TWI291079B - Photomask - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Description
1291079 玫、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係m種光罩結構,特別是指—種可以檢查光罩保護蓋與 基板之密合程度以及避免產生靜電放電的光罩結構。 【先前技術】 •為了在半導體晶片上形成一設計的積體電路(integrated circuits) ’目前的半導難輯是先製作複數個光罩並在各光罩上分 別形成-設計的佈局目案(lay〇ut),然後再藉由微影製程來將各光罩 上的圖案以一定的比例逐次轉移到半導體晶片表面的各光阻層上,進 而將元整之積體電路的佈局圖案順利地製作在半導體晶片上。因此, 為了將積體電路的佈局圖案精確地轉移至半導體晶片上,光罩圖案的 製作與保護便是一相當重要的關鍵技術。 睛參考圖一與圖二,圖一為習知之光罩結構的上視圖,而圖二係為 圖一之光罩結構沿切線2-2’之剖面示意圖。如圖一與圖二所示,光罩 10包含有一透明的石英基板12,並且基板12表面包含有一光罩圖案 區12a、以及一光罩圖案層14設置於光罩圖案區I2a表面。此外,光 罩10另包含有一鉻膜16,設於基板12表面並環繞於光罩圖案層14之 外,以及一透明環狀區18,位於鉻膜16之内。其中,光罩圖案層14 係為一由複數個透光區與不透光區所組成之佈局圖案,其係用來進行 圖案轉移,而不透光的鉻膜丨6則是用來阻撞非必要之光線。除此之外, 透明壤狀區18内係不具有任何鉻金屬,其是用來作為一絕緣的靜電環 (electrostatic discharge ring, ESD ring),以絕緣光罩圖案層 14 以及鉻膜16,進而避免鉻膜丨6上的靜電傳導至光罩圖案層14内,而 產生靜電放電並導致線路圖案失真或損毀。 1291079 另一方面,光罩10還包含有一光罩保護蓋(pellicle)2〇,覆蓋於 光罩圖案14上方,用以防止灰塵等不潔物附著於光罩圖案14上。一 般而言,光罩保護蓋20係包含有一透光膠膜(transparent film)22, 一用以支撐透光膠膜22之框架(frame)24,以及一膠黏層(mounting adhesive)26,用來將框架24黏合至基板12之上,並且透光膠膜22 通常也是經由一膠黏層(未顯示)而黏合至框架24上。必須注意的是, 膠黏層26與基板12之間必須完全地密合,才可有效地防止灰塵附著 於光罩圖案14上,否則若膠黏層26的寬度太細、或是膠黏層26與基 板12之間具有孔隙或氣泡,則灰塵或殘膠等容易經由氣體流動而進入 光罩保護蓋20與基板12之間,並附著於光罩圖案層14上,因而影響 後續的微影製程之可靠性。例如,當一微粒附著於光罩圖案層14内之 透光區時,微影製程之圖案轉移過程便可能轉移該微粒之圖案於晶片 上’因而造成晶片圖案錯誤。 ^ 再者,如圖一所示,由於習知光罩保護蓋2〇之膠黏層26都是黏貼 於不透光的鉻膜16表面上,因此在進行微影製程之前,習知技術並無 法事先檢查膠黏層26與基板12之間是否具有縫隙、或是密合不佳的" 情形,往轉是產品出酬題後,才會發現光11()具有缺陷,如此 僅降低產品良率更是浪費成本。 【發明内容】 本發明的目岐提供一種光罩結構,以解決前述問題。 依據本發明之目的,本義陳佳魏儀提供 包含有-透明基板,-設於該透明基絲面的光罩_層^其 透明基板表面並環繞該光罩圖㈣的透明靜電環,—覆蓋。= 光ί保護蓋,以及—用來黏合該光罩保護“明C 膠黏層,其巾該翻靜電環侧來檢查該光罩保護纽験板之 1291079 密合程度,以及防止產生靜電放電。 。由於本發明係將該膠黏層黏合於該透明靜電環上,該透明靜電環不 僅可用來防止產生靜電放電,更可用來檢查郷黏層與該透明基板^ =的接合是否具有缺陷,以確保該光罩係不會遭受灰塵等不潔物之污 ^ ’進而可提高微影製程的可靠性並提昇產品良率。 【實施方式】 請參考圖三與圖四,圖三係為本發雜佳實施例之光軍上視圖,而 圖四係為®三所示之光罩沿切線4-4,之勤示意圖。