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TW201812245A - 用於干涉性地量測光學成像系統的成像品質之量測方法與量測系統 - Google Patents

用於干涉性地量測光學成像系統的成像品質之量測方法與量測系統 Download PDF

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TW201812245A
TW201812245A TW106122234A TW106122234A TW201812245A TW 201812245 A TW201812245 A TW 201812245A TW 106122234 A TW106122234 A TW 106122234A TW 106122234 A TW106122234 A TW 106122234A TW 201812245 A TW201812245 A TW 201812245A
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尤瑞奇 威格曼
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德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
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Abstract

本發明揭示一種用於以干涉性量測一光學成像系統的該成像品質之量測方法及量測系統，通過調適相關聯結構載體的量測結構之設計，來在一成像系統上執行一波前量測，其在一第一方向內具有一第一成像比例縮放β1以及在與該第一方向垂直的一第二方向內具有一第二成像比例縮放β2，該第二成像比例縮放與該第一成像比例縮放相差一比例縮放率(β1/β2)≠1(變形成像系統)。一第一結構載體上要配置在該成像系統的該物側上之一第一量測結構(MS1)具有一二維光罩結構，適合用來塑造量測輻射的該同調性。一第二結構載體上要配置在該成像系統的該成像側上之一第二量測結構(MS2)具有一繞射光柵。該第一和該第二量測結構考量到該比例縮放率而針對彼此加以調適，藉此借助於該變形成像系統，在將該第一量測結構(MS1)成像至該第二量測結構(MS2)上時生成一干涉圖案。

Description

用於干涉性地量測光學成像系統的成像品質之量測方法與量測系統
本發明係關於用於干涉性地量測光學成像系統的成像品質之量測方法與量測系統。
在技術與研究的許多領域中都會用到光學成像系統，而對於該成像系統的成像品質要求越來越嚴格。一個範例為半導體組件以及其他細微結構組件的微影蝕刻生產，其中借助於投影透鏡形式的光學成像系統，可生產次微米範圍下的結構。這種成像系統具備含有許多光學元件的複雜光學構造，這通常使得不可能從理論計算得出實際的光學特性。因此，成像系統的光學特性必須可靠地量測。
針對此目的通常使用干涉性量測方法。WO 2001/063233 A1(對應於US 2002/0001088 A1)中描述了以剪切(shearing)干涉儀的方式操作並且能夠快速、完全精確地量測極高解析度光微影投影透鏡的波前偵測裝置。在該裝置中，一光罩配置在該成像系統要量測的物體平面內，該光罩包括由石英玻璃製成的剛性、透明結構載體，例如其上通過適當塗覆鉻來套用二維物體圖案。用非同調光照明該光罩來進行量測。將設計為繞射光柵的參考圖案配置在成像系統的影像平面中。該物體圖案決定通過投影透 鏡的輻射同調性。在繞射光柵處由繞射所產生的波疊加會產生干涉圖形式的疊加圖案，其通過適當的(空間分辨)偵測器偵測並隨後進行評估。為了可從該干涉圖計算二維相位分佈，所以偵測許多具有不同相位角的干涉圖。
在微影蝕刻投影曝光方法中，使用承載要成像的結構圖案，例如半導體組件層的線條圖之光罩(倍縮光罩)。該圖案放置在一照明系統與一投影透鏡之間該投影透鏡物體平面區域內的一投影曝光設備內，並且用該照明系統提供的一照明輻射來照明。該圖案所改變的輻射當成投影輻射通過該投影透鏡，該透鏡將該圖案成像在要曝光並塗上輻射敏感層並表面位於該投影透鏡成像表面上的該基材上，該成像平面相對於該物體平面光學共軛。
為了可產生更細緻的結構，近年來已經發展出光學成像系統，其具有適度的數值孔徑並且通過從極紫外線範圍(EUV，extreme ultraviolet range)使用的電磁輻射之短波長，獲得高解析度能力，特別是在5nm至30nm範圍內的工作波長。由於對較高波長透明的已知光學材料會吸收短波長，因此來自極紫外線範圍的輻射無法借助於折射光學元件聚焦或導引。因此，反射鏡系統運用在EUV微影製程上。另外在EUV光微影蝕刻領域內，為了進一步提高具有更高成像側數值孔徑NA的投影系統所使用系統之解析能力，以便能生產更精細的結構，而做出努力。針對已知的成像比例β，如此物側數值孔徑NAO隨之增加。
對於較高孔徑EUV系統而言，窄頻帶光罩成為挑戰，因為它們的反射能力在較大的輻射入射角下會大大降低。因此，已經提出使用更大幅度縮小取代1：4(｜β｜=0.25)自定縮小成像比例縮放給微影光學系統。藉由範例，1：8(｜β｜=0.125)取代1：4(｜β｜=0.25)的成像比例縮放將該物側數值孔徑NAO減半，如此該照明輻射在該光罩上的入射角也減半。然而，此成像比例縮放(用於相同光罩大小)縮小暴露視野的大小，也降低了產出量(throughput)。
應已了解，當該物側數值孔徑增加，該物側主光束角度必須增加，這導致該光罩吸收體結構所造成的遮蔽(shading)效果以及該層傳輸的問題。尤其是，由於倍縮光罩塗層(參閱例如WO 2011/120821 A1)，可能會發生嚴重的變跡(apodization)效應。
對此WO 2012/034995 A2接著被提出，尤其是將EUV投影透鏡設計為變形投影透鏡。變形投影透鏡的特徵在於第一方向內的第一成像縮放比例與和該第一方向垂直的第二方向內之第二成像縮放比例有偏差。該偏差顯著超出製造公差所引起的偏差容許值。變形投影透鏡可例如用第一方向上大物側數值孔徑完整照明成像平面，而不必增加在該第一方向要成像的該倍縮光罩範圍，而不會減少投影曝光設備的產出量。更進一步，相較於在兩方向都具有一致成像比例縮放的系統，也可減少因為照明光線直角入射所造成的成像品質損失。
