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TWI352876B - Photoresist composition for immersion lithography - Google Patents

Photoresist composition for immersion lithography Download PDF

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TWI352876B
TWI352876B TW095115195A TW95115195A TWI352876B TW I352876 B TWI352876 B TW I352876B TW 095115195 A TW095115195 A TW 095115195A TW 95115195 A TW95115195 A TW 95115195A TW I352876 B TWI352876 B TW I352876B
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TW
Taiwan
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photoresist
photoresist composition
polymer resins
composition
fluorinated polymer
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Application number
TW095115195A
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English (en)
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TW200702927A (en
Inventor
Deyan Wang
Original Assignee
Rohm & Haas Elect Mat
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Publication date
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Publication of TW200702927A publication Critical patent/TW200702927A/zh
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Description

⑴ 2876 ' 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關新穎的光阻劑組成物，特別是可用於溼 •浸式微影法（;随ersion lithc)graphy)處理者。本發明較佳的 光PJ、卫成物包含實質上無法與該光阻劑的樹脂成分混合 之一種或多種材料。本發明的特佳光阻劑在澄浸式微影處 理期間，顯示光阻劑材料浸出而進入與該光阻劑層接觸之 鲁濕浸流體中之量減少。 【先前技術】 光阻劑係將影像轉移至基材所用的光敏性膜。在基材 上形成光阻劑的塗層，然後透過光罩使該光阻劑層暴露於 活化輻射源底下。該光罩有數個區域對於活化輻射不透 明，而其他區域對於活化輻射則為透明。暴露於活化輻射 可引發該光阻劑塗層的光誘導性化學轉變，藉以將該光罩 的圖案轉移至塗佈光阻劑的基材。在曝光之後，使該光阻 鲁劑顯影以提供浮雕影像，該浮雕影像允許基材進行選擇性 加工。 ^ 半導體產業的成長受到摩爾定律（Moore，s law)所驅 •策，摩爾定律敘述1C裝置的複雜度平均每兩年就會倍增。 '以微影方式轉移特徵尺寸持續縮小的圖案及結構之需求成 為必要。 達到較小特徵尺寸之一方法係使用較短波長的光，然 而，難以找到一種在193奈米以下呈透明的材料，其可利 用漫浸式微影法，僅藉由利用液體使較多光聚焦於該膜， 93460 5 1352876 而提南透鏡的數值孔种。，、u .夺上、
KrMA㈣推浸式微影法在成像裝置（例如 下表面與晶圓或其他基材的最外表 面之間使用較南折射率的流體。 /目前大體上尚不存在大規模及經確認的座浸式微夺 糸統。為了解決有_浸式槪影的問題，已進行若干努力: 參見美國專利申請案公開公報⑽5胸 要用於溼浸式微影的可靠且方俏&丄 很巧…、地而 【發明内容】 ^且方便的光阻劑及成像方法。 於溼浸式微影的新穎材料及方法。 現k供㈣於座浸式微影的新穎材料及方法。 在一態樣中，本發明的較佳光阻劑可包含： (i) 一種或多種樹脂， 、去（）可〔田也匕3種或多種光酸產生劑化合物的光 活性成分，及 (m)實質上無法與該—種或多種樹脂混合之一種或多 種材料。較佳地’該等成分⑴、⑼及㈣為分開的材料， 如未共價連結者。較佳地該光阻劑係化學放大的正向光 ，劑’例如該成分⑴之一種或多種樹脂中，至少一種樹脂 =含光酸不安定基團’例如光酸不安定之醋基及/或縮醛 基。 在另-態樣中，本發明的較佳光阻劑可包含： (i) 一種或多種樹脂， (ii) 可適當地包含-種或多種級產生劑化合物的光 活性成分，及 93460 6 丄妁2876 (•ii)實質上無法與該一種或多種樹脂混合之一種或多 2包含下列者之材料：1)石夕取代、2)氟取代、3)超分支聚 δ物及/或4)聚合物粒子。較佳地，該等成分⑴、（⑴及（丨^) 為刀開的材料，例如未共價連結者。較佳地該光阻劑係化 予放大的正向光阻劑，例如該成分⑴之一種或多種樹脂中 之至少一種樹脂包含光酸不安定基團，例如光酸不安定之 酯基及/或縮醛基。 