TWI374535B - Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1374535 九、發明說明： 【發明戶斤屬之技術領域】 發明背景 發明領域 5 本發明係有關於電子組件封裝構造及其製造方法，且 特別是一種可以輕易地減少厚度之電子組件封裝構造及其 製造方法。 I：先前技術3 先前技術之說明 10 LSI技術發展成為用以致動多媒體裝置之關鍵技術正 穩定地朝更高速度與資料傳輸容量方向邁進，隨著這潮 流，作為在該LSI與該電子裝置之間之介面的封裝技術正朝 更高的密度發展。 例如，在專利文獻1(曰本專利申請案（公 15 開）2002-170840)中，為了電氣連接印刷電路板與半導體晶 片且不在其間插入導線組件’該半導體晶片係安裝在其中 設有凹部之一體型中心基板之凹部中，且接著與該半導體 晶片之多層配線形成於其上。 同時，在專利文獻2(曰本專利申請案（公 20 開）2000-323645)中，半導體裝置係構成為多數半導體晶片 立體地安裝在該電路板上，且它們埋設在該絕緣層中並且 多數半導體晶片藉由透過該等絕緣層以多層之方式形成之 配線圖案來互相連接。 同時’在該等半導體晶片立體地堆豐在該電路板上之 5 ⑧

裴复 半導體裝置中，減少該電路板之總厚度及迷你化是必

並未考慮減少該半導H 在前述專利文獻1與2中 之總厚度。 【明内】 發明概要

本發明之目的是提供一種可以輕易地減少厚度 組件封裝構造及其製造方法。 凡部 係安 子、％ 本發明係有關於一種電子組件封裝構造’其包含 中心基板，係由一樹脂層與一形成在該樹脂層上之預 絕緣層構成並於其中具有一開孔部份，因此可由該閘 份在該預浸物絕緣層中提供一凹部；及一電子組件， 裝在該樹脂層上且在該中心基板之凹部中，使得該電 件之連接墊朝向上。 在本發明中，該中心基板包含一樹脂層與一預凌物铯 緣層，其t該開孔部份設置在該樹脂層上，且該凹部係利 用該預浸物絕緣層之開孔部份而設置在該中心基板中。兮 預浸物絕緣層係藉由使一浸潰有樹脂之玻璃布等的預浸= 硬化而形成，真該電子紐件係安裝在該中心基板之凹部之 底部上，並且該電子組件之連接墊是朝上的。 在本發明中，該電子組件係安裝在該中心基板中且藉 此可減除該電孑組件之厚度。因此，該電子組件之厚度不 會影響該封裝構造之總厚度，且可減少該電子組件封裝構 造之厚度。 此外，該中心基板可以利用將已預先形成該開孔部份 之 預浸物黏著至該樹脂而得到。因此，相對於該凹部係藉 由-選路器等形成在該板狀中心基板(專利文獻D之情形， 該中心基板可以藉由-非常簡單的方法且以低成本製造。 同時，本發明亦有關於一種電子组件封裝構造’其包 含：-中心基板，係、由—預浸物絕緣層與—形成在該預浸 物絕緣層上之樹脂層構成；及—電子組件，係埋設在該中 心基板之脑層中，使得該電子組件之連接㈣向上。 在本發月中。玄中〜基板係由該預浸物絕緣層與形成 在其上之樹脂層構成’且該電子組件係埋設在該中心基板 之樹脂層中，使得該電子組件之連接墊朝向上。 藉此’該電子組件係埋設在構成該中心基板之樹脂声 中’以減除該電子組件之厚度。因此，可減少該電子組件 封裝構造之厚度。 在本發明之較佳實施態樣中，一與該電子組件之連接 塾電氣連接U線圖錢形成在該中^基板與該電子組件 •^方。同時，一上電子組件藉倒裝晶片接合法安連接至— 取上方配線圖案。此外，一與該電子組件之連接墊電氣連 接之配線圖案係透過一通過該中心基板之通孔而電氣連= 於形成在該_心基板之下表面側上之配線圖案。又，— 一外連接端子連接之連接部份設置在一形成在該中心武^ <下表面側之最下方配線圖案上。 或者，也可以使用僅利用該中心基板一側之〜側封 裝，且該外連接端子所連接之連接部份可設置在該最上方 配線圖案並靠近該上電子組件外側，並且該外連接端子之 1374535 高度大於該上電子組件之高度。在這態樣中，由於不必將 配線圖案延伸至該電子組件之外側區域，所以相較於該外 連接端子設置在該甲心基板下表面側的情形，可以減少電 子組件封裝構造之面積。 同時，以一周緣模式配置之連接墊及一用以使該連接 塾暴露出來之鈍化膜係設置在該電子組件之表面上，且該 配線圖案係在與該鈍化膜接觸時直接連接在該電子組件之 連接塾上並且形成為可由該連接塾延伸至該電子組件外 側。 在這態樣中，由於不必在該電子組件之連接塾上形成 通孔，所以該電子組件不可能因雷射而受損。此外，即使 該電子組件之鈍化膜的絕緣阻抗低，該電子組件之配線圖 案與電路也不會短路，.因為該配線圖案未配置在該電子組 件之中心部份中。 15 又，本發明係有關於一種製造電子組件封裝構造之方 7 ’其包含以下步驟：將一其中具有—開孔部 浸物 Q己番 » H樹脂層上，且接著加熱與加壓以將該預浸物黏著 有讀樹脂層上’藉此可得到-中心基板’且該中心基板具 20樹：由該開孔部份提供之凹部；及將一電子組件安裝在該 曰層上且在該中心基板之凹部中’使該電子組件之連接 同時，本發„有關於—種製造電子組件封裝構造之 L ’其包含以下步驟：將-預浸物配置在—樹脂層上且 電子組件配置在該樹脂層上，使該電子組件之連接塾 8 ⑧ 1374535 朝上；及加熱與加壓該預浸物、該樹脂層及該電子組件，以 將該預浸物黏著在該樹脂層上並將該電子組件埋設與安裝在 該樹脂層中。 