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TWI849515B - 電路板及其製造方法 - Google Patents

電路板及其製造方法 Download PDF

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TWI849515B
TWI849515B TW111137090A TW111137090A TWI849515B TW I849515 B TWI849515 B TW I849515B TW 111137090 A TW111137090 A TW 111137090A TW 111137090 A TW111137090 A TW 111137090A TW I849515 B TWI849515 B TW I849515B
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Taiwan
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shielding layer
forming
circuit
silicone rubber
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TW111137090A
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TW202415215A (zh
Inventor
陳伯元
Original Assignee
大陸商鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
大陸商慶鼎精密電子（淮安）有限公司
鵬鼎科技股份有限公司
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Publication of TW202415215A publication Critical patent/TW202415215A/zh
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Abstract

本發明提供一種電路板及其製造方法。此方法包含填充第一矽橡膠材料在第一屏蔽層中，並包覆連接第一線路層的第一導電盲孔；以及填充第二矽橡膠材料在第二屏蔽層中，並包覆連接第二線路層的第二導電盲孔，且第一屏蔽層及第二屏蔽層中分別包含低頻屏蔽層及高頻屏蔽層。由於矽橡膠材料可做為電磁輻射的屏蔽材料，故本發明的電路板可有效地在訊號導出的路線中屏蔽電磁輻射。

Description

電路板及其製造方法
本發明是關於一種電路板及其製造方法，特別是關於一種具有電磁屏蔽效果的電路板及其製造方法。
電子設備產生的訊號包含高頻訊號及低頻訊號，且其均會產生電磁波。每一個電子設備產生的電磁波可能對彼此造成干擾，即所謂電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)。再者，隨著電子設備產品的小型化，其產生的輻射電磁場干擾也更為嚴重。因此，為了減少電磁干擾的問題，須改善電子元件的電磁屏蔽效果。
本發明的一態樣是提供一種電路板的製造方法，其包含設置多個矽橡膠材料在線路層上，以屏蔽訊號產生的電磁輻射。
本發明的另一態樣是提供一種電路板，由上述態樣的方法所製得。
