JP5217361B2 - 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子に関する。

高分子化合物を含む有機層を有する発光素子（高分子発光素子）が知られている（非特許文献１）。
そして発光層以外に有機層を設けることが検討されており、その有機層に用いる高分子化合物として、フルオレンジイル基と、フェノキサジンジイル基またはフェノチアジンジイル基とからなる高分子化合物が提案されている（特許文献１参照）。
Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．１２ １７３７−１７５０（２０００） 特開２００４−１３７４５６

発光層と、陽極の間に、上記フルオレンジイル基とフェノキサジンジイル基とからなる高分子化合物の層を設けると、その層が無い場合に比較して、寿命特性が向上することがわかったが、未だ十分なものではなかった。

そこで、本発明の目的は、発光素子の材料として用いたときに寿命特性に優れる高分子発光素子を与えることができる高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子を提供するものである。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、フルオレンジイル基と、フェノキサジンジイル基またはフェノチアジンジイル基とに加え、チエニレン基及びベンゾチアジアゾールジイル基を含む高分子化合物が寿命特性に優れた素子を与えることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は、下記式（１）で示される構成単位、下記式（２）で示される構成単位、下記式（３）で示される構成単位および下記式（４）で示される構成単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１０³〜１０⁸である高分子化合物を提供するものである。

〔ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ａおよびｄは、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、bおよびcは、それぞれ独立に０〜２の整数を示し、eは０〜５の整数を示す。２個のＲ¹は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示す。〕

本発明の高分子化合物は、寿命特性に優れる高分子発光素子を与えることができる。
したがって、本発明の高分子化合物を用いてなる発光素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に有用である。
本発明の高分子化合物は、これらの作製に用いられる材料として好適である以外にも、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料、高分子電界効果トランジスタの材料等としても好適である。

前記式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。

前記式（１）中、ａは独立に０〜３の整数を表すが、ａがそれぞれ０又は１であることが好ましい。Ｒ¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

ここにアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。さらに好ましくは４〜８である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。さらに好ましくは４〜８である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。また、置換アルコキシ基としては、例えば、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、これらはさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基などの置換基を有していてもよい。これらの有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、炭素数１〜１２のアルキル基および/または炭素数１〜１２のアルコキシ基および/またはアルキルオキシカルボニル基を１つ以上置換基として有するフェニル基が好ましく、その具体例としては、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、メシチル基、４−ｉ−プロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｉ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ペンチルフェニル基、４−イソアミルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２，６−ジメチル−４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘプチルフェニル基、４−オクチルフェニル基、４−ノニルフェニル基、４−デシルフェニル基、４−ドデシルフェニル基、３−メチルオキシフェニル基、４−メチルオキシフェニル基、３，５−ジメチルオキシフェニル基、４−プロピルオキシフェニル基、４−ｉ−プロピルオキシフェニル基、４−ブチルオキシフェニル基、４−ｉ−ブチルオキシフェニル基、４−ｔ−ブチルオキシフェニル基、４−ヘキシルオキシフェニル基、３，５−ジヘキシルオキシフェニル基、４−ヘプチルオキシフェニル基、４−オクチルオキシフェニル基、４−ノニルオキシフェニル基、４−（メトキシメトキシ）フェニル基、３−（メトキシメトキシ）フェニル基、４−（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３−（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３,５−ビス（２−エトキシ−エトキシ）フェニル基、３−メトキシカルボニルフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、３，５−ジメトキシカルボニルフェニル基、３−エトキシカルボニルフェニル基、４−エトキシカルボニルフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−メトキシフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−エトキシフェニル基、３−エチルオキシカルボニル−４−ヘキシルオキシフェニル基などが挙げられる。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ（「Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素原子数が1〜12であることを意味する。）フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル（「Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル」は、アルキル部分の炭素原子数が1〜12であることを意味する。）フェノキシ基が好ましい。Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｓ−ブトキシフォノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が例示される。Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。

アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度である。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールアルコキシ基の具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。アリールアルケニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基（「Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基（「Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで、通常、１〜６０程度、好ましくは２〜４８である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基等が挙げられる。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１個、２個又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は、通常、１〜６０程度、好ましくは３〜４８である。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。

アシル基は、炭素数が、通常、２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

アシルオキシ基は、炭素数が、通常、２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

イミン残基としては、イミン化合物（即ち、分子内に、−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常、２〜２０程度であり、好ましくは２〜１８である。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。また、波線は、結合手を表し、イミン残基の種類によっては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。）