本發明實施例處理的問題之一在於提供一種用於干涉性地量測光學成像系統的成像品質之量測方法與量測系統，其能夠在變形成像系統量測期間以高精度進行量測。
為了解決此問題，本發明實施例提供具備如申請專利範圍第1項之特徵的量測方法。更進一步，提供具備如申請專利範圍第13項之特徵的量測系統。更進一步，提供一結構載體用於具備如申請專利範圍第15項之特徵的量測系統。在附屬申請項當中指定有利的發展。所有申請專利範圍的措詞都以引用方式併入說明書本文中。
該量測方法與該量測系統都用來量測一變形成像系統。變形成像系統之特徵在於在一第一方向內具有一第一成像比例縮放β1以及在與該第一方向垂直的一第二方向內具有一第二成像比例縮放β2，該第二成像比例縮放與該第一成像比例縮放相差一比例縮放率β1/β2≠1。考慮到該成像 比例縮放情況下的特殊特徵，是由於位在該第一結構載體上要配置在該光學成像系統物側上的該第一量測結構，以及位在該第二結構載體上要配置在該成像系統成像側上的該第二量測結構，在考慮了比例縮放率的情況下相互調整，使得在該第一量測結構成像時借助於該成像系統，在該第二量測結構上產生一干涉圖。
已經理解到，通過使用諸如用於量測具有均勻成像比例縮放的成像系統之傳統結構載體，實際上不能產生能夠良好評估的訊息。相較之下，考量到該比例縮放率的該量測結構之對應適應化，可產生能夠評估之干涉圖案。
該適應化可產生一低干擾干涉圖案。本說明書含意當中的低干擾干涉圖案為相對於該已使用信號位準具有相當低干擾信號位準之干涉圖案。如此，可提供能夠產生在評估所需的該已使用信號與干擾該評估的該干擾信號之間具備有利比率之干擾圖案的量測方法及量測信號。該已使用信號位準可高於該干擾信號位準例如至少20%或至少50%。若該已使用信號的位準高於該干擾信號的位準至少一個數量級，則在此有利的比率是存在的。在對於個別方向具有完全匹配成像比例縮放的設計以及該已使用信號來自1級繞射與0級繞射疊加之情況下，通常可以實現的是例如該已使用信號比該干擾信號高出至少一個數量級。與該比例縮放率精確匹配的量測結構之偏差也是可能的，並且可能是有利的。
已使用信號與干擾信號之間的有利比率促進錯誤較少的可靠評估，如此達成高精準度的量測。
第一和第二量測結構經過設計，使得通過剪切干涉量測法可以進行該光學成像系統的干涉量測。結果，由該光學成像系統產生的波前可用干涉量測方式偵測到，並且利用評估該干涉圖案，可以量化波前的計量確定形狀與波前的期望形狀之可能偏差。在此案例中，第一量測結構設計為二維光罩結構，其形成該量測輻射的同調性(coherence)，而該第二量測 結構則設計為一繞射光柵。對於量測過程，用非同調光照射要配置在該光學成像系統物側上的該二維光罩結構(第一量測結構)。該第一量測結構具有許多二維擴增區，每一個都當成許多緊靠在一起的點光源。通過調整將該照明光轉送至該光學成像系統的這些區域之大小，可塑造輻射到該光學成像系統內的該量測光之同調性。應針對尺寸與距離來設計要配置在該光學成像系統成像側上的該第二量測結構之結構元件，如此具有用於該量測輻射的繞射效應。如此涉及繞射第二量測結構。此配置可用來以量化方式確認該光學成像系統的射出光瞳內相隔點之間波前內的相位差。然後借助於該射出光瞳內許多支撐點，可以確定波前的可靠性。
為了達成盡可能不受干擾影響的量測結果，該二維光罩結構(第一量測結構)較佳調整以用於該繞射光柵(第二量測結構)，使得由該光罩結構所產生的一同調功能經過塑造，如此最佳具有用於該已使用信號的最高可能干擾對比(期望用於評估)，並且同時至少近似地實現了用於干擾信號的最低可能干擾對比。
在一個發展中，該第一量測結構與該第二量測結構在每種情況下在該第一方向與該第二方向內具有週期性，也就是說可用一對應週期長度特徵化。在此也可將這種量測結構設計成二維週期量測結構。至少該等量測結構之一者在該第一方向內具有一第一週期長度以及在該第二方向內具有一第二週期長度，該第二週期長度偏離該第一週期長度而不同。此偏差顯著超出製造公差所引起的偏差容許值。
兩週期長度較大者與週期長度的較小者間之比率可為例如在1.1至2.5的範圍內，特別是在1.5至2的範圍內。
該週期長度的絕對值可針對應用來調整。特別是在此案例中，該成像系統的所使用波長與所尋求的成像側數值孔徑NA都會影響設計。在某些具體實施例當中，該等週期長度可在0.1微米至100微米的範圍內。特別是在該第二量測結構的案例中，小於1微米的週期長度是有用的， 例如介於0.5微米與0.95微米之間。
可能的情況是，該第一量測結構在該第一量測方向和該第二方向上具有相同的週期長度，以及該第二量測結構在該第一方向上具有該第一週期長度並且在該第二方向上具有該第二週期長度，該第二週期長度相對於該第一週期長度，用顯著與該值1不同的係數(係數不等於1)擴增或縮減，其中該係數較佳對應於該等成像比例縮放的該比例縮放率。在此案例中，同樣用於量測系統內來量測非變形成像系統(在該第一與第二方向內具有一致成像比例縮放)的該等相同結構載體與量測結構，若合適的話可用於該第一量測結構及/或該第一結構載體。然後只需要對要配置在該成像側上的該第二結構載體進行調適。
另外可能的是，該第二量測結構在該第一方向和該第二方向上具有相同的週期長度，以及該第一量測結構在該第一方向上具有一第一週期長度並且在該第二方向上具有一第二週期長度，該第二週期長度相對於該第一週期長度，用不等於1的係數擴增或縮減，其中該係數較佳對應於該等成像比例縮放的該比例縮放率。在此案例中，如果適當，可以在該成像系統的該成像側上使用也可以用於非變形成像系統量測的相同第二結構載體，如此只在該第一結構載體的該物側上需要對變形成像系統的特殊特徵採取適應動作。
在某些具體實施例內，該等量測結構之一者具有一方格(checkered)圖案(兩方向內一致的週期長度彼此垂直)，並且其他量測結構具有菱形圖案，其具有不是直角的兩個內部角度。本文中的「菱形(rhombus)」一詞表示具有四邊等長的平面四邊形，對邊彼此平行並且對角的大小相等。「菱形」也可稱為「鑽石形」。
另一種可能作法由具有含方形單元交叉光柵圖案的該等量測結構以及具有非方形矩形圖案的其他量測結構之一者所構成。
