TWI334211B - Package substrate structure and manufacturing method thereof - Google Patents
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1334211 九、發明說明: .· 【發明所屬之技術之領域】 本發明係有關於一種封裝基板結構及其製法,尤指一 種線路層具有大面積導體區塊之封裝基板結構及其製法。 【先前技術】 在封裝基板製造業界,低成本、高可靠度及高佈線密 度一直是所追求之目標;為達目標,於是發展出一種多層 封裝基板’係在一核心基板(core substrate)表面上形成介電 馨層及線路層’並於該介電層巾形成導電盲孔(___ _ holes)以提供線路層之間的電性連接。 而在該多層封蓑基板中之線路層除了一般線路外,亦 包含有提供與電源連接或接地之 a W之用途的大面積導體區塊, 該夕層:裝基板之製法如第!八至1?圖所示。 如弟1A圖所示,俾描极 . 電性連接端102,1G2,之承载層H置複數線路1〇1及 板及多層封裝基板的介上二’:載層10係為核心 如第1B圖所示,接著,於哕 電性連接端陶⑽表面形成=層1G、線路】〇1及 形成藉备M . ;丨電層11,且該介電層11 沁成複數第一盲孔110,110, I电層11 之表面。 路該電性連接端1〇2,102, 如第1C圖所示,於該介電 如第圖所示,於該導電形成-導如3。 且於該阻層14中形成複數小9表㈣成1且層14’ 口區140·以分別顯露部 貝幵口區丨4〇及一大面積開 包層11及電性連接端102 102, 110279 5 表面之導電層13。 ' \ E圖所不,藉由該導電層13作為電鍍之電流傳 11_,巾’係包括形成於該些第一盲孔 區刚,ho,中之第-Γ1,151’,以及形成於阻層開口 — 、’、欠路152與大面積之導體區塊152,。 如第1F及1]7,園6匕- Q所不,移除該阻層14及導電層13以 顯路弟一線路152及導體區塊152,。 宓产;隹;:大面積導體區塊152,於電鍍形成時,因其電流 =厂'面積之第—線路152為*,以致 厚度不足,與第-線路152之間有— ^e,甚 ^ 陷1 53,如此卽;土士、分_ 在王座生凹 導致進弟一線路層15之整面厚度不均勻, 厚度分佈不均造成下描思。士亡 丫層 品質不佳及阻二:層時之盲孔加工困難’電性連接 f法因:避種具有大面積導體區塊之線路層之 4的大面積區電流密度分佈和小面積區 :机也度分佈之差異,所造成該線路層厚度不均勻或導二 失’實已成為目前業界亟待克服之難題。 【發明内容】 ==習知技術之缺點,本發明之一目 一種封裝基板結構及其製法,得避免造成線路 導體區塊厚度不足或中央凹陷,致該線路層厚度不== 缺失 。 本發明之又—目的為提供一種封裝基板結構及其製 110279 6 .=提供後續線路增層得以避免造成盲孔加 連接品質不佳及阻抗控制不良的情況。 難、性 法,:m目的’本發明提供—種封裝基板結構之制 凌知包括.提供一承载層,其表面 稱之衣 該圖素化鍊路層具有複數繞敌万A 圖木化線路層,
該承載層及圖孝化線路”面第一電性連接端;於 一八h 層表面形成-第-介電層,且P W电層中形成複數第一盲孔以顯露 且該弟 面;於第-介電層表面形成一第:介—二連,表 中形成複數小面積開口區及至少—大^:於”介電層 份第-介電層表面,且部份開口區係對』顯露部 該大面積開口區所顯露之f :—目孔’並於 凸於第二介電層表面:其;電材 -盲孔及第-盲孔所顯露之 ::-介電層之第 電層;於該導電層表面开電14連接^表面形成一導 以顯露部份之導電> ^ 阻層,且該阻層形成開口區 開。區心:以=開;:係對應第二介電層 形成於該些第一盲孔中並電心:=弟-導電盲孔, 一線路,係形成於小面積 / 一電性連接端,第 至少—導體區塊,係形第一!電!