TWI458003B

TWI458003B - 切割方法

Info

Publication number: TWI458003B
Application number: TW098107495A
Authority: TW
Inventors: 齊藤岳史; 高津知道
Original assignee: 電氣化學工業股份有限公司
Priority date: 2008-05-29
Filing date: 2009-03-09
Publication date: 2014-10-21
Also published as: JPWO2009144985A1; US8114759B2; US20110065261A1; MY155357A; WO2009144985A1; KR20110027698A; CN102047393A; TW200949922A; CN102047393B; KR101559190B1

Description

切割方法

本發明係關於將附有黏晶薄膜之半導體晶圓切割成晶片狀的切割方法。

在電子零件製造方法之一種，周知的製造方法係具有下列步驟，黏貼步驟：將在晶圓或絕緣基板上形成有複數個電路圖型的電子零件聚集體(aggregate)黏貼於黏著薄片；切斷、分離步驟(切割步驟)：將所黏貼的晶圓或電子零件聚集體予以個別切斷進行晶片化；紫外線照射步驟：在該切割步驟後，使紫外線自黏著薄片側照射以減低黏著劑層的黏著力；拾取步驟：將被切斷的個別晶片從黏著薄片拾取；及固定步驟：在已拾取晶片之底面塗布黏接劑後，以此黏接劑使晶片固定於引導框架(lead frame)等。

在切斷步驟方面，周知有將晶圓或電子零件聚集體黏貼於黏著薄片，進而將黏著薄片固定於環狀框架(ring frame)之後切斷成個別晶片並予分離(切割)之方法。

有提案關於藉由在此製造方法所使用之黏著薄片上積層黏晶薄膜，而兼具有切割用黏著薄片之功能，及使晶片固定於引導框架(lead frame)等的黏接劑之功能的黏著薄片(黏晶薄膜一體型薄片)之使用方法(參照專利文獻1、專利文獻2)。藉由將黏晶薄膜一體型薄片使用於電子零件之製造，而可將切割後黏接劑之塗布步驟予以省略。

又，黏晶薄膜一體型薄片，與使用黏接劑於晶片與引導框架(lead frame)之黏接方法比較，以黏接劑部分之厚度控制或黏接劑之溢出(extrusion)抑制較為優異。黏晶薄膜一體型薄片可被利用於晶片尺寸封裝體、堆疊封裝體(stack package)、及系統級封裝體(system in package)等電子零件之製造。

但是，伴隨半導體零件之高積體化，晶片尺寸變大且變薄，使得切割後晶片的拾取作業變的困難之案例持續增加。

再者，在切割時，不僅是半導體晶圓，乃至於黏晶薄膜、及黏著薄片之黏著劑層，為了切割則在切割作業線產生黏晶薄膜與黏著劑層之夾雜其中，即使在充分謀求在切割後進行紫外線照射的黏著力可予減低之情形也會有拾取時剝離容易性劣化，亦有產生拾取不良之情形。

【專利文獻1】日本特開2006-049509號公報

【專利文獻2】日本特開2007-246633號公報

本發明係鑑於上述情事而完成者，其係提供一種半導體晶圓切割方法，在拾取時黏著薄片與黏晶薄膜間之剝離容易，如此一來切割後晶片之拾取作業可容易進行。

根據本發明，係提供一種附有黏晶薄膜半導體晶圓之切割方法，其特徵為含有下列步驟：第一貼合步驟：在使紫外線硬化型黏著劑積層於基材薄膜的黏著薄片上黏貼黏晶薄膜；第二貼合步驟：在黏貼於上述黏著薄片的黏晶薄膜的相反側表面上黏貼半導體晶圓；紫外線照射步驟：對紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射；及切割步驟：將黏貼於黏著薄片之黏晶薄膜與半導體晶圓予以切割。

在本發明之切割方法中，藉由在第二貼合步驟與切割步驟間設置對紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射的紫外線照射步驟，可預先使紫外線硬化型黏著劑之黏著力降低，另一方面可提高凝聚力。因此，在切割後於拾取附有黏晶薄膜之晶片之際，可減低對切割作業線之黏晶薄膜與黏著薄片之紫外線硬化型黏著劑層之夾雜其中，抑制拾取不良。

