1246171 13747twf.doc/m 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 垃入二月T有關於一種承載器之晶片接觸窗口及 =開口與傳動孔製程，且特別是有關於一種可 ί ^(FleXlble)之軟片式承載器'㈣m carrier)的接觸 窗口及接合墊開口與傳動孔製程。 【先前技術】 隨著科技的進步與生活品質的持續提升，加上 3C產業的整合與持續成長，使得積體電路 circuit，IC)的應用領域越來越廣。為了使結構脆弱 的積體電路裸晶片(die)能受到有效的保護，並同時 使積體電路裸晶片能與外界相互傳遞訊號，才發展 出晶片封裝（package)技術。目前已經研發出的晶片 封裝技術眾多，以晶片接合技術來說，常見的晶片 接合技術為打線（Wire B0nding，W/B)、覆晶（FHp Chip， F/C)及捲帶式自動接合（Tape Am〇matic恥^^叫， TAB)等，其中捲帶式自動接合技術係將晶片接合於 一軟片式承載器上，而封裝完成後的封裝體不但體 積小、重量輕，且由於軟片本身具有可折彎的特性， 故可使得封裝體在後續組裝上更具有彈性。 圖1A〜1F緣示為習知之一種軟片式承載器之 晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製程。請參照 圖1A，首先，先提供一薄膜no與一黏著層12〇， 其中黏著層120係配置於薄膜11〇上。請參照圖1β， 接著，使用一沖壓模具（未繪示）對薄膜11〇與黏著 1246171 13747twf.doc/m 層120進行衝孔（Punch)，而產生一晶片接觸窗口 yo、多個預定之接合墊開口 132與多個傳動孔u 薄膜110及黏著層12〇係藉由這些傳動孔134而配 f於-輸达帶（未繪示）上，並藉由此輸送帶而帶 動溥膜110及黏著層120前進。 請芩照圖ic，接著，將一金屬層14〇配置於 ίΐ層120上，並藉由黏著層120之黏著性而將金 !層_接合於薄膜110 i ’其中這些預定之接合 開口 132係暴露出局部之金屬層14〇。請參昭圖 出，之後，形成多個軟性膠材（nex c〇at)i5^於 些預定之接合墊開口 132内’其中這些軟性膠材⑼ 係用以增加此軟片式承載器之折合性。請來昭 1E，然後’钱刻並圖案化金屬層14〇，使得這^ 定之接合墊開口 132所暴露之金屬層14〇可作^貝 3= 142。請參照® &接著，形成-金屬保 =160於稞露之金屬層14〇上，以防止裸露之全 屬層140接觸到外界空氣而氧化。之後，進 =測步驟，以確保薄膜11〇與金屬層14〇之= :外硯良好’而完成習知軟片式承載器之晶片：： 固口 130及接合墊開口 132與傳動孔134的製作。 值得注意的是，由於習知每一批' 針對不同晶片之尺寸規格與不同之：：： 人^s未繪不）而設計出對應的晶片接觸窗口及 =開口與傳動孔位置，而這些晶片接觸窗口及接 σ墊開口與傳動孔係利用沖壓模具對薄膜及黏著層 1246171 13747twf.d〇c/m 進行衝孔而形成。因此，對於不同晶片之尺寸規格 與不同之接點位置設計，則必須特別訂做並使用不 同規格的沖壓模具，然而，製作模具所需耗費的時 間、成本卻相當地高，如此，在生產少量多樣之軟 片式承載器時，將明顯大幅地增加了軟片式承載哭 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的製造成 【發明内容】 有鏗於此，本發明之目的就是在提供一種軟片 式承載杰之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製 程^其雷射成孔方法，可有效地節省軟片式承載^ 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的製造成 為達本發明之上述目的，本發明提出一種軟片 1承載器之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製 用於一捲帶自動接合(Tape Aut〇mated Bonding， 封裝體的製程技術’此軟片式承載器之 及接ί塾開口與傳動孔製程至少包含下列數 提供一薄膜。接著，藉由-雷射而 二#,於ί ί面上形成多個開σ，其中這些開口之 觸窗Η ί出一晶片，並作為此晶片的一晶片接 之：开心分之這些開口係作為至少-傳動孔。 口係美金屬層於此薄膜上’而其他之這些開 的多個接合墊的開口屬層，亚作為此金屬層之預定 1246171 13747twf.doc/m 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制^承裁器 在，供薄膜之後’更包括形成—黏著層腊其中 使得金屬層可藉由黏著層而接合於薄膜上。’