另一種可能作法由該第一量測結構和該第二量測結構每一 者都具有多條彼此平行直線的線結構以及垂直於該等線的週期長度所構成，其中具有第一週期長度並針對該第一成像比例縮放的第一線結構加以調適以用於該第一方向內的第一量測，並且具有第二週期長度並針對該第二成像比例縮放的第二線結構加以調適以用於該第二方向內的第二量測，其中該第一週期長度與該第二週期長度不同。
該等第一和第二量測可依照任意順序在時間上依序執行。一專屬結構載體配對包括第一結構載體以及具有對應量測結構(線結構)的第二結構載體可用於每一個量測(第一量測與第二量測)。
在具有用於不同現場點的多個可同時使用量測通道之量測系統情況下(即在並行量測的情況下)，可以在第一方向上的一個或多個第一現場點上並且同時在第二方向上的其它現場點(一個或多個)上進行量測。
經證實，這種第一和第二結構載體或第一和第二量測結構的組合特別有用，因為因此產生的該等干擾圖案具有強大使用信號，同時具有低的干擾信號位準，並且可以作為結果來特別可靠地評估。
在這種設計情況內能夠達到的成果為干涉對比，而信號強度代表最佳情況。該最佳情況並不需要對應至該使用信號的最大值，因為對於二維情況，應該找到最大化所期望的使用信號和最大可能地抑制不想要的信號之間的平衡。不期望的干擾模式(干擾圖案)可來自於例如與0和+1階繞射不同的個別相互垂直方向之不同繞射階級之疊加，也就是說，來自該第二方向上階數與該第一方向上(例如對角方向)階數疊加之干擾圖案。
通過剪切干涉法所進行的量測產生干涉圖形式的疊加圖案。為了能夠從干涉圖計算出二維相位分佈，在較佳變化中，執行相移(phaseshift)操作，其涉及以不同的相位角生成和評估多個干涉圖案，其中相位角通過逐步或連續移動該第一結構載體，或通過往位移方向逐步或連續移動該第二結構載體來變化，並且該位移的相移曲線適應於往該位移方向的該第一量測結構或該第二量測結構之週期性。在該相移操作期間的該位移距 離通常是繞射光柵的光柵週期之部分(fraction)。
在使用具有複數個週期方向的二維繞射光柵之案例中，繞射光柵在彼此垂直於該光學成像系統參考軸線(例如光學軸)的橫向上運行之週期方向上移動。如果是為了確定一個影像方向上的干涉對比度，則較佳是通過具有或不具有移動方向反轉的相對快速光柵移動，來消除另一影像方向上的干涉對比度。為此，可以進行消光(extinction)操作，其通過具有或不具有移動方向反轉的繞射光柵之快速消光移動，來消除在不提供評估的方向(影像方向)上之干涉對比度，其中該消光移動的振幅係針對個別消光方向的該光柵週期加以適應。
通過使用線光柵(一維繞射光柵)，消光移動不是必需的，並且較佳也不提供。
本發明也關於用於光學量測一光學成像系統的量測系統，該量測系統適合執行該量測方法。該量測系統特別配置成在變形(anamorphic)成像系統上執行可靠的波前量測。
在許多情況下，提供用來量測非變形成像系統的傳統量測系統可經過轉換，來精確量測變形成像系統，而無相對較大複雜性，因為現在使用特別根據本發明示範具體實施例彼此調整的第一和第二結構載體，來代替直到此時所使用的該等結構載體(用於非變形成像系統的量測)。
因此，本發明的進一步態樣係關於提供一種結構載體組，其包括至少一個第一結構載體，該載體佈置在具有一第一量測結構的一成像系統之該物體表面區域中，並且包括至少一個第二結構載體，該載體佈置在具有一第二量測結構的該成像系統之一成像表面區域中。一結構載體組中已經指派給彼此的該等結構載體一起使用時，可在一變形成像系統上進行可靠的波前量測。
DET‧‧‧偵測器
EUV‧‧‧極紫外線範圍
IMF‧‧‧中間成像表面
IS‧‧‧成像平面
LQ‧‧‧單光源
LQ1-3‧‧‧光源
M1-M6‧‧‧反射鏡
MES‧‧‧量測系統
MLQ‧‧‧量測光源
MS1‧‧‧第一量測結構
MS2‧‧‧第二量測結構
OBJ1‧‧‧第一成像部分透鏡
OBJ2‧‧‧第二成像部分透鏡
OPT‧‧‧光束成形光學單元
OS‧‧‧物體平面
P1-1‧‧‧第一週期長度
P1-2‧‧‧第一週期長度
P2-1‧‧‧第二週期長度
P2-2‧‧‧第二週期長度
PF1‧‧‧第一光瞳表面
PF2‧‧‧進一步光瞳表面
PO‧‧‧投影透鏡
SC1‧‧‧第一結構載體
SC2‧‧‧第二結構載體
ST1‧‧‧第一固定裝置
ST2‧‧‧第二固定裝置
ST3‧‧‧第三固定裝置
Z1、Z2、Z3、Z4‧‧‧方形單元
β1‧‧‧成像比例縮放
β2‧‧‧成像比例縮放
底下參考圖式，解釋來自申請專利範圍以及本發明較佳示範具體實施例下列說明的本發明進一步優點與態樣。
圖1在用於EUV微影蝕刻的一變形投影透鏡干涉量測情況下，圖解顯示根據本發明一個示範具體實施例的一量測系統；圖2在圖2A內顯示具有方格圖的繞射光柵形式內一第二量測結構，在圖2B內顯示具有以菱形方式延伸的區域之一相關同調成形之第一量測結構；圖3在圖3A內顯示在具有菱形光柵單元的二維繞射光柵形式下之一第二量測結構，在圖3B內顯示由圖3A中該繞射光柵所產生的一繞射圖案，並且在圖3C內顯示該光瞳的x和y方向內對應至該x和y方向內不同繞射角度的不同量測方格；圖4圖解顯示交叉(cross)光柵結構形式下的量測結構；圖5圖解顯示提供用於量測一變形投影透鏡的一組結構載體中量測結構彼此協調的兩相關聯配對；圖6在圖6A和圖6B內顯示彼此分配的量測結構，用於具有類似於圖2的方格結構矩陣配置之並行量測配置；圖7圖解顯示在複數個量測通道中彼此分配用於並行量測的量測結構之一個示範具體實施例，其中該等量測結構具有以有不同取向之線圖案的鑲木地板方式佈置之方形單元；圖8圖解顯示相移期間的量測順序，其中以鑲木地板方式分配量測結構來量測不同的現場點；圖9顯示包括一第一結構載體的一量測系統，其中該載體對於該量測輻射具有用於反射量測的反射效應(反射)；以及圖10顯示設計在複數個現場點(field points)上並行量測的一量測系統。
圖1在圖解例示用於EUV微影蝕刻的變形投影透鏡PO之量測情況下，圖解顯示根據本發明一個示範具體實施例的一量測系統。該投影透鏡PO設計用於掃描器型(在此省略詳細說明)的一EUV微影蝕刻投影曝光設備。在生產操作期間，該EUV微影蝕刻投影曝光設備用來使用一反射光罩(倍縮光罩)的至少一個圖案影像，將配置在該投影透鏡PO的一成像平面IS區域內之一輻射敏感基材曝光(例如一半導體晶圓)，該圖案配置在該投影透鏡的一物體平面OS之區域內。為此，EUV微影蝕刻投影曝光設備還包括設置在該投影透鏡上游的一照明系統，該照明系統接收並形成來自主EUV輻射源的EUV輻射，並將成形輻射引導到該光罩上。
