TWI460202B - 啡系高分子化合物及使用該化合物之發光元件 - Google Patents

Description

啡 系高分子化合物及使用該化合物之發光元件

本發明是有關啡系高分子化合物及使用該化合物之發光元件。

在主鏈骨架具有包含烷基為取代基的啡二基之高分子化合物，由於其可溶於溶劑且可藉由塗布法而形成發光元件的有機層，因而作為發光材料進行探討(日本特開2004-137456號公報)。

然而，上述高分子化合物的色純度未必充分。

本發明的目的是提供一種色純度優異的高分子化合物。

第一，本發明提供一種含有下述式(0)所示化合物之殘基的高分子化合物，

(式中，Ar⁰ 表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基，或下述式(A)表示的基，複數個Ar⁰ 可為相同，也可為相異，至少兩個Ar⁰ 是下述式(A)表示的基；R⁰ 表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基；1及m各自獨立表示0至3的整數，如l＋m為2以上時，複數個R⁰ 可為相同，也可為相異)。

(式中，A⁰ 表示-N=或-C(R² )=，R² 表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基，R² 表示的基也可具有取代基，複數個A⁰ 可為相同，也可為相異)。

第二，本發明提供一種下述式(9-0)表示的化合物，

(式中，Ar⁰ 、R⁰ 、l及m表示與上述同義：X¹ 及X² 各自獨立表示可參與聚合的基；c及d各自獨立表示0至4的整數，c＋1為4以下，d＋m為4以下；如X¹ 存在數個時，其可為相同也可為相異，如X² 存在數個時，其可為相同也可為相異)。

第三，本發明提供一種含有下述式(0’)表示的重複單位的高分子化合物的製造方法，係包含在過渡金屬觸媒的存在下，使下述式(10-0)表示的化合物聚合者。

(式中，Ar⁰ 表示與上述者同義；X³ 及X⁴ 各自獨立表示鹵素原子、-B(OH)₂ 、硼酸酯殘基、-MgX⁵ (X⁵ 表示鹵素原子)、錫烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸酯基)

(式中，Ar⁰ 表示與上述者同義)。

第四，本發明提供一種含有下述式(2’)所示重複單位的高分子化合物的製造方法，係包含在過渡金屬觸媒的存在下，使下述式(10)表示的化合物聚合者。

(式中，R¹ 表示一價脂環式烴基、芳基或一價雜環基；A¹ 表示-N=或-C(R² )=，R² 表示與上述者同義，四個R¹ 可為相同，也可為相異，X³ 及X⁴ 表示與上述者同義，六個A¹ 可為相同，也可為相異)

(式中，A¹ 及R¹ 表示與上述者同義)。

第五，本發明提供一種下述式(11)表示的化合物，

(式中，R¹ 及A¹ 表示與上述者同義；X⁵ 表示氯原子、溴原子、碘原子、烷基磺醯基、芳基磺醯基或芳烷基磺醯基)。

第六，本發明提供一種下述式(12)表示的化合物，

(式中，R¹ 及A¹ 表示與上述者同義)。

第七，本發明提供一種含有前述高分子化合物的組成物。

第八，本發明提供一種含有前述高分子化合物的薄膜，以及提供具有該薄膜的有機電晶體。

第九，本發明提供一種發光元件，以及使用該發光元件的面狀光源及顯示裝置，其中，該發光元件具有由陽極及陰極所形成的電極，與設在該電極間之含有前述高分子化合物的層。

以下，詳細說明本發明。本說明書中，「化合物之殘基」，是指由該化合物中取出N個氫原子之後留下的原子團。N是1以上的整數，通常為1至3之整數。

＜高分子化合物＞

本發明的高分子化合物，是含有下述式(0)所示化合物之殘基的高分子化合物，

(式中，Ar⁰ 表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基、氰基，或下述式(A)表示的基。複數個Ar⁰ 可為相同，也可為相異，至少兩個Ar⁰ 是下述式(A)表示的基。R⁰ 表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。l及m各自獨立表示0至3的整數。如l＋m為2以上時，複數個R⁰ 可為相同，也可為相異)。

Ar⁰ 表示的烷基可為直鏈、分枝或環狀的任何一種，其碳數通常為1至30，至於其例，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、正己基、環己基、正庚基、正辛基、三氟甲基。

Ar⁰ 表示的烷氧基可為直鏈、分枝或環狀的任何一種，其碳數通常為1至30，至於其例，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、正辛氧基、三氟甲氧基。

Ar⁰ 表示的芳基，是與R¹ 表示的芳基之說明例相同。

Ar⁰ 表示的芳氧基，其碳數通常為6至60，至於其例，可舉出苯氧基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯氧基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯氧基、五氟苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、聯苯氧基、第三苯氧基。

Ar⁰ 表示的芳烷基，其碳數通常為7至60，至於其例，可舉出苯基-C₁ 至C₁₂ 烷基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基-C₁ 至C₁₂ 烷基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基-C₁ 至C₁₂ 烷基、1-萘基-C₁ 至C₁₂ 烷基、2-萘基-C₁ 至C₁₂ 烷基。

Ar⁰ 表示的芳烷氧基，其碳數通常為7至60，至於其例，可舉出苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等苯基-C₁ 至C₁₂ 烷氧基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基-C₁ 至C₁₂ 烷氧基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基-C₁ 至C₁₂ 烷氧基、1-萘基-C₁ 至C₁₂ 烷氧基、2-萘基-C₁ 至C₁₂ 烷氧基。

Ar⁰ 表示的烯基，其碳數通常為2至30，至於其例，可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、環己烯基。

Ar⁰ 表示的芳烯基，其碳數通常為8至60，至於其例，可舉出苯基-C₂ 至C₁₂ 烯基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基-C₂ 至C₁₂ 烯基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基-C₂ 至C₁₂ 烯基、1-萘基-C₂ 至C₁₂ 烯基、2-萘基-C₂ 至C₁₂ 烯基。

Ar⁰ 表示的炔基，其碳數通常為2至30。至於其例，可舉出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、環己炔基。

Ar⁰ 表示的芳炔基，其碳數通常為8至60，至於其例，可舉出苯基-C₂ 至C₁₂ 炔基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基-C₂ 至C₁₂ 炔基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基-C₂ 至C₁₂ 炔基、1-萘基-C₂ 至C₁₂ 炔基、2-萘基-C₂ 至C₁₂ 炔基。

Ar⁰ 表示的取代胺基，是經選自烷基、芳基、芳烷基及一價雜環基所形成的群組中之一個或二個的基所取代之胺基。該烷基、芳基、芳烷基或一價雜環基也可具有取代基。在不含該取代基的碳數時，前述取代基的碳數通常為1至60，至於其例，可舉出甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、正丙胺基、二(正丙基)胺基、異丙胺基、二(異丙基)胺基、二(正丁基)胺基、二(異丁基)胺基、二(第二丁基)胺基、二(第三丁基)胺基、二環己胺基、吡咯啶基、哌啶基、苯基胺基、二苯基胺基、C₁ 至C₁₂ 烷氧苯基胺基、二(C₁ 至C₁₂ 烷氧苯基)胺基、二(C₁ 至C₁₂ 烷苯基)胺基。

Ar⁰ 表示的取代矽烷基，是經選自烷基、芳基、芳烷基及一價雜環基所形成的群組中之一個或三個的基所取代之矽烷基，其碳數通常為1至60。該烷基、芳基、芳烷基或一價雜環基也可具有取代基。在取代矽烷基上，可舉例如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、第三丁基二甲矽烷基、三苯基矽烷基、三苯甲基矽烷基、二苯基甲矽烷基、第三丁基二苯矽烷基、二甲基苯矽烷基。至於一價雜環基，宜為一價芳香族雜環基。

至於Ar⁰ 表示的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

Ar⁰ 表示的醯基，其碳數通常為2至30，至於其例，可舉出乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、苯甲醯基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基。

Ar⁰ 表示的醯氧基，其碳數通常為2至30，至於其例，可舉出乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、三甲基乙醯氧基、苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基。

Ar⁰ 表示的醯胺基，其碳數通常為2至30，至於其例，可舉出甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲醯胺基、二(三氟乙醯)胺基、二(五氟苯甲醯)胺基。

Ar⁰ 表示的一價雜環基，是與後述的R¹ 表示之一價雜環基的說明之例示相同。

Ar⁰ 表示的雜環氧基，是式：Q¹ -O-表示的基(式中，Q¹ 表示一價雜環基。)，其碳數通常為2至30。Q¹ 表示的一價雜環基，是與後述的R¹ 表示之一價雜環基的說明之例示相同。雖然該雜環氧基也可在一價雜環基具有取代基，但在碳數上，並不含取代基的碳數。至於前述雜環氧基之例，可舉出噻吩氧基、C₁ 至C₁₂ 烷基噻吩氧基、吡咯氧基、呋喃氧基、吡啶氧基、C₁ 至C₁₂ 烷基吡啶氧基、咪唑氧基、吡唑氧基、三唑氧基、唑氧基、噻唑氧基、噻二唑氧基。

Ar⁰ 表示的取代羧基，是經烷基、芳基、芳烷基或一價雜環基所取代之羧基，其碳數通常為2至30。至於前述取代羧基之例，可舉出甲氧羰基、乙氧羰基、正丙氧羰基、異丙氧羰基、正丁氧羰基、異丁氧羰基、第二丁氧羰基、第三丁氧羰基、正戊氧羰基、正己氧羰基、環己氧羰基、正庚氧羰基、正辛氧羰基、三氟甲氧羰基。