表面,以及 面,並使該些介電材凸枝 '開口區之弟一介電層表 移除阻層及其所覆蓋之導電層敢埋於該導體區塊中;以及 之其i2者該承载層係為核心板及多層封裝基板的介電層 復包括於第二介電層及第一線路層表面形成一線路增 110279 7 層結構,該線路增層結構 、: 第二線路層及複數第二導命亡^增層介電層、至少一 接該虺第-線J # 电目孔,第一導電盲孔係電性連 弟—線路層具有複數 、,包括於該線路增層結構表面形成:接:: I數顯露線路增層結構之第二電性連接二、形成 提供二载:提封裝基板結構之製法,係包括: 路層具有複數線路及複數第—電性連接:層於:圖案化線 圖案化線路層表面形成一第—介電層, 形成複數第-盲孔以顯露第一電性連接端電層中 面積開口區及至少一大面=於第二介電層中形成複數小 表面,且部份開口區係對應 亡 弟;丨电層 區所顧露之第入φβ·*' 目,並於该大面積開口 _介電面形成複數介電材凸柱;於該第 區中、第—介電層之第-盲孔及第 電性連接端表面形成-導電#.於义 電層表面電鍍形成-金屬層;以及移除該第二二二 面上之導電層及金屬層,以形技一"包層表 -導電盲孔,形成於該也第4二:係包括第 释麥而 如形成於小面積開口區之第一介電 ;二介二=少一導體區塊’係形成於大面積開口區之 區塊表面 且使該些介電材凸柱頂面顯露出該導體 110279 8 ⑴ 4211 之其^者該承载層係為核心板及.多層封農基板的介電層 復包括於第-公_ 路增層結構,該=表面表面形成一線 少一第二線路層及複數 增層介電層、至 性連接該些第二線路声, 一蛤電目孔係電 線路層,又最外面之/ 一接第二線路層與第〜 取外面之弟二線路層具有複數第 设包括於該線路增層处 連接糙。 複數開孔以顯露該線路::=形成一防烊層,並形成 一 i線料層結構n性連接端。 發明復提供-種封裝基板結構,係包括·· 其表面配置-圖案化線 載層’ 路及複數第—電性連接端.層有複數線 載層及第一電性連接端夺面、,'層,係配置於該承 芯Γ連接端表面;—第二介電層,係配置於第-二 二此:具有硬數小面積開口區及至少-大面積開口 ㈣顯露部份第一介電層表面,且部份開口區 、W第目孔,又該大面積開口區所顯露之第一介電芦 :具有複數介電材凸柱;以及-第-線路層,係包括; 導電盲孔’配置於該些第一盲孔中並 性連接端’第-線路,係配置於小面積開口區 :表面,以及-導體區塊,係配置於大面積開一 介電層表面。 弟 其中’該承載層係為核心板及多層封裝基板的介電芦 之其中一者。 曰 110279 9 =中,該些介電材凸柱頂面係後埋 顯露出該導體區塊表面之其中一者。 ¥紅ε塊中及 狀』:’該些介電材凸柱係呈陣列佈局’且其頂面之形 狀知為矩形、圓形及任意幾何形狀之其中—者。 復包括一線路增層結構,机。 路層表面’該線路增層結構包括至少二層介=第:, 一第二線路層及複數第二導電 曰 夕 連接該些第二線路層,以及^ έ 導電盲孔係電性 路層。 I路層u及電性連接第二線路層與第一線 且右—㈣層,係配置於料路增層結構表面,並 '有t ,錢露料增層結構之最外面第二線路層 之邛伤表面,以供做為電性連接端。 曰
本4月之大面積之第一線路層中具有介電材凸柱,而 :小,料大面積區電流密度分佈和小面積區電流密度分 佈之差異,以避免造成導體區塊厚度不足或中央凹陷,致 h線路層厚度不均句的缺失,以利於後續線路增層結構電 性連接第—線路料,得以避免造成盲孔加工困難,電性 連接品質不佳及阻抗控制不良的情況。 【實施方式】 以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方 式’所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書所揭示 之中容輕易地瞭解本發明之其他優點與功效。 [弟一製法貫施例] 请蒼閱第2A至2F圖,係為本發明之封裝基板結構的 110279 10 第一實施例製法。 · /第2A圖所示,提供一承载層,盆表面配置 尔化線路層,該圖案化線路 圖 οηο 虿歿數線路201及第一電 !·生連接為202,202,,且該承載層2〇 基板的介電層之其卜者,然後㈣板及,層封裳 電層21中形成複數第—盲孔21G / 21且該弟-介 端202,202,表面。 ,卩顯露第-電性連接 第2二圖所示’於第一介電層21表面形成-第二介 及5小一 士;姓 中形成後數小面積開口區220 至乂―大面關口區22〇,以顯露部 口區22咖,係對應第—盲^似。,彳 ;大面積開口區220,所顯露之$ — 數介電材凸柱22卜 以層21表面形成複 咖,=中2C=r於該第二介電層22表面及其開口區 孔所"電層21之第一盲孔210,210·及第-盲 第一電性連接端202,202,表面形成一導電層 3,接者於該導電層23表面报士 n 中形成開口區240,240,以顯露部份:^24,且該阻層24 開口區240,240,係分別對應苐層23 '且該阻層 々 一不一 "%層開口區220,220·。 如苐2D圖所示,雷*声报士 咕 M w 电鍍形成一弟-線路層25,係包括 電盲孔机阶’形成於該些第—盲孔训,21〇,中 =連接至第-電性連接# 2G2,2G2,,第—線路以, 场成於小面積開口區22〇之第一介電層Μ表面,以及導 】10279 1] 1334211
