TWI298401B - Thin film transistor device and method of manufacturing the same, thin film transistor substrate and display having the same - Google Patents

Description

1298401 玖、發明說明： 【明所屬領 1.發明領域 5 本發明係有關一種具有薄膜電晶體（其後亦稱為 TFTs )整合於其上之薄膜電晶體基材（其後亦稱為“tft 基材”），以及一種具有該薄膜電晶體基材之顯示器，更特 定而言，係有關一種TFT基材，其上係整合利用由多结晶 矽（多晶矽）或其類似物之半導體薄膜的TFTs，以及一種具 有該基材之顯示器。 10 2·相關技藝描述 15 TFT基材係使用作為用於驅動作用基質液晶顯示器 面板與EL(電致發光)顯示器面板的基材。近來，具有高 電子移動度之多晶石夕係用於半導體層，以不僅是整合用 於像素之TFTs，且是整合在TFT基材上之周圍電路的閘 極驅動器電路與資料驅動器電路。 在該等情況中，利用TFTs之驅動器電路一般係由以 η-型與p-型電晶體之組合之互補m〇S(CMOS)電晶體所 構成。η-型TFTs通常係形成有低密度雜質區域之lDDs (些微摻雜極），以抑制因熱載子現象之特性的衰減（其後 稱為“熱載子衰減”)以及洩漏電流的發生。 以下將參照第12A至13C圖描述製造使用於液晶顯 示器面板之TFT基材之TFTs的方法(相關技藝之第一實 例），其中一驅動器電路係由CMOS電晶體所構成，且其 5 1298401 中n-型TFT係设有一 LDD結構。在第i2A至13C圖 中，一η-型TFT與一 p-型TFT係分別顯示在圖式的左側 與右側。 如第12A圖所示，一 Si〇2薄膜係首先在一由玻璃製 5 成之透明絕緣基材101上形成約80 nm的厚度，以提供 一阻擋層102。其後，使用電漿cVD法形成一不定形矽 薄膜，而該不定形矽係接著藉由以激光雷射加以退火而 、、、。曰曰，以形成具有約50 nm厚度之多晶石夕半導體層1〇3。 I1 返後δ亥半V體層103係被圖案化，以形成類島形半導 10體層103a與103b。接著，一 Si02薄膜係在該半導體層 103a與l〇3b上形成約1〇〇 nm的厚度，以提供一閘極絕 緣薄膜104。隨後，形成一具有約4〇〇nm厚度之&薄膜， 而後將其形成圖案，以提供閘極電極1〇%與1〇5b。 如第12B圖所示，一光阻係接著被塗佈並加以圖案 15 化，以形成一光阻罩模Ri〇6,使得其係覆蓋一區域，以 變成η·型TFT與閘極電極之LDDs。隨後，使用該光阻 罩模R106作為-餘刻罩模進行餘刻，以开》成問極絕緣薄 膜104a與104b。，TFT之閘極絕緣薄膜购與閑極 電極係形成類步階狀。其後，光阻罩模R106係被 20 去除。 如第12C圖所示，一光阻係接著被塗佈並加以圖案 化，以形成一光阻罩模R1〇7，使得其就整體而言係覆蓋 p-型TFT。酼後，諸如磷之雜質係使用光阻罩模、 間極電極105a以及閑極絕緣薄膜购作為罩模，而在 6 1298401 低加速度與高劑量（即，例如分別為1〇 keV與〗χ i〇ls cm )下被植入，以形成在半導體層内之卜型tft的源極 與汲極區域1031。隨後，諸如磷之雜質係使用光阻罩模 R107與閘極電極心作為罩模，而在高加速度與低劑量 5 (即，例如分別為90 KeV與5 X HP cm·2)下被植入穿過 閘極絕緣薄膜lG4a，以形成LDD區域順。就諸如麟 之雜質的第-次植人而言，雖録質必須以大量植入源 極與汲極區域内，由於閘極絕緣薄膜1〇4a已被去除以不 留下干擾，因此，其係以低加速度與高劑量而植入。就 1〇諸如磷之雜質的第二次植入而言，由於目的在於形成 LDDs，而不需大量植入雜質，然而，由於雜質必須植入 穿過閘極絕緣薄膜104a,因此，植入下在高加速度且低 劑量下進行。由於閘極電極1〇%在兩次諸如磷之雜質的 植入係使用作為罩模，因此，諸如磷之雜質並未植入一 15通道區域1033内。光阻罩模R107係在其後加以去除。 隨後，如第13A圖所示，一光阻係被圖案與圖案化， 以形成一光阻罩模Rl08，使得其就整體而言係覆蓋該n_ 型TFT。隨後，諸如硼之雜質係使用光阻罩模R1〇8、閘 極電極105b作為罩模，而在預定加速度能量與預定劑量 20 (即，例如分別為10 keV與1 X 1〇15 cm.2)下被植入，以形 成在半導體層内之p-型TFT的源極與汲極區域1〇35。由 於閘極電極105b係作為一罩模，諸如硼之雜質並未植入 一通道區域1036内。光阻罩模R1〇8其後係被去除。 隨後，如第13B圖所示，諸如磷與硼之植入的雜質 1298401 係藉由將其等以激光雷射加以照射而活化。雖然n_型TFT 之源極與沒極區域職與p-型TFT之源極與没極區域 103曰5係在未有干擾下，以激光雷射加以照射，必須注意 的是，LDD區域1032係經由閘極絕緣薄膜购而被激 5 光雷射照射到。 隨後，如第13C圖所示，-SiN薄膜係形成具有約 300 nm的厚度，以提供—層絕緣薄膜1〇9，以及設置在 該層絕緣薄膜109内之接觸孔。一 M〇薄膜係形成具有約 300 nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線11〇。因此， 10 係完成n-型TFT與p-型TFT。儘管未示出，一保護薄膜 與像素電極係被形成，以完成TFT基材。 在大多數的情況中，如第12A至13C圖所示，卜型 TFT之閘極電極i〇5a與閘極絕緣薄膜1〇4a係以步驟形 態來處理，植入係使用閘極電極1 與閘極絕緣薄膜 15 104a作為罩模而在低加速度與高劑量下執行，以形成源 極與汲極區域；且植入係使用閘極電極1〇5a作為罩模而 在高加速度與低劑量下執行穿過閘極絕緣薄膜1〇4a，以 形成LDD區域。雖然第12A至13C圖係顯示p-型TFT 未具有LDD區域之結構，然而，化型TFT之閘極電極1〇5b 20 與閘極絕緣薄膜104b可亦在步驟形態中被處理，以形成 LDD區域。 以下將參照第14A至15C圖描述製造使用於液晶顯 示器面板之TFT基材的方法(相關技藝之第二實例），其 中一單基材係形成有構成一部分驅動器電路、用於驅動 8 1298401 液晶之鬲壓的像素TFTs，以及一部分驅動器電路之用於 可高速操作之低壓的TFTs。第14A至15C圖係例示說明 製造一 η-型TFT的方法。在第14A至uc圖中，用於低 壓之TFT與用於高壓之TFT係分賴*在圖式的左側與 5 右側。 如第14A圖所示，一 Si〇2薄膜係首先在一由玻璃製 成之透明絕緣基材201上形成約80 nm的厚度，以提供 一阻擋層202。其後，使用電漿CVD法形成一不定形矽 薄膜，而該不定形矽係接著藉由以激光雷射加以退火而 1〇 結晶，以形成具有約50 nm厚度之多晶矽半導體層2〇3。 隨後，該半導體層2〇3係被圖案化，以形成類島形半導 體層203a與203b。 如第14B圖所示，一 si〇2薄膜係接著在該半導體層 203a與203b上形成約30 nm的厚度，以提供一用於低壓 15之TFT的閘極絕緣薄膜204。隨後，形成一具有約4〇〇 nm 厚度之Cr薄膜，而後將其形成圖案，以提供用於低壓之 TFT的閘極電極205a與閘極絕緣薄膜2〇4a。因此，閘極 絕緣薄膜204a與閘極電極205a係僅形成在用於低壓之 TFT 上 ° 20 隨後，如第14C圖所示，一 Si〇2薄膜形成穿過基材 至約iOOnm的厚度，以提供用於高壓之TFT的閘極絕緣 薄膜206。隨後，一 Cr薄膜係形成約4〇〇nm的厚度並形 成圖案，以提供用於高壓之TFT的閘極電極2〇7b。因此， 該用於咼壓之TFT係形成有閘極電極2〇7b。用於低壓之 9 1298401 TFT之閘極絕緣薄膜204a的厚度係相當小，而用於高壓 之TFT之閘極絕緣薄膜2〇6的厚度係相當大。 &後’一光阻係接著被塗佈並形成圖案，以形成一 光阻罩模。該閘極絕緣薄膜206係接著使用該光阻罩模 5作為一蝕刻罩模而加以蝕刻，如第15A圖所示。該閘極 、、邑緣薄膜206係被蝕刻，使得其變得比用於高壓之TFT 之閘極電極2〇7b為寬，且使得其係僅殘留在用於高壓之 TFT的區域内。其後該光阻罩模係被去除。在此階段中， 閘極電極2〇7b與閘極絕緣薄膜2〇6b係在用於高壓之TFT 10 上形成類步階狀。 隨後，諸如磷之雜質係使用閘極電極2〇5a、閘極電 極207b以及閘極絕緣薄膜2〇6b作為罩模，而在低加速 度與高劑量（即，例如分別為⑺⑽與i χ 1〇15cm-2)下被 植入，以形成用於低壓之TFT的源極與汲極區域以 15 及用於鬲壓之TFT的源極與汲極區域2035。隨後，諸如 磷之雜質係使用閘極電極205a以及閘極電極2〇7b作為

