TW201803073A - 電氣互連橋接技術 - Google Patents

Abstract

本發明係揭示電氣互連橋接技術。一電氣互連橋接件可包含一橋接基材由一模複合物材料所形成。該電氣互連橋接件亦可包含多數路由層設於該橋接基材內，每一路由層具有多數細線及分隔(FLS)跡線。此外，該電氣互連橋接件可包含一通孔延伸經由該基材且將該等路由層之一路由層中之該等FLS跡線之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等路由層之另一路由層中之該等FLS跡線之至少一FLS跡線。

Description

電氣互連橋接技術

發明領域 此處所說明之實施例一般係有關電子裝置封裝件，且特別係有關封裝基材之互連橋接技術。

發明背景 一封裝件上之高頻寬互連件對於高效能計算而言係變得遞增地重要。嵌入式多晶粒互連橋接技術(EMIB)，由Intel^® 研發及開拓，係一項突破而該項突破解決此種需求以及促進用於一單一封裝件上之異質晶粒間之超高密度互連件之一較低之成本及較簡化之2.5D封裝途徑。替代了具有”貫穿矽通孔”(TSV)之一昂貴矽中介層，一典型EMIB包含一微小矽橋接晶片而該晶片係嵌入至封裝基材中，使得僅在所需之處能夠達成超高密度之晶粒-至-晶粒與，諸如細線及分隔 (FLS)跡線之連接。標準式覆晶總成係供穩健性電力傳送之用以及將高速信號直接由一晶片連接至一封裝基材。該EMIB消除了對TSV及增添複雜性與成本之特殊化矽中介層之需求。

發明概要 依據本發明之一實施例，係特地提出一種電氣互連橋接件，包含：一模製橋接基材，其包含一模複合物材料；於該橋接基材內之多數路由層，每一路由層具有多數細線及分隔(FLS)跡線；以及一通孔，其延伸經由該基材並將該等路由層之一者中的該等FLS跡線之至少一者電氣耦接至該等路由層之另一者中的該等FLS跡線之至少一者。

實施例之說明 在揭示及說明發明實施例之前，將理解並無意圖限制此處所揭示之特定結構、程序步驟、或材料，以及亦包含相關技藝中之普通技術人士將認可之特定結構、程序步驟、或材料之等效物。亦應理解此處所使用之術語僅係用以說明特定實例之目的而已而並非意圖限制。不同圖式中之相同參考號碼代表相同元件。流程圖及程序中所提供之數字僅係提供作為揭示步驟及作業之清楚性之用而且不必然指示一特定次序或序列。除非相反地界定，否則此處所使用之全部技術及科學術語均具有如同本揭示內容所屬技藝中之一普通技術人士所通常理解之相同意義。

如本書面說明中所使用者，單一型式”一(a)”、”一(an)”及”該”係為多數指示物提供明確支援，除非上下文清楚地作相反指示。因此，例如，涉及”一層”係包含多數此類層。

本申請案中，”包含(comprises)”、”包含(comprising)”、”包含(containing)”與”具有”及類似術語可具有美國專利法中所歸因於該等術語之意義以及可意為”包含(includes)”、”包含(including)”、及類似術語，以及通常解譯為開放式術語。術語”由…組成(consisting of)”或”由…組成(consists of)”係封閉式術語，而且僅包含有關此類術語所特定列出之組件、結構、步驟、或類似物，以及依據美國專利法所規定者。”主要由…組成(consisting essentially of)”或”主要由…組成(consists essentially of)”係具有通常由美國專利法所歸因於該等術語之意義。特定地，此類用語通常係封閉式術語，但例外容許包含並未實質影響有關使用項目之基本與新穎特性或功能之額外項目、材料、組件、步驟、或元件。例如，假設呈現在”主要由…組成”之用語下，一組成物中呈現之跡線元件，然而並未影響該組成物之天性或特性，將可允許，即使並未明確陳述於接續在此術語之後的一列項目中。當書面說明中使用一開放式術語類似”包含(comprising)”或包含(including)”時，可理解亦應可直接支援”主要由…組成(consisting essentially of)”之用語以及”由…組成(consisting of)”之用語，猶如明確陳述一般且反之亦然。

說明中及請求項中之術語”第一”、”第二”、”第三”、”第四”及類似術語，假設有的話，係在類似元件之間用以區別之用且不必然用以說明一特定序列或按時間順序之次序。將理解如此使用之術語在適當情況下可以互換，因此此處所說明之實施例，例如，可依此處所揭示者以外或所說明者不同之序列作業。類似地，假設此處一方法係說明包含一系列步驟，則此處所呈現之此類步驟之次序不必然為此類步驟可執行之僅有次序，以及所陳述步驟中之特定步驟可能可以省略及/或此處未說明之其他特定步驟可能可以添加至該方法中。

說明中及請求項中之術語”左”、”右”、”前”、”後”、”頂”、"底"、"在...之上"、"在...之下"、及類似術語，假設有的話，係供說明目地之用且不必然用以說明永久相對位置。將理解如此使用之術語在適當情況下可以互換，因此此處所說明之實施例，例如，可依此處所揭示者以外或所說明者不同之定向作業。此處所使用之術語”耦接”係定義為以一電氣或非電氣方式直接或間接連接。此處所說明之物件相互”鄰接”可為相互實體接觸、相互緊密鄰近、或相互在相同一般區域或範圍內，依使用該片語之上下文適當定之。此處出現之片語"在一實施例中”或"在一態樣中"不必然均指相同實施例或態樣。

如此處所使用者，術語”實質地”係指一動作、特性、性質、狀態、結構、項目、或結果之完全或近乎完全之程度(extent)或程度(degree)。例如，一物件"實質地"封閉將意指該物件完全地封閉或近乎完全地封閉。由絕對完全性偏離之精確容許程度在某些情況下可依特定上下文而定。然而，一般而言，完成之接近程度將具有如同獲得絕對且整體完成之相同整體結果。當在一負面意涵中使用以指稱完全或近乎完全欠缺一動作、特性、性質、狀態、結構、項目、或結果時，"實質地"之使用係等同地適用。例如，一組成物"實質地不含"顆粒係完全地缺乏顆粒，或如此近乎完全地缺乏顆粒使得效應將相同於該組成物完全地缺乏顆粒一般。換言之，一組成物"實質地不含"一成分或要素仍可實際上包含此種項目，只要不具可測量之效應即可。