為了幫助了解說明，顯示直角xyz座標系統，如此揭露出圖內所例示組件的個別位置關係。該x軸(對應於該第二方向)垂直於圖1中繪示的平面，該y軸(對應於該第一方向)往右，z軸則往下。該物體平面OS和該成像平面IS都平行於該xy平面。在該投影曝光設備的生產操作期間，該光罩(倍縮光罩)和該基材在往該y軸方向(掃描方向)掃描操作期間，都同步或同時移動並完成掃描。
該投影透鏡PO為一光學成像系統，並且設置用於將配置在該投影透鏡的該物體平面OS內之該圖案縮小成像至相對於該物體平面光學共軛並與之平行的該成像平面IS上。在此案例中可為例如矩形或弓形彎曲的一物體場成像至相同形狀的一成像場內。在生產操作期間，此成像藉由圍繞工作波長的極紫外線範圍(EUV，extreme ultraviolet range)之電磁輻射來實現，該波長通常在5nm與30nm之間的範圍內，在範例情況下大約是13.5nm。
該投影透鏡PO具有總共六個反射鏡，以該光束路徑方向，從該物體場OF開始連續編號為M1(第一反射鏡)至M6(第六反射鏡)。該等反射鏡M1至M6具體用來反射EUV輻射，特別具有多層反射層，用於優 化對於入射EUV輻射(多層反射鏡)的反射。
第一光瞳表面PF1可為平面或曲面，位於該第二反射鏡M2與該第三反射鏡M3之間。一進一步光瞳表面PF2可類似為平面或曲面，位於該反射鏡M5與M6之間。再者，一中間成像表面IMF位於該第四反射鏡M4與該第五反射鏡M5之間。該中間成像表面IMF可為平面或曲面。如此，該等反射鏡M1至M4形成一第一(成像)部分透鏡OBJ1。該等反射鏡M5和M6形成一第二成像部分透鏡OBJ2。
該投影透鏡不具備所有反射鏡共用的一「傳統」光學軸。一參考軸垂直於該物體平面以及與之平行的該成像平面。該光學系統具有相對於該yz平面對稱之反射鏡。
此後說明一變形投影透鏡。因此在該投影透鏡的案例中，該成像比例縮放與方向有關。尤其是，情況為在所有現場點上都得不到等於1的恆定比例縮放。
在該中間成像表面IMF內產生該中間影像的該第一部分透鏡為一變形透鏡，即其變形成像。在將該中間影像成像至該成像平面的該第二部分透鏡同樣為一變形透鏡，即其變形成像。然而，可將該第二部分透鏡具體實施為非變形。
本發明涉及具有自由外型表面的一變形系統。該投影透鏡PO的每一反射鏡M1至M6或其反射表面都可具體實施為自由外型(freeform)表面，其無法用旋轉對稱功能來說明。在反射鏡具有一自由外型表面的案例中，該反射鏡表面在該x方向與該y方向內具有不同彎曲半徑，也就是說有散光。整體效果為一系統或子系統變形成像。該投影透鏡PO可包括複數個散光成像反射鏡，例如二個、三個、四個、五個或六個。
該投影透鏡PO在一第一方向(y方向)內具有一第一成像比例縮放β1，並且在一第二方向(x方向)內具有不同的一第二成像比例縮放β2。
該投影透鏡PO具體實施成在該掃描方向(y方向，第一方向) 內該成像比例縮放之絕對值小於與之垂直的該成像比例縮放之絕對值。因此，該系統在該掃描方向內具有比在該交叉掃描方向(x方向，第二方向)內更大的縮小效果。該掃描方向內該成像比例縮放的絕對值可為例如最多與其垂直大小的四分之三，尤其是最多三分之二、尤其是最多二分之一。
該投影透鏡PO可在該x方向(第二方向)內具有例如一成像比例縮放β2=0.25(第二成像比例縮放)，並且在該y方向(第一方向)內具有一成像比例縮放β1=0.125(第一成像比例縮放)。
該投影透鏡的基本設計可對應至例如WO 2012/034995 A2內該投影透鏡之一者。該文件的全部公開內容都併入本說明書的內容中。其他變形投影透鏡可進行類似量測。
圖1更進一步圖解顯示用於干涉性地量測該投影透鏡PO的成像品質之一量測系統MES的某些組件。該量測系統設計用於透過剪切干涉法來進行波前量測。
該量測系統包括具有一第一量測結構MS1的一第一結構載體SC1。該第一結構載體配置用於在該投影透鏡PO的該物側上執行量測，如此該第一量測結構MS1位於該投影透鏡的該物體平面OS之該區域內。該投影透鏡的該物側上之第一固定裝置ST1固定該第一結構載體，並且可讓該第一結構載體定位在所有三個空間方向(x、y和z方向)內。借助於該第一固定裝置ST1，若合適的話也可能執行與該物體平面平行的該第一結構載體之目標位移，例如在一相移操作的範疇內。更進一步，可以對該第一固定裝置進行設計，使得也有可能例如旋轉該第一結構載體來進行校準。
更進一步，提供一第二結構載體SC2，其用來在該投影透鏡的該成像側上執行量測，如此將由其所承載的該第二量測結構MS2配置在該成像平面IS(相對於該物體平面OS光學共軛)的該區域內。該物側第一量測結構MS1和該成像側第二量測結構MS2彼此適配或彼此協調，如此借助於該投影透鏡PO，在將該第一量測結構成像至該第二量測結構上時生成干 涉圖案或干涉圖形式的疊加圖案。
該量測系統包括一偵測器DET，用於二維內該干涉圖案的空間解析偵測。為此，該偵測器可具有一CCD晶片，其上具有二維擴增敏感區域。該偵測器安置在該第二量測結構MS2的下游，如此該干涉圖案入射在該偵測器的該二維擴增敏感區域上，並且可由該偵測器所偵測。用於評估該疊加圖案的一評估裝置(未例示)係連接至該偵測器。
該成像側第二結構載體SC2由一第二固定裝置ST2所固定，如此該第二量測結構MS2位於該投影透鏡的該成像平面之區域內。該第二固定裝置允許該第二結構載體定位在該三個空間方向內(x、y和z方向)。在相移操作範疇內可提供在該x-y平面內的受控制置換。藉由與該z方向平行的置換，可改變該第二量測結構MS2與該偵測器DET之間的距離，例如以便在該偵測器上設定該光瞳尺寸。如此可設定該偵測器的該CCD晶片上波前之掃描。
在其中於複數個現場點上同時執行量測的並行量測技術案例中(請參閱圖10)，因此可選擇性設定該個別波前的一高現場掃描(其上可同時偵測到該波前的現場點數)或一高空間解析度。在此案例中，應遵循的邊界條件是干涉圖案或干涉圖在偵測器的偵測區域中不重疊。
