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TWI534261B - 金屬鑲嵌製程之側壁聚合物用之清洗溶液及其使用方法 - Google Patents

金屬鑲嵌製程之側壁聚合物用之清洗溶液及其使用方法 Download PDF

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TWI534261B
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Description

金屬鑲嵌製程之側壁聚合物用之清洗溶液及其使用方法 【相關申請案之交互參照】
本申請案依據35 U.S.C. §119(e)主張美國臨時申請案第61/311,122號的優先權，標題為「CLEANING SOLUTION FOR SIDEWALL POLYMER OF DAMASCENE PROCESSES」，申請於2010年3月5日，其整體內容乃藉由參照方式加以合併。
本發明係關於金屬鑲嵌製程之側壁聚合物用之清洗溶液及其使用方法。
直到最近，具有Al/SiO2多層互連結構的半導體裝置已被大量生產，其係使用鋁、鋁合金等等來作為互連材料，並且使用SiO2膜來作為層間(interlayer)介電膜。為了降低由裝置微型化(microminiaturization)所引起的配線延遲，現正發展具有Cu/低介電常數多層互連結構的半導體裝置，其係使用Cu來作為低電阻互連材料；並且使用低介電常數膜(low-k膜)來作為具有低互連電容的層間介電膜，以替代SiO2膜。
在Al/SiO2多層互連結構中，個別形成配線層與穿孔層；此配線層將電流水平地供應橫過處理晶圓；以及此穿孔層形成連接此配線層且通過垂直孔的配線。每一配線層係藉由下列方式加以形成：藉由金屬乾式蝕刻產生金屬配線(例如Al)，並且沉積例如SiO2膜的層間介電層以埋置此配線。在沉積例如SiO2膜的層間介電層之後，穿孔層係藉由下列方式加以形成：使層間介電層接受乾式蝕刻而形成孔(穿孔)，並且以例如Al或W的金屬來填充此孔。
Cu/低介電常數多層互連結構係藉由稱為金屬鑲嵌的製程所產生，其中配線結構係藉由下列方式加以獲得：藉由乾式蝕刻在低介電常數膜中形成溝渠或孔(穿孔)，然後以例如銅的互連材料填充此溝渠或孔。在稱為雙金屬鑲嵌的方法中，將配線用的溝渠與穿孔形成在低介電常數膜中，然後以例如銅的互連材料進行填充。雙金屬鑲嵌結構可藉由穿孔先(via-first)製程而形成，其中穿孔係形成在配線用的溝渠之前；或者相反地，藉由溝渠先(trench-first)製程而形成，其中配線用的溝渠係形成在穿孔之前；或者藉由例如中間先(middle-first)製程或雙硬遮罩製程的其他製程而形成。在雙金屬鑲嵌等等製程中，互連材料係使用在許多場合中。在穿孔先製程中，例如，藉由進行乾式蝕刻然後以互連材料加以填充而形成穿孔，接著進行用於溝渠形成的微影與蝕刻。之後，必須選擇性地去除互連材料。
在Al/SiO2多層互連結構中，用於配線形成的金屬蝕刻係使用例如氯或溴化氫的氣體，而用於穿孔形成的穿孔蝕刻則係使用氟碳化合物氣體、氫氟碳化合物氣體、例如Ar之惰性氣體、氧、例如一氧化碳之含氧氣體等等的混合氣體。在金屬蝕刻或用於穿孔形成之層間介電層的穿孔蝕刻之後，使用含氧電漿來執行灰化以去除不必要的物質，例如光阻與蝕刻殘留物。使用去除溶液來去除在灰化之後所留下的殘留物。在金屬蝕刻的情況下，殘留物係由鋁的氧化物等等所組成，其含有小量的有機物質，例如光阻。由於此殘留物係形成在鋁配線的側壁上，所以其可被稱為「側壁聚合物(sidewall polymer)」、「兔耳(rabbit ear)」等等。在穿孔蝕刻的情況下，殘留物係由Ti、TiN、或其他金屬阻障膜的氧化物或氟化物所組成，其含有小量有機物質(例如光阻與氟碳化合物聚合物)。此殘留物亦可被稱為「側壁聚合物」。在許多情況下，利用氧電漿而使金屬或穿孔蝕刻之後的殘留物受到灰化處理，直到去除光阻為止，因此蝕刻殘留物的主要成分係已成為無機物的氧化物。
相較之下，在Cu/低介電常數多層互連結構中，低介電常數膜中之溝渠或穿孔的金屬鑲嵌結構係藉由使用與氮混合之氟碳化合物氣體等等的乾式蝕刻加以形成。在乾式蝕刻氣體中使用氮可增加處理準確度。然而，此氣體與含矽之低介電常數膜的反應形成非揮發性氮化矽的殘留物。若使用含氧電漿來徹底執行灰化以去除在蝕刻之後的光阻與殘留物，可能會損傷低介電常數膜，而引起介電常數的改變。因此，在許多情況下並不執行此種電漿灰化；反而係以氫、氮、鈍氣、這些氣體之混合物等等的電漿來實現灰化，或者可以含氧電漿來實現輕灰化(light ashing)。又，在許多情況下，為了使低介電常數膜的損傷降至最低，不藉由灰化來徹底去除光阻與互連材料。若將含氮氣體用於電漿灰化，則殘留物會進一步含有大量的氮化矽。在此種情況下，即使在進行灰化之後，仍會存在相當大量的光阻、抗反射塗膜、互連材料、以及含氮蝕刻殘留物(例如氮化矽)。即使實現相當大程度的灰化，仍難以去除所有的光阻、抗反射塗膜、以及互連材料。因此，存在於金屬鑲嵌製程之蝕刻後的殘留物的主要成分為源自光阻、抗反射塗膜、互連材料、以及氟碳化合物聚合物的有機物質，並且含有例如氮化矽的無機物質。
在此說明一種水性清洗溶液，其用以有效去除位在含有一或多種金屬互連材料與一或多個低介電常數層間介電材料膜之晶圓上於金屬鑲嵌製程期間所產生的側壁聚合物，並同時使低介電常數膜損傷降至最低。此清洗溶液包含0.01到0.1 w/w%的氫氟酸、1到5 w/w%的硫酸、1到15 w/w%的羧酸、上達2 w/w%的一或多種螯合劑、上達15 w/w%的一或多種胺、以及75 w/w%以上的水，其中此清洗溶液不損傷一或多個低介電常數層間介電材料膜。