如此處所使用者，術語”約”係藉著提供一既定值可”略高於”或”略低於”端點以用來提供彈性給一數字範圍端點。

如此處所使用者，多數之項目、結構元件、組成元件、及/或材料基於方便起見可呈現在一共用表列中。然而，此類表列應解釋為該表列之每一數字均係個別地識別為一個別及唯一之數字。因此，此種表列之個別數字不應僅基於它們呈現在一共用群組中未作相反指示就解釋成係該相同表列中之任何其他數字之一實際等效物。

濃度、數量、大小、及其他數字資料在此處可以一範圍格式加以表達或呈現。將理解此一範圍格式僅係基於方便與簡潔而採用且因此應作彈性解譯而不僅包含明確陳述為該範圍之極限之數值，也包含該範圍內所涵蓋之全部個別數值或次範圍，猶如每一數值及次範圍均明確陳述一般。舉一實例，一"約1至約5"之數字範圍應解譯為不僅包含明確陳述之約1至約5之數值，也包含所指示範圍內之個別數值及次範圍。因此，此數值範圍內所包含者為個別數值諸如2、3、及4以及次範圍諸如由1-3、由2-4、以及由3-5、等，以及個別地1、2、3、4、及5。

此相同原則係適用於僅陳述一數值作為一最小值或一最大值之範圍方面。此外，無論所說明之範圍或特性之寬廣度為何，此一解譯均應適用。

此說明書通篇所指之”一實例”意為有關該實例所說明之一特定功能、結構、或特性係包含在至少一實施例中。因此，在此說明書通篇之各處中之片語”在一實例中”之出現不必然均指相同之實施例。

此外，所說明之功能、結構、或特性均可以任何適當方式與一或多個實施例組合。在此說明中，提供許多特定細節，諸如佈局之實例、距離、網路實例、等。然而，相關技藝中之技術人士將認可，在欠缺一或多個特定細節、或以其他方法、組件、佈局、測量、等之情況下，許多變化仍屬可能。在其他實例中，習知結構、材料或作業並未加以顯示或詳細說明，然而係視為完好落入本揭示內容之範圍內。例示性實施例

下文提供技術實施例之一初步概述以及接著進一步詳細說明特定技術實施例。此初步概要係意圖協助閱讀者更快理解技術，然而並無意圖識別該技術之關鍵或主要功能亦無意圖限制所主張標的之範圍。

雖然一典型EMIB，相較於供晶粒互連件諸如矽中介層或高密度基材表面層用之可得解決方案而言，提供顯著之優點及成本效益，然而一典型EMIB確實存有若干缺點。例如，一典型EMIB橋接件係由矽建構而成以及係以昂貴之晶圓製程製得。又，矽材料，相較於其內嵌入矽之封裝基材之組建電介質材料而言，具有一低熱膨脹係數(CTE)。因此，一典型EMIB基於所涉及材料之差動熱膨脹而受苦於熱機械問題諸如應力、翹曲、等。

據此，揭示了電氣互連橋接件而該等橋接件係由可利用低成本技術建構之低成本材料所形成以在多數路由層上提供FLS跡線。在一態樣中，熱機械問題可藉著本揭示容之電氣互連橋接件而減輕至一特定程度。在一實例中，依據本揭示內容之一電氣互連橋接件可包含一模複合物材料所形成之一橋接基材。該電氣互連橋接件亦可包含該橋接基材內之多數路由層，每一路由層均具有多數FLS跡線。此外，該電氣互連橋接件可包含一通孔延伸經由該基材並將該等路由層之一路由層中之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等路由層之另一路由層中之至少一FLS跡線。

參考圖1，一示範性電子裝置封裝件100係示意地以截面圖揭示。封裝件100可包含一封裝基材110以及多數電子組件120、121安裝在封裝基材110上或不同地耦接至封裝基材110。封裝件100亦可包含一電氣互連橋接件130嵌入在封裝基材110內以電氣式耦接，例如，第一電子組件120與第二電子組件121，以在電子組件120、121之間安排電氣信號之路徑。橋接件130通常可識別為一嵌入式多晶粒互連橋接(EMIB)架構或總成之一實例。嵌入至封裝基材110中之橋接件130可形成一電子裝置封裝基材總成101。

電子組件120、121可為任何可包含在一電子裝置封裝件內之電子裝置或組件，諸如一半導體裝置(例如，一晶粒、一晶片、或一處理器)。在一實施例中，每一電子組件120、121均可代表一個別晶片。電子組件120、121在某些實施例中可為，包含，或可為一部份之處理器、記憶體、或特定應用積體電路(ASIC)。電子組件120、121可依據各種適當組態包含，如所陳述者，一覆晶組態，或其他組態諸如打線及類似組態以附接至封裝基材110。在覆晶組態中，電子組件120、121之主動側係利用互連結構122諸如凸塊或支柱，如所顯示者，附接至封裝基材110之一表面。互連結構122可配置成安排電子組件120、121與封裝基材110間之電氣信號之路徑。在某些實施例中，互連結構122可配置成安排關聯於電子組件120、121之電氣信號諸如，舉例而言，I/O信號及/或電力或接地信號之路徑。

封裝基材110可包含電氣路由功能配置成安排電氣信號前往電子組件120、121之路徑或來自電子組件120、121之路徑。該電氣路由功能可在橋接件130之內部及/或外部。例如，在某些實施例中，封裝基材110可包含電氣路由功能諸如焊墊或跡線配置成接收互連結構122以及安排電氣信號前往電子組件120、121之路徑或來自電子組件120、121之路徑。封裝級互連件(未顯示)諸如，舉例而言，焊球、可耦接至封裝基材110之一表面以進一步安排電氣信號至其他電氣裝置(例如，母板或其他晶片組)之路徑。在某些實施例中，封裝基材110係一環氧化合物型疊層基材具有一核心及/或組建層。在其他實施例中，封裝基材110可包含其他適當型式之基材。

橋接件130可為一緊密互連結構而該結構提供一供電氣信號用之路徑。橋接件130可包含一橋接基材131而該橋接基材上形成電氣路由功能以在電子組件120、121之間提供一晶片-至-晶片連接。在某些實施例中，橋接件130可嵌入封裝基材110之一空腔內。橋接件130可配合有關此處之其他圖式所說明之實施例。在某些實施例中，一部分電子組件120、121可配置在嵌入式橋接件130之上面，如所揭示者。

