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TWI361441B - - Google Patents

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TWI361441B
TWI361441B TW097110510A TW97110510A TWI361441B TW I361441 B TWI361441 B TW I361441B TW 097110510 A TW097110510 A TW 097110510A TW 97110510 A TW97110510 A TW 97110510A TW I361441 B TWI361441 B TW I361441B
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TW
Taiwan
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atom
voltage non
voltage
linear resistance
linear
Prior art date
Application number
TW097110510A
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English (en)
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TW200903530A (en
Inventor
Yoshida Naoyoshi
Tanaka Hitoshi
Matsuoka Dai
Original Assignee
Tdk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk Corp filed Critical Tdk Corp
Publication of TW200903530A publication Critical patent/TW200903530A/zh
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Publication of TWI361441B publication Critical patent/TWI361441B/zh

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Description

丄丄 • 第 〇971·105丨 0 號 100年11月28日修正替換頁 ， 九、發明說明： 【發明所屬之技術區域】 本發明係有關用於保護半導體开土 叉卞守件或電子電路免受 突波（仙㈣）或雜音干擾而使用之電壓非直線性電阻陶 -是組合物、及使用該電麼非直線性電阻陶竟組合物的電塵 非直線性電阻元件。 【先前技術】 近年來，半導體元件或LSI等所構成之電子電路朝高 性能化發展，且應用於各種用途、環境。另一方面，上述 半導體7L件或電子電路在低電壓下驅動的情況很多，—旦 施加過大電塵的話’很可能會受到破壞。尤其是，由落雷 專引起之異常突波電壓或雜音、靜電等發生時，其電壓會 &加於半導體4件等’而產生半導體元件等受到破壞的情 況。尤其是’如此之問題對於在各種環境下使用之可攜式 機器而言特別顯著。 、為了對應如此之狀況，有很多設置保護用之元件的情 /、中_L述保濩用之元件係與半導體元件等並列連 接ϋ電壓施加於上述半導體元件等的情況下，此保 蒦用之兀件的電阻變大’而電流主要流至上述半導體元件 等:使得此半導體元件正常作動。另—方面，在施加過大 電c的隋況下’此保護用之元件的電阻係減少。結果，電 流主要流至此保護元件’可以抑制過大電流流至此半導體 7C件因此’可以抑制因過大電流流至此半導體元件所造 2030-9537-PF1 5 1361441 100年丨〗月28曰修IE替換頁 第 097110510 號 成的破壞。 