根據本發明的一態樣，提供一種電路板的製造方法，其包含形成凹槽在絕緣基板中；放置電子元件於所述凹槽中，其中所述電子元件包含第一線路層；形成第一屏蔽層在所述絕緣基板及所述電子元件上，其中所述第一屏蔽層包含第一低頻屏蔽層及第一高頻屏蔽層；形成多個第一開口在所述第一屏蔽層中，以暴露出所述第一線路層；填充多個第一矽橡膠材料在所述多個第一開口內；形成多個第一導電盲孔在所述多個第一矽橡膠材料中，其中所述多個第一導電盲孔電性連接所述第一線路層；形成複合層在所述第一屏蔽層及所述多個第一矽橡膠材料上，其中所述複合層包含石墨烯層及金屬層；圖案化所述複合層，以形成第二線路層；形成第二屏蔽層在所述第二線路層上，其中所述第二屏蔽層包含第二低頻屏蔽層及第二高頻屏蔽層；形成多個第二開口在所述第二屏蔽層上，以暴露出所述第二線路層；填充多個第二矽橡膠材料在所述多個第二開口內；以及形成多個第二導電盲孔在所述多個第二矽橡膠材料中。
根據本發明的一實施例，在形成所述第二屏蔽層之前，上述方法還包含形成多個導電孔在所述第二線路層中，其中所述多個導電孔分別電性連接所述多個第一導電盲孔。
根據本發明的一實施例，形成所述複合層的步驟包含形成絕緣層在所述第一屏蔽層及所述多個第一矽橡膠材料上；形成所述石墨烯層在所述絕緣層上；以及形成所述金屬層在所述石墨烯層上。
根據本發明的一實施例，上述方法還包含形成至少一個第三開口在所述第二屏蔽層上並在所述多個第二開口之間，以暴露出所述絕緣層；以及填充第三矽橡膠材料於所述至少一個第三開口內。
根據本發明的一實施例，上述圖案化所述複合層的步驟包含移除所述金屬層；以及利用電漿圖案化所述石墨烯層。
根據本發明的一實施例，在放置所述電子元件於所述凹槽中之前，上述方法還包含形成黏接層在所述凹槽的底部；以及放置所述電子元件於所述黏接層上。
根據本發明的一實施例，形成所述第一屏蔽層的步驟包含形成第一介質層在所述絕緣基板及所述電子元件上；形成所述第一低頻屏蔽層在所述第一介質層上；以及形成所述第一高頻屏蔽層在所述第一低頻屏蔽層上。
根據本發明的一實施例，形成所述第二屏蔽層的步驟形成第二介質層在所述第二線路層上；形成所述第二低頻屏蔽層在所述第二介質層上；形成所述第二高頻屏蔽層在所述第二低頻屏蔽層上；以及形成第三介質層在所述第二高頻屏蔽層上。
根據本發明的另一態樣，提供一種電路板，其包含具有凹槽的絕緣基板、設置在所述凹槽中的電子元件、設置在所述電子元件之頂表面上的第一線路層、設置在所述絕緣基板及所述電子元件上的第一屏蔽層、設置在所述第一屏蔽層中的多個第一矽橡膠材料、設置在所述第一屏蔽層中的多個第一矽橡膠材料、設置在所述第一屏蔽層上的第二線路層、設置在所述第二線路層上的第二屏蔽層、設置在所述第二屏蔽層中的多個第二矽橡膠材料以及設置在所述多個第二導電盲孔中的多個第二導電盲孔。所述第一屏蔽層與所述電子元件重疊。所述第一導電盲孔電性連接所述第一線路層，且所述第二導電盲孔電性連接所述第二線路層。
根據本發明的一實施例，所述第一屏蔽層包含設置在所述絕緣基板及所述電子元件上的第一介質層、設置在所述第一介質層上的第一低頻屏蔽層以及設置在所述第一低頻屏蔽層上的第一高頻屏蔽層。
根據本發明的一實施例，所述第二屏蔽層包含設置在所述第二線路層上的第二介質層、設置在所述第二線路層上的第二介質層、設置在所述第二低頻屏蔽層上的第二高頻屏蔽層以及設置在所述第二高頻屏蔽層上的第三介質層。
根據本發明的一實施例，上述電路板還包含設置在所述第二線路層中的多個導電孔。所述多個導電孔分別電性連接所述多個第一導電盲孔。
根據本發明的一實施例，所述第二線路層包含石墨烯與銅其中至少一種。
根據本發明的一實施例，上述電路板還包含第三矽橡膠材料，其設置在所述第二屏蔽層中，且在所述多個第二矽橡膠材料之間。
應用本發明的電路板及其製造方法，利用矽橡膠材料做為電磁輻射的屏蔽材料，並結合低頻屏蔽層及高頻屏蔽層，以更有效地在訊號導出的路線中屏蔽電磁輻射。
