TWI282697B - Organic electroluminescence device - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009470 Theobroma cacao Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 235000013844 butane Nutrition 0.000 description 1
- 244000240602 cacao Species 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000004060 quinone imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/81—Anodes
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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1282697 A7 — —_' B7 五、發明説明(i ) 〔技術領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係使用在電腦及行動電話、電視等資訊終端機 器,有關作爲顯示裝置之有機電致發光(在本明細書中稱 之有機E L )元件、裝置之構造及其製造方法。 〔技術背景〕 近年來由於資訊終端攜帶化的加速,所以興起爲求攜 帶化的需要之省電力的顯示器開發,其中最爲眾所注目的 則是有機E L顯示器,而其開發也正進入實用階段,而爲 了實現省電之顯示器、由薄膜晶體管、T F T等活性元件 來驅動有機E L元件係最有效果,因爲如使用活性元件, 將可由直流電壓來驅動有機E L元件,並可由不會造成對 有機E L元件負擔的低電壓,且由高發光效率之領域來驅 動,另外在没採用活性元件之單純矩陣驅動的情況下,將 必須在選擇期間施加高電壓來發揮亮度,因此對於有機 E L元件造成很大的負擔,並且發光效率也將減低,當然 壽命也會縮短,對於省電之有機E L顯示器來說,採用 T F T等活性矩陣方式則最爲有力,但另一方面有裝對於 表示作爲顯示器之顯示面積之發光面積比率的開口率變低 的缺點,而當開口率變低時,爲了發揮顯示亮度,則必須 提高每一晝素的亮度,因而驅動電壓將會變高,結果消耗 電力將會提高,另外也會有對於有機E L元件造成負擔因 而壽命減短的問題存在,而爲解決如此之課題,針對如圖 2所示之有機E L元件(裝置)的構成,爲了將光從與基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -4 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2) 板相反側射出,也有使負極透明化的例子(IEFE、 TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL544,No.8, 11 88〜1 203頁),而具體來說,係以正極5、正孔注入層 4、發光層3、負極2、透明補助負極2 1的順序來作爲 重疊構造,並從透明補助負極2 1側將光射出,如此即使 沒有從T F T基板側射光源也可以,但以上述的構造之負 極的透光率則是基板的一半程度,實質上是有裝顯示過暗 的問題存在。 〔發明的揭示〕 本發明係有鑑於上述的問題,作爲其課題係特別提供 ,即使採用開關元件,也不會使開口率及透光率降低之元 件構成及其製造方法,並且係低消耗電力的,提供壽命長 之有機E L裝置,另外同時提供不會使亮度降低且防止由 外光的照入產生對比降低的構造,而如根據本發明,將提 供裝至少在基板上以負極、發光層、正極順序重疊作爲特 徵之有機E L裝置,另外,如根據本發明爲,於基板上具 有各自複數畫素之有機E L裝置,其特徵係提供複數畫素 係由隔壁各自區分的領域.針對該領域,從基板側以第一 電極、發光層、及第二電極的順序的重疊,並從發光層射 出的光則從該第二電極側射出外部之有機E L裝置,又根 據本發明,係提供於基板上至少以負極、發光層、透明正 極的順序來重疊作爲特徵之有機E L裝置的製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) -5- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(3 ) 圖面之簡單說明 圖1係爲表示有關實施形態1之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖2係爲表示作爲實施形態1之對比的有機E L裝置 構造之剖面圖。 圖3係爲表示有關實施形態3之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖4係爲表示有關實施形態4之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖5係爲表示有關實施形態7之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖6係爲表示相關於實施形態7之有機E L裝置構造 的剖面圖。 