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TW200903530A - Voltage non-linear resistance ceramic composition and voltage non-linear resistance element - Google Patents

Voltage non-linear resistance ceramic composition and voltage non-linear resistance element Download PDF

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TW200903530A
TW200903530A TW097110510A TW97110510A TW200903530A TW 200903530 A TW200903530 A TW 200903530A TW 097110510 A TW097110510 A TW 097110510A TW 97110510 A TW97110510 A TW 97110510A TW 200903530 A TW200903530 A TW 200903530A
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TW
Taiwan
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atom
voltage non
voltage
linear
linear resistor
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TW097110510A
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English (en)
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TWI361441B (zh
Inventor
Naoyoshi Yoshida
Hitoshi Tanaka
Dai Matsuoka
Original Assignee
Tdk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Description

200903530 九、發明說明： 【發明所屬之技術區域】 本發明係有關用於保護半導體+土 叉丁守篮7L件或電子電路免受 突波（surge )或雜音干擾而使用之雷 κ川乏電壓非直線性電阻體 磁器組成物、及使用該雪愿非吉的α % 尤用忒电澄非直線性電阻體磁器組成物的 ’ 電壓非直線性電阻體元件。 【先前技術】 近年來，半導體元件或LSI等所構成之電子電路朝高 性能化發展’ 1應用於各種用途、環境。另一方面，上述 半導體元件或電子電路在低電壓下驅動的情況很多，一旦 施加過大電壓的話，.很可能會受到破壞。尤其< ,由落雷 等引起之異常突波電壓或雜音、靜電等發生時，其電壓會 施加於半導體元件等，而產生半導體元件等受到破壞的情 況。尤其是’如此之問題對於在各種環境下使用之可攜式 機器而言特別顯著。 為了對應如此之狀況，有很多設置保護用之元件的情 況’其中’上述保護用之元件係與半導體元件等^列連 接。在-般電壓施加於上述半導體元件等的情況下，=保 護用之元件的電阻變大，而電流主要流至上述半導體元件 等’使得此半導體元件正f作動。另—方面，在施加過大 電壓的情況下’此保護用之元件的電阻係減少。結果，電 抓主要流至此保護元件，可以抑制過大電流流至此半導體 ’可以抑制因過大電流流至此半導體元件所造 2030-9537'-pp 5 200903530 成的破壞 如此之保護用之元件的電流一電壓特性必須具有非 線的特性。也就是說，電阻因應電壓而變化，例如，在 ” ，[乂上’其電阻值具有急遽減少的特性。以具有如 此之特!·生的兀件而言’常見的有稽納二極體( 或❹且器(電壓非直線性電阻體元件）。相較於稽納二極體 而吕’變阻器因為在動作上沒有極性，突波耐性高易於 小型化’因此廣泛受到使用。 以變阻器而言，雖然可以使用由各種材料（電壓非直 線性電阻體磁器組成物）構成的材料，然巾，特別是由以 ΖηΟ (氧化鋅）為主成分之燒結體所構成的材料，因為其價 格或非直線性之大小的緣故，因此適合採用（例如，特許 文獻1、特許文獻2)。變阻器之電流—電壓（對數）特性之 一例係如圖10所示。在比崩潰區域大的電壓下，電阻顯 者地減少’而電流變大。在此實施例中，將電流成為— 的電壓（VI mA)稱為變阻器電壓。在此電壓以上，則流著 大電流。變阻器電壓係比半導體元件正常作動之電壓（例 如3V左右）高，且可以適當地設定在與此電壓之差不大的 電壓。 在所製得之電壓非直線性電阻體磁器組成物中，主成 分採用ZnO’並在其中添加pr (鹼土類元素）、c〇、Ai(nib 屬元素）、K(Ia屬元素）、Cr、Ca、Si等，作為產生導電 性或電流一電壓特性之非直線性等的不純物。藉由控制上 述元素之濃度，改善變阻器的壽命（特許文獻1 )、或降低 2030-9537-PF 6 200903530 變阻器的製造變異（特許文獻2)。 所製得之變阻器例如可以在與半導體元件並列連接 之形態下，組入機器（電路）而使用。在此之際，除了變阻 體之電阻以外，例如’其容量特性也對此電路之特性造成 影響。然而，在機器之温度變大而大幅變動的情況下，此 容量特性會大幅變動。因此，將變阻器組入的電路設 變得困難。 α ° 【專利文献1】日本特許第3493384号 【專利文献2】日本特開2002-246207号 【發明内容】 為了解決上述問題點，本發明之目的係提供能解決上 述問題點的發明。 為了解決上述課題，本發明係提供下述之結構。本發 明第一觀點之電壓非直線性電阻體磁器組成物係以氧化鋅 為主成分，其包括：0.05〜5原子％的卜；〇1〜2〇原子％的 Co’ 0·01〜5原子_Ca;以及〇〇〇〇5〜〇〇5原子％的^。 本發明第二觀點之電壓非直線性電阻體磁器組成物係 以虱化鋅為主成分，其包括：0.05〜5原子％的卩r ; 〇」〜 2〇原子％的（：〇; 〇.01〜5原子wCa;以及〇〇〇〇5〜〇.〇5原子 % 的 N i 〇 —另一實施例提供一電壓非直線性電阻體磁器組成物， 以氧化鋅為主成分，其包括：〇. 〇5〜5原子％的卜；〇.丨〜