[實施發明之最佳態樣]

就本發明之一實施形態的切割方法說明如下。

此外，本說明書中，單體係指所謂單體本身，或者來自單體之構造之意。本說明書之“份”及“%”，在無另行記載係指質量基準。本說明書中(甲基)丙烯醯基係指丙烯醯基及甲基丙烯醯基之總稱。與含有(甲基)丙烯酸等(甲基)之化合物等相同，在名稱中係指具有「甲基」之化合物與不具有「甲基」之化合物的總稱。丙烯酸胺甲酸酯寡聚物之官能基數係指每一個丙烯酸胺甲酸酯寡聚物分子之乙烯基數之意。

本發明之一實施形態的切割方法，係具有下列步驟：第一貼合步驟：在積層紫外線硬化型黏著劑於基材薄膜的黏著薄片黏貼黏晶薄膜；第二貼合步驟：在黏貼於該黏著薄片的該黏晶薄膜的相反側之面黏貼半導體晶圓；紫外線照射步驟：在該紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射；切割步驟：將黏貼於該黏著薄片之該黏晶薄膜與該半導體晶圓予以切割。

就上述切割方法之各步驟加以說明如下。

<第一貼合步驟>

在本實施形態之切割方法中，含有第一貼合步驟：將紫外線硬化型黏著劑積層於基材薄膜之黏著薄片上黏貼黏晶薄膜。

(黏著薄片)

黏著薄片係將紫外線照射型黏著劑塗布於基材薄膜上而製造，係由基材薄膜，與積層於該基材薄膜上而成之紫外線照射型黏著劑層所形成。

(基材薄膜)

基材薄膜之厚度以30μm以上為佳，在拾取步驟之黏著薄片擴張時因黏著薄片之防止裂開之理由，則以60μm以上進而為佳。又，基材薄膜厚度以300μm以下為佳，而由於在拾取步驟之黏著薄片擴張時之高擴張性之理由而言，以200μm以下更佳。

基材薄膜之材料並無特別限定，可例舉例如將聚氯乙烯、聚對酞酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、熱塑性烯烴系彈性體、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等以金屬離子進行交聯而成的離子性聚合物(ionomer)樹脂。在基材薄膜可使用該等樹脂之混合物、共聚物、及多層薄膜等。

基材薄膜之材料以使用離子性聚合物樹脂為佳。在離子性聚合物樹脂中係使用將具有乙烯單位、(甲基)丙烯酸單位、及(甲基)丙烯酸烷酯單位的共聚物以Na⁺ 、K⁺ 、Zn²⁺ 等金屬離子經交聯的離子性聚合物樹脂時，因可抑制鬚狀的切削廢料(cut refuse)發生，故可適當使用。

基劑薄膜特佳為熔融率(MFR)為0.5~6.0g/10分(JIS K7210,210℃)。

又，基劑薄膜特佳為含有熔點80~98℃，Zn²⁺ 離子的薄膜。

基材薄膜之成型方法並無特別限定，可例舉例如壓延(calender)成形法、T模擠壓法、膨脹(inflation)法、及鑄塑法等。

該等中尤以T模擠壓法，就可提高基材薄膜之厚度精度這點為佳。

在基材薄膜上形成紫外線照射型黏著劑層成為黏著薄片之方法並無特別限定，可例舉以例如凹版印刷(gravure)塗布機、切角塗布機(comma coater)、棒塗布機、刀塗布機、或輥塗布機等之塗布機在基材薄膜上直接塗布黏著劑之方法。以凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、快乾印刷(flexographic print)、套版印刷(offset print)、或網版印刷等將黏著劑印刷於基材薄膜亦可。

該等中尤以切角塗布法、因可提高生產性、厚度精度之理由為佳。

(紫外線硬化型黏著劑)

設置於該基材薄膜上之紫外線硬化型黏著劑可採用先前周知之物。紫外線硬化型黏著劑之成分及紫外線所照射之際的作用，係以為主劑之基質聚合物使其發揮黏著力，以接受紫外線的紫外線聚合引發劑將具有不飽和鍵之紫外線聚合性化合物製成三次元網眼狀構造並予以硬化(降低黏著力)之物。