φ 在曝光步驟期間與該溼浸流體接觸時，本發明的特佳 光阻劑顯示光阻劑成分遷移（浸出）至該溼浸流體的量減 -少。顯然地，不需在該光阻劑上施加任何類型的覆蓋層或 •阻障層隔開該光阻劑層及溼浸流體，就可達到降低光阻劑 成分遷移（浸出）至該溼浸流體的量。 、 我們發現酸及/或其他光阻劑材料從光阻劑層不欲的 遷移至該溼浸流體特別可能發生問題。當中，遷移至該溼 浸流體的酸或其他光阻劑材料會損害曝光機具並且降低在 鲁光阻劑層内圖案化影像之解析度。因此，本發明的光阻劑 成為一顯著的進展。 不受到任何理論所限制，咸相信實質上無法與該一種 •或多種樹脂混合之一種或多種材料會向所施用的光阻劑塗 .層上方區域遷移’藉以在溼浸曝光步驟的期間抑制光阻劑 材料移出光阻劑層而進入與該光阻劑層接觸的溼浸流體 中。 如在此所引用的，實質上無法與該一種或多種光阻劑 樹脂混合之一種或多種材料可為任何加至光阻劑後能使光 93460 7 1352876 ，，劑成分遷移或浸出至該達浸流 實質上無法混合之材料易藉 該等 •成分，但不含實質上I 〇又Λ光阻劑相同之 昭細ρ ""合之候選材料的光阻劑做Α料 照組進㈣試而以實驗的方式加以鏗定。 1做為斜 適⑽本發明賴劑之實#上無法混 含矽及/或氟取代的組成物。 的材科包括 用於本發明光阻劑之較佳實 以呈粒子的形態。 合的材料可 :線性或梯形聚合物諸如線性或二 子可具有界定的Γ:? 舉例來說，此等聚合物粒 r# t 、低分子量分布。更特定而言，在一 二 發明的光阻劑中可使用多種聚合物粒子， 〇X等 平均粒子大小為約5至3000埃，更佳為 至2_埃，又更佳為約5至約1〇〇〇 約 埃，又特佳為1。至5〇或至細埃。=。 ’特佳的粒子具有小於約2。。或100埃的平均粒子： ::本發明光阻劑之其他較佳實質上無法混合之材 等。;入包括石夕倍半氧烧材料及含训2基團的材料 X 3石夕實f上無法混合之材料也包括多面體 (polyhedrol)寡聚合矽倍半氧貌。 Α 不安定基團(例如光酸不安定之醋基或縮搭 基，包括如本文所述之化學放大光阻劑之樹脂成分中所用 93460 8 1352876 ' 的基團）之實質上無法混合之材料亦較佳。 用於本發明光阻劑之較佳實質上無法混合之材料亦 • 能溶於用以調配該光阻劑組成物的相同有機溶劑。 . 用於本發明光阻劑的特佳實質上無法混合之材料亦 將具有比該光阻劑樹脂成分之一種或多種樹脂更低的表面 能（surface energy)及/或更小的流體動力體積 (hydrodynamic volume)。較低的表面能可促使該實質上無 法混合之材料分離或遷移至所施用的光阻劑塗層的頂端或 ® 上方部分。此外，由於可促使該一種或多種實質上無法混 .合之材料有效遷移（較高的擴散係數）至所施用的光阻劑塗 -層的上方區域，所以相對較小的高流體動力體積也可能較 佳。 用於本發明光阻劑的較佳實質上無法混合之材料亦 能溶於或藉由曝光後烘烤（PEB，例如120°C下60秒）而變 得可溶於光阻劑顯影劑組成物（例如0.26N鹼水溶液）中。 φ 由此，除了以上說明的光酸不安定基團以外，該實質上無 法混合之材料中還可包括其他鹼水溶液可溶解之基團，例 如羥基、氟醇及鼓基等。 , 較佳的無法混合之材料包括聚合物材料，如超分支聚 合物（hyperbranched polymer)。本文所稱之「超分支聚合物」 包括IUPAC命名為超分支聚合物的材料。參見IUPAC,巨 分子命名概要（紫皮書）；Metanomski, W.V.編著；1991年由 英國牛津Blackwell Scientific出版社出版。依照該命名， 超分支聚合物具有重複結構單元（或IUPAC所稱之重複構 9 93460 1352876 成單元）’此等重複結構單 特佳的超分支聚合物可具有極少、=的共價結合數 或1重量百八士 W 的(例如小於5、4、3、2 團 77 知含量，或完全地不含任何芳香族基 對許多應用而言，且古— 的超分支聚合物可能特別適;。”個丙稀酸醋重複單元 由多宫能丙烯酸酯單體，例如三 酉旨（有時候亦稱為厂TMPTA」）等^ J基^二丙稀酸 S旨显興„〜 」）等具有多個乙烯基的丙烯酸 ，所形成的聚合物添加物亦較佳。 ，另-㈣樣中，本發明提供㈣浸式曝光方式進行 衫處理的方法。本發明的較佳方法可包括下列步驟： υ將本發㈣光阻劑組成物施用於⑽如藉由旋塗 例如半導體晶圓等的基材。該光阻劑可適當地施用於該晶 圓表面或預先塗布於晶圓之材料(例如有機或無機抗反射 組成物，或平坦化層等）上。所施㈣光阻劑可經熱處理以 移除溶劑載劑，例如在約12(rc或更低的溫度下歷經約3〇 至60秒； 2)視需要地，可藉由例如旋塗法在該光阻劑組成物上 施用有機阻障層組成物； 3)在將流體（例如包含水的流體）插置於該曝光機具 與經塗佈基材之間下，使該頂塗的光阻劑層暴露於圖案化 的活化輻射下’亦即藉由在該曝光機具與該光阻劑組成物 層之間配置流體層下使該光阻劑層溼浸曝光。在沒有任何 阻障層組成物的情況下’所插置的流體將直接地接觸到該 93460 10 1352876 光阻劑層。 本發明的微影系統之較佳成像波長包括小於400奈米 之波長例如I-射線（365奈米）、小於300奈米之波長例如 248奈米及小於200奈米之波長例如193奈米。除了一種 或多種實質上無法混合之材料以外，本發明特佳的光阻劑 可含有光活性成分（例如一種或多種光酸產生劑化合物）及 選自下列之一種或多種樹脂： 1)含有酸不安定基團的齡系樹脂（phenolic resin)，其 可提供特別適合於248奈米成像的化學放大正型光阻劑。 .此類型的特佳樹脂包括：i)以乙烯基酚及丙烯酸烷酯做為 .聚合單元的聚合物’其中經聚合的丙烯酸烷酯單元在光酸 存在的情況下會進行去封阻（deblocking)反應。會進行去封 阻反應的例示性丙烯酸烷酯包括，例如丙烯酸第三丁醋、 甲基丙烯酸第二丁酯、丙烯酸甲基金剛烷酯、甲基丙烯酸 曱基金剛烷Sa及會進行光酸誘導反應的其他丙烯酸非環狀 6,042,997所述的聚合物，該專利以 該專利以參考方式納入本文；及