至於R⁰ 中的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基及取代羧基的說明、例示，雖然是與Ar⁰ 項中的說明、例示相同，但R⁰ 是以烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳烷氧基、醯基、醯氧基、取代羧基為佳。

在R² 中的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基及取代羧基的說明、例示，是與Ar⁰ 項中的說明、例示相同。

就色純度之觀點而言，上述式(0)表示的化合物之中，是以下述式(0-1)表示的化合物為佳。

(式中，A表示上述式(A)表示的基。複數個A可為相同，也可為相異。Ar⁰ 、R⁰ 、l及m表示與上述者同義)。

上述式(0-1)表示的化合物之中，是以下述式(1)表示的化合物為佳。

(式中，R¹ 表示一價脂環式烴基、芳基或一價雜環基。R¹ 表示的基也可具有取代基。A¹ 表示-N=或-C(R² )=，R² 表示與上述者同義。六個的A¹ 可為相同，也可為相異。四個的R¹ 可為相同，也可為相異)。

上述式(1)中，R¹ 宜為芳基、一價芳香族雜環基。

上述式(1)中，R¹ 表示的一價脂環式烴基，通常其碳數為3至30，可為單環性，也可為二環性以上。一價脂環式烴基可舉出環丙烷、環丁烷、環丁烯、環戊烷、環戊烯、環己烷、環己烯等。

上述式(1)中，R¹ 表示的芳基，是由芳香族烴化合物中去除一個氫原子之後留下的原子團，可為具有縮合環的基，也可為具有二環性以上的基。芳基的碳數通常為6至60，並以6至30為佳。在芳基上，可舉例如苯基、C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基(C₁ 至C₁₂ 表示C₁ 至C₁₂ 之後所示有機基之碳數(此處，為烷氧基苯基中的烷氧基中之碳數)為1至12。以下亦同。)、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基、五氟苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、聯苯基、三聯苯基，就對有機溶劑的溶解性、元件特性、合成的容易性等觀點而言，是以C₁ 至C₁₂ 烷氧基苯基、C₁ 至C₁₂ 烷基苯基為佳，並以C₁ 至C₁₂ 烷基苯基尤佳。

上述式(1)中，R¹ 表示的一價雜環基，是指從雜環化合物(即，具有環式結構的有機化合物之中，構成環的元素不只是碳原子，環內也含有氧、硫、氮、磷、硼等雜原子的有機化合物。)中去除一個氫原子之後留下的原子團。一價雜環基的碳數通常為2至30，並以2至15為佳。雖然一價雜環基中的雜環也可具有取代基，但在碳數上並不含雜環上的取代基之碳數。至於一價雜環基之例，可舉出噻吩基、C₁ 至C₁₂ 烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁ 至C₁₂ 烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，並以一價芳香族雜環基為佳，而以噻吩基、C₁ 至C₁₂ 烷基噻吩基、吡啶基、C₁ 至C₁₂ 烷基吡啶基較佳。

上述式(1)中，以A¹ 為-C(R² )=，且R¹ 為芳基者為佳。

上述式(0)、(0-1)、(1)中，R² 宜為氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳烷氧基、醯基、醯氧基、取代羧基。

就高分子化合物對溶劑的溶解性而言，如R¹ 為具有包含烷基的取代基時，含在該取代基中的烷基之碳數宜為4以上。並且，就高分子化合物對溶劑的溶解性而言，如R² 為烷基時，宜為碳數在4以上的烷基，如R² 為含有烷基的基時，該烷基宜為碳數在4以上的烷基。

至於上述式(0)、(0-1)、(1)表示的化合物，可舉出以下的化合物。

(式中，Me表示甲基，Et表示乙基，n-Pr表示正丙基，n-Bu表示正丁基。以下亦同)。

上述式(0)、(0-1)、(1)表示的化合物之殘基，在本發明的高分子化合物中，可存在於任何位置上，也可以是一價基或多價基，但通常為一價至三價的基，並以一價或二價的基為佳。在前述式(0)、(0-1)、(1)表示的化合物之殘基中，則是以從該化合物中去除具有該基的苯環上之氫原子之後的殘基為佳。其中，更以從該化合物中去除具有該基之屬於啡的苯環上之氫原子之後的殘基較佳。

就合成高分子化合物的容易度、元件特性的觀點而言，上述式(1)表示的化合物之殘基，宜為下述式(0-2)表示的二價基，並以下述式(2)表示的二價基較佳，而以下述式(2)表示的二價基且A¹ 為-C(R² )=，而R¹ 為芳基時更佳。下述式(2)表示的二價基，是以其重複單位含在本發明的高分子化合物中時尤佳。

(式中，Ar⁰ 表示與上述者同義)。

(式中，A¹ 及R¹ 表示與上述者同義)。

本發明的高分子化合物中，上述式(0)、(0-1)、(1)表示的化合物之殘基、上述式(2)表示的二價基，可各別僅含有一種基，也可含有二種以上的基。

就使用於發光元件時的亮度半衰期而言，本發明的高分子化合物更宜含有下述式(3)表示的重複單位。

(式中，Ar¹ 表示伸芳基或二價的雜環基。R³ 及R⁴ 各自獨立表示氫原子、烷基、芳基、一價雜環基或氰基。Ar¹ 、R³ 、R⁴ 表示的基也可具有取代基。n表示0或1)。

上述式(3)中，Ar¹ 表示的伸芳基，通常是碳數為6至60的伸芳基，例如可舉出伸苯基(下式1至3)、萘二基(下式4至13)、伸蒽基(下式14至19)、伸聯苯基(下式20至25)、伸三苯基(下式26至28)、縮合環化合物基(下式29至56)。在此等式中，R表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、烯基、芳烯基、炔基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、醯胺基、一價雜環基、雜環氧基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。在伸芳基的碳數之中，並不含R的碳數。R表示的基、原子，是與R² 表示的基、原子的說明、例示者相同。未附記R的實線表示結合鍵。

上述式(3)中，Ar¹ 表示的二價雜環基，是指從雜環化合物中去除二個氫原子後留下的原子團。至於二價雜環基，宜為二價芳香族雜環基。二價雜環基的碳數通常為2至60，至於其例，可舉出以下的式表示的基。在二價雜環基的碳數之中，並不含R之碳數。

含有氮原子作為雜原子的二價雜環基可舉出：吡啶二基(下式57至62)、伸二氮苯雜基(下式63至66)、喹啉二基(下式67至81)、喹喏啉二基(下式82至86)、啡 二基(下式87)、啡噻二基(下式88)、吖啶二基(下式89至90)、聯吡啶二基(下式91至93)、啡啉二基(下式94至96)等；具有含有矽、氮、硫、硒等作為雜原子並經交聯之聯苯結構的基(下式97至126)；含有矽、氮、硫、硒等作為雜原子的五員雜環基(下式127至132)；含有矽、氮、硫、硒等作為雜原子的五員縮合雜環基(下式133至142)、苯并噻二唑-4,7-二基或苯并二唑-4,7-二基等；含有矽、氮、硫、硒等作為雜原子的五員雜環基，且以該雜原子的α位結合成二聚合物或寡聚物的基(下式143、144)；含有矽、氮、硫、硒等作為雜原子的五員雜環基，且以該雜原子的α位與苯基結合的基(下式145至151)；由含有氮、氧、硫等作為雜原子並經縮合之雜環基，與苯環或單環性雜環基結合而成之三環性基(下式152至157)。

至於上述式(3)表示的重複單位，宜為n=0的重複單位，就高分子化合物的安定性而言，較佳的是n=0，且Ar¹ 為伸芳基或二價芳香族雜環基的重複單位，並以下述式(4)表示的重複單位為特佳。

(式中，A環及B環各自獨立表示芳香族烴環或芳香族雜環，A環及B環上分別具有一個結合鍵。A² 表示A環及B環結合後形成的五員環或六員環的二價基)。

至於上述式(4)表示的重複單位，可舉出由上述式29、31、36至56、94至126表示的二價基所形成的重複單位。

在上述式(4)表示的重複單位上，是以下述式(5)表示的重複單位為佳。

(式中，R⁵ 表示氫原子、烷基、芳基、芳烷基或一價雜環基，二個R⁵ 也可以相互結合形成環。R⁵ 表示的基也可具有取代基。二個R⁵ 可以是相同，也可以是相異者)。

上述式(5)中，R⁵ 表示的烷基、芳基、芳烷基及一價雜環基，是與Ar⁰ 表示的基之說明、例示者相同。

就使用於發光元件時的元件特性而言，上述式(5)表示的重複單位，R⁵ 宜為烷基、芳基或芳烷基的重複單位；就高分子化合物對溶劑的溶解性而言，R⁵ 宜為具有碳數4以上的烷基之重複單位。

至於上述式(5)表示的重複單位，可舉出以下的式表示之重複單位。

本發明的高分子化合物中，可各別僅含有一種上述式(3)、(4)、(5)表示的重複單位，也可含有二種以上。

就元件特性而言，本發明的高分子化合物宜含有下述式(6)表示的重複單位，並以除了上述式(3)表示的重複單位外另含有下述式(6)表示的重複單位者更佳。

(式中，Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 及Ar⁵ 各自獨立表示伸芳基或二價的雜環基。Ar⁶ 、Ar⁷ 及Ar⁸ 各自獨立表示芳基或一價雜環基。Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、Ar⁵ 、Ar⁶ 、Ar⁷ 、Ar⁸ 表示的基，也可具有取代基。a及b各自獨立表示0以上的整數。如a為2以上時，複數個Ar³ 、Ar⁶ 可分別為相同，也可以相異。如b為2以上時，複數個Ar⁵ 、Ar⁷ 可分別為相同，也可以相異)。

