TWI327324B - Resistor composition and thick film resistor - Google Patents

Description

1327324 ί · I ’ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電阻體組成物，特別係關於爲了起始晶 片電阻器、在半固定電阻器、可變電阻器、聚焦電阻、浪 . 湧元件等各種電阻構件、又在厚膜電路、多層電路基板、 . 各種積層複合構件等中，形成厚膜電阻體所使用之不含鉛 之釕系的厚膜電阻體組成物。 【先前技術】 Φ 厚膜電阻體組成物係以導電成分與玻璃爲主成分，並 使用於在各種絶緣基板上形成厚膜電阻體。電阻體組成物 係主要以糊或塗料的形態，印刷於已形成電極之氧化鋁基 板上或陶瓷複合構件等之上成爲既定的形狀，並在600〜900 - °C左右的高溫下燒成。然後在隨需要而以超寬幅貼合玻璃 . 形成保護被覆膜後，必要時藉由雷射裁邊等來進行電阻値 的調整。 所要求之電阻體的特性方面，有電阻溫度係數（TCR) φ 小、與電流干擾小、又耐電壓特性、ESD特性、壽命特性 良好、再者製程安定性良好、即因製程變動之電阻値變化 小等。又特別是在晶片電阻中，亦需要容易進行以雷射裁 邊之電阻値的調整、又裁邊後之特性劣化小。 以往，一般而言，使用釕系氧化物粉末作爲導電成分 的電阻體組成物正被廣泛地使用著。該釕系電阻體組成物 係在空氣中之燒成爲可能的，且藉由改變導電性成分與玻 璃的比例’容易得到具有1 Ω /□以下〜數Μ Ω /□之廣泛範 圍電阻値的電阻體，並顯示良好的電氣特性與優異的安定 1327324 f · * [專利文獻1]特開2005- 1 29806公報 [專利文獻2]特開平8-253342公報 【發明內容】 [發明所欲解決的課題] 本發明係以提供從導電性成分及玻璃排除有害的鉛成 分，而且形成在廣泛電阻範圍中在接著強度、電阻値、TCR 特性、電流干擾特性、耐電壓特性、熱循環測試後的安定 性等之中具有與以往同等以上之優異特性的厚膜電阻體的 釕系電阻體組成物爲目的。又，本發明之其他目的係提供 防止燒成中之釕複合氧化物的分解、且因燒成條件導致之 電阻値、TCR等的變動及偏差小、因此形成在高電阻範圍 中特性亦安定之厚膜電阻體的釕系電阻體組成物。 [用於解決課題的手段] 本發明係爲了上述本發明目而進行者，由以下所記載 之構成所形成。 (1) 一種電阻體組成物，其係包含不含鉛成分的釕系導 電性成分、玻璃鹼度（Po値）爲0.4〜0.9之不含鉛成分的玻 璃、與有機媒液的電阻體組成物，其特徵爲在燒成該電阻 體組成物而得之厚膜電阻體中存在有MSi2Al2〇8結晶（M : Ba 及 /或 Sr)。 (2) 如記載於上述（1)之電阻體組成物，其特徵爲玻璃包 含至少鈀及/或緦、鋁、與矽爲必要成分，並藉由燒成析出 MShAllOe 結晶（M: Ba 及 /或 Sr)。 (3) 如記載於上述（1)或（2)之電阻體組成物，其特徵爲玻 璃的楊格模數爲50~95Gpa的範圍 1327324 I « ^ (4) 如記載於上述（1)〜（3)中任一項之電阻體組成物，其 特徵爲釕系導電性成分爲釕複合氧化物。 (5) 如記載於上述（1)〜（4)中任一項之電阻體組成物，其 特徵爲含有前述釕系導電性成分與前述玻璃個別作爲釕系 導電性粉末及玻璃粉末。 (6) 如記載於上述（1)〜（4)中任一項之電阻體組成物，其 特徵爲含有將前述釕系導電性成分與前述玻璃之至少一部 份預先複合化的複合粉末。 φ (7)如記載於上述（5)或（6)之電阻體組成物，其特徵爲前 述釕系導電性粉末或複合粉末的比表面積爲5~30m2/g。 (8) —種厚膜電阻體，其特徵爲在不含鉛成分之玻璃基 質中’存在有不含鉛成分的釕系導電相與MSi2Al2〇8結晶 • (M : Ba 及 /或 Sr)。 . [發明的效果] 根據本發明，在整個廣泛電阻値範圍中可形成其爲無 錯的組成、同時具有匹敵於習知含鉛之釕電阻體或更加優 φ 異之特性的電阻體。特別地，在使用釕複合氧化物作爲導 電成分的情況下，認爲抑制燒成中之釕複合氧化物的分 解’且在玻璃基質中易於製作均質且安定的導電網絡，因 此即使在高電阻範圍亦可製造無特性劣化、而且燒成條件 等的製程依存性小、偏差少之優異的厚膜電阻體。又，亦 在使用非常細微之釕複合氧化物粉末的情況下，由於可抑 制分解於最小限度，故可得到電流干擾特性或負荷特性極 優異的電阻體。 本發明的電阻體組成物極爲有用於製造lkQ/□以上 1327324 I · 之中電阻範圍~高電阻範圍的電阻體、特別是1001ίΩ /□以 上之高電阻範圍的電阻體極。 特別地’藉由使用楊格模數爲50〜95GPa的玻璃，而更 爲改善雷射裁邊性及燒成溫度依存性。 藉由使用比表面積爲5〜30m2/g的釕系導電性粉末作爲 前述釕系導電性成分，更可形成電流干擾特性或負荷特性 優異的電阻體。 又，藉由使用含有預先複合化前述釕系導電性成分、 與前述玻璃一部分或全部之複合粉末的電阻體組成物，可 得到在高電阻範圍中具有更良好特性的電阻體。又在該複 合粉末的比表面積爲5〜30m2/g的情況下，可更爲改善所得 之電阻體的電流干擾特性或負荷特性》 【實施方式】 用於實施本發明之昜佯樣態 導電性成分 釕系導電體成分方面，主要使用不含鉛成分的含釕導 電性氧化物，例如二氧化釕（RuCh);釕酸銨（NchRuzOO、釕 酸釤（Sm2Ru2〇7)、釕酸鈸鈣（NdCaRu2〇7)、釕酸釤緦 (SmSrRiuOO、具有該等相關氧化物等之焦綠石鈣鈦礦構造 的釕複合氧化物；釕酸鈣（CaRuCh)、釕酸緦（SrRuOO、釕酸 鋇（BaRuCh)等具有鈣鈦礦構造的釕複合氧化物；釕酸鈷 (C〇2Ru〇4)、釕酸緦（STRUCK)等其他釕複合氧化物；該等的 混合物。 特別地，由於製造主要在中電阻範圍至高電阻範圍的 電阻體，在單獨、或與二氧化釕一起使用釕複合氧化物作 -10- 1327324 * ' , 爲導電成分的情況下，本發明係因達到如前述優異之效果 而佳。然而，即使在單獨使用二氧化釕的情況下，亦當然 可得到良好的電阻特性。 在本發明之一較佳樣態中，含有該等導電性成分作爲 前述釕系導電性氧化物的細微粉末。在本發明之較佳的其 他樣態中’使用預先熱處理並複合化前述釘系導電性氧化 物與玻璃粉末並將其微粉碎而得的複合粉末。認爲藉由成 爲該等之複合粉末’在特別商電阻範圍中，較容易形成以 φ 習知無鉛系電阻體難以製作之安定的導電網絡，並得到偏 差小、電氣特性及製程安定性良好的電阻體。 前述導電性氧化物粉末或前述複合粉末的粒徑雖無特 別限制，但以藉由BET法所得之比表面積爲5〜30m2/g爲 佳，雖使用約略換算成平均粒徑爲0.02〜0.2/zm者，但以 . 〇.〇4~0.1#m爲佳。藉由使用該等極爲細微的粉末，良好地 分散導電性粒子於電阻體燒成膜中，並形成均勻且安定的 導電粒子/玻璃細微構造，而得到電流干擾特性或負荷特性 φ 極爲優異的電阻體。在本發明中，即使在使用該等比表面 積大、細微的釕複合氧化物作爲導電性粉末的情況下，不 易發生因燒成導致之複合氧化物的分解。比表面積未滿 5m2/g則有電流干擾或負荷特性惡化的傾向。又比表面積變 得比30m2/g大時，則因與玻璃的反應性高，變得難以得到 安定的特性。以10~25m2/g的範圍爲特佳。 還有，在隨希望之該等釕系導電性成分中，亦可倂用 其他導電成分、例如銀、氧化銀、金、鈀、氧化鈀、銷、 銅等粉末或成爲該等之前驅物的化合物。 -11 -

