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TW201812063A - 強磁性材濺鍍靶 - Google Patents

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TW201812063A
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Abstract

本發明提供一種能夠避免濺鍍時產生微粒之含有BN的強磁性材濺鍍靶。該濺鍍靶含有1~30at.%的B和1~30at.%的N，並且具有包括含有強磁性金屬的金屬相和非磁性材料相的結構，通過X射線繞射法分析該結構所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。

Description

強磁性材濺鍍靶
本發明係涉及一種適合磁記錄介質中磁性薄膜的形成的強磁性材濺鍍靶。
在以硬碟驅動器為代表的磁記錄的領域，作為負責記錄的磁性薄膜的材料，使用以強磁性金屬的Co、Fe或Ni為基材的材料。例如，在採用平面內磁記錄方式的硬碟的記錄層中，使用以Co為主要成分的Co-Cr系、Co-Cr-Pt系的強磁性合金。另外，在近年實用化採用垂直磁記錄方式的硬碟的記錄層中，大多使用在以Co為主要成分的Co-Cr-Pt系的強磁性合金中分散氧化物、碳等非磁性粒子的複合材料。從高生產率出發，大多使用DC磁控濺鍍裝置濺鍍成分為上述材料的濺鍍靶來製作磁性薄膜。
另一方面，硬碟的記錄密度逐年急劇增大，現在，正在銷售容量超過1Tbit/in2的硬碟。當記錄密度達到1Tbit/in2時，記錄位元(bit)的尺寸低於10nm，在這種情況下，可預計熱波動導致的超順磁性化成為問題，而現在使用的磁記錄介質的材料，例如在Co-Cr基合金中添加Pt來提高晶體磁各向異性的材料，預計尚存在不足。這是由於，以10nm以下的尺寸穩定地具有強磁性並振動的磁性粒子，需要具備更高的晶體磁各向異性。
根據上述的理由，作為超高密度記錄介質用材料，具有L10結構的Fe-Pt磁性相引人注目。具有L10結構的Fe-Pt磁性相有高的晶體磁各向異性，同時耐腐蝕性、耐氧化性優良，因此可期待其是適合應用於磁記錄介質的材料。而且，在使用Fe-Pt磁性相作為超高密度記錄介質用材料的情況下，要求開發使有序的Fe-Pt磁性粒子在磁性隔離的狀態下盡可能高密度地取向一致並分散的技術。
由於如上情況，提出了將用氧化物、氮化物、碳化物、碳等非磁性材料隔離具有L10結構的Fe-Pt磁性相的粒狀結構磁性薄膜，用於採用熱輔助磁記錄方式的下一代硬碟的磁記錄介質。該粒狀結構磁性薄膜，成為磁性粒子彼此因非磁性物質介於它們之間而磁絕緣的結構。
作為非磁性材料已知六方晶系BN(硼和氮的化合物)，但是燒結性很差。因此，存在將燒結體加工成靶時出現破裂、碎屑等不良情況，成品率降低等問題。另外，當密度低時靶中產生大量的空隙，該空隙成為異常放電的原因，存在在濺鍍中產生微粒(附著在基板上的異物)，降低製品成品率的問題。
WO2014/065201號(專利文獻1)中揭露了由於作為非磁性材料的六方晶系BN具有二維的晶體結構，因此在燒結體中，該六方晶系BN的結晶取向隨機時，會給導電造成影響，成為產生異常放電等，使濺鍍不穩定的原因。而且，該文獻揭露了在含有BN的Fe-Pt系燒結體濺鍍靶中，通過改善六方晶系BN的取向性，能夠避免濺鍍中的異常放電，具有能夠降低所產生之微粒的量的優良效果。
另外，WO2014/045744號(專利文獻2)中揭露了通過使非磁性材料的六方晶系BN粒子與SiO2粒子一同分散在Fe-Pt系的母材金屬中，能夠製造高密度的濺鍍靶。另外，這樣製作的濺鍍靶，能夠使微粒的產生非常少，能夠提高成膜時的成品率。
[先前技術文獻]
專利文獻
專利文獻1：WO2014/065201號
專利文獻2：WO2014/045744號
如此，針對作為在強磁性材濺鍍靶中添加BN導致的副作用的微粒的問題提出了幾種改善方法，但是對於含有BN的強磁性材濺鍍靶而言，提 供其他的用於減少微粒方法，在擴展本技術領域的未來的技術開發的可能性方面是有用的。
因此，本發明將提供能夠避免濺鍍時產生微粒之含有BN的強磁性材濺鍍靶作為一個技術問題。另外，本發明將提供這類含有BN的強磁性材濺鍍靶的製造方法作為另一個技術問題。
發明人為瞭解決上述技術問題進行了深刻的研究，結果發現以往慣用的六方晶系BN(以下，也稱作“h-BN”)價格便宜，並且具有容易用車床等加工的優點，但是從減少微粒的觀點出發，使強磁性材濺鍍靶中含有立方晶系BN(以下，也稱作“c-BN”)是有效的。並非意圖通過理論限定本發明，但是將分散在強磁性金屬中的c-BN粒子與h-BN粒子進行比較，BN粒子內難以產生裂紋，BN粒子的一部分在濺鍍過程中脫粒的可能性變低，可認為微粒的產生量降低。本發明基於所述知識而完成，在下文中列舉。
〔1〕一種濺鍍靶，其中，含有1~30at.%的B和1~30at.%的N，具有含有Fe-Pt系合金相和非磁性材料相的結構，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
〔2〕如〔1〕所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔4〕如〔1〕~〔3〕中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO2。
〔5〕一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有從Fe粉、Pt粉以及Pt-Fe合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1~30at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
〔6〕如〔5〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔7〕如〔5〕或〔6〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO2。
〔8〕一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用〔1〕~〔4〕中任一項所述的濺鍍靶。
〔9〕一種濺鍍靶，其中，含有1~40at.%的B和1~30at.%的N，具有含有Co-Pt系合金相和非磁性材料相的結構，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
