TWI283751B - Probe for testing a device under test - Google Patents

Description

1283751 __案號 93114358 五、發明說明（1)

發明所屬之技術 本發明係關於探針測量系統， 路或其他微電子元件之電氣特性。 先前技術 可以而頻率測量積體電 迄 他形式 侧形成 孔，探 針尖朝 之隔離 Harmon 適用於 率時， 以產生 當抗衡 因為在 今開發 的微電 長形導 針尖附 下輻輳 很近的 的美國 高頻率 針尖有 多少有 此感應 針狀探 出π夕禋探 子元件。— 電痕跡，做 於開孔附近 的徑向延伸 墊片選擇性 專利3, 445, ’包含梯赫 感應元件的 電阻效果的 。因此，上 針尖發生高 測總成’以供測量積體電路和其 種代表性總成是使用電路卡，上 為訊號和地線。卡上形成中央開 的各訊號痕跡末端，故總成呈現 陣列，以供與受測試微電子元件 連接。此種探針總成見於例如 7 7 0號。然而，此種探測總成不 範圍的微波頻率，因為在如此頻 作用，又因無相鄰元件存在，可 寬帶特性之方式，藉電容效果適 述探測總成不適用於微波頻率， 階訊號反射和實質上感應損失。 為獲得比上述基本探針卡系統稍高頻率之裝置測量， 已開發各種相關探測系統。此等系統見於例如Evans的美 國專利3, 849, 728號、菊池氏的日本專利公告1 - 209, 38 0號 、Sang等人的美國專利4, 749, 942號、Lao等人的美國專利 4,593，243 號，以及811&]11^3^的美國專利4,727,319 號。 另一相關系統見於Kawanabe的日本專利公告60-223，138號 ’記載一種探針總成，有針狀尖端，其尖端從共軸電纜狀 結構延伸而非探針卡。此等系統之共同特點是，各針狀探

第6頁 1283751 修正 曰 ------篆號 93114358 ___年月 五、發明說明（2) =絕緣部的長度限於緊圍著測試中元件以 間以感應損失量減到最少。然而，此項措；的= ==效能的改進有限，因為此等探針的構：有1; 二：限制。例如在La〇等人的專利t，使用寬導電刀各片 太端與支持探針卡間之距離’而把各針狀 減到最小，而此等刀片從而設計成彼此相對配置， = ，線狀傳輸線結構。然而，實際上，很難把各刀片‘ 合到卡上相對應痕跡，同時在刀片間準if 的面對面間隔，以及針狀探針尖末端間之正確間距。

Lockwood等人在美國專利4, 697, 1 43號中顯示一種探 ，可在輸入終端和探針尖之間提供控制下阻抗低損 。在Lockwood等人的專利中，於氧化銘基片的底侧 ^成條狀導電痕跡之地線—訊號—地線配置，以便在基片上 斜Ϊ :平面傳輸線。在一端，各相關成對的地線痕跡和相 由二^置訊號痕跡，分別連接至共軸電纜接頭之外導體和 心導體。在此等痕跡的外端，設有耐磨導電性材料之面 以便可靠建立與待測試元件各墊片之通電，含陶鐵磁 从7微波吸收材料層，裝在基材周圍以吸收各地線—訊號_ 2線痕跡形態的長度主要部份上面之疑似微波能。按照此 種構造，在探針尖對待測元件呈現控制下的高頻率阻抗 例如5 0歐姆），而在此範圍内之寬帶訊號，例如DC至丨8秭 赫，即沿各地線-訊號-地線痕跡形態形成的共平面傳輸線 :從探針總成的一端行進至另一端，損失很少。L〇ckw〇〇d 等人專利中所示探測總成，在較高微波頻率，無法提供令

