[go: up one dir, main page]

TWI270555B - Method of manufacturing polymer - Google Patents

Method of manufacturing polymer Download PDF

Info

Publication number
TWI270555B
TWI270555B TW092137107A TW92137107A TWI270555B TW I270555 B TWI270555 B TW I270555B TW 092137107 A TW092137107 A TW 092137107A TW 92137107 A TW92137107 A TW 92137107A TW I270555 B TWI270555 B TW I270555B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polymer
acid
group
activation energy
substrate
Prior art date
Application number
TW092137107A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200420576A (en
Inventor
Genji Imai
Takeshi Sako
Original Assignee
President Of Shizuoka Universi
Kansai Paint Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by President Of Shizuoka Universi, Kansai Paint Co Ltd filed Critical President Of Shizuoka Universi
Publication of TW200420576A publication Critical patent/TW200420576A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI270555B publication Critical patent/TWI270555B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/54Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

l27〇555 五、發明說明(1) —、【發明所屬之技術領域】 其使用超臨界 本發明係關於一種製造平 流體或次臨界流體。 w合物的方法 一、【先前技術】 ^ 由於超臨界流體之密度接< μ + 係數岣接近於氣體的流體,=j及體,而其黏度及擴散 質溶解性,具有作為反應溶^ =體之擴散性與液體之物 習知之超臨界流體係利;j =效果。 料之萃取、從咖啡或香菸 /、各解力,應用於香精或香 的萃取分離、不需要成分的萃去除等、有效成分 年代之後半起,工業上進行利用= 如,約從1970 因咖啡之製造。 α °°界一軋化碳的無咖啡 另外,近年來超臨界流 單體、或進行醇之濃縮與從:j物:去除未 製叩等之不純物與濃縮。再者 除化學原料或 之膠黏物、進行半導體或機應Γ於去除陶究中 如,於日本公開專利公報第平7llm2 7、乾•等。例 來酸軒縮亞胺化合物的精製 :為揭::種二馬 於製造時之芳香族碳氫溶劑等】姑二,破為·使含有使用 酸酐縮亞胺化合物,與接 力胺系二馬來 :上:超臨界狀態或接近於超 觸,進行不,純物萃取之去除處理。 乳化蚊相接 此外’超臨界流體也可以户m W k 1270555 五、發明說明(2) 子之製造等, 薄臈化、微細 賦予(表面塗 微粒子化、薄 8〜1〇4830號中 链為:使用二 聚合物固體原 超界相,再 然而,從 觀點而言,習 有機溶劑的溶 法之聚合物係 聚合反應後, 進行乾燥之溶 步驟中,揮發 針對於此 尤其是超臨界 二氧化碳作為 劑之去除及乾 外,從不使用 小。而且,相 收、再利用。 於一氧化碳的 作為溶劑,生 因急遽膨脹(RESS法)而、生士 〇成j而造成之 :維或是應用於二氧切氣凝;:二声 布)專,因不良溶劑化(GAS法)而造又 膜化。例如,於日本公開專利公報第平之 ’揭不-種塗料用微粒子的製造方法 氧化碳及極性有機溶劑’使為了製造塗料: 料之聚合製程的聚合物取人e * 土 丁寸用 水口物♦合反應溶液溶解於 進行急遽膨脹。 鮮於 聚合反應速度之控制或聚合生成物之操作 知之塗料用微粒子等聚合物係藉由 液聚合法等進行製造。但是,由於;= 於含有約一半溶劑的溶液狀態下所生成的, 必須從所得到的聚合物溶液中去除溶劑,並 劑去除步驟’製程上繁雜。另外,溶劑去除 性有機溶劑之處理也是一大課題。 ' ’近年來嚐試使用作為溶劑之超臨界流體, 一氧化碳’進行聚合物之製造。使用超臨界 溶劑的情形,於聚合反應後並不需要進行溶 燥,能夠簡化製程,也能夠降低成本。另 有機溶劑之觀點而言,環境面上之負荷也 較於有機溶劑,二氧化碳能夠更容易被回 再者,許多的情形下,由於聚合物或單體對 溶解度具有差異,藉由使用超臨界二氧化碳 成物之聚合物中所含之未反應的單體將變
1270555 五、發明說明(3) " " 少’能夠製造更高純度之聚合物。 作為使用超臨界流體之聚合物的製造方法,例如於曰 ^公開專利公報第平7 —5〇5429號中,揭示一種氟聚合物的 $造方法,其具有:可將氟單體溶解於含有超臨界二氧化 碳溶劑中的步驟;以及於該溶劑中,在自由基聚合起始劑 之存在下,進行氟單體之熱聚合反應而製造氟聚合物的 驟。 於曰本公開專利公報第200 0-2 650 9號中,揭示一種氟 聚合物的製造方法,使用二曱基(2, 2,—偶氮二異丁酯) 作為起始劑,於超臨界二氧化碳中,使至少一種氟化單體 進行熱聚合反應。 於日本公開專利公報第2〇〇2-3 27003號中,揭示一種 含有氟化烷基聚合物的製造方法,使用超臨界二氧化碳作 為聚合溶劑,使含有2 0質量%以上可自由基聚合的含氟化 燒基之(甲基)丙烯酸酯的單體成分而進行熱聚合反應。 於日本公開專利公報第2 0 〇 1 - 1 5 1 8 0 2號中,揭示一種 t合物微粉體的製造方法,使含有具備(曱基)丙晞酸等 繞基之乙烯性不飽和單體的單體組成物,於超臨界二氧化 碳中,進行自由基熱聚合反應。 於曰本公開專利公報第2002- 1 79707號中,揭示一種 聚合物微粒子的製造方法,於超臨界二氧化碳中,藉由具 有實質上可溶於超臨界二氧化碳之特定構造聚合物的聚合 起始劑,進行曱基丙烯酸甲酯等單體之熱聚合反應。 另外,於日本公開專利公報第2 〇 〇 2 一 1 2 8 8 0 8號中,揭
1270555 日文「 「使用 :使用 聚(1, 四氫十 界二氧 反應。 已探討 合之聚 進行光 在一十二炫*酸或十四燒酸等特 =存在下,於超臨界二氧化碳中,進 本乙烯等聚合性單體之自由基熱聚合 色材」期 超臨界二 藉由以超 1,2,2 - 四 七II癸基 化碳作為 於超臨界 合物的製 聚合反應 五、發明說明(4) 示一種聚合物的製造 定之非聚合性分散劑 行甲基丙烯酸甲酯或 反應。 小林正範等,於 第8號第371 -377頁之 的分散聚合」中記載 之聚合反應所得到的 酯)及聚(1,1,2, 2-面活性劑,並將超臨 基系單體的分散聚合 如上所述,雖然 體中’進行單體熱聚 臨界流體中,將單體 則仍未被明瞭。 然而,近年來, 矚目。所謂梳子型聚 附)於固體表面的高 向延伸的構造。高分 響。 通常’梳子型聚 固體表面,利用表面 子鏈接枝於固體表面 例如,於日本公 刊’ 2002年,第75卷 氧化碳之乙烯基單體 臨界二氧化碳為溶劑 氫十七氟癸基丙烯酸 丙烯酸甲酯)作為界 溶劑而進行各種丙烯 二氧化碳等超臨界流 造方法’但是,於超 之聚合物的製造方法 因為梳子型聚合物之特異型態而備受 ^物係指末端已固定化(化學鍵或吸 分子鏈,採取向垂直於固體表面之方 子鍵之延伸程度極受接枝密度的影 a物係藉由表面接枝聚合,尤其是於 走►始/舌性自由基聚合反應,而使高分 而得到。 開專利公報第200 1 - 1 3 1 208號中,揭
第8頁 1270555 五、發明說明(5) ---- 示一種聚合性梳子型基材的調製方法,其包含:可提供一 種S出ίί離該基材遠處具有一個以上之自由基生成部 位=ίίΪ始劑進行共價鍵結的步驟;以及加速從該起 始US ΐ部分起之自由基聚合反應的條件下,使該 已共Μ結之基材與單體相接觸而形成梳子型$合物的步 驟。 i ^日本公開專利公報第議2—1 45971號中,揭 示子型聚合物的方法,其利用表面起始活性自 由基,:二應。所謂表面起始活性自由基聚合,具體而 言,=,=用1^3叫1„1^^1〇(1““(1^)法或化學吸附 法2 h起始劑固定於固體表面,接著,利用活性自由 基聚口 ATRP法)使冑分子鏈(接枝鍵)於固體表面進行 成長。於曰本公開專利公報第2〇〇2 — 1 45971號中記載··可 以利用表面起始活性自由基聚合,以習知未有之高表面密 度方式’於基材表面進行限制長度與長度分布之高分子鏈 的^長反應由於其南的接枝密度,藉由使其於溶劑中進 ,打%潤’得到相當於鏈長伸直的膜厚,首度實現了真正的 梳子型聚合物”狀態。另外,於曰本公開專利公報第 2 00^-1 45971號中也記載:因表面起始反應所產生之自由 基♦合係由於一旦生成自由基,直到不可逆之終止反應為 止’、將不斷進行成長反應,依序生成接枝鏈,並由於先前 已成長之接枝鏈的立體障礙而妨礙對其附近之接枝化反 ,’針對於此,由於此系統之聚合反應係活性方式下進 们亦即’幾乎所有的接枝鏈進行均等的成長反應,認為
第9頁 1270555 五、發明說明(6) ΐ i:J之接枝鏈間的立體障礙,也是得到高接枝密度的
揭示2太=日本公開專利公報第_-1 45971號中’ 起始活能'其特徵為:藉由以如此之表面 基材表面之接二所得到的接枝聚♦,構成配置於 或募聚物進行If的接枝聚合物•,與他種之單體 構造方式。太化學組成於膜厚方向上為多層 號中,也揭干絲j ^ 本公開專利公報第2002-1 45971 材Lit;”構造機能物,其特徵為··⑽ 圖案而於臈厚方向予以喪失活,】: ;起,以既定的 合起始部位將進行接枝取人 後未被喪失活性的聚 合物層。 ♦ 口 ,而以既定的圖案配置接枝聚 另外,進井敬亙,於「 第2號第48-55頁之「和早刑Ϊ人未來材枓」期刊,第3卷 載:-種高密度(濃密5物之新展開」中詳細記 . 、社)梳子型聚合物,其係驻i圭;如 始活性自由基反應所得到的。 /、係稭由表面起 還% ί等習知梳子型聚合物僅可能於良溶劑中,-分子鏈=鏈)採取伸直的構造,於乾燥狀能== ^ 、接枝鏈)則採取倒塌的構造或折疊的構 三、【發明内容 發後-承
第10頁 1270555 五、發明說明(7) 本發明 臨界流體中 (單體等) 本發明 中或次臨界 上之光聚合 另外, 製造之聚合 另外, 露於超臨界 過基材上, 另外, 化能量線的 活化能量線 中,藉由透 量線,進行 應’於該活 成聚合物膜 另外, 由隔著光罩 過基材,於; 活化能量線} 再者,; 製造之聚合^ 之製造方法,其中,曝 所配置的活化能量線透 之目的在於提供一種聚合物之製造方法,於超 或次臨界流體中,進行光聚合性聚合先驅物 之光聚合反應。 t關於一種聚合物之製造方法,於超臨界流體 流體中,藉由活化能量線之照射,進行一種以 性聚合先驅物的光聚合反應。 本發明係關於該聚合物之製造方法,其 物為膜狀。 本發明係關於該聚合物 流體或次臨界流體之中 形成聚合物膜。 受明係關於該聚合物之製造方法, ::::曝露於超臨界流體或次臨界流二 線透過基材而照射活= 。線透過基材之活化能量線射出面上,形 ^發明係關於該聚合物之製 圖案,將該活化能量線照^ / ,/、中,藉 1亥活化能量線透過基材:爷至3:化能量線透 听透過的部分上,選擇性说b此里線射出面的 良發明係關於該聚合物形成聚合物膜。 吻為含有突起部的聚合物i造方法,其t,所 1270555 五、發明說明(8) " ' 另外’本發明係關於該聚合物之製造方法,其中,曝 露於超臨界流體或次臨界流體之中所配置的活化能量線透 過基材上’形成含有突起部的聚合物。 & 1外’本發明係關於該聚合物之製造方法,其中,活 化能=f的入射面不曝露於超臨界流體或次臨界流體中, /舌化^里線的射出面則曝露於超臨界流體或次臨界流體之 :’藉由,過所配置的活化能量線透過基材而照射活化能 =Λ進行種以上之光聚合性聚合先驅物的光聚合反 ΐ丄=活化能量線透過基材之活化能量線射出面上,形 成含有突起部的聚合物。 由隔ί:罩i:明ξ關於該聚合物之製造方法,其中’藉 過基材,於該ς各將該活化能量線照射至該活化能量線透 活化能量線所透、$能量線透過基材之活化能量線射出面的 聚合物。 &的部分上’選擇性地形成含有突起部的 於本專利說明舍 指突起狀聚合物或::’ f謂「含有突起部的聚合物」係 合物的情來,i ί 1、有一個以上突起之聚合物。突起狀聚 上突起之聚合物本=「突起部」;具有一個以 有突起部的聚合物u此:起稱為「突起部」。「含 限於此。 」 匕$所谓梳子型聚合物,但並不受 另外,突起部之直栌f1 突起部的县择1 u k(對基材表面而言為平行方向之 直徑(長ίΐΐί 定的情形,將突起部底面之最長的 货k或長邊)稱為直徑。
第12頁 1270555
五、發明說明(9) 另外, 聚合物膜」也包含多孔質者 四、【實施 若根據 中,進行光 物」)之光 另外, 流體中,進 合物膜。再 射於基材並 量線,於所 能夠於基材 另外, 流體中,進 有突起部的 活化能量線 出面的活化 突起部的聚 要微細圖案 以下, 於本發 劑。 所謂超 態,亦即, 方式】 本發明 聚合性 聚合反 若根據 行聚合 者,能 予以透 透過的 上形成 若根據 行聚合 聚合物 照射於 能量線 合物。 突起部 詳細說 明使用 ,能夠 聚合先 應而製 本發明 先驅物 夠藉由 過,基 部分上 具所需 本發明 先驅物 膜。再 基材並 ,於所 亦即, 的聚合 明本發 超臨界 於超臨 驅物( 造聚合 ,能夠 之光聚 隔著光 材之活 選擇性 要之微 ,能夠 之光聚 者,能 予以透 透過的 能夠於 物。 明。 流體或 流體中 於基材 使活化 射出面 合物膜 聚合物 流體中 於基材 著光罩 之活化 選擇性 成含有 臨界流體係指溫度、壓力均超過臨界點的狀 於臨界溫度以上並處於臨界壓力以上狀態之流 界流體中 以下也稱 物0 於超臨界 合反應, 罩圖案, 化能量線 地形成聚 細圖案的 於超臨界 合反應, 夠藉由隔 過,基材 部分上, 基材上形 或次臨界流體 為「聚合先驅 或次臨界 上形成聚 能量線照 的活化能 。亦即, 膜。 或次臨界 上形成含 圖案,使 能量線射 形成含有 具備所需 次臨界流體作為聚合溶