〔10〕如〔9〕所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
〔11〕如〔9〕或〔10〕所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔12〕如〔9〕~〔11〕中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO2。
〔13〕一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有從Co粉、Pt粉以及Pt-Co合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1~40at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
〔14〕如〔13〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔15〕如〔13〕或〔14〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO2。
〔16〕一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用〔9〕~〔12〕中任一項所述的濺鍍靶。
〔17〕一種濺鍍靶，其中，含有1~40at.%的B和1~30at.%的N，具有含有金屬相和非磁性材料相的結構，該金屬相含有強磁性金屬，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
〔18〕如〔17〕所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
〔19〕如〔17〕或〔18〕所述的濺鍍靶，其中，含有強磁性金屬的金屬相含有Pt。
〔20〕如〔17〕或〔18〕所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有50at.%以下。
〔21〕如〔19〕所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔22〕如〔17〕~〔21〕中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO2。
〔23〕一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有強磁性金屬以及c-BN的混合粉，以使混合粉中含有1~40at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
〔24〕如〔23〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有從強磁性金屬粉、Pt粉以及含有強磁性金屬粉和Pt的合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉。
〔25〕如〔23〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有50at.%以下。
〔26〕如〔23〕或〔24〕所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
〔27〕如〔23〕~〔26〕中任一項所述的濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO2。
〔28〕一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用〔17〕~〔22〕中任一項所述的濺鍍靶。
通過使用本發明所涉及之含有BN的強磁性材濺鍍靶進行濺鍍，能夠避免濺鍍時微粒的產生。通過使用本發明所涉及的濺鍍靶，例如得到以下特別的效果：能夠改善具有Fe-Pt磁性相、Co-Pt磁性相和/或Ni-Pt磁性相的粒狀結構的磁性薄膜的製造成品率。
圖1是實施例1-1之斷面結構的雷射顯微鏡照片。
圖2是比較例1-1之斷面結構的雷射顯微鏡照片。
圖3是實施例2-1之斷面結構的雷射顯微鏡照片。
(含有強磁性金屬的金屬相)
本發明所涉及的濺鍍靶在一實施方式中，具有在含有強磁性金屬的金屬相中分散有非磁性材料相的結構。該金屬相不僅有單一組成，也可以存在組成不同的兩種以上的金屬相。該金屬相還可以是合金相。因此，本發明所涉及的濺鍍靶在另一實施方式中，具有在含有強磁性金屬和Pt的合金相中分散有非磁性材料相的結構。含有強磁性金屬和Pt的合金是指，含有一種或兩種 以上的強磁性金屬和Pt的合金，也可以含有任意的其他合金元素。合金相不僅有單一組成，也可以存在組成不同的兩種以上的合金相。強磁性金屬，除了Fe、Co以及Ni以外，包括稀土類金屬的Gd、Tb、Dy、Ho、Er以及Tm等。
含有強磁性金屬的金屬相在一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：從Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計為20at.%(原子數百分比)以下，剩餘部分為一種或兩種以上的強磁性金屬以及不可避免的雜質。含有強磁性金屬和Pt的合金相在另一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：Pt為5~60at.%，剩餘部分為一種或兩種以上的強磁性金屬以及不可避免的雜質。另外，含有強磁性金屬和Pt的合金相在又一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：Pt為5~60at.%，從Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計為20at.%以下，剩餘部分為一種或兩種以上的強磁性金屬以及不可避免的雜質。另外，含有強磁性金屬和Pt的合金相在又一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：Pt為5~60at.%，從Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計為20at.%以下，剩餘部分為從Fe、Co以及Ni構成的群組中選擇的一種或兩種以上的強磁性金屬以及不可避免的雜質。另外，含有強磁性金屬和Pt的合金相在又一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：Pt為5~60at.%，從Ge、Au、Ag、B、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計為20at.%以下，剩餘部分為Fe以及不可避免的雜質。另外，含有強磁性金屬和Pt的合金相在又一方式中，能夠具有如下元素構成的組成：Pt為5~60at.%，從Ge、Au、Ag、B、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計為20at.%以下，剩餘部分為Co以及不可避免的雜質。