該量測系統更進一步包括一第三固定裝置ST3，其設置為使得該投影透鏡成像側上的整個感測器配置，也就是說特別是該第二結構載體SC2和該偵測器DET以及該第二固定裝置ST2，可在所有三個空間方向(x、y和z方向)上整體移位，並且若合適，也可以圍繞旋轉軸旋轉或樞轉，例如用於校準的目的。結果，可偵測到例如不完美真實光柵或該感測器組件不完美調整所產生的誤差貢獻。本文中應考慮到例如由於該結構化、層厚度以及材料屬性的3D效應，而生成影響該量測的一真實光柵之誤差貢獻，即使該光柵在幾何上完美(理想)。
該量測系統MES還包括一量測光源MLQ，其僅在圖1中圖 解例示，並且設置用於在預定義量測波長範圍上照射具有不同調量測輻射的該第一量測結構MS1。在該範例的案例中，由對於該量測輻射來說透明的材料來生產該第一結構載體SC1，如此該第一結構載體SC1可進行透射操作。在範例案例中，使用來自該可視波長範圍或紫外線波長範圍的量測輻射。如此在生產操作期間，使用與該EUV輻射不同波長範圍產生的該量測輻射。
另外，也可量測反射，其中量測光在一反射結構載體的該第一量測結構上反射。一個具備反射量測的量測系統範例顯示於圖9內。
其他具體實施例設計成在提供用於透射內或反射內生產操作的該工作波長上執行量測(光化量測系統)。
在該範例的案例中，該第一量測結構MS1設計為二維光罩結構，其形成該量測輻射的同調性，而該第二量測結構MS2則設計為一繞射光柵。對於量測過程，用非同調光照射要配置在該光學成像系統物側上的該二維光罩結構(第一量測結構MS1)。該第一量測結構具有許多二維擴增區，每一個都當成許多緊靠在一起用於量測輻射的點光源。通過調整將該量測輻射轉送至該光學成像系統(投影透鏡)的這些區域之形狀與大小，可塑造輻射到該光學成像系統內的該量測光之同調性。因此該第一量測結構也稱為「同調性光罩」。二維區域的典型橫向尺寸可在大於該量測輻射的十個波長到該量測輻射的幾千個波長之範圍內。最佳值尤其取決於所使用的比例縮放和光柵週期。
該成像側第二量測結構的光柵週期或週期長度依次由波長和期望的光瞳解析度(用於掃描光瞳的支持點)或投影透鏡的該NA決定。因此，尺寸設計尤其依賴於應用情況。週期長度可在例如0.1微米至100微米的範圍內。
應針對尺寸與距離來設計要配置在該光學成像系統成像側上的該第二量測結構MS2之結構元件，如此具有用於該量測輻射的繞射效 應。如此涉及繞射第二量測結構，例如以繞射光柵的形式。此配置可用來以量化方式確認該光學成像系統或相位梯度的射出光瞳內相隔點之間波前內的相位差。然後借助於該射出光瞳內許多支撐點，可以確定波前的可靠性。特別是在該第二量測結構的案例中，小於1微米的週期長度在EUV應用當中是有用的。一般而言，該設計將實施成在該光瞳中產生至少10個支撐點。針對偵測高階波前像差，顯著比此支撐點還要高的數量可能有利，例如下限為20至50到上限為500至1000的範圍。
在通過剪切干涉法量測波前的情況下，由該成像平面內，即繞射光柵(第二量測結構MS2)的位置上，該物側第一量測結構MS1(光罩結構)所產生的該同調函數應以要採用當成評估基準的該已使用信號之最大干擾對比度以及同時用於干擾信號之最小干擾對比度最佳化大致上設定之方式進行設計。在具有均勻成像比例縮放(垂直於參考軸的所有方向上之成像比例縮放都一致)的先前常規光學成像系統之情況下，經常產生在彼此垂直於的方向上一致之光罩和光柵結構配對，像是例如，具有精確正方形的方格圖案，或週期方向是正交並且週期是一致的一般結構，例如線光柵。
經發現，物側和成像側結構載體或量測結構的這種配對不適合或僅適合有限的變形成像系統範圍。因此，提出了以偏離先前規定的方式，相對於該不均勻成像比例縮放，調適物側和成像側結構的配對。尤其是從有關該成像平面內該同調分佈的考量，產生適當的調適。該光罩結構(第一量測結構)在該成像平面中產生同調分佈，在剪切干涉儀中該同調分佈決定了在疊加時，哪個繞射等級可以彼此干涉，並且因此同時決定所產生的該干擾圖案之干擾對比度。影響干擾對比度的第二個因素係由疊加的波之幅度決定。在光柵剪切干涉儀的情況下，該幅度特別由佈置在該成像平面中的該剪切光柵(第二量測結構)之繞射效率產生。
下面以舉例方式說明根據應用和實現可能性可以考慮的一些方法，沒有明確描述的變型同樣可行。
在第一和第二結構載體的一類組合中，該成像平面中該繞射光柵的光柵結構，也就是說第二量測結構MS2，旨在彼此垂直的方向上具有相同的週期(x和y方向，或第二和第一方向)。藉由範例，在該成像平面上該剪切干涉儀的該繞射光柵可為方格圖案。然後該物側第一量測結構MS1，也就是說該物體平面內的該光罩，應根據各方向內不同的成像比例縮放來調適。然後應該沿著個別方向，用不等於1的係數擴增或縮減用於這種繞射光柵的「大約匹配光柵結構」。
在這方面，圖2以範例方式顯示提供用於量測變形投影透鏡的一組結構載體中兩個相關聯的量測結構(彼此協調)，在該第二成像比例縮放(x方向)是該第一成像比例縮放(y方向)幅度的兩倍之情況下，存在2的比例縮放率。
圖2A以具有方格圖案和方形場的繞射光柵形式圖解顯示一第二量測結構MS2。在該量測組態中，該繞射光柵坐落在該投影透鏡的該成像平面內。該等方形場定向成使得方形場的對角線平行於x方向或y方向。在此案例中，與該y方向(第一方向)平行量測的該第一週期長度P1-2對應於與該第二方向(x方向)平行存在的該第二週期長度P2-2。
圖2B圖解顯示一第一量測結構MS1，其為了該第二量測結構MS2加以調適並且在該量測組態中位於該投影透鏡的該物體平面內，並且設計當成同調光罩。該亮場旨在對量測輻射而言透明的二維擴增區域賦予特徵，而該暗場則對量測輻射不透射的區域賦予特徵。根據在彼此垂直方向內(第一方向和第二方向)不等的成像比例縮放，該第一量測結構MS1在該第一方向與該第二方向內具有不同幅度的週期長度。在比例縮放率2：1的示範案例中，與該x方向平行的該第二週期長度P2-1對應至該第二量測結構MS2的該週期長度P2-2。然而在與之垂直的該第一方向(y方向)內，該第一量測結構MS1以關於該成像側第二量測結構MS2的該係數2(對應至該比例縮放率)擴增，如此該第一量測結構MS1的該等場之每一者都具有 菱形或鑽石形狀。在此案例中，與該第一方向平行量測的該第一週期長度P1-1對應至該第二量測結構MS2的對應週期長度P1-2之兩倍，也就是說條件P1-1=MV．P1-2為真。
可達成的結果為，儘管該偏離成像比例縮放在彼此正交的方向上，不過還是可產生能夠適當評估的一干擾圖案(在已使用信號與干擾信號之間具有高比率)，該干擾圖案可藉由該偵測器DET偵測並後續進行評估。