利用本發明之製造方法，可以明顯提高生產效率，而 5 不是該凹部形藉由以選路器加工該板狀中心基板而形成之 情形，並且因此可以低成本製造前述電子組件封裝構造。 如前所述，由於該電子組件可以利用一非常簡單之方 法安裝在該中心基板中，所以本發明可以輕易地因應減少 該電子組件封裝構造之厚度。 10 圖式簡單說明 第1圖是一截面圖，顯示先前技術之電子組件封裝構 造； 第2A至20圖係多數截面圖，顯示製造本發明第一實施 例之電子組件封裝構造之方法； 15 第3圖是顯示本發明第一實施例之電子組件封裝構造 的截面圖； 第4A至4F圖係多數截面圖，顯示製造本發明第二實施 例之電子組件封裝構造之方法； 第5圖是顯示本發明第二實施例之電子組件封裝構造 20 的截面圖； 第6圖是當第5圖中之構造由平面方向看去時之平面 圖； 第7圖是一截面圖，顯示本發明第二實施例之電子組件 封裝構造之變化例； ⑧ 卓8 A至8H圖係多數截面圖，顯示製造本發明第三實施 例之電子組件封裝構造之方法； 第9圖是顯示本發明第三實施例之電子組件封裝構造 的戴面圖；及 第10圖是一截面圖，顯示本發明第三實施例之電子組 件封裝構造之變化例。 【貧施方式3 較佳實施例之詳細説明 以下將參照附圖說明本發明之實施例。 在說明本發明之實施例之前，先在以下說明—電子組 件封裝構造，其係構成為多數電子組件安裝在—中心基板 上且它們係被埋設在一絕緣膜中β第1圖是顯示先前技術之 電子組件封裝構造的截面圖。 如第1圖所示，在先前技術中之電子組件封裝構造中， 其連接墊102a向上（面向上）之半導體晶片102係透過一黏著 劑層103固定在一中心基板100上。多數穿孔⑴以形成在該 中心基板100中’且一穿孔導電層101形成在各穿孔之内表 面上。一樹脂本體104填入該各穿孔ι〇〇χ中。 與該等穿孔導電層101連接之第一配線圖案1〇8係形成 在該中心基板100之上表面上，且該第一配線圖案1〇8之膜 厚度與該半導體晶片102之厚度一致以消除該半導體晶片 102之高度差。 同時，一層間絕緣膜110形成在該半導體晶片102與該 第一配線圖案108上，且該半導體晶片1〇2埋設在該層間絕 ⑧ 10 緣膜110中。一通孔110x形成在該層間絕緣膜110中且分別 在該半導體晶片102之連接墊1023與該等第一配線圖案1〇8 上。各半導體晶片1〇2之連接墊1〇23與第一配線圖案1〇8透 過έ亥通孔ιι〇χ連接之多數第二配線圖案112係形成在該層 間絕緣膜110上。 同時亦形成有一防焊膜114，且該防焊膜114中具有一 分別设置在该第二配線圖案112之預定部份上之開孔部份 114x，並且接著-由Ni/Au電鍍層構成之連接部份ιΐ2&形成 在由該等開孔部份114x暴露出來之第二配線圖案112的某 些抽上。然後’一上半導體晶片（圖未示）以倒裝晶片接合 法安裝在該等連接部份ma〇同時，一增層配線層（圖未示） 形成在該中心基板100之下表面側，且多數外連接端子設置 在最下方之配線層上。 在先前技術之電子組件封裝構造中，由於該半導體晶 片102安裝在其厚度相當厚（2〇〇μιη或2〇〇μιη以上）之中心基 板100上，所以會發生前述封裝結構無法輕易地減少封裝構 造之厚度的問題。此外’由於該第一配線圖案⑽之膜厚度 必須设定成與该半導體晶片1〇2之厚度以消除該半導體晶 片102之高度差’所以亦會產生在進行用以形成該等配線圖 案之電鍍時的處理時間會増加且因此使生產效率變差的問 題。 以下說明之本發明之實施例中之電子組件封裝構造不 僅可以克服前述問題，而且也可以利用一簡單之製造方法 來減少厚度。 (第一實施例） 第2A至20圖是顯示製造本發明第一實施例之電子組 件封裝構造的方法之載面圖，且第3圖是顯示該電子組件封 裝構造之截面圖。在製造第一實施例中之電子組件封裝構 造的方法中，如第2A圖所示，首先，製備一預浸物10a，即 一如環氧樹脂等樹脂浸滲於一玻璃布、芳族聚醯胺纖維等 中之樹脂。在B階段（半硬化階段）中之預浸物被用來作為該 預浸物10a。 接者’如第2C圖所示’製備一具有一銅箔之樹脂層2〇， 且該樹脂層20係構成為一銅箔20b黏貼在一樹脂層20a之一 側上。然後，將其中設有開孔部份l〇x之預浸物l〇a配置在 該樹脂層20a之暴露表面上且離開具有該銅箔之樹脂層 20 ’再藉由加熱加壓使該預浸物l〇a與該樹脂層20a硬化並 黏著在一起。如此，如第2D圖所示，一具有該開孔部份l〇x 之預浸物絕緣層10形成在具有該銅箔之樹脂層20上，且可 得到一由該樹脂層20a與該預浸物絕緣層10所構成之中心 基板30。換言之，一其中安裝有一半導體晶片之凹部31設 置在該中心基板30上，且由該凹部31暴露出來之該樹脂層 20a之一部份作為一安裝區域A。 