之重複單 φ烷酯類及丙烯酸脂環族酯類，例如美國專利案6,〇42,997 及5,492,793中的聚合物’該二專利以參考方式納入本文； u)以乙稀絲、環上無基缝基取代基且視需要可經取 •代的乙稀基苯(例如笨乙稀）及丙稀酸院醋（如上文i)聚合物 乙節中所述者）做為聚合單元的聚合物，例如美國專利案 元（例如苯基或酚系基團） t國專利案5,929,176及 93460 11 1352876 ' 6,090,526中；以及i)及/或ii)及/或iii)的掺混物； 2) 不含酸不安定基團的紛樹脂，例如聚（乙歸基紛）及 酚醛樹脂等，該酚樹脂可與重氮萘醌光活性化合物一起用 • 於^射線及G-射線光阻劑中，此等聚合物在美國專利案 4983492 ; 5130410 ; 5216111 ;及 5529880 中有說明； 3) 實質上或完全地不含苯基或其他芳香族基團之樹 脂’該樹脂可提供特別適合在小於200奈米波長（例如193 籲奈米）下成像的化學放大正型光阻劑。此類型特佳的樹脂包 括.i) 3有非♦香知環狀稀經（環内雙鍵）例如視需要可經 取代的降萡烯的聚合單元之聚合物，例如美國專利案 5,843’624及M48’664中的聚合物；π)含有丙烯酸烧醋單 元例如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲 基金剛烷酯、〒基丙烯酸甲基金剛烷酯，及其他丙烯酸非 環狀烷酯類及脂環族酯類的聚合物，此等聚合物在美國專 利案6,057,083 ;歐洲專利申請案公開公報ep〇1〇〇89i3a】 鲁及ΕΡΟ〇93〇542Α1 ;及美國專利案6，136,5〇1中有說明；及 叫含有聚合酸酐單元的聚合物，特別是聚合順丁稀二酸野 及/或衣康酸酐單元，例如歐洲專利申請案公報 ‘ E湖08913A1及美國專利案6 〇48 662中所揭示者以及 〇及/或ii)及/或iii)的摻混物； 4)包括含雜原子’特別是氧及/或硫（但並非酸軒，亦 即該單元不含酮類環原子)的重複單元，並且較隹為實質上 ΐ完全地不含任何芳香族單元之樹脂。較佳地，雜脂環族 皁元係揭合至該樹脂骨幹， 、 而且更佳為該樹脂包含例如藉
I 93460 12 1弓52876 、由降苗埽基的聚合而提供的稿合碳脂環族單元及/或例如 藉由順丁婦二酸野或衣康酸野的聚合而提供的酸肝單元。 .此等樹脂在PCT/US01/14914及美國專利案6， •揭示； 另 5)包括含聚（矽倍半氧烷）等的矽取代並且可與底塗 層起使用的樹脂。此等樹脂在例如美國專利案68〇3171 中有揭示過。 藝 6) 3有氟取代的樹脂（氟聚合物），例如可藉由四氟乙 烯、氟苯乙烯化合物等氟化芳香族化合物及包含六 分的化合物等之聚合而提供。此等樹脂的例子在例如 PCT/US99/21912 中有揭示。 本發明較佳的光阻劑同時包括化學放大的正向作用 型及負向作用型光阻劑。典型地較佳的化學放大的正向光 阻劑包括一種或多種含例如光酸不安定之酯基或縮醛基等 光酸不安定基團之樹脂。 ^ 本發明復提供形成光阻劑浮雕影像及使用本發明的 光阻劑製造電子裝置的方法。本發明亦提供包含塗佈本發 明之光阻劑組成物的基材之新穎製品。 【實施方式】 後文中揭示本發明的其他形態。 如以上所討論並且在後續實施例予以證實者，在曝光 步驟的期間接觸到該溼浸流體時，本發明的特佳光阻劑可 顯不降低光阻劑成分遷移（浸出）至該溼浸流體的作用。我 們也意外地發現該一種或多種實質上無法混合之材料的添 93460 13 2會改善光阻劑的微影效能。特別是，-種或多種實質上 …、法混合之材料的添加，在線間隔等應用 影光阻劑之線邊緣_度一 材料的添加在接觸孔應用方面會使接觸孔變得更圓。 恭*上所4 -的實質上無法與該樹脂成分混合之本 發明=適合光阻劑材料可藉由簡單的試驗而輕易地辨別。 更，定而言，本文所稱之「較佳的實質上無法混合之材料」 ^曰使用含候選材料的光阻劑組成物時，與按照相同方式 相二但上無法混合之候選材料的相同光阻劑系統 相較，月匕使該澄浸流體中所摘測到的酸或有機物質之量減 少者。在該澄浸流體中的光阻劑材料之偵測可按照後文 的方式進行，㈣測包括在該光阻劑曝光前 〜體之質譜分析。在此分析中，在曝光期間該 座次流體與所測試的光阻劑組成物直接接觸約6〇秒。較佳 地’相對於不㈣此實質上無法混合之材料的相同光阻 齊j i種或夕種實質上無法混合之材料的添加可使流失 於該溼浸流體的光阻劑材料（即上述藉由f譜所伯測到的 酸或有機物）減少至少1G%，更佳地相對於不使用此實質上 無法混合之材料的相同光阻劑’該一種或多種實質上無法 混合之材料可使流失於該漫浸流體的光阻劑材料（即上述 20.50 ^ 10〇.2〇〇.5〇〇 ^ 1〇〇〇%〇 如以上所討論的，明確地說較佳的實質上無 人 材料包括切的材料。特別佳的實質上無m= 括奈未結構的組成物’其在商業上可由例如Hybridplastics 93460 14 ^^2876
