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TWI495703B - 電子零件之製法 - Google Patents

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TWI495703B
TWI495703B TW098139069A TW98139069A TWI495703B TW I495703 B TWI495703 B TW I495703B TW 098139069 A TW098139069 A TW 098139069A TW 98139069 A TW98139069 A TW 98139069A TW I495703 B TWI495703 B TW I495703B
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齊藤岳史
高津知道
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電氣化學工業股份有限公司
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Description

電子零件之製法
本發明係有關於一種將附黏合劑半硬化層半導體晶圓進行切粒成晶粒狀時之電子零件之製法。
電子零件的製法之一，已知有一種製法係具備以下步驟：將在晶圓或絕緣基板上形成有複數電路圖案而成之電子零件集合體貼合在黏著片之貼合步驟；將貼合後的晶圓或電子零件集合體各個切斷而晶粒化之切斷、分離步驟(切粒步驟)；從黏著片側進行照射紫外線來降低黏著劑層的黏著力之紫外線照射步驟；從黏著片拾取被切斷後的晶粒之拾取步驟；及在所拾取的晶粒底面塗布黏合劑後藉由該黏合劑將晶粒固定在導線框架等之固定步驟。
在切斷步驟，已知有一種方法係將晶圓或電子零件集合體貼合在黏著片，進而將黏著片固定於導線框架後，進行切斷並分離(切粒)成為各個晶粒之方法。
有提案揭示一種使用藉由在該製法所使用的黏著片積層晶粒黏貼膠膜(die attach film)，而兼備切粒用的黏著片的功能及將晶粒固定在導線框架等的黏合劑的功能之黏著片(晶粒黏貼薄膜整體型片)之方法(參照專利文獻1、專利文獻2)。藉由將晶粒黏貼薄膜整體型片使用於製造電子零件，能夠省略切粒後的黏合劑塗布步驟。晶粒黏貼薄膜整體型片相較於使用黏合劑來黏接晶粒與導線框架之方法，係控制黏合劑部分的厚度或抑制黏合劑的擠出優良。晶粒黏貼薄膜整體型片係被利用於製造晶粒尺寸封裝、堆疊封裝及系統級封裝(system-In-Package)等的電子零件。
有一種製法係預先將粒狀黏合劑塗布在半導體晶圓上，並藉由加熱或照射紫外線來使其半硬化成為片狀而形成黏合劑半硬化層，能夠省略切粒後的黏合劑塗布步驟。
但是，隨著半導體的高積體化，晶粒尺寸大幅地變薄，切粒後的晶粒拾取作業變為困難的情況增加。而且，因為切粒時不僅是半導體晶圓，亦將黏合劑半硬化層及黏著片的黏著劑層切粒，所以切粒線係產生黏合劑半硬化層及黏著劑層的摻雜，即便在切粒後進行照射紫外線能夠充分地謀求降低黏著力，亦會有拾取時的剝離容易性變差，致使拾取不良之情形。
[專利文獻1]特開2006-049509號公報
[專利文獻2]特開2007-246633號公報
本發明係鑒於上述情形而進行，能夠提供一種在拾取時之黏著片與黏合劑半硬化層之間的剝離容易，如此，能夠容易地進行切粒後的晶粒拾取作業之半導體晶圓的切粒方法。
依照本發明，係提供一種附黏合劑半硬化層半導體晶圓之切粒方法，其係具備以下步驟：在半導體晶圓的背面塗布糊狀黏合劑，並藉由對該糊狀黏合劑加熱或照射紫外線使其半硬化為薄片狀而形成黏合劑半硬化層之步驟；將在基材薄膜積層紫外線硬化型黏著劑而成之黏著片貼合在該黏合劑半硬化層之貼合步驟；對上述紫外線硬化型黏著劑進行照射紫外線之紫外線照射步驟；以及將貼合於前述黏著片之該黏合劑半硬化層及該半導體晶圓進行切粒之切粒步驟。
依照本發明之一個態樣，前述紫外線硬化型黏著劑係至少含有(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上的乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、紫外線聚合引發劑及聚矽氧接枝聚合物。又，依照一個態樣，前述黏合劑半硬化層係至少含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂，且前述黏合劑半硬化層的厚度為10微米以上。
依照該切粒方法，藉由預先使紫外線硬化型黏著劑的黏著力降低且同時提高凝集力，在切粒後拾取附黏合劑半硬化層時，能夠降低黏合劑半硬化層及黏著劑層摻雜至切粒線。因此，能夠抑制拾取不良。
而且，在切粒步驟後，當然亦可以與先前方法同樣地，設置再次的照射紫外線步驟。
