TWI414578B - 半導體基板加工用黏著片材 - Google Patents
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Description
本發明係關於半導體基板加工用黏著片材,更詳細而言,本發明係關於包括基材及含有特定成分之黏著劑層之半導體基板加工用黏著片材。
先前以來,對半導體晶圓及/或基板進行切割、擴展,繼而拾取半導體晶圓及/或基板並同時進行安裝時,為了固定半導體晶圓及/或基板,使用半導體晶圓及/或基板加工用片材。
對於如此般之片材而言,於對紫外線及/或放射線具有透射性之基材上,塗佈藉由紫外線及/或放射線而進行聚合硬化反應之黏著劑層,於切割後,對黏著劑層照射紫外線及/或放射線,使黏著劑層進行聚合硬化反應,藉此降低黏著力,從而可拾取半導體晶圓、晶片或基板等之個片。
例如,對於如此般之片材,提出有一種半導體晶圓加工用黏著片材(例如,專利文獻1等),其中,黏著劑層含有基礎聚合物、分子量為15000~50000之多官能丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物、聚酯系可塑劑及光聚合起始劑,且,相對於100重量份基礎聚合物,聚酯系可塑劑之含有比例為1~50重量份。又,提出有於黏著劑層中使用分子量為3000~10000左右之多官能丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物(例如,專利文件2等)。
然而,進來,伴隨著考慮環境問題之產品化之潮流,於
密封樹脂中,作為添加劑,使用與先前不同種類之金屬皂製成之穩定劑,或者使用脫鹵阻燃劑,由此為了維持密封樹脂之特性,使用有與迄今為止不同種類/組成等之樹脂。
又,被黏著體中之密封樹脂及/或添加劑之種類、或通常塗佈於密封樹脂表面上之脫模劑(例如,蠟)之量過少,或者不均勻而導致不合適之情形等時,於照射紫外線後黏著劑層之黏著力不會降低至規定之值,於拾取步驟中有時無法拾取個片,若強行拾取,則會產生如下不良情形,即自密封樹脂內部產生剝離,或者於密封樹脂整個表面上殘留有黏糊,從而產生製造時之成品率大幅度降低之問題。
[專利文件1]日本專利特開平6-49420號公報
[專利文件2]日本專利特開昭62-153376號公報
本發明係鑒於上述問題而完成者,其目的在於提供一種穩定之黏著片材,不論半導體裝置等之樹脂組成、添加劑之種類、脫模劑之種類、該等之量為何,於照射紫外線及/或放射線後,均顯現出穩定之黏著力降低特性,又,幾乎可完全防止於樹脂表面上殘留有黏糊。
目前為止之黏著片材係從於黏著劑層中使用多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體時,對一般半導體晶圓等被黏著體照射紫外線及/或放射線之後,使黏著力降低之觀點來
進行選擇,並未就可使用於所有含未加工密封樹脂之廣泛之被黏著體此點加以考究、確認、選擇。又,實際上不可能對假定使用之各種被黏著體進行實際測試來設計黏著片材。
另一方面,於使用通常使用之黏著片材之情形時,由於會因被黏著體中之樹脂組成之變化、有無添加物、脫模劑之種類及其量而頻繁產生包含黏糊殘留於樹脂表面在內之不良情形,由此,單個黏著片材僅能使用於極其有限之密封樹脂,其結果,產生要分開使用各種黏著片材等製造上之限制及不良情形。
由此,本發明人等進行了積極研究之結果,於進行精密分析時發現,於大多數容易產生上述不良情形之被黏著體中,其表面上存在有磷化合物、氰化合物等之反應基,並查明該等反應基或化學鍵與黏著劑層中之黏著劑成分之間彼此產生化學作用而導致產生黏糊等不良情形。而且發現,為了使該等反應基及化學鍵與黏著劑成分之間彼此不產生化學作用,藉由將用於構成黏著劑層之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體中之雙鍵數量控制於特定之範圍內來形成黏著劑層,也出乎意料地,即使對容易產生上述般不良情形之被黏著體,亦可同時獲得黏著劑殘留改善、以及照射紫外線及/或放射線後之拾取步驟所需之穩定黏著力,由此完成本發明。
即,本發明之半導體基板加工用黏著片材包含:對紫外線及/或放射線具有透射性之基材、及藉由紫外線及/或放
射線進行聚合硬化反應之黏著劑層;該黏著劑層係使用具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體所形成,且以總平均分子量為225~8000中含有一個雙鍵之方式調配者,前述總平均分子量係由該多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體調配之重量平均分子量所求出。
於該半導體基板加工用黏著片材中,較好的是,黏著劑層相對於100重量份之基礎聚合物,包含至少一種以上具有雙鍵之多官能丙烯酸酯類寡聚物及/或單體10重量份~180重量份。
本發明之半導體基板加工用黏著片材不論作為被黏著體之半導體基板等中之密封樹脂之樹脂組成、有無添加劑、脫模劑之種類及其量為何,於對廣泛之半導體基板加工用樹脂照射紫外線及/或放射線後,均顯現出穩定之黏著力降低。由此,可得到幾乎可完全防止於後續步驟之拾取步驟中之不良情形、且幾乎可完全防止於樹脂表面殘留有黏糊之穩定黏著片材。
本發明之半導體基板加工用黏著片材主要包括基材及黏著劑層。
本發明中所使用之基材只要為對紫外線及/或放射線具有透射性之基材即可,沒有特別之限定,例如,只要為可透射紫外線、X射線、電子射線等放射線中之至少一部分之基材即可,較好的是具有例如75%左右以上、80%左右