=藉由-種或多種單體與交聯劑（必要時可存在起始劑) /、、而㈣地合成。進行該反應的單體視需要可具有例如 —矽基團、例如光酸不安定之醋類或縮酸類等光酸不安 疋基團及例如醇類等其他鹼可溶性基團等。參見下文的實 施例卜其例示利用多種不同單體合成該等粒子， 法混合之材料之粒子（包括有機粒子） 钟。此等粒子可由商業上購得，或可 等早體之一將光酸不安定基團引進所得的聚合物粒子。" 該實質上無法混合之材料可以*小量存在於光阻劑 上成物中並且仍能提供有a的結S。例如，該一種或多種 實質^無法混合之材料，以流體光阻劑組成物的總重量為 ，準彳，宜以約0.1至20重量百分比之量存在。適當的用 量亦記載於後文的實施例中。 如以上所討論的，根據本發明使用的較佳光阻劑包括 正向作用型或負向作用型化學放大的光阻劑，亦即進行光 酸促進的交聯反應而使得該光阻劑塗層的曝光部分比未曝 光區域更不具顯影劑溶解性的負向作用型光阻劑組成物， 以及進行一種或多種組成成分的酸不安定基團之光酸促進 的去保護反應而使得該光阻劑塗層的曝光部分比未曝光區 93460 15 1352876 域更具顯影劑溶解性的正向作用型光阻劑組成物。與醋之 羧基之氧共價鍵結之三級非環狀烷基碳（例如第三丁基）或 三級脂環族碳（例如曱基金剛烷基）經常為本發明光阻劑所 用樹脂之較佳光酸不安定基團。縮搭類光酸不安定基團亦 屬較佳。 本發明的較佳光阻劑通常包含樹脂成分及光活性成 为。較佳地該樹脂具有可賦予該光阻劑組成物鹼性水溶液 顯影性的宫能基。舉例來說，較佳為包含例如經基或叛酸 酯等極性官能基之樹脂黏合劑。較佳地該樹脂成分以足可 使使該光阻劑用鹼性水溶液顯影的量用於光阻劑組成物 中。 ^為了在大於200奈米，例如248奈米的波長下成像， 通常較佳為酚樹脂。較佳的酚樹脂為可在觸媒存在的情況 下，藉由對應、單體的嵌段聚♦、乳化聚合或溶液聚合所形 成的聚（乙婦基齡）。可用於聚乙烯基_脂的製造之乙婦 籲基紛可，舉例來說’可藉由商業上可講得的香豆素或經取 代的香豆素之水解作用’接著所得羥基肉桂酸的去羧基化 作用（decarboxylation)而製備。有用的乙烯基酚也可藉由對 .應羥，烷基酚的脫水作用或藉由源於經取代或未經取代的 羥基苯甲醛與丙二酸的反應之羥基肉桂酸的去羧基化作用 P製備。由此等乙烯基酚製備的較佳聚乙烯基酚樹脂具有 、·勺2,000至約6〇,〇〇〇道爾頓的分子量範圍。 _就在大於200奈米，例如248奈米的波長下成像而 s ’較佳者還有包含光活性成分與了述樹脂成分之混合物 93460 16 1352876 之化，放大的光阻劑，該樹脂成分同時包含㈣單元及非 酚系單元。舉例來說，此等共聚物之一種較佳的基團實 質士、基.本上或完全地僅該共聚物的非酚系單元上具有二 不安定基團’特別是丙烯酸烷酯光酸不安定基團，亦即酚 系-丙烯酸烷酯共聚物。一個特佳的共聚物黏合劑具有下列 化學式的重複單元x&y: 八
其中該羥基於整個共聚物中存在於鄰位、間位或對 位，而且R，為具有i至約18個碳原子之經取代或未經取 代的烧基，更常地具有1至約6至8個碳原子。第三丁基 為大體上較佳的R’基團。R，基團可視需要地藉由，例如一 φ個或多個鹵素（特別是氟、氯或溴）、Ci 8烷氧基、C2 8烯基 等等，予以取代。該等單元x&y可在該共聚物巾規則地 交替出現’或可不規則地散置於整個聚合物中。此等共聚 .物可輕易地形成。舉例來說，關於上述化學式的樹脂，乙 .烯基酚及例如丙烯酸第三丁酯等經取代或未經取代的丙烯 酸烷酯可在此技藝中習知的自由基條件下縮合。以經取代 的酯部分，亦即R’-0-C(=0)_，丙烯酸酯單元部分作為該 樹脂的酸不安定基團，並且藉由含該樹脂的光阻劑塗佈層 的曝光而進行光酸誘導分裂。較佳地該共聚物具有約8,〇〇〇 93460 17 1352876 -至約50,〇〇〇的Mw，更佳地約15,000至約30,000以及約3 或更小的分子量分布，更佳地約2或更小的分子量分布。 • 非酚系樹脂，例如丙烯酸第三丁酯或曱基丙烯酸第三丁酯 • 等丙烯酸烷酯與例如乙烯基降萡基或乙烯基環己醇化合物 等乙烯基脂環族之共聚物，也可作為本發明組成物中的樹 脂黏合劑。此等共聚物也可藉此自由基聚合或其他習知的 程序而製備’並且適當地具有約8,000至約50,000的Mw 以及約3或更小的分子量分布。 具有用於本發明的正向作用型化學放大光阻劑之酸 不安定去封阻基的其他較佳樹脂在Shipley公司的歐洲專 利申請案0829766A2 (含縮醛及縮酮樹脂的樹脂）及 Shipley公司的歐洲專利申請案ep〇783136A2 (包括下列單 元的三元聚合物及其他共聚物丨）苯乙烯；2)羥基苯乙烯； 及3)酸不安定基團，特別是例如丙烯酸第三丁酯或曱基丙 烯酸第三丁酯等丙烯酸烷酯類酸不安定基團）中有揭示 鲁過。大體而言，具有各種不同酸不安定基團的樹脂係適合 的’例如酸敏性酯類、碳酸酯類、醚類、醯亞胺類等等。 該光酸不安定基團更常側接於聚合物骨幹，但是具有整合 •至聚合物骨幹的酸不安定基團之樹脂也可使用。 如以上所討論的，為了在小於200奈米波長（例如193 奈米）下成像，較佳地使用含有實質上、基本上或完全地不 含苯基或其他芳香族基團之一種或多種聚合物的光阻劑。 舉例來說，為了在小於2〇〇奈米處成像，較佳的光阻劑聚 合物含有少於約5莫耳百分比的芳香族基團，更佳地少於 93460 18 1352876 約1或2莫耳百分比的芳香族基團，更佳地少於約〇1、 〇.〇2、0.04及0.08莫耳百分比的芳香族基團，又更佳地少 ，於約0.〇1莫耳百分比的芳香族基團。特佳的聚合物完全不 -含芳香族基團。芳香族基團可高度吸收小於200奈米之輻 射，因此對用於利用此短波長輻射成像的光阻劑之聚合物 而言並不受歡迎。 實質上或完全地不含芳香族基團且可與本發明的