罩权，而在高加速度與低劑量（即，例如分別為9〇 KeV 與5 X 1〇13 cm2)下被植入穿過閘極絕緣薄膜2〇讣而進入 半導體層203b，以形成用於高壓之TFT的LDD區域 2〇 2036。 雖然在諸如磷之雜質的首次植入時，源極與汲極區 域必須摻雜大量的雜質，然而，由於閘極絕緣薄膜2〇6 已被去除而未留下干擾，因此，植入係在低加速度與高 劑量下進行。 10 1298401 相反地，在諸如磷之雜質的第二次植入時，雖然由 於欲形成LDDs，而不需大量植入雜質，然而，由於雜質 必須植入穿過閘極絕緣薄膜206b，因此，植入係下在高 加速度且低劑量下進行。由於閘極電極205a與2〇7b在 5 兩次諸如磷之雜質的植入係使用作為罩模，因此，諸如 磷之雜質並未植入通道區域2032與2037内。 儘管未顯示於第14A至15C圖，由於諸如驅動器之 周邊電路一般係由CMOS電晶體所構成，因此，需要將 諸如磷之雜質植入TFTs (包括像素TFTs)，以在以一光阻 10 罩模覆蓋變成P-型TFTs之TFT後變成卜型TFTs，以及 需要將諸如棚之雜質植入TFTs，以在以一光阻罩模覆蓋 變成η-型TFTs之TFT後變成p-型TFTs。 隨後，如第15B圖所示，諸如磷與硼之植入的雜質 係糟由以激光雷射照射而加以活化。儘管由於未留下干 b 擾，用於低壓之TFT的源極與沒極區域2031以及用於高 壓之TFT的源極與沒極區域2035係以雷射光直接照射， 必須注意的是，LDD區域2036係經由該閘極絕緣薄膜 206b而被雷射光照射。 隨後，如第15C圖所示，一 SiN薄膜係形成具有約 20 300 nm的厚度，以提供一層絕緣薄膜2〇8，以及設置在 該層絕緣薄膜208内之接觸孔。一]vio薄膜係形成具有約 300 nm的厚度並加以圖案化’以提供佈線209。因此， 係完成用於低壓之TFT與用於高壓之TFT。儘管未示出， 一保護薄膜與像素電極係被進一步形成，以完成TFT基 11 1298401 材。 如上所述，在用於高壓之TFT中，比閘極電極2〇凡 寬之閘極絕緣薄膜206b係設置在半導體層203b上，以 形成一類似於相關技藝之第一實例的步階結構。因而彤 5 成LDD區域2036。在用於低壓之TFT中，由於閑極電 極205a與閘極絕緣薄膜204a係具有相同的寬度，因而 未形成LDD區域。 JP-A-2001-168346係揭露一種技術，其中雜質係植入 兩次，提供-LDD結構，且其中使用作為罩模之閘極電 10 極的尺寸在第一與第二次之植入間係依據LDD之長度而 改變。使用金屬氧化或乾式蝕刻來改變使用作為罩模之 閘極電極的尺寸，並提供一精細的光阻，以允許閘極電 極以高精確度進行乾式蝕刻。然而，使用此一技術係會 產生一問題，即，由於未使用罩模來改變閘極電極之尺 15 寸，因此，係不易控制LDD的長度。 JP-A-2000_36598係揭露一種技術，其中具有不同 LDD結構之TFTs係同時製造在該相同的基材上。根據該 公開案，一高耐熱Ta薄膜或一以Ta為主之薄膜係使用 作為一佈線材料，其係進一步以一保護層加以覆蓋。此 20 允許在高溫之熱處理，且該保護薄膜係使用作為一蝕刻 終止層，以提供具有以利用在周邊電路之區域内之側壁 之自行對準法所形成之LDD結構的TFTs以及提供具有 以利用在像素基質之區域内之絕緣器之非自行對準法所 形成之LDD結構的TFTs。除了上述所提之技術揭露外， 12 1298401 該公開案係指出刻—閘極絕緣薄膜的需求，此乃由於 用於在形成閘極電極前，以適於周邊驅動電路之小的 厚度將閘極絕緣薄膜形成在整個表面，以及用於再度形 成閘極絕緣帛膜’使得其在像素基質域具有較大厚度 5之需求的緣故。由於在將一絕緣薄膜形成在問極電極並 以光阻覆蓋像素基質區之區域，以變成ldDs後，間 極、、、邑緣薄膜係進行非等向性姓刻，具有大LDD長度之 LDDs係使用罩模整合而形成在像素基質區内，而使用側 壁之自行對準的LDDs係形成在電路區域内。然而，不 10 可能選擇性地形成不具LDD之TFTs。 再者’ JP-A-9-191111揭露了一種製造半導體元件的 方法’其特徵在於，其具有一將n_通道型薄膜電晶體與 p-通道型薄膜電晶體整合地製造在相同基材上之步驟，一 多孔性陽極氧化物薄膜係選擇性地形成在一由可在相同 15 步驟内被陽極化之材料所製成之閘極電極的側面上，一 添加使用陽極氧化物薄膜作為罩模而賦予n_型性質之雜 質的步驟，一去除該陽極氧化物薄膜之步驟，一添加使 用該閘極電極作為罩模而賦予n_型性質，以將LDD區域 形成在陽極氧化物薄膜存在之區域下方之雜質的步驟， 20 以及一添加賦予p-型性質之雜質同時選擇性地罩模化變 成η-通道型薄膜電晶體之區域的步驟。根據該公開案之 技術，係需要陽極化該閘極電極。再者，所有的TFTs係 形成有具有相同長度之LDDs，且其係不可能選擇性地形 成不具有LDD之η·型TFTs。 13 1298401 如參照相關技藝之第一實例所述者，根據製造一 TFT 基材的方法(其中LDD係藉由以步驟型態形成一半導體 層與一閘極絕緣薄膜而形成），一 TFT基材的整個表面通 常係以激光雷射來照射，以活化已在低溫下被導入之雜 5 質。同時閘極絕緣薄膜104a係形成在該LDD區域1032 上，未有閘極絕緣薄膜形成在源極與汲極區域1〇31與 1035上。因此，由於光學干涉效應，;lDD區域1〇32所 貫際吸收之能罝係不同於源極與汲極區域1⑽1與1035 所吸收者，此導致一問題，即，不易將用於活化之能量 10加以最佳化的問題。再者，TFT放能之改良已導致較薄 之閘極絕緣薄膜的趨勢。當閘極絕緣薄膜1〇4a變薄，在 源極與汲極區域1〇31與1〇35摻雜雜質時，其變得較不 易軍模化雜質離子。因此，_部分之雜f離子亦植入