若該凹部係利用一選路器形成在該板狀中心基板上’ 則與本實施例不同地，在掃描該選路器時必須處理相當寬 的區域。因此，會有處理時間加長且生產效率變差的問題。 但是，在本實施例中，可以利用黏著其中具有該開孔 部份10x之預浸物l〇a而輕易得到其中設有該四部31之中心 基板30，因此，相較於使用該選路器之情形，生產效率可 以明顯地改善。 接著’如第2E圖所示’製備一半導體晶片4〇，且該半 導體晶片40係構成為多數連接墊4〇a與多數鈍化膜4〇b係暴 露在一元件形成表面上。然後，藉由一黏著劑層12將該半 導體晶片40固定連接在該中心基板3〇上，並使該等連接墊 40a朝上（面向上）。此時，較佳地，該凹部31之深度（對應於 該預浸物10a之厚度）係設定為與該半導體晶片4〇之厚度一 致，使s亥半導體晶片40之上表面的高度與該中心基板3〇之 上表面相等。 或者，獲得在第2E圖中之構造體之變形例係，如第2F 與2G圖所示，首先藉由黏著劑層12將該半導體晶片仙固定 連接在作為該安裝區域八之具有該銅箔之樹脂層2〇之一部 份上，使該等連接墊4〇a朝上。接著，如第2H圖所示，將其 中該開孔部份IGx設置在對應於其中安裝有該半導體晶片 4〇之安裝區域A的樹脂層2〇3區域中係配置在具有該銅箔之 樹脂層20上，且接著藉由加熱與加壓將該預浸物10a與該樹 脂層施硬化且點接在一起。如此，如第2H圖所示，可以得 到與第2E圖中者相同的構造體。 依此結構，該半導體晶片4〇之厚度可被包含在該中心 基板3〇之厚度内且被排除在外。因此，該半導體晶片40之 厚度不會影響該封裝構造之整體厚度。 在這例中，所示之半導體晶片40係作為該等電子組件 之例子’但亦可使用如電容組件等錄電子組件。 接著’如第21圖所示，一填充樹脂14填入該半導體晶 片40與該中心基板30之凹部31側表面之間的間隙中，使該 上表面平坦化。然後，以雷射等加工該中心基板30(該預浸 物絕緣層1〇與該樹脂層20a)，如此，可形成通過該中心基 板30且具有到達該銅箔20b之深度的第一通孔30x。 接著，如第2J圖所示，將多數透過該第一通孔3〇x分別 連接該鋼箔20b的第一配線圖案16形成在該中心基板之上 表面上’且該等第一配線圖案16係由例如半加成製程形成。 詳而言之’首先，藉由濺鍍法或無電極電鍍法將一晶 種層（圖未示）形成在該中心基板3〇、該半導體晶片4〇、及該 中’心基板30之内表面上。接著，形成一抗|虫膜（圖未示），且 該抗餘膜中之多數開孔部份設置在對應於該等第一配線圖 案16之部份中。然後，藉由使用該晶種層作為電鍍電力供 給層之電鍍法’將多數金屬膜圖案（圖未示）形成在該抗敍膜 ，孔。P伤中。接者藉由蚀刻該晶種層並使用該金屬膜圖 案作為一遮罩’將該抗蝕膜移除而得到該等第一配線圖案 16。又’相對該半導體晶片4〇之連接墊40a選擇性地蝕刻該 B曰種層，此時，除了該半加成製程以外，亦可使用消去製 私、全加成製程等。 接著，如第2K圖所示·，在形成於該中心基板3〇之下表 之銅’4 20b形成圖案，如此，該等第一配線圖案π亦形 成在該中心基板30之下表面上。 *、、、:後，如第2L圖所示，將樹脂膜等分別黏附在該中心 基板3〇之兩表面側上。如此，在該中心基板3〇之兩表面上 分別形成一覆蓋該等第一配線圖案16之層間絕緣膜18。當 可在該半導體晶片40與該中心基板30之凹部31側面之間的 間隙中填充該層間絕緣膜18以得到平坦上表面時，可省略 前述填充樹脂14。 接著’如第2M圖所示，以雷射加工在該中心基板3〇之 兩表面側上之層間絕緣膜18，如此可以分別形成各具有— 到達該半導體晶片40之連接墊40a或該第一配線圖案16之 深度的第'"""通孔18 X。 然後’如第2N圖所示’將各透過該第二通孔18χ連接於 該半導體晶片40之連接墊40a或該第一配線圖案16的第二 配線圖案16&分別形成在該中心基板30之兩表面側上的層 間絕緣膜18上。 在本實施例中，所示之態樣是兩層第一配線圖案配線 圖案16、16a分別形成在該中心基板3〇之兩表面側上。但這 種態樣玎以n層（n是大於等於1之整數）配線圖案分別形成在 該中心基板30之兩表面側上之方式來使用。 接著，如第20圖所示，一耐焊膜24係分別形成在該中 心基板30之兩表面側上，且在該耐焊膜24令，多數開孔部 份24x係設置在該等弟一配線圖案16a之預定部份上。然 後，對在該中心基板3〇之兩表面側上且在該耐焊膜24之開 孔部份24x中之第二配線圖案16a的多數部份施行糾/如電 鍍，如此，可分別在該等第二配線圖案16a之多數部份上形 成一連接部份17。 然後，如第3圖所示，一上半導體晶片4〇χ之凸塊4加係 、j裝曰曰片接合法連接在該中心基板30上方且在該等第二 圖案16a上之連接部份I?。因此，可得到在第一實施例 中之電子組件封裝構造1。 _在第一實施例中之電子組件封裝構造1，如第3圖所 不，该中心基板3 0係由其中設有該等開孔部份】〇 χ之樹脂層 20a與預/X物絕緣層1〇構成，且因此該凹部31設置在該中心 板0上@時，具有到達該第一配線圖案16之深度的第 -通孔18x係形成在該層間絕緣膜財且在該中心基板 下方。 