在含有強磁性金屬和Pt的合金相能夠在濺鍍靶的結構中形成磁性相的情況下，從容易獲取有序合金相的形態的觀點出發，含有強磁性金屬和Pt的合金相中的Pt的原子濃度較佳為35at.%以上，更佳為40at.%以上，還更佳 為45at.%以上。另外，基於同樣的理由，在強磁性金屬-Pt系合金相中Pt佔據的原子濃度較佳為55at.%以下，更佳為53at.%以下，還更佳為52at.%以下。
但是，在不需要有序合金相的情況下，能夠更寬泛地設置Pt的含有量。此時，含有強磁性金屬的金屬相，不含有Pt也可以，例如能夠含有0~60at.%，典型地能夠含有5~60at%。
在Fe-Pt系合金相能夠在濺鍍靶的結構中形成磁性相的情況下，從容易獲取有序合金相的形態的觀點出發，Fe-Pt系合金相中的Pt的原子濃度較佳為35at.%以上，更佳為40at.%以上，還更佳為45at.%以上。另外，基於同樣的理由，Fe-Pt系合金相中Pt佔據的原子濃度較佳為55at.%以下，更佳為53at.%以下，還更佳為52at.%以下。
在Co-Pt系合金相能夠在濺鍍靶的結構中形成磁性相的情況下，從容易獲取晶體磁各向異性高的六方最密堆積結構的形態的觀點出發，合金相中的Pt的原子濃度較佳為5at.%以上，更佳為7at.%以上，還更佳為10at.%以上。另外，基於同樣的理由，Co-Pt系合金相中Pt佔據的原子濃度較佳為40at.%以下，更佳為30at.%以下，還更佳為25at.%以下。
另外，Ge、Au、Ag、B、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn，有降低用於使含有強磁性金屬和Pt的合金相有序的熱處理溫度的效果，另外，還能有除此之外的效果，例如，增大晶體磁各向異性能、矯頑磁力的效果，因此可以積極地添加。從故意地發揮該效果的觀點出發，含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中包含的這些第三元素的含有量，較佳合計為1at.%以上，更佳合計為2.5at.%以上，還更佳合計為5at.%以上。另外，從濺鍍時充分地得到作為磁性薄膜的磁特性的觀點出發，含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中包含的這些第三元素的含有量，較佳合計為20at.%以下，更佳合計為15at.%以下，還更佳合計為10at.%以下。
但是，濺鍍靶在不含有Pt的情況下主要用作磁性薄膜的基底層，因此不具有磁性的濺鍍靶在薄膜特性上更容易適應多種情況，也存在要求較多地添加第三元素從而使合金為非磁性的情況。因此，濺鍍靶，在不含有Pt 的情況下，這些第三元素合計能夠為60at.%以下，典型地能夠為50at.%以下，更典型地能夠為40at.%以下。
需要說明的是，這些第三元素，不僅有存在於在於含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中的情況，而且還能夠作為單一相，與含有強磁性金屬和Pt的合金相分別地存在。使用EPMA等繪製元素分佈圖，能夠判斷第三元素是存在於含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中，還是作為單一相而存在。
在這些第三元素存在於含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中的情況以及作為單一相而存在的情況之這兩種情況下，濺鍍靶中的這些第三元素的合計含有量(但是，刨除B。如下文所述作為氮化物添加B，因此另行規定。)，基於與上文同樣的理由，較佳為0.5at.%以上，更佳為2at.%以上，還更佳為4at.%以上。另外，濺鍍靶中的這些第三元素的合計含有量，基於與上文同樣的理由，在濺鍍靶含有Pt的情況下，較佳為15at.%以下，更佳為12.5at.%以下，還更佳為10at.%以下。另外，在濺鍍靶不含有Pt的情況下，濺鍍靶中的這些第三元素的合計含有量，基於與上文同樣的理由，能夠為50at.%以下，典型地能夠為40at.%以下，更典型地能夠為30at.%。
由本發明所涉及的濺鍍靶製作的磁性薄膜，是通過非磁性粒子使磁性相彼此間的磁相互作用絕緣的結構，因此可期待良好的磁特性。含有強磁性金屬的金屬相，典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相的含有比例(體積比)，只要在能夠維持磁記錄介質所要求的特性的範圍內即可，沒有特別的限制，但是從有效地發揮使磁相互作用絕緣的作用的觀點出發，濺鍍靶中較佳為90vol.%以下，更佳為80vol.%以下，還更佳為75vol.%以下。另一方面，當含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相的含有比例變少，非磁性材料的比例增大時，靶的導電性降低，不僅難以進行DC濺鍍，還成為產生微粒的根源。因此，從確保生產率的觀點出發，含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相的含有比例在濺鍍靶中較佳為40vol.%以上，更佳為50vol.%以上，還更佳為60vol.%以上。
在本發明中，根據濺鍍靶的濺鍍面中含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相的面積比，能夠求出濺鍍靶中含有強 磁性金屬的金屬相，典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相的含有比例(體積比)。以下，說明含有強磁性金屬的金屬相的含有比例(體積比)的測量步驟。使用序號從P80到P2000的研磨砂紙依次研磨濺鍍靶的濺鍍面，最後使用粒徑0.3μm的氧化鋁研磨顆粒進行拋光研磨，從而得到研磨後的濺鍍面。濺鍍面是指與被濺鍍的面平行的所有的面。例如在一般的圓盤狀靶中，與面內方向水平的面是濺鍍面。對於該研磨後的濺鍍面，使用EPMA(電子束顯微分析儀)按照以下的條件繪製元素分佈圖，調查含有強磁性金屬的金屬相的面積比例的平均值。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，在不同的觀測視野獲取多張256×256像素數(1點的測量時間為1msec)的元素分佈圖圖像。在元素分佈圖中，對於特定的元素，得到與X射線檢測強度對應的單色顯示或彩色顯示的圖像。這裡，使用EPMA附帶的解析功能，將X射線強度圖轉換成質量濃度圖。使用測量各元素的標準樣品而準備的將X射線檢測強度與元素濃度建立關聯的標準曲線(線性函數)，進行該轉換。然後使用轉換的質量濃度圖，求出含有強磁性金屬的金屬相的面積比例的平均值。然後，視為平均面積比=體積比，得到濺鍍靶中含有強磁性金屬的金屬相的含有比例(體積比)。