橋接件130可包含導電焊墊至少部分在該橋接件之頂面上或頂面內。該等導電焊墊可包含導電金屬，諸如銅、金、銀、鋁、鋅、鎳、黃銅、青銅、鐵、等。一電介質層可形成在橋接件130及封裝基材110之上。導電通孔及焊料連接件可通過該電介質層。在一態樣中，此一電介質層可在安置嵌入式橋接件130時容許尺寸變動以及可電氣式隔離互連區域。該電介質層可包含氧化物，或其他材料，諸如絕緣材料。

封裝基材110可由，任何適當半導體材料(例如，矽、鎵、銦、鍺、或前述之變異物、或組合、等基材)、一或多層絕緣層，諸如玻璃-強化環氧化合物，諸如FR-4、聚四氟乙烯(鐵氟龍)、棉紙強化環氧化合物(CEM-3)、酚醛-玻璃(G3)、紙-酚醛(FR-1或FR-2)、聚酯-玻璃(CEM-5)、ABF(味素組建式薄膜)、任何其他電介質材料，諸如玻璃、或前述之任何組合，諸如可在印刷電路板(PCB)中使用者，所形成。

雖然二電子組件120、121由一單一橋接件130電氣式耦接係描述於圖1中，然而其他實施例可包含任何適當數量之電子組件及橋接件以其他可能之組態，包含三維組態，連接在一起。例如，相對於圖1之電子組件120、121而在該頁面內或頁面外之配置在封裝基材110上之另一電子組件可利用另一橋接件耦接至電子組件120、121中之一組件或二組件。

圖2A揭示依據本揭示內容之一實例之一電氣互連橋接件230。橋接件230可結合一封裝基材如上文相關於圖1所討論者。橋接件230可包含一橋接基材231及多數路由層232a-d。橋接基材231可包含任何適當材料且可由任何適當程序製造。如下文更詳細討論者，一或多層之路由層232a-d之橋接基材可包含一模複合物材料。在圖2A中所揭示之實施例中，多數路由層之橋接基材包含相同材料(例如，模複合物)，因此該橋接基材具有相同之熱膨脹係數(CTE)。在一態樣中，橋接基材之全部路由層可包含相同材料及CTE。路由層232a-d之材料之CTE可由約7至約50 ppm/℃(ppm per degree Celsius)。在某些實施例中，路由層232a-d之材料之CTE可由約7至約25 ppm/℃。因此，路由層之材料可具有一CTE而該CTE高於矽之CTE(約3 ppm/℃)，此舉可減輕熱機械問題達某種程度。橋接基材231亦可任選地包含一封裝材料233至少部份圍繞每一路由層232a-d配置，使得該封裝材料係鄰近一部分封裝基材而橋接件係嵌入該部份封裝基材內，如圖1所示。任何適當封裝材料均可採用以及可以任何適當方式圍繞橋接基材配置，諸如圍繞該橋接基材模製一外模材料。封裝材料可具有任何適當之CTE。

每一路由層232a-d可包含跡線234a-f以電氣式耦接電子組件。橋接件230相對於圖1所示橋接件之定向係定位90度，因此跡線延伸進入圖2中之頁面及由圖2中之頁面延伸出來。一或多個通孔235a-d可延伸經由橋接基材231以及將一路由層中之一或多條跡線電氣式耦接至另一路由層中之一或多條跡線。雖然圖2顯示通孔電氣式耦接四層路由層中之跡線，然而應認可橋接基材231可包含任何適當數量之路由層而該等路由層具有任何適當數量之跡線，以及任何適當數量之通孔可用以電氣式連接不同路由層中之跡線。此外，該等通孔可具有任何適當之形狀或組態，諸如一圓形及/或非圓形(例如，矩形)截面。

圖3係依據各種實施例之焊墊、跡線、及通孔之由上朝下之實例。特定地，圖3描述此處所揭示之一橋接件之一路由層之一由上朝下之視圖。該橋接件可包含多數跡線諸如跡線334a-c。在某些實施例中，跡線334a-c可為銅，然而在其他實施例中，該等跡線可為某些其他導電及/或導熱材料。

在某些實施例中，某些跡線諸如跡線334a及334c可分別耦接一焊墊諸如通孔焊墊336a及336c。焊墊336a、336c可由一相同於或類似於跡線334a-c之材料建構而成。例如，焊墊336a、336c可由銅建構而成。在其他實施例中，焊墊336a、336c可由一不同於跡線334a-c之材料，例如，某些其他之導電及/或導熱材料建構而成。

如圖3所示，焊墊336a、336c可具有一較跡線334a-c為大之底面積，如下文將討論者。如此處所討論者，”底面積”通常可指元件之側向尺寸。類似地，可看到並非全部之跡線均直接耦接一焊墊。例如，跡線334b可未耦接一焊墊。在某些實施例中，焊墊336a、336c可耦接一或多個導電通孔諸如通孔335a及335c。如圖3所示，通孔335a、335c可具有一較焊墊336a、336c為小之底面積。亦即，通孔335a、335c可具有一較焊墊336a、336c為小之直徑。該等通孔之較小直徑在製造期間可提供一微小之誤差邊限因此假設通孔未直接置放在焊墊之中心，該通孔可不致於延伸超過該焊墊之周圍。將理解雖然跡線334a-c一般係描述成線狀，以及焊墊336a、336c及通孔335a、335c一般係描述成圓形，然而在其他實施例中，該等跡線、焊墊、及/或通孔均可具有一不同形狀。

在一態樣中，跡線334a-c 可包含細線及分隔(FLS)跡線，其以特定尺寸屬性為特徵。圖3揭示此處所涉及之各種測量值或尺寸。例如，焊墊336a與336c之中心間之距離係圖3中所描述之一數值”X”。類似地，跡線334a-c具有一寬度如圖3中所描述之”Y”。二元件間之距離，諸如焊墊336a、336c與跡線334b間之距離，係圖3中所描述之一數值”Z”。尺寸Z在此處通常係指跡線間之間距，該尺寸Z可為二元件間之間距的指示，諸如二跡線間 (例如，跡線334a與334b之間) 之間距或一跡線與一通孔焊墊(例如，通孔焊墊336a與跡線334b之間)之間距，而適用於一既定實施例或組態。此處涉及多數跡線，諸如在一路由層之上下文中。此類多數跡線包含跡線及通孔焊墊，該等多數跡線係連接至跡線並配置在相同路由層中。因此，涉及多數跡線中之跡線間之一間距包含涉及二跡線間之間距及/或一跡線與一通孔焊墊間之間距。