另外，為要提高拾取性，在上述基質聚合物方面以(甲基)丙烯酸酯聚合物為佳，上述紫外線聚合性化合物方面以具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺甲酸酯寡聚物為佳，進而以含有紫外線聚合引發劑與聚矽氧接枝聚合物為佳。

上述基質聚合物方面，可使用一般所知的(甲基)丙烯酸酯聚合物、橡膠系黏著劑等。

(甲基)丙烯酸酯聚合物係將(甲基)丙烯酸酯單體聚合之聚合物。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物亦可含有(甲基)丙烯酸酯單體以外的乙烯基化合物單體。

(甲基)丙烯酸酯之單體方面，有例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸硬脂醯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異降莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧基-正丙酯等。

該等中尤以紫外線硬化型黏著劑含有(甲基)丙烯酸丁酯與(甲基)丙烯酸乙酯為佳。這是因為可充分獲得紫外線硬化型黏著劑初期之黏著力，可使黏著薄片之對環狀框架(ring frame)之固定更為確實之故。

在乙烯化合物單體方面、可適當使用一種以上由羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、碸酸基、氨基磺酸基、及(亞)磷酸酯基所成具有官能基群之物。

在具有羥基之乙烯化合物單體方面，有例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、乙烯醇等。

在具有羧基之乙烯化合物單體方面，有例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、伊康酸、反丁烯二酸、丙烯醯胺N-羥乙酸、及桂皮酸等。

在具有環氧基的乙烯化合物單體方面，有例如烯丙基環氧丙基醚、及(甲基)丙烯酸環氧丙基醚等。

在具有醯胺基之乙烯化合物單體方面，有例如(甲基)丙烯醯胺等。

在具有胺基之乙烯化合物單體方面，有例如N,N-二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等。

在具有羥甲基之乙烯基化合物單體方面，有例如N-羥甲基丙烯醯胺等。

(甲基)丙烯酸酯聚合物之製造方法可使用乳化聚合、溶液聚合等。(甲基)丙烯酸酯聚合物在考慮到拾取性之情形，以由乳化聚合所製造之丙烯酸橡膠為佳。

上述橡膠系黏著劑方面，有例如天然橡膠、合成異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、苯乙烯‧丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯‧異戊二烯嵌段共聚物、丁基橡膠、聚異丁烯、聚丁二烯、聚乙烯醚、聚矽氧橡膠、聚乙烯異丁基醚、氯丁二烯橡膠、腈橡膠、接枝橡膠、再生橡膠、苯乙烯‧乙烯‧丁烯‧嵌段共聚物、苯乙烯‧丙烯‧丁烯‧嵌段共聚物、苯乙烯‧異戊二烯‧嵌段聚合物、聚異丁烯‧乙烯‧丙烯共聚物、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚異丁烯‧矽橡膠、聚乙烯基異丁基醚‧氯丁二烯等。該等可為不僅是單一物的混合物。

在基質聚合物方面、尤以丙烯酸乙酯35~75質量%、丙烯酸丁酯10~30質量%、丙烯酸甲氧基乙酯15~35質量%之共聚物、藉由乳化聚合所得之(甲基)丙烯酸酯聚合物為佳。這是因為在黏著薄片初期之黏著力為充分，故對黏著薄片之環狀框架的固定可更為確實之故。

紫外線聚合性化合物係指，藉由紫外線之照射而可予以三次元網狀化之，分子內具有至少二個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物之意。

紫外線聚合性化合物方面，可使用例如三丙烯酸三羥甲基丙酯、四丙烯酸四羥甲基甲酯、三丙烯酸新戊四醇酯、四丙烯酸新戊四醇酯、五丙烯酸二新戊四醇單羥酯、六丙烯酸二新戊四醇酯、1,4-二丙烯酸丁二醇酯、二丙烯酸1,6-己烷二醇酯、聚二丙烯酸乙二醇酯、丙烯酸三聚氰酸三乙酯、市售之寡酯丙烯酸酯等。