以上、90%左右以上之透射性。具體而言,可列舉由以下材料形成之基材,此材料包括:聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮;低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴;聚胺基甲酸酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、氟樹脂、纖維素系樹脂以及該等之交聯體等聚合物等。該等可為單層結構,亦可為多層結構。基材之厚度通常為5~400 μm左右,較好的是20~300 μm。
設置於基材上之黏著劑層包含可藉由紫外線及/或放射線而進行聚合硬化反應之黏著劑,較好的是使用具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體而形成。
該多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體,可以總平均分子量225~8000中含有一個雙鍵之方式調配,較好的是以225~7000中含有一個雙鍵之方式進行調配,前述總平均分子量係根據調配之重量平均分子量求出。於調配有該範圍內數量之雙鍵時,可應用於廣泛之被黏著體之種類,且可防止黏著劑殘留。又,可實現希望出現之黏著劑於照射紫外線及/或放射線之後之硬化收縮,於照射後,可使黏著力降低為期望之黏著力,從而可防止於後續之拾取步驟中之拾取遺漏。
相對於100重量份基礎聚合物,該多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體之含量較好的是例如10重量份~180重量份。如上所述,若於該範圍內,則可得到期望之黏著劑之硬化收縮,又,可防止因寡聚物占黏著劑層之比例而導致之組成之經時變化,從而得到長時間穩定之品質。
作為如此般之多官能成分,例如可列舉(甲基)丙烯酸酯系寡聚物/單體等。具體而言,可列舉己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。又,可列舉,聚胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物。該等寡聚物成分之分子量較好的是100~30000左右之範圍。該等可使用1種或組合2種以上使用。
尤其,聚胺基甲酸酯系(甲基)丙烯酸酯系寡聚物,較好的是於分子內具有2~4個,更較好的是具有2個丙烯醯基者。如此般之寡聚物可藉由以下方法製造,例如,於保持為60~90℃之反應槽中,首先使二異氰酸酯與多元醇反應,反應結束後,添加羥基(甲基)丙烯酸酯並進行進一步之反應。
作為二異氰酸酯,例如可列舉甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、亞苯基二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯等。
作為多元醇,例如可列列舉乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇等。
作為羥基(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等。
該等可使用1種或組合2種以上使用。
又,將該等多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體以於根據其調配之重量平均分子量求出之總平均分子量為225~8000下含有1個雙鍵之方式進行調配之方法,可列舉,使用以下計算式,適當選擇及/或摻雜具有該範圍之相對於1個雙鍵之分子量之寡聚物及/或單體。
1種多官能寡聚物及/或單體之情形時
M=(Mw/Ndou
) (1)
組合使用2種多官能寡聚物及/或單體(例如,單體Ml與寡聚物O2)之情形時
M=(Ml之Mw/Ml之Ndou
)×(Ml之Wp/Ml與O2之總Wp)+(O2之Mw/O2之Ndou
)×(O2之Wp/Ml與O2之總Wp) (2)
(式中,M表示1個雙鍵所對應之分子量,Mw表示重量平均分子量,Ndou
表示雙鍵數(官能基數),Wp表示重量份數)。
又,調配3種以上多官能寡聚物及/或單體之情形時,可
根據上述2種多官能寡聚物及/或單體之情形計算出。
本發明中之黏著劑層可使用通常使用之感壓性黏著劑而形成,較好的是含有具有碳-碳雙鍵等紫外線及/或放射線硬化性官能基之化合物來作為基礎聚合物。
作為基礎聚合物,可適當選擇使用先前眾所周知之黏著劑用基礎聚合物。例如,可較好地使用丙烯酸系聚合物或彈性體,具體而言,可較好地使用由(甲基)丙烯酸或其酯、及可與(甲基)丙烯酸或其酯共聚合之單體等進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物、天然或合成橡膠等聚合物等。其分子量較好的是300000~1500000,更加較好的是300000~1100000。藉由將分子量控制於該範圍,而於切斷時不會產生切斷偏移,又,可得到與增黏劑或其他添加成分之良好之相容性。又,可使用專利第3797601號公報、上述專利文獻1~2等中列舉之基礎聚合物等所有眾所周知之聚合物。