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基等が挙げられる。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基の炭素数は通常４〜60程度、好ましくは４〜20である。なお、１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基の具体例としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。なお、前記のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、２〜60程度、好ましくは２〜48である。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

前記式（２）中、Ｒ³で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。これらの基は、具体的には、Ｒ¹で表される置換基として説明し例示したものと同じである。

前記式（２）中、ｂは０〜２の整数を表すが、ｂは０又は１であることが好ましく。０であることがより好ましい。Ｒ³が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記式（２）中、Ｘ¹は酸素原子または硫黄原子を表すが、素子特性の観点から硫黄原子であることが好ましい。

前記式（３）中、Ｒ⁴で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。これらの基は、具体的には、Ｒ¹で表される置換基として説明し例示したものと同じである。

前記式（３）中、ｃは０〜２の整数を表すが、ｃは０であることが好ましい。Ｒ⁴が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記式（３）中、Ｘ²は酸素原子または硫黄原子を表すが、素子特性の観点から硫黄原子であることが好ましい。

前記式（４）中、Ｒ⁵、Ｒ⁶で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。これらの基は、具体的には、Ｒ¹で表される置換基として説明し例示したものと同じである。

前記式（４）中、ｄは独立に０〜３の整数を表すが、ｄは０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。Ｒ⁵が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記式（４）中、ｅは０〜５の整数を表すが、eは０〜３であることが好ましく、１であることがより好ましい。Ｒ⁶が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記式（４）中、Ｘ³は酸素原子または硫黄原子を表すが、素子特性の観点から酸素原子であることが好ましい。

前記式（４）で示される構成単位としては、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、下記式（４−１）：

で示されることが好ましい。

本発明の高分子化合物が有する全構成単位のモル数の合計（Ｍ）に対する上記式（１）で示される構成単位のモル数（Ｍ１）の比（Ｍ１／Ｍ）をｘ、全構成単位のモル数の合計に対する上記式（２）で示される構成単位のモル数の合計（Ｍ２）の比（Ｍ２／Ｍ）をｙ、全構成単位のモル数の合計に対する上記式（３）で示される構成単位のモル数の合計（Ｍ３）の比（Ｍ３／Ｍ）をｚ、全構成単位のモル数の合計に対する上記式（４）で示される構成単位のモル数の合計（Ｍ４）の比（Ｍ４／Ｍ）をｗ、とした場合に、０．０１≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ≦１であることが好ましく、０．１≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ≦１であることがより好ましく、寿命特性の観点から０．５≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ≦１であることがさらに好ましく、０．９≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ≦１であることがより好ましい。

また、式（１）で示される構成単位のモル数、式（２）で示される構成単位のモル数、式（３）で示される構成単位のモル数、式（４）で示される構成単位のモル数の合計量に対する、式（１）で示される構成単位のモル数と式（４）で示される構成単位のモル数との和の比である（ｘ＋ｗ）／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）は、０．１≦（ｘ＋ｗ）／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９が好ましく、より好ましくは０．３≦（ｘ＋ｗ）／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９であり、寿命特性という観点からは、さらに好ましくは０．３≦（ｘ＋ｗ）／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９であり、特に好ましくは０．５≦（ｘ＋ｗ）／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９である。

さらに、また、式（１）で示される構成単位のモル数、式（２）で示される構成単位のモル数、式（３）で示される構成単位のモル数、式（４）で示される構成単位のモル数の合計量に対する、式（４）で示される構成単位のモル数との和の比であるｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）は、０．０１≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９が好ましい。

本発明の高分子化合物を正孔輸送層に用いる場合、式（４）で示される構成単位が、正孔輸送能を有するため、より好ましくは０．１５≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．９９であることが好ましい。

寿命特性の観点から、０．３≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．８２、０．０２≦ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．４、０．０１≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．２および０．１５≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．６７をすべて満たすことが好ましく、合成の行いやすさといった観点から、０．３≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．７、０．０２≦ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．４、０．０１≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．２および０．１５≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．５をすべて満たすことがさらに好ましい。

本発明の高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、前記式（１）で示される構成単位、前記式（２）で示される構成単位、前記式（３）で示される構成単位および前記式（４）で示される繰り返し以外の構成単位を含んでいてもよい。

前記高分子化合物中の構成単位は、非共役構造で連結されていてもよい。この非共役構造としては、以下に示すもの、及びそれらを２個以上組み合わせたもの等が例示される。

（式中、Ｒは独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基があげられる。Ａｒはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数６〜６０の炭化水素基を表す。）