原子％的Co ’ 〇. 〇1〜5原子％的Ca ;以及Cu及Ni，其中， 2030-9537-PF 7 200903530 與Ni合計共〇_ 0005〜〇· 1原子％。 另貫施例提供一電壓非直線性電阻體磁器組成物， 更包括：0.001〜1原子％的1 0.001〜0·5原子％的六1; 〇. 〇1 〜1原子％的（^;以及〇.〇01〜〇_5原子％的^。 本發明之電壓非直線性電阻體元件係具有上述之電 壓非直線性電阻體磁器組成物。 另一實施例提供一電壓非直線性電阻體元件，其具備 由該電壓非直線性電阻體磁器組成物所構成的燒結體、以 及與該燒結體連接之複數個電極。 另一實施例提供一電壓非直線性電阻體元件，其具有 内部電極與由該電壓非直線性電阻體磁器組成物所構成 之電阻體元件層交互疊積的積層構造，其中，一對外部電 極係形成於該積層構造之侧端部，且夾著該電阻體元件層 而相對之該内部電極係分別與一對外部電極之任一個連 接。 本發明因為作成上述結構，因此可以得到一個在溫度 變動之際容量特性變動小的電壓非直線性電阻體元件。 【實施方式】 以下’説明本發明之實施形態。 圖1係繪示本發明之實施形態之電壓非直線電阻體元 件之構造的剖面圖。 圖2係綠示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Cu濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 2030-9537-PF 8 200903530 圖3係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Pr濃度依存性（未添加N i的情況）的圖。 圖4係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Co濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 圖5係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Ca濃度依存性（未添加Ni的情況）的圖。 圖6係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Ni濃度依存性（未添加以的情況）的圖。 圖7係緣示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Pr濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 圖8係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Co濃度依存性（未添加Cu的情況）的圖。 圖9係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻體元件 之容量變化率之Ca濃度依存性（未添加以的情況）的圖。 圖10係繪示一實施例之電壓非直線電阻體元件之電 流-電壓特性圖。 如圖1所示’電壓非直線性電阻體元件（變阻體）i係 由分成3層而形成之電壓非直線性電阻體元件層2、夾在 其間而形成之内部電極3、與内部電極3連接之外部端子 電極4所構成。雖然不限定大小，但是，以電壓非直線性 電阻體7L件1全體的大小而言，長（〇4〜56111111))<寬（〇.2 〜5.0 mm)χ厚（〇·2〜1. 9mm)左右。此大小係大約與疊積 之電壓非直線性電阻體元件層2全體的大小相等。 電壓非直線性電阻體元件層2係由電壓非直線性電阻 2030-9537-PF 9 200903530 體磁器組成物所構成，其係以Zn〇為 細内容如後所述。 主成刀的燒結體。詳 内部電極3之材質與電壓非直線 开且艰性電阻體兀件 界面特性良好，可以使用與其電性 、 冤性接觸良好的金屬（導電 因此’亦可使用貴金屬’例如HAg、或Ag_pd 口金。在適用Ag—Pd合金的情況下，“含有量以 %以上者較佳。内部電極3之屋洚 之厚度雖然可以適當地決定， 但是，以0. 5〜5以m左右者較佳。 另外’内部電極3間之 距離為5〜50/z m左右。 门（ 雖然外部端子電極4之;{5}·暂；了 & 心材質也不特別限定，但是，盥 内部電極3同樣地，使用Pd $ Α ” u戎iig、Ag — Pd合金。雖然兑 厚度也可以適宜地決定，但B 八 疋 以10〜50#m者較佳。 在此電壓非直線性雷卩且@ + 1 电阻體70件1中，1對内部電極3 間之電阻係藉由該施加電壓而 电歷而變動。也就是說，其間之電 流-電壓特性係呈現非線性變動。尤其是，一旦電壓變高 的話，電流會呈現非線性地増大。因此m對外部端子 電極4與外部半導體元件等並列地連接的話，則在半導體
元件施加過大電壓的悟、-57 T 电㈣^况下’彳以使電流主要通過此電壓 非直線性電阻體元件卜而得以保護半導體元件。 以電壓非直線性電阻體元件之基本的構造而言，可以 有電壓非直線性電阻體元杜思 „ t ^ 件層、以及與其連接之複數個電 "在此實鉍例中’電壓非直線性電阻體元件層係可以是 由電壓非直線性電阻體磁器組成物所構成的燒結體。在圖 之'。構中#由形成由燒結體與内部電極交互疊積而成
2030-9537-PF 200903530 的積層構造，形成複數個電極。此内部電極3係分別與 形成於此積層體之端部的外部端子電極4連接。 、 關於以上之結構，因為特開2〇〇2_2462〇7號已有記 載’因此省略其詳細説明。 在本發明之電壓非直線性電阻體元件中，尤其是，藉 由控制電壓非直線性電阻體磁器組成物内所添加之不純 物，改善其特性。而且，電麼非直線性電阻體元件之構造 不限於圖1所不之形態，若是使用相同之電麼非直線性電 阻體元件層的話，可以得到相同效果。 在此實施例中，對於電壓非直線性電阻體磁器組成物 來說’除了保持良好的電流-電壓特性，更要求在温度變 動之際的容量特性變動要小。 了萬足上述要求，以此電壓非直線性電阻體元件層 可乂使用以ZnO為主成分的燒結體（陶瓷體）。在 此燒結體中’添加有Pr、c〇、Ca及、c“iNi。也可以同 時添加CU與Nl。而且，也可以添加K、A卜Ci*、及Si。 實包例中，因為ρΓ之離子半徑大於Zn，故難以 進入U中之ZnQ結晶内’而蓄積於結晶粒界。藉此， 阻礙電子在I。晶粒界之移動’成為電流電壓特性呈現非直 線I·生的原目。也就是說，藉由Pr之添加，可以得到非直 線味藉由其適量添加而適度設定變阻器（varistor)電 壓。Co、Ca、Cr 4 pi 4¾ , , . 也同樣地提升其非直線性，藉由其適量添 加，得以控制變阻器（varist〇r)電壓。 另卜A1 (IIIb屬元素）在ZnO中係具有施體（donor)
2030-9537-PF 11 200903530 的功此’產生導電性。因此，藉由此添加可以在圖⑶中之 歐姆區域流過大電流。但是’ 一旦此添加量多的話，則漏 電流變大。…在Zn0中之導電性係藉由格子間zn而產 生。 另一方面，Cu或Ni係固溶於Zn0中，使漏電流降低。 發明者們除了藉由控制以上之不純物濃度，而保持良 好的電流一電壓特性之外，還發現可以使温度變動之際的 容量特性變動變小的範圍。 為了達成上述範圍’例如，Pr為〇. 05〜5· 〇原子％、 Co為0. 1〜20原子％、Ca為〇. 〇1〜5. 0原子％、及Cu或 Ni為0.0005〜〇·〇5原子％。在此實施例中，在添加Cu的 情況下則未添加Ni ;在添加ni的情況下則未添加Cu。在 此實施例中’所謂的未添加係指濃度未满〇. 〇〇〇1原子％以 下。 另外’在Cu與N i同時添加之情況下，將pr、c〇、Ca 之組成控制在上述的範圍内，且將Cu與N i之合計控制成 0· 0005〜0. 1 原子 ％。 在上述之範圍的情況下，可以使以2 5 °C之情況為基準 的85°C下的容量變化率控制在ι〇%以下。另外，在此組成 範圍内，可以將85X：之介電正接（tand)控制在15%以下， 或者’控制在11 %以下。因此，在此組成範圍内，伴隨溫 度變化之容量變化率、及介電損失係顯著地變小。因此， 伴隨該電壓非直線性電阻體元件之温度變化的容量特性 之變動係變小，而使得應用該電壓非直線性電阻體元件的 2030-9537-PF 12 200903530 裝置設計變得容易。 