 實施發明之形態
以下，說明本發明的實施形態。
在本說明書，單體係意味著單體本身或是來自單體之結構。本說明書的份及%，只要未特別記載時係設作質量基準。
又，在本說明書，(甲基)丙烯醯基係丙烯醯基及甲基丙烯醯基的總稱。(甲基)丙烯酸等含(甲基)的化合物等亦同 樣地，係名稱中具有「甲基」的化合物與未具有「甲基」的化合物的總稱。紫外線聚合性化合物之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的官能基數係指每1個胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物分子之乙烯基數。
<紫外線照射步驟>
紫外線的光源係沒有特別限定，能夠使用眾所周知者。作為紫外線源，可舉出黑光燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、鹵化金屬燈、準分子燈等。
紫外線的照射量係沒有特別限定，能夠依照紫外線硬化型黏著劑的設計而適當地選擇，通常係以5mJ/cm2 以上、小於1000mJ/cm2 為佳。照射光量少時，紫外線硬化型黏著劑的硬化不充分，會有拾取性變差之傾向，照射光量太多時，因為UV照射時間的長期化，致使作業性變差。
<紫外線硬化型黏著劑>
紫外線硬化型黏著劑能夠採用先前眾所周知者。紫外線硬化型黏著劑的成分及被紫外線照射時之作用，係藉由主劑亦即基質聚合物來使黏著力發揮，及藉由接受紫外線的紫外線聚合引發劑來使具有不飽和鍵的紫外線聚合性化合物成為三維網狀結構而使其硬化(降低黏著力)。為了提升拾取性，以(甲基)丙烯酸酯聚合物作為上述基質聚合物，且以具有4個以上的乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作為上述紫外線硬化性化合物為佳，以進而含有紫外線聚合引發劑及聚矽氧接枝聚合物為佳。
作為基質聚合物能夠使用通常已知的(甲基)丙烯酸酯聚合物、橡膠系黏著劑等。
(甲基)丙烯酸酯聚合物係將(甲基)丙烯酸酯單體聚合而成之聚合物。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物係亦可含有(甲基)丙烯酸酯單體以外的乙烯基化合物單體。
作為(甲基)丙烯酸酯的單體可舉出例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酸酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異佛爾酮、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等。
作為乙烯基化合物單體可適合使用具有由羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺基磺酸基、及(亞)磷酸酯基所組成群組之1種以上者。
作為具有羥基的乙烯基化合物單體可舉出例如乙烯醇等。
作為具有羧基的乙烯基化合物單體可舉出例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、伊康酸、反丁烯二酸、丙烯醯胺N-乙醇酸及桂皮酸等。
作為具有環氧基的乙烯基化合物單體可舉出例如烯丙基環氧丙基醚及(甲基)丙烯酸環氧丙基醚等。
作為具有醯胺基的乙烯基化合物單體可舉出例如(甲基)丙烯醯胺等。
作為具有胺基的乙烯基化合物單體可舉出例如(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯等。
作為具有羥甲基的乙烯基化合物單體可舉出例如N-羥甲基丙烯醯胺等。
(甲基)丙烯酸酯聚合物的製法能夠使用乳化聚合、溶液聚合等。考慮拾取性時，以能夠藉由乳化聚合來製造的丙烯酸橡膠為佳。
作為橡膠系黏著劑係例如有天然橡膠、合成異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物、丁基橡膠、聚異丁烯、聚丁二烯’聚乙烯醚、聚矽氧橡膠、聚乙烯基異丁基醚、氯丁二烯橡膠、丁腈橡膠、接枝橡膠、再生橡膠、苯乙烯-乙烯-丁烯-嵌段共聚物、苯乙烯-丙烯-丁烯-嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-嵌段共聚物、聚異丁烯-乙烯-丙烯共聚物、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚異丁烯-矽橡膠、聚乙烯基異丁基醚-氯丁二烯等，該等不僅是單獨物亦可以是混合物。
上述紫外線聚合性化合物係指能夠藉由照射紫外線而三維網狀化之在分子內至少具有2個以上光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物，例如有丙烯酸酯化合物、胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。作為丙烯酸酯化合物有三羥甲基丙烷 三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三聚氰酸丙烯酸三乙酯、市售的丙烯酸低聚酯。