前記式中、前記ヘテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、珪素、硼素、燐、セレン等が挙げられる。

前記高分子化合物は、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。また、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。さらに、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

前記高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、１×10³〜１×10⁸程度であり、好ましくは１×10⁴〜１×10⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、３×10³〜１×10⁸程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の発光効率の観点から、好ましくは５×10⁴以上であり、１×10⁵以上がさらに好ましいが、高分子化合物の有機溶媒への溶解性の観点からは、１×10⁵〜５×10⁶であることが好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量がかかる範囲の高分子化合物を１種単独で素子に用いた場合でも該高分子化合物の２種類以上を併用して素子に用いた場合でも、得られる素子は高発光効率である。また、本発明の高分子化合物の成膜性を向上させる観点から、重量平均分子量／数平均分子量で規定される分散度が３以下であることが好ましい。

前記高分子化合物は、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。また、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。さらに、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

前記高分子化合物の分子鎖末端に位置する基（即ち、末端基）に重合に関与する基（通常、重合活性基と呼ばれる。）が残っていると、該組成物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する可能性があるので、重合に関与しない安定な基で保護されていることが好ましい。この末端基としては、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。

前記高分子化合物は、その分子鎖末端の少なくとも一方を、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基、及びアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、様々な特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、高分子化合物間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等が挙げられる。

前記高分子化合物は、素子特性の観点から、前記式（１）、（２）、（３）および（４）が完全にランダムに配列しているよりも、シーケンスが制御されている方が好ましく、具体的には、式（３）の両端に式（２）が結合（配列）した構造、即ち下記式（５）で示される構造を有することが挙げられる。

また、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜２の整数を示す。Ｒ³およびＲ⁴がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ¹およびＸ²はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示す。具体的には、それぞれ前記に説明し、例示したものと同じである。

本発明の高分子化合物として、式（1）の構造単位、式（5）の構造、および式（4）の構成単位を、ｐ：ｑ：ｒの比で含む下式（6）で示される高分子化合物があげられる。
なお、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ、式（１）、式(５)、式（４）のモル数の合計に対する式（１）、式（５）および式（４）のモル数の比を表し、 前記ｘ、ｙ、ｚおよびｗと、以下の式（１１）〜（１４）の関係を満たす。
ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）＝ｐ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ） 式（１１）
ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）＝２ｑ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ） 式（１２）
ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）＝ｑ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ） 式（１３）
ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）＝ｒ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ） 式（１４）

ｐ ： ｑ ： ｒ

ここに、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ａおよびｄは、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜２の整数を示し、ｅは０〜５の整数を示す。２個のＲ¹は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示す。具体的には、それぞれ前記に説明し、例示したものと同じである。

前記式（６）で示される高分子化合物は、式（１）、式（５）および式（４）を有するランダム重合体であってもブロック重合体であってもよいが、式（７）：

のように、式（１）の構成単位と式（４）の構成単位とが結合してなる２価の基（ｂ）、式（１）の構成単位と式（5）の構造とが結合してなる２価の基（ｃ）が、ランダムに重合していることがさらに好ましい。

上記（６）および（７）の高分子化合物の末端は、芳香族末端基と結合していてもよく、重合の行いやすさの観点からは、フェニル基と結合していることが好ましい。

前記高分子化合物の製造方法としては、例えば、Suzuki反応により重合する方法（ケミカル レビュー（Chem.Rev.），第95巻，2457頁（1995年））、Grignard反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、432〜433頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Prog.Polym.Sci.）,第17巻,1153〜1205頁，1992年）、FeCl₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法（丸善、実験化学講座第４版、28巻、339〜340頁）等が例示される。

本発明の高分子化合物を高分子発光素子等に用いる場合、前記高分子化合物の純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また、合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

また、本発明の高分子化合物を用いて製膜したときの製膜性、素子特性を改良する観点で、本発明の高分子化合物と、他の低分子有機化合物、および／または高分子化合物を混合した高分子組成物として用いても良い。
該高分子組成物は、本発明の高分子化合物を少なくとも1種類含むものであり、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料、安定剤、酸化防止剤等を含んでいても良い。これらの任意成分は、各々、１種類単独で用いても２種類以上を併用しても良い。
組み合わせる低分子有機化合物、高分子化合物は、特に限定されないが、正孔注入・輸送性（正孔輸送材料）、電子注入・輸送性（電子輸送材料）を有するものが好ましく用いられる。