需要說明的是，這裡利用了在均勻地分散的相的平均面積比與體積比之間有上述的關係式成立(新家光雄編著：3D材料結構特性解析的基礎和應用，附錄A1項，內田老鶴圃，2014.6)。
(非磁性材料相)
本發明所涉及的濺鍍靶在一實施方式中，含有1~40at.%的B和1~30at.%的N，使用X射線繞射法對該濺鍍靶的結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。這裡，B以及N的原子數濃度是以構成濺鍍靶的所有成分為基礎的原子濃度。B以及N，典型地作為一種非磁性材料的氮化硼(BN)，以分散在含有強磁性金屬的金屬相、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金相中的狀態存在。X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰是指，在濺鍍靶的結構中存在c-BN。由於c-BN以分散在含有強磁性金屬的金屬相中的狀態存在，因此裂紋難以裂到BN粒子內，BN粒子的一部分在濺鍍過程中脫粒的可能性降低，因此可認為微粒的產生量減少。
將濺鍍靶中的B的濃度的下限值設為1at.%的理由是，為了使作為含有B的化合物的BN發揮非磁性材料的作用，這是必須的最低量。B較佳為5at.%以上，更佳為10at.%以上。另外，將濺鍍靶中的B的濃度的上限值設為40at.%的理由是，避免相對於非磁性材料相，含有強磁性金屬的金屬相的比例變小，而濺鍍膜的磁特性降低。B較佳為30at.%以下，更佳為25at.%以下，還更佳為20at.%以下。
將濺鍍靶中N的濃度的下限值設為1at.%的理由是，為了使作為含有N的化合物的BN發揮非磁性材料的作用，這是必要的最低量。N較佳為5at.%以上，更佳為10at.%以上。另外，將濺鍍靶中N的濃度的上限值設為30at.%的理由是，避免相對於非磁性材料相，含有強磁性金屬的金屬相的比例變小，而濺鍍膜的磁特性降低。B較佳為25at.%以下，更佳為20at.%以下。
雖然作為BN不是完全不能使用h-BN，但是從減小微粒產生量的觀點出發，較佳盡可能使用c-BN。
在本發明中，使用X射線繞射法對濺鍍靶的結構進行分析的方法如下。
分析裝置：X射線繞射裝置(在實施例中使用株式會社理學公司(株式會社リガク)製造的(全自動水準型多用途X射線繞射裝置SmartLab))
真空管：Cu(用CuKα進行測量)
管電壓：40kV
管電流：30mA
光學系統：聚焦型繞射光學系統
掃描模式：2θ/θ
掃描範圍(2θ)：10°~90°
測量步長(2θ)：0.02°
掃描速度(2θ)：每分鐘0.5°
附件：標準附件
濾光器：CuKβ濾光器
計數器單色儀：無
計數器：D/teX Ultra
發散狹縫：2/3deg.
發散縱狹縫：10.0mm
散射狹縫：10.0mm
受光狹縫：10.0mm
衰減器：OPEN
h-BN的繞射峰表示最強的角度(2θ)：26.7°(002)
c-BN的繞射峰表示最強的角度(2θ)：43.3°(111)
測量樣品尺寸：約20mm×15mm(測量面)
將濺鍍靶的濺鍍面作為XRD的測量面，實施分析。另外，使用序號從P80到P2000的研磨砂紙依次研磨測量面，最後使用粒徑0.3μm的氧化鋁研磨顆粒進行拋光研磨。在實施例中使用株式會社理學公司製造的綜合粉末X射線解析軟體PDXL(版本1.6.0.0)，對得到的XRD圖譜實施解析。這裡，對得到的測量資料，實施自動圖譜處理的峰值搜索，算出峰位置和積分強度。
在峰值搜索中，對測量資料依次實施除去背景，除去Kα2，平滑化後，通過二階微分法檢測出峰值。在二階微分法的處理中，將峰的強度相對於誤差不夠大的這種峰廢棄而未予檢出。另外，峰形狀用分峰擬Voigt函數表示，能夠算出峰位置、半值寬度、積分強度等。
在以下示出峰值搜索中的各處理的方法和條件。
除去背景：使用多項式擬合的方法(峰寬度閾值1.00，強度閾值10.00)
除去Kα2：Rachinger法(強度比0.5)
平滑化：B樣條的平滑化方法(平滑化參數10.00，點數3，x閾值1.5)
根據峰值搜索的結果，調查在上述的h-BN以及c-BN的繞射峰表現出最強的角度的±0.5°的範圍內有無峰。當各範圍內存在繞射峰頂時，判斷為有來自各BN晶體的繞射峰。
這裡，在存在h-BN和c-BN兩者的繞射峰的情況下，由各自的積分強度求出其比例(c-BN的積分強度)/(h-BN的積分強度)，該值為2.0以上是本發明的較佳方式，為2.5以上是本發明更佳的方式，為3.0以上是本發明還更佳的方式。雖然沒有必要特意設置上限，但是在單獨使用c-BN的情況下由於h-BN的積分強度為0，因此該積分強度比被定義為∞(無窮大)。
本發明所涉及的濺鍍靶在一實施方式中，除了BN以外，能夠含有從碳、碳化物、氧化物以及氮化物構成的群組中選擇的至少一種或兩種以上作為非磁性材料。非磁性材料在濺鍍靶中，可作為能夠與含有強磁性金屬的金屬相區分開的非磁性材料相而分散地存在。作為碳化物的示例，可列舉從B、Ca、Nb、Si、Ta、Ti、W以及Zr構成的群組中選擇的元素的一種或兩種以上的碳化物。作為氧化物的示例，可列舉從Si、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn以及Zr構成的群組中選擇的元素的一種或兩種以上的氧化物。在氧化物中，SiO2對濺鍍靶的高密度化的促進效果較大，因此較佳添加SiO2。作為氮化物的示例，可列舉從Al、Ca、Nb、Si、Ta、Ti以及Zr構成的群組中選擇的元素的一種或兩種以上的氮化物。可以根據需要的磁性薄膜的磁特性，適當地添加這些非磁性材料。
(製法)
本發明所涉及的濺鍍靶，能夠使用粉末燒結法，例如，按照以下的方法製作。首先，作為金屬粉，準備強磁性金屬粉(例：Fe粉、Co粉、Ni粉、強磁性金屬的合金粉)、Pt粉、含有強磁性金屬和Pt的合金粉、任意的第三元素的粉末等。可以以強磁性金屬和/或Pt的合金粉末的形態提供第三元素的粉末。可以將熔融鑄造的錠粉碎來製作這些金屬粉，也可以作為霧化粉來製作這些金屬粉。