如此之保濩用之元件的電流—電壓特性必須具有非 直線的特性。也就是說’電阻因應電壓而變化，例如，在 某一電壓以上，其電阻值具有急遽減少的特性。以具有如 此之特性的元件而言，常見的有稽納二極體（以⑽广Di〇de) 或變阻器（電壓非直線性電阻元件）β相較於稽納二極體而 。，變阻器因為在動作上沒有極性，突波耐性高，易於小 型化’因此廣泛受到使用。 以變阻器而言，雖然可以使用由各種材料（電壓非直 線性電阻陶瓷組合物）構成的材料，然而，特別是由以Ζη〇 (氧化鋅）為主成分之燒結體所構成的材料，因為其價格或 非直線性之大小的緣故，因此適合採用（例如，特許文獻 1、特許文獻2)。變阻器之電流一電壓（對數）特性之一例 係如圖1 0所示。在比崩潰區域大的電壓下，電阻顯著地 減少，而電流變大。在此實施例中’將電流成& —的電 壓（VI mA)稱為變阻器電壓。在此電壓以上，則流著大電 流。變阻器電壓係比半導體元件正常作動之電壓（例如Μ 左右）高，且可以適當地設定在與此電壓之差不大的電壓。 在所製得之電壓非直線性電阻陶瓷組合物中，主成分 採用ZnO，並在其中添加Pr (鹼土類元素）、c〇、 屬元素）、K(Ia屬元素）、Cr、Ca、Si $，作為產生導電 性或電流一電壓特性之非直線性等的不純物。藉由控制上 述元素之濃度，改善變阻器的壽命（特許文獻j )、^降低 變阻器的製造變異（特許文獻2)。 _ 2030-9537-PF1 6 100年11月28日修正替換頁 、 第 〇97l 10510 號 所製得之變阻器例如可以在與半導體元件並列連接 心下組入機器（電路）而使用。在此之際，除了變阻 體之電阻以外，例如，其容量特性也對此電路之特性造成 =響。然而，在機器之溫度變大而大幅變動的情況下，此
今里特性會大幅變動。因此，將變阻器組入的電路設計會 變得困難。 B 【專利文献丨】日本特許第3493384号 【專利文献2】日本特開2002-246207号 【發明内容】 為了解決上述問題點，本發明之目的係提供能解決上 述問題點的發明。 為了解決上述課題，本發明係提供下述之結構。本發 明第—觀點之電壓非直線性電阻陶瓷組合物係以氧化鋅為 主成分，其包括：0.05〜5原子％的卜；〇1〜2〇原子e/^c〇; 0. 01〜5原子％的（^ ;以及〇. 0005〜〇. 〇5原子WCu。 本發明第二觀點之電壓非直線性電阻陶瓷組合物係以 氧化鋅為主成分，其包括：0.05〜5原子％的卩r; 〇.1〜2〇 原子％的（：〇; 〇.〇1〜5原子％的（：3;以及〇〇〇〇5〜〇〇5原子％ 的Ni。 另一實施例提供一電壓非直線性電阻陶瓷組合物，以 氧化鋅為主成分，其包括：〇.〇5〜5原子％的卜；〇1〜2〇 原子％的(：〇; 〇.01〜5原子%的。；以及⑸及…，其中，cu 與Ni合計共00005〜0. 1原子％。 2030-9537-PF1 7 1361441 100年月28日修左替換頁 第 097Π0510 號 另一實施例提供一電壓非直線性電阻陶究組合物，更 包括：o.ool〜1原子WK; 0.001〜0 5原子_ai ; 〇 〇1 〜1原子_Cr;以及0.001〜0.5原子％的“。 本發明之電壓非直線性電阻元件係具有上述之電壓 非直線性電阻陶瓷組合物。 另一實施例提供一電壓非直線性電阻元件，其具備由 該電壓非直線性電阻陶瓷組合物所構成的燒結體、以及與 該燒結體連接之複數個電極。 另一實施例提供一電壓非直線性電阻元件，其具有内 部電極與由該電壓非直線性電阻陶瓷組合物所構成之電 阻元件層交互疊積的積層構造，其中，一對外部電極係形 成於該積層構造之側端部，且夾著該電阻元件層而相對之 該内部電極係分別與一對外部電極之任一個連接。 本發明因為作成上述結構，因此可以得到一個在溫度 變動之際容量特性變動小的電壓非直線性電阻元件。 【實施方式】 以下，説明本發明之實施形態。 圖1係繪示本發明之實施形態之電壓非直線電阻元件 之構造的剖面圖。 圖2係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Cu濃度依存性（未添hNi的情況）的圖。 