構成基礎聚合物之可共聚合之單體,可列舉(甲基)丙烯酸之羥基烷基酯(例如,羥乙酯、羥丁酯、羥己酯等);(甲基)丙烯酸縮水甘油酯;丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基之單體;馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體;(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺;(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如,甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等);N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯醯基嗎啉;醋酸乙烯酯;苯乙烯;丙烯腈;
N,N-二甲基丙烯醯胺;又,作為側鏈上含有烷氧基之單體,例如可列舉(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基酯等各種單體。該等共聚性單體可使用1種或作為2種以上之混合物而使用。
作為基礎聚合物使用之彈性體,例如可列舉天然橡膠、合成異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、丁基橡膠、聚異丁烯、聚丁二烯、聚乙烯基醚、矽橡膠、聚乙烯基異丁基醚、醋酸乙烯酯聚合物、氯丁二烯橡膠、腈橡膠、接枝橡膠、再生橡膠、苯乙烯-乙烯-丁烯嵌段共聚物、苯乙烯-丙烯-丁烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯共聚物、聚異丁烯-乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、或者丙烯酸系橡膠(丙烯酸烷基酯共聚物、丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷氧基烷基酯共聚物)等。
於本發明中,尤其,於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時,可任意地添加交聯劑。交聯劑可使基礎聚合物進行三維交聯,對黏著劑層賦予更充分之凝聚力。作為交聯劑,可使用聚異氰酸酯化合物、聚縮水甘油酯化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物、多價金屬螯合化合物等。較好的是,此時之交聯劑之調配比例係相對於100重量份基礎聚合物為0.01~10重量份,尤其好的是0.03~7重量份之範圍。藉由將化合物控制為上述調配比例,而可確
保凝聚力,並且可避免過量之交聯劑所導致之半導體基板之污染。
本發明之黏著劑層中亦可適當地添加有增黏劑、界面活性劑、軟化劑、抗氧化劑、硬化劑、填充劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、(光)聚合起始劑等1種以上之添加劑。又,增黏劑、界面活性劑、軟化劑、抗氧化劑、硬化劑、填充劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、(光)聚合起始劑可單獨使用1種,亦可組合多種使用。
例如,作為增黏劑,較好的是使用羥值為120~230 mg/g者,更好的是使用羥值為120~210 mg/g者。藉由將羥值控制為該值,而可於照射紫外線前對密封樹脂賦予充分之接著性。又,不論黏著片材之貼合面之密封樹脂等之種類如何,或者不論添加或附著於該樹脂表面之脫模劑之存在量之多少,於照射紫外線後,均可使黏著力降低為規定之值。
作為含有羥基且具有特定之羥值之增黏劑,例如可列舉萜酚樹脂、松香酚樹脂、烷基酚樹脂等。
作為萜酚樹脂,可列舉α-蒎烯-酚樹脂、β-蒎烯-酚樹脂、二戊烯-酚樹脂、萜雙酚樹脂等。藉由使用萜酚樹脂,可得到對基礎聚合物之高相容性,由此,於膠帶之保存過程中,黏著劑幾乎不會產生變化,可長時間維持穩定之品質。
增黏劑,通常使用相對於基礎聚合物為低分子量者,例如可列舉分子量為數萬左右以下、1萬左右以下、數千左
右以下者。
相對於100(重量)份基礎聚合物,增黏劑之用量較好的是0.1~70份,更好的是1~50份。藉此,可適當地提高黏著力,並且確保黏著片材之保存穩定性,可長時間得到穩定之特性。
界面活性劑可使用離子型界面活性劑與非離子型界面活性劑中之任一者。例如可列舉酯型、醚型、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚乙二醇、聚乙二醇、羧酸型、磺酸型、胺基酸型、胺型等各種界面活性劑。自於黏著劑中之相容性之觀點而言,分子量較好的是2000以下,更好的是1500以下。其中,於具有與黏著劑之親和性佳之分子結構之情形時不受上述限制。尤其,於使用四級銨鹽型界面活性劑之情形時,可賦予抗靜電效果。該等可僅使用1種,亦可混合使用2種以上。
其中,較好的是酯型即含有酯化合物或其衍生物之界面活性劑,其碳原子數較好的是10以上。可對表面上存在少量脫模劑之被黏著體兼具脫離性及拾取性。進而,較好的是具有碳原子數為15以上之烷基之酯化合物。藉由該化合物之烷基之碳原子數於該範圍而可確保含有此化合物之黏著劑之初始黏著力。自工業上容易獲得、分子量分布廣、耐熱性(即,熔點之上限約為110℃)等觀點而言,該碳原子數之實際上限較好的是50~60左右。如此之酯化合物之熔點較好的是為40℃以上。其原因在於即使於高溫下長時間保存亦可穩定地存在。其結果,將本發明之於黏著層中使