圖7係爲表示有關實施形態8之有機E L裝置(顯示 裝置)之平面構造槪念圖。 圖8係爲表示有關實施形態9之有機E L裝置構造之 剖面圖。 圖9係爲表示有關實施形態1 1之有機E L裝置構造 之剖面圖。 主要元件對照表 1 基板 2 負極 3 發光層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 __Γ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -6 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明(4) 4 正孔注入層 5 透明正極 6 畫素間隔壁 7 補助正極 8 封合材 9 保護基板 10 T F T元件 11 開口部缺口 12 有機E L顯示部 13 Y驅動器 14 X驅動器 15 控制器 1 6、1 7 電子電路 18 矽基板 19 光吸收層 2 0 引出負極配線 〔爲了實施發明的形態〕 本發明的第一特徵係針對有機E L裝置,於基板上至 少以負極、發光層、正極的順序的重疊裝,如根據本構成 ,因爲從發光層來看,可將光源與基板相反側射出,所以 基板側可採用不透明材料,例如二矽等半導體基板、金屬 基板等,因此可在矽基板上形成積體電路,然後在此上面 製作有機E L元件(裝置),又,理想的作法則是於發光 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNsTa4規格(~210Χ297公ϋ " ~^ - * 7 - (请先閱讀背面之注意事項存填寫本覓)
1282697 A7 B7 五、發明説明(5) 層與透 作 ( 前述負 化物之 機E L ( 其特徵 素群之 壁,並 同的形 裝置, 高電阻 之發光 ( 其特徵 素之負 ,針對 序來重 如 極,作 材料特 蒸鍍法 明正極間設 爲此實施形 1 )作爲具 極則至少要 重疊而成之 裝置,將可 2 )作爲具 爲具有複數 負極,且於 於因應由該 式形成有由 如根據本構 之透明正極 效果的有機 3 )作爲具 爲具有複數 極,且於畫 畫素則至少 疊之有機E 根據本構成 爲在效果上 有的效果, 、噴注法、 4 )上述( 置正孔輸送層及/或是 態的例子,舉例出以下 有上述第一特徵構成之 有一種導電性材料與, 有機E 更提高 有上述 畫素, 畫素間 絕緣體 導電性 成,採 的電阻 E L裝 有上述 晝素, 素間形 以負極 L裝置 ,將可 可對於 而對補 印刷法 2 )或 L裝置 其發光 第一特 並於前 形成有 而成的 材料而 用補助 ,而其 置。 ,如根據 效率。 徵構造之 述基板上 由絕緣體 隔壁上的 成之補助 正極,一 正孔注入層。 的樣態。 有機E L裝置, 金屬氧化物或氟 本構成,針對有 有機E L裝置, 形成有因應各畫 而成之畫素間隔 位置,以該隔相 正極之有機E L 般來說將可降低 結果將可實現全面均一化 第一特徵構成之 並於前述基板上 成有由絕緣體而 ,發光層、正極 有機E L裝置, 形成有因應各畫 成之畫素間隔壁 、補助正極的順 極電阻之補助正 種材料,賦與其 成係可採用光罩 隨後附加降低正 補助正極採用各 助正極的圖案形 等。 (3 )之有機E L裝置的特徵爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 -8 -
I 1282697 經濟部智1財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明(6 ) ,前述補助正極係具有吸光性之導電性材料,如根據本構 成,從光射出側來看顯示的狀況,因可在晝素之間看到光 吸收性之補助正極,所以外光將會被吸收,對比提昇而容 易看到顯示內容。 (5 )上述(4)之有機EL裝置之特徵爲,前述補 助正極係爲碳或鉻之有機E L裝置,如根據本構成,針對 在晝素間可更有效地吸收外光。 (6 ) —種具有上述第一特徵構成之有機E L裝置, 其特徵爲,於基板上設置重疊含有開關元件之活性矩陣構 造,並在平面上看,至少該開關元件的至少一部份重複著 形成負極、發光層、正極之重疊構造之有機E L裝置,如 根據本構成,可與相對於開關元件之電路毫無關係地來設 計作爲畫素之開口部的面積,而作爲此效果可相當提昇開 口率。 (7 ) —種具有上述第一特徵之有機E L裝置,其特 徵爲作爲前述基板採用形成積體電路之半導體基板之有機 E L裝置。 如根據本構成,於矽基板上攜帶終端的電子電路,顯 示器驅動用控制驅動,電源電路等,將作爲須要之裝置電 子電路,全部形成於半導體基板,另外更加地因可設置有 機E L裝置驅動用之晶體管,所以可同時實現裝置之高性 能化及降低成本。 (8)針對上述(3)或(4)之有機EL裝置,其 特徵爲,在形成前述正極及/或前述補助正極之後,將形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X297公釐) 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7五、發明説明(7) 成光吸收性層在因應畫素間部份之保護板,介由封合樹脂 來與晝素配合保護基板畫素因應部位置進行貼合之有機 E L裝置;如根據本構成,因可與補助正極分別於畫素間 設置光吸收部,所以可將補助正極及光吸收部作爲最佳化 〇 (9 ) 一種至少以負極、發光層、正極的順序重量於 基板上來作特徵之有機E L裝置之製造方法,在這方法之 中,最爲理想的方法則是於發光層上設置正孔輸送層及/ 或正孔注入層,接著可形成正極。 (10)—種上述(9)之有機EL裝置的製造方法 ,其特徵爲在形成前述發光層之後,對於發光層表面施以 親水化處理,如根據本構成,將可均一地塗抹水溶性之正 孔注入材料溶液,而作爲其一般的方法係採用氧等離子區 照射法。 (1 1 ) 一種有機E L裝置之製造方法,其特徵爲在 基板上至少形成絕緣性畫素間隔壁,之後並在全面性地重 疊反射性負極材料的同時,由隔壁的段差進行負極與隔壁 上補助正極的分離來形成該負極與該補助電極,接著於利 用該隔壁的區分之領域內,至少依發光層,正極順序來重 疊,如根據本構成將無須圖案形成補助正極,進而可減低 成本。 (1 2 ) —種有機EL裝置之製造方法,其特徵爲, 在基‘板上形成前述負極之後,於基板全面塗抹燒成絕緣性 畫素間隔壁材料,並將形成補助正極的材料全面成膜,接 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -10- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(8) 著由微縮影工程將補助正極材料層進行圖案形成浸蝕,再 將前述隔壁層燒成,之後於利用隔壁所區分的領域內至少 依發光層,正極的順序來重疊,如根據本構成,將可同時 實於晝素間隔壁與補助正極的圖案形成。 以下爲本發明之具體實施形態的說明。 〔實施形態〕 在本實施形態之中,表示有,於基板上至少依負極、 發光層、透明正極、正孔輸送層,並且/或正孔注入層的 順序的重量的例子,另於圖1表示有本實施形態之有機 E L裝置的剖面。 首先於基板1形成負極2,接著形成發光層3,再來 形成正孔注入層4,接下來形成正極5,然後再形成封合 層(無圖示)。 由如此所形成之有機E L裝置的電極間,施加電壓時 ,光源將由封合層側射出。 而對於在此所採用的基板1除了玻璃基板外,還可採 用金屬、半導體、壓克力,另外也可採用不透明之基板。 另外對於在此所採用之負極2,可採用鋁、鎂、鋰、 鈣、及這些金屬的合金或這些金屬的重疊(此情況配置低 工作係數的物質於發光層側),對於在此的採用之發光層 3係可採用高分子系材料及低分子材料,例如:P P V、 聚二辛基芴、聚芴、A1 q3、DPVBi等、另對於在 此所採用之正孔注入層/正孔輸送層4係除了 BAIERU公 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-11 - 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明(9) 司製Bytron之外還可採用低分子系材料TPD、MTDATA、 銅酞菁等一般的材枓,又對於在此所採用之正極5係除了 I 丁 ◦之外還可採用透明導電膜,由出光光產株式會社的 販賣的IDIXO等材料,特別是IDIXO係在室溫下成膜也 可得到充份的導電性,所以相當不錯,而封合材料係採用 熱硬化環氧樹脂,但即使是紫外線硬化型樹脂也同樣可以 被採用,別外當與保護基板倂用時,則效果上相當不錯, 如根據本實施例的構成,因可從發光層看到光由與基板相 反側射出,所以對於基板側可採用不透明的材料,例如: 矽等半導體基板、金屬基板等,因此可於矽基板上形成身 體電路,並在此上方製成有機EL元件(裝置)。 〔實施形態2〕 在本實施形態之中係有表示前述負極由至少一種的導 電性材料與金屬氧化物或氟化物重量而成的具體例,針對 實施形態1的方法,作爲負極在將鋁進行製膜之後,經由 微縮影工程來形成圖案,再進行氧等離子處理後時,於表 面形成2 0 A (埃)的氧化物層,另採用附有負極的基板 來進行實施形態1剩下來的工程製作有機E L裝置時,發 光效率爲實施例的2倍(0 . 2 1 m/W ),而將於負極 表面進行氧等離子處理取代爲蒸鍍膜厚2 0 A (埃)氟化 鋰時,發光效率爲0 . 5 1 m/W而在此的採用之發光層 3係爲聚芴系材,由旋轉塗抹來製膜,另外對於正孔注入 層4係採用BAIERU公司製Bytron來旋轉塗抹,而負極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1282697 A7 B7 五、發明説明(1〇) 5係採用IDIX〇,而這些材料及製膜條件並不限於此。 