就色純度、亮度的半衰期而言，含有上述式(6)表示的重複單位之高分子化合物宜使用作為發光元件的發光層、電洞運送層或電洞注入層。

前述式(6)中，在Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、Ar⁵ 表示的伸芳基、二價雜環基，是與Ar¹ 表示的伸芳基、二價雜環基之說明、例示者相同。

前述式(6)中，Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、Ar⁵ 宜為可具有取代基的伸芳基，並以可具有取代基的伸苯基、可具有取代基的伸聯苯基、可具有取代基的伸萘基較佳。

至於Ar⁶ 、Ar⁷ 、Ar⁸ 表示的芳基、一價雜環基，是與R² 表示的芳基、一價雜環基之說明、例示者相同。

就高分子化合物對溶劑的溶解性、元件特性而言，Ar⁶ 、Ar⁷ 及Ar⁸ 宜為具有碳數4以上的烷基作為取代基之芳基。

就高分子化合物的安定性而言，上述式(6)表示的重複單位，是以Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 及Ar⁵ 為伸芳基，且Ar⁶ 、Ar⁷ 及Ar⁸ 為芳基的重複單位為佳。

至於上述式(6)表示的重複單位，可舉出以下式158至165表示的重複單位。

(式中，R是與前述者同義)。

本發明的高分子化合物中，可僅含一種上述式(6)表示的重複單位，也可含有二種以上，但是以含有一種或二種為佳。

就作為藍色材料的色純度而言，本發明的高分子化合物中之取代基，宜為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、鹵素原子、醯基、醯氧基、一價雜環基、雜環氧基、取代羧基，並以烷基、芳基、芳烷基較佳。同時，此等取代基的發光能宜大於來自上述式(0)表示的化合物之殘基的發光能。

就作成薄膜時的電荷運送性、使用在發光元件時的元件特性而言，本發明的高分子化合物宜為共軛系高分子。在此，雖然共軛系高分子是指沿著高分子化合物的主鏈骨架而存在非定域(delocalized)π電子對的高分子，但也可包括不成對電子(unpaired electron)或孤電子對(lone pair electron)取代雙鍵加入共振(resonance)之情形。

本發明的高分子化合物在不損及所要求的特性之範圍內，可在重複單位之間以非共軛單位連接，也可使該非共軛單位包含在重複單位內。至於非共軛單位，可舉出以下所示的單獨一種或二種以上的組合者。式中，Ar表示芳香族烴環或雜環。

本發明的高分子化合物可以是無規、塊狀(block)、交互或接枝共聚合物，也可為具有此等的中間性結構之高分子，例如帶有塊狀性的無規共聚合物，並且也可為主鏈具有分枝、具有三個以上末端部的聚合物、樹枝狀物，換算成聚苯乙烯的數分子量為1×10⁴ 以下的寡聚物。

本發明的高分子化合物如含有上述式(0)表示的化合物之殘基作為重複單位時，就使用該化合物作為發光元件的發光層材料時之元件特性而言，本發明的高分子化合物所含有之該重複單位，宜為總重複單位的0.1至50莫耳%，並以含有0.5至20莫耳%較佳。

就使用作為發光元件的發光層材料時之元件特性而言，本發明的高分子化合物如含有上述式(3)表示的重複單位時，該單位之比例宜為總重複單位的1至99莫耳%，並以50至97莫耳%時較佳。

就使用作為發光元件的發光層材料時之元件特性觀點與調整發光色的觀點而言，本發明的高分子化合物如含有上述式(6)表示的重複單位時，該單位之比例宜為總重複單位的0.01至50莫耳%，並以0.1至30莫耳%時較佳。

就作成發光元件時的亮度半衰期而言，本發明的高分子化合物換算成聚苯乙烯的數平均分子量，宜為2×10³ 至1×10⁸ ，並以1×10⁴ 至1×10⁶ 時較佳。

就作為藍色發光材料的色純度而言，本發明的高分子化合物宜為具有上述式(0)表示的化合物之殘基與選自上述式(4)表示的重複單位及上述式(6)表示的重複單位所成群組中的至少一種重複單位之高分子化合物。其中，以與上述式(0)表示的化合物之殘基與選自上述式(4)表示的重複單位及上述式(6)表示的重複單位所成群組中的至少一種重複單位之合計，為高分子化合物的總重複單位之95莫耳%以上較佳，而以99莫耳%以上時為特佳。

＜化合物＞

含有上述式(0)表示的化合物之殘基的高分子化合物之製造原料，雖然可使用上述式(9-0)表示的化合物，但就藍色發光材料的色純度而言，則宜為下述式(9)表示的化合物，並以下述式(10)表示的化合物為較佳，就合成的容易度而言，則宜為下述式(10-0)表示的化合物。下述式(9)、下述式(10)、下述式(9-0)、下述式(10-0)表示的化合物，因可作成薄膜，故可適用為有機電晶體、發光元件等的材料。

(式中，A¹ 、R¹ 、X¹ 、X² 、c及d表示與上述者同義)。

(式中，A¹ 及R¹ 是分別表示與上述者同義。X¹ 及X² 各自獨立表示鹵素原子、-B(OH)₂ 、硼酸酯殘基、-MgX⁵ (X⁵ 表示鹵素原子。)、錫烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸酯基)。

(式中，Ar⁰ 表示與上述者同義。至少二個Ar⁰ 是上述式(A)表示的基。X³ 及X⁴ 各自獨立表示鹵素原子、-B(OH)₂ 、硼酸酯殘基、-MgX⁵ (X⁵ 表示鹵素原子。)、錫烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸酯基)。

上述式(9-0)、(9)中，在以X¹ 、X² 表示且參與聚合的基上，可舉例如鹵素原子、-B(OH)₂ 、硼酸酯殘基、-MgX⁵ (X⁵ 表示鹵素原子。)、錫烷基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸酯基。

至於可參與聚合的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，就官能基轉換的容易度而言，是以氯原子、溴原子、碘原子為佳，並以溴原子較佳。

至於可參與聚合的硼酸酯殘基，除了二烷基酯殘基、二芳基酯殘基、二芳烷基酯殘基之外，尚可舉出下式所表示之基。

至於可參與聚合的-MgX⁵ 基，可舉出氯化鎂基、溴化鎂基、碘化鎂基。

至於可參與聚合的鍚烷基，可舉出錫烷基、三氯錫烷基、三甲基錫烷基、三乙基錫烷基、三正丁基錫烷基、三苯基錫烷基、三苯甲基錫烷基。

至於可參與聚合的烷基磺酸酯基，可舉出甲基磺酸酯基、乙基磺酸酯基、三氟甲基磺酸酯基等。在芳基磺酸基上，可舉出苯基磺酸酯基、對甲苯基磺酸酯基等。在芳烷基磺酸酯基上，可舉出苯甲基磺酸酯基等。

至於上述式(9-0)、(9)表示的化合物，可舉出以下式表示的化合物。

上述式(10-0)、(10)中，X³ 、X⁴ 表示的基、原子，是與X¹ 、X² 表示的基、原子之說明例示相同。

＜製造方法＞

本發明的高分子化合物可以任何的方法製造，例如包括在過渡金屬觸媒的存在下，使下述式(10-0)表示的化合物聚合而製造含有上述式(0’)表示之重複單位的高分子化合物之方法，或包括在過渡金屬觸媒的存在下，使下述式(10)表示的化合物聚合而製造含有上述式(2’)表示之重複單位的高分子化合物之方法。以下，以含有上述式(2’)表示的重複單位之高分子化合物的製造方法為代表例加以說明時，例如藉由包括在過渡金屬觸媒的存在下，使下述式(10)表示的化合物聚合的方法，即可製得含有上述式(2’)表示之重複單位的高分子化合物。本發明的高分子化合物如具有上述式(2’)表示之重複單位以外的重複單位時，只要使以該式(2’)表示之重複單位以外的重複單位之單體共存即可。

於過渡金屬觸媒存在下的聚合所用之聚合方法，可舉出後述的[3]、[4]、[11]、[12]、[13]、[14]、[15]等的方法。

過渡金屬觸媒的使用量，雖因聚合方法而異，但在相對於可供聚合的全部單體為1莫耳時，通常是在0.0001莫耳至10莫耳的範圍內。

上述過渡金屬觸媒可舉出鎳觸媒、鈀觸媒等。

至於上述鎳觸媒，可舉出乙烯雙(三苯基膦)鎳錯合物、肆(三苯基膦)鎳錯合物、雙(環辛二烯)鎳錯合物等。

至於上述鈀觸媒，可舉出醋酸鈀、鈀[肆(三苯基膦)]錯合物、雙(三環己基膦)鈀錯合物、二氯雙(三苯基膦)鈀錯合物等。

如本發明的高分子化合物在主鏈具有伸乙烯基時，使用對應於前述式(0)表示的化合物且具有參與聚合的基之單體，與視需要配合其他單體後，應用例如日本特開平5-202355號公報上的方法即可製造。即，可舉出下列方法：