用有黏著組合物之片材貼合於被黏著體上,即使於高溫下長時間保存,亦可抑制該等之間之黏著性之增加。
作為如此般之酯化合物,例如可列舉具有碳原子數為10以上,較好的是15以上之烷基之高級醇與羧酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、亞磷酸等酸之酯化合物(單酯、二酯、三酯)。其中,可較好地使用高級醇與磷酸之單酯、二酯或三酯。作為高級醇,例如可列舉硬脂醇(碳原子數為為18)、二十二烷醇-1(碳原子數為22)、二十四烷醇-1(碳原子數為24)、二十六烷醇-1(碳原子數為26)、二十八烷醇-1(碳原子數為28)、二十九烷醇-1(碳原子數為29)、三十烷醇(碳原子數為30)、三十一烷醇(碳原子數為31)、三十二烷醇(碳原子數為32)、三十三烷醇(碳原子數為33)、三十四烷醇-1(碳原子數為34)、三十五烷醇-1(碳原子數為35)、四十四烷醇-1(碳原子數為44)等。上述酸中,作為羧酸,例如可列舉甲酸、乙酸、苯甲酸等單羧酸;草酸、琥珀酸、1,2,3-丙三甲酸等多元酸等。
高級醇之酯化合物可藉由以下方法而製造,即,於有機溶劑中,將高級醇、以及羧酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、亞磷酸等酸於鹽酸等酸觸媒之存在下進行加熱迴流並將生成之水脫去。又,作為酯化合物或其衍生物,亦可使用具有碳原子數為10以上,較好的是15以上之烷基之羧酸與醇之酯化合物。
作為其他類型之界面活性劑,可適當地選擇使用市售之、不會於半導體製程等中產生污染之界面活性劑。
於本發明中,較好的是界面活性劑中,例如酯化合物或其衍生物,相對於100重量份基礎聚合物而調配有0.02~8重量份,更好的是調配有0.05~2重量份。藉由控制於該範圍而可得到添加界面活性劑之效果,並且可確保紫外線照射前之初始黏著力。又,可確保與黏著劑之相容性,防止剝離後對被黏著體表面之污染。
作為軟化劑,例如可列舉可塑劑、聚丁烯、液態增黏劑樹脂、聚異丁烯低聚合物、聚乙烯基異丁烯基醚低聚合物、羊毛脂、解聚橡膠、加工處理油或硫化油等。
作為抗氧化劑,例如可列舉酚系抗氧化劑(例如,2,6-二第三丁基-4-甲基苯酚、1,1-雙(4-羥基苯酚)環己烷等)、胺系抗氧化劑(例如,苯基-β-萘胺等)、苯并咪唑系抗氧化劑等(例如,巰基苯并咪唑等)、2,5-二第三丁基對苯二酚等。
作為橡膠系黏著劑之硬化劑,可列舉異氰酸酯、硫及硫化加速劑、聚烷基酚、有機過氧化物等。作為異氰酸酯例如可列舉苯二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯或環己烷二異氰酸酯。作為硫及硫化加速劑,例如可列舉噻唑系硫化加速劑、亞磺醯胺系硫化加速劑、秋蘭姆系硫化加速劑、二硫代酸鹽系硫化加速劑等。作為聚烷基酚,例如可列舉丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚等。作為有機過氧化物,例如可列舉過氧化二鉻、過氧化酮、過氧縮酮、過氧化氫、二烷基過氧化物、過氧化酯或過氧化二碳酸酯等。
作為填充劑,例如可列舉氧化鋅、氧化鈦、二氧化矽、氫氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鋇、澱粉、黏土或滑石等。
光聚合起始劑具有以下作用,即藉由照射紫外線而激發、活化,生成自由基,藉由自由基聚合而使多官能寡聚物硬化。具體而言,可列舉4-苯氧基二氯苯乙酮、4-第三丁基二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮系光聚合起始劑;安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等安息香系光聚合起始劑;二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、4-苯甲醯-4'-甲基二苯硫醚、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系光聚合起始劑;噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系光聚合起始劑;α-醯基肟酯、醯基膦氧化物、苯甲醯甲酸甲酯、聯苯醯、樟腦醌、二苯并環庚酮、2-乙基蒽醌、4',4"-二乙基間苯二甲醯基苯等特殊之光聚合起始劑等。
相對於100重量份基礎聚合物,光聚合起始劑之調配比例較好的是0.1~15重量份,特別好的是0.5~10重量份之範
圍。藉由控制於該範圍,而可確保於照射紫外線及/或放射線時對多官能寡聚物或單體之硬化作用,且可得到良好之黏著力,並且可得到於熱或螢光燈下之穩定性。
作為聚合起始劑,可列舉過氧化氫、過氧化苯甲醯、第三丁基過氧化物等過氧化物系。較好的是單獨使用,但亦可與還原劑組合而作為氧化還原系聚合起始劑來使用。作為還原劑,例如可列舉亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、鈷鹽等離子化鹽、三乙醇胺等胺系、醛糖、酮糖等還原糖等。又,亦可使用2,2'-偶氮雙-2-甲基丙脒酸鹽、2,2'-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、2,2'-偶氮雙-N,N'-二亞甲基異丁基脒酸鹽、2,2'-偶氮二異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基-N-(2-羥乙基)丙醯胺等偶氮化合物。該等可單獨使用亦可併用2種以上。