第13頁 1270555 五、發明說明(10) 體。臨界溫度及臨界壓力為物 碳之臨界溫度為30· 9 °C、臨界芦七&之值。例如,二氧化 界溫度為239.4。(:、臨界壓力為1=.38心。甲醇之臨 374.1 °C、臨界壓力為22· l2Mpa。· a。水之臨界溫度為 另外’所明次超心界流 體同樣之作用效果的流體,^二 j以侍到與超臨界流 為臨界溫度之0· 65倍以上,並:’以凱式單位而言,溫度 倍以上的流體。 ,壓力為臨界壓力之〇 · 6 5 超臨界流體或次臨界流轉、 度等而予以適當選擇。例如,^以因應聚合先驅物之溶解 乙烷、乙烯、丙烷、丙烯 二3舉··二氧化碳、甲烷、 化碳等,再者,可列舉:氮氣、::頰〆虱、喃、一氧 作為超臨界流體或次臨界流^。^ 氬氣等無機氣體, 流體也可以為二種以上之混入物纟等超臨界流體或次臨界 於本發明,從達成較低溫、 臨界狀態的觀點而言,作為超臨星之超臨界狀態或次 好為超臨界二氧化碳或次臨双」流體或次臨界流體,最 ‘界二氧化碳。 超臨界流體或次臨界流體之使 驅物或反應條件等而予以適當決定。里’可以因應聚合先 驅物之進料濃度設定約為i〜7〇質疋量%例如,能夠將聚合先 還有,雖然本發明將超臨界 a ^ 應空間,也可以存在其他的液體或氣界流體定為反 本發明之目的在於提高超臨界流體 流體液體相中之聚合先驅物或光瓦 -中或次臨界 飞尤來合起始劑的濃度,也可
第14頁 ι^ϋ 1270555 五、發明說明(11) 以使用輔助溶解聚合先驅物或光聚人叔私如w ^ ^ • uσ起始劑溶解等溶質之 助溶劑(entrainer ) 〇 助溶劑^因應戶斤使用之超臨界流 者聚合先驅物等而予以適當選擇。 X人l界μ體久 使用超臨界一氧化石反或次臨界-董界山 介一虱化碳的情形,例 如,可列舉:甲醇、乙醇、丙烷、丁焓、 月/ ^ t 』沉己烷、辛烷、醋 &、醋酸乙醋、丙闕、水、乙壙、二氣甲烷等 劑。可以使用一種助溶劑,也可以脾-絲、 # 併使用。 了以將-種以上之助溶劑合 助溶劑之使用量可以予以適當決定。 聚合反應時,壓力(聚合壓力)可以因應聚合溶劑之 超界流體或次臨界流體或者聚入务喷你 ., K 口无驅物、標的物之聚合 物的特性等而予以適當選擇。聚合壓力最 < 取口 .^ Λ pr , ^ K 口 1刀敢好為流體臨界壓 "之0 · 6 5倍以上,更理J為臨界壓力以上。使用一 二化碳或次臨界二氧化碳的情形’聚合壓力最好 :: 上,更理想為7 MPa以上,特別理想的話,臨界壓 Λ 以上。若聚合壓力於此範圍 為7.4 名丨、也〜 ^ ^ 水口久應將可以f順 ,仃,而得到更高品質之聚合物。雖然聚合壓力 f未予以特別限定,從裝置之耐壓性等觀點而 士限 月>=夠設定於15〇MPa以下之範圍内。 吊’ 從聚合反應之開始直至結束為止,聚合 固=力,另外,隨著聚合反應之進行而造=== 次下降4,也可以於聚合期間變更壓力。 上升 另外,聚合反應時之溫度(聚合溫度)可以因應聚合
第15頁 1270555 五、發明說明(12) " 溶劑之超臨界流體或次臨界流體或 =合物的特性等而予以適當選擇 = 臨界溫度,。.65倍以上,臨界溫度以上則j =為:: 超fe界一氧化碳或开^人二疮兵 為20°C以上,爭, 。孔1G反扪渭形,聚合溫度最好 度為31°C以上。取特^1想的話’臨界溫 更順利進行,彳曰二3度若於此範圍内,聚合反應將可以 限並未予以特:;f咼品質之聚合物。雖然聚合溫度之上 圍内。 义制,通常,能夠設定於250 °C以下之範 從聚合反廄* 固定溫度,另二開始直至結束為止,聚合溫度最好保持 能夠藉由壓以於聚合期間變更溫度。 密度或極性造成& /皿度,使超臨界流體或次臨界流體的 溶劑(超臨;ί;ΐ:並ΐ夠藉此而使對於聚合先驅物之 此,將二種以I夕ΐ ^ ί 體)的溶解度造成改變。因 ;聚合壓力及聚合溫度,控;;;二=物能 J *藉由於聚合期間,使壓力及;= 之 合物之組成Ξ =基材表面之垂直方向,使所得到的聚 話,it ί於超臨界流體中或次臨界流體中,必要的 行一種^〇起始劑之存在下,藉由活化能量線之昭射,、隹 二上之聚合先驅物的光聚合反應。”、、、’ 合起始,可以因應聚合先驅物或光聚 而予以適當決定。可列舉:波長10〜編的
第16頁 1270555
五、發明說明(13) 紫外光、波長380〜78〇11111的可見光、波長78〇nm (〇 π )〜2.5 #«1的近紅外光等作為活化能量線。許多的情來 下,可以利用波長5〇〇nm以下之紫外光或可見光,較佳" 利用波長420nm以下之紫外光或可見φ ^ ^ ”、、 、,τ,r您糸外尤及Γ見先,更佳為利用波長 38〇nm u下之紫外光,最理想為利用波長33〇nm以下之 光0 、 還有,進行照射之活化能量線為單一波長者,或是分 二,布(發光分布)上其波峰可以不為一個,也可以具有 Β該波長之光的任意分光分布。 a ^使用於活化能量線照射的燈類(光源),可以使用一 叙之習用燈類,例如,可列舉:超高壓水銀燈、高壓水銀 ,、中壓水銀燈、低壓水銀燈、化學燈、金屬鹵化物燈、 碳弧燈、氙燈、水銀—氙燈、鎢燈、氫燈、重氫燈、激態 燈、具有發射短路的弧燈或UV雷射(波長:351〜364nm ) 的雷射、氦鉻雷射、氬雷射、激態雷射等。 ^ 活化能量線之照射量(累計光量),可以因應所需要 聚合物之聚合度或聚合物膜之膜厚、含有突起部之聚合物 的大起部高度等而予以適當決定。例如,活化能量線之照 射量可以設定為〇.5mJ/cm2〜100J/cm2,最好為1 mj/cm2以 上’另外,更理想為1〇 j/cm2以下。 還有,活化能量線之照射量定義為: 活化能量線之照射量(J/cm2 )=活化能量線之強度 (W/cm2 ) X 照射時間(sec ) 活化能量線之照射量,可以藉由照射時間、燈之輸出
1270555 五、發明說明(14) 等而進行調節。 活化能量線之強度 為 0· 01 mW/cm2 〜lTela 線之照射時間可以配合 於本發明之超臨界 以使聚合先驅物與奈米 下之超微粒子)予以均 線而進行光聚合反應。 為奈米粒子。藉此,能 聚合物或聚合物膜。另 添加劑。 能適用於本 能夠予以適度決 W/cm2 (TW/cm2 ) 其強度而得到戶斤 流體中或次臨界 粒子(例如,平 勻溶解與分散之 例如,可列舉: 夠生成將奈米粒 外,必要的話, 定,例如,可以設 。另外,活化能量 需要之照射量。 流體中,最好也可 均粒徑為lOOnm以 後,照射活化能量 奈米碳、CdSe等作 子予以均勻分散的 也可以摻合其他的 次臨界 聚合先 流體之 )〇另 例胺基、 苯乙稀 之構造 基係指 基之情 能基。 之限制 流體之中 驅物之《 中的狀態 外,聚合 如,可列 (甲基) 基及疊氮 的化合物 丙烯醯基 形,可以 還有,只 ,例如, 發明之 ,只要 部分係 下進行 先驅物 舉:由 丙烯醯 基所形 作為聚 及甲基 僅具有 要取代 可列舉 聚合先驅 具有光聚 可以在溶 聚合反應 也可以為 可以具有 基、環狀 成的族群 合先驅物 丙烯醯基 相同的官 基為不妨 :碳數1 2 物係溶 合性, 解於超 (也包 單體、 取代基 醚構造 中,具 。此處 。具有 能基, 礙聚合 以下之 解於超臨 並無特別 臨界流體 含突起部 养聚物或 為··馬來 、婦基、 有所選出 之(甲基 二個以上 或是具有 反應者, 煙基、鹵 界流體或 之限制。 或次臨界 之聚合物 聚合物。 酸酐縮亞 乙烯基、 一種以上 )丙烯醯 此專取代 不同的官 並無特別 素原子、 %
S 第18頁 1270555 五、發明說明(15) 氨基、叛基、經基、氰基專。 於不存在光聚合起始劑下’最好將可進行光聚合反應 之化合物的自發光聚合性化合物作為聚合先驅物。 作為自發光聚合性化合物之聚合先驅物,例如,於末 端至少具有一個馬來酸酐縮亞胺基的馬來酸酐縮亞胺系化 合物,具體而言,可列舉:以下述一般式(1 )所示之馬 來酸酐縮亞胺系化合物。 0 a-{-b—r-n〉)m ⑴ (式中,A表示可以具有取代基為烴基,或是可以具 有取代基為烴基與由醚鍵、酯鍵、氨基甲酸醋鍵及碳酸醋 鍵所形成的族群中選出至少一種鍵進行鍵結的分子量40〜 1 0 0 0 0 0之(聚)醚連結鏈或(聚)醚殘基、(聚)酯連結 鏈或(聚)酯殘基、(聚)氨基甲酸酯連結鏈或(聚)氨 基甲酸酯殘基、或是(聚)碳酸酯連結鏈或(聚)碳酸酯 殘基。B表示醚鍵、酯鍵、氨基曱酸酯鍵或碳酸酯鍵。R表 示可以具有取代基為烴基。m表示1〜6之整數。 但是,m為2以上整數之情形,B及R並無必要完全相 同,也可以將二種以上予以混合。) 從單獨形成硬化膜之觀點而言,一般式(1 )中之m最
l27〇555 五、發明說明⑽ 好為2〜6之整數 一般式(1)中之R最好為烷撐基、環烷撐基、芳香烷 撐其 、丞、環烷-烷撐基。此處之烷撐基可以為直鏈狀,也可 以為分枝狀。另外,芳香烷撐基或環烷-烷撐基可以於主 鍵上具有芳香基或環烷基,或是也可以於分枝鏈上具有芳 香基或環烷基。從硬化性之觀點而言,R最好為碳數1〜5 之直鏈烷撐基或碳數1〜5之分枝烷撐基。
。 作為一般式(1 )中之R的具體例,例如,可列舉:甲 撐基、乙撐基、三甲撐基、四甲撐基、五甲撐基、六甲撐 基、七甲撐基、八甲撐基、九甲撐基、十曱撐基、十一曱 標基、十二甲撐基等直鏈狀烧撑基;1-甲基乙撐基、1 一曱 基〜二甲撐基、2-甲基-三甲撐基、1—甲基-四甲撐基、2一 甲基-四甲撐基、1—甲基-五甲撐基、2—甲基-五甲撐基、 3一甲基-五甲撐基、新戊基等分枝烷撐基;環戊撐基 '環 己撐基等環烷撐基;於苯撐基、2, 2,-二苯基—三甲撐基、 卜苯基-乙撐基、1-苯基—四乙撐基、2—苯基—四乙撐基等 主鏈或側鏈上具有芳香基的芳香烷撐基;於環己基—曱撐 基、1-環己基-乙撐基、1—環己基—四乙撐基、2 —環己基一
四乙撑基等主鏈或側鏈上具有環烷基的環烷基—烷撐基 等。 一般式(1)中之A可以具有取代基為烴基,或是可以 具有取代基為經基與由醚鍵、酯鍵、氨基甲酸酯鍵及碳酸 酯鍵所形成的族群中選出至少一種鍵進行鍵結的分子量為 40〜100000之(聚)醚連結鏈或(聚)醚殘基(A_i)、
第20頁 1270555 五、發明說明(17) (聚)酯連結鏈或(聚)酯殘基(A-2 )、(聚)氨基甲 酸酯連結鏈或(聚)氨基甲酸酯殘基(A - 3 )、或是(聚 )碳酸酯連結鏈或(聚)碳酸酯殘基(A - 4 ) 。A也可以為 以此等連結鏈為重複單位,進行重複後的募聚物或聚合物 所構成的連結鏈。 作為一般式(1 )中A之具體例,例如,可列舉:作為 R之具體例所列舉的烴基。 另外,作為一般式(1 )中之A,可列舉:具有由直鏈 烧撐基、分枝烧樓基、環燒撐基及芳香基所形成的族群中 選出至少一種烴基,以醚鍵所鍵結之一個或此等重複單位 的分子量40〜100000之(聚)醚(聚)醇所構成的連結鏈 或殘基(A-1) •,具有由直鏈烷撐基、分枝烷撐基、環燒 撐基及芳香基所形成的族群中選出至少一種烴基,以g旨鍵 所鍵結之一個或此等重複單位的分子量〜丨〇〇〇〇〇之(聚 )(聚)醇所構成的連結鏈或殘基(A — 2 — 1 );具有由 直鏈烷撐基、分枝烷撐基、環烷撐基及芳香基所形成的族 群中選出至少一種烴基,以醚鍵所鍵結之一個或此等重複 單位的分子量40〜looooo之(聚)醚(聚)醇,與二一、 一 五、/、~羧酸(以下,簡稱為聚羧酸)進行酯化反 應而得到由末端為聚羧酸殘基之(聚)羧酸{(聚)醚 (聚)醇}酯所構成的連結鏈或殘基(A-2—;且 分:烧樓基、環烧撐基及芳香基所形成的:i :^ f二基’“醚鍵及酯鍵所鍵結之-個或此等 重稷早位的为子量40〜1 00 0 0 0之(聚)醚(聚)醇,與聚
第21頁 1270555 --—-- 五、發明說明(18) 幾酸進行酯化反應而得到由末 ),具有由直鏈烷撐基、分枝烷#其、—笼基(A-2-3 所形成的族群中選出至少一種烴▲:以:芳香基 或此等重複單位的分子量1〇〇〜40㈣〇 斤鍵Μ之一個 將其開環而得到的連結鏈或殘基(Α- (·♦ )核氧化物, 撐基、分枝烷撐基、環烷撐基及芳香義’拟、由直鏈烷 出至少-種烴I,以醚鍵所鍵結之一:〔2 5中選 f子量40〜1 0 0 0 0 0之(聚)醚(聚)醇:與 鼠酸酉旨進行氨基甲酸醋化反應之(聚^ : 所構成的連結鏈或殘基(A-H );且 聚)〜虱酉夂酉曰 基:ί烷撐基及芳香基所形成的族群鏈中T出基至少 4〇〜!〇_〇之(聚)醋(聚)醇,與; 的連結鍵或殘基u-3 —2);具有由直鏈烷 成 撐基、瓣基及芳香基所形成的族群中選出至少一種: 基,以醚鍵所鍵結之一個或此等重複單位的分子量4〇〜 1 00000之(聚)醚(聚)醇的碳酸酯所構成的連結鏈或殘 基(A-4)等。逛有,將(m ) 、(A_2_2)及(A_2_3 i升m)所示之(聚)醋連結鏈或(聚)酿殘 -1)及(A-3_2)形成一般式(1)所 不之氨基曱酸酯連結鏈或(聚)氨基甲酸酯殘基(A一 3 第22頁 1270555 五、發明說明(19) 作為構成該連結鏈或殘基(A-1 )之(聚)醚(聚) 醇,例如,可列舉:聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚 四甲撐二醇等聚烷撐醇類;乙二醇、丙二醇、丁二醇、四 曱撐二醇、五甲撐二醇、六甲撐二醇、新戊二醇、丙三 醇' 三羥甲基丙烷、季戊四醇、雙甘油、雙三羥曱基丙 烷、雙季戊四醇等烷撐醇類之環氧乙烷改質物、環氧丙烷 改質物、環氧丁烷改質物、四氩呋喃改質物等。其中,最 好為烷撐醇類之各種改質物。再者,作為構成該連結鏈或 殘基(A-1 )之(聚)醚(聚)醇,例如,可列舉:環氧 乙烷與環氧丙烷之共聚物、丙二醇與四氫呋喃之共聚物、 乙二醇與四氳呋喃之共聚物、聚異丙醇、氫化聚異戊二 醇、聚丁二烯二醇、氫化聚丁二稀二醇等烴系聚醇類、聚 四甲撐三羥甲基丙基醚(三羥甲基丙烷之四氫呋喃改質物 )等之多元羥基化合物等。 作為構成該連結鏈或殘基(A-2-1 )之(聚)酯(聚 )醇,例如,可列舉:聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、 聚四甲撐二醇等聚烷撐醇類;或乙二醇、丙二醇、丁二 醇、四甲撐二醇、五甲撐二醇、己二醇、新戊二醇、丙三 醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇、雙甘油、雙三羥甲基丙 烷、雙季戊四醇等烷撐醇類之ε -己内酯改質物、7 - 丁内 酯改質物、5 -戊内酯改質物或甲基戊内酯改質物;己二 醇酸、二聚物酸等脂肪族二酸與新戊二醇、甲基戊二醇等 聚醇與酯化物之脂肪族聚酯聚醇;對苯二曱酸等芳香族二 羧酸與新戊二醇、甲基戊二醇等聚醇與酯化物之芳香族聚