[1]應用具有醛基的化合物與具有磷鎓鹽基的化合物之Witting反應的聚合、

[2]應用具有醛基與磷鎓鹽基的化合物之Witting反應的聚合、

[3]應用具有乙烯基的化合物與具有鹵素原子的化合物之Heck反應的聚合、

[4]應用具有乙烯基與鹵素原子的化合物之Heck反應的聚合、

[5]應用具有醛基的化合物與具有烷磺酸酯基的化合物之Horner-Wadsworth-Emmons法的聚合、

[6]應用具有醛基與烷磺酸酯基的化合物之Horner-Wadsworth-Emmons法的聚合、

[7]應用具有二個以上鹵化甲烷的化合物之脫鹵化氫法的聚縮合、

[8]應用具有二個以上硫鎓鹽基的化合物之硫鎓鹽分解法的聚縮合、

[9]應用具有醛基的化合物與具有乙腈基的化合物之Knoevenagel反應的聚合、

[10]應用具有醛基與乙腈基的化合物之Knoevenagel反應的聚合、

[11]應用具有二個以上醛基的化合物之McMurry反應的聚合。

此等方法[1]至[11]可以下述式表示。

[2]

如本發明的高分子化合物在主鏈不具有伸乙烯基時，可經由使用具有可參與聚合的基之單體與必要時配合的其他單體進行聚合而製造。即，可舉出下列方法：

[12]應用Suzuki耦合反應的聚合、

[13]應用Grignard反應的聚合、

[14]應用Stille耦合反應的聚合、

[15]應用Ni(0)觸媒的聚合、

[16]應用FeCl₃ 等氧化劑的聚合、電化學性的氧化聚合、

[17]應用分解具有適切脫離基的中間體高分子的方法。

此等方法[12]至[17]可以下述式表示。

[13]

就控制構造之觀點而言，此等方法之中以應用Witting反應的聚合、應用Heck反應的聚合、應用Horner-Wadsworth-Emmons法的聚合、應用Knoevenagel反應的聚合、應用Suzuki耦合反應的聚合、應用Grignard反應的聚合、應用Stille耦合反應的聚合、應用Ni(0)觸媒的聚合為佳，而就原料取得的容易性、聚合反應的操作性而言，則以應用Suzuki耦合反應的聚合、應用Grignard反應的聚合、應用Ni(0)觸媒的聚合為佳。

只要使單體視需要而溶解於有機溶劑中，例如使用鹼或適當的觸媒，於有機溶劑的熔點以上沸點以下使其反應即可。詳細的情形可參考：“Organic Reactions”,第14卷,270-490頁，John Wiley & Sons,Inc. 1965年、“Organic Reactions”,第27卷,345-390頁,John Wiley & Sins,Inc. 1982年、“Organic Syntheses”,Collective第6卷(Collective Volume Ⅵ),407-411頁,John Wiley & Sons,Inc. 1988年、Chemical Review,第95卷,2457頁(1995年)、Journal of Organometalic Chemistry,第576卷,147頁(1999年)、Journal of Practical Chemistry,第336卷,247頁(1994年)、Macromolecular Chemistry,Macromolecular Symposium,第12卷,229頁(1987年)等。

宜將上述有機溶劑予以充分的脫氧‧脫水處理，而藉此抑制副反應。反應系雖然宜在惰性氣體環境中，但在Suzuki耦合反應等與水的二相系中反應時，則不在此限。

上述鹼、觸媒宜為可充分溶解於反應中所使用的溶劑中者。至於添加鹼、觸媒的方法，可舉出在氬或氮等惰性氣體環境下攪拌反應液，並緩緩加入鹼、觸媒之溶液，或在鹼、觸媒的溶液中緩緩加入反應液的方法。

欲使純度影響發光特性時，本發明的高分子化合物宜在聚合前將單體以蒸餾、昇華精製、再結晶等方法精製之後再進行聚合，合成後，宜藉由再沉澱精製、層析分離等進行純化處理。

製造本發明的高分子化合物時，如作為原料的單體為數種時，可使這些單體一起混合後再反應，也可視必要而分割後再混合使其反應。

欲更詳細說明反應條件時，在Witting反應、Horner反應、Knoevengel反應等時，係使用相對於單體的官能基為當量以上的鹼，以1至3當量為佳。至於上述的鹼，可舉出第三丁醇鉀、第三丁醇鈉、乙醇鈉、甲醇鋰等金屬醇鹽、或氫化鈉等氫化物試藥、氨基鈉等氨類等。至於上述溶劑，可舉出N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃酮、二烷、甲苯等。上述反應的溫度通常為室溫至150℃。上述反應的時間為可充分進行反應的時間，通常為5分鐘至40小時。上述反應的濃度通常為0.1至20重量%。

Heck反應時，是使用鈀觸媒，在三乙基胺等鹼的存在下，使單體反應。例如，使用N,N-二甲基甲醯胺或N-甲基四氫吡咯酮等沸點較高的溶劑，反應溫度是80至160℃，反應時間為1至100小時。

Suzuki耦合反應時，是使用鈀[肆(三苯基膦)]、醋酸鈀類等鈀觸媒，添加相對於單體為當量以上之碳酸鉀、碳酸鈉、氫氧化鋇等無機鹼、三乙基胺等有機鹼、氟化銫等無機鹽使其反應，以添加1至10當量為佳。亦可使無機鹽為水溶液而在二相系中反應。至於溶劑，可舉出N,N-二甲基甲醯胺、甲苯、二甲氧乙烷、四氫呋喃等。反應溫度宜為50至160℃，也可昇溫至溶劑的沸點附近後，再使其迴流。反應時間為1至200小時。

Grignard反應時，可舉出的方法是：在四氫呋喃、二乙醚、二甲氧乙烷等醚類溶劑中，使鹵化物與金屬Mg反應作成Grignard試藥溶液，將其與另外準備的單體溶液混合後，在一邊注意過量反應一邊加入鎳或鈀觸媒後，將其昇溫，並使其一邊迴流一邊反應。相對於單體，宜使用當量以上的Grignard試藥，並以1至1.5當量為佳。

在鎳觸媒的存在下反應時，可舉出應用上述Ni(0)觸媒而聚合的方法。

在合成上述式(10)表示的化合物之中，X³ 及X⁴ 為鹵素原子的化合物時，可應用例如鹵化劑的存在下，將下述式(10-1)表示的化合物鹵化的方法。

(式中，A¹ 及R¹ 表示與上述者同義)。

至於鹵化劑，可舉例如氯、N-氯代丁二醯亞胺等氯化劑、溴、N-溴代丁二醯亞胺、1,3-二溴-5,5-二甲基乙內醯脲(1,3-dibromo-5,5-dimethylhydantoin)、苯甲基三甲基三溴化銨等溴化劑、N-碘代丁二醯亞胺等碘化劑。

上述式(10-1)表示的化合物，可使下述式(11)表示的化合物與啡，在過渡金屬觸媒與鹼的存在下，依照例如Angew. Chem. Int. Ed. 1998,37,2046中所記載的方法合成。

(式中，A¹ 及R¹ 表示與上述者同義。X⁵ 表示氯原子、溴原子、碘原子、烷基磺醯基、芳基磺醯基或芳烷基磺醯基)。

就合成化合物(11)的容易度而言，X⁵ 宜為烷基磺醯基、芳基磺醯基或芳烷基磺醯基。

上述式(11)中的X⁵ 為烷基磺醯基、芳基磺醯基或芳烷基磺醯基之化合物，可在對應於下述式(12)表示的化合物的氯磺醯化合物與鹼之存在下反應而合成。

(式中，A¹ 及R¹ 表示與上述者同義)。

＜組成物＞

本發明的組成物是含有本發明的高分子化合物之組成物。至於本發明的組成物之實施形態為，含有選自電洞運送材料、電子運送材料及發光材料所成的群組中之至少一種，與本發明的高分子化合物之組成物；含有本發明的高分子化合物與溶劑之組成物(以下，稱為「液狀組成物」。)。本發明的組成物中之本發明的高分子化合物、電洞運送材料、電子運送材料、發光材料、溶劑，可各別單獨使用一種，也可併用二種以上。

如本發明的組成物中含有電洞運送材料、電子運送材料、發光材料時，電洞運送材料、電子運送材料及發光材料之合計與本發明的高分子化合物之比率，相對於本發明的高分子化合物為100重量份時，通常電洞運送材料、電子運送材料及發光材料之合計為1至10,000重量份，並以10至1,000重量份較佳，而以20至500重量份時更佳。

其次，說明本發明的組成物之代表性實施形態的液狀組成物。

相對於液狀組成物的總重量，通常上述液狀組成物中溶劑之比例為1至99.9重量%，並以60至99.5重量%為佳，而以80至99.0重量%時較佳。雖然液狀組成物的黏度可因印刷法而異，但在噴墨印刷法等使液狀組成物經由吐出裝置的情況時，為防止吐出時噴嘴阻塞或飛行彎曲，黏度宜在25℃下為1至20mPa‧s。

上述液狀組成物可另含有調整黏度及/或表面張力用的添加劑。至於此種添加劑，可舉出提高黏度用的高分子量高分子化合物(以下，稱為「增黏劑」。)或貧溶劑、降低黏度用的低分子量化合物、降低表面張力用的界面活性劑等。

上述增黏劑只要是對與本發明的高分子化合物同樣的溶劑中為可溶性且不妨礙發光及電荷運送者即可，例如高分子量的聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等。貧溶劑也可使用作為增黏劑。即，少量添加對液狀組成物中的固形份為貧溶劑者，即可提高其黏度。

另外，本發明的組成物也可含有用以改善保存安定性之抗氧化劑，例如可溶於與本發明的高分子化合物同樣的溶劑中且不妨礙發光及電荷運送者，並宜為酚類抗氧化劑、磷類抗氧化劑等。