〔實施形態3〕 在本實施形態之中係如圖3所示之構造,其中於基板 1上形成有因應發光畫素群之負極群2,並於發光畫素群 間形成有由絕緣體形成之晝素間壁6 ,另於畫素間隔壁6 上’則與畫素間隔壁6大約相同的形式形成由導電性材料 而成的補助正極7,具體例則由以下所示,首先在負極2 圖案形成後,由聚醯亞胺來形成畫素間隔壁6,圖案形成 後’以1 Ο Ο Ο A (埃)將钽製膜,再由微縮影以與畫素 間隔壁6相同形式進行圖案形成,接著在全面以2 0 A ( 埃)將氟化鋰進行製膜,接著作爲發光層3,將呈紅、綠 、藍發光之3種聚芴系材料溶於異暗煤,再以噴注法圖案 形成製膜在紅、綠、藍的晝素,接著作爲正孔注入層4, 由噴注法圖案形成製膜BAIERU社製Bytron,接下來作爲 陽極5 ;濺射形成出光興產株式會社製之IDIXO,並且由 環氧系封合材8及保護基板9來封合,另外於如此作成之 有機E L裝置之各畫素紅綠藍獨立供給電壓時,因應電壓 的施加將可觀測到平均的彩色畫像。 又,作爲參考,在作成沒有補助正極7的元件時,只 有引出正極附近的晝素發光,而對於在此的採用之陰極、 發光材料、正孔注入材料、正極、補助正極、封合材料, 也可採用如實施形態1所示之材料,另外作爲成膜的方法 係也可採用噴注法、光罩蒸鍍法、印刷法等方法,又,針 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS 了 A4規;21〇 X 297公p (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -13- 1282697 A7 B7 五、發明説明(彳彳) 對本實施形態同樣的構造,作爲負極2之位置層設置P e 、Ir、 Ni、 Pd、 Au的層,或是IT◦與AI的重 量構造等來作爲不透明層,並於正極5的位置,以設定的 厚度設置金、鋁、鈣之層,這些的重疊構造,M g與銀的 共同蒸鍍層等作爲透明層,且針對此構造來使負極2的位 置層作爲正極來驅動,使正極5的位置層作爲負極來驅動 ,且從發光層經由保護基板射出光源至上層之形態,而此 情況,補助正極7係作爲負極的補助層。 〔實施形態4〕 在本實施例之中係表示於前述基板上形成有因應發光 畫素群之負極群,並於發光晝素群間形成有由絕緣體形成 之畫素間隔壁,且針對在畫素上至少依負極、發光層、透 明正極、補助正極的順序的重量的例子,另於圖4表示本 實施形態之有機E L裝置的剖面構造,在圖案形成負極2 之後,根據聚醯亞胺將晝素間隔壁6成膜,再由圖案形成 來成形,接著作爲發光層3將發光爲紅、綠、藍3種類低 分子系材料,根據光罩蒸鍍法各自形成圖案製膜於紅、綠 、藍的晝素上,接下來作爲正孔注入層4,接著蒸鍍 MTDATA於全面,而接著作爲正極5,濺射出光興產株式 會社製IDIXO,之後將鉬以1 〇 〇 〇 A (埃)光罩蒸鍍, 並圖案形成,且以環氧系封合材8及保護基板9進行封合 ,在如此作成之有機E L裝置的各畫素,供給電壓於獨立 的紅、綠、藍時,因應電壓的施加;可觀察到平均的彩色 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 1282697 A7 —__ B7_ 五、發明説明(12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 影像,作爲參考例製作無補助正極7的元件時,只有引出 正極附近的晝素發光,而對於在此所採用之負極、發光材 料、正孔注入材料、正極、補助正極、封合材料,也可採 用如實施形態1所示之材料,另外作爲成膜方法,除了光 罩蒸鍍法以外也可採用噴注法,印刷法等。 對於補助正極的圖案形成係可採用光罩蒸鍍法、噴注 法、印刷法等’另外與在實施形態3的說明的情況同樣地 ’根據將負極2的部位層與正極5的部位層各自作爲特定 材料、厚度等,即使由作爲正極、負極發揮功能驅動負極 2的部位層及正極的部位層之情況,也可經由保護基板從 發光層使光源射出至外部。 〔實施形態5〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態之中係有表示前述補助正極具有光吸收 性的導電性材料,針對在實施形態3,作爲補助電極7, 取代鉅而採用鉻,其結果由於鉻的反射率爲6 0 %,以致 外光反射率降低,造成成本提高,作爲光吸收性導電材料 ,除了上述的鉻以外,同樣的可採用BAIERU公司製的 Bytron或聚芴等高分子導電材料及,碳。 〔實施形態6〕 在本實施例之中係表示前述補助正極具有光吸收性之 導電性材料,特別是碳的例子。 針對本實施形態,作爲補助電極7,取代鉅而採用碳 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -15- 1282697 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製