另外，作為非磁性材料的粉末，準備c-BN粉、碳粉、碳化物粉、c-BN粉以外的氮化物粉、氧化物粉等。此時，從減少微粒的觀點出發，較佳 混配的BN粉的50質量%以上為c-BN粉，更佳70質量%以上為c-BN粉，還更佳90質量%以上為c-BN粉，進一步較佳100質量%為c-BN粉。關於非磁性材料中的碳粉，雖然有石墨、奈米管之類的具有晶體結構的碳粉，和以炭黑為代表的非晶的碳粉，但是能夠使用任何碳粉。另外，在使用上述SiO2粉的情況下，較佳使用石英或非晶。在使用方石英作為SiO2粉的情況下，在250℃下發生α-β相變，引起體積變化，其結果是，在SiO2自身中產生了成為異常放電的原因的微裂紋，因此非較佳。
接著，稱量原料粉(金屬粉以及非磁性材料粉)以成為所需的組成，使用球磨等公知的手法進行粉碎兼混合。此時，較佳在粉碎容器內密封充入惰性氣體以盡可能地避免原料粉的氧化。作為惰性氣體，可列舉Ar氣、N2氣。此時，為了實現均勻的結構，較佳粉碎到原料混合粉的中值直徑(D50)為20μm以下，更佳粉碎到為10μm以下，還更佳粉碎到為5μm以下。另外，基於防止粉末氧化的理由，粉碎後的混合粉的中值直徑(D50)較佳為0.3μm以上，更佳為0.5μm以上，還更佳為1.0μm以上。
在本發明中，原料混合粉的中值直徑是指，根據雷射繞射散射法求出的細微性分佈中以體積值為基準的累計為50%(D50)的粒徑。在實施例中，使用HORIBA公司製造的型號LA-920的細微性分佈測量裝置，使粉末分散在乙醇的溶劑中進行測量。折射率使用金屬鈷的值。
使用熱壓法在真空氣氛或惰性氣體氣氛下，對如此得到的原料混合粉進行成形燒結。另外，除所述熱壓法以外，也能夠使用等離子體放電燒結法等各種加壓燒結方法。特別地，熱均壓燒結法(HIP)在提高燒結體的密度上有效，從提高燒結體的密度的觀點出發，較佳依次實施熱壓法和熱均壓燒結法。
燒結時的保溫溫度關係著含有強磁性金屬的金屬、典型地含有強磁性金屬和Pt的合金的組成，為了不讓c-BN分解、變質，燒結時的保溫溫度較佳為1300℃以下，更佳為1150℃以下，還更佳為1050℃以下。另外，為了避免燒結體的密度降低，燒結時的保溫溫度較佳為650℃以上，更佳為700℃以上，還更佳為750℃以上。
為了促進燒結，燒結時的按壓力較佳為20MPa以上，更佳為25MPa以上，還更佳為30MPa以上。另外，考慮模具的強度，燒結時的按壓力較佳為70MPa以下，更佳為50MPa以下，還更佳為40MPa以下。
為了提高燒結體的密度，燒結時間較佳為0.3小時以上，更佳為0.5小時以上，還更佳為1.0小時以上。另外，為了防止晶粒的粗大化，燒結時間較佳為3.0小時以下，更佳為2.0小時以下，還更佳為1.5小時以下。
通過使用車床等將得到的燒結體加工成形為所需的形狀，能夠製作本發明所涉及的濺鍍靶。靶形狀沒有特別的限制，例如可列舉平板狀(包含圓盤狀、矩形板狀)以及圓筒狀。本發明所涉及的濺鍍靶，作為粒狀結構磁性薄膜的成膜中使用的濺鍍靶特別有用。
(實施例)
以下與比較例一起示出了本發明的實施例，但是提供這些實施例是為了更好地理解本發明及其優點，不意在限定本發明。
<<1.含有強磁性金屬和Pt的合金相為Fe-Pt系合金相的情況>>
<濺鍍靶的製作>
作為原料粉末，購入表1中所記載的Fe粉、Pt粉、SiO2粉、BN粉、石墨粉(C粉)、Ge粉、Au粉、Ag粉、B粉、Co粉，按照試驗編號進行稱量以得到表1中所記載的組成(mol.%)。此時的原料粉末中的B以及N的原子濃度(at.%)一起在表1中示出。作為BN粉，按照試驗編號如表1所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用電化株式會社製造的SGP品級，c-BN粉使用Tomei Diamond株式會社(トーメイダイヤ株式會社)製造的ISBN-M品級(標準粒徑20~30μm)。
接著，將稱量的粉末與粉碎介質的氧化鋯球一起投入容量5L的介質攪拌碾磨機中，使其轉動(轉數300rpm)進行2小時的混合粉碎。使用雷射繞射式細微性分佈測量裝置(製造商名稱：HORIBA公司製造，型號：LA-920)求出粉碎後原料混合粉的體積基準的細微性分佈，算出中值直徑。結果在表1中示出。
然後，從介質攪拌碾磨機中取出原料混合粉填充到碳製成的模具中進行熱加壓。熱加壓的條件是：真空氣氛，升溫速度300℃/小時，保溫溫度1000℃，保溫時間2小時，從升溫開始時到保溫結束為止以30MPa進行加壓。保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
接著，對從熱加壓的模具中取出的燒結體實施熱均壓燒結(HIP)。熱均壓燒結的條件是：升溫溫度300℃/小時，保溫溫度950℃，保溫時間2小時，從升溫開始時逐漸增高Ar氣的氣壓，在950℃保溫中以150MPa進行加壓。溫度保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
然後，使用車床，將各個燒結體切削加工成直徑180.0mm、厚度5.0mm的形狀，得到圓盤狀的濺鍍靶。對於用車床切削通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的靶而得到的切粉，使用ICP-AES裝置(日立高科技公司製造(舊SII製造)，裝置名：SPS3100HV)進行組成分析，確認任何靶的組成都實質上與稱量組成相同。這裡，為了提高測量精度，使用內標法劃出標準曲線來實施金屬組成分析。
<結構分析>
對通過上述的製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶的濺鍍面進行研磨。然後，使用株式會社理學公司製造的型號SmartLab的X射線繞射裝置(XRD)，按照前文所述的條件分析研磨後的濺鍍面的結構。結果在表2中示出。另外，使用雷射顯微鏡對該濺鍍面的結構進行觀測的結果在圖1(實施例1-1)以及圖2(比較例1-1)中示出。對於該濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖，在實施例1-1以及比較例1-1的任一者中，確認為白色以及黑色的微小斑點圖案的相是SiO2以粒子狀分散在Fe-Pt系合金相中的相，Fe-Pt系合金相中分散的大的黑色的相是BN粒子。同樣地，對於實施例1-2~1-10、比較例1-2~1-8也繪製元素分佈圖發現，可確認比較例1-2、實施例1-2以及實施例1-3具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相的結構，比較例1-3以及實施例1-4具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及C相的結構，比較例1-4以及實施例1-5具有Fe-Pt-Ge系合金相中分散有BN相的結構，比較例1-5以及實施例1-6具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及Au相的結構，比較例1-6以及實施例1-7具有Fe-Pt系合金相中分散有BN相以及Ag相的結構，比較例1-7以及實施例1-8具有Fe-Pt-B系合金相中分散有BN相的 結構，比較例1-8、實施例1-9以及實施例1-10具有Fe-Pt-Co系合金相中分散有BN相的結構。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，256×256像素數(1點的測量時間為1msec)。