本發明提供許多不同實施例或例示，以實施發明的不同特徵。以下敘述之組件和配置方式的特定例示是為了簡化本發明。這些當然僅是做為例示，其目的不在構成限制。舉例而言，第一特徵形成在第二特徵之上或上方的描述包含第一特徵和第二特徵有直接接觸的實施例，也包含有其他特徵形成在第一特徵和第二特徵之間，以致第一特徵和第二特徵沒有直接接觸的實施例。除此之外，本發明在各種具體例中重覆元件符號及/或字母。此重覆的目的是為了使說明簡化且清晰，並不表示各種討論的實施例及/或配置之間有關係。
再者，空間相對性用語，例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低於(lower)」、「在…之上(above)」、「高於(upper)」等，是為了易於描述圖式中所繪示的零件或特徵和其他零件或特徵的關係。空間相對性用語除了圖式中所描繪的方向外，還包含元件在使用或操作時的不同方向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或在其他方向)，而本發明所用的空間相對性描述也可以如此解讀。
如本發明所使用的「大約(around)」、「約(about)」、「近乎 (approximately)」或「實質上(substantially)」一般係代表在所述之數值或範圍的百分之20以內、或百分之10以內、或百分之5以內。
習知屏蔽電磁輻射的常用方法是在電路板外側利用屏蔽導電材料進行封閉，而屏蔽導電材料多為金屬，但其缺點是價格高昂，且不易加工成型。因此，本發明提供一種電路板及其製造方法，利用矽橡膠材料做為電磁輻射的屏蔽材料，並結合低頻屏蔽層及高頻屏蔽層，以更有效地在訊號導出的路線中屏蔽電磁輻射。
圖1A至圖1M繪示根據本發明一些實施例的電路板100的製造過程的中間階段的剖面視圖。首先，請參閱圖1A，提供絕緣基板110，並形成凹槽R1在絕緣基板110中。接著，請參閱圖1B，放置電子元件120在凹槽R1中，並形成第一線路層125在電子元件120上。在一些實施例中，形成黏接層115在凹槽R1的底部上，且電子元件120放置在黏接層115上。
請參閱圖1C，形成第一屏蔽層130在絕緣基板110及電子元件120上。換言之，第一屏蔽層130會與電子元件120重疊。在一些實施例中，第一屏蔽層130包含第一介質層135、第一低頻屏蔽層140及第一高頻屏蔽層145。因此，形成第一屏蔽層130的步驟包含形成第一介質層135在絕緣基板110及電子元件120上，再形成第一低頻屏蔽層140在第一介質層135上，然後形成第一高頻屏蔽層145在第一低頻屏蔽層140上。應注意的是，第一介質層135更部分地形成在凹槽R1(參照圖1B)中，且在黏接層115上。
在一些實施例中，第一介質層135包含絕緣線路及遮罩層，以保護第一線路層125。在一些實施例中，第一低頻屏蔽層140包含碳纖維複合材料，以屏蔽低頻段的電磁輻射。在一些實施例中，第一高頻屏蔽層145包含合金網柵，其可為鎳、鉻、銅、銀、金及前述金屬材料的任意組合，以屏蔽高頻段的電磁輻射。在一些實施例，第一高頻屏蔽層145可利用化學鍍、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)(例如蒸鍍或濺鍍)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或電鍍的方法形成。
請參閱圖1D，形成第一開口O1在第一屏蔽層130中。在一些實施例中，第一開口O1穿過第一高頻屏蔽層145及第一介質層135，以暴露出第一線路層125。接著，請參閱圖1E，填充第一矽橡膠材料150在第一開口O1(參照圖1D)內。在一些實施例中，第一矽橡膠材料150的底部接觸第一線路層125，且第一矽橡膠材料150的頂部與第一高頻屏蔽層145之頂表面145T齊平。第一矽橡膠材料150主要是用來屏蔽電磁波，相較於習知的屏蔽導電材料(即金屬)，第一矽橡膠材料150包含的矽橡膠複合材料不僅可有效地抑制電磁輻射，並防止外部電磁輻射對電路板的干擾，更可降低材料成本。