如圖三與圖四所 不,光罩30係包含有一基板32,通常基板32必須是由高度透光且絕 緣的材質所構成,例如石英,並且紐32之表面包含有—光罩圖案區 32a、圍繞於光罩圖案區32a之内緣區域32b、以及一圍繞於内绫茂 域娜外側之外緣區賴c。此外,光罩3〇另包含有一設於光罩=案 區32a表面之光罩圖案層34,一設於内緣區域32b表面之膜36a , β又於外緣區域32c表面之路膜36b,以及一位於鉻膜36a與鉻膜36b 之間的透明環狀區38。其中,光罩_層34係為-由複數個透光區、 半透光區、不透光區或相位移區所組成之佈局圖案,其係用來進行圖 =之轉移,而鉻膜36a與36b則是用來阻擋非必要之光線,並且透明 %狀區38内不具有任何鉻金屬,其係用來作為一絕緣的靜電環,以絕 緣鉻膜36a與36b,並防止靜電放電之產生。一般而言,光罩圖案層 34、鉻膜36a與36b、與透明環狀區38係可同時形成,而其製作方法 係先沉積-鉻金屬層於基板32的表面,然後再利用一侧製程對該鉻 金屬層進行蝕刻,便可形成光罩圖案層34、鉻膜3如與361)'以及透 明環狀區38。 除此之外,光罩30還包含有一光罩保護蓋4〇,其係覆蓋於光罩圖 案34上方,用以防止灰塵尊不潔物附著於光罩圖案34上。並且光罩 1291079 保護蓋40主要係由一透光膠膜42、一框架44、與一膠黏層46構成, 其中透光膠膜42係為一高度透光的膠膜,例如硝化纖維 (nitrocellulose, NC)或含氟高分子(fluoropolymer),並且透光膠膜 42通常也是經由一膠黏層(未顯示)而黏合至框架44上。此外,框架 44是用來支撐透光膠膜42並係為一鋁框架,而且鋁框架44係經過陽 極處理,因此可避免反射光線。另一方面,膠黏層46係設於框架 上,其係用來將框架44黏合至基板32之透明環狀區38上,以使光罩 保護蓋40可覆蓋住整個光罩圖案34。此外,透明環狀區38的寬度dl 必須大於框架44的寬度d2,以使膠黏層46可黏附於透明環狀區38的 表面上,在本發明之較佳實施例中,透明環狀區38的寬度dl約為3 毫米(mm) ’而框架44的寬度d2約為2毫米,然而本發明並不限於此, 事實上,透明環狀區38與框架44的寬度係可視製程需要而定。 值得注思的是,如圖四所示,由於膠黏層係黏附於透明環狀區 38的表面上,因此本發明係可於光罩3〇製作完成或定期檢查時,利用 人工或機器(例如光學顯微鏡)由光罩3〇背面,亦即沿箭頭M,所指之 方向檢查雜層46與基板32之間雜合情況,練_ 46與基板災 之間的密合程度佳,則光罩30便可制於微難程巾關案轉移。隹 是,假若經過人工或機ϋ的檢測之後,發現膠軸46與基板%之間 具有縫隙、H泡或是練不⑽情形,則必騎光罩紐蓋4G與基板 32分離,之後再將新的光罩保護蓋4〇黏合至基板32上,最後再利用 人工或機H沿箭頭M,所指之方向檢鱗黏層46與基板⑧之間的黏 合情況,並魏上述麵以確保職層46與基板㈤之間錄密黏合。 相較於習知技術,本發明係將光罩保護蓋4〇之 明環^區38上,所赠日·狀區38不僅可用來作為靜電環^ 產生靜電放電,更可絲檢查膠黏層46與基板⑽之_接合是否 有缺陷,以確保光罩30之鮮圖鋪34係 物 污染,躺可提高郷製程的謂錄提昇產鮮不泳物」 1291079 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做 之均等變化與修飾,皆應屬本發明專利之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 圖式之簡單說明 圖一為習知之光罩結構的上視圖。 圖二係為圖一之光罩結構沿切線2-2’之剖面示意圖。 圖三係為本發明較佳實施例之光罩上視圖。 圖四係為圖三所示之光罩沿切線4-4’之剖面示意圖。 圖式之符號說明 10 光罩 12 石英基板 12a 光罩圖案區 14 光罩圖案層 16 鉻膜 18 透明琢*狀區 20 光罩保護蓋 22 透光膠膜 24 框架 26 膠黏層 30 光罩 32 基板 32a 光罩圖案區 32b 内緣區域 32c 外緣區域 34 光罩圖案層 36a 鉻膜 36b 鉻膜 38 透明環狀區 40 光罩保護蓋 42 透光膠膜 44 框架 46 膠黏層
Claims (1)
- i · 一種光罩結構’該光罩結構包含有: —基板,該基板表面包含有-光罩圖案區以及_透明環狀區, 且該透明環狀區係環繞於該光罩圖案區;以及 -光罩保護蓋,黏合於該透明環狀區且係覆蓋於該光罩圖案區 之上; 其中該透明環狀區係用來檢查該光罩保護蓋與該基板之密合 程度。 、泰如申請專利範圍第i項之光罩結構,其中該透明環狀區係為一 遷明靜電環,用以防止產生靜電放電。 3女如申請專利範圍第i項之光罩結構,其t該光罩保護蓋係包含 有: 一框架,其具有一第一面與一第二面; 一透光膠膜,設於該框架之第一面;以及 —膠黏層’設於該框架之第二面’用以將該光罩保護蓋黏合至 該透明環狀區。 ★申明專利fen第3項之光罩結構,其中該透光膠膜係包含有 確化纖維或含氟高分子。 ^如中料利範圍第3項之光罩結構,其巾該框㈣為一紹框 木,並且該鋁框架係經過陽極處理,以避免反射光線。 11 1291079 」如申請專利範圍第1項之光罩結構,其十該基板表面另包含有 内緣區域,且該内緣區域係位於於該光罩圖案區與該透明環狀 區之間。 7·。如申請專利範圍帛6項之光罩結構,纟中該基板另包含有_外 緣區域,位於該基板表面並環繞該透明環狀區之外。 8·如申請專利範圍第7項之光罩結構另包含有一不透光之第一鉻 膜與一不透光之第二鉻膜,分別設於該内緣區域與該外緣區 表面。 9·如申請專利範圍第1項之光罩結構另包含有一光罩圖案層,設 於該光罩圖案區之表面。 12 1291079 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(三)圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 30 光罩 32 基板 34 光罩圖案層 36a 鉻膜 36b 鉻膜 38 透明環狀區 40 光罩保護蓋 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW93111794A TWI291079B (en) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | Photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW93111794A TWI291079B (en) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | Photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200535567A TW200535567A (en) | 2005-11-01 |
| TWI291079B true TWI291079B (en) | 2007-12-11 |
Family
ID=39460429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW93111794A TWI291079B (en) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | Photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI291079B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111694213B (zh) * | 2019-03-14 | 2023-12-19 | 华邦电子股份有限公司 | 防静电光罩 |
-
2004
- 2004-04-27 TW TW93111794A patent/TWI291079B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200535567A (en) | 2005-11-01 |
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