TWI342171B - Circuit board with embedded capacitance component and method for fabricating the same - Google Patents

Description

0705007 26514twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電路板及其製造方法，且特別是 有關於一種埋入式電容元件電路板（circuit b〇ard with embedded capacitance component)以及其製造方法。 【先前技術】 在現今的電路板技術中’目前已發展出埋入式電容元 件電路板，而這種電路板本身已具有埋入式電容元件 (embedded capacitance component)，因此埋入式電容元 件電路板可以組裝較少數量的電容元件。 圖1是習知一種埋入式電容元件電路板在組裝晶片 (chip )之後的剖面示意圖。請參閱圖1，習知的埋入式電 容元件電路板100包括二銅線路層ll〇a、ll〇b、二介電層 120a、120b、二防焊層130a、130b、一導電通孔結構 (conductive through hole structure ) 140 以及一埋入式電容 元件150，而埋入式電容元件電路板1〇〇能透過多顆焊球 S1來連接一晶片1〇。 埋入式電容元件150配置於介電層丨2〇3、i2〇b之間， 且介電層120a、120b分別覆蓋埋入式電容元件15〇的相對 二表面。銅線路層11〇。11〇1)分別位於介電層12〇3、12〇1) 上，而導電通孔結構14〇連接於銅線路層n〇a與銅線路層 110b之間。 銅線路層110a包括多條走線（trace) U2a以及多個 0705007 265I4twf.doc/i 接墊（pad) 114a，而銅線路層110b包括多條走線（tmce) 112b。防焊層i3〇a覆蓋這些走線112a，並暴露出這些接 墊U4a，而防焊層130b則覆蓋這些走線n2b。這些焊球 S1連接於這些接墊U4a與晶片10之間，以至於晶片 月&電性連接埋入式電容元件電路板。 埋入式電容元件15〇包括一上電極152a、一下電極 152b以及一陶瓷介電層154,其中上電極152a並未接觸於 下電極152b ’而陶竞介電層154配置於上電極152a與下 電極152b之間。另外，埋入式電容元件電路板1〇〇更包括 一對導電盲孔結構160a、160b，其中導電盲孔結構i60a 連接於其中一個接墊114a與上電極152a之間，而導電盲 孔結構160b連接於另一個接塾U4a與下電極152b之間。 如此，晶片10能與埋入式電容元件15〇電性連接。 關於埋入式電容元件150,其形成方法通常採用以下 步驟。首先，在厚度約為35微米的銅箔上先後印刷一層陶 瓷介電材料以及一層銅膏。由於銅箔的厚度約為35微米， 因此銅箔的質地相當柔軟。接著，將陶瓷介電材料燒結。 如此，陶瓷介電材料得以形成陶瓷介電層154，而埋入式 電容元件150得以形成。 由於銅箔的質地相當柔軟，因此，整體而言，埋入式 電容元件150的質地也是相當柔軟。倘若將埋入式電容元 件150壓合在線路板的外線路層中時，會因為埋入式電容 70件150的質地太過柔軟，以至於陶瓷介電層154難以座 落在正確的位置上，進而產生對準度太低的問題。 0705007 26514twf.doc/a 為了避免產生埋入式電容元件15〇的對準度太低之問 題，目前埋入式電容元件150都是形成在埋入式電容元; 電路板100的内線路層中（如圖！所示），而不會形成在 埋入式電容元件電路板100的外線路層（例如銅線路層 ll〇a、110b)中，因此埋入式電容元件15〇必須透過這^ 導電盲孔結構160a、160b以及這些焊球S1才能連接晶片 10。 曰曰 目前已發現晶片10與埋入式電容元件15〇之間的距 離D1越短，將有助於大幅降低雜訊的干擾，而這種情形 在尚頻汛號傳輸的技術領域中特別明顯。