1327324 I * I 玻璃 玻璃方面，有如在具有特定範圍的鹼度、不含有鉛成 分、而且燒成電阻體組成物而得的電阻體膜中，存在 MShAhCh結晶（M : Ba及/或Sr)之組成的必要。玻璃的鹼度 P〇係依照表示在肯吉莫里尼吉（Kenji Morinage)其他的J. Am· Ceram. Soc.，77(1 2), 3 1 1 3-3 1 1 8( 1 994)中所提案之玻璃 的氧離子活量（供給能力）之參數的玻璃鹼度B的定義所算 出者。具體而言，記載於本申請說明書的玻璃鹼度P〇係由 構成玻璃之氧化物成分，藉由以下之計算求得，隨著値變 大而顯不驗度變強。 Ρο = Σ (nixPo' ) (Po’爲構成玻璃之各氧化物的鹼 度、ni爲玻璃中的陽離子莫耳分率） 各氧化物的鹼度（Ρο·)爲CaO的P〇’ =l、Si〇2的Po’ =0，並以下式表示。

Po' = (P〇i - 0.405)/1.023 其中’ P〇i爲各氧化物之氧離子的供給能力，即表示氧 離子的分離難易度，並爲陽離子·氧間引力Ai的倒數。即，

Po i = 1 / A i 1

Ai係以基於庫侖力之下式所表示。

Ai = Zix2/(ri + 1.40)2 (但是’ Zi爲陽離子的價數，η爲陽離子的半徑（A)) 在本發明中係使用鹼度爲0.4〜0.9之範圍的玻璃。以同 樣方法計算主要之釕複合氧化物的鹼度時，例如Nd2Ru2〇7 爲 0.406、NdCaRiuCh 爲 0.497、CaRu〇3 爲 0.5 87 ' SrRuCh 爲 0.722、約略0·4~0·8的範圍，根據本發明者等的硏究，玻 -12· 1327324 * · 璃驗度接近於釕複合氧化物的鹼度時，則釕複合氧化物的 分解抑制效果大。玻璃鹼度爲〇_4〜0.9的範圍外，則不能抑 制釕複合氧化物的分解。還有，鹼度超過〇 9的玻璃，安 定性、化學耐久性極低’而不能使用於厚膜電阻體。 MSizAhOs結晶雖爲鋇長石、六鋇長石、對鋇長石等， 但可爲以均句分散於燒成而得之厚膜電阻體的玻璃基質中 的狀態下存在。藉由該結晶的存在，可形成均勻且安定之 導電粒子/玻璃細微構造’而且導電性粒子彼此在玻璃基質 中緊密地接觸，認爲形成以習知無給的厚膜電阻體難以製 作的安定導電網絡。 爲了形成該等電阻體’雖亦可添加MShAl2〇8結晶粉末 於玻璃與其他電阻體組成物中，但以使用如在燒成中析出 該結晶之組成的非晶質玻璃爲佳。或者，預先熱處理該等 組成的非晶質玻璃，而析出並得到M S i 2 A 1 2 0 8結晶，亦可使 用部分結晶化玻璃。在使用該等可結晶化的非晶質玻璃或 部分結晶化玻璃的情況下’由於因燒成而在整個電阻膜全 體均勻地析出細微結晶，而被認爲安定化導電網絡。 析出前述MShAhCh結晶而得之玻璃方面，使用包含至 少鋇及/或緦、與鋁、矽爲必要成分的（Ba,Sr)-Si-A1系玻璃。 所析出之結晶量變得過多時，則有電阻體變硬而使雷射裁 邊性惡化的傾向，又有電阻値過於上昇的傾向。析出量少 時’在特別高電阻範圍中難以得到安定的特性。析出適切 量之MShAhOs結晶的較佳玻璃係棚、銘含量個別以氧化物 換算爲含有5〜30莫耳％ B2〇3、含有1〜20莫耳％ Al2〇3之（Ba， Sr)-Si-A1系玻璃。在該玻璃中，亦可含有個別之氧化物換 -13- 1327324