於本發明中,於基材上形成黏著劑層,製造半導體晶圓或半導體基板加工用黏著片材之方法,可列舉如下方法,將構成黏著劑層之成分直接或藉由適當之有機溶劑而溶解,藉由塗佈或散布等而塗佈於基材上,且藉由例如於80~100℃下進行30秒~10分鐘左右之加熱處理等而加以乾燥。
本發明之黏著片材中,黏著劑層之厚度較好的是3~150 μm左右,更好的是為3~100 μm,進一步好的是為5~100 μm。藉由控制於該範圍,而即使對於表面粗糙度大之被黏著體,亦可追隨於表面凹凸,確保接觸面積,從而於切斷時可防止晶片之脫離,同時可降低製造成本。
本發明之半導體基板加工用黏著片材可以通常使用之方法來使用。例如可列舉如下方法:貼合半導體基板並加以固定後,用旋轉圓刀將半導體基板切割為元件小片(晶片)。其後,自加工用黏著片材之基材側照射紫外線及/或放射線,繼而,使用專用夾具將基板加工用黏著片材擴展(擴大)為放射狀,將元件小片間隔擴展至一定之間隔,其後用針等將元件小片頂起,並且用真空吸筆等吸附,藉此進行拾取,或者同時進行安裝。
又,本發明之黏著片材可使用於半導體晶圓、半導體基板、用引線及密封樹脂等將單個或多個晶片等一個個地或一體地密封而成之密封樹脂基板等各種被黏著體。又,被黏著體之貼合面並不限於半導體,亦可為金屬、塑膠、玻璃、陶瓷等無機物等各種材料。
本發明之黏著片材可尤佳地適用於表面具有磷化合物、氰化合物、及其他反應基之材料。
以下更為詳細地說明本發明之半導體基板加工用黏著片材之實施例及比較例,但本發明並不限定於此。
又,包含1個雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體之分子量可藉由上述式(1)或式(2)而計算出。
調配、製備以下之形成黏著劑層之樹脂溶液,該樹脂溶液中調配有:100重量份之由40重量份丙烯酸甲酯、10重量份丙烯酸及50重量份丙烯酸2-乙基己酯共聚合而成之重量平均分子量為70萬之共聚物(固體成分為35%);140重量
份之作為多官能丙烯酸酯系寡聚物之日本合成製造之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2);40重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7044);20重量份之作為增黏劑之萜酚樹脂(安原化學公司製造之YSPolystarN125);0.08重量份之作為交聯劑之三聚氰胺化合物(商品名"J-820-60N",大日本油墨化學工業製造);及5重量份之光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals製造之Irgacure651)。
將該溶液以乾燥後之厚度為20 μm之方式塗佈於經矽剝離處理之厚度為38 μm之聚酯膜上,以150℃乾燥5分鐘。
其後,對作為基材之150 μm之聚乙烯膜進行積層而製作半導體加工用片材。
將得到之半導體基板加工用黏著片材,以50℃加溫熟成4天以上,實施後述之評價。其結果如表1所示。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加180重量份之作為多官能丙烯酸酯系寡聚物之日本合成製造之紫光UV-7600B(重量平均分子量:1400,雙鍵數:6,多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為233),除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
除了於製備實施例2之黏著劑溶液時,將UV-7600B之添
加份數變更為10重量份以外,以與實施例2相同之操作方式,製備黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加7.78重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、及2.2重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7046),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例2之黏著劑溶液時,添加110重量份之紫光UV-2000B(重量平均分子量:13000,雙鍵數:2)(於多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為6500)來代替紫光UV-7600B,除此以外,以與實施例2相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例2之黏著劑溶液時,添加80重量份之紫光UV-6300B(重量平均分子量:3700,雙鍵數:7)(多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為528)來代替紫光UV-7600B,除此以外,以與實施例2相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加163.3重量份之紫