LDD 15區域1〇32，其導致一問題，即，其變得難以控制在LDD 區域1032内之雜質的密度，來獲取一低密度。 如參照相關技藝之第二實例所述之製造TFT基材的 方法，除了相關技藝之第一實例的問題外，尚具有下列 問題。驗低壓之TFT的閘極絕緣薄膜2〇4係再度形成 2〇在用於w壓之TFT的半導體層2嶋上，而其後閘極絕緣 薄膜2〇4係經由钱刻加以去除。由於㈣一般係為乾式 蝕刻，用於高壓之TFT❸半導體層加％係非常容易受到 餘亥〗之電漿損害。此導致一問題，即，用於高壓之 的特性與可靠度係受會降低。至於用於低壓之TFT，由 於間極電極205a與閘極絕緣薄膜2〇如係具有相同的寬 14 1298401 度，由於在製造程序中殘留在閘極絕緣薄膜204a之側壁 上的少量雜質或污染的離子，一洩漏電流係可能在閘極 電極205a與半導體層203a (源極與沒極區域2031與通道 區域2032)間流動。再者，由於用於低壓之TFT的閘極絕 5 緣薄膜204a係具有較小的厚度，因此，此一趨勢在用於 低壓之TFT係更明顯。此導致一問題，即，用於低壓之 TFT的可靠度亦被降低。 再者，在未來，為了將具有較高功能之電路負載至 與周邊電路整合之TFT基材上，構件可能藉由將其等通道 10 長度降低而變小，以增加邏輯電路區域與訊號處理電路 區域的操作速度，因而即使是形成n_STFTs，LDDs亦可 能被排除。為此目的，一低操作電壓必須藉由使邏輯電 路區域與訊號處理電路區域之TFTs之閘極絕緣薄膜的厚 度’比需要稍為高壓（例如，在1〇 V至30 V範圍）之像素 15 TFTs的厚度來得小，以獲取液晶或El驅動或在直接驅動 像素TFTs之驅動器電路的一部分内的液晶或EL驅動。理 由是，閘極絕緣薄膜之厚度的降低係允許一臨界電壓， 故可增加操作電壓，且因此可在不增加通道長度或不形 成LDDs下’抑制因熱載子所導致的衰減。 20 【明内】 發明概要 本發明之一目的在於提供一種具有良好特性與高可 罪度之薄膜電晶體裝置，其製造方法，以及一種薄膜電 晶體基材與具有其之顯示器。 、 15 1298401 本發明之上述目的係藉由一種製造薄膜電晶體裝置 之方法加以獲得，其特徵在於具有下列步驟：將具有預 定構形之一半導體層形成在一基材上，將一閘極絕緣薄 膜形成在該半導體層上，將一金屬薄膜形成在該閘極絕 5 緣薄膜上’將該金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為第 一導電型之薄膜電晶體之源極與汲極區域的區域内之半 導體層上的金屬薄膜，藉由將第一導電型之雜質植入使 用该圖案化之金屬薄膜作為一罩模的半導體層内而形成 薄膜電晶體之源極與汲極區域，藉由將該圖案化之金屬 10 薄膜進一步圖案化而形成第一導電型之薄膜電晶體的閘 極電極，以及藉由將第一導電型之雜質植入使用該第一 導電型之薄膜電晶體之閘極電極作為一罩模的半導體層 内而將一低密度雜質區域形成在第一導電型之薄膜電晶 體的源極與汲極區域以及通道區域之間。 15 圖式簡單說明 第1圖係顯示用於執行本發明之一模式之液晶顯示 器的構造； 第2A至2C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執仃本發明之模式之實關丨之tft基材的構 20 造及其製造方法； 第从至3C 11係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執仃本發明之模式之實施例1之TFT基材的構 造及其製造方法； 第4A至4C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 16 Ϊ298401 根據用於執行本發明之模式之實施例2之TFT基材的構 造及其製造方法； 第5A至5C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 5 根據用於執行本發明之模式之實施例2之TFT基材的構 造及其製造方法； 第6A至6D圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例3之TFT基材的構 造及其製造方法； 10 第7A至7C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例3之TFT基材的構 造及其製造方法； 第8八至8C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 $據用於執行本發明之模式之 4之TFT基材的構 15 邊及其製造方法； 第Q Λ 柙 至9C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 據用於執行本發明之模式 4之TFT基材的構 造及其料料； 示粑第1〇A至1〇C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 20 構^據用於執行本發明之模式之實施例5之TFT基材的 乂及其製造方法； 示柜第11A至11C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 播=據用於執行本發明之模式之實施例5之TFT基材的 坆及其製造方法； 第12A至12C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 17 1298401 示根據相關技藝之第―會右 實例之TFT基材的構造及其製造 方法； 第13A至13C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 示根據相關技藝之第-實例之Μ基材的構造及其製造 5 方法； 第14A至14C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 示根據相關技藝之第二實例之tft基材的構造及其製造 方法；以及 第15A至1冗圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 1〇根據㈣技藝之第二實例之m基材賴造及其製造方 法。 L實施方式]| 較佳實施例之詳細說明 以下參第1至llc圖贿胁執行本發明之模式 15的㈣電㈣裝置，其製造方法，以及薄膜電晶體基材 二，、有該基材之作為顯不器的液晶顯示器。第1圖係顯 =用於執行本發明之本模式中，形賴晶顯示器之-部 刀之TFT基材的構造〇 一液晶顯示器剛〇係具有一 τα 基材譲、一相對該TFT基材110〇設置之相對基材(未 丁出）以及-密胁該等基材間之液晶。該TFT基材· 包括—像素母f區域，其中像素區域像素區域係以 =質型式設置並包括—閘極驅動器⑽、—顯示控制器 4〇以及-資料驅動器1130,其等係為周邊電路。多數 固像素TFTs係形成在像素基質區域11〇之各別的像素區 18 1298401 域上。各像素TFTs係經由連接至像素TFT之源極電極的 資料線而連接至資料驅動器113〇，並經由連接至像素 TFT之閘極的閘極線而連接至閘極驅動器112〇。 一水平同步訊號Η、一垂直同步訊號v、一低功率 5 電壓VL以及一接地電壓Vgnd係由一個人電腦（未示出） 而施加至顯示控制器1140。該顯示控制器114〇係使用該 施加的訊號產生一 D-SI訊號與一 D_CLK訊號，並將其 等輸出至資料驅動器1130的移位暫存器1131。該低功率 電壓VL與接地電壓Vgnd係亦施加至該資料驅動器 10 n3〇。一高功率施加電壓VH係亦施加至該資料驅動器 1130。該資料驅動器113〇之移位暫存器1131係將所產 生的δίΐ號輸出至位準移位器m2。紅(R)、綠(G)以及藍(B) 訊號，舉例而言，係自個人電腦輸入至資料驅動器之類 比開關。該類比開關1133係根據自位準移位器1132之 15 訊號，而將訊號輸出至連接至像素基質區域1110之各資 料線。 該顯示控制器1140係使用施加至其之訊號而產生 一 G-SI訊號與一 G-CLK訊號，並將該等訊號輸出至閘 極驅動器1120之移位暫存器1121。該低功率施加電壓 2〇 VL與接地電壓Vgnd係亦施加至該閘極驅動器1120。該 高功率施加電壓VH係亦施加至該閘極驅動器1120。該 閘極驅動器1120之移位暫存器1121係將所產生的訊號 輸出至位準移位器1122。位準移位器1122係基於輸入訊 號而將訊號輸出至輸入緩衝器1123。輸出緩衝器1123係 19 1298401 基於輸入訊號而將訊號輸出至連接至像素基質區域1110 的各閘極線。 該顯示控制器1140、該資料驅動器1130之移位暫 存器1131以及該閘極驅動器1120之移位暫存器1121， 5 由於其等必須在高速下操作，因此係由用於低壓之TFTs 所構成。資料驅動器1130之位準移位器1132以及該閘 極驅動器1120之位準移位器1122係由用於低壓之TFTs 以及用於高壓之TFTs兩者所構成。該閘極驅動器1120 之輸出緩衝器1123、資料驅動器1130之類比開關1133 10 以及像素基質區域1110係由在低速下操作之用於高壓的 TFTs所構成。 以下所描述之實施例1可被應用至用於低壓之TFTs 以及用於高壓之TFTs兩者。該實施例可符合不論是由 LDDs所構成之用於低壓的TFTs。以下所描述之實施例2 15 至5係表示同時構成用於低壓之TFTs以及用於高壓之 TFTs的實例。在用於低壓之TFTs中，係未設置LDD， 且一閘極絕緣薄膜係由具有薄厚度之單層所構成。在用 於尚壓之TFTs中，係設置有LDDs，且一閘極絕緣薄膜 係具有二層，以提供具有耐高壓的構造。 20 [實施例1] 以下參照第2A至3C圖描述在用於執行本發明之本 模式中’製造根據實施例1之TFT基材的方法。第2A 至3C圖係取自顯示一 TFT基材之構造及其製造方法之 程序中的截面圖。在第2A至3C圖中，未形成LDD之 20 1298401 p-型TFT、形成有LDDs之η-型TFT，以及未形成LDD 之η-型TFT的實例係與以在圖式左側上之TFT起始的相 同順序顯示。 5 首先，如第2A圖所示，一 Si〇2薄膜係在由玻璃製 成之透明絕緣基材1上形成约nm的厚度，以提供一 緩衝層2。隨後，使用電漿CVD形成一不定形矽薄膜， 並接著使用激光雷射加以退火，以將該不定形矽加以結 曰曰，藉而形成一具有約50 nm之厚度的多晶石夕半導體層 3 °隨後，一光阻係被塗佈並圖案化，以形成一光阻罩模。 接著使用該光阻罩模作為一蝕刻罩模而執行乾式蝕刻， 以形成呈島形之半導體層3a、3b以及3c。隨後，一 si〇2 ，膜係在該半導體層3a、3b以及仏上形成約1〇〇nm的 厚度，以提供一閘極絕緣薄膜4。 15 20 iV1〇碍胰係接者形成約300 nm的厚度，以提供一 金屬薄膜。隨後，一光阻係被塗佈並圖案化，以形成一 光阻軍模。隨後，如第2B ®所示，該式侧係在使用光 阻罩模作為—_罩模下執行，以去除與η·型TFTs之源 極與沒極區域301有關之金屬薄膜的部位。亦即，對未 少成LDD之p-型TFT而言，該金屬薄膜係被圖案化，以 留下具有與整體ρ·型TFT之整體寬度相同或更寬之金屬 薄膜的部位5a。對欲形成有LDDs之卜型tft而言，該 金屬薄膜係被®案化，以留下同樣與通道區域與LDD區 域有關的雜5b。對未魏LDD之n.型TFT而言，其 係被圖案化，以留下_ pq H φ托ς , 由下閘極電極^本身。對欲形成有 21 1298401 LDDs之n-型TFT而言，以容納LDD區域來計算，金屬 薄膜之部位5b的寬度係比閘極寬度來得寬。光阻罩模其 後係被去除。 隨後，藉由使用金屬薄膜之殘留部位5a、5b以及 5 5c作為罩模而將諸如磷之n•型雜質，在高加速度與高劑 量(例如，分別為90 keV與1 X l〇i5 cm-2)下，植入穿過該 閘極絕緣薄膜4,而執行首次摻雜。因此，形成欲形成有 LDDs之η-形TFT的源極與汲極區域3〇1以及形成未形 成LDD之η-型TFT。由於金屬薄膜之部位5b與5c係作 10為罩模，因此，未有雜質被植入一將變成形成有lDDs 之n_型TFT之LDD區域與通道區域的部位3〇2内，且未 有雜質被植入未形成有LDD之η-型TFT的通道區域303 内。由於金屬薄膜之部位5a係作為罩模，因此，未有雜 質被植入p_型TFT之半導體層3a内。 15 接著塗佈一光阻並形成圖案，以形成一光阻罩模。 隨後，如第2C圖所示，使用該光阻罩模作為蝕刻罩模而 執行蝕刻，以去除與p-型TFT之源極與汲極區域有關之 由Mo製成之金屬薄膜的部位以及與卜型TFT之LDD區 域有關的部位。特別是，金屬薄膜係被圖案化，以留下 20 卜型TFT之閘極電極51、欲形成有LDDs之η-型TFT的 閘極電極52以及未形成有LDD之卜型TFT的閘極電極 5c。欲形成有LDDs之心型TFT之金屬薄膜的寬度係被 減少’以容納LDD區域。參照未形成ldd之η-型TFT， 由於閘極電極5c已被形成，其僅需以光阻罩模覆蓋仏型 22 1298401 TFT整體。其後，光阻罩模係被去除。 10 接著，藉由使用各別TFTs之閘極電極51、52以及 5e作為罩模’而在高加速度與低劑量(例如，分別為90 keV與5 X UP cm·2)下，將諸如磷之卜型雜質植入穿過 閘極絕緣薄膜4而執行第二摻雜。藉此，LDD區域306 係形成在源極或汲極區域3〇1與在欲形成有LDD區域之 心型TFT之半導體層3b内的通道區域307之間。在此時， 雜質係再度植入欲形成有LDDs之η-型TFT與未形成 LDD之η-型TFT的源極與汲極區域3〇1内，但此係不會 產品問題。該η-型雜質係亦在高加速度與低劑量下植入 Ρ-型TFT之源極與汲極區域3〇4内。 隨後，如第3A圖所示，塗佈一光阻並形成圖案， 以形成光阻罩模6a與6b，使得其等係覆蓋〜型 15 體。藉此，未有p-型雜質將被植入於…型TFTs内。特別 是，一諸如硼之p-型雜質係使用p—型TFT之閘極電極Η 作為罩模，而在高加速度與高劑量(例如，分別為 與1 X 1015 cm·2)下，選擇性地僅植入該卜型Tft内穿過 閘極絕緣薄膜4。藉此，形成在p—型TFT之半導體層3 20 内之源極與汲極區域304。由於未有LDD區域形成 實施例之P-型TFT上，因此，僅需要植入雜質_次。諸 如硼之p-型雜質並未植入p-型TFT之诵、音π α - 心遇道區域3〇内。 其後，光阻罩模6a與6b係被去除。 隨後’如第3B圖所示，經由在約5〇 L下之熱處 理或使用激雷射執行退火，以活化該 主p-型雜質。 23 1298401 隨後，如第3C圖所示，一 SiN薄膜係形成約3〇〇 nm 的厚度，以提供一層絕緣薄膜7，且接觸孔係設置在層絕 緣薄膜7與閘極絕緣薄膜4内。再者，一 A1薄膜係形成 約300 nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線§。藉此， 5 完成η-型TFTs與p-型TFT。儘管未示出，一保護薄膜與 像素電極係被形成，以完成TFT基材。 η-型雜質之植入以形成如第2C圖所示之LDD區域 可在顯示於第3Α圖之光阻罩模6a與6b剝落後且在以顯 示於第3B圖之激光雷射照射之步驟前執行。 10 在本實施例中，當導入n_型雜質以形成化型TFT之 源極與汲極區域301時，欲變成閘極電極之由M〇製成之 金屬薄膜5係形成一大的寬度，以容納LDD區域3〇6之 寬度。當形成LDD區域306時，金屬薄膜5係與閘極電 極之寬度相符合。結果，可在不使用以如相關技術之實 15 例中之半導體薄膜與閘極絕緣薄膜所形成之步驟形態的 結構下，形成LDD區域。再者，此使其可最佳化用於活 化雜备之旎量，即使當其以相同的雷射光加以照射而活 化，此乃由於未有未被閘極絕緣薄膜4覆蓋之區域的緣 故。由於閘極絕緣薄膜4係未被蝕刻，除了接觸孔的區 20 域，於閘極電極與源極與汲極區域之間，係不可能產生 洩漏電流。再者，由於當雜質被植入源極與汲極區域 時，金屬薄膜係作為罩模，因此，即使當間極絕緣薄膜4 非常薄時，罩模效能降低的問題亦將不會發生。 儘管當η-型雜質被植入顯示於第2C圖之〇)1)區域 24 1298401 306時，n_型雜質係被植入严塑TFT之源極與汲極區域 304内，由於所導入的量未超過植入在顯示於第圖之 P_型TFT之源極與汲極區域3〇4内量的十分之一，因此， 其係具有實質上可忽略的影響。因此，其係可在不增加 5 製造程序下加速在LDD區域之雜質的活化與雜質的控 制’其係允許增進裝置特性。 再者，在本實施例中，p-型TFT係未形成有LDD。 口此，不需要將LDDs形成在卩_型tft，對此，因熱載 子所導致之衰咖不再是_個嚴重的考慮4其係較佳 10 未形成LDD，以增進其驅動能力。 [實施例2] ^ '…、 至5C圖描述在用於執行本發明之 本模式中，製造根據實施例2之聊基材的方法。在本 實施例中’係同時形成1於低壓之ρ·型TFT、-用於 15 20 低壓之η-型TFT、一用认-r 用於向壓之Ρ·型TFT以及一用於高 壓Γ型TFT。第4A至5C圖係取自顯示一㈣基材之 構"及其製造方法之程序中的截關。在第4A至5C圖 中，一用於低壓之卜型τ 1、~用於低壓之η_型TFT、

一用於咼壓之p-型TFT .^ , , r 及一用於高壓之η-型TFT係以 在圖式左側上之TFT起始的順序顯示。 首先，如第4A圖所 ^ ^ Ra ^ π不，一 Si02薄膜係在由玻璃製 成之透明絕緣基材21上 工小成約80mn的厚度，以提供一 缓衝層22。隨後，使用蕾 . 電水CVD形成一不定形矽薄膜， ϋ使用激光雷射加以退 八’以將該不定形矽加以結晶， 25 1298401 藉而形成一具有約50 nm之厚度的多晶矽半導體層23。 光阻係接著被塗佈並圖案化，以形成一光阻罩模。使 用該光阻罩模作為-⑽罩模*執行乾式蝴，以形成 呈島形之半導體層23a、23b以及23c。隨後，一 ΜΑ薄 5膜係在該半導體層23a、23b以及23c上形成約3〇11111的 厚度，以提供一第一閘極絕緣薄膜24。該第一閘極絕緣 薄膜24係作為一用於低壓之TFTs的閘極絕緣薄膜。