不過，受限於上 述埋入式電容元件150的對準度太低的問題，埋入式電容 =件150必須透過這些導電盲孔結構16〇a、16〇b以及這些 焊球S1才能連接晶片10。如何進一步地縮短晶片1〇與埋 入式電容元件150之間的距離D1，以提高埋入式電容元件 電路板100的訊號傳輸品質，是目前值得探討的議題。 【發明内容】 本發明提供一種埋入式電容元件電路板的製造方 法’其所製造出來的埋入式電容元件電路板能用來電性連 接晶片。 本發明另提供一種埋入式電容元件電路板的製造方 法’以縮短埋入式電容元件電路板與晶片之間的距離。 本發明提供一種埋入式電容元件電路板，其能用來電 性連接晶片。 0705007 26514twf.doc/n 本發明提供一種埋入式電容元件電路板的製1 法，其包括以下步驟。首先，形成一絕緣層於—内層= 基板上，其中内層線路基板具有一表面，並包括一^於 面之内線路層，而絕緣層覆蓋内線路層。接著，形二表 線路層於絕緣層上，其中外線路層包括一第一電極、—外 -電極、至少-連接第-電極之第—接塾以及至少 = 第二電極之第二接墊，而第—電極未接觸第二電極 -電極與第二電極之間存有多條溝渠。接著，形成 於外線路層與喊路層之_導電H纟靖 一介電材料於這些溝渠中。 、 在本發明之-實施例中，上述埋入 的製造方法更包括形成-防焊層，其中防焊層覆= 介電材料，且防焊層暴露第1墊與第二祕广、接觸 法L括制緣層進仃一鑽孔製程 線路層之盲孔。接著，對盲孔H域局。p暴路内 plating)。 孔進仃填孔電鑛製程（via filling 孔。在本發明之—實施例中，上述鑽孔製程包括雷射鑽 在本發明之一實施例中， 構同時形成。 外線路層與導電盲孔結 在本發明之一實施例中， 括印刷-有機介電材料於這些介電材料的方法包 " 例中’上述第—雜與第二電極皆 0705007 26514twf. doc/n 為一梳狀電極。 冰，另提供—種以式電容元件電路板的製造方 立中：：二：步驟。首先’在—基板上形成-線路層’ 二曾：巧板與—配置於承載板上之阻障層’而 ，光叫層的材質不同。線路層形成於阻障層 二雷極極與—第二電極’第—電極未接觸第 二入一人㈣祖，第二電極之間存有多條溝渠。接著， 由一锅二二：足些溝渠中。在填入介電材料之後，藉 線路A板^有^基板於—内層線路基板上方，其中内層 深路基扳具有一表面，並句扭仏士人士 線路層相餘⑽⑽⑽路層，而 ίΓ H 線路層與該内線路層之間的導電盲孔 二t接者’形成至少-連接第—電極之第—接塾盘至少 連接第-雜n墊，其中 及線路剌在輯層的—側。 ㈣接塾以 在本發明之-實施例中，上述填入介電材料的 =電=:陶究介電材料於這些溝渠内。接著，燒結4 膠 片或一樹脂層 在本發明之—實施射，上述絕緣層包括

一也Η匕玨▲ ϊ Μ Ί G 本發日狀提供—雜人容元件電触，其一 内層線路基板、-絕緣層、—外線路層、—介 —導電盲孔結構。内層線路基板具有—表面，並包括= 於表面之内線_。絕緣層配置於内線路層上。外線路^ 0705007 26514twf.d〇c/n 並包括-第-電極、-第二電極、至少 二接塾，接墊以及至少—連接第二電極之第 二電極之電極未接觸第二電極，且第—電極與第 3存有多條溝渠。介電材料配置於這些溝渠内 導電盲孔結構連接於外線路層與内祕狀間。/、° git發明之—實施例中，上述第一電極與第二電極皆 位於絕緣層與介電材料之間。 枝白 f本發明之-實施财，上述就式電容元件電路 ===防晴蓋蝴靖料，並暴露 位於防谭層與介電上衫—電極與第二電極皆 基於上述，本發明的埋入式電容元件電路板， 2與晶片之間具有較短的距離。相較於習知技術而言， ^明的埋人式電容元件電路板具有良好的訊號傳輸品 貝0 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉較佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 【第一實施例】