光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、46.7重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7043),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
除了於製備實施例2之黏著劑溶液時,將UV-7600B之添加份數變更為210重量份以外,以與實施例2相同之操作方式,製備黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加30重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)、150重量份之紫光UV-7600B(重量平均分子量:1400,雙鍵數:6)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為228),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例9之黏著劑溶液時,添加1.6重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)、8.3重量份之紫光UV-7600B(重量平均分子量:1400,雙鍵數:6)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為225),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例9相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
除了於製備實施例2之黏著劑溶液時,將UV-7600B之添加份數變更為8重量份以外,以與實施例2相同之操作方式,製備黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加6.2重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、1.8重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7020),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加7重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、1重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7900),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加157.5重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、22.5重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7900),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例
1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加186.6重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、53.4重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7042),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加3.9重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)、1.1重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為7066),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
除了於製備實施例2之黏著劑溶液時,將UV-7600B之添加份數變更為240重量份以外,全部以與實施例2相同之操作方式,製備黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加90重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)、90重量份之紫光UV-7600B(重量平均分子量:1400,雙鍵數:6)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子
量為217),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備比較例2之黏著劑溶液時,添加5重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)、5重量份之紫光UV-7600B(重量平均分子量:1400,雙鍵數:6)(於調配成之多官能寡聚物溶液中每1個雙鍵對應之分子量為217),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