另外，在下列添加情況下，也可以得到同樣的效果， 其中，〖為0.001〜1.0原子％、八1為〇〇〇1〜〇5原子％、 Cr為〇_ 01〜1. 〇原子％、Si為〇. 〇〇1〜〇. 5原子％。 而且，以上述以外之元素而言，例如，也可以添加M〇 或Zr。在此種情況下，例如’ M〇為〇 5原子％以下、化 為0. 1原子％以下的話，也可以得到同樣效果。 因此，使用燒結體作為電壓非直線性電阻體磁器組成 物的情況下，使用此電壓非直線性電阻體元件之裝置的設 汁變知今易，其中，該燒結體乃是在將相對於之添加 物控制於上述組成範圍的情況下而添加。而且，作為主成 分之ZnO在燒結體中之含量（單獨Zn的原子％)係在85%以 上、或94%以上。 接著，説明此電壓非直線性電阻體元件丨之製造方法 的一實施例。 因為此電壓非直線性電阻體元件所用之電壓非直絲 性電阻體磁器組成物為燒結體，所以’實際上可將疊積之 ”固電壓非直線性電阻體元件層2與！對内部電極3進行 一體燒結而形成。因此，例如，藉由使用膠（卯办）之 印刷法或平板（sheet)法而製作生胚薄板，並進行燒成， 可以得到疊積之電Μ非直線性電阻體元件|2、内部電極 3。此後，可以藉由印刷或轉寫外部端子電極4進行燒成 而製造。以下，具體地說明此製造方法。 首先’分別準備電壓非直線性電阻體磁器組成物用 2030-9537-pf 13 200903530 膠、内部電極用膠、外部端子電極用膠。 電壓非直線性電阻體磁器組成物用膠係 ^从疋將電 壓非直線性電阻體磁器組成物用原料與有機煤介物 (organic vehi le)混練而得之有機系塗料或水系塗料 對於電壓非直線性電阻體磁器組成物用原料而1， 應上述電壓非直線性電阻體磁器組成物的組成，配:使= 構>成主成分（ZnO)的原料、與構成各添加物成分㈣料。 也就是說，以原料而言，係混合了作為主成分之粉末、 由作為添加物之 Pr6〇u、c〇3〇4、CaC〇3、⑽、^ 2〇3、=&、
Al2〇3、Cr2G3、Si〇2#添加物元素所組成的氧化物、碳酸鹽、 草酸鹽、氫氧化物、石肖酸鹽等粉末。此時之Zn〇粉末的粒 徑為〇·ι〜—左右’而添加物成分粉末的粒徑為〇 ι〜3 仁m左右。 有機煤介物指的是將接㈣溶解於有機溶劑中的混 合物。使用於有機煤介物中的 叶；「嗯甲的接者劑並不特別限定，亦可 伙乙稀纖維素、聚乙稀醇缩丁繼:莖、s + 邓聆縮丁醃等通常之各種接著劑中適
且地選擇。另外，使用之右地、々丸丨L 便用之有機溶劑也不特别限定，係可以 因應印刷法、或平板法等利用之方法，而從松脂醇 pineol) 了基卡必醇（butyicarbi⑻）、丙嗣、甲苯 等各種有機溶劑中適宜地選擇。 、另卜所明水洛系塗料，係使水溶性接著劑或分散劑 溶解於水的水系游雜 . ^體。水各系塗料並不特 例如也 可從聚乙烯醇、鑪缺本 r , 纖維素、水溶性壓克力樹脂戒乳液 (emulsion)適當地選擇。
2030-9537-PF 200903530 内部電極層用膠係將由上述之pd等各種導電材、或 是於燒成後形成上述導電材的各種氧化物、有機金屬化人 物、樹脂酸鹽（Resinate)等、與上述有機煤介物混練而調 製。另外’外部端子電極用膠也與此内部電極層用膠同様 地調製。 各膠中之有機展色劑之含有量並不特別限制，通常之 含有量例如可以是接著劑介於卜5重量％左右、溶劑介於 10〜50重量％左右。另外，在各膠中，因應需要，也可含 有選自各種分散劑、可塑劑、介電體、絕緣體等的添加物。 在使用印刷法的情況下’於聚乙烯對苯二甲酸醋 (polyethylene-telephthalate, PET)等基板上，以預 定厚度將電壓非直線性電阻體磁器組成物用膠進行複數 次印刷’而形成圖1所示之下側的電壓非直線性電阻體元 件層2。 接著’在其上’以預定圖案’印刷内部電極用膠，而 形成生胚狀態之下側的内部電極3。接著，與前述一樣， 在此内部電極3之上，以預定厚度將電壓非直線性電阻體 磁器組成物用膠進行複數次印刷，而形成圖1所示之中間 的層間電壓非直線性電阻體層2。 接著’於其上，以預定圖案印刷内部電極用膠，形成 上側之内部電極3。内部電極3係以在相對之相異端部表面 路出的方式印刷。 最後’與前述一樣，在上側之内部電極3上，以預定 厚度’將電壓非直線性電阻體磁器組成物用膠進行複數次 2030-9537-pp 15 200903530 印刷’而形成圖1所示之上侧的電壓非直線性電阻體元件 層2。之後，一邊加熱一邊加壓、壓著，並切成預定形狀 而作成生胚晶片。 在使用平板法的情況下，使用電壓非直線性電阻體磁 器組成物用膠而形成生胚平板，之後，疊積預定枚數的生 胚平板，形成圖1所示之下側的電壓非直線性電阻體元件 層2接著於其上，以預定圖案印刷内部電極用膠，形 成生胚狀態的内部電極3。 同様地，在圖1所示之上侧的電壓非直線性電阻體元 件層2之上，形成内部電極3。將内部電極3夹於疊積預定 枚數之生胚平板而形成之中間的電壓非直線性電阻體元 件層2之間（如圖丨所示），且内部電極3彼此相對並以在 相異之端部表面露出的方式重疊。一邊加熱一邊加壓、壓 着’並切成預定形狀而作成生胚晶片。 接著，對此生胚晶片進行脱膠處理及燒成，而製作燒 結體(3個電壓非直線性電阻體元件層2與ι對内部電極3 所疊積之構造）。 脱膠處理係可以在通常之條件下進行，例如’在空氣 環境中，將昇溫速度控制在5〜3〇(rc /小 温度控制在―。。左右、將温度保持時間： 〜24小時左右。 /胚晶片之燒成係可以在通常之條件進行。例如，在 空氣環境中，將昇溫速度控制在5〇〜5/，士 3UU C /小時左右、將 保持温度控制在iOOO—HOOt左右、將、、日 將，皿度保持時間控制 2030-9537-PF 16 200903530 牡U.!d〜8小時左右、將冷卻速度控制在5〇〜5〇(rc/小 時。一旦保持溫度過低的話，則導致無法充分緻密化；一 旦保持溫度過高的話，則會有因為内部電極之異常燒結而 發生電極斷裂的其況。 在所得之燒結體上實施滾輪（barre 1 )研磨或喷砂 (sandblast)研磨，進行端面研磨，並將外部電極用膠 =刷或轉寫且燒成，而形成外部電極4。外部端子電極用 膠之燒成條件可以控制成，在空氣環境中、於600〜90(TC 下、ίο分鐘〜1小時左右。 [實施例] 以下，以電壓非直線性電阻體元件作為實施例，其 中該電壓非直線性電阻體元件係以將前述添加物元素濃 度控制在則述組成範圍内之情況下的ZnQ燒結體作為電壓 非直線性電阻體元件層。同様地，把使用其它驗燒結體 -將前述添加物％素濃度控制在前述之組成範圍外）之 情況下的同元件當作比較例，並顯示調查上述之特性的結 實&例t所製造之電壓非直線性 的大小為1 6mn^n s λ Τ ^ ._x0· 8mm。該製造方法係在前述之平 板法下進行，而雷壓非士 1 曰、θ% 非直線性電阻體元件層等的燒結係在 幵溫速度為300。<：八〗、拄7 % qnn〇r ,, .、保持溫度為1 250°C、降溫速度 馬dUU C /小時的情汧 連接電極採用Ag。仃。内部電極採用Pd’而外部 下針對各式料’測定變阻器電壓、漏電流、容量 2030-9537-pp 17 200903530 變化率、介電正接。 在此實施例中，所謂變阻器電壓，係定義為電流成為 1mA的電壓（vimA)。也就是說’在此電壓非直線性電阻體 元件與半導體元件並列連接的情況下、在施加此電壓以上 之電壓的m ’電流主要流過此電a非直線性電阻體元 件’半導體元件受到保護。 容量變化率乃是以溫度為25。