Ik後’一 Mo薄膜係接著形成約3〇〇 nm的厚度，以 提供一金屬薄膜。一光阻係接著被塗佈並圖案化，以形 1〇 成一光阻罩模。使用該光阻罩模作為一蝕刻罩模執行蝕 刻’以去除與用於低壓之p-型TFT與用於低壓之化型TFT 之源極與汲極區域有關之金屬薄膜的部位以及與用於高 壓之P-型TFT與用於高壓之n_型TFT有關的部位。亦 即，對未形成LDD之p-型TFT而言，該金屬薄膜係被圖 15 案化，以留下用於低壓之P-型TFT的閘極電極25a以及 用於低壓之η-型TFT的閘極電極25b。隨後，一以〇2薄 膜係在該閘極電極25a與25b上形成約70 nm的厚度， 以提供一第二閘極絕緣薄膜26。由於該第一閘極絕緣薄 膜24係為一用於低壓之TFTs的閘極絕緣薄膜，其厚度 2〇 可根據用於低壓之TFTs來決定。由於該二閘極絕緣薄 膜，即，該第一閘極絕緣薄膜24與該第二閘極絕緣薄膜 26 ’係構成一用於高壓之TFTs的閘極絕緣薄膜，該閘極 絕緣薄膜的厚度可根據用於高壓之TF Ts而藉由調整該第 二閘極絕緣薄膜26的厚度來決定。 26 1298401 隨後，如第4B圖所示，一欲變成用於高壓之TFTs 之閘極電極的A1薄膜係形成約300 nm的厚度，以提供 一金屬薄膜。接著塗佈一光阻並形成圖案，以形成一光 阻罩模。使用該光阻罩模作為钱刻罩模執行餘刻，以去 5 除與用於低壓之η-型TFT有關之金屬薄膜的部位以及與 用於高壓之η-型TFT之源極與汲極區域231有關之金屬 薄膜的部位。亦即，金屬薄膜係被圖案化，以留下具有 寬度與用於低壓之p-型TFT之整個寬度相同或更寬之金 屬薄膜的一部位27a、具有寬度與用於高壓之？_型TFT 10 之整個寬度相同或更寬之金屬薄膜的一部位27b，以及與 用於高壓之η-型TFT之通道區域與LDD區域有關之金屬 薄膜的一部位27c。由於該用於高壓之η-型TFT係設置 有LDD區域，金屬薄膜之一部位27c的寬度係比金屬薄 膜之閘極寬度多容納LDD區域的量。其後，該光阻罩模 15 係被去除。 藉由使用由A1製成之金屬薄膜之殘留部位27a、27b 以及27c作為罩模而將諸如填之η-型雜質，在高加速度 與高劑量(例如，分別為90 keV與1 X 1〇15 cnT2)下，植入 穿過該閘極絕緣薄膜24與26，而執行首次摻雜。藉此， 2〇 形成用於低壓之n_型TFT的源極與沒極區域240以及用 於高壓之η-型TFT的源極與汲極區域231。由於金屬薄 膜之部位27a、27b與27c係作為罩模，因此，未有雜質 被植入用於低壓之p-型TFT的半導體層23a、用於高壓 之p-型TFT的半導體層23c以及欲成為用於高壓之卜型 27 1298401 TFT之LDD區域與通道區域的一部位233内。再者，由 於該閘極電極25b係作為罩模，因此，雜質係未植入用 於低壓之η-型TFT的通道232内。 接著塗佈一光阻並形成圖案，以形成一光阻罩模。 5 隨後’使用該光阻罩模作為一蝕刻罩模而執行蝕刻，以 去除與用於低壓之p-型TFT有關之金屬薄膜的部位 27a、與用於高壓之卜型TFT之源極與汲極區域236有關 之金屬薄膜的一部位以及與用於高壓之n-型Τρτ之LDD 區域238有關之金屬薄膜的一部位。亦即，該金屬薄膜 1〇 係被圖案化，以留下用於高壓之p-型TFT的閘極電極271 以及用於高壓之n_型TFT的閘極電極272。其後，該光 阻罩模係被去除。 隨後’如第4C圖所示，藉由使用用於高壓之p-型 TFT之閘極電極271以及用於高壓之仏型灯丁之閘極電 15 極272作為罩模，而在高加速度與低劑量(例如，分別為 90 keV與5 X 1〇13 cm_2)下，將諸如碗之n_型雜質植入穿 過閘極絕緣薄膜24與26而執行第二摻雜。藉此，LDD 區域238係形成在用於高壓之n_型TFT之源極或汲極區 域231與通道區域239間之半導體層内。一 n-型雜質係 20 亦在高加速度與低劑量下被植入用於低壓之p-型TFT的 源極與汲極區域234以及用於高壓之p-型TFT的源極與 汲極區域236。由於該閘極電極271與272係作為罩模， 因此，該η-型雜質並未被植入用於高壓之ρ·型TFT的通 道區域237以及用於高壓之n—型TFT的通道區域239 28 1298401 内。用於低壓之p-型TFT的閘極電極25a以及用於低壓 之η-型TFT的閘極電極25b係亦作為罩模，以防止卜型 雜質被植入通道區域235與232内。 隨後，如第5A圖所示，塗佈一光阻並形成圖案， 5 以形成光阻罩模28a與28b，使得其等係覆蓋用於低壓之 η-型TFT與用於高壓之n-型TFT整體。藉此，未有p—型 雜質被植入於用於低壓之η-型TFT與用於高壓之n_型 TFT内。特別是，一諸如硼之p—型雜質係使用用於低壓 之p-型TFT的閘極電極25a以及用於高壓之p_型TFT的 10 閘極電極271作為罩模，而在高加速度與高劑量(例如， 分別為70KeV與1 x l〇15cm·2)下，選擇性地僅植入該用 於高壓之P-型TFT與用於低壓p-型TFT内而穿過閘極絕 緣薄膜24與26。藉此’形成在用於低壓之？_型tft之 半導體層内之源極與汲極區域234以及在用於高壓之p_ 15 型TFT之半導體層内之源極與汲極區域236。由於該 型TFTs係形成未具有LDD區域，因此，僅需要植入雜 質一次。 其後，光阻罩模28a與28b係被剝落。如第5B圖所 示，經由在約500。(：下之熱處理或使用激雷射執行退 20 火，以活化該n_型與p_型雜質。 隨後，如第5C圖所示，一 siN薄膜係形成約300 nm 的厚度，以提供一層絕緣薄膜29，且接觸孔係設置在層 絕緣薄膜29與閘極絕緣薄膜24與26内。一 A1薄膜係 形成約300 nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線3〇。此 29 1298401 元成用於低壓之η-型TFT、用於低壓之p_型tft、用於 馬壓之η-型TFT以及用於高壓之{)_型TFT。儘管未示出， 保遵薄膜與像素電極係被形成，以完成Tft基材。 根據本實施例之在TFT基材上之用於低壓的卜型 5 TFT係由下列所構成：緩衝層22、包括p-型源極與汲極 區域234與通道區域235之半導體層23、第一閘極絕緣 薄膜24、形成在該通道區域235上之閘極電極25a、第 二閘極絕緣薄膜26、層絕緣薄膜29與設置在該層絕緣薄 膜29内之佈線30,以及連接至接觸孔以連接源極與汲極 〇 區域234之第一與第二閘極絕緣薄膜24與26,此等構件 係依序形成在透明絕緣基材21上。用於低壓之卜型TFT 係由下列所構成：緩衝層22、包括n_型源極與没極區域 240與通道區域232之半導體層23、第一閘極絕緣薄膜 24、形成在該通道區域232上之閘極電極25b、第二閘極 15 絕緣薄膜26、層絕緣薄膜29與設置在該層絕緣薄膜29 内之佈線30以及連接至接觸孔以連接源極與沒極區域 240之第一與第二閘極絕緣薄膜％與％，此等構件係依 序形成在透明絕緣基材21上。 用於高壓之P-型TFT係由下列所構成：緩衝層22、 2〇 包括P-型源極與汲極區域230與通道區域237之半導體 層23、第一閘極絕緣薄膜24、第二閘極絕緣薄膜26、形 成在該通道區域237上之閘極電極271、層絕緣薄膜29 與設置在該層絕緣薄膜29内之佈線30,以及連接至接觸 孔以連接源極與汲極區域230之第一與第二閘極絕緣薄 30 1298401 膜24>與26’料構件聽序形成在透明絕緣基材21上。 用於间壓之η·型TFT係由下列所構成：緩衝層22、包括 η-型源極無極區域231、咖區域㈣與通道區域别 之半導體層23、第-閘極絕緣薄膜24、第二閘極絕緣薄 5 膜26、形成在該通道區域239上之閘極電極272、層絕 緣薄膜29與設置在層絕緣薄膜29内之佈線3〇，以及連 接至接觸孔以連接源極歧極區域231之第—與第二問 極絕緣薄膜24與26,此等構件係依序形成在透明絕緣基 材21上。 10 15 η-型雜質之植人以形成如第4C圖所示之咖區域 可在顯示於第5A圖之光轉模28a與鳥剝落後且在以 顯示於第5B目之激光雷射闕之步驟前執行。對若干用 於高壓之n_型TFTs而言，n_型雜f之首次植人可在將如 第4B圖所示之金屬薄膜的部位27c|先形成在間極電極 上後執行，而一用以覆蓋該用於高壓之…型TFT之閘極 電極272的光阻罩模可在形成如第4C圖所示之閘極電極 271與272之步驟中形成。由於此防止蝕刻，因此，即使 η-型雜質之第二植入係在光阻罩模剝落後執行，亦可形成 未具有LDD區域之用於高廢的η_型TFTs。 20 在本實施例中，係形成二閘極絕緣薄膜。用於低壓 之TFTs的閘極絕緣薄膜係由一單層，即，閘極絕緣薄膜 Μ，所構成，而用於高壓之TFT的閘極絕緣薄膜係由二 層所構成，即，閘極絕緣薄膜24與26。由於用於高麼之 TFTs與用於低壓之TFTs係在未進行乾式餘刻其等閘極 31 1298401 絕緣薄膜下製造，其可避免當閘極絕緣薄膜進行乾式蝕 刻時所可能發生於半導體層的電漿損害。由於用於低壓 之TFTs的閘極絕緣薄膜24係形成穿過基材，其係可防 止任何在閘極電極25a與25b以及半導體層間之洩漏電 5 流。當首次植入η-型雜質時，用於高壓之！^型TFT金屬 薄膜27c係形成比閘極電極272寬LDD區域238寬度的 量，且其係在η-型雜質之第二植入時，成形為具有適宜 閘極寬度的閘極電極272。由於此使其可在不使用以半導 體層與閘極絕緣薄膜所界定之步階結構下形成LDd區 10 域，因此，可解決習知技術的問題。根據本實施例，用 於高壓之TFTs係具有厚的閘極絕緣薄膜與ldd結構， 而用於低壓之TFTs係具有薄的閘極絕緣薄膜而未具有 LDD結構，此使其可同時提供具有高反抗電壓之TFTs 與具有高速之TFTs兩者。 15 在本實施例中，P-型TFTs係未形成有LDD。由於 對P-型TFTs而言，因熱載子所導致之衰減並非是一個嚴 重的考量，因而非特別需要形成LDDs，且其較佳係未形 成有LDD，以增進驅動能力。 [實施例3] 隨後，以下將參照第6A至7C圖描述在用於執行本 發明作為實施例2之改良的本模式中，製造根據實施例3 之TFT基材的方法。第6A至7C圖係取自顯示一 TFT 基材之構造及其製造方法之程序中的截面圖。在第至 7C圖中，一用於低壓之卜型TFT、一用於低壓之〜型 32 1298401 TFT、-跡高壓之p型TFTj^—祕高壓之^打 係以在圖式左側上之TFT^_序顯示。 5 10 首先，如第6A圖所示_薄膜係在由破 成之透明絕緣基材31上形成㈣謂的厚度，以提供一 緩衝層32。個錢CVD形成—不定形㈣膜，並使用 激光雷射加以退火，以將該不定财加以結晶，藉而形 成一具有約50 rnn之厚度的多晶石夕半導體層33。—光阻 係接著被塗佈並圖案化，以形成—光阻罩模。使用該光 阻罩模作為—㈣罩模而執行乾絲刻，以形成呈島开； 之半導體層33a、33b、33e以及33d。隨後，_Si_ 膜係在該半導體層33a、33b、33e以及33d上形成約％咖 的厚度，以提供-第-閘極絕緣薄膜34。該第_間極絕 緣薄膜3 4係作為-用於低壓之T F Ts的閘極絕緣薄膜。 15 20 隨後，一 Mo薄膜係形成約3〇〇nm的厚度，以提供 一金屬薄膜。一光阻係接著被塗佈並圖案化，以形成一 光阻罩模。使用該光阻罩模作為一蝕刻罩模執行蝕刻， 以去除與用於低壓之p_型TFT與用於低壓之卜型『FT之 源極與汲極區域有關之金屬薄膜的部位以及與用於高壓 之P·型TFT與用於高壓之n_型TFT㈣的部位。亦即， 該金屬薄膜係被圖案化，以留下用於低壓之厂型TFT的 閘極電極35a以及用於低壓之卜型TFT的閘極電極35卜 Ik後，一 Si〇2薄膜係在該閘極電極35a與35b上形成約 70 nm的厚度，以提供一第二閘極絕緣薄膜％。由於該 第一閘極絕緣薄膜34係為一用於低壓之TFTs的閘極絕 33 1298401 緣薄膜，其厚度可根據用於低壓之TFTs來決定。由於該 二閘極絕緣薄膜，即，該第—閘極絕緣薄膜34與該第I 閘極絕緣薄膜36,係構成—用於高壓之㈣的閘極絕緣 薄膜，該閘極絕緣薄膜的厚度可根據用於高壓之TFTs而 5藉^整該第二閘極絶緣薄膜36的厚度來決定。 ^後’如第6B圖所示，一欲變成用於高壓之TFTs 之閘極電極的A1薄膜係形成約300 nm的厚度，以提供 一減薄膜。接著塗佈-光阻並形成圖案，以形成光阻 罩核38a、38b以及38C。使用該光阻罩模施、通以及 0 38作為細彳罩模執行乾式㈣】H除與用於低壓之 η里TFT有關之金屬薄膜的部位以及與用於高壓之卜型 TFT之源極與没極區域333有關之金屬薄膜的部位。亦 即’金屬薄職被圖案化，以留下具有寬度與用於低壓 之p里TFT之整個寬度相同或更寬之金屬薄膜的一部 15位*具有域與用於高壓之p_型TFT之整個寬度相同或 更寬之金屬薄膜的—部位，以及與用於高壓之…型tft 之通道區域與LDD區域有關之金屬薄膜的一部位。 ’、後以濕式餘刻為基礎執行側餘刻。目的在於餘 刻在以乾式蝕刻來減少金屬薄膜之寬度後所留下之入丨金 20 屬薄膜的側面。亦即，執行蝕刻，以留下具有寬度與用 於低壓之p-型TFT之整個寬度相同之金屬薄膜的部位 3%、具有寬度與祕高壓之卩_型TFT之整個寬度相同之 金屬薄膜的部位37b以及與用於高壓之〜型TFT之通道 區域（用於高之nj TFT的_電極)㈣之金屬薄膜 34 1298401 的部位37c。在用於高壓之η-型TFT的情況中，由於其 係設置有LDD區域，該光阻罩模38c的寬度係比閘極電 極37c寬用於容納LDD區域量的寬度。 隨後，在光阻罩模38a、38b與38c留在適當的位置， 5 藉由使用光阻罩模38a、3扑以及38c與用於低壓之…型 TFT之閘極電極35b作為罩模，而將諸如麟之卜型雜質， 在高加速度與高劑量(例如，分別為90 keV與1 X ι〇ΐ5 cm_2)下，植入穿過該閘極絕緣薄膜34與36，而執行首次 摻雜。藉此，形成用於低壓之η-型TFT的源極與汲極區 1〇 域331以及用於高壓之n-型TFT的源極與汲極區域333。 由於比金屬薄膜37a、37b與37c寬之光阻罩模38a、38b 以及38c係作為罩模，因此，未有雜質被植入用於低壓 之P_型TFT的半導體層33a、用於高壓之p_型TFT的半 導體層33c以及欲成為用於高壓之仏型TFT之LDD區域 15 與通道區域的一部位334内。再者，由於用於低壓之n_ 型TFT的閘極電極亦作為罩模，因此，雜質係未植入其 通道區域332内。 接著，光阻罩模38a、38b以及38c係被去除。隨後， 如第6C圖所示，藉由使用用於低壓之？_型TFT之金屬 20 薄膜的部位37a、用於低壓η·型TFT之閘極電極35b、 用於高壓之p-型TFT之金屬薄膜的部位37b以及用於高 壓之η·型TFT之閘極電極37c作為罩模，而在高加速度 與低劑量(例如，分別為90 keV與5 X 1〇13 cm·2)下，將諸 如磷之η-型雜質植入穿過第一與第二閘極絕緣薄膜34與 35 1298401 36而執行第二摻雜。藉此，LDD區域335係形成在用於 咼壓之η-型TFT之源極或汲極區域333與通道區域336 間之半導體層内。由於用於低壓之卜型TFT的閘極電極 係作為罩模，因此，雜質並未被植入其之通道區域332 5 内。 隨後，如第6D圖所示，一光阻係被塗佈並圖案化， 以形成一用於覆蓋用於低壓之n-型TFT整體之光阻罩模 39a、一用於覆蓋用於高壓之}型TFT整體之光阻罩模 39c以及一用於形成用於高壓之p—型tft之閘極電極371 10 的光阻罩模39b。此防止p_型雜質植入用於低壓之…型 TFT以及用於高壓之…型TFT並允許用於高壓之化型 TFT之閘極電極371的形成。使用該光阻罩模39a、39b 以及39c執行蝕刻，以去除與用於低壓之化型TFT有關 之金屬薄膜的部位37a以及與用於高壓之p-型TFT之源 15 極與沒極區域有關之金屬薄膜的部位。 金屬薄膜之部位371的寬度可變得比光阻罩模39b 的寬度乍，此乃由於即使姓刻方法為乾式钱刻，在A1之 餘刻期間，其側面一般係面臨切削的緣故。因此，當在 z〇 未有任何對策下植入諸如硼之P-型雜質時，雜質並未植 於用於咼壓之p-型TFT之源極與沒極區域與通道區域 之間’以形成所謂的偏置(offset)結構。 在上述情況下，如第7A圖所示，光阻罩模39b的 表面係在氧電漿下被灰化，以使其寬度與金屬薄膜之部 位371的寬度相同或稍為比金屬薄膜之部位的寬度 36 1298401 窄’藉此’形成一光阻罩模39d。其後，一諸如獨之p_ 型雜質係使用光阻罩模39a與39c以及金屬薄膜之部位 371(用於高壓之p-型TFT之閘極電極)作為罩模，而在高 加速度與高劑量(例如，分別為7〇 Kev與1 X 1〇i5 cm-2) 5 下，選擇性地僅植入該用於高壓之p-型TFT與用於低壓 P-型TFT内而穿過閘極絕緣薄膜34與36。藉此，形成在 用於低壓之p-型TFT之半導體層内之源極與汲極區域 337以及在用於高壓之p_型TFT之半導體層内之源極與 汲極區域339。由於該p-型TFTs係形成未具有ldd區 10 域，因此，僅需要植入雜質一次。諸如侧之p-型雜質並 未分別植入於製造用於低壓之P_型TFT與用於高壓之ρ· 型TFT的通道區域338與340、閘極電極35a以及閘極 電極3 71内。 其後，光阻罩模39a、39b以及39c係被剝落。如第 15 7B圖所示，經由在約5〇〇。〇下之熱處理或使用激雷射執 行退火，以活化該n_型與p型雜質。 隨後，如第7C圖所示，一 SiN薄膜係形成約300 nm 的厚度，以提供一層絕緣薄膜40，且接觸孔係設置在層 絕緣薄膜40、閘極絕緣薄膜34與36内。一 A1薄膜係形 20 成約300 nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線4〇1。此 το成用於低壓之η-型TFT、用於低壓之p-型TFT、用於 高壓之η-型TFT以及用於高壓之p-型TFT。儘管未示出， 一保護薄膜與像素電極係進一步被形成，以完成TFT基 材。 37 1298401 雜質之植入以形成如第6C圖所示之LDD區域335 可在以如第7B圖所示之雷射光照射前執行。亦即，其可 允許顯示於第7A圖之光阻罩模咖、以及39c的去 除。雖然’在乾式餘刻後係進行顯示於第6B圖之纖 刻’以使金屬薄膜的寬度比光阻罩模说的寬度窄，侧 餘刻可在金屬薄膜以濕式侧而非乾式㈣執行鞋刻之 10 LDD區域335，而用於高壓之n_型TFT之源極與没極區 域333係使用已用於姓刻金屬罩模之光阻罩模3以作為 罩模而形成。此允許減少一製造步驟，即，與實施例2 相較之光微影步驟。用於低壓之TFTs的通道長度（或閑 極電極35a與35b之寬度）必須被製得儘量的短，以獲取 15 一高速操作，而積極地使用難以控制之閘極電極的側飿 刻係不切實際的。在本實施例中，用於低壓之TFTs與用 20 同時進行。_财在n_型雜f之首次植人後執行(假定 其在光阻罩模38c之去除之前）。 在本實施例中，閘極電極37c係被側蝕刻，以形成 於高壓之TFTs的閘極電極係在各別的步驟形成。亦即， 侧餘刻在本實施例中不會產生特別的問題，此乃由於其 係執行將LDDs僅形成在用於高壓之TFTs的閘極電極 上，對此一短通道長度並非是一明顯的需求。當該LDD 區域335係使用侧蝕刻而形成時，係具有一優點，即， 當形成閘極電極37c時，係不需獲取約1至3 μιη之高精 確度的罩模圖像重合。 [實施例4] 38 1298401