具体的には、該高分子組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、低分子有機化合物としては、トリフェニルアミン、テトラフェニルジアミン、ビスカルバゾリルビフェニルおよびこれらの誘導体等が挙げられ、高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。

また電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

前記材料の含有比率は、用途に応じて決定すればよいが、該高分子組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。

また該高分子組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。

本発明の高分子化合物は、特に液状組成物として高分子発光素子等の発光素子に有用である。本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物と溶媒とを含有する。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。

高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物（例えば、溶液状態の組成物）を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10^-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜99．9重量％であり、好ましくは60重量％〜99.9重量％であり、さらに好ましく90重量％〜99.9重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、液状組成物中の溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。

溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。

液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃以下のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃以下のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶解することが好ましい。

液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。

液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量％であることが好ましく、50〜90重量％であることがより好ましく、65〜85重量％であることがさらに好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルの組み合わせ、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、キシレン及びビシクロヘキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾエートの組み合わせが好ましい。

液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、本発明の高分子組成物に含まれる高分子化合物の溶解度パラメータとの差が10以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。これらの溶解度パラメータは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、1976年）」に記載の方法で求めることができる。

さらに、本発明の液状組成物は、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤を含んでいても良い。

本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物が含む溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。即ち、液状組成物中の固形分に対して少量の貧溶媒を添加することで、該組成物の粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、該液状組成物中の固形分が析出しない範囲で、貧溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、組成物全体に対して50重量％以下であることが好ましく、30重量％以下であることがより好ましい。

本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の液状組成物の保存安定性を改善し得る。

次いで、本発明の薄膜について説明する。
この薄膜は、前記高分子化合物を用いて製造することができる。
好ましくは、前記高分子化合物を含む層を作成し、該層を通常５０℃以上に加熱して製造するものであり、より好ましくは、加熱温度が５０℃以上３００℃以下で製造するものであり、さらに好ましくは、５０℃以上２００℃以下で製造されるものである。
加熱温度が低すぎると硬化が不十分となる傾向があり、高すぎると該薄膜をエレクトロルミネッセンス素子に用いた場合に素子特性が低下する傾向がある。また、加熱時間は、通常１５分から１時間程度であり、加熱方法としては、オーブンやホットプレートを用いて加熱する方法が挙げられる。
加熱は、不活性気体雰囲気下もしくは真空中で行うことができ、好ましくは窒素雰囲気下である。
薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、70％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω／□以下であることがより好ましく、10Ω／□以下であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、より好ましくは10^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは10^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光を発し、高分子発光体（即ち、高分子量の発光材料）として用いることができる。また、本発明の高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子発光素子用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子化合物を用いた高分子発光素子は低電圧、高発光効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。従って、本発明の高分子化合物は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等の材料として有用である。

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ、本発明の高分子化合物を含む有機層（即ち、有機物を含む層）とを有するものである。前記有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよい。
寿命、輝度または発光効率等の素子特性の観点から、該有機層は、正孔輸送層であることが好ましく、この場合、発光層が、赤色の領域（６００ｎｍ〜８００ｎｍ）で発光する化合物を含有することがさらに好ましい。
赤色の領域（発光スペクトルのピークトップが６００ｎｍ〜８００ｎｍの領域）で発光する化合物としては、公知のものが使用できる。該化合物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、高分子化合物であることが好ましく、例えば、下記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）：

で示される繰り返し単位を含む高分子化合物等が挙げられる。

前記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびＲ¹²はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ｆは、０〜３の整数を示し、ｇは、０〜３の整数を示し、ｈは、０〜５の整数を示し、ｉおよびｊは、それぞれ独立に０〜２の整数を示す。２個のＲ⁸は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ⁷、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびＲ¹²がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ⁴およびＸ⁵はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示し、好ましくは硫黄原子である。

前記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹およびＲ¹²で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。これらの基は、具体的には、Ｒ¹で表される置換基として説明し例示したものと同じである。

前記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）中、ｆは、０〜３の整数を示すが、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｇは、０〜４の整数を示すが、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｈは、０〜５の整数を示すが、好ましくは１〜３であり、より好ましくは１である。ｉは、に０〜２の整数を示すが、好ましくは０である。ｊは、に０〜２の整数を示すが、好ましくは０または１である。

該高分子化合物は、（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）以外の繰り返し単位を含んでいても良い。また、該高分子化合物は、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。また、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。さらに、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

