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TWI409270B - 使用有機釕化合物的化學沈積方法 - Google Patents

使用有機釕化合物的化學沈積方法 Download PDF

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Description

使用有機釕化合物的化學沈積方法
本發明係關於一種使用作為用以藉由CVD法、ALD法而製造釕薄膜或釕化合物薄膜之原料的有機釕化合物。詳細地說，關於一種在常溫成為液體且處理性良好的有機釕化合物。
作為DRAM、FERAM等之半導體元件之薄膜電極材料係使用釕或釕化合物。作為這些薄膜之製造法係適用所謂CVD法(化學氣相沈積法)、ALD法(原子層沈積法)之化學沈積法。接著，作為使用於化學沈積法之原料化合物係向來知道許多之有機釕化合物，例如下列化學式之雙(乙基環戊二烯烴)釕係即使是其中，也是使用實績多之化合物(日本特開平11-35589號公報)。
除了前述之雙(乙基環戊二烯烴)釕以外，目前為止知道之有機釕化合物係為了在形成薄膜時，分解化合物，因此，大多是必須共存氧。於是，在習知之薄膜製造，必須將氣化至反應器之有機釕氣體和作為反應物氣體之氧予以 一起導入。但是，在氧共存下之薄膜形成，恐怕會在薄膜中，殘留氧，有薄膜之形態(morphology：組織)之惡化、電特性之惡化之問題發生。
於是，在近年來，即使是並無氧之共存，也使得能夠分解及形成薄膜之有機釕化合物之要求變高，作為此種化合物係檢討下列化學式之釕(1,5-環辛烷二烯烴)(甲苯)之適用。在該釕配位成為二烯烴基之1,5-環辛烷二烯烴和成為芳烴基之甲苯的有機釕化合物係即使是並無氧之共存，也可以藉由加熱而進行分解的化合物(Andreas Schneider et al.,Chem.Vap.Deposition 2005,11,No.2,p.99~105)。
但是，前述之釕(1,5-環辛烷二烯烴)(甲苯)係在常溫下，成為固體之物質。在化學沈積法，必須氣化原料化合物，因此，就固體之原料化合物而言，氣化這個，所以，必須進行昇華，但是，無法使用向來一般使用之液體原料之氣化裝置。
為了在液體原料之氣化裝置，使用固體之原料化合物，所以，可以藉由原料化合物溶解於適當之溶媒而進行 對應，但是，這個係也不可以說是理想之方法。成為溶液係稀釋原料化合物，稀釋原料係減少供應至反應器之原料供應量，對於成膜速度，造成影響。此外，即使說是溶液化，也不能改變化合物之其物性(融點等)。因此，認為氣化該溶液之所生成之原料氣體係不容易具有穩定性，恐怕會在成膜裝置之噴嘴、閥等，分解化合物而析出釕，因此，由裝置保養之觀點來看的話，也不可以說是理想。
此外，固體之原料化合物係也在再循環性，有問題發生。在近年來，化學沈積用之原料化合物係由於1次沈積作業之利用效率低，因此，當然一直再循環而進行使用。該再循環係捕抓來自反應器之排氣，回收未反應化合物而進行再循環，但是，不容易捕抓固體之化合物而進行回收。
本發明係將以上之背景，作為根本，提供一種即使是並無成為反應物氣體之氧之共存也可以析出薄膜並且在常溫成為液體而具有良好之處理性及再循環性之化學沈積用的有機釕化合物。