各透過該第二通孔18x與該半導體晶片4()與該第一配 線圖案16連接之第二配線圖案16a係形成在該層間絕緣膜 18上且在斜心基板3()上方。同時，各透過該第二通孔Ik 與4第-轉时16連接之f二喊案l6a係形成在該 層間絕緣膜18上且在該中心基板3〇下方。 卜八中°玄專開孔部份24x設置在該第二配線圖案 之預疋。卩伤上之耐焊臈24係形成在該第二配線圖案 與該層間絕緣㈣上且分別在該中心基板3G之兩表面側 上接著，由^Νι/Au電鍍層製成之連接部份17係形成在該 第二配線圖案恤之部份上且在該耐焊膜24之開孔部份24χ 中並且分別在該中心基板30之兩表面側上。 ’、尺°亥上半導體晶片40x之凸塊4〇a係以倒裝晶片接 合法連接在該第二配線圖案16a上且在該中心基板3〇上方 之連接部份17，㈣，在該第二配線圖案16a上且在該中心 基板30下方之連接部份17作為外連接墊。當使用bga(球格 1374535 拇陣列）態樣時’係將如焊料球、金凸塊等之外連接端子（圖 未示）設置成與在該第二配線圖案16a上且在該中心基板3〇 下方之連接部份17連接，並且接著將該等外連接端子連接 至該主機板等上。同時，當使lGA(基板格栅陣列）時，省 5 略該等外連接端子。 在第一實施例中，由於該半導體晶片4〇係安裝在由該 樹脂層20a與該預浸物絕緣層1〇所構成之中心基板3〇之凹 部31中，所.以該半導體晶片4〇之厚度可排除且該封裝構造 之整體厚度亦可變得比前述先前技術更小。同時，與前述 10 先如技術不同，由於不必使該第一配線圖案16之膜厚不必 要地形成相當大的厚度以與該半導體晶片4〇之厚度一致， 所以電鍍之加工時間可以大大地縮短且亦可減少生產成 〇 此外，其中設有該凹部31之中心基板30可以藉由黏著 15在該樹脂層20&上具有開孔部份10x之預浸物10a而製得，因 此，相較於該凹部係由選路器形成在該中心基板上的情 形，生產效率可以大幅提升。 (第二實施例） 第4A至4F圖係顯示製造本發明第二實施例之電子組 20件封裝構造之方法的截面圖，且第5圖是顯示本發明第二實 施例之電子組件封裝構造的截面圖，而第6圖是當第5圖中 之構造由華面方向看去時之平面圖，並且第7圖是顯示本發 明第二實施例之電子組件封裝構造之變化例的截面圖。 第二實施例之特徵在於該中心基板係由該預浸物與形 17 1374535 成於其上之Mfla層構成’且當黏接在該預浸物上之樹脂層 時亦同時將該半導體晶片埋設在該樹脂層中。在該第二實 施例中，類似於第一實施例之詳細說明將省略。 在製造第二實施例中之電子組件封裝構造的方法中， 5如第4圖所示，首先製備該預浸物l〇a、一如環氧樹脂等樹 脂層、及該半導體晶片40(電子組件），且該半導體晶片4〇 係構成為該等i接墊40a與該等鈍化膜4〇b係暴露在該元件 形成表面上，並且這些全部類似於在第一實施例中者。接 著，將该樹脂層21形成在該預浸物1 〇a上且接著將該半導體 10晶片40配置於其上’使該等連接墊40a朝上。然後，例如， 在110 C之溫度且壓力為IMPa之條件下，藉真空壓製機對 這堆疊體加熱與加壓。 此時’該半導體晶片40被推入該樹脂層21側且埋入該 樹脂層21中並且該預浸物i〇a與該樹脂層21同時硬化，且該 15 樹脂層21黏接於該預浸物l〇a上。如此，如第4B圖所示，可 以得到該樹脂層21形成在該預浸物絕緣層1〇並且該半導體 晶片40埋設在該樹脂層21中之構造體。換言之，一中心基 板30a係由該預浸物絕緣層1〇與形成在其上之樹脂層21構 成且該半導體晶片40亦埋設在該中心基板3〇a之樹脂層21 20 中。 因此’類似於第一實施例’由於該半導體晶片4〇被埋 在該中心基板30a中’所以可消除其厚度。因此，該半導體 晶片40之厚度不會影響該封裝構造之整體厚度。此時，較 佳地’該半導體晶片40係埋設在該樹脂層21中，且該半導 ⑧ 18 體晶片40之上表面與該樹脂層21之上表面構成一共平面之 表面。 在第二實施例中’由於當該半導體晶片4〇埋設在該樹 脂層21中時，該半導體晶片40係固定的，所以不必如同該 第一實施例般地使用該黏著劑層且因此可減少成本。 接著，如第4C圖所示，將該層間絕緣膜18形成在該中 心基板30a與該半導體晶片40上。然後，如第4d圖所示，藉 由以雷射等加工該層間絕緣膜18，形成各具有一到達該半 導體晶片40之連接墊4〇a之深度的通孔18χ。接著，如第4£ 圖所示，藉由在該第一實施例中所述之半加成製程等將 各連接δ亥半導體晶片40之連接墊40a的配線圖案16形成在 該層間絕緣膜18上。 在本實施例中，所示之這種態樣係多數第一配線圖案 16分別形成在該中心基板3〇a之上表面側上，但這種態樣亦 可使用堆疊η層~(n是大於或等於丨之整數）配線圖案者。 接著’如第4F圖所示，形成其中該等開孔部份24χ設置 在該等第一配線圖案16之預定部份上的耐焊膜24。如此， 可形成多數晶片連接部份17a與外連接部份17b。