量測結構的相反配對也可行。藉由範例，該物體平面內的該光罩結構，也就是說該第一量測結構MS1，在x與y方向內具有相同週期性，如此該物體圖案可設置成例如像是圖2A內內的方格圖案。然後要裝在該成像側上的該第二量測結構MS2應該根據該軸向比例縮放來調適，如此產生菱形圖案。然後在圖2A和圖2B內，應該互換光罩結構(該物側上的第一量測結構)和光柵結構(該成像側上的第二量測結構)的指派。
針對具有不同光柵週期的該(成像側)第二量測結構MS2之案例(未例示)，應該考慮到如此不會等距(也就是說方格)掃描該投影透鏡的該射出光瞳。相反，在這種情況下掃描發生在矩形網格中(參見圖3C)。若合適，這可用於將該支撐點密度提整為橢圓形光瞳。
為了闡明，圖3在圖3A內顯示具有菱形光柵單元的二維繞射光柵形式之第二量測結構MS2之示意圖，也就是說，在彼此正交的方向上具有不同的週期長度。這種繞射光柵可用於產生非等距的量測網格，其適合於例如用於橢圓形光瞳的波形量測。圖3B圖解顯示由來自圖3A中該繞射光柵所產生的一繞射圖案，其中在彼此正交的方向內，繞射階之間的距離不同。在此案例中，繞射階之間相對小的距離關聯於其中存在較大週期長度的方向。在此案例中，關聯於該等繞射階的該等繞射角度對應至該剪切干涉儀的該等剪切角度。根據x和y方向內不同的繞射角度，會在x和y方向內產生不同的量測網格。因此在該範例的案例中，產生矩形網格， 如圖3C內所示。圖3C內也圖解例示該橢圓形光瞳。如此儘管在彼此正交的方向內有不同直徑的光瞳，還是可在每一方向內產生相同數量的支撐點，如此簡化評估過程。
圖4圖解顯示交叉光柵結構形式下的其他量測結構。在此案例中，圖4A顯示在x和y方向內具有相同光柵週期(週期長度P1-2)的規律交叉光柵光罩。圖4B顯示往該x方向拉伸所產生的對應結構，其中該x方向內的該週期長度(P1-1)為與之垂直的該y方向內該週期長度P2-2之幅度的兩倍。
此時參考圖5，解釋借助於量測結構，其具有含個別定向週期長度的線結構之量測。
在此案例中，在該物側上使用(同調成形)線光罩形式的第一量測結構，並且在該成像側上使用線繞射光柵形式的第二量測結構。量測結構可具有單線結構或具有不同屬性(例如具有不同定向)的線結構之複數個區域。在此案例中，線結構具有彼此平行的多條直線，並且形成週期性圖案，其可由垂直於該等線(以及該等線寬)所量測的週期性長度來表徵。沒有更多的線穿過這些線，使得其線之具有已知定向的線結構僅在單一方向內具有同調成形或繞射效果。
一個特殊特徵是對於要量測的每個方向使用物側(第一)量測結構和成像側(第二)量測結構的專屬配對。圖5A和圖5B圖解顯示在該第一方向(y方向)內彼此指定用於量測的該量測結構，而圖5C和圖5D則顯示在該第二方向(x方向)內彼此指定用於量測的該量測結構。在每一案例中，來自圖5A和圖5C例示在左手邊上的該等結構都用於該成像側(第二量測結構)上，而來自圖5B和圖5D例示在右側上的該等線結構則顯示使用於該物側上的該第一量測結構。因此，在個別右側小圖(圖5B和圖5D)內分別顯示該同調成形線光罩，而在左側小圖(圖5A和圖5C)內例示分別相關聯的線繞射光柵。
對於用於決定該第一方向(y方向)內波前梯度的一第一量測，將來自圖5A的該第二量測結構MS2配置在該成像平面內，該第二量測結構在y方向上具有該週期性長度P1-2。來自圖5B的該相關聯第一量測結構MS1配置在該物體平面內。後者的特徵在於該週期長度P1-1，這在該範例的案例中為該成像側上該線光柵的該週期長度P1-2幅度的兩倍。針對該第一量測，該等兩結構載體都移動進入對應的量測位置，並且使用剪切干涉法來決定在該對應第一方向內的該波前梯度。
之後，為了偵測與該第一方向正交的該第二方向(x方向)內之該波前梯度，將物側第一結構載體與成像側第二結構載體的一第二配對帶往該量測位置。在該範例的案例中，來自圖5C的該線繞射光柵配置在該成像平面內，並且來自圖5D的該線光罩配置在該物體平面內。在該範例的案例中，兩量測結構在該第二方向內都具有相同週期長度P2-2。可理解地，根據彼此正交的該等方向之不同成像比例縮放，來調適個別方向的該光柵光罩配對。
在不同的變化實施例中，可以以這樣的方式對兩個方向進行適應，即如在所述的範例之案例中，存在具有不同週期和線方向的量測結構，但是該成像平面內該成像側繞射光柵(線光柵)旋轉90°。例如，如果該成像側繞射光柵僅具有一個定向的線，則可以提供，例如在全區域線光柵的情況下。
在使用線結構的變型中，在這方面的量測可以簡化方式進行，因為不需要用於抑制來自其他方向的干擾之消光動作。然而，當更換該結構載體並且在該物側光罩和該成像側光柵區域的移動期間，必須遵守這些機器精度關於行進距離和旋轉之非常嚴格的要求，以及該結構載體的基材平整度。
以上已經基於單個量測通道或單個現場點的波前量測範例，來描述一些原理和配置可能性。另外包括可以同時使用的複數個量測 通道之量測系統(參見圖10)，以便同時對不同現場點執行量測(並行量測)。上述原理可適用於這種並行量測配置。
藉由範例，圖6顯示彼此指派的量測結構，用於具有類似於圖2的方格結構之並行量測配置。圖6A顯示安裝在第一結構載體上第一量測結構MS1的一個範例，其具有對應於圖2B的4×3菱形扭曲方格圖案之矩陣排列，其中該第一方向(y方向)上的週期長度是與其垂直的該第二方向(x方向)內週期長度之2倍。圖6B顯示提供於要配置在該成像平面內該第二結構載體上的該相關聯第二量測結構MS2。針對十二個量測通道中之每一者，提供了具有以方格圖案方式作用於二維內一繞射光柵之專用方形單元(貼片)。要配置在該成像側的該繞射光柵也可由連續圖案組成，然後僅對應至該相應現場點的特定區域用於複數個量測通道的並行量測當中。
剪切干涉法的該並行量測技術也可與線光罩(第一量測結構)和線繞射光柵(第二量測結構)結合使用。圖7圖解顯示對應的量測結構。圖7A顯示設置用於同調成形的一第一量測結構MS1，該第一量測結構將配置用於該成像系統的該物體平面內之量測，而圖7B顯示具有一繞射效應用於該量測輻射的一第二量測結構MS2，該第二量測結構將配置在該成像平面內。在該範例的案例中，該等量測結構的每一者都具有多個方形單元，這些單元的部分結構(線結構)具有不同屬性。該第一和第二量測結構可用類似於在第一和第二方向上具有交替線定向之週期配置單元的長條鑲木地板之方式來設置。