體區塊252,,係形成於大 · 221之第一介電層2】 貝幵°° 220’具有介電材凸柱 嵌埋於該導體區塊说中。’亚使該些介電材凸桎頂面22! 帛2E及2E圖所示,移除該阻層^及 ¥电層23,以顯露第—線路層25。 -斤覆I之 如第2F圖所示,於第二 表面形成-線路增層結構26,㈣線路層25 只从丫吟 由於線路增層結構製法為業 二1、 述。該線路增層結構26包括至少-妗声 二電層、疊置於該介電層上之第二線路層犯:二 ΐ形成於該介電層260中之複數第二導電盲孔26卜並中 弟-導電盲孔261係電性連接連接該些第二線路層加, 以及電性連接第二線路層262與第一線路層25,又最外面 之第^線路層262具有複數第二電性連接端263。 、,,復包括於該線路增層結構26表面形成一防烊層27, 亚形成複數開孔270以顯露線路增層結構26之第二電性 接端263。 由於第二介電層22之開口區22〇,中具有複數介電材 凸柱221 ’使該第一線路層25形成於該大面積開口區22〇, 中時,得以縮小電鍍時大面積區22〇,電流密度分佈和小面 積區220電流密度分佈之差異,以避免造成導體區塊25y 厚度不足或中央凹陷,使第一線路層25中大面積之導體區 塊252'具有平整表面’俾使該線路增層結構26中之第二導 電盲孔261電性連接至該導體區塊252·得以避免電性連接 不良的情況。 110279 12 [第一製法實施例] . 請參閲第3A至3D R· 第二實施例製法#明之封裝基板結構的 層及第二線路係為全加成=/不同處在於該第一線路 於該2二ΓΓΓ提供—係如第25圖所示之結構,係 具有複數绫敗ςΛι 圖本化線路層,該圖案化線路層 層%係為t ^ —電性連接端3G2,3G2,,㈣承載 後於哕承載Γ:及多層封裝基板的介電層之其中-者’然 一第二::層30及該圖案化線路層3〇1,3〇2,3〇2,表面形成 亡孔31 ’且於該第—介電層31中形成複數第一 =一八,31〇’以顯露第一電性連接端3〇2,302,表面,並於 弟-二電層3!表面形成一第二介電層32,於第二介電層 中形成複數小面積開吨32〇及至少一大面積開口區 〇以顯露部份第一介電層31纟面,且部份開口區 •’320係對應該第一盲孔31〇,31〇,,並於該大面積開口區 320所顯露之第一介電| 31纟面形成複數介電材凸柱 321’於該第二介電層32表面及其開口區320,320'中、第 一介電層31之第一盲孔310,310,及第一盲孔所顯露之第一 電性連接端302,302,表面形成一導電層33。 請參閱第3B圖’於該導電層33表面電鍍形成一金屬 層 35'。 ««月參閱弟3C及3C’圖,移除該第二介電層32表面上 之導電層33及金屬層35, ’以形成一第一線路層35,係包 括第一導電盲孔351,35Γ,形成於該些第一盲孔310,310, 110279 13 1334211 中並電性連接至第一電性連 〇 在π氺从, 丈佼鵠^2,302,第一線路352, 係形成於小面積開口區32〇 弟)丨私層31表面,以及導 主 係形成於大面積開口區320,之第一介電層31 '面’且使該些介電材凸柱321頂面顯露出導體也. 表面。 弟3D圖’於該第二介電層32及第-線路層35 ^所^ —線路增層結構36,由於線路增層結構製法為業 界所熟知’故不贅述1線路增層結構36包括 介電層剔、至少一第二線路層如及複數第二導電^ 36卜弟二導電盲孔361係電性連接該些第二線路層地, 以及電性連接第二線路層362與第一線路層%,又 之第=線路層362具有複數第二電性連接端363。 復包括於該線路增層結構36表面形成_防焊層p, 並形成複數開孔370以顯露線路增層結構36之第二: 接端363。 毛r王連 同理,於本發明的第二實施例中,由於第二介電芦 之開口區320’中具有複數介電材凸柱321,使該第—曰線路 層35形成於大面積開口區32〇,中時,得以縮小電铲時大 積區320’電流密度分佈和小面積區32〇電流密度=佈之 異,以避免造成導體區塊352,厚度不足或中央凹陷,使 一線路層35中大面積之導體區塊352,具有平整表面,