此時，該 等晶片連接部份17a係配置在該中央部份且該等外連接部 份17b係如同一環般地配置在周緣側。 然後，如第5圖所示，該上半導體晶片4〇χ(上電子組件） 之凸塊4〇a係以倒裝晶片接合法連接至位於第4F圖之構造 祖中央冲伤中的晶片連接部份17a。接著，將如焊料球、金 凸塊等外連接端子26形成在位於第4F圖之構造體周緣側之 外連接部份17b上，且該外連接端子26之高度係設定為高於 該半導體晶片40之高度。由前述者可得到第二實施例之電 子組件封裝構造la。 在第二實施例之電子組件封裝構造13中，如第5圖所 不，該中心基板30a係由該預浸物絕緣層1〇及形成於其上之 樹脂層21構成。該半導體晶片4〇係埋設且安裝在構成該中 心基板30a之樹脂層21中，且其中該等第二通孔18χ係設置 在該半導體晶片40之連接墊4〇a上的層間絕緣膜18係形成 在該中心基板30a與該半導體晶片4〇上。又，各透過該第二 通孔18x連接於該半導體晶片4〇之連接墊4〇a的配線圖案16 係形成在該層間絕緣膜18上。 其争該等開孔部份24x設置在該等配線圖案16之預定 部份上的耐焊膜24係形成在該層間絕緣膜18上，且該晶片 連接部份17a與該外連接部份17b係設置在配線圖案16在該 等開孔部份24x中的部份上。 此外，該上半導體晶片4〇χ之凸塊4〇a係倒裝晶月接合 法連接至配置在中央部份之晶片連接部份17a上。又，其高 度設定為高於該上半導體晶片4〇x高度之外連接端子26係 設置在配置於該周緣側上之外連接部份17b上。接著，將該 等外連接端子26連接於主機板等，且第5圖之電子組件封裝 構造la翻轉向下。 當由頂側看第5圖之電子組件封裝構造1 a時，如第6圖 所示’該上半導體晶片4 0 X係倒裝晶片接合法連接至該中心 基板30a之中央部份且該等外連接端子26亦配置在該中心 基板30a之如一環之周緣部份上，以環繞該上半導體晶片 40χ。 在第二實施例之電子組件封裝構造la中，該半導體晶 片40係埋设在該中心基板3〇3之樹脂層21中’因此’該半導 體晶片40之厚度不會影響該封裝構造之整體厚度，且可如 第一實施例般地減少該電子組件封裝構造之整體厚度。 又’在前述第一實施例中，該等外連接端子係設置在 該中心基板30a之相對表面側上且設於該半導體晶片4〇所 安裝之表面上。因此，該半導體晶片40必須藉由使該等配 線圖案16自該半導體晶片40延伸至該外側區域與該等外連 接端子透過設置在中心基板3〇a中之第一通孔30x而電氣連 接。 因此’該外側區域必須有一部份保持在該半導體晶片 40外側’如此，可推定這封裝構造無法輕易配合減少該電 子組件封裝構造面積之要求。 在第二實施例中所示者係僅使用該中心基板3(^一側 之—側態樣，如此，該上半導體晶片40x與該外連接端子26 兩者均設置在安裝有該半導體晶片40之該中心基板3加的 一側表面上。因此’在該半導體晶片40與該等外連接端子 26之間的電氣連接可以在不需使該等配線圖案由該半導體 晶片40延伸至該外側區域，但升高緊臨該半導體晶片4〇之 配線圖案之情形下達成。故，該電子組件封裝構造13之面 積可以減少至與該半導體晶片40之面積幾乎相同大小，且 因此這實施例可以輕易地配合減少該電子組件封裝構造i a 之面積的要求。 在此情形下，類似於在第7圖所示之第二實施例之變化 q中之電子組件封裝構造lb，在第二實施例之第5圖中可 使用其中設有第-實施例所述之凹部31的中心基板30來取 5代其中該等半導體晶片40埋設在該樹脂層21中之中心基板 30a’且該等電子组件4〇可以利用該黏著劑層12而固定連接 在X凹。p 31之底部。在第7圖中，由於剩餘元件與第$圖中 者相同，所以在此省略它們的說明。 此外，在前述第一實施例中，如前述第二實施例中所 1〇说明者一般’可以使用其中該等半導體晶片40埋設在該樹 月曰層21中的中心基板3〇a，且可形成類似於在第一實施例中 之配線圖案的配線圖案。 (名三實施例） 第8八至_係多數截面圖，顯示製造本發明第三實施 15例之電子組件封裝構造之方法，·第9圖是顯示本發明第三實 轭例之電子組件封裝構造的截面圖；且第圖是一截面 圖，顯示本發明第三實施例之電子組件封裝構造之變化例。 第二貫施例之特徵在於使用包括配置成周緣態樣之連 接塾的半導體晶片且該等連接塾與該等配線圖案係直接連 2〇接而不透過該等通孔。在該第三實施例中，類似於第二實 施例中之步驟在此將予以省略。 〃在製造第三實施例之電子組件封裝構造的方法中，如 第认圖所示，首先製備其中連接塾他與鈍化膜働係暴露 在-玄凡件形成表面上之半導體晶片4〇(電子組件在使用於 22 第三實施例中时導體晶片4()中，該等連㈣他係配置在 該周緣部份上而呈該周緣態樣。同時，料鈍化膜40b係 由，例如，一氮化矽膜與一形成於其上之聚醯亞胺膜。 此外，製備類似於第二實施例中之該預浸物10a與該樹 月曰層21兩者接著，依據第一實施例中之類似方法，將該 樹脂層21配置在該預浸物1〇a上且將該半導體晶片4〇配置 在該樹脂層21上’以使該等連接塾伽朝上。