該等中尤以六丙烯酸二新戊四醇酯為佳。這是因為紫外線照射後紫外線硬化型黏著劑之硬化為充分，使得黏著薄片與黏晶薄膜容易地剝離、因而可獲得晶片良好的拾取性。

進而作為紫外線聚合性化合物，除了上述般之丙烯酸酯系化合物之外，亦可使用丙烯酸胺甲酸酯寡聚物。

丙烯酸胺甲酸酯寡聚物係在聚酯型或者聚醚型等的聚醇化合物、與多價異氰酸酯化合物、例如二異氰酸2,4-甲伸苯酯、二異氰酸2,6-甲伸苯酯、二異氰酸1,3-二甲苯酯、二異氰酸1,4-二甲苯酯、4,4-二異氰酸二苯基甲酯、二異氰酸三甲基六亞甲酯、二異氰酸六亞甲酯、二異氰酸異佛爾酮酯等予以反應所得末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚物上，使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、三丙烯酸新戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸去水甘油酯、五丙烯酸二新戊四醇單羥酯等予以反應所得。

紫外線聚合性化合物方面，具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺甲酸酯寡聚物在紫外線照射後之紫外線硬化型黏著劑的硬化為充分，黏著薄片與黏晶薄膜容易剝離，因可獲得良好拾取性故佳。

以紫外線量部以上200質量份以下為佳。

若紫外線聚合性化合物之配合量為10質量份以上時，在紫外線照射後紫外線硬化型黏著劑之硬化為充分，黏著薄片與黏晶薄膜易於剝離，可獲得良好的拾取性。

又，若紫外線聚合性化合物之配合量為200質量份以下時，紫外線照射後紫外線硬化型黏著劑之硬化並不過度進行(progressing excessively)，在切割時晶片飛散，或產生反應殘渣所致微小的黏著劑殘留(adhesive remaining)，在將附著有黏晶薄膜的晶粒(die chip)搭載於引導框架(lead frame)上之際在加溫時並無產生黏接不良等的情形。

上述紫外線聚合引發劑方面，具體言之有例如4-苯氧基二氯苯乙酮、4-三級丁基二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等之苯乙酮系紫外線聚合引發劑、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等之安息香系紫外線聚合引發劑、二苯基酮、苯甲醯基苯甲酸、苯甲醯基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯基酮、羥二苯基酮、4-苯醯基-4’-甲基二苯基硫化物(sulfide)、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯基酮等之二苯基酮系紫外線聚合引發劑、9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、2,4-二異丙基9-氧硫等之9-氧硫系紫外線聚合引發劑、α-酸基(acyloxy)酯、氧化醯基膦、乙醛酸(glyoxylate)甲基苯酯、苄基、樟腦(camphor)醌、二苯并環庚酮(suberone)、2-乙基蒽醌、4’,4”-二乙基異二苯基酞酮(isophathalophenone)等的特殊紫外線聚合引發劑等。

上述紫外線聚合引發劑之配合量並無特別限定，相對於紫外線聚合性化合物100質量份宜為0.1~15質量份。

紫外線聚合引發劑之配合量在0.1重量份以上之情形下，在紫外線照射中可得硬化作用，可充分降低黏著薄片之黏著力。又，若紫外線聚合引發劑之配合量為15質量份以下時，在熱或螢光燈下亦可獲得黏著薄片之充分穩定性。

在紫外線硬化型黏著劑為提高拾取性，可因應需要配合聚矽氧接枝聚合物。藉由採用該聚矽氧接枝聚合物，可使黏晶薄膜與紫外線硬化型黏著劑界面之密接性降低。

聚矽氧接枝聚合物，除了係在聚矽氧分子鏈末端聚合有具有乙烯基的單體(以下稱為「聚矽氧巨單體(macromonomer)」)之物這點以外，其他則並無特別限定，可例舉例如聚矽氧巨單體之同元聚合物，或聚矽氧巨單體與其他乙烯基化合物之共聚物。聚矽氧巨單體以聚矽氧分子鏈末端成為(甲基)丙烯醯基或者苯乙烯基等的乙烯基化合物可適當使用。

聚矽氧接枝聚合物方面，尤其是在具有(甲基)丙烯醯基之聚矽氧巨單體5~95質量份、甲基丙烯酸甲酯5~95質量份予以聚合所成之聚矽氧接枝聚合物中，藉由使用具有羥基之引發劑進行聚合，而可在聚矽氧接枝聚合物之末端，及/或側鏈具有至少一個羥基之物為佳。這是因為黏著薄片與黏晶薄膜容易剝離，因而使得晶粒之拾取性為良好之故。