、上， 依照本發明的較佳實施例所述之軟 、 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制承载為 將金屬層配置於薄膜上之方法包括—壓合衣製呈’其中 依照本發明的較佳實施例所述之軟 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔:。7載器 f形成金屬層於薄膜上之後，更包括圖案:匕：屬J中 其中延伸於晶片接觸窗口上之部分的金屏葛層， 引腳’且這些開口所暴露出局部全二^個 接合墊。 〈邊I屬層為多個 依照本發明的較佳實施例所述之軟片 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製程， 層於薄膜上之後，更包括形成多個軟性 膝材於預疋之這些接合墊的開口内。 注 依照本發明的較佳實施例所述之軟片 之，片舍觸窗口及接合墊開口與傳動孔製程 在提供薄膜之後，更包括形成多個成孔記號於^ i而S些開口係藉由雷射貫穿這些成孔記號與薄 為達本發明之上述目的，本發明另提出—種♦ 法’適用於將一薄膜穿孔，而此雷射成： /匕括以下之步驟：藉由一雷射而於薄膜之表面 1246171 13747twf.doc/m 上形成多個開口，其中〗古此 曰y 、，仏也/、甲纪些開口之一係適於暴露出 一曰日片’並作為此晶只沾 . H日〆、也 日月的—接觸窗口，而部分之這 t露出局部之預定的-金屬層’並作 為虫屬層之預疋的夕個接合墊開口，且其他之這些 開口係作為多個傳動孔。 依照本發明的較伟每& ^ 法，在形成這些開口之v更户i述之雷射成孔方 號於薄膜上’且料開μ孔記 記號與薄膜而形成係措由雷射貫穿這些成孔 窗口 本發明之軟片式承載器之晶片接觸 固及接合㈣σ與傳動孔製程及其雷射成孔方法 :?藉就可貫穿薄膜而形成晶片接觸窗口、 程，本發明軟片式二 程將毋須製作模具，故可有效：節 載器之晶侧窗口及接合塾開口 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優 it下了文特舉健實施例，並配合所_式·，作詳細 【實施方式】 片=it〜2E綠示為本發明較佳實施例之—種教 制：承載态之晶片接觸窗口及接合墊開口 =程。本發明軟片式承載器係適用於-捲 己（Tape Automated B〇nding，TAB)封裝體的製程技 1246171 13747twf.doc/m 術。請參照圖2A，首先，先提供一薄膜21〇，此薄 巧210的材質例如為聚乙醯胺（p〇lyimide)等。浐繼 績參照圖2A，接著，將一黏著層22〇配置於薄膜2⑺ 上。請參照圖2B ’之後，例如使用一雷射而於 210與黏著層220内形成多個開口，其中這些口 係貝穿薄m 21〇與黏著層220而形成一晶片接 口 230、多數個預定之接合墊開口 232以及多數 傳動孔234。晶片接觸窗口 23〇係適於暴露出一晶 片（未繪示）。這些預定之接合墊開口 232係適於^ 露^局部之預定的一金屬層（未緣示）。薄膜21〇^ 漆占Ϊ層220係可藉由這些傳動孔234而配置於一輸 (未繪示）上，並藉由此輸送帶而帶動薄膜2⑺ 及黏著層220前進。 、 凊參照圖2C，然後，形成一金屬層240於薄 膜210上’此金屬豸24〇乃是例如藉由黏著層 =合(laminate)於薄膜21()上，其中金屬層24 材貝例如為銅箱或其他金屬等。請參照圖2D，接 2多個軟性膠材（Flex CQat) 25G於這些預定之接 口開π 232内’其中這些軟性膠材25〇的材質包 括聚乙醯胺(P〇lyimide)’而這些軟性膠材25〇係 加此軟片式承載器之折合性。請參照圖2e，之 +刻金屬層240’使得這些預定之接合墊開口 232 路之金屬層240可作為多個接合墊242。至於 =金屬層240之製程步驟例如包括先以-化學研 1,1 c emical p〇llsh)製程而平坦化金屬層24〇之表 1246171 13747twf.doc/m 面，之後，塗佈光阻於金屬層240上、光阻曝光、 顯影、塗佈膠體並底面覆蓋（back coat)於薄膜210 上、以浸潰法將金屬層240浸泡於蝕刻液中而圖案 化金屬層240及去光阻等多道步驟（皆未繪示），在 此便不再贅述。值得一提的是，延伸於晶片接觸窗 口 230上之部分的金屬層240為多個引腳244，這 些引腳244可與一晶片之多數個凸塊（bonding pad) 電性連接（未繪示）。然後，例如進行一成品檢測步 驟，以確保薄膜210與金屬層240之圖案外觀良好， 以完成本發明軟片式承載器之晶片接觸窗口 230及 接合墊開口 232與傳動孔234的製作。 