第23頁 1270555 五、發明說明(20) 酯聚醇;聚碳酸酯聚醇、丙烯基聚醇、聚四甲撐三羥甲基 丙基醚(三羥甲基丙烷之四氫呋喃改質物)等之多元羥基 化合物,與富馬酸、苯二甲酸、異富馬酸、衣康酸、己二 酸、癸二酸、馬來酸等之二羧酸的酯化物;藉由丙三醇等 含多元羥基化合物與脂肪酸酯之酯交換反應所得到的單甘 油S旨等之含多元經基化合物等。 作為構成該連結鏈或殘基(A-2-2 )之末端為聚羧酸 之(聚)羧酸{(聚)醚(聚)醇}酯,例如,可列舉:琥 珀酸、己二酸、苯二甲酸、六氫化鄰苯二曱酸、四氫化鄰 苯二曱酸、富馬酸、異富馬酸、衣康酸、己二酸、癸二 酸、馬來酸、偏苯三酸、均苯四曱酸、苯五魏酸、苯六魏 酸、檸檬酸、四氫呋喃四羧酸、環己烷三羧酸等聚羧酸與 該(A-1 )所示之(聚)醚(聚)醇,進行酯化反應而得 到的末端為聚羧酸之(聚)羧酸{(聚)醚(聚)醇}酯 等。 作為構成該連結鏈或殘基(A_2-3 )之末端為聚羧酸 之(聚)羧酸{(聚)酯(聚)醇}酯,例如,可列舉:琥 珀酸、己二酸、苯二甲酸、六氫化鄰苯二甲酸、四氫化鄰 苯二甲酸、富馬酸、異富馬酸、衣康酸、己二酸、癸二 酸、馬來酸、偏苯三酸、均苯四曱酸、苯五羧酸、苯六羧 酸、檸檬酸、四氫呋喃四羧酸、環己烷三羧酸等之二-、 一 一 、 五-、六-羧酸,與該(A-2 )所示之(聚)酯(聚) 醇進行酯化反應而得到的末端為聚羧酸的(聚)羧酸 {(聚)酯(聚)醇}酯。
第24頁 1270555 $、發明說明(21)
作為構成該連結鍵或殘基(A '您〜5 )之(聚)環氣化 m )¾氧氯丙烷與雙酚A痞雜 酚F、此等之環氧乙烷改質物、環盡石γ孜併二雙:A次雙 工衣虱丙炫改質物等所合# 的環氧氯丙烷改質雙酚型之環氣抖供·出r :刃/、所0成 丙烷與氫化雙酚A、氫化雙酚F、,望々# _ 土 7衣乳氣 此專之ί衣氧乙烧改質物、 環氧丙燒改質物等所合成的環氧氯丙烧改㈣ 環氧樹脂、環氧紛越樹脂;紛、雙盼等與(甲基)環Κ 丙烷之反應物;對苯二甲酸、異苯二甲酸或均之 縮水甘油醋等芳香族環氧樹脂;(聚)乙二醇、( 二龄、二醇、(聚)四甲擇二醇、新戊二醇等醇 類、此等環氧烧化物改質之聚甘、、山 ·一 貝來甘油醚,二羥甲基丙烷、三 梨糖醇、1,4- 丁二醇、1,6-己燒 此等之環氧院改質物之縮水甘油鱗「‘二酸了;二酸、馬 衣康酸等羧酸之縮水甘油醚;多元醇與多元酸之聚 =二醇之縮水甘油酯;縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯或甲 水甘油基(曱基)丙烯酸酯之共聚物;高級脂肪酸之 =甘油_、環氧化亞麻仁油、環氧化大豆油、環氧化蓖 麻油、環氧化聚丁二烯等之脂肪族環氧樹脂等。 2為構成該連結鏈或殘基U_3)之(聚)醚(聚) :=S文酿,例如,可列舉:甲撐二異氰酸醋、六甲撐二異 Π:三甲基六甲撐二異氰酸酿、W甲撐二異氰酸醋、 辦=次—異氰酸酯、二聚物酸二異氰酸酯等脂肪族二異氰 鲅s曰化合物;2,4_曱代苯撐二異氰酸酯、2,4_甲代苯撐二 無甲基乙烧、丙三醇、雙丙三醇、赤蘚醇、季戊四醇、山 醇 元醇、或
1270555 五、發明說明(22) 異氰酸酯之二 基二異氰酸酯 烷二異氰酸酯 -4, 4’ -二異氰 基環己烯酮二 )、曱基環己 氰酸S旨、1,3 -酯等之聚異氰 反應而得到的 作為使用 例如,可列舉 撐二醇等聚烷 二醇、五曱撐 經甲基丙烧、 戊四醇等烷撐 環氧丁烷改質 醇類之各種改 (聚)醚(聚 之共聚物、丙 喃之共聚物、 醇、氫化聚丁 丙基醚(三經 合物等。 作為構成 、苯5-等酸4,氰與}聚乙類、四之四。,與丙二丙 物m-1,酯氰-2異酯聚與聚醇醇戊類、物醇醇異烯基 聚、、酸異烧C酸C於:撐二季醇物質}二聚二甲 2, 6-甲代苯撐二異氰酸酯、p-苯二曱 二甲基二異氰酸酯、4, 4’-二苯基甲 萘撐二異氰酸酯、3, 3’-二甲基聯苯 芳香族二異氰酸酯化合物;藉由三甲 酯、4, 4’ -甲撐雙(環己基異氰酸酯 -二異氰酸酯、曱基環己烷-2, 6-二異 酸酯甲撐)環己烷等脂環式二異氰酸 (聚)醚(聚)醇進行氨基甲酸酯化 醚(聚)異氰酸酯等。 異氰酸酯反應的(聚)醚(聚)醇, 二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四甲 ;乙二醇、丙二醇、丁二醇、四曱撐 六甲撐二醇、新戊二醇、丙三醇、三 醇、雙甘油、雙三經曱基丙烧、雙季 環氧乙烷改質物、環氧丙烷改質物、 氫呋喃改質物等。其中,最好為烷撐 再者,作為使用於與異氰酸酯反應之 例如,可列舉:環氧乙烷與環氧丙烧 四氫呋喃之共聚物、乙二醇與四氫呋 醇、氫化聚異戊二醇、聚丁二烯二 醇等烴系聚醇類、聚四曱撐三羥甲基 烷之四氫呋喃改質物)等多元羥基化 該連結鏈或殘基(A-3-1 )之(聚)酯(聚
第26頁 1270555 五、發明說明(23) )異氰酸酯,例如,可列舉··於連結鏈或殘基(A- 1 )所 列舉的聚異氰酸酯與(聚)酯(聚)醇進行氨基甲酸酯化 反應而得到的(聚)酯(聚)異氰酸酯等。 作為使用於與聚異氰酸醋反應的(聚)S旨(聚)醇, 例如,可列舉:乙二醇、丙二醇、丁二醇、四甲撐二醇、 五曱撐二醇、己二醇、新戊二醇、丙三醇、三羥曱基丙 烷、季戊四醇、雙甘油、雙三羥曱基丙烷、雙季戊四醇等 烷撐醇類之ε -己内酯改質物、r - 丁内酯改質物、5 -戊 内酯改質物或曱基戊内酯改質物;己二醇酸、二聚物酸等 脂肪族二羧酸與新戊二醇、甲基戊二醇等聚醇與酯化物之 脂肪族聚酯聚醇;對苯二甲酸等芳香族二羧酸與新戊二醇 等聚醇與酯化物之芳香族聚酯聚醇等之聚酯聚醇;聚碳酸 酯聚醇、丙烯基聚醇、聚四甲撐三羥曱基丙基醚(三羥曱 基丙烷之四氫呋喃改質物)等多元羥基化合物與富馬酸、 苯二甲酸、異富馬酸、衣康酸、己二酸、癸二酸、馬來酸 等二羧酸之酯化物;藉由丙三醇等含多元羥基化合物與脂 肪酸酯之酯交換反應所得到的單甘油酯之含多元羥基化合 物等。 作為構成該連結鏈或殘基(A-4 )之(聚)醚(聚) 醇,例如,可列舉:於連結鏈或殘基(A- 1 )所列舉的 (聚)醚(聚)醇等。 作為使用於(聚)醚(聚)醇之碳酸酯的化合物,例 如,可列舉:羧酸二乙酯、羧酸二丙酯、光氣等。另外, 也可以藉由環氧化物與二氧化碳之交互聚合而進行聚羧酸
1270555 五、發明說明(24) 酯4匕 山於此等之中’作為一般式(1 )中之A,最好為由具有 石反數2〜24之直鏈烷撐基、碳數2〜24之分枝烷撐基、羥基 的碳數2〜24之直鏈烷撐基、環烷撐基、芳香基及芳香烷 樓基所形成的族群中選出至少一種官能基,藉由醚鍵及酯 鍵所形成的族群中選出至少一種鍵結而鍵結的分子量丨〇 〇 〜100000之(聚)醚連結鏈或(聚)醚殘基(A—丨)或者 (聚)酯連結鏈或(聚)酯殘基(A_2 )。更理想為由包 s /、有故數2〜24之直鏈院撐基、碳數2〜24之分枝院撐 基:,包含具有羥基的碳數2〜24之烷撐基及/或芳香基之 重複單位所形成的分子量丨〇 〇〜丨〇 〇 〇 〇 〇之(聚)醚連结鏈 或(聚)醚殘基u—丨)或者是具有碳數2〜24之直鏈烷撐 基、由包含具有碳數2〜24之分枝烷撐基、羥基的碳數2〜 24之烷撐基及/或芳香基之重複單位所形成的分子量丨〇〇〜 looooo之(聚)酯連結鏈或(聚)酯殘基(A—2)。 從硬化性之觀點而言,作為該一般式(1 )所示之馬 來馱酐縮亞胺系化合物,最好,R為碳數i〜5之烷撐基,B 為-COO-或-〇CO—所示之酯鍵,a為包含具有碳數2〜6之直 ,,撐基、碳數2〜6之分枝烷撐基或羥基的碳數2〜6之烷 撐基之重複單位所形成的分子量100〜1 000之(聚)醚連 、、、口鏈或(聚)醚殘基(丨)的馬來酸酐縮亞胺系化合 物。 •作為如此之馬來酸酐縮亞胺系化合物,例如,可列 舉· 4 般式(2 )所示之聚醚二馬來酸酐縮亞胺乙酸
第28頁 丄270555 五'發明說明(25) 酉旨。 0 •R1 七 〇、 0
V ⑵ (式中,R1表示烧撐基,11為1〜1000之整數 例如 物,能夠 反應的化 反應的化 基、環烷 基,具有 的平均分 氧化物等 另外 物,能夠 反應的化 反應的化 基、環烷 基’具有 的平均分 ’该一般式(1 )所示之馬來酸酐縮亞胺系化合 由具有叛基的馬來酸酐縮亞胺化合物與羧基產生 合物,利用習知方法進行合成。作為與羧基進行 合物’例如,可列舉:由直鏈烷撐基、分枝烷撐 撐基及芳香基所形成的族群中選出至少一種烴 以醚鍵及/或酯鍵所鍵結之一個或此等重複單位 子里100〜1000000之二〜六官能基之聚醇或聚環 ,戎一,式(1 )所示之馬來酸酐縮亞胺系化合 由具有羥基的馬來酸酐縮亞胺化合物與羥基進行 艾2 ’利用習知方法進行合成。4乍為與羥基進行 3 J如,可㈣:由直鏈燒樓基、分枝烧撐 撐基及方香基所形成的族群中選出至少一種烴 及/或醋鍵所鍵結之一個或此等重 子置100〜1 000000之—分子中,具有二〜六個魏 第29頁 !270555
五一 六-羧酸、(聚)異氛 ^_鍵或酯鍵的二—、三— 酸酯、碳酸酯或光氣等。— 卜人作為♦合先驅物,可列舉:如下列之化合物。 列與乍為含有一個馬來酸酐縮亞胺基的化合物,例如,可 牛·曱基馬來酸酐縮亞胺、己基馬來酸酐縮亞胺、Ν〜苯 基馬來酸酐縮亞胺、Ν- ( 2-tert— 丁苯基)馬來酸酐縮亞 胺、N- ( 氟苯基)馬來酸酐縮亞胺、N- ( 2—氯苯基)馬 來酸酐縮亞胺、N- (2-溴苯基)馬來酸酐縮亞胺、(2〜 碘苯基)馬來酸酐縮亞胺' N -環己基馬來酸酐縮亞胺、N 十二烷基馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -甲撐(N-苯基)單馬來 酸酐縮亞胺、經曱基馬來酸酐縮亞胺、經乙基馬來酸軒、縮 亞胺、2-乙基碳酸酯乙基馬來酸酐縮亞胺、2-異丙氦基甲 酸酯乙基馬來酸酐縮亞胺、2-丙烯醯基乙基馬來酸酐縮亞 胺、乙酸基乙基馬來酸酐縮亞胺、氨苯基馬來酸酐縮亞 胺、Ν- (2-CF3-苯基)馬來酸酐縮亞胺、Ν- (4 —CF3〜笨基 )馬來酸酐縮亞胺、N- (2-CF3本基)甲基馬來酸酐縮亞 胺、(2-溴-3, 5_ CFr苯基)馬來酸酐縮亞胺等。 作為含有二個以上之馬來酸酐縮亞胺基的化合物,例 如,可列舉:N,Ν’ _乙撐二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -六甲撐 二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ ―4, 4’ —聯苯二馬來酸酐縮亞胺、 Ν,Ν,_3, 3,-聯苯二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν,- (4, 4,—二笨基 曱烷)二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν —3,3’_二苯基甲烷二馬來 酸針縮亞胺、Ν,Ν,_4,4,-二苯基甲烷二馬來酸酐縮亞胺、 Ν Ν,-甲撐雙(3 一氯一p 一苯撐)二馬來酸酐縮亞胺、
1270555 五、發明說明(27) N,N’-4,4’〜二環己基甲烷二馬來酸酐縮亞胺、n,N’-(2,2’ -二乙基_6, 6’-二甲基—4, 4’ _曱撐二笨撐)二馬來 酸if細亞胺、N,N -1,2〜苯撐二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-1, 3-苯撐二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’—丨,4-苯撐二馬來酸酐縮 亞胺、2, 2’-雙(4-Ν-馬來酸酐縮亞胺)丙烷、2, 2,-雙 [4- (4-Ν-馬來酸酐縮亞胺)苯基]丙烷、2, 2, -雙 [3_tert- 丁基-5-曱基-4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯 基]丙烷、2, 2’-雙(4馬來酸酐縮亞胺-2〜甲基-5-乙苯 基)丙烷、2, 2’ -雙(4-N-馬來酸酐縮亞胺〜2, 5_二溴苯基 )丙烷、雙(4-N-馬來酸酐縮亞胺苯基)甲燒、雙(3,5-二甲基-4-馬來酸酐縮亞胺苯基)甲烷、雙(3一乙基一 5-甲 基-4-馬來酸酐縮亞胺苯基)甲烷、雙(3, 二乙基-4-馬 來酸針縮亞胺苯基)甲烷、雙(3—甲基一4 -馬來酸酐縮亞 胺笨基)曱烷、雙(3-乙基-4-馬來酸酐縮亞胺苯基)甲 烷、m-二馬來酸酐縮亞胺苯、2, 6 -雙[2- (4-馬來酸酐 縮亞胺苯基)丙基]苯、N,N,-2, 4—苄撐二馬來酸酐縮亞 胺、N,N’-2,6 -苄撐二馬來酸酐縮亞胺、N,N,—4,4,_二苯 基醚二馬來酸酐縮亞胺、N,N,—3,3,—二苯基醚二馬來酸酐 縮亞胺、Ν,Ν’ -4, 4,-二苯基硫化二馬來酸酐縮亞胺、 Ν,Ν’-3,3’ -二苯基硫化二馬來酸酐縮亞胺、ν,ν,-4,4, 一二 苯基礙二馬來酸酐縮亞胺、Ν, Ν,-3, 3,-二苯基颯二馬來酸 酐縮亞胺、Ν,Ν’ -4, 4,-二苯基颯_二馬來酸酐縮亞胺、Ν, Ν’ - 4, 4’-二苯基_馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν,—3, 3,-二苯基酮 一馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-4, 4’ -二苯基- ΐ,ι,—丙烧二馬來