通常，X、Y、及Z之數值可賦予微米之等級。Y與Z之數值可分別約為10μm或更小之等級。此類具有一約為10μm或更小寬度及/或相互分開分隔約10μm或更小之FLS跡線在此處係稱為10/10L/S。Y及/或Z之較小數值可容許X值減少。能夠達成此類較小數值之X、Y、及/或Z可提供顯著之效益。例如，當對橋接件之效能需求增加時，可有利於提供更多之I/O埠。一較小之FLS可容許較多之跡線及/或焊墊置放在一橋接件之一路由層中，藉此容許一遞增數量之I/O埠而不會增加成本及/或z-高度。

圖4A-8C揭示製造如此處所揭示之一電氣互連橋接件之一示範性方法或程序之態樣。圖4A代表利用一乾膜光阻(DFR)疊層技術圖案化一互連橋接件之導電元件(例如，跡線)之一程序。在此程序中，一乾膜疊層440係施加至一導電(例如，銅)層441上，該導電層藉著一載板442支撐。導電層441可以一箔片型式由載板442包含在其內或一導電材料層之種子層可依需求予以提供，諸如，假設該箔片欠缺足夠的話。該膜係曝光並顯影以為導電元件提供一圖案。該圖案可配置成提供任何適當導電元件組態或尺寸。例如，該圖案可配置成提供具有FLS跡線之尺寸及間距特性之導電元件。利用該圖案，導電元件434a-c可，諸如，藉著在導電層上電解電鍍銅，而在導電層441上組建，如圖4B中所代表者。一旦已經形成導電元件434a-c，則可移除或剝除DFR疊層，如圖4C中所代表者。

載板442可稱為一"剝離性核心”。此載板442在各種實施例中可具有不同組態。在某些實施例中，該載板可包含二銅層而該等二銅層可藉著一脆弱層分隔而該脆弱層可容許一製得之非分割式模製橋接基材自該載板分離出來。在此情況下，於下文所說明之程序結束時，一銅蝕刻程序可用以移除犧牲銅層，亦即，在該基材自該載板分離之後繼續附接至該製得之非分割式模製橋接基材之銅層。然而，其他實施例可包含二電介質層，或一電介質層及一銅層以容許剝離。在犧牲層剝離後為一電介質材料之實施例中，一移除程序諸如濕鼓風或某些其他移除程序可，替代前述之銅蝕刻程序，用以移除此電介質材料。其他型式之載體諸如一可撕除式膠帶及金屬載體亦可採用。在此一情況下，一金屬種子層諸如銅可在前進至後續程序步驟之前沉積。據此，一熱撕除及後續膠帶殘餘物清除步驟，可在如同剝離性核心實例中所說明之銅蝕刻之前，加以執行。

圖4D-4G揭示如此處所揭示之一種用於製造一通孔以供電氣式耦接一橋接件之導電元件用之方法之態樣。圖4D揭示在一適當導電元件，諸如導電元件434b，上形成一分隔件450，此舉可配置成一通孔焊墊。如下文進一步解釋者，分隔件450係一暫時性結構而該暫時性結構提供一空間或開口俾在不同路由層之導電元件之間形成一通孔。在此一分隔件開口中所形成之一通孔將具有類似於分隔件450之尺寸特性及幾何形狀。因此，分隔件450可具有截面為圓形或非圓形(例如，矩形)之一形狀，端視一即將形成之通孔所期望之組態而定。分隔件450亦可具有尺寸屬性而該尺寸屬性係反映一即將形成之通孔所期望之尺寸屬性。

當製造焊墊及通孔時，焊墊對通孔之對準允差可要求焊墊尺寸化為大於製程之對準允差以確保該焊墊上之整體通孔岸面(land)。因此，焊墊之大小可能受限於有關跡線之數量而該等跡線可在任何既定層上安排路徑。因此，改善焊墊及通孔製程之對準能力可增加一路由層中之跡線數量。典型地，分隔件450將藉著一技術或程序形成，而該技術或程序可使該分隔件具有與FLS跡線一致之尺寸特性及定位，使得該分隔件開口中所形成之一通孔將與一跡線焊墊具有可接收之對準度。分隔件450可藉著任何適當技術或程序形成。在一態樣中，分隔件450可藉著簾塗佈、自旋塗佈、印刷、配製、等以將材料配置在導電元件434b上而形成。例如，在某些實施例中，一高精度噴墨印表機可利用單元位準對準技術以將分隔件450精確地置放在所期望位置處，藉此導致一較緊密之通孔對焊墊允差。此較緊密之允差可促成一較小之如此處所說明之X值。因此，下側之焊墊尺寸於是可顯著減少以促成FLS互連。在其他實施例中，分隔件450可進行簾塗佈、光曝光、以及顯影，此舉可導致一緊密之通孔對焊墊允差以促成FLS互連。在某些情況下，一旦材料已經配置在導電元件434b上，分隔件450之形狀即可被界定。在此類情況下，分隔件450之形狀可藉著光曝光/界定該形狀或圖案、乾式蝕刻該形狀或圖案、及/或任何以預先存在或預先施加之分隔件材料來界定一形狀或圖案之其他適當技術或程序加以界定。

因為分隔件450係暫時性且後續地移除，如下文所說明者，以促進一通孔之形成，所以該分隔件可以任何有助於該分隔件移除之適當材料製造或建構。例如，分隔件450可以一犧牲材料製造而該犧牲材料可保持足夠之尺寸彈性以促進一通孔之形成，如此處所說明者，以及當需要時亦促進該分隔件之移除。在一態樣中，該犧牲材料可為熱分解者，雖然任何適當型式之犧牲材料均可採用，諸如液態可溶材料。適當犧牲材料之實例包含當曝露在一相對高溫時可分解之聚降冰片烯及/或聚碳酸酯型聚合物。在某些實施例中，此種溫度可為或高於180℃。在其他實施例中，該溫度可為或高於200℃。在某些實施例中，可能需要一額外之清除步驟以自通孔452移除犧牲元件450之殘留物。