該線路增層結構36中之第二導電盲孔361電性連接至該曾 體區塊352’得以避免電性連接不良的情況。 X V
[結構實施例] 110279 14 1334211
. 本發明復提供一種封裝基板結構,請參閱第2E,3C 圖’係包括:-承載層2〇,3(),其表面配置—圖案化線路 層,該圖案化線路層具有複數線路2〇1,3〇1及複數第一電 .性連接端202,2〇2,,302,302,; 一第一介電層21,31,係配置 於該承載層20,30及第一電性連接端2〇2,2〇2,,3〇2,3〇2,表 一面’·並具有複數第一盲孔210,21〇,,31〇,31〇|以顯露第一電 性連接端202,202,,302,302,表面;一第二介電層22,32,係 配置於第-介電層21,31表面,並具有複數小面積開口區 220,320及至少一大面積開口區22〇,,32〇,,該些開口區 220’320,220',320’顯露部份第一介電層21,31表面,且部份 開口區 220,320,220’,32〇|係對應第一盲孔21〇,21〇,,31〇, ,又該大面積開口區220,,320'所顯露之第一介電層 21,31表面具有複數介電材凸柱221,321;以及一第一線^ 層25,35,係包括第-導電盲孔251,351,251,,351,,配置於 該些第一盲孔210,210,,310,310,中並電性連接至第一電性 籲連接端202,202’,302,302’,第一線路252,352,係配置於小 面積開口區220,320之第一介電層21,31表面,以及一導 體區塊252,,352·,係配置於大面積開口區22〇,,32〇,之第一 介電層21,31表面。 其中,該承載層20,30係為核心板及多層封裝基板的 介電層之其中一者。 其中’該些介電材凸柱頂面221,321係嵌埋於該導體 區塊252’中(第2Ε圖)及顯露出該導體區塊352,表面(第 圖)之其中一者。 110279 15 1334211 其中,該些介電材凸柱221,32〗係呈陣列佈局,且其 頂面之形狀係為矩形、圓形(圖未示)及任意幾何形狀_ 示)之其中一者。 °
—復包括一線路增層結構26,36 ’係位於該承載層2ι,3ι 及第一線路層25,35表面,該線路增層結構26,36包括至 少:增層介電層260,360、至少一第二線路層262,362及複 數第—導電盲孔261,361,第二導電盲孔261,361係電性連 接該些第二線路層262,362,以及電性連接第二線路層 262,362 與第一線路層 252,352。 復包括一防焊層27,37,係位於該線路增層結構26,36 表2,並具有複數開孔270,370,以顯露線路增層結構26,36 之取外面第二線路層262 362之部份表面,以供做為電性 連接端263,363。 惟以上所述之具體實施例,僅係用以例釋本發明之特 點及功效,而非用以限定本發明之可實施範疇,在未脫離 鲁本,明上揭之精神與技術範疇下,任何運用本發明所揭示 中各而7U成之等效改變及修飾,均仍應為下述之申請專利 範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 第1Α至1F圖係為習知封裝基板之製法剖視示意圖; 第1F圖係為第1F圖之立體剖視示意圖; 第2A至2F圖係為本發明之第一製法實施例剖視示意 圖; 第2E’圖係為第2E圖之立體剖視示意圖; 16 110279
Claims (1)
- 4211 f、申請專利範圍: 1 · 一種封裝基板結構,係包括: 一承載層,其表面配置一圖案化線路層,該 線路層具有複數線路及複數第一電性連接端;乂、卞 -第-介電層’係配置於該承載層及第一電 裢表面,並具有複數第一盲孔以g 面; 4蕗弟—電性連接端表 -第二介電層,係配置於第—介電層表面, 设數小面積開口區及至少一大面積開口區,: 顯露部份第一介電戶表面, 二開 Q m… 開口區係對應第-盲 數介電材凸柱;以及 "電層表面具有複 ;第:線路層,係包括第一導電盲孔,配置於該此 L一J =電性連接至第一電性連接端,第-線路: 係配置於小面積開σ區之第—介電層表面,以及 區塊,係配置於大面積開口區之第一介電層表面。 