另外，測量通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶中Fe-Pt系合金相的含有比例(體積比)。使用序號從P80到P2000的研磨砂紙依次研磨濺鍍靶的濺鍍面，最後使用粒徑0.3μm的氧化鋁研磨顆粒進行拋光研磨，從而得到研磨後的濺鍍面。對於該研磨後的濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖，調查Fe-Pt系合金相的面積比例的平均值。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，在不同的觀測視野獲得10張256×256像素數(1點的測量時間為1msec)的元素分佈圖圖像。在元素分佈圖中，對於特定的元素得到與X射線檢測強度對應的單色顯示或彩色顯示的圖像。這裡，使用EPMA附帶的基本軟體的表面分析軟體(版本1.42)的解析功能，將X射線強度圖轉換成質量濃度圖。使用測量各元素的標準樣品而準備的將X射線檢測強度與元素濃度建立關聯的標準曲線(線性函數)，進行該轉換。然後使用轉換的質量濃度圖，針對各視野求出Fe-Pt系合金相的面積比例，求出10個視野的平均值。然後，視為平均面積比=體積比，得到濺鍍靶中Fe-Pt系合金相的含有比例(體積比)。結果在表2中示出。
<成膜試驗>
將通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶安裝在磁控濺鍍裝置(佳能ANELVA製造的C-3010濺鍍系統)上，實施濺鍍。濺鍍條件是，輸入功率1kW，Ar氣壓1.7Pa，在矽基板上進行20秒鐘的成膜。使用微粒計數器(KLA-Tencor公司製造，裝置名：Surfscan6420)測量基板上附著的微粒(粒徑0.25~3μm)的個數。從濺鍍開始到濺鍍2kWhr後的微粒測量結果在表2中示出。需要說明的是，使用SEM觀測成膜後的濺鍍靶的濺鍍面發現，可確認雖然在實施例1-1中幾乎沒有發現有結瘤產生，但是比較例1-1中有結瘤存在。
<<2.含有強磁性金屬和Pt的合金相為Co-Pt系合金相的情況>>
<濺鍍靶的製作>
作為原料粉末，購入表3中記載的Co粉、Cr粉、Pt粉、SiO2粉、TiO2粉、B2O3粉、BN粉、石墨粉(C粉)、Ru粉、B粉，按照試驗編號進行稱量以得到表3中所記載的組成(mol.%)。此時的原料粉末中的B以及N的原子濃度(at.%)一起在表3中示出。作為BN粉，按照試驗編號如表3所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用電化株式會社製造的SGP品級，c-BN粉使用Tomei Diamond株式會社製造的ISBN-M品級(標準粒徑2~6μm)。
接著，將稱量的粉末與粉碎介質的氧化鋯球一起投入容量5L的介質攪拌碾磨機中，使其轉動(轉數300rpm)進行2小時的混合粉碎。使用雷射繞射式細微性分佈測量裝置(製造商名稱：HORIBA公司製造，型號：LA-920)求出粉碎後原料混合粉的體積基準的細微性分佈，算出中值直徑。結果在表3中示出。
然後，從介質攪拌碾磨機中取出原料混合粉填充到碳製成的模具中進行熱加壓。熱加壓的條件是，真空氣氛，升溫速度300℃/小時，保溫溫度1000℃，保溫時間2小時，從升溫開始時到保溫結束為止以30MPa進行加壓。保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
接著，對從熱加壓的模具中取出的燒結體實施熱均壓燒結(HIP)。熱均壓燒結的條件是，升溫溫度300℃/小時，保溫溫度950℃，保溫時間2小時，從升溫開始時逐漸增高Ar氣的氣壓，在950℃保溫中以150MPa進行加壓。溫度保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
然後，使用車床，將各個燒結體切削加工成直徑180.0mm、厚度5.0mm的形狀，得到圓盤狀的濺鍍靶。對於用車床切削通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的靶而得到的切粉，使用ICP-AES裝置(日立高科技公司製造(舊SII製造)，裝置名：SPS3100HV)進行組成分析，確認任何靶的組成都實質上與稱量組成相同。這裡，為了提高測量精度，使用內標法劃出標準曲線來實施金屬組成分析。
<結構分析>
對通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶的濺鍍面進行研磨。然後，使用株式會社理學公司製造的型號SmartLab的X射線繞射裝置(XRD)，按照前文所述的條件分析研磨後的濺鍍面的結構。結果在表4中示出。另外，使用雷射顯微鏡對該濺鍍面的結構觀測的結果在圖3(實施例2-1)中示出。對於比較例2-1以及實施例2-1的濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖發現，確認在比較例2-1以及實施例2-1的任一者中，Co-Pt系合金相中分散之大的黑色的相是BN粒子。同樣地，對於實施例2-2~2-11、比較例2-2~2-11也繪製元素分佈圖發現，確認為：比較例2-2以及實施例2-2具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有BN相的結構，比較例2-3以及實施例2-3具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有SiO2相以及BN相的結構，比較例2-4以及實施例2-4具有Co-Pt系合金相中分散有SiO2相、TiO2相以及BN相的結構，比較例2-5以及實施例2-5具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有B2O3相、TiO2相以及BN相的結構，比較例2-6以及實施例2-6具有Co-Cr-Pt-Ru系合金相中分散有SiO2相以及BN相的結構，比較例2-7以及實施例2-7具有Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有BN相的結構，比較例2-8以及實施例2-8具有 Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有SiO2相以及BN相的結構，比較例2-9以及實施例2-9具有Co-Cr-Pt系合金相中分散有BN相以及C相的結構，比較例2-10以及實施例2-10具有Co-Pt系合金相中分散有BN相的結構，比較例2-11以及實施例2-11具有Co-Cr-Pt-B系合金相中分散有B2O3相以及BN相的結構。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，256×256像素數(1點的測量時間為1msec)。