PAG調配以提供在小於2〇〇奈米處成像的光阻劑之適當聚 合物在歐洲專利申請案EP93〇542 卿⑽及—中有揭示，該等案件全 公司所擁有。 實質上或完全地不含芳香族基團之適當聚合物宜含 有丙烯酸S旨單元，例如可#由丙職甲基金剛㈣、甲基 丙烯酸甲基金剛以旨、丙烯酸乙基小_香醋及甲基丙婦ς 乙基小菌香S旨等的聚合而提供之例如錢不安定性丙埽酸 醋早心例如可藉由降萡烯化合物或其他具有環内碳-碳雙 鍵的脂環族化合物的聚合而提供之稠合非芳香族脂環族基 團及例如可藉由順丁稀二酸野及/或衣康酸野的聚合而提 供之酸野；及其類似物。 發明的較佳負向作用型組成物包含能藉由暴露於 酸而固化、交聯或硬化的—種或多種材料（例如交聯劑成 刀、如二聚氰胺樹脂等胺系材料），及本發明的光活性成 :刀”:1:=向作用型組成物包含樹脂黏合劑(例如朌樹 月日）乂聯劑成分及本發明的光活性成分。此等組成物及其 93460 19 1352876 用途在歐洲專利案〇164248及0232972及准予Thackeray 等人的美國專利案號5，128,232中有揭示。用作該樹脂黏 合劑成分的較佳酚樹脂包括酚醛樹脂及聚（乙烯基酚X例 如上文所討論者）。較佳的交聯劑包括胺系材料，該胺系材 料包括二聚鼠胺、甘腺、苯胍胺（benzoquanamine)系材料 及尿素為主的材料。大體上最佳為三聚氰胺_甲醛樹脂。此 等父聯劑可由商業上購得，例如由American Cyanamid公 司以註冊名稱Cymel 300、301及303販售的三聚氰胺樹 月曰。甘脲樹脂由American Cyanamid公司以註冊名稱cymei 1170、1171及1172販售，尿素為主的樹脂以註冊名稱 Beetle 60、65及80販售，而且苯胍胺樹脂以註冊名稱 Cymel 1123 及 1125 販售。 對於在例如193奈米等小於200奈米波長下成像，准 予Shipley公司的WO 03077029中有揭示較佳的負向作用 型光阻劑。 • 本發明的光阻劑也可包含其他的材料。舉例來說，其 他視需要的添加物包括光化及對比染料、抗皺劑、可塑劑、 加速劑及敏化劑（例如本發明的PAG在例如乙射線（亦即 -365奈米）或G·射線的波長等較長波長下使用時可使用敏 化劑）等等。此類視需要的添加物通常都以較小濃度存在於 光阻劑組成物中，但是填料及染料可以較大濃度存在，例 如佔光阻劑乾燥成分的總重量之5至30重量〇/〇。 本發明的光阻劑之較佳視需要的添加物為外加的 鹼，例如己内醯胺，其可增進經顯影的光阻劑浮雕影像之 93460 20 1352876 解析度外加的鹼適合以較小量使用，例如相對於約 1至10重里/。’更常地i至約5重量％。其他適合的驗性 .添加物包括例如對-甲苯4酸六氫錢及對·甲苯續酸二環 己基銨等硫酸鍵鹽；例如三丙胺及十二烧基胺等院基胺 類，及例如二苯基胺、三苯基胺、胺基酚、2-(4-胺基苯 基）_2_(4_羥苯基）丙烷等芳基胺類等等。 一本發明光阻劑之樹脂成分通常以足以使該光阻劑的 曝光塗層可用例如鹼水溶液顯影的量使用。更特定而言， 樹脂黏合劑宜佔該光阻劑全部固體的5〇至約9〇重量〇/p 該光活性成分應以足可使該光阻劑塗層產生潛像的量存 在。更明確地說，該光活性成分宜佔光阻劑全部固體之約 1至40重量。/p就化學放大型光阻劑而言，光活性成分以 較少量為宜。 本發明的光阻劑組成物也包含光酸產生劑（亦即 PAG」）’其適合以足以藉由暴露於活化輻射下而使該光 •阻劑塗層中產生潛像的量使用。在193奈米及248奈米下 成像的較佳PAGs包括酿亞胺基續酸|旨，例如下列化學式 所示的化合物：
Y"N^OS〇2R Ο 式中R為樟腦基、金剛烷基、烷基（例如cl l2烷基）及全氟 院基（例如全氟烧基）），特別是全氟辛燒績酸根及全 氟壬烷磺酸根等。尤其佳的PAG為N-[(全氟辛烷磺醯基） 93460 21 1352876 * 氧基>5-降范烯-2,3-二甲醯亞胺。 續酸根化合物也是適合的PAG，特別是續酸鹽。有兩 ，種供193奈米A 248奈来成像用之適合試劑為以下的pAG 1及2 :
• Ί J 此類磺酸根化合物可依歐洲專利申請案96ΐΐ8ιιι 2 (公開號0783136)揭示的方式製備，其詳述以上pAG】的 合成。 以上述兩種與上述樟腦磺酸根基團以外的陰離子錯 合之錤化合物亦適用。特別是，較佳的陰離子包括式Rs〇a_ 所示者，其中R為金剛烧基、烧基（例如％院基）及全氣. 鲁烧基（例如全氟（Cl_12烧基）)全氟燒基，㈣是全氣辛燒續 酸根及全氟丁烷磺酸根等。 其他習知的PAG也可用於本發明所用的光阻劑中。特 .別是供⑼奈采成像之用，大體上較佳為不含芳香基例如 •上述醯亞胺基磺酸根之PAG，以提供提高的透明度。 本發明的光阻劑也可包含其他視需要的材料二舉例來 說，其他視需要的添加物包括抗皺劑、可塑劑及加速劑等 等。此類視需要的添加物通常都以微小濃度存在於光阻劑 組成物中，但是填料及染料可以較大濃度存在，例如佔光 93460 22 1352876 阻劑乾燥成分的總重量之5至3〇重量％。
根，本發明使料綠劑大體上都依Μ知的程序 々備。舉例來說’本發明的光阻劑可藉著使光阻劑的成分 办於下列適當的溶劑而以塗佈組成物的形式製備，例如2 :氧基乙細(二乙二醇單甲㈣、乙二醇單甲驗、丙 早甲越等H丙二醇單甲基㈣酸醋.；例如乳酸乙酿 或乳酸甲醋等乳酸g旨，以乳酸乙醋為佳；㈣醋，特別是 丙酸甲酯、丙酸乙醋及乙氧基丙酸乙醋；例如乙二醇甲= 醚醋酸醋等乙二醇醚醋(cellosolve esier);例如甲苯或二； 苯等芳香烴；或例如甲基乙基酮、環己岐2•庚酮等嗣。 通常該光阻劑的固體含量佔該光阻劑組成物總重量的5至 35重量％。此類溶劑的摻混物也適用。 液態光阻劑組成物可藉由例如旋塗、浸塗、輥塗或其 他傳統的塗佈技術等施塗於基材。旋塗時，可調整該塗佈 溶液的固體含量而根據所用的指定旋塗裝置、溶液的黏 度、旋塗器的速度及供旋塗的時間量以提供想要的膜厚。 本發明所用的光阻劑組成物適合施於涉及利用光阻 劑塗佈的方法中習用的基材。舉例來說，該組成物可施於 供微處理器及其他積體電路零件製造用之矽晶圓或經二氧 化矽覆蓋的矽晶圓。鋁-氧化鋁、砷化鎵、陶瓷、石英、銅 及玻璃基材等也都適於使用。光阻劑也可能適合施於抗反 射層’特別是有機抗反射層。 接著該光阻劑塗佈於表面之後，可藉由加熱乾燥而移 除該溶劑’較佳地直到該光阻劑塗層不發黏為止。 93460 23 丄力2876 然後使該光阻劑層（若有，與蓋覆的阻障組成物層一起) 在浸入式微影術系統中曝光，亦即其中該曝光機具（特別是 投射鏡頭）與塗佈光阻劑的基材之間的空間係被溼浸流體 •(例如水或水與可提供提高折射率的流體之例如硫酸鉋等 種或多種添加物混合）所佔據。