1270555 五、發明說明(28) 酸Sf縮亞胺、N,N -3,3 —本基1,1 -丙烧二馬來酸針縮 亞胺、3,3’-二甲基—^^-4,4- 一苯基曱统二馬來酸針 縮亞胺、3, 3’ -二曱基-Ν,Ν’ -4, 4’ -二苯基二馬來酸酐縮 亞胺、1,3 -雙(3 -馬來酸酐細亞胺苯氧基)苯、雙(4-馬 來酸酐縮亞胺苯基)甲烧、雙[4— (3—馬來酸酐縮亞胺苯 氧基)苯基]甲烷、2,2’ —雙[4— —馬來酸酐縮亞胺苯氧 基)苯基]曱坑、1,1’-雙[4— (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基 )苯基]甲烷、1,Γ -雙[3-曱基-4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯 氧基)苯基]曱烷、I,1’-雙[3 —氯―4— (4-馬來酸酐縮亞胺 笨氧基)苯基]甲烧、1,1’-雙[3 -溴-4- (4-馬來酸酐縮亞 胺苯氧基)苯基]甲烷、1,1’-雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺 苯氧基)苯基]乙烷、1,2 -雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧 基)苯基]乙烷、1,1’_雙[4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基 )苯基]乙烷、1,Γ -雙[3-曱基-4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯 氧基)苯基]乙烷、1,1’ -雙[3 -氯-4 -(4_馬來酸酐縮亞胺 苯氧基)苯基]乙烷、1,1’_雙[3 一溴—4- (4_馬來酸酐縮亞 胺苯氧基)苯基]乙烷、2, 2’ -雙(4-馬來酸酐縮亞胺苯基 )丙烷、2, 2’ -雙[4- (3_馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基] 丙烧、2,2’ -雙[4- (4_馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]丙 烷、2, 2,-雙[3-氯-4_ (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基] 丙烧、2,2,_雙[3 -漠-4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯 基]丙烷、2, 2,-雙[3-乙基-4- (4_馬來酸酐縮亞胺苯氧基 )苯基]丙烷、2, 2,-雙[3-丙基_4_ (4_馬來酸酐縮亞胺笨 氧基)苯基]丙烷、2, 2, _雙[3 -異丙基-4- (4 -馬來酸酐縮
1270555 五、發明說明(29)
亞胺苯氧基)苯基]丙烷、2,2,-雙[3_ 丁基-4、(4_馬來酸 酐縮亞胺苯氧基)笨基]丙烷、2, 2,—雙[3-sec〜丁基一 4-(4 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]丙烷、2, 2,—雙[3一甲 氧基-4- (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]丙烷、υ,一 雙[4- (4 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]丙烷、2,2,一雙 [4 -(3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]丁烷、3,3,-雙[4一 (4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]戊烷、4, 4,—雙(3-馬 來酸酐縮亞胺苯氧基)聯苯、雙[4- (3 -馬來酸針縮亞胺 苯氧基)苯基]酮、雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯 基]亞颯、雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]颯、 雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]醚、n,n,-p-二 苯曱酮二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -十二曱撐二馬來酸酐縮 亞胺、Ν,Ν’ -m-二甲苯二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν,-ρ-二曱苯 二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-1,3 -雙曱撐環己燒二馬來酸酐 縮亞胺、Ν,Ν’-1,4 -雙甲撐環己烷二馬來酸酐縮亞胺、 Ν,Ν’ -2, 4-苄撐二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -2, 6〜苄撐二馬來 酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -二苯基乙烷二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν,— 二苯基醚二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-(甲撐-雙四氫笨基) 二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -(3-乙基)-4, 4’ -二苯基甲炫^ 二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ - (3, 3’-二甲基)-4, 4,—二笨& 甲炫二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -(3, 3’ -二乙基4,〜一 苯基曱烷二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ - (3, 3’ -二氣) 二苯基甲烧二馬來酸針縮亞胺、Ν,Ν’ -聯甲本胺二馬來> 酐縮亞胺、N,N,-三甲基環己烷烯酮二馬來酸酐縮亞胺^
1270555 五、發明說明(30) N,Ν’ -p,P’ -二苯基二甲矽基二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -二 苯甲酮二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -二苯基丙烷二馬來酸酐 縮亞胺、1^’-萘二馬來酸酐縮亞胺、1\’-4,4,-(1,1’-二苯基-環己烷)二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-3,5- (1,2,4-三氮雜茂)二馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -吡啶-2, 6-二鑌二馬 來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-5-甲氧基-1,3_苯撐二馬來酸酐縮亞 胺、1,2-雙(2-二馬來酸酐縮亞胺乙氧基)乙烷、1,3-雙 (3-二馬來酸酐縮亞胺丙氧基)丙烷、Ν,Ν’-4, 4’ -二苯基 甲烷-雙-二甲基馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -六甲撐-雙-二甲 基馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’-4, 4’ -(二苯基醚)-雙—二甲基 馬來酸酐縮亞胺、Ν,Ν’ -4, 4’-(二苯基颯)-雙-二甲基馬 來酸酐縮亞胺、三乙二醇雙碳酸酯雙乙基馬來酸酐縮亞 胺、三甲基環己烷烯酮雙氨基甲酸酯雙乙基馬來酸酐縮亞 胺、雙乙基馬來酸酐縮亞胺碳酸醋、4,9 -二氧雜-1,1 2__y 二烷二馬來酸酐縮亞胺、雙丙基馬來酸酐縮亞胺、十二烧 -Ν,Ν’ -二馬來酸酐縮亞胺、N- (2, 4, 6 -異丙基-3 -馬來酸 酐縮亞胺苯基)馬來酸酐縮亞胺等。 另外,也可以列舉:3, 4, 4’ -三氨基二笨基曱烷、三 氨基酚等與無水馬來酸反應所得到的馬來酸酐縮亞胺系化 合物、二-(4 -氨苯基)_石粦酸化物或三—(4〜氨苯基)二硫 代硫化物與無水馬來酸反應所得到的馬來酸酐縮亞胺系^ 合物。 ' 另外’作為含氟二馬來酸酐縮亞胺系化合物,例如, 可列舉:2, 2’ -雙(4-馬來酸酐縮亞胺苯基)六氟丙烷、
1270555 五、發明說明(31) 2,2,-雙[4- (3 -馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基]-1,1,1,3, 31 3-六氟丙烷、2, 2,—雙[4— (4-馬來酸酐縮亞胺苯氣基)’ 苯基]-1,1,1,3,3,3 -六氟丙烧、2,2’_雙[4- (4-馬來酸酐 縮亞胺-2-三氟-2-三氟甲烷苯氧基)苯基]一11,1,3, 3, 3〜 六氟丙烷、2, 2,-雙[3, 5-二曱基-(4-馬來酸酐縮亞胺苯 氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烧、2,2-雙[3,5〜二漠 -(4-馬來酸酐縮亞胺苯氧基)苯基卜1,1,1,3〜六氟 丙烷、2, 2,-雙[3, 5 -二甲基-(4-馬來酸酐縮亞胺笨氧基 )苯基]-1,1,1,3,3,3 -六氣丙烧、2,2’-雙[3 -馬來酸軒 - 5-(三氟甲基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2’〜雙 (3-氟-5 -馬來酸酐苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、 3, 3, 3, 3, 酐縮 5, 胺-5 胺- 5 亞胺 基) 氟~ 5 酸酐 胺苯 -二馬來酸酐縮亞胺-5, 5’ -雙(三氟甲基)聯笨、 -二氟_5, 5’ -二馬來酸酐縮亞胺聯苯、3, 3’ -二馬來酸 亞胺-5, 5’ -雙(三氟甲基)二甲苯酮、3, 3,—二氣〜5 二馬來酸酐縮亞胺二甲苯酮、1,3 -雙[3 -馬來酸酐縮亞 -(二氟甲基)苯氧基]苯、1,4-雙[3-馬來酸酐縮亞 -(二氟甲基)苯氧基]苯、卜雙(3 一氟—馬來酸軒縮 笨氧基)苯、1,4 -雙(3-氟-5 -馬來酸酐縮亞胺笨 笨、1,3-雙(3 -氟-5-苯氧基)_5_氟苯、13—雙 :馬"來,酐縮亞胺苯氧基)_5H、3,卜雙[3一馬來 =基笨:甲苯,氟化物、3,5、雙[3-馬來酸酐縮亞 化物:3’5-雙[3'馬來酸肝縮亞胺' 酸酐縮亞胺苯基)醚、雙[3_馬來又(3-亂馬來 又L 1木馱酐縮亞胺-5-(三氟
第35頁 1270555 五、發明說明(32) 基)苯基]醚、雙(3-氟-5-馬來酸酐縮亞胺苯基)硫化 物、雙[3 -馬來酸酐縮亞胺-5 -(三氟甲基)苯基]硫化 物、雙(3-氟-5-馬來酸酐縮亞胺苯基)颯、雙[3 -馬來酸 gf縮亞胺-5-(三氟甲基)苯基]諷、1,3-雙(3-氟-5-馬 來酸酐縮亞胺苯基)-1,1,3, 3 -四甲基二石夕氧烧、1,3 -雙 [3-馬來酸酐縮亞胺-5-(三氟曱基)苯基]-1,1,3, 3 -四甲 基二矽氧烷等。 另外,作為馬來酸酐縮亞胺系化合物,也可列舉:具 有一個以上之馬來酸酐縮亞胺基的寡聚物及聚合物。 此寡聚物之種類並無特別之限制,例如,可列舉:藉 由該馬來酸酐縮亞胺系化合物與聚胺類之M i che丨加成反應 而知到之寡聚物、或使馬來酸類及/或無水馬來酸類與二 月女進行反應而得到之寡聚物等。另外,具有使四羧酸二無 水物與二胺進行反應而得到的末端無水物基之聚醯亞胺先 驅物(i )、環氧樹脂與含馬來酸酐縮亞胺基單羧酸之反 應物的馬來酸酐縮亞胺化合物等之含羥基的馬來酸酐縮亞 $化合物(i i ),使(i )與(i i )進行反應而得到之寡 水,,或使(i ) 、( i i )與聚醇化合物進行反應而得到 之寡聚物等。 姓再者,也可以列舉:一個以上之馬來酸酐縮亞胺基鍵 了,氨基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚 ^,腸、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系 =知、乙酸乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺系樹脂以及此 等二種以上改質樹脂等之聚合物成分或寡聚物成分的化合
第36頁 1270555 五、發明說明(33) 物。 一 C丙、、基甲旨C酸胺}酸酸丙性}基甲醇C醇酸 有:}酯旨甲C Μ 、烯醯基烯烯}應基甲C二三四稀 具舉基己U酯丙基甲丙丙基反甲C二乙、戊丙 為列甲酸 、酯h己}甲C}}曱之C二、七基季性 作可^烯^酯烷-+環基羥、基基C等二、醇十丙酸橋 ,、丙-烷三烷酸曱酸酸甲曱、基、醇二五烯烯架 如酯}-2二十六烯C烯烯CC基喃撐二乙酸酸丙之 個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物,例 甲基)丙烯酸曱酯、(曱基)丙烯酸乙 烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基 (甲基)丙稀酸辛S旨、(甲基)丙烯酸 (甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十 )丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸月桂-基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十 、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(曱基)丙 甲基)丙烯酸苄酯、曱基丙烯酸苯酯等之 酯類;(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙 等之(曱基)丙烯酸醯胺類;(曱基)丙 丙烯酸羥乙基、(曱基)丙烯酸羥丙基、 羥丁基、(甲基)丙烯酸二曱基氨乙基、 二乙基氨乙基、(甲基)丙烯酸丁基氨乙 烯酸縮水甘油基、(甲基)丙烯酸四氫呋 丙烯酸系單體顗;二(甲基)丙烯酸乙 丙烯酸二乙二醇、二(甲基)丙烯酸三乙 )丙烯酸四乙二醇、二(甲基)丙烯酸十 基)丙烯酸十五乙二醇、二(甲基)丙烯 、二(甲基)丙烯酸丁撐、(甲基)丙烯 甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷、四(曱基) 、二(甲基)丙烯酸苯二甲酸二乙二醇等 系單體類;二乙二醇改質壬基苯酚(甲基