作為胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，係能夠使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物、例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等反應而得到之在末端具有異氰酸胺基甲酸酯預聚物，與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯、例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、去水甘油二(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇一羥基五丙烯酸酯等反應而得到。作為紫外線及/或放射線聚合性化合物，以具有4個以上的乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物為佳。
紫外線聚合性化合物的調配量係沒有特別限定，相對於100質量份基質聚合物，以20質量份以上、200質量份以下為佳。紫外線聚合性化合物的調配量比20質量份少時，照射紫外線後的紫外線硬化型黏著劑的硬化不充分，致使黏著片與黏合劑半硬化層不容易剝離，會有拾取性產生問題之情形。又，比200質量份多之過剩調配量時，照射紫外線後的紫外線硬化型黏著劑的硬化進行，切粒時會有晶粒飛散之情形，同時反應殘渣產生微小的殘糊，在將黏附有黏合劑半硬化層的晶粒搭載在導線框架上時，會有在加溫時產生黏接不良之情形。
作為上述紫外線聚合引發劑，具體上可舉出例如4-苯氧基二氯乙醯苯、4-第三丁基二氯乙醯苯、二乙氧基乙醯苯、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-4-(十二烷基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙烷-1等的乙醯苯系紫外線聚合引發劑、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻丁基醚、2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯苯等的苯偶姻系紫外線聚合引發劑、二苯基酮、苯甲醯基苯甲酸、苯甲醯基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯基酮、羥基二苯基酮、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯基硫醚、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯基酮等的二苯基酮系紫外線聚合引發劑、噻噸酮、2-氯噻噸酮、二甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等的噻噸酮系紫外線聚合引發劑、α-醯基肟酯、醯基氧化膦、乙醛酸甲基苯酯、苯偶醯、樟腦醌、二苯并環庚酮、2-乙基蒽醌、4’,4”-二乙基間苯二甲醯基苯等的特殊紫外線聚合引發劑等。
紫外線聚合引發劑的調配量係沒有特別限定，相對於100質量份紫外線聚合性化合物，以0.1～15質量份為佳。太少時在照射紫外線時硬化作用不足，會有黏著力的降低不充分之傾向，太多時變為過剩，會有在熱或螢光燈下的安定性變差之傾向。
為了提升拾取性，必要時亦可以在紫外線硬化型黏著劑調配聚矽氧接枝聚合物。藉由採用該聚矽氧接枝聚合物，能夠使黏合劑半硬化層與紫外線硬化型黏著劑的界面之黏著性降低。
聚矽氧接枝聚合物係除了聚合在聚矽氧分子鏈的末端具有乙烯基的單體(以下稱為「聚矽氧大分子單體」)這一點以外沒有特別限定，可舉出例如聚矽氧大分子單體的同元聚合物、或聚矽氧大分子單體與其他乙烯基化合物之共聚物。聚矽氧大分子單體係適合使用聚矽氧分子鏈的末端為(甲基)丙烯醯基或苯乙烯基等的乙烯基之化合物。
作為其他的乙烯基化合物，以與在黏著劑所調配的其他聚合物的相溶性高之(甲基)丙烯酸單體為佳。因為使用相溶性高者，黏著劑整體變為均勻。
矽接枝聚合物的調配量係沒有特別限定，相對於100質量份基質聚合物，以0.1質量份以上、10質量份以下為佳。矽接枝聚合物的調配量小於0.1質量份時，黏著片與黏合劑半硬化層不容易剝離，會有晶粒的拾取性產生問題之情形。又，比10質量份多之過剩調配量時，初期的黏著力降低，在切粒時會有從環框架(ring frame)剝離之情形。