該高分子化合物が有する全繰り返し単位のモル数の合計に対する前記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）のモル比をそれぞれｆ1、ｇ1、ｈ1とした場合、０．０１≦ｆ1＋ｇ1＋ｈ1≦１であることが好ましく、０．１≦ｆ1＋ｇ1＋ｈ1≦１であることがより好ましい。

また、該高分子化合物が有する全繰り返し単位のモル数の合計に対する前記式（ｆ）、（ｇ）および（ｈ）のモル比ｆ1、ｇ1、ｈ1は、それぞれ０．０１≦ｆ1≦０．９９、０．０１≦ｇ1≦０．９９、０．０１≦ｈ1≦０．９９であることが好ましい。

また本発明の高分子化合物を正孔輸送層に用いる場合、素子特性向上の観点から、該正孔輸送層が、発光層に接していることが好ましい。
また、発光層が、本発明の高分子化合物に含まれる構成単位の少なくとも１つを有する高分子化合物を含有することが好ましく、前記式（１）で示される構成単位、前記式（２）で示される構成単位、および前記式（３）で示される構成単位を含む高分子化合物を含有することが、さらに好ましい。

また、前記発光層に用いる高分子化合物は、前記式（１）で示される構成単位、前記式（２）で示される構成単位、および前記式（３）で示される構成単位以外を含んでいても良い。

発光層とは、発光する機能を有する層をいう。正孔輸送層とは、陽極と発光層の間に設けられた正孔を輸送する機能を有する層をいう。電子輸送層とは、陰極と発光層の間に設けられた電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、正孔輸送層と電子輸送層を総称して電荷輸送層という。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上存在してもよい。

本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。

発光層の形成方法としては、限定されないが、例えば、液状組成物からの成膜による方法が挙げられる。液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

発光層として用いる材料は、蛍光および燐光を示す発光材料のことを指す。該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているものが挙げられる。高分子化合物では、一般的に共役系高分子が挙げられ、例えば、フェニレンビニレン共重合体、フルオレン共重合体等が挙げられ、具体的には、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５８巻、１９８２頁（１９９１年）、特表２００２−５３６４９２、特表２００５−５１５２６４等に記載されているものが挙げられる。燐光発光を示す化合物としては、中心金属が遷移金属又はランタノイドである金属錯体が挙げられ、具体的には、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and Devices IV), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852 、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)、WO0141512、WO03033617、04-2有機EL研究会予稿集 (2004)、WO2005113704、WO2006014599等に記載されている公知のもの等が例示される。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、1.5％以上であることがより好ましい。

本発明の高分子発光素子としては、例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

本発明の高分子発光素子としては、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、該正孔輸送層には本発明の高分子化合物を用いることができる。また、該正孔輸送層には正孔輸送材料（低分子、高分子のものがある。）も用いることができる。この正孔輸送材料としては、前述の高分子組成物が含有してもよい正孔輸送材料で例示したものが挙げられる。

該正孔輸送材料としては、具体的には、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。

また、低分子の正孔輸送材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン及びその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子の正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子の正孔輸送材料では、溶液（即ち、正孔輸送材料を溶媒と混合したもの）からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなることがあり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、該正孔輸送層には本発明の高分子化合物を用いることができる。また、該電子輸送層には電子輸送材料（低分子、高分子のものがある。）も用いることができる。この電子輸送材料としては、前述の高分子組成物が含有してもよい電子輸送材料で例示したものが挙げられる。

該電子輸送材料としては、具体的には、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、及び溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、前記高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。具体的には、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものが挙げられる。この溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜方法として例示したものが挙げられる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、それぞれ、特に正孔注入層、電子注入層（以下、これらの総称を「電荷注入層」ということがある。）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層を設けた高分子発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極

本発明の高分子発光素子としては、前述のとおり、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び／又は電子輸送層に含まれているものも含む。また、本発明の高分子発光素子としては、本発明の高分子化合物が正孔注入層及び／又は電子注入層に含まれているものも含む。

本発明の高分子化合物または高分子組成物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。本発明の高分子化合物または高分子組成物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入等の方法がある。

電荷注入層の具体例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。

電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10^-5Ｓ／ｃｍ以上10³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10^-5Ｓ／ｃｍ以上10²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、10^-5Ｓ／ｃｍ以上10¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常、該導電性高分子の電気伝導度を10^-5Ｓ／ｃｍ以上10³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられる。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜100ｎｍであり、２ｎｍ〜50ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。