A7 B7五、發明説明(13) ’而對於成膜係採用光罩蒸鍍法,其結果從晝素間的外光 反射率則幾乎沒有,進而對比將相當提昇,另外作爲光吸 收性的導電材料,除了碳之外,同樣也可採用BAIERU社 製Bytron及聚芴等高分子導電材料,或鉻等。 〔實施形態7〕 在本實施形態7之中係表示於基板上重疊著包含開關 元件之活性矩陣構造,並以平面而視,至少其活性矩陣構 造,特別是至少有重量一部份該開關元件地來形成負極、 發光層、正極之重疊畫素構造,而在圖5中有表示本實施 形態之有機E L裝置的剖面構造。 同圖構造係將圖3所示構造作爲基礎,於基板上附加 有作爲開關元件之薄膜晶體管(以下稱T F T ),並於畫 素間隔壁下層設置有規定從發光層的光射出範圍的開口部 缺口部份1 1 ,另外,作爲其他例子於圖6表示有,在基 板上以正極、負極,正極的順序來形成,並且作爲開關元 件之T F T元件1 0的領域則在平面來看於晝素間隔壁6 下方,實質地重疊於該隔壁地配置之有機E L裝置的剖面 構造,另針對圖5,在形成TFT元件10之基板上方製 作有與圖3同樣之構成(附加開口部缺口部份1 1 )的發 光畫素構造(負極2、發光層3及正極5的重疊構造), 同樣地製作包含圖6所示之構造的發光畫素構造之有機 E L裝置,另外使有關圖5所示構造之有機E L裝置驅動 將光源射出至正極5側,再驅動圖6所示構造之有機E L (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -16- 1282697 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 A7 B7___五、發明説明(14) 裝置,將光射出至基板1 ,另外比較於圖6所示構造(開 口率30%),在圖5所示構造之中,由於位在與光射出 側相反側(基板側)、晝素構造、特別是在與發光層平面 視重疊地設有開關元件,作爲發光層將可發揮功能提高開 口率(開口率7 0 % ),以往在顯視光度上爲1 0 0 C d /m,所以驅動電壓爲6 V,但在本實施形態之中, 在顯示光度1 0 0 C d/m 2下,只需5 V即可,因此壽 命將可增加到1 0倍,如根據本實施形態,可無關T F T 電路等開關元件設計畫素開口部面積,進而可相當提昇其 開口率,又,針對圖5所示構造,與在實施形態3所述情 況相同地根據將負極2部位層與正極5部位層各自特定材 料、厚度之情況,即使作爲正極、負極來驅動負極2、正 極5部位置來發揮功能的情況,也可從發光層經由保護基 板,將光源射出於外部,更加地即使針對圖6所示構造, 與針對實施形態3所述情況相同地根據將負極2部位層與 正極部位層各自特定材料、厚度之情況,即使作爲正極、 負極來驅動負極2、正極5部位層發揮功能的情況下,也 可從發光層經由保護基板將光源射出至外部,而這樣的情 況,將可與圖5所示構造相同地提昇其開口率。 〔實施形態8〕 在本實施形態之中,其特徵爲作爲採用的基板係利用 形成有集體電路之半導體基板,而在本實施例中,表示係 在矽基板上形成有行動電話用電子電路,顯示器驅動用驅 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 1282697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(15) 動控制,有機E L裝置驅動用晶體管,並於顯示部中形成 有有機E L裝置例,另於圖7中表示有形成本實施形態之 有機E L裝置之矽基板的槪念圖,如圖所示,於矽基板 1 8上設置有,在前述實施形態所示之將有機E L元件( 畫素構造)配置成X Y矩陣狀之有機E L顯示部1 2,並 於其周邊設有對於顯示部矩陣驅動之X驅動器1 4、Y驅 動器1 3,並搭載著控制器1 5、電子電路1 6、電源電 路1 7,且接續在電源及開關,爲求工整,於矽基板一片 上設置所有的電路,並從外部由開關來控制,實現作爲行 動電話的功能,本實施形態雖然表示行動電話的例子,但 並不限定在此,而爲求省電力小型輕量化的用途都可來應 用。 〔實施形態9〕 本實施形態之中係表示前述正極或前述補助正極形成 之後,介由封合樹脂,將形成光吸收性層於因應畫素間部 份之保護基板配合基板上之畫素與保護基板畫素因應部來 貼合的例子,並於圖8表示有有機E L裝置的剖面構造, 在實施形態3於形成正極之基板塗抹封合材8來將光吸收 層1 9因應畫素間地形成,並將保護基板9配合位置固定 貼合,而如此作成的有機E L裝置係利用補助正極的效果 來表示充份之顯示均一性,且可有效地衰減外光之反射, 進而進行對比良好的顯示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .身衣· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -18- 1282697 A7 B7 五、發明説明(16) 〔實施形態1 0〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施形態之中係表示,於基板上至少以負極、發光 層、正孔輸送層,並且/或正孔注入層,透明正極的順序 重置之有機E L裝置,特別是針對圖1所示之構造的元件 製造方法,在形成前述發光層後,對於發光層表面施以親 水化處理的例子,針對圖1 ,作爲發光層3採用聚芴系材 料時’作爲正孔注入層4,一般來說的採用之BAIERU社 製Bytron (水散液)係因透濕性不佳,所以不易成膜,因 此在形成發光層3之後,照射氧等離子區來旋轉塗抹 By tron時,可採均一的膜來進行成膜,而如此製作成之有 機E L裝置係全面均一性地發光,另外針對本實施形態, 作爲將發光層表面進行親水化方法,採用U V臭氧處理也 可以,而在本實施形態作爲可採用之正孔注入材料係可舉 出聚苯胺鹽、高極性之溶液等。 