至於可含在上述液狀組成物中的溶劑，可舉出氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰-二氯苯等氯類溶劑；四氫呋喃、二烷、茴香醚等醚類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烯、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴類溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、二苯基酮、苯乙酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸2-乙氧乙酯、苯甲酸甲酯、醋酸苯酯等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧乙烷、丙二醇、二乙氧乙烷、三乙二醇單乙醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑；二甲基亞碸等亞碸類溶劑；N-甲基-2-四氫吡咯酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺類溶劑。此等溶劑可單獨使用一種，也可併用二種以上。就成膜性及元件特性等而言，此等溶劑的種類，宜為二種以上，並以二至三種較佳，而以二種為特佳。

如上述溶劑為二種溶劑的組合時，其中的一種溶劑在25℃也可以是固態。就成膜性而言，二種溶劑的組合宜為一種溶劑是沸點180℃以上的溶劑，並以200℃以上的溶劑較佳；就黏度而言，二種溶劑均宜為60℃中可溶解1重量%以上的本發明高分子化合物之溶劑，而至少一種溶劑宜為25℃可溶解1重量%以上的本發明高分子化合物之溶劑。

如上述溶劑為三種以上的組合時，就黏度及成膜性而言，相對於此等三種以上的溶劑之總重量，其中沸點最高的溶劑宜為40至90重量%，並以50至90重量%較佳。

上述液狀組成物中也可含有1至1,000ppm(重量基準)的水、金屬及其鹽。至於金屬，可舉出鋰、鈉、鈣、鉀、鐵、銅、鎳、鋁、鋅、鉻、錳、鈷、鉑、銥。上述液狀組成物也可含有1至1,000ppm(重量基準)的矽、磷、氟、氯、溴。

使用上述液狀組成物時，可應用旋轉塗布法、鑄壓法、微凹版塗布法、凹版塗布法、條狀塗布法、滾塗法、線棒塗布法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、彎曲印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等塗布方法，而輕易的製作出本發明的薄膜。

＜薄膜＞

本發明的薄膜中，有發光性薄膜、導電性薄膜、有機半導體薄膜。

導電性薄膜宜為表面電阻在1KΩ/□以下者。本發明的導電性薄膜，可藉由摻雜路易斯酸、離子性化合物等，而提高導電度。

有機半導體薄膜宜為電子移動率(electron mobility)或電洞移動率大者，以1×10^-5 cm² /V/秒以上者為佳。在已形成SiO₂ 等絕緣膜與閘極(gate)的Si基板上形成有機半導體薄膜後，藉由Au等形成源極(source)與汲極(drain)後，即可作成有機電晶體。

＜發光元件＞

本發明的發光元件含有本發明的高分子化合物，例如是具有由陽極及陰極形成的電極、與設在該電極間之含有本發明高分子化合物之層的發光元件。

本發明的發光元件是由陽極與陰極形成的一對電極與挾持在該電極間具有發光層的薄膜而成者，該薄膜是由一層(單層型)或數層(多層型)形成。該薄膜層的至少一層是含有本發明的高分子化合物。相對於發光層整體的重量，前述薄膜中的本發明之高分子化合物的合計含量，通常為0.1至100重量%，並以0.1至80重量%為佳，而以0.5至60重量%時較佳。本發明的發光元件，宜為前述發光層含有本發明的高分子化合物作為發光材料者。

如本發明的發光元件為單層型時，前述薄膜為發光層，此發光層含有本發明的高分子化合物。如本發明的發光元件為多層型時，作成例如以下的構成。

(a)陽極/電洞注入層(電洞運送層)/發光層/陰極

(b)陽極/發光層/電子注入層(電子運送層)/陰極

(c)陽極/電洞注入層(電洞運送層)/發光層/電子注入層(電子運送層)/陰極

本發明的發光元件之陽極，是可供應電洞給電洞注入層、電洞運送層、發光層等之電極，並以具有4.5eV以上的功函數者有效。陽極的材料可使用金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、此等材料之混合物等。至於陽極的材料，可舉出氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)等導電性金屬氧化物、金、銀、鉻、鎳等金屬、以及此等導電性金屬氧化物與金屬的混合物或積層物、碘化銅、硫化銅等無機導電性物質、聚苯胺、聚噻吩類(PEDOT等)、聚吡咯等有機導電性材料、此等材料與ITO的積層物等。

本發明的發光元件之陰極，是供應電子給電子注入層、電子運送層、發光層等之電極。陰極的材料可使用金屬、合金、金屬鹵化物、金屬氧化物、導電性化合物或此等材料的混合物，例如鹼金屬(鋰、鈉、鉀等)以及其氟化物與氧化物、鹼土金屬(鎂、鈣、鋇、銫等)以及其氟化物與氧化物、金、銀、鉛、鋁、合金及混合金屬類(鈉-鉀合金、鈉-鉀混合金屬、鋰-鋁合金、鋰-鋁混合金屬、鎂-銀合金、鎂-銀混合金屬等)、稀土金屬(銦、鐿)等。

本發明的發光元件之電洞注入層及電洞運送層，只要是具有由陽極注入電洞的機能、運送電洞的機能、可隔絕由陰極注入的電子之機能者均可。至於此等層的材料，可使用周知的材料，例如咔唑衍生物、三唑衍生物、唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮(chalcone)衍生物、苯乙烯蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、芳香族三級胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二亞甲基類化合物、卟啉類化合物、聚矽烷類化合物、聚(N-乙烯咔唑)衍生物、有機矽烷衍生物、本發明的高分子化合物等、包括此等化合物的聚合物。其他，也可舉出苯胺類共聚合物、噻吩寡聚物、聚噻吩等導電性高分子寡聚物。此等材料可使用單獨一種成分，也可併用數種成分。前述電洞注入層及前述電洞運送層，可以是由前述材料的一種或二種以上所形成的單層結構，也可以是由同一組成或異種組成的複數層所形成的多層結構。

本發明的發光元件之電子注入層及電子運送層，只要是具有可由陰極注入電子的機能、運送電子的機能、隔絕由陽極注入的電洞之機能者均可。至於使用於電子注入層及電子運送層的材料，可舉例如三唑衍生物、唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、茀酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞茀基甲烷(fluorenylidenemethane)衍生物、二苯乙烯吡衍生物、萘、苝等芳香環四羧酸酐、酞青素衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬錯合物或金屬酞青素、以苯并唑或苯并噻唑為配位子的金屬錯合物為代表性的各種金屬錯合物、有機矽烷衍生物、本發明的高分子化合物等。前述電子注入層及前述電子運送層，可為由前述材料的一種或二種以上所成的單層結構，也可為由同一組成或異種組成的複數層所成的多層結構。

本發明的發光元件中的電子注入層、電子運送層之材料，也可使用絕緣體或半導體的無機化合物。只要電子注入層、電子運送層是以絕緣體或半導體構成時，即可藉此而有效地防止電流漏洩，進而提高其電子注入性。至於這種絕緣體，可使用選自鹼金屬硫族化物、鹼土金屬硫族化物、鹼金屬鹵化物及鹼土金屬之鹵化物所成的群組中的至少一種金屬化合物。至於較佳的鹼金屬硫族化物，可舉出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、CaSe。至於可構成電子注入層、電子運送層的半導體，可舉出含有選自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn所成的群組中之至少一種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等。此等氧化物、氮化物或氧氮化物可單獨使用一種，也可併用二種以上。

本發明的發光元件中，也可在陰極與連接的薄膜之界面區域添加還原性摻雜物。至於還原性摻雜物，宜為選自鹼金屬、鹼土金屬的氧化物、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬的氧化物、鹼金屬的鹵化物、鹼土金屬的氧化物、鹼土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化物、鹼金屬錯合物、鹼土金屬錯合物及稀土金屬錯合物所成的群組中之至少一種化合物。

本發明的發光元件之發光層，在外加電壓時可提供由陽極或電洞注入層注入電洞、由陰極或電子注入層注入電子的機能、以電場力使所注入的電荷(電子與電洞)移動的機能、電子與電洞的再結合的場域，並具有將此等與發光銜接的機能之層。本發明的發光元件之發光層，宜至少含有本發明的高分子化合物，也可含有以該高分子化合物作為客體材料的主體材料。至於前述主體材料，可舉例如具有茀骨架的材料、具有咔唑骨架的材料、具有二芳基胺骨架的材料、具有吡啶骨架的材料、具有吡骨架的材料、具有三骨架的材料、具有芳基矽烷骨架的材料等。前述主體材料的T1(最低三重態激發狀態的能階)宜大於客體材料之該能階，並以其差大於0.2eV時較佳。前述主體材料可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。藉由將前述主體材料與前述金屬錯合物等的發光材料混合後塗布，或共蒸鍍等，即可形成摻雜有前述發光材料的前述主體材料之發光層。

在本發明的發光元件中，形成前述各層的方法有真空蒸鍍法(電阻加熱蒸鍍法、電子束法等)、濺鍍法、LB法、分子積層法、塗布法(鑄壓法、旋轉塗布法、條狀塗布法、刀式塗布法、滾塗法、凹版印刷、網版印刷、噴墨法等)。此等方法中就製程的簡化而言，宜為塗布後成膜者。在前述塗布法中，是將本發明的高分子化合物溶解於溶劑中調製成塗布液後，將該塗布液在所要求的層(或電極)上塗布、乾燥後，即可形成。在該塗布液中，也可含有作為主體材料及/或黏著劑的樹脂，該樹脂可在溶劑中為溶解狀態，也可為分散狀態。在前述樹脂上，可使用非共軛類高分子(例如，聚乙烯咔唑)、共軛類高分子(例如，聚烯烴類高分子)。更具體言之，例如可配合目的而選自聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚碸、聚氧化二甲苯、聚丁二烯、聚(N-乙烯咔唑)、烴樹脂、酮樹脂、苯氧樹脂、聚醯胺、乙基纖維素、醋酸乙烯、ABS樹脂、聚胺甲酸酯、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、矽樹脂等。在任意成分上，溶液也可含有抗氧化劑、黏度調整劑等。