該其他乙烯基化合物方面，宜為配合於黏著劑之其他聚合物的相溶性高之(甲基)丙烯酸單體。在使用相溶性高的物質時，因而黏著劑全體成為均質。

聚矽氧接枝聚合物之配合量並無特別限定，相對於基質聚合物100質量份，宜為使聚矽氧接枝聚合物之配合量為0.1質量份以上、10質量份以下。

若聚矽氧接枝聚合物之配合量為0.1質量份以上時，黏著薄片與黏晶薄膜可容易地剝離，而晶粒之拾取性則為良好。又，若聚矽氧接枝聚合物之配合量為10質量份以下時，因黏著薄片初期黏著力為充分，故可使對環狀框架之固定更為確實。

在紫外線硬化型黏著劑，為了可任意設定黏著薄片之初期黏著力，係可因應需要配合硬化劑。藉由該硬化劑之採用，作為黏著劑可提高凝聚力，即使在紫外線照射前(未照射)之狀態亦不會產生貼合時之污染，而可獲得再剝離性。

該硬化劑方面，則有異氰酸酯系、環氧基系、氮雜環丙烷系等之物等，不僅為該等之單一物，亦可為混合物。上述異氰酸酯可列舉，有多價異氰酸酯化合物，例如二異氰酸2,4-甲伸苯酯、二異氰酸2,6-甲伸苯酯、二異氰酸1,3-亞二甲苯酯、二異氰酸1,4-二甲苯酯、4,4’-二異氰酸二苯基甲酯、2,4’-二異氰酸二苯基甲酯、二異氰酸3-甲基二苯基甲酯、二異氰酸六亞甲酯、二異氰酸異佛爾酮酯、4,4’-二異氰酸二環己基甲酯、2,4’-二異氰酸二環己基甲酯、離胺酸異氰酸鹽、二異氰酸伸苯酯、二異氰酸甲伸苯酯、二苯甲基二異氰酸酯、二異氰酸環己酯、及該等三羥甲基丙烷加成物(adduct)，與水反應之縮二脲(biuret)體，或具有異三聚氰酸酯環之三聚物等。

該等中尤以二異氰酸六亞甲酯之三羥甲基丙烷加成物體為佳。這是因為黏著薄片初期的黏著力為充分，故黏著薄片對環狀框架之固定可確實故佳。

此外，紫外線照射型黏著劑，一般係由5~70μm厚度所形成。紫外線照射型黏著劑之厚度在此範圍時，可加速紫外線照射所致硬化，而具有黏著力變高等之優點。

又，在該黏著劑可適宜選擇並添加以前周知的賦予黏著樹脂、填充劑、抗老化劑、軟化劑、穩定劑或者著色劑等。

(黏晶薄膜)

黏晶薄膜係將黏著劑或黏接劑成形為薄膜狀的黏著性之薄片。黏晶薄膜係在由PET樹脂等所成剝離用薄膜等在積層黏接劑或黏著劑之狀態下於市面販售，必可將黏接劑或黏著劑轉印於黏附體(adherend)。

黏晶薄膜之材質，若為一般所使用的黏著劑或黏接劑之樹脂成分則佳。例如可列舉環氧基、聚醯胺、丙烯酸、聚醯亞胺、乙酸乙烯酯、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‧丙烯酸酯共聚物、聚乙烯、聚碸、聚醯胺酸、聚矽氧、酚、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物、及氟樹脂等。

該等樹脂中，尤以丙烯酸，與環氧基之混合物為佳。這是因為將附著有黏晶薄膜之晶粒搭載於引導框架(lead frame)上之際，黏著薄片之黏接特性為良好之故。

在黏晶薄膜，可使用該等成分之混合物、共聚物、及層合物。在黏晶薄膜，可因應需要例如混合硬化劑、紫外線聚合引發劑、抗靜電劑、硬化促進劑等添加物。

<第二貼合步驟>

在本實施形態之切割方法中，在該第一貼合步驟之後，含有第二貼合步驟，其在黏貼於該黏著薄片之該黏晶薄膜相反側之表面上黏貼半導體晶圓。

在第二貼合步驟中係使用貼模機(tape mounter),在加溫半導體晶圓溫後，黏貼黏晶薄膜面。就半導體晶圓與黏晶薄膜黏接性之點而言，加溫時的溫度以40℃以上、未達90℃為佳。