請參閱圖1F，在第一矽橡膠材料150中鑽孔，以形成開口(圖未繪示)。須注意的是，前述開口的寬度小於第一開口O1。然後，填充導電材料至前述開口中，以形成第一導電盲孔155在第一矽橡膠材料150中，並電性連接第一線路層125。在一些實施例中，第一導電盲孔155可利用電鍍與化學鍍的方法來填充導電材料而形成。在一具體例中，第一導電盲孔155包含銅。
請參閱圖1G，形成複合層165在第一屏蔽層130及第一矽橡膠材料150上。在一些實施例中，複合層165包含絕緣層160、石墨烯層161及金屬層163。因此，形成複合層165的步驟包含形成絕緣層160在第一屏蔽層130及第一矽橡膠材料150上，再形成石墨烯層161在絕緣層160上，然後形成金屬層163在石墨烯層161上。在一具體例中，金屬層163包含銅。
圖1H至圖1M是以製作具有低頻訊號線路的電路板100為例進行說明。請參閱圖1H，圖案化複合層165(參照圖1G)，以形成第二線路層170。首先，對金屬層163(參照圖1G)進行曝光顯影，以形成金屬線路層168在石墨烯層161(參照圖1G)上。接著，利用氧氣電漿蝕刻石墨烯層161，以形成石墨烯線路層166在絕緣層160上。在一些實施例中，如圖1H所示，第二線路層170包含金屬線路層168及石墨烯線路層166。
請參閱圖1I，可對第二線路層170及絕緣層160進行鑽孔，以形成開口(圖未繪示)自第二線路層170延伸至絕緣層160，其中此開口可局部暴露出第一導電盲孔155的一端。接著，填充導電材料至此開口中，以形成導電孔175穿過第二線路層170及絕緣層160，而與第一導電盲孔155電性連接。在一些實施例中，導電孔175可利用電鍍與化學鍍的方法來填充導電材料而形成。在一具體例中，導電孔175包含銅。
請參閱圖1J，形成第二屏蔽層180在第二線路層170上。在一些實施例中，第二屏蔽層180包含第二介質層182、第二低頻屏蔽層184、第二高頻屏蔽層186及第三介質層188。因此，形成第二屏蔽層180的步驟包含先形成第二介質層182在第二線路層170及絕緣層160上，接著形成第二低頻屏蔽層184在第二介質層182上，形成第二高頻屏蔽層186在第二低頻屏蔽層184上，然後形成第三介質層188在第二高頻屏蔽層186上。
在一些實施例中，第二介質層182包含絕緣線路及遮罩層，以保護第一線路層125。在一些實施例中，第二低頻屏蔽層184包含碳纖維複合材料，以屏蔽低頻段的電磁輻射。在一些實施例中，第二高頻屏蔽層186包含合金網柵，其可為鎳、鉻、銅、銀、金及前述金屬材料的任意組合，以屏蔽高頻段的電磁輻射。在一些實施例，第二高頻屏蔽層186可利用化學鍍、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)(例如蒸鍍或濺鍍)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或電鍍的方法形成。第三介質層188是用於保護第二高頻屏蔽層186及第二低頻屏蔽層184。
請參閱圖1K，在第二屏蔽層180中形成第二開口O2，以暴露出第二線路層170的金屬線路層168。在一些實施例中，第二開口O2自第三介質層188延伸至部分的第二介質層182中。在一些實施例中，可選擇性地形成第三開口O3，以暴露出絕緣層160。在一些實施例中，第三開口O3是介於至少兩個第二開口O2之間。在一些實施例中，第三開口O3自第三介質層188延伸至絕緣層160的頂部，並暴露出第二線路層170的側壁。因此，第三開口O3的深度大於第二開口O2的深度。