-光電元件-

本發明的高分子化合物可使用於製造光電元件。

至於光電元件，可舉出光電轉換元件等，例如，在至少一方為透明或半透明的二個電極間，設置含有本發明的高分子化合物之層的元件、或在基板上具有已製膜之含有本發明高分子化合物之層上形成梳子型電極的元件。也可混合富勒烯或奈米碳管等，以藉此提高特性。

在光電轉換元件的製造方法上，可舉出日本專利第3146296號公報中的方法，例如，在具有第一電極的基板上形成含有本發明的高分子化合物之層(薄膜)後，在其上形成第二電極的方法、在基板上形成一組梳子型電極，再在其上形成含有本發明的高分子化合物之層(薄膜)的方法。第一或第二電極中之一者為透明或半透明。

[實施例]

以下，雖然是依照實施例更具體的說明本發明，但本發明並不侷限於此等實施例。發光色度是遵照國際照明委員會訂定的色度座標表示，y值越小時，即表示色純度良好的藍色。數平均分子量、重量平均分子量，是應用以下的方法測定。

‧數平均分子量及重量平均分子量

數平均分子量及重量平均分子量是應用GPC(島津製作所製，商品名：LC-10Avp)求得換算成聚苯乙烯的數平均分子量及重量平均分子量。使欲測定的高分子化合物溶解於四氫呋喃中，至濃度成為大約0.5重量%，取50μL注入GPC中。GPC的流動相是使用四氫呋喃，以0.6mL/分鐘的流速流動。管柱是將二支TSKgel(凝膠)Super HM-H(東曹製)與一支TSKgel(凝膠)Super H2000(東曹製)串聯繫住。檢測器是使用示差折射率檢測器(島津製作所製、商品名：RID-10A)。

＜實施例1＞(化合物A的合成) ‧化合物A-1的合成

在500ml的三口燒瓶中，加入9.59g的3,5-二溴酚、30.89g的3,5-雙(4-第三丁基苯基)苯基硼酸(依照日本特開2005-82730號公報的方法合成。)及95g的四乙基氫氧化銨(20重量%水溶液，129mmol)之後，將燒瓶內取代成氮氣。在其中，加入215ml的甲苯及0.15g(0.22mmol)的二氯雙(三苯基膦)鈀，以100℃加熱8小時。然後，放冷即析出結晶。將此結晶溶解於1L的氯仿中，在所得溶液中加入1N鹽酸成為酸性後，將其分液。以500ml的氯仿萃取所得的水相，將萃取後的氯仿與油相混合後，以水、飽和食鹽水清洗。使清洗後的油相通過已塗敷100g矽膠的玻璃過濾器過濾後，餾除溶劑後，可得41.75g的粗生成物。在其中加入250ml的己烷，使其昇溫至迴流溫度後，再緩緩冷卻至室溫，過濾後，以己烷清洗後，可得28.04g下述式表示的化合物A-1。

＊LC-MSAPPI-MS,positive 775([M+H]⁺ 、exact mass=774)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ1.35(36H,s),5.19(1H,s),7.15(s,2H),7.47(d,8H),7.59(s,1H),7.60(d,8H),7.78(s,6H)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ31.8,34.9,113.9,119.6,125.2,125.7,126.2,127.4,138.6,142.1,142.6,144.0,150.9,156.6

‧化合物A-2的合成

將500ml的四口燒瓶取代成氮氣後，加入28.04g的化合物A-1及12.99g的N,N-二甲基-4-胺基吡啶，使其溶解於300ml的脫水二氯甲烷中後，冷卻至0℃。在其中，以30分鐘滴入25.01g的三氟甲基磺酸酐。然後，攪拌20分鐘後，卸除冷浴後再繼續攪拌1.5小時。使所得的混合液通過已塗敷100g矽膠的玻璃過濾器過濾後，以500ml的甲苯清洗。從所得的混合液中餾除溶劑之後，可得28.86g下述式表示的化合物A-2。可不進行精製即應用於下述步驟。

＊LC-MSESI-MS,positive 945([M+K]⁺ 、exact mass=906)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ1.38(36H,s),7.52(8H,d),7.57(2H,s),7.64(8H,d),7.77(4H,s),7.85(2H,s),7.97(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ31.7,34.9,119.3,125.2,126.2,126.4,126.6,127.4,138.2,140.4,143.0,144.8,150.7,151.2

‧化合物A-3的合成

將1L的四口燒瓶取代成氮氣後，加入6.11g的啡 ，使其溶解於122ml的脫水甲苯中。在其中，加入0.71g的三(二亞苄基丙酮)二鈀、0.86g的1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵(ferrocene)及15.21g的碳酸銫，加熱至110℃。於其中，將溶解有28.86g化合物A-2的144ml已通氮氣的脫水甲苯之溶液，以1小時滴入。然後，攪拌20小時後，所得的混合物以敷有150g矽膠的玻璃過濾器趁熱過濾後，以500ml的甲苯清洗。從所得的混合液中餾除溶劑之後，可得33.01g的粗生成物。使此粗生成物溶解於100g的甲苯中，將所得的溶液滴入1L的甲醇中後，使其再沉澱。將所得的溶液過濾、以甲醇清洗之後，可得50.02g的濕餅。在其中，加入70ml的甲苯，加熱使其溶解後，滴下200ml的乙醇，使其再結晶。並且，將所得的生成物過濾、以100ml的乙醇清洗之後，可得24.8g的胺耦合物。在甲苯：乙醇的混合溶劑中，使此胺耦合物再結晶之後，可得16.62g下述式表示的化合物A-3。

＊LC-MSAPCI,positive 940([M+H]⁺ 、exact mass=939)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ1.37(36H,s),6.13-6.16(2H,m),6.62-6.71(6H,m),7.50(8H,d),7.64(8H,d),7.72(2H,s),7.83(6H,s),8.11(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ31.7,34.9,113.7,115.8,121.7,123.7,125.0,126.0,126.1,126.3,127.4,128.8,134.6,138.4,140.4,141.1,142.8,144.3,145.3,151.0

‧化合物A的合成

將500ml的四口燒瓶取代成氮氣後，加入16.62g的化合物A-3，使其溶解於170ml的氯仿中。使所得的溶液冷卻至0℃後，將6.29g的NBS(N-溴丁二醯亞胺)溶解於15ml DMF(二甲基甲醯胺)中所形成的溶液以50分鐘滴入其中。然後，攪拌10分鐘，卸除冷浴後再繼續攪拌3小時。再使所得的混合液冷卻至0℃後，將0.10g NBS溶解於0.5ml之DMF中所形成的溶液滴入其中。然後，在室溫下攪拌1.5小時之後，將100ml水滴入其中，將其分液。以100ml的甲苯萃取所得的水相二次，將萃取出的甲苯與油相混合，加入500ml的甲苯之後，以水、飽和食鹽水清洗所得的混合液。使清洗後的混合液通過已塗敷100g矽膠的玻璃過濾器過濾後，以甲苯清洗。從所得的混合液中餾除溶劑之後，可得25.08g下述式表示的化合物A。

＊LC-MSAPCI,positive 1096([M+H]⁺ 、exact mass=1095)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ1.37(36H,s),5.99(2H,d),6.75(2H,d),6.85(2H,brs),7.50(8H,d),7.61-7.65(10H,m),7.82(6H,d),8.11(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ31.7,34.9,113.3,114.9,119.0,125.0,126.2,126.7,127.3,128.2,129.3,133.5,138.3,139.6,140.7,142.9,144.5,145.6,151.1

＜實施例2＞(高分子化合物1的合成)

在氮氣的環境下，將0.40g的2,7-雙(1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-9,9-二正辛基茀(依照日本特開2007-70620號公報中的方法合成。)、0.82g的化合物A、2.8mg的二氯雙(三苯基膦)鈀、0.52g的三辛基甲基氯化銨(Aldrich公司製，商品名：Aliquat336)及15ml的甲苯混合後，加熱至90℃。將5ml的17.5重量%碳酸鈉水溶液滴入所得的混合液中，使其迴流6小時。反應後，在其中加入0.1g苯基硼酸，再使其迴流4小時。接著，在其中加入5ml的12.5重量%二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於85℃中攪拌2小時。冷卻後，以10ml水二次、10ml的3重量%醋酸水溶液二次、10ml水二次清洗後，將所得的溶液滴入120mL的甲醇中，過濾後取其沉澱物。將此沉澱物溶解於25mL的甲苯中，使其通過已在矽膠上塗敷活性氧化鋁的管柱以精製。將所得的甲苯溶液滴入120mL的甲醇中，攪拌之後取出所得的沉澱物，使其乾燥後，可得0.89g的高分子化合物1。高分子化合物1換算成聚苯乙烯的數平均分子量為1.4×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2.2×10⁴ 。

此高分子化合物1的螢光尖峰波長為456nm，CIE色度座標為(0.15,0.14)。此結果如表1中所示。

＜比較例1＞(高分子化合物2的合成)

在氮氣的環境下，將1.87g的2,7-雙(1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-9,9-二正辛基茀、1.66g的3,7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-啡(依照日本特開2007-70620號公報中記載的方法合成。)、1mg的醋酸鈀、5mg的三(鄰-甲氧苯基)膦、0.51g的三辛基甲基氯化銨(Aldrich公司製，商品名：Aliquat336)及25ml的甲苯混合後，加熱至90℃。將7ml的17.5重量%之碳酸鈉水溶液滴入所得的混合液中，使其迴流74小時。反應後，在其中加入54mg的苯基硼酸，再迴流4小時。接著，在其中加入20ml的12.5重量%之二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於85℃中攪拌2小時。使所得的溶液冷卻後，以20ml水二次、20ml的3重量%醋酸水溶液二次、20ml水二次清洗後，將所得的溶液滴入450mL的甲醇中，過濾後取得沉澱物。將此沉澱物溶解於30mL的甲苯中，使其通過在矽膠上塗敷有活性氧化鋁的管柱以精製。將所得的甲苯溶液滴入450mL的甲醇中，攪拌之後取出所得的沉澱物，使其乾燥後，可得1.83g的高分子化合物2。高分子化合物2換算成聚苯乙烯的數平均分子量為2.8×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為6.0×10⁴ 。

此高分子化合物2的螢光尖峰波長為462nm，CIE色度座標為(0.15,0.18)。此結果如表1中所示。

＜實施例3＞(化合物B的合成) ‧化合物B-1的合成

將100ml的三口燒瓶取代成氮氣之後，加入3,5-二溴甲苯(4.90g)，使其溶解於22ml的THF中。將之冷卻至-78℃後，以3分鐘加入己基鋰(8.5ml，2.3M己烷溶液)。攪拌1小時之後，以1分鐘加入1-溴己烷3.00ml，使其緩緩昇溫。昇溫至室溫之後，冷卻至0℃，加入飽和氯化銨水溶液(30ml)使反應停止。分液後，以甲苯(30ml)萃取水相。混合油相後，以水(30ml)、飽和食鹽水(30ml)清洗。以無水硫酸鎂將油相乾燥後，過濾並餾除溶劑，可得下述式表示的化合物B-1之粗產物7.69g。

＊GC-MS254([M]⁺ 、exact mass=254)b.p.90℃/0.8mmHg

‧化合物B-2的合成

將1L的四口燒瓶取代成氮氣後，使23.90g的化合物B-1溶解於230ml的脫水1,4-二烷中。加入21.95g的雙(頻哪醇)二硼、1.76g的1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵二氯鈀‧二氯甲烷複合物(complex)、1.20g的1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵及21.20g的醋酸鉀，在迴流下攪拌7小時。使其通過已塗敷40g矽藻土的玻璃過濾器過濾後，以己烷清洗。使所得的濾液濃縮後，可得42.13g黑色液體的粗生成物。將此粗生成物溶解於200ml己烷中，加入4.2g活性碳，於室溫中攪拌1小時之後，以塗敷矽藻土的玻璃過濾器過濾後，並使所得的濾液濃縮之後，可得30.76g下述式表示的化合物B-2。

＊GC-MS302([M]⁺ 、exact mass=302)

‧化合物B-3的合成

將300ml的四口燒瓶取代成氮氣後，使8.00g 3,5-二溴酚及25.87g的化合物B-2溶解於160ml的甲苯中。加入0.11g的二氯雙(三苯基膦)鈀之後，以5分鐘滴下70ml的20重量%之三乙基氫氧化銨水溶液之後，於迴流下攪拌4.5小時。放冷後將其分液，以100ml的甲苯萃取水相二次，將所得的油相混合，以50ml的飽和食鹽水清洗。將清洗後的油相通過已塗敷60g矽膠的玻璃過濾器，並以甲苯清洗之後，從所得的油相中餾除溶劑後，可得17.33g的粗生成物。以矽膠管柱層析儀(展開溶劑為己烷：醋酸乙酯=96：4(體積比))精製後，可得3.83g下述式表示的化合物B-3。

＊LC-MSESI positive 481([M+K]⁺ 、exact mass=442)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ0.89(6H,t),1.25-1.42(12H,m),1.60-1.71(4H,m),2.40(6H,s),2.63(4H,t),4.82(1H,s),7.01(4H,s),7.22-7.26(4H,m),7.35(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ14.4,21.8,22.9,29.4,31.9,32.0,36.3,113.2,119.4,124.8,125.7,128.8,138.5,141.1,143.7,144.0,156.2

‧化合物B-4的合成

將500ml的燒瓶取代成氮氣後，使3.80g的化合物B-3溶解於70ml脫水的二氯甲烷中，加入1.83g的4-二甲基胺基吡啶之後，以冷浴冷卻至0℃。在其中滴下4.59g的三氟甲磺酸酐，卸除冷浴後攪拌1小時。冷卻至0℃後，滴下30ml飽和氯化銨水溶液，將其分液。以50ml的己烷萃取分液後的水相，將所得的油相混合後，以20ml水、20ml飽和食鹽水清洗。使清洗後的油相通過已塗敷10g矽膠的玻璃過濾器過濾，從所得的油相中餾除溶劑之後，可得4.70g下述式表示的化合物B-4。即不進行精製應用於下述步驟。

＊LC-MSESI positive 613([M+K]⁺ 、exact mass=574)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ0.89(6H,t),1.25-1.42(12H,m),1.60-1.71(4H,m),2.42(6H,s),2.65(4H,t),7.06(2H,s),7.20(2H,s),7.22(2H,s),7.39(2H,s),7.75(1H,s)

＊^]3 C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ14.4,21.7,22.9,29.4,31.9,32.0,36.2,118.6,124.8,125.7,126.3,129.6,138.9,139.5,144.1,144.8,150.5

‧化合物B-5的合成

將300ml的四口燒瓶取代成氮氣後，加入4.60g化合物B-4與1.54g啡，使其溶解於70ml的脫水甲苯中。在其中加入73mg的三(二亞苄基丙酮)二鈀、89mg的1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵及3.91g的碳酸銫，於迴流下攪拌40小時。在反應途中追加2g碳酸銫、73mg的三(二亞苄基丙酮)二鈀及89mg的1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵。放冷後，加入50ml水並將其分液，以50ml的己烷萃取分液後的水相二次。將所得的油相混合後，以水、飽和食鹽水清洗。使清洗後的油相通過已塗敷10g矽膠的玻璃過濾器過濾，以己烷清洗後，從所得的油相中餾除溶劑之後，可得6.15g的粗生成物。以矽膠管柱層析儀(矽膠500g，展開溶劑僅己烷)精製後，可得2.89g下述式表示的化合物B-5。

＊LC-MS APPI positive 608([M+H]⁺ 、exact mass=607)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ0.88(6H,t),1.26-1.43(12H,m),1.60-1.71(4H,m),2.41(6H,s),2.64(4H,t),6.09(2H,d),6.60-6.74(6H,m),7.03(2H,s),7.28(4H,d),7.53(2H,s),7.89(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ14.4,21.8,22.9,29.4,31.9,32.0,36.3,113.7,123.6,124.7,125.6,126.2,129.2,138.8,140,2,144.0,145.3

‧化合物B的合成

將100ml的雙口燒瓶取代成氮氣後，使2.80g的化合物B-5溶解於30ml的脫水氯仿中。將所得的溶液冷卻至0℃後，於5分鐘添加0.25g的N-溴丁二醯亞胺，添加至1.50g後，再加入0.09g，合計加入1.59g之後，將其昇溫至室溫，攪拌3小時。將所得的溶液冷卻至0℃後，加入已溶解有30mg硫代硫酸鈉的30ml水溶液，攪拌之。將所得的溶液分液之後，以30ml的氯仿萃取水相二次，將所得的油相混合，使其通過已塗敷10g矽膠的玻璃過濾器過濾。從所得的油相中餾除溶劑之後，可得3.61g的粗生成物。使用50ml異丙醇/10ml己烷的混合溶液使其重複再結晶後，可得1.92g下述式表示的化合物B。

＊LC-MSAPCI positive 764([M+H]⁺ 、exact mass=763)

＊¹ H-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ0.89(6H,t),1.26-1.40(12H,m),1.60-1.70(4H,m),2.41(6H,s),2.64(4H,t),5.94(2H,d),6.73(2H,d),6.83(2H,s),7.05(2H,s),7.25(2H,s),7.27(2H,s),7.46(2H,s),7.90(1H,s)

＊¹³ C-NMR(300MHz,CDCl₃ )δ14.4,21.8,22.9,29.4,32.0,36.3,113.1,114.9,118.9,124.6,125.5,126.7,127.6,129.4,133.6,138.9,140.0,144.1,144.4,145.7

＜實施例4＞(高分子化合物3的合成)

除了使用2.70g的化合物B以取代比較例1中1.66g的3,7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-啡之外，其餘進行與比較例1同樣的操作後，合成高分子化合物3(產量2.98g)。高分子化合物3換算成聚苯乙烯的數平均分子量為4.7×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為1.4×10⁵ 。

＜實施例5＞(高分子化合物4的合成)

在氮氣環境下，將1.59g的2,7-雙(1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-9,9-二正辛基茀、1.11g的N,N’-雙(4-溴苯基)-N,N’-雙(4-第三丁基-2,6-二甲基苯基)-1,4-苯二胺(依照日本特開2005-314682號公報中記載的方法合成)、1.65g的化合物A、2.4mg的二氯雙(三苯基膦)鈀(0)、0.45g的三辛基甲基氯化銨(Aldrich公司製，商品名：Aliquat336)及30ml甲苯混合後，加熱至90℃。在所得的混合液中滴下6.4ml的17.5重量%之碳酸鈉水溶液後，使其迴流5小時。反應後，在其中加入27mg的苯基硼酸，再使其迴流4小時。接著，在其中加入12.5重量%的乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液20ml，於85℃中攪拌2小時。冷卻後，以80ml水二次、80ml的3重量%醋酸水溶液二次、80ml水二次清洗所得的溶液，將所得的溶液滴入930mL的甲醇中，過濾後取得沉澱物。將此沉澱物溶解於190mL的甲苯中，使其通過已在矽膠上塗敷活性氧化鋁的管柱以精製。將所得的甲苯溶液滴入930mL的甲醇中，攪拌之後取出所得的沉澱物，使其乾燥後，可得2.01g的高分子化合物4。高分子化合物4換算成聚苯乙烯的數平均分子量為1.7×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為3.3×10⁴ 。