圖2A疋本發明第_實施例之一種埋入式電容元件電 路板的俯視示意圖，而圖2B是圖2A中的埋人式電容元件 電路板在組裝晶片後的剖面示意圖，其中圖ZB是從圖2A 0705007 26514twf.doc/n 中的線I-I剖面而得。請參閱圖2A與圖2B，埋入式電容 元件電路板200包括一内層線路基板21〇、一絕緣層22〇、 一外線路層230、一介電材料240以及一導電盲孔結構25〇。 内層線路基板210具有一表面210a，並包括一位於表 面210a之内線路層212。在其他未繪示的實施例中，内層 線路基板210更可以包括内線路層212以外的線路層。或 者，内層線路基板210亦可以僅包括内線路層212，即内 層線路基板210可以是一層線路層。絕緣層220配置於内 線路層212上，而外線路層230配置於絕緣層220上，其 中導電盲孔結構250連接於外線路層230與内線路層212 之間。 外線路層230配置於絕緣層220上’並包括一第一電 極232a、一第二電極232b、一第一接墊234a以及一第二 接墊234b，其中第一接墊234a連接第一電極232a，而第 二接墊234b連接第二電極232b，其中第一電極232a未接 觸第二電極232b。 第一電極232a與第二電極232b可以皆為梳狀電極， 而第一電極232a與第二電極232b之間存有多條溝渠T1， 其中介電材料240配置於這些溝渠τι内。介電材料24〇、 第一電極232a與第二電極232b能構成一電容元件c 1，而 第一電極232a與第二電極232b可以皆位在絕緣層220與 介電材料240之間。 第一接墊234a與第二接墊234b能藉由多個焊料塊S2 (圖2B僅繪示一個）連接一晶片2〇或是其他電子元件（例 1342171 0705007 26514twf.doc/n 如被動元件），其中焊料塊S2例如是焊球。由於第一接 墊234a與第二接墊234b分別連接第—電極23%與第二電 極232b，因此晶片20可以僅透過第—接墊23牝、第二接 墊234b以及這些焊料塊S2來連接電容元件。相較於習 知技術而言（可參閱圖丨），晶片2〇與電容元件C1之間 存有較短的距離D2。因此，埋入式電容元件電路板2〇〇 具有良好的訊號傳輸品質’且適合制在高頻訊號傳輸的 技術領域中。 在本實施例中，埋入式電容元件電路板2⑻更包括一 防焊層260。防焊層260覆蓋並接觸介電材料24〇，以保護 電容元件c卜此外，防烊層260暴露第—接墊234a與第 一接墊234b，以使第一接塾234a以及第二接整234b能夠 連接晶片20。 圖2C是本發明第一實施例之另—種埋入式電容元件 電路板的俯視示意圖。請參閱圖2C，埋入式電容元件電路 板200’與埋入式電容元件電路板200二者剖面結構大體相 同，而埋入式電容元件電路板200’包括一外線路層23〇,。 外線路層230’包括一第一電極232a’、一第二電極 232b’、多個第一接墊234a以及多個第二接墊234b。針對 不同的電路設計與產品需求，第一電極232a，可以連接這 些第接塾234a，而第二電極232b’可以連接這班ί第二接 墊234b。因此，在本發明中，埋入式電容元件電路板可以 包括一個或多個連接第一電極的第一接墊，以及一個或多 個連接第二電極的第二接墊。 12 1342171 0705007 26514twf.doc/n 以上僅介紹本實施例之埋入式電容元件電路板2 〇 〇與 200,的結構，接下來將以圖2B所示的埋入式電容元件電^ 板200為例，並配合圖3A至圖3G，以詳細介紹本實施例 之埋入式電容元件電路板200的製造方法。 、 圖3A至圖3G疋圖2B中埋入式電容元件電路板的製 造方法之流程示意圖。請參閱圖3A，有關埋入式電容元件 電路板200的製造方法’首先，形成絕緣層22〇於内層線 路基板210上’其中絕緣層220覆蓋内層線路基板21〇的 内線路層212,而絕緣層220可以是樹脂層或半固化膠片。 請參閱圖3B ’接著’對絕緣層220進行一鑽孔製程， 以形成一局部暴露内線路層212之盲孔B1，其中鑽孔製程 可以是雷射鑽孔或其他適當的鑽孔製程。在形成盲孔B1 之後，可以將絕緣層220的表面220a粗糙化，並且進行去 膠渣製程，以清潔盲孔B1所暴露的部分内線路層212。 清參閱圖3C，接者，可以形成一遮罩層270於絕緣 層220上，其中遮罩層270局部覆蓋表面22〇a。