I 算鹼金屬元素、锆爲R2〇(R係鹼金屬元素）10莫耳％以下、 Ζγ〇22 0莫耳％以下。超過30莫耳％之B2〇3含量、超過1〇 莫耳％之R2〇含量，在電阻組成物包含釕複合氧化物作爲 導電性成分的情況下，因在燒成時該複合氧化物變得容易 分解而不佳。上述Al2〇3含量超過20莫耳％時，則MShAl2〇s 結晶量容易得過多。又，ZrCh含量超過20莫耳％時則有楊 格模數變得過大的傾向，同時由於ZrCh本身的耐熱性大而 有雷射裁邊性惡化的傾向。 φ 可析出MSi2A12〇8結晶的玻璃，係以含有20〜60莫耳％ 之CaO、BaO、SrO的合計含量、20~50莫耳％之Si〇2爲更 佳。CaO、BaO、SrO較20莫耳％少時，則有實質上p〇値 變得較0.4小的傾向，另外超過60莫耳％時，則有一方面 熱膨脹係數變得過大的傾向，一方面有MS i2 A 12〇8結晶量變 得過多的傾向。Si〇2的含量較20莫耳％少時，則MShAhCh 的生成變得不足，而較50莫耳％多時，則有楊格模數變得 過大的傾向，同時Po値亦有實質上變小的傾向。 φ 較佳之玻璃組成方面，則舉例說明下述之組成的玻璃。