在一態樣中，圖4D亦揭示一電氣互連橋接件母材，該母材包含一跡線(例如，導電元件434b)具有一通孔焊墊，以及一分隔件450而該分隔件係由該通孔焊墊上所配置之一犧牲材料所形成。所揭示之該電氣互連橋接件母材亦包含一載板442以支撐該跡線。

圖4E中，一材料460係至少部份圍繞分隔件450之側邊配置。材料460可形成一橋接基材路由層之一部分以及，因此，可包含供一橋接基材用之任何適當材料。材料460可藉著任何適當配製技術或程序圍繞分隔件450配置，以及可為任何適當之形態(例如，黏滯形態、固態顆粒、一片材、等)。接著，材料460將藉著任何適當模製技術(例如，一壓縮模製程序及/或一轉移模製程序)圍繞分隔件450加以模製，以及因此材料460可包含任何適當模材料，諸如一環氧化合物模複合物。

圍繞分隔件450壓縮模材料460可能係有利的，如圖5中所揭示者。在此情況下，分隔件450，該分隔件可由一相對彈性或可撓性材料(例如，一聚合物)製造，可軸向壓縮461至一特定程度以及模製成與材料460齊平。一模釋放性材料462可用以促進模材料460及/或分隔件450自一模組件釋放出來。除軸向壓縮力461以外，由模材料460作用在分隔件450上之側向力463於壓縮模製程序期間可將分隔件450保持在定位(例如，微小到不會移動)。因此，基於壓縮模製程序之結果，分隔件450之一曝露頂部可與模材料460之頂部齊平，此舉消除了達成此一關係之任何額外處理程序(例如，研磨)之需求，藉此減少成本以及改善產量。此外，因為可無需研磨模複合物，所以模複合物之表面可不會先天地受損，藉此促成顯著較高之可靠度及能力以圖案化較精細之線及間距。

在一態樣中，圖4E亦揭示一電氣互連橋接件母材，該母材在此實例中係進一步包含至少部份圍繞分隔件450之側邊配置之材料460(例如，模複合物)。分隔件450可由一犧牲材料製造，此舉可促進該分隔件之移除使得一開口續留在材料460中以與一通孔焊墊連通，如下文所討論者。

例如，圖4F揭示移除該分隔件以在材料460中形成一開口452以與導電元件434b連通。該分隔件可藉著任何適當技術或程序移除。如上文所提及者，該分隔件可由一犧牲材料製造，此舉可藉著曝露於熱量及/或液體以促進該分隔件之移除。因此，在一態樣中，該分隔件可藉著加熱該分隔件達到一足以分解該犧牲材料(例如，成為一氣體)然而卻不會負面衝擊該周圍材料及結構(例如，熔化材料460)之溫度而移除。因為當材料460圍繞該分隔件配置時 (例如，壓縮模製期間) 係保持在定位，所以供一通孔用之一緊密外形係藉著開口452而建構，該開口係藉著分隔件之移除形成在材料460中，此舉可促進一通孔之形成而該通孔與下側焊墊具有最小偏差。

藉著該分隔件之移除以在材料460中形成一開口，一導電材料(例如，銅)可配置在開口452中以形成一通孔435，如圖4G中所揭示者。一導電材料可藉著任何適當技術或程序配置在開口452中，諸如形成該導電材料之一種子層及/或電鍍該導電材料。導電材料亦可配置在材料460上以形成一薄導電層441’(例如，一種子層用於形成額外導電元件)。

用於次一路由層之導電元件(例如，跡線)可以任何適當方式形成，諸如先前參考圖4A-4C所說明者。例如，圖4H代表利用DFR疊層以用於圖案化一互連橋接件之導電元件(例如，跡線)之一程序，其中一乾膜疊層440’係施加至材料460上所形成之導電層441’。該膜係曝光及顯影以提供一圖案俾供次一路由層之導電元件之用。該圖案可配置成提供任何適當之導電元件組態或尺寸。例如，該圖案可配置成提供具有FLS跡線之尺寸與間距特性之導電元件。利用該圖案，導電元件434a'-c'可，諸如藉著將銅電解電鍍至導電層上，而在導電層441’及通孔435上組建，如圖4I中所代表者。此程序亦可以導電材料充填材料460中之開口，因此進一步形成通孔435。一旦已經形成導電元件434a’-c’，DFR疊層可被剝除，如圖4J中所代表者。自導電元件434a'-c'延伸且在導電元件434a’-c’間延伸之導電材料的曝露部份443a-d可如圖4K中所示移除或剝除以確保該等導電元件沒有不需要之電氣耦合。

在此時點，圖4D-4G中所說明之程序可重複進行以形成另一通孔延伸至另一路由層，以及圖4H-4K中所說明之程序可重複進行以形成次一路由層之導電元件。此類程序可重複進行以形成任何所期望數量之通孔及路由層。因為多數DFR剝除技術可能並非對每一層都需要，所以封裝件之整體成本及製造複雜度可以減少。

當無需更多路由層時，材料(例如，模複合物)可圍繞曝露之導電元件(例如，圖4K中所揭示之導電元件434a’-c’)而形成以覆蓋該等導電元件以及形成最終之橋接基材路由層。此程序之結果可為一橋接件具有藉著通孔耦接之FLS跡線之多數路由層，如圖6中所揭示者。供模複合物材料用之所期望之CTE可藉著修改模配方，諸如藉著降低填料內含及/或藉著修改該等填料，而達成。例如，下表顯示可用以供橋接基材用之某些模複合物配方。

如圖7中所揭示者，導電層441及基材或載板442可藉著任何適當技術或程序，諸如藉著剝離及/或蝕刻，加以移除，此舉可導致一成品橋接件430。在上文提及之一實施例中，載板442可包含一剝離性核心，該剝離性核心可在該剝離性核心之剝離性介面處剝離以移除載板442，隨後藉著一銅蝕刻以移除導電層441。接著可在焊墊上執行所期望之表面加工，隨後藉著施加焊料凸塊(未顯示)以完成橋接件。假設期望的話，多數橋接件可藉著此處所揭示之程序同時製造。假設需要的話，一起形成之多數橋接件可分割以形成個別橋接件。任何適當技術，包含機械及化學技術，可用以相互分割(例如，分隔或分開)橋接件，諸如切割(例如，雷射)、鋸切、剪切、銑切、拉削、蝕刻、等。