在紫外線硬化型黏著劑，為了任意地設定初期黏著力，亦可按照必要而調配硬化劑。藉由採用該硬化劑，來提高作為黏著劑之凝集力，即便照射紫外線前(未照射)的狀態，貼合時亦不會產生污染，而能夠得到再剝離性。
作為硬化劑，有異氰酸酯系、環氧系、吖環丙烷系等物，該等不僅是單獨物亦可以是混合物。作為上述異氰酸酯係多價異氰酸酯、例如有2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、伸苯基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯等。
紫外線硬化型黏著劑通常係以5～70微米的厚度形成。這是因為太厚時藉由照射紫外線的硬化變慢，太薄時無法將黏著力設定為較高之緣故。在該黏著劑能夠適當地選擇先前眾所周知的黏著賦予樹脂、填料、防老劑、軟化劑、安定劑或著色劑等而添加。
<黏著片>
黏著片係藉由在基材薄膜上塗布紫外線照射型黏著劑來製造，且係由基材薄膜及在該基材薄膜上積層而成的紫外線照射型黏著劑層所構成。基材薄膜的厚度以30微米以上為佳，以60微米以上為更佳。又，基材薄膜的厚度以300微米以下為佳，以200微米以下為更佳。
基材薄膜的原料係例如有聚氯乙烯、聚對酞酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、熱塑性烯烴系彈性體、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、及使用金屬離子將乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯而成之離子聚合物樹脂。基材薄膜亦可使用該等樹脂的混合物、共聚物及多層薄膜等。
在上述原料中，基材薄膜的原料以使用離子聚合物樹脂為佳。離子聚合物樹脂之中，因為具有抑制產生鬚狀的切削屑之效果，以使用Na+ 、K+ 、Zn2+ 等的金屬離子將具有乙烯單位、(甲基)丙烯酸單位及(甲基)丙烯酸烷酯單位之共聚物交聯而成之離子聚合物樹脂為佳。
基材薄膜的成型方法係例如有壓延機成形法、T字型模頭擠出法、吹塑法及鑄塑法等。
在基材薄膜上形成紫外線照射型黏著劑層而作為黏著片之方法，係例如有使用凹版塗布器、刮刀式塗布器(comma coater)、棒塗布器、刮刀塗布器(knife coater)或輥塗布器等塗布器將黏著劑直接塗布基材薄膜之方法。亦可使用凸版印刷、平版印刷、柔版(flexo)印刷、膠版印刷或網版印刷等將黏著劑印刷在基材薄膜上。
<黏合劑半硬化層>
黏合劑半硬化層係在半導體晶圓的背面亦即用以與導線框架電路基板黏接之非電路形成面，全面塗布糊狀黏合劑，並對其加熱或照射紫外線使其半硬化成為片狀，來形成黏合劑半硬化層。
黏合劑半硬化層的材質可以是通常所使用的黏著劑或黏合劑的成分。作為黏著劑係例如有環氧樹脂、聚醯胺、丙烯酸酯及聚醯亞胺等。作為黏合劑係例如有丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚醯胺、聚乙烯、聚碸、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺酸、矽、苯酚、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物及氟樹脂等，以聚醯亞胺為佳。
黏合劑半硬化層能夠使用該等黏著劑或黏合劑成分的混合物、共聚物及積層體。在黏合劑半硬化層，亦可按照必要混合硬化劑、紫外線聚合引發劑、防靜電劑、硬化促進劑等的添加劑。
[實施例] <實驗材料的調製>
實施例之各種實驗材料係依照以下的處方製造。
作為黏著片的材料係備齊如以下者。
基質聚合物：在54%丙烯酸乙酯、22%丙烯酸丁酯、24%丙烯酸甲氧基乙酯的共聚物，藉由懸浮聚合而得到之(甲基)丙烯酸酯聚合物(本公司聚合品)
紫外線聚合性化合物A：在使聚(環氧丙烷)二醇的末端與六亞甲基二異氰酸酯(脂肪族二異氰酸酯)的三聚物反應而成之未端異氰酸酯低聚物，進而與二新戊四醇五丙烯酸酯反應而成之末端丙烯酸酯低聚物。數量平均分子量(Mn)為3,700且丙烯酸酯官能數為15個(15官能)的胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(本公司聚合品)
紫外線聚合性化合物B：新戊四醇五丙烯酸酯(新中村化學工業公司製NK ESTER A-TMM-3L)
紫外線聚合引發劑：苄基二甲基縮酮(CIBA JAPAN公司製IRGACURE 651(註冊商標))
聚矽氧接枝聚合物：將30質量份聚矽氧接枝低聚物、20質量份丙烯酸丁酯、30質量份甲基丙烯酸甲酯及20質量份丙烯酸2-羥基甲酯聚合而成之矽接枝聚合物(本公司聚合品)
矽接枝低聚物：在矽分子鏈的末端具有甲基丙烯醯基之矽接枝低聚物(本公司聚合品)