較佳地該溼浸流體（例 如，水）已經先經處理以避免氣泡，例如可使水脫氣而避免 奈米氣泡。 魯 在此所引用的「溼浸式曝光」或其他類似的術語表示 利用此一夾在曝光機具與經塗佈的光阻劑組成物層之間的 流體層（例如水或含添加物的水溶液）進行曝光。 接著該光阻劑組成物層根據該曝光機具及該光阻劑 組成物的成分，利用通常介於約1至1〇〇毫焦耳/平方公分 的曝光忐量暴露於活化輻射底下而適當地圖案化。在此引 用使光阻劑組成物暴露於活化該光阻劑的輻射底下表示該 輻射可例如藉由引發該光活性成分的反應（例如由光酸產 •生劑化合物產生光酸）而在該光阻劑中形成潛像。 如以上所討論的，光阻劑組成物較佳地藉由短曝光波 長予以光活化，特別是小於4〇〇、小於3〇〇及小於2〇〇奈 •米曝光波長，以1_射線（365奈米）、248奈米及193奈米為 特佳的曝光波長，還有EUV及157奈米也是一樣。 曝光之後，較佳地在介於約7〇〇c至約16〇〇c的溫度範 圍烘烤該組成物的膜層。之後，使該膜顯影，較佳地藉由 下列水性為主的顯影劑來處理，例如四級敍氮氧化物溶液 類，例如氫氧化四烷基銨溶液等，較佳地〇 26N氫氧化四 93460 24 IJJAO/Ό 甲基銨·’不同的胺溶液類’例如乙胺 二正丙胺、三乙胺或歹基二乙胺一乙胺、 胺或r乙醇胺簟. ，知胺類，例如二乙醇 胺％ 一乙醇胺等，钱賴’例如吡咯 '吡 上，根據此技藝中已知的程序來顯影。 塗在基材上的光阻劑顯影之後，經 :地=有光阻劑覆蓋的區域，舉例來說
“ ㈣裹敉例如，二氧化矽晶圓的製造， =的：刻劑包括氣體_劑，例如以電漿流的形態施用 本2或CF4/CHF3钱刻劑之類的氯或氣為主的 素電裝餘刻劑。經此加工之後，可使用習知的洗務丄 經處理的基材移除光阻劑。 以下列的非限定實施例舉例說明本發明。 實施例1 ··粒子添加物之製備 較佳的氟化粒子添加物製備如下： 以所需里的丙二醇單曱醚醋酸酯（PGMEA)饋入反應 f器中並於氮氣下加熱至8(TC。在冰浴中，以8〇至9〇i 量％的流體組成在PGMEA中混合下列單體（pFpA、 ECPMA、TMPTA)、交聯劑及起始劑（過氧戊酸第三戊酯）。 該起始劑含量為單體與交聯劑總量之4%。按照下列重量 用量使用該等單體：7G重量％五氟丙烯酸g旨（pFpA)、2〇重 曱基丙烯酸乙基環戊酯（ECPMA)& 1〇重量％三羥曱基 丙烧三丙稀酸醋（TMPTA): 93460 25 1352876
PFPA
w 然後將該單體/起始劑/PGMEA混合物饋入該反應容 器中歷時90分鐘。等添加至該反應容器完成之後，使該反 應容器内的混合物溫度固定在80°C下30分鐘。接著，將 額外的2重量％(相對於全部的單體及交聯劑）的起始劑饋 入該反應器。30分鐘之後，將另外2重量％(相對於全部的 單體及交聯劑）的起始劑饋入該反應器。在該次添加之後， 使該反應容器内的混合物溫度固定在80°C下再額外的2小 φ 時。之後，令該反應容器的溫度冷卻至室溫。 藉由該程序，提供具有7088的數量平均分子量（Μη) 及19255的重量平均分子量（Mw)之聚合物粒子。 實施例2 :光阻劑製備及處理 藉由按照指定量混合下列材料而製備光阻劑組成物： 1.樹脂成分：（甲基丙烯酸-2-曱基-2-金剛烷酯/曱基丙烯酸 -β-羥基-γ-丁内酯/曱基丙烯酸氰基降萡酯的三元聚合物 (terpolymer)，以該光阻劑組成物的總量為基準計，用量為 26 93460 ‘ 6.79 重量％; 2·光酸產生劑化合物：全氟丁炫續酸第三丁基苯基伸丁基 •锍，以該光阻劑組成物的總量為基準，用量為〇 284重量 % ； 3·鹼添加物：Ν_烷基己内醯胺，以該光阻劑組成物的總量 為基準計，用量為〇.〇17重量％ ; 4. 界面活性劑.R〇8 (含氟的界面活性劑，可由Dainipp〇n
Ink & Chemieals有限公司獲得），以該光阻劑組成物的總 量為基準計，用量為0.0071重量0/〇 ; 5. 實質上無法混合的添加物：如以上實施例〗所說明般製 備而具有7088的Μη及19255的Mw之經氟化的 pfPA/ECPMA/tmpta三元聚合物粒子，以該光阻劑組成 物的總量為基準計’用量為〇 213重量％ ; 6. 溶劑成分：丙二醇單曱基醚醋酸酯，佔流體組成物之約 90% 〇 • 另外製備對照組光阻劑，該對照組光阻劑與上述光阻 劑組成物具有相同成分及含量，但該對照組光阻劑不含實 質上無法混合之添加物。 ' 將該對照組光阻劑及上述光阻劑組成物旋塗在矽晶 圓上，在真空加熱板上乾燥以移除軟板，然後在溼浸式微 影法中與直接地接觸該乾燥的光阻劑層之水性溼浸流體一 起曝光。在該溼浸系統中，使該等光阻劑層暴露於193奈 米的圖案化輻射下，用於對照組光阻劑層的光量為24· 1毫 焦耳/平方公分，而且用於含有該實質上無法混合之添加物 93460 27 1352876 . 的光阻劑組成物層的光量為23.4毫焦耳/平方公分。 該等光阻劑層接著進行曝光後烘烤（例如在約l2〇t： .下）並且利用0.26N鹼性顯影劑水溶液顯影，以提供解析良 好的90奈米線且線寬與間隔之比為1 : 1。 為了評估光阻劑成分的浸出現象（leaching)，利用下列 方法：將1毫升去離子（DI)水置於該光阻劑表面的界定區 域（4.2平方公分）60秒。然後收集該〇1水進行lc/ms分 籲析’以測定所浸出的光酸產生劑化合物（PAG)量。就該對 照組光阻劑而言，有21 ppb的光酸產生劑化合物及降解產 物浸出至該溼浸流體中。摔上述含有實質上無法混合之添 加物（亦即經氟化的PFPA/ECPMA/TMPTA三元聚合物粒子） 的光阻劑組成物而言，有0.21 ppb的光酸產生劑化合物及 降解產叙浸出至該溼浸流體中。 實施例3 :光阻劑製備及處理 • 藉由按照指定量混合下列材料而製備光阻劑組成物： I樹脂成分：（甲基丙烯酸-2-甲基-2-金剛烷酯/甲基丙烯酸 -β-經基-γ-丁内酯/曱基丙烯酸氰基降萡酯的三元聚合物， - 以該光阻劑組成物的總量為基準計，用量為6.79重量％ ; 2.