在某些情況下，可能期望一封裝材料圍繞至少一部分橋接件430，諸如圍繞部份之路由層，配置。圖8A-8C揭示用以完成此舉之一程序。例如，圖8A揭示多數橋接件430a-c，該等橋接件係類似於圖7之橋接件430，配置 (例如，”撿拾及置放”)在一載體470上。載體470可為任何適當組態以及可以任何適當型式之材料(例如，不銹鋼)製造。一釋放性材料471(例如，一熱釋放性膠帶)可配置在載體470上以促進將成品橋接件自該載體釋放及分開。如圖8B中所揭示者，封裝材料433可，諸如藉著外模技術，配置在橋接件430a-c上。成品橋接件430a’-c’，每一成品橋接件分別具有一封裝材料433a’-c’，可自該載體分割並移除，如圖8C中所揭示者。因此本揭示內容提供一橋接件而該接件可利用低成本基材封裝技術(例如，模製)加以製造以替代典型昂貴之晶圓製程。

成品橋接件可配置(例如，”撿拾及置放”)在所期望之封裝基材位置內俾在電子組件間提供電氣互連。一旦配置在一封裝基材內，或與一封裝基材組合，可利用典型之處理程序以製備該封裝基材俾耦接電子組件。

圖9揭示一例示性計算系統502。計算系統502可包含一電子裝置封裝件500，如此處所揭示者，耦接至一母板580。在一態樣中，計算系統502亦可包含一處理器581、一記憶體裝置582、一射頻裝置583、一散熱裝置584、一埠585、一槽、或任何其他可操作式耦接母板580之適當裝置或組件。計算系統502可包含任何形式之計算系統，諸如一桌上型電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一智慧型手機、一伺服器、等。其他實施例無需包含圖9中所指明之全部功能，以及可包含圖9中未指明之替代性功能。實例

下列實例有關進一步之實施例。

在一實例中，係提供一種電氣互連橋接件包含一橋接基材由一模複合物材料所形成，多數路由層設於該橋接基材內，每一路由層具有多數FLS跡線，以及一通孔延伸經由該基材並將該等路由層之一路由層中之該等FLS跡線之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等路由層之另一路由層中之該等FLS跡線之至少一FLS跡線。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該等多數路由層之一第一路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第一模複合物材料以及該等多數路由層之一第二路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第二模複合物材料。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該等多數路由層之該橋接基材包含相同模複合物材料。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該模複合物材料包含環氧酚、環氧酸酐、環氧胺、或前述之一組合。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該等第一及第二多數FLS跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該等第一多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該等第二多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該通孔具有一非圓形截面。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該橋接基材進一步包含一封裝材料至少部份圍繞每一該等多數路由層配置。

在一種電氣互連橋接件之一實例中，該模複合物材料之一CTE係由約7至約25 ppm /℃。

在一實例中，係提供一種電氣互連橋接件母材包含一跡線具有一通孔焊墊，以及一分隔件由配置在該通孔焊墊上之一犧牲材料所形成。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該跡線包含相互分隔最多約10μm之多數跡線。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該犧牲材料係熱分解者。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該犧牲材料包含聚降冰片烯、聚碳酸酯、或前述之一組合。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該分隔件具有一非圓形截面。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該電氣互連橋接件母材包含模複合物材料至少部份圍繞該分隔件之側邊配置，該犧牲材料促進該分隔件之移除使得一開口續留在該模複合物材料中而與該通孔焊墊連通。

在一種電氣互連橋接件母材之一實例中，該電氣互連橋接件母材包含一載體支撐該跡線。

在一實施例中，係提供一種電子裝置封裝基材總成包含一封裝基材，以及一電氣互連橋接件內嵌於該封裝基材內係配置成在耦接至該封裝基材之一第一電子組件與一第二電子組件之間安排電氣信號之路徑，該電氣互連橋接件具有一橋接基材由一模複合物材料所形成，一第一路由層設於該橋接基材內係具有一第一多數FLS跡線，一第二路由層鄰近該第一路由層而配置在該橋接基材內係具有一第二多數FLS跡線，以及一通孔延伸經由該橋接基材並將該等第一多數FLS跡線之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等第二多數FLS跡線之至少一FLS跡線。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該第一路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第一模複合物材料以及該第二路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第二模複合物材料。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該等第一及第二路由層之該橋接基材包含相同模複合物材料。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該模複合物材料包含環氧酚、環氧酸酐、環氧胺、或前述之一組合。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該等第一及第二多數FLS跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該等第一多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該等第二多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該通孔具有一非圓形截面。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該橋接基材進一步包含一封裝材料至少部份圍繞該等第一及第二路由層配置，使得該封裝材料係鄰近該封裝基材之一部份。

在一種電子裝置封裝基材總成之實例中，該模複合物材料之一CTE係由約7至約25 ppm /℃。

在一實例中，係提供一種電子裝置封裝件包含一第一電子組件，一第二電子組件，一封裝基材，以及一電氣互連橋接件內嵌於該封裝基材內以在該第一電子組件與該第二電子組件之間安排電氣信號之路徑，該電氣互連橋接件具有一橋接基材由一模複合物材料所形成，一第一路由層設於該橋接基材內係具有一第一多數FLS跡線，一第二路由層鄰近該第一路由層而配置在該橋接基材內係具有一第二多數FLS跡線，以及一通孔延伸經由該橋接基材並將該等第一多數FLS跡線之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等第二多數FLS跡線之至少一FLS跡線。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該第一路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第一模複合物材料以及該第二路由層之該橋接基材模複合物材料包含一第二模複合物材料。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該第一及第二路由層之該橋接基材包含相同模複合物材料。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該模複合物材料包含環氧酚、環氧酸酐、環氧胺、或前述之一組合。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該等第一及第二多數FLS跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該等第一多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該等第二多數FLS跡線係相互分隔最多約10μm。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該通孔具有一非圓形截面。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該橋接基材進一步包含一封裝材料至少部份圍繞該等第一及第二路由層配置，使得該封裝材料係鄰近該封裝基材之一部份。