在圖7A中該物側第一光罩結構MS1的案例中，該結構當成一同調成形結構，在各個方形單元中提供具有用於兩比例縮放方向(第一方向和第二方向)的不同週期性之線。在圖7B中該已指派繞射光柵的案例中，在該範例的案例中提供具有用於該等兩方向的一致週期性之線。該等兩方向(第一方向和第二方向)對應至該剪切干涉儀的該剪切方向。在該第一量測結構MS1的案例中，提供用於在y方向(第一方向)上量測的那些方形 單元Z2、Z3等，在該方向上具有一週期長度P1-1，而在對應至該投影透鏡的比例縮放率之方式中，該長度為提供用於在該第二方向(x方向)上量測的那些方形單元Z1、Z4等當中，該週期長度P2-1幅度之兩倍。具有其線圖案不同的正交定向之單元分別在第一方向和第二方向上交替。
參考圖8示意性地說明了在不同方向上進行相移操作的該量測之一個可能順序。圖8A至圖8D顯示四個不同的相移操作，其中來自圖7A的該同調成形物側第一量測結構MS1在該第一方向或該第二方向(箭頭方向)上移動或移位，而該繞射成像側第二量測結構MS2在每種情況下都保持靜止。在單元(cell)Z1至Z4的幫助之下，相對於四個相應配置的現場點來量測該波前。這些點可例如大約相對於該等單元置中放置。
在第一量測步驟中(圖8A)，在該x方向上執行適當相移；因此在指派給現場點的該等單元Z1和Z4中出現該x方向內的導數(derivations)。在第二量測步驟中(圖8B)，在與之垂直的該y方向(第一方向)上執行適當相移；因此在該等單元Z2和Z3的幫助之下出現該y方向內的導數。在第三量測步驟中(圖8C)，該物側第一量測結構相對於該第一和第二量測步驟的該等位置，在該x方向(或y方向)上偏移一個單元。在此位置內，在該第二方向(x方向)上執行適當相移；如此在該等單元Z2和Z3的幫助之下出現該第二方向內的導數，從此導數可衍生出此方向內的該波前梯度。在第四量測步驟中(圖8D)，相較於該第一和第二量測步驟，該第一量測結構偏移一個單元。在此量測步驟中，在該第一方向上執行適當相移；因此在該等單元Z1和Z4中(或用於該相關聯現場點)出現此方向內的導數。在進行了這四個量測步驟之後，將為所有現場點或所有量測通道註冊兩個方向所需的資訊，如此可從這兩個方向的波前梯度重建該波前。
這裡所考慮單元Z1至Z4的2×2群組(對應於四個現場點)僅是來自具有許多單元的矩陣當中一個子群組。該等單元通過更遠光柵網格/現場點網格的組合之位移也使得可以偵測該繞射光柵的局部誤差貢獻， 這可以由光柵位置(光柵校準)中的局部差異引起。這也可適用於該物側量測結構。
圖10圖解顯示兩個包括可以同時使用的複數個量測通道之量測系統範例，以便同時對不同現場點執行量測(並行量測)。關於圖1所示該量測系統的結構差異，主要存在用於光罩照明的該照明光學單元之情況下，也就是說在用於產生該量測輻射和用於將該量測輻射輻射到該物側第一結構載體SC1上的該等裝置之案例中。圖10A的變型顯示具有單光源LQ和光束成形光學單元OPT的照明系統，其照亮待量測的整個場，並且因此用來自相同光源的該量測輻射同時量測多個量測通道。圖10B的替代變型顯示具有多個光源LQ1、LQ2、LQ3等的照明系統，其具有各自的專用下游光束成形光學單元OPT1等，其中指派單光源和光束成形光學單元給每個量測通道。
即使本發明已基於特定具體實施例進行說明，但眾多變化例和替代具體實施例對熟習此項技術者顯而易見，例如藉由個別具體實施例之特徵之組合及/或更換。據此，對於熟習此項技術者不言而喻，這樣的變化例和替代具體實施例由本發明同時涵蓋，而且本發明之範疇僅受限在所附申請專利範圍和其該等相等物之意義內。

Claims (16)

  1. 一種用於干涉性地量測一光學成像系統(PO)的該成像品質之量測方法，其中該系統用於將配置在該成像系統的一物體表面內之一圖案成像到該成像系統的一成像表面內，該方法包括以下步驟：將具有一第一量測結構(MS1)的一第一結構載體(SC1)配置在該成像系統的該物體表面(OS)之該區域內，其中該第一量測結構具有一二維光罩結構，其適合用來塑造量測輻射的同調性；將具有一第二量測結構(MS2)的一第二結構載體(SC2)配置在該成像系統的該成像表面(IS)之該區域內，其中該第二量測結構具有一繞射光柵；使用量測輻射照明該第一量測結構；將該第一量測結構成像至該第二量測結構上，以便產生一干涉圖案；以一空間解析方式偵測該干涉圖案；從該干涉圖案確認描述該成像系統的該成像品質之至少一個成像參數，其中量測一變形成像系統(PO)，其在一第一方向內具有一第一成像比例縮放β 1以及在與該第一方向垂直的一第二方向內具有一第二成像比例縮放β 2，該第二成像比例縮放與該第一成像比例縮放相差一比例縮放率(β 1/β 2)，該比例縮放率(β 1/β 2)不等於1，其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)考量到該比例縮放率而針對彼此加以調適，藉此借助於該成像系統，在將該第一量測結構(MS1)成像至該第二量測結構(MS2)上時生成一干涉圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之量測方法，其中該二維光罩結構針對該繞射光 柵加以調適，使得由該光罩結構所產生的一同調功能經過塑造，如此一低干擾干涉圖案具有用於已使用信號的高可能干擾對比，並且同時實現了用於該等干擾信號的低可能干擾對比，其中該等已使用信號的位準較佳高於該等干擾信號的位準至少20%或至少50%，尤其是高於至少一個數量級。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之量測方法，其中該第一量結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)在該第一方向上與該第二方向上具有週期性，其中至少該等量測結構之一者在該第一方向內具有一第一週期長度(P1)，以及在該第二方向內具有不同於該第一週期長度的一第二週期長度(P2)。
  4. 如申請專利範圍第3項之量測方法，其中該等兩週期長度(P1或P2)的較大者與該等兩週期長度(P2或P1)的較小者間之比率可在1.1至2.5的範圍內，尤其是在1.5至2的範圍內。