絶縁層は、通常、膜厚0.5〜4.0ｎｍであり、電荷注入を容易にする機能を有するものである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。

絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

本発明の高分子発光素子は、上記ａ)〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の組成物を含む。

本発明の高分子発光素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。通常、本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜調整することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50nm〜500ｎｍである。

陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜調整することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を設けてもよい。高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを設けることが好ましい。

保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、例えば、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に用いることができる。

本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。

面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

本発明の高分子化合物の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、 “オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。

本発明の高分子化合物の製造方法において、重合させる方法としては、重合に関与しうる置換基に応じて、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。

また、重合に関与しうる置換基を２つ以上有する化合物の共存下に重合を実施することにより、共重合体を製造することができる。重合に関与しうる置換基を３つ以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する高分子化合物を製造することができる。

本発明の高分子化合物が重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が利用できる。

また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。

これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法およびニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、分子量制御のしやすさの観点、共重合の場合の組成比制御のしやすさの観点で好ましい。

中でも、重合に関与しうる置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体またはパラジウム触媒存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

また、重合に関与しうる置換基がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）₂、またはホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）₂およびホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常 Ｋ／Ｊ は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。

溶媒としては、用いる化合物や反応によって異なるが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ， Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。

本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

−数平均分子量及び重量平均分子量の測定方法−
実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、島津製作所製、商品名：LC-10Avp）により求めた。測定する重合体は、約0.5重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに50μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/minの流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM-H（東ソー製）２本とTSKgel SuperH2000（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：RID-10A）を用いた。

＜合成例１＞高分子化合物２の合成
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．９１ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７９ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．０９２ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．３５ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４９ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロライド（８．４ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５２ｇ）、トルエン（４０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（１１ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８0℃で４時間撹拌した。冷却後、水（５０ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（５０ｍｌ）で３回、水（５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３Ｌ）に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物２の収量は２．１ｇであった。
高分子化合物２のポリスチレン換算数平均分子量は、７．５×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．８×１０⁵であった。
なお、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＵＳ３５７７４２７に記載の方法で合成し、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２００００４６３２１に記載の方法で合成し、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミンは、ＷＯ２００２０４５１８４に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物２は、下記式で示される繰り返し単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝ ７０ ：１２．５ ：２．５ ：１５

＜合成例２＞高分子化合物３の合成
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（４．２６ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン（３．６０ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアゾール（０．１２ｇ）、酢酸パラジウム（５．４ｍｇ）、トリス（３-メトキシフェニル）ホスフィン（３３．８ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（１．３０ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（６１ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（１９ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．１５ｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（１００ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（１００ｍｌ）で３回、水（１００ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（１６００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物３の収量は４．１９ｇであった。
高分子化合物３のポリスチレン換算数平均分子量は、９．９×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．１×１０⁵であった。
なお、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＵＳ３５７７４２７に記載の方法で合成した。
３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、ＪＰ２００４１３７４５６に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物３は、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝ ５０ ：４７．５ ：２．５

＜合成例３＞ 高分子化合物４の合成
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（７．５４ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−Ｎ−ブチルフェニル）−フェノキサジン（６．５４ｇ）、酢酸パラジウム（３．４ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（４６．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（２．２ｇ）、トルエン（１０６ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（３３ｍｌ）を滴下し、３時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（２０２ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８0℃で４時間撹拌した。冷却後、水（２００ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（２００ｍｌ）で３回、水（２００ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３Ｌ）に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物４の収量は８．３ｇであった。
高分子化合物のポリスチレン換算数平均分子量は、２．７×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は５．５×１０⁴であった。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物４は、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝５０ ： ５０

＜実施例１＞
〔高分子化合物１の合成〕
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（７．５７ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン（６．３８ｇ）、４，７−ビス−（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアゾール（０．５３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム錯体（１１ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（２．３０ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（１０７ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（３７ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．２１ｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（１５０ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（１５０ｍｌ）で３回、水（１５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３０００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物１の収量は８．８３ｇであった。
高分子化合物１のポリスチレン換算数平均分子量は、５．９×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．４×１０⁵であった。
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２００００４６３２１に記載の方法で合成した。
３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、ＪＰ２００４１３７４５６に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物１は、下記式で示される２価の基を、下に示す割合で有するものであると求められ、

＝ ５０ ：４７．５ ：２．５

また、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝ ５０ ：５： ２．５ ：４７．５

.
〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物１を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物１（１０ｎｍ：正孔輸送層）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１２８９ｃｄ／ｍ²であった。また発光効率は３．２Ｖで最大値を示し、０．８６ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、１４６時間であった。