<紫外線照射步驟>

在本實施形態之切割方法中，在該第二貼合步驟之後，含有紫外線照射步驟，其係在該紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射。

在紫外線照射步驟中紫外線之光源並無特別限定，可使用周知之物。紫外線之光源方面，可例舉黑光燈(black light)、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、準分子燈等。

紫外線之照射光量並無特別限定，可依據紫外線硬化型黏著劑之設計而適當地選擇，一般而言以5mJ/cm² 以上、1000mJ/cm² 以下為佳。

紫外線之照射光量在5mJ/cm² 以上之情形，紫外線硬化型黏著劑之硬化為充分，拾取性為良好。又，紫外線之照射光量為1000mJ/cm² 以下之情形，以短時間之紫外線照射可進行硬化。

<切割步驟>

在本實施形態之切割方法中，在該紫外線照射步驟之後，含有切割步驟，其為將黏貼於該黏著薄片之該黏晶薄膜與該半導體晶圓進行切割。

在切割步驟中，使用切割裝置，在將含有金剛石研磨粒之切割刀進行高速旋轉，而可切斷半導體晶圓。

如以上方式，在本發明切割方法中，係在第二貼合步驟與切割步驟間設置紫外線照射步驟，以對紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射，藉此可預先降低紫外線硬化型黏著劑之黏著力，另一方面，則可提高凝聚力。因此，在切割後於拾取附有黏晶薄膜之晶片之際，可減低在切割作業線之黏晶薄膜與黏著薄片之紫外線硬化型黏著劑層的夾雜，而可抑制拾取不良。

另外，在該切割步驟後，亦與之前方法相同，當然可再次設計紫外線照射步驟或輻射線照射步驟。

又，在該切割步驟後，或再一次之紫外線照射步驟後，亦可設置拾取步驟，其從黏著薄片拾取被切斷的各個晶片。

又，該紫外線硬化型黏著劑亦可含有：(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基之丙烯酸胺甲酸酯寡聚物、紫外線聚合引發劑、及聚矽氧接枝聚合物。藉此，可達成提高晶片之拾取性的效果。

又，該黏晶薄膜至少具有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂，該黏晶薄膜之厚度可為10μm以上。藉此，將附著有黏晶薄膜的晶粒搭載於引導框架上之際，可達成獲得黏著薄片之良好黏接特性等之效果。

以上，係就本發明之實施形態之述明，該等係本發明之例示，並可採用上述以外之各種構成。

以實施例進一步說明本發明如下，然而本發明並非限定於該等。

<實驗材料之調製>

作為黏著薄片之材料，準備以下之物。

‧基質聚合物：丙烯酸乙酯54質量%、丙烯酸丁酯22質量%、丙烯酸甲氧基乙酯24質量%之共聚物，藉由乳化聚合所得之(甲基)丙烯酸酯聚合物(本公司聚合品)。

‧紫外線聚合性化合物A：在聚(環氧丙烷)二醇之末端使二異氰酸六亞甲酯(脂肪族二異氰酸酯)之三聚物反應所成之末端異氰酸酯寡聚物上，進一步使五丙烯酸二新戊四醇酯反應所成末端丙烯酸酯寡聚物。數量平均分子量(Mn)為3,700且丙烯酸酯官能基數15個(15官能)之丙烯酸胺甲酸酯寡聚物(本公司聚合品)。

‧紫外線聚合性化合物B：新戊四醇五丙烯酸酯(新中村化學公司製、NK酯A-TMM-3L)。

‧紫外線聚合引發劑：苄基二甲基縮酮(日本Ciba公司製，製品名Irgacure 651)。

‧聚矽氧接枝聚合物：聚矽氧巨單體30質量份，使用具有二個羥基之甲基丙烯酸甲酯70質量份的引發劑予以聚合而成，含羥基聚矽氧之接枝聚合物(本公司聚合品)。聚矽氧巨單體係使用在聚矽氧分子鏈末端上具有甲基丙烯醯基的聚矽氧巨單體(本公司聚合品)。