以下將參照第8A至9C圖描述在用於執行本發明的 本模式中，製造根據實施例4之TFT基材的方法。第8a 至9C圖係取自顯示一 TFT基材之構造及其製造方法之 程序中的截面圖。在第8A至9C圖中，一用於低壓之& 5 型TFT、一用於低壓之η-型TFT、一用於高壓之卜型TFT 以及用於局壓之η-型TFT係以在圖式左側上之TFT起 始的順序顯示。 首先，如第8A圖所示，一 Si〇2薄膜係在由玻璃製 成之透明絕緣基材41上形成約80 nm的厚度，以提供一 1〇 緩衝層42。隨後，使用電漿CVD形成一不定形矽薄膜， 並使用激光雷射加以退火，以將該不定形矽加以結晶， 藉而形成一具有約50 nm之厚度的多晶矽半導體層43。 一光阻係接著被塗佈並圖案化，以形成一光阻罩模。使 用該光阻罩模作為一钮刻罩模而執行乾式餘刻，以形成 15 呈島形之半導體層43a、43b、43c以及43d。一 Si02薄 膜係在該半導體層43a、43b、43c以及43d上形成約30 nm 的厚度’以提供一第一閘極絕緣薄膜44。該第一閘極絕 緣薄膜44係作為一用於低壓之TFTs的閘極絕緣薄膜。 隨後，一 Mo薄膜係形成約300 nm的厚度，以提供 20 一金屬薄膜。一光阻係接著被塗佈並圖案化，以形成一 光阻罩模。使用該光阻罩模作為一蝕刻罩模執行蝕刻， 以去除與用於低壓之p-型TFT與用於低壓之η-型TFT之 源極與汲極區域有關之金屬薄膜的部位以及與用於高壓 之卜型TFT與用於高壓之n-型TFT有關的部位。亦即， 39 1298401 該金屬薄膜係被圖案化，以留下用於低壓之p-型TFT的 間極電極45a以及用於低壓之η·型TFT的閘極電極极。 隨後，一 si〇2薄膜係在該閘極電極45a與45b上形成約 7〇 nm的厚度，以提供一第二閘極絕緣薄膜#。由於該 5第-閘極絕緣薄膜44係為-用於低壓之TFTs的閑極絕 緣薄膜，其厚度可根據用於低壓之TFTs來決定。由於該 -閘極絕緣薄膜，即，該第_閘極絕緣薄膜44與該第二 間極絕緣薄膜46,係構成一用於高壓之抓的閑極_ 薄膜，該閘極絕緣薄膜的厚度可根據用於高壓之抓而 10 藉由調整該第二閘極絕緣薄膜46的厚度來決定。