第37頁 1270555 五、發明說明(34) )丙烯酸酯、異癸基(甲基)丙烯酸酯、月桂(甲基)丙 烯酸酯、十六(曱基)丙烯酸酯、十八(甲基)丙烯酸 酯、2- (2-乙氧基乙氧基)2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯 等單官能性(曱基)丙烯酸性化合物等。 其他,作為具有二個以上之(甲基)丙烯醯基的化合 物,例如,可列舉:1,4 - 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新 戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質新戊二醇二 (曱基)丙烯酸酯、羥丙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸 酯、羥三曱基乙酸新戊二醇二(曱基)丙烯酸酯、1,6 -己 二醇二(甲基)丙稀酸酯、1,9 -壬二醇二(甲基)丙烯酸 酯、三丙二醇二(曱基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(曱基) 丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、環氧乙烷 改質三羥曱基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三 羥甲基丙烷三(甲基)丙稀酸酯、環氧丙烷改質甘油三 (甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊 四醇四(甲基)丙烯酸酯、雙三羥曱基丙烷四(甲基)丙 烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯、三聚異氰酸環 氧乙烷改質三(曱基)丙烯酸酯等。 另外,可列舉:異冰片烷基(曱基)丙烯酸酯、降冰 片烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧乙基(甲基)丙烯 酸酯、二環戊烯氧丙基(甲基)丙烯酸酯等、二乙二醇二 環戊稀基單醚之(甲基)丙稀酸酯、經乙基寡聚物或丙二 醇二環戊烯基單醚之(甲基)丙烯酸酯等、二環戊烯基苯 乙烯酯、二環戊氧基乙基苯乙烯酯、二環戊氧基單富馬酸
1270555 五、發明說明(35) 酯或二富馬酸酯等、3, 9-雙(1,Γ -雙甲基-2-羥乙基)-螺[5, 5’ ]月桂烷、3, 9 -雙(1,1’ -雙甲基-2 -羥乙基) -2, 4, 8, 10 -四羥螺[5, 5’ ]月桂烷、3, 9 -雙(2 -羥乙基)
-2, 4, 8, 10 -四羥螺[5, 5’ ]月桂烷等之一-、二(曱基)丙 烯酸酯、或是此等之螺乙二醇的環氧乙烷或環氧丙烷加成 聚合物之一-、二(甲基)丙烯酸酯、或者,此等之單 (甲基)丙烯酸酯之甲醚、1-吖二環[2,2,2]-3 -辛烯基 (甲基)丙烯酸酯、二環[2, 2, 1]-5-庚烯-2, 3 -二羧基單 烯丙基酯等、二環戊二烯(曱基)丙烯酸酯、二環戊二烯 羥乙基(曱基)丙烯酸酯、二羥二環戊二烯基(甲基)丙 稀酸酯等。 另外,可列舉:具有一個以上之(甲基)丙烯醯基的 寡聚物及聚合物。 此寡聚物之種類並無特別的限制,例如,可列舉:乙 二醇寡聚物、環氧樹脂寡聚物、聚酯樹脂寡聚物、聚醯胺 樹脂寡聚物、氨基甲酸酯樹脂寡聚物、乙烯醇募聚物、酚 樹脂寡聚物等。
作為此等之具體例,可列舉:環氧樹脂寡聚物之丙烯 酸酯(例如,雙酚A之二縮水甘油醚二丙烯酸酯)、環氧 樹脂寡聚物與丙烯酸與甲基四羥基苯二甲酸無水物之反應 生成物、環氧樹脂寡聚物與2 -經乙基丙烯酸酯之反應生成 物、環氧樹脂寡聚物與二縮水甘油醚與烯丙基胺之反應生 成物、縮水甘油基二丙烯酸酯與無水苯二甲酸之開環共聚 酯、甲基丙烯酸二聚物與聚醇之酯、由丙烯酸與無水苯二
第39頁 1270555 五、發明說明(36) 甲酸與環氧丙烷所得到的聚酯、乙二醇寡聚物與無水馬來 酸與縮水甘油甲基丙烯酸之反應生成物、乙二醇寡聚物與 N -羥甲基丙烯醯胺之反應生成物、於利用無水琥珀酸將乙 二醇寡聚物酯化後,再使之與縮水甘油基曱基丙烯酸酯進 行加成而得到的寡聚物、使P,P ’ -二氨基二苯與均苯四甲 酸二無水物之二烯丙基酯化物進行反應而得到的寡聚物、 乙撐-無水馬來酸共聚物與烯丙胺之反應生成物、曱基乙 烯醚-無水馬來酸共聚物與2 物、再進一步使該生成物與 反應而得到的寡聚物、隔著 聚物片段或飽和酯寡聚物片 具有丙稀醯基或甲基丙稀酸 端丙烯基改質異戊二烯橡膠 另外,具有(曱基)丙 可列舉:乙二醇二(甲基) 改質(曱基)丙稀酸酯、丙 物、新戊二醇二(曱基)丙 細酸酉旨、1,6-己二醇二(甲 三(甲基)丙烯酸酯、季戊 酚A二縮水甘油醚二(甲基、 酸酯寡聚物等。 -羥乙基丙烯酸酯之反應生成 縮水甘油基甲基丙烯酸酯進行 氣基甲酸酯鍵而連結經烧樓寡 段或者連結此兩者,於兩末端 基的氨基曱酸酯系募聚物、末 或丁二烯橡膠等。 稀基之募聚寡物的具體例, 丙烯酸酯寡聚物、壬基苯酚E〇 一醇二(甲基)丙烯酸酯募聚 烯酸酯、丁二醇二(曱基)丙 基丙烯酸酯、三羥曱基丙烷 四醇聚(曱基)丙烯酸酯、雙 丙烯酸酯、_ (曱基)丙烯 另夕卜, 個以上之( 末端石夕的含 也可以列舉 甲基)丙烯 (甲基)丙 :(曱基) 酿基官能基 烯醯基>5夕寡 丙烯醯基或 鍵結於至& 聚物。作為 含有至少一 任意一側之 矽寡聚物本
第40頁 1270555 五、發明說明(37) 身之構造,例如,可列舉:含有任意一個以上之碳數2以 上的烷基矽氧構造單位、芳香基矽氧烷構造單位或芳烷基 發氧烷構造單位的矽募聚物。 再者,含有一個以上之(甲基)丙烯醯者,可列舉: 鍵結於氨基曱酸醋系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚 _系樹脂、醇酸系樹脂、聚氣乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽 系樹脂、乙酸乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺樹脂以及此 等二種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡聚物成分的化 合物。 作為含有一個以上之環狀醚構造的化合物,可列舉: 含有二〜十二個碳與一〜六個氧之環狀醚構造,尤其是具 有一個以上之含一 〇 —架橋構造的含環狀醚化合物。更具 體而言,可列舉:具有縮水甘油基等之環氧環的化合物。 作為含有一個以上之壞狀鱗構造的化合物’例如,可 列舉··乙二醇二縮水甘油醚、三羥曱基丙烷三縮水甘油醚 等。 另外,也可以列舉:含有一個以上之環狀醚構造的寡 +物或聚合物。 作為含有環狀醚構造的寡聚物,例如,可列舉:乙二 醇二縮水甘油醚寡聚物等。 再者,含有一個以上之此等環狀醚構造的官能基者, 也可以列舉:鍵結於氨基曱酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚 _系樹脂、聚醚系樹脂、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、 氟系樹脂、矽系樹脂、乙酸乙烯系樹脂、酴系樹脂、聚醯
第41頁 1270555 五、發明說明(38) 胺樹脂以及此等二種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡 聚物成分的化合物。 作為含有一個以上之脂烯基的化合物,例如,可列 舉:含有一個以上之乙烯基及/或烯丙基的化合物。作為 含有一個以上之脂烯基的化合物,例如,可列舉:聚乙烯 桂皮酸酯類等。 再者,一個以上之脂烯基者,也可以列舉:鍵結於氨 基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹 脂、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系樹 月旨、乙酸乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺樹脂以及此等二 種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡聚物成分的化合 物。 作為含有一個以上之乙烯撐基的化合物,例如,可列 舉··含有乙烯性不飽和雙鍵的化合物、不飽和聚酯等。另 外,作為含有一個以上之乙烯撐基的化合物,也可以列 舉:含有一個以上之肉桂基(C6H5 — CH =CH — CH2 —)或肉 桂叉基(C6H5 — CH =CH — CH =)。作為如此之化合物,例 如,可列舉:聚乙烯苯乙烯酯。聚乙烯苯乙烯酯可以藉由 使C6H5 _CH =CH — CH2 — C0C1與聚乙烯醇反應而得到。 再者,含有一個以上之乙烯撐基者,也可以列舉:鍵 結於氨基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚 系樹脂、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系 樹脂、乙酸乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺樹脂以及此等 二種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡聚物成分的化合
第42頁 1270555 五、發明說明(39) 物。 作為含有一個以上之苯乙烯基的化合物,例如,可列 舉:苯乙烯、α -甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、α -甲基-Ρ-甲基苯乙烯、Ρ-甲氧基苯乙烯、〇-甲氧基苯乙烯、2, 4-二曱基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯等。另外,也可以列 舉:聚乙烯苄叉乙醯苯顓、聚乙烯苯乙烯晚啶類等。
再者,一個以上之苯乙烯基者,也可以列舉:鍵結於 氨基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹 脂、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系樹 月旨、乙酸乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺樹脂以及此等二 種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡聚物成分的化合 物。 作為含有一個以上之疊氮基的化合物,例如,可列 舉:2, 6 -雙(4-疊氮基苄基)環己酮、2,6 -雙(4’-疊氮 基苄基)甲基環己酮等。
再者,一個以上之疊氮基者,也可以列舉··鍵結於氨 基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚系樹 月旨、醇酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系樹 脂、乙酸乙稀系樹脂、盼系樹脂、聚酷胺樹脂以及此等二 種以上之改質樹脂等的聚合物成分或寡聚物成分的化合 物。 另外,作為可與如上所述之單體進行共聚合的單體, 可列舉:丙烯腈及曱基丙烯腈等之含氰基的乙烯化合物 類;氯乙浠及氯乙烯叉等之含素的乙烯化合物類;乙酸
第43頁 1270555 、發明說明(40) 乙烯酯及丙酸乙烯酯等之含有機酸基的7膝儿a ^ 又丞的乙締化合物類;乙 烯、馬來酸及衣康酸等之反應性單#啤·工χ f體犬員,丙稀基改質石夕 類;氯乙基乙烯醚、烯丙基縮水甘油w 1 ^ H /tt7 £3¾ 、 乙又美隆、太片 烯、二乙烯苯、三烯丙基氰酸醋及二祕 Ψ / ,^ ^ ^ 久一卸丙基異氰酸酯等之 架橋性共聚合單體類等。 A t θ «Τ 可以使用如上所述之一種聚合弈臨輪 u ^ 0无駆物,也可以將二種 以上合併使用。 私另:’於聚合期間’藉由使進行聚合反應之聚合先驅 物的組成改變等,也可能使所得到的聚合物之組成,例如 改變對膜厚方向、或基材表面成垂直的方向。 ^行自發光聚合性化合物以外之聚合先驅物的聚合反 二,3形,必須要有光聚合起始劑。只要光聚合起始劑能 ::解於超臨界流體、次臨界流體或聚合先驅物的話,並無 之限制,能夠因應所使用之超臨界流體、次臨界流體 或4合先驅物而予以適當地決定。 —作為光聚合起始劑,例如,可列舉:二甲基(2,2,一 二異丁酯)、二乙基(2, 2,—偶氮二異丁酯)等之二 =土 ( 2,2 -偶氮二異丁酯)、2,2,-偶氮雙(異丁腈) 雙BN ) 、2, 2’ —偶氮雙(2, 4-二曱基丁腈)、2, 2,-偶氮 過氧化物 酉旨、t e r t 基己酸酯 4 —曱基戊腈)專之偶氮系起始劑;tert一丁基氫 異丙苯氫過氧化物、tert-丁基過氧化物新癸 厂基過氧三曱基乙酸酯、tert—己基過氧—2-乙 甲基乙基酮過氧化物、乙醯基環己烷磺醯過氧 化物、 ^ 丁Vi丨〇仰、〇目孤公K U ’几〜只_ Μ平、 、月桂基過氧化物、過氧化节基等過氧化物系起始劑
1270555 五、發明說明(41) 等。 作為其他的光聚合起始劑, 苯偶因乙醚、苯偶因-Π—丙_ ^ σ ’可列舉:苯偶因、 烷基醚類;2, 2,-二甲氧基〜# 一 岵專之笨偶因 讲—本基本乙酉同、?-试廿 。 甲氦基-1- (4-嗎啉苯基)〜τ w , ζ苄基-2-二 ^ 丁燒-1 _ 類I、1 ~ |<τ< 其:^ 酮、丁二酮、二苯基硫化物 &基%己基苯 w 曙紅、硫僅、q 1 η # 2-乙基-9, 10 -蒽醌等。 9, 1 〇〜蒽醌、 作為光聚合起始劑,還右 —# m 疋百’ 一"本甲自同、贫7田r~i 醚、苯偶因異丙基醚、苯偶 本偶因曱基 醌等芳香族羰基化合物;笨r航— 爪代咕嘲酮、蒽 木乙酮、苯丙酮、"—一田 酚、α,α,-二氯-4-苯氧基絮 羥異丙基 土本乙酉同、1-經基一 1—王s 口甘朴 乙酮等苯乙酮類;苯偶因過4+ 土 1 %己基苯 ^虱化物、t e r t - 丁 1 —诉备儿朴 甲酸醋、tert-丁基-過氧化〜2_乙基己醋、 ‘=二二 氧化物、二-tert-丁基二過氧化異丁酸醋、3,3,,丁4基= (tert- 丁基過氧化羰基)-笑田m楚夕女地、证,, ^ i ^ 一本甲酮專之有機過氧化物; 二苯基碘鑌溴化物、二苯基碘鏽氯化物等之二苯基鹵鏽 鹽;四氯化碳、四溴化碳、氣仿、碘仿等之有機_化物; 3 -苯基-5 -異噁唑酮、2, 4, 6 -三(三氯曱基)—;[,3, 5一三嗪 苯并蒽酮等之雜環式及多環式化合物;2,2,-偶氮二 (2, 4-二曱基戊腈)、2, 2’ -偶氮異丁腈、ι,ι,-偶氮二 (環己烷-1-腈)、2, 2’ -偶氮二(2-甲基丁腈)等之偶氮 化合物、記載於歐洲專利第1 523 77號之鐵-芳香烴配位化 合物(Iron-Arene Complex )、記載於曰本公開專利公報 第眧63-221110號之含鈦(丁^311〇5611)化合物等。