在含有一或多種金屬互連材料(例如Al或Cu)與一或多個低介電常數層間介電材料膜的晶圓上，吾人可在不損傷一或多個低介電常數層間介電材料膜的情況下，藉由將此晶圓浸入維持在30到70℃之溫度的此清洗溶液中上達40秒而去除在金屬鑲嵌製程期間所產生的側壁聚合物。
在此說明用以去除由金屬鑲嵌製程所造成之側壁聚合物的水性清洗溶液。此清洗溶液可在不損傷低介電常數膜或所曝露之互連材料的情況下有效去除側壁聚合物。此水性清洗溶液的範例係提及於表1中，其中每一溶液的剩餘部分為水，以及給與HF、H2SO4、醋酸、檸檬酸、蘋果酸、IDA、NH4F、NH4‧HF2以及TEA的數值係以w/w %為單位提出。
在表1中，C1-C12為對照組，IDA為亞胺二乙酸(iminodiacetic acid)，EDTA為乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)，TEA為三乙醇胺(triethanolamine)。表1中的每一個數值應被理解為以該數值為中心之±10%的數值範圍。表1中的每一個溶液係由水與所列之成分加以組成。
除了C4以外，所有其他對照溶液(C1-C3與C5-C12)為各種濃度之氫氟酸(HF)與硫酸(H2SO4)的水溶液。C4為單純HF的水溶液。在室溫下，C4會對低介電常數膜造成嚴重的損傷。C1-C3與C5-C7具有0.06%的HF濃度以及3%的硫酸濃度。於30℃下，C1-C3與C5-C7在去除側壁聚合物時，即使具有30秒的延長清洗時間仍非極為有效。在較高的溫度下，C1-C3與C5-C7僅略微有效，但會對低介電常數膜造成嚴重的損傷。C8-C9具有較高的HF濃度(0.2%)以及3%硫酸，並且以短如8秒的清洗時間即會對低介電常數膜造成嚴重的損傷。C10-C12具有較高的硫酸濃度(9%)並且顯示優於C1-C9的改善清洗有效度。然而，對照組C1-C12顯示較高的溫度及/或較高的HF濃度會傾向於對低介電常數膜造成更多的損傷。
在一系列的試驗T1-T29中，為了評估清洗有效度與對低介電常數膜的損傷，已將種種的羧酸、胺及/或銨鹽(作為螯合劑)添加至具有0.06%HF與3%硫酸的基液。
醋酸的效果係藉由比較T1與C1中的溶液而評估。T1並未顯示明顯優於C1的清洗有效度改善。結合醋酸與氟化銨的效果係藉由比較T2與T1中的溶液而評估。以小於30秒的清洗時間，T2並未顯示明顯優於T1的清洗有效度改善。然而，以30秒的清洗時間，T2則表現出優於T1的清洗有效度改善。
檸檬酸的效果係藉由比較T3與C1中的溶液而評估。T3並未顯示明顯優於C1的清洗有效度改善。結合檸檬酸與氟化銨的效果係藉由比較T4與T3而評估。以從4到30秒的清洗時間，T4並未顯示優於T3的清洗有效度改善。
蘋果酸的效果係藉由比較T5與C1而評估。以4秒的清洗時間，T5並未顯示明顯優於C1的清洗有效度改善。以較長的清洗時間(8、16以及30秒)，T5則表現出明顯優於C1的清洗有效度改善。結合蘋果酸與氟化銨的效果係藉由比較T6與T5而評估。以從4到16秒的清洗時間，T6並未顯示優於T5的清洗有效度改善；而以30秒的清洗時間，T6則表現出若干優於T5的清洗有效度改善。
在高於T6的溫度下實施T7。T7並未顯示明顯優於T6的清洗有效度改善，但對低介電常數膜造成更多的損傷。T8具有高於T7的蘋果酸濃度。以從4到30秒的清洗時間，T8表現出略微優於T7的清洗有效度改善。
IDA的效果係藉由比較T9與C1、T10與C5、以及T11與C6而評估。T9表現出明顯優於C1的清洗有效度改善。T10並未顯示明顯優於C5的清洗有效度改善。T11並未顯示明顯優於C6的清洗有效度改善。結合IDA與氟化銨的效果係藉由比較T12與T9、T14與T10、以及T15與T11而評估。以從4到30秒的增長清洗時間，T12、T14以及T15分別表現出若干優於T9、T10以及T11的清洗有效度改善。
在高於T10的溫度下實施T11。在不對低介電常數膜造成更多損傷的情況下，T11表現出略微優於T10的清洗有效度改善。
結合氫氟化銨(NH4HF2)與IDA的效果係藉由比較T18與T9而評估。T18表現出對低介電常數膜的明顯損傷。比較T17與T14的清洗有效度並且比較T16與T10的清洗有效度，證明：將EDTA添加至T14與T10係明顯改善其清洗有效度。
比較T14與T13的清洗有效度，顯示：增加T13中的IDA濃度係明顯改善其清洗有效度。
草酸的效果係藉由比較T19與C1、T20與C5、以及T21與C6而評估。以4、8以及16秒的清洗時間，T19並未顯示明顯優於C1的清洗有效度改善。以30秒的清洗時間，T19顯示明顯優於C1的清洗有效度改善。以8、16以及30秒的清洗時間，T20表現出略微優於C5的清洗有效度改善。以8秒的清洗時間，T21並未顯示明顯優於C6的清洗有效度改善。以16以及30秒的清洗時間，T21表現出明顯優於C6的清洗有效度改善。結合草酸與氟化銨的效果係藉由比較T25與T21、T23與T20、以及T22與T19而評估。以8秒的清洗時間，T25表現出明顯優於T21的清洗有效度改善。超過8秒，T25則表現出對低介電常數膜的明顯損傷。T23並未顯示明顯優於T20的清洗有效度改善。以8秒的清洗時間，T22並未顯示明顯優於T19的清洗有效度改善。以16以及30秒的清洗時間，T22顯示明顯優於T19的清洗有效度改善。
比較T28、T29以及T24的清洗有效度，顯示：將5-10%的TEA添加至T24組成並未明顯改善T24的清洗有效度。
比較T27與T24、以及T26與T20的清洗有效度，顯示：將0.2%的EDTA添加至T24組成以及添加至T20組成係明顯改善其清洗有效度。T23與T24並未在其清洗有效度之間顯示很大的差異，儘管其在草酸濃度上具有差異。T21、T23以及T25係分別在高於T20、T22以及T24的溫度下實施，並且分別顯示明顯優於T20、T22以及T24的清洗有效度改善。