圖3係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Pr濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 2030-9537-PF1 8 1361441 % 第0971·10510號 〗〇〇年11月28日修正替換頁 • 圖4係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Co濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 圖5係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Ca濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 圖6係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之N i濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 • 圖7係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Pr濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 圖8係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 容量變化率之Co濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 圖9係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻元件之 - 容量變化率之Ca濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 圖1 〇係繪示一實施例之電壓非直線電阻元件之電流一 電壓特性圖。 如圖1所示，電壓非直線性電阻元件（變阻體）1係由 分成3層而形成之電壓非直線性電阻元件層2、夹在其間 而形成之内部電極3、與内部電極3連接之外部端子電極 4所構成。雖然不限定大小，但是，以電壓非直線性電阻 元件1全體的大小而言，長（0.4〜5.6 mm )x寬（0.2〜5.0 mm)X厚（0. 2〜1. 9mm)左右。此大小係大約與疊積之電壓 非直線性電阻元件層2全體的大小相等。 電壓非直線性電阻元件層2係由電壓非直線性電阻陶 瓷組合物所構成’其係以ZnO為主成分的燒結體。詳細内 容如後所述。 2030-9537-PF1 9 100年丨丨月28日修正替換頁 第0971丨〇5〗〇號
内部電極3之材質盥雷M 面特'"好τ 非直線性電阻元件層2的界 #) 〇 a ^ 、電性接觸良好的金屬（導電 入因此亦可使用貴金屬，例如Pd或Ag、或 。金。在適用Ag—pd合金的情 一 %以上者較佳…電極3…Pd 3有…5重量 作是，以〇广 厚度雖然可以適當地決定， 一疋以〇. 5〜5/z m左右者較佳。 ..^ 距離AS μ I較佳$外，内部電極3間之 £離為5〜5〇e m左右。 料部端子電極4之材質也不特職定，但是，與 内部電極3同樣地，使用pd ” 厚度也可以適宜地決定，” 合金，其 疋以10〜50" m者較佳。 在此電星非直線性電阻元件1中，1對内部電極3間 之電阻係藉由該施加電壓而變動。也就是言兒，1間之 一電屢特性係、呈現非線性變動。尤其是，—旦電壓變高: 活，電流會呈現非線性地増大。因此，將i對外部端子電 極4與外部半導體元件等並列地連接的話，則在半導體元 件施加過大電壓的情況下’可以使電流主要通過此電壓非 直線性電阻元件1，而得以保護半導體元件。 以電壓非直線性電阻元件之基本的構造而言，可以有 電㈣直線性電阻元件層、以及與其連接之複數個電極。 