在一種電子裝置封裝件之實例中，該模複合物材料之一CTE係由約7至約25 ppm /℃。

在一實例中係提供一種計算系統包含一母板，以及一電子裝置封裝件操作式耦合至該母板，該電子裝置封裝件包含一第一電子組件，一第二電子組件，一封裝基材，以及一電氣互連橋接件內嵌於該封裝基材內以在該第一電子組件與該第二電子組件之間安排電氣信號之路徑，該電氣互連橋接件具有一橋接基材由一模複合物材料所形成，一第一路由層設於該橋接基材內係具有一第一多數FLS跡線，一第二路由層鄰近該第一路由層而配置在該橋接基材內係具有一第二多數FLS跡線，以及一通孔延伸經由該橋接基材並將該等第一多數FLS跡線之至少一FLS跡線電氣式耦接至該等第二多數FLS跡線之至少一FLS跡線。

在一種計算系統之一實例中，該計算系統包含一桌上型電腦，一膝上型電腦，一平板電腦，一智慧型手機，一伺服器，或前述之一組合。

在一種計算系統之一實例中，該計算系統進一步包含一處理器，一記憶體裝置，一散熱裝置，一射頻裝置，一槽，一埠，或前述之一組合均操作式耦接至該母板。

在一實例中係提供一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法包含在一導電元件上形成一分隔件，至少部份圍繞該分隔件之側邊模製一模材料，移除該分隔件以在該模材料中形成一開口而與該導電元件連通，以及在該開口中配置一導電材料以形成一通孔。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，形成一分隔件包含在該導電元件上配置一犧牲材料。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該導電元件包含一通孔焊墊。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，在該導電元件上配置一犧牲材料包含簾塗佈、自旋塗佈、印刷、配製、或前述之一組合。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該方法包含界定該分隔件之一形狀。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，界定該分隔件之一形狀包含光-界定該形狀，乾式蝕刻該形狀、或前述之一組合。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該分隔件之該形狀具有一非圓形截面。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，圍繞該分隔件模製一模材料包含壓縮模製使得該分隔件係與該模材料齊平。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該分隔件係由一犧牲材料所形成，以及其中移除該分隔件包含加熱該分隔件以足以分解該犧牲材料。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該犧牲材料包含聚降冰片烯、聚碳酸酯、或前述之一組合。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，在該開口中配置一導電材料包含形成該導電材料之一種子層，電鍍該導電材料，或前述之一組合。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該導電元件包含一跡線及一通孔焊墊中之至少一種。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該跡線包含相互分隔最多約10μm之多數跡線。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該方法包含在該通孔上配置導電材料以形成一第二導電元件。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該方法包含在該第二導電元件上形成一第二分隔件，至少圍繞該第二分隔件之側邊模製一模材料，移除該第二分隔件以在該模材料中形成一第二開口而與該第二導電元件連通，以及在該第二開口中配置一導電材料以形成一第二通孔。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該第二導電元件包含一跡線。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該跡線具有約10μm之一最大寬度。

在一種用於製造一通孔以供電氣式耦接導電元件用之方法之實例中，該跡線包含相互分隔最多約10μm之多數跡線。

在一實例中係提供一種用於製造一電氣互連橋接件之方法包含形成一第一導電元件，在該第一導電元件上形成一通孔如此處所說明者，以及在該通孔上形成一第二導電元件。

在一實例中係提供一種藉著上述方法所製造之電氣互連橋接件。

一電子裝置封裝件之電子組件或裝置(例如，一晶粒)中所使用之電路可包含硬體、韌體、程式碼、可執行碼、電腦指令及/或軟體。電子組件及裝置可包含一非暫時性電腦可讀儲存媒介而該電腦可讀儲存媒介可為未包含信號之一電腦可讀儲存媒介。在可程式電腦上執行程式碼之情況下，此處所描述之計算裝置可包含一處理器、一可藉著該處理器讀取之儲存媒介(包含依電性及非依電性記憶體及/或儲存元件)、至少一輸入裝置、以及至少一輸出裝置。依電性及非依電性記憶體及/或儲存元件可為一RAM、EPROM、快閃驅動裝置、光學驅動裝置、磁性硬式驅動裝置、固態硬碟、或其他用於儲存電子資料之媒介。節點及無線裝置亦可包含一收發模組、一計數器模組、一處理模組、及/或一時脈模組或計時器模組。可執行或利用此處所說明之任何技術之一或多個程式可使用一應用程式介面(API)、可再使用控制技術、及類似技術。此類程式可以一高階程序或目標導向程式語言加以執行以與一電腦系統溝通。然而，假設期望的話，程式可以組合或機器語言加以執行。無論如何，該語言可為一編譯或解釋語言，以及與硬體建置結合。

雖然前述實例係在一或多個特定應用中之特定實施例之說明，然而對於本技藝中之普通技術人士而言將顯而易知的是，建置之型式、使用、及細節方面之許多修改均可進行而不會偏離此處所清楚表達之原理及概念。

100‧‧‧封裝件
101‧‧‧總成
110‧‧‧封裝基材
120‧‧‧(第一)電子組件
121‧‧‧(第二)電子組件
122‧‧‧互連結構
130、230、430、430a-c、430a’-c’‧‧‧橋接件
131、231‧‧‧橋接基材
232a-d‧‧‧路由層
233、433、433a’-c’‧‧‧封裝材料
234a-f、334a-c‧‧‧跡線
235a-d、335a、335c、435‧‧‧通孔
336a、336c‧‧‧焊墊
434a-c、434a’ -c’‧‧‧導電元件
440、440’‧‧‧乾膜疊層
441、441’‧‧‧導電層
442‧‧‧載板
443a-d‧‧‧曝露部份
450‧‧‧分隔件
452‧‧‧開口
460‧‧‧材料
461‧‧‧軸向壓縮力
462‧‧‧模釋放性材料
463‧‧‧側向力
471‧‧‧釋放性材料
500‧‧‧電子裝置封裝件
502‧‧‧計算系統
580‧‧‧母板
581‧‧‧處理器
582‧‧‧記憶體裝置
583‧‧‧射頻裝置
584‧‧‧散熱裝置
585‧‧‧埠
X‧‧‧焊墊中心間之距離
Y‧‧‧跡線寬度
Z‧‧‧跡線間之間距/跡線與焊墊間之間距

