[go: up one dir, main page]

TWI282697B - Organic electroluminescence device - Google Patents

Organic electroluminescence device Download PDF

Info

Publication number
TWI282697B
TWI282697B TW091121245A TW91121245A TWI282697B TW I282697 B TWI282697 B TW I282697B TW 091121245 A TW091121245 A TW 091121245A TW 91121245 A TW91121245 A TW 91121245A TW I282697 B TWI282697 B TW I282697B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
organic
substrate
positive electrode
emitting layer
Prior art date
Application number
TW091121245A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Kobayashi
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of TWI282697B publication Critical patent/TWI282697B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/321Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

1282697 A7 — —_' B7 五、發明説明(i ) 〔技術領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係使用在電腦及行動電話、電視等資訊終端機 器,有關作爲顯示裝置之有機電致發光(在本明細書中稱 之有機E L )元件、裝置之構造及其製造方法。 〔技術背景〕 近年來由於資訊終端攜帶化的加速,所以興起爲求攜 帶化的需要之省電力的顯示器開發,其中最爲眾所注目的 則是有機E L顯示器,而其開發也正進入實用階段,而爲 了實現省電之顯示器、由薄膜晶體管、T F T等活性元件 來驅動有機E L元件係最有效果,因爲如使用活性元件, 將可由直流電壓來驅動有機E L元件,並可由不會造成對 有機E L元件負擔的低電壓,且由高發光效率之領域來驅 動,另外在没採用活性元件之單純矩陣驅動的情況下,將 必須在選擇期間施加高電壓來發揮亮度,因此對於有機 E L元件造成很大的負擔,並且發光效率也將減低,當然 壽命也會縮短,對於省電之有機E L顯示器來說,採用 T F T等活性矩陣方式則最爲有力,但另一方面有裝對於 表示作爲顯示器之顯示面積之發光面積比率的開口率變低 的缺點,而當開口率變低時,爲了發揮顯示亮度,則必須 提高每一晝素的亮度,因而驅動電壓將會變高,結果消耗 電力將會提高,另外也會有對於有機E L元件造成負擔因 而壽命減短的問題存在,而爲解決如此之課題,針對如圖 2所示之有機E L元件(裝置)的構成,爲了將光從與基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -4 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2) 板相反側射出,也有使負極透明化的例子(IEFE、 TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL544,No.8, 11 88〜1 203頁),而具體來說,係以正極5、正孔注入層 4、發光層3、負極2、透明補助負極2 1的順序來作爲 重疊構造,並從透明補助負極2 1側將光射出,如此即使 沒有從T F T基板側射光源也可以,但以上述的構造之負 極的透光率則是基板的一半程度,實質上是有裝顯示過暗 的問題存在。 〔發明的揭示〕 本發明係有鑑於上述的問題,作爲其課題係特別提供 ,即使採用開關元件,也不會使開口率及透光率降低之元 件構成及其製造方法,並且係低消耗電力的,提供壽命長 之有機E L裝置,另外同時提供不會使亮度降低且防止由 外光的照入產生對比降低的構造,而如根據本發明,將提 供裝至少在基板上以負極、發光層、正極順序重疊作爲特 徵之有機E L裝置,另外,如根據本發明爲,於基板上具 有各自複數畫素之有機E L裝置,其特徵係提供複數畫素 係由隔壁各自區分的領域.針對該領域,從基板側以第一 電極、發光層、及第二電極的順序的重疊,並從發光層射 出的光則從該第二電極側射出外部之有機E L裝置,又根 據本發明,係提供於基板上至少以負極、發光層、透明正 極的順序來重疊作爲特徵之有機E L裝置的製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) -5- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(3 ) 圖面之簡單說明 圖1係爲表示有關實施形態1之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖2係爲表示作爲實施形態1之對比的有機E L裝置 構造之剖面圖。 圖3係爲表示有關實施形態3之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖4係爲表示有關實施形態4之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖5係爲表示有關實施形態7之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖6係爲表示相關於實施形態7之有機E L裝置構造 的剖面圖。 圖7係爲表示有關實施形態8之有機E L裝置(顯示 裝置)之平面構造槪念圖。 圖8係爲表示有關實施形態9之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖9係爲表示有關實施形態1 1之有機E L裝置構造 之剖面圖。 主要元件對照表 1 基板 2 負極 3 發光層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 __Γ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -6 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明(4) 4 正孔注入層 5 透明正極 6 畫素間隔壁 7 補助正極 8 封合材 9 保護基板 10 T F T元件 11 開口部缺口 12 有機E L顯示部 13 Y驅動器 14 X驅動器 15 控制器 1 6、1 7 電子電路 18 矽基板 19 光吸收層 2 0 引出負極配線 〔爲了實施發明的形態〕 本發明的第一特徵係針對有機E L裝置,於基板上至 少以負極、發光層、正極的順序的重疊裝,如根據本構成 ,因爲從發光層來看,可將光源與基板相反側射出,所以 基板側可採用不透明材料,例如二矽等半導體基板、金屬 基板等,因此可在矽基板上形成積體電路,然後在此上面 製作有機E L元件(裝置),又,理想的作法則是於發光 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNsTa4規格(~210Χ297公ϋ " ~^ - * 7 - (请先閱讀背面之注意事項存填寫本覓)