另外，測量通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶中Co-Pt系合金相的含有比例(體積比)。使用序號從P80到P2000的研磨砂紙依次研磨濺鍍靶的濺鍍面，最後使用粒徑0.3μm的氧化鋁研磨顆粒進行拋光研磨，從而得到研磨後的濺鍍面。對於該研磨後的濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖，調查Co-Pt系合金相的面積比例的平均值。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，在不同的觀測視野獲得10張256×256像素數(1點的測量時間為1msec)的元素分佈圖圖像。在元素分佈圖中，對於特定的元素得到與X射線檢測強度對應的單色顯示或彩色顯示的圖像。這裡，使用EPMA附帶的基本軟體的表面分析軟體(版本1.42)的解析功能，將X射線強度圖轉換成質量濃度圖。使用測量各元素的標準樣品而準備的將X射線檢測強度與元素濃度建立關聯的標準曲線(線性函數)，進行該轉換。然後使用轉換的質量濃度圖，針對各視野求出Co-Pt系合金相的面積比例，求出10個視野的平均值。然後，視為平均面積比=體積比，得到濺鍍靶中Co-Pt系合金相的含有比例(體積比)。結果在表4中示出。
<成膜試驗>
將通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶安裝在磁控濺鍍裝置(佳能ANELVA製造的C-3010濺鍍系統)上，實施濺鍍。濺鍍條件是，輸入功率1kW，Ar氣壓1.7Pa，在矽基板上進行20秒鐘的成膜。使用微粒計數器(KLA-Tencor公司製造，裝置名：Surfscan6420)測量基板上附著的微粒(粒徑0.25~3μm)的個數。從濺鍍開始到濺鍍2kWhr後的微粒測量結果在表4中示出。需要說明的是，使用SEM觀測成膜後的濺鍍靶的濺鍍面發現，可確 認雖然在實施例2-1中幾乎沒有發現有結瘤產生，但是比較例2-1中有結瘤存在。
<<3.含有強磁性金屬的相中不含Pt的情況>>
<濺鍍靶的製作>
作為原料粉末，購入表5中記載的Co粉、Fe粉、Ni粉、B粉、Cr粉、TiO2粉、BN粉、Ru粉，按照試驗編號進行稱量以得到表5中所記載的組成(mol.%)。此時的原料粉末中的B以及N的原子濃度(at.%)一起在表5中示出。作為BN粉，按照試驗編號如表5所示使用h-BN粉或c-BN粉。h-BN粉使用電化株式會社製造的SGP品級，c-BN粉使用Domei Diamond株式會社製造的ISBN-M品級(標準粒徑2~6μm)。
接著，將稱量的粉末與粉碎介質的氧化鋯球一起投入容量5L的介質攪拌碾磨機中，使其轉動(轉數300rpm)進行2小時的混合粉碎。使用雷射繞射式細微性分佈測量裝置(製造商：HORIBA公司製造，型號：LA-920)求出粉碎後原料混合粉的體積基準的細微性分佈，算出中值直徑。結果在表5中示出。
然後，從介質攪拌碾磨機中取出原料混合粉填充到碳製成的模具中進行熱加壓。熱加壓的條件是，真空氣氛，升溫速度300℃/小時，保溫溫度1000℃，保溫時間2小時，從升溫開始時到保溫結束為止以30MPa進行加壓。保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
接著，對從熱加壓的模具中取出的燒結體實施熱均壓燒結(HIP)。熱均壓燒結的條件是，升溫溫度300℃/小時，保溫溫度950℃，保溫時間2小時，從升溫開始時逐漸增高Ar氣的氣壓，在950℃保溫中以150MPa進行加壓。溫度保溫結束後在爐內直接自然冷卻。
然後，使用車床，將各個燒結體切削加工成直徑180.0mm、厚度5.0mm的形狀，得到圓盤狀的濺鍍靶。對於用車床切削通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的靶而得到的切粉，使用ICP-AES裝置(日立高科技公司製造(舊SII製造)，裝置名：SPS3100HV)進行組成分析，確認任何靶的組成都實質上與稱量組成相同。這裡，為了提高測量精度，使用內標法劃出標準曲線來實施金屬組成分析。
<結構分析>
對通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶的濺鍍面進行研磨。然後，使用株式會社理學公司製造的型號SmartLab的X射線繞射裝置(XRD)，按照前文所述的條件分析研磨後的濺鍍面的結構。結果在表6中示出。對於比較例3-1以及實施例3-1的濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖發現，確認在比較例3-1以及實施例3-1的任一者中，Co-Cr-Ru系合金相中分散之大的黑色的相是BN粒子。同樣地，對於實施例3-2~3-5、比較例3-2~3-5也繪製元素分佈圖發現，確認為：比較例3-2以及實施例3-2具有Co-Ru系合金相中分散有TiO2相以及BN相的結構，比較例3-3以及實施例3-3具有Co-Fe系合金相中分散有BN相的結構，比較例3-4以及實施例3-4具有Ni-Cr系合金相中分散有BN相的結構，比較例3-5以及實施例3-5具有Ni-Cr系合金相中分散有BN相的結構。EPMA的觀測條件是，加速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，256×256像素數(1點的測量時間為1msec)。