發明特徵及優點將由隨後關連於隨附圖式之詳細說明而顯而易知，該等詳細說明及圖式共同，藉由實例，揭示各種發明實施例；以及，其中： 圖1揭示依據一實例之一電子裝置封裝件之一示意截面圖； 圖2揭示依據一實例之一電氣互連橋接件之一示意截面圖； 圖3揭示依據一實例之跡線、通孔、及通孔焊墊之尺寸； 圖4A揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以利用一乾膜光阻(DFR)疊層技術圖案化一互連橋接件之導電元件； 圖4B揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以組建一互連橋接件之導電元件； 圖4C揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以移除DFR疊層； 圖4D揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以在一導電元件上形成一分隔件； 圖4E揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以在至少部份圍繞一分隔件之側邊配置一材料； 圖4F揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以移除一分隔件以在連通該導電元件之材料中形成一開口； 圖4G揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以在該開口中配置導電材料以形成一通孔； 圖4H揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以利用DFR疊層技術在一互連橋接件之一路由層上圖案化導電元件； 圖4I揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以在一互連橋接件之一路由層上組建導電元件； 圖4J揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以自一路由層移除DFR疊層； 圖4K揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以自一路由層移除過剩導電材料； 圖5揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以圍繞一分隔件壓縮模製材料； 圖6揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例之一電氣互連橋接件具有多數路由層之導電元件藉著配置在一載體上之通孔而耦接； 圖7揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以移除該載體而形成一電氣互連橋接件； 圖8A揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例之配置在一載體上之多數電氣互連橋接件； 圖8B揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以在多數電氣互連橋接件上配置封裝材料； 圖8C揭示依據一種用於製造一電氣互連橋接件之方法之一實例以自一載體分割及移除具有封裝材料之多數電氣互連橋接件；以及 圖9係一示範性計算系統之一示意圖。

現將參考所揭示之示範性實施例，以及此處將使用特定用語以說明該等示範性實施例。然而將理解並無意圖藉此限制範圍或特定發明實施例。

230‧‧‧橋接件

231‧‧‧橋接基材

232a-d‧‧‧路由層

233‧‧‧封裝材料

234a-f‧‧‧跡線

235a-d‧‧‧通孔

236‧‧‧間距

Claims (28)

1. 一種電氣互連橋接件，包含： 一模製橋接基材，其包含一模複合物材料； 於該橋接基材內之多數路由層，每一路由層具有多數細線及分隔(FLS)跡線；以及 一通孔，其延伸經由該基材並將該等路由層之一者中的該等FLS跡線之至少一者電氣耦接至該等路由層之另一者中的該等FLS跡線之至少一者。
2. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該等多數路由層之一第一路由層包括一第一模複合物材料且該等多數路由層之一第二路由層包括一第二模複合物材料。
3. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該等多數路由層各包括相同的模複合物材料。
4. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該模複合物材料包含環氧酚、環氧酸酐、環氧胺、或其之一組合。
5. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該等第一及第二多數FLS跡線具有約10μm之一最大寬度。
6. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該等第一多數FLS跡線係以不超過約10μm相互分隔。
7. 如請求項6之電氣互連橋接件，其中該等第二多數FLS跡線係以不超過約10μm相互分隔。
8. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該通孔具有一非圓形截面。
9. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該橋接基材進一步包含至少部份圍繞各該等多數路由層配置之一封裝材料。
10. 如請求項1之電氣互連橋接件，其中該模複合物材料之一CTE係從約7至約25 ppm /℃。
11. 一種電子裝置封裝基材總成，包含： 一封裝基材；以及 一電氣互連橋接件，其內嵌於該封裝基材內經配置以在耦接至該封裝基材之一第一電子組件與一第二電子組件之間安排電氣信號的路徑，該電氣互連橋接件具有： 一模製橋接基材，其包含一模複合物材料、 於該橋接基材內之一第一路由層，其具有一第一多數細線及分隔(FLS)跡線、 鄰近該第一路由層配置在該橋接基材內之一第二路由層，其具有一第二多數FLS跡線、及 一通孔，其延伸經由該橋接基材並將該等第一多數FLS跡線之至少一者電氣耦接至該等第二多數FLS跡線之至少一者。
12. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該第一路由層包括一第一模複合物材料且該第二路由層包括一第二模複合物材料。
13. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該等第一及第二路由層包括相同的模複合物材料。
14. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該模複合物材料包含環氧酚、環氧酸酐、環氧胺、或其之一組合。
15. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該等第一及第二多數FLS跡線具有約10μm之一最大寬度。
16. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該等第一多數FLS跡線係以不超過約10μm相互分隔。
17. 如請求項16之電子裝置封裝基材總成，其中該等第二多數FLS跡線係以不超過約10μm相互分隔。
18. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該通孔具有一非圓形截面。
19. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該橋接基材進一步包含一封裝材料，其至少部份圍繞該等第一及第二路由層配置，使得該封裝材料係鄰近該封裝基材之一部份。
20. 如請求項11之電子裝置封裝基材總成，其中該模複合物材料之一CTE係從約7至約25 ppm /℃。
21. 一種用於製造通孔以供電氣耦接導電元件之方法，包含： 在一導電元件上形成一分隔件； 至少部份圍繞該分隔件之側邊模製一模材料； 移除該分隔件以在該模材料中形成一開口而與該導電元件連通；以及 在該開口中配置一導電材料以形成一通孔。
22. 如請求項21之方法，其中形成一分隔件包含在該導電元件上配置一犧牲材料。
23. 如請求項21之方法，進一步包含界定該分隔件之一形狀。
24. 如請求項21之方法，其中圍繞該分隔件模製一模材料包含壓縮模製使得該分隔件係與該模材料齊平。
25. 如請求項21之方法，其中該分隔件係由一犧牲材料所形成，且其中移除該分隔件包含加熱該分隔件而足以分解該犧牲材料。
26. 如請求項21之方法，其中在該開口中配置一導電材料包含形成該導電材料之一種子層、電鍍該導電材料、或其之一組合。
27. 如請求項21之方法，其中該導電元件包含一跡線及一通孔焊墊中之至少一者。
28. 如請求項21之方法，進一步包含在該通孔上配置導電材料以形成一第二導電元件。