表2匯總T1-T29的清洗有效度以及對低介電常數膜的損傷。
在「側壁聚合物清洗有效度」欄位中，「+」、「○」、「-」分別係指非常有效、稍微有效以及略微有效。在「對低介電常數膜的損傷」欄位中，「+」、「-」分別係指無明顯損傷、嚴重損傷。
此清洗溶液較佳係不具有醇、過氧化物(例如過氧化氫)以及 酯。此清洗溶液係以水為基的(水)溶液，其具有0.01到0.1%的HF、1到5%的硫酸、1到15%的羧酸、上達2%的一或多種螯合劑、上達15%的一或多種胺並且較佳係具有75%以上的水。此清洗溶液亦可不具有氨、氫氧化銨、螯合劑、胺、硝酸及/或界面活性劑。此羧酸可為醋酸(較佳為1到10%，更佳為4到6%)、草酸(較佳為1到15%，更佳為4到11%)、檸檬酸(較佳為1到10%，更佳為4到6%)、蘋果酸(較佳為1到15%，更佳為4到11%)、或亞胺二乙酸(較佳為1到10%，更佳為2到6%)。此螯合劑可為氟化銨(較佳為0.01到0.2%)、氫氟化銨(較佳為0.9到1.1%)及/或乙二胺四乙酸(較佳為0.1到0.3%)。此胺較佳為三乙醇胺(較佳為4到11%)。此清洗溶液較佳係具有等於或高於硫酸的羧酸濃度。此清洗溶液中之羧酸與螯合劑的濃度比例較佳為至少10：1。此清洗溶液中之硫酸與螯合劑的濃度比例較佳為至少10：1。
用以去除位在含有一或多種金屬互連材料(例如Al或Cu)與低介電常數層間介電材料之晶圓上由金屬鑲嵌製程所造成之側壁聚合物的清洗溶液之使用方法，可包含下列步驟：將此晶圓浸入維持在從30到70℃之溫度的此清洗溶液中上達40秒，較佳為8到30秒。
雖然清洗溶液與此清洗溶液的使用方法已參考其具體實施例進行詳細說明，但熟習本項技藝者可明白在不背離隨附請求項之範圍的情況下，當可進行各種變化與修改以及使用等效設計。

Claims (20)

  1. 一種清洗溶液的使用方法，用以去除位在含有一或多種金屬互連材料與一或多個低介電常數層間介電材料膜之一晶圓上於金屬鑲嵌製程期間產生在電漿蝕刻特徵部上的側壁聚合物，該方法包含下列步驟：將該晶圓浸入維持在30到70℃之溫度的該清洗溶液中上達40秒，該清洗溶液在對該金屬互連材料以及該一或多個低介電常數層間介電材料膜造成最小損傷的情況下有效去除該側壁聚合物，其中該清洗溶液包含：0.01到0.1w/w%的氫氟酸；1到5w/w%的硫酸；1到15w/w%的羧酸；0到2w/w%的一或多種螯合劑；0到15w/w%的一或多種胺；及75w/w%以上的水。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有硝酸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸為草酸、蘋果酸、或亞胺二乙酸。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸為1到15%的草酸、1到15%的蘋果酸、或1到10%的亞胺二乙酸。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸為4到11%的草酸、4到11%的蘋果酸、或2到6%的亞胺二乙酸。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該螯合劑為氟化銨、氫氟化銨、及/或乙二胺四乙酸。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，包含有效量的該螯合劑，其中該螯合劑為0.01到0.2%的氟化銨、0.9到1.1%的氫氟化銨、及/或0.1到0.3%的乙二胺四乙酸。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該胺為4到11%的三乙醇胺。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸的濃度係等於或高於該硫酸的濃度。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸與該螯合劑的濃度比例為至少10：1。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該硫酸與該螯合劑的濃度比例為至少10：1。
  12. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有醇、過氧化物以及酯。
  13. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有過氧化氫。
  14. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有氨。
  15. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有氫氧化銨。
  16. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清 洗溶液不具有該一或多種螯合劑。
  17. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有該一或多種胺。
  18. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該羧酸為4到11%的蘋果酸、或2到6%的亞胺二乙酸，該螯合劑為氟化銨。
  19. 如申請專利範圍第2項所述之清洗溶液的使用方法，其中該清洗溶液不具有一或多種界面活性劑。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之清洗溶液的使用方法，其中將該晶圓浸入該清洗溶液中經過8到30秒。