然後，利用類 似於第二實施例之方法加熱與加壓，使該樹脂層2ι黏著在 該預浸物10a上且該半導體晶片4〇埋設在該樹脂層21中。 因此，如第8B圖所示，類似於第二實施例，可以得到 由該預浸物絕緣層1〇與該樹脂層21構成之中心基板3〇a，且 可將該半導體晶片40埋設在該中心基板3〇a之樹脂層21 中’以消除該半導體晶片40之高度差。接著，如第8C圖所 示’利用雷射等加工該中心基板3〇a。如此，可形成通過該 中心基板30a之第一通孔30x。然後，如第8D圖所示，藉由 無電極電鑛將一晶種層13形成在該中心基板30a之上與下 表面及该第—通孔30x之内表面上。接著，形成一其中多數 開孔部份23x設置在對應於該等配線圖案之部份中的抗蝕 膜23。 然後’如第8E圖所示，藉由使用該晶種層13作為電鍵 電力供應層在該抗蝕膜23之開孔部份23x中且在該等第一 通孔30x中形成—金屬膜圖案15。接著，藉由使用該金屬膜 圖案15作為一遮罩來移除該抗蝕膜2 3並且蝕刻該晶種層 13。如此’如第8F圖所示，該等配線圖案16係形成在該中 心基板30a之兩表面侧上。 形成該中心基板30a之上表面上之配線圖案16係直接 連接在該半導體晶月40之連接墊40a上且其間沒有該等通 孔，並且當與該鈍化膜接觸時由該連接墊4〇a延伸至該半導 體晶片40之外周緣部份。此外’形成在該中心基板3〇&之上 表面上之配線圖案16係透過該等第一通孔3〇χ電氣連接形 成在該中心基板30a之下表面上的配線圖案16。 在前述第二實施例中，在該層間絕緣膜18中且在該半 導體晶片40之連接墊4〇a上形成用以覆蓋該等第一配線圖 案16之層間絕緣膜18並且再利用雷射形成該等第二通孔 18x。因此可推定在某些情形中，當雷射照射在該半導體晶 片40之連接墊40a上時對半導體晶片所造成之損害會依該 半導體晶片40之種類而成為一問題。 但是，在該第三實施例中，由於該等配線圖案16係直 接連接在s玄半導體晶片40之連接墊4〇a上且沒有該等通孔 置於其間，所以不可能損害該半導體晶㈣。因此，可以 廣泛地使用各種電子組件且可加大封裝操作之自由度。 此外’如第8F圖之下方部份所示，形成在該中心基板 30a之上表面上之配線圖案16係由配置成周緣態樣之半導 體晶片40之連接塾40a延伸至外周緣部份，_，該配線圖案 16未配置在該半導體晶片40之中央部份中。 與本發明不同地，當該半導體晶片4〇之連接塾他以區 域陣列態樣配置在整個表面上時，該等配線圖案亦配置在 該半導體晶請之中畴份卜因此，#使用具有低絕緣 1374535 阻抗之膜作為該半導體晶片4〇之鈍化膜4〇b時可假定該半 - 導體晶片40之電路將短路。因此，可假定具有高絕緣阻抗 之保3蔓膜可以在該等鈍化膜40b上再形成圖案。 但是，在本實施例中，該等配線圖案16係由配置成周 5緣態樣之半導體晶片40之連接墊4〇a延伸至該外周緣部份 而形成。因此，該等配線圖案與半導體晶片4〇之電路不可 能短路。這是因為在位於配置成周緣態樣之連接墊4加外側 ^ 下方的半導體晶片40區域中不存在電路的緣故。 ·_. 依此結構，由於可以省略在裝該半導體晶片40後形成 1〇該層間絕緣膜與該等通孔的步驟，所以可比第一實施例減 少更多的成本。 接著，如第8G圖所示，形成用以覆蓋在該中心基板3加 之下表面側上之配線圖案16的層間絕緣膜18，且再將該等 第二通孔18X形成在該配線圖案16上之相絕緣膜18的某 15些部份上。㈣，各透過該第二通孔版連接該配線圖案w φ 之第二配線圖案16a形成在該中心基板3〇a之下表面側上。 在此财，在本實施例中所示的態樣是一單層配線圖 案16形成在該中心基板30a之上表面側上且兩層配線圖安 16、16a形成在該中心基板施之下表面側。但這種態樣ζ 使用n#是大於或等於i之整數)配線圖案分別堆疊在讀中 心基板30a之兩表面側上者。 接著，如第8H圖所示，其中該等開孔部份％設置在讀 中心基板30a之上表面側上之配線圖案16上與在其下表ζ 側上之第二配線圖案16a上的耐焊膜24係分別形成在該= 25 心基板30a之兩表面側上。然後，利用對在該耐焊膜24之開 孔部份24χ中之第-與第二配線圖案16、池的某些部份施 加NiMu電鍍，使該等連接部份17分別在該中心基板3〇&之 兩表面側上。 接著，如第9圖所示，該上半導體晶片4〇χ之凸塊4〇a係 以倒裝晶月接合法連接至在該中心基板3〇a上方之該等配 線圖案16上。如此，可得到在第三實施例之電子組件封裝 構造lc。又，如同在第—實施例中一般，在該等配線圖案 16上且在該等配線圖案16下方的連接部份17作為該等外連 接塾。 在第三實施例之電子組件封裝構造lc中，類似於第二 實施例，如第9圖所示，該半導體晶片4〇係埋設在由該預浸 物絕緣層10與該樹脂層21構成之中心基板3〇a的樹脂層21 中，且因此該半導體晶片4〇之厚度可包含在該中心基板中 且加以排除。 通過s玄中心基板之通孔3〇χ係設置在該中心基板3〇a 中，且透過該等通孔30x互相連接之配線圖案16亦分別形成 在該中心基板30a之兩表面側上。