光酸產生劑化合物：全氟丁烷磺酸第三丁基苯基伸丁基 疏，以該光阻劑組成物的總量為基準計，用量為〇 284重 量 〇/〇 ; 3.驗添加物：Ν-烷基己内醯胺，以該光阻劑組成物的總量 為基準計，用量為0.017重量％ ; 93460 28 1352876 -4.界面活性劑：R〇8 (含氟的界面活性劑，可由Dainippon Ink & Chemicals有限公司獲得），以該光阻劑組成物的總 量為基準計’用量為0.0071重量0/〇 ; -5.實質上無法混合的添加物··由Hybrid Plastics購得的異 辛基多面體矽倍半氧烷（IPSS)，以該光阻劑組成物的總量 為基準計，用量為0.213重量％ ; 6.溶劑成分：丙二醇單曱基醚醋酸酯，其佔流體組成物之 約 90%。 籲 另外製備對照組光阻劑，該對照組光阻劑與上面的光 阻劑組成物具有相同成分及含量，但該對照組光阻劑不含 實質上無法混合之材料。 將該對照組光阻劑及上面的光阻劑組成物旋塗在矽 晶圓，在真空加熱板乾燥以移除軟板，然後在溼浸式微影 法中與直接地接觸該乾燥的光阻劑層之水性溼浸流體一起 曝光。在該溼浸系統中，該對照組光阻劑層與含有該實質 φ上無法混合之添加物的光阻劑組成物層皆暴露於193奈米 的圖案化輻射下，且曝光量為26.5毫焦耳/平方公分。 該等光阻劑層接著進行曝光後烘烤（例如在約12〇t .下）並且利用〇.26N鹼性顯影劑水溶液顯影以提供解析良 •好的90奈米線且線寬與間隔之比為丨：j。 古為了評估光阻劑成分的浸出現象，利用下列方法：將 1军升去離子（DI)水置於該光阻劑表面的界定區域（4二平 方公分）中60秒。然後收集該DI水進行lc/ms分析以測 定所浸出的PAG量。就該對照組光阻劑而言，有i6 4ppb 93460 29 1352876 的光酸產生劑化合物及降解產物浸出至該溼浸流體中。就 上述含有實質上無法混合之添加物（亦即異辛基多面體矽 倍半氧烷（IPSS))的光阻劑組成物而言，有〗76ppb的光酸 產生劑化合物浸出至該溼浸流體中。 實施例4至6 :另外的光阻劑浸出試驗 製備對應於上述實施例1之光阻劑之另外光阻劑，但 是使用不同量的實質上無法混合之添加物異辛基多面體矽 倍半氧烧（IPSS，由Hybrid Plastics公司獲得），添加量以 佔全部固體的百分比表示。以微影的方式處理這些光阻 劑，並且如上述實施例3所說明的方式在193奈米下溼浸 曝光並且如上述實施例3所說明的方式評估光酸產生劑化 合物及其降解產物的浸出現象（以每十億份中的份數或ppb 表示）。評估該光阻劑層的接觸角。結果在下列表1中說明。 表1 實施例編號 光阻劑中的IPSS 對全部固體的重量 百分比 浸出至溼浸流體 中之光酸產生劑 之量 去離子水的 接觸角 4 1% 2.52 ppb 104.1° 5 2% 2.21 ppb 106.4° 6 3% 1.76 ppb 105.4° 比較例 0% 「 17.0 ppb 72.2° 實施例4至6的光阻劑亦提供良好解析的線/間隔。 下列實施例7至19中，藉由上述實施例1的方法合 成該等聚合物’使用按照下列實施例的用量之對應單體製 93460 30 1352876 造所形成的聚合物。 實施例7 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之分枝四元 聚合物：x/y/z/TMPTA=70/l5/5/10，其中如就在下方的結 構所示，提供聚合X單元的單體為PFPA (丙烯酸五氟丙 酯），提供聚合y單元的單體為ECPMA (甲基丙烯酸乙基 環戊酯），而且提供聚合z單元的單體為丙烯酸。
鲁實施例8 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之超分枝四 元聚合物：x/y/z/TMPTA=70/15/5/10，其中重複單元x、y 及z係示於下方的結構中。由該結構可見到，經聚合以提 供z單元的單體為曱基丙烯酸。 31 93460 1352876
實施例9 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之超分枝四 元聚合物：x/y/TMPTA=70/20/10，其中重複單元X及y係 示於下方的結構中。
f3c 實施例10 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之超分枝四 元聚合物：x/y/TMPTA=80/10/10，其中重複單元X及y係 示於下方的結構中。 32 93460 1352876
實施例11 : 製傷具有分別呈下列莫耳蚤沾壬 从. 4县斗篁的重複單元之線性共聚 初.y/z==94/6，其中重複 ,^ 攸早兀丫及Z係示於下方的結構中。 田該結構可見到，經聚合以提供 m a代世丫早兀的單體為甲基丙烯 ^第三丁酯。
製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之線性共聚 物·· y/z=94/6，其中重複單元y及z係示於下方的結構中。 由該結構可見到，經聚合以提供z單元的單艨為丙烯酸綾 基乙醋。 33 93460 1352876
實施例13 : 製備由甲基丙烯酸第三丁酉旨
聚合而成的線性均聚物 實施例14 : 製備具有呈下列莫耳量的重複單元之線性共聚物：
;::50’其"複單兀Μ 2係示於下方的結構中。由 ^吉構可見到，經聚合以提供2單元的單料二: 酸+環己基-3-經基-4,4,4-三氟|(三氟甲基）丁酉旨甲土丙席
實施例15 : 製備具有分別呈下列莫耳量 的重複單元之線性共聚 93460 34 1352876 物：y/z=50/50，其中重複單元丫及乙係示於就在下方的結 構中。由該結構可見到，經聚合以提供Z單元的單體為2_ 甲基丙烯酸-4,4,4-三氟-3-羥基·i•曱基_3-三氟曱基丁酯。