〇之情況為基準之85〇c 下的變化率（AC/C)。容量與介電正接係以Hp社製L(：R計 HP4184A而測定。為了使此電壓非直線性電阻體元件所用 之機器的設計更容易，則容量與介電正接係以小者較佳。 漏電流係施加電壓為3V之情況下的電流（Id)。也就 疋說，此漏電流係指，在半導體元件通常使用之電壓下， 流過此電壓非直線性電阻體元件的電流，以小者較佳。 就評價基準而言，以容量變化率為1〇%以下、 介電正接（tand)為15%以下、在3V下之漏電流為ι〇 nA 的情況稱為合格。其中任一項在範圍外之情況成為不合格。 在實施例1〜34、比較例1〜12中，未添加Ni(濃度 0.000 1%以下），改變1^、（：〇、^(：11的濃度。在各實施 例中，Pr、Co、Ca、Cu的濃度分別在〇. 〇5〜5· 〇原子％、 0.1〜20 原子 ％、0.01 〜5.0 原子 ％、〇_〇〇〇5〜〇 〇5 原子 0/〇 的範圍内。在比較例1〜12中，上述元素中僅丨種類的組 成控制在上述範圍外。表1係顯示上述之測定結果。 2030-9537-PF 18 200903530 2030—9537lpf 埤 择 CO 私 煞 CO CO 赛 CO ro 第 OS 萚 第 ISO CO 揆 to oo 蔡 DC ISO 05 择 CsD CJI 萚 CO 蔡 to CO rr 眾 桊 to to 4 莽 麥 g 茶 CO tr 朵 CO 4 OO σ> n oo 择 4 茶 s 第 CO -3 ** P^·* o 第 CO 0«· oo -J 05 4 赘 C71 rr <x> <T« CJI rr rr § CO 所 CO to =4 笋 1-1 F j» CO 試料號碼 1 00 ς〇 cn ο oc CO CO CO CJ1 CO to CO o CO CO CO oo CO CJI oo CJI CD CO g oc CO 00 o OO CO CD CO g g CO CO g ς〇 CO CO g CO 私 CO g CO JND OO CO g <〇 •to CO g CD CsD CO OO g CO to CO <〇 oo CO a oo CO CO cn <〇 a ς〇 CD on oo OC g OO CO s g CO g CO 03 S CO 老 CO g -J g CO CJI cc 05 g o cc 05 CO C£> tn bo g 1 77.7980 oo CO g CO CO g CD 05 g cc CO CO oo σ> o g cc g CC g CO to g 92.7000 1 92.7500 I CD to c f§ g <£> to -J ςρ to CO CSD CD CD CO Γ° 00 g ο atm% 1 ga tn g § U1 o g cn o g o CJ1 g o CJI g g cn g g ΟΊ g 〇 cn o § cn § o CJI o o cn o o o cn o a cn o o ΟΊ o o cn o g o CJI o o cn o o o VI o O CJI o a o cn g g 1 5,0000 ςτι g g an g g CJI ο ο cn o g o g § g o g o o o o 二 g IND VI g g g : g o ϋΐ o g o CJI o g t=» o o 1 0.5000 1 o g o g a 0.0100 i 5.0000 1 cn o g o cn g g CJI g c 5.0000 1 5.0000 1 cn c c ςπ ·<= ο ο ε〇 & ο rs.·) g o g o o o g g § o g o h〇 g o h〇 o g c tNO Q o o o Q g g o 〇 ro o o o ro g o g o g o o s o o s o o o o g § g g g g o g ο § o o rs〇 o o o ro o o o ro o o o ΙΌ o g o ro g g ro o o o ro o g ro g o to o o o CSD a § DO o o o to o a c co o § o CO c c CO g g CO ◦ o o to o c o to c c ISO o c o to g g to g g 09 r+ CJl § o CJ1 § o o o o o o -J g cn g g CO o g 1 2.0000 g g o s g o 謹 O o s o o o o 0 g 1 o g g o s a o g g o g g o g s CD s CD O s o o g g o § a ο g g 〇 s o o g g o g g o g g o s g o g g o g o o g g o g o o g o o g § 1 0.2000 Π 1 0.2000 1 1 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 1 1 0.2000 I 0.2000 | 0.2000 I 0.2000 1 0,2000 1 ο g c atm% 1 ! 0.0500 ] 1 0.0005 1 0.0500 1 0.0005 1 0.0020 1 0.0020 1 1 0.0020 1 1 0.0020 Ί g g o o g o g o g g 1 0.0020 1 0.0020 o o s o 〇> 0 1 o § o 1 0.0005 1 0.0020 〇 g g 1 0.0020 1 0.0020 1 1 0.0020 ! 1 0.0020 1 o g g 1 0.0500 1 1 0.0005 1 1 0.0500 j 1 0.0005 1 o o s o 1 0.0020 1 0.0020 1 0.0020 1 0.0020 I 1 0.0020 1 1 0.0020 1 ,0.0020 Ί ! 0.0020 1 0.5000 1 1 0.1000 i i 0.0500 Ί i 0.0100 1 1 0.0050 1 1 0.0005 1 0.0001 1 0.0000 1 atm% I ? po 00 00 CO 00 oo 00 00 CO 00 to 00 CO 00 to 00 私 00 1-^ 00 CO 00 CO 00 00 ZD 00 CO 00 00 CO oo 00 N«> 00 cc 00 oo oo 00 CO 00 H-» 00 CN〇 00 -0 CD 00 CO 00 0〇 CO 00 tv〇 00 to 00 o 00 1-» -J CO oo CO oo CO /-N 5 艮 CO 03 OJ hu. cn CO oo i 78.2 | ts3 CO END OO N>a to o H-< -a 00 00 o CO oo OJ cc to to oo Γ 32.2 1 1 29.9 1 Cn〇 -J oo GO 产 05 25 CJI 产 CJI CO 产 cc 1 48.9 1 cn CO CO CO CO to •CO CO oo o Γ 67.0 1 cn 03 Γ 67.1 1 Γ 78.2 ΙΝ0 CO -J oo JN3 CO oo CD ω oo Γ4 o /-N 邑 s CO JO po ->g oo oo σ> μ·· CO oo 二 OO o 叫 a, •-J CD po 00 CJI 00 oo 二 CD CO Γ 17,1 ' ai CO CO CO CO •OO tn po CO 00 CO oo po -J CO •oo CO CO oo po o 00 •oo CsD 00 二 po CO po CO CO s 00 K) 00 Γ 17.3 00 L oo tN〇 oo o oo m p ►-» tn 03 s Q o oo cn o° 's-/ o CO CD CO Ol CO σ> 1^ 25J_I IS5 ·ς〇 OO CD 03 0〇 05 -a OO CO po 1 21.1 ►-* CO oo ς〇 CJI to ·〇, g Ϊ_10.2 」 •CD CJI CO cn Ξ Ξ oo o CO zo CO o •CO 1-· to CO -0 CO CO •CO to CO 03 •CD CO •Ξ to to ― 1 38.7 CO 00 5 CO CO CO oo z 1 21.1 /-*N 3 〇7 (S> oo CJI o° 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 X 0 〇 〇 〇 X X 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X X X X 〇 〇 〇 〇 X X 1 評價 Ca大 1 1 Ca 小 | 丨Pr大 1 l PrA 1 o o o p > o 1 無Cu 海 200903530 參考表1之結果，尤其是，請注意Cu濃度，關於比較 例5〜12 (其它元素在上述範圍外）以外之試料，研究容 罝變化率與Cu濃度之關係、的結果如gj 2所示。彳以確認， 在Cu濃度為〇_〇005〜〇.〇5原子％之範圍中，容量變化率成 為m以下之低值。同時，在此範圍内，介電正接、漏電 流也分別保持在15%以下、10nA以下（實際上為9nA以下）。 同様地，參考表1之結果，尤其是，請注意Pr濃度， 關於比較例1〜7、11、12 (其它元素在上述範圍外）以外 之忒料，研九谷I變化率與ρΓ濃度之關係的結果如圖3所 示。可以確認，在Pr濃度為〇 〇5〜5 〇原子％之範圍中， 谷罝變化率成4 10%以下之低值。同時，在此範圍内，介 電正接、漏電流也分別保持在15%以下、10nA以下（實際上 為9nA以下）。 同様地，參考表1之、结果，尤其是，請注意Co濃度， 關於比車又例1〜4、8〜12 (其它元素在上述範圍外）以外 ，試料，研究容量變化率與Co濃度之關係的結果如圖4所 厂、。可以確㈣，在Co濃度為〇. 1〜20原子％之範圍中，容 量變化率成為1。%以下之低值。㈣，在此範圍内，介電 接漏電机也分別保持在15 %以下、1 〇 η A以下（實際上為 9nA以下）。 、 同様地’參考表1之結果，尤其是，請注意Ca濃度， 關於比較例1〜10 (其它元素在上述範圍外）以外之試料， 研究容量變化率與Ca濃度之關係的結果如圊5所示。可以 確《忍，在Ca濃度為〇 〇5〜5 〇原子％之範圍中，容量變化
2030-9537-PF 20 200903530 率成為m以下之低值。同時’在此範圍内，介電正接、 漏電流也分別保持在15%以下、腕以下（實際上為9 下）。 根據以上内容可以確認，在未添加Ni而添加a的情 況下’在ρΓ為〇·05〜5 0原子％、c〇為〇 ι〜2〇原子 Ca為0.01〜5.0原子％、及以為〇 〇〇〇5〜〇 〇5原子％的組 成範圍中，容量變化率顯著地變小至1〇%以下。另外，在 此範圍内，介電正接、漏電流也分別成為15%以下' ι〇ηΑ 以下（實際上為9nA以下）的低値。此時，任一變阻器電壓 皆相同。在比較例1〜12中，雖然是相同的變阻器電壓， 但是任一容量變化率、介電正接、漏電流皆變得比實施例 1〜31大0 同様地’在實施例3 5〜6 8、比較例13〜2 4中，未添 加Cu (濃度0. 00〇 1 %以下），改變pr 、Co、Ca、Ni之濃度。 在各實施例中，Pr、Co、Ca、Ni之濃度分別控制在〇. 〇5 〜5.0原子％、0.1〜20原子％、0·01〜5.0原子％、〇 0005 〜0. 05原子％的範圍内。在比較例13〜24中，僅將上述元 素中之1種類的組成控制在上述範圍外。表2係顯示上述 測定結果。 2030-9537-PF 21 200903530 2°3°丨9537 — ？3? Η 棼 0¾ 00 a\ σ> σ> 笋 σ> cn fr 谗 to 私 棼 CD 各 第 σ> CO 第 03 to 4 濟 2 第 CT tn CO 茶 CJl oo C7 n to CO 第 cn σ> 第 ςη ςη 4 荼 QJ1 棊 a 效 CO to 效 IS： 寮 s CJ· g eo cr 效 ts〇 CD 濟 oo 4 齊 -< Oi CJl 薄 莽 έ: 第 CO to ** CO <〇 F » rr rr s s » 5ΐ 莽 CO -J 莽 CO σ> 伊 CO C71 Cr tr s 1 試料號碼 1 OC cc g G OC cc ς〇 CO CJl CO •CO CO c C£> to CO OO CD tn 00 tn CO CO g OC CC CD CO o oo CO CO oo o G CC CO CO CO ς〇 00 o CO CO kU. eo 丨 92.8980 CO r° CO g CO •tO CO oo oo CO JS3 CO CO oo CD g 00 CO CO cn CO c 1 94.7495 00 OC g £ g CO CO CO 若 CO <1 t? c -i CO CJl cc CT g o cc o; CO <〇 cn f： Λ g 〇d to 若 β β g CC CO <0 g cc σ: CO a cc 二 c cc « eo CO o O o cO Ο Ο c〇 cc c cO CO g 92.7995 1 5§ CO r° oo o c atin% S3 ϋΊ 〇 C CJl = c o •tn c c 1 5.0000 an g g •Ol c c cji g g .°1 o c c CJl G c •tn o c c CJl o g CJl g G 1 5.0000 CJl <〇 o o tn g c CJl 。 c o ϋΐ c g <yi c c jyi c G cn O § c 1 5.0000 y\ § s CJl o c o CJl c c U1 g c o G g g c o 二 o c o g g o g c： g o ςί ο § CJl g o 1-· O o o p g o ― c o s o •o o tn g o •ϋΊ g C QJl ο § Ο CJl g § ϋΊ c c 5.0000 1 CJl O c o ϋΐ c c atm% 1 o ts〇 o o ro o g G tso g g 1 2.0000 1 ΓΌ o g i 2.0000 1 ΓΟ G c 1 2.0000 1 1 2.0000 1 1 2.0000 ] 1 2.0000 1 1 2.0000 i 1 2.0000 ! 1 2.0000 i 1 5.0000 1 5.0000 1 0.0500 1 0.0500 1 10.0000 1 7.0000 1 5.0000 Γ 3.0000 i 1 1.0000 ! 