Si〇2:25~35 莫耳 ％ 、Ah〇3:3~15 莫耳 ％ 、BaO 及 /或

SrO: 5~50 莫耳 ％ ' Βζ〇3: 1〇~25 莫耳 ％ 、Ca〇: 15~40 莫耳 % 、Zr〇2 : 0~ 10 莫耳 ％ 、R2〇 : 〇~5 莫耳 ％ » 再者，亦可在滿足前述Po値的範圍中，含有1種或2 種以上TCR或其他可調整電阻特性的金屬氧化物、例如 Nb2〇5 ' Ta2〇5 ' Ti〇2 ' CuO、MnCh、LazCh、ZnO 等作爲玻璃 之一成分e該等成分係因含有於玻璃中，變得可較均勻地 分散於電阻體中，即使少量亦可得到高的效果，通常在合 -14- 1327324 • *瓤 計量爲1~10莫耳％左右之玻璃中的含量，隨著其爲目的的 特性而適宜調整。除了上述之外，在不妨害玻璃特性的範 圍內，亦可適宜添加WCh、Mo〇3、Sn〇2等。 目|J述析出MSizAhOs結晶之（Ba，Sr)-Si-Al系玻璃一般硬 度高’有一方面電阻體的雷射裁邊變得困難，一方面裁邊 後的安定性惡化的傾向。此方面係藉由使用楊格模數低的 (Ba，Sr)-Si-Al系玻璃來改善，在本發明中係以使用楊格模 數爲50〜95GPa的玻璃爲佳。 玻璃熱膨張係數係爲了得到優異的電阻特性而爲重要 的’並希望選擇燒成後之電阻體熱膨張係數與基板熱膨張 係數相同程度或較小。例如在適用於氧化鋁基板上的情況 下，以使用熱膨張係數爲65〜90xl(T7厂C左右的玻璃爲佳。 玻璃軟化點雖無特別限定，但由於本發明之電阻體組 成物在700〜900°C左右燒成，故以使用軟化點爲500~750°C 之範圍者爲佳^ 在本發明之電阻體組成物中，玻璃成分雖亦可配合作 爲玻璃粉末，但亦可配合如前述之玻璃成分之一部份或全 部作爲與導電性成分的複合粉末。在使用未與導電性成分 複合化之玻璃粉末的情況下，雖然玻璃粉末的平均粒徑可 爲約3/zm以下，但爲了形成偏差少之安定的電阻體，以平 均粒徑0.01~1仁m、特別是0.05~0.5#m的範圍爲佳。 還有，亦可混合使用2種以上不同組成的玻璃。例如， 亦可倂用（Ba，Sr)-Si-A1系玻璃與具有其以外之組成的無鉛 玻璃。在使用複數種玻璃的情況下，有從構成玻璃之全部 成分氧化物所計算的鹼度爲0.4 ~0.9範圍的必要。 -15- 1327324 導電性成分與玻璃的配合比，以重量比爲65 : 75的範圍爲佳。 有機媒液 導電成分與玻璃係爲了隨需要與其他無機添 起’成爲適於適用絹網印刷等之電阻體組成物之方 變學的糊、塗料、或油墨狀的電阻體組成物，故與 液混合。媒液方面，並無特別限制，普通使用已知 醇、卡必醇、丁基卡必醇、溶纖素、丁基溶纖素或 酯類、甲苯、二甲苯等溶劑、或溶解乙基纖維素或 維素、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、松脂等樹脂於該 液。隨需要亦可添加可塑劑、黏度調整劑、界面活 氧化劑、金屬有機化合物等。 有機媒液的配合比例亦可在使用於通常電阻體 的範圍，隨著印刷等之電阻體組成物的適用方法來 整。以無機固體成分50〜80重量％ 、媒液50~20重 右爲佳。 其他添加劑 在本發明之電阻體組成物中，若在無損於本發 果的範圍中，亦可單獨或組合添加因TCR、電流干^ 特性等電阻特性之改善、調整目的而通常使用的各 添加劑、例如 NbzCh、Ta2〇5、TiCh、CuO、Mn〇2、ZnO AhCh等。藉由配合該等添加劑，可製造在整個廣泛 範圍中較優異特性的電阻體。添加量雖隨其使用目 宜調整，但通常係相對於導電性成分與玻璃成分合 重量份而以合計爲1~10重量份左右。 35〜25 : 加劑一 法的流 有機媒 之萜品 該等之 硝基纖 等的溶 性劑、 組成物 適宜調 量％左 明之效 憂 ' ESD 種無機 、Zr〇2 、 電阻値 的而適 計1〇〇 -16- 1327324 # · 電限體的製浩 本發明之電阻體組成物係藉由通常的方法，以既定之 形狀以印刷法等適用於氧化鋁基板、玻璃陶瓷基板等絕緣 性基板或積層電子構件上，乾燥後，在例如700〜900°C左右 的高溫下燒成。在如此形成之電阻體中，藉由燒成超覆蓋 玻璃而形成保護被覆膜，必要時藉由雷射裁邊等來進行電 阻値的調整。 【實例】 φ 以下，雖藉由實例來更具體地說明本發明，但本發明 係不受該等實例所限制者。 【實例1】 混合、混練 - 比表面積 20m2/g、換算成平均粒徑約 0.06 μ m的 . CaRu〇3粉末：40重量份 示於表1之組成的平均粒徑約〇.l/zm、Po値0.468的 玻璃粉末A : 60重量份 φ 有機媒液（乙基纖維素的25%萜品醇溶液）：30重量份 來製作糊狀的電阻體組成物。還有，玻璃粉末A的楊 格模數（計算値）、軟化點、熱膨脹係數係如表1所示。 在預先熘燒Ag/Pd系厚膜電極而形成該組成物的氧化 鋁基板上’在1mmX 1mm正方形圖案上絹網印刷成爲乾燥膜 厚約爲15"m，以150 °C乾燥後，在空氣中以尖峰溫度850 °C、合計燒成時間40分鐘燒成來製造電阻體。 在以FE-S EM (場•發射型掃描電子顯微鏡）及X射線折 射裝置硏究燒成膜時，已確認在整個電阻體被膜全體，在 -17- 1327324 . 1 · 份以外’與實例1同樣地製作電阻糊。與實例1同樣地製 造中電阻範圍的電阻體，硏究特性並合倂示於表2。 【實例1 2】 以600°C熱處理由比表面積i5m2/g的CaRuCh粉末40 重量％ 、平均粒徑約Ο.Ι/zm的玻璃粉末C60重量％所構 成的混合物1小時後，以球磨機粉碎而得到比表面積 18m2/g、換算成平均粒徑約爲〇.〇7e m的複合粉末》與由乙 基纖維素的25%萜品醇溶液所構成的有機媒液4〇重量份 φ 一起混練該複合粉末1 0 0重量份’而製作糊狀的電阻體組 成物。 與實例1同樣地製造電阻體，測定片材電阻値、TCR、 電流干擾、STOL。所得的結果合倂示於表2。 【實例1 3】 - 除了使用比表面積1 5m2/g的CaRuCh粉末30重量％ 、 玻璃粉末D 70重量％以外’與實例12同樣地得到比表面 積18m2/g、換算成平均粒徑約〇.〇7ym的複合粉末來製作 ^ 電阻糊。與實例12同樣地製造電阻體，硏究特性並合倂示 於表2。 【比較例I~VI】 除了使用表1之玻璃I〜Μ(平均粒徑約〇.ljCZm)作爲玻 璃粉末，並且CaRuCh'玻璃、添加劑的配合量如表2以外， 與實例1同樣地製作電阻糊’與實例1同樣地製造電阻體， 硏究特性並合倂示於表2。 -19- 1327324 【表π