請參閱圖1L，填充第二矽橡膠材料190在第二開口O2(參照圖1K)內。在一些實施例中，第二矽橡膠材料190的底部接觸第二線路層170(或金屬線路層168)，且第二矽橡膠材料190的頂部與第三介質層188的頂表面188T齊平。在上述形成第三開口O3(參照圖1K)的一些實施例中，可填充第三矽橡膠材料192在第三開口O3內。在此實施例中，第三矽橡膠材料192的底部接觸絕緣層160，且第三矽橡膠材料192的頂部與第三介質層188的頂表面188T齊平。在一些實施例中，第一矽橡膠材料150、第二矽橡膠材料190及第三矽橡膠材料192包含相同的矽橡膠複合材料。因此，第二矽橡膠材料190及第三矽橡膠材料192也是用來屏蔽電磁波。
請參閱圖1M，形成第二導電盲孔195在第二矽橡膠材料190中，以電性連接第二線路層170(或金屬線路層168)。在一些實施例中，可形成襯墊195A在第二導電盲孔195的頂部。在一些實施例中，形成第二導電盲孔195包含先形成開口(圖未繪示)在第二矽橡膠材料190中，然後填充(例如電鍍)導電材料至前述開口中而形成。須注意的是，不形成導電盲孔在第三矽橡膠材料192中。如圖1M所示，根據上述步驟所製得的電路板100主要是利用金屬線路層168來傳輸低頻訊號。
請參閱圖2A至圖2C，其繪示根據本發明一些實施例的電路板200的製造過程的中間階段的剖面視圖。圖2A至圖2C為製作具有高頻訊號線路的電路板200。以下電路板200的製造過程可由圖1G的結構開始說明。請參閱圖2A，移除整個金屬層163。換言之，也可使圖1G中的複合層165中不包含金屬層163，則可省略移除金屬層163的步驟。因此，圖2A所示的結構包含絕緣基板110、在絕緣基板110上的電子元件120、在電子元件120上的第一線路層125、在絕緣基板110及電子元件120上的第一屏蔽層130、在第一屏蔽層130中的第一矽橡膠材料150、在第一矽橡膠材料150中的第一導電盲孔155、在第一屏蔽層130上的絕緣層160以及在絕緣層160上的石墨烯層161。
請參閱圖2B，圖案化石墨烯層161(參照圖2A)，以形成第二線路層270。在一些實施例中，利用氧氣電漿蝕刻石墨烯層161，以形成第二線路層(或石墨烯線路層)270在絕緣層160上。
接著，請參閱圖2C，對圖2B的結構進行與圖1I至圖1L相似的步驟，即形成導電孔175穿過第二線路層270及絕緣層160；形成第二屏蔽層180在第二線路層270上；形成第二矽橡膠材料190及第三矽橡膠材料192。然後，形成第二導電盲孔195在第二矽橡膠材料190中，以電性連接第二線路層(或石墨烯線路層)270，即製得如圖2C所示的電路板200。根據上述步驟所製得的電路板200主要是利用石墨烯線路層(即第二線路層270)來傳輸高頻訊號。
請參閱圖3A至圖3C，其繪示根據本發明一些實施例的電路板300的製造過程的中間階段的剖面視圖。圖3A至圖3C為製作具有高頻訊號線路及低頻訊號線路的電路板300。以下電路板300的製造過程可由圖1G的結構開始說明。請參閱圖3A，進行曝光顯影來圖案化金屬層163(參照圖1G)，以形成金屬線路層368。須注意的是，金屬線路層368與金屬線路層168的圖案不同，金屬線路層368僅在部分第一線路層125上方，不位在其他部分第一線路層125上方。
圖3A所示的結構包含絕緣基板110、在絕緣基板110上的電子元件120、在電子元件120上的第一線路層125、在絕緣基板110及電子元件120上的第一屏蔽層130、在第一屏蔽層130中的第一矽橡膠材料150、在第一矽橡膠材料150中的第一導電盲孔155、在第一屏蔽層130上的絕緣層160、在絕緣層160上的石墨烯層161及在石墨烯層161上的金屬線路層368。
請參閱圖3B，圖案化石墨烯層161(參照圖3A)，以形成石墨烯線路層366。在一些實施例中，利用氧氣電漿蝕刻石墨烯層161，以形成石墨烯線路層366。在一些實施例中，如圖3B所示，第二線路層370包含金屬線路層368及石墨烯線路層366。相較於第二線路層170的石墨烯線路層166完全被金屬線路層168覆蓋，圖3B所示的第二線路層370中的部分石墨烯線路層366並未被金屬線路層368覆蓋。