＜實施例6＞(高分子化合物5的合成)

在300ml的四口燒瓶中，加入0.86g的三辛基甲基氯化銨(Aldrich公司製，商品名：Aliquat336)、0.95g的化合物A、及3.29g的2,7-二溴-9,9-雙[4-(正己氧基)苯基]茀(依照日本特開2007-70620號公報中記載的方法合成)及3.10g的2,7-雙(1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-9,9-二正辛基薄後，取代成氮氣。在其中，加入50ml已通過氬氣的甲苯，一邊攪拌一邊通氣30分鐘。在其中，加入4.5mg的二氯雙(三苯基膦)鈀(II)及12ml的2M碳酸鈉水溶液，於105℃中攪拌7小時之後，於105℃中使0.52g的苯基硼酸溶解在20ml甲苯及25ml四氫呋喃的混合溶液後加入其中，攪拌3小時。在其中，加入已於40ml水中溶解5g的N,N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉所成的水溶液，於90℃中攪拌3小時。在其中，加入400ml的甲苯，將所得的反應液分液後，以250ml的水清洗有機相四次之後，將其滴入2.5L的甲醇中，生成沉澱。將此沉澱過濾、減壓乾燥後，使其溶解於150ml的甲苯中，通過矽膠-氧化鋁管柱後，以350ml的甲苯清洗。將所得的甲苯溶液滴入2.5L的甲醇中時，生成沉澱。將此沉澱過濾、減壓乾燥後，使其溶解於150ml的甲苯中，滴入2.5L的甲醇中時，生成沉澱。使此沉澱藉由過濾、減壓乾燥後，可得4.74g的高分子化合物5。高分子化合物5換算成聚苯乙烯的數平均分子量為9.4×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2.3×10⁵ 。

＜比較例2＞(高分子化合物6的合成)

除了使用0.41g的3,7-二溴-10-(4-丁基苯基)-10H-啡以取代實施例6中的0.95g化合物A之外，其餘進行與實施例6同樣的操作後，可合成高分子化合物6(產量4.04g)。高分子化合物6換算成聚苯乙烯的數平均分子量為8.1×10⁴ ，換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2.0×10⁵ 。

＜螢光光譜的測定＞

螢光光譜的測定，是將欲測定的高分子化合物之0.8重量%甲苯溶液旋轉塗布在石英上後，製作成該高分子化合物的薄膜。以350nm的波長激發此薄膜後，利用螢光分光光度計(堀場製作所社製，商品名：Fluorolog)測定出該高分子化合物的螢光光譜。由所得的螢光光譜求得之螢光尖峰波長(螢光尖峰)(nm)及CIE色度座標如表1中所示。

＜實施例7＞(發光元件的製作)

在應用濺鍍法而附著厚度150nm的ITO膜之玻璃基板上，使用聚(乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(H‧C‧Starck公司製造，商品名稱：CLEVIOS P AI4083)以旋轉塗布法成膜為厚度65nm後，於加熱板上以200℃進行10分鐘的乾燥。

接著，使高分子化合物2至5分別溶解於二甲苯中，調製成濃度1.5重量%的溶液。藉由旋轉塗布以1,000rpm的旋轉速度，使如此調製成的溶液成膜。膜厚大約為60nm。使其在氮氣環境下以130℃乾燥10分鐘之後，在陰極上蒸鍍大約5nm鋇，其次大約60nm鋁，即製作成發光元件。真空度到達1×10^-4 Pa以下之後，才開始蒸鍍金屬。

在所得的發光元件上外加電壓之後，即可得藍色的EL發光。同時由外加8V電壓時的發光光譜求得的發光之尖峰波長(EL尖峰)(nm)及CIE色度座標如表2中所示。

[產業上之可利用性]

本發明的高分子化合物是色純度(尤其是紅色、藍色、綠色)優異的高分子化合物。在理想的實施形態中，可經由使用本發明的高分子化合物而得亮度半衰期優異的發光元件。

本案無圖式。

Claims (21)

1. 一種含有下述式(0)所示化合物之殘基的高分子化合物， (式中，Ar⁰ 表示氫原子或下述式(A)表示的基，複數個Ar⁰ 可為相同，也可為相異，至少兩個Ar⁰ 是下述式(A)表示的基) (式中，R² 表示氫原子、烷基、或經烷基取代之芳基，至少一個R² 為經烷基取代之芳基)。
2. 如申請專利範圍第1項的高分子化合物，其中，上述式(0)表示的化合物為下述式(0-1)表示的化合物者： (式中，A表示上述式(A)表示的基，複數個A可為相同，也可為相異；Ar⁰ 表示與上述者同義)。
3. 如申請專利範圍第2項的高分子化合物，其中，上述式(0-1)表示的化合物為下述式(1)表示的化合物者： (式中，R¹ 表示經烷基取代之芳基，四個R¹ 可為相同，也可為相異)。
4. 如申請專利範圍第3項的高分子化合物，其中，上述式(1)表示的化合物之殘基為下述式(2)表示的二價基者： (式中，R¹ 表示與上述者同義)。
5. 如申請專利範圍第4項的高分子化合物，其中，上述式(2)表示的二價基為重複單位者。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之高分子化合物， 其中，另含有下述式(3)表示的重複單位者： (式中，Ar¹ 表示伸芳基或二價雜環基；R³ 及R⁴ 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、一價雜環基或氰基，Ar¹ 、R³ 、R⁴ 表示的基也可具有取代基；n表示0或1)。
7. 如申請專利範圍第6項的高分子化合物，其中，上述式(3)表示的重複單位為下述式(4)表示的重複單位者： (式中，A環及B環各自獨立表示芳香族烴環或芳香族雜環，A環及B環上分別具有一支結合鍵；A² 表示A環及B環結合後形成五員環或六員環的二價基)。
8. 如申請專利範圍第7項的高分子化合物，其中，上述式(4)表示的重複單位為下述式(5)表示的重複單位者： (式中，R⁵ 表示氫原子、烷基、芳基、芳烷基或一價雜環基，或者二個R⁵ 也可以相互結合成環，R⁵ 表示的基也可具有取代基，二個R⁵ 可為相同，也可為相異)。
9. 如申請專利範圍第8項的高分子化合物，其中上述R⁵ 為烷基。
10. 如申請專利範圍第8項的高分子化合物，其中上述R⁵ 為芳基。
11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之高分子化合物，其中另含有下述式(6)表示的重複單位者： (式中，Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 及Ar⁵ 各自獨立表示伸芳基或二價雜環基；Ar⁶ 、Ar⁷ 及Ar⁸ 各自獨立表示芳基或一價雜環基；Ar² 、Ar³ 、Ar⁴ 、Ar⁵ 、Ar⁶ 、Ar⁷ 、Ar⁸ 表示的基，也可具有取代基；a及b各自獨立表示0以上的整數，如a為2以上時，複數個Ar³ 、Ar⁶ 可分別為相同，也可以相異，b為2以上時，複數個Ar⁵ 、Ar⁷ 可分別為相同，也可以相異)。
12. 一種下述式(9-0)表示的化合物： (式中，Ar⁰ 表示氫原子或下述式(A)表示的基，複數個Ar⁰ 可為相同，也可為相異，至少兩個Ar⁰ 是下述式(A)表示的基；X¹ 及X² 各自獨立表示鹵素原子；c及d各自 獨立表示0至4的整數，c為4以下，d為4以下；X¹ 存在數個時，其可為相同也可為相異，X² 存在數個時，其可為相同也可為相異) (式中，R² 表示氫原子、烷基、或經烷基取代之芳基，至少一個R² 為經烷基取代之芳基)。
13. 如申請專利範圍第12項的化合物，其中上述式(9-0)表示的化合物為下述式(9)表示的化合物者： (式中，X¹ 、X² 、c及d表示與上述者同義；R¹ 表示經烷基取代之芳基，四個R¹ 可為相同，也可為相異)。
14. 如申請專利範圍第13項的化合物，其中，上述式(9)表示的化合物為下述式(10)表示的化合物者： (式中，R¹ 表示與上述者同義，X³ 及X⁴ 各自獨立表示鹵素原子)。
15. 如申請專利範圍第12項的化合物，其中，上述式(9-0)表示的化合物為下述式(10-0)表示的化合物者： (式中，Ar⁰ 表示與上述者同義，至少二個Ar⁰ 是上述式(A)表示的基；X³ 及X⁴ 各自獨立表示鹵素原子)。
16. 一種組成物，係含有申請專利範圍第1至11項中任一項之高分子化合物者。
17. 一種薄膜，係含有申請專利範圍第1至11項中任一項之高分子化合物者。
18. 一種有機電晶體，係具有申請專利範圍第17項的薄膜者。
19. 一種發光元件，係具有由陽極及陰極所形成的電極，與 設在該電極間之含有申請專利範圍第1至11項中任一項之高分子化合物的層。
20. 一種面狀光源，係使用申請專利範圍第19項的發光元件者。
21. 一種顯示裝置，係使用申請專利範圍第19項的發光元件者。