解決前述課題之本發明係用以藉由化學沈積法而製造釕薄膜或釕化合物薄膜的有機釕化合物，成為藉由下列之化學式之所表示之在釕配位芳烴基及降莰二烯的有機釕化合物。
(式中，成為芳烴基之取代基的R1~R6係氫或烷基。此外，R1~R6之碳數之合計(R1+R2+R3+R4+R5+R6)係6以下。)
本發明之特徵係配位降莰二烯，來作為釕之配位基。如果藉由本發明人等的話，則以降莰二烯來作為配位基之釕化合物(配位化合物)係皆在常溫成為液體，滿足化學沈積用之原料化合物之所要求之處理性。
接著，在本發明，以具有限定之既定範圍之取代基之芳烴基(環狀烴)，來作為配位基。芳烴基之取代基係氫或烷基，全部之取代基之碳數之合計係6以下。像這樣限定取代基之範圍係考慮化合物之蒸氣壓。對於以進行氣化來作為前提之化學沈積用之原料化合物而言，蒸氣壓之高低係也成為重要之特性，為了有效率地形成薄膜，因此，最好是高蒸氣壓。在本發明，在芳烴基之取代基之碳數超過6時，有蒸氣壓變低之傾向發生，不適合作為化學沈積用之化合物。
芳烴基之取代基係如果是具備前述之要件的話，則不應該特別限定。作為本發明之有機釕化合物之具體例係有以下之化合物。
釕(降莰二烯)(甲苯)；(R1：甲基、R2~R6：氫) 釕(降莰二烯)(p-傘花烴)；(R1：甲基、R4：異丙基、R2、R3、R5、R6：氫) 釕(降莰二烯)(六甲苯)；(R1~R6：甲基)
接著，在本發明之有機釕化合物之特別理想者係前述化學式4之釕(降莰二烯)(甲苯)。釕(降莰二烯)(甲苯)係即使是在屬於化學式3之有機釕中，也是分子量變小而蒸氣壓變高，因此，特別適合作為氣化之所使用之化學沈積用原料。
作為本發明之有機釕化合物之製造方法係能夠藉由以 釕鹽，作為起始原料，依序地反應芳烴基及降莰二烯而製造有機釕化合物。作為釕鹽係可以使用例如氯化釕(RuCl3)。在釕鹽和芳烴基之反應，於有機溶媒中，在70~120℃，環流4~6小時。此時之生成物係最好是藉由有機溶媒而進行洗淨。此外，即使是就和降莰二烯之反應而言，也在有機溶媒中，於80~120℃，環流0.5~4小時。此外，最好是在前述之芳烴基及降莰二烯之反應操作，進行於惰性氣體(氮等)之氣氛下。
實施例1：在此，製造成為前述化學式4之有機釕化合物之釕(降莰二烯)(甲苯)。在5L之三口燒瓶，加入氯化釕水合物(釕含有量：39.6%)50.4g、乙醇2300mL以及1-甲基-1,4-環己二烯52.1g，在78℃，環流4小時。接著，濾取生成之茶褐色之粉末，在藉由300mL之甲醇而洗淨3次之後，藉由真空乾燥機而乾燥一晚，得到48.21g之[Ru(甲苯)Cl2]2。在該反應之良品率係92.5%。
接著，將前述製造之15.9g之[Ru(甲苯)Cl2]2、碳酸鈉82.8g、降莰二烯55.5g和異丙醇3000mL，放入至5L之三口燒瓶，在81℃，環流1小時。在反應後，過濾反應液，加熱濾液，在除去異丙醇和多餘之降莰二烯之後，在得到之殘渣，加入己烷1000mL，萃取必要之成分。接著，藉著由萃取液，來除去己烷，進行真空蒸餾，而得到黃色液體之釕(降莰二烯)(甲苯)7.75g。此時之良品率係45.2%。
實施例2：在此，製造成為前述化學式5之有機釕化合物之釕(降莰二烯)(p-傘花烴)。在5L之三口燒瓶，加入氯化釕水合物(釕含有量：39.6%)50.4g、乙醇2300mL以及α-水芹萜306.6g，在78℃，環流4小時。接著，濾取生成之茶褐色之粉末，相同於實施例1而進行洗淨及乾燥，得到47.05g之[Ru(p-傘花烴)Cl2]2。在該反應之良品率係77.4%。
接著，將製造之18.4g之[Ru(p-傘花烴)Cl2]2、碳酸鈉82.8g、降莰二烯55.5g和異丙醇3000mL，放入至5L之三口燒瓶，在81℃，環流1小時。在反應後，相同於實施例1而進行反應液之過濾、異丙醇等之除去和必要成分之萃取。在由萃取液來除去己烷後，進行真空蒸餾而得到黃色液體之釕(降莰二烯)(p-傘花烴)7.44g。此時之良品率係37.8%。
實施例3：在此，製造成為前述化學式6之有機釕化合物之釕(降莰二烯)(六甲苯)。將在實施例2製造之40.0g之[Ru(p-傘花烴)Cl2]2和六甲苯195.0g，加入至2L之三口燒瓶，在180℃，環流4小時。藉由己烷和甲苯而洗淨及乾燥得到之固體，得到37.6g之[Ru(六甲苯)Cl2]2。在該反應之良品率係88.1%。
將製造之23.3g之[Ru(六甲苯)Cl2]2、碳酸鈉82.8g、降莰二烯55.5g和異丙醇3000mL，放入至5L之三口燒瓶，在81℃，環流1小時。在反應後，相同於實施例1而進行反應液之過濾、異丙醇等之除去和必要成分之萃取，在由 萃取液來除去己烷後，進行真空蒸餾而得到黃色液體之釕(降莰二烯)(六甲苯)9.57g。此時之良品率係38.6%。
在前述製造之有機釕化合物中，就良品率良好之實施例1之釕(降莰二烯)(甲苯)而言，進行相關於其化學沈積之物性值及釕薄膜之製造試驗。化合物之物性值係正如以下。
成膜試驗係使用具備液體氣化供應裝置之CVD裝置而進行成膜試驗。成膜條件係正如以下。接著，將成膜試驗之藉由各種條件所造成之成膜速度之評價結果，顯示於表2。
．先驅物(原料)供應速度：0.1g/min
．氣化器溫度：120℃
．帶狀加熱器溫度：150℃
．氣化器Ar流速：500sccm
．成膜溫度：370、400、430、460℃
．成膜壓力：0.1、1、5、10torr
由表2而得知：藉由釕(降莰二烯)(甲苯)所造成之成膜係藉由提高成膜壓力而提高成膜速度。這個係由於原料化合物之分壓變高。此外，也在成膜溫度變高之狀態下，提高成膜速度。因此，可以藉由成膜條件成為適當之條件而進行有效率之成膜。
相對於此，如果藉由非專利文獻1的話，則在藉由昇華法而氣化成為習知化合物之(1,5-環辛烷二烯烴)(甲苯)來進行成膜之狀態下，其成膜速度係0.28nm/min。該值係低於前述之實施例1，但是，在這樣低之成膜速度，無法對應於工業生產。
正如以上之說明，本發明之有機釕化合物係在常溫成為液體，可以仍然依舊使用適用於雙(乙基環戊二烯烴)釕等之習知之有機釕化合物的氣化裝置而進行薄膜之製造。此外，由於化合物係液體，因此，氣化後之反應氣體係也具有穩定性，不容易產生在反應器以外之異常析出等，由沈積裝置之保養之觀點來看的話，也成為理想之化合物。
此外，本發明之有機釕化合物係即使是並無氧之共存，也可以進行分解，能夠不使用反應物氣體而製造釕薄 膜。藉此而在薄膜內並無殘留氧，因此，可以製造形態及特性良好之薄膜。