在形成遮 罩層270之前’可以用無電電鑛法來形成一厚度很薄的電 鑛種子層（未繪示）於絕緣層220的表面220a上以及盲孔 B1中。此外，遮罩層270可以是溼式光阻或是乾膜（dry film)。 請參閱圖3D，接著，形成外線路層23〇於絕緣層22〇 上，其中外線路層230包括第一電極232a、第二電極232b、 第一接塾234a以及第一接塾234b (請參考圖2A )。 由於在形成遮罩層270之前，可以用無電電鍍法來形 13 0705007 26514twf.d〇c/i 成電鍰種子層’因此’藉由該電鍵種子層，外線路層23〇 可以利用電鍍法來形成。此外，透過遮罩層27〇，外線路 層230所包括的第一電極232a與第二電極232b皆可為梳 狀電極（請參考圖2A)。 除了形成外祕層230之外，亦形錢接於外線路屬 23〇與内線路層212之間的導電盲孔結構25〇。在本實施例 中’形成導電盲孔結構，的方法可以是對盲孔m進行 填孔電鑛製程，而藉由前述的電鑛種子層，導電盲孔結構 250可以與外線路層230同時形成。 請參閱圖犯與圖3E，接著，全面性地移除遮罩層 270’以使第-電極232a與第二電極挪之間形成這些溝 渠T1。在全面性地移除遮罩層270之後，可以對外線路層 230進行微蝕刻（micro-etching)，以使第—電極232^ 會與第二電極232b直接電性接觸而造成短路。 請參閱圖3F，接著，填入介電材料24〇於這些溝渠 T1中’其中填入介電材料240的方法可以是印刷一有機^ 電材料於這些溝渠T1心此外’印刷該有機介電材料的 方式可以是鋼板印刷、絲板印刷或其他網印的方式。在填 入介電材料24G之後，基本上-種埋人式電容元件電路板 2〇〇以製造完成。 請參閱圖3G，接著，形成覆蓋介電材料24〇的防焊 層260，其中防焊層260更與介電材料24〇接觸，並暴露 第一接墊234a與第二接墊234b (請參考圖2A)。此外， 圖3G所示的防焊層260之類型為防焊層定義（s〇lder Mask 1342171 0705007 26514twf.doc/n

Define，SMD)，但是在其他未繪示的實施例中，防焊層 260之類型亦可以為非防焊層定義（N〇n_s〇ider Mask Define, NSMD )。 【第二實施例】 圖4是本發明第二實施例之一種埋入式電容元件電路 板的的剖面示意圖。請參閱圖4，本實施例的埋入式電容 元件電路板300亦包括一内層線路基板310、一絕緣層 320、一外線路層330、一介電材料340、一導電盲孔結構 350以及一防焊層360，而外線路層330包括第一電極 332a、第二電極332b、第一接墊334a以及第二接墊（未 繪示）’其中介電材料340、第一電極332a與第二電極332b 能構成一電容元件C2。 埋入式電容元件電路板3〇〇的結構、功效與功能皆與 前述實施項相似，而且以方向V觀看埋入式電容元件電路 板300所得到的俯視示意圖與圖2A、2C大體相同。也就 是說’在本實施例中，當從方向V觀看埋入式電容元件電 路板300時，可以發現第一電極332a與第二電極33沘皆 為梳狀電極。 有關本實施例與第一實施例相同及相似的特徵，以下 不再贅述，而二者差異之處在於：第一電極332a與第二電 極332b皆位於防焊層360與介電材料34〇之間，且第一電 極332a與第二電極332b可以被防焊層360以及介電材料 340所包覆。 圖5A至圖5M是圖4中埋入式電容元件電路板的製 15 0705007 26514twf.doc/n 造方法之流程示意圖。請參閱圖5A，有關埋入式電容元件 電路板300的製造方法’首先，提供一基板4〇〇，其包括 一承載板410與一阻障層420，而阻障層42〇配置於承載 板410上。承載板410的材質與阻障層42〇的材質不同， 其中阻障層420的材質可以是鎳、錫或是其他非銅的金 屬，而承載板410的材質可以是鋼或|呂。 請參閱圖5B，接著，可以形成一遮罩層37〇於阻障 層420上，其中遮罩層370局部覆蓋阻障層42〇的表面 420a。