1282697 A7 B7 五、發明説明(5) 層與透 作 ( 前述負 化物之 機E L ( 其特徵 素群之 壁,並 同的形 裝置, 高電阻 之發光 ( 其特徵 素之負 ,針對 序來重 如 極,作 材料特 蒸鍍法 明正極間設 爲此實施形 1 )作爲具 極則至少要 重疊而成之 裝置,將可 2 )作爲具 爲具有複數 負極,且於 於因應由該 式形成有由 如根據本構 之透明正極 效果的有機 3 )作爲具 爲具有複數 極,且於畫 畫素則至少 疊之有機E 根據本構成 爲在效果上 有的效果, 、噴注法、 4 )上述( 置正孔輸送層及/或是 態的例子,舉例出以下 有上述第一特徵構成之 有一種導電性材料與, 有機E 更提高 有上述 畫素, 畫素間 絕緣體 導電性 成,採 的電阻 E L裝 有上述 晝素, 素間形 以負極 L裝置 ,將可 可對於 而對補 印刷法 2 )或 L裝置 其發光 第一特 並於前 形成有 而成的 材料而 用補助 ,而其 置。 ,如根據 效率。 徵構造之 述基板上 由絕緣體 隔壁上的 成之補助 正極,一 正孔注入層。 的樣態。 有機E L裝置, 金屬氧化物或氟 本構成,針對有 有機E L裝置, 形成有因應各畫 而成之畫素間隔 位置,以該隔相 正極之有機E L 般來說將可降低 結果將可實現全面均一化 第一特徵構成之 並於前述基板上 成有由絕緣體而 ,發光層、正極 有機E L裝置, 形成有因應各畫 成之畫素間隔壁 、補助正極的順 極電阻之補助正 種材料,賦與其 成係可採用光罩 隨後附加降低正 補助正極採用各 助正極的圖案形 等。 (3 )之有機E L裝置的特徵爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 -8 -
I 1282697 經濟部智1財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明(6 ) ,前述補助正極係具有吸光性之導電性材料,如根據本構 成,從光射出側來看顯示的狀況,因可在晝素之間看到光 吸收性之補助正極,所以外光將會被吸收,對比提昇而容 易看到顯示內容。 (5 )上述(4)之有機EL裝置之特徵爲,前述補 助正極係爲碳或鉻之有機E L裝置,如根據本構成,針對 在晝素間可更有效地吸收外光。 (6 ) —種具有上述第一特徵構成之有機E L裝置, 其特徵爲,於基板上設置重疊含有開關元件之活性矩陣構 造,並在平面上看,至少該開關元件的至少一部份重複著 形成負極、發光層、正極之重疊構造之有機E L裝置,如 根據本構成,可與相對於開關元件之電路毫無關係地來設 計作爲畫素之開口部的面積,而作爲此效果可相當提昇開 口率。 (7 ) —種具有上述第一特徵之有機E L裝置,其特 徵爲作爲前述基板採用形成積體電路之半導體基板之有機 E L裝置。 如根據本構成,於矽基板上攜帶終端的電子電路,顯 示器驅動用控制驅動,電源電路等,將作爲須要之裝置電 子電路,全部形成於半導體基板,另外更加地因可設置有 機E L裝置驅動用之晶體管,所以可同時實現裝置之高性 能化及降低成本。 (8)針對上述(3)或(4)之有機EL裝置,其 特徵爲,在形成前述正極及/或前述補助正極之後,將形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X297公釐) 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明(7) 成光吸收性層在因應畫素間部份之保護板,介由封合樹脂 來與晝素配合保護基板畫素因應部位置進行貼合之有機 E L裝置;如根據本構成,因可與補助正極分別於畫素間 設置光吸收部,所以可將補助正極及光吸收部作爲最佳化 〇 (9 ) 一種至少以負極、發光層、正極的順序重量於 基板上來作特徵之有機E L裝置之製造方法,在這方法之 中,最爲理想的方法則是於發光層上設置正孔輸送層及/ 或正孔注入層,接著可形成正極。 (10)—種上述(9)之有機EL裝置的製造方法 ,其特徵爲在形成前述發光層之後,對於發光層表面施以 親水化處理,如根據本構成,將可均一地塗抹水溶性之正 孔注入材料溶液,而作爲其一般的方法係採用氧等離子區 照射法。 (1 1 ) 一種有機E L裝置之製造方法,其特徵爲在 基板上至少形成絕緣性畫素間隔壁,之後並在全面性地重 疊反射性負極材料的同時,由隔壁的段差進行負極與隔壁 上補助正極的分離來形成該負極與該補助電極,接著於利 用該隔壁的區分之領域內,至少依發光層,正極順序來重 疊,如根據本構成將無須圖案形成補助正極,進而可減低 成本。 (1 2 ) —種有機EL裝置之製造方法,其特徵爲, 在基‘板上形成前述負極之後,於基板全面塗抹燒成絕緣性 畫素間隔壁材料,並將形成補助正極的材料全面成膜,接 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -10- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(8) 著由微縮影工程將補助正極材料層進行圖案形成浸蝕,再 將前述隔壁層燒成,之後於利用隔壁所區分的領域內至少 依發光層,正極的順序來重疊,如根據本構成,將可同時 實於晝素間隔壁與補助正極的圖案形成。 以下爲本發明之具體實施形態的說明。 〔實施形態〕 在本實施形態之中,表示有,於基板上至少依負極、 發光層、透明正極、正孔輸送層,並且/或正孔注入層的 順序的重量的例子,另於圖1表示有本實施形態之有機 E L裝置的剖面。 首先於基板1形成負極2,接著形成發光層3,再來 形成正孔注入層4,接下來形成正極5,然後再形成封合 層(無圖示)。 由如此所形成之有機E L裝置的電極間,施加電壓時 ,光源將由封合層側射出。 而對於在此所採用的基板1除了玻璃基板外,還可採 用金屬、半導體、壓克力,另外也可採用不透明之基板。 另外對於在此所採用之負極2,可採用鋁、鎂、鋰、 鈣、及這些金屬的合金或這些金屬的重疊(此情況配置低 工作係數的物質於發光層側),對於在此的採用之發光層 3係可採用高分子系材料及低分子材料,例如:P P V、 聚二辛基芴、聚芴、A1 q3、DPVBi等、另對於在 此所採用之正孔注入層/正孔輸送層4係除了 BAIERU公 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-11 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明(9) 司製Bytron之外還可採用低分子系材料TPD、MTDATA、 銅酞菁等一般的材枓,又對於在此所採用之正極5係除了 I 丁 ◦之外還可採用透明導電膜,由出光光產株式會社的 販賣的IDIXO等材料,特別是IDIXO係在室溫下成膜也 可得到充份的導電性,所以相當不錯,而封合材料係採用 熱硬化環氧樹脂,但即使是紫外線硬化型樹脂也同樣可以 被採用,別外當與保護基板倂用時,則效果上相當不錯, 如根據本實施例的構成,因可從發光層看到光由與基板相 反側射出,所以對於基板側可採用不透明的材料,例如: 矽等半導體基板、金屬基板等,因此可於矽基板上形成身 體電路,並在此上方製成有機EL元件(裝置)。 〔實施形態2〕 在本實施形態之中係有表示前述負極由至少一種的導 電性材料與金屬氧化物或氟化物重量而成的具體例,針對 實施形態1的方法,作爲負極在將鋁進行製膜之後,經由 微縮影工程來形成圖案,再進行氧等離子處理後時,於表 面形成2 0 A (埃)的氧化物層,另採用附有負極的基板 來進行實施形態1剩下來的工程製作有機E L裝置時,發 光效率爲實施例的2倍(0 . 2 1 m/W ),而將於負極 表面進行氧等離子處理取代爲蒸鍍膜厚2 0 A (埃)氟化 鋰時,發光效率爲0 . 5 1 m/W而在此的採用之發光層 3係爲聚芴系材,由旋轉塗抹來製膜,另外對於正孔注入 層4係採用BAIERU公司製Bytron來旋轉塗抹,而負極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1282697 A7 B7 五、發明説明(1〇) 5係採用IDIX〇,而這些材料及製膜條件並不限於此。 〔實施形態3〕 在本實施形態之中係如圖3所示之構造,其中於基板 1上形成有因應發光畫素群之負極群2,並於發光畫素群 間形成有由絕緣體形成之晝素間壁6 ,另於畫素間隔壁6 上’則與畫素間隔壁6大約相同的形式形成由導電性材料 而成的補助正極7,具體例則由以下所示,首先在負極2 圖案形成後,由聚醯亞胺來形成畫素間隔壁6,圖案形成 後’以1 Ο Ο Ο A (埃)將钽製膜,再由微縮影以與畫素 間隔壁6相同形式進行圖案形成,接著在全面以2 0 A ( 埃)將氟化鋰進行製膜,接著作爲發光層3,將呈紅、綠 、藍發光之3種聚芴系材料溶於異暗煤,再以噴注法圖案 形成製膜在紅、綠、藍的晝素,接著作爲正孔注入層4, 由噴注法圖案形成製膜BAIERU社製Bytron,接下來作爲 陽極5 ;濺射形成出光興產株式會社製之IDIXO,並且由 環氧系封合材8及保護基板9來封合,另外於如此作成之 有機E L裝置之各畫素紅綠藍獨立供給電壓時,因應電壓 的施加將可觀測到平均的彩色畫像。 