‧硬化劑：1,6-二異氰酸六亞甲酯之三羥甲基丙烷加合物(日本聚胺甲酸乙酯公司製，製品名Coronet HL)。

與實施例相關之實驗材料係以下述處方製造。表1表示上述物質配合比一覽表。

對應於各實驗號數的黏著劑主要成分與其配合量係如表1所示。此外，在各黏著劑調製時，除了該等表所示成分以外，亦配合有硬化劑3質量份。

接著，將黏著劑塗布於PET分隔薄膜上，進行塗膜以使乾燥後黏著劑層之厚度成為10μm，積層於基材薄膜獲得黏著薄片。

在基劑薄膜方面，係使用由使乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷酯共聚物之Zn鹽作為主體的離子性聚合物樹脂所成，熔融率(MFR)為1.5g/10分(JIS K7210、210℃)、熔點96℃，含有Zn²⁺ 離子的薄膜(三井‧杜邦聚化學品公司製，製品名Himirane1650)。

作為黏晶薄膜則準備以下之物。

黏晶薄膜：為厚度30μm的薄膜，其組成有丙烯酸樹脂及環氧樹脂之混合物。

在評價上係使用直徑6英吋×厚度0.1mm的半導體晶圓。

<貼合步驟>

將黏晶薄膜黏貼於黏著薄片，在黏貼於該黏著薄片之該黏晶薄膜相反側的表面上黏貼半導體晶圓。

<紫外線照射步驟>

由上述貼合步驟之試料的黏著薄片側以高壓水銀燈照射紫外線。藉由此紫外線照射而可減低黏著劑層之黏著力。

<切割步驟>

將所黏貼的晶圓予以個別切斷‧分離進行晶片化。對黏著薄片之截割(slitting)量為30μm。切割係在10mm×10mm之晶片尺寸進行。

切割裝置係使用DISCO公司製DAD341。切割刀係使用DISCO公司製NBC-ZH205O-27HEEE。

切割刀形狀：外徑55.56mm，刃寬35μm，內徑19.05mm

切割刀旋轉數：40,000rpm

切割刀饋送速度：80mm/秒

切削(cutting)水溫度：25℃。

切削水量：1.0L/分。

<拾取步驟>

從黏著薄片拾取所切斷之各個晶片。

拾取裝置係使用佳能機器公司製CAP-300II。

針銷(needle pin)之數：5

針銷之高度：0.3mm

擴充(expanded)量：5mm

<實驗結果之評價>

晶片保持性：在將半導體晶圓於該條件下進行切割之際，對附有黏晶薄膜的晶片保持於黏著薄片上之數進行評價。

◎(優)：保持於黏著薄片上之晶片為95%以上。

○(良)：保持於黏著薄片的晶片為90%以上、未達95%。

×(不可)：保持於黏著薄片的晶片未達90%。

拾取性：將半導體晶圓以該條件切割後，在附著黏晶薄膜的狀態下對可拾取晶片的數進行評價。

◎(優)：可拾取95%以上晶片。

○(良)：可拾取80%以上、未達95%之晶片。

×(不可)：可拾取未達80%之晶片。

由上表結果可知，根據本發明的切割方法，係預先使紫外線硬化型黏著劑的黏著力降低，另一方面可提高凝聚力。因此，在切割後於拾取附有黏晶薄膜的晶片之際，可抑制拾取不良。

Claims

一種附有黏晶薄膜的半導體晶圓之切割方法，其特徵為含有下列步驟：第一貼合步驟：在使紫外線硬化型黏著劑積層於基材薄膜的黏著薄片上黏貼黏晶薄膜，該紫外線硬化型黏著劑含有：(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基的丙烯酸胺甲酸酯寡聚物、紫外線聚合引發劑、及相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份為0.1質量份以上10質量份以下之聚矽氧接枝聚合物、第二貼合步驟：在黏貼於黏著薄片的黏晶薄膜的相反側表面上黏貼半導體晶圓、紫外線照射步驟：對紫外線硬化型黏著劑進行紫外線照射、及切割步驟：將黏貼於黏著薄片之黏晶薄膜與半導體晶圓予以切割。
如申請專利範圍第1項之切割方法，其中黏晶薄膜至少具有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂，黏晶薄膜之厚度為10μm以上。