第45頁 1270555 1 五、發明說明(42) ____ 可以使用如上所述之一種光聚合起始劑, 種以上合併使用。 j 也可以將二 光聚合起始劑之使用量可以予以適去 於100份質量的聚合先驅物’能夠設為約2 ’例如,對 另外,必要的話,能夠將該光聚合·二0份質量。 始助劑(增感劑)合併使用。作為光聚人i j與光聚合起 如,可列舉:2-二曱氨基乙基苯甲酸酷:N N:助劑,例 乙基甲基丙烯酸酯、P-二甲氨基安息香I 一甲氨基 氨基安息香酸乙酯等。 /、戍能、P-二甲 於本發明,能夠使用具有與製造之 始劑相互作用的分光增感劑。作為分光掸:或光聚合起 =親…系、酮系、硫代吨;鑷:李例:太可 $、噻嗪系等之色素類。還有,此處所 丫啶 包含··從被激勵之分光增感劑起,向製:互作用」係 光聚合起始劑之能量移動或電子移動等。艰合物及/或 接著,一面參照圖面,一面說明本 方法的一實施態樣。圖丨係顯示一種製月之來合物製造 ,圖。〗係二氧化碳鋼瓶、2係二氧化碳;f共衣應置例之概略構 此維持咼溫與咼壓狀態之反應器、4係加产:’庸、3係 為了將活化能量線予以射二/皿又&制裝置、5係 係窗(例#,石英窗)二之:(例如,石英窗)、5, 拌器、!。係授拌構=匕=線透過基材)、"、磁石授 (疋轉磁石)。另外,也可以不設置
1 第46頁 1270555 五、發明說明
或次臨界流體的聚合先驅物係均勻分布於基材界面之狀態 下進行聚合反應而生成聚合物膜。=此,即使於具有微細 凹凸構造或深的凹凸構造之基材上,也可以形成均勻的聚 合物膜。 另外,為了入射已配置基材8之活化能量線的窗5,或 是於其上所設置的配置用構件,可以配合形成聚合物膜之 基材的形狀或所需要之聚合物膜的形狀而決定其形狀。 將活化能量線透過基材8配置於反應器3内之後,將聚 合先驅物’必要的話連同光聚合起始劑一起裝入反應器 3。另外,聚合先驅物為液體之情形,也能夠藉由幫浦而 將聚合先驅物,必要的話連同光聚合起始劑,從此等之貯 存槽供應至反應斋3。聚合先驅物與光聚合起始劑,也能 夠利用預加熱裔調整為聚合溫度之後,再供應至反應器 另一方面,二氧化碳係藉由幫浦2,從二氧化碳鋼瓶1 供應至反應裔3。二氧化碳也能夠利用預加熱器調整為聚 合溫度之後,再供應至反應器3。 反應器3内之壓力係藉由所供應的二氧化碳之量而調 整聚合壓力。另一方面,反應器3内之溫度係藉由加熱哭 等之溫度控制裝置4而調整聚合溫度。能夠同時進行反& 器3内之壓力的調整與反應器3内之溫度的調整,另外,也 能夠先調整其中之任意一種變因之後,再調整另一種變 因〇 還有’將利用預加熱器調整為聚合溫度或高於聚合溫
1270555 五、發明說明(45) "" ' -- 度之後的聚合先驅物與二氧化碳供應至反應器3之情形, 於聚合反應期間’若能夠將反應器3内之溫度保持於聚合 溫度的活’也可以不裝設加熱裝置等溫度控制裝置4。 將反應器3内調整為既定之壓力及溫度之後,一面藉 由以磁石攪拌器9與攪拌構件1 〇攪拌反應器内部,一面^ 光源6通過活化能量線透過性之窗5及基材8而將活化能量 線照射至反應器3内,進行光聚合反應,於活化能量線透 過基材之〒化能量線射出面i,形成聚合物膜。活化能量 線::連縯性照射,也可以間歇性照射。彳以藉由控制活 化能^線之照射量,控制所形成的聚合物膜之厚度。 C有攪拌反應為内之攪拌裝置,並不受限於磁石擔 拌器0與攪拌構件1〇。 个又I艮於磁石攪 另外,若根據本發明,能夠於基材上之活化能量 隔ί,選擇性地形成聚合物膜。例如,能夠藉由 隔者先罩圖案,照射活化能量線,形成具有所 白:聚合物膜。&情形下,例如,最好將光罩貼付於窗5圖之案 外側,將窗之形狀本身,作成既定之圖案形狀。 ,另外,由於相較於其他光源,藉由使用+射朵壶你么 光源,能夠將光照射區域更予以隼田、 為 細圖案之聚合物膜。另夕卜,由於可以形成士有微 用雷射光束作為光源’能夠照射更高強^他^源,藉由使 控制含有突起部之聚合物突起部;上d故更容易 度與突起部直徑之比值)。勺山度與面/直徑比(高 聚合反應結束後,藉由減壓閥7而使二氧化石炭予以釋
第49頁 1270555 五、發明說明(46) 出,使反應器内之壓力減至約一大氣壓力。另外,為了得 到更高純度之聚合物,去除未反應之聚合先驅物等,而將 反應器3内之壓力減至低於一大氣壓力之低壓’例如’ 133Pa以下之真空後,也可以回復至約一大氣壓力。將反 應器3内之溫度回復至常溫左右之後,從反應器3取出形成 聚合物膜之基材8。
聚合反應結束後,藉由從超臨界狀態或次臨界狀態之 高壓狀態而進行急遽減壓,或是藉由從高溫與高壓狀態而 進行急遽冷卻與減壓,能夠使製得的聚合物予以發泡。由 於超臨界流體或次臨界流體對聚合物内部之滲透力既強且 均勻,藉由進行如此之處理,能夠形成均勻之多孔質物。 此時,聚合物之冷卻速度及聚合物之減壓速度可以予 以適當決定。藉由控制聚合物之冷卻速度及聚合物之減壓 速度,控制氣孔徑為可能的。聚合物之冷卻速度及聚合物 之減壓速度越快,氣孔徑有變大的傾向。 還有,聚合反應後,也可以因應所需之既定時間,將 聚合物置於超臨界流體中或次臨界流體中,接著進行急遽 冷卻與急遽減壓而使聚合物予以發泡。
於從反應器3取出的基材上所形成的聚合物膜,藉由 電磁波之照射、光之照射或加熱,或是也可以將此等處理 方式合併而進行後段製程之硬化。 於聚合反應結束後,從反應器3所釋出的二氧化碳, 能约予以回收再利用。 以上之聚合製程係以分批方式表示,也可以以連續方
1270555
_、發明說明(47) 式u續::行聚合反應。 應器形狀’並不限制$ : : ^物之製造。方法而使用的反 也可以將光纖等光與/、”、、7、;圖1之反應器形狀。例如, 過此光學系而將、苦:it插設於反應器内部而予以構成,通 再者,也能射至反應器内。 合條件,於基材上7 k *遠擇活化能量線之照射量等聚 著活化能量線之照^古含犬起部之聚合物。此情形下,沿 之突起部。亦即,、_ A 2而逐漸成長聚合物,形成聚合物 直的方向,形成取11聚合物逐漸成長於對基材表面成垂 之照射時間(聚人士 (4。還有,一旦活化能量線 突起部之聚合物而士 4 θ长,所製造的聚合物將有從含 J向成為連續性镇 若根據本發明, :U之傾向。 上之突起部的聚合物,、、=3有高度為直徑之0 · 1倍以 部的聚合物,進而古,而回度為直徑之1倍以上之突起 物,進而高度為直徑之3彳立r之2倍以上之突起部的聚合 高度為直徑之5倍以1上之二以^之突起部的聚合物,進而 高度對直徑比值的上限,大並起叙^的聚合物。雖然突起部之 突起部之高度為直徑之5 〇仵=特別限制,例如,可以作成 另外,若根據本發明,能 之含突起部的聚合物,進而人2 =造含有高度為lOnm以上 起部的聚合物,進而含有高二高度為0· 5 //m以上之含突 口物’進而含有高度為5//111以:?:上之含突起部的 而含有高度為10//m以上之含突4 3大起部的聚合物,: 3犬起部的聚合物,進而八噢 ——_ _ δ 有 1270555 五、發明說明(48) 高度為30/zm以上之含突起部的聚合物,進而含有高度為 5 0 // m以上之含突起部的聚合物。雖然突起部之高度的上 限,並無特別限制,例如,可以作成突起部之高度為5 0 0 β m 〇 聚合物之突起部高度可以藉由活化能量線照射量(累 積光量)而進行調節。雖然聚合物之突起部高度大致上與 活化能量線之照射量成正比,但是一旦活化能量線之照射 量達到一定量以上,聚合物之突起部的高度將不再增高, 突起部之間隔將逐漸縮短而有進行連續性薄膜化的傾向。 若根據本發明,特別是可以製造成:含有突起部高度 為直徑的0.1倍以上,並且,突起部高度為10nm以上突起 部之聚合物;進而含有突起部高度為直徑的1倍以上,並 且,突起部高度為l//m以上突起部之聚合物;進而含有突 起部高度為直徑的5倍以上,並且,突起部高度為50//m以 上突起部之聚合物。如此方式,含有高度與直徑之比值為 大的,同時高度為高的突起部之聚合物,藉由將習知之單 體等聚合先驅物進行聚合是無法得到的。 雖然含有突起部之聚合物的突起部表面密度並無特別 之限制,若根據本發明,例如於基材上可能形成含有突起 部之表面密度為0.01個/ nm2以上,甚至0. 1個/ nm2以上之 高表面密度的聚合物。另外,含有突起部之聚合物突起部 的低密度化也是可能的,例如,可以將突起部的表面密度 作成 0. 0 0 1 個 / // m2。 於此,含突起部之聚合物為突起狀聚合物之情形,所
第52頁 1270555 五、發明說明(49) — 起部的表面密纟,係指基材表面上之突起狀聚合物的 右根據本韻^明,;隹彡— 形成聚合物膜i:突;;聚合反應之同時,能夠於基材上 為能夠藉由所i;:;:之聚t物。另外,如上所述,因 物膜,或是含突起部:丄容易地自基材將所形成的聚合 到樹脂薄膜(含有i備::物予以剝冑,例如’也可以得 6碉/、備一個以上之突起者)。 深的=構明’即使於具有微細之凹凸構造或 起部之聚合物:;如,若均句的聚合物膜或含突 的微小反應器内的塗布也是可能的。 的&人 < 也可能形成含均勻分散奈米粒子或1他添力 的聚合物膜或突起部之聚人 卞A /、他添加劑 或螢光膜。(丨之♦口物,例如,也可以形成著色膜 另外’若根據本發明,能夠 面的活化能量線所透過的部分:;3 J:化能量線射出 或是含突起部之聚合物。因:上可成聚合物膜 細圖案的聚合物膜,或是含有罝::::成具有所需要之微 物。例如,本發明能夠適用於使丄〜要微細圖案的聚合 之形成。 、 το成形圖案的光阻膜 另外,藉由進行以該一般式( 再者,馬來酸野縮亞胺系=之保護膜等。 0 ΛΚ合物膜,能夠應用於半
第53頁 亞胺系化合物的光聚合反應所形ϋ所J之馬來酸軒縮 夠應用於光學構件之被覆膜午ς二物膜,例如,能 1270555 五、發明說明(50) 導體裝置或配線基板用之絕緣膜、财濕保護膜、軟式印刷 基板等。 利用本發明之方法製造聚合物微粒子的情形,若聚合 物附著於為了入射裝設於反應器之活化能量線的窗上,妨 礙粒子形成的話,將氟系樹脂薄膜配置於窗之内侧而進行 光聚合反應則為有效的。 也能夠將本發明適用於使用記載於S. Kawata et al·,Nature,412, 697 (2001)的Femto秒雷射,因利用 二光子吸收的光聚合而形成三次元構造的形成製程;使用 記載於S· Shoji and S· Kawata,Appl. Phys. Lett·, 7 5, 73 7 ( 1 9 9 9 )的F em t o秒雷射,因利用一光子吸收的光 聚合而形成纖維構造的形成製程;或是使用記載於s. Shoji and S. Kawata, Appl. Phys. Lett., 76, 2668 (2 0 0 0 )的Fem t o秒雷射,因利用干涉光的光聚合而形成三 次元光電(Photonic )結晶構造的形成製程。藉由於超臨 界流體中或次臨界流體中進行該製程,相較於液體單體中 所實施之情形,使溶液搖動之影響或黏度之影響予以降 低,而能夠形成更微細的構造。 實施例 以下,列舉實施例,進一步詳細說明本發明。還有, 本發明並不局限於此等實施例。 實施例1
1270555
設置於反應器内壁之凹處的底部 且 — 々日口 。卩,具有石英耐壓窗 體積30 cm3的耐壓反應器内,將祚盔取入+ i 固之 特作為聚合先驅物之丨.5 醚二馬來酸酐縮亞胺乙酸醋(大曰本油 司製、MI A-2 0 0 )予以進料。接基 二地 切公 镬耆,一面攪拌反應器内, -面以鋼瓶壓力(約7MPa)將二氧化碳導入反應器内 後,昇溫至35X;,再以加壓幫浦,導入二氧化破 器内的壓力成為達到30MPa之超臨界狀態。聚合先驅物之w 聚醚二馬來酸酐縮亞胺乙酸酯的進料濃度為2質量%。
、於壓力3〇MPa、溫度37t下攪拌!小時之後、,使用裝設 作為光源之石英光纖的超高壓水銀燈,隔著石英耐壓窗^ 從反應器外部將紫外光照射至反應器内,照射量為5· 7 J/cm2。此時之紫外光的照射條件係以照射強度38mW/cm2, 照射時間設為151秒鐘。照射的紫外光波長為254 〜436nm 之範圍。其結果,於石英耐壓窗上形成聚合物膜。 照射紫外光後,經1 2 0分鐘慢慢地將二氧化碳釋出反 應裔外’將反應器内之壓力減至一大氣壓。於石英耐壓窗 上所形成的聚合物膜,容易地予以剝離。 實施例2
將作為基材的PET薄膜塞入設置於反應器内壁的凹 處 使之黏者於石央耐堡窗而予以固定。然後’與實施例 1同樣地進行光聚合反應,於PET薄膜上形成聚合物膜。於 PET薄膜上所形成的聚合物膜,黏著性高,無法容易地予 以剝離。
第55頁 1270555 五、發明說明(52) -- f施例3 將光罩圖案貼付於石英耐壓窗之外側,除了 ^ ^ itl· 罩圖案而將紫外光照射至反應器内之外,與實施例^^, 地進行光聚合反應,於石英耐壓窗之紫外光所读1同樣
J 上,形成已轉印光罩圖案的聚合物膜。 77 f施例4 與實施例1同樣地進行光聚合反應之後,經十分鐘糸 遽地將一氧化礙釋出反應器外,將反應器内之壓力減至一 大氣壓。利用光學顯微鏡觀察所得到的聚合物膜係多孔質 的。 @較例1 除了將聚合溫度設為18°C、壓力設為4MPa之外,與實 施例1同樣地進行光聚合反應,但是於石英耐壓窗上無法 形成聚合物膜。還有,紫外光照射中的二氧化碳為液體狀 態。 t較例2 除了使用丙酮作為聚合溶劑之外,與實施例1同樣地 進行光聚合反應,但是於石英耐壓窗上無法形成聚合物 膜0
第56頁 1270555 五、發明說明(53) f施例5 除了使用4 · 0 9 5 g之甲基丙烯酸甲酯作為聚合先驅物, 及使用0,123g之2-节基-2 -二甲氨基-1- (4-嗎啉苯基)一 丁烧-1-酮、0.123g之1-輕基環己基苯i同作為光聚合起始 劑之外,與實施例1同樣地進行光聚合反應,於反應器中 生成聚合物微粒子。還有,聚合先驅物之甲基丙烯酸甲|旨 的進料濃度為15質量%。 實施例6 設置於反應器内壁之凹處的底部,具有石英耐壓窗之 體積3 0 cm3的耐壓反應器内,將作為聚合先驅物之〇. 872g 聚醚一馬來酸酐縮亞胺乙酸酯(大日本油墨化學工業股份 公司製、MIA-20 0 )予以進料。接著,一面攪拌反應器 面以鋼瓶壓力(約7MPa 將二軋化碳導入反應器内 之ί,昇溫至35 °C,再以加壓幫浦,導入二氧化碳而使反 應器内的壓力成為達到30MPa之超臨界狀態。聚合先驅物 之聚醚^馬來酸酐縮亞胺乙酸酯的進料濃度為3· 5質量%。 於壓力30MPa、溫度35t:下擾摔}小時之後,使用裝設 作5石英光纖的超高壓水銀燈,隔著石英耐壓窗, 2從光V卜光照射至反應器内,照射量為1 二=3::。照射的紫外光波長為254〜 : 向,亦即,對基材表面成垂直的方向上有=部
第57頁 1270555 五、發明說明(54) 的聚合物。 ¥二射糸外ί後,經1 2 0分鐘慢慢地將二氧化碳釋出反 應為外,將反應器内之厭;w s丄广广 火砰反 巧之壓力減至一大氣壓。