1 0. 0500 1 0.0100 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 I 2.0000 I 2.0000 1 1 2.0000 1 END C G 1 2.0000 1 1 2· 0000 | 1 2.0000 1 2.0000 1 ! 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 1 2.0000 | 2.0000 1 2.0000 | atm% 1 1 5.0000 1 1 5.0000 1 1 0.0100 1 1 0.0100 1 o o 1 5.0000 1 CO a a 1 2.0000 1 1 1.0000 1 1 0.5000 1 1 0.1000 1 1 0.0500 1 1 0.0100 1 o o s 1 0.2000 i | 0.2000 1 0.2000 ! 1 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 i 1 0.2000 i O g o 1 0.2000 1 1 0.2000 1 1 0.2000 1 1 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 i 1 0.2000 O g o 1 0.2000 1 1 0.2000 1 g o 1 0.2000 1 1 0.2000 1 1 0.2000 | 1 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 | 0.2000 1 i 0.2000 1 0.2000 1 0.2000 | 0.2000 | 0.2000 I atm% 1 O o g o O 0 1 o 5 o 0 1 o o g O o s O o CD s cr> 1 0.0020 1 o <=> s o O g g 1 0.0020 1 1 0.0020 1 O g g o o s o O o g o 1 0.0005 O o s o 1 0.0005 o o g o O o g O g g o g g O o s o O g g 1 0.0020 O o g o O o s O s g O 0 1 C3 〇 S o 1 0.0020 O o S O o o g o 1 0.0020 1 0.0020 1 O g g o a g ! 0.0020 1 0.5000 1 0.1000 1 1 0.0500 I O o o O c s O 0 1 0.0001 1 0.0000 I & 2： 00 oo 00 CO 00 CO -a 00 00 N~> CO 00 tO CO 00 00 tc 00 私 00 »->· 00 OS 00 ca 00 00 CD 00 Cn3 00 00 c^o 00 00 00 tO 00 CO 00 00 IND 00 CO 00 N-* oo oo 00 CO 00 CO 00 CO 00 tmi4 00 o 00 o -J CD 00 K-· 00 CO /"V s 1 VlmA CO 私 CO a> CJl 03 tsD A tn CO -J to o o o 09 私 00 oo o CO cjn CO oo 00 二 CJl 00 •① |ND Ca3 CO CO 私 00 1 78.9 o CO 二 CO oo 产 CD CJl oo Cs3 CO σ> CO 03 CO tN3 产 CJl oo oo 3 CD UJ CD 1 78.3 产 tn oo eo po cc CO 私 1 58· 4 oo (=» ^-1 a- 驾 CD oo •00 -J CD 二 p CD CJl oo 二 •CO cn -4 CO oo oo ? Oi co -一 5° o p zo CD to 1-» 1-- CO OO CO OO 一 00 00 oo 1 16.3 CO o CO ― p o 00 CD s oo eo L- oo CO 00 ·ω OO tSD -J CO 00 CO s CO N-* oo 1 16.8 I 16.5 po CO po po CO 00 CO o-t cn oo s L o o 00 CJl ne Sw/ o CO CO CO CJi •CD CO OO CO 00 CO •GO oo 0¾ 0¾ 05 •03 00 •03 CO oo tn 1»· K> CO CD CO 00 ς〇 <D CO oo to CO λ to iso 09 CO OO 一 CO 1 24.7 CO 00 CD p to* CD <〇 CO CO 1-» o —· »u. <£> -J CO CO CD 00 INO CO 二 to •00 bO 00 CO I 24.6 CO CD o eo CO CO g CO I 22. 1 s r-f* 汉 P 〇7 00 CJl oe 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 X X 〇 〇 〇 o X 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X X X X 〇 〇 〇 〇 X X 評價 Ca大 」 1 Ca 小 | 1 Pr 大 I 1 Pr 大 I Co大 o r) 2： 1 無 Ni 1 漆 200903530 例二H 2之結果，尤其是，請注意Ni濃度，關於比較 曰上 其它70素在上述範圍外）以外之試料，研究容 直變化率與Ni濃度之關係 幻，果如圖6所不。可以確認， 在Νι浪度為〇 〇〇〇5〜〇 原子％之範圍中，容量變化率顯 者地變小至 1 以下。 另外，在此範圍内，介電正接、漏 電流也分別成為15%以下 iOnA以下（實際上為9nA以下） 的低値。 同様地參考表2之結果，尤其是，請注意^濃度， 關於，較例13〜19、23、24 (其它元素在上述範圍外）以 外之試料’研究容量變化率與⑴農度之關係的結果如圖7 所示。可以確認，在Pr濃度為Q G5〜5 g原子％之範圍中， 容量變化率顯著地變小至1〇%以下。3外，在此範圍内， 介電正接、漏電流也分別成為15%以下、跑以下(實際上 為9 η A以下）的低値。 同様地，參考表2之^ θ | ^ 可衣炙、、、°果，尤其是，請注意Co濃度， 關於:匕較例13〜16,20〜24(其它元素在上述範圍外）以 外之4料，研九谷量變化率與c〇濃度之關係的結果如圖8 所示。可以確認，在C〇濃度為〇1〜2〇原子％的範圍中，容 量變化率顯著地變小至10%以下。另外，在此範圍内，介 電正接、漏電流也分別成為15%以下、10nA以下（實際上為 9nA以下）的低値。 同様地，參考表2之結果，尤其是，請注意。濃度， 關於比較例1 3〜22 (其它元素在上述範圍外）以外之試 料，研究容量變化率與Ca濃度之關係的結果如圖9所示。
2030-9537-PF 200903530 可以確遏，在Ca濃度為0· 〇5〜5· 〇原子％之範圍中，容量變 化率,4著地變小至1 〇 %以下。另夕卜，在此範圍内，介電正 接、漏電流也分別成為15%以下、1〇ηΑ以下（實際上為9ηΑ 以下）的低値。 根據以上内容可以確認’在未添加Cu而添加Ni的情況 下，在Pr為0. 05〜5. 〇原子％、c〇為〇.丨〜2〇原子％、“為〇· 〇1 〜5.0原子％、及Νι為〇.〇〇〇5〜〇〇5原子％的組成範圍中， 谷直變化率顯著地變小至i 〇%以下。另外，在此範圍内， 介電正接、漏電流也分別成為15%以下、1〇nA以下（實際上 為9nA以下）的低値。此時，任一變阻器電壓皆相同。在比 較例1 3〜24中，雖然是相同的變阻器電壓，但是任一容量 變化率、介電正接、漏電流皆變得比實施例35〜68大。 接著，實施例69〜72、比較例25〜28乃是一起添加Cu 與N1且改變pr、Co、Ca、Cu、N i之濃度之情況的測定結果。 在各實施例中’ Cu與Ni之總量的組成範圍係控制在〇. 〇〇〇5 〜〇 · 1原子％的範圍内，在比較例2 5〜2 8中，則控制在該範 圍外。 2030-9537-PF 24 200903530 2030-9537—PF 25\f ' ,/% 丨比較28 1 rr 1比較26 1 蛑 择 丨實施70 1 畸 σ» CO 1比較25 1 1試料號碼1 1 84.4250 1 1 92.6750 1 1 92.6000 1 1 92.7000 1 1 92.7950 I 1 92.7995 1 1 92.7995 1 1 92.7999 1 1 atm% S3 1 5.0000 Ί 1 5.0000 1 1 5.0000 1 1 5.0000 | i 5.0000 1 1 5.0000 I 1 5.0000 1 1 5.0000 Ί 1 atm% O 1 2.0000 1 1 2.0000 | 1 2.0000 I 1 2.0000 | 1 2.0000 | 1 2.0000 I 1 2.0000 1 1 2.0000 I 1 atm% [0.2000 1 I 0.2000 I 1 0.2000 1 I 0.2000 I L 0.2000 1 1 0.2000 1 1 0.2000 1 1 0.2000 1 1 atm% 1 8.3750 1 I 0.1250 I 0.2000 I I 0.1000 | I 0.0050 I I 0.0005 I 1 0.0005 1 I 0.0002 I I atm% 1 Cu+Ni 1 8.3000 1 | 0.0750 I 0.1000 I I 0.0500 I I 0.0025 I L 〇. 0003 I I 0.0002 1 I 0.0001 I 1 atm% p 1 0.0750 1 I 0.0500 I 0.1000 I 1 0.0500 I I 0.0025 I I 0.0002 I 1 0.0003 1 I 0.0001 I I atm% I oo CsD oo 00 tso oo o oo CO oo CsD oo 知 00 H-» I VlmA CJ1 to CO 58.6 I •CO 00 oo en •CO oo 1 (nA) I 1 Id(3V) I 1 15.3 I CO o 00 CD OO oo 00 -4 I 15.8 I s s o n s CJ1 1 21.5 I 1 21.6 I INO CO CO CO •CD CD o o CO CO to 3 tan δ 085〇C X X X o 〇 〇 o X 評價 200903530 根據此結果可以確認，在Cu與Ni之總量為0. 0005〜 0. 1原子％的組成範圍中，容量變化率顯著地成為1 〇%以 下。另外，在此範圍内，介電正接、漏電流也分別成為j 5% 以下、1 OnA以下（實際上為9nA以下）的低値。此時’任一 變阻器電壓皆相同。在比較例2 5〜2 8中，雖然是相同的變 阻器電壓，但是，纟量變化率、介電正接、漏電流皆變得 比實施例6 9〜7 2大。 在實施例73〜90中’將Pr、c〇、Ca、Cu、及以之濃度 控制在上述範圍内，並添加K、A1 ' Cr、及Si。κ、Cr 及31係分別在0.0〇1〜1〇原子％、〇.〇〇1〜〇.5原子％、〇_〇1 〜1.0原子％、0.001〜0.5原子％的組成範圍内添加。 2030-9537-PF 26 200903530 2030-9537-PF 卜一 /, \ /% 1實施90 1 1實施89 | 1實施88 I 1實施87 | 1實施86 | I實施85 | 1實施84 | 1實施83 1 1實施82 I 1實施81 1 1實施80 I 1實施79 1 1實施78 | 1實施77 | 1實施76 1 1實施75 I 1實施74 | i實施73 I 1號碼1 試料 92.1280 92.6270 91.5580 92.5480 1 92.1280 | 92.6270 91.5680 92. 5670 82. 5280 92.1280 92. 6270 91.5580 I 92.5480 | 92.1280 92.6270 91.5680 I 92.5670 | 92. 5280 atm% N3 1 5.0000 1 1 5.0000 | | 5.0000 1 5. 0000 5. 0000 I 5.0000 I I 5.0000 1 1 5.0000 1 5. 0000 | 5.0000 | I 5.0000 1 1 5.0000 1 5. 0000 I 5.0000 I I 5.0000 1 I 5.0000 1 I 5.0000 | 5. 0000 : atm% Ο 1 2.0000 1 I 2.0000 | | 2.0000 | I 2.0000 I 2. 0000 I 2.0000 I I 2.0000 I 1 2.0000 1 1 2.0000 1 | 2.0000 | 2. 0000 [2.0000 1 I 2.0000 | 2.0000 2.0000 2. 0000 1 2.0000 2.0000 atm% 0. 2000 I 0. 2000 | 0.2000 0. 2000 I 0.2000 1 I 0.2000 I 0. 2000 0.2000 0.2000 I 0. 2000 I I 0.2000 1 1 0.2000 1 I 0.2000 I I 0.2000 I I 0.2000 I I 0.2000 I I 0.2000 | I 0.2000 1 atm% 0? 0. 0000 0. 0000 0.0000 I o.oooo I 0. 0000 1 o.oooo 1 0. 0000 0. 0000 0. 0000 1 o. 0020 I 0.0020 I 1 0.0020 1 I 0.0020 1 I 0.0020 I I 0.0020 1 I 0.0020 I I 0.0020 I 0. 0020 atm% ρ 1 0.0020 1 | 0.0020 1 I 0.0020 1 I 0.0020 1 0. 0020 I 0.0020 1 I 0.0020 1 1 0.0020 1 0. 0020 0.0000 I o.oooo I I o.oooo I I o.oooo I 0.0000 0. 0000 0. 0000 I o.oooo I 1 o.oooo I atm% ζ 0. 0400 I 0.0400 1 I 0.0400 1 I 0.0400 1 I 0.0400 1 I 0.0400 1 I l.oooo I I o.ooio I I 0.0400 1 0. 0400 0. 0400 I 0.0400 1 I 0.0400 1 | 0.0400 1 0. 