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故此等構件的個 1283751 案號 93114358 五、發明說明（4) 別末端，可與待測元件上 上符合接觸。另方面，銷 間隔，可視此等構件的末 何用力而定。易言之，此 構件間的間隔而定，可在 頻率時，以不良界定方式 Burr等人的美國專利 針’含有共軸電纜之支持 導體。微波探針的尖段， 上的地線導體，通常是彼 號導體之共同平面，以便 通電至内導體，而地線導 。屏蔽構件與地線導體相 至少一部份。屏蔽構件朝 開口。訊號導體和地線導 ’而端部則可彼此相對彈 並離開其共同平面，以便 在另一具體例，Burr 包含共軸電纜的支持段， 見第2A、2B、2C圖。微波 基材的頂側延伸，把探針 可附設在介質基片底侧， 。接地指桿置於鄰接訊號 餘刻溝連接至金屬性屏蔽 f任何不平坦接觸面積建立空間 t構件和各彈簧片構件間的橫越 =被緊逼於待測元件接觸墊片如 ，測結構的傳輸特性，視各尖端 ::測試周期中，尤其是高微波 變化。 :5, 56 5 788號揭示一種微波探 二!:ί被外導體共軸包圍之内 包含中央訊號導體，以及一或以 此以並式關係配置’沿 形成控制下阻抗蛀 i : 體通電至外導體：：第二號/體 尖端斜縮，Git號導體之 體各有端部，尖端有 性撓屈，儘管有屏蔽構件存：件 容許探測元件具有不===， 等人的專利揭示一種二二面。 含由外導體共軸包圍之針， 探針的尖段包含訊 % 指桿與内導體連接。金屬 方Ϊ輕合於金屬性外導體 線導體，並經由貫穿介 = 。訊號導體接電i *基片的 至内導體，而地 1283751 ·

案號 931143RR 五、發明說明（5) 平面接電至外導體。訊號導體和 溝接至屏蔽）各有端部，延伸超出干（經由触刻 此相對彈性撓屈，儘管有屏蔽構件屏存蔽構件，而端部可彼 ，以容許探測元件具有不平坦夺 並離開共同平面 示之結構，旨在提供寬頻範圍: =Burr等人專利揭 高微：頻率時，傾向於具有不均句性但其均句性在 复jg内容 裝置本揭示的共平面有指桿探測 一種丨月况下，電磁場包圍各指桿 干仲出在 地線指桿’並將地線指桿彼此 r ：電氣耦合至 晶圓的不同區探測，在指桿和晶圓周：電二=。雖然在 變化，典型上以未知方式。以重大的未知=間之互動會 不是不可能，也是難以在待測元件=化’即使 條件。 1干休，則中正確校正出環境 同時使用複數探針探測晶圓同樣面積Β#，ρ f 近，以致探針間額外麵合，通常；；串；=彼 c件，諸如介質基材，與指桿延長n二卜： 成重大電容，有礙高頻率測量。 1门之&域會造 頻率卜#發月人思外確疋Burr等人揭示的微條結構，在作▲ ^率（啫如超過70 GHz)的校正測試基材上無法 j很向 :二正視稍後在待測元件實際探測t，#晶圓、的‘二。 疋，在此冑外非校正交文果的檢驗後，本發明人想到$ 第10頁 1283751 曰 案號 93114358 五、發明說明（6) 如此極端頻率時，能量是以「不良模式 牢场的杈式。Λ「不良模式」造成從訊 =:主 因而使訊號完整性劣化。本發明人等又想到此7 ^電二 」涉及在地平面的共振能，是地面路徑 良，^ 含地平面與電規外部間的連接，…平=咸：如， 地平面共振能造成至待測元件的訊號路徑之不二二二: 變化’因而降低效能。此項衰減在較低 ，因此，泫古私毺®从a 丄， 1卜少只午日守不顯者 效=此/又有動機要修飾現有探針設計，以消除或降低其 f施方4 參見第3圖，半硬性共轴電繞4〇後端通電至接頭（圖上 =。共軸電繞40通常含有内導體41、介質材料42和外 =體43。共軸電_同樣可視需要含有外材料層。 刖端宜保留自由歸空名此情、、牙下 田 、、、 活動支持^ 在匱探針的探測末端 微條型探針尖80包含介質基片88。附設在共軸電纜釗 末端。電纜4〇底侧切開形成架85，而介質基片88附設於架 2 °另外’介質基片8 8可利用從電纜切開的朝上架，或無 架的電纜末端支持。亦參見第4圖，本質上宜平坦的導電、、、 性屏蔽90，附設在基片88底部。導電性屏蔽90可例如為薄 ^電性材料（或其他），附設於基片8 8。使用低擠型的一般 平坦導電性材料，屏蔽9 0較不易因意外接觸待測元件，= 干擾待測元件有效探測之能力。導電性屏蔽90電器耦合於 外導體43，以形成地平面。另一導體43典型上接地，雖然