Ik後’如第8B圖所示，一欲變成用於高壓之丁印 之閘極電極的A1薄膜係形成約300 nm的厚度，以提供 -金屬薄膜。接著塗佈—光阻並形案，以形成光阻 罩模。使用該光阻罩模作為_罩模執行似4，以去除 15與祕低壓之㈣TFT有關之金屬薄膜的部位以及與用 於南壓之p-型TFT之源極與沒極區域433有關之金屬薄 膜的部位。亦即，金屬薄膜係被圖案化，以留下具有寬 度與用於低壓之η-型TFT之整個寬度相同或更寬之金屬 薄膜的-部位47a、具有寬度與用於高壓之n-型丁打之 正個=度相同或更寬之金屬薄膜的—部位47。，以及與用 於南壓之p-型TFT之閘極電極稱。其後，該光阻罩模 係被去除。 ' 隨後，如第8B圖所示，諸如硼之p_型雜質，係在 向加速度與高劑量(例如，分別為川匕卩與丨χ 1〇1、γ2) 40 1298401 下，藉由使用具有寬度與用於低壓之卜型tft之整個寬 度相同或更寬之金屬薄膜的—部位47a、用於低壓之 型TFT之閘極電極45a、用於高壓之卜型tft之間極電 e 47b以及具有寬度與用於鬲壓之卜型τρτ之整個寬 5度相同或更寬之金屬薄膜的一部位杨作為罩模進行植 入。藉此，形成在用於低壓之型TFT之半導體層内的 源極與汲極區域431以及在用於高壓之少型TFT之半導 體層内的源極與沒極區域433。由於該ρ·型TFTs未形成 有LDD，因此僅需要植入雜質一次。在植入期間，諸如 删之p-型雜質係未植入用於低壓之p_型TFT之通道區域 432以及用於高壓之ρ·型TFT之通道區域434内。 隨後’如第8C：圖所示，-光阻係接著被塗佈並圖 案化以形成一用以覆蓋用於低壓之p_型tft整體的光 阻罩模48a、一用以覆i用於高壓之卩_型τρτ整體的光 阻罩模48b’以及一用以覆蓋在變成用於高壓之型τρτ 之通道區域與LDD區域之部位内的光阻罩模48c。使用 該光阻罩模48a、48b以及输作為敍刻罩模執行乾式餘 刻，以去除與用於低壓之η-型TFT有關之由八丨製成之金 屬薄膜的部位以及與用於高壓之〜型TFT之源極與汲極 2〇區域437有關之金屬薄膜的部位。亦即，金屬薄膜係被 圖案化，以留下其與欲變成用於高壓之口_型Τρτ之閘極 電極47b以及用於高壓之…型TFTtLDD區域與通道區 域43 8之區域有關的部位。 其後，以濕式餘刻為基礎執行側钱刻。目的在於餘 41 1298401 刻在以乾式蝕刻後留下之由A1所製成之金屬薄膜的侧 面，藉此減少金屬薄膜之寬度。特別是，執行蝕刻，以 留下與用於高壓之η-型TFT之通道區域有關之金屬薄膜 的部位471 (用於高壓之η-型TFT的閘極電極）。由於用 5 於高壓之η-型TFT係設置有LDD區域，該光阻罩模48c 的寬度係比閘極電極471寬用於容納LDD區域量的寬 度。 隨後，在光阻罩模48a、48b與48c留在適當的位置， 藉由使用光阻罩模48a、48b以及48c與用於低壓之仏型 10 TFT的閘極電極35b作為罩模，而將諸如填之n-型雜質， 在高加速度與高劑量(例如，分別為90 keV與1 X 1〇15 em2)下，植入穿過該閘極絕緣薄膜44與46，而執行首次 摻雜。藉此，形成用於低壓之η-型TFT的源極與汲極區 域435以及用於高壓之η-型TFT的源極與汲極區域437。 15 由於具有比金屬薄膜之部位471寬之寬度的光阻罩模48c 係作為罩模，因此，未有雜質被植入欲成為用於高壓之 η-型TFT之LDD區域與通道區域的一部位438内。由於 光阻罩模48a與48b，η-型雜質係未植入用於低壓之p_ 型TFT與用於高壓之p_型TFT。再者，由於用於低壓之 20 n_型TFT之閘極電極45b係作為罩模，η-型雜質係亦未 植入其通道區域436内。 接著，光阻罩模48a、48b以及48c係被去除。隨後， 如第9A圖所示，藉由使用由A1製成之金屬薄膜的殘留 部位47b與471、用於低壓p-型TFT之閘極電極45a， 42 !2984〇l 以及用於低壓之η·型TFT之閘極電極45b作為罩模，而 在尚加速度與低劑量(例如，分別為9〇 keV與5 χ 1〇13 cm )下，將諸如磷之η_型雜質植入穿過閘極絕緣薄膜44 與46而執行第二摻雜。藉此，LDD區域439係形成在用 於鬲壓之η-型TFT之源極或汲極區域437與通道區域45〇 間之半導體層内。該η-型雜質亦在高加速度與低劑量下 植入用於低壓之ρ-型TFT的源極與汲極區域431以及用 於高壓之p-型TFT的源極與汲極區域433兩者内。由於 閘極電極4几與471係作為罩模，η-型雜質係未植入用於 鬲壓之ρ-型TFT的通道區域434以及用於高壓之仏型 TFT的通道區域450内。由於用於低壓之厂型TFT的閘 極電極45a以及用於低壓之n•型TFT的閘極電極45b係 作為罩椒，n_型雜負係未植入通道區域Μ]與436内。 隨後，如第9B圖所示，經由在約5〇〇〇c下之熱處 15 理或使用激雷射執行退火，以活化該η-型與？_型雜質。 隨後，如第9C圖所示，一 SiN薄膜係形成約3〇〇 nm 的厚度，以提供一層絕緣薄膜49，且接觸孔係設置在層 絕緣薄膜49、閘極絕緣薄膜44與46内。再者，一 A1 薄膜係形成約300 nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線 20 50。此完成用於低壓之n-型TFT、用於低壓之p_型TFT、 用於咼壓之η-型TFT以及用於高壓之口_型。儘管未 示出，一保護薄膜與像素電極係進一步被形成，以完成 TFT基材。 在本實施例中使用光阻罩模（或離子摻雜或離子喷 43 1298401 5 灑)之植入雜質的方法係僅涉及顯示於第8c圖的單一步 驟。相對地，實施例3係涉及二使用光阻罩模植入雜質 的步驟。必須使用氧之電漿執行灰化一段長的時間，以 去除在植入雜質後之光阻。因此，本實施例可比實施例3 在一較短時間内製造TFT基材。儘管在金屬薄膜上執行 側蝕刻，以使金屬薄膜的寬度比顯示於第8C圖之光阻罩 模48c的寬度窄，側蝕刻可在〜型雜質之首次植入後且 在光阻罩模48c剝落前執行。 10

在本實施例中，當n-型雜質被植入顯示於第9A圖 之LDD區域439 a夺’ η-型雜質係亦被植入p_型TFTs之 源極與沒極區域431與433内，然而，由於所導入的量 係等於或低於植入在顯示於第8B圖之M 與沒極區域431與433内量的十分之―，因此，其係且 有實質上可忽略的影響。 "" 15 在本實施例中，未有LDD形成在pims。由於

=熱載子所導致之衰減對㈣TFTs H 慮’不需_需要形成有LDD，_ Μ 切財咖， [實施例5] 20 作為==Γ至11C圖描述在用於執行本發明 式中，製造根據實施例5之 TFT基材的方法。第·至uc圖係 材之構造及其製造方法之程序中的截面圖二= UC圖中，—用於低墨之P-型所、1於健之n-型 44 1298401 TFT、-用於南壓之卜型TFT以及一用於高壓之卜型 係以在圖式左側上之TFT起始的順序顯示。 首先如第10A圖所示，一 si〇2薄膜係在由玻璃製 成之透明絕緣基材61上形成約8〇nm的厚度，以提供一 5缓衝層…使用電襞CVD形成一不定形石夕薄膜，並使用 激光雷射加以退火，以將該不定财加以結晶，藉而形 成一具有約50 rnn之厚度的多晶石夕半導體層63。一光阻 係接著被塗佈並®案化，以形成—光阻罩模。使用該光 阻罩模作為-_罩模而執行侧，以形成呈島形之半 1〇導體層咖、63卜咖以及_。隨後，-_薄膜係 在該半導體層63a、63b、63c以及磁上形成約3〇邮 的厚度，以提供-第-閘極絕緣薄膜64。該第一閑極絕 緣薄膜64係作為-用於低壓之TFTs的閘極絕緣薄膜。 隨後，一 Mo薄膜係形成約3〇〇 nm的厚度，以提供 U -金屬薄膜。-光阻係接著被塗佈並圖案化，以形成一 光阻罩模。使用該組I模作為__罩模執行敍刻， 以去除與用於低壓之p-型TFT與用於低壓之卜型抓之 源極與沒極區域有關之金屬薄膜的部位以及與用於高壓 之P-型TFT與祕高壓之卜型TFT有關的部位。亦即， 2〇 4金屬薄膜係被圖案化，以留下用於低壓之卜型TFT的 閘極電極65a以及用於低壓之卜型TFT的間極電極咖。 酼後，一 Si〇2薄膜係在該閘極電極65a與65b上形成約 7〇 nm的厚度，以提供一第二閘極絕緣薄膜％。由於該 第-間極絕緣薄膜64係為—用於低壓之TFTs的間極絕 45 緣薄膜，复 一、、旱度可根據用於低壓之tFTs來決定。由於該 閘 ’專膜，即，該第一閘極絕緣薄膜64與該第二 5 ^絕緣㈣66,係構成1於高壓之TFTs關極絕緣 释、/間極絕緣薄膜的厚度可根據用於高壓之TFTs而 周整忒第二閘極絕緣薄膜66的厚度來決定。 之卩思後，如第1〇B圖所示，一欲變成用於高壓之TFTs —間極電極的A1薄膜係形成約300 nm的厚度，以提供 金屬薄骐。接著塗佈—光阻並形成圖案，以形成光阻 罩模68a愈 10 >、68b。使用該光阻罩模68a與38b作為蝕刻罩 行乾式餘刻’以去除與用於低壓之η-型TFT以及用 ;氐壓之卜型TFT有關之由A1製成之金屬薄膜的部位、 ^有寬度tb用於高壓之p_型TFT之源極與祕區域寬度 乍之金屬薄膜的部位635以及與用於高壓之卜型TFT之 15

源極與沒極區域637有關之金屬薄膜的部位。亦即，乾 式蝕刻係留下具有寬度比用於高壓之p-型TFT之閘極電 極寬度更寬之金屬薄膜的一部位、與用於高壓之卜型TFT 之LDD區域與通道區域有關之金屬薄膜的一部位。 其後’以濕式鍅刻為基礎執行側蝕刻。目的在於蝕 刻在乾式蝕刻後留下之金屬薄膜的側面 ，以減少金屬薄 20 膜的寬度。藉此，形成用於高壓之p—型TFT的閘極電極 67a以及用於高壓之n-型TFT的閘極電極67b。為了提供 具有LDD區域之用於高壓的}型TFr，光阻罩模68b的 寬度係比閘極電極67b的寬度寬容納LDD區域的量。光 阻罩模68a的寬度係比閘極電極67a的寬度寬，儘管用 46 1298401 於高壓之p-型TFT係未形成有LDD區域。 隨後，在光阻罩模68a與38b留在適當的位置，藉 由使用光阻罩模68a與38b、用於低壓之p-型TFT之閉 極電極65a以及用於低壓之n-型TFT之閘極電極65b作 5 為罩模，而將諸如磷之η-型雜質，在高加速度與高劑量(例 如，分別為90 keV與1 X 1015 cm·2)下，植入穿過該閘極 絕緣薄膜64與66，而執行首次摻雜。藉此，形成用於低 壓之η-型TFT的源極與没極區域633以及用於高壓之n_ 型TFT的源極與汲極區域637。由於比金屬薄膜6几寬 1〇度寬之光阻罩模68b係作為罩模，因此，未有雜質被植 入欲成為用於高壓之卜型丁!^之LDD區域與通道區域的 一部位638内。再者，由於用於低壓之11_型11^的閘極 電極65b亦作為罩模，因此，雜質係未植入通道區域 内。然而，η-型雜質係植入於欲變成為用於低壓之严型 15 TFT之源極與汲極區域的部位631以及欲變成為用於高 壓之p-型TFT之源極與沒極區域的部位635。 ^ 接著，光阻罩模6以與68b係被去除。隨後，如第 1〇C圖所示，藉由使用用於低壓之P·型TFT之閘極電極 65a、用於低壓之m之閘極電極价、用於高壓之 20 P-型TFT之閘極電極67a以及用於高壓之型TFT之閉 極電極67b作為罩模，而在高加速度與低劑量(例如，分 別為90 keV與5 X 1〇13 cm·2、下，骆啤上淡 > 刀 cm )下，將4如磷之〜型雜質植 入穿過閘極絕緣薄膜64與66而執行第二摻雜。藉此， ㈣區域641係形成在用於高壓之η·型TFT之源^或汲 47 1298401 極區域637與通道區域642間之半導體層内。具有LDD 區域之用於高壓之p_型TFT以及用於高壓之〜型tft至 此步驟係形成實質相同的構造。類似地，用於 型TFT與用於低壓之n_型TFT至此步驟係形成實質相同 5的構造。亦即，至此步驟，所有的TFTs係形成為n_型 TFTs。 隨後，如第11A圖所示，一光阻係接著被塗佈並圖 案化，以形成一用以覆蓋用於低壓之r^型Τρτ整體的光 阻罩模69a以及一用以覆蓋用於高壓之卜型τρτ整體的