除了於製備實施例2之黏著劑溶液時,將UV-7600B之添加份數變更為5重量份以外,全部以與實施例2相同之操作方式,製備黏著片材,且實施後述之評價。
於製備實施例1之黏著劑溶液時,添加240重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)(多官能溶液中每1個雙鍵對應之分子量為9000),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備比較例5之黏著劑溶液時,添加180重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)(於多官能溶液中每1個雙鍵對應之分子量為9000),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著
片材,且實施後述之評價。
於製備比較例6之黏著劑溶液時,添加5重量份之紫光UV-3000B(重量平均分子量:18000,雙鍵數:2)(於多官能溶液中每1個雙鍵對應之分子量為9000),製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備比較例6之黏著劑溶液時,添加110重量份之紫光UV-1700B(重量平均分子量:2000,雙鍵數:10)(於多官能溶液中每1個雙鍵對應之分子量為200)來代替紫光UV-3000B,製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
於製備比較例8之黏著劑溶液時,添加110重量份之新中村化學公司製造之NK ESTER 4G(重量平均分子量:330,雙鍵數:4)(於多官能溶液中每1個雙鍵對應之分子量為83)來代替紫光UV-1700B,製備黏著組合物,除此以外,以與實施例1相同之操作方式,製作黏著片材,且實施後述之評價。
使用日東精機製造之M-286N貼合裝置,以20 mm/sec之速度,55℃之工作台溫度,於埋入有半導體晶片之基板之密封樹脂面(樹脂面上有深度為15 μm之雷射列印文字之類
型,1個晶片尺寸為5 mm)上貼合實施例及比較例中製造之黏著片材。
使用DISCO製造之DFG-651切塊機,使用轉速為38000rpm,刃厚為300 μm之樹脂刀片,設於黏著劑層及基材之切入總量為90 μm,於速度為40 mm/sec,切斷時之水量:1.5L/分之條件下實施切斷。其後,藉由UV照射機(日東UM-810)而於照度為30 mW/cm2
,累計光量為500 mJ/cm2
之條件下進行處理後,用鑷子剝離晶片,並用光學顯微鏡確認是否殘留有黏糊。確認之數量為5000片晶片。
剝離性之確認係於實施了與上述相同之UV(ultraviolet,紫外線)處理後,用鑷子來實施。將可用鑷子剝離之晶片記作◎,將剝離時稍感困難但仍能用鑷子剝離之晶片記作○,將認為難以用普通之黏晶機進行拾取之晶片記作×。確認之數量為5000片晶片。
用以下方法來實施黏著劑層之經時穩定性之確認。
即,設初始值為100%時,於60℃下保存1週、於40℃、相對濕度92%下保存1週、於10℃下保存1週後,黏著力之值均為100±20%之情形時,記作黏著劑層之經時穩定性良好(◎),即使於一個條件下為黏著力之值小於80%之情形或大於120%之情形,均記作黏著劑層之經時穩定性不良(×)。
將該等結果表示於表1及表2中。
又,於實施例15及實施例16中,雖未殘留有黏著劑,於通常之使用中係允許者,但黏著力穩定性及剝離性之評價分別表現出若干特性降低之傾向。此原因在於,具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體之添加量分別為240重量份及5重量份,即調配量稍多或稍少。
本發明可使用於半導體晶圓例如矽晶圓、鍺晶圓、鎵-砷晶圓;電路基板、陶瓷基板、金屬基板及該等由密封樹脂密封之密封樹脂基板等之廣闊範圍之所有加工中。
Claims (2)
- 一種半導體基板加工及藉由紫外線及/或放射線照射之剝離用黏著片材,其特徵在於,包括:對紫外線及/或放射線具有透射性之基材、及藉由紫外線及/或放射線而進行聚合硬化反應之黏著劑層;該黏著劑層係使用基礎聚合物、具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體所形成,且含有2種以上之上述具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體,且包含至少一種每1個雙鍵對應之重量平均分子量為6500以下之具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體,且以總平均分子量225~8000中含有一個雙鍵之方式調配者,該總平均分子量係由該具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體調配之重量平均分子量所求出;相對於上述基礎聚合物100重量份,包含上述具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體合計8重量份~210重量份。
- 如請求項1之半導體基板加工用及藉由紫外線及/或放射線照射之剝離黏著片材,其中,該黏著劑層相對於上述基礎聚合物100重量份,包含至少一種以上具有雙鍵之多官能丙烯酸酯系寡聚物及/或單體10重量份~180重量份。
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