至於在製作完成本發明軟片式承載器之晶片接 觸窗口及接合墊開口與傳動孔之後的後續製程，更 包括下列之步驟。圖2F繪示為圖2E之軟片式承載 器，其金屬保護層形成於圖案化金屬層的結構示意 圖。請參照圖2F，接著，例如以一電鍍（plating)製 程而形成一金屬保護層260於金屬層240的圖案上， 以防止裸露之金屬層240接觸到外界空氣而氧化， 其中金屬保護層260之材質例如為錫等。圖2G繪 示為圖2F之軟片式承載器，其銲罩層（solder mask ) 形成於部分之金屬保護層上的結構示意圖。請參照 圖2G，接著，例如以一印刷（plating)製程而形成一 銲罩層（solder mask) 270於部分之金屬保護層260 上。圖2H繪示為圖2G之軟片式承載器，其金屬保 護層形成於未被銲罩層覆蓋之金屬保護層上的結構 11 1246171 13747twf.doc/m ΐ i ^請/12H ’接著，使用例如—電錢 二矛而形成—金屬保護層28〇於未被銲 保護層上，其中金屬保護層280之： =為錫等。之後，進行—成品檢測步驟，以確 /W寻膜210與金屬層24〇之圖案外觀良好。
圖3矣會示為本發明較佳實施狀一種軟片式承 态，，、具有多個成孔記號於薄膜上的示往 ^圖日 3,值得注意的是，本發明之另—軟片式; 戟杰之曰曰片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製程， ，可以在提供薄膜210之後，再於薄膜210上形成 夕個成孔記號212。接著，請參照圖2B，藉由雷射 貫穿這些成孔記號212、薄膜210及黏著層22〇田而 形成這些開口 230、232及234，至於其他步驟則盥 圖20、2〇、冗、2卜2(}及211所代表之步驟相同， 故在此便不再贅述。此外，本實施例軟片式承載哭 之晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔製程亦可二 一雷射而圍繞著這些成孔記號212之周圍而於薄膜 210上燒灼出這些開口 23〇、232及234，亦包含在 本發明之保護的範圍内。 3 值得注意的是，上述之雷射於薄膜21〇上烤灼 出多個開口 230、232及234的步驟（如圖2B所示°)， 未必要在提供薄膜210 (如圖2A所示）之後執行， 亦I以在圖2C、2E、2F、2G或2H的步驟之II才 進行’亦包含在本發明之保護的範圍内。此外，本 發明之軟片式承載器未必要藉由黏著層22〇才可將 12 1246171 13747twf.doc/m 至屬層240接合於薄膜2 1 〇上。 器之晶片接觸窗口及= = 雷射成孔方法將以—雷射傳動孔製程及其 動孔234,而毋須製作多種不 柊 2舁傳 大幅地減少製作這些不同規格之以=成=可 進而有效地節省製作軟片式承载哭：曰片 综上所述，由於本 由///Γ與傳動孔及其雷射成孔方： :、接合墊開口與傳動孔，故可符合少量、出多=固 〒性地製作軟片式承載器的需求，並可大幅地r ,,、 習:口製作軟片式承載器之晶片接觸窗：人 口與傳動孔所需之模具的成本。 0墊開 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然1 =艮定本發明，任何熟習此技藝者，在不 當可作些許之更動與潤飾，因此本發= 4耗圍§視後狀申請專·騎界定者為準。 ” 【圖式簡單說明】 晶月U 1F緣不為習知之一種軟片式承载器之 曰曰接觸自口及接合墊開口與傳動孔製程。 圖2A〜2E繪示為本發明較佳實施例之一種軟 13 1246171 13747twf.doc/m 與傳動孔 其金屬保 片式承載器之晶片接觸窗σ 製程。 及接合墊開1 圖邛繪示為圖2Ε之軟片式 濩層形成於圖案化之金屬層的社 圖2G繪示為圖2F之軟7不^、圖 ς ,Η 片式承载器，其銲罩芦 示意圖 圖2 Η繪不為圖2 G之教y斗、$私σΕ7 心孕人月式承載器，苴全眉 多士；你土从扣变口《 # ^ ^ ^ 構示意圖 圖3繪示為本發明較佳實施例之一種軟片式承 ，器，其具有多個成孔記號於薄膜上的示意圖。 【主要元件符號說明】 solder mask)形成於部分 ，、干卓層 意圖。 <孟屬保濩層上的結構 伴緣示為® 2G之軟片式承載器，其金屬 被銲罩層覆蓋之金屬保護層上的結 110 ••薄膜 120 黏著層 130 接觸窗口 132 接合墊開口 134 傳動孔 140 金屬層 142 接合塾 150 軟性膠材 160 金屬保護層 210 薄膜 212 成孔記號 220 黏著層 14 1246171 13747twf.doc/m 230 :晶片接觸窗口 232 :接合墊開口 234 :傳動孔 240 :金屬層 242 :接合墊 244 :引腳 250 :軟性膠材 260 :金屬保護層 270 :銲罩層 280 :金屬保護層 15