10 光阻罩模69b。此防止P-型雜質植入用於低壓之化型TFT 與用於高壓之η·型TFT。 隨後，如第11A圖所示，藉由使用光阻罩模6如與 69b、用於高壓之p-型TFT的閘極電極67a以及用於低壓 之p-型TFT的閘極電極65a作為罩模，一諸如硼之？_型 15 雜質係在面加速度與高劑量(例如，分別為70 keV與2 X 1015 cm·2)下，選擇性地穿過閘極絕緣薄膜64與的而僅 植入在用於高壓之P-型TFT以及用於低壓之p-型TFT 内。藉此，形成用於低壓之p_型TFT的源極與汲極區域 644以及用於高壓之p-型TFT的源極與汲極區域643。該 20 型雜質在則述步驟中已被植入源極與汲極區域644與 643。因此，P-型雜質係在源極與汲極區域644與643内 植入比η-逛雜質約2倍的量，以將源極與汲極區域644 與643轉成Ρ型。由於Ρ-型TFTs係未形成有LDD區域， 因此，僅需要植入雜質一次。由於閘極電極65a係作為 48 1298401 用於低壓之p-型TFT的罩模且閘極電極67a係作為用於 高壓之ρ-型TFT的罩模，因此，該p_型雜質係未植入通 道區域632與640内。 隨後，如第11B圖所示，光阻罩模69a與6%係被 5 去除。經由在約500°C下之熱處理或使用激雷射執行退 火，以活化該η-型與ρ-型雜質。 隨後，如第11C圖所示，一 SiN薄膜係形成約3〇〇 nm 的厚度，以提供一層絕緣薄膜70，且接觸孔係設置在層 絕緣薄膜70、閘極絕緣薄膜64與66内。一 Ai薄膜係开) 10 成約3〇〇nm的厚度並加以圖案化，以提供佈線71。此完 成用於低壓之η-型TFT、用於低壓之型TFT、用於古 壓之η·型TFT以及用於高壓之。儘管未示出， 一保護薄膜與像素電極係被進一步形成，以完成TFT基 材。 & 15 本實施例與實施例2至4不同點在於，由於用於高 壓之η-型TFT的閘極電極67b以及用於高壓之卜型丁打 的閘極電極67a係同時處理，因此，閉極電極的姓刻係 僅/乂及單步驟。然而，由於高劑量之n_型雜質係亦植 入P_型TFTS内，因此’需要反轉摻雜，以形成p-型TFTs 如之源極與汲極_⑷與_。在本實施射之利用光阻 罩模的離子植人亦涉及二步驟。用以形成如第⑽圖所 不之η-型雜質的植入可在將型雜質植入型啦之 源極^極區域後且在光阻罩模_與_剝落前執 仃’則提是其事先係以如第HB圖所示之雷射光照射。 49 I2984〇i 再者’雖然在本實施财，係在金㈣膜之乾式敍刻後 進仃側關，以㈣極電極67a與67b的寬度比光阻罩 *、68a與68b的寬度窄，如第1〇B圖所示，然而，該侧 $ _可在η·型雜質之首次植人後執行(前肢事先去除光 戶且罩模68a與68b)。 U苢已描述用於執行本發明之模式的五實施例，本 發明係非限制於該等實施例。特別是，類似於在實施例2 至5中之該等結構可使用除了上述之製造方法加以提 供。特別是’可利用任何製造方法，只要第__與第二間 10極絕緣薄膜係各別形成，且只要用於高壓之卜型τρτ、 用於高壓之卜型TFT、用於低壓之η-型TFT以及用於低 壓之ρ·型TFT可經由—允許LDDs在未_閘極絕緣薄 膜下而設置之一般製造方法同時製造。 儘管液晶顯示器係作為聽執行本發明之模式的實 15 本發明係非限制於此，且可應用至諸如有機豇顯示 器與無機EL顯示器之其他顯示器。 如上所述，本發明可提供一種具有良好特性與高可 靠度之薄膜電晶體裝置。 用以活化植入於TFT之源極與汲極區域與咖區 域間之能量係未有差異。再者，其可抑制在丁打之閘極 電極與半導體層間之洩漏電流。 即使當用於低壓之TFT之閘極絕緣薄_厚度減少 時亦不會產生問題。騎，可容易控制各所之^^長 度，且可選擇性形成未具有LDD之TFTs。 50 再者，其可在未蝕刻閘極絕緣薄膜下，提供n_型與 p型TFTs、用於低壓^TFTs以及用於高壓之TFTs或其等 之組合、包括該TFTs之TFT基材以及包括該TFT基材之顯 示器。 5 【圈式簡單說明】 第1圖係顯不用於執行本發明之一模式之液晶顯示 器的構造； 第2A至2C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執彳了本發明之模式之實補i之tft基材的構 10 造及其製造方法； 第3A至3C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例丨之τρτ基材的構 造及其製造方法； 第4A至4C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 15根據用於執行本發明之模式之實施例2 之TFT基材的構 造及其製造方法； 第5A至5C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例2之TFT基材的構 造及其製造方法； 2〇 第6A至6D圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例3之TFT基材的構 造及其製造方法；

第7A 至7C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據用於執行本發明之模式之實施例3之TFT基材的構 51 造及其製造方法；

第8 A 根據 至8C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 、生 於執行本發明之模式之實施例4之TTT基材的構 5 Μ其製造方法； 八至9C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 艮據用於執行本發明之模式之實施例4之TFT基材的構 造及其製造方法； 一弟1〇A至10C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 10 不根據用於執行本發明之模叙實施例5之TFT基材的 構造及其製造方法； 第11A至nc圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 不根據騎執行本翻之模紅實施例5之TFT基材的 構造及其製造方法； 第12A至12C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 不根據相’藝之第—實例之tft基材的構造及其製造 方法； 第13A至13C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 不根據相藝之第-實例之TFT基材的構造及其製造 方法； 20 第14A至14C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯 不根據相關技藝之第二實例之TFT基材的構造及其製造 方法；以及 第15A至15C圖係在程序中所取之截面圖，其等顯示 根據相關技藝之第二實例之雨基材的構造及其製造方 52 1298401 法。 【圓式之主要元件代表符號表】 1 透明絕緣基材 23c 島形半導體層 2 緩衝層 23d 島形半導體層 3 多晶矽半導體層 24 第一閘極絕緣薄膜 3a 半導體層 25a 閘極電極 3b 半導體層 25b 閘極電極 3c 半導體層 26 第二閘極絕緣薄膜 4 閘極絕緣薄膜 27a 部位 5 金屬薄膜 27b 部位 5a 部位 27c 部位 5b 部位 28a 光阻罩模 5c 部位(閘極電極） 28b 光阻罩模 6a 光阻罩模 29 層絕緣薄膜 6b 光阻罩模 30 佈線 7 層絕緣薄膜 31 透明絕緣基材 8 佈線 32 緩衝層 21 透明絕緣基材 33 多晶矽半導體層 22 緩衝層 33a 島形半導體層 23 多晶矽半導體層 33b 島形半導體層 23a 島形半導體層 33c 島形半導體層 23b 島形半導體層 33d 島形半導體層 53 1298401 34 第一閘極絕緣薄膜 45b 閘極電極 35a 閘極電極 46 第二閘極絕緣薄膜 35b 閘極電極 47a 部位 36 第二閘極絕緣薄膜 47b 部位(閘極電極） 37a 部位 47c 部位 37b 部位 48a 光阻罩模 37c 部位 48b 光阻罩模 38a 光阻罩模 48c 光阻罩模 38b 光阻罩模 49 層絕緣薄膜 38c 光阻罩模 50 佈線 39a 光阻罩模 51 閘極電極 39b 光阻罩模 52 閘極電極 39c 光阻罩模 61 透明絕緣基材 39d 光阻罩模 62 缓衝層 40 層絕緣薄膜 63 多晶矽半導體層 41 透明絕緣基材 63a 島形半導體層 42 緩衝層 63b 島形半導體層 43 多晶矽半導體層 63c 島形半導體層 43a 島形半導體層 63d 島形半導體層 43b 島形半導體層 64 第一閘極絕緣薄膜 43c 島形半導體層 65a 閘極電極 43d 島形半導體層 65b 閘極電極 44 第一閘極絕緣薄膜 66 第二閘極絕緣薄膜 45a 閘極電極 67a 閘極電極

54 1298401 67b 閘極電極 204 閘極絕緣薄膜 68a 光阻罩模 204a 閘極絕緣薄膜 68b 光阻罩模 205a 閘極電極 69a 光阻罩模 206 閘極絕緣薄膜 69b 光阻罩模 206b 閘極絕緣薄膜 70 層絕緣薄膜 207b 閘極電極 71 佈線 208 層絕緣薄膜 101 透明絕緣基材 209 佈線 102 緩衝層 231 源極與汲極區域 103 多晶矽半導體層 232 通道(區域） 103a 類島形半導體層 233 部位 103b 類島形半導體層 234 源極與汲極區域 104 閘極絕緣薄膜 235 通道區域 104a 閘極絕緣薄膜 236 源極與汲極區域 104b 閘極絕緣薄膜 237 通道區域 105a 閘極電極 238 LDD區域 105b 閘極電極 239 通道區域 109 層絕緣薄膜 240 源極與汲極區域 110 佈線 271 閘極電極 201 透明絕緣基材 272 閘極電極 202 緩衝層 301 源極與汲極區域 203 多晶矽半導體層 302 部位 203a 類島形半導體層 303 通道區域 203b 類島形半導體層 304 源極與汲極區域

55 通道區域 450 通道區域 LDD區域 471 部位 通道區域 632 通道區域 源極與汲極區域 633 源極與汲極區域 通道區域 634 通道區域 源極與汲極區域 635 部位 部位 637 源極與汲極區域 LDD區域 638 部位 通道區域 640 通道區域 源極與汲極區域 641 LDD區域 通道區域 642 通道區域 源極與汲極區域 643 源極與汲極區域 通道區域 644 源極與汲極區域 閘極電極 1000 液晶顯不為 佈線 1031 源極與汲極區域 源極與汲極區域 1032 LDD區域 通道區域 1033 通道區域 源極與汲極區域 1035 源極與汲極區域 通道區域 1036 通道區域 源極與汲極區域 1100 TFT基材 通道區域 1110 像素母質區域 源極與汲極區域 1120 閘極驅動器 通道區域 1121 移位暫存器 LDD區域 1122 位準移位器 56 1298401 1123 輸出緩衝器 1130 資料驅動器 1131 移位暫存器 1132 位準移位器 1133 類比開關 1140 顯示控制器 2031 源極與汲極區域 2032 通道區域 2035 源極與汲極區域 2036 LDD區域 2037 通道區域 Η 水平同步訊號 R106 光阻罩模 R107 光阻罩模 R108 光阻罩模 V 垂直同步訊號 VL 低功率電壓 Vgnd 接地電壓

Claims (1)

1298401 拾、申請專利範圍： L種製造薄膜電晶體裝置的方法，其包含下列步驟： 將具有一預定構形之一半導體層形成在一基材上； 將一閘極絕緣薄膜形成在該半導體層上； 將一金屬薄膜形成在該閘極絕緣薄膜上； 將該金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為第一導電 型之薄膜電晶體之源極與汲極區域的區域内之半導體 層上的金屬薄膜； 藉由將第一導電型之雜質植入使用該圖案化之金 屬薄膜作為一罩模的半導體層内而形成該第一導電型 之薄膜電晶體的源極與汲極區域； 藉由將該圖案化之金屬薄膜形成圖案而形成該第 一導電型之薄膜電晶體的閘極電極，以及 藉由將該第一導電型之雜質植入使用該第一導電 型之薄膜電晶體之閘極電極作為一罩模的半導體層内 而將-低密度雜質區域形成在第一導電型之薄膜電晶 體的源極與汲極區域以及通道區域之間。 2·如申明專利範圍第1項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 在形成該第一導電型之薄膜電晶體的閉極電極的 同時’形成-第二導電型之薄媒電晶體的閘極電極； 形成一光阻罩模，使得其係覆蓋該第一導電型之薄 膜電晶體且其後藉由將該第二導電型之雜質植入該半 導體層内而形成該第二導電型之薄膜電晶體的源極與 58 1298401 >及極區域，以及 在去除該光阻罩模後，活化該第一與第二導電型之 雜質。 3. 如申請專利範圍第2項之製造薄膜電晶體裝置的方 5 法，其包含下列步驟： 在去除該光阻罩模後，藉由植入該第一導電型之雜 質而形成該低密度之雜質區域。 4. 如申請專利範圍第1項之製造薄膜電晶體裝置的方

法，其中形成該第一導電型及/或第二導電型之薄膜電 10 晶體之閘極電極的步驟係包括以一光阻罩模覆蓋該 第一導電型之薄膜電晶體之閘極電極的步驟，在該 處，係未形成該低密度雜質區域，藉此防止其被蝕刻。 5. —種薄膜電晶體裝置，其包含： 一第一導電型之第一薄膜電晶體，其包括一形成在 15 一基材上之半導體層、一形成在該半導體層上之第一