又,作爲參考,在作成沒有補助正極7的元件時,只 有引出正極附近的晝素發光,而對於在此的採用之陰極、 發光材料、正孔注入材料、正極、補助正極、封合材料, 也可採用如實施形態1所示之材料,另外作爲成膜的方法 係也可採用噴注法、光罩蒸鍍法、印刷法等方法,又,針 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS 了 A4規;21〇 X 297公p (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -13- 1282697 A7 B7 五、發明説明(彳彳) 對本實施形態同樣的構造,作爲負極2之位置層設置P e 、Ir、 Ni、 Pd、 Au的層,或是IT◦與AI的重 量構造等來作爲不透明層,並於正極5的位置,以設定的 厚度設置金、鋁、鈣之層,這些的重疊構造,M g與銀的 共同蒸鍍層等作爲透明層,且針對此構造來使負極2的位 置層作爲正極來驅動,使正極5的位置層作爲負極來驅動 ,且從發光層經由保護基板射出光源至上層之形態,而此 情況,補助正極7係作爲負極的補助層。 〔實施形態4〕 在本實施例之中係表示於前述基板上形成有因應發光 畫素群之負極群,並於發光晝素群間形成有由絕緣體形成 之畫素間隔壁,且針對在畫素上至少依負極、發光層、透 明正極、補助正極的順序的重量的例子,另於圖4表示本 實施形態之有機E L裝置的剖面構造,在圖案形成負極2 之後,根據聚醯亞胺將晝素間隔壁6成膜,再由圖案形成 來成形,接著作爲發光層3將發光爲紅、綠、藍3種類低 分子系材料,根據光罩蒸鍍法各自形成圖案製膜於紅、綠 、藍的晝素上,接下來作爲正孔注入層4,接著蒸鍍 MTDATA於全面,而接著作爲正極5,濺射出光興產株式 會社製IDIXO,之後將鉬以1 〇 〇 〇 A (埃)光罩蒸鍍, 並圖案形成,且以環氧系封合材8及保護基板9進行封合 ,在如此作成之有機E L裝置的各畫素,供給電壓於獨立 的紅、綠、藍時,因應電壓的施加;可觀察到平均的彩色 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 1282697 A7 —__ B7_ 五、發明説明(12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 影像,作爲參考例製作無補助正極7的元件時,只有引出 正極附近的晝素發光,而對於在此所採用之負極、發光材 料、正孔注入材料、正極、補助正極、封合材料,也可採 用如實施形態1所示之材料,另外作爲成膜方法,除了光 罩蒸鍍法以外也可採用噴注法,印刷法等。 對於補助正極的圖案形成係可採用光罩蒸鍍法、噴注 法、印刷法等’另外與在實施形態3的說明的情況同樣地 ’根據將負極2的部位層與正極5的部位層各自作爲特定 材料、厚度等,即使由作爲正極、負極發揮功能驅動負極 2的部位層及正極的部位層之情況,也可經由保護基板從 發光層使光源射出至外部。 〔實施形態5〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態之中係有表示前述補助正極具有光吸收 性的導電性材料,針對在實施形態3,作爲補助電極7, 取代鉅而採用鉻,其結果由於鉻的反射率爲6 0 %,以致 外光反射率降低,造成成本提高,作爲光吸收性導電材料 ,除了上述的鉻以外,同樣的可採用BAIERU公司製的 Bytron或聚芴等高分子導電材料及,碳。 〔實施形態6〕 在本實施例之中係表示前述補助正極具有光吸收性之 導電性材料,特別是碳的例子。 針對本實施形態,作爲補助電極7,取代鉅而採用碳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -15- 1282697 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製
A7 B7五、發明説明(13) ’而對於成膜係採用光罩蒸鍍法,其結果從晝素間的外光 反射率則幾乎沒有,進而對比將相當提昇,另外作爲光吸 收性的導電材料,除了碳之外,同樣也可採用BAIERU社 製Bytron及聚芴等高分子導電材料,或鉻等。 〔實施形態7〕 在本實施形態7之中係表示於基板上重疊著包含開關 元件之活性矩陣構造,並以平面而視,至少其活性矩陣構 造,特別是至少有重量一部份該開關元件地來形成負極、 發光層、正極之重疊畫素構造,而在圖5中有表示本實施 形態之有機E L裝置的剖面構造。 同圖構造係將圖3所示構造作爲基礎,於基板上附加 有作爲開關元件之薄膜晶體管(以下稱T F T ),並於畫 素間隔壁下層設置有規定從發光層的光射出範圍的開口部 缺口部份1 1 ,另外,作爲其他例子於圖6表示有,在基 板上以正極、負極,正極的順序來形成,並且作爲開關元 件之T F T元件1 0的領域則在平面來看於晝素間隔壁6 下方,實質地重疊於該隔壁地配置之有機E L裝置的剖面 構造,另針對圖5,在形成TFT元件10之基板上方製 作有與圖3同樣之構成(附加開口部缺口部份1 1 )的發 光畫素構造(負極2、發光層3及正極5的重疊構造), 同樣地製作包含圖6所示之構造的發光畫素構造之有機 E L裝置,另外使有關圖5所示構造之有機E L裝置驅動 將光源射出至正極5側,再驅動圖6所示構造之有機E L (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -16- 1282697 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 A7 B7___五、發明説明(14) 裝置,將光射出至基板1 ,另外比較於圖6所示構造(開 口率30%),在圖5所示構造之中,由於位在與光射出 側相反側(基板側)、晝素構造、特別是在與發光層平面 視重疊地設有開關元件,作爲發光層將可發揮功能提高開 口率(開口率7 0 % ),以往在顯視光度上爲1 0 0 C d /m,所以驅動電壓爲6 V,但在本實施形態之中, 在顯示光度1 0 0 C d/m 2下,只需5 V即可,因此壽 命將可增加到1 0倍,如根據本實施形態,可無關T F T 電路等開關元件設計畫素開口部面積,進而可相當提昇其 開口率,又,針對圖5所示構造,與在實施形態3所述情 況相同地根據將負極2部位層與正極5部位層各自特定材 料、厚度之情況,即使作爲正極、負極來驅動負極2、正 極5部位置來發揮功能的情況,也可從發光層經由保護基 板,將光源射出於外部,更加地即使針對圖6所示構造, 與針對實施形態3所述情況相同地根據將負極2部位層與 正極部位層各自特定材料、厚度之情況,即使作爲正極、 負極來驅動負極2、正極5部位層發揮功能的情況下,也 可從發光層經由保護基板將光源射出至外部,而這樣的情 況,將可與圖5所示構造相同地提昇其開口率。 〔實施形態8〕 在本實施形態之中,其特徵爲作爲採用的基板係利用 形成有集體電路之半導體基板,而在本實施例中,表示係 在矽基板上形成有行動電話用電子電路,顯示器驅動用驅 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(15) 動控制,有機E L裝置驅動用晶體管,並於顯示部中形成 有有機E L裝置例,另於圖7中表示有形成本實施形態之 有機E L裝置之矽基板的槪念圖,如圖所示,於矽基板 1 8上設置有,在前述實施形態所示之將有機E L元件( 畫素構造)配置成X Y矩陣狀之有機E L顯示部1 2,並 於其周邊設有對於顯示部矩陣驅動之X驅動器1 4、Y驅 動器1 3,並搭載著控制器1 5、電子電路1 6、電源電 路1 7,且接續在電源及開關,爲求工整,於矽基板一片 上設置所有的電路,並從外部由開關來控制,實現作爲行 動電話的功能,本實施形態雖然表示行動電話的例子,但 並不限定在此,而爲求省電力小型輕量化的用途都可來應 用。 