接著，請參閱圖3C，對圖3B的結構進行與圖1I至圖1L相似的步驟，即形成導電孔175穿過第二線路層370及絕緣層160；形成第二屏蔽層180在第二線路層370上；形成第二矽橡膠材料190及第三矽橡膠材料192。然後，形成第二導電盲孔195在第二矽橡膠材料190中，以電性連接第二線路層370，即製得如圖3C所示的電路板300。根據上述步驟所製得的電路板300主要可分別利用石墨烯線路層366傳輸高頻訊號及利用金屬線路層368傳輸低頻訊號。
如上所述，本發明提供一種電路板及其製造方法，其利用矽橡膠材料做為電磁輻射的屏蔽材料，將矽橡膠材料設置在導電盲孔周圍，並結合低頻屏蔽層及高頻屏蔽層，以屏蔽各線路訊號產生的電磁輻射。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:電路板 110:絕緣基板 115:黏接層 120:電子元件 125:第一線路層 130:第一屏蔽層 135:第一介質層 140:第一低頻屏蔽層 145:第一高頻屏蔽層 145T:頂表面 150:第一矽橡膠材料 155:第一導電盲孔 160:絕緣層 161:石墨烯層 163:金屬層 165:複合層 166:石墨烯線路層 168:金屬線路層 170:第二線路層 175:導電孔 180:第二屏蔽層 182:第二介質層 184:第二低頻屏蔽層 186:第二高頻屏蔽層 188:第三介質層 188T:頂表面 190:第二矽橡膠材料 192:第三矽橡膠材料 195:第二導電盲孔 195A:襯墊 200:電路板 270:第二線路層 300:電路板 366:石墨烯線路層 368:金屬線路層 370:第二線路層 O1:第一開口 O2:第二開口 O3:第三開口 R1:凹槽
根據以下詳細說明並配合附圖閱讀，使本發明的態樣獲致較佳的理解。需注意的是，如同業界的標準作法，許多特徵並不是按照比例繪示的。事實上，為了進行清楚討論，許多特徵的尺寸可以經過任意縮放。 [圖1A]至[圖1M]繪示根據本發明一些實施例電路板的製造過程的中間階段的剖面視圖。 [圖2A]至[圖2C]繪示根據本發明另一些實施例電路板的製造過程的中間階段的剖面視圖。 [圖3A]至[圖3C]繪示根據本發明另一些實施例電路板的製造過程的中間階段的剖面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:電路板
110:絕緣基板
120:電子元件
125:第一線路層
135:第一介質層
140:第一低頻屏蔽層
145:第一高頻屏蔽層
150:第一矽橡膠材料
155:第一導電盲孔
160:絕緣層
166:石墨烯線路層
168:金屬線路層
170:第二線路層
180:第二屏蔽層
182:第二介質層
184:第二低頻屏蔽層
186:第二高頻屏蔽層
188:第三介質層
190:第二矽橡膠材料
192:第三矽橡膠材料
195:第二導電盲孔
195A:襯墊

Claims (14)

  1. 一種電路板的製造方法，包含： 形成一凹槽在一絕緣基板中； 放置一電子元件於所述凹槽中，其中所述電子元件包含一第一線路層； 形成一第一屏蔽層在所述絕緣基板及所述電子元件上，其中所述第一屏蔽層包含一第一低頻屏蔽層及一第一高頻屏蔽層； 形成多個第一開口在所述第一屏蔽層中，以暴露出所述第一線路層； 填充多個第一矽橡膠材料在所述多個第一開口內； 形成多個第一導電盲孔在所述多個第一矽橡膠材料中，其中所述多個第一導電盲孔電性連接所述第一線路層； 形成一複合層在所述第一屏蔽層及所述多個第一矽橡膠材料上，其中所述複合層包含一石墨烯層及一金屬層； 圖案化所述複合層，以形成一第二線路層； 形成一第二屏蔽層在所述第二線路層上，其中所述第二屏蔽層包含一第二低頻屏蔽層及一第二高頻屏蔽層； 形成多個第二開口在所述第二屏蔽層上，以暴露出所述第二線路層； 填充多個第二矽橡膠材料在所述多個第二開口內；以及 形成多個第二導電盲孔在所述多個第二矽橡膠材料中。