  5. 如上述申請專利範圍任一項之量測方法，其中該第一量測結構(MS1)在該第一方向和該第二方向上具有相同的週期長度，以及該第二量測結構(MS2)在該第一方向上具有一第一週期長度(P1-2)並且在該第二方向上具有一第二週期長度(P2-2)，該第二週期長度相對於該第一週期長度(P1-2)，用不等於1的係數擴增或縮減，其中該係數較佳對應於該等成像比例縮放的該比例縮放率，或其中該第二量測結構(MS2)在該第一方向和該第二方向上具有相同的週期長度，以及該第一量測結構(MS1)在該第一方向上具有一第一週期長度P1-2並且在該第二方向上具有一第二週期長度P2-2，該第二週期長度相對於該第一週期長度P1-2，用不等於1的係數擴增或縮減，其中該係數較佳對應於該等成像比例縮放的該比例縮放率。
  6. 如上述申請專利範圍任一項之量測方法，其中該等量測結構(MS1,MS2)之一者為一方格圖案，並且該其他量測結構(MS2,MS1)為一菱形圖案。
  7. 如申請專利範圍第1至5項任一項之量測方法，其中該等量測結構(MS1,MS2)之一者為具有方格單元的一交叉光柵圖案，並且該其他量測結構(MS2,MS1)為非方形矩形圖案。
  8. 如申請專利範圍第1至5項任一項之量測方法，其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)之每一者都具有多條彼此平行直線的線結構以及垂直於該等線所量測的週期長度所構成，其中具有第一週期長度並針對該第一成像比例縮放的第一線結構加以調適以用於該第一方向內的第一量測，並且具有第二週期長度並針對該第二成像比例縮放的第二線結構加以調適以用於該第二方向內的第二量測，其中該第一週期長度與該第二週期長度不同。
  9. 如申請專利範圍第8項之量測方法，其中該第一量測與該第二量測在時間上連續執行，其中一專屬結構載體由一第一結構載體(SC1)和一第二結構載體(SC2)，該第一結構載體(SC1)和該第二結構載體(SC2)針對該專屬結構載體加以調適，該專屬結構載體配對具有對應量測結構用於該等量測之每一者。
  10. 如上述申請專利範圍任一項之量測方法，其中執行一並行量測，而其中用可同時使用的複數個量測通道，來執行不同現場點的量測。
  11. 如上述申請專利範圍任一項之量測方法，其中執行一相移操作，其涉 及在不同相位角上生成和評估複數個疊加圖案，其中該等相位角通過逐步或連續移動該物體測第一結構載體(SC1)來變化，或通過往位移方向逐步或連續移動該成像側第二結構載體(SC2)來變化，並且該位移的相移曲線適應於往該位移方向的該第一量測結構(MS1)或該第二量測結構(MS2)之週期性。
  12. 如上述申請專利範圍任一項之量測方法，其中執行一消光操作，其通過具有或不具有移動方向反轉的繞射光柵之快速消光移動，來消除在不提供評估的方向(影像方向)上之干涉對比度，並且該消光移動的振幅係針對個別消光方向的光柵週期加以適應。
  13. 一種用於干涉性地量測一光學成像系統(PO)之量測系統(MES)，其中該系統用於將配置在該成像系統的一物體表面(OS)內之一圖案成像到該成像系統的一成像表面(IS)內，該系統包括：一第一結構載體(SC1)，其配置在具有一第一量測結構(MS1)的該成像系統之該物側上，其中該第一量測結構具有一二維光罩結構，適合用來塑造量測輻射的該同調性；一第二結構載體(SC2)，其配置在具有一第二量測結構(MS2)的該成像系統之該成像側上，其中該第二量測結構具有一繞射光柵；其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)針對彼此加以調適，藉此借助於該成像系統，在將該第一量測結構成像至該第二量測結構上時生成一干涉圖案；以及一偵測器(DET)，用於以一空間解析方式偵測該干涉圖案；其中該量測系統設置用來量測一變形成像系統(PO)，其在一第一方向內具有一第一成像比例縮放β 1以及在與該第一方向垂直的一第二方向內 具有一第二成像比例縮放β 2，該第二成像比例縮放與該第一成像比例縮放相差一比例縮放率(β 1/β 2)，該比例縮放率(β 1/β 2)不等於1，其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)考量到該比例縮放率而針對彼此加以調適，藉此借助於該成像系統，在將該第一量測結構(MS1)成像至該第二量測結構(MS2)上時生成一干涉圖案。
  14. 如申請專利範圍第13項之量測系統，其中根據至少如申請專利範圍第2至9項任一項的該特性化部分之該等特徵，來設計該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)，及/或其中該量測系統設置用來執行如申請專利範圍第1至13項任一項之量測方法。
  15. 一種用於一量測系統內以光學方式量測一光學成像系統之結構載體組，其包括：一第一結構載體(SC1)，其配置在具有一第一量測結構(MS1)的該成像系統之該物側上，其中該第一量測結構具有一二維光罩結構，適合用來塑造量測輻射的該同調性；一第二結構載體(SC2)，其配置在具有一第二量測結構(MS2)的該成像系統之該成像側上，其中該第二量測結構具有一繞射光柵；其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)針對彼此加以調適，藉此借助於該成像系統，在將該第一量測結構成像至該第二量測結構上時生成一干涉圖案；以及一偵測器，用於以一空間解析方式偵測該干涉圖案；其中該量測系統設置用來量測一變形成像系統(PO)，其在一第一方向內具有一第一成像比例縮放β 1以及在與該第一方向垂直的一第二方向內具有一第二成像比例縮放β 2，該第二成像比例縮放與該第一成像比例 縮放相差一比例縮放率(β 1/β 2)，該比例縮放率(β 1/β 2)不等於1，其中該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)考量到該比例縮放率而針對彼此加以調適，藉此借助於該成像系統，在將該第一量測結構(MS1)成像至該第二量測結構(MS2)上時生成一干涉圖案。
  16. 如申請專利範圍第15項之結構載體，其中根據至少如申請專利範圍第2至9項任一項的該特性化部分之該等特徵，來設計該第一量測結構(MS1)和該第二量測結構(MS2)。
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