實施例16 : 製備具有为別呈下列莫耳量的重複單元之線性共聚 物：y/z=70/30’其中重複單元丫及z係示於下方的結構中。 由該結構可見到，經聚合以提供z單元的單體為2_甲基丙 烯酸-4,4,4-二氟-3-經基-1-甲基_3_三氟曱基丁酯。
實施例17 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之超分枝三 元聚合物：y/z/TMPTA=70/30/10,其中重複單元丫及z係 示於下方的結構中。 93460 35 1352876
實施例18 .: 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之線性共聚 • 物：y/z=50/50,其中重複單元y及z係示於下方的結構中。 由該結構可見到，經聚合以提供z單元的單體為丙烯酸5-及6-[3,3,3-三氟-2-羥基-2-(三氟曱基）丙基雙環[2,2，1]庚-2- 醋。
實施例19 : 製備具有分別呈下列莫耳量的重複單元之線性三元 聚合物：y/zl/z2=74/20/6，其中重複單元y、zl及z2係示 於下方的結構中。 36 93460 1352876
久在下列實施例20至31中，將上述實施例7至18的 Is物依下文表2中指定用量添加至三種不同的j 93奈米 光阻劑（稱之為第一型、第二型、第三型）中。該三種光阻 劑組，物（亦即第一型、第二型、第三型）各自為包括含光 酸不女定基團之非芳香族樹脂及分開的光酸產生劑化合物 的正向化學放大型光阻劑。在比較例32及33中，未添加 另外的添加物(例如聚合物）至該第一型及第二型光阻劑。 =下文表2中，相對於全部固體之重量％係指在溶劑載劑 除外之所有組合物成分中所占之比率。 分析==;:文表2所說明的方4行浸出 93460 37

Claims (1)

1352876 ___ .· m I , 第95115195號專利申請 100年5月丨今日修正替換頁j ψ ^ y月I>h烫)正替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種用於處理光阻劑組成物之方法，包含： (a)在基材上施加光阻劑组成物展，μ ⑷、上战物層，該光阻劑组成物層 包含： ⑴一種或多種聚合物樹脂該聚合物樹脂包含一 種或多種光酸不安定基團，< (Π) —種光活性成分，及Λ (in) (a)包含一種或多種光酸不安定基團且（b)實質 參上無法與該⑴一種或多種聚合物樹脂混合之一種或多 種氟化聚合物樹脂，藉此使該（iii)一種或多種氟化聚合 物樹脂於該施加步驟的期間向該光阻劑組成物的上方 部分遷移，以及該（Hi)一種或多種氟化聚合物樹脂係與 該⑴一種或多種聚合物樹脂分開；以及 (b)使該施加後之光阻劑層溼浸暴露於用以活化該光阻 劑組成物的輻射，且相較於相同光阻劑組成物但不含該 φ (m) 一種或多種氟化聚合物樹脂者，該光阻劑組成物使 相關於溼浸曝光之溼浸流體中所偵測到的酸或有機材 料之量減少。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該（iii)一種或多 種氟化聚合物樹脂係粒子。 3. 如申請專利範圍第i項之方法，其中，該（ii〇一種或多 種氟化聚合物樹脂包含鹼水溶液_可溶性基團。 4. 如申請專利範圍第】項之方法，其中，該（Hi)一種或多 種氣化^^合物樹脂包含碎取代。 40 93460修正本 1352876 Θ年’月/4丨珍(更)正替换— --- 如=請專利範圍第！項之方法，其中， 種氟化聚合物樹脂包含光酸不安定縮酸基。 6·如申請專利範圍帛i項之方法，其卜該㈣一種或多 種氟化聚合物樹脂包含光酸不安定酯基。 7. 如申請專利範圍第！項之方法，其中，該光阻劑組成物 包含具氟醇基之化合物。
8. ^申請專利範圍第W之方法，其中，該光阻劑組成物 L含具六氟醇部分之化合物。 9·如申請專利範圍第！項之方法，其中，該光阻劑層係曝 光至具有波長193nm的;、輻射以活化光阻劑組成物。 10.如申請專利範圍第i項之方法，其中，該㈣一種或多 種氟化聚合物樹脂具有比該⑴一種或多種聚合物樹脂 更低的表面能及/或更小的流體動力體積。 1^申請專利範圍第！項之方法，其中，該光阻劑組成物 虽施加作為旋塗層時使後退水接觸角超過70度。 如申請專利範圍第W之方法，其巾，該㈣一種或多 種氟化聚合物樹脂具有比該（i) 一種或多種聚合物樹脂 更小的流體動力體積。 13. 如申請專利範圍第i項之方法，其中，該⑽—種或多 種氟化聚合物樹脂包含敦醇基。 14. 如申請專利_ 1項之方法，其中，該㈣一種或多 種氟化聚合物樹脂以流體光阻劑組成物的總重量為基 準計，以G.1至20重量百分比之量存在該光阻劑組成 物中。 93460修正本 1352876 _—_ f 卜0年y月β曰修(吏)正替換頁 該（iii)一種或多 15.如申請專利範圍第1項之方法，其中， 種氟化聚合物樹脂以該光阻劑組成物的總重量為基準 a十’以夕達1重里百分比之I存在於該光阻劑組成物中。 • 16·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該（iii) 一種或多 種氣化聚合物樹脂以該光阻劑組成物的總重量為夷準 計’以多達2重量百分比之量存在於該光阻劑組成财。 如申請專利範圍第丄項之方法，其中’該㈣一種或多 種氟化聚合物樹脂以該光阻劑組成物的總重量為基準 • 計，以多達3重量百分比之量在力私兮μ 土 里仔在於該光阻劑組成物中。
93460修正本 42
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