1283751 ----案號 931143BR__年 月_g 修正______ 五、發明說明（7) 外導體4 3可具有任何適當電壓電位（無論j)C或AC )。導電性 屏蔽90宜覆蓋基片88的全部下表面。另外，導電性屏蔽90 可覆蓋超過5 0%、60%、70%、80%、90%和/或在基片 88相反側導電性訊號痕跡長度大部份（或更多）正下方區 域0 基片8 8上表面支持一或以上的導電性訊號痕跡9 2。導 電性痕跡9 2可例如使用任何技術澱積，或另外利用基片上 表面支持。導電性痕跡92與共轴電纜4〇的内導體41相互通 ，。共軸電纜40和導電性痕跡92的内導體41，通常帶有訊 號來往於待測元件。導電性痕跡92連同利用介質材料⑼分 開的屏蔽層9 0，形成一種微條傳輸結構。在屏蔽層9〇和導 電欧痕跡9 2的上、下和/或中$，可視需要含有其他層。 〜^減夕上述思外咼頻率訊號衰減的效應，本發明人等 號路徑可含有導電性蝕刻溝94，貫穿通過 ： 從基片上表面到基片下表面的訊號路 出的壤雷1 #曰電生蝕刻溝94避免需用到從基片88末端伸 重大雷二^ 否則在伸出指桿和基片88末端間會造成 大電谷。導電性蝕刻溝94提供 =路;少在其刻溝94和 u參見第5®’基片88的下表面顯示觸點顛筋1i)f) + 至餘刻溝94和痕跡92，在基片 Q顛敲⑽，通電 ，在檢測當中可用來與待測元件接延伸 妖啊导電性屏蔽90在觸 1283751 業號 93114358 、發明說明（8) 點 嗲敗ί凝」1〇0周圍含有「形態化」段’使屏蔽層90和訊 梭無電氣相接（例如屏蔽層9〇可超出5〇%、75%，或 ,、干點侧向包圍所有觸點）。須知觸點可採取任何適當 ^ ^ /諸如顛簸、形態化結構、導電性結構、針狀結構， 休，導電。導電性屏蔽90可侧向圍繞導電性顛簸，增加 雷邙電磁場的電阻。又，延伸超越導電性顛簸丨〇 〇的導 t 會減少來自其他探針的串訊。對若干探測用 ^道:，一或以上屏蔽90可視需要設有觸點102。屏蔽層 雖妙1t痕跡通吊構成具有微條傳輸線控制的阻抗結構。 壤雷卜4物/ t 、’劂忒讯唬，而屏蔽具有地電位，二 導電性路徑同樣可為任何1 對於地面變化。 仃/、他組悲，堵如平衡化輸入，相 參見第6圖’探針可援用μ 的外導购接至上屏蔽二用共轴電缆 供共軸電纜和探針末端間的 。此項没计提 錐部尖端時受到屏蔽。 、和過渡。所以，探針過渡到 上屏蔽110具有斜縮圓柱部，1此山、 後端輪廓係沿周與共軸外導體浐、則柒為斜縮尖端，而 可能產生邊緣場影響探針測旦=接觸’故外導體與屏蔽 理，屏蔽11 0可視需要使用杯打* Τ77 <間’沒有間隙。同 ΡΓ w具他 ^ 延伸超過蝕刻溝，形成實質 〜狀。此外，前端宜 ^ HJn ΓΞΓ 場。屏蔽減少寄生耦合至任彳 °° ’故在前端減少邊緣 金屬，可減少總成的複雜性。屏^霉’而屏蔽構成單件 〃他材料製成。 製程形成。屏蔽亦可澱積於复4最好由薄箔製成，可由

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修正 一 下屏蔽構件9 〇在導電性痕跡下方，於指桿和持有待測 ^ =的夾頭間延伸。所以，屏蔽有助於阻礙地平面發生共 辰換式’否則會干擾並劣化來自待測元件的訊號。

參見第7圖’在另類具體例中，可設有導電性指桿1】2 ’或其他長形導電性元件，接電至蝕刻溝。一或以上之額 ^ =面指桿1 1 4可接電至下屏蔽材料。如有需要，各指桿 可刀別含有懸臂部，向下延伸離開基片。懸臂部宜配置成 彼此橫向隔開關係，以便協合形成控制下的阻抗傳輸線， 在電鐵上各導體和待測元件上各墊片間造成低損失過渡。 窃雖然使用含有彎曲表面的上屏蔽11 0，對訊號完整性 提供改進，但上屏蔽的結構變化，有在高頻率對訊號完整 ^引進若干限制的傾向，因而有礙效能。例如，上屏蔽的 兩度變化，會改變訊號導體全長的電磁場形態。此外，上 ，蔽發生增加生產複雜性。此外，在大多數情況下，微波 微條傳輸結構包容在罩殼内，諸如導電性外殼，因此減少 包含上屏蔽結構的動機。 / 為進一步提高在高頻的效能，本發明人等顧及基片材 ，的效果。在許多情況下，介質基片材料的介質常&高， 諸如Al2〇3的介質常數為9·9。介質常數高的材料有在^内 集中電磁場的傾向，因而降低容易受到其他元件影響的電 磁場。此外’基片厚度典型上為250 -500微米，以提胃供機 械穩定性。因此，電磁場有集中在基片内的傾向。 參見第8圖，雖然考慮到如此基片，本發明人等瞭解 可繞性隔膜基材可改用更硬質基片88。隔膜材料之一，例載

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案號 931143M 曰 修正 五、發明說明（1〇) ________ 於美國專利5,914,613號内，於此連同 。-般而言，基於_的探針列入參考 性)基片，上面支持有痕跡，連同寺/為了: W 探針的隔膜部由犧牲性基 、、-上的接觸部。 材料位於此凹部内，痕跡可視凹部。導電性 質材料位於痕跡上或下。然 、八上，而可撓性介 針尖、痕跡和隔膜材料。接 ^基片即移動離開探 通常是使用#刻溝連接至接二二=2 70件接觸，而痕跡 況下，隔膜技術可比陶膜相反側。在許多情 3〇、20、1G、5或3微米或^ 基片⑻大為減薄4〇、 數為7或以下，有時低於6、=所料的介質常 雖然通常使用較低介質常數的：：：特殊材料而定。 薄的基片，連同較低介質常數^ 二：使用大為減 材科疋位在比較厚陶暂 J 土乃J將下屏蔽 於更緊密拘限電磁場於：間。把=:$痕跡，所以傾向 内，本發明人等決定隔^電眾緊抢拘限於隔膜材料 料定位在隔膜ί料:；的=效能’可藉上屏蔽材 相對應靠近訊號路徑，故定：在二卜先蔽材料應同樣 的彎曲上屏蔽材料，通常原：：用訊號痕跡甚遠 隔膜材料頂部應以 的+。因此，屏蔽材料應在 。在許多情況;，訊^跡2屏蔽材料間之介質形態化 ，應不超過訊f卢痕^ 、正上面的上屏蔽間之距離 離以7、5、“=;:屏蔽材料間距離的十倍。上述距 第15頁 1283751 _ 案號93114358_年月日_修正 圖式簡單說明 第1圖表示現有探針； 第2A-2C圖表示另一現有探針； 第3圖為本發明探針之一具體例； 第4圖為第3圖探針之部份側視圖； 第5圖為第3圖探針之部份仰視圖； 第6圖為本發明探針另一具體例； 第7圖為本發明探針又一具體例； 第8圖為本發明探針再一具體例。 元件符號說明

第16頁 40 共 軸 電 纜 41 内 導 體 42 介 質 材 料 43 外 導 體 80 探 針 尖 85 架 88 介 質 基 片 90 導 電 性 屏 蔽 92 導 電 性 痕 跡 94 導 電 性 刻溝 100 導 電 性 顛 簸 102 觸 點 110 上 屏 蔽 112 導 電 性 指 桿 114 地 面 指 桿

Claims (1)

1283751 _案號93Π4358_年月日__ 六、申請專利範圍 1. 一種探針，包括： (a) 介質基片； (b) 導電性訊號痕跡，適於接電至利用該基片上表 面支持之測試訊號； (c )導電性屏蔽，適於接電至該基片下表面所支持 之地面訊號，其中該導電性屏蔽係在該導電性 訊號痕跡長度的大部份下方； (d)導電性蝕刻溝，在該基片上表面和該基片下表 面之間，其方式為在導電性蝕刻溝與該基片末 端間無空氣間隙，使該基片和該導電性蝕刻溝 之至少大部份厚度，與該導電性屏蔽無電氣相 接；以及 (e )觸點，與該導電性蝕刻溝電氣相接，以供測試 待測元件者。 2. 如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性訊號 痕跡係與共軸電纜之中央導體電氣相接者。 3. 如申請專利範圍第2項之探針，其中該導電性屏蔽 係與該共軸電纜中央導體周圍之導體電氣相接者。 4. 如申請專利範圍第3項之探針，其中該基片係利用 該共軸電纜支持者。 5. 如申請專利範圍第4項之探針，其中該基片係利用 該共軸電纜之架支持者。 6. 如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性材料 係實質上平坦者。

第17頁 1283751 _案號93114358_年月日_ί±^_ 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項之探針，其中該介質基片係 半可撓性者。 8. 如申請專利範圍第7項之探針，其中該介質基片係 隔膜者。 9. 如申請專利範圍第1項之探針，其中該介質基片的 介質常數在低於7者。 1 0.如申請專利範圍第1項之探針，其中該介質基片的 介質常數在低於5者。 11.如申請專利範圍第1項之探針，其中該介質基片的 介質常數在低於4者。 1 2.如申請專利範圍第1項之探針，其中該介質基片的 介質常數在低於2者。 1 3.如申請專利範圍第1項之探針，其中該地面訊號為 零伏特者。 1 4.如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性屏蔽 覆蓋該基片的該下表面超過50 %者。 1 5.如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性屏蔽 覆蓋該基片的該下表面超過60 %者。 1 6.如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性屏蔽 覆蓋該基片的該下表面超過70 %者。 1 7.如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性屏蔽 覆蓋該基片的該下表面超過80 %者。 1 8.如申請專利範圍第1項之探針，其中該導電性屏蔽 覆蓋該基片的該下表面超過90 %者。

第18頁 1283751 :〜 ---案號 931143F1R 六、申請專利範圍 1 9 ·如申請專利範圍第1項之 去該導電性訊號痕跡和該基片 J，/、中該導電性屏蔽 者。 集體形成微條傳輪結構 2 〇 ·如申请專利範圍第1項之播^ 溝係貫穿該基片之蝕刻溝者。奴針，其中該導電性蝕刻 在側面圍繞申該月觸專點利至乾少=探針’其中該導電性屏蔽 曰 修正 2 3 ·如申請專利範篱 2 4 ·如申請專 簸形式者。 在侧面圍繞該觸點至少=%者針’其中該導電性屏蔽 利範圍第1項之探針，其中該觸點係呈顛 _ 電性2指5.桿νΛ專利範圍第1項之探針，其中該觸點係呈導 空者2。6· &申請專利範圍第25項之探針，其中該指桿為懸 40微以如下申^。專利範圍第以之探針，其中該基片厚度在 3 〇微米以下申者1月。專利範圍第1項之探針，其中該基片厚度在 2◦微S’:下申/。專利範圍第1項之探針，其中該基片厚度在 30.如申請專利範圍第丨項之探針，又包括另一導電性

第19頁 1283751 案號 93114358 ^、、申睛專利範圍 ，蔽’定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該長形導體和 該導電性屏蔽，在該長形導體與該另一導電性屏蔽間距離 之10倍以下者。 ^ 31 ·如申請專利範圍第1項之探針，又包括另一導電性 屏蔽’定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性訊號 痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡與該另一導^ 性屏蔽間距離之7倍以下者。 + 3 2 ·如申請專利範圍第1項之探針，又包括另一導電性 屏蔽’定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性訊號 痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡與該另一導雷^ 性屏蔽間距離之5倍以下者。 + 33 ·如申請專利範圍第i項之探針，又包括另一導 屏蔽，定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性 痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡舆該另一邋= 性屏蔽間距離之4倍以下者。 导電 34·如申請專利範圍第丨項之探針，又包括另一 ，蔽’定位在該導電性訊號痕跡上方，其中 ，電性 j跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡與該巧訊號 座屏蔽間距離之2倍以下者。 z另—導電 3 5 · —種探針，包括： u)介質基片，在基片上表面支持導 ，在下表面支持導電性屏蔽，盆中=旒痕跡 蔽係在該導電性訊號痕跡 大二導電性屏 (b)導電性餘刻溝，在該基片ς = ^份下方； 面和讀基片 1283751 _案號93114358_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 的該下表面之間，在該基片周緣内於該基片至 少大部份厚度之區域内；以及 (c )觸點，與該導電性蝕刻溝電氣相接，以測試待 測元件者。 36. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該導電性訊 號痕跡與共軸電纜的中央導體電氣相接者。 37. 如申請專利範圍第3 6項之探針，其中該導電性訊 號痕跡與共軸電纜中央導體的周圍導體電氣相接者。 3 8.如申請專利範圍第35項之探針，其中該介質基片 係可撓性者。 39. 如申請專利範圍第3 8項之探針，其中該介質基片 係隔膜者。 40. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該介質基片 的介質常數低於7者。 41. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該介質基片 的介質常數低於5者。 42. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該介質基片 的介質常數低於4者。 43. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該介質基片 的介質常數低於2者。 44. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該導電性屏 蔽覆蓋該基片的該下表面超過50 %者。 45. 如申請專利範圍第3 5項之探針，其中該導電性屏 蔽覆蓋該基片的該下表面超過60 %者。

第21頁 1283751 · Μ 曰 一修正 其中該導電性屏 其中該導電性屏 其中該導電性屏 其中該導電性屏 多成微條傳輸綠名 其中該基片厚度 其中該基片厚f 其中該基片厚度 又包括另一導電 其中該導電性訊 ^號 93114彻 六、申請專利範圍 如申請專利範圍第35項之探斜 蔽覆蓋該基片的,十 乃扪蹟下表面超過70 %者。 n/l申請專利範圍第35項之探針， 蚊Ί 5亥基片的該下表面超過80 %者。 t F塞：Λ申請專利範圍第35項之探針， 蔽覆盍5亥基片的該下表面超過90 %者 磁請專利範圍第35項之探針中今導電μ 蔽、该導電性訊號痕跡 Τ其中5亥等电磁 者。 u 土片集體形成微條傳輸綠構 5〇·如申請專利範圍第35 在40微米以下者。 ？衣針 51·如申請專利範圍第35項之 在20微米以下者。 休針 52·如申請專利範圍第35項 在1〇微米以下者。 針 53 ·如申請專利範圍第3 5項之探 性屏蔽，定位在該導電性訊號痕跡上方,.^ . m ^ m 號痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性導 電性屏蔽間距離之10倍以下者。[生吼遽痕跡與該另導 54.如申請專利範圍第35項 性屏蔽，定位在該導電性替、唐：針，x包括另一導電 咕产 Γ Λ號痕跡上方，苴中該導電性訊 號痕跡和該導電性屏蔽，在該導万，、中J导 電性屏蔽間距離之7倍以下者導電性訊號痕跡與該另-導 55·如申請專利範圍第35項之探針，又包括另-導電 第22頁 1283751 案號 93Π4358 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 性屏蔽，定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性訊 號痕跡和該導電性屏蔽’在該導電性訊號痕跡與該另一導 電性屏蔽間距離之5倍以下者。 5 6 .如申請專利範圍第3 5項之探針，又包括另一導電 性屏蔽，定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性訊 號痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡與該另一導 電性屏蔽間距離之4倍以下者。 57.如申請專利範圍第35項之探針，又包括另一導電 性屏蔽，定位在該導電性訊號痕跡上方，其中該導電性訊 號痕跡和該導電性屏蔽，在該導電性訊號痕跡與該另一導 電性屏蔽間距離之2倍以下者。

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一種採針測量系統，可以 微電子元件之電氣特性。^探針^率測量積體電路或其他 上表面具有-導電性訊號ϊ:: 質基[在基片 面所支持。-導電性㈣溝將 H，蔽為基片下表 表面。 運接基片之上表面至下 五、（一) (二) 40 42 80 88 枣累代表圖為 本案代表圖之疋件代: 共軸電繞 L 介質材 探針尖 介質基 料 片 符號簡單說明： 内導體 外導體 架 訊號痕跡

六、英文發明摘要（發明名稱：PROBE FOR TESTING A DEVIcrUNDER TEST)

A probe measurement system for measuring the electrical characteristics of integrated circuits or other microelectronic devices at high frequencies. The probe includes a dielectric substrate with a conductive signal traces on a top side of the substrate. A conductive shield is supported on a bottom side of the substrate. A conductive via interconnects the conductor on the

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