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TW100107393A TWI534261B (zh) 2010-03-05 2011-03-04 金屬鑲嵌製程之側壁聚合物用之清洗溶液及其使用方法

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104498912A (zh) * 2014-12-01 2015-04-08 中核(天津)科技发展有限公司 环保型薄壁异形管件表面处理液及管件处理工艺
KR102183400B1 (ko) * 2015-06-23 2020-11-26 주식회사 이엔에프테크놀로지 세정액 조성물
CN110335816A (zh) * 2019-07-09 2019-10-15 德淮半导体有限公司 铝互连结构及其形成方法
CN112201615B (zh) * 2020-09-09 2024-04-19 长江存储科技有限责任公司 半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法
CN113228279B (zh) * 2021-03-31 2024-04-09 长江存储科技有限责任公司 用于形成半导体结构的方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6023099A (ja) * 1983-07-19 1985-02-05 Tomoegawa Paper Co Ltd オフセツト印刷用不感脂化処理液
US5981454A (en) * 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
US5470636A (en) * 1991-03-15 1995-11-28 Yamaha Corporation Magnetic recording medium and method of producing it
US6029679A (en) * 1995-09-07 2000-02-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor cleaning and production methods using a film repulsing fine particle contaminants
TW387936B (en) * 1997-08-12 2000-04-21 Kanto Kagaku Washing solution
US6103680A (en) * 1998-12-31 2000-08-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues
JP4516176B2 (ja) * 1999-04-20 2010-08-04 関東化学株式会社 電子材料用基板洗浄液
US6551943B1 (en) * 1999-09-02 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Wet clean of organic silicate glass films
JP2001319928A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6486108B1 (en) * 2000-05-31 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication
US6627587B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
JP3667273B2 (ja) * 2001-11-02 2005-07-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄方法および洗浄液
TWI276682B (en) * 2001-11-16 2007-03-21 Mitsubishi Chem Corp Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
US6773873B2 (en) * 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US6812156B2 (en) * 2002-07-02 2004-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method to reduce residual particulate contamination in CVD and PVD semiconductor wafer manufacturing
JP4086567B2 (ja) * 2002-07-10 2008-05-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
JP4434950B2 (ja) * 2002-08-22 2010-03-17 ダイキン工業株式会社 剥離液
US7597765B2 (en) * 2002-09-30 2009-10-06 Lam Research Corporation Post etch wafer surface cleaning with liquid meniscus