形成在該中心基板3如之 上表面側上之配線圖案16係直接連接於配置成該周緣態樣 之半導體晶片40之連接墊40a且沒有該等通孔置於其間，並 且形成為可接觸該鈍化膜40b。該等配線圖案16未形成在該 半導體晶片40之中央部份上，但它們形成為可由該等連接 墊4〇a延伸至該半導體晶片4〇之外周緣部份。 又，形成其中該等開孔部份24x係設置在該中心基板 30a之上表面側上之配線圖案16預定部份上的耐焊膜24,且 該連接部份17係形成在該等開孔部份24x中《接著，該上半 導體晶片40x(上電子植件）之凸塊4〇a係以倒裝晶月接合法 連接至該等連接部份17上。 接著形成其中該等第二通孔18x係形成在該中心基板 30a之下表面側上之配線圖案16上的層間絕緣骐18，且各透 過該第二通孔18x連接該第一配線圖案16之第二配線圖案 16a形成於其上。此外，亦形成其中該等開孔部份24χ係設 置在該專弟·一配線圖案16a之預定部份上的耐焊膜24，且用 以外部連接之連接部份17係設置在該等開孔部份24χ中。 在第三實施例之電子組件封裝構造lc中，類似於第二 實施例’由於該半導體晶片40係埋設在該中心基板3〇a之樹 脂層21中，該半導體晶片40之厚度可以排除。如此，該電 子組件封裝構造lc可以輕易地減少封裝構造之厚度。 此外，該等第一配線圖案16係連接於配置成周緣態樣 之半導體晶片40之連接墊40a且沒有該等通孔設置於其 間，並且係形成為可延伸至該半導體晶片4〇之外周緣部 份。因此’基於前述理由，不必特別以一高絕緣效能在該 半導體晶片40上使該保護膜形成圖案。此外，在製造步驟 中’該半導體晶片40亦不會受到雷射破壞。故可使用各種 電子組件且亦可提升該電子组件封裝構造之可靠度。 接著，如第10圖所示，類似於第三實施例之變形例之 電子組件封裝構造Id，可使用其中設有該凹部31之中心基 板30 ’如第一實施例中所述，以取代其中該半導體晶片40 1374535 埋設在該樹脂層21中的中心基板30a，並且可接著利用該黏 著劑層12將該等半導體晶片40固定連接在該凹部31中。在 第10圖中，由於其餘的元件與第9圖中者相同，所以在此將 省略其說明。 5 【圖式簡單說明】 第1圖是一截面圖，顯示先前技術之電子組件封裝構 造； 第2A至20圖係多數截面圖，顯示製造本發明第一實施 例之電子組件封裝構造之方法； 10 第3圖是顯示本發明第一實.施例之電子組件封裝構造 的截面圖； 第4A至4F圖係多數截面圖，顯示製造本發明第二實施 例之電子組件封裝構造之方法； 第5圖是顯示本發明第二實施例之電子組件封裝構造 15 的截面圖； 第6圖是當第5圖中之構造由平面方向看去時之平面 圖； 第7圖是一裁面圖，顯示本發明第二實施例之電子組件 封裝構造之變化例； 20 第8A至8H圖係多數截面圖，顯示製造本發明第三實施 例之電子組件封裝構造之方法； 第9圖是顯示本發明第三實施例之電子組件封裝構造 的截面圖；及 第10圖是一截面圖，顯示本發明第三實施例之電子組 28 ⑧ 1374535 件封裝構造之變化例。 【主要元件符號說明】 l，la-d...電子組件封裝構造 26...外連接端子 10.. .預浸物絕緣層 l〇a...預浸物 10x...開孔部份 12.. .黏著劑層 13.. .晶種層 14…填充樹脂 15.. .金屬膜圖案 16.. .第一配線圖案 16a…第二配線圖案 17…連接部份 17a...晶片連接部份 17b...外連接部份 18.. .層間絕緣膜 18x…第二通孔 20,20a...樹脂層 20b...銅箔 21.. .樹脂層 23.. .抗蝕膜 23x...開孔部份 24.. .耐焊膜 24x…開孔部份 30,30a...中心基板 30x...第一通孔 31.. .凹部 40.. .半導體晶片 40a...連接墊；凸塊 40b...鈍化膜 40x...上半導體晶片 100.. .中心基板 ΙΟΟχ...穿孔 101.. .穿孔導電層 102.. .半導體晶片 102a...連接墊 103.. .黏著劑層 104.. .樹脂本體 108.. .第一配線圖案 110.. .層間絕緣膜 110x...通孔 112.. .第二配線圖案 112a...連接部份 114.. .防焊膜 29 ⑧

Claims (1)

1374535 I .-. 第94108183號專利申請案申請專利範圍修正本97年3月