在此實施例中’電壓非直線性電阻元件層係可以是由電壓 非直線性電阻陶瓷組合物所構成的燒結體。在圖1之結構 中’藉由形成由燒結體與内部電極交互疊積而成的積層構 造，形成複數個電極。此内部電㉟3係分別與形成於此 積層體之端部的外部端子電極4連接。 2030-9537-PF1 10 1361441 100年11月28日修正替換頁 第0971105〗0號 關於以上之結構，因為特開2002-246207號已有記 載’因此省略其詳細説明。 在本發月之電壓非直線性電阻元件中，尤其是，藉由 控制電壓非直線性電阻陶瓷組合物内所添加之不純物改 σ其特性而且，電壓非直線性電阻元件之構造不限於圖 1所示之形態，若是使用相同之電壓非直線性電阻元件層 的話，可以得到相同效果。 在此實施例中，對於電壓非直線性電阻陶瓷組合物來 說，除了保持良好的電流一電壓特性，更要求在温度變動 之際的容量特性變動要小。 為了滿足上述要求，以此電壓非直線性電阻元件層2 而5，可以使用以ΖηΟ為主成分的燒結體（陶瓷體）。在此 燒結體中’添加有Pr、Co、Ca及、Cu或Ni。也可以同時 添加Cu與Ni。而且’也可以添加κ、Al、Cr、及Si。 在此實施例中，因為Pr之離子半徑大於Zn，故難以 進入燒結體中之ZnO結晶内’而蓄積於結晶粒界。藉此， 阻礙電子在結晶粒界之移動，成為電流電壓特性呈現非直 線性的原因。也就是說，藉由Pr之添加，可以得到非直 線性，藉由其適量添加而適度設定變阻器（varist〇r )電 壓。Co、Ca、Cr也同樣地提升其非直線性，藉由其適量添 加，得以控制變阻器（varistor)電壓。 另外，Al ( 11 lb屬元素）在ZnO中係具有施體（d〇n〇r ) 的功能，產生導電性。因此’藉由此添加可以在圖1 〇中之 歐姆區域流過大電流。但是，一旦此添加量多的話，則漏 2030-9537-PF1 11 1361441 第〇9川〇510號 100年1〗月28日修正替換頁 電流變大。而且，在ZnO中之導電性係藉由格子間Zn而產 生。 另一方面’ Cu或Ni係固溶於Zn〇中，使漏電流降低。 發明者們除了藉由控制以上之不純物濃度，而保持良 好的電流一電壓特性之外，還發現可以使温度變動之際的 容量特性變動變小的範圍。 為了達成上述範圍，例如，Pr為〇. 05〜5· 〇原子％、
Co為0. 1〜20原子％、Ca為〇. (π〜5 〇原子％、及Cu或 Ni為0. 0005〜0. 05原子％。在此實施例中，在添加Cu的 情況下則未添加N1 ;在添加n i的情況下則未添加Cu。在 此實施例中，所謂的未添加係指濃度未満〇· 〇〇〇1原子％以 下。 另外’在Cu與Ni同時添加之情況下，將pr、c〇、^ 之組成控制在上述的範圍内，且將Cu與Ni之合計控制成 0. 0005 〜0. 1 原子 ％。 在上述之範圍的情況下，可以使以25t：之情況為基準 的85°C下的容量變化率控制在10%以下。另外，在此組成 範圍内，可以將85°C之介電正接（tand)控制在15%以下， 或者，控制在11 %以下。因此，在此組成範圍内，伴隨温 度變化之容量變化率、及介電損失係顯著地變小。因此， 伴隨該電壓非直線性電阻元件之温度變化的容量特性之 變動係變小，而使得應用該電壓非直線性電阻元件的裝置 設計變得容易。 另外，在下列添加情況下，也可以得到同樣的效果， 2030-9537-ΡΓ1 12 1361441 100年Π月28日修正替換頁 第0971丨0510號 其中’K為〇.〇〇〗 Γ ^ n 〜LO原子％、AI為0.001〜0.5原子％、
Cr 為 〇. 〇1 〜〇 '、子％、Si為〇·〇〇ι〜〇5原子％。 . 上述以外之元素而言，例如，也可以添加Mo 或Zr。在此種情汉 .n , s 兄下，例如，Mo為〇. 5原子％以下、Zr 1原子％以下的話，也可以得到同樣效果。 冑用燒結體作為電㈣直線性電阻H组合物 二：下甘使用此電壓非直線性電阻元件之裝置的設計變 '、中，該燒結體乃是在將相對於ΖηΟ之添加物控 制於上述組成範圍的情 匱況下而添加。而且，作為主成分之 ΖηΟ在燒結體中之含旦 ^ η 3里（早獨Ζη的原子％)係在85%以上、 或94%以上。 接著’説明此電㈣直線性電阻元… 一實施例。 w 因為此電壓非直線性電阻元件所用之電壓非直線性 f组合物為燒結體，所以，實際上可將疊積之3個 電壓非直線性電阻元件層2與1對内部電極3進行一體燒 =而形成。因此’例如’藉由使用膠（paste)之印刷法 或平板（sheet)法而製作生胚薄板，並進 得到疊積之電壓非直線性電阻元件層2、内部電極心 後，可以藉由印刷或轉寫外部端子電極4進行燒成 4。以下’具體地說明此製造方法。 首先，分別準備電壓非直線性電阻陶究组合物用膠、 内部電極用膠、外部端子電極用膠。 電壓非直線性電阻陶竞組合物用谬係可以是將電壓 2030-9537-PF1 13 丄划441 第097Π05丨0號 . 100年η月28日修ΪΕ替換頁 非直線性電阻陶瓷組合物用原料與有機煤介物(㈣…。 vehile)混練而得之有機系塗料或水系塗料。 對於電壓非直線性電阻陶瓷組合物用原料而言，因應 上述電塵非直線性電阻陶究組合物的組成，配合^用龍 ，成分（Zn〇)的原料、與構成各添加物成分的原料。也就 是說，以原料而言，係昆合了作為主成分之Zn〇粉末、由 作為添加物之 Pr6〇11、c〇3〇4、CaC〇3、Cu〇、Ni2〇3^^ 广〇3、cr2〇3、Sl〇2等添加物元素所組成的氧化物、碳酸鹽、 ^、氫氧化物、硝酸鹽等粉末。此時之Zn〇粉末的粒 左右，而添加物成分粉末的粒徑為〇 1〜3 β m左右。 ’ 人物有Γ煤介物指的是將接著劑溶解於有機溶劑中的混 :物。使用於有機煤介物中的接著劑並不特別限定，亦可 纖維素、聚乙婦醇縮丁盤等通常之各種接著劑中適 2選擇。另外’使用之有機溶劑也不特 (二输、、或平板法等利用之方法，而從：二 P ne〇1 了基卡必醇(butykarbitol)、丙，、甲苯 專各種有機溶劑中適宜地選擇。 另外，所謂水溶系塗料，係使 ❹二:= 來〇碲醇、纖維素、水溶性 (咖適當地選擇。 克力树月曰或乳液 β内部電極層用膠係將由上述之^等各 疋於燒成後形成上述導電材材、或 巩化物、有機金屬化合
2030-9537-PFI 14 1361441 第0971105丨0號 100年11月28日修正替換頁 物、樹脂酸鹽（Resinate)等、與上述有機煤介物混練而調 製。另外，外部端子電極用耀也與此内部電極層用膠 地調製。 各膠中之有機展色劑之含有量並不特別限制，通常之 含有量例如可以是接著劑介於卜5重量％左右溶劑介於 10〜50重量％左右。另外，在各夥中，因應需要，也可含 有選自各種分散劑、可塑劑、介電體、絕緣體等的添加物。 在使用印刷法的情況下，於聚乙烯對苯二甲酸酯 (polyethylene-telephthalate，PET)等基板上，以預 定厚度將電屡非直線性電阻陶兗組合物用膠進行複數次 印刷，而形成圖】所示之下側的電麼非直線性電阻元件層 2 ° 曰 接者’在其上’以預定圖案，印刷内部電極用膠，而 形成生胚狀態之下側的内部電極3。接著，與前述一樣， 在此内部電極3之上，以預定厚度將電塵非直線性電阻陶 竟組合物用勝進行複數次印刷，而形成圖Μ示之中 層間電壓非直線性電阻元件層2。 接著，於其上’以預定圖案印刷内部電極用膠，形成 上側之内部電極3。内部電極3係以在相 = 露出的方式印刷。 表面 最後，與前述-樣，在上側之内部電極3上，以預〜 厚度’將電Μ非直線性電阻n组合物用膠進行複數次〇 刷’而形成圖"斤示之上側的電壓非直線性電阻元件層 2。之後’一邊加熱一邊加麗、壓著’並切成預定形狀而 2030-9537-PF1 15 1361441 100年Π月28曰修正替換頁 第097110510號 作成生胚晶片。 在使用平板法的情況下，使用電壓非直線性電阻陶瓷 組合物用膠而形成生胚平板，之後，整積預^牧數的生胚 平板，形成圖1所示之下側的電壓非直線性電阻元件層2。 接著，於其上，以預定圖案印刷内部電極用膠形成生胚 狀態的内部電極3 » 同様地，在圖1所示之上側的電壓非直線性電阻元件 層2之上，形成内部電極3。將内部電極3夾於疊積預定枚 數之生胚平板而形成之中間的電壓非直線性電阻元件層2 之間（如圖1所示），且内部電極3彼此相對並以在相異之 端部表面露出的方式重疊。一邊加熱一邊加壓、壓着，並 切成預定形狀而作成生胚晶片。 接著’對此生胚晶片進行脱膠處理及燒成，而製作燒 結體（3個電壓非直線性電阻元件層2與i對内部電極3 所疊積之構造）。 脱膠處理係可以在通常之條件下進行，例如，在空氣 環境令，將昇溫速度控制在5〜3001 /小時左右、將保持 温度控制在180〜40(TC左右、將温度保持時間控制在〇 5 〜2 4小時左右。 生胚晶片之燒成係可以在通常之條件進行。例如，在 空氣環境中，將昇溫速度控制在50〜500°C /小時左右、將 保持温度控制在左右、將温度保持時間控制 在0.5〜8小時左右、將冷卻速度控制在5〇〜5()()它/巧 時。一旦保持溫度過低的話，則導致無法充分緻密化一 2030-9537-PF1 16 1361441 100年11月28日修正替換頁 . 第 〇97ΰ〇5ΐο 號 旦保持溫度過高的話，則會有因為内部電極之異常燒結而 發生電極斷裂的其況。 在所得之燒結體上實施滾輪（barrel)研磨或喷砂 (sandblast)研磨，進行端面研磨，並將外部電極用膠 印刷或轉寫且燒成，而形成外部電極4。外部端子電極用 膠之燒成條件可以控制成，在空氣環境中、於6〇〇〜9〇〇艺 下、10分鐘〜1小時左右。 [實施例] 以下，以電壓非直線性電阻元件作為實施例，其中， 該電壓非直線性電阻元件係以將前述添加物元素濃度控 制在前述組成範圍内之情況下的Zn〇燒結體作為電壓非直 2性電阻元件層。同様地，把使用其它Zn〇燒結體（其將 月1J述添加物元素濃度控制在前述之組成範圍外）之情況下 的同元件當作比較例，並顯示調查上述之特性的結 在此實施例中，所製造之電壓非直線性電阻元件層的 大小為1 · 6mmx0. 8_X0. 8mm。該製造方法係在前述之平板 法下進行1電壓非直線性f阻元件料的燒結係在昇溫 速度為300口小時、保持溫度& 125〇。卜降溫速度為 3〇〇t/小時的情況下進行。内部電極採帛pd，而 接電極採用Ag。 以下，針對各試料，測定變阻器電壓、 旦 變化率、介電正接。 令里 在此實施例中，所謂變阻器電壓’係定義為電流 的電壓(VlmA)。也就是說’在此電壓非直線性電阻： 2030-9537-PF1 17 1361441 第097110510號 1〇〇年11月28日修IE替換頁 件與半導體元件並列連接的情況下、在施加此電壓以上之 電壓的情況下’電流主要流過此電壓非直線性電阻元件， 半導體元件受到保護。 容量變化率乃是以溫度為25它之情況為基準之85。〇 下的變化率（△(：/〇。容量與介電正接係以Hp社製LCR計 HP4184A而測定。為了使此電壓非直線性電阻元件所用之 機器的設計更容易，則容量與介電正接係以小者較佳。 漏電流係施加電壓為3V之情況下的電流（Id)。也就 是說，此漏電流係指，在半導體元件通常使用之電壓下， 流過此電壓非直線性電阻元件的電流，以小者較佳。 就評價基準而言，以容量變化率（△ c/c )為i 〇%以下、 介電正接（tand)為15%以下 '在3V下之漏電流為1〇 nA 的情況稱為合格。其中任一項在範圍外之情況成為不合格。 在實施例1〜34、比較例1〜12中，未添加Ni(濃度 0.0001%以下），改變Pr、co、Ca、Cu的濃度。在各實施 例中，Pr、Co、Ca、Cu的濃度分別在0 05〜5 〇原子％、 〇.1〜20原子％、〇.〇1〜5.0原子％、00005〜〇〇5原子％ 的範圍内。在比較例1〜1 2中，上述元素中僅i種類的組 成控制在上述範圍外《表1係顯示上述之測定結果。 2030-9537-PF1 18 Ι3614ΐ_ό510 號 100年11月28日修正替換頁 3 Κ 3 〇
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Ca為0_ 〇1〜5. 0原子％、及Cu為〇 〇〇〇5〜〇. 〇5原子％的組 成範圍中，容量變化率顯著地變小至1〇%以下。另外，在 此範圍内’介電正接、漏電流也分別成為15%以下、難 以下（實際上為9nA以下）的低値。此時，任一變阻器電壓 皆相同。在比較例1〜12中，雖然是相同的變阻器電壓， 但是任-容量變化率、彳電正接、漏電流皆變得比實施例 1〜31大。 同様地’在實施例35〜68、比較例13〜24中未添 加Cu (濃度0· 000 1%以下），改變Pr 、c〇、Ca、Ni之濃产。 在各實施例中’ Pi·、Co、Ca、Ni之濃度分別控制在〇〇5 〜5.0原子％、0.1〜20原子〇·〇1〜5.〇原子％、〇〇〇〇5 〜0.05原子％的範圍内。在比較例13〜24中，俚胳丄 r 值將上述元 素中之1種類的組成控制在上述範圍外。表2係顯示上述 測定結果。 2030-9537-PF1 21 1361441第 097110510號 100年11月28日修芷替換頁 4< 4< 〇 〇 c3 4< -- b— b— D： b— 2Σ 〇 〇 〇
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Claims (1)

1361441 第097110510號 100年11月28日修ΪΕ替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種電壓非直線性電阻陶瓷組合物，以氧化鋅為主 成分，包括： 0. 05〜5原子％的ρ Γ ; 0· 1〜20原子％的〇：〇 ; 0. 01〜5原子％的Ca ;以及 0. 0005〜〇. 〇5原子 ％的 Cu。 2 · —種電壓非直線性電阻陶瓷組合物’以氧化鋅為主 成分，包括： 〇. 05〜5原子％的pr ; 0. 1〜20原子％的（：〇 ; 0.01〜5原子％的〇8;以及 0. 0005〜〇. 〇5原子 ％的 Ni。 3. —種電壓非直線性電阻陶瓷組合物’以氧化鋅為主 成分，包括： 〇. 05〜5原子％的？!< ; 0. 1〜.20原子％的(^〇 ; 0. 01〜5原子％的Ca ;以及 Cu及 N i， 其中，Cu與Ni合計共〇. 0005〜〇. 1原孑％ ° 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之電壓非直 線性電阻陶瓷組合物，更包括： 〇· 001〜1原子％的K ; 〇· 001〜〇· 5原子％的A1 ; 2030-9537-PF1 30 1361441 100年1〗月28曰修正替換頁 第 0971)0510 號 〇. 01〜1原子％的Cr ;以及 〇· 001〜0. 5原子％的Si。 5. —種電壓非直線性電阻元件，具有如申請專利範圍 第1至3項令任一項所述之電壓非直線性電阻陶莞組合 物。 6. 如申請專利範圍第5項所述之電壓非直線性電阻元 件，具備由該電壓非直線性電阻陶瓷組合物所構成的燒結 體、以及與該燒結體連接之複數個電極。 7. 如申請專利範圍第5項所述之電壓非直線性電阻元 件，具有内部電極與由該電壓非直線性電阻陶瓷組合物所 構成之電阻元件層交互疊積的積層構造，其中，一對外部 電極係形成於該積層構造之側端部，且夾著該電阻元件層 而相對之該内部電極係分別與一對外部電極之任一個連 接。 2030-9537-PF1 31 1361441 第097110510號 100年11月28日修正替換頁 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1)圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1〜電壓非直線性電阻元件 2〜電壓非直線性電阻元件層 3〜内部電極 4〜外部端子電極 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無 2030-9537-PF1 4
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