另外，測量通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶中含有強磁性金屬的合金相的含有比例(體積比)。使用序號從P80到P2000的研磨砂紙依次研磨濺鍍靶的濺鍍面，最後使用粒徑0.3μm的氧化鋁研磨顆粒進行拋光研磨，從而得到研磨後的濺鍍面。對於該研磨後的濺鍍面，使用EPMA(日本電子公司製造，裝置名：JXA-8500F)按照以下的條件繪製元素分佈圖，調查含有強磁性金屬的合金相的面積比例的平均值。EPMA的觀測條件是，加 速電壓15kV，照射電流1~2×10-7A，觀測倍率2500倍，在不同的觀測視野獲得10張256×256像素數(1點的測量時間為1msec)的元素分佈圖圖像。在元素分佈圖中，對於特定的元素得到與X射線檢測強度對應的單色顯示或彩色顯示的圖像。這裡，使用EPMA附帶的基本軟體的表面分析軟體(版本1.42)的解析功能，將X射線強度圖轉換成質量濃度圖。使用測量各元素的標準樣品而準備的將X射線檢測強度與元素濃度建立關聯的標準曲線(線性函數)，進行該轉換。然後使用轉換的質量濃度圖，針對各視野求出含有強磁性金屬的合金相的面積比例，求出10個視野的平均值。然後，視為平均面積比=體積比，得到濺鍍靶中含有強磁性金屬的合金相的含有比例(體積比)。結果在表6中示出。
<成膜試驗>
將通過上述製造步驟得到的各試驗例所涉及的濺鍍靶安裝在磁控濺鍍裝置(佳能ANELVA製造的C-3010濺鍍系統)上，實施濺鍍。濺鍍條件是，輸入功率1kW，Ar氣壓1.7Pa，在矽基板上進行20秒鐘的成膜。使用微粒計數器(KLA-Tencor公司製造，裝置名：Surfscan6420)測量基板上附著的微粒(粒徑0.25~3μm)的個數。從濺鍍開始到濺鍍2kWhr後的微粒測量結果在表6中示出。需要說明的是，使用SEM觀測成膜後的濺鍍靶的濺鍍面發現，可確認雖然在實施例3-1中幾乎沒有發現有結瘤產生，但是比較例3-1中有結瘤存在。

Claims (28)

  1. 一種濺鍍靶，含有1~30at.%的B和1~30at.%的N，具有含有Fe-Pt系合金相和非磁性材料相的結構，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO 2。
  5. 一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有從Fe粉、Pt粉以及Pt-Fe合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1~30at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Co、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO 2。
  8. 一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的濺鍍靶。
  9. 一種濺鍍靶，其中，含有1~40at.%的B和1~30at.%的N，具有含有Co-Pt系合金相和非磁性材料相的結構，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  12. 如申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO 2。
  13. 一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有從Co粉、Pt粉以及Pt-Co合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉和c-BN粉的混合粉，以使混合粉中含有1~40at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Fe、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO 2。
  16. 一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用申請專利範圍第9項至第12項中任一項所述的濺鍍靶。
  17. 一種濺鍍靶，其中，含有1~40at.%的B和1~30at.%的N，具有含有金屬相和非磁性材料相的結構，該金屬相含有強磁性金屬，通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜具有來自立方晶氮化硼的繞射峰。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的濺鍍靶，其中，在通過X射線繞射法對該結構進行分析所得到的X射線繞射圖譜中，來自立方晶氮化硼的繞射峰積分強度與來自六方晶氮化硼的繞射峰積分強度之比為2.0以上。
  19. 如申請專利範圍第17項或第18項所述的濺鍍靶，其中，含有強磁性金屬的金屬相含有Pt。
  20. 如申請專利範圍第17項或第18項所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有50at.%以下。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的濺鍍靶，其中，從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  22. 如申請專利範圍第17項至第21項中任一項所述的濺鍍靶，其中，含有SiO 2。
  23. 一種濺鍍靶的製造方法，包括下列步驟：準備含有強磁性金屬以及c-BN的混合粉，以使混合粉中含有1~40at.%的B和1~30at.%的N；以及以1300℃以下的溫度燒結該混合粉。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有從強磁性金屬粉、Pt粉以及含有強磁性金屬粉和Pt的合金粉中選擇的兩種以上的金屬粉。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有50at.%以下。
  26. 如申請專利範圍第23項或第24項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉從Ge、Au、Ag、Cr、Cu、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V以及Zn構成的群組中選擇的一種或兩種以上的第三元素合計含有15at.%以下。
  27. 如申請專利範圍第23項至第26項中任一項所述之濺鍍靶的製造方法，其中，該混合粉含有SiO 2。
  28. 一種濺鍍膜的製造方法，其中，包括使用申請專利範圍第17項至第22項中任一項所述的濺鍍靶。
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