  2. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中在形成所述第二屏蔽層之前，更包含： 形成多個導電孔在所述第二線路層中，其中所述多個導電孔分別電性連接所述多個第一導電盲孔。
  3. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中形成所述複合層的步驟包含： 形成一絕緣層在所述第一屏蔽層及所述多個第一矽橡膠材料上； 形成所述石墨烯層在所述絕緣層上；以及 形成所述金屬層在所述石墨烯層上。
  4. 如請求項3所述的電路板的製造方法，更包含： 形成至少一第三開口在所述第二屏蔽層上並在所述多個第二開口之間，以暴露出所述絕緣層；以及 填充一第三矽橡膠材料於所述至少一第三開口內。
  5. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中圖案化所述複合層的步驟包含： 移除所述金屬層；以及 利用電漿圖案化所述石墨烯層。
  6. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中在放置所述電子元件於所述凹槽中之前，更包含： 形成一黏接層在所述凹槽的一底部；以及 放置所述電子元件於所述黏接層上。
  7. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中形成所述第一屏蔽層的步驟包含： 形成一第一介質層在所述絕緣基板及所述電子元件上； 形成所述第一低頻屏蔽層在所述第一介質層上；以及 形成所述第一高頻屏蔽層在所述第一低頻屏蔽層上。
  8. 如請求項1所述的電路板的製造方法，其中形成所述第二屏蔽層的步驟包含： 形成一第二介質層在所述第二線路層上； 形成所述第二低頻屏蔽層在所述第二介質層上； 形成所述第二高頻屏蔽層在所述第二低頻屏蔽層上；以及 形成一第三介質層在所述第二高頻屏蔽層上。
  9. 一種電路板，包含： 一絕緣基板，具有一凹槽； 一電子元件，設置在所述凹槽中； 一第一線路層，設置在所述電子元件之一頂表面上； 一第一屏蔽層，設置在所述絕緣基板及所述電子元件上，其中所述第一屏蔽層與所述電子元件重疊； 多個第一矽橡膠材料，設置在所述第一屏蔽層中； 多個第一導電盲孔，設置在所述多個第一矽橡膠材料中，以電性連接所述第一線路層； 一第二線路層，設置在所述第一屏蔽層上； 一第二屏蔽層，設置在所述第二線路層上； 多個第二矽橡膠材料，設置在所述第二屏蔽層中；以及 多個第二導電盲孔，設置在所述多個第二導電盲孔中，以電性連接所述第二線路層。
  10. 如請求項9所述的電路板，其中所述第一屏蔽層包含： 一第一介質層，設置在所述絕緣基板及所述電子元件上； 一第一低頻屏蔽層，設置在所述第一介質層上；以及 一第一高頻屏蔽層，設置在所述第一低頻屏蔽層上。
  11. 如請求項9所述的電路板，其中所述第二屏蔽層包含： 一第二介質層，設置在所述第二線路層上； 一第二低頻屏蔽層，設置在所述第二介質層上； 一第二高頻屏蔽層，設置在所述第二低頻屏蔽層上；以及 一第三介質層，設置在所述第二高頻屏蔽層上。
  12. 如請求項9所述的電路板，更包含： 多個導電孔，設置在所述第二線路層中，其中所述多個導電孔分別電性連接所述多個第一導電盲孔。
  13. 如請求項9所述的電路板，其中所述第二線路層包含石墨烯與銅其中至少一種。
  14. 如請求項9所述的電路板，更包含： 一第三矽橡膠材料，設置在所述第二屏蔽層中，且在所述多個第二矽橡膠材料之間。
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