在形成遮罩層370之前’可以先對表面42〇a粗糙化， 接著用無電電鍍法來形成一厚度很薄的電鍍種子層（未繪 示）於表面420a上。此外，遮罩層37〇可以是溼式光阻^ 是乾膜。 請參閱圖5C，接著，在一基板4〇〇上形成—線路層 330|，其中線路層330,是形成於阻障層42〇上，而線路^ 330’包括一第一電極332a與—第二電極33汾。此外，線 路層330’可以利用電鍍法來形成。 °月參閱圖5C與圖5D，接著，全面性地移除遮罩層 3J0 ’以使第一電極332a與第二電極332b之間形成多條^ 渠T2。 請參閱圖5E，接著，填入介電材料34〇於這些溝渠 T2中，其中填入介電材料34〇的方法可以包括以下步驟。 首先，印刷一陶瓷介電材料於這些溝渠T2内。接著，燒 結該陶究介電㈣，⑽齡電材料。由此可知，^ 電材料340可以是由陶究介電材料所形成。此外，印刷該 1342171 0705007 26514twf.doc/n 陶究介電材料的方式可以是鋼板印刷、絲板印刷或其他網 印的方式。 請參閱圖5F ’在形成介電材料34〇之後，藉由絕緣層 320’壓合基板400於内層線路基板31〇上方，其中絕緣層 320可以是半固化膠片或樹脂層。内層線路基板31〇具有 一表面310a，並包括一位於表面31〇a之内線路層312，且 線路層330’相對於内線路層312。 請參閱圖5F與圖5G，接著，移除承載板410，其中 移除承載板410的方法可以採用蝕刻製程，例如是溼式蝕 刻製程。由於承載板410的材質與阻障層420的材質不同， 因此當移除承載板410的方法是採用溼式蝕刻製程時，可 以，用能蝕刻承載板41〇，但卻難以蝕刻阻障層42〇的蝕 刻藥液。如此，阻障層42〇可以保護線路層33〇，以避免被 蝕刻藥液所損傷。此外，由於阻障層420的材質可以是鎳、 錫或是其他非銅的金屬，而承載板41〇的材質可以是銅或 鋁，因此上述蝕刻藥液可以選用鹼性蝕刻液。 s月參閱圖5G與圖5H，接著，移除阻障層420，其中 2阻障層420的方法可以採祕刻製程，例如是渔式餘 刻製程。在全面性地移除阻障層420之後，可以對線路層 =〇進行微蝕刻’以使第一電極332a不會與第二電極332b 直接電性接觸而造成短路。 、，請參閱圖51，接著，對絕緣層32〇進行一鑽孔製程， 以形成—局部暴露内線路層312之盲孔B2,其中該鑽孔製 程可以為雷射鑽孔。 八 17 1342171 0705007 26514twf.doc/n 請參閱圖5J，之後，對盲孔B2進行填孔電鎮製程， 以形成一連接於線路層330,與内線路層312之間的^亡 孔結構350，其中該填孔電鍍製程包括無電電鍵法以及^ 鑛法。 請參閱圖5K，之後，可形成材質與遮罩層37〇 的遮罩層獅’其中遮罩層覆蓋絕緣層挪與 料34〇，並且暴露出導電盲孔結構35〇。 請參閱圖5L’之後，形成至少—連接第—電極迪 之第一接墊334a以及至少一連接第二電極332b之第二接 整（未繪示），其中第一接塾334a、第二接塾以及線:層 330’同在絕緣層320的一側。 請參閱圖5L與圖5M，接著，全面性地移除遮罩層 =〇。如此，基本上一種埋入式電容元件電路板3〇〇已製造 几成。此外，在本實施例中，更可以形成防焊層36〇，其 中防焊層360覆蓋並接觸介電材料34〇，且防焊層36〇暴 路第一接墊334a與第二接墊’以使埋入式電容元件電路板 3〇〇能連接電子元件，其例如是被動元件或晶片。 綜上所述，本發明能使晶片僅透過多個接墊（例如第 ―、一接墊）以及焊料塊來連接埋入式電容元件電路板的 電谷元件。相較於習知技術而言，本發明能大幅縮短晶片 與電容元件之間的距離。因此，本發明的埋入式電容元件 電路板具有良好的訊號傳輸品f，並適合朗在高頻訊號 傳輸的技術領域中。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 0705007 26514twf.doc/n 限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不 脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。 