玻璃組成(莫耳) 鹼度 楊格模數 軟化點 熱膨脹保數 Si02 A1203 BaO SrO b2〇3 CaO Zr02 Ta205 CuO ZnO W03 LizO Po (GPa) re) (xl〇-7，C) A 30 10 10 - 16 26 3 2 3 • _ 0.468 91 721 83 B 30 10 20 _ 13 20 2 2 3 _ • 0.561 87 703 84 C 30 15 10 _ 16 25 • 2 2 . 0.455 90 730 88 D 35 5 10 _ 18 25 • 4 3 _ • 0.444 88 716 69 E 30 10 35 - 19 • • 3 3 _ • 0.594 83 648 74 F 25 10 30 14 _ 2 13 2 4 0.668 78 615 78 G 35 10 _ 10 15 23 2 2 3 . • - 0.407 88 670 83 H 30 10 - 20 18 15 2 2 3 . _ 0.454 88 657 84 I 30 3 . 25 40 2 _ • _ _ 0.416 90 725 78 J 40 • 25 33 _ 2 • • • • 0.337 89 745 58 K 30 10 • • 20 32 3 2 3 _ _ 0.373 92 731 80 L 35 10 3 17 28 2 2 3 _ 0.377 93 740 79 M 32 - - - 19 25 4 2 3 15 - - 0.393 86 722 61 -20- 1327324 【表2】 實例 CaRu〇3 (重量份） Ru〇2 (重量份） 玻璃 mm m&m NbOs (重量份） MSi2Ab0s 結晶相 片材電阻値 (Ω〇 TCR (ppm/°C) 電流干擾 _ ST0L (% ) 1 40 . A 60 - BaSi2Ah〇8 32.19k ±100以內 -10 0.01 2 30 - A 70 - BaSiiAhOa 8.891Μ ±150以內 12 •0.01 3 40 A 60 5 BaSi2Al2〇8 150.7k ±100以內 -3 -0.01 4 40 . B 60 5 BaSizAhOs 466.0k ±100以內 -5 -0.02 5 40 . C 60 5 BaSi2Ah0s 402.3k ±150以內 3 -0.01 6 30 - D 70 . BaSi2Al2〇s 1.912M ±150以內 12 -0.02 7 40 E 60 5 BaSi2Ah〇8 610.4k ±150以內 1 -0,02 8 40 - F 60 5 BaSi2Ab〇8 (少量） 42.41k ±100以內 -11 0.01 9 40 - G 60 5 SrSi2Ah〇8 314.3k ±150以內 -2 -0.02 10 40 . H 60 • SrSi2Ah〇8 119.5k ±100以內 -4 •0.01 11 25 15 H 60 SrSi2Ah〇8 16.22k ±100以內 -12 -0.00 12* 40* • C 60* 5 BaSi2Ah0s 208.5k ±100以內 -6 -0.00 13** 30** - D 70** - BaSi2Ah〇8 1.033M ±150以內 2 -0.01 I 30 • I 70 • 296.9k ±400以內 〇〇 -0.35 II 40 J 60 5 _ 54.15k ±900以內 -5 -0.06 III 30 J 70 • • 32.27M ±800以內 〇〇 -0.14 IV 40 K 60 . _ 15.99k ±300以內 -5 •0.32 V 30 - L 70 - BaShAhO K微量） 401.5k ±400以內 〇〇 -0.59 VI 40 - M 60 5 - 9.429k ±700以內 10 -0.25