2如祀圍第1項之結構’其中,該承載層係為核 〜板及^層封裝基板的介電層之其中一者。 3. 如申請專利範圍第μ之結構,其中,該些介電材凸柱 頂面係敗埋於該導體區塊中及顯露出該導體區塊表面 之其中一者。 又 4. 如^請專利範圍第μ之結構,其中,該些介電材凸柱 钰主陣列佈局’且其頂面之形狀係為矩形、圓形 幾何形狀之其中一者。 #心 Π 0279 18 1334211 專利範圍第1項之結構.,復包括-線路增層結 構,係配置於該承载層及第一 έ 弟線路層表面,該線路增層 ; 增層介電層、至少-第二線路層及複數 第一導笔目孔,第-導·雷亡了丨在+ 士 目絲電性連接該些第二線路 層,以及電性連接第二線路層與第一線路声。 6·如申請專利範圍第5項之結構,復包括-防焊層,係配 置於該線路增層处^ ^ 路…構::: 有複數開孔,以顯露線 曰…構之取外面弟二線路層之部份表面 電性連接端。 H文马 1'種封裝基板結構之製法,係包括: 其表面配置一圖案化線路層,該圖 *化線路層具有複數線路及複數第—電 於該承載層及圖案化線路層表面形 一’入· 層,且該第一介電層中形成複數 ^ 第一彳丨电 性連接端表面;4複㈣—盲孔以顯露第-電 於第一介電層表面形成一第二介電層 二形成複數小面積開口區及至少一大面積 孔、路:Ρ伤弟一介電層表面’且部份開口區係對應 ^亚於該大面積開σ區所顯露之第—介電 稷數介電材凸柱; 衣面幵y成 於第二介電層表面及其開口區中、第 -目孔及第-盲孔所顯露之第一電性 = 一導電層; 咬伐鴂表面形成 於該導電層表面形成一阻層,且該阻層形成開口區 110279 19 1334211 以顯露部份之導電層,且哕 . 阻層開口區係對應第二介電 層開口區; 電鍍形成m路層,係包 成於該些第一盲孔中並電性連 逑接至苐一電性連接端,第 一、表路’係形成於小面積開 s , 谓闹口區之第一介電層表面,以 及至少一導體區塊,係形 风於大面積開口區之第一介電 廣表面’並使該些介電材 φ, ,、,R 电材凸柱頂面嵌埋於該導體區塊 丫,以及 移除阻層及其所覆蓋之導電層。 8. 如申請專利範圍第7項之萝 之衣法,其中,該承載層係為核 〜板及多層封裝基板的介電層之其中一者。 9. 如申請專利範圍第7項之製法復包 第—蝻枚麻生 、弟一介電層及 包括=料面M-、祕增層結構,該料增層結構 導電電層、至少一第二線路層及複數第二 Ιίι 電盲孔係電性連接該些第二線路層, 包性連接第二線路層與第一線路層,又 二線路層具有複數第二電性連接端。 弟 1〇.如申凊專利範圍第9項之製法,復包括 構表©形劣„, 1匕括於该線路增層結 1^ ,並形成複數開孔㈣露線路增層 、⑺構之第二電性連接端。 曰層 11.種=裝基板結構之製法,係包括: 幸2供一承載層’其表面配置-圖案化線路層,該圖 -相層具有複數線路及複數第一電性連接端; 於該承載層及圖案化線路層纟面形成一第一介· Π0279 20 層’且該第一介電層中形成複數第_ 性連接端表面; 匕心肩露第一電 於第一介電層表面形成一第—八 層中形成複數小面積開口區及至二介電 顯路部份第一介電層表面,且部份開口區係:::區: 孔,亚於該大面積開σ區所顯露之第二第-盲 複數介電材凸柱; 丨电層表面形成 第-層表面及其開σ區中、第-介電層之 成一導電層;目孔所顯露之第—電性連接端表面形 ^導f層表面電錢形成一金屬層,·以及 移除該第二介電層表面上 成一第一線路層,係包括第—導電=及I屬層,以形 -盲孔中並電性連接至第一::成於該些第 形成於小面積開口區之第一介電線路’係 體區塊,係形成於女^ ^等 使該些介雷^ 區之第一介電層表面,且 12如申咬直〗頂面顯露出該導體區塊表面。 = = U項之製法’其中 核心板及Μ封裝基板的介電層之1卜者 13.如申請專利範圍第u 及第-線路層表面…t 復包括於第二介電層 層結構包括至少—增層線路增Μ構’該線路增 數第二導電盲孔曰二導::、至少-第二線路層及複 路層,以及電性連目孔係電性連接該些第二線 接弟一線路層與第一線路層,又最外 110279 21 丄丄 面之第二線路層具有複數第二連 _ 青專利範圍第U項之製法,復包:於 結構表面形成-防焊層,並形成有複數開切 路增層結構之第二電性連接端。110279 22
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