閘極絕緣薄膜、一形成在該第一閘極絕緣薄膜上之第二 閘極絕緣薄膜，以及一形成在該第二閘極絕緣薄膜上之 第一閘極電極，一低密度雜質區域係形成在該半導體層 之源極與汲極區域與通道區域之間；以及 20 —第二薄膜電晶體，其包括該半導體層、該第一閘 極絕緣薄膜、一形成在該第一閘極絕緣薄膜上之第二閘 極電極，以及一形成在該第二閘極電極上且係由形成該 第二閘極絕緣薄膜之相同材料所形成之絕緣薄膜。 6. 如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體裝置，其進一步包 59 1298401 含： -該第二導電型之第三_電晶體，其包括該半導 體層:該第-間極絕緣薄膜、該第二閘極絕緣薄膜，以 及該第一閘極電極。 一種用於賴電晶社歸，其包含多數個形成在一基 材上之匯流排線，使得其等係以-插置於其間之絕緣 等膜而相互又又、以在該基材上之顯示區域内之基質 句式提供的像素區域，叹_形成在設置於該顯示 區域周圍之周邊電路的薄膜電晶體裝置，其中該薄膜 電晶體裝置係為如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體 裝置。 〜種顯示器’其包含-具有作為開關構件之薄膜電晶體 的基材，其中一如申請專利範圍第7項之用於薄膜電 晶體的基材係使用作為該基材。 種製造薄膜電晶體裝置的方法，其包含下列步驟： 將具有一預定構形之一半導體層形成在一基材上； 將一第一與第二薄膜電晶體之第一閘極絕緣薄膜 形成在該半導體層上； 將一第一金屬薄膜形成在該第一閘極絕緣薄膜上； 藉由將該第一金屬薄膜形成圖案而形成一該第一 '薄犋電晶體的閘極電極； 將一該第二薄膜電晶體之第二閘極電極形成在今 ^ 溥膜電晶體之該閘極電極上； 將一第二金屬薄膜形成在該第二閘極絕緣薄膜上· 60 1298401 將該第二金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為第二 薄膜電晶體之源極與汲極區域的區域内之第一薄膜電 晶體上與半導體層之上的第二金屬薄膜； 藉由將第—導電型之雜質植人使賴第-薄膜電 5 晶體之閘極電極與該圖案化之第二金屬薄膜作為罩模 的半導體層内而形成該第一與第二薄膜電晶體的源極 與没極區域； 藉由將該圖案化之第二金屬薄膜進一步形成圖案 而形成該第二薄膜電晶體的閘極電極，以及 10 #由將該第-導電型之雜質植人使用該第二薄膜 電晶體之閘極電極作為一罩模的半導體層内而將一低 雄度雜質區域形成在第二薄膜電晶體的源極與沒極區 域以及通道區域之間。 10.如申請專利範圍第9項之製造薄膜電晶體裝置的方 15 法，其包含下列步驟： 在形成該第一薄膜電晶體的閘極電極的同時，形 成一第三薄臈電晶體的閘極電極； 在形成該第二薄膜電晶體的閘極電極的同時，形 成一第四薄膜電晶體的閘極電極； ί〇 形成一光阻罩模，使得其係覆蓋該第一與第二薄 膜電晶體； 藉由將該第二導電型之雜質植入使用該光阻罩 模與該第三與第四薄膜電晶體之閘極電極作為罩模 的該半導體層内而形成該第三與第四薄膜電晶體的 61 1298401 源極與汲極區域；以及 在去除該光阻罩模後，活化該第一與第二導電型 之雜質。 11. 如申請專利範圍第10項之製造薄膜電晶體裝置的方 5 法，其包含下列步驟： 在形成該第二與第四薄膜電晶體之閘極電極的 同時，去除在該第三薄膜電晶體上之第二金屬薄膜。 12. 如申請專利範圍第10項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 10 在去除該光阻罩模後，形成該第二薄膜電晶體之 低密度雜質區域。 13. 如申請專利範圍第10項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其中形成第二及/或第四薄膜電晶體之閘極電極的 步驟包括以一光阻罩模覆蓋第二薄膜電晶體之閘極 15 電極的步驟，在該處，係未形成該低密度雜質區域， 藉此，防止其被蝕刻。 14. 一種製造薄膜電晶體裝置的方法，其包含下列步驟： 將具有一預定構形之一半導體層形成在一基材 上； 20 將一第一與第二薄膜電晶體之第一閘極絕緣薄膜 形成在該半導體層上； 將一第一金屬薄膜形成在該第一閘極絕緣薄膜 上； 藉由將該第一金屬薄膜形成圖案而形成一該第一 62 1298401 薄膜電晶體的閘極電極， 將一該第二薄膜電晶體之第二閘極電極形成在該 第一薄膜電晶體之該閘極電極上； 將一第二金屬薄膜形成在該第二閘極絕緣薄膜 5 上； 將一第一光阻罩模形成在該第二金屬薄膜上；

將該第二金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為藉 由使用該第一光阻罩模之第二薄膜電晶體之源極與 汲極區域的區域内之第一薄膜電晶體上與半導體層 10 之上的第二金屬薄膜； 處理該圖案化之第二金屬薄膜，使得其具有一比 該第一光阻罩模之寬度窄之寬度； 藉由將第一導電型之雜質植入使用該第一光阻罩 模與該第一薄膜電晶體之閘極電極作為罩模的半導 15 體層内而形成該第一與第二薄膜電晶體的源極與汲

極區域， 去除該第一光阻罩模；以及 藉由將該第一導電型之雜質植入使用該經處理之 第二金屬薄膜作為一罩模的半導體層内而將一低密 20 度雜質區域形成在第二薄膜電晶體的源極與汲極區 域以及通道區域之間。 15·如申請專利範圍第14項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 在形成該第一薄膜電晶體的閘極電極的同時，形 63 1298401 成一第二薄膜電晶體的閘極電極； 將一第二光阻罩模形成在該第一與第二薄膜電 晶體上以及該第二金屬薄膜上之欲成為一第四薄膜 電晶體之閘極電極的區域， 5 將該第二金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為藉 由使用該第二光阻罩模之第四薄膜電晶體之源極與 汲極區域的區域内之第三薄膜電晶體上與半導體層 之上的第二金屬薄膜；

藉由將該第二導電型之雜質植入使用該第二光 10 阻罩模作為一罩模的該半導體層内而形成該第三與 第四薄膜電晶體的源極與汲極區域；以及 在去除該第二光阻罩模後，活化該第一與第二導 電型之雜質。 16. 如申請專利範圍第14項之製造薄膜電晶體裝置的方 15 法，其包含在使用該第一光阻罩模而將該第一導電型

之雜質植入該半導體層後，處理該第二金屬薄膜，使 得其具有一比該第一光阻罩模之寬度窄之寬度的步 驟。 17. 如申請專利範圍第15項之製造薄膜電晶體裝置的方 20 法，其包含在去除該第二光阻罩模後，藉由使用該第 二金屬薄膜作為一罩模將該第一導電型雜質植入該 半導體層，而形成該第二薄膜電晶體之低密度雜質區 域的步驟。 18_如申請專利範圍第15項之製造薄膜電晶體裝置的方 64 1298401 法，其包含在使用該第二光阻罩模而將該第二導電型 之雜吳植入該半導體層前，將該第二光阻罩模加工在 該第四薄膜電晶體之閘極電極上，使得其具有一比該 閘極電極之寬度窄之寬度的步驟。 以-種製造薄膜電晶體震置的方法，其包含下列步驟： 將具有一預定構形之一半導體層形成在一基材 上； ^將一第一與第二薄膜電晶體之第一閘極絕緣薄膜 形成在該半導體層上； 10

將第一金屬薄膜形成在該第一閘極絕緣薄膜 上； ' 精由將該第一金屬薄膜形成圖案，而形成一該第 薄膜電晶體的閘極電極； 15 將-该第二薄膜電晶體之第二閘極電極形成在該 第一薄膜電晶體之該閘極電極上； •將-第二金屬薄膜形成在該第二閘極絕緣薄膜

--------以紊除在欲成為 20 、金屬薄膜形成圖案 第—薄膜電晶體之源極錢極區域的區域内之第 薄膜電晶體上與該半導體層之上的第二金屬薄犋; 藉由將-第二導電型之雜質植人使用該第 電曰曰體之閘極電極與該圖案化之第二金屬薄 罩模的半導體層内而形成該第—與第二薄膜電曰 的源極與汲極區域。 曰曰 65 1298401 〇·如申3月專利範圍第19項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 在形成該第一薄膜電晶體的閘極電極的同時，形 成一第三薄膜電晶體的閘極電極； 將一光阻罩模形成在該第一與第二薄膜電晶體 上以及該第二金屬薄膜上之欲成為一第四薄膜電晶 體之閘極電極的區域； 將该第二金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為藉 由使用該光阻罩模之第四薄膜電晶體之源極與汲極 區域的區域内之第三薄膜電晶體上與半導體層之上 的第二金屬薄膜； 藉由進一步將該第二金屬薄膜形成圖案，使得其 具有一比該光阻罩模之寬度窄之寬度，而形成一該第 四薄膜電晶體之閘極電極； 藉由將該第一導電型之雜質植入使用該光阻罩 模與該第三薄膜電晶體之閘極電極作為罩模的該半 導體層内而形成該第三與第四薄膜電晶體的源極與 没極區域； 去除該光阻罩模； 藉由將該第一導電型之雜質植入使用該第四薄 膜電晶體之閘極電極作為一罩模的半導體層内而將 一低密度雜質區域形成在該第四薄膜電晶體的源極 與沒極區域以及通道區域之間； 活化該第一與第二導電型之雜質。 66 1298401 21. 如申請專利範圍第20項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含在使用該光阻罩模而將該第一導電型之雜 質植入該半導體層後，藉由處理該第二金屬薄膜，使 得其具有一比該光阻罩模之寬度窄之寬度，而形成該 5 第四薄膜電晶體之閘極電極的步驟。 22. —種製造薄膜電晶體裝置的方法，其包含下列步驟： 將具有一預定構形之一半導體層形成在一基材 上；

將一第一至第四二薄膜電晶體之第一閘極絕緣薄 10 膜形成在該半導體層上； 將一第一金屬薄膜形成在該第一閘極絕緣薄膜 上； 藉由將該第一金屬薄膜形成圖案，而形成一該第 一與第二薄膜電晶體的閘極電極； 15 將一該第三與第四薄膜電晶體之第二閘極電極形

成在該第一與第二薄膜電晶體之該閘極電極上； 將一第二金屬薄膜形成在該第二閘極絕緣薄膜 上； 將一第一光阻罩模形成在該第二金屬薄膜上； 20 將該第二金屬薄膜形成圖案，以去除在欲成為使 用該第一光阻罩模之該第三與第四薄膜電晶體之源 極與汲極區域的區域内之第一與第二薄膜電晶體上 與該半導體層之上的第二金屬薄膜； 藉由處理該第二金屬薄膜，使得其具有一比該第 67 1298401 一光阻罩模之寬度小的寬度，而形成該第三與第四薄 膜電晶體的閘極電極； 藉由將一第一導電型之雜質植入使用該第一光阻 罩模與該第一與第二薄膜電晶體之閘極電極作為罩 5 模的半導體層内而形成該第一與第三薄膜電晶體的 源極與汲極區域； 去除該第一光阻罩模；以及 藉由將該第一導電型之雜質植入使用該第三薄膜 電晶體之閘極電極作為一罩模的半導體層内而將一 10 低密度雜質區域形成在該第三薄膜電晶體的源極與 >及極區域以及通道區域之間。 23.如申請專利範圍第22項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 形成一用於覆蓋該第一與第三薄膜電晶體之第二 15 光阻罩模； 藉由將該第二導電型之雜質植入使用該第二光阻 罩模的半導體層内而形成該第二與第四薄膜電晶體 的源極與汲極區域； 在去除該第二光阻罩模後，活化該第一與第二導 20 電型之雜質。 24_如申請專利範圍第22項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其中在形成該第一與第三薄膜電晶體之源極與汲 極區域以及該低密度雜質區時，該第一導電型之雜質 係被植入欲成為該第二與第四薄膜電晶體之源極與 68 1298401 汲極區域之半導體層内。 25_如申請專利範圍第22項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含下列步驟： 在使用該第一光阻罩模而將該第一導電型之雜質 5 植入該半導體層後，處理該第二金屬薄膜，使得其具 有一比第一光阻罩模之寬度窄之寬度。

26_如申請專利範圍第23項之製造薄膜電晶體裝置的方 法，其包含在去除該第二光阻罩模後，藉由使用該第 二金展薄膜作為罩模將該第一導電型之雜質植入該 10 半導體層内，而形成一該第三薄膜電晶體之低密度雜 質區域的步驟。

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