硬化劑：1,6-六亞甲基二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成物(日本POLYURETHANE公司製CORONATE(註冊商標))對應各實驗號碼之黏著劑的主要成分及其調配量係如表1所示，在調製各黏著劑時，係添加該等在表中所示的成分並調配3質量份的硬化劑。
隨後，將黏著劑塗布在PET分離薄膜上，且以乾燥後的黏著劑層的厚度為10微米之方式塗布，並層積於基材薄膜來得到黏著片。作為基材薄膜係使用由以乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷酯共聚物的Zn鹽作為主體之離子聚合物樹脂所構成，熔體流動黏度(MFR)為1.5克/10分鐘(JIS K7210、210℃)、熔點為96℃、含Zn2+ 離子之薄膜(Mitsui Dupont Polychemical公司製Hymiran1650(註冊商標))。
作為黏合劑半硬化層係備齊如以下者。黏合劑半硬化層A：使用環氧系黏合劑作為糊狀黏合劑，並全面塗布在直徑為8英吋×厚度0.1毫米的半導體晶圓的背面，並在110℃加熱3分鐘而成之厚度為30微米之薄片。黏合劑半硬化層B：使用含有丙烯酸樹脂及環氧樹脂的黏合劑作為糊狀黏合劑，並全面塗布在直徑為8英吋×0.1毫米的半導體晶圓的背面，並在氮氣環境下使用高壓水銀燈照射紫外線1000mJ/cm2 而成之厚度為30微米之薄片。
<貼合步驟>
使用TECHNOVISION製FM-3343，並將黏著片黏在半導體晶圓的背面所形成的黏合劑半硬化層上。
<照射紫外線步驟>
使用高壓水銀燈從上述貼合步驟的試料之黏著片側照射紫外線150mJ/cm2 。
<切粒步驟>
黏著片的切入量為25微米。切粒係以10毫米×10毫米的晶粒尺寸來進行。切粒裝置係使用DISCO公司製DAD341。切粒刀片係使用DISCO公司製NBC-ZH2050-27HEEE。
切粒刀片形狀：外徑為55.56毫米、刀刃寬度：35微米、內徑為19.05毫米
切粒刀片轉速：40,000rpm
切粒刀片前進速度：50毫米/秒
切削水溫度：25℃
切削水：1.0升/分鐘
<切粒步驟>
切粒裝置係使用Canon Machinery公司CAP-30011。
針銷(needle pin)數目：5
針銷高度：0.3毫米
擴展量：4毫米
<實驗結果的評價>
晶粒保持性：評價使用前述條件將半導體晶圓切粒時，附黏合劑半硬化層的晶粒被保持在黏著片的數目。
◎(優)：被保持在黏著片的晶粒為95%以上
○(良)：被保持在黏著片的晶粒為90%以上、小於95%
×(差)：被保持在黏著片的晶粒為小於90%
拾取性：評價使用前述條件將半導體晶圓切粒時，能夠以黏附有黏合劑半硬化層的狀態將晶粒拾取的數目。
◎(優)：能夠拾起95%以上的晶粒。
○(良)：能夠拾起80%以上、小於95%的晶粒。
×(差)：能夠拾起小於80%的晶粒。
切粒性：以黏附有黏合劑半硬化層的狀態將晶粒拾取後，使用顯微鏡的倍率為300倍觀察20條黏著片的切粒線，評價在黏著片有無黏合劑半硬化層的殘渣物。
◎(優)：無黏合劑半硬化層的殘渣物
○(良)：在10%以上的切粒線有黏合劑半硬化層的殘渣物
×(差)：在50%以上的切粒線有黏合劑半硬化層的殘渣物
從表1的結果得知，比較例6的實驗，因為未進行照射紫外線，所以拾取性或切粒性差。相對地，在具有本發明的構成之實施例，在切粒時之各特性評價，都得到良好的結果。
依照本發明的切粒方法，藉由預先使紫外線硬化型黏著劑的黏著力降低且同時提高凝集力，能夠抑制在切粒後拾取附黏合劑半硬化層的晶粒時之拾取不良。

Claims (2)

  1. 一種附黏合劑半硬化層的半導體晶圓之切粒方法，其係具備以下步驟：在半導體晶圓的背面塗布糊狀黏合劑，並藉由對該糊狀黏合劑加熱或照射紫外線使其半硬化為薄片狀而形成黏合劑半硬化層之步驟；將在基材薄膜積層紫外線硬化型黏著劑而成之黏著片，以該紫外線硬化型黏著劑與該黏合劑半硬化層相接著的方式，貼合在該黏合劑半硬化層之貼合步驟；對上述紫外線硬化型黏著劑進行照射紫外線之紫外線照射步驟；以及將貼合於該黏著片之該黏合劑半硬化層及該半導體晶圓進行切粒之切粒步驟，且該紫外線硬化型黏著劑係至少含有(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上的乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、紫外線聚合引發劑及聚矽氧接枝聚合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之切粒方法，其中該黏合劑半硬化層係至少含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂，且該黏合劑半硬化層的厚度為10微米以上。
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