WO2004094581A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-04 Ekc Technology, Inc. Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
KR20060014388A (ko) * 2003-05-02 2006-02-15 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 반도체 공정에서의 에칭후 잔류물의 제거 방법
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
JP4326928B2 (ja) * 2003-12-09 2009-09-09 株式会社東芝 フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法
JP4390616B2 (ja) * 2004-04-27 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄液及び半導体装置の製造方法
JP2005347587A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sony Corp ドライエッチング後の洗浄液組成物および半導体装置の製造方法
WO2006007453A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Fsi International, Inc. Cleaning process for semiconductor substrates
KR100606187B1 (ko) * 2004-07-14 2006-08-01 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
US7718009B2 (en) * 2004-08-30 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface
US20060255315A1 (en) * 2004-11-19 2006-11-16 Yellowaga Deborah L Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
CN101228481B (zh) * 2005-02-25 2012-12-05 Ekc技术公司 从包括铜和低k电介体的基片上除去抗蚀剂、蚀刻残余物和氧化铜的方法
KR100655647B1 (ko) * 2005-07-04 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이의 제조 방법, 이를이용한 반도체 기판의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조방법
KR100734274B1 (ko) * 2005-09-05 2007-07-02 삼성전자주식회사 기판 세정용 조성물을 이용한 게이트 형성 방법
US7922824B2 (en) * 2005-10-05 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
CN101356629B (zh) * 2005-11-09 2012-06-06 高级技术材料公司 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法
KR100860367B1 (ko) * 2006-08-21 2008-09-25 제일모직주식회사 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액
JP4642001B2 (ja) * 2006-10-24 2011-03-02 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物
US20090056744A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Micron Technology, Inc. Wafer cleaning compositions and methods
US8062429B2 (en) * 2007-10-29 2011-11-22 Ekc Technology, Inc. Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions
EP2219882A4 (en) * 2007-11-16 2011-11-23 Ekc Technology Inc COMPOSITIONS FOR REMOVING METAL HARD MASK REST OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
US8324114B2 (en) * 2010-05-26 2012-12-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for silicon oxide residue removal

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Publication number Publication date
SG183510A1 (en) 2012-09-27
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