＜比較例１＞
〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１５６８ｃｄ／ｍ²であったが、発光効率は４．６Ｖで最大値を示し、０．５２ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、１１．３時間であった。

＜比較例２＞
〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物３を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物３（１０ｎｍ：正孔輸送層）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は９２３ｃｄ／ｍ²であった。また、発光効率は２．８Ｖで最大値を示し、０．９５ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、１７．８時間であった。

＜比較例３＞発光素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物４を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物４（１０ｎｍ：正孔輸送層）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１２２６ｃｄ／ｍ²であった。また、発光効率は２．８Ｖで最大値を示し、０．９９ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、９１．５時間であった。

＜実施例２＞
〔高分子化合物５の合成〕
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（７．４９ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン（６．３８ｇ）、４，７−ビス−（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアゾール（０．３３ｇ）、酢酸パラジウム（３．２ｍｇ）トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（４４．５ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（２．３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（１１０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２Ｍ Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液（３４ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．２１ｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（１５０ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（１５０ｍｌ）で３回、水（１５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（３０００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物５の収量は８．８３ｇであった。
高分子化合物５のポリスチレン換算数平均分子量は、６．７×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．８×１０⁵であった。
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２００００４６３２１に記載の方法で合成した。
３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、ＪＰ２００４１３７４５６に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物５は、下記式で示される２価の基を、下に示す割合で有するものであると求められ、

＝ ５０ ：４５ ：５

また、高分子化合物５は、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝ ５０ ：１０ ：５ ：４５

.
〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物５を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物５（１０ｎｍ：正孔輸送層）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は７５８ｃｄ／ｍ²であった。また発光効率は４．６Ｖで最大値を示し、０．５７ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、３０４時間であった。

＜実施例３＞
〔高分子化合物６の合成〕
ジムロートを接続した２００ｍＬセパラブルフラスコに、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン２．１３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン １．４２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、４，７−ビス−（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアゾール０．４６ｇ（１．０ｍｍｏｌ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６ ０．５２ｇ、トルエン４０ｍｌを加えた。窒素雰囲気下、モノマー溶液を加熱し９５℃で酢酸パラジウム ０．６ｍｇ、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン ３．４ｍｇを加えた。この溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液 １０．９ｇを滴下しながら１０５℃に加熱した後、６ｈｒ攪拌した。次にフェニルホウ酸 ２４４ｍｇとトルエン４０ｍＬを加え、１０５℃で６ｈｒ攪拌した。更にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物 ２．４３ｇ、イオン交換水 ２４ｍＬを加え６５℃で２ｈｒ攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水 ５０ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液 ５０ｍＬ（２回）、イオン交換水 ５０ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。有機層をメタノール ６５０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン １２０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノール ６５０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、高分子化合物６を２．３５ｇ得た。また、ポリスチレン換算の数平均分子量は７．０×１０⁴であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１．７×１０⁵であった。
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２００００４６３２１に記載の方法で合成した。
３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、ＪＰ２００４１３７４５６に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物６は、下記式で示される２価の基を、下に示す割合で有するものであると求められ、

＝ ５０ ：３７．５ ：１２．５

また、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝ ５０ ：２５ ：１２．５ ：３７．５

.
〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物６を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物６（１０ｎｍ：正孔輸送層）／高分子化合物２（約８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は７１０ｃｄ／ｍ²であった。また発光効率は４．６Ｖで最大値を示し、０．５３ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、４５５時間であった。

＜実施例４＞
〔高分子化合物７の合成〕
ジムロートを接続した２００ｍＬセパラブルフラスコに、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン２．１３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジン １．３３ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、４，７−ビス−（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアゾール０．５５ｇ（１．２ｍｍｏｌ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６ ０．５２ｇ、トルエン４０ｍｌを加えた。窒素雰囲気下、モノマー溶液を加熱し９５℃で酢酸パラジウム ０．６ｍｇ、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン ３．４ｍｇを加えた。この溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液 １０．９ｇを滴下しながら１０５℃に加熱した後、６ｈｒ攪拌した。次にフェニルホウ酸 ２４４ｍｇとトルエン４０ｍＬを加え、１０５℃で６ｈｒ攪拌した。更にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物 ２．４３ｇ、イオン交換水 ２４ｍＬを加え６５℃で２ｈｒ攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水 ５０ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液 ５０ｍＬ（２回）、イオン交換水 ５０ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。有機層をメタノール ６５０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン １２０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノール ６５０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、高分子化合物７を２．３５ｇ得た。また、ポリスチレン換算の数平均分子量は、７．７×１０⁴であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１．８×１０⁵であった。
なお、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２００００４６３２１に記載の方法で合成した。
３，７−ジブロモ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンは、ＪＰ２００４１３７４５６に記載の方法で合成した。