0400 I 1.0000 I I o.ooio I 0. 0400 atm% π 0.1000 I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I | 0.5000 I I o.ooio I I o.iooo I I o. looo I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I 1 o.iooo I I o.iooo I I 0.5000 1 I o.ooio I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I atm% > I—* 0.0300 | 0.0300 1 I l.oooo I I o.oioo I I 0.0300 1 0. 0300 I 0.0300 I 1 0.0300 1 I 0.0300 I | 0.0300 ] I 0.0300 1 1 1.0000 I I o.oioo I I 0.0300 1 | 0.0300 1 I 0.0300 1 I 0.0300 I | 0.0300 1 atm% ο 1 0.5000 1 I o.ooio I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I 0.1000 0.1000 I o.iooo I 1 o.iooo I I 0.5000 1 I o.ooio I 0.1000 I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I I o.iooo I atm% 00 oo ο oo o oo CO oo OJ oo o oo 00 oo o oo CO oo >—· —a CO oo ο oo o oo oo o —J CD CO oo /—\ VloiA 1 zjy to CO un 05 CO tSD CO t—* oo to CO CJ1 CO C71 σ> CJ1 CO to CJ1 私 各 CO oo 1—* oo to CD tn CO un (nA) 1 Id(3V) 1 oo oo CD C£> o oo CD oo 1—» CD 00 cn 00 CD o 00 oo ς〇 CO CO oo 1-^ —3 CO oo oo CO oo oo s ^C/C(85〇C) CO CJ1 CO 05 CO C£> o CO C*D CD CO CO tn CD ς〇 CD oo CO CJl ς〇 03 CO 00 CO CO CO tN〇 CD tn 1—* CO ς〇 S tan δ §85〇C 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 評價 200903530 根據此結果可以確認’ K、A〗、Cr、及Si在此組成範 圍中，容量變化率顯著地變小成10%以下。另外，在此範 圍内，；I電正接、漏電流也分別成為j 5%以下、1 以下（實 際上為9nA以下）的低値。此時，任一變阻器（varist〇r) 電壓皆相等。 因此，可以確認，在全部的實施例中，容量變化率變 小。在其組成脫離本發明之範圍的比較例中，任一容量變 化率皆上昇。另外’可以確認，與容量變化率同様地，在 全部的實施例令，介電正接、漏電流皆變小。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]圖1係繪示本發明之實施形態之電壓非直線電 阻體元件之構造的剖面圖。 [圖2 ]圖2係if不本發明之實施例之電壓非直線電阻 體元件之容量變化率之Cu濃度依存性⑻未添加況） 的圖。 [圖3 ]圖3係綠+ 士欲^口 >也 曰不本發明之實施例之電壓非直線電陴 體元件之容量變化率之p r :; #六卜斗,μ . + 千灸Pr /辰度依存性（Ν1未添加的情況） [圖4 ]圖4係系會 體元件之容量變化 的圖。 示本發明之實施例之電壓非直線電阻 率之Co濃度依存性（n i未添加的情況） 圖5 ]圖5係繪示本發明之實施例 一 η〜n η〜屯沈井直踝電 體兀件之容詈轡仆令， 里隻化率之Ca濃度依存性（Ni未添加的情況
2030-9537-PF 28 200903530 的圖。 [圖6 ]圖6係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻 體元件之容量變化率之Ni濃度依存性（Cu未添加的情況） 的圖。 [圖7 ]圖7係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻 體元件之容量變化率之Pr濃度依存性（Cu未添加的情況） 的圖。 [圖8 ]圖8係繪示本發明之實施例之電壓非直線電阻 體元件之容量變化率之Co濃度依存性（Cu未添加的情況） 的圖。 [圖9 ]圖9係繪示本發明之實施例之電壓非直線電f!且 體元件之容量變化率之Ca濃度依存性（Cu未添加的情況） 的圖。 [圖10 ]圖1 〇係繪示一實施例之電壓非直線電阻體元 件的電流-電壓特性圖。 【主要元件符號說明】 1〜電壓非直線性電阻體元件 2〜電壓非直線性電阻體元件層 3〜内部電極 4〜外部端子電極
2030-9537-PF 29

Claims (1)

  1. 200903530 十、申請專利範圍： 1. 一種電壓非直線性電阻體磁器組成物，以氧化辞為 主成分，包括： w 〇_ 05〜5原子％的卩r ; 0· 1〜20原子％的（；〇 ; 0. 01〜5原子％的ca ;以及 0· 0005〜〇. 〇5原子 ％的 Cu。 2. —種電壓非直線性電阻體磁器組成物，以氧化辞為 主成分’包括： 0. 05〜5原子^的卩^·; 0_ 1〜20原子％的〇0 ; 0. 01〜5原子％的ca ;以及 0· 0005〜〇. 〇5原子 ％的 Ni。 3. —種電壓非直線性電阻體磁器組成物，以氧化鋅為 主成分，包括： 0· 05〜5原子％的pr ; w 〇· 1〜20原子％的c〇 ; 0. 01〜5原子％的Ca ;以及 Cu及 N i， 其中’ Cu與Ni合計共0. 0 0 05〜0. 1原子〇/0。 4·如申請專利範圍第丨至3項中任一項所述之電壓非直 線性電阻體磁器組成物，更包括： 0. 001〜1原子％的K ; 〇_ 001〜0. 5原子％的八1 ; 203〇一9537-PF 30 200903530 0. 01〜1原子％的Cr ;以及 〇_ 001〜0. 5原子％的Si。 5. —種電壓非直線性電阻體元件，具有如申請專利範 圍第1至3項中任一項所述之電壓非直線性電阻體磁器組 成物。 一 6.如申請專利範圍第5項所述之電壓非直線性電阻體 =件，具備由該電壓非直線性電阻體磁器組成物所構成的 坟釔體、以及與該燒結體連接之複數個電極。 7.如申睛專利範圍第5項所述之電壓非直線性電阻體 元件，具有内部t m ^ H電極與由該電壓非直線性電阻體磁器组成 物所構成之電阻舻-扯 风 m M 體7^件層交互疊積的積層構造，其中，一 對外部電極係形成 辨-μ n 攻於該積層構造之侧端部，且夾著該電阻 體凡件層而相對 电1 _ ^ 碌内部電極係分別與一對外部電極之任 2030-9537-PF 31
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