〔實施形態1 1〕 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 在本實施形態中係表示,在基板上至少形成有絕緣性 畫素間隔壁,之後反射性負極成膜於全面,同時根據隔壁 的段差分離負極與隔壁上的補助正極,之後於畫素內係至 少以發光層,透明正極的順序重疊的例子,另於圖9表示 有本實施形態之有機E L裝置的剖面構造,再來將引出負 極配線2 0進行圖案形成,並形成晝素間隔壁6後,作爲 負極2蒸鍍錫,而此時根據畫素間隔壁6之壁體產生負極 圖案形成,並同時圖案形成補助正極7,如將畫素間隔壁 本]紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 1282697 A7 B7 五、發明説明(17) 6的壁角往上推出地設定,圖案形成將可更精確,之後在 形成形成的正極5時,根據畫素間隔壁6會產生斷線,所 以最佳化是必要的。 〔實施形態1 2〕 本實施形態之中係表示在基板上形成負極之後,於基 板全面塗抹絕緣性畫素間隔壁材料燒成後,再將由補助正 極而成的材料成膜於全面,並根據微縮影工程,首先將補 助正極進行圖案形成浸蝕,接著再將其下方的畫素間隔壁 進行圖案形成浸蝕,然後燒成畫素間隔壁層,之後並於畫 素內至少以發光層、透明正極的順序重疊的例子,具體來 說則是作成圖3所示構造的元件,首先在基板1上,將負 極2進行圖案形成,接著於基板全面作爲絕緣性晝素間隔 壁6的材枓塗抹聚醯亞胺,然後暫時燒成,之後將成爲補 助正極7之钽,以1 〇 〇 〇 A (埃)的厚膜濺噴於全面, 之後浸蝕聚醯亞胺,接著將radist剝離,進行聚醯亞胺的 燒成,完成畫素間隔壁6與補助陽極7的構造,在本實施 形態的採用之畫素間隔壁材料及補助電極材料係如爲以微 縮影工程來進行圖案形成,同樣地也可被採用,如以上的 詳述地,如根據本發明,根據從有機E L裝置裝置的基板 側,以負極、發光層、正極的順序來重疊的構造,將可提 供即使採用活性元件也不會有使開口率及透光率降低的元 件構成,以及其製造方法,而根據此將可實現省電化,且 可提供壽命長的有機E L裝置,另外同時也實現了光度不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I#裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1282697 A7 B7 五、發明説明(18) 會降低,且具有防止根據外光的射入而產生對比降低構造 之有機E L裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 -
Claims (1)
1282697 A8 B8 C8 p-__ D8 六、申請專利範圍 1、一種有機電激發光裝置,屬於在於陰極和陽極之 間’形成發光層之有機電激發光元件,形成於基板上的有 機EL裝置,其特徵係 前述陰極係形成於前述基板之上,前述陰極係至少1 ffi之導電性材料和金屬之氧化物或氟化物之堆積體,包圍 前述陰極之周圍形成間隔壁,於前述發光層和前述間隔壁 上’形成前述陽極者。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -5T» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050165 | 2000-02-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI282697B true TWI282697B (en) | 2007-06-11 |
Family
ID=18571984
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090104399A TWI249363B (en) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
| TW091121245A TWI282697B (en) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | Organic electroluminescence device |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090104399A TWI249363B (en) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6869635B2 (zh) |
| EP (1) | EP1191823B1 (zh) |
| JP (1) | JP4144687B2 (zh) |
| KR (1) | KR100476572B1 (zh) |
| CN (1) | CN1242650C (zh) |
| DE (1) | DE60140784D1 (zh) |
| TW (2) | TWI249363B (zh) |
| WO (1) | WO2001063975A1 (zh) |
Families Citing this family (137)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
| JP2001237074A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス光源 |
| US6191433B1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-02-20 | Agilent Technologies, Inc. | OLED display device and method for patterning cathodes of the device |
| MY141175A (en) * | 2000-09-08 | 2010-03-31 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus |
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
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| WO2002102117A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-19 | Byoung Choo Park | Three-terminal organic electro-luminescent device |
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| TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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| JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| CN1653297B (zh) | 2002-05-08 | 2010-09-29 | 佛森技术公司 | 高效固态光源及其使用和制造方法 |
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| JP4240276B2 (ja) | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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| JP4165145B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2008-10-15 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
| JP2004095551A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
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| US20050134171A1 (en) | 2005-06-23 |
| EP1191823A4 (en) | 2006-04-05 |
| DE60140784D1 (de) | 2010-01-28 |
| US7898170B2 (en) | 2011-03-01 |
| CN1363201A (zh) | 2002-08-07 |
| US20020033664A1 (en) | 2002-03-21 |
| JP4144687B2 (ja) | 2008-09-03 |
| EP1191823A1 (en) | 2002-03-27 |
| EP1191823B1 (en) | 2009-12-16 |
| WO2001063975A1 (en) | 2001-08-30 |
| CN1242650C (zh) | 2006-02-15 |
| KR100476572B1 (ko) | 2005-03-18 |
| US20080258617A1 (en) | 2008-10-23 |
| KR20020019002A (ko) | 2002-03-09 |
| TWI249363B (en) | 2006-02-11 |
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| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |