者所清楚之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。

1‧‧‧透明導電性玻璃

2‧‧‧玻璃基材

3‧‧‧透明導電層

4‧‧‧輥體

10‧‧‧製造裝置

11‧‧‧送出輥

12‧‧‧積層部

13‧‧‧加熱部

14‧‧‧捲取輥

15‧‧‧靶

21‧‧‧樣品之長度方向兩端部

22‧‧‧治具

D‧‧‧樣品之長度方向兩端部之距離

圖1表示本發明之透明導電性玻璃基材之一實施形態之剖視圖。

圖2表示圖1所示之透明導電性玻璃之製造步驟圖。

圖3表示圖1所示之透明導電性玻璃之輥體之立體圖。

圖4表示於實施例中測定玻璃基材之可撓性之試驗之模式圖。

Claims

一種透明導電性玻璃，其特徵在於具備：玻璃基材，其厚度為150 μm以下且具有可撓性；及透明導電層，其配置於上述玻璃基材之厚度方向一側；且上述透明導電層之厚度方向其中一面之表面粗糙度Ra為10 nm以下。
如請求項1之透明導電性玻璃，其中上述透明導電層之比電阻為2.5×10^-4 Ω・cm以下。
如請求項1或2之透明導電性玻璃，其被捲繞成輥狀。