【圖式簡單說明】 圖1是習知一種埋入式電容元件電路板在組裝晶片之 後的剖面示意圖。 圖2A是本發明第一實施例之一種埋入式電容元件電 路板的俯視示意圖。 圖2B是圖2A中的埋入式電容元件電路板在組裝晶片 後的剖面示意圖。 圖2C疋本發明第一實施例之另一種埋入式電容元件 電路板的俯視示意圖。 圖3A至圖3G是圖2B中埋入式電容元件電路板的製 造方法之流程示意圖。 圖4是本發明第二實施例之一種埋入式電容元件電路 板的的剖面示意圖。 圖5A至圖5M是圖4中埋入式電容元件電路板的製 造方法之流程示意圖。 【主要元件符號說明】 10、20 :晶片 100、200、200’、300 :埋入式電容元件電路板 1342171 0705007 26514twf.doc/n 110a、110b :銅線路層 114a :接墊 130a、130b、260、360 : 140 :導電通孔結構 152a :上電極 154 :陶瓷介電層 112a、112b :走線 120a、120b :介電層 防焊層 150 :埋入式電容元件 152b :下電極

160a、160b、250 ' 350 :導電盲孔結構 210、310 :内層線路基板 210a、220a、310a、420a :表面 212、312 :内線路層 220、320 :絕緣層 234b :第二接蝥

410 :承載板 Bl、B2 :盲子L Dl、D2 :距離 S2 :焊料塊 V :方向 230、230’、330 :外線路層 232a、232a’、332a :第一電極 232b、232b’、332b :第二電極 234a、334a :第一接墊 240、340 :介電材料 270、370、380 :遮罩層 400 :基板 420 :阻障層 Cl、C2 :電容元件 S1 :焊球 ΤΙ、T2 :溝渠 20

Claims (1)

1342171

〆!〜 99-12-16 十、申請專利範圍： 1. -種埋人式電容元件電路板的製造方法，包括： =-：緣層於一内層線路基板上’其中該内層線路 基板具有-表面’並包括-位於絲面之 絕緣層覆蓋該内線路層； ~ 一二一外=層於該絕緣層上，其中該外線路層包括 -第-電極第—電極、至少—連接該第—電極之第一 接墊以及至少-連接該第二電極之第二接塾，該第一電極 第二_ ’且該第一電極與該第二電極之間存有 形成-連接於該外線路層與該㈣ 盲孔結構，其中該外線路層與該導電盲孔結構同時形成； 以及 填入一介電材料於該些溝渠中。 2. 如申請專利範圍第！項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法’更包括形成—防焊層，其中該防焊層覆 蓋並接觸該介電材料，且雜焊縣露該第—接塾盘該第 二接墊。 … 3. 如申請專利範圍第1項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法’其切成料tf孔結構的方法包括： 對該絕緣層進行一鑽孔製程，以形成一局部暴露該内 線路層之盲孔；以及 對該盲孔進行填孔電鍍製程（viafillingplating)。 4. 如申吻專利範圍第3項所述之埋入式電容元件電 21 1342171 99-12-16 路板的製造方法，其中該鑽孔製程包括雷射鑽孔。 5. 如申請專利範圍第1項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法’其中填入該介電材料的方法包括印刷一 有機介電材料於該些溝渠内。 6. 如申請專利範圍第1項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中該第一電極與該第二電極皆為一梳 狀電極。 