Claims (4)

  1. 一種化學沈積法，氣化成為原料化合物之有機釕化合物而作為反應氣體來導入前述之反應氣體至基板表面並且進行加熱之釕薄膜或釕化合物薄膜，作為前述之有機釕化合物係使用成為藉由下列之化學式之所表示之在釕配位芳烴基及降莰二烯： 式中，成為芳烴基之取代基的R1~R6係氫或烷基；此外，R1~R6之碳數之合計(R1+R2+R3+R4+R5+R6)係6以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之化學沈積法，其中，取代基R1係甲基，其他之取代基R2~R6係氫。
  3. 如申請專利範圍第1項之化學沈積法，其中，取代基R1係甲基，R4係異丙基，其他之取代基R2、R3、R5、R6係氫。
  4. 如申請專利範圍第1項之化學沈積法，其中，取代基R1~R6係甲基。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090205538A1 (en) * 2008-01-24 2009-08-20 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
KR20100060482A (ko) * 2008-11-27 2010-06-07 주식회사 유피케미칼 루테늄 금속 또는 루테늄 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
DE102009053392A1 (de) 2009-11-14 2011-06-22 Umicore AG & Co. KG, 63457 Verfahren zur Herstellung von Ru(0) Olefin-Komplexen
JP5140184B1 (ja) * 2011-08-03 2013-02-06 田中貴金属工業株式会社 化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物の製造方法
JP6281877B2 (ja) * 2013-02-18 2018-02-21 国立大学法人東京農工大学 触媒前駆体および不斉鎖状化合物の合成方法
KR20140131219A (ko) * 2013-05-03 2014-11-12 한국화학연구원 루테늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR101703871B1 (ko) 2014-05-30 2017-02-08 주식회사 유피케미칼 신규 루테늄 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 막 증착용 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 막의 증착 방법
JP2022031988A (ja) * 2018-11-08 2022-02-24 株式会社Adeka 原子層堆積法による金属ルテニウム薄膜の製造方法
CN112969813B (zh) * 2018-11-08 2024-04-30 恩特格里斯公司 使用钌前体和还原气体的化学气相沉积方法
TWI762168B (zh) * 2020-01-31 2022-04-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 包含有機釕化合物之化學蒸鍍用原料及使用該化學蒸鍍用原料之化學蒸鍍法
KR102642469B1 (ko) 2021-12-22 2024-03-04 (주)원익머트리얼즈 유기금속 전구체를 이용한 금속 박막 증착 방법
US20230287022A1 (en) * 2022-03-14 2023-09-14 Applied Materials, Inc. Non-Halide Oxygen-Free Organometallic Precursors for ALD/CVD of Metallization

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254742A (en) * 1991-10-08 1993-10-19 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Process for preparing 2-hexene-1,6-dial

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3371328B2 (ja) 1997-07-17 2003-01-27 株式会社高純度化学研究所 ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法
KR100727372B1 (ko) * 2001-09-12 2007-06-12 토소가부시키가이샤 루테늄착체, 그 제조방법 및 박막의 제조방법
JP4097979B2 (ja) 2002-04-18 2008-06-11 田中貴金属工業株式会社 Ｃｖｄ用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
JP2004067601A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｃｖｄ原料用の有機化合物及び該有機化合物を用いた金属又は金属化合物薄膜の製造方法
US7816550B2 (en) * 2005-02-10 2010-10-19 Praxair Technology, Inc. Processes for the production of organometallic compounds
JP4888999B2 (ja) * 2005-12-22 2012-02-29 株式会社高純度化学研究所 ルテニウム膜形成用組成物
US7547631B2 (en) * 2006-07-31 2009-06-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organometallic compounds

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254742A (en) * 1991-10-08 1993-10-19 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Process for preparing 2-hexene-1,6-dial

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Organometallics 1994,13,3758-3760 Inorganica Chimica Acta,149 (1988) 235-239 Chemical Vapor Deposition 2005, 11, No. 2, p. 99-105 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP5032085B2 (ja) 2012-09-26
US8097299B2 (en) 2012-01-17
WO2008044478A1 (fr) 2008-04-17
US8252377B2 (en) 2012-08-28
KR100982109B1 (ko) 2010-09-14
TW200819459A (en) 2008-05-01
US20090238970A1 (en) 2009-09-24
CN101356181A (zh) 2009-01-28
US20110268878A1 (en) 2011-11-03
JP2008094728A (ja) 2008-04-24
CN101356181B (zh) 2012-01-04
KR20080095233A (ko) 2008-10-28

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