將含有所得到的w ^ A 2。 的犬起部之聚合物的SEM照片顯示於圖 實施u 紫外光的照射体彳生# 設為152秒鐘。除/机牛係以照射強度33mW/cm2,照射時間 實施例6同樣地進y企外光之照射量設為5 J/cm2之外,與 含有成長於紫外光丁光聚合反應,於石英耐壓窗上,形成 的方向上之突起叫^照射方向,亦即,對基材表面成垂直 ^ ^ ^ 〇丨的聚合物。 將含有所得到 3。 』的犬起部之聚合物的SEM照片顯示於圖 實施例8 紫外光的照射& 設為303秒鐘。除“件係以照射強度33mW/cm2,照射時間 實施例6同樣地了紫外光之照射量設為10 J/cm2之外,與 含有成長於紫外先^光聚合反應,於石英耐壓窗上,形成 的方向上之突起部=照射方向,亦即,對基材表面成垂直 Α σ的聚合必7。 將S有所得到 4。 』的大起部之聚合物的SEM照片顯示於圖
第58頁 1270555 五、發明說明(55) 實施例9 ^ 紫外光的照射條件係以照射強度33mW/cm2,照射時間 設為1515秒鐘。除了紫外光之照射量設為50 J/cm2之外, 與貫施例6同樣地進行光聚合反應,於石英耐壓窗上,形 成聚合物膜。 ,將所得到的聚合物膜的SEM照片顯示於圖5。另外,所 ^到的聚合物膜之示意剖面圖顯示於圖6。11係基材(石 英耐壓窗)、1 2係聚合物膜。相較於含有實施例8所得到 的突起部之聚合物,於實施例9所得到的聚合物膜係進行 多孔質的連續性薄膜化。 XMlJH 1 〇 將光罩圖案貼付於石英耐壓窗之外側,除了隔著此光 罩圖案而將紫外光照射至反應器内之外,與實施例8同樣 地進行光聚合反應,於石英耐壓窗之紫外光所透過的部分 上’形成含有已轉印光罩圖案之突起部的聚合物。 利用之可ILii 若根據本發明,於超臨界流體中或次臨界流體中,進 行聚合先驅物的光聚合反應,例如,能夠製造含有膜狀聚 合物或突起部的聚合物。再者,能夠藉由隔著光罩圖案, 使活化能量線照射至基材並予以透過,於該活化能量線透 過基材之活化能量線的射出面的活化能量線所透過的部分
1270555 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 圖1係一種製造裝置例之概略構造圖,其使用於為了 實施本發明聚合物之製造方法。 圖2係含有於實施例6所得到的突起部之聚合物SEM照 片。 圖3係含有於實施例7所得到的突起部之聚合物SEM照 片。 圖4係含有於實施例8所得到的突起部之聚合物SEM照
圖5係含有於實施例9所得到的聚合物膜之SEM照片。 圖6係於實施例9所得到的聚合物膜之示意剖面圖。 元件符號簡單說明:
1〜二氧化碳鋼瓶 2〜二氧化碳供應用幫浦 3〜反應器 4〜溫度控制裝置 5〜窗 5,〜窗 6〜光源 7〜減壓閥 8〜活化能量線透過基材 9〜磁石攪拌器 1 0〜攪拌構件
第60頁 1270555 圖式簡單說明 1 1〜基材 1 2〜聚合物膜 imu 第61頁

Claims (1)

1270555 案號 92137107 年 月:r日y‘. 修正 六、申請專利範圍 1 · 一種聚合物之製造方法,藉由對以曝露於超臨界流體中 或次臨界流體中之方式配置之活化能量線透過基板照射活 化能量線,進行一種以上之光聚合性聚合先驅物的光聚合 反應。 2. 如申請專利範圍第1項之聚合物之製造方法,其中,該 超臨界流體或次臨界流體為超臨界二氧化碳或次臨界二氧 化碳。 3. 如申請專利範圍第1項之聚合物之製造方法,其中,於 該超臨界流體或次臨界流體為壓力5MPa以上、溫度20 °C以 上之二氧化碳中,進行該光聚合性聚合先驅物之光聚合反 應。 4 ·如申請專利範圍第1項之聚合物之製造方法,其中,於 該超臨界流體或次臨界流體為壓力7MPa以上、溫度30 °C以 上之二氧化碳中,進行該光聚合性聚合先驅物之光聚合反 應。〇 5. 如申請專利範圍第1項之聚合物之製造方法,其中,該 光聚合性聚合先驅物為末端具有至少一個馬來酸酐縮亞胺 基之馬來酸酐縮亞胺系化合物。 6. 如申請專利範圍第1項之聚合物之製造方法,其中,該
第62頁 1270555 年月日 案號 92137107 六、申請專利範圍 光取合性聚合先驅物為以下列一般式所示之馬來酸酐縮亞 胺系化合物: (0 取代基 所形成 100000 鏈或( 基甲酸 殘基;Β 可以具 整數之 予以混 式中,Α表示可以具有取代基為烴基,或是可以具有 為烴基與由醚鍵、酯鍵、氨基甲酸酯鍵及碳酸酯鍵 的私群中選出至少一種鍵進行鍵結 鍵或(聚)嶋、(=連結 :殘基、或是(聚)碳酸醋連結鏈或υ(::, 表爾、醋鍵、氨基甲酸醋鍵或二义” 有取代基為烴基,·〇!表示i〜6之敕數〃 aSS鍵;R表示 情形,B及R並盔乂亜^ 正數,但疋,in為2以上 合)。並無必要完全相同,也可以將二種以上 7 ·如申請專利範圍第1項之嘮人私 該 活化能量線為紫外光、 A二匆之‘造方法,其中, 兄先或近紅外光。 8·如申請專利範圍第1至7項 法,其中,戶斤製造之聚合物為臈1狀-。項之聚合物之製造方 9·如申請專利範圍第8項 在 H ^聚合物之鄭! + <衣造方法,其中, 1270555
Ξ ΐ ί Ξ ^於超臨界流體或次臨界流體之中的活化能量線 透過基材上,形成聚合物膜。 六、申請專利範圍 :能專Γ範圍第9:員之聚合物之製造方法,其中,活 、、舌化处、旦飨=面不曝路於超臨界流體或次臨界流體中’ 中,藉由透過依前述方式配界流體或次臨界流體之 射活化能量線之3 =的活化能量線透過基材而照 物的光聚合反應,於該活化At=上之光聚合性聚合先驅 ,+ ψ ^ ^ ^ 化% 5線透過基材之活化能量線 射出面上,形成聚合物膜。 ti· 請專利範圍第10項之聚合物之製造方法,其中, 藉由隔著光罩圖案,將該活化能量線照射至該活化能量線 透過基材之方式,而於該活化^ ^線透過基材之活化能量 線射出面的活化能量線所透 =^上,選擇性地形成聚 合物膜。 的口p刀 12·如申请專利範圍第1至7 / 頊之聚合物之製造方 法,其中,所製造之聚合物為二起部的聚合物。 13·如申請專利範圍第12項之聚合物之製造方法,其中, 所製造之聚合物的突起部高度為^突起部直徑的〇 · 1倍以 1270555 一 案號 92137107 年 ^_日 修正 六、申請專利範圍 14·如申請專利範圍第或1 2項之聚合物之製造方法,其 中’所製造之聚合物的突起部高度為丨〇nm以上。 15·如申請專利範圍第1 2項之聚合物之製造方法,其中, 在配置成曝路於超臨界流體或次臨界流體之中的活化能量 線透過基材上,形成含有突起部的聚合物。 =如:請專利範圍第15項之聚合物之製造方法其中, 由化忐夏^的入射面不曝露於超臨界流體或次臨界流體 三=化,量線的射出面則曝露於超臨界流體或次臨界流 而日ml & $ ^依前述配置的活化能量線透過基材 4 ^ι胃琛之万貳進仃一種以上之光聚合性聚合 先驅物的光聚合反應,於該活处旦 量線射出面上,形成含有突起:1線透過基材之活化此 小成3肩大起部的聚合物。 Η·如申請專利範圍第16項 藉由隔著光罩圖案,將該活 透過基材的方式,而於該活 線射出面的活化能量線所透 有突起部的聚合物。 之聚合物之製造方法,其中, & &量線照射至該活化能量線 t能量線透過基材之活化能量 %的部分上,選擇性地形成含
1270555
中文造字申請單 專利名稱:聚合物之製造方法 中文字型 所使用欄位 腈 發明說明 /PI 5L7C14; P43L23C7; P43L23C13; P44L18C28; P44L19C25 P44L20C11;P45L20C10;P45L20C22;P45L21C8;P45L21C25 吱 發明說明 /P23L7C15; P23L1GC19; P23L11C7; P23L13C21; P24L2C13 P24L12C9;P24L21C9;P26L16C11;P26L19C12;P26L19C25;P26L22C14 P27L14C5;P37L16C25 萘 發明說明 /P26L3C12; P34L3C10 苄 發明說明/P31L16C21;P31L17C12;P33L16C10;P33L16C30;P37L10C14 P43L6C6;P43L14C14;P43L15C2;P44L24C15;P45L4C26;P57L3C13 颯 發明說明/P31L21C3;P31L21C26;P31L22C19;P33L10C4;P33L10C27 P34L11C23;P36L3C21;P36L4C18 口比 發明說明 /P34L5C20; P43L6C19; P46L12C17 鏽 發明說明 /P34L5C28; P45L16C5; P45L16C14; P45L16C24; P46L12C19 吖 發明說明 /P39L7C15; P46L13C24 啉 發明說明 /P45L5C11; P57L3C29 蒽 發明說明 /P45L6C25; P45L7C11; P45L9C25; P45L19C3 醌 發明說明 /P45L6C26; P45L7C12; P45L10C1 1270555 中文造字申請單 專利名稱:聚合物之製造方法
中文字型 所使用欄位 口秦 發明說明 /P45L18C34; P46L14C4 噻 發明說明 /P46L12C4; P46L14C3 苷 發明說明/P46L13C21
TW092137107A 2003-02-25 2003-12-26 Method of manufacturing polymer TWI270555B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003047994 2003-02-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200420576A TW200420576A (en) 2004-10-16
TWI270555B true TWI270555B (en) 2007-01-11

Family

ID=32923280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092137107A TWI270555B (en) 2003-02-25 2003-12-26 Method of manufacturing polymer

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7081486B2 (zh)
EP (1) EP1598374A4 (zh)
JP (1) JP3957716B2 (zh)
KR (1) KR100570952B1 (zh)
CN (1) CN1298747C (zh)
AU (1) AU2003292837A1 (zh)
TW (1) TWI270555B (zh)
WO (1) WO2004076498A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187769A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Kansai Paint Co Ltd 重合体
TWI294431B (en) 2003-12-26 2008-03-11 Kansai Paint Co Ltd A polymer and method of manufacturing the same
JP4786865B2 (ja) * 2003-12-26 2011-10-05 関西ペイント株式会社 重合体膜および重合体膜の製造方法
JP4967655B2 (ja) * 2004-03-19 2012-07-04 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
US7416707B2 (en) * 2004-05-19 2008-08-26 Kansai Paint Co., Ltd. Polymerization reaction apparatus, and method of producing polymer using this apparatus
WO2007050704A2 (en) * 2005-10-25 2007-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Microstructure synthesis by flow lithography and polymerization
US20090046274A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Mchugh Mark A Light Scattering Methods and Systems Using Supercritical Fluid Solvents to Measure Polymer Molecular Weight and Molecular Weight Distribution
TWI394614B (zh) * 2008-08-07 2013-05-01 Univ Nat Sun Yat Sen 提升超臨界流體氧化力的方法
US8815971B2 (en) 2008-12-22 2014-08-26 ATRP Solutions, Inc. Control over controlled radical polymerization processes
US8822610B2 (en) 2008-12-22 2014-09-02 ATRP Solutions, Inc. Control over controlled radical polymerization processes
US9783628B2 (en) 2009-04-23 2017-10-10 ATRP Solutions, Inc. Dual-mechanism thickening agents for hydraulic fracturing fluids
FR2944982B1 (fr) * 2009-04-30 2011-10-14 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un substrat metallise,ledit substrat et ses utilisations
US9587064B2 (en) 2010-12-08 2017-03-07 ATRP Solutions, Inc. Salt-tolerant star macromolecules