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20 十、申請專利範圍： 1· 一種電子組件封裝構造，包含： 一中心基板，係由一樹脂層與一形成在該樹脂層上 之預浸物絕緣層構成炎於其中具有一開孔部份，因此可 由該開孔部份在該預浸物絕緣層中提供一凹部；及 一電子組件，係安裝在該樹脂層上且在該中心基板 之凹部中’使得該電子組件之連接墊朝向上。 2. 一種電子組件封裝構造，包含： 一中心基板，係由一預浸物絕緣層與一形成在該預 浸物絕緣層上之樹脂層構成；及 一電子組件，係埋設在該中心基板之樹脂層中，使 得該電子組件之連接整朝向上。 3·如申請專利範圍第1或2項之電子組件封裝構造，其中一 電氣連接於該電子組件之連接墊的配線圖案係形成在 該中心基板與該電子組件上方。 4_如申請專利範圍第3項之電子組件封裝構造，其中該配 線圖案係以一η層（η為大於或等於丨之整數)方式構成， 一上電子組件係以倒裝晶片接合法（flip_fl〇p)安裳於一 最上方配線圖案。 5.如申請專利範圍第4項之電子組件封裝構造，其中— 過一通過該中心基板之通孔而互相電氣連接之配線圖 案係形成在該中心基板之兩表面上，且電氣連接於㈣ 子組件之連接墊之配線圖案係電氣連接於形成在診中 心基板之兩表面上之配線圖案。 修正 ， 補充钾1年_ 30 1374535 6. 如申請專利範圍第5項之電子組件封裝構造’其中前述 以η層（η為大於或等於1之整數）方式構成之配線圆案係 形成在6亥中心基板之下表面側上Ε* 一其上6又有~外連 接私子之外連接部份係形成在該配線圖案之最下方部 5 份中。 7. 如申請專利範圍第3項之電子組件封裝構造，其中該配 線圖案係以一η層（η為大於或等於〗之整數）方式構成，且 一上電子組件係以倒裝晶片接合法安裝於一最上方配 線圖案’並且一其上設有一外連接端子之外連接部份係 10 形成在該最上方配線圖案之一部份中，該部分係不在該 等上電子組件中。 8·如申請專利範圍第3項之電子組件封裝構造，其中以一 周緣模式配置之前述連接墊及一用以使該連接墊暴露 出來之纯化膜係設置在該電子組件之表面上，且 15 該配線圖案係在與該鈍化膜接觸時直接連接在該 電子組件之連接墊上並且形成為可由該連接墊延伸至 該電子組件外側。 9.如申請專利範圍第1或2項之電子組件封裝構造，其中前 述電子Μ件是一半導體晶片。 20 10. 一種製造電子組件封裝構造之方法，包含以下步驟： 將一其中具有一開孔部份之預浸物配置在一樹脂 層上，且接著加熱與加壓以將該預浸物黏著在該樹脂層 上，藉此可得到一中心基板，且該中心基板具有一由該 開孔部份提供之凹部的結構；及 31 1374535 將一電子組件安裝在該樹脂層上且在該中心基板 之凹部中，以使得該電子組件之連接塾朝上。 n. —種製造電子組件封裝構造之方法，包含以下步驟： 將一預浸物配置在一樹脂層上且將一電子組件配 置在該樹脂層上’以使得該電子組件之連接墊朝上；及 加熱與加壓至該預浸物、該樹脂層及該電子組件， 以將該預浸物黏著在該樹脂層上並將該電子組件埋設 與安裝在該樹脂層中。 12.如申請專利範圍第1〇或丨丨項之製造電子組件封裝構造 之方法，更包含以下步驟： 在安裝前述電子組件之步驟後，將一電氣連接於該 電子組件之連接墊的配線圖案形成在該中心基板與該 電子組件上方。 13·如申請專利範圍第12項之製造電子組件封裝構造之方 法，其中別述形成電氣連接於該電子組件之連接墊的配 線圖案之步驟包括以下步驟： 將一透過—通過該中心基板之通孔而互相電氣連 接之配線圖案分別地形成在該中心基板之兩表面上；及 將—分別電氣連接於該電子組件之連接塾與該於 中心基板上之配線圖案的配線圖案形成在該中心基板 與該電子組件上方。 14.如申请專利範圚第10項t製造電子組件封裝構造之方 法’其中一鋼箔形成在該樹脂層之下表面上，且 在安裝前述電子組件之步驟後，更包含以下夕賻： 32 1374535 將一透過一通過該中心基板之通孔而互相電氣連 接之配線圖案分別地形成在該令心基板之兩表面上；及 將—分別電氣連接於該電子組件之連接墊與該於 中心基板上之配線圖案的配線圖案形成在該中心基板 5 與該電子組件上方， 其令在該中心基板之下表面上之配線圖案係利用 使該銅箔形成圖案而形成。 15. 如申請專利範圍第12項之製造電子組件封裝構造之方 法，其辛前述形成該配線圖案之步驟包括以一11層（11為 〇 大於或等於1之整數）方式形成該配線圖案之步驟，且 更包含： 以一倒裝晶片接合法將一上電子組件連接至該n層 配線圖案之最上方的步驟。 16. 如申印專利範圍第12項之製造電子組件封裝構造之方 5 法，其中前述形成該配線圖案之步驟包括以一 η層（η為 大於或等於1之整數)方式形成該配線圖 案之步驟，且 在形成該配線圖案之步驟後，更包含： 以一倒裝晶片接合法將一上電子組件連接至該11層 配線圖案之最上方且亦在前述上電子組件以外處之最 } 上方配_案上形成—外連接端子的步驟，且該外連接 端子之高度係大於前述上電子組件之高度。 π.如申請專利範圍第12項之製造電子組件封裝構造之方 、、中X周緣模式配置之前述連接塾及一用以使該 連接墊暴路出來之鈍化膜係設置在該電子組件之表面 33 1374535 上，且 在形成與該電子組件之連接墊電氣連接之配線圖 案的步驟中，該配線圖案係在與該鈍化膜接觸時直接連 接在該電子組件之連接墊上並且該配線圖案被形成為 由該連接墊延伸至該電子組件外側。 18.如申請專利範圍第10或11項之製造電子組件封裝構造 之方法，其中前述電子組件是一半導體晶片。

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