7. —種埋入式電容元件電路板的製造方法，包括： 在一基板上形成一線路層，其中該基板包括一承載板 與一配置於該承載板上之阻障層，該承載板的材質與該阻 障層的材質不同，該線路層形成於該阻障層上，並包括一 第一電極與一第二電極，該第一電極未接觸該第二電極， 且該第一電極與該第二電極之間存有多條溝渠； 填入一介電材料於該些溝渠中； 在填入該介電材料之後，藉由一絕緣層，壓合該基板 於一内層線路基板上方，其中該内層線路基板具有一表 面’並包括一位於該表面之内線路層，該線路層相對於該 内線路層； 依序移除該承載板與該阻障層； 升>成一連接於該線路層與該内線路層之間的導電盲 孔結構；以及 形成至少一連接該第一電極之第一接墊與至少一連 接該第二電極之第二接墊，其中該第一接墊、該第二接墊 以及該線路層同在該絕緣層的一側。 8. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 22 1342171 99-12-16 路板的製造方法，更包括形成一防焊層，其中該防焊層覆 蓋並接觸該介電材料，且該防焊層暴露該第一接墊與該第 二接墊。 9. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中該阻障層的材質包括鎳或錫。 10. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中填入該介電材料的方法包括： 印刷一陶瓷介電材料於該些溝渠内；以及 ® 燒結該H介電材料。 11. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中移除該承載板與該阻障層的方法包 括钱刻製程。 12. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中該絕緣層包括一半固化膠片或一樹 脂層。 13. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 φ 路板的製造方法，其中形成該導電盲孔結構的方法包括： 對該絕緣層進行一鑽孔製程，以形成一局部暴露該内 線路層之盲孔；以及 對該盲孔進行填孔電鍍製程。 14. 如申請專利範圍第13項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中該鑽孔製程為雷射鑽孔。 15. 如申請專利範圍第7項所述之埋入式電容元件電 路板的製造方法，其中該第一電極與該第二電極皆為一梳 狀電極。 23 1342171 99-12-16 16. —種埋入式電容元件電路板，包括： 一内層線路基板，具有一表面，並包括一位於該表面 之内線路層； 一絕緣層，配置於該内線路層上； 一外線路層，配置於該絕緣層上，並包括一第一電 極、一第二電極、至少一連接該第一電極之第一接墊以及 至少一連接該第二電極之第二接墊，其中該第一電極未接 觸該第二電極，且該第一電極與該第二電極之間存有多條 •溝渠； 一介電材料，配置於該些溝渠内； 一導電盲孔結構，連接於該外線路層與該内線路層之 間；以及 一防焊層，該防焊層覆蓋並接觸該介電材料，並暴露 該第一接墊與該第二接墊，其中該第一電極與該第二電極 皆位於該防焊層與該介電材料之間。 17. 如申請專利範圍第16項所述之埋入式電容元件電 • 路板，其中該第一電極與該第二電極皆為一梳狀電極。 24 1342171 99. 12.16 ”年卜月心日修正替換頁 -----^ - ….的τ .. · Μ I - ' 1. · 230 -A-

26514TW.M 圖2A 200

圖2B 1342171 矜年,日修也正替換頁 99-12-16 七、指定代表圖： (一） 本案之指定代表圖：圖2B (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 20 .晶片 210a、220a :表面 220 :絕緣層 232a :第一電極 234a :第一接墊 240 :介電材料 260 :防焊層 D2 :距離 T1 :溝渠 200 :埋入式電容元件電路板 210 :内層線路基板 212 :内線路層 230 :外線路層 232b :第二電極 234b :第二接墊 250 :導電盲孔結構 B1 :盲孔 S2 :焊料塊 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式：無 4