*、** :使用CaRu2〇3/玻璃複合粉末 如由上述結果所得知，根據本發明，可得到在整個廣 泛電阻値範圍，TCR、電流干擾特性或以STOL所表示之負 荷特性中任一者均優異電阻體。 【圖式簡單說明】 〇 -21 -

Claims (1)

1327324 第95 1 3 6 1 3 5號「電阻體組成物及厚膜電阻體」專利案 (2010年2月11日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種電阻體組成物，其特徵係包括不含鉛成分的釕系導 電性成分、玻璃之鹼度（Po値）爲0.4〜0.9之不含鉛成分及 鉍成份的玻璃、與有機媒液的電阻體組成物，在將其燒 成而得之厚膜電阻體中，存在有MSi2Al2〇8結晶（M : Ba 及/或Sr)。 2. 如申請專利範圍第1項之電阻體組成物，其中玻璃包含 至少鋇及/或緦、鋁、與矽作爲必要成分，藉由燒成而析 出 MSiaAIzOs 結晶（M: Ba 及 / 或 Sr)。 3 ·如申請專利範圍第1項之電阻體組成物，其中玻璃之楊 格模數爲50~95GPa的範圍。 4 .如申請專利範圍第1項之電阻體組成物，其中釕系導電 性成分爲釕複合氧化物。 5. 如申請專利範圍第1項之電阻體組成物，其中含有之釕 系導電性成分與玻璃係個別作爲釕系導電性粉末及玻璃 粉末。 6. 如申請專利範圍第1項之電阻體組成物，其係含有將該 釕系導電性成分與該玻璃之至少一部份預先複合化的複 合粉末。 7. 如申請專利範圍第5項之電阻體組成物，其中該釕系導 電性粉末的比表面積爲5~30 m2/g。 8·如申請專利範圍第6項之電阻體組成物，其中該預先複 1327-324 . _~~~ι 〇年…月Π曰修(\)正替袅页I 合化之複合粉末的比表面積爲5~30m2/g。 9. 一種厚膜電阻體，其特徵爲在不含鉛成分及鉍成份的玻 璃基質中，存在有不含鉛成分的釕系導電相與MS hAl2〇8 結晶（Μ : Ba及/或Sr)。