出発原料の仕込み比より、高分子化合物７は、下記式で示される２価の基を、下に示す割合で有するものであると求められ、

＝ ５０ ：３５ ：１５

また、下記式で示される構成単位を、下に示す割合で有するものであると求められる。

＝５０ ：３０ ：１５ ：３５

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〔発光素子の作製〕
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物７を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により製膜後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥した。乾燥後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、約１０ｎｍ程度とした。次に、高分子化合物２を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物７（１０ｎｍ）／高分子化合物２（約８０ｎｍ）／Ｂａ／Ａｌ
であった。

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６６５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は７０５ｃｄ／ｍ²であった。また発光効率は４．８Ｖで最大値を示し、０．５１ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²での輝度９５％までの減少時間（寿命）は、５１６時間であった。

＜実施例５＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６０ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物７を混合キシレンに１．７重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約８０ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、１時間乾燥した。１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、
ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６０ｎｍ）／高分子化合物７（８０ｎｍ：発光層）／Ｂａ／Ａｌ
であった。
得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６７０ｎｍである赤色発光し、その時の輝度は８７ｃｄ／ｍ²であった。また発光効率は１０Ｖで、０．０３ｃｄ／Ａであった。

Claims (12)

1. 下記式（１）で示される構成単位、下記式（２）で示される構成単位、下記式（３）で示される構成単位および下記式（４）で示される構成単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１０³〜１０⁸である高分子化合物であって、
   高分子化合物が有する全構成単位のモル数の合計に対する式（１）で示される構成単位のモル数の比をｘ、式（２）で示される構成単位のモル数の比をｙ、式（３）で示される構成単位のモル数の比をｚ、式（４）で示される構成単位のモル数の比をｗとした場合に、０．５≦ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ≦１であり、
   ０．３≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．８２、０．０２≦ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．４、０．０１≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．２および０．１５≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．６７を満たし、
   式（３）で示される構成単位の両隣に式（２）で示される構成単位が結合した下記式（５）で示される構成単位を有し、
   式（１）で示される構成単位、式（５）で示される構成単位および式（４）で示される構成単位の比を、ｐ：ｑ：ｒとした場合に、０．３≦ｐ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．８２、０．０１≦ｑ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．２および０．１５≦ｒ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．５を満たす高分子化合物。
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   

   

   〔ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ａおよびｄは、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜２の整数を示し、ｅは０〜５の整数を示す。２個のＲ¹は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示す。〕
   

   

   〔ここで、Ｒ ³ およびＲ ⁴ はそれぞれ置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜２の整数を示す。Ｒ ³ およびＲ ⁴ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ ¹ およびＸ ² はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子を示す。〕
2. 式（４）が式（４−１）である請求項１記載の高分子化合物。
   

   

   （Ｘ³、Ｒ⁶は前記と同じ意味を表す。）
3. 式（４）中のＸ³が酸素原子である請求項１または２記載の高分子化合物。
4. ０．３≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．７、０．０２≦ｙ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．４、０．０１≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．２および０．１５≦ｗ／（ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ）≦０．５を満たし、
   ０．３≦ｐ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．７、０．０１≦ｑ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．２および０．１５≦ｒ／（ｐ＋３ｑ＋ｒ）≦０．５を満たす請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物と溶媒とを含有する液状組成物。
6. 請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物を含む層を作成し、該層を５０℃以上に加熱する薄膜の製造方法。
7. 陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層とを有する高分子発光素子。
8. 請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層が、発光層である請求項７記載の高分子発光素子
9. 陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に発光層を有し、さらに陽極と発光層間に設けられ請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層を有する高分子発光素子。
10. 請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機層が、正孔輸送層である請求項９記載の高分子発光素子。
11. 発光層が赤色の領域（６００−８００ｎｍ）で発光する高分子化合物を含有する請求項９または１０記載の高分子発光素子。
12. 発光層が、前記式（１）で示される構成単位、前記式（２）で示される構成単位および前記式（３）で示される構成単位を含む高分子化合物を含有する請求項９または１０記載の高分子発光素子。