CN104603189A (zh) * 2012-06-29 2015-05-06 聚合物Crc有限公司 用于修饰聚合物表面的方法
MX368683B (es) 2012-08-30 2019-10-11 Pilot Polymer Tech Inc Agentes espesantes de mecanismo dual para fluidos de fracturación hidráulica.
MX374990B (es) 2013-02-04 2025-03-06 Pilot Polymer Tech Inc Métodos para la elaboración de macromoléculas en forma de estrella tolerantes a las sales que comprende una pluralidad de brazos poliméricos.
CN103130969B (zh) * 2013-02-06 2015-04-15 上海维凯光电新材料有限公司 含氟聚合物微球
CN103145886B (zh) * 2013-02-06 2015-10-28 上海维凯光电新材料有限公司 以液态二氧化碳为介质的聚合物微球的制备方法
EP3164429A4 (en) 2014-07-03 2017-12-20 ATRP Solutions, Inc. Surfactant-compatible star macromolecules
KR102159221B1 (ko) * 2016-09-26 2020-09-23 주식회사 엘지화학 염화비닐계 중합체의 제조방법
EP3387931B1 (de) * 2017-04-10 2020-07-15 ARLANXEO Deutschland GmbH Vulkanisierbare zusammensetzung enthaltend hxnbr-latex und polyfunktionales epoxid
KR102009563B1 (ko) * 2017-08-08 2019-08-09 고려대학교 산학협력단 저온 유체 리소그래피 방법 및 저온 유체 리소그래피 시스템
JP7291460B2 (ja) * 2018-02-07 2023-06-15 株式会社ミマキエンジニアリング 放射線硬化型インク、積層物、放射線硬化型インクの製造方法
EP4174039A4 (en) * 2020-06-24 2024-03-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Resin composition, optical fiber, and method for producing optical fiber
CN115236936B (zh) * 2022-09-22 2022-12-06 之江实验室 一种飞秒激光固化交联的聚酰胺酸光刻胶及其制备方法、使用方法和应用

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2663483B2 (ja) * 1988-02-29 1997-10-15 勝 西川 レジストパターン形成方法
ES2042110T3 (es) * 1989-03-22 1993-12-01 Union Carbide Chemicals And Plastics Company, Inc. Composiciones precursoras para reavestimiento.
CA2064147A1 (en) * 1991-03-27 1992-09-28 Chinsoo Lee Chemical reaction suppression system
US5863612A (en) * 1992-03-27 1999-01-26 University North Carolina--Chapel Hill Method of making fluoropolymers
EP0638095B1 (en) 1992-03-27 2002-08-07 University Of North Carolina At Chapel Hill Method of making fluoropolymers
JPH07149721A (ja) 1993-10-05 1995-06-13 Mitsubishi Chem Corp ビスマレイミド化合物の精製方法
JPH08104830A (ja) 1994-10-03 1996-04-23 Nippon Paint Co Ltd 塗料用微粒子の製造方法
US5872157A (en) * 1996-01-30 1999-02-16 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method for olefin oxidation
US5814678A (en) * 1996-02-02 1998-09-29 University Technology Corp. Chemical reactions in water-in-carbon dioxide microemulsions and control thereof
US6103844A (en) 1998-06-08 2000-08-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polymerization of fluoromonomers in carbon dioxide
US6403672B1 (en) * 1998-11-30 2002-06-11 University Technology Corporation Preparation and use of photopolymerized microparticles
CA2317179A1 (en) 1999-09-01 2001-03-01 Affymetrix, Inc. Macromolecular arrays on polymeric brushes and methods for preparing the same
US6314225B1 (en) * 1999-11-23 2001-11-06 Corning Incorporated Halogen and perhalo-organo substituted N-phenyl (or biphenyl) maleimide
JP2001157802A (ja) 1999-12-03 2001-06-12 Toshiba Eng Co Ltd マンホール型水洗消泡装置
US6509138B2 (en) * 2000-01-12 2003-01-21 Semiconductor Research Corporation Solventless, resistless direct dielectric patterning
JP4411377B2 (ja) 2000-10-31 2010-02-10 日油株式会社 重合体の製造方法
JP3945982B2 (ja) 2000-11-13 2007-07-18 独立行政法人科学技術振興機構 ナノ構造機能体
JP4370390B2 (ja) * 2000-12-15 2009-11-25 国立大学法人神戸大学 超臨界炭酸ガス中での高分子微粒子の製造方法
JP2002270540A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP2002275205A (ja) * 2001-03-21 2002-09-25 Kawamura Inst Of Chem Res 表面に周期性の皺模様を有する樹脂成形物の製造方法
JP4477790B2 (ja) 2001-04-27 2010-06-09 花王株式会社 フッ化アルキル基含有重合体の製造方法
DE10136683A1 (de) * 2001-07-27 2003-02-13 Borealis Tech Oy Polymerisationsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung eines Polymerisationsverfahrens
JP3839726B2 (ja) * 2002-01-15 2006-11-01 日立マクセル株式会社 超臨界流体を用いた成形方法
US6749902B2 (en) * 2002-05-28 2004-06-15 Battelle Memorial Institute Methods for producing films using supercritical fluid

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040103900A (ko) 2004-12-09
WO2004076498A1 (ja) 2004-09-10
JP3957716B2 (ja) 2007-08-15
AU2003292837A8 (en) 2004-09-17
JPWO2004076498A1 (ja) 2006-06-01
CN1578791A (zh) 2005-02-09
KR100570952B1 (ko) 2006-04-13
US20050143481A1 (en) 2005-06-30
TW200420576A (en) 2004-10-16
EP1598374A1 (en) 2005-11-23
EP1598374A4 (en) 2008-04-02
AU2003292837A1 (en) 2004-09-17
CN1298747C (zh) 2007-02-07
US7081486B2 (en) 2006-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI270555B (en) Method of manufacturing polymer
Qiao et al. Ultrafast visible-light-induced ATRP in aqueous media with carbon quantum dots as the catalyst and its application for 3D printing
Cao et al. High-photosensitive resin for super-resolution direct-laser-writing based on photoinhibited polymerization
Jung et al. Designing with light: advanced 2D, 3D, and 4D materials
TWI294431B (en) A polymer and method of manufacturing the same
Gauci et al. Photochemically activated 3D printing inks: current status, challenges, and opportunities
TWI277626B (en) Photosensitive resin, resin composition, and cured article thereof
TW200916851A (en) Photosensitive coloring resin composition for color filter, color filter, liquid-crystal display device and organic EL display
TW201100955A (en) Photoresist composition
Thanneeru et al. Controllable self-assembly of amphiphilic tadpole-shaped polymer single-chain nanoparticles prepared through intrachain photo-cross-linking
TW420699B (en) Radiation-curable compound
JPWO2016199717A1 (ja) 架橋性粒子を含有する硬化性樹脂組成物
TW200811599A (en) Curable composition, cured object, color filter, and liquid-crystal display
Gungor et al. Photocleavage of covalently immobilized amphiphilic block copolymer: from bilayer to monolayer
Shen et al. Amphiphilic Copolymer-Based Multichannel Toolbox with Multistage Adjustable and Visualized Catalytic Properties
CN100429253C (zh) 聚合物及聚合物的制造方法
CN101048372B (zh) 硫醇化合物和使用该化合物的光敏组合物与黑色基质抗蚀剂组合物
JP2005187769A (ja) 重合体
TWI293636B (en) Polyurethane polymer having bisphenol group and photoimageable composition containing the same
Likhtenshtein Nitroxide-mediated polymerization
JP2020063344A (ja) 新規ブロックポリマー、樹脂組成物、およびシート
JP7716931B2 (ja) アルカリ可溶性樹脂の製造方法、及び感光性樹脂組成物
JP6991473B2 (ja) ピッカリング粒子及びその製造方法、並びに気体内包粒子
JP2005195964A (ja) 水分散型光重合性樹脂組成物及びそれを用いたドライフィルムレジスト
TWI297811B (en) Photosensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees