JP2008108530A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】トップエミッション型有機ＥＬ装置で、発光光の色純度の向上と、コントラストの向上を図った有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢの主面に配置された複数の画素電極ＣＤと、この複数の画素電極ＣＤ上にそれぞれ配置された複数の多層構造の有機ＥＬ層ＯＬＥと、この有機ＥＬ層ＯＬＥ上に配置された透光性の対向電極ＡＤと、前記複数の有機ＥＬ層ＯＬＥ相互間に配置されたバンクＢＭＰを備え、前記対向電極ＡＤ上に帯状の補助電極ＳＤを備えた構成とした。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特にトップエミッション型有機ＥＬ表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。

フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。

有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板を好適とする絶縁基板の主面に、第１の電極または一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する多層の有機膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する他の基板あるいは封止膜を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。

一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで発光層が発光し、この発光を上記他方の電極側から出射する構成を特徴としている。トップエミッション型では、前記絶縁基板上の駆動回路上も発光エリアとして利用できる特徴を有している。又、トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶に対応する構成として、ガラス板を好適とする透明板が使用出来る。

この種の有機ＥＬ表示装置に関し、特許文献１ではトップエミッション型有機ＥＬ表示素子の製造でインクジェットプロセスに適した膜の表面処理に関する技術が、又特許文献２では基板上に配置された一方の電極の上に形成される有機発光層および他方の電極でなる発光エリアを、膜厚が薄くテーパの少ない無機絶縁膜のバンクで囲む構成とし、バンクの段差を小さくすることでエッジグロースを無くし、隣接画素からの迷光の反射防止と電極の段切れを回避する技術がそれぞれ開示されている。
特開２００４−１２７５５１号公報 特開２００５−５２２７号公報

このようなトップエミッション型有機ＥＬ表示装置では、電極や有機ＥＬ層の素子構成、膜厚によって光の干渉の影響が大きく、輝度、コントラストの向上が困難であった。
この光の干渉の影響を軽減するには前記有機ＥＬ層の膜厚管理の厳密さが要求される。ところが、この要求は製造過程での作業時間の短縮と製造原価の低減に逆行する問題を内包している。

又、この光の干渉の影響に加え、上部に配置される透光性の対向電極の抵抗により輝度ムラが生じ、この輝度ムラの存在が装置の大型化を阻害する大きな要因となっており、その対策が求められている。

更に、光の干渉の影響が反射防止を困難にし、別途偏光板の配置を必要とする等の問題があった。

更に又、光の干渉の影響で多色発光の構成では、各発光光の色純度が低く色再現性が十分ではないという問題もあった。

本発明の目的は、上述した問題を解決し、高輝度、高コントラストで優れた色純度の有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、有機ＥＬ層上から隣接する有機ＥＬ層相互を離隔する突堤状の絶縁突起（以下バンクと言う）上に延在する透光性の対向電極を備え、前記延在部上の対向電極上に補助電極を備えた構成とした。又本発明は、前記補助電極に光吸収機能を持たせた。

本発明はバンク上の対向電極上に補助電極を備えた構成としたことにより、（１）補助電極により対向電極の抵抗値を低下することが出来、輝度ムラを解消できる。（２）外来光及び発光（出射）光の反射を低減し、各発光光の色純度及び輝度を向上させると共にコントラストの向上を図ることが出来る。（３）不要な出射光を遮蔽できるため青，緑，赤成分の光が出射される割合が増加し，ＲＧＢ各発光光の色純度が向上する。（４）光の干渉を低減できることから、別途に偏光板を必須とせず、省略することも可能で、コスト低減は勿論のこと、輝度向上も期待できる。（５）フルカラー有機ＥＬ表示装置としての色再現範囲が拡大する。（６）装置が薄くなり更に軽量化されるため，適用できる製品範囲が拡大できる。

以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１乃至図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施例の概略構造を説明する模式図で、図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図３は図２の有機ＥＬ層の拡大断面図である。図１乃至図３において、参照符号ＡＤは対向電極（アノード電極）、ＣＤは画素電極（カソード電極）、ＢＭＰはバンク、ＯＬＥは有機ＥＬ層、ＩＢは絶縁性の平坦化膜、ＩＣは絶縁膜、ＦＧはファーストゲート、ＳＧはセカンドゲート、ＧＩはゲート絶縁膜、ＡＬはスイッチング素子間の配線、ＡＬＳはスイッチング素子間の配線（光シールドも兼ねる部分）、ＳＵＢは絶縁基板である。

前記絶縁基板ＳＵＢは、主面に窒化シリコンＳｉＮ、酸化シリコンＳｉＯ２ を成膜した透明なガラスを好適とする基板であり、前記したＴＦＴ基板となるものである。この酸化シリコンＳｉＯ２ 膜の上のスイッチング素子領域に半導体膜のパターニングでファーストゲートＦＧが形成されている。ファーストゲートＦＧを覆ってゲート絶縁膜ＧＩが形成され、ゲート絶縁膜ＧＩの上にセカンドゲートＳＧがパターニングされ、さらにその上を覆って絶縁性の平坦化膜１Ｂが成膜されている。

配線ＡＬはスイッチング素子のドレイン電極となるスイッチング素子間の配線（スイッチ間配線、信号配線、ドレイン配線）、又、配線ＡＬＳはソース電極でかつスイッチング素子間の配線兼シールド部材（スイッチ間配線兼シールド部材）を示し、平坦化膜１Ｂとゲート絶縁膜ＧＩを貫通するコンタクトホールを通してファーストゲートＦＧに接続されている。スイッチ間配線ＡＬとスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳを覆って絶縁膜１Ｃが成膜されている。この絶縁膜１Ｃに設けたコンタクトホールを通してスイッチ間配線兼シールド部材ＡＬＳに接続する平板状の画素電極ＣＤが発光エリアに延びている。ここでは、画素電極ＣＤはカソード電極である。

画素電極ＣＤは、例えばＭｇ−Ａｇ合金から構成され、マトリクス状に配置されている。画素電極ＣＤ上には発光エリアを構成する有機ＥＬ層ＯＬＥが突堤状の絶縁突起（以下バンクと言う）ＢＭＰで囲まれて積層配置されている。この有機ＥＬ層ＯＬＥはＸ方向にＲＧＢを一単位（ピクセル）として並設し、Ｙ方向には同色が縦列した構成のマトリクス状に配置されている。

前記バンクＢＭＰは、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁材料から構成されており、発光エリアに開口部（バンク開口）を有する形状とされている。したがって、バンクＢＭＰはその開口部に凹みを有した形状となっている。このように、本実施例による有機ＥＬ表示装置は、隣接する前記画素の有機ＥＬ層ＯＬＥの発光エリアが、例えば無機絶縁膜からなるバンクＢＭＰにより分離されている。

前記発光エリアを構成する有機ＥＬ層ＯＬＥ上には、例えばＩＴＯ膜からなる透光性の対向電極ＡＤが配置されている。ここでは、対向電極ＡＤはアノード電極である。この対向電極ＡＤは前記有機ＥＬ層ＯＬＥ上に続いてバンクＢＭＰ側に延在し、バンクＢＭＰの側壁から天頂面を連続して覆って配置されている。

更に、この対向電極ＡＤ上の前記発光エリアを除く部位の一部に、例えばＡｌ、Ａｇ材等の導電材からなる補助電極ＳＤを重畳して所定のパターンで配置している。補助電極ＳＤと前記対向電極ＡＤは導通し、この補助電極ＳＤは対向電極ＡＤの補助配線としての機能を備えている。すなわち、この実施例では前記補助電極ＳＤを、前記ピクセル間のバンクＢＭＰに対応する位置で、かつこのバンクＢＭＰと同心で前記対向電極ＡＤ上に重畳して帯状の補助電極ＳＤｙ１〜ＳＤｙ３を配置している。又、この補助電極ＳＤｙ１〜ＳＤｙ３の長手方向の端部は図示しない電源回路に接続している。補助電極ＳＤのＸ方向（幅方向）の幅Ｗｓｘは、前記バンクＢＭＰの天頂面の同方向の幅Ｗｂｘより広く形成している。一方Ｙ方向（長手方向）は帯状の連続した構成となっている。補助電極ＳＤの形成は、ホトリソ技術など従来周知の技術が利用可能である。補助電極ＳＤは、対向電極ＡＤの動作時、電極の一部として動作し、表示画面の輝度ムラの解消に寄与する。

補助電極ＳＤの幅Ｗｓｘを、前記バンクＢＭＰの天頂面の幅Ｗｂｘより広くすることで、発光エリアを制御して画面全面の発光量制御を可能にすると共に、補助電極ＳＤへの通電容量を増加できる特徴を有する。補助電極ＳＤは、配置可能なスペースを最大限に利用して配置すれば、補助配線としての機能が有効に活用できる。

又、補助電極ＳＤを光吸収機能を備えた導電膜で形成すれば、一般の表示装置におけるブラックマトリクス（ＢＭ）膜と同様にコントラスト向上等の効果を期待できる。

次に、前記バンクＢＭＰのバンク開口内に配置された前記有機ＥＬ層ＯＬＥはその一例の詳細を図３に示す。図３に示す有機ＥＬ層ＯＬＥは、画素電極ＣＤに接して電子輸送層ＥＴＬが配置され、その上に順次発光層ＥＭＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、ホール注入層ＨＩＬがそれぞれ積層され、最上層には対向電極ＡＤが全面に形成されている。有機ＥＬ層ＯＬＥはバンク開口の内縁に接して形成されている。

上記構成で、前記透明な対向電極ＡＤは陽極として機能し、画素電極ＣＤは陰極として機能するが、陽極である透明電極ＡＤには仕事関数の高い透明な電極材料を用いれば良く、前述したＩＴＯが一般的であるが他の透明な導電物質であっても良い。陰極である画素電極ＣＤには、仕事関数の低いＡｌ、Ｍｇ、Ｍｇ/Ａｇ合金やＡｌ/Ｌｉ合金等などを用いることができる。又、特性向上のためＡｌ単体ではなく，有機層との間に極薄いフッ化リチウムＬｉＦなどのアルカリ金属化合物などを用いても良い。なお、画素電極ＣＤは、発光層から出射した光の反射を抑制するため、光の反射率の低い材料から構成されることが望ましい。

発光層ＥＭＬは、陽極である透明な対向電極ＡＤと陰極である画素電極ＣＤとの間に所定の電圧が印加されたとき，所望の色で発光する材料を用いる。

発光層ＥＭＬの材料としては、赤色発光用として、例えば発光層はＡｌｑ３（トリス(８−キノリノレート)アルミニウム）に、ＤＣＭ−１（４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(ｐ−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ−ピラン）を分散したもの、緑色発光用として、例えばＡｌｑ３，Ｂｅｂｑ，キナクリドンでドーピングしたＡｌｑ３、青色発光用として、例えばＤＰＶＢｉ（４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル）や、これとＢＣｚＶＢｉ（４,４'−ビス(２−カルバゾールビニレン)ビフェニル）からなる材料、或いはジスチリルアリレーン誘導体をホストとし、ジスチリルアミン誘導体をゲストとしてドーピングしたものを用いることができる。

又、それぞれの発光層ＥＭＬにおいて、ホール注入層ＨＩＬはＣｕＰｃ（銅フタロシアニン），ホール輸送層ＨＴＬはα−ＮＰＤ（Ｎ,Ｎ'−ジ(α−ナフチル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル１,１'−ビフェニル−４,４'−ジアミン）や、トリフェニルジアミン誘導体ＴＰＤ（Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)１,１'−ビフェニル−４,４'−ジアミン）、電子輸送層ＥＴＬはＡｌｑ３を用いることができる。更に、上記低分子系の材料の他にポリマー系の材料を用いることもできる。

このような構成の有機ＥＬ層ＯＬＥを備えた有機ＥＬ素子では，陽極である対向電極ＡＤと陰極である画素電極ＣＤとに直流電源を接続し、両電極間に直流電圧を印加すると、対向電極ＡＤから注入されたホールと、画素電極ＣＤから注入された電子がそれぞれ発光層に到達し，電子−ホールの再結合が生じ所定の波長の発光が生じるものである。

図４及び図５は、本発明による有機ＥＬ表示装置の他の有機ＥＬ層の構成例を説明する拡大断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。

先ず、図４において、有機ＥＬ層ＯＬＥは電子輸送層ＥＴＬと発光層ＥＭＬ及びホール輸送層ＨＴＬの３層構造とし、これにＶ₂Ｏ₅材からなる対向電極ＡＤＶを積層した構成としたものである。その他の構成は図１、図２と同一である。

次に、図５において、有機ＥＬ層ＯＬＥは、アノード電極となる画素電極ＡＤＬを背面側に、カソード電極となる半透明の性状を有する対向電極ＣＤＨを前面側にそれぞれ配置すると共に、前記画素電極ＡＤＬ側からホール注入層ＨＩＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ及び電子輸送層ＥＴＬが順次積層された構成となっている。

図６は、本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図６において、有機ＥＬ層ＯＬＥをＹ方向で分断してＸ方向に連続して延在するバンクＢＭＰ上に、対向電極ＡＤを介して帯状の補助電極ＳＤ（ＳＤｘ１〜ＳＤｘ４）を配置した構成である。この補助電極ＳＤのＹ方向（幅方向）の幅ＷｓｙとバンクＢＭＰの同方向の天頂面の幅との関係は、補助電極ＳＤのＹ方向の幅ＷｓｙがバンクＢＭＰの天頂面の幅より大きく、実施例１と同じ関係にある。このような補助電極ＳＤを各画素間にＸ方向に延在して配置した構成である。補助電極ＳＤも図示しない電源回路に接続する。

図７は本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図７に示す実施例３では、図１に示す補助電極ＳＤｙ１〜ＳＤｙ３の配置パターンに画面の上下端にＸ方向に延在する補助電極ＳＤｘ１、ＳＤｘ２を追加配置し、これらの補助電極ＳＤで有機ＥＬ層ＯＬＥを取り囲んだ構成である。補助電極ＳＤの配列は、前述した電源回路との接続が簡便となる。

図８は、本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図８に示す実施例４では、図６に示す補助電極ＳＤｘ１〜ＳＤｘ４の配置パターンに画面の左右端でＹ方向に延在し前記補助電極ＳＤｘ１〜ＳＤｘ４間を接続する補助電極ＳＤｙｂを配置し、前記補助電極ＳＤｘ１〜ＳＤｘ４を直列に接続した構成である。補助電極ＳＤの配列は、前述した実施例３と同様に電源回路との接続が簡便となる。

図９は本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図９に示す実施例５では、バンクＢＭＰの寸法に副って補助電極ＳＤの寸法を可変したもので、画面中央部に配置される補助電極ＳＤｘ２を上下端に配置される補助電極ＳＤｘ１、ＳＤｘ３より幅広とした構成である。又、この実施例５では補助電極ＳＤの端部に接続端子として利用可能な突起部ＳＤｔを配置した。このように、補助電極ＳＤの面積が大きくなれば、同一膜厚であれば通電容量が大きくなり、補助電流を増大することが可能となる。

図１０は、本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図１０に示す実施例６では、前述した実施例５と同様にバンクＢＭＰの寸法に副って補助電極ＳＤの寸法を可変したものである。図１０において、画面の左右端に配置された補助電極ＳＤｙ１及びＳＤｙｎは膜幅に大小が存在する構成であり、ピクセル毎に配置された補助電極ＳＤｙ２及びＳＤｙｎ−１は同一幅の構成となっている。一方、Ｘ方向に延在する補助電極ＳＤｘ１〜ＳＤｘ４は、上下端に配置される補助電極ＳＤｘ１、ＳＤｘ４に対し中間に配置される補助電極ＳＤｘ２、ＳＤｘ３が幅広に構成されている。

図１１は本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図１１に示す実施例７では、全バンクＢＭＰに対応して補助電極ＳＤを配置し、かつバンクＢＭＰの寸法に副って補助電極ＳＤの寸法を可変した構成である。図１１において、補助電極ＳＤｙ１〜ＳＤｙ７及びＳＤｘ１、ＳＤｘ３は同一幅で、画面中央部でＸ方向に延在する補助電極ＳＤｘ２のみが他のものより幅広構成である。この実施例７の如く、全バンクＢＭＰに対応して補助電極ＳＤを配置することで高精細、高コントラストの表示がより一層可能となる。

図１２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図１２に示す実施例８では、実施例７と同様に全バンクＢＭＰに対応して補助電極ＳＤを配置し、かつバンクＢＭＰの寸法に副って補助電極ＳＤの寸法を可変した構成である。図１２において、補助電極ＳＤｙ２〜ＳＤｙｎ−１及びＳＤｘ１、ＳＤｘ３は同一幅で、画面左右でＹ方向に延在する補助電極ＳＤｙ１及びＳＤｙｎが膜幅に大小が存在する構成であり、更に画面中央部でＸ方向に延在する補助電極ＳＤｘ２、ＳＤｘ３が他のものより幅広構成である。
この実施例８は前述の実施例７と同様な特徴を備えている。

図１３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の概略構造を説明する図２に対応する模式断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図１３に示す実施例９では、補助電極ＳＤのＸ方向の幅ＷｓｘをバンクＢＭＰの天頂面の同方向の幅Ｗｂｘより広く形成すると共に、補助電極ＳＤのＸ方向の中心をバンクＢＭＰの中心から外側方向に変位させた構成である。この構成では、前記補助電極ＳＤの内側端部が外側に変位したことで発光エリアが拡大された構成となり、発光光の利用効率が向上する。ここで、前述した補助電極ＳＤは対向電極ＡＤの補助配線としての機能を備えると共に、この補助電極ＳＤの外面側に光吸収機能を持たせる事で発光エリアの輪郭を明確にするブラックマトリクスの機能を併せ持ち、外光の反射も軽減しコントラスト向上に寄与する。

本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施例の概略構造を説明する模式平断面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２の要部拡大断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ層の他の例を説明する要部拡大断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ層の更に他の例を説明する要部拡大断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の補助電極配列パターンを説明する模式平面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の概略構造を説明する模式断面図である。

符号の説明

ＡＤ、ＡＤＶ、ＡＤＬ・・・対向電極、ＣＤ、ＣＤＨ・・・画素電極、ＢＭＰ・・・バンク、ＳＵＢ・・・絶縁基板（ＴＦＴ基板）、ＩＢ・・・平坦化膜、ＯＬＥ・・・有機ＥＬ層、ＦＧ・・・ファーストゲート、ＳＧ・・・セカンドゲート、ＩＣ・・・絶縁膜、ＧＩ・・・ゲート絶縁膜、ＡＬ、ＡＬＳ・・・スイッチング素子間の配線、ＳＤ・・・補助電極。

Claims (7)

1. 絶縁基板の主面に配置された複数の画素電極と、この複数の画素電極上にそれぞれ配置された多層構造の有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層の上層に配置された透光性の対向電極と、前記複数の有機ＥＬ層相互間に配置された絶縁突起を有し、前記対向電極側から光を放出する構成の有機ＥＬ表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記対向電極は前記絶縁突起の一部を覆って延在し、この延在部の上部に接して補助電極を備えた構成としたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記補助電極の幅が前記絶縁突起の頂部の幅より広い構成としたことを特徴とする前記請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記補助電極は前記絶縁突起と略同心で配置された構成としたことを特徴とする前記請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記補助電極は光吸収機能を備えた構成としたことを特徴とする前記請求項１乃至３の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記有機ＥＬ層は、電子輸送層、発光層、ホール輸送層及びホール注入層を備えた構成であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記対向電極をＶ₂Ｏ₅で構成したことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記有機ＥＬ層は、電子輸送層、発光層、ホール輸送層を備えた構成であることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。

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