〔實施形態9〕 本實施形態之中係表示前述正極或前述補助正極形成 之後,介由封合樹脂,將形成光吸收性層於因應畫素間部 份之保護基板配合基板上之畫素與保護基板畫素因應部來 貼合的例子,並於圖8表示有有機E L裝置的剖面構造, 在實施形態3於形成正極之基板塗抹封合材8來將光吸收 層1 9因應畫素間地形成,並將保護基板9配合位置固定 貼合,而如此作成的有機E L裝置係利用補助正極的效果 來表示充份之顯示均一性,且可有效地衰減外光之反射, 進而進行對比良好的顯示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .身衣· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -18- 1282697 A7 B7 五、發明説明(16) 〔實施形態1 0〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施形態之中係表示,於基板上至少以負極、發光 層、正孔輸送層,並且/或正孔注入層,透明正極的順序 重置之有機E L裝置,特別是針對圖1所示之構造的元件 製造方法,在形成前述發光層後,對於發光層表面施以親 水化處理的例子,針對圖1 ,作爲發光層3採用聚芴系材 料時’作爲正孔注入層4,一般來說的採用之BAIERU社 製Bytron (水散液)係因透濕性不佳,所以不易成膜,因 此在形成發光層3之後,照射氧等離子區來旋轉塗抹 By tron時,可採均一的膜來進行成膜,而如此製作成之有 機E L裝置係全面均一性地發光,另外針對本實施形態, 作爲將發光層表面進行親水化方法,採用U V臭氧處理也 可以,而在本實施形態作爲可採用之正孔注入材料係可舉 出聚苯胺鹽、高極性之溶液等。 〔實施形態1 1〕 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 在本實施形態中係表示,在基板上至少形成有絕緣性 畫素間隔壁,之後反射性負極成膜於全面,同時根據隔壁 的段差分離負極與隔壁上的補助正極,之後於畫素內係至 少以發光層,透明正極的順序重疊的例子,另於圖9表示 有本實施形態之有機E L裝置的剖面構造,再來將引出負 極配線2 0進行圖案形成,並形成晝素間隔壁6後,作爲 負極2蒸鍍錫,而此時根據畫素間隔壁6之壁體產生負極 圖案形成,並同時圖案形成補助正極7,如將畫素間隔壁 本]紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 1282697 A7 B7 五、發明説明(17) 6的壁角往上推出地設定,圖案形成將可更精確,之後在 形成形成的正極5時,根據畫素間隔壁6會產生斷線,所 以最佳化是必要的。 〔實施形態1 2〕 本實施形態之中係表示在基板上形成負極之後,於基 板全面塗抹絕緣性畫素間隔壁材料燒成後,再將由補助正 極而成的材料成膜於全面,並根據微縮影工程,首先將補 助正極進行圖案形成浸蝕,接著再將其下方的畫素間隔壁 進行圖案形成浸蝕,然後燒成畫素間隔壁層,之後並於畫 素內至少以發光層、透明正極的順序重疊的例子,具體來 說則是作成圖3所示構造的元件,首先在基板1上,將負 極2進行圖案形成,接著於基板全面作爲絕緣性晝素間隔 壁6的材枓塗抹聚醯亞胺,然後暫時燒成,之後將成爲補 助正極7之钽,以1 〇 〇 〇 A (埃)的厚膜濺噴於全面, 之後浸蝕聚醯亞胺,接著將radist剝離,進行聚醯亞胺的 燒成,完成畫素間隔壁6與補助陽極7的構造,在本實施 形態的採用之畫素間隔壁材料及補助電極材料係如爲以微 縮影工程來進行圖案形成,同樣地也可被採用,如以上的 詳述地,如根據本發明,根據從有機E L裝置裝置的基板 側,以負極、發光層、正極的順序來重疊的構造,將可提 供即使採用活性元件也不會有使開口率及透光率降低的元 件構成,以及其製造方法,而根據此將可實現省電化,且 可提供壽命長的有機E L裝置,另外同時也實現了光度不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I#裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1282697 A7 B7 五、發明説明(18) 會降低,且具有防止根據外光的射入而產生對比降低構造 之有機E L裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 -

Claims (1)

1282697 A8 B8 C8 p-__ D8 六、申請專利範圍 1、一種有機電激發光裝置,屬於在於陰極和陽極之 間’形成發光層之有機電激發光元件,形成於基板上的有 機EL裝置,其特徵係 前述陰極係形成於前述基板之上,前述陰極係至少1 ffi之導電性材料和金屬之氧化物或氟化物之堆積體,包圍 前述陰極之周圍形成間隔壁,於前述發光層和前述間隔壁 上’形成前述陽極者。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -5T» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
TW091121245A 2000-02-25 2001-02-23 Organic electroluminescence device TWI282697B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000050165 2000-02-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI282697B true TWI282697B (en) 2007-06-11

Family

ID=18571984

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090104399A TWI249363B (en) 2000-02-25 2001-02-23 Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
TW091121245A TWI282697B (en) 2000-02-25 2001-02-23 Organic electroluminescence device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090104399A TWI249363B (en) 2000-02-25 2001-02-23 Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6869635B2 (zh)
EP (1) EP1191823B1 (zh)
JP (1) JP4144687B2 (zh)
KR (1) KR100476572B1 (zh)
CN (1) CN1242650C (zh)
DE (1) DE60140784D1 (zh)
TW (2) TWI249363B (zh)
WO (1) WO2001063975A1 (zh)

Families Citing this family (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法
JP2001237074A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス光源
US6191433B1 (en) * 2000-03-17 2001-02-20 Agilent Technologies, Inc. OLED display device and method for patterning cathodes of the device
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
JP2005032735A (ja) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
KR20010044357A (ko) * 2001-02-12 2001-06-05 유재수 유기발광소자의 보조양극 형성 방법 및 그에 의한유기발광소자
US6753654B2 (en) 2001-02-21 2004-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance
US6984546B2 (en) * 2001-03-15 2006-01-10 Delta Optoelectronics, Inc. Method for forming a thin film light emitting device
JP5137279B2 (ja) * 2001-03-27 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002343578A (ja) * 2001-05-10 2002-11-29 Nec Corp 発光体、発光素子、および発光表示装置
WO2002102117A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Byoung Choo Park Three-terminal organic electro-luminescent device
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6750609B2 (en) * 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2003186420A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US6835954B2 (en) 2001-12-29 2004-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device
JP4627966B2 (ja) * 2002-01-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
SG126714A1 (en) * 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
GB0216053D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
JP4156431B2 (ja) * 2002-04-23 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4683825B2 (ja) * 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7786496B2 (en) * 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
CN1653297B (zh) 2002-05-08 2010-09-29 佛森技术公司 高效固态光源及其使用和制造方法
US7659547B2 (en) * 2002-05-22 2010-02-09 Phoseon Technology, Inc. LED array
TW588571B (en) * 2002-05-24 2004-05-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
TWI255432B (en) * 2002-06-03 2006-05-21 Lg Philips Lcd Co Ltd Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4120279B2 (ja) * 2002-06-07 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4240276B2 (ja) 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP3999606B2 (ja) * 2002-08-28 2007-10-31 ローム株式会社 有機el表示装置およびその製造方法
JP4165145B2 (ja) * 2002-08-07 2008-10-15 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP2004095551A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4425531B2 (ja) * 2002-08-21 2010-03-03 富士通株式会社 有機el装置及びその製造方法
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100504472B1 (ko) 2002-09-05 2005-08-04 엘지전자 주식회사 유기 el 소자 및 그 제조 방법
US7385572B2 (en) * 2002-09-09 2008-06-10 E.I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device having improved homogeneity
US7291970B2 (en) * 2002-09-11 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus with improved bank structure
KR20040025383A (ko) * 2002-09-19 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US7161291B2 (en) * 2002-09-24 2007-01-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd Display element and method for producing the same
JP2004119342A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Pioneer Electronic Corp 有機el積層型有機スイッチング素子及び有機elディスプレイ
JP3997888B2 (ja) * 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
US7368659B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 General Electric Company Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices
US7265383B2 (en) * 2002-12-13 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
KR101019140B1 (ko) * 2002-12-26 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR101236235B1 (ko) * 2002-12-26 2013-02-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4401657B2 (ja) * 2003-01-10 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP4244697B2 (ja) * 2003-05-13 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び方法
US20070052349A1 (en) * 2003-05-19 2007-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device
EP1505666B1 (en) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
EP2276088B1 (en) 2003-10-03 2018-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element
US7541734B2 (en) * 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
KR100552972B1 (ko) * 2003-10-09 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
WO2005043954A2 (en) * 2003-10-31 2005-05-12 Phoseon Technology, Inc. Series wiring of highly reliable light sources
JP4556566B2 (ja) * 2003-11-11 2010-10-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2005158371A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法、および照明装置
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
WO2005064995A1 (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
EP1557891A3 (en) 2004-01-20 2006-10-04 LG Electronics Inc. Organic electroluminescent device and fabrication method thereof
TWI316826B (en) * 2004-03-25 2009-11-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting diode and method of fabricating the same
US7692378B2 (en) * 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
JP4673304B2 (ja) * 2004-05-13 2011-04-20 株式会社アルバック 表示装置、表示装置の製造方法
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4121514B2 (ja) * 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
US20060043372A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Qiu Cindy X Light emitting devices and arrays with reduced electrode resistance
KR101251622B1 (ko) 2004-09-24 2013-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
FR2879025A1 (fr) * 2004-12-07 2006-06-09 Thomson Licensing Sa Diode organique electroluminescente et panneau de diodes a couche anti-reflet favorisant l'extraction de lumiere
KR101288758B1 (ko) * 2004-12-30 2013-07-23 포세온 테크날러지 인코퍼레이티드 산업 공정에서 광원을 사용하는 시스템 및 방법
KR100636497B1 (ko) * 2005-05-02 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2006330469A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007012411A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP5076296B2 (ja) * 2005-09-15 2012-11-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4579890B2 (ja) * 2005-11-15 2010-11-10 三星電子株式会社 表示装置とその製造方法
JP2007165214A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7642527B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-05 Phoseon Technology, Inc. Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing
DE102006016373A1 (de) 2006-04-05 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Großflächige OLED's mit homogener Lichtemission
KR20070110684A (ko) * 2006-05-15 2007-11-20 삼성전자주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
DE102006026981A1 (de) * 2006-06-10 2007-12-13 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Trägersubstrat
US8053971B2 (en) * 2006-07-31 2011-11-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of fabricating the same
KR100811473B1 (ko) * 2006-10-17 2008-03-07 엘지전자 주식회사 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치
JP2008108530A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP4757186B2 (ja) * 2006-12-28 2011-08-24 キヤノン株式会社 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
JP5087927B2 (ja) * 2007-01-09 2012-12-05 大日本印刷株式会社 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置
JP2008170756A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 表示装置
US20080309225A1 (en) * 2007-05-18 2008-12-18 Masao Shimizu Organic electroluminescent display device
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
TWI509673B (zh) * 2007-09-05 2015-11-21 尼康股份有限公司 A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device
US20090091254A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Lg.Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
GB2454867B (en) * 2007-11-09 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices comprising bus bar
JP2009139678A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器並びに成膜方法
KR100918403B1 (ko) 2008-02-12 2009-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100937865B1 (ko) * 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8933625B2 (en) 2008-03-18 2015-01-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus that can function as a mirror
JP5244680B2 (ja) * 2008-04-14 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR100911993B1 (ko) * 2008-06-03 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20100037876A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP5206518B2 (ja) * 2009-03-16 2013-06-12 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド及び画像形成装置
KR101084195B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5525868B2 (ja) * 2010-03-03 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および半導体装置
JP5656438B2 (ja) * 2010-03-31 2015-01-21 キヤノン株式会社 新規ベンゾ[b]クリセン化合物及びこれを有する有機発光素子
US8421064B2 (en) 2010-04-09 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic-light-emitting-diode flat-panel light-source apparatus
US9276237B2 (en) 2010-07-21 2016-03-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing organic EL element
JP5829070B2 (ja) * 2010-07-26 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法
JP2012099458A (ja) * 2010-10-05 2012-05-24 Seiko Epson Corp 有機el照明装置およびその製造方法
TWI419095B (zh) 2010-10-25 2013-12-11 Au Optronics Corp 顯示器
CN102122481B (zh) * 2010-11-01 2014-09-03 友达光电股份有限公司 显示器
TWI514050B (zh) * 2010-12-06 2015-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 背光膜片及其製造方法與成型設備
CN102537753B (zh) * 2010-12-09 2016-05-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 背光膜片及其制造方法与成型设备
JP2011187459A (ja) * 2011-06-29 2011-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
KR101978670B1 (ko) 2011-12-28 2019-05-15 오지 홀딩스 가부시키가이샤 유기발광다이오드, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치
US20150102307A1 (en) * 2012-02-29 2015-04-16 Showa Denko K.K. Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, display device, and illumination device
JP5600704B2 (ja) * 2012-04-17 2014-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN104183749A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光装置、显示屏及其终端
JP6151136B2 (ja) * 2013-09-05 2017-06-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
TWI568052B (zh) * 2013-09-30 2017-01-21 樂金顯示科技股份有限公司 用於製造有機發光裝置之方法
CN105453297B (zh) * 2013-09-30 2018-04-06 乐金显示有限公司 层压体及其制造方法
JP6302552B2 (ja) * 2013-09-30 2018-03-28 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光素子
JP2016081562A (ja) * 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
WO2017098375A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
JP6792960B2 (ja) * 2016-05-16 2020-12-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11309512B2 (en) 2017-03-30 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device and method for manufacturing organic EL display device
CN107221610B (zh) * 2017-07-25 2019-03-12 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US527638A (en) * 1894-10-16 Printer s quoin
JPS62258040A (ja) 1986-05-02 1987-11-10 住友電気工業株式会社 コンクリ−ト構造物用棒鋼
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
DE69129907T2 (de) * 1990-11-30 1998-12-10 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Organische elektroluminszente vorrichtung
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JP2689917B2 (ja) 1994-08-10 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08124679A (ja) 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JPH08213169A (ja) 1995-02-01 1996-08-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
WO1997005184A1 (en) * 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
US6091194A (en) * 1995-11-22 2000-07-18 Motorola, Inc. Active matrix display
JP3535659B2 (ja) 1996-06-11 2004-06-07 セイコープレシジョン株式会社 有機el素子の製造方法
US5776622A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
JPH1074583A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
US5834893A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5965281A (en) * 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
JPH10294176A (ja) * 1997-02-18 1998-11-04 Tdk Corp 有機el素子の製造方法および有機el素子
JP3836944B2 (ja) 1997-05-30 2006-10-25 出光興産株式会社 発光型表示装置
US5972419A (en) * 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
JP3836946B2 (ja) * 1997-06-16 2006-10-25 出光興産株式会社 有機el表示装置
JP3868061B2 (ja) 1997-06-18 2007-01-17 清蔵 宮田 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1145780A (ja) 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3885303B2 (ja) 1997-08-29 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 発光基板の製造方法
JPH1187062A (ja) 1997-09-01 1999-03-30 Seiko Epson Corp 電界発光素子
JP3861400B2 (ja) * 1997-09-01 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
JP3942715B2 (ja) 1998-01-06 2007-07-11 パイオニア株式会社 有機elディスプレイパネル及びその製造方法
JPH11224783A (ja) 1998-02-04 1999-08-17 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JP3900675B2 (ja) * 1998-04-23 2007-04-04 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
EP1096568A3 (en) * 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6869635B2 (en) 2005-03-22
US20050134171A1 (en) 2005-06-23
EP1191823A4 (en) 2006-04-05
DE60140784D1 (de) 2010-01-28
US7898170B2 (en) 2011-03-01
CN1363201A (zh) 2002-08-07
US20020033664A1 (en) 2002-03-21
JP4144687B2 (ja) 2008-09-03
EP1191823A1 (en) 2002-03-27
EP1191823B1 (en) 2009-12-16
WO2001063975A1 (en) 2001-08-30
CN1242650C (zh) 2006-02-15
KR100476572B1 (ko) 2005-03-18
US20080258617A1 (en) 2008-10-23
KR20020019002A (ko) 2002-03-09
TWI249363B (en) 2006-02-11
US7427832B2 (en) 2008-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI282697B (en) Organic electroluminescence device
US7187118B2 (en) Dual panel type organic electro luminescent display device and manufacturing method for the same
US5399936A (en) Organic electroluminescent device
CN100590880C (zh) 透射型有机电致发光显示器件及其制造方法
US9214501B2 (en) In-cell OLED touch display panel structure
JP3861400B2 (ja) 電界発光素子およびその製造方法
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
JPWO2001063975A1 (ja) 有機el装置およびその製造方法
CN109309101B (zh) 显示面板及显示装置
JP6043401B2 (ja) 有機発光素子およびその製造方法
CN101375428B (zh) 有机发光晶体管元件及其制造方法
CN109860438B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
TW502550B (en) Organic EL display
CN104617130A (zh) 一种oled像素单元、oled显示面板及显示装置
JPH1140370A (ja) 有機elディスプレイ
TW201037830A (en) Substrate board for display device and method for making the substrate board
CN204361103U (zh) 一种oled像素单元、oled显示面板及显示装置
JP2003017263A (ja) El表示装置、その製造方法、カラーフィルタ及びその製造方法
CN109273613A (zh) Oled器件及其制备方法、显示装置
JP4748147B2 (ja) 有機el装置
JP4788677B2 (ja) 有機el装置およびその製造方法
CN111146260B (zh) 显示面板结构及其制作方法、